JPH09213227A - Ion source device - Google Patents

Ion source device

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JPH09213227A
JPH09213227A JP8037412A JP3741296A JPH09213227A JP H09213227 A JPH09213227 A JP H09213227A JP 8037412 A JP8037412 A JP 8037412A JP 3741296 A JP3741296 A JP 3741296A JP H09213227 A JPH09213227 A JP H09213227A
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JP
Japan
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ion beam
electrode
current density
diameter
plasma
Prior art date
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Application number
JP8037412A
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Japanese (ja)
Inventor
Takashi Mikami
隆司 三上
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Nissin Electric Co Ltd
Original Assignee
Nissin Electric Co Ltd
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  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To correct the distribution of the current density of the ion beams on a base evenly without generating a part where almost no ion beam is radiated on the base, by forming outlet holes with plural sorts of diameters on an electrode, in an ion source device. SOLUTION: The hole diameter of the outlet holes 13 at the center of an electrode 7 is made smaller than the hole diameter of the outlet holes 14 at the peripheral edge. As a result, the ion beam amount drawn out from the center of the electrode 7 is reduced, and the distribution of the current density of the ion beams on a base can be corrected to be even at the center and at the peripheral edge. On the contrgry, when the currcet density of the ion beams at the peripheral edge is high, the diameter of the outlet holes at the peripheral edge is made smaller than the diameter of the outlet holes at the center. Consequently, the distribution of the current density of the ion beams on the base can be made even.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマよりイオ
ンビームを引き出す複数個の引出孔を形成した多孔式電
極を有するイオン源装置に関する。
The present invention relates to an ion source device having a porous electrode having a plurality of extraction holes for extracting an ion beam from plasma.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来のイオン源装置につき、切断側面図
を示した図2,一部の拡大正面図を示した図3を参照し
て説明する。
2. Description of the Related Art A conventional ion source device will be described with reference to FIG. 2 showing a cut side view and FIG. 3 showing a partially enlarged front view.

【0003】それらの図において、1は筐体、2は筐体
1により形成されたプラズマ室、3は筐体1内の片側に
絶縁支持体4を介して導入されたフィラメントであり、
フィラメント電源により高温に加熱され、熱電子を放出
する。5は筐体1の片側に形成された電離用ガスの導入
口であり、所要の種類及び量のガスが導入口5からプラ
ズマ室2に導入される。
In these figures, 1 is a housing, 2 is a plasma chamber formed by the housing 1, and 3 is a filament introduced into one side of the housing 1 through an insulating support 4.
It is heated to a high temperature by the filament power supply and emits thermoelectrons. Reference numeral 5 denotes an ionization gas inlet formed on one side of the housing 1, and a required type and amount of gas are introduced into the plasma chamber 2 through the inlet 5.

【0004】6はモリブテン,アルミ或いは銅などから
なり,例えば口径が300mmφの多孔式電極系であり、
加速用の多孔式電極7,減速用の多孔式電極8,接地用
の多孔式電極9より構成され、筐体1のフィラメント3
に対向した位置の開口に設けられ、各電極7,8,9は
絶縁物を介して支持されている。10は各電極7,8,
9にそれぞれ形成された孔径が例えば4mmφの複数個の
引出孔であり、図3に示すように、各電極7,8,9の
5mm間隔の碁盤の目の位置に均等に配置されている。1
1は筐体1の外面に配列された複数個のマグネットであ
り、隣接するマグネット11の極性が異なり、カスプ磁
場を形成する。
6 is a molybdenum, aluminum or copper, for example, a porous electrode system having a diameter of 300 mmφ,
The filament 3 of the housing 1 is composed of a porous electrode 7 for acceleration, a porous electrode 8 for deceleration, and a porous electrode 9 for grounding.
The electrodes 7, 8 and 9 are provided in the openings at positions facing each other, and the electrodes 7, 8 and 9 are supported via an insulator. 10 is each electrode 7, 8,
A plurality of extraction holes each having a hole diameter of, for example, 4 mmφ are formed in each of the electrodes 9. As shown in FIG. 3, the electrodes 7, 8 and 9 are evenly arranged at the positions of a grid of 5 mm intervals. 1
Reference numeral 1 denotes a plurality of magnets arranged on the outer surface of the housing 1, and adjacent magnets 11 have different polarities to form a cusp magnetic field.

【0005】そして、フィラメント3からの熱電子が筐
体1との間で加速され、導入口5からの電離用ガスと衝
突し、プラズマ12が生成され、このプラズマ12が各
マグネット11によるカスプ磁場により、筐体1の中央
部に閉じ込められ、多孔式電極系6の引き出し作用によ
り、プラズマ12中のイオンが各電極7,8,9の引出
孔10からイオンビームとなって引き出される。
The thermoelectrons from the filament 3 are accelerated with the casing 1 and collide with the ionizing gas from the inlet 5, plasma 12 is generated, and the plasma 12 is a cusp magnetic field generated by each magnet 11. As a result, the ions are confined in the central portion of the housing 1, and the ions in the plasma 12 are extracted as an ion beam from the extraction holes 10 of the electrodes 7, 8, 9 by the extraction action of the porous electrode system 6.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の前記
装置において、イオンビームの電流密度の分布をコント
ロールする場合、多孔式電極7の引出孔10の孔配置を
不均一にしている。即ち、イオンビームの電流密度が高
い部分の孔数を減らしている。しかし、プラズマが均一
な密度を持っている場合には、この方法でも対処が可能
であるが、図4に示すように、プラズマが不均一で、か
つ、イオンビームの発散角が小さい場合、この方法では
対処が困難になる。
By the way, in the above-mentioned conventional apparatus, when the distribution of the current density of the ion beam is controlled, the extraction holes 10 of the porous electrode 7 are arranged in a non-uniform manner. That is, the number of holes in the portion where the current density of the ion beam is high is reduced. However, when the plasma has a uniform density, this method can also be dealt with, but as shown in FIG. 4, when the plasma is non-uniform and the divergence angle of the ion beam is small, this The method is difficult to deal with.

【0007】即ち、イオンビームの発散角が小さい場
合、基板上での各引出孔10からのイオンビームの重な
りは小さく、このような場合に、イオンビームの電流密
度の高い部分に相当する中心部の引出孔10を減らすこ
とは、イオンビームが全んど照射されない部分を生じさ
せる結果になるという問題点がある。
That is, when the divergence angle of the ion beam is small, the overlap of the ion beams from the extraction holes 10 on the substrate is small, and in such a case, the central portion corresponding to the high current density portion of the ion beam. There is a problem that reducing the number of extraction holes 10 results in a portion where the ion beam is not irradiated at all.

【0008】また、基板の形状等によっては、所望のイ
オンビームの電流密度の分布を得たい場合がある。
Depending on the shape of the substrate and the like, it may be desired to obtain a desired current density distribution of the ion beam.

【0009】本発明は、前記の点に留意し、プラズマ密
度の分布が不均一で、かつ、イオンビームの発散角が小
さい場合でも、基板上にイオンビームが全んど照射され
ない部分を生じることなく、イオンビームの電流密度の
分布を補正することができ、また、所望の分布が得られ
るイオン源装置を提供することを目的とする。
In consideration of the above points, the present invention produces a portion where the ion beam is not irradiated at all on the substrate even when the plasma density distribution is non-uniform and the divergence angle of the ion beam is small. It is an object of the present invention to provide an ion source device capable of correcting the distribution of the current density of the ion beam and obtaining a desired distribution.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明は、電離用ガスの導入口が形成され,プラズ
マを生成する筐体と、プラズマよりイオンビームを引き
出す複数個の引出孔を形成した多孔式電極とを備えたイ
オン源装置において、前記電極の中心部の引出孔の孔径
と周縁部の引出孔の孔径とを異ならせたものである。
In order to solve the above-mentioned problems, the present invention is directed to a case in which an ionizing gas inlet is formed to generate plasma, and a plurality of extraction holes for extracting an ion beam from the plasma. In the ion source device including the porous electrode having the above-mentioned structure, the diameter of the extraction hole at the center of the electrode and the diameter of the extraction hole at the peripheral portion of the electrode are different.

【0011】従って、1個の引出孔から引き出されるイ
オンビームは、プラズマ密度,プラズマへの電界及びプ
ラズマに接する電極の孔径によって決まるため、例え
ば、中心部のイオンビームの電流密度が高い場合、中心
部の引出孔の孔径を周縁部の孔径より小さくすることに
より、電極の中心部から引き出されるイオンビーム量が
減少し、基板上の中心部のイオンビームの電流密度の分
布が減少することになり、引出孔の孔数を減らす場合と
異なり、プラズマ密度の分布が不均一で、かつ、イオン
ビームの発散角が小さい場合でも、基板上にイオンビー
ムが全んど照射されない部分を生じることなく、基板上
のイオンビームの電流密度の分布が均一に補正される。
Therefore, since the ion beam extracted from one extraction hole is determined by the plasma density, the electric field to the plasma, and the hole diameter of the electrode in contact with the plasma, for example, when the current density of the ion beam at the center is high, By making the diameter of the extraction hole of the part smaller than the diameter of the peripheral part, the amount of the ion beam extracted from the center of the electrode is reduced, and the distribution of the current density of the ion beam in the center of the substrate is reduced. Unlike the case where the number of extraction holes is reduced, even if the distribution of the plasma density is non-uniform and the divergence angle of the ion beam is small, there is no part where the ion beam is not irradiated on the substrate, The current density distribution of the ion beam on the substrate is uniformly corrected.

【0012】また逆に、周縁部のイオンビームの電流密
度が高い場合、周縁部の引出孔の孔径を中心部の引出孔
の孔径より小さくすることにより、前記と同様、基板上
のイオンビームの電流密度の分布が均一に補正される。
On the contrary, when the current density of the ion beam at the peripheral portion is high, the diameter of the extraction hole at the peripheral portion is made smaller than the diameter of the extraction hole at the central portion so that the ion beam on the substrate is The current density distribution is corrected uniformly.

【0013】さらに、本発明は、中心部,周縁部に限ら
ず、複数種類の孔径の引出孔を電極に形成したものであ
る。
Further, the present invention is not limited to the central portion and the peripheral portion, and the present invention is one in which the electrode is formed with extraction holes having a plurality of kinds of hole diameters.

【0014】従って、この場合、基板の形状等により望
まれる所望のイオンビームの電流密度の分布が得られ
る。
Therefore, in this case, a desired current density distribution of the ion beam can be obtained depending on the shape of the substrate.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】実施の1形態につき、一部の正面
図を示した図1を参照して説明する。この場合は、中心
部のイオンビームの電流密度が高い場合であり、同図に
おいて、図3と異なる点はつぎのとおりである。13は
加速用の多孔式電極7の中心部に形成された孔径が例え
ば2mmφの中心引出孔、14は電極7の周縁部に形成さ
れた孔径が例えば4mmφの周縁引出孔、15は中心引出
孔13と周縁引出孔14との中間部に形成された孔径が
例えば3mmφの中間引出孔であり、各引出孔13,1
4,15は、電極7の5mm間隔の碁盤の目の位置に均等
に配置され、各引出孔13,14,15の孔径は、電極
7の周縁部から中心部に向うにしたがって小さくなって
おり、図4に示すプラズマ密度に対応させている。即
ち、孔面積×プラズマ密度≒一定にしている。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION An embodiment will be described with reference to FIG. 1 showing a partial front view. In this case, the current density of the ion beam in the central portion is high, and in this figure, the points different from FIG. 3 are as follows. Reference numeral 13 denotes a center extraction hole having a hole diameter of, for example, 2 mmφ formed in the central portion of the accelerating porous electrode 7, 14 denotes a peripheral extraction hole having a hole diameter of, for example, 4 mmφ formed at a peripheral portion of the electrode 7, and 15 denotes a center extraction hole. 13 and the peripheral draw-out hole 14 are intermediate draw-out holes having a hole diameter of, for example, 3 mmφ.
The holes 4, 15 are evenly arranged at the positions of the grid of the electrode 7 at intervals of 5 mm, and the diameters of the extraction holes 13, 14, 15 are reduced from the peripheral edge of the electrode 7 toward the center. , Corresponding to the plasma density shown in FIG. That is, the hole area × plasma density≈constant.

【0016】つぎに、実施例について説明する。イオン
ビームの加速エネルギを40KVとし、多孔式電極系6
から300mmの位置のイオンビームの電流密度を測定し
た結果、300mmφ内でイオンビームの電流密度の分布
が±15%であった。即ち、基板上のイオンビームの電
流密度の分布がほぼ均一になっていた。
Next, examples will be described. The acceleration energy of the ion beam is 40 KV and the porous electrode system 6
As a result of measuring the current density of the ion beam at a position of 300 mm from, it was found that the current density distribution of the ion beam was within ± 15% within 300 mmφ. That is, the current density distribution of the ion beam on the substrate was almost uniform.

【0017】なお、図2の装置を用いて、前記実施例と
同じ条件でイオンビームの電流密度の測定を行った結
果、図4に示す不均一なプラズマ密度の分布に近い形と
なった。即ち、基板の中心部のイオンビームの電流密度
の分布が高く、周縁部が低くなっていた。
As a result of measuring the current density of the ion beam using the apparatus of FIG. 2 under the same conditions as in the above-mentioned embodiment, the shape was close to the non-uniform plasma density distribution shown in FIG. That is, the distribution of the current density of the ion beam in the central portion of the substrate is high and the peripheral portion is low.

【0018】以上のように、電極7の中心部の引出孔1
3の孔径を周縁部の引出孔14の孔径より小さくするこ
とにより、電極7の中心部から引き出されるイオンビー
ム量が減少し、基板上のイオンビームの電流密度の分布
が、中心部及び周縁部で均一に補正できる。
As described above, the extraction hole 1 at the center of the electrode 7
3 is smaller than the diameter of the extraction hole 14 in the peripheral portion, the amount of the ion beam extracted from the central portion of the electrode 7 is reduced, and the current density distribution of the ion beam on the substrate is distributed in the central portion and the peripheral portion. Can be corrected uniformly.

【0019】また前記とは逆に、周縁部のイオンビーム
の電流密度が高い場合、周縁部の引出孔の孔径を中心部
の引出孔の孔径より小さくする。この小さくすることに
より、基板上のイオンビームの電流密度の分布を均一に
することができる。
Contrary to the above, when the current density of the ion beam at the peripheral portion is high, the diameter of the extraction hole at the peripheral portion is made smaller than the diameter of the extraction hole at the central portion. By making this smaller, the distribution of the current density of the ion beam on the substrate can be made uniform.

【0020】さらに、基板の形状等によっては、電極の
各部の引出孔の孔径を適宜異ならせることにより、基板
上に所望のイオンビームの電流密度の分布を得ることが
できる。なお、本発明は、多孔式電極であれば、直流放
電,高周波放電等の放電方式及び電極の構成枚数,材質
に関係なく適用できる。
Further, depending on the shape of the substrate and the like, the hole diameter of the extraction hole of each part of the electrode can be appropriately changed to obtain a desired current density distribution of the ion beam on the substrate. The present invention can be applied to any porous electrode regardless of the discharge method such as direct current discharge and high frequency discharge, the number of electrodes, and the material.

【0021】また、前記形態では、電極7の引出孔の孔
径を電極7の周縁部から中心部に向うにしたがって連続
的に小さくしたが、周縁部を大、中間部を中、中心部を
小と段階的に小さくしてもよい。
Further, in the above-described embodiment, the diameter of the extraction hole of the electrode 7 is continuously reduced from the peripheral portion of the electrode 7 toward the central portion, but the peripheral portion is large, the intermediate portion is middle, and the central portion is small. It may be reduced stepwise.

【0022】さらに、前記形態では、多孔式電極を用い
たが、スリット式電極を用いてもよく、中心部のスリッ
トの幅を周縁部のスリットの幅より小さくすることによ
り、前記形態と同様の効果を奏する。
Further, in the above-mentioned embodiment, the porous electrode is used, but a slit-type electrode may be used, and by making the width of the slit in the central portion smaller than the width of the slit in the peripheral portion, the same as in the above-mentioned embodiment is obtained. Produce an effect.

【0023】[0023]

【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成され
ているため、つぎに記載する効果を奏する。本発明のイ
オン源装置は、中心部のイオンビームの電流密度が高い
場合、多孔式電極7の中心部の引出孔13の孔径を周縁
部の孔径より小さくすることにより、電極7の中心部か
ら引き出されるイオンビーム量が減少し、基板上の中心
部のイオンビームの電流密度の分布が減少し、引出孔の
孔数を減らす場合と異なり、プラズマ密度の分布が不均
一で、かつ、イオンビームの発散角が小さい場合でも、
基板上にイオンビームが全んど照射されない部分を生じ
ることなく、基板上のイオンビームの電流密度の分布を
均一に補正することができる。
Since the present invention is constructed as described above, it has the following effects. In the ion source device of the present invention, when the current density of the ion beam in the central portion is high, the diameter of the extraction hole 13 in the central portion of the porous electrode 7 is made smaller than the diameter of the peripheral portion so that the central portion of the electrode 7 is Unlike the case where the number of extracted ion beams is reduced, the distribution of the current density of the ion beam at the center of the substrate is reduced, and the number of extraction holes is reduced, the plasma density distribution is non-uniform and the ion beam Even if the divergence angle of is small,
It is possible to uniformly correct the current density distribution of the ion beam on the substrate without generating a portion on the substrate where the ion beam is not irradiated at all.

【0024】また逆に、周縁部のイオンビームの電流密
度が高い場合、周縁部の引出孔の孔径を中心部の引出孔
の孔径より小さくすることにより、前記と同様、基板上
のイオンビームの電流密度の分布を均一に補正すること
ができる。
On the contrary, when the current density of the ion beam at the peripheral portion is high, the diameter of the extraction hole at the peripheral portion is made smaller than the diameter of the extraction hole at the central portion, so that the ion beam on the substrate is The current density distribution can be corrected uniformly.

【0025】さらに、中心部,周縁部に限らず、複数種
類の孔径の引出孔を電極に形成することにより、基板の
形状等により望まれる所望のイオンビームの電流密度の
分布を得ることができる。
Further, not only the central part and the peripheral part, but also the extraction holes having plural kinds of hole diameters are formed in the electrode, so that the desired current density distribution of the ion beam can be obtained depending on the shape of the substrate and the like. .

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の実施の1形態の一部の正面図である。FIG. 1 is a partial front view of an embodiment of the present invention.

【図2】従来例の切断側面図である。FIG. 2 is a cut side view of a conventional example.

【図3】図2の一部の拡大正面図である。3 is an enlarged front view of a part of FIG. 2. FIG.

【図4】プラズマ密度の分布を示した図である。FIG. 4 is a diagram showing a distribution of plasma density.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 筐体 5 導入口 7 多孔式電極 8 多孔式電極 9 多孔式電極 12 プラズマ 13 引出孔 1 Case 5 Inlet 7 Porous Electrode 8 Porous Electrode 9 Porous Electrode 12 Plasma 13 Extraction Hole

─────────────────────────────────────────────────────
─────────────────────────────────────────────────── ───

【手続補正書】[Procedure amendment]

【提出日】平成8年9月17日[Submission date] September 17, 1996

【手続補正1】[Procedure amendment 1]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】特許請求の範囲[Correction target item name] Claims

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction contents]

【特許請求の範囲】[Claims]

【手続補正2】[Procedure amendment 2]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0010[Correction target item name] 0010

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction contents]

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明は、プラズマを生成する筐体と、プラズマよ
りイオンビームを引き出す複数個の引出孔を形成した多
孔式電極とを備えたイオン源装置において、前記電極の
中心部の引出孔の孔径と周縁部の引出孔の孔径とを異な
らせたものである。
In order to solve the above problems SUMMARY OF THE INVENTION The present invention includes a housing for generating a flop plasma, and a porous-type electrodes forming a plurality of extraction holes to draw than the ion beam plasma In the ion source device, the diameter of the extraction hole at the center of the electrode is different from the diameter of the extraction hole at the peripheral edge.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 電離用ガスの導入口が形成され,プラズ
マを生成する筐体と、 前記プラズマよりイオンビームを引き出す複数個の引出
孔を形成した多孔式電極とを備えたイオン源装置におい
て、 複数種類の孔径の引出孔を前記電極に形成したイオン源
装置。
1. An ion source apparatus comprising: a housing in which an ionizing gas inlet is formed to generate plasma; and a porous electrode in which a plurality of extraction holes for extracting an ion beam from the plasma are formed. An ion source device in which extraction holes having a plurality of kinds of hole diameters are formed in the electrode.
【請求項2】 電離用ガスの導入口が形成され,プラズ
マを生成する筐体と、 前記プラズマよりイオンビームを引き出す複数個の引出
孔を形成した多孔式電極とを備えたイオン源装置におい
て、 前記電極の中心部の引出孔の孔径と周縁部の引出孔の孔
径とを異ならせたイオン源装置。
2. An ion source device comprising: a casing in which an ionization gas inlet is formed to generate plasma; and a porous electrode having a plurality of extraction holes for extracting an ion beam from the plasma, An ion source device in which the diameter of the extraction hole at the center of the electrode and the diameter of the extraction hole at the peripheral portion are different.
JP8037412A 1996-01-30 1996-01-30 Ion source device Pending JPH09213227A (en)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008538252A (en) * 2005-03-31 2008-10-16 ヴィーコ インストゥルメンツ インコーポレイテッド Method for controlling grid transmission and grid hole pattern to uniformize ion beam
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