JPH09181061A - Liq. material gasifying method and feeder and semiconductor producing apparatus constituted, using it - Google Patents
Liq. material gasifying method and feeder and semiconductor producing apparatus constituted, using itInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、液体原料の気化方
法および供給装置ならびにそれを用いて構成された半導
体製造装置に関し、特に、常圧ＣＶＤ装置に用いられる
液体原料供給装置における低流量ドーパントの制御に適
用して有効な技術に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method and apparatus for vaporizing a liquid raw material and a semiconductor manufacturing apparatus constituted by using the same, and more particularly to a low flow rate dopant for a liquid raw material supply apparatus used in an atmospheric pressure CVD apparatus. The present invention relates to a technology effectively applied to control.
【０００２】[0002]
【従来の技術】本発明者が検討したところによれば、半
導体ウエハ上に所望の薄膜を形成させる装置としては、
たとえば、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄ
ｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置がある。2. Description of the Related Art According to a study by the present inventors, an apparatus for forming a desired thin film on a semiconductor wafer is
For example, CVD (Chemical Vapor D
Eposition device.
【０００３】そして、このＣＶＤ装置は、半導体ウエハ
上に形成された絶縁膜に所定のドーパントをドーピング
することによって絶縁膜を平坦化する平坦化プロセスに
も用いられている。This CVD apparatus is also used in a flattening process for flattening the insulating film by doping a predetermined dopant into the insulating film formed on a semiconductor wafer.
【０００４】平坦化プロセスに用いられているＣＶＤ装
置には、ドーパントガスの濃度調節を行うために有機ボ
ロンソースなどの液体ソースを冷凍器などによって温度
制御を行いながら流量制御されたキャリアガスのバブリ
ングにより気化させるバブリング方式の液体ソース供給
装置が設けられ、これにより発生したドーパントガスを
前述したＣＶＤ装置の反応室に供給し、絶縁膜の平坦化
が行われる。In a CVD apparatus used for a flattening process, bubbling of a carrier gas is carried out in which a liquid source such as an organic boron source is temperature-controlled by a refrigerator or the like so as to adjust a concentration of a dopant gas, while a flow rate is controlled. A bubbling type liquid source supply device for vaporizing is provided, and the dopant gas generated thereby is supplied to the reaction chamber of the above-described CVD device to flatten the insulating film.
【０００５】なお、この種の半導体製造装置について詳
しく述べてある例としては、平成６年９月９日、株式会
社プレスジャーナル発行、１９９４年増刊号 第１３巻
第１０号、松下晋司（編）「月刊Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕ
ｃｔｏｒ Ｗｏｒｌｄ増刊号Ｔｈｅ Ｅｑｕｉｐｍｅｎ
ｔ」、Ｐ８２〜Ｐ８３があり、この文献には、ＴＥＯＳ
オゾンなどの有機ソースを用いた平坦化ＣＶＤ技術につ
いて記載されている。Incidentally, as an example in which a semiconductor manufacturing apparatus of this kind is described in detail, September 9, 1994, published by Press Journal, Inc., 1994 special issue, volume 13, number 10, Shinji Matsushita (ed.) "Monthly Semicondu
ctor World special edition The Equipmen
t ", P82 to P83, and in this document, TEOS
A planarization CVD technique using an organic source such as ozone is described.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記のよう
なＣＶＤ装置におけるバブリング方式の液体ソース供給
装置では、次のような問題点があることが本発明者によ
り見い出された。However, the present inventor has found that the bubbling type liquid source supply device in the above CVD device has the following problems.
【０００７】すなわち、絶縁膜中に微量なドーパントを
ドーピングしなければならないので、バブリングを行う
キャリアガスも微量な流量となり、マスフローコントロ
ーラによる流量制御が困難となっている。That is, since a small amount of dopant must be doped in the insulating film, the carrier gas for bubbling also has a small flow rate, which makes it difficult to control the flow rate by the mass flow controller.
【０００８】また、液体ソースも蒸気圧を下げるために
高精度に温度制御しなけらばならないが、バブリングを
行うキャリアガスの導入などによって温度変化が大きく
なってしまう傾向にあり、高精度の温度制御が困難とな
っている。Further, the liquid source must also be highly accurately temperature-controlled in order to lower the vapor pressure, but the temperature change tends to become large due to the introduction of a carrier gas for bubbling, so that the temperature of the liquid source is high. It is difficult to control.
【０００９】それらにより、低濃度のドーパントガス流
量の制御精度が悪くなってしまい、絶縁膜中にドーピン
グされるドーパント濃度が不安定となる問題がある。As a result, the accuracy of controlling the flow rate of the low-concentration dopant gas becomes poor, and the concentration of the dopant doped in the insulating film becomes unstable.
【００１０】本発明の目的は、低濃度のドーパントガス
を高精度に制御を行い、安定して供給することのできる
液体原料の気化方法および供給装置ならびにそれを用い
て構成された半導体製造装置を提供することにある。An object of the present invention is to provide a vaporization method and supply device for a liquid raw material, which can control a low-concentration dopant gas with high accuracy and stably supply the same, and a semiconductor manufacturing device configured using the same. To provide.
【００１１】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of the present specification and the accompanying drawings.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。SUMMARY OF THE INVENTION Among the inventions disclosed in the present application, the outline of a representative one will be briefly described.
It is as follows.
【００１３】すなわち、本発明の液体原料の気化方法
は、所定の流量のキャリアガスにより液槽に貯められた
液体原料をバブリングにより気化させ、高濃度の原料ガ
スを発生させる工程と、高濃度の原料ガスを任意の流量
の希釈用ガスと混合させ、高濃度の原料ガスを所定の濃
度の原料ガスに希釈させる工程と、所定の濃度となった
原料ガスが所定の流量になるように流量制御を行い、被
処理物に所定の処理を行う処理室に所定の濃度となった
原料ガスを導入する工程とを有するものである。That is, the liquid raw material vaporization method of the present invention comprises a step of vaporizing the liquid raw material stored in the liquid tank by bubbling with a carrier gas at a predetermined flow rate to generate a high concentration raw material gas, and a high concentration raw material gas. A step of mixing a raw material gas with a diluting gas at an arbitrary flow rate to dilute a high-concentration raw material gas to a predetermined concentration of the raw material gas, and controlling the flow rate so that the raw material gas having a predetermined concentration has a predetermined flow rate. And introducing a source gas having a predetermined concentration into a processing chamber for performing a predetermined process on the object to be processed.
【００１４】それにより、バブリングにより気化させた
所定の濃度の原料ガスを高精度に安定して供給すること
ができる。As a result, the source gas having a predetermined concentration vaporized by bubbling can be stably supplied with high accuracy.
【００１５】また、本発明の液体原料供給装置は、液槽
に貯められた液体原料をバブリングにより気化させ、高
濃度の原料ガスを発生させるキャリアガスの流量制御を
行う第１の流量制限手段と、気化された高濃度の原料ガ
スを所定の濃度の原料ガスに希釈する希釈用ガスの流量
制御を行う第２の流量制限手段と、希釈用ガスにより所
定の濃度となった原料ガスの流量制御を行い、被処理物
に所定の処理を行う処理室に所定の濃度の原料ガスを導
入する第３の流量制限手段と、該第３の流量制限手段に
より制限された流量以外の残りの所定の濃度の原料ガス
を処理室外に排気する排気部とを設けたものである。Further, the liquid raw material supply apparatus of the present invention comprises first flow rate limiting means for controlling the flow rate of the carrier gas for vaporizing the liquid raw material stored in the liquid tank by bubbling to generate a high concentration raw material gas. Second flow rate limiting means for controlling the flow rate of the diluting gas for diluting the vaporized high-concentration raw material gas to a predetermined concentration of the raw material gas, and the flow rate control of the raw material gas having a predetermined concentration by the diluting gas And a third flow rate limiting means for introducing a raw material gas of a predetermined concentration into the processing chamber for performing a predetermined treatment on the object to be processed, and a remaining predetermined amount other than the flow rate limited by the third flow rate limiting means. An exhaust unit for exhausting the raw material gas having a concentration to the outside of the processing chamber is provided.
【００１６】それにより、第１の流量制限手段および第
２の流量制限手段により所定の濃度に高精度に制御され
た原料ガスを、第３の流量制限手段が所定の流量に制御
し、第３の流量制限手段により制御された流量以外の原
料ガスを排気部から排気して供給するので、所定の濃度
の原料ガスを高精度に安定して供給することができる。As a result, the source gas, which has been accurately controlled to a predetermined concentration by the first flow rate limiting means and the second flow rate limiting means, is controlled by the third flow rate limiting means to a predetermined flow rate, and the third flow rate limiting means controls the third flow rate limiting means to a predetermined flow rate. Since the source gas other than the flow rate controlled by the flow rate limiting means is exhausted from the exhaust unit and supplied, the source gas having a predetermined concentration can be stably supplied with high accuracy.
【００１７】さらに、本発明の液体原料供給装置は、前
記排気部またはその近傍に、第３の流量制限手段により
制限された流量以外の残りの排気される所定の濃度の原
料ガスの流量を制御する第４の流量制限手段を設けたも
のである。Further, in the liquid raw material supply device of the present invention, the flow rate of the remaining raw material gas having a predetermined concentration to be exhausted is controlled in or near the exhaust portion, except for the flow rate limited by the third flow rate limiting means. The fourth flow rate limiting means is provided.
【００１８】それにより、より高精度に第３の流量制限
手段の流量を制御することができるので、所定の濃度の
原料ガスを高精度により安定して供給することができ
る。As a result, the flow rate of the third flow rate limiting means can be controlled with higher accuracy, so that the source gas having a predetermined concentration can be supplied with high accuracy and stability.
【００１９】また、本発明の液体原料供給装置は、第１
〜第４の流量制限手段が、半導体製造用のガスの供給を
自動的に行う流量制御装置であるマスフローコントロー
ラよりなるものである。The liquid raw material supply apparatus of the present invention is the first
The fourth flow rate limiting means is composed of a mass flow controller which is a flow rate control device for automatically supplying the gas for semiconductor production.
【００２０】それにより、簡単な回路構成で所定の濃度
の原料ガスを高精度に安定して供給することができる。Thus, the raw material gas having a predetermined concentration can be stably supplied with high accuracy with a simple circuit structure.
【００２１】さらに、本発明の半導体製造装置は、前記
液体原料供給装置を用いて構成されたものである。Further, the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention is constructed by using the liquid raw material supply apparatus.
【００２２】それにより、平坦化プロセスにおけるＣＶ
Ｄ装置などに用いることによって安定した低濃度のドー
ピングを行うことができ、絶縁膜の信頼性を向上させる
ことができる。Thereby, the CV in the planarization process
By using it in a D device or the like, stable low-concentration doping can be performed, and the reliability of the insulating film can be improved.
【００２３】[0023]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.
【００２４】図１は、本発明の一実施の形態による液体
ソース供給装置の説明図である。FIG. 1 is an explanatory diagram of a liquid source supply apparatus according to an embodiment of the present invention.
【００２５】本実施の形態において、たとえば、絶縁膜
の平坦化プロセスに使用されるＣＶＤ装置（半導体製造
装置）に設けられる液体ソース供給装置（液体原料気化
装置）１は、窒素（Ｎ2)ガスなどの希釈用ガスが供給さ
れる配管２およびバブリングを行う、同じく窒素ガスな
どのキャリアガスの供給を行う配管３が設けられてい
る。In the present embodiment, for example, a liquid source supply device (liquid source vaporization device) 1 provided in a CVD device (semiconductor manufacturing device) used for a flattening process of an insulating film is a nitrogen (N 2 ) gas. A pipe 2 for supplying a diluting gas and a pipe 3 for bubbling, and also for supplying a carrier gas such as nitrogen gas are provided.
【００２６】また、配管２には、希釈用ガスの流量制御
を行うマスフローコントローラ（第２の流量制限手段）
４が接続され、配管３にも、キャリアガスの流量制御を
行うマスフローコントローラ（第１の流量制限手段）５
が設けられている。A mass flow controller (second flow rate limiting means) for controlling the flow rate of the diluting gas is provided in the pipe 2.
Mass flow controller (first flow rate limiting means) 5 for controlling the flow rate of the carrier gas also connected to the pipe 3.
Is provided.
【００２７】さらに、液体ソース供給装置１には、ドー
パント材料である、たとえば、ＴＭＢ（トリメチルボレ
ート）やＴＭＯＰ（トリメチルホスフェート）などの有
機ボロンソース（液体原料）を貯蔵するソースタンク
（液槽）６が設けられている。Further, in the liquid source supply device 1, a source tank (liquid tank) 6 for storing an organic boron source (liquid raw material) such as TMB (trimethyl borate) or TMOP (trimethyl phosphate) which is a dopant material. Is provided.
【００２８】そして、このソースタンク６には、マスフ
ローコントローラ５により流量制御されたキャリアガス
が導入される配管３ａおよびバブリングにより発生した
ドーパントガス（原料ガス）を吐出する配管２ａが接続
されている。The source tank 6 is connected to a pipe 3a for introducing a carrier gas whose flow rate is controlled by the mass flow controller 5 and a pipe 2a for discharging a dopant gas (raw material gas) generated by bubbling.
【００２９】また、配管３ａの先端部は、ソースタンク
６に貯蔵されている有機ボロンソースのバブリングを行
うためにソースタンク６の底部に位置するように設けら
れている。The tip of the pipe 3a is provided at the bottom of the source tank 6 for bubbling the organic boron source stored in the source tank 6.
【００３０】さらに、液体ソース供給装置１は、切り換
え弁７が設けられており、この切り換え弁７の入力側に
は、マスフローコントローラ４により流量制御された希
釈用ガスが吐出される配管２ｂおよび前述したドーパン
トガスを吐出する配管２ａが接続されている。Further, the liquid source supply device 1 is provided with a switching valve 7, and the input side of the switching valve 7 is a pipe 2b for discharging the diluting gas whose flow rate is controlled by the mass flow controller 4 and the above-mentioned. The pipe 2a for discharging the dopant gas is connected.
【００３１】また、切り換え弁７の出力側には配管８が
接続されており、切り換え弁７によって混合され、希釈
用ガスにより希釈されたドーパントガスは、切り換え弁
７の出力側に接続された配管８から出力される。A pipe 8 is connected to the output side of the switching valve 7, and the dopant gas mixed by the switching valve 7 and diluted with the diluting gas is connected to the output side of the switching valve 7. It is output from 8.
【００３２】さらに、液体ソース供給装置１には、前述
したＣＶＤ装置における所定の処理を行う反応室ＨＲ
に、所望の濃度のドーパントガスを供給するためのマス
フローコントローラ（第３の流量制限手段）９およびマ
スフローコントローラ（第４の流量制限手段）１０が設
けられており、これらマスフローコントローラ９，１０
は、配管８に接続されている。Further, the liquid source supply apparatus 1 includes a reaction chamber HR for performing a predetermined process in the above-mentioned CVD apparatus.
Is provided with a mass flow controller (third flow rate limiting means) 9 and a mass flow controller (fourth flow rate limiting means) 10 for supplying a desired concentration of the dopant gas. These mass flow controllers 9, 10 are provided.
Is connected to the pipe 8.
【００３３】また、マスフローコントローラ９には、流
量制御されたドーパントガスを導入する配管１１が接続
され、マスフローコントローラ１０には、流量制御され
たドーパントガスを導入する配管１２が接続されてい
る。The mass flow controller 9 is connected to a pipe 11 for introducing a flow rate-controlled dopant gas, and the mass flow controller 10 is connected to a pipe 12 for introducing a flow rate-controlled dopant gas.
【００３４】そして、液体ソース供給装置１は、３つの
ポートからなる、たとえば、電磁弁などの三方バルブ１
３が設けられており、この三方バルブ１３は、図示しな
いが三方バルブ１３を自動的に閉開する制御手段により
制御が行われている。The liquid source supply device 1 is composed of three ports, for example, a three-way valve 1 such as a solenoid valve.
3 is provided, and the three-way valve 13 is controlled by control means (not shown) that automatically closes and opens the three-way valve 13.
【００３５】また、三方バルブにおける一方のポートに
は配管１１が接続され、他方のポートには、配管（排気
部）１４が接続されている。A pipe 11 is connected to one port of the three-way valve, and a pipe (exhaust part) 14 is connected to the other port.
【００３６】この配管１４は、配管１２とも接続が行わ
れており、三方バルブ１３と接続されていない端部は、
排気機構と接続されている。The pipe 14 is also connected to the pipe 12, and the end portion not connected to the three-way valve 13 is
It is connected to the exhaust system.
【００３７】また、三方バルブ１３におけるもう一方の
ポートは、配管１５と接続されており、この配管１５の
他方の端部がＣＶＤ装置に設けられている反応室ＨＲに
接続されており、所定の濃度となったドーパントガスの
供給を行っている。Further, the other port of the three-way valve 13 is connected to the pipe 15, and the other end of the pipe 15 is connected to the reaction chamber HR provided in the CVD apparatus and has a predetermined length. The concentration of the dopant gas is supplied.
【００３８】次に、本実施の形態の作用について説明す
る。Next, the operation of the present embodiment will be described.
【００３９】まず、マスフローコントローラ５が高精度
に流量制御を行える流量のキャリアガスを配管３に供給
し、そのキャリアガスをマスフローコントローラ５によ
り所定の流量に制御して配管３ａを介してソースタンク
６に導入し、ソースタンク６内に貯蔵された有機ボロン
ソースをバブリングすることにより、ドーパントガスと
して気化させる。First, the mass flow controller 5 supplies a carrier gas at a flow rate capable of controlling the flow rate with high accuracy to the pipe 3, the carrier gas is controlled to a predetermined flow rate by the mass flow controller 5, and the source tank 6 is supplied through the pipe 3a. The organic boron source stored in the source tank 6 is bubbled to be vaporized as a dopant gas.
【００４０】バブリングにより発生した高濃度のドーパ
ントガスは、配管２ａを介して切り換え弁７に供給され
る。The high-concentration dopant gas generated by bubbling is supplied to the switching valve 7 via the pipe 2a.
【００４１】この時、配管２から供給されている希釈用
ガスもマスフローコントローラ４により高精度に流量制
御が行われるだけの流量が供給されており、このマスフ
ローコントローラ４により流量制御された希釈用ガスが
配管２ｂを介して切り換え弁７に供給されている。At this time, the diluting gas supplied from the pipe 2 is also supplied with a flow rate that allows the mass flow controller 4 to control the flow rate with high accuracy. The diluting gas whose flow rate is controlled by the mass flow controller 4 is also supplied. Is supplied to the switching valve 7 via the pipe 2b.
【００４２】そして、ソースタンク６に貯蔵されている
有機ボロンソースは、液体の有機材料であるため多量に
蒸発し、高濃度のドーパントガスとなるので、切り換え
弁７によって流量制御された希釈用ガスと混合が行わ
れ、希釈されたドーパントガスが切り換え弁７を介して
配管８に吐出される。Since the organic boron source stored in the source tank 6 is a liquid organic material, it is evaporated in a large amount and becomes a high-concentration dopant gas. Therefore, the diluting gas whose flow rate is controlled by the switching valve 7 is used. And the diluted dopant gas is discharged to the pipe 8 through the switching valve 7.
【００４３】配管８に吐出された希釈されたドーパント
ガスは、配管８に接続されているマスフローコントロー
ラ９によって、反応室ＨＲの所定の位置に載置された図
示しない半導体ウエハ（被処理物）の表面に形成された
絶縁膜の平坦化に最適な所定の流量に制御が行われて配
管１１に出力される。The diluted dopant gas discharged into the pipe 8 is stored in a semiconductor wafer (object to be processed) (not shown) placed at a predetermined position in the reaction chamber HR by the mass flow controller 9 connected to the pipe 8. The flow rate is controlled to a predetermined flow rate that is optimum for flattening the insulating film formed on the surface, and is output to the pipe 11.
【００４４】また、マスフローコントローラ９によって
制御が行われた流量以外の不要となるドーパントガスは
マスフローコントローラ１０を介して配管１２に出力さ
れる。Further, unnecessary dopant gas other than the flow rate controlled by the mass flow controller 9 is output to the pipe 12 via the mass flow controller 10.
【００４５】次に、配管１１から出力されたドーパント
ガスは、三方バルブ１３を介して反応室ＨＲに導入さ
れ、所定の処理を行う。Next, the dopant gas output from the pipe 11 is introduced into the reaction chamber HR via the three-way valve 13 and subjected to a predetermined treatment.
【００４６】また、この三方バルブ１３は、配管１１と
配管１５に接続されているポートが導通している場合、
配管１４と接続しているポートは閉じられた状態となる
ので、配管１２から出力されたドーパントガスは、配管
１４を介して排気されることになる。In addition, the three-way valve 13 has a structure in which the ports connected to the pipe 11 and the pipe 15 are electrically connected,
Since the port connected to the pipe 14 is closed, the dopant gas output from the pipe 12 is exhausted via the pipe 14.
【００４７】さらに、この三方バルブ１３は、ドーパン
トガスを安定させるために処理前にもドーパントガスを
流すために設けられており、処理前の一定時間は、配管
１１に接続しているポートと配管１４に接続しているポ
ートとが導通状態、すなわち、ドーパントガスが反応室
ＨＲに供給されずに、全て排気されることになる。Further, the three-way valve 13 is provided for allowing the dopant gas to flow even before the treatment in order to stabilize the dopant gas. For a certain period of time before the treatment, the port connected to the pipe 11 and the pipe are connected. The port connected to 14 is in a conducting state, that is, the dopant gas is not supplied to the reaction chamber HR and is exhausted.
【００４８】それにより、本実施の形態では、マスフロ
ーコントローラ５に高精度に制御できるだけのキャリア
ガスを流し、反応に必要なだけのドーパントガスをマス
フローコントローラ９により反応室ＨＲに導入できるの
で、微小な濃度のドーパントガスを低流量であっても安
定して得ることができる。As a result, in the present embodiment, a carrier gas that can be controlled with high precision can be flown into the mass flow controller 5, and as many dopant gases as necessary for the reaction can be introduced into the reaction chamber HR by the mass flow controller 9. It is possible to stably obtain a dopant gas having a high concentration even at a low flow rate.
【００４９】以上、本発明者によってなされた発明を発
明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は
前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を
逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでも
ない。Although the invention made by the inventor has been specifically described based on the embodiments of the present invention, the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications may be made without departing from the gist of the invention. Needless to say, it can be changed.
【００５０】[0050]
【発明の効果】本願によって開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。Advantageous effects obtained by typical ones of the inventions disclosed by the present application will be briefly described as follows.
It is as follows.
【００５１】（１）本発明によれば、所定の濃度の原料
ガスを低流量であっても高精度に制御しながら安定して
供給することができる。(1) According to the present invention, the raw material gas having a predetermined concentration can be stably supplied while controlling with high accuracy even at a low flow rate.
【００５２】（２）また、本発明では、平坦化プロセス
におけるＣＶＤ装置などに用いることにより、安定した
低濃度のドーピングを行うことができ、絶縁膜の信頼性
を向上させることができる。(2) In addition, according to the present invention, stable low-concentration doping can be performed and the reliability of the insulating film can be improved by using it in a CVD apparatus in a flattening process.
【図１】本発明の一実施の形態による液体ソース供給装
置の説明図である。FIG. 1 is an explanatory diagram of a liquid source supply device according to an embodiment of the present invention.
１ 液体ソース供給装置（液体原料供給装置） ２ 配管 ２ａ 配管 ２ｂ 配管 ３ 配管 ３ａ 配管 ４ マスフローコントローラ（第２の流量制限手段） ５ マスフローコントローラ（第１の流量制限手段） ６ ソースタンク（液槽） ７ 切り換え弁 ８ 配管 ９ マスフローコントローラ（第３の流量制限手段） １０ マスフローコントローラ（第４の流量制限手段） １１ 配管 １２ 配管 １３ 三方バルブ １４ 配管（排気部） １５ 配管 ＨＲ 反応室 1 Liquid Source Supply Device (Liquid Raw Material Supply Device) 2 Piping 2a Piping 2b Piping 3 Piping 3a Piping 4 Mass Flow Controller (Second Flow Limiting Means) 5 Mass Flow Controller (First Flow Limiting Means) 6 Source Tank (Liquid Tank) 7 Switching Valve 8 Piping 9 Mass Flow Controller (Third Flow Restricting Means) 10 Mass Flow Controller (4th Flow Restricting Means) 11 Piping 12 Piping 13 Three-way Valve 14 Piping (Exhaust Section) 15 Piping HR Reaction Chamber
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/285 Ｈ０１Ｌ 21/285 Ｃ ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Internal reference number FI Technical display location H01L 21/285 H01L 21/285 C
Claims (5)
方式により気化する液体原料の気化方法であって、所定
の流量のキャリアガスにより前記液槽内の前記液体原料
をバブリングにより気化させ、高濃度の原料ガスを発生
させる工程と、高濃度の前記原料ガスを希釈用ガスと混
合させ、高濃度の前記原料ガスを所定の濃度の前記原料
ガスに希釈させる工程と、所定の濃度となった前記原料
ガスが所定の流量となるように流量制御を行い、被処理
物に所定の処理を行う処理室に流量制御された所定の濃
度の前記原料ガスを導入する工程とを有することを特徴
とする液体原料の気化方法。1. A method of vaporizing a liquid raw material, wherein a liquid raw material stored in a liquid tank is vaporized by a bubbling method, wherein the liquid raw material in the liquid tank is vaporized by bubbling with a carrier gas at a predetermined flow rate. A step of generating a raw material gas of a concentration, a step of mixing the raw material gas of a high concentration with a diluting gas and diluting the raw material gas of a high concentration to the raw material gas of a predetermined concentration, and a predetermined concentration Flow rate control is performed so that the raw material gas has a predetermined flow rate, and the raw material gas having a predetermined flow rate-controlled concentration is introduced into a processing chamber that performs a predetermined process on an object to be processed. A method for vaporizing a liquid raw material.
バブリング方式の液体原料供給装置であって、前記液槽
内の前記液体原料をバブリングにより気化させ、高濃度
の原料ガスを発生させるキャリアガスの流量制御を行う
第１の流量制限手段と、気化された高濃度の前記原料ガ
スを所定の濃度の原料ガスに希釈する希釈用ガスの流量
制御を行う第２の流量制限手段と、所定の濃度の前記原
料ガスの流量制御を行い、被処理物に所定の処理を行う
処理室に所定の濃度の前記原料ガスを導入する第３の流
量制限手段と、前記第３の流量制限手段により制限され
た残りの所定の濃度の前記原料ガスを前記処理室外に排
気する排気部とを設けたことを特徴とする液体原料供給
装置。2. A bubbling type liquid raw material supply device for vaporizing a liquid raw material stored in a liquid tank, wherein the liquid raw material in the liquid tank is vaporized by bubbling to generate a high concentration raw material gas. A first flow rate limiting means for controlling the flow rate of the gas; a second flow rate limiting means for controlling the flow rate of the diluting gas for diluting the vaporized high-concentration raw material gas to a predetermined concentration of the raw material gas; By controlling the flow rate of the raw material gas having a concentration of, and introducing the raw material gas having a predetermined concentration into a processing chamber that performs a predetermined process on an object to be processed, and a third flow rate limiting means. A liquid raw material supply device, comprising: an exhaust unit for exhausting the limited remaining raw material gas having a predetermined concentration to the outside of the processing chamber.
て、前記排気部またはその近傍に、排気される所定の濃
度の前記原料ガスの流量を制御する第４の流量制限手段
を設けたことを特徴とする液体原料供給装置。3. The liquid raw material supply device according to claim 2, wherein a fourth flow rate limiting means for controlling the flow rate of the raw material gas having a predetermined concentration to be exhausted is provided at or near the exhaust portion. Characteristic liquid material supply device.
置において、前記第１〜第４の流量制限手段が、半導体
製造用のガスの供給を自動的に行う流量制御装置である
マスフローコントローラよりなることを特徴とする液体
原料供給装置。4. The liquid raw material supply device according to claim 2 or 3, wherein the first to fourth flow rate restricting means is a mass flow controller which is a flow rate control device for automatically supplying a gas for semiconductor production. A liquid raw material supply device characterized in that
体原料供給装置を用いて構成された半導体製造装置であ
って、所定のガスを被処理物上に供給して気相または被
処理物表面での化学反応により所定の処理を行うＣＶＤ
装置であることを特徴とする半導体製造装置。5. A semiconductor manufacturing apparatus configured by using the liquid raw material supply device according to claim 2, wherein a predetermined gas is supplied onto the object to be processed to form a gas phase or CVD that performs a predetermined process by chemical reaction on the surface of the object to be processed
A semiconductor manufacturing apparatus, which is a device.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33630195A JPH09181061A (en) | 1995-12-25 | 1995-12-25 | Liq. material gasifying method and feeder and semiconductor producing apparatus constituted, using it |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33630195A JPH09181061A (en) | 1995-12-25 | 1995-12-25 | Liq. material gasifying method and feeder and semiconductor producing apparatus constituted, using it |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09181061A true JPH09181061A (en) | 1997-07-11 |
Family
ID=18297699
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33630195A Pending JPH09181061A (en) | 1995-12-25 | 1995-12-25 | Liq. material gasifying method and feeder and semiconductor producing apparatus constituted, using it |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09181061A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001525613A (en) * | 1997-12-02 | 2001-12-11 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Titanium chemical vapor deposition on wafer including in-situ pre-cleaning step |
| US8119208B2 (en) * | 2004-07-14 | 2012-02-21 | City University Of Hong Kong | Apparatus and method for focused electric field enhanced plasma-based ion implantation |
| WO2020213104A1 (en) | 2019-04-17 | 2020-10-22 | 株式会社Ｗｅｌｃｏｎ | Vaporizer and method for manufacture thereof |
-
1995
- 1995-12-25 JP JP33630195A patent/JPH09181061A/en active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001525613A (en) * | 1997-12-02 | 2001-12-11 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Titanium chemical vapor deposition on wafer including in-situ pre-cleaning step |
| US8119208B2 (en) * | 2004-07-14 | 2012-02-21 | City University Of Hong Kong | Apparatus and method for focused electric field enhanced plasma-based ion implantation |
| WO2020213104A1 (en) | 2019-04-17 | 2020-10-22 | 株式会社Ｗｅｌｃｏｎ | Vaporizer and method for manufacture thereof |
| KR20210134022A (en) | 2019-04-17 | 2021-11-08 | 가부시키가이샤 웰콘 | Vaporizer and its manufacturing method |
| US11885017B2 (en) | 2019-04-17 | 2024-01-30 | Welcon Inc. | Vaporizer and method for manufacture thereof |
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