JPH09161337A - Optical disk initializing device - Google Patents

Optical disk initializing device

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Publication number
JPH09161337A
JPH09161337A JP34649595A JP34649595A JPH09161337A JP H09161337 A JPH09161337 A JP H09161337A JP 34649595 A JP34649595 A JP 34649595A JP 34649595 A JP34649595 A JP 34649595A JP H09161337 A JPH09161337 A JP H09161337A
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JP
Japan
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optical disk
semiconductor laser
power semiconductor
objective lens
focusing
Prior art date
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Pending
Application number
JP34649595A
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Japanese (ja)
Inventor
Takashi Shibakuchi
孝 芝口
Masato Harigai
眞人 針谷
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Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPH09161337A publication Critical patent/JPH09161337A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain an optical disk initializing device capable of initializing two layers of the phase transition type opticals disk of large capacity whose recording layer is constituted of two layers at a time or two sheets of the phase transition type optical disk constituted of an ordinary one recording layer simultaneously and also capable of initializing the recording layers without the unevenness. SOLUTION: This device is provided with a rotating mechanism 40 rotating an optical disk 5 while holding it, a high output semiconductor laser 1, a collimating lens 2 collimating laser luminous fluxes, a half mirror 4 splitting the laser luminous flux into two parts, first and second objective lenses 11, 12 converging the split parallel luminous fluxes on the optical disk 5 and first and second focusing mechanisms allowing the first and second objective lenses 11, 12 to focus the luminous fluxes from the high output semiconductor laser 1 on the optical disk 5 by making first and second low output semiconductor lasers 21, 31 light sources and a transfer mechanism 41 relatively displacing the optical disk 5 in the radial direction. Then, this device initializes two recording layers simultaneously by making a longitudinal direction of activating layer in the high output semiconductor laser 1 correspond to a direction orthogonal to track of the optical disk 5.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、相変化型の記録層
を有する光ディスクの初期化装置に係り、特に、相変化
型の記録層が2層からなる大容量光ディスクの初期化及
び2枚の相変化型の光ディスクの同時初期化を可能にし
た光ディスクの初期化装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical disk initialization apparatus having a phase-change recording layer, and more particularly to initialization of a large-capacity optical disk having two phase-change recording layers and two disks. The present invention relates to an optical disk initialization device that enables simultaneous initialization of a phase change optical disk.

【0002】[0002]

【従来の技術】相変化型の記録層をもつ光ディスクにお
いては、記録材料の結晶層に光を照射してその光照射部
をアモルファス相に変化させて記録する。したがって記
録層は初期状態(光記録が可能な状態)で「結晶層」に
なっていなくてはならない。この記録層は一般にスパッ
タリング等により成膜されるため、製造された段階では
「アモルファス相」である。したがって、記録層を全面
的に結晶化する「初期化処理」が必要になっている。
2. Description of the Related Art In an optical disk having a phase change type recording layer, a crystal layer of a recording material is irradiated with light to change the light irradiation portion to an amorphous phase for recording. Therefore, the recording layer must be a "crystalline layer" in the initial state (a state in which optical recording is possible). Since this recording layer is generally formed by sputtering or the like, it is in an "amorphous phase" at the manufacturing stage. Therefore, an "initialization process" for crystallizing the entire recording layer is required.

【0003】特公平7−52526号公報に開示された
技術では、レーザービームを2分した後、重ね合せ干渉
ビームとして光ディスク上に集光する。そして、干渉縞
方向とディスクの周方向に平行とし、干渉縞ピッチは、
20μm以下になるようにしている。その効果としては
初期化時における断熱層のマイクロクラックの発生が防
止できるというものである。
In the technique disclosed in Japanese Examined Patent Publication No. 7-52526, the laser beam is divided into two and then focused on the optical disc as a superposition interference beam. Then, the direction of the interference fringes is parallel to the circumferential direction of the disc, and the pitch of the interference fringes is
It is set to 20 μm or less. The effect is to prevent the generation of microcracks in the heat insulating layer during initialization.

【0004】また、高出力半導体レーザーからの光を、
2μmx95μmの光スポットとして記録層に集光し、
光ディスクを回転させつつ半径方向に走査することによ
り良好な初期化が可能であるとの報告がなされている
(第5回相変化記録研究会:シンポジウム講演予稿集3
0頁、1993年)。
In addition, the light from the high power semiconductor laser is
Focus on the recording layer as a 2 μm x 95 μm light spot,
It has been reported that good initialization is possible by scanning the optical disk while rotating it in the radial direction (The 5th Phase Change Recording Workshop: Symposium Proceedings 3)
0, 1993).

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】相変化型の記録層をも
つ光ディスクとしては従来から光ディスク基板の片面に
記録層を形成したものが用いられてきた。しかしながら
メモリー容量増大の要求が高まるに従って、上記光ディ
ッスクを2枚貼り合せて使用することにより、2倍のメ
モリー容量にする方法が考えられる様になった。即ち、
この方法では、実質的に光ディスクの裏表に記録層が存
在することになり、容量が倍増する。
As an optical disk having a phase-change type recording layer, one having a recording layer formed on one side of an optical disk substrate has been conventionally used. However, as the demand for increasing the memory capacity has increased, a method of doubling the memory capacity by using two optical discs bonded together has come to be considered. That is,
In this method, the recording layers substantially exist on the front and back of the optical disc, and the capacity is doubled.

【0006】2層からなる記録層をもつ光ディスクを初
期化する場合、従来型の初期化装置を用いると、まず第
1の記録層を初期化した後、ディスクをの裏返してセッ
トし再び第2の記録層の初期化を実行することになり、
ディスクの裏返しや、初期化に要する時間が2倍になる
等、光ディスク製造時に大きな問題となる。
When an optical disc having two recording layers is initialized, a conventional initialization device is used to first initialize the first recording layer, then turn the disc over and set it again to the second recording layer. Will perform initialization of the recording layer of
It becomes a big problem at the time of manufacturing an optical disk such as turning over the disk and doubling the time required for initialization.

【0007】本発明は上記事情に鑑みてなされたもので
あり、請求項1記載の光ディスクの初期化装置において
は、2つの記録層、又は2枚の光ディスクを同時に初期
結晶化処理することを可能にすることを目的とするもの
である。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and in the optical disk initializing apparatus according to the first aspect, it is possible to simultaneously perform the initial crystallization process on two recording layers or two optical disks. The purpose is to

【0008】また、請求項2記載の光ディスクの初期化
装置においては、光ディスク面での集光パワーをより大
きくして初期の結晶化処理時間の大幅な短縮を図ること
を目的とするものである。
Further, in the optical disk initializing device according to the second aspect of the present invention, it is another object of the present invention to further increase the condensing power on the optical disk surface to significantly reduce the initial crystallization processing time. .

【0009】また、請求項3記載の光ディスクの初期化
装置においては、集光スポット形状を長手方向に小さく
して光パワー密度の増大を図ることにより、効率的な結
晶化を行うことを目的とするものである。
Further, in the optical disk initializing device according to the third aspect of the present invention, the object is to perform efficient crystallization by reducing the size of the focused spot in the longitudinal direction to increase the optical power density. To do.

【0010】また、請求項4記載の光ディスクの初期化
装置においては、結晶化処理されるべき光ディスクの全
面に均一な結晶化エネルギーを与えることにより、ディ
スク全面にわたるむらのない結晶化を行うことを目的と
するものである。
Further, in the optical disk initializing device according to the fourth aspect, uniform crystallization energy is applied to the entire surface of the optical disk to be crystallized, so that uniform crystallization is performed over the entire surface of the disk. It is intended.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、相変化型の光ディスクを保持して回転さ
せる回転機構と、高出力半導体レーザーと、高出力半導
体レーザーからのレーザー光束を平行化するコリメート
レンズと、コリメートレンズにより平行化された光束を
2分割するハーフミラーと、ハーフミラーによって2分
割された各々の平行光束を光ディスク上に各々集光する
ための第1の対物レンズ及び第2の対物レンズと、第1
の低出力半導体レーザー及び第2の低出力半導体レーザ
ーを光源として各々前記第1の対物レンズ及び第2の対
物レンズに対し、前記高出力半導体レーザーからの光束
を光ディスクに対して各々合焦させるための第1の合焦
機構及び第2の合焦機構と、前記第1の対物レンズ及び
第2の対物レンズによる集光位置に対し、光ディスクを
半径方向へ相対的に変位させるための送り機構とを有
し、前記高出力半導体レーザーにおける活性層の長手方
向を光ディスクのトラック直交方向に対応させて、2つ
の記録層を同時に初期化することを特徴とするものであ
る。
In order to achieve the above object, the present invention provides a rotating mechanism for holding and rotating a phase change type optical disk, a high power semiconductor laser, and a laser beam from the high power semiconductor laser. A collimating lens for collimating; a half mirror for splitting the light flux collimated by the collimating lens into two; a first objective lens for focusing each of the parallel light flux split by the half mirror on the optical disc; A second objective lens and a first
For focusing the light flux from the high-power semiconductor laser on the optical disk with respect to the first objective lens and the second objective lens respectively using the low-power semiconductor laser and the second low-power semiconductor laser as light sources. A first focusing mechanism and a second focusing mechanism, and a feed mechanism for relatively displacing the optical disc in the radial direction with respect to the focusing positions of the first objective lens and the second objective lens. The two recording layers are simultaneously initialized by making the longitudinal direction of the active layer in the high-power semiconductor laser correspond to the track orthogonal direction of the optical disk.

【0012】また、相変化型の光ディスクを保持して回
転させる回転機構と、第1の高出力半導体レーザー及び
第2の高出力半導体レーザーと、第1の高出力半導体レ
ーザー及び第2の高出力半導体レーザーからの各々のレ
ーザー光束を平行化する第1のコリメートレンズ及び第
2のコリメートレンズと、第1のコリーメートレンズ及
び第2のコリメートレンズにより平行化された各々の光
束を光ディスク上に各々集光するための第1の対物レン
ズ及び第2の対物レンズと、第1の低出力半導体レーザ
ー及び第2の低出力半導体レーザーを光源として各々前
記第1の対物レンズ及び第2の対物レンズに対し、前記
高出力半導体レーザーからの光束を光ディスクに対して
各々合焦させるための第1の合焦機構及び第2の合焦機
構と、前記第1の対物レンズ及び第2の対物レンズによ
る集光位置に対し、光ディスクを半径方向へ相対的に変
位させるための送り機構とを有し、前記高出力半導体レ
ーザーにおける活性層の長手方向を光ディスクのトラッ
ク直交方向に対応させて、2つの記録層を同時に初期化
することを特徴とするものである。
A rotating mechanism for holding and rotating the phase change type optical disk, a first high power semiconductor laser and a second high power semiconductor laser, a first high power semiconductor laser and a second high power semiconductor laser. A first collimator lens and a second collimator lens for collimating the respective laser light fluxes from the semiconductor laser, and respective light fluxes collimated by the first collimate lens and the second collimator lens on the optical disk. A first objective lens and a second objective lens for converging light, and a first low-power semiconductor laser and a second low-power semiconductor laser as a light source for the first objective lens and the second objective lens, respectively. On the other hand, a first focusing mechanism and a second focusing mechanism for respectively focusing the light flux from the high-power semiconductor laser on the optical disc, and the first focusing mechanism and the second focusing mechanism. A feed mechanism for relatively displacing the optical disc in the radial direction with respect to the focusing position by the object lens and the second objective lens, and the longitudinal direction of the active layer in the high-power semiconductor laser is orthogonal to the track of the optical disc. It is characterized in that two recording layers are simultaneously initialized in correspondence with the directions.

【0013】また、前記コリメートレンズと前記対物レ
ンズとの間の光路中に、前記高出力半導体レーザーの活
性層の長手方向の平行光束を拡大するためのアナモフィ
ック光学系を配設したこと特徴とするものである。
An anamorphic optical system for expanding a parallel light flux in the longitudinal direction of the active layer of the high-power semiconductor laser is arranged in the optical path between the collimator lens and the objective lens. It is a thing.

【0014】さらに、前記回転機構がCLV回転方式の
ものであることを特徴とするものである。
Further, the rotating mechanism is of a CLV rotating type.

【0015】上記構成とすることにより、高出力半導体
レーザーの光束を2分割し、各々の光束を対物レンズで
集光して記録層に照射しているので、2つの記録層また
は2枚の光ディスクを同時に初期化することができる。
With the above configuration, the light flux of the high-power semiconductor laser is divided into two, and each light flux is condensed by the objective lens and irradiated on the recording layer, so that two recording layers or two optical disks are provided. Can be initialized at the same time.

【0016】また、高出力半導体レーザーを2個用いる
構成にすれば、光ディスク面での集光パワーをより大き
くすることができ、初期の結晶化処理時間を大幅に短縮
できる。
Further, if two high-power semiconductor lasers are used, the focusing power on the optical disk surface can be further increased, and the initial crystallization processing time can be greatly shortened.

【0017】また、アナモフィック光学系を用いる構成
にすれば、高出力半導体レーザーの活性層の長手方向の
平行光束が拡大されるので、集光スポット形状が長手方
向に小さくなることとなり、光パワー密度が増大してよ
り効率的に結晶化が行える。
Further, if the anamorphic optical system is used, the parallel light flux in the longitudinal direction of the active layer of the high-power semiconductor laser is enlarged, so that the focused spot shape becomes smaller in the longitudinal direction, and the optical power density is reduced. Is increased and crystallization can be performed more efficiently.

【0018】さらに、回転機構をCLV(Consta
nt Linear Velocity)回転方式のも
のにすれば、高出力半導体レーザーの出力を一定に設定
して、結晶化処理されるべき光ディスクの全面に均一な
結晶化エネルギーを与えることができるので、光ディス
クの全面にわたってむらなく結晶化できることとなる。
Further, the rotation mechanism is set to CLV (Consta
If the nt linear velocity (rotation) type is used, the output of the high-power semiconductor laser can be set constant and uniform crystallization energy can be applied to the entire surface of the optical disk to be crystallized. It will be possible to crystallize evenly throughout.

【0019】[0019]

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る実施例を図に
基づいて説明する。本発明に係る光ディスクの初期化装
置は、図1に示す如く、記録層が2層からなる大容量相
変化型光ディスクの各々の記録層を高出力半導体レーザ
ーの照射により同時に結晶化させて初期化する装置であ
り、光ディスク回転機構と、高出力半導体レーザーと、
コリメートレンズと、アナモフィック光学系と、アナモ
フィック光学系からの平行光束を2分割するハーフミラ
ーと、2分割された平行光束を各々の記録層に集光する
2個の対物レンズと、これら対物レンズでの集光位置を
記録層に合せる合焦機構と、ディスクの送り機構とを有
する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment according to the present invention will be described below with reference to the drawings. As shown in FIG. 1, an optical disc initializing apparatus according to the present invention initializes each recording layer of a large capacity phase change type optical disc having two recording layers by simultaneously crystallizing and irradiating a high power semiconductor laser. A device for rotating an optical disk, a high-power semiconductor laser,
A collimator lens, an anamorphic optical system, a half mirror that splits the parallel light flux from the anamorphic optical system into two, two objective lenses that focus the split parallel light flux on each recording layer, and these objective lenses It has a focusing mechanism for adjusting the condensing position of the optical disc to the recording layer and a disc feeding mechanism.

【0020】さらに詳述すると、回転機構40は初期化
するべき相変化型の光ディスクを保持して回転させ、高
出力半導体レーザー(以下、高出力LDと称す)1は結
晶化に必要な熱エネルギーの供給源として使用され、低
出力半導体レーザーに比して、活性層の長さ(楕円形状
のファーフィールドパターンにおける短軸方向に対応す
る方向)が長い。コリメートレンズ2は高出力LD1か
らのレーザー光束を平行化し、アナモフック光学系3は
高出力LD1の活性層の長手方向にのみ光束拡大する光
学系である。ハーフミラー4は入射光束を2分割し、対
物レンズ11、12は2分割された各々の平行光束を光
ディスク5の相変化記録部51及び53上に集光する。
More specifically, the rotating mechanism 40 holds and rotates the phase-change type optical disk to be initialized, and the high-power semiconductor laser (hereinafter, referred to as high-power LD) 1 has the thermal energy required for crystallization. The length of the active layer (the direction corresponding to the minor axis direction in the elliptical far-field pattern) is longer than that of a low-power semiconductor laser. The collimator lens 2 collimates the laser light flux from the high power LD 1, and the anamorphic optical system 3 is an optical system that expands the light flux only in the longitudinal direction of the active layer of the high power LD 1. The half mirror 4 splits the incident light flux into two, and the objective lenses 11 and 12 focus the respective split parallel light fluxes on the phase change recording portions 51 and 53 of the optical disk 5.

【0021】また、合焦機構は低出力半導体レーザー2
1及び31を光源として用い、高出力LD1からの2分
割された光束を記録部51及び53に対して各々独立に
合焦させるための合焦制御を行う。送り機構は対物レン
ズによる集光位置に対し、初期化するべき光ディスクを
半径方向へ移動させる。以上において高出力LD1の活
性層長手方向は光ディスクのトラック直交方向に対応さ
せる様に配置する。
The focusing mechanism is a low power semiconductor laser 2
1 and 31 are used as light sources, and focusing control for individually focusing the two split light beams from the high-power LD 1 on the recording units 51 and 53 is performed. The feeding mechanism moves the optical disc to be initialized in the radial direction with respect to the focusing position by the objective lens. In the above, the longitudinal direction of the active layer of the high power LD 1 is arranged so as to correspond to the direction orthogonal to the track of the optical disc.

【0022】また、アナモフィック光学系3は、高出力
LD1の活性層長手方向にのみパワーをもつ1対のシリ
ンダレンズをアフォーカル系をなすように組み合わせた
ものでも良いが、本実施例では高出力LD1の活性層長
手方向にのみ屈折作用を持つ1対のプリズムにより構成
した。また、アナモフィック光学系3は、単一の光学系
を装置に固定的に組み込むこともできるが、アナモフィ
ック光学系を互いに交換可能な複数の光学素子で構成で
き、各光学素子は略2〜4倍の範囲で互いに異なる光束
拡大倍率を有することができる。
The anamorphic optical system 3 may be a combination of a pair of cylinder lenses having a power only in the longitudinal direction of the active layer of the high power LD 1 so as to form an afocal system. The LD1 is composed of a pair of prisms having a refracting action only in the longitudinal direction of the active layer. Further, the anamorphic optical system 3 may be a single optical system fixedly incorporated into the apparatus, but the anamorphic optical system can be composed of a plurality of interchangeable optical elements, each optical element being approximately 2 to 4 times as large. It is possible to have different luminous flux expansion magnifications in the range of.

【0023】高出力LD1からのレーザー光束を平行光
束化するコリメートレンズ2の焦点距離は対物レンズ1
1、12の焦点距離の1〜2倍の範囲がよい。また、光
ディスクを回転させる回転機構はCLV回転方式のもの
が適している。
The focal length of the collimator lens 2 for collimating the laser light flux from the high power LD 1 is the objective lens 1
A range of 1 to 2 times the focal length of 1 and 12 is preferable. A CLV rotation system is suitable as a rotation mechanism for rotating the optical disk.

【0024】本実施例の初期化装置は種々の相変化型光
ディスクの初期化が可能で、例えばポリカーボネイト基
板50及び54上に記録部51、53を成膜し、各々を
接着剤52により貼り合せた2層の記録層からなる相変
化型光ディスク5を同時に初期化できる。この場合、記
録部51、53の層構成としてはポリカーボネイト基板
上に、厚さ1800ÅでZnS−SiO2 の誘電体層で
ある下部保護層、厚さ200ÅのAg−In−Sb−T
e層である記録層、厚さ:250ÅでZnS−SiO2
の誘電体層である上部保護層、厚さ:1000ÅのAl
合金層である反射層を有する光ディスク5の初期化を良
好に実現できる(初期化用の光はポリカーボネイト基板
の側から入射する)。この場合、光ディスク5として貼
り合せではなく2枚の相変化型の光ディスクでもよい。
The initialization device of this embodiment is capable of initializing various phase change type optical disks. For example, recording portions 51 and 53 are formed on the polycarbonate substrates 50 and 54, and the recording portions 51 and 53 are bonded by the adhesive 52. It is possible to simultaneously initialize the phase change type optical disc 5 having two recording layers. In this case, as the layer structure of the recording portions 51 and 53, a lower protective layer which is a dielectric layer of ZnS-SiO 2 with a thickness of 1800Å and a Ag-In-Sb-T layer with a thickness of 200Å are formed on a polycarbonate substrate.
Recording layer as e layer, thickness: 250 Å with ZnS-SiO 2
Upper protective layer, which is the dielectric layer of Al, thickness: 1000Å Al
The initialization of the optical disk 5 having the reflection layer which is an alloy layer can be realized well (the initialization light is incident from the polycarbonate substrate side). In this case, the optical disk 5 may be two phase-change type optical disks instead of being bonded.

【0025】次に本実施例の作用について述べると、レ
ーザー光束を集光させた時のビームウェスト径は光学系
に入射る光束径に反比例し、光束系が大きいほど集光ビ
ームウェスト径は小さくなる。半導体レーザーは活性層
の長さが幅に比して大きく、放射光束の開き角は滑性層
の長手方向において小さい。このため半導体レーザーか
らのレザー光束をコリメートレンズで平行にすると、平
行光束径は活性層の幅方向で大きく、長手方向では小さ
くなる。
Next, the operation of this embodiment will be described. The beam waist diameter when the laser beam is focused is inversely proportional to the beam diameter incident on the optical system. The larger the beam system, the smaller the focused beam waist diameter. Become. In the semiconductor laser, the length of the active layer is large compared to the width, and the divergence angle of the emitted light beam is small in the longitudinal direction of the slipping layer. Therefore, when the laser light flux from the semiconductor laser is made parallel by the collimating lens, the diameter of the parallel light flux becomes large in the width direction of the active layer and becomes small in the longitudinal direction.

【0026】したがって、平行光束をそのまま対物レン
ズで集光して得られる光スポットの形状は一般に活性層
の長手方向を長軸とする長円形状となる。光スポット形
状における長軸が著しく長くなると、光スポットのエネ
ルギー密度が小さくなってしまう。その結果エネルギー
密度を上げるため、初期化に高出力パワーのLD(半導
体レーザー)が必要となる。従って、本実施例ではコリ
メートレンズと対物レンズとの間にアナモフィック光学
系を配置し、活性層の長手方向の光束径を拡大するの
で、光スポットの長軸長さが短くなり、エネルギー密度
が高くなる。さらに、この実施例の光ディスクの初期化
装置は、各々の対物レンズに対する合焦機構を有してい
るので、各々の記録層に常に適正な大きさのスポットを
照射できるため、光スポットのエネルギー密度変動が極
めて小さくなる。
Therefore, the shape of the light spot obtained by condensing the parallel light beam as it is with the objective lens is generally an elliptical shape whose major axis is the longitudinal direction of the active layer. When the major axis of the light spot shape becomes extremely long, the energy density of the light spot becomes small. As a result, in order to increase the energy density, a high output power LD (semiconductor laser) is required for initialization. Therefore, in this embodiment, since the anamorphic optical system is arranged between the collimator lens and the objective lens and the luminous flux diameter in the longitudinal direction of the active layer is enlarged, the major axis length of the light spot is shortened and the energy density is high. Become. Further, since the optical disk initialization apparatus of this embodiment has a focusing mechanism for each objective lens, it is possible to always irradiate each recording layer with a spot of an appropriate size, so that the energy density of the light spot is increased. The fluctuation is extremely small.

【0027】以下具体的な実施例についてさらに説明す
る。図1において、5は相変化型の光ディスクで、回転
機構40に保持されて中心軸の回りに回転する。この回
転機構40の回転方式はCLV回転方式であり、回転に
伴う光スポット照射位置の線速が常に一定である様に光
ディスク5を回転させる。光ディスク5を保持した回転
機構40は光ディスク5もろとも送り機構41により光
ディスク5の半径方向へ定速で送られる。
Specific examples will be further described below. In FIG. 1, reference numeral 5 denotes a phase change type optical disk, which is held by a rotating mechanism 40 and rotates about a central axis. The rotation system of this rotation mechanism 40 is the CLV rotation system, and the optical disk 5 is rotated so that the linear velocity of the light spot irradiation position accompanying the rotation is always constant. The rotation mechanism 40 holding the optical disk 5 is fed at a constant speed in the radial direction of the optical disk 5 by the feeding mechanism 41 together with the optical disk 5.

【0028】図1の高出力LD1は幅1μm、長さ20
0μmの活性層を有し、出力2Wのものである。高出力
LD1は活性層の長手方向が光ディスクのトラック直交
方向になる様配置される。コリメートレンズ2は高出力
LD1からのレーザー光束を平行化し、その焦点距離は
4.3mm、NA(開口数)0.5のものである。アナ
モフィック光学系3は高出力LD1の活性層の長手方向
(図1の左右方向)に平行方向のみ屈折作用を持つ1対
のプリズムにより構成され、入射する平行光束の高出力
LD1の活性層の長手方向のみにおいて光束径を拡大す
る。
The high-power LD1 shown in FIG. 1 has a width of 1 μm and a length of 20.
It has an active layer of 0 μm and an output of 2 W. The high-power LD 1 is arranged so that the longitudinal direction of the active layer is orthogonal to the track of the optical disc. The collimator lens 2 collimates the laser light flux from the high-power LD 1 and has a focal length of 4.3 mm and an NA (numerical aperture) of 0.5. The anamorphic optical system 3 is composed of a pair of prisms having a refracting action only in the parallel direction in the longitudinal direction of the active layer of the high-power LD1 (the horizontal direction in FIG. 1), and the longitudinal direction of the active layer of the high-power LD1 of incident parallel light flux The beam diameter is enlarged only in the direction.

【0029】上記アナモフィック光学系3を使用しない
で、コリメートレンズ2からの平行光束を直接対物レン
ズで11、12で集光する実施例も考えられる(図示し
ていない)。高透過率ミラー9、10は高出力LD1か
らのレーザー光束を99%透過させる高透過率ミラーで
ある。対物レンズ11、12は平行光束を光ディスク5
の各々の記録部51、53に集光させるレンズで、有効
径4mmφ、焦点距離4.3mm、NA0.5のもので
ある。
An embodiment (not shown) in which the parallel light flux from the collimator lens 2 is directly condensed by the objective lenses 11 and 12 without using the anamorphic optical system 3 is also conceivable. The high-transmittance mirrors 9 and 10 are high-transmittance mirrors that transmit 99% of the laser beam from the high-power LD 1. The objective lenses 11 and 12 transmit the parallel light flux to the optical disk 5.
A lens for focusing light on each of the recording sections 51 and 53, having an effective diameter of 4 mmφ, a focal length of 4.3 mm and an NA of 0.5.

【0030】次に、半導体レーザー21、31は低出力
のものであり、これらのレーザーからの出射光束はコリ
メートレンズ22、32によって平行光束化され、偏光
ビームスプリッター23、33、1/4 波長板24、3
4、フォーカス信号発生素子25、35、アクチュエー
タ26、36により、合焦制御される。フォーカス信号
発生素子25、35は、フォーカシングが例えば非点光
収差法で行われる場合には、シリンダレンズと集光レン
ズとによる非点収差発生光学素子と4分割受光素子とに
より構成される。光ディスク5の初期化は回転機構40
により光ディスク5を回転させた状態で、合焦機構を動
作させつつ、高出力LD1を点灯し、レーザー光を記録
部51、53に集光し、同時に送り機構41により光デ
ィスク5を半径方向に定速で送ることにより行われる。
Next, the semiconductor lasers 21 and 31 are of low output, and the luminous fluxes emitted from these lasers are collimated by the collimating lenses 22 and 32, and the polarized beam splitters 23, 33, and 1/4 wavelength plate. 24, 3
4, focusing control is performed by the focus signal generating elements 25 and 35 and the actuators 26 and 36. The focus signal generating elements 25 and 35 are composed of an astigmatism generating optical element including a cylinder lens and a condenser lens and a four-division light receiving element when focusing is performed by, for example, an astigmatism aberration method. The optical disk 5 is initialized by the rotation mechanism 40.
While the optical disc 5 is being rotated, the high-power LD 1 is turned on while operating the focusing mechanism to focus the laser light on the recording portions 51 and 53, and at the same time, the optical disc 5 is fixed in the radial direction by the feeding mechanism 41. It is done by sending at high speed.

【0031】(1)アナモフィック光学系3として倍率
4倍の具体例について説明する。光ディスク5に集光さ
れる高出力LD1の光スポット形状はCCDカメラによ
る実測で両対物レンズ11、12とも活性層の幅方向で
2μm、長手方向で50μmであった。初期化用光スポ
ットの位置での光ディスク5の線速を4m/Sに設定
し、高出力LD1による初期化パワー(各々の記録部上
でのパワー:mW)と送り機構41による光ディスク5
の送り速度(1回転あたりの半径方向の変位量:μm/
r)を変化させて初期化特性を調べた。初期化後に波長
780mmの半導体レーザにより、線速1.3m/S、
記録周波数f1 =0.4MHzで記録し、その後、f2
=0.72MHzでオーバーライトしたときのC/N
(搬送波対雑音比)(dB)と消去比(新しい信号をオ
ーバーライトしたときの前の信号の強度低下率)(d
B)を測定し、また初期化後の状態を顕微鏡により観察
した。この時の記録パワーは12mW、バイアスパワー
は5mWである。高出力LD1の最大出力は光ディスク
上の各々の記録部で700mWに対応する。結果を〔表
1〕に示す。この結果から送り速度30μm/rまでは
高出力LD1の出力能力の範囲内で2層とも同時に良好
な初期化が行えることが判明した。
(1) A specific example of the anamorphic optical system 3 having a magnification of 4 will be described. The light spot shape of the high-power LD 1 focused on the optical disk 5 was 2 μm in the width direction of the active layer and 50 μm in the length direction of both the objective lenses 11 and 12 as measured by a CCD camera. The linear velocity of the optical disk 5 at the position of the optical spot for initialization is set to 4 m / S, the initialization power (power on each recording unit: mW) by the high output LD 1 and the optical disk 5 by the feeding mechanism 41.
Feed rate (amount of radial displacement per revolution: μm /
The initialization characteristics were investigated by changing r). After initialization, with a semiconductor laser with a wavelength of 780 mm, a linear velocity of 1.3 m / S,
Recording at the recording frequency f 1 = 0.4 MHz, and then f 2
= C / N when overwriting at 0.72MHz
(Carrier-to-noise ratio) (dB) and cancellation ratio (strength reduction rate of previous signal when new signal is overwritten) (d
B) was measured, and the state after initialization was observed with a microscope. At this time, the recording power is 12 mW and the bias power is 5 mW. The maximum output of the high-power LD1 corresponds to 700 mW in each recording section on the optical disk. The results are shown in [Table 1]. From this result, it has been found that up to a feed rate of 30 μm / r, good initialization can be performed on both layers simultaneously within the range of the output capability of the high-power LD1.

【0032】[0032]

【表1】 [Table 1]

【0033】(2)アナモフィック光学系3として倍率
3倍の具体例を説明する。光スポットのCCDカメラに
よる実測値は2μmx70μmである。前記と同様にし
て初期化の特性を調べた。結果を〔表2〕に示す。この
結果から高出力LD1の出力を最大(光ディスクの各記
録部で700mW)にすれば送り速度50μm/rでも
2層とも良好な初期化が可能であり、少なくとも40μ
m/rでの初期化は確実に行うことができる。
(2) A specific example of the anamorphic optical system 3 having a magnification of 3 will be described. The actual measurement value of the light spot by the CCD camera is 2 μm × 70 μm. The initialization characteristics were examined in the same manner as described above. The results are shown in [Table 2]. From this result, if the output of the high-power LD1 is maximized (700 mW in each recording unit of the optical disc), good initialization can be performed for both layers even at a feed speed of 50 μm / r, and at least 40 μ
Initialization at m / r can be reliably performed.

【0034】[0034]

【表2】 [Table 2]

【0035】(3)アナモフィック光学系3として倍率
2倍の具体例を説明する。光スポットのCCDカメラに
よる実測値は2μmx95μmである。同様にして初期
化の特性を調べた。結果を〔表3〕に示す。この結果か
ら高出力LD1の出力を最大(各々の記録部で700m
W)にすれば送り速度70μm/rでも2層とも良好な
初期化が可能であり、少なくとも60μm/rでの初期
化は確実に行うことができる。
(3) A specific example of the anamorphic optical system 3 having a magnification of 2 will be described. The actual measurement value of the light spot by the CCD camera is 2 μm × 95 μm. Similarly, the initialization characteristics were examined. The results are shown in [Table 3]. From this result, the output of the high output LD1 is maximum (700 m in each recording unit).
With W), good initialization is possible for both layers even at a feed rate of 70 μm / r, and initialization at least at 60 μm / r can be reliably performed.

【0036】[0036]

【表3】 [Table 3]

【0037】以上3つの具体例ではコリメートレンズ2
および対物レンズ11、12の焦点距離を共に4.3m
mとしているのでコリメートレンズ2と対物レンズ11
又は対物レンズ12とで構成される結像系の結像倍率は
等倍であり、光ディスク5上に集光する光スポットの長
さは、高出力LD1の活性層の長手方向に関しては活性
層の長さとアナモフィック光学系3の倍率とで決定され
る。したがってコリメートレンズ2の焦点距離を、対物
レンズでの焦点距離よりも長くすれば、上記結像系の倍
率が大きくなるので、アナモフィック光学系3の倍率が
上記した3つの具体例と同じであっても、光ディスク上
に集光する光スポットの集光性をより高め、光スポット
のエネルギー密度をより高めることができる。
In the above three specific examples, the collimating lens 2 is used.
And the focal lengths of the objective lenses 11 and 12 are both 4.3 m
Since m is set, the collimator lens 2 and the objective lens 11
Alternatively, the imaging magnification of the imaging system configured with the objective lens 12 is equal, and the length of the light spot condensed on the optical disc 5 is the same as that of the active layer in the longitudinal direction of the active layer of the high power LD 1. It is determined by the length and the magnification of the anamorphic optical system 3. Therefore, if the focal length of the collimator lens 2 is made longer than the focal length of the objective lens, the magnification of the image forming system becomes large, so that the anamorphic optical system 3 has the same magnification as those of the three specific examples described above. Also, it is possible to further improve the light-collecting property of the light spot condensed on the optical disc and further increase the energy density of the light spot.

【0038】(4)アナモフィック光学系3として倍率
2倍のものを用い、コリメートレンズ2として、焦点距
離8.6mm、NA0.5の場合の具体例を説明する。
光スポットのCCDカメラによる実測値は、2μmx5
1μmであり、最初の具体例とほぼ同じである。前と同
様にして初期化の特性を調べた。結果を〔表4〕に示
す。この結果から高出力LD1の出力を大きく(各々の
記録部で550mW以上)すれば送り速度40μm/r
で2層とも良好な初期化が可能である。
(4) A specific example in which the anamorphic optical system 3 has a magnification of 2 and the collimator lens 2 has a focal length of 8.6 mm and an NA of 0.5 will be described.
The actual measured value of the light spot by the CCD camera is 2 μm × 5
It is 1 μm, which is almost the same as the first specific example. The initialization characteristics were examined as before. The results are shown in [Table 4]. From this result, if the output of the high-power LD1 is increased (550 mW or more in each recording unit), the feeding speed is 40 μm / r.
Therefore, good initialization is possible for both layers.

【0039】[0039]

【表4】 [Table 4]

【0040】このようにコリメートレンズの焦点距離を
対物レンズ11、12の焦点距離よりも大きくすること
により、結像系の倍率を高めることとアナモフィック光
学系3の倍率とを組み合わせることにより光ディスク上
への集光高率を高めることができる。但し、コリメート
レンズ2の焦点距離が大きくなりすぎると、高出力LD
1から放射される光束のうち平行光束化される成分の割
合が小さくなるため光ディスクに十分な密度の光エネル
ギーを与えられなくなる。したがってコリメートレンズ
2の焦点距離は対物レンズ11、12の焦点距離の1倍
から2倍の範囲にあることが好ましい。
By thus increasing the focal length of the collimator lens than the focal lengths of the objective lenses 11 and 12, the magnification of the image forming system is increased and the magnification of the anamorphic optical system 3 is combined so that it is transferred onto the optical disc. It is possible to increase the light collection efficiency. However, if the focal length of the collimator lens 2 becomes too large, a high power LD
Since the ratio of the component converted into a parallel light flux in the light flux radiated from No. 1 becomes small, the optical energy cannot be given to the optical disc with a sufficient density. Therefore, it is preferable that the focal length of the collimator lens 2 be in the range of 1 to 2 times the focal length of the objective lenses 11 and 12.

【0041】(5)アナモフィック光学系3を用いない
場合、コリメートレンズ2として焦点距離8.6mm、
NA0.5のときの具体例を説明する。この場合の光ス
ポットのCCDカメラによる実測値は、2μmx98μ
mであり、前記と同様にして初期化の特性を調べた。そ
の結果を〔表5〕に示す。〔表5〕の結果から高出力L
D1の出力を大きく(各々の記録部で650mW以上)
すれば送り速度30μm/rで2層とも良好な初期化が
可能である。
(5) When the anamorphic optical system 3 is not used, the collimating lens 2 has a focal length of 8.6 mm,
A specific example when NA is 0.5 will be described. The actual measurement value of the light spot by the CCD camera in this case is 2 μm × 98 μ
m, and the initialization characteristics were examined in the same manner as described above. The results are shown in [Table 5]. High output L from the results in [Table 5]
Increase the output of D1 (650 mW or more in each recording unit)
By doing so, good initialization is possible for both layers at a feed rate of 30 μm / r.

【0042】[0042]

【表5】 [Table 5]

【0043】以上説明した具体例(1)〜(5)では回
転機構40がCLV回転方式であり、光スポットに対す
る光ディスク5の回転による相対速度が常に一定である
ため初期化すべき領域の全域に渡って常に均一な光エネ
ルギーを与えることができる。また、回転機構40によ
る光ディスクの回転は等角速度でも良いが、その場合は
光スポットと光ディスクの回転に伴う相対速度がディス
クの内周側ほど遅くなるので、光ディスクの最外周部で
必要な初期化用エネルギーが得られるように高出力LD
の出力設定を行う必要がある。これまで説明した実施例
では、送り機構41により光ディスクを対物レンズ1
1、12に対してディスク半径方向へ送っているが、逆
に初期化用の光学系の方を光ディスクに対してディスク
半径方向へ変位させてもよい。
In the specific examples (1) to (5) described above, the rotation mechanism 40 is of the CLV rotation type, and the relative speed due to the rotation of the optical disk 5 with respect to the light spot is always constant, so that the initialization is performed over the entire area. Therefore, uniform light energy can be always given. Further, the rotation of the optical disc by the rotating mechanism 40 may be at a constant angular velocity, but in that case, the relative velocity associated with the rotation of the optical spot and the optical disc becomes slower toward the inner peripheral side of the disc, so that the initialization required at the outermost peripheral portion of the optical disc. High power LD so that the energy for use can be obtained
It is necessary to set the output settings for. In the embodiment described so far, the optical disc is moved to the objective lens 1 by the feeding mechanism 41.
Although the optical signals are sent in the radial direction of the disk with respect to Nos. 1 and 12, the optical system for initialization may be displaced in the radial direction of the disk with respect to the optical disk.

【0044】尚、初期化に要する時間を短縮するには高
出力LD1としてより高出力の半導体レーザーを用いる
とよい。高出力の半導体レーザーの代わりに高出力LD
1を2個用いて、記録部51、53に集光する結像光学
系を2組配置することにより各々の記録部の集光パワー
を2倍にすることが可能で、初期化時間を大幅に短縮す
ることができる。
In order to shorten the time required for the initialization, it is preferable to use a semiconductor laser of higher output as the high output LD1. High power LD instead of high power semiconductor laser
It is possible to double the condensing power of each recording unit by arranging two sets of imaging optical systems for condensing on the recording units 51 and 53 by using two 1's, and it is possible to significantly increase the initialization time. Can be shortened to

【0045】[0045]

【発明の効果】以上述べた如く、本発明の請求項1記載
の初期化装置によれば、高出力半導体レーザーの光束を
2分割し、各々の光束を対物レンズで集光して、記録層
に照射しているので、2つの記録層、又は2枚の光ディ
スクを同時に初期結晶化処理することができる。
As described above, according to the initialization device of the first aspect of the present invention, the luminous flux of the high-power semiconductor laser is divided into two, and each luminous flux is condensed by the objective lens to form the recording layer. Since the irradiation is performed on two recording layers, two recording layers or two optical disks can be simultaneously subjected to the initial crystallization process.

【0046】また、本発明の請求項2記載の初期化装置
によれば、光ディスク面での集光パワーをより大きくす
ることができ、初期の結晶化処理時間を大幅に短縮でき
る。
Further, according to the initialization device of the second aspect of the present invention, it is possible to further increase the focusing power on the optical disk surface, and to significantly reduce the initial crystallization processing time.

【0047】また、本発明の請求項3記載の初期化装置
によれば、集光スポット形状が長手方向に小さくなるた
め、光パワー密度が増大してより効率的に結晶化ができ
る。
Further, according to the initialization device of the third aspect of the present invention, since the focused spot shape becomes smaller in the longitudinal direction, the optical power density increases and the crystallization can be performed more efficiently.

【0048】また、本発明の請求項4記載の初期化装置
によれば、高出力半導体レーザーの出力を一定に設定し
て、結晶化処理されるべき光ディスクの全面に均一な結
晶化エネルギーを与えることができ、ディスク全面に渡
ってむらなく結晶化できる。
Further, according to the initialization device of the fourth aspect of the present invention, the output of the high-power semiconductor laser is set to be constant, and uniform crystallization energy is given to the entire surface of the optical disk to be crystallized. It is possible to crystallize uniformly over the entire surface of the disc.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る一実施例の全体構成図である。FIG. 1 is an overall configuration diagram of an embodiment according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 高出力半導体レーザー 2 コリメートレンズ 3 アナモフィック光学系 4 ハーフミラー 5 光ディスク 6,7,8 ミラー 9,10 高透過率ミラー 11,12 対物レンズ 21,31 低出力半導体レーザー 22,32 コリメートレンズ 23,33 偏光ビームスプリッター 24,34 1/4 波長板 25,35 フォーカス信号発生素子 26,36 アクチュエータ 40 回転機構 41 送り機構 50,54 ポリカーボネイト基板 51,53 記録部 52 接着剤 1 High-power semiconductor laser 2 Collimating lens 3 Anamorphic optical system 4 Half mirror 5 Optical disk 6,7,8 Mirror 9,10 High transmittance mirror 11,12 Objective lens 21,31 Low-power semiconductor laser 22,32 Collimating lens 23,33 Polarizing beam splitter 24,34 1/4 wave plate 25,35 Focus signal generating element 26,36 Actuator 40 Rotating mechanism 41 Feeding mechanism 50,54 Polycarbonate substrate 51,53 Recording unit 52 Adhesive

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 相変化型の光ディスクを保持して回転さ
せる回転機構と、高出力半導体レーザーと、高出力半導
体レーザーからのレーザー光束を平行化するコリメート
レンズと、コリメートレンズにより平行化された光束を
2分割するハーフミラーと、ハーフミラーによって2分
割された各々の平行光束を光ディスク上に各々集光する
ための第1の対物レンズ及び第2の対物レンズと、第1
の低出力半導体レーザー及び第2の低出力半導体レーザ
ーを光源として各々前記第1の対物レンズ及び第2の対
物レンズに対し、前記高出力半導体レーザーからの光束
を光ディスクに対して各々合焦させるための第1の合焦
機構及び第2の合焦機構と、前記第1の対物レンズ及び
第2の対物レンズによる集光位置に対し、光ディスクを
半径方向へ相対的に変位させるための送り機構とを有
し、前記高出力半導体レーザーにおける活性層の長手方
向を光ディスクのトラック直交方向に対応させて、2つ
の記録層を同時に初期化することを特徴とする光ディス
クの初期化装置。
1. A rotating mechanism for holding and rotating a phase-change optical disk, a high-power semiconductor laser, a collimator lens for collimating a laser light flux from the high-power semiconductor laser, and a light flux collimated by the collimator lens. A half mirror for splitting the beam into two, a first objective lens and a second objective lens for respectively focusing each of the parallel light beams split by the half mirror on the optical disc,
For focusing the light flux from the high-power semiconductor laser on the optical disk with respect to the first objective lens and the second objective lens respectively using the low-power semiconductor laser and the second low-power semiconductor laser as light sources. A first focusing mechanism and a second focusing mechanism, and a feed mechanism for relatively displacing the optical disc in the radial direction with respect to the focusing positions of the first objective lens and the second objective lens. An optical disk initializing device comprising: a high power semiconductor laser, wherein the longitudinal direction of the active layer corresponds to the track orthogonal direction of the optical disk, and the two recording layers are simultaneously initialized.
【請求項2】 相変化型の光ディスクを保持して回転さ
せる回転機構と、第1の高出力半導体レーザー及び第2
の高出力半導体レーザーと、第1の高出力半導体レーザ
ー及び及び第2の高出力半導体レーザーからの各々のレ
ーザー光束を平行化する第1のコリメートレンズ及び第
2のコリメートレンズと、第1のコリメートレンズ及び
第2のコリメートレンズにより平行化された各々の光束
を光ディスク上に各々集光するための第1の対物レンズ
及び第2の対物レンズと、第1の低出力半導体レーザー
及び第2の低出力半導体レーザーを光源として各々前記
第1の対物レンズ及び第2の対物レンズに対し、前記高
出力半導体レーザーからの光束を光ディスクに対して各
々合焦させるための第1の合焦機構及び第2の合焦機構
と、前記第1の対物レンズ及び第2の対物レンズによる
集光位置に対し、光ディスクを半径方向へ相対的に変位
させるための送り機構とを有し、前記高出力半導体レー
ザーにおける活性層の長手方向を光ディスクのトラック
直交方向に対応させて、2つの記録層を同時に初期化す
ることを特徴とする光ディスクの初期化装置。
2. A rotating mechanism for holding and rotating a phase change type optical disk, a first high power semiconductor laser and a second
High-power semiconductor laser, a first collimator lens and a second collimator lens for collimating the respective laser beams from the first high-power semiconductor laser and the second high-power semiconductor laser, and a first collimator A first objective lens and a second objective lens for respectively focusing the respective light fluxes collimated by the lens and the second collimator lens on the optical disc, a first low-power semiconductor laser and a second low-power semiconductor laser. A first focusing mechanism and a second focusing mechanism for respectively focusing the light flux from the high-power semiconductor laser on the optical disk with respect to the first objective lens and the second objective lens using the output semiconductor laser as a light source. Of the focusing mechanism and the feed for displacing the optical disc in the radial direction relative to the converging positions of the first objective lens and the second objective lens. And a structure, the high output semiconductor longitudinal active layer in the laser in correspondence with the track crossing direction of the optical disk initialization apparatus of an optical disk, characterized by simultaneously initialized two recording layers.
【請求項3】 前記コリメートレンズと前記対物レンズ
との間の光路中に、前記高出力半導体レーザーの活性層
の長手方向の平行光束を拡大するためのアナモフィック
光学系を配設したことを特徴とする請求項1または2記
載の光ディスクの初期化装置。
3. An anamorphic optical system for expanding a parallel light flux in the longitudinal direction of the active layer of the high-power semiconductor laser is disposed in the optical path between the collimator lens and the objective lens. The optical disk initialization device according to claim 1 or 2.
【請求項4】 前記回転機構がCLV回転方式のもので
あることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記
載の光ディスクの初期化装置。
4. The optical disk initializing device according to claim 1, wherein the rotating mechanism is of a CLV rotating type.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2001004888A1 (en) * 1999-07-12 2001-01-18 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical information recording medium and method for initializing the same

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001004888A1 (en) * 1999-07-12 2001-01-18 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical information recording medium and method for initializing the same
US6807142B1 (en) 1999-07-12 2004-10-19 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical information recording medium and method for initializing the same

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