JPH09165671A - Vapor deposition method - Google Patents

Vapor deposition method

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JPH09165671A
JPH09165671A JP32444595A JP32444595A JPH09165671A JP H09165671 A JPH09165671 A JP H09165671A JP 32444595 A JP32444595 A JP 32444595A JP 32444595 A JP32444595 A JP 32444595A JP H09165671 A JPH09165671 A JP H09165671A
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JP
Japan
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film
substrate
layer
vapor deposition
incident angle
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JP32444595A
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Japanese (ja)
Inventor
Masaru Okumura
勝 奥村
Iwao Usui
巖 臼井
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Minolta Co Ltd
Original Assignee
Minolta Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To perform vapor deposition without generating hexavalent chromium in the vacuum deposition of Cr2 O3 by vaporizing Cr in an oxygen atmosphere. SOLUTION: A substrate and a sample (Cr) are set as conventional, evacuation is started, the substrate is heated, the arrival at a target vacuum is confirmed, and further, the substrate temp. is confirmed. Oxygen is then introduced to fill the vacuum device with an oxygen atmosphere. The gaseous oxygen is introduced so that the entire vacuum is controlled between 1×(1-10)<4> and 2×(1/10)<4> millibar. After the target oxygen atmosphere is attained, the sample (Cr) vaporized with an electron gun to form a Cr2 O3 film on the substrate surface. When such vapor deposition is performed, hexavalent chromium is not detected.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明が属する技術分野】本発明は蒸着方法に関するも
ので、特にCr23の真空蒸着方法に関するものであ
る。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a vapor deposition method, and more particularly to a vacuum vapor deposition method for Cr 2 O 3 .

【0002】[0002]

【従来の技術】従来のCr23の真空蒸着方法は図1の
ようなフローよりなる。以下各フローを説明する。
2. Description of the Related Art A conventional vacuum deposition method of Cr 2 O 3 comprises a flow as shown in FIG. Each flow will be described below.

【0003】a)排気スタート 基板および蒸着材料のセッティングが完了すると、真空
排気を開始する。
A) Evacuation start When the setting of the substrate and vapor deposition material is completed, evacuation is started.

【0004】b)基板加熱 蒸着材料の屈折率などの光学特性や膜の信頼性を安定さ
せるために基板加熱を行う。場合によっては基板加熱を
行わないこともある。
B) Substrate heating Substrate heating is performed in order to stabilize the optical properties such as the refractive index of the vapor deposition material and the reliability of the film. In some cases, the substrate may not be heated.

【0005】c)目標真空度到達 設定条件に合わせた目標真空度まで排気が行われたこと
を確認する。通常は1×(1/10)5mbar台まで
排気を行う。
C) Reaching the target vacuum degree It is confirmed that the target vacuum degree has been exhausted according to the set conditions. Normally, exhaust is performed up to 1 × (1/10) 5 mbar.

【0006】d)基板温度確認 基板温度が設定条件に合わせた目標温度まで到達してい
ることを確認する。
D) Substrate temperature confirmation It is confirmed that the substrate temperature has reached the target temperature according to the set conditions.

【0007】e)Cr23を蒸散。E) Evaporation of Cr 2 O 3 .

【0008】材料として、Cr23を用いて蒸散させ
る。この際の蒸着手法としては電子銃による方法や抵抗
加熱ボートを用いた方法などがある。
Cr 2 O 3 is evaporated as a material. The vapor deposition method at this time includes a method using an electron gun and a method using a resistance heating boat.

【0009】f)基板にCr23膜が形成される。F) A Cr 2 O 3 film is formed on the substrate.

【0010】基板上にCr23膜が形成される。A Cr 2 O 3 film is formed on the substrate.

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】従来の方法でCr23
の真空蒸着を行うと、蒸着中に多量の六価クロムが発生
する。このため、六価クロムは基板上はだけではなく、
蒸着ドーム、ホルダーなどの治具や装置外壁にも付着
し、環境上多大な悪影響を及ぼす。このため、六価クロ
ムを除去するための装置が必要となるとともに、真空蒸
着工程中に六価クロムを除去する装置を使用する工程を
付加しなければならず、レンズのコストアップを将来し
ていた。
Cr 2 O 3 is produced by the conventional method.
When the vacuum vapor deposition is performed, a large amount of hexavalent chromium is generated during the vapor deposition. Therefore, hexavalent chromium is not only on the substrate,
It also adheres to jigs such as vapor deposition domes and holders, and the outer wall of the device, and has a great adverse effect on the environment. For this reason, an apparatus for removing hexavalent chromium is required, and a step of using an apparatus for removing hexavalent chromium must be added during the vacuum deposition step, which will increase the cost of the lens in the future. It was

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】前記課題を解決する本発
明の蒸着方法は、真空装置中にて基板にCr23の蒸着
を行う真空蒸着工程において、真空排気を行い目標とす
る真空度に到達後、酸素を導入し、酸素雰囲気中でCr
を蒸散させることにより、基板上にCr23膜を形成す
ることを特徴とする真空蒸着方法である。
According to the vapor deposition method of the present invention for solving the above-mentioned problems, in a vacuum vapor deposition process in which Cr 2 O 3 is vapor-deposited on a substrate in a vacuum apparatus, vacuum exhaust is performed to obtain a target degree of vacuum. After reaching the temperature, oxygen is introduced and Cr in an oxygen atmosphere.
Is vaporized to form a Cr 2 O 3 film on the substrate.

【0013】本発明方法によると、Cr23成膜後に六
価クロムは検出されない。また基板上のCr23膜から
だけでなく、蒸着材料の残さからも六価クロムは検出さ
れない。
According to the method of the present invention, hexavalent chromium is not detected after depositing Cr 2 O 3 . Further, hexavalent chromium is not detected not only from the Cr 2 O 3 film on the substrate but also from the residue of the vapor deposition material.

【0014】[0014]

【実施例】図2と図16を用いて本発明の蒸着方法を以
下に説明する。図16は本発明で用いられる真空蒸着装
置図である。この装置を用いて、図2に示されるフロー
に基づき、基板に蒸着が施されていく。図16(a)は
電子銃による試料(Cr)の蒸散を行うタイプである。
EXAMPLE A vapor deposition method of the present invention will be described below with reference to FIGS. FIG. 16 is a diagram of a vacuum vapor deposition apparatus used in the present invention. Using this apparatus, the substrate is vapor-deposited according to the flow shown in FIG. FIG. 16A shows a type in which a sample (Cr) is evaporated by an electron gun.

【0015】a)蒸着用ドーム3に基板4を設置した
後、電子銃7に、試料6をセットする。そして、真空装
置を稼動させ、排気スタートする。
A) After placing the substrate 4 on the evaporation dome 3, the sample 6 is set on the electron gun 7. Then, the vacuum device is operated to start exhausting.

【0016】b)次に、基板加熱用ヒーターにより、基
板4を加熱する。本実施例においては、目標温度は、3
00度とした。この行程は必要時に行う。
B) Next, the substrate 4 is heated by the heater for heating the substrate. In this embodiment, the target temperature is 3
00 degrees. This process is performed when necessary.

【0017】c)目標真空度に到達したことを確認す
る。通常は1×(1/10)5mbar台まで排気を行
う。
C) Confirm that the target vacuum level has been reached. Normally, exhaust is performed up to 1 × (1/10) 5 mbar.

【0018】d)基板が目標温度に到達しているかどう
かを確認する。
D) Check if the substrate has reached the target temperature.

【0019】e)次に酸素導入口5より酸素ガスを導入
し、真空装置中を酸素雰囲気とする。酸素ガスは全体の
真空度が好ましくは1×(1/10)4mbarから2
×(1/10)4mbarの間になるように導入する。
このとき、酸素雰囲気が2×(1/10)4mbarを
越える、特に4×(1/10)4mbarを越えると、
真空ポンプ(油拡散ポンプ)に損傷を与えるので望まし
くない。さらに、完全な酸素中で蒸着を行うと、サンプ
ルが酸化したり燃焼してしまうため蒸着そのものができ
なくなる。また、真空度を1×(1/10)6mbar
程度とし、酸素雰囲気を1〜2×(1/10)5mba
r程度としても六価クロムは生成されにくい。しかしな
がら、この真空度にするには時間がかかり過ぎ、実用的
ではない。
E) Next, oxygen gas is introduced from the oxygen inlet 5 to make the inside of the vacuum apparatus an oxygen atmosphere. The oxygen gas preferably has a total vacuum degree of 1 × (1/10) 4 mbar to 2
× (1/10) 4 mbar to be introduced.
At this time, if the oxygen atmosphere exceeds 2 × (1/10) 4 mbar, especially 4 × (1/10) 4 mbar,
It is not desirable because it damages the vacuum pump (oil diffusion pump). Furthermore, if vapor deposition is performed in complete oxygen, the sample will be oxidized or burned, and vapor deposition itself will be impossible. Also, the degree of vacuum is 1 × (1/10) 6 mbar
And the oxygen atmosphere is 1-2 x (1/10) 5 mba.
Hexavalent chromium is hard to be generated even if it is about r. However, it takes too much time to attain this degree of vacuum and is not practical.

【0020】f)目標の酸素雰囲気に達した後、電子銃
7によって、試料6を蒸散させる。
F) After reaching the target oxygen atmosphere, the sample 6 is evaporated by the electron gun 7.

【0021】g)これによって、基板4の表面にCr2
3膜が形成されていく。このとき膜厚は膜厚監視モニ
ター1によって、必要な膜厚に達するまで監視される。
必要な膜厚に達すると、蒸着完了である。
G) As a result, Cr 2 is formed on the surface of the substrate 4.
An O 3 film is formed. At this time, the film thickness is monitored by the film thickness monitor 1 until the required film thickness is reached.
When the required film thickness is reached, vapor deposition is completed.

【0022】また図16(b)は試料の蒸散に抵抗加熱
用ボート8を用いる場合の図で、それ以外は図16
(a)と同じである。
FIG. 16 (b) is a view showing a case where the resistance heating boat 8 is used for evaporation of the sample, and other than that, FIG.
Same as (a).

【0023】次に、本発明による蒸着を行った場合と、
従来法による蒸着を行った場合、さらに、従来法の改善
法による場合との蒸着結果を図3により一覧とした。従
来法によると、六価クロムの発生度は20%に達する。
これらの改善策として検討された方法が2つある。それ
は、蒸着速度を速める方法と、真空度を高くする方法で
ある。しかし、どちらも六価クロムが10%発生してし
まう。しかし、本発明による蒸着を行うと、六価クロム
は検出されなかった。
Next, when the vapor deposition according to the present invention is performed,
FIG. 3 shows a list of the results of vapor deposition when the vapor deposition was performed by the conventional method and when the vapor deposition was performed by the improved method of the conventional method. According to the conventional method, the generation rate of hexavalent chromium reaches 20%.
There are two methods that have been examined as these improvement measures. It is a method of increasing the deposition rate and a method of increasing the degree of vacuum. However, in both cases, 10% of hexavalent chromium is generated. However, when the vapor deposition according to the present invention was performed, hexavalent chromium was not detected.

【0024】次からは、本蒸着方法によって、Cr23
を用いた反射防止コートを行った場合の、性能比較をし
ていく。
Then, Cr 2 O 3 is deposited by this vapor deposition method.
We will compare the performance when an antireflection coat using is used.

【0025】図4はCr23を用いない従来様の反射防
止コートの膜厚構成と、波長780nmに対しての入射
角依存性を示す図である。また、図10により、波長7
80nmに対しての入射角依存性はグラフ化されてい
る。膜構成は、第1層SiO2膜128.2nm、第2
層Si膜45.2nm、第3層Cr膜200nmよりな
る、3層コートである。このときの入射角による依存性
は、入射角40度を越えると、反射率が高くなってきて
いる。入射角が55度を越えると、反射率が30%を越
えてしまい、実用に耐え難くなる。
FIG. 4 is a view showing the film thickness constitution of a conventional antireflection coat which does not use Cr 2 O 3 and the incident angle dependence with respect to a wavelength of 780 nm. In addition, according to FIG.
The incident angle dependence for 80 nm is graphed. The film composition is the first layer SiO 2 film 128.2 nm, the second layer
It is a three-layer coat composed of a layer Si film 45.2 nm and a third layer Cr film 200 nm. The dependency on the incident angle at this time is such that the reflectance becomes higher when the incident angle exceeds 40 degrees. If the incident angle exceeds 55 degrees, the reflectance exceeds 30%, which makes it difficult to withstand practical use.

【0026】図5はCr23を用いた実施例1の反射防
止コートの膜厚構成と、波長780nmに対しての入射
角依存性を示す図である。また、図11により、波長7
80nmに対しての入射角依存性はグラフ化されてい
る。膜構成は、第1層(TiO 2+ZnO2)膜41.7
nm、第2層TiO2膜38nm、第3層Cr23膜1
80nm、第4層Cr膜20nmよりなる4層コートで
ある。このときの入射角による依存性は、入射角35度
で非常に小さな反射率増加を呈するものの、入射角70
度にいたるまで反射率は10%以下という非常にフラッ
トな反射率特性を有する。また、実用限界の反射率30
%を越えるのは、実に、入射角80度を越えてからであ
る。
FIG. 5 shows CrTwoOThreeAntireflection of Example 1 using
Film thickness composition of stop coat and incidence for wavelength 780nm
It is a figure which shows an angle dependence. In addition, according to FIG.
The incident angle dependence for 80 nm is graphed
You. The film composition is the first layer (TiO 2 Two+ ZnOTwo) Membrane 41.7
nm, second layer TiOTwoFilm 38nm, third layer CrTwoOThreeMembrane 1
A four-layer coating consisting of 80 nm and a fourth-layer Cr film of 20 nm
is there. The dependency on the incident angle at this time is that the incident angle is 35 degrees.
Although it shows a very small increase in reflectance at
The reflectivity is very low, less than 10%.
It has excellent reflectance characteristics. In addition, a practical limit of reflectance of 30
% Is actually exceeded after the incident angle exceeds 80 degrees.
You.

【0027】図6はCr23を用いた実施例2の反射防
止コートの膜厚構成と、波長780nmに対しての入射
角依存性を示す図である。また、図12により、波長7
80nmに対しての入射角依存性はグラフ化されてい
る。膜構成は、第1層(TiO2+ZnO2)膜41.7
nm、第2層Al23膜54nm、第3層TiO2膜3
8nm、第4層Cr23膜240nm、第5層Cr膜2
0nmよりなる5層コートである。このときの入射角に
よる依存性は、入射角75度にいたるまで反射率は10
%以下という非常にフラットな反射率特性を有する。ま
た、実用限界の反射率30%を越えるのは、実に、入射
角80度をさらに越えてからである。
FIG. 6 is a diagram showing the film thickness constitution of the antireflection coating of Example 2 using Cr 2 O 3 and the incident angle dependence on the wavelength of 780 nm. Further, according to FIG. 12, the wavelength 7
The incident angle dependence for 80 nm is graphed. The film constitution is the first layer (TiO 2 + ZnO 2 ) film 41.7.
nm, second layer Al 2 O 3 film 54 nm, third layer TiO 2 film 3
8 nm, 4th layer Cr 2 O 3 film 240 nm, 5th layer Cr film 2
It is a 5-layer coat consisting of 0 nm. The dependency on the incident angle at this time is that the reflectance is 10 up to the incident angle of 75 degrees.
It has a very flat reflectance characteristic of not more than%. Further, the practical limit of the reflectance of 30% is actually exceeded when the incident angle further exceeds 80 degrees.

【0028】図7はCr23を用いた実施例3反射防止
コートの膜厚構成と、波長780nmに対しての入射角
依存性を示す図である。また、図13により、波長78
0nmに対しての入射角依存性はグラフ化されている。
膜構成は、第1層(TiO2+ZnO2)膜65.3n
m、第2層Al23膜82.1nm、第3層TiO2
57.8nm、第4層Cr23膜50nm、第5層Cr
膜20nmよりなる5層コートである。このときの入射
角による依存性は、入射角35度で一旦20%近くまで
反射率増加を呈するものの、それ以外で入射角80度に
いたるまで反射率は10%以下という非常にフラットな
反射率特性を有する。また、実用限界の反射率30%を
越えことはなく、入射角85度まで、実に反射率20%
以下という反射率特性を得ることができる。
FIG. 7 is a diagram showing the film thickness constitution of the antireflection coating of Example 3 using Cr 2 O 3 and the incident angle dependence on the wavelength of 780 nm. In addition, according to FIG.
The incident angle dependence on 0 nm is graphed.
The film constitution is the first layer (TiO 2 + ZnO 2 ) film 65.3n.
m, second layer Al 2 O 3 film 82.1 nm, third layer TiO 2 film 57.8 nm, fourth layer Cr 2 O 3 film 50 nm, fifth layer Cr
It is a 5-layer coat consisting of a film of 20 nm. The dependence on the incident angle at this time shows that the reflectance increases once to nearly 20% at an incident angle of 35 degrees, but in other cases, the reflectance is 10% or less until the incident angle of 80 degrees, which is a very flat reflectance. Have characteristics. In addition, the practical use reflectance of 30% is not exceeded, and the reflectance is actually 20% up to an incident angle of 85 degrees.
The following reflectance characteristics can be obtained.

【0029】図8はCr23を用いた実施例4反射防止
コートの膜厚構成と、波長780nmに対しての入射角
依存性を示す図である。また、図14により、波長78
0nmに対しての入射角依存性はグラフ化されている。
膜構成は、第1層(TiO2+ZnO2)膜16.7n
m、第2層Cr23膜150nm、第3層Si膜57n
m、第4層Cr膜20nmよりなる4層コートである。
このときの入射角による依存性は、入射角35度で一旦
20%近くまで反射率増加を呈するものの、それ以外で
入射角65度にいたるまで反射率は10%以下という非
常にフラットな反射率特性を有する。また、入射角75
度まで、反射率30%以下という反射率特性を得ること
ができる。
FIG. 8 is a diagram showing the film thickness constitution of the antireflection coating of Example 4 using Cr 2 O 3 and the incident angle dependence on the wavelength of 780 nm. In addition, according to FIG.
The incident angle dependence on 0 nm is graphed.
The film constitution is the first layer (TiO 2 + ZnO 2 ) film 16.7n
m, second layer Cr 2 O 3 film 150 nm, third layer Si film 57n
and a fourth layer Cr film of 20 nm.
The dependency on the incident angle at this time shows that the reflectance increases once to nearly 20% at the incident angle of 35 degrees, but in other cases, the reflectance is 10% or less until the incident angle of 65 degrees, which is a very flat reflectance. Have characteristics. Also, the incident angle is 75
Up to 30 degrees, a reflectance characteristic of a reflectance of 30% or less can be obtained.

【0030】図9はCr23を用いた実施例5反射防止
コートの膜厚構成と、波長780nmに対しての入射角
依存性を示す図である。また、図15により、波長78
0nmに対しての入射角依存性はグラフ化されている。
膜構成は、第1層(TiO2+ZnO2)膜17.3n
m、第2層Cr23膜150nm、第3層Si膜52n
m、第4層Cr膜20nmよりなる4層コートである。
このときの入射角による依存性は、入射角35度で一旦
20%近くまで反射率増加を呈するものの、それ以外で
入射角65度にいたるまで反射率は10%以下という非
常にフラットな反射率特性を有する。また、入射角75
度まで、反射率30%以下という反射率特性を得ること
ができる。
FIG. 9 is a view showing the film thickness constitution of the antireflection coating of Example 5 using Cr 2 O 3 and the incident angle dependence on the wavelength of 780 nm. In addition, according to FIG.
The incident angle dependence on 0 nm is graphed.
The film constitution is the first layer (TiO 2 + ZnO 2 ) film 17.3n.
m, second layer Cr 2 O 3 film 150 nm, third layer Si film 52n
and a fourth layer Cr film of 20 nm.
The dependence on the incident angle at this time shows that the reflectance increases once to nearly 20% at the incident angle of 35 degrees, but in other cases, the reflectance is 10% or less until the incident angle of 65 degrees, which is a very flat reflectance. Have characteristics. Also, the incident angle is 75
Up to 30 degrees, a reflectance characteristic of a reflectance of 30% or less can be obtained.

【0031】図17に多層膜の例として4層構造による
多層膜を示す。基板10に対し、多層コート9は、基板
10に近い方から、第1層、第2層、第3層、第4層か
ら膜が構成されている。このような構成を有する本実施
例は、実施例1、実施例4、実施例5である。この膜の
層の数は必要、設計に応じて、随時変更される。
FIG. 17 shows a multilayer film having a four-layer structure as an example of the multilayer film. On the substrate 10, the multilayer coat 9 is composed of a first layer, a second layer, a third layer, and a fourth layer from the side closer to the substrate 10. The present embodiment having such a configuration is Embodiment 1, Embodiment 4, and Embodiment 5. The number of layers in this membrane may be changed at any time depending on the need and design.

【0032】次に、反射防止コートを鏡面とスリ面に行
った場合の相違を示す。鏡面とは、基板表面が非常にフ
ラットな平面となるように、磨き上げたものである。ま
た、スリ面とは、基板が作り出されたときのまま、また
は粗く平面だしをされた状態の表面である。
Next, the difference in the case where the antireflection coating is applied to the mirror surface and the pick-up surface will be described. The mirror surface is polished so that the surface of the substrate becomes a very flat plane. Further, the pickpocket surface is a surface that is as it is when the substrate is produced or is roughly roughened.

【0033】図18は、鏡面を有する基板10に反射防
止コート9を施した例である。入射光11は基板10に
対して、ある入射角14をもって、入射する。このと
き、基板10と多層コート9の境で、反射光13と射出
光12とに分かれる。このとき、反射光13は入射光1
1側への戻り光となってしまい、非常に好ましくない。
したがって、様々な入射角の入射光11を入射させる基
板10に対し、図4、図10に示す従来様の多層コート
を行っても、大きな入射角度を有する入射光11の反射
光13による悪影響は避けられない。しかし、実施例1
〜5に示す多層コートを行えば反射光13による悪影響
を極力抑えることができる。
FIG. 18 shows an example in which an antireflection coating 9 is applied to a substrate 10 having a mirror surface. Incident light 11 is incident on the substrate 10 at an incident angle 14. At this time, the reflected light 13 and the emitted light 12 are separated at the boundary between the substrate 10 and the multilayer coat 9. At this time, the reflected light 13 is the incident light 1
This is a return light to the 1 side, which is extremely undesirable.
Therefore, even if the conventional multi-layer coating shown in FIGS. 4 and 10 is applied to the substrate 10 on which the incident light 11 having various incident angles is incident, there is no adverse effect due to the reflected light 13 of the incident light 11 having a large incident angle. Inevitable. However, Example 1
If the multilayer coats shown in to 5 are performed, the adverse effect of the reflected light 13 can be suppressed as much as possible.

【0034】図19は入射光11が一定の方向から来る
場合の反射を示す図である。図19(a)は基板がスリ
面の場合、図19(b)は基板が鏡面の場合である。両
図とも多層コート9と射出光12は不図示である。ま
た、反射光13は入射光11と異なる位置から反射して
いるように見えるが、これは図面をわかりやすく表記し
たもので、本来は同じ点に入射して反射するものであ
る。
FIG. 19 is a diagram showing reflection when the incident light 11 comes from a fixed direction. FIG. 19A shows a case where the substrate has a picked surface, and FIG. 19B shows a case where the substrate has a mirror surface. In both figures, the multilayer coat 9 and the emitted light 12 are not shown. Further, although the reflected light 13 seems to be reflected from a position different from the incident light 11, this is a notation that is easy to understand in the drawing, and originally, it is incident and reflected at the same point.

【0035】図19(b)は入射光11の入射角は一定
なので、反射光13(c)は全て同じ方向になる。よっ
て、この入射角が小さければよいので、従来様のコート
を行って、入射角14を小さくすればよい。
In FIG. 19B, since the incident angle of the incident light 11 is constant, the reflected lights 13 (c) are all in the same direction. Therefore, it suffices if this incident angle is small, and thus the incident angle 14 may be made small by applying a conventional coating.

【0036】図19(a)は反射面がスリ面なので、入
射角14が一定とはならない。よって、反射方向の異な
る反射光13(a),13(b)を発生させてしまう。
したがって、従来様のコートを行っていては、反射によ
る戻り光の影響を受けてしまう。ここで、実施例1〜5
などによるCr23を用いた多層コートを施すことによ
り、広範囲な入射角にたいしても、非常に良好な反射防
止特性を持たせることができる。
In FIG. 19A, since the reflecting surface is a slip surface, the incident angle 14 is not constant. Therefore, the reflected lights 13 (a) and 13 (b) having different reflection directions are generated.
Therefore, if the conventional coating is performed, it is affected by the return light due to reflection. Here, Examples 1 to 5
By applying a multi-layer coating using Cr 2 O 3 as described above, it is possible to provide a very good antireflection property even for a wide range of incident angles.

【0037】図20は反射面15がスリ面であるプリズ
ムの例である。入射光11がプリズムに入射し射出光1
2と反射光13に分かれる。反射光13は反射面15で
さらに戻り光16となって、入射光11側へ戻ってい
く。これは、大きな悪影響を入射光側にもたらす。した
がって、ここに、多層コートを行うことが必要となって
くる。ここで、従来様の多層コートを行っても良いが、
入射角が大きくなると、効果が小さくなる。そこで、本
実施例によるCr23を用いた多層コートを施すことに
より、非常に良好な反射特性を持つことができる。さら
に、反射面15はスリ面のままでも良いことになる。こ
れは、プリズムの1面を鏡面研磨しなくて良いことにな
り、コストダウン、作業工程の削減など非常に好ましい
効果をもたらすことになる。
FIG. 20 shows an example of a prism in which the reflecting surface 15 is a picked surface. Incident light 11 enters the prism and emerges light 1
It is divided into 2 and reflected light 13. The reflected light 13 becomes further returned light 16 on the reflection surface 15 and returns to the incident light 11 side. This has a great adverse effect on the incident light side. Therefore, it becomes necessary to apply a multilayer coat here. Here, a conventional multi-layer coating may be performed,
The effect decreases as the angle of incidence increases. Therefore, by applying a multi-layer coat using Cr 2 O 3 according to this embodiment, it is possible to have very good reflection characteristics. Further, the reflecting surface 15 may be a picked surface. This means that one surface of the prism does not have to be mirror-polished, which brings about very favorable effects such as cost reduction and work process reduction.

【0038】[0038]

【発明の効果】本発明方法によると、蒸着によるCr2
3膜形成において、六価クロムを発生させることなく
蒸着が完了する。
According to the method of the present invention, Cr 2 by vapor deposition is used.
In forming the O 3 film, the vapor deposition is completed without generating hexavalent chromium.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】従来のフローによる蒸着行程[Figure 1] Deposition process according to the conventional flow

【図2】本発明のフローによる蒸着行程FIG. 2 is a vapor deposition process according to the flow of the present invention.

【図3】従来と本発明による差異FIG. 3 is a difference between a conventional method and the present invention

【図4】従来の多層コートの例と性能FIG. 4 Example of conventional multilayer coat and performance

【図5】実施例1の多層コートと性能FIG. 5: Multilayer coat and performance of Example 1

【図6】実施例2の多層コートと性能FIG. 6 Multilayer coat and performance of Example 2

【図7】実施例3の多層コートと性能FIG. 7: Multilayer coat and performance of Example 3

【図8】実施例4の多層コートと性能FIG. 8: Multilayer coat and performance of Example 4

【図9】実施例5の多層コートと性能FIG. 9: Multilayer coat and performance of Example 5

【図10】従来の多層コートの例の性能グラフFIG. 10 is a performance graph of an example of a conventional multilayer coat.

【図11】実施例1の多層コートの性能グラフ11 is a performance graph of the multilayer coat of Example 1. FIG.

【図12】実施例1の多層コートの性能グラフFIG. 12 is a performance graph of the multilayer coat of Example 1.

【図13】実施例1の多層コートの性能グラフFIG. 13 is a performance graph of the multilayer coat of Example 1.

【図14】実施例1の多層コートの性能グラフ14 is a performance graph of the multilayer coat of Example 1. FIG.

【図15】実施例1の多層コートの性能グラフ15 is a performance graph of the multilayer coat of Example 1. FIG.

【図16】本発明の装置図FIG. 16 is an apparatus diagram of the present invention.

【図17】多層コートの説明図FIG. 17 is an explanatory diagram of a multi-layer coat

【図18】反射光説明図FIG. 18 is an explanatory diagram of reflected light

【図19】スリ面と鏡面による反射光の説明図FIG. 19 is an explanatory diagram of light reflected by a picked surface and a mirror surface.

【図20】本発明を適用するのに適したプリズムの例FIG. 20: Example of prism suitable for applying the present invention

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 膜厚監視モニター 2 基板加熱用ヒータ 3 蒸着用ドーム 4 基板 5 酸素ガス導入口 6 試料 7 電子銃 8 抵抗加熱用ボート 9 多層コート 10 基板 11 入射光 12 射出光 13 反射光 14 入射角 15 反射面 16 戻り光 1 Film Thickness Monitoring Monitor 2 Substrate Heating Heater 3 Deposition Dome 4 Substrate 5 Oxygen Gas Inlet 6 Sample 7 Electron Gun 8 Resistance Heating Boat 9 Multilayer Coat 10 Substrate 11 Incident Light 12 Emitted Light 13 Reflected Light 14 Incident Angle 15 Reflection Surface 16 Return light

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 真空装置中にて基板にCr23の蒸着を
行う真空蒸着工程において、真空排気を行い目標とする
真空度に到達後、酸素を導入し、酸素雰囲気中でCrを
蒸散させ、基板上にCr23膜を形成することを特徴と
する真空蒸着方法。
1. In a vacuum deposition process for depositing Cr 2 O 3 on a substrate in a vacuum apparatus, after evacuation to reach a target vacuum degree, oxygen is introduced and Cr is evaporated in an oxygen atmosphere. And a Cr 2 O 3 film is formed on the substrate.
JP32444595A 1995-12-13 1995-12-13 Vapor deposition method Pending JPH09165671A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003043211A (en) * 2001-07-27 2003-02-13 Nidec Copal Corp Thin film type nd filter and method for manufacturing the same

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