JPH09161302A - Circuit and method for controlling semiconductor laser - Google Patents
Circuit and method for controlling semiconductor laserInfo
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- JPH09161302A JPH09161302A JP7324568A JP32456895A JPH09161302A JP H09161302 A JPH09161302 A JP H09161302A JP 7324568 A JP7324568 A JP 7324568A JP 32456895 A JP32456895 A JP 32456895A JP H09161302 A JPH09161302 A JP H09161302A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザを用
いて光デイスク等の光記憶媒体に情報を記録・再生する
装置に係り、特に半導体レーザ素子の駆動を制御する半
導体レーザ制御回路に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus for recording / reproducing information on / from an optical storage medium such as an optical disk using a semiconductor laser, and more particularly to a semiconductor laser control circuit for controlling driving of a semiconductor laser element.
【0002】[0002]
【従来の技術】一般に、光ディスク等に情報を高密度に
記録する一方式として、マークエッジ記録方式が周知と
なっている。このマークエッジ記録方式においては、通
常のパルス波形によるレーザ駆動電流で記録を行うと、
記録マーク形状が熱の蓄積効果により涙滴状に歪むとい
う問題があり、特に記録マーク長をデータとするマーク
エッジ記録では再生時のエラー増加の原因となってい
る。2. Description of the Related Art In general, a mark edge recording method is well known as one method for recording information on an optical disc or the like with high density. In this mark edge recording method, when recording is performed with a laser drive current having a normal pulse waveform,
There is a problem that the shape of the recording mark is distorted into a teardrop shape due to the effect of heat accumulation, and this is a cause of an increase in errors during reproduction particularly in mark edge recording using the recording mark length as data.
【0003】その対策として、図3の信号jに示す様な
情報を幾つかのパターンのレーザパワーを組み合わせた
波形で記録する記録波形補償(多値記録)方式が提案さ
れている。As a countermeasure against this, a recording waveform compensation (multi-value recording) system has been proposed in which information as shown by signal j in FIG. 3 is recorded with a waveform obtained by combining laser powers of several patterns.
【0004】この記録波形補償方式を実現する半導体レ
ーザ制御回路としては、特開平2−68736号公報が
提案されている。この構成は、図5に示すように、それ
ぞれの一端の入力端に光検出器PDで受光し電圧に変換
された光パワー制御誤差信号電圧が入力され、それぞれ
の他端の入力端には、基準電圧が入力された第1,第
2,第3のオペアンプと、前記各オペアンプの出力を所
定のサンプルゲート信号により制御するサンプル/ホー
ルド回路と、各サンプルホールド回路の出力側に接続さ
れた電源とにより形成された出力波形を発光する発光素
子(LD)とで構成される。図6には、これらの部位の
信号波形を示している。As a semiconductor laser control circuit which realizes this recording waveform compensation method, Japanese Patent Laid-Open No. 2-68736 has been proposed. In this configuration, as shown in FIG. 5, the optical power control error signal voltage received by the photodetector PD and converted into a voltage is input to the input end of each one end, and the input end of each other end is First, second, and third operational amplifiers to which a reference voltage is input, a sample / hold circuit for controlling the output of each operational amplifier by a predetermined sample gate signal, and a power supply connected to the output side of each sample and hold circuit And a light emitting element (LD) that emits an output waveform formed by. FIG. 6 shows signal waveforms of these parts.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかし、前述した公報
に記載される従来の回路構成は、図5に示した回路構成
により図6に示す様なセクタ内のプリフォーマット領域
とMO領域の間に設けられたALPC領域においてテス
ト発光を行い、パワー設定を行う必要がある。However, according to the conventional circuit configuration described in the above-mentioned publication, the circuit configuration shown in FIG. 5 causes a gap between the preformatted area and the MO area in the sector as shown in FIG. It is necessary to perform test light emission in the provided ALPC area to set the power.
【0006】このALPC領域とは、記録時の光のパワ
ーのレベルを知ることができる領域であり、データの読
み出し前に、読み出すための光(レーザ)のレベルを設
定する区間である。以下、記録パワーチェック部と称す
る。The ALPC area is an area in which the power level of light at the time of recording can be known, and is a section in which the level of light (laser) for reading is set before reading data. Hereinafter, it will be referred to as a recording power check unit.
【0007】従って、この回路構成により、図3の信号
jに示す様な記録補償波形(ライト電流波形)を実現す
るためには、上記ALPC領域において、それぞれ3値
のパワー設定を行わなければならない。Therefore, in order to realize the recording compensation waveform (write current waveform) as shown by the signal j in FIG. 3 with this circuit configuration, it is necessary to perform three-valued power setting in the ALPC area. .
【0008】従来では、このような1値のみの記録パワ
ーを用いた単穴記録方式により上記の様にALPC領域
でパワー設定を行うことで十分可能であった。しかし、
情報の多量化に伴う高密度記録(長穴記録方式及びZ−
CAV記録)においては、高密度記録可能なディスクに
図5に示した方式を適用すると、このALPC領域は、
130mm径の2.6GB光磁気ディスク規格(SC23
/WG2N776)によれば、6Byte( 72channel bi
ts)しか存在しない。Conventionally, it was sufficiently possible to set the power in the ALPC area as described above by the single hole recording method using the recording power of only one value. But,
High-density recording (long hole recording method and Z-
In the CAV recording), if the method shown in FIG.
2.6 GB magneto-optical disk standard with 130 mm diameter (SC23
According to / WG2N776), 6Byte (72channel bi
ts) only exists.
【0009】このような規格において、ディスクの回転
数を3600rpmとした場合、Z−CAVディスク最
外周ゾーン(33Bands /1024-bytesectors) に
おけるchannel クロック周波数は、67[MHz]に至
り、ALPC領域の通過時間は、1.075[μsec ]
となる。In such a standard, when the disk rotation speed is 3600 rpm, the channel clock frequency in the Z-CAV disk outermost zone (33Bands / 1024-bytesectors) reaches 67 [MHz] and passes the ALPC area. The time is 1.075 [μsec]
Becomes
【0010】このALPC領域において、図3の信号j
に示すような3値のパワー設定を完了する為には、1値
のパワー設定を約300[nsec]( 〓1.075[μse
c ]/3)で行われなければならない。In this ALPC area, the signal j of FIG.
In order to complete the three-value power setting as shown in, the one-value power setting is about 300 [nsec] (= 1.075 [μse
c] / 3).
【0011】これを±1%程度の精度で実現するために
は、図5 に示す構成では、1チャンネル当たりの半導
体レーザAPC(Auto Power Control)ループの帯域と
して17[MHz]以上(17[MHz]〓(300
[nsec ]/5)-1)の帯域が要求される。これは、現
状の光ディスク記録再生装置におけるRFの帯域にも相
当する。In order to realize this with an accuracy of about ± 1%, in the configuration shown in FIG. 5, the bandwidth of the semiconductor laser APC (Auto Power Control) loop per channel is 17 [MHz] or more (17 [MHz] or more. ] 〓 (300
A bandwidth of [nsec] / 5) -1 ) is required. This corresponds to the RF band in the current optical disk recording / reproducing apparatus.
【0012】従って、半導体レーザモニタ用光検出器、
電流・電圧変換回路、演算回路、サンプル/ホールド回
路全てに、これら帯域を実現する広帯域対応の部品を用
意する必要がある。しかも、これら広帯域を実現する回
路が各出力値ごとに3つの回路が必要となる。従って、
上記方式回路を安価で実現することは難しい。Therefore, a photodetector for a semiconductor laser monitor,
It is necessary to prepare wide-band compatible components that realize these bands in all the current / voltage conversion circuits, arithmetic circuits, and sample / hold circuits. Moreover, a circuit that realizes these widebands requires three circuits for each output value. Therefore,
It is difficult to realize the above method circuit at low cost.
【0013】そこで本発明は、パワー設定を複数のセク
タに分けて行ない、簡単かつ低帯域な回路構成で多値記
録可能な半導体レーザ制御回路を提供することを目的と
する。Therefore, an object of the present invention is to provide a semiconductor laser control circuit capable of performing multi-value recording with a simple and low band circuit configuration by dividing power setting into a plurality of sectors.
【0014】[0014]
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、半導体レーザの出力光を検出する光検出手
段と、前記光検出手段が検出した電流信号を電圧信号に
変換する電流−電圧変換手段とむ、それぞれに基準とな
る複数の任意の指示電圧を生成する指示電圧生成手段
と、それぞれの前記指示電圧に基づき、前記電流−電圧
変換手段に変換された電圧と比較演算する演算手段と、
前記演算手段で演算した結果をサンプルホールドする保
持手段と、前記保持手段からの出力信号に基づき、半導
体レーザを駆動するための出力電流値が設定される複数
の電流ドライバー手段と、記録媒体に記憶するデータに
応じて、前記ドライバー手段を切り替えるスイッチ手段
とを有し、1つのセクタにつき、前記複数の電流ドライ
バ手段のうちの1つの電流ドライバー手段の出力電流値
の設定を順次行う半導体レーザ制御回路を提供する。In order to achieve the above object, the present invention provides a photodetector for detecting the output light of a semiconductor laser and a current for converting a current signal detected by the photodetector into a voltage signal. A voltage converting means, including an instruction voltage generating means for generating a plurality of arbitrary reference voltages respectively, and an operating means for performing a comparison operation with the voltage converted by the current-voltage converting means based on each of the instruction voltages. When,
A holding means for sampling and holding the result calculated by the calculating means, a plurality of current driver means for setting an output current value for driving the semiconductor laser based on an output signal from the holding means, and a storage medium for storing the same. A semiconductor laser control circuit for sequentially setting the output current value of one current driver means of the plurality of current driver means for one sector, and a switch means for switching the driver means according to the data to be stored. I will provide a.
【0015】さらに半導体レーザを受光して検出された
検出電圧信号を、予め定めた基準となる複数の任意の指
示電圧のいずれかに比較演算し、その結果に基づき、半
導体レーザを駆動するための出力電流値の設定を1つの
セクタにつき、該セクタ前部の設けられた記録パワーチ
ェック部内で1つの前記出力電流値を設定することを、
順次、セクタ毎に若しくは1つ飛ばしのセクタ毎に行う
半導体レーザ制御方法を提供する。Further, the detected voltage signal received by the semiconductor laser and detected is compared with any one of a plurality of arbitrary instruction voltages serving as a predetermined reference, and based on the result, the semiconductor laser is driven. The setting of the output current value is performed for each sector by setting one output current value in the recording power check unit provided at the front of the sector.
Provided is a semiconductor laser control method which is sequentially performed for each sector or for each skipped sector.
【0016】以上のような構成の半導体レーザ制御回路
及びその制御方法は、1つのセクタで設定を行う電流ド
ライバを1つに限る事により、比較的低速動作の安価な
部品で構成されつつ、設定の時間的余裕が増加され、連
続したセクタで電流ドライバの設定を行う事により、総
設定時間が短縮される。さらに、1セクタ飛びに電流ド
ライバの設定を行う事により、設定の時間的余裕が増加
される。The semiconductor laser control circuit and the control method therefor having the above-mentioned configuration are limited to one current driver for setting in one sector, so that the setting can be performed while being constituted by inexpensive parts operating at a relatively low speed. The time margin is increased and the current driver is set in consecutive sectors, so that the total setting time is shortened. Further, by setting the current driver every one sector, the time margin of setting is increased.
【0017】[0017]
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施形態について詳細に説明する。図1には、本発明によ
る第1の実施形態としての半導体レーザ制御回路の構成
例を示し、図2には、動作を説明するための各部位の信
号のタイミングチャートを示し、説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings. FIG. 1 shows a configuration example of a semiconductor laser control circuit as a first embodiment according to the present invention, and FIG. 2 shows a timing chart of signals of respective parts for explaining the operation, which will be described.
【0018】この半導体レーザ制御回路は、半導体レー
ザの出力光を検出する光検出器(PD)1と、前記光検
出器1の出力電流を電圧に変換する電流−電圧変換器2
と、複数の基準電位(後述する電流ドライバの出力電流
を目標値にするための指示電圧)を生成するCPU3
と、前記CPU3で生成された指示電圧をアナログ信号
に変換するD/Aコンバータ4と、変換された複数の指
示信号と前記電流−電圧変換器2により変換された電圧
とで比較演算を行う演算器5と、演算器5によるそれぞ
れの演算結果を一時的に保持する複数のサンプル/ホー
ルド回路(S/H回路)6,7,8と、前記サンプル/
ホールド回路6,7,8の各出力に基づき、それぞれに
出力電流値が設定される複数の電流ドライバ9,10,
11と、前記電流ドライバ9,10,11のそれぞれの
出力のタイミング動作を制御する変調器12と、各電流
ドライバ9,10,11のそれぞれの出力に基づく発光
動作を行う発光素子(LD)13とで構成される。This semiconductor laser control circuit comprises a photodetector (PD) 1 for detecting the output light of a semiconductor laser, and a current-voltage converter 2 for converting the output current of the photodetector 1 into a voltage.
And a CPU 3 that generates a plurality of reference potentials (instruction voltage for setting an output current of a current driver, which will be described later, to a target value)
And a D / A converter 4 for converting an instruction voltage generated by the CPU 3 into an analog signal, and an operation for performing a comparison operation with the plurality of converted instruction signals and the voltage converted by the current-voltage converter 2. Unit 5, a plurality of sample / hold circuits (S / H circuits) 6, 7 and 8 for temporarily holding respective calculation results by the arithmetic unit 5, and the sample / hold circuits.
A plurality of current drivers 9, 10, whose output current values are set based on the outputs of the hold circuits 6, 7, 8, respectively.
11, a modulator 12 for controlling the timing operation of the output of each of the current drivers 9, 10, 11 and a light emitting element (LD) 13 for performing a light emitting operation based on the output of each of the current drivers 9, 10, 11. Composed of and.
【0019】次に図2を参照して、この様に構成された
半導体レーザ制御回路の動作について説明する。図2に
おいて、各信号a,b,cは、それぞれ電流ドライバ
9,10,11の出力波形を示し、各信号a´,b´,
c´は、サンプル/ホールド回路6,7,8の出力波形
を示している。さらに各信号d,e,fは、変調器12
から電流ドライバ9,10,11をオン/オフする制御
信号であり、各信号d,e,fが“H”の時、それぞれ
に電流ドライバはオンし、“L”の時、それぞれにオフ
となる。Next, with reference to FIG. 2, the operation of the semiconductor laser control circuit thus constructed will be described. In FIG. 2, each signal a, b, c indicates the output waveform of the current driver 9, 10, 11, respectively, and each signal a ′, b ′,
c'shows the output waveforms of the sample / hold circuits 6, 7, and 8. Further, each of the signals d, e, f is sent to the modulator 12
Is a control signal for turning on / off the current drivers 9, 10, 11; when the signals d, e, f are "H", the current drivers are turned on, and when they are "L", they are turned off. Become.
【0020】そしてセクタnのALPC領域(前述した
記録パワーチェック部)では、前記CPU3は、D/A
コンバータ4を通じて演算器5に電流ドライバ9の出力
電流を目標値にするための指示電圧を出力する。この演
算器5における演算結果に従って、電流ドライバ9に対
してサンプル/ホールド回路6から出力される信号(指
示値)a´は、目標値に達するまで上昇を続けて、信号
dが“H”から“L”に切り替わる瞬間の値を保持し続
ける。Then, in the ALPC area of the sector n (recording power check section described above), the CPU 3 executes the D / A
Through the converter 4, an instruction voltage for setting the output current of the current driver 9 to a target value is output to the calculator 5. According to the calculation result of the calculator 5, the signal (instruction value) a ′ output from the sample / hold circuit 6 to the current driver 9 continues to increase until it reaches the target value, and the signal d changes from “H” to “H”. The value at the moment of switching to "L" is maintained.
【0021】同様に、セクタn+1では、電流ドライバ
10がオンして、サンプル/ホールド回路7から出力さ
れる指示値b´が保持され、セクタn+2では電流ドラ
イバ11がオンして、サンプル/ホールド回路8から出
力される指示値c´が保持される。Similarly, in the sector n + 1, the current driver 10 is turned on and the instruction value b'output from the sample / hold circuit 7 is held, and in the sector n + 2, the current driver 11 is turned on and the sample / hold circuit is turned on. The instruction value c ′ output from 8 is held.
【0022】実際にデータを形成する場合には、変調器
12の制御により、例えば、電流ドライバ9が図3に示
す信号g、電流ドライバ10が信号h、電流ドライバ1
1が信号iに示す波形を出力し、その結果、信号jのよ
うな合成出力電流の多値信号が発光素子13に流れ、発
光する。When data is actually formed, for example, the current driver 9 controls the signal g shown in FIG. 3, the current driver 10 controls the signal h, and the current driver 1 controls by the modulator 12.
1 outputs the waveform shown by the signal i, and as a result, a multilevel signal of the combined output current like the signal j flows into the light emitting element 13 and emits light.
【0023】図2において、各電流ドライバ9,10,
11の設定は、セクタn,n+1,n+2と連続したセ
クタで行われている。次に、図4には、第2の実施形態
としての半導体レーザ制御回路の動作を説明するための
タイミングチャートを示し説明する。この第2の実施形
態の構成は、前述した第1の実施形態と同等であり、こ
こでの説明は省略する。In FIG. 2, each current driver 9, 10,
The setting of 11 is performed in the sectors consecutive with the sectors n, n + 1, and n + 2. Next, FIG. 4 shows a timing chart for explaining the operation of the semiconductor laser control circuit according to the second embodiment. The configuration of the second embodiment is the same as that of the first embodiment described above, and the description thereof is omitted here.
【0024】図4に示す信号d´,e´,f´は、それ
ぞれ変調器12が電流ドライバ9,10,11をオン/
オフするための制御信号であり、この実施形態において
は、1セクタ置きに出力されている。これらの制御信号
により、他の回路の動きは第1の実施形態と同様に動作
する。In the signals d ', e', and f'shown in FIG. 4, the modulator 12 turns on / off the current drivers 9, 10 and 11, respectively.
It is a control signal for turning off, and is output every other sector in this embodiment. By these control signals, the movement of other circuits operates in the same manner as in the first embodiment.
【0025】以上説明したように、本実施形態の半導体
レーザ制御回路は、1つのセクタで1つの電流ドライバ
の出力電流値を設定する事により、低速で安価な部品で
発光素子の出力制御が可能となる。また、連続したセク
タで電流ドライバの出力電流値を設定する事により、低
速で安価な部品で高速な発光素子(LD)の出力制御が
可能となる。As described above, in the semiconductor laser control circuit of this embodiment, by setting the output current value of one current driver in one sector, it is possible to control the output of the light emitting element with a low speed and inexpensive component. Becomes Further, by setting the output current value of the current driver in consecutive sectors, it becomes possible to control the output of the light emitting element (LD) at high speed with low speed and inexpensive parts.
【0026】さらに、1つ飛びの各セクタにおいて、電
流ドライバの出力電流値を設定することにより、回路全
体を制御するCPUの処理時間の負担を減じて、プログ
ラム開発上の負担を下げたり、性能の低い安価なCPU
の使用を可能にすることが可能である。Further, by setting the output current value of the current driver in each skipped sector, the processing time burden of the CPU controlling the entire circuit can be reduced, and the burden of program development can be reduced and the performance can be improved. Low cost CPU
It is possible to enable the use of
【0027】[0027]
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、パ
ワー設定を複数のセクタに分けて行い、簡単かつ低帯域
な回路構成で多値記録可能な半導体レーザ制御回路を提
供することができる。As described above in detail, according to the present invention, it is possible to provide a semiconductor laser control circuit capable of performing multi-value recording with a simple and low-band circuit configuration in which power setting is divided into a plurality of sectors. it can.
【図1】本発明による第1の実施形態としての半導体レ
ーザ制御回路の構成例を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a configuration example of a semiconductor laser control circuit according to a first embodiment of the present invention.
【図2】図1に示した半導体レーザ制御回路の動作を説
明するためタイミングチャートである。FIG. 2 is a timing chart for explaining the operation of the semiconductor laser control circuit shown in FIG.
【図3】記録補償波形の一例を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing an example of a recording compensation waveform.
【図4】第2の実施形態としての半導体レーザ制御回路
の構成例を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a configuration example of a semiconductor laser control circuit according to a second embodiment.
【図5】従来の記録波形補償方式を実現する半導体レー
ザ制御回路の構成例を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing a configuration example of a semiconductor laser control circuit that realizes a conventional recording waveform compensation method.
【図6】従来の半導体レーザ制御回路の動作を説明する
ためのタイミングチャートである。FIG. 6 is a timing chart for explaining the operation of the conventional semiconductor laser control circuit.
1…光検出器(PD)、2…電流−電圧変換器、3…C
PU、4…D/Aコンバータ、5…演算器、6,7,8
…サンプル/ホールド回路(S/H回路)、9,10,
11…電流ドライバ、12…変調器、13…発光素子
(LD)。1 ... Photodetector (PD), 2 ... Current-voltage converter, 3 ... C
PU, 4 ... D / A converter, 5 ... Arithmetic unit, 6, 7, 8
... Sample / hold circuit (S / H circuit), 9, 10,
11 ... Current driver, 12 ... Modulator, 13 ... Light emitting element (LD).
Claims (3)
手段と、 前記光検出手段が検出した電流信号を電圧信号に変換す
る電流−電圧変換手段と、 それぞれに基準となる複数の任意の指示電圧を生成する
指示電圧生成手段と、 それぞれの前記指示電圧に基づき、前記電流−電圧変換
手段に変換された電圧と比較演算する演算手段と、 前記演算手段で演算した結果をサンプルホールドする保
持手段と、 前記保持手段からの出力信号に基づき、半導体レーザを
駆動するための出力電流値が設定される複数の電流ドラ
イバー手段と、 記録媒体に記憶するデータに応じて、前記ドライバー手
段を切り替えるスイッチ手段とを具備し、 1つのセクタにつき、前記複数の電流ドライバ手段のう
ちの1つの電流ドライバー手段の出力電流値の設定を順
次、行うことを特徴とする半導体レーザ制御回路。1. A light detecting means for detecting the output light of a semiconductor laser, a current-voltage converting means for converting a current signal detected by the light detecting means into a voltage signal, and a plurality of arbitrary instructions serving as references respectively. Instruction voltage generation means for generating a voltage, operation means for performing a comparison operation with the voltage converted by the current-voltage conversion means based on each of the instruction voltages, and holding means for sample-holding the result calculated by the operation means A plurality of current driver means for setting an output current value for driving the semiconductor laser based on the output signal from the holding means, and a switch means for switching the driver means according to the data stored in the recording medium. And sequentially setting the output current value of one current driver means of the plurality of current driver means per sector. The semiconductor laser control circuit, which comprises carrying out.
設定動作が、連続したセクタで行われる若しくは、1つ
飛びのセクタ毎に行われることを特徴とする請求項1記
載の半導体レーザ制御回路。2. The semiconductor laser control circuit according to claim 1, wherein the setting operation of the output current value of the current driver means is performed in consecutive sectors or in every skipped sector.
電圧信号を、予め定めた基準となる複数の任意の指示電
圧のいずれかに比較演算し、 その結果に基づき、半導体レーザを駆動するための出力
電流値の設定を1つのセクタにつき、該セクタ前部の設
けられた記録パワーチェック部内で1つの前記出力電流
値を設定することを、順次、セクタ毎に若しくは1つ飛
ばしのセクタ毎に行うことを特徴とする半導体レーザ制
御方法。3. A semiconductor laser is driven based on the result of comparison calculation of a detection voltage signal received by the semiconductor laser and detected by one of a plurality of arbitrary reference voltages serving as a predetermined reference. The setting of the output current value of 1 is set for each sector in the recording power check unit provided at the front of the sector, sequentially for each sector or for each skipped sector. A method for controlling a semiconductor laser, comprising:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7324568A JPH09161302A (en) | 1995-12-13 | 1995-12-13 | Circuit and method for controlling semiconductor laser |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7324568A JPH09161302A (en) | 1995-12-13 | 1995-12-13 | Circuit and method for controlling semiconductor laser |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09161302A true JPH09161302A (en) | 1997-06-20 |
Family
ID=18167271
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7324568A Pending JPH09161302A (en) | 1995-12-13 | 1995-12-13 | Circuit and method for controlling semiconductor laser |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH09161302A (en) |
Cited By (2)
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WO2007069566A1 (en) * | 2005-12-12 | 2007-06-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Laser power control method and optical information recording/reproducing device |
JP2007200500A (en) * | 2006-01-30 | 2007-08-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Laser power controller and laser power control method |
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1995
- 1995-12-13 JP JP7324568A patent/JPH09161302A/en active Pending
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