JPH09211021A - Semiconductor acceleration sensor - Google Patents

Semiconductor acceleration sensor

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Publication number
JPH09211021A
JPH09211021A JP8020303A JP2030396A JPH09211021A JP H09211021 A JPH09211021 A JP H09211021A JP 8020303 A JP8020303 A JP 8020303A JP 2030396 A JP2030396 A JP 2030396A JP H09211021 A JPH09211021 A JP H09211021A
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JP
Japan
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package
acceleration
sensor chip
sensor
silicon
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Application number
JP8020303A
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Japanese (ja)
Inventor
Mikio Hashimoto
橋本　　幹夫
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Fujikura Ltd
Original Assignee
Fujikura Ltd
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Filing date
Publication date
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    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P2015/0805—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration
    • G01P2015/0822—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass
    • G01P2015/084—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass the mass being suspended at more than one of its sides, e.g. membrane-type suspension, so as to permit multi-axis movement of the mass

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  • Pressure Sensors (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a highly accurate acceleration sensor wherein a direction for measuring acceleration of a package can be matched with an acceleration sensing axis of a sensor chip mounted on the package by die-bonding and sensitivity of other axes can be reduced. SOLUTION: A protrusion 7a for positioning a sensor chip 1 is formed on a bottom inside a package 7, while a positioning recess 6 is formed on a lower face of a silicon seat 5 on the sensor chip 1. A cylindrical glass seat 3 is fixed on an upper face of the silicon seat 5, while a sensor part 2 is fixed on an upper face of the glass seat 3. The sensor part 2 is formed with a groove 2b selectively opened downward and with a diaphragm 2a to be a sensing part for acceleration. In addition, a weight 4 is joined to a center of a lower face of the sensor part 2, while the weight 4 is placed hanging inside the glass seat 3. When the sensor chip 1 thus constituted is to be mounted on the package 7 by die-bonding, the recess 6 of the sensor chip 1 and the protrusion 7a of the package 7 are fitted together.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、自動車、航空機、
産業ロボット及び各種工業計測用機器等に取り付けられ
て、２軸又は３軸等の加速度の検知に使用される半導体
加速度センサに関する。TECHNICAL FIELD The present invention relates to an automobile, an aircraft,
The present invention relates to a semiconductor acceleration sensor that is attached to an industrial robot, various industrial measuring instruments, and the like and is used to detect biaxial or triaxial acceleration.

【０００２】[0002]

【従来の技術】図３乃至図８は、従来の半導体加速度セ
ンサの製造方法を工程順に示す断面図である。半導体加
速度センサを製造する場合には、先ず、図３に示す単結
晶のシリコンウェハ１２の表面に不純物を選択的に導入
し熱拡散させて、複数個のピエゾ抵抗素子（図示せず）
を形成する。そして、これらのピエゾ抵抗素子によって
後工程において切断分離されるセンサチップ毎に感歪抵
抗ブリッジ回路を形成する。2. Description of the Related Art FIGS. 3 to 8 are sectional views showing a method of manufacturing a conventional semiconductor acceleration sensor in the order of steps. In the case of manufacturing a semiconductor acceleration sensor, first, impurities are selectively introduced into the surface of the single crystal silicon wafer 12 shown in FIG. 3 to cause thermal diffusion, and a plurality of piezoresistive elements (not shown).
To form Then, a strain sensitive resistance bridge circuit is formed for each sensor chip that is cut and separated in a later step by these piezoresistive elements.

【０００３】その後、図４に示すように、シリコンウェ
ハ１２下面を選択的にエッチングして、下方に開口した
複数個の溝１２ｂを形成する。これらの溝１２ｂが形成
されることにより、加速度の検知部となるダイヤフラム
１２ａが形成される。After that, as shown in FIG. 4, the lower surface of the silicon wafer 12 is selectively etched to form a plurality of grooves 12b which are opened downward. By forming these grooves 12b, the diaphragm 12a that serves as an acceleration detecting portion is formed.

【０００４】次いで、図５に示すように、その表面にハ
ーフダイシングにより複数個の切削溝１３ａが形成され
たガラスウェハ１３を、シリコンウェハ１２の下面に静
電封着させる。Next, as shown in FIG. 5, a glass wafer 13 having a plurality of cutting grooves 13a formed on its surface by half dicing is electrostatically sealed to the lower surface of the silicon wafer 12.

【０００５】その後、このガラスウェハ１３を下面側か
ら切削溝１３ａに到達するまでダイシング加工して、図
６に示すように、貫通するスリット２３ａを形成し、ス
リット２３ａにより重り２４と台座（重り台座）２３と
を分離する。これにより、センサチップにおける重り及
び重り台座を形成する。Thereafter, the glass wafer 13 is diced from the lower surface side to reach the cutting groove 13a to form a penetrating slit 23a as shown in FIG. 6, and the slit 23a forms a weight 24 and a pedestal (weight pedestal). ) 23 is separated. Thereby, the weight and the weight pedestal of the sensor chip are formed.

【０００６】次いで、図７に示すように、シリコン台座
ウェハ１５をガラスウェハ１３の重り台座２３の下面に
静電封着させる。これにより、センサチップの台座（チ
ップ台座）が形成される。なお、このシリコン台座ウェ
ハ１５の上面には、重り２４の可動範囲となる領域にエ
ッチングが施され、凹部１５ａが形成されている。Next, as shown in FIG. 7, the silicon pedestal wafer 15 is electrostatically sealed to the lower surface of the weight pedestal 23 of the glass wafer 13. As a result, a pedestal of the sensor chip (chip pedestal) is formed. It should be noted that the upper surface of the silicon pedestal wafer 15 has a recess 15a formed by etching a region within the movable range of the weight 24.

【０００７】このように、シリコンウェハ１２、ガラス
ウェハ１３及びシリコン台座ウェハ１５の３層を積層し
て、複数個のセンサチップを同時に製造した後、図８に
示すように、ダイシングによってセンサチップ２１を個
々に切断部２３ｂで切断分離する。In this way, the three layers of the silicon wafer 12, the glass wafer 13, and the silicon pedestal wafer 15 are laminated to manufacture a plurality of sensor chips at the same time. Then, as shown in FIG. Are individually cut and separated by the cutting portion 23b.

【０００８】その後、図９に示すように、各センサチッ
プ２１を例えばシリコン系樹脂の接着剤を使用してパッ
ケージ２７に搭載する。このパッケージ２７には、図１
０に示すように、パッケージ２７の上端から外部へ延出
するリード２８が設けられている。また、センサチップ
２１のセンサ部２２に形成されている感歪抵抗ブリッジ
回路の入出力端は、センサチップ２１の上面縁部に設け
られたパッド（図示せず）に電気的に接続され、このパ
ッドはリード２８の内側先端部にボンディングワイヤ３
０を介して電気的に接続されている。更に、パッケージ
２７の上部には蓋２９が配設されており、センサチップ
２１をパッケージ２７内に封止するようになっている。Thereafter, as shown in FIG. 9, each sensor chip 21 is mounted on the package 27 using, for example, an adhesive of silicon resin. In this package 27, FIG.
As shown in 0, a lead 28 extending from the upper end of the package 27 to the outside is provided. Further, the input / output ends of the strain sensing resistance bridge circuit formed in the sensor portion 22 of the sensor chip 21 are electrically connected to pads (not shown) provided on the upper edge of the sensor chip 21, and The pad has a bonding wire 3 on the inner tip of the lead 28.
It is electrically connected via 0. Further, a lid 29 is provided on the upper portion of the package 27 so that the sensor chip 21 is sealed in the package 27.

【０００９】次に、このように構成された半導体加速度
センサ２０の動作について説明する。図１０に示す加速
度センサ２０に加速度が加えられると、重り２４はその
慣性力により変位する。従って、センサ部２２のダイヤ
フラム２２ａが機械的に変形する。これにより、ダイヤ
フラム２２ａの表面に設けられたピエゾ抵抗素子の電気
抵抗が変化する。そして、この抵抗値の変化を外部の検
出装置により検出することにより、加速度を検出するこ
とができる。Next, the operation of the semiconductor acceleration sensor 20 thus constructed will be described. When acceleration is applied to the acceleration sensor 20 shown in FIG. 10, the weight 24 is displaced by its inertial force. Therefore, the diaphragm 22a of the sensor unit 22 is mechanically deformed. As a result, the electric resistance of the piezoresistive element provided on the surface of the diaphragm 22a changes. Then, the acceleration can be detected by detecting the change in the resistance value with an external detection device.

【００１０】[0010]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
半導体加速度センサ２０には、以下のような問題点があ
る。即ち、加速度センサ２０で加速度を正確に検知する
ためには、センサチップ２１がパッケージ２７内にて、
加速度を検知する軸方向に正確にアライメントされてい
る必要がある。しかし、従来の半導体加速度センサ２０
ではセンサチップ２１及びパッケージ２７のダイボンド
面はいずれも平滑面であるため、組立時点でセンサチッ
プ２１の加速度検知軸とパッケージ２７の加速度測定方
向とがずれてしまう場合がある。However, the conventional semiconductor acceleration sensor 20 has the following problems. That is, in order to accurately detect the acceleration with the acceleration sensor 20, the sensor chip 21 is provided in the package 27.
It must be accurately aligned in the axial direction to detect acceleration. However, the conventional semiconductor acceleration sensor 20
However, since the die-bonding surfaces of the sensor chip 21 and the package 27 are both smooth surfaces, the acceleration detection axis of the sensor chip 21 and the acceleration measuring direction of the package 27 may deviate at the time of assembly.

【００１１】図１１は、ダイボンディングによりパッケ
ージに搭載されたセンサチップのアライメント状態を示
す模式的上面図であり、（ａ）はセンサチップの加速度
検知軸とパッケージの加速度測定方向とが合致している
場合、（ｂ）はセンサチップの加速度検知軸とパッケー
ジの加速度測定方向とがずれている場合を示す図であ
る。この図１１に示すように、パッケージ２７の加速度
測定方向であるＸ軸方向に加速度ａが発生している場合
において、図１１（ａ）に示すように、センサチップ２
１の加速度検知軸がＸ軸に合致していると、このような
加速度センサ２０ではＸ軸方向の加速度を出力Ｖx＝ａ
として検出し、直交するＹ軸方向の加速度を出力Ｖy＝
０として検出する。FIG. 11 is a schematic top view showing the alignment state of the sensor chip mounted on the package by die bonding. FIG. 11A shows the acceleration detecting axis of the sensor chip and the acceleration measuring direction of the package. In the case where there is a difference, (b) is a diagram showing a case where the acceleration detection axis of the sensor chip and the acceleration measurement direction of the package are deviated. As shown in FIG. 11, when the acceleration a is generated in the X-axis direction which is the acceleration measurement direction of the package 27, as shown in FIG.
When the acceleration detection axis of No. 1 matches the X axis, the acceleration sensor 20 outputs the acceleration in the X axis direction V x = a.
And output the acceleration in the orthogonal Y-axis direction as V y =
Detect as 0.

【００１２】一方、図１１（ｂ）に示すように、センサ
チップ２１の加速度検知軸がＸ軸方向に対してθだけ回
転ずれしていると、検出されるＸ軸方向の加速度は、実
際の加速度ａの出力より小さい出力ｂ（＝ａ・ｃｏｓ
θ）として検出されてしまう。また、本来出力のないＹ
軸方向に出力ｃ（＝ａ・ｓｉｎθ）が検出されてしま
う。なお、このような検知軸方向以外の軸方向の検知量
を他軸感度といい、加速度センサの精度を評価する重要
な要素である。On the other hand, as shown in FIG. 11B, when the acceleration detection axis of the sensor chip 21 is deviated by θ with respect to the X-axis direction, the detected acceleration in the X-axis direction is the actual acceleration. Output b (= a · cos) smaller than the output of acceleration a
θ) is detected. In addition, Y which originally has no output
The output c (= a · sin θ) is detected in the axial direction. It should be noted that such an amount of detection in the axial direction other than the detection axial direction is called other-axis sensitivity, which is an important factor for evaluating the accuracy of the acceleration sensor.

【００１３】このように、パッケージ２７の加速度測定
方向とこのパッケージ２７に搭載されるセンサチップ２
１の加速度検知軸とが合致しないと、加速度センサ２０
は測定すべき加速度の出力を正確に測定することができ
ず、また正規の検知軸方向以外の軸方向の加速度も検知
してしまう。このため、加速度センサ２０の測定精度が
低下してしまう。As described above, the acceleration measuring direction of the package 27 and the sensor chip 2 mounted on the package 27 are measured.
If the acceleration detection axis of No. 1 does not match, the acceleration sensor 20
Cannot accurately measure the output of the acceleration to be measured, and also detects the acceleration in the axial direction other than the normal detection axial direction. Therefore, the measurement accuracy of the acceleration sensor 20 is reduced.

【００１４】例えば、製品としての加速度センサは、図
１１（ｂ）に示す出力ｃの大きさを出力ａの３％以下に
する場合、ずれ角度θは少なくとも２°より小さいこと
が必要である。For example, in the acceleration sensor as a product, when the magnitude of the output c shown in FIG. 11 (b) is 3% or less of the output a, the shift angle θ needs to be at least smaller than 2 °.

【００１５】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであって、パッケージの加速度測定方向とこのパッケ
ージにダイボンディングにより搭載されるセンサチップ
の加速度検知軸とを合致させることができ、他軸感度を
低減できる高精度の半導体加速度センサを提供すること
を目的とする。The present invention has been made in view of the above problems, and it is possible to make the acceleration measurement direction of a package coincide with the acceleration detection axis of a sensor chip mounted on this package by die bonding, and the other axis is used. An object of the present invention is to provide a highly accurate semiconductor acceleration sensor that can reduce sensitivity.

【００１６】[0016]

【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体加速
度センサは、センシング回路が形成されたセンサチップ
と、このセンサチップをダイボンディングにより搭載す
るパッケージとを有し、前記センサチップ及びパッケー
ジのダイボンド面の一方に位置決め用凸部が設けられ、
他方に前記凸部に嵌合する位置決め用凹部が設けられて
いることを特徴とする。A semiconductor acceleration sensor according to the present invention has a sensor chip on which a sensing circuit is formed and a package on which the sensor chip is mounted by die bonding, and the sensor chip and the die bond of the package. A positioning protrusion is provided on one of the surfaces,
On the other hand, a positioning concave portion that fits into the convex portion is provided.

【００１７】本発明においては、センサチップ及びパッ
ケージのダイボンド面の一方に位置決め用凸部が設けら
れ、他方に前記凸部に嵌合する位置決め用凹部が設けら
れているので、この凸部と凹部とを嵌合させ前記センサ
チップをダイボンディングにより前記パッケージに搭載
することにより、前記パッケージの加速度測定方向と前
記センサチップの加速度検知軸とを合致させることがで
きる。In the present invention, the positioning convex portion is provided on one of the die-bonding surfaces of the sensor chip and the package, and the positioning concave portion that fits into the convex portion is provided on the other side. And the sensor chip is mounted on the package by die bonding, the acceleration measurement direction of the package and the acceleration detection axis of the sensor chip can be matched.

【００１８】[0018]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例について、
添付の図面を参照して具体的に説明する。図１は、本発
明の実施例に係る半導体加速度センサのセンサチップを
示す図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は底面図であ
る。この図１に示すように、センサチップ１には、ダイ
ボンディングによりパッケージの内側底面に固定される
シリコン台座５が設けられている。なお、シリコン台座
５の底面における一辺の長さＳ1は、例えば５．２ｍｍ
である。また、このシリコン台座５の下面にはＫＯＨ等
による異方性エッチングのバッチ処理により高精度の位
置決め用凹部６が形成されており、一方上面にはセンサ
チップ１内の重り４が接触しないように、重り４の可動
範囲となる領域にエッチングが施され、凹部５ａが形成
されている。なお、凹部６の深さＳ2は、例えば約０．
１〜０．５ｍｍであり、また凹部５ａの底面とシリコン
台座５の底面との距離Ｓ3は、例えば約３００μｍ〜１
ｍｍである。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below.
This will be specifically described with reference to the accompanying drawings. 1A and 1B are views showing a sensor chip of a semiconductor acceleration sensor according to an embodiment of the present invention. FIG. 1A is a sectional view and FIG. 1B is a bottom view. As shown in FIG. 1, the sensor chip 1 is provided with a silicon pedestal 5 fixed to the inner bottom surface of the package by die bonding. The length S 1 of one side of the bottom surface of the silicon pedestal 5 is, for example, 5.2 mm.
It is. Further, a highly accurate positioning recess 6 is formed on the lower surface of the silicon pedestal 5 by a batch process of anisotropic etching using KOH or the like, while the upper surface of the silicon pedestal 5 is prevented from coming into contact with the weight 4 in the sensor chip 1. A region in which the weight 4 is movable is etched to form a recess 5a. The depth S 2 of the recess 6 is, for example, about 0.
The distance S 3 between the bottom surface of the recess 5 a and the bottom surface of the silicon pedestal 5 is, for example, about 300 μm to 1 mm.
mm.

【００１９】このようなシリコン台座５の上面には筒状
のガラス台座３が固定され、このガラス台座３の上面に
はセンサ部２が固定されている。このセンサ部２には選
択的に下方に開口した溝２ｂが形成され、加速度の検知
部となるダイヤフラム２ａが形成されている。また、こ
のダイヤフラム２ａの上面には複数のピエゾ抵抗素子
（図示せず）が設けられており、これらの抵抗素子によ
り感歪抵抗ブリッジ回路が構成されている。更に、セン
サ部２の下面中央部には重り４が接合されており、この
重り４はガラス台座３の内側に宙吊りの状態で配置され
ている。A cylindrical glass pedestal 3 is fixed to the upper surface of such a silicon pedestal 5, and a sensor portion 2 is fixed to the upper surface of the glass pedestal 3. A groove 2b that selectively opens downward is formed in the sensor unit 2, and a diaphragm 2a that serves as an acceleration detection unit is formed. A plurality of piezoresistive elements (not shown) are provided on the upper surface of the diaphragm 2a, and these resistive elements constitute a strain sensitive resistance bridge circuit. Further, a weight 4 is joined to the central portion of the lower surface of the sensor portion 2, and the weight 4 is arranged inside the glass pedestal 3 in a suspended state.

【００２０】このように構成されたセンサチップ１を、
図２に示すように、ダイボンディングによりパッケージ
７に搭載する。図２は、センサチップ１をダイボンディ
ングによりパッケージ７に搭載した状態を示す断面図で
ある。パッケージ７は、例えばＰＰＳ又はセラミックス
によって製造され、このパッケージ７の内側底面には、
センサチップ１の下面に形成されている凹部６と嵌合す
る位置決め用の凸部７が形成されている。なお、この凸
部７ａはパッケージ７を金型成形することにより、容易
に形成することができる。また、パッケージ７の底面に
おける一辺の長さＬは、例えば１５ｍｍである。The sensor chip 1 thus constructed is
As shown in FIG. 2, it is mounted on the package 7 by die bonding. FIG. 2 is a cross-sectional view showing a state in which the sensor chip 1 is mounted on the package 7 by die bonding. The package 7 is made of PPS or ceramics, for example.
A positioning convex portion 7 that fits with the concave portion 6 formed on the lower surface of the sensor chip 1 is formed. The convex portion 7a can be easily formed by molding the package 7. The length L of one side of the bottom surface of the package 7 is, for example, 15 mm.

【００２１】このような凸部７ａが形成されたパッケー
ジ７に、凹部６が形成されたセンサチップ１をダイボン
ディングにより搭載する場合には、シリコン台座５の下
面に、例えばシリコン系接着剤を塗布した後、センサチ
ップ１の凹部６にパッケージ７の凸部７ａを嵌合させ
て、センサチップ１をパッケージ７の内側底面に接着固
定する。When the sensor chip 1 having the concave portion 6 is mounted on the package 7 having the convex portion 7a by die bonding, for example, a silicon adhesive is applied to the lower surface of the silicon pedestal 5. After that, the convex portion 7a of the package 7 is fitted into the concave portion 6 of the sensor chip 1, and the sensor chip 1 is adhesively fixed to the inner bottom surface of the package 7.

【００２２】このように、本実施例においては、センサ
チップ１及びパッケージ７のダイボンド面となるシリコ
ン台座５の下面及びパッケージ７の内側底面に、夫々凹
部６及び凸部７ａを形成して、これらを嵌合させること
によりパッケージ７にセンサチップ１を位置決めして搭
載しているため、センサチップ１の加速度検知軸とパッ
ケージ７の加速度測定方向とを合致させることができ
る。これにより、加速度を検知する場合に、正規の検知
軸方向以外の加速度を検知してしまうことのない高精度
の半導体加速度センサを得ることができる。As described above, in this embodiment, the concave portion 6 and the convex portion 7a are formed on the lower surface of the silicon pedestal 5 which is the die-bonding surface of the sensor chip 1 and the package 7 and the inner bottom surface of the package 7, respectively. Since the sensor chip 1 is positioned and mounted on the package 7 by fitting, the acceleration detection axis of the sensor chip 1 and the acceleration measurement direction of the package 7 can be matched. As a result, it is possible to obtain a highly accurate semiconductor acceleration sensor that does not detect acceleration other than the normal detection axis direction when detecting acceleration.

【００２３】なお、本実施例においては、センサチップ
１側に凹部６を形成し、パッケージ７側に凸部を形成し
たが、逆にセンサチップ１側に凸部、パッケージ７側に
凹部を形成してもよく、その数は複数個であってもよ
い。また、凹凸の形状は、方形に限定されるものではな
く、例えば多角形、円形、楕円形等であってもよい。In this embodiment, the concave portion 6 is formed on the sensor chip 1 side and the convex portion is formed on the package 7 side. Conversely, however, the convex portion is formed on the sensor chip 1 side and the concave portion is formed on the package 7 side. Alternatively, the number may be plural. Moreover, the shape of the unevenness is not limited to a square, and may be, for example, a polygon, a circle, an ellipse, or the like.

【００２４】[0024]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
センサチップ及びパッケージのダイボンド面の一方に位
置決め用凸部が設けられ、他方に前記凸部に嵌合する位
置決め用凹部が設けられているから、前記パッケージの
加速度測定方向と前記センサチップの加速度検知軸とを
合致させることができ、高精度の半導体加速度センサを
得ることができる。また、センサ特性のばらつきを極め
て低減することができる。As described above, according to the present invention,
Since the positioning convex portion is provided on one of the die bonding surface of the sensor chip and the package and the positioning concave portion that is fitted to the convex portion is provided on the other surface, the acceleration measuring direction of the package and the acceleration detection of the sensor chip are detected. The axis can be matched, and a highly accurate semiconductor acceleration sensor can be obtained. In addition, it is possible to significantly reduce variations in sensor characteristics.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】本発明の実施例に係る半導体加速度センサのセ
ンサチップを示す図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は
底面図である。1A and 1B are views showing a sensor chip of a semiconductor acceleration sensor according to an embodiment of the present invention, in which FIG. 1A is a sectional view and FIG. 1B is a bottom view.

【図２】同じくダイボンディングによりパッケージに搭
載された半導体加速度センサのセンサチップを示す断面
図である。FIG. 2 is a sectional view showing a sensor chip of a semiconductor acceleration sensor which is also mounted on a package by die bonding.

【図３】従来の半導体加速度センサの製造工程を示す断
面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing a manufacturing process of a conventional semiconductor acceleration sensor.

【図４】同じく製造工程を示す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view showing the same manufacturing process.

【図５】同じく製造工程を示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view showing the same manufacturing process.

【図６】同じく製造工程を示す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view showing the same manufacturing process.

【図７】同じく製造工程を示す断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view showing the same manufacturing process.

【図８】同じく製造工程を示す断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view showing the same manufacturing process.

【図９】従来のダイボンディングによりパッケージに搭
載された半導体加速度センサのセンサチップを示す断面
図である。FIG. 9 is a cross-sectional view showing a sensor chip of a semiconductor acceleration sensor mounted on a package by conventional die bonding.

【図１０】従来の半導体加速度センサを示す断面図であ
る。FIG. 10 is a sectional view showing a conventional semiconductor acceleration sensor.

【図１１】センサチップのアライメント状態を示す模式
的上面図であり、（ａ）はセンサチップの加速度検知軸
とパッケージの加速度測定方向とが合致している場合、
（ｂ）はセンサチップの加速度検知軸とパッケージの加
速度測定方向とがずれている場合を示す図である。FIG. 11 is a schematic top view showing the alignment state of the sensor chip, and FIG. 11A shows the case where the acceleration detection axis of the sensor chip and the acceleration measurement direction of the package are aligned,
(B) is a diagram showing a case where the acceleration detection axis of the sensor chip and the acceleration measurement direction of the package are deviated.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１，２１；センサチップ ２，２２；センサ部 ２ａ，２２ａ；ダイヤフラム ２ｂ；溝 ３，２３；ガラス台座（重り台座） ４，２４；重り ５，２５；シリコン台座 ５ａ，６，１５ａ；凹部 ７，２７；パッケージ ７ａ；凸部 １２；シリコンウェハ １３；ガラスウェハ １３ａ；切削溝 １５；シリコン台座ウェハ ２３ａ；スリット ２３ｂ；切断部 ２８；リード ２９；蓋 ３０；ボンディングワイヤ 1, 21; sensor chip 2, 22; sensor part 2a, 22a; diaphragm 2b; groove 3, 23; glass pedestal (weight pedestal) 4, 24; weight 5, 25; silicon pedestal 5a, 6, 15a; recessed portion 7, 27; Package 7a; Convex part 12; Silicon wafer 13; Glass wafer 13a; Cutting groove 15; Silicon pedestal wafer 23a; Slit 23b; Cutting part 28; Lead 29; Lid 30; Bonding wire

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 センシング回路が形成されたセンサチッ
プと、このセンサチップをダイボンディングにより搭載
するパッケージとを有し、前記センサチップ及びパッケ
ージのダイボンド面の一方に位置決め用凸部が設けら
れ、他方に前記凸部に嵌合する位置決め用凹部が設けら
れていることを特徴とする半導体加速度センサ。1. A sensor chip having a sensing circuit formed thereon, and a package on which the sensor chip is mounted by die bonding, wherein a positioning convex portion is provided on one of the sensor chip and the die bond surface of the package, and the other. A semiconductor acceleration sensor, wherein a positioning concave portion that fits into the convex portion is provided in the.
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