JPH09213252A - Vacuum piping structure for ion implantation device - Google Patents

Vacuum piping structure for ion implantation device

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Publication number
JPH09213252A
JPH09213252A JP8044296A JP4429696A JPH09213252A JP H09213252 A JPH09213252 A JP H09213252A JP 8044296 A JP8044296 A JP 8044296A JP 4429696 A JP4429696 A JP 4429696A JP H09213252 A JPH09213252 A JP H09213252A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
vacuum
pipe
intermediate connection
ion implantation
piping structure
Prior art date
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Pending
Application number
JP8044296A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hiroshi Osaka
浩 大坂
Nobuo Kihara
伸夫 木原
Shiro Okamoto
史郎 岡本
Shoji Fukuoka
正二 福岡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
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Publication of JPH09213252A publication Critical patent/JPH09213252A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To make an intermediate connection pipe at the halfway of a vacuum piping hardly fail, enhance operating performance for mounting/demounting the pipe, and also enhance vacuum sealing performance. SOLUTION: In the vacuum piping structure for an ion injection device where an intermediate connection pipe 14 is interposed between a pipeline 12a at the side of a chamber and a pipeline 12b at the side of a vacuum pump at the halfway of the vacuum piping connecting the chamber at the side of an ion source with the vacuum pump, the aforesaid intermediate connection pipe 14 is made of resin material, concurrently metallic ferrules 17 are mounted onto both connection end parts, the aforesaid vacuum pipelines 12a and 12b are mounted over the ferrules, and the aforesaid pipelines 12a and 12b are combined with the intermediate connection pipe 14 so as to be sealed by way of a fastening means 15 over the vacuum pipelines.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は半導体製造工程にお
いて用いるイオン注入装置に関し、特にイオン源のチャ
ンバーを真空排気するための真空配管構造に関するもの
である。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an ion implantation apparatus used in a semiconductor manufacturing process, and more particularly to a vacuum piping structure for evacuating an ion source chamber.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体製造工程において、ウエハ上の各
素子部に不純物拡散層をドーピングして形成する場合等
にイオン注入装置が用いられる。このイオン注入装置の
イオン発生源は真空チャンバー内に設けられ、真空配管
を介してロータリポンプ等の真空装置に接続される。
2. Description of the Related Art In a semiconductor manufacturing process, an ion implantation apparatus is used when forming an impurity diffusion layer on each element portion on a wafer by doping. The ion generation source of this ion implantation device is provided in a vacuum chamber and is connected to a vacuum device such as a rotary pump via a vacuum pipe.

【0003】このようなイオン注入装置のイオン発生源
の真空装置は、装置の構成上イオン発生源チャンバーの
下部に設置され、チャンバー側に接続される上側の真空
配管とロータリーポンプ側に接続される下側の真空配管
との間が垂直配置の中間接続パイプで連結される。
The vacuum apparatus of the ion generating source of such an ion implantation apparatus is installed in the lower portion of the ion generating source chamber due to the structure of the apparatus, and is connected to the upper vacuum pipe connected to the chamber side and the rotary pump side. The lower vacuum pipe is connected by a vertically arranged intermediate connection pipe.

【0004】図5は、このようなイオン注入装置の真空
配管における従来の中間接続パイプ構造を示す。(A)
は外観図、(B)は分解図である。金属製の真空配管2
0の途中に中間接続パイプ21が設けられる。この中間
接続パイプ21はガラス製である。このガラスパイプ2
1の各端部には、図示したように、O−リング押え24
が装着され、ここにO−リング23を支持してその上か
ら金属配管20を装着し、ナット22を金属配管20の
端部に形成したネジ25に螺着させることにより、ガラ
ス製の中間接続パイプ21と金属製の真空配管20とを
シール結合している。
FIG. 5 shows a conventional intermediate connecting pipe structure in the vacuum piping of such an ion implanter. (A)
Is an external view, and (B) is an exploded view. Metal vacuum piping 2
An intermediate connection pipe 21 is provided in the middle of 0. This intermediate connection pipe 21 is made of glass. This glass pipe 2
At each end of 1, as shown, an O-ring retainer 24
Is attached, the O-ring 23 is supported thereon, the metal pipe 20 is attached thereto, and the nut 22 is screwed into the screw 25 formed at the end portion of the metal pipe 20. The pipe 21 and the metal vacuum pipe 20 are seal-bonded.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来のイオン注入装置における真空配管構造においては、
中間接続パイプがガラス製であるため、柔軟性に欠け破
損しやすいため着脱作業に細心を注意を要し作業性が悪
く、また衝撃に弱いため容易に破損して真空トラブルの
原因となっていた。また、ガラスパイプ上にO−リング
を固定するため、締め付け力を余り強くすることができ
ず、充分なシール性が得られなかった。
However, in the vacuum piping structure in the conventional ion implantation apparatus described above,
Since the intermediate connecting pipe is made of glass, it lacks flexibility and easily breaks, so careful work is required for attachment / detachment work and workability is poor, and it is easily damaged due to impact, causing vacuum problems. . Further, since the O-ring is fixed on the glass pipe, the tightening force cannot be increased so much that sufficient sealing performance cannot be obtained.

【0006】本発明は上記従来技術の欠点に鑑みなされ
たものであって、中間接続パイプを破損しにくくして着
脱作業の作業性を向上させ、かつ真空シール性を高める
ことができるイオン注入装置の真空配管構造の提供を目
的とする。
The present invention has been made in view of the above-mentioned drawbacks of the prior art, and an ion implantation apparatus capable of improving the workability of attachment / detachment and improving the vacuum sealing property by making the intermediate connection pipe less likely to be damaged. The purpose is to provide a vacuum piping structure of.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明では、イオン源のチャンバーと真空ポンプと
を接続する真空配管の途中に、チャンバー側の配管と真
空ポンプ側の配管とを連結する中間接続パイプを介装し
たイオン注入装置の真空配管構造において、前記中間接
続パイプを樹脂材料で構成するとともに、両方の接続端
部に金属製のフェルールを装着し、このフェルール上に
前記真空配管を装着し、この真空配管上からネジ締め手
段を介して前記真空配管と中間接続パイプとをシール結
合したことを特徴とするイオン注入装置の真空配管構造
を提供する。
To achieve the above object, in the present invention, a chamber side pipe and a vacuum pump side pipe are connected in the middle of a vacuum pipe connecting a chamber of an ion source and a vacuum pump. In the vacuum piping structure of the ion implantation apparatus having the intermediate connecting pipe interposed, the intermediate connecting pipe is made of a resin material, and metal ferrules are attached to both connecting ends, and the vacuum pipe is mounted on the ferrule. The vacuum piping structure of the ion implantation apparatus is characterized in that the vacuum piping and the intermediate connecting pipe are seal-coupled from above the vacuum piping via the screw fastening means.

【0008】[0008]

【発明の実施の形態】好ましい実施の形態においては、
前記樹脂材料は、ポリフッ化エチレン系材料からなるこ
とを特徴としている。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In a preferred embodiment,
The resin material is characterized by being made of a polyfluorinated ethylene-based material.

【0009】さらに好ましい実施の形態においては、前
記シール結合部の真空配管端部の内面は、中空円錐状に
拡径しその開口端部外周に雄ネジが形成され、前記フェ
ルールは前記真空配管端部内面の円錐形状に対応した円
錐傾斜面を有するリング状部材からなることを特徴とし
ている。
In a further preferred embodiment, the inner surface of the end of the vacuum pipe of the seal connecting portion is expanded into a hollow conical shape and a male screw is formed on the outer periphery of the open end thereof, and the ferrule is provided at the end of the vacuum pipe. It is characterized by comprising a ring-shaped member having a conical inclined surface corresponding to the conical shape of the inner surface of the part.

【0010】[0010]

【実施例】図1は、本発明に係る真空配管を備えたイオ
ン注入装置の構成図であり、図2は実際の装置の外観図
である。イオン源1で発生したイオンガスの中から、質
量分析器2により所望のイオン種が選択されて取り出さ
れ、加速器3により加速されて、X、Y方向の偏向板か
らなるビーム走査器4により照射方向が制御され、イオ
ン打込み室5内にセットされたウエハ6上に照射され
る。イオン源1の下部には真空装置(図示しない)が設
けられ、真空配管を介してイオン源1のチャンバーに接
続される。この真空配管の途中に中間接続パイプ14が
設けられる。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 is a block diagram of an ion implantation apparatus equipped with vacuum piping according to the present invention, and FIG. 2 is an external view of an actual apparatus. A desired ion species is selected and taken out by the mass analyzer 2 from the ion gas generated by the ion source 1, accelerated by an accelerator 3, and irradiated by a beam scanner 4 composed of a deflection plate in X and Y directions. The direction is controlled and irradiation is performed on the wafer 6 set in the ion implantation chamber 5. A vacuum device (not shown) is provided below the ion source 1 and is connected to the chamber of the ion source 1 via a vacuum pipe. An intermediate connection pipe 14 is provided in the middle of this vacuum pipe.

【0011】図3は上記イオン注入装置の真空配管の構
成図である。イオン源のチャンバー10と真空ロータリ
ーポンプ11が真空配管30を介して接続される。この
真空配管30は、イオン源チャンバー10側に接続する
上側の配管12aと、ロータリーポンプ11側に接続す
る下側の配管12bと、これらの配管12a,12b間
に設けられた中間接続パイプ14とにより構成される。
各配管12a,12bは真鍮系の金属材料からなり、各
配管上には開閉バルブ13が設けられる。
FIG. 3 is a block diagram of the vacuum piping of the ion implantation apparatus. The chamber 10 of the ion source and the vacuum rotary pump 11 are connected via a vacuum pipe 30. The vacuum pipe 30 includes an upper pipe 12a connected to the ion source chamber 10 side, a lower pipe 12b connected to the rotary pump 11 side, and an intermediate connection pipe 14 provided between these pipes 12a and 12b. It is composed of
Each of the pipes 12a and 12b is made of a brass-based metal material, and an opening / closing valve 13 is provided on each pipe.

【0012】図4は、上記真空配管の中間接続パイプ1
4の詳細図であり、(A)は外観図、(B)は分解図で
ある。この中間接続パイプ14は、耐久性に優れたポリ
フッ化エチレン系の樹脂材料(例えばテフロン(商品
名:デュポン社製))により構成される。この樹脂製中
間接続パイプ14の上下各端部には例えばステンレス鋼
からなるフェルール17が装着される。金属配管12
a,12bの端部は円錐状に拡がって形成され、その開
口端部外周に雄ネジ16が形成される。フェルール17
の外形は、各金属配管12a,12bの端部内面の円錐
形状に合った円錐状テーパ面を有するリング形状であ
る。
FIG. 4 shows an intermediate connecting pipe 1 of the above vacuum pipe.
4 is a detailed view of FIG. 4, (A) is an external view, and (B) is an exploded view. The intermediate connecting pipe 14 is made of a polyfluoroethylene resin material having excellent durability (for example, Teflon (trade name: manufactured by DuPont)). Ferrules 17 made of, for example, stainless steel are attached to the upper and lower ends of the resin intermediate connection pipe 14. Metal pipe 12
The ends of a and 12b are formed so as to spread in a conical shape, and a male screw 16 is formed on the outer circumference of the opening end. Ferrule 17
The outer shape is a ring shape having a conical taper surface that matches the conical shape of the inner surface of the end of each metal pipe 12a, 12b.

【0013】このようなフェルール17上から各金属配
管12a,12bの拡径端部を装着し、ナット15を雄
ネジ16にネジ結合させて締め付ける。これにより、フ
ェルール17が樹脂の中間接続パイプ14に押し付けら
れて食込み、フェルール17と中間接続パイプ14間お
よび金属配管12a,12bの内面との間が完全にシー
ルされるとともに、フェルール17のテーパ面が金属配
管12a,12bの円錐状内面に押し付けられるため、
金属配管12a,12bと中間接続パイプ14との間の
シール性がさらに高められる。
The enlarged diameter ends of the metal pipes 12a and 12b are mounted on the ferrule 17 and the nut 15 is screwed to the male screw 16 and tightened. As a result, the ferrule 17 is pressed against the resin intermediate connection pipe 14 and bites into the resin, and the ferrule 17 and the intermediate connection pipe 14 and the inner surfaces of the metal pipes 12a and 12b are completely sealed, and the tapered surface of the ferrule 17 is formed. Is pressed against the conical inner surfaces of the metal pipes 12a and 12b,
The sealability between the metal pipes 12a and 12b and the intermediate connection pipe 14 is further enhanced.

【0014】[0014]

【発明の効果】以上説明したように、本発明において
は、イオン源チャンバーと真空ポンプとを連結する真空
配管の途中に設けた中間接続パイプを樹脂材料により構
成しているため、耐久性が向上し衝撃に対しても損傷し
にくくなり、着脱作業時の破損が防止され作業性の向上
が図られる。また、これとともに破損による真空リーク
トラブルの発生が減少し、また破損に伴う処理作業やコ
ストロスを防止できる。さらに、破損のおそれがないた
め、強い力で接続部のシール部材であるフェルールを締
め付けることができ、これによりシール性が高められ、
真空配管の信頼性の向上が図られる。
As described above, in the present invention, since the intermediate connecting pipe provided in the middle of the vacuum pipe connecting the ion source chamber and the vacuum pump is made of a resin material, the durability is improved. Also, it is less likely to be damaged by impact, and damage during attachment / detachment work is prevented, improving workability. At the same time, the occurrence of vacuum leak trouble due to breakage is reduced, and the processing work and cost loss due to breakage can be prevented. Furthermore, since there is no risk of damage, it is possible to tighten the ferrule, which is the sealing member of the connection part, with a strong force, which improves the sealing performance.
The reliability of the vacuum piping can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 本発明が適用されるイオン注入装置の基本構
成図である。
FIG. 1 is a basic configuration diagram of an ion implantation apparatus to which the present invention is applied.

【図2】 図1のイオン注入装置の外観図である。2 is an external view of the ion implantation apparatus of FIG.

【図3】 イオン源の真空配管部分の構成図である。FIG. 3 is a configuration diagram of a vacuum piping portion of an ion source.

【図4】 本発明に係る真空配管の中間接続パイプ部分
の構造図である。
FIG. 4 is a structural diagram of an intermediate connection pipe portion of vacuum piping according to the present invention.

【図5】 従来の真空配管の中間接続パイプ部分の構成
図である。
FIG. 5 is a configuration diagram of an intermediate connection pipe portion of conventional vacuum piping.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

12a,12b:金属製真空配管 14:樹脂製中間接続パイプ 15:ナット 17:フェルール 12a, 12b: Metal vacuum pipe 14: Resin intermediate connection pipe 15: Nut 17: Ferrule

フロントページの続き (72)発明者 福岡 正二 鹿児島県国分市野口北5番1号 ソニー国 分株式会社内Front Page Continuation (72) Inventor Shoji Fukuoka No. 5 Noguchi Kita, Kokubun City, Kagoshima Prefecture Sony Kokubun Co., Ltd.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 イオン源のチャンバーと真空ポンプとを
接続する真空配管の途中に、チャンバー側の配管と真空
ポンプ側の配管とを連結する中間接続パイプを介装した
イオン注入装置の真空配管構造において、 前記中間接続パイプを樹脂材料で構成するとともに、両
方の接続端部に金属製のフェルールを装着し、このフェ
ルール上に前記真空配管を装着し、この真空配管上から
ネジ締め手段を介して前記真空配管と中間接続パイプと
をシール結合したことを特徴とするイオン注入装置の真
空配管構造。
1. A vacuum piping structure for an ion implantation apparatus, wherein an intermediate connection pipe connecting a chamber side pipe and a vacuum pump side pipe is interposed in the middle of a vacuum pipe connecting an ion source chamber and a vacuum pump. In, while the intermediate connection pipe is made of a resin material, metal ferrules are attached to both connection ends, the vacuum pipe is attached on the ferrule, and a screw tightening means is provided on the vacuum pipe. A vacuum piping structure for an ion implantation apparatus, wherein the vacuum piping and an intermediate connection pipe are seal-bonded to each other.
【請求項2】 前記樹脂材料は、ポリフッ化エチレン系
材料からなることを特徴とする請求項1に記載のイオン
注入装置の真空配管構造。
2. The vacuum piping structure for an ion implantation apparatus according to claim 1, wherein the resin material is a polyfluorinated ethylene-based material.
【請求項3】 前記シール結合部の真空配管端部の内面
は、中空円錐状に拡径しその開口端部外周に雄ネジが形
成され、前記フェルールは前記真空配管端部内面の円錐
形状に対応した円錐傾斜面を有するリング状部材からな
ることを特徴とする請求項1に記載のイオン注入装置の
真空配管構造。
3. The inner surface of the end portion of the vacuum pipe of the seal coupling portion is expanded into a hollow conical shape and a male screw is formed on the outer periphery of the opening end thereof, and the ferrule has a conical shape of the inner surface of the end portion of the vacuum pipe. The vacuum piping structure for an ion implantation apparatus according to claim 1, wherein the vacuum piping structure comprises a ring-shaped member having a corresponding conical inclined surface.
JP8044296A 1996-02-05 1996-02-05 Vacuum piping structure for ion implantation device Pending JPH09213252A (en)

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JP (1) JPH09213252A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013507739A (en) * 2009-10-08 2013-03-04 パーキンエルマー・ヘルス・サイエンシズ・インコーポレーテッド Coupling device and usage of coupling device

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