JPH09223932A - High frequency mixer circuit - Google Patents

High frequency mixer circuit

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JPH09223932A
JPH09223932A JP2933696A JP2933696A JPH09223932A JP H09223932 A JPH09223932 A JP H09223932A JP 2933696 A JP2933696 A JP 2933696A JP 2933696 A JP2933696 A JP 2933696A JP H09223932 A JPH09223932 A JP H09223932A
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JP
Japan
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frequency signal
microstrip line
intermediate frequency
matching circuit
mixer
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Application number
JP2933696A
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Japanese (ja)
Inventor
Takeshi Sakura
武志 佐倉
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
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  • Input Circuits Of Receivers And Coupling Of Receivers And Audio Equipment (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a high frequency mixer for not generating a resonance phenomenon inside an intermediate frequency signal band. SOLUTION: In this high frequency mixer circuit for which a high frequency signal input terminal or a local oscillation signal input terminal is a waveguide interface, an MIM capacitor 20 is provided on a position where an electric length to a first ground point 15 to be one reflection point for causing resonance on a first microstrip line 13 for propagating high frequency signals is equal to or less than 1/4 wavelength of the intermediate frequency signal band. Also, the MIM capacitor 21 is provided on the position where the electric length to a second ground point 16 to be one reflection point for causing the resonance on a second microstrip line 14 for propagating local oscillation signals is equal to or less than 1/4 wavelength of the intermediate frequency signal band. By changing a distance between the reflection points for causing the resonance, a resonance frequency is moved to the outside of the band of a desired intermediate frequency signal frequency.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、高周波信号入力
端子、または局発信号入力端子が導波管インターフェー
スである高周波ミキサ回路に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a high frequency mixer circuit in which a high frequency signal input terminal or a local oscillator signal input terminal is a waveguide interface.

【0002】[0002]

【従来の技術】図7は従来の高周波ミキサ回路を示すブ
ロック図である。図において1は高周波信号入力端子、
2は局発信号入力端子、3は中間周波信号出力端子、4
は第1の導波管/マイクロストリップ線路変換器、5は
第2の導波管/マイクロストリップ線路変換器、6は伝
送線路、7は電界効果トランジスタ(Field Ef
fect Transistor、以下FETとい
う。)ミキサまたはダイオードミキサ、8は第1のロー
パスフィルタ(Low Pass Filter、以下
LPFという。)、9は第2のLPF、10は高周波信
号用入力整合回路、11は局発信号用入力整合回路、1
2は中間周波信号用出力整合回路、13は第1のマイク
ロストリップ線路、14は第2のマイクロストリップ線
路、15は第1の接地点、16は第2の接地点である。
2. Description of the Related Art FIG. 7 is a block diagram showing a conventional high frequency mixer circuit. In the figure, 1 is a high-frequency signal input terminal,
2 is a local signal input terminal, 3 is an intermediate frequency signal output terminal, 4
Is a first waveguide / microstrip line converter, 5 is a second waveguide / microstrip line converter, 6 is a transmission line, and 7 is a field effect transistor (Field Ef).
A complete transistor, hereinafter referred to as a FET. ) Mixer or diode mixer, 8 is a first low pass filter (hereinafter referred to as LPF), 9 is a second LPF, 10 is a high frequency signal input matching circuit, 11 is a local signal input matching circuit, 1
2 is an output matching circuit for intermediate frequency signals, 13 is a first microstrip line, 14 is a second microstrip line, 15 is a first ground point, and 16 is a second ground point.

【0003】次に動作について説明する。高周波信号入
力端子1から入力された高周波信号は第1の導波管/マ
イクロストリップ線路変換器4により導波管モードから
マイクロストリップ線路のモードに変換され、第1のマ
イクロストリップ線路13および高周波信号用入力整合
回路10に伝搬してFETミキサまたはダイオードミキ
サ7に印加される。局発信号入力端子2から入力された
局発信号は第2の導波管/マイクロストリップ線路変換
器5により導波管モードからマイクロストリップ線路の
モードに変換され、第2のマイクロストリップ線路14
および局発信号用入力整合回路11を伝搬してFETミ
キサまたはダイオードミキサ7に印加される。FETミ
キサまたはダイオードミキサ7は高周波信号を高周波信
号と局発信号の差の周波数成分である中間周波信号に変
換する。中間周波信号は中間周波信号用出力整合回路1
2、伝送線路6を伝搬し中間周波信号出力端子3から取
り出される。第1のLPF8は第1の接地点15で接地
されており、FETミキサまたはダイオードミキサ7で
発生した中間周波信号を選択通過させ、高周波信号用入
力整合回路10側に伝搬するのを防ぐために設けられた
ものである。第2のLPF9は第2の接地点16で接地
されており、FETミキサまたはダイオードミキサ7で
発生した中間周波信号を選択通過させ、局発信号用入力
整合回路11側に伝搬するのを防ぐために設けられたも
のである。
Next, the operation will be described. The high-frequency signal input from the high-frequency signal input terminal 1 is converted from the waveguide mode to the microstrip line mode by the first waveguide / microstrip line converter 4, and the first microstrip line 13 and the high-frequency signal are converted. Propagates to the input matching circuit 10 and is applied to the FET mixer or the diode mixer 7. The local oscillator signal input from the local oscillator signal input terminal 2 is converted from the waveguide mode to the microstrip line mode by the second waveguide / microstrip line converter 5, and the second microstrip line 14
And is propagated through the local signal input matching circuit 11 and applied to the FET mixer or the diode mixer 7. The FET mixer or the diode mixer 7 converts a high frequency signal into an intermediate frequency signal which is a frequency component of the difference between the high frequency signal and the local oscillation signal. Intermediate frequency signal is output matching circuit 1 for intermediate frequency signal
2, propagated through the transmission line 6, and taken out from the intermediate frequency signal output terminal 3. The first LPF 8 is grounded at the first grounding point 15 and is provided to selectively pass the intermediate frequency signal generated by the FET mixer or the diode mixer 7 and prevent it from propagating to the high frequency signal input matching circuit 10 side. It has been done. The second LPF 9 is grounded at the second grounding point 16, and in order to selectively pass the intermediate frequency signal generated by the FET mixer or the diode mixer 7 and prevent the intermediate frequency signal from propagating to the local signal input matching circuit 11 side. It is provided.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】従来の高周波ミキサ回
路では、第1の接地点15で中間周波信号の反射成分が
発生し、第1のLPF8、高周波信号用入力整合回路1
0、第1のマイクロストリップ線路13を伝搬し、第1
の導波管/マイクロストリップ線路変換器4まで到達す
る。中間周波信号に対しては第1の導波管/マイクロス
トリップ線路変換器4は開放であるため、不整合により
中間周波信号の漏れ出し成分に対する反射波が発生す
る。このため、第1の接地点15と第1の導波管/マイ
クロストリップ線路変換器4とが反射点となり、第1の
接地点15と第1の導波管/マイクロストリップ線路変
換器4との電気長l1 が1/4波長となる共振が発生
し、電気長l1 の長さによっては、共振が所望する中間
周波信号の帯域内に現れてしまうという課題があった。
また、第2の接地点16でも中間周波信号の反射成分が
発生し、第2のLPF9、局発信号用入力整合回路1
1、第2のマイクロストリップ線路14を伝搬し、第2
の導波管/マイクロストリップ線路変換器5まで到達す
る。中間周波信号に対しては第2の導波管/マイクロス
トリップ線路変換器5は開放であるため、不整合により
中間周波信号漏れ出し成分に対する反射波が発生する。
このため、第2の接地点16と第2の導波管/マイクロ
ストリップ線路変換器5とが反射点となり、第2の接地
点16と第2の導波管/マイクロストリップ線路変換器
5との電気長l2 が1/4波長となる共振が発生し、電
気長l2の長さによっては、共振が所望する中間周波信
号の帯域内に現れてしまうという課題があった。
In the conventional high frequency mixer circuit, the reflection component of the intermediate frequency signal is generated at the first ground point 15, and the first LPF 8 and the high frequency signal input matching circuit 1 are provided.
0, propagates through the first microstrip line 13,
It reaches the waveguide / microstrip line converter 4. Since the first waveguide / microstrip line converter 4 is open with respect to the intermediate frequency signal, a reflected wave for the leakage component of the intermediate frequency signal is generated due to the mismatch. Therefore, the first ground point 15 and the first waveguide / microstrip line converter 4 serve as reflection points, and the first ground point 15 and the first waveguide / microstrip line converter 4 are connected to each other. There is a problem in that resonance occurs in which the electric length l 1 of 1 becomes a quarter wavelength, and the resonance appears in the band of the desired intermediate frequency signal depending on the length of the electric length l 1 .
In addition, the reflection component of the intermediate frequency signal is generated also at the second ground point 16, and the second LPF 9 and the local signal input matching circuit 1
Propagating through the first and second microstrip lines 14,
The waveguide / microstrip line converter 5 of FIG. Since the second waveguide / microstrip line converter 5 is open for the intermediate frequency signal, a reflected wave for the intermediate frequency signal leakage component is generated due to the mismatch.
Therefore, the second ground point 16 and the second waveguide / microstrip line converter 5 serve as reflection points, and the second ground point 16 and the second waveguide / microstrip line converter 5 are connected to each other. There is a problem that resonance occurs in which the electric length l 2 of the above is 1/4 wavelength, and the resonance appears in the band of the desired intermediate frequency signal depending on the length of the electric length l 2 .

【0005】この発明は上記のような課題を解決するた
めになされたもので、高周波ミキサ回路の所望する中間
周波信号の帯域内共振を防止することを目的とする。
The present invention has been made to solve the above problems, and an object thereof is to prevent in-band resonance of a desired intermediate frequency signal of a high frequency mixer circuit.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】第1の発明に係わる高周
波ミキサ回路は高周波信号が伝搬される第1のマイクロ
ストリップ線路に高周波信号を通過させ、中間周波信号
を遮断する容量のキャパシタを共振を引き起こす一方の
反射点となる第1の接地点から電気長で中間周波信号帯
域の1/4波長以下の位置に設け、さらに、局発信号が
伝搬される第2のマイクロストリップ線路に局発信号を
通過させ、中間周波信号を遮断する容量のキャパシタを
共振を引き起こす一方の反射点となる第2の接地点から
電気長で中間周波信号帯域の1/4波長以下の位置に設
け、共振を引き起こす反射点間の距離を変えることで、
共振周波数を所望の中間周波信号の帯域外に移動させる
構成としている。
A high frequency mixer circuit according to a first aspect of the present invention allows a high frequency signal to pass through a first microstrip line through which a high frequency signal is propagated, and a capacitor having a capacitance for cutting off an intermediate frequency signal to resonate. It is provided at a position within 1/4 wavelength of the intermediate frequency signal band in terms of electrical length from the first grounding point which is one reflection point causing the local oscillation signal, and is further transmitted to the second microstrip line through which the local oscillation signal is propagated. To cause resonance by providing a capacitor having a capacity for passing the intermediate frequency signal and blocking the intermediate frequency signal from the second ground point, which is one reflection point that causes resonance, at a position within 1/4 wavelength of the intermediate frequency signal band in terms of electrical length By changing the distance between the reflection points,
The resonance frequency is moved outside the band of the desired intermediate frequency signal.

【0007】また、第2の発明の高周波ミキサ回路は第
1の発明に係わる高周波ミキサ回路において、第1、第
2のキャパシタとして、チップキャパシタ、MIM(M
etal Insurator Metal)キャパシ
タ、およびインターデジタル(Inter Degit
al、以下IDという。)キャパシタを用い、共振を引
き起こす反射点間の距離を変えることで、共振周波数を
所望の中間周波信号の帯域外に移動させる構成としてい
る。
A high frequency mixer circuit according to a second aspect of the present invention is the high frequency mixer circuit according to the first aspect, wherein a chip capacitor, MIM (M
et al Insulator Metal, and inter digital (Inter Digit)
al, hereinafter referred to as ID. ) A capacitor is used to change the distance between the reflection points that cause resonance to move the resonance frequency outside the band of the desired intermediate frequency signal.

【0008】第3の発明の高周波ミキサ回路は高周波信
号が伝搬される第1のマイクロストリップ線路に高周波
信号を通過させ、中間周波信号を遮断するカップラを共
振を引き起こす一方の反射点となる第1の接地点から電
気長で中間周波信号帯域の1/4波長以下の位置に設
け、さらに、局発信号が伝搬される第2のマイクロスト
リップ線路に局発信号を通過させ、中間周波信号を遮断
するカップラを共振を引き起こす一方の反射点となる第
2の接地点から電気長で中間周波信号帯域の1/4波長
以下の位置に設け、共振を引き起こす反射点間の距離を
変えることで、共振周波数を所望の中間周波信号の帯域
外に移動させる構成としている。
In the high-frequency mixer circuit of the third invention, the first microstrip line through which the high-frequency signal is propagated passes the high-frequency signal, and the coupler for cutting off the intermediate-frequency signal serves as one reflection point which causes resonance. Provided at a position within 1/4 wavelength of the intermediate frequency signal band from the grounding point of the terminal, and further pass the local signal to the second microstrip line through which the local signal is propagated and block the intermediate frequency signal. The coupler is installed at a position that is less than a quarter wavelength of the intermediate frequency signal band in terms of electrical length from the second ground point, which is one reflection point causing resonance, and the resonance point is changed by changing the distance between the reflection points causing resonance. The frequency is moved outside the band of the desired intermediate frequency signal.

【0009】また、第4の発明の高周波ミキサ回路は高
周波信号が伝搬される第1のマイクロストリップ線路
に、中間周波信号を通過させ、共振を引き起こす一方の
反射点となる第1の接地点までの電気長が中間周波信号
帯域の1/2波長以下になる位置に接地点をもつ第3の
LPFを接続し、さらに、局発信号が伝搬される第2の
マイクロストリップ線路に中間周波信号を通過させ、共
振を引き起こす一方の反射点となる第2の接地点までの
電気長が中間周波信号帯域の1/2波長以下になる位置
に接地点をもつ第4のLPFを接続し、共振を引き起こ
す反射点間の距離を変えることで、共振周波数を所望の
中間周波信号の帯域外に移動させる構成としている。
In the high frequency mixer circuit of the fourth invention, the intermediate frequency signal is passed through the first microstrip line through which the high frequency signal is propagated to the first ground point which is one reflection point causing resonance. Is connected to a third LPF having a grounding point at a position where the electrical length of is less than 1/2 wavelength of the intermediate frequency signal band, and the intermediate frequency signal is transmitted to the second microstrip line through which the local oscillator signal is propagated. A fourth LPF having a grounding point is connected at a position where the electric length up to the second grounding point, which is one of the reflection points that causes the resonance to occur, is equal to or less than 1/2 wavelength of the intermediate frequency signal band, and the resonance is caused. The resonance frequency is moved outside the band of the desired intermediate frequency signal by changing the distance between the reflection points.

【0010】また、第5の発明の高周波ミキサ回路は、
高周波信号が伝搬される第1のマイクロストリップ線路
に中間周波信号を終端させ、電気長が高周波信号の1/
4波長である第1のショートスタブが一端に接続された
第1の終端抵抗を接続し、さらに、局発信号が伝搬され
る第2のマイクロストリップ線路に中間周波信号を終端
させ、電気長が局発信号の1/4波長である第2のショ
ートスタブが一端に接続された第2の終端抵抗を接続
し、共振を引き起こす反射点間に終端抵抗を並列に接続
することで、共振の発生を防ぐ構成としている。
The high frequency mixer circuit of the fifth invention is
The intermediate frequency signal is terminated in the first microstrip line through which the high frequency signal is propagated, and the electrical length is 1 /
The first short stub having four wavelengths is connected to the first terminating resistor whose one end is connected, and further, the intermediate frequency signal is terminated to the second microstrip line through which the local oscillation signal is propagated. Resonance occurs by connecting the second terminating resistor, which is connected to one end of the second short stub that is ¼ wavelength of the local oscillation signal, and connecting the terminating resistors in parallel between the reflection points that cause resonance. Is configured to prevent.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION

実施の形態1.図1はこの発明の実施の形態1を示す高
周波ミキサ回路を示すブロック図である。図において1
〜16までは従来の高周波ミキサ回路を示すブロック図
7と同様のものを示す。17は第1のチップキャパシ
タ、18は第2のチップキャパシタである。
Embodiment 1. 1 is a block diagram showing a high frequency mixer circuit according to a first embodiment of the present invention. 1 in the figure
Up to 16 are similar to the block diagram 7 showing the conventional high frequency mixer circuit. Reference numeral 17 is a first chip capacitor, and 18 is a second chip capacitor.

【0012】次に上記高周波ミキサ回路の動作について
説明する。高周波信号入力端子1から入力された高周波
信号は第1の導波管/マイクロストリップ線路変換器4
により導波管モードからマイクロストリップ線路のモー
ドに変換され、第1のマイクロストリップ線路13、第
1のチップキャパシタ17および高周波信号用入力整合
回路10を伝搬してFETミキサまたはダイオードミキ
サ7に印加される。局発信号入力端子2から入力された
局発信号は第2の導波管/マイクロストリップ線路変換
器5により導波管モードからマイクロストリップ線路の
モードに変換され、第2のマイクロストリップ線路1
4、第2のチップキャパシタ18および局発信号用入力
整合回路11を伝搬してFETミキサまたはダイオード
ミキサ7に印加される。FETミキサまたはダイオード
ミキサ7は高周波信号を高周波信号と局発信号の差の周
波数成分である中間周波信号に変換する。中間周波信号
は中間周波信号用出力整合回路12、伝送線路6を伝搬
し中間周波信号出力端子3から取り出される。
Next, the operation of the above high frequency mixer circuit will be described. The high frequency signal input from the high frequency signal input terminal 1 is supplied to the first waveguide / microstrip line converter 4
Is converted from a waveguide mode to a mode of a microstrip line by means of propagating through the first microstrip line 13, the first chip capacitor 17 and the high frequency signal input matching circuit 10 and applied to the FET mixer or the diode mixer 7. It The local oscillator signal input from the local oscillator signal input terminal 2 is converted from the waveguide mode to the microstrip line mode by the second waveguide / microstrip line converter 5, and the second microstrip line 1
4, propagated through the second chip capacitor 18 and the local oscillator signal input matching circuit 11 and applied to the FET mixer or the diode mixer 7. The FET mixer or the diode mixer 7 converts a high frequency signal into an intermediate frequency signal which is a frequency component of the difference between the high frequency signal and the local oscillation signal. The intermediate frequency signal propagates through the intermediate frequency signal output matching circuit 12 and the transmission line 6, and is taken out from the intermediate frequency signal output terminal 3.

【0013】一方、高周波信号用入力整合回路10側に
漏れ出した中間周波信号は、中間周波信号を選択通過さ
せる第1のLPF8のために、高周波信号用入力整合回
路10に直接、伝搬されることはない。しかし、第1の
LPF8を伝搬した中間周波信号は接地点15において
反射波が発生し、第1のLPF8、高周波信号用入力整
合回路10を経由して第1のチップキャパシタ17に到
達する。第1のチップキャパシタ17は高周波信号を通
過させ、中間周波信号を遮断するように容量が設定され
ているので、到達した中間周波信号の反射波はさらに反
射され、第1の接地点15との間で共振が起こる。ここ
で、第1の接地点15から第1のチップキャパシタ17
までの電気長l1 を中間周波信号帯域の1/4波長以下
に設定することにより共振周波数を中間周波信号周波数
の帯域外に移動させることができる。また、局発信号用
入力整合回路11側に漏れ出した中間周波信号は、中間
周波信号を選択通過させる第2のLPF9のために、局
発信号用入力整合回路11に直接、伝搬することはな
い。しかし、第2のLPF9を伝搬した中間周波信号は
第2の接地点16において反射波が発生し、第2のLP
F9、局発信号用入力整合回路11を経由して第2のチ
ップキャパシタ18に到達する。第2のチップキャパシ
タ18は局発信号を通過させ、中間周波信号を遮断する
ように容量が設定されているので、到達した中間周波信
号の反射波はさらに反射され、第2の接地点16との間
で共振が起こる。ここで、第2の接地点16から第2の
チップキャパシタ18までの電気長l2 を中間周波信号
帯域の1/4波長以下に設定することにより共振周波数
を中間周波信号周波数の帯域外に移動させることができ
る。
On the other hand, the intermediate frequency signal leaking to the high frequency signal input matching circuit 10 side is directly propagated to the high frequency signal input matching circuit 10 because of the first LPF 8 that selectively passes the intermediate frequency signal. There is no such thing. However, the intermediate frequency signal propagating through the first LPF 8 causes a reflected wave at the ground point 15, and reaches the first chip capacitor 17 via the first LPF 8 and the high frequency signal input matching circuit 10. Since the capacitance of the first chip capacitor 17 is set so as to pass the high frequency signal and block the intermediate frequency signal, the reflected wave of the reached intermediate frequency signal is further reflected and the first chip capacitor 17 and the first ground point 15 are connected together. Resonance occurs between them. Here, from the first ground point 15 to the first chip capacitor 17
By setting the electric length l 1 up to 1/4 wavelength of the intermediate frequency signal band or less, the resonance frequency can be moved outside the band of the intermediate frequency signal frequency. Further, the intermediate frequency signal leaking to the local signal input matching circuit 11 side cannot be directly propagated to the local signal input matching circuit 11 because of the second LPF 9 that selectively passes the intermediate frequency signal. Absent. However, the intermediate frequency signal propagating through the second LPF 9 causes a reflected wave at the second ground point 16 to cause a second LP signal.
The second chip capacitor 18 is reached via F9 and the input matching circuit 11 for local oscillator signal. The capacitance of the second chip capacitor 18 is set so as to pass the local signal and block the intermediate frequency signal, so that the reflected wave of the reached intermediate frequency signal is further reflected and the second ground point 16 and Resonance occurs between. Here, by setting the electrical length l 2 from the second ground point 16 to the second chip capacitor 18 to be ¼ wavelength or less of the intermediate frequency signal band, the resonance frequency is moved to the outside of the intermediate frequency signal frequency band. Can be made.

【0014】このように、第1の接地点15から第1の
導波管/マイクロストリップ線路変換器4までの電気
長、および第2の接地点16から第2の導波管/マイク
ロストリップ線路変換器5までの電気長を中間周波信号
帯域の1/4波長以下にできない場合でも、チップキャ
パシタを用いることにより、高周波ミキサ回路の所望す
る中間周波信号の帯域内共振を防止することができる。
Thus, the electrical length from the first ground point 15 to the first waveguide / microstrip line converter 4 and the second ground point 16 to the second waveguide / microstrip line. Even when the electrical length up to the converter 5 cannot be made equal to or less than ¼ wavelength of the intermediate frequency signal band, the use of the chip capacitor can prevent in-band resonance of the intermediate frequency signal desired by the high frequency mixer circuit.

【0015】実施の形態2.図2はこの発明の実施の形
態2を示す高周波ミキサ回路を示すブロック図である。
図において1〜16までは従来の高周波ミキサ回路を示
すブロック図7と同様のものを示す。19は第1のMI
Mキャパシタ、20は第2のMIMキャパシタである。
Embodiment 2 2 is a block diagram showing a high frequency mixer circuit according to a second embodiment of the present invention.
In the figure, 1 to 16 show the same as the block diagram 7 showing the conventional high frequency mixer circuit. 19 is the first MI
M capacitor, 20 is a second MIM capacitor.

【0016】次に上記高周波ミキサ回路の動作について
説明する。高周波信号入力端子1から入力された高周波
信号は第1の導波管/マイクロストリップ線路変換器4
により導波管モードからマイクロストリップ線路のモー
ドに変換され、第1のマイクロストリップ線路13、第
1のMIMキャパシタ19および高周波信号用入力整合
回路10を伝搬してFETミキサまたはダイオードミキ
サ7に印加される。局発信号入力端子2から入力された
局発信号は第2の導波管/マイクロストリップ線路変換
器5により導波管モードからマイクロストリップ線路の
モードに変換され、第2のマイクロストリップ線路1
4、第2のMIMキャパシタ20および局発信号用入力
整合回路11を伝搬してFETミキサまたはダイオード
ミキサ7に印加される。FETミキサまたはダイオード
ミキサ7は高周波信号を高周波信号と局発信号の差の周
波数成分である中間周波信号に変換する。中間周波信号
は中間周波信号用出力整合回路12、伝送線路6を伝搬
し中間周波信号出力端子3から取り出される。
Next, the operation of the high frequency mixer circuit will be described. The high frequency signal input from the high frequency signal input terminal 1 is supplied to the first waveguide / microstrip line converter 4
Is converted from the waveguide mode to the mode of the microstrip line by the propagation through the first microstrip line 13, the first MIM capacitor 19 and the high frequency signal input matching circuit 10 and applied to the FET mixer or the diode mixer 7. It The local oscillator signal input from the local oscillator signal input terminal 2 is converted from the waveguide mode to the microstrip line mode by the second waveguide / microstrip line converter 5, and the second microstrip line 1
4, propagated through the second MIM capacitor 20 and the local oscillator signal input matching circuit 11 and applied to the FET mixer or the diode mixer 7. The FET mixer or the diode mixer 7 converts a high frequency signal into an intermediate frequency signal which is a frequency component of the difference between the high frequency signal and the local oscillation signal. The intermediate frequency signal propagates through the intermediate frequency signal output matching circuit 12 and the transmission line 6, and is taken out from the intermediate frequency signal output terminal 3.

【0017】一方、高周波信号用入力整合回路10側に
漏れ出した中間周波信号は、中間周波信号を選択通過さ
せる第1のLPF8のために、高周波信号用入力整合回
路10に直接、伝搬されることはない。しかし、第1の
LPF8を伝搬した中間周波信号は第1の接地点15に
おいて反射波が発生し、第1のLPF8、高周波信号用
入力整合回路10を経由して第1のMIMキャパシタ1
9に到達する。第1のMIMキャパシタ19は高周波信
号を通過させ、中間周波信号を遮断する容量になるよう
に形成されているので、到達した中間周波信号の反射波
はさらに反射され、第1の接地点15との間で共振が起
こる。ここで、第1の接地点15から第1のMIMキャ
パシタ19までの電気長l1 を中間周波信号帯域の1/
4波長以下に設定することにより共振周波数を中間周波
信号周波数の帯域外に移動させることができる。また、
局発信号用入力整合回路11側に漏れ出した中間周波信
号は、中間周波信号を選択通過させる第2のLPF9の
ために、局発信号用入力整合回路11に直接、伝搬する
ことはない。しかし、第2のLPF9を伝搬した中間周
波信号は第2の接地点16において反射波が発生し、第
2のLPF9、局発信号用入力整合回路11を経由して
第2のMIMキャパシタ20に到達する。第2のMIM
キャパシタ20は局発信号を通過させ、中間周波信号を
遮断する容量になるように形成されているので、到達し
た中間周波信号の反射波はさらに反射され、第2の接地
点16との間で共振が起こる。ここで、第2の接地点1
6から第2のMIMキャパシタ20までの電気長l2
中間周波信号帯域の1/4波長以下に設定することによ
り共振周波数を中間周波信号周波数の帯域外に移動させ
ることができる。
On the other hand, the intermediate frequency signal leaking to the high frequency signal input matching circuit 10 side is directly propagated to the high frequency signal input matching circuit 10 because of the first LPF 8 that selectively passes the intermediate frequency signal. There is no such thing. However, the intermediate frequency signal propagating through the first LPF 8 causes a reflected wave at the first grounding point 15, and passes through the first LPF 8 and the high frequency signal input matching circuit 10 to generate the first MIM capacitor 1
Reach 9. Since the first MIM capacitor 19 is formed so as to pass a high-frequency signal and cut off the intermediate-frequency signal, the reflected wave of the intermediate-frequency signal that reaches the first MIM capacitor 19 is further reflected, and the first ground point 15 and Resonance occurs between. Here, the electrical length l 1 from the first ground point 15 to the first MIM capacitor 19 is set to 1 / m of the intermediate frequency signal band.
By setting the wavelength to 4 wavelengths or less, the resonance frequency can be moved outside the band of the intermediate frequency signal frequency. Also,
The intermediate frequency signal leaking to the local matching signal input matching circuit 11 side does not directly propagate to the local matching signal input matching circuit 11 because of the second LPF 9 that selectively passes the intermediate frequency signal. However, the intermediate frequency signal propagating through the second LPF 9 causes a reflected wave at the second ground point 16, and is transmitted to the second MIM capacitor 20 via the second LPF 9 and the local signal input matching circuit 11. To reach. Second MIM
Since the capacitor 20 is formed so as to pass the local signal and block the intermediate frequency signal, the reflected wave of the reached intermediate frequency signal is further reflected and reaches the second ground point 16. Resonance occurs. Here, the second ground point 1
By setting the electrical length l 2 from 6 to the second MIM capacitor 20 to be ¼ wavelength or less of the intermediate frequency signal band, the resonance frequency can be moved outside the intermediate frequency signal frequency band.

【0018】このように、第1の接地点15から第1の
導波管/マイクロストリップ線路変換器4までの電気
長、および第2の接地点16から第2の導波管/マイク
ロストリップ線路変換器5までの電気長を中間周波信号
帯域の1/4波長以下にできない場合でも、MIMキャ
パシタを用いることにより、高周波ミキサ回路の所望す
る中間周波信号の帯域内共振を防止することができる。
Thus, the electrical length from the first ground point 15 to the first waveguide / microstrip line converter 4 and the second ground point 16 to the second waveguide / microstrip line. Even when the electrical length up to the converter 5 cannot be made equal to or less than ¼ wavelength of the intermediate frequency signal band, the use of the MIM capacitor can prevent the in-band resonance of the intermediate frequency signal desired by the high frequency mixer circuit.

【0019】また、キャパシタとして、第1のMIMキ
ャパシタ19および第2のMIMキャパシタ20を用い
ているため、マイクロストリップ線路の製作時に、MI
Mキャパシタを形成することができ、チップキャパシタ
を使用した実施の形態1の構成よりも部品点数が削減さ
れ、組立作業性を改善することができる。また、MIM
キャパシタはマイクロストリップ線路の幅と同一にする
ことができるため、チップキャパシタにより大きさの制
限を受ける実施の形態1の構成よりも小型化が可能にな
る。
Further, since the first MIM capacitor 19 and the second MIM capacitor 20 are used as the capacitors, MI is used when manufacturing the microstrip line.
Since the M capacitor can be formed, the number of parts can be reduced as compared with the configuration of the first embodiment using the chip capacitor, and the assembling workability can be improved. Also, MIM
Since the capacitor can have the same width as the microstrip line, the size can be made smaller than the configuration of the first embodiment in which the size is limited by the chip capacitor.

【0020】実施の形態3.図3はこの発明の実施の形
態3を示す高周波ミキサ回路を示すブロック図である。
図において1〜16までは従来の高周波ミキサ回路を示
すブロック図7と同様のものを示す。21は第1のID
キャパシタ、22は第2のIDキャパシタである。
Embodiment 3 3 is a block diagram showing a high frequency mixer circuit according to a third embodiment of the present invention.
In the figure, 1 to 16 show the same as the block diagram 7 showing the conventional high frequency mixer circuit. 21 is the first ID
A capacitor, 22 is a second ID capacitor.

【0021】次に上記高周波ミキサ回路の動作について
説明する。高周波信号入力端子1から入力された高周波
信号は第1の導波管/マイクロストリップ線路変換器4
により導波管モードからマイクロストリップ線路のモー
ドに変換され、第1のマイクロストリップ線路13、第
1のIDキャパシタ21および高周波信号用入力整合回
路10を伝搬してFETミキサまたはダイオードミキサ
7に印加される。局発信号入力端子2から入力された局
発信号は第2の導波管/マイクロストリップ線路変換器
5により導波管モードからマイクロストリップ線路のモ
ードに変換され、第2のマイクロストリップ線路14、
第2のIDキャパシタ22および局発信号用入力整合回
路11を伝搬してFETミキサまたはダイオードミキサ
7に印加される。FETミキサまたはダイオードミキサ
7は高周波信号を高周波信号と局発信号の差の周波数成
分である中間周波信号に変換する。中間周波信号は中間
周波信号用出力整合回路12、伝送線路6を伝搬し中間
周波信号出力端子3から取り出される。
Next, the operation of the high frequency mixer circuit will be described. The high frequency signal input from the high frequency signal input terminal 1 is supplied to the first waveguide / microstrip line converter 4
Is converted from the waveguide mode to the mode of the microstrip line by means of propagating through the first microstrip line 13, the first ID capacitor 21 and the high frequency signal input matching circuit 10 and applied to the FET mixer or the diode mixer 7. It The local oscillator signal input from the local oscillator signal input terminal 2 is converted from the waveguide mode to the microstrip line mode by the second waveguide / microstrip line converter 5, and the second microstrip line 14,
It propagates through the second ID capacitor 22 and the input matching circuit 11 for local oscillation signal and is applied to the FET mixer or the diode mixer 7. The FET mixer or the diode mixer 7 converts a high frequency signal into an intermediate frequency signal which is a frequency component of the difference between the high frequency signal and the local oscillation signal. The intermediate frequency signal propagates through the intermediate frequency signal output matching circuit 12 and the transmission line 6, and is taken out from the intermediate frequency signal output terminal 3.

【0022】一方、高周波信号用入力整合回路10側に
漏れ出した中間周波信号は、中間周波信号を選択通過さ
せる第1のLPF8のために、高周波信号用入力整合回
路10に直接、伝搬することはない。しかし、第1のL
PF8を伝搬した中間周波信号は第1の接地点15にお
いて反射波が発生し、第1のLPF8、高周波信号用入
力整合回路10を経由して第1のIDキャパシタ21に
到達する。第1のIDキャパシタ21は高周波信号を通
過させ、中間周波信号を遮断する容量になるように形成
されているので、到達した中間周波信号の反射波はさら
に反射され、第1の接地点15との間で共振が起こる。
ここで、第1の接地点15から第1のIDキャパシタ2
1までの電気長l1 を中間周波信号帯域の1/4波長以
下に設定することにより共振周波数を中間周波信号周波
数の帯域外に移動させることができる。また、局発信号
用入力整合回路11側に漏れ出した中間周波信号は、中
間周波信号を選択通過させる第2のLPF9のために、
局発信号用入力整合回路11に直接、伝搬することはな
い。しかし、第2のLPF9を伝搬して中間周波信号は
第2の接地点16において反射波が発生し、第2のLP
F9、局発信号用入力整合回路11を経由して第2のI
Dキャパシタ22に到達する。第2のIDキャパシタ2
2は局発信号を通過させ、中間周波信号を遮断する容量
になるように形成されているので、到達した中間周波信
号の反射波はさらに反射され、第2の接地点16との間
で共振が起こる。ここで、第2の接地点16から第2の
IDキャパシタ22までの電気長l2 を中間周波信号帯
域の1/4波長以下に設定することにより共振周波数を
中間周波信号周波数の帯域外に移動させることができ
る。
On the other hand, the intermediate frequency signal leaking to the high frequency signal input matching circuit 10 side must be directly propagated to the high frequency signal input matching circuit 10 for the first LPF 8 that selectively passes the intermediate frequency signal. There is no. But the first L
A reflected wave is generated at the first grounding point 15 of the intermediate frequency signal propagating through the PF 8, and reaches the first ID capacitor 21 via the first LPF 8 and the high frequency signal input matching circuit 10. Since the first ID capacitor 21 is formed so as to have a capacity that allows high-frequency signals to pass therethrough and blocks intermediate-frequency signals, the reflected waves of the intermediate-frequency signals that have reached are further reflected and the first ground point 15 and Resonance occurs between.
Here, from the first ground point 15 to the first ID capacitor 2
By setting the electrical length l 1 up to 1 to not more than ¼ wavelength of the intermediate frequency signal band, the resonance frequency can be moved outside the intermediate frequency signal frequency band. Further, the intermediate frequency signal leaking to the input matching circuit 11 side for the local signal is due to the second LPF 9 which selectively passes the intermediate frequency signal,
It does not directly propagate to the local signal input matching circuit 11. However, the intermediate frequency signal propagated through the second LPF 9 causes a reflected wave to be generated at the second ground point 16, and
F9, via the input matching circuit 11 for the local oscillator signal to the second I
The D capacitor 22 is reached. Second ID capacitor 2
Since 2 is formed so as to have a capacity for passing the local signal and blocking the intermediate frequency signal, the reflected wave of the reached intermediate frequency signal is further reflected and resonates with the second ground point 16. Happens. Here, the resonance frequency is moved outside the band of the intermediate frequency signal frequency by setting the electrical length l 2 from the second ground point 16 to the second ID capacitor 22 to be ¼ wavelength or less of the intermediate frequency signal band. Can be made.

【0023】このように、第1の接地点15から第1の
導波管/マイクロストリップ線路変換器4までの電気
長、および第2の接地点16から第2の導波管/マイク
ロストリップ線路変換器5までの電気長を中間周波信号
帯域の1/4波長以下にできない場合でも、IDキャパ
シタを用いることにより、高周波ミキサ回路の所望する
中間周波信号の帯域内共振を防止することができる。
Thus, the electrical length from the first ground point 15 to the first waveguide / microstrip line converter 4 and the second ground point 16 to the second waveguide / microstrip line Even if the electrical length up to the converter 5 cannot be set to be equal to or less than ¼ wavelength of the intermediate frequency signal band, the use of the ID capacitor can prevent the in-band resonance of the intermediate frequency signal desired by the high frequency mixer circuit.

【0024】また、キャパシタとして、第1のIDキャ
パシタ21および第2のIDキャパシタ22を用いるの
で、マイクロストリップ線路のパターン製作時に、ID
キャパシタを同時に形成することができ、チップキャパ
シタを使用した実施の形態1の構成よりも部品点数が削
減され、組立作業性を改善することができ、なおかつ、
実施の形態2の構成よりも製造プロセスが簡略化され、
より安価に製作できる。さらに、パターン寸法精度によ
りIDキャパシタの容量が決定されるため、より高精度
に、また、温度に依存しない容量を確保できるため安定
した特性を得ることができる。
Further, since the first ID capacitor 21 and the second ID capacitor 22 are used as the capacitors, the ID is used when the pattern of the microstrip line is manufactured.
Capacitors can be formed at the same time, the number of parts can be reduced as compared with the configuration of the first embodiment using a chip capacitor, and the assembling workability can be improved.
The manufacturing process is simplified as compared with the configuration of the second embodiment,
Can be manufactured at a lower cost. Further, since the capacitance of the ID capacitor is determined by the pattern dimension accuracy, it is possible to obtain a stable characteristic with higher accuracy and because the capacitance independent of temperature can be secured.

【0025】実施の形態4.図4はこの発明の実施の形
態4を示す高周波ミキサ回路を示すブロック図である。
図において1〜16までは従来の高周波ミキサ回路を示
すブロック図7と同様のものを示す。23は第1のカッ
プラ、24は第2のカップラである。
Embodiment 4 Fourth Embodiment FIG. 4 is a block diagram showing a high frequency mixer circuit according to a fourth embodiment of the present invention.
In the figure, 1 to 16 show the same as the block diagram 7 showing the conventional high frequency mixer circuit. Reference numeral 23 is a first coupler, and 24 is a second coupler.

【0026】次に上記高周波ミキサ回路の動作について
説明する。高周波信号入力端子1から入力された高周波
信号は第1の導波管/マイクロストリップ線路変換器4
により導波管モードからマイクロストリップ線路のモー
ドに変換され、第1のマイクロストリップ線路13、第
1のカップラ23および高周波信号用入力整合回路10
を伝搬してFETミキサまたはダイオードミキサ7に印
加される。局発信号入力端子2から入力された局発信号
は第2の導波管/マイクロストリップ線路変換器5によ
り導波管モードからマイクロストリップ線路のモードに
変換され、第2のマイクロストリップ線路14、第2の
カップラ24および局発信号用入力整合回路11を伝搬
してFETミキサまたはダイオードミキサ7に印加され
る。FETミキサまたはダイオードミキサ7は高周波信
号を高周波信号と局発信号の差の周波数成分である中間
周波信号に変換する。中間周波信号は中間周波信号用出
力整合回路12、伝送線路6を伝搬し中間周波信号出力
端子3から取り出される。
Next, the operation of the above high frequency mixer circuit will be described. The high frequency signal input from the high frequency signal input terminal 1 is supplied to the first waveguide / microstrip line converter 4
Is converted from the waveguide mode to the mode of the microstrip line by the first microstrip line 13, the first coupler 23, and the input matching circuit 10 for high frequency signals.
Is applied to the FET mixer or the diode mixer 7. The local oscillator signal input from the local oscillator signal input terminal 2 is converted from the waveguide mode to the microstrip line mode by the second waveguide / microstrip line converter 5, and the second microstrip line 14, The signal propagates through the second coupler 24 and the local signal input matching circuit 11 and is applied to the FET mixer or the diode mixer 7. The FET mixer or the diode mixer 7 converts a high frequency signal into an intermediate frequency signal which is a frequency component of the difference between the high frequency signal and the local oscillation signal. The intermediate frequency signal propagates through the intermediate frequency signal output matching circuit 12 and the transmission line 6, and is taken out from the intermediate frequency signal output terminal 3.

【0027】一方、高周波信号用入力整合回路10側に
漏れ出した中間周波信号は、中間周波信号を選択通過さ
せる第1のLPF8のために、高周波信号用入力整合回
路10に直接、伝搬することはない。しかし、第1のL
PF8を伝搬した中間周波信号は第1の接地点15にお
いて反射波が発生し、第1のLPF8、高周波信号用入
力整合回路10を経由して第1のカップラ23に到達す
る。第1のカップラ23は高周波信号周波数でインピー
ダンス整合されており、到達した中間周波信号の反射波
はさらに反射されるので、第1の接地点15との間で共
振が起こる。ここで、第1の接地点15から第1のカッ
プラ23までの電気長l1 を中間周波信号帯域の1/4
波長以下に設定することにより共振周波数を中間周波信
号周波数の帯域外に移動させることができる。また、局
発信号用入力整合回路11側に漏れ出した中間周波信号
は、中間周波信号を選択通過させる第2のLPF9のた
めに、局発信号用入力整合回路11に直接、伝搬するこ
とはない。しかし、第2のLPF9を伝搬した中間周波
信号は第2の接地点16において反射波が発生し、第2
のLPF9、局発信号用入力整合回路11を経由して第
2のカップラ24に到達する。第2のカップラ24は局
発信号周波数でインピーダンス整合されており、到達し
た中間周波信号の反射波はさらに反射されるので、第2
の接地点16との間で共振が起こる。ここで、第2の接
地点16から第2のカップラ24までの電気長l2 を中
間周波信号帯域の1/4波長以下に設定することにより
共振周波数を中間周波信号周波数の帯域外に移動させる
ことができる。
On the other hand, the intermediate frequency signal leaking to the side of the high frequency signal input matching circuit 10 must be directly propagated to the high frequency signal input matching circuit 10 for the first LPF 8 that selectively passes the intermediate frequency signal. There is no. But the first L
A reflected wave is generated at the first ground point 15 of the intermediate frequency signal propagating through the PF 8, and reaches the first coupler 23 via the first LPF 8 and the high frequency signal input matching circuit 10. The first coupler 23 is impedance-matched at a high frequency signal frequency, and the reflected wave of the intermediate frequency signal that has arrived is further reflected, so that resonance occurs with the first ground point 15. Here, the electrical length l 1 from the first ground point 15 to the first coupler 23 is ¼ of the intermediate frequency signal band.
The resonance frequency can be moved outside the band of the intermediate frequency signal frequency by setting the wavelength to the wavelength or less. Further, the intermediate frequency signal leaking to the local signal input matching circuit 11 side cannot be directly propagated to the local signal input matching circuit 11 because of the second LPF 9 that selectively passes the intermediate frequency signal. Absent. However, the intermediate frequency signal propagating through the second LPF 9 generates a reflected wave at the second ground point 16,
To the second coupler 24 via the LPF 9 and the local signal input matching circuit 11. The second coupler 24 is impedance-matched at the local signal frequency, and the reflected wave of the arriving intermediate frequency signal is further reflected.
Resonance occurs with the ground point 16 of the. Here, the resonance frequency is moved outside the band of the intermediate frequency signal frequency by setting the electrical length l 2 from the second ground point 16 to the second coupler 24 to be ¼ wavelength or less of the intermediate frequency signal band. be able to.

【0028】このように、第1の接地点15から第1の
導波管/マイクロストリップ線路変換器4までの電気
長、および第2の接地点16から第2の導波管/マイク
ロストリップ線路変換器5までの電気長を中間周波信号
帯域の1/4波長以下にできない場合でも、カップラを
用いることにより、高周波ミキサ回路の所望する中間周
波信号の帯域内共振を防止することができる。
Thus, the electrical length from the first ground point 15 to the first waveguide / microstrip line converter 4 and the second ground point 16 to the second waveguide / microstrip line Even when the electrical length up to the converter 5 cannot be made equal to or less than ¼ wavelength of the intermediate frequency signal band, the use of the coupler can prevent in-band resonance of the intermediate frequency signal desired by the high frequency mixer circuit.

【0029】また、この場合も、マイクロストリップ線
路のパターン製作時に、カップラを同時に形成すること
ができるため、実施の形態1の構成よりも部品点数が削
減され、組立作業性を改善することができ、なおかつ、
実施の形態2の構成よりも製造プロセスが簡略化され、
より安価に製作できる。また、カップラはマイクロスト
リップ線路の幅以下にすることができるため、チップキ
ャパシタにより大きさの制限を受ける実施の形態1の構
成よりも小型化が可能になる。
Also in this case, since the coupler can be formed at the same time when the pattern of the microstrip line is manufactured, the number of parts can be reduced and the assembling workability can be improved as compared with the structure of the first embodiment. And yet,
The manufacturing process is simplified as compared with the configuration of the second embodiment,
Can be manufactured at a lower cost. Further, since the coupler can be made smaller than the width of the microstrip line, it can be made smaller than the configuration of the first embodiment in which the size is limited by the chip capacitor.

【0030】実施の形態5.図5はこの発明の実施の形
態5を示す高周波ミキサ回路を示すブロック図である。
図において1〜16までは従来の高周波ミキサ回路を示
すブロック図7と同様のものを示す。25は第3のLP
F、26は第4のLPF、27は第3の接地点、28は
第4の接地点である。
Embodiment 5 5 is a block diagram showing a high frequency mixer circuit according to a fifth embodiment of the present invention.
In the figure, 1 to 16 show the same as the block diagram 7 showing the conventional high frequency mixer circuit. 25 is the third LP
F and 26 are fourth LPFs, 27 is a third ground point, and 28 is a fourth ground point.

【0031】次に上記高周波ミキサ回路の動作について
説明する。高周波信号入力端子1から入力された高周波
信号は第1の導波管/マイクロストリップ線路変換器4
により導波管モードからマイクロストリップ線路のモー
ドに変換され、第1のマイクロストリップ線路13およ
び高周波信号用入力整合回路10を伝搬してFETミキ
サまたはダイオードミキサ7に印加される。局発信号入
力端子2から入力された局発信号は第2の導波管/マイ
クロストリップ線路変換器5により導波管モードからマ
イクロストリップ線路のモードに変換され、第2のマイ
クロストリップ線路14および局発信号用入力整合回路
11を伝搬してFETミキサまたはダイオードミキサ7
に印加される。FETミキサまたはダイオードミキサ7
は高周波信号を高周波信号と局発信号の差の周波数成分
である中間周波信号に変換する。中間周波信号は中間周
波信号用出力整合回路12、伝送線路6を伝搬し中間周
波信号出力端子3から取り出される。
Next, the operation of the above high frequency mixer circuit will be described. The high frequency signal input from the high frequency signal input terminal 1 is supplied to the first waveguide / microstrip line converter 4
Is converted from the waveguide mode to the mode of the microstrip line, propagates through the first microstrip line 13 and the high-frequency signal input matching circuit 10, and is applied to the FET mixer or the diode mixer 7. The local oscillator signal input from the local oscillator signal input terminal 2 is converted from the waveguide mode to the microstrip line mode by the second waveguide / microstrip line converter 5, and the second microstrip line 14 and The FET mixer or the diode mixer 7 is propagated through the local matching signal input matching circuit 11.
Is applied to FET mixer or diode mixer 7
Converts the high frequency signal into an intermediate frequency signal which is a frequency component of the difference between the high frequency signal and the local oscillation signal. The intermediate frequency signal propagates through the intermediate frequency signal output matching circuit 12 and the transmission line 6, and is taken out from the intermediate frequency signal output terminal 3.

【0032】一方、高周波信号用入力整合回路10側に
漏れ出した中間周波信号は、中間周波信号を選択通過さ
せる第1のLPF8のために、高周波信号用入力整合回
路10に直接、伝搬することはない。しかし、第1のL
PF8を伝搬した中間周波信号は第1の接地点15にお
いて反射波が発生し、第1のLPF8、高周波信号用入
力整合回路10、第3のLPF25を経由して第3の接
地点27に到達する。第3の接地点27に到達した中間
周波信号の反射ははさらに反射されるので、接地点15
の間で共振が起こる。ここで、第1の接地点15から第
3の接地点27までの電気長l1 を中間周波信号帯域の
1/2波長以下に設定できる位置に第3の接地点27を
配置することで共振周波数を中間周波信号周波数の帯域
外に移動させることができる。また、局発信号用入力整
合回路11側に漏れ出した中間周波信号は、中間周波信
号を選択通過させる第2のLPF9のために、局発信号
用入力整合回路11に直接、伝搬することはない。しか
し、第2のLPF9を伝搬した中間周波信号は第2の接
地点16において反射波が発生し、第2のLPF9、局
発信号用入力整合回路11、第4のLPF26を経由し
て第4の接地点28に到達する。第4の接地点28に到
達した中間周波信号の反射波はさらに反射されるので、
第2の接地点16との間で共振が起こる。ここで、第2
の接地点16から第4の接地点28までの電気長l2
中間周波信号帯域の1/2波長以下に設定できる位置に
第4の接地点28を配置することにより共振周波数を中
間周波信号周波数の帯域外に移動させることができる。
On the other hand, the intermediate frequency signal leaking to the high frequency signal input matching circuit 10 side must be directly propagated to the high frequency signal input matching circuit 10 for the first LPF 8 that selectively passes the intermediate frequency signal. There is no. But the first L
A reflected wave is generated at the first grounding point 15 of the intermediate frequency signal propagating through the PF 8, and reaches the third grounding point 27 via the first LPF 8, the high frequency signal input matching circuit 10 and the third LPF 25. To do. Since the reflection of the intermediate frequency signal reaching the third ground point 27 is further reflected, the ground point 15
Resonance occurs between. Here, by arranging the third grounding point 27 at a position where the electrical length l 1 from the first grounding point 15 to the third grounding point 27 can be set to 1/2 wavelength or less of the intermediate frequency signal band, resonance occurs. The frequency can be moved outside the band of the intermediate frequency signal frequency. Further, the intermediate frequency signal leaking to the local signal input matching circuit 11 side cannot be directly propagated to the local signal input matching circuit 11 because of the second LPF 9 that selectively passes the intermediate frequency signal. Absent. However, the intermediate frequency signal propagating through the second LPF 9 causes a reflected wave at the second ground point 16, and passes through the second LPF 9, the local signal input matching circuit 11, and the fourth LPF 26 to the fourth LPF 26. To the ground contact point 28 of Since the reflected wave of the intermediate frequency signal reaching the fourth ground point 28 is further reflected,
Resonance occurs with the second ground point 16. Here, the second
By arranging the fourth grounding point 28 at a position where the electrical length l 2 from the grounding point 16 to the fourth grounding point 28 can be set to ½ wavelength or less of the intermediate frequency signal band, the resonance frequency is set to the intermediate frequency signal. It can be moved outside the frequency band.

【0033】このように、第1の接地点15から第1の
導波管/マイクロストリップ線路変換器4までの電気
長、および第2の接地点16から第2の導波管/マイク
ロストリップ線路変換器5までの電気長を中間周波信号
の1/4波長以下にできない場合でも、接地されたLP
Fを用いることにより、高周波ミキサ回路の所望する中
間周波信号の帯域内共振を防止することができる。
Thus, the electrical length from the first ground point 15 to the first waveguide / microstrip line converter 4 and the second ground point 16 to the second waveguide / microstrip line Even if the electrical length up to the converter 5 cannot be less than ¼ wavelength of the intermediate frequency signal, the grounded LP
By using F, in-band resonance of the intermediate frequency signal desired by the high frequency mixer circuit can be prevented.

【0034】実施の形態6.図6はこの発明の実施の形
態6を示す高周波ミキサ回路を示すブロック図である。
図において1〜16までは従来の高周波ミキサ回路を示
すブロック図7と同様のものを示す。29は第1の終端
抵抗、30は第2の終端抵抗、31は第1のショートス
タブ、32は第2のショートスタブである。
Embodiment 6 FIG. 6 is a block diagram showing a high frequency mixer circuit according to a sixth embodiment of the present invention.
In the figure, 1 to 16 show the same as the block diagram 7 showing the conventional high frequency mixer circuit. 29 is a first terminating resistor, 30 is a second terminating resistor, 31 is a first short stub, and 32 is a second short stub.

【0035】次に上記高周波ミキサ回路の動作について
説明する。高周波信号入力端子1から入力された高周波
信号は第1の導波管/マイクロストリップ線路変換器4
により導波管モードからマイクロストリップ線路のモー
ドに変換され、第1のマイクロストリップ線路13およ
び高周波信号用入力整合回路10を伝搬してFETミキ
サまたはダイオードミキサ7に印加される。ここで、第
1のマイクロストリップ線路13に接続された第1の終
端抵抗29には、電気長が高周波信号に対して1/4波
長となる第1のショートスタブ31が接続されており、
高周波信号に対して開放となるため、高周波信号が伝搬
することはない。また、局発信号入力端子2から入力さ
れた局発信号は第2の導波管/マイクロストリップ線路
変換器5により導波管モードからマイクロストリップ線
路のモードに変換され、第2のマイクロストリップ線路
14および局発信号用入力整合回路11を伝搬してFE
Tミキサまたはダイオードミキサ7に印加される。ここ
で、第2のマイクロストリップ線路14に接続された第
2の終端抵抗30には、電気長が局発信号に対して1/
4波長となる第2にショートスタブ32が接続されてお
り、局発信号に対して開放となるため、局発信号が伝搬
することはない。FETミキサまたはダイオードミキサ
7は高周波信号を高周波信号と局発信号の差の周波数成
分である中間周波信号に変換する。中間周波信号は中間
周波信号用出力整合回路12、伝送線路6を伝搬し中間
周波信号出力端子3から取り出される。
Next, the operation of the above high frequency mixer circuit will be described. The high frequency signal input from the high frequency signal input terminal 1 is supplied to the first waveguide / microstrip line converter 4
Is converted from the waveguide mode to the mode of the microstrip line, propagates through the first microstrip line 13 and the high-frequency signal input matching circuit 10, and is applied to the FET mixer or the diode mixer 7. Here, the first terminating resistor 29 connected to the first microstrip line 13 is connected to a first short stub 31 whose electrical length is ¼ wavelength of a high frequency signal,
Since it is open to the high frequency signal, the high frequency signal does not propagate. Further, the local oscillator signal input from the local oscillator signal input terminal 2 is converted from the waveguide mode to the microstrip line mode by the second waveguide / microstrip line converter 5, and the second microstrip line mode is obtained. 14 and the input matching circuit 11 for local signal
It is applied to the T mixer or the diode mixer 7. Here, the second terminating resistor 30 connected to the second microstrip line 14 has an electrical length of 1/1 / the local oscillator signal.
The short stub 32 having the four wavelengths is connected to the second short stub 32, which is open to the local oscillator signal, so that the local oscillator signal does not propagate. The FET mixer or the diode mixer 7 converts a high frequency signal into an intermediate frequency signal which is a frequency component of the difference between the high frequency signal and the local oscillation signal. The intermediate frequency signal propagates through the intermediate frequency signal output matching circuit 12 and the transmission line 6, and is taken out from the intermediate frequency signal output terminal 3.

【0036】一方、高周波信号用入力整合回路10側に
漏れ出した中間周波信号は、中間周波信号を選択通過さ
せる第1のLPF8のために、高周波信号用入力整合回
路10に直接、伝搬することはない。しかし、第1のL
PF8を伝搬した中間周波信号は第1の接地点15にお
いて反射波が発生し、第1のLPF8、高周波信号用入
力整合回路10を経由して第1の終端抵抗29に到達す
る。第1の終端抵抗29では、反射波は吸収されるため
共振が起こらない。また、局発信号用入力整合回路11
側に漏れ出した中間周波信号は、中間周波信号を選択通
過させる第2のLPF9のために、局発信号用入力整合
回路11に直接、伝搬することはない。しかし、第2の
LPF9を伝搬した中間周波信号は第2の接地点16に
おいて反射波が発生し、第2のLPF9、局発信号用入
力整合回路11を経由して第2の終端抵抗30に到達す
る。第2の終端抵抗30では、反射波は吸収されるため
共振が起こらない。このため、中間周波信号に共振は現
れない。
On the other hand, the intermediate frequency signal leaking to the high frequency signal input matching circuit 10 side must be directly propagated to the high frequency signal input matching circuit 10 for the first LPF 8 that selectively passes the intermediate frequency signal. There is no. But the first L
A reflected wave is generated at the first grounding point 15 of the intermediate frequency signal propagating through the PF 8, and reaches the first terminating resistor 29 via the first LPF 8 and the high frequency signal input matching circuit 10. The first terminating resistor 29 absorbs the reflected wave and does not cause resonance. Also, the input matching circuit 11 for the local oscillator signal
The intermediate frequency signal leaking to the side does not directly propagate to the local oscillator signal input matching circuit 11 because of the second LPF 9 that selectively passes the intermediate frequency signal. However, the intermediate frequency signal propagating through the second LPF 9 causes a reflected wave at the second ground point 16, and the reflected wave is generated in the second terminating resistor 30 via the second LPF 9 and the local signal input matching circuit 11. To reach. The second terminating resistor 30 absorbs the reflected wave, so that resonance does not occur. Therefore, no resonance appears in the intermediate frequency signal.

【0037】このように、第1の接地点15から第1の
導波管/マイクロストリップ線路変換器4までの電気
長、および第2の接地点16から第2の導波管/マイク
ロストリップ線路変換器5までの電気長を中間周波信号
帯域の1/4波長以下にできない場合でも、ショートス
タブにより接地された終端抵抗を用いることにより、高
周波ミキサ回路の中間周波信号における共振を防止する
ことができる。
Thus, the electrical length from the first ground point 15 to the first waveguide / microstrip line converter 4 and the second ground point 16 to the second waveguide / microstrip line Even if the electrical length up to the converter 5 cannot be made equal to or less than ¼ wavelength of the intermediate frequency signal band, resonance can be prevented in the intermediate frequency signal of the high frequency mixer circuit by using the terminating resistor grounded by the short stub. it can.

【0038】[0038]

【発明の効果】以上のように第1の発明の高周波ミキサ
回路によれば、キャパシタを高周波信号が伝搬されるマ
イクロストリップ線路および局発信号が伝搬されるマイ
クロストリップ線路上に設けることで、共振を引き起こ
す反射点の一方の位置を移動させ反射点間の距離を変え
たために、共振周波数を所望の中間周波信号の帯域外に
移動させることができる。
As described above, according to the high frequency mixer circuit of the first aspect of the invention, by providing the capacitors on the microstrip line through which the high frequency signal is propagated and the microstrip line through which the local oscillation signal is propagated, resonance is achieved. The resonance frequency can be moved outside the band of the desired intermediate frequency signal by moving one position of the reflection points causing the change of the distance between the reflection points.

【0039】また、第2の発明の高周波ミキサ回路によ
れば、チップキャパシタ、MIMキャパシタ、IDキャ
パシタを高周波信号が伝搬されるマイクロストリップ線
路および局発信号が伝搬されるマイクロストリップ線路
に設けることで、共振を引き起こす反射点の一方の位置
を移動させ反射点間の距離を変えたために、共振周波数
を所望の中間周波信号の帯域外に移動させることができ
る。
Further, according to the high frequency mixer circuit of the second invention, the chip capacitor, the MIM capacitor and the ID capacitor are provided in the microstrip line through which the high frequency signal is propagated and the microstrip line through which the local oscillation signal is propagated. Since one of the reflection points that causes resonance is moved to change the distance between the reflection points, the resonance frequency can be moved outside the band of the desired intermediate frequency signal.

【0040】第3の発明の高周波ミキサ回路によれば、
カップラを高周波信号が伝搬されるマイクロストリップ
線路および局発信号が伝搬されるマイクロストリップ線
路に設けることで、共振を引き起こす反射点の一方の位
置を移動させ反射点間の距離を変えたために、共振周波
数を所望の中間周波信号の帯域外に移動させることがで
きる。
According to the high frequency mixer circuit of the third invention,
By providing a coupler on the microstrip line through which a high-frequency signal is propagated and the microstrip line through which a local signal is propagated, one of the reflection points causing resonance is moved and the distance between the reflection points is changed. The frequency can be moved outside the band of the desired intermediate frequency signal.

【0041】また、第4の発明の高周波ミキサ回路によ
れば、中間周波信号を通過させ、高周波信号を遮断する
一端の接地したLPFを高周波信号が伝搬されるマイク
ロストリップ線路に接続し、また、中間周波信号を通過
させ、局発信号を遮断する一端の接地したLPFを局発
信号が伝搬されるマイクロストリップ線路に接続するこ
とで、共振を引き起こす反射点の一方の位置を移動させ
反射点間の距離を変えたために、共振周波数を所望の中
間周波信号の帯域外に移動させることができる。
Further, according to the high frequency mixer circuit of the fourth invention, the grounded LPF at one end for passing the intermediate frequency signal and blocking the high frequency signal is connected to the microstrip line through which the high frequency signal is propagated. By connecting the grounded LPF, which passes the intermediate frequency signal and blocks the local oscillation signal, at one end to the microstrip line through which the local oscillation signal is propagated, one position of the reflection point that causes resonance is moved and between the reflection points. Since the distance is changed, the resonance frequency can be moved outside the band of the desired intermediate frequency signal.

【0042】第5の発明の高周波ミキサ回路によれば、
一端がショートスタブに接続された中間周波信号を終端
させる終端抵抗を高周波信号が伝搬されるマイクロスト
リップ線路および局発信号が伝搬されるマイクロストリ
ップ線路にそれぞれ接続し、共振を引き起こす一方の反
射を抑圧することで、中間周波信号における共振を防止
することができる。
According to the high frequency mixer circuit of the fifth invention,
Suppresses one reflection that causes resonance by connecting a terminating resistor that terminates the intermediate frequency signal whose one end is connected to the short stub to the microstrip line in which the high frequency signal is propagated and the microstrip line in which the local signal is propagated, respectively. By doing so, resonance in the intermediate frequency signal can be prevented.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 この発明による高周波ミキサ回路の実施の形
態1を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing a first embodiment of a high-frequency mixer circuit according to the present invention.

【図2】 この発明による高周波ミキサ回路の実施の形
態2を示す図である。
FIG. 2 is a diagram showing a second embodiment of a high frequency mixer circuit according to the present invention.

【図3】 この発明による高周波ミキサ回路の実施の形
態3を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing a third embodiment of a high frequency mixer circuit according to the present invention.

【図4】 この発明による高周波ミキサ回路の実施の形
態4を示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing a fourth embodiment of a high frequency mixer circuit according to the present invention.

【図5】 この発明による高周波ミキサ回路の実施の形
態5を示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing a fifth embodiment of a high frequency mixer circuit according to the present invention.

【図6】 この発明による高周波ミキサ回路の実施の形
態6を示す図である。
FIG. 6 is a diagram showing a sixth embodiment of a high frequency mixer circuit according to the present invention.

【図7】 従来の高周波ミキサ回路における図である。FIG. 7 is a diagram of a conventional high-frequency mixer circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 高周波信号入力端子、2 局発信号入力端子、3
中間周波信号入力端子、4 第1の導波管/マイクロス
トリップ線路変換器、5 第2の導波管/マイクロスト
リップ線路変換器、6 伝送線路、7 FETミキサま
たはダイオードミキサ、8 第1のLPF、9 第2の
LPF、10 高周波信号用入力整合回路、11 局発
信号用入力整合回路、12 中間周波信号用入力整合回
路、13第1のマイクロストリップ線路、14 第2の
マイクロストリップ線路、15第1の接地点、16 第
2の接地点、17 第1のチップキャパシタ、18第2
のチップキャパシタ、19 第1のMIMキャパシタ、
20 第2のMIMキャパシタ、21 第1のIDキャ
パシタ、22 第2のIDキャパシタ、23第1のカッ
プラ、24 第2のカップラ、25 第3のLPF、2
6 第4のLPF、27 第3の接地点、28 第4の
接地点、29 第1のオープンスタブ、30 第2のオ
ープンスタブ、31 第1の終端抵抗、32 第2の終
端抵抗。
1 High frequency signal input terminal, 2 Local signal input terminal, 3
Intermediate frequency signal input terminal, 4 first waveguide / microstrip line converter, 5 second waveguide / microstrip line converter, 6 transmission line, 7 FET mixer or diode mixer, 8 first LPF , 9 Second LPF, 10 High frequency signal input matching circuit, 11 Local signal input matching circuit, 12 Intermediate frequency signal input matching circuit, 13 First microstrip line, 14 Second microstrip line, 15 1st grounding point, 16 2nd grounding point, 17 1st chip capacitor, 18 2nd
Chip capacitor, 19 first MIM capacitor,
20 2nd MIM capacitor, 21 1st ID capacitor, 22 2nd ID capacitor, 23 1st coupler, 24 2nd coupler, 25 3rd LPF, 2
6 4th LPF, 27 3rd grounding point, 28 4th grounding point, 29 1st open stub, 30 2nd open stub, 31 1st termination resistance, 32 2nd termination resistance.

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 高周波信号が入力される第1の導波管/
マイクロストリップ線路変換器と、局発信号が入力され
る第2の導波管/マイクロストリップ線路変換器と、中
間周波信号が出力される伝送線路と、高周波信号端子と
局発信号端子を有するミキサと、上記ミキサの高周波信
号端子に接続され、中間周波信号周波数を通過する一端
が接地された第1のローパスフィルタと、上記ミキサの
局発信号端子に接続され、中間周波信号周波数を通過す
る一端が接地された第2のローパスフィルタと、高周波
信号用入力整合回路と、局発信号用入力整合回路と、中
間周波信号用出力整合回路と、上記高周波信号用入力整
合回路と上記第1の導波管/マイクロストリップ線路変
換器とを接続する第1のマイクロストリップ線路と、上
記第1のマイクロストリップ線路に上記第1のローパス
フィルタの接地点から電気長で中間周波信号帯域の1/
4波長以下の位置に設けられ、高周波信号を通過させ、
中間周波信号を遮断する第1のキャパシタと、上記局発
信号用入力整合回路と上記第2の導波管/マイクロスト
リップ線路変換器とを接続する第2のマイクロストリッ
プ線路と、上記第2のマイクロストリップ線路に上記第
2のローパスフィルタの接地点から電気長で中間周波信
号帯域の1/4波長以下の位置に設けられ、局発信号を
通過させ、中間周波信号を遮断する第2のキャパシタと
を備えたことを特徴とする高周波ミキサ回路。
1. A first waveguide / to which a high-frequency signal is input
Microstrip line converter, second waveguide / microstrip line converter to which local signal is input, transmission line to which intermediate frequency signal is output, mixer having high frequency signal terminal and local signal terminal A first low-pass filter connected to the high frequency signal terminal of the mixer and having one end passing the intermediate frequency signal frequency grounded; and one end connected to the local signal terminal of the mixer, passing the intermediate frequency signal frequency A second low-pass filter whose ground is grounded, a high-frequency signal input matching circuit, a local oscillator signal input matching circuit, an intermediate frequency signal output matching circuit, the high-frequency signal input matching circuit, and the first conductor. A first microstrip line connecting the wave tube / microstrip line converter, and a ground point of the first low-pass filter on the first microstrip line. Of the intermediate frequency signal band by Luo electrical length 1 /
It is provided at a position of 4 wavelengths or less and allows high-frequency signals to pass.
A first capacitor that blocks an intermediate frequency signal; a second microstrip line that connects the local signal input matching circuit and the second waveguide / microstrip line converter; A second capacitor, which is provided on the microstrip line at a position that is less than a quarter wavelength of the intermediate frequency signal band in terms of electrical length from the ground point of the second low-pass filter, allows local signals to pass through, and blocks intermediate frequency signals. A high-frequency mixer circuit comprising:
【請求項2】 上記第1、第2のキャパシタとして、チ
ップキャパシタ、MIM(Metal Insurat
or Metal)キャパシタ、あるいはインターデジ
タルキャパシタを用いることを特徴とする請求項1記載
の高周波ミキサ回路。
2. A chip capacitor, MIM (Metal Insulator) as the first and second capacitors.
or Metal) capacitor or an interdigital capacitor is used, The high frequency mixer circuit according to claim 1.
【請求項3】 高周波信号が入力される第1の導波管/
マイクロストリップ線路変換器と、局発信号が入力され
る第2の導波管/マイクロストリップ線路変換器と、中
間周波信号が出力される伝送線路と、高周波信号端子と
局発信号端子を有するミキサと、上記ミキサの高周波信
号端子に接続され、中間周波信号周波数を通過する一端
が接地された第1のローパスフィルタと、上記ミキサの
局発信号端子に接続され、中間周波信号周波数を通過す
る一端が接地された第2のローパスフィルタと、高周波
信号用入力整合回路と、局発信号用入力整合回路と、中
間周波信号用出力整合回路と、上記高周波信号用入力整
合回路と上記第1の導波管/マイクロストリップ線路変
換器とを接続する第1のマイクロストリップ線路と、上
記第1のマイクロストリップ線路に上記第1のローパス
フィルタの接地点から電気長で中間周波信号帯域の1/
4波長以下の位置に設けられ、高周波信号を通過させ、
中間周波信号を遮断する第1のカップラと、上記局発信
号用入力整合回路と上記第2の導波管/マイクロストリ
ップ線路変換器とを接続する第2のマイクロストリップ
線路と、上記第2のマイクロストリップ線路に上記第2
のローパスフィルタの接地点から電気長で中間周波信号
帯域の1/4波長以下の位置に設けられ、局発信号を通
過させ、中間周波信号を遮断する第2のカップラとを備
えたことを特徴とする高周波ミキサ回路。
3. A first waveguide / to which a high frequency signal is input
Microstrip line converter, second waveguide / microstrip line converter to which local signal is input, transmission line to which intermediate frequency signal is output, mixer having high frequency signal terminal and local signal terminal A first low-pass filter connected to the high frequency signal terminal of the mixer and having one end passing the intermediate frequency signal frequency grounded; and one end connected to the local signal terminal of the mixer, passing the intermediate frequency signal frequency A second low-pass filter whose ground is grounded, a high-frequency signal input matching circuit, a local oscillator signal input matching circuit, an intermediate frequency signal output matching circuit, the high-frequency signal input matching circuit, and the first conductor. A first microstrip line connecting the wave tube / microstrip line converter, and a ground point of the first low-pass filter on the first microstrip line. Of the intermediate frequency signal band by Luo electrical length 1 /
It is provided at a position of 4 wavelengths or less and allows high-frequency signals to pass.
A first coupler for cutting off an intermediate frequency signal; a second microstrip line for connecting the local matching signal input matching circuit and the second waveguide / microstrip line converter; The above second on the microstrip line
A low-pass filter having a second coupler that is provided at a position that is an electrical length less than or equal to a quarter wavelength of the intermediate frequency signal band from the ground point and that passes the local oscillation signal and blocks the intermediate frequency signal. High frequency mixer circuit.
【請求項4】 高周波信号が入力される第1の導波管/
マイクロストリップ線路変換器と、局発信号が入力され
る第2の導波管/マイクロストリップ線路変換器と、中
間周波信号が出力される伝送線路と、高周波信号端子と
局発信号端子を有するミキサと、上記ミキサの高周波信
号端子に接続され、中間周波信号周波数を通過する一端
を接地した第1のローパスフィルタと、上記ミキサの局
発信号端子に接続され、中間周波信号周波数を通過する
一端を接地した第2のローパスフィルタと、高周波信号
用入力整合回路と、局発信号用入力整合回路と、中間周
波信号用出力整合回路と、上記高周波信号用入力整合回
路と上記第1の導波管/マイクロストリップ線路変換器
とを接続する第1のマイクロストリップ線路と、上記第
1のマイクロストリップ線路に接続され、上記第1のロ
ーパスフィルタの接地点から電気長で中間周波信号帯域
の1/2波長以下の位置に接地点をもち、中間周波信号
周波数を通過する第3のローパスフィルタと、上記局発
信号用入力整合回路と上記第2の導波管/マイクロスト
リップ線路変換器とを接続する第2のマイクロストリッ
プ線路と、上記第2のマイクロストリップ線路に接続さ
れ、上記第2のローパスフィルタの接地点から電気長で
中間周波信号帯域の1/2波長以下の位置に接地点をも
ち、中間周波信号周波数を通過する第4のローパスフィ
ルタとを備えたことを特徴とする高周波ミキサ回路。
4. A first waveguide / into which a high frequency signal is input
Microstrip line converter, second waveguide / microstrip line converter to which local signal is input, transmission line to which intermediate frequency signal is output, mixer having high frequency signal terminal and local signal terminal A first low-pass filter connected to the high frequency signal terminal of the mixer and having one end passing the intermediate frequency signal frequency grounded; and one end connected to the local signal terminal of the mixer, passing the intermediate frequency signal frequency Grounded second low-pass filter, high-frequency signal input matching circuit, local signal input matching circuit, intermediate frequency signal output matching circuit, high-frequency signal input matching circuit, and first waveguide And a first microstrip line connecting the microstrip line converter and the first microstrip line, and is connected to the first microstrip line, A third low-pass filter that has a ground point at a position that is an electrical length less than or equal to 1/2 wavelength of the intermediate frequency signal band from the point and that passes the intermediate frequency signal frequency, the local oscillator signal input matching circuit, and the second A second microstrip line connecting the waveguide / microstrip line converter and the second microstrip line are connected to the second low-pass filter from the ground point of the intermediate frequency signal band with an electrical length. A high-frequency mixer circuit having a fourth low-pass filter having a ground point at a position of ½ wavelength or less and passing an intermediate frequency signal frequency.
【請求項5】 高周波信号が入力される第1の導波管/
マイクロストリップ線路変換器と、局発信号が入力され
る第2の導波管/マイクロストリップ線路変換器と、中
間周波信号が出力される伝送線路と、高周波信号端子と
局発信号端子を有するミキサと、上記ミキサの高周波信
号端子に接続され、中間周波信号周波数を通過する一端
を接地した第1のローパスフィルタと、上記ミキサの局
発信号端子に接続され、中間周波信号周波数を通過する
一端を接地した第2のローパスフィルタと、高周波信号
用入力整合回路と、局発信号用入力整合回路と、中間周
波信号用出力整合回路と、上記高周波信号用入力整合回
路と上記第1の導波管/マイクロストリップ線路変換器
とを接続する第1のマイクロストリップ線路と、上記第
1のマイクロストリップ線路に接続され、中間周波信号
を終端させ、電気長が高周波信号の1/4波長である第
1のショートスタブが一端に接続された第1の終端抵抗
と、上記局発信号用入力整合回路と上記第2の導波管/
マイクロストリップ線路変換器とを接続する第2のマイ
クロストリップ線路と、上記第2のマイクロストリップ
線路に接続され、中間周波信号を終端させ、電気長が局
発信号の1/4波長である第2のショートスタブが一端
に接続された第2の終端抵抗とを備えたことを特徴とす
る高周波ミキサ回路。
5. A first waveguide / to which a high frequency signal is input
Microstrip line converter, second waveguide / microstrip line converter to which local signal is input, transmission line to which intermediate frequency signal is output, mixer having high frequency signal terminal and local signal terminal A first low-pass filter connected to the high frequency signal terminal of the mixer and having one end passing the intermediate frequency signal frequency grounded; and one end connected to the local signal terminal of the mixer, passing the intermediate frequency signal frequency Grounded second low-pass filter, high-frequency signal input matching circuit, local signal input matching circuit, intermediate frequency signal output matching circuit, high-frequency signal input matching circuit, and first waveguide / A first microstrip line connecting the microstrip line converter and the first microstrip line for terminating an intermediate frequency signal, There first termination resistor and, the local oscillation signal input matching circuit and the second waveguide first short stub is a quarter wavelength of the RF signal is connected to one end /
A second microstrip line for connecting to the microstrip line converter, and a second microstrip line connected to the second microstrip line for terminating the intermediate frequency signal and having an electrical length of ¼ wavelength of the local oscillation signal. 2. A high-frequency mixer circuit, comprising: a second terminating resistor having a short stub connected to one end thereof.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6680611B2 (en) * 2001-01-19 2004-01-20 Jeol Ltd. Local signal-supplying device for NMR spectrometer

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US6680611B2 (en) * 2001-01-19 2004-01-20 Jeol Ltd. Local signal-supplying device for NMR spectrometer

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