JPH09155266A - Coating device - Google Patents

Coating device

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Publication number
JPH09155266A
JPH09155266A JP31617095A JP31617095A JPH09155266A JP H09155266 A JPH09155266 A JP H09155266A JP 31617095 A JP31617095 A JP 31617095A JP 31617095 A JP31617095 A JP 31617095A JP H09155266 A JPH09155266 A JP H09155266A
Authority
JP
Japan
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solvent
discharge pipe
nozzle
coating device
resist
Prior art date
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Pending
Application number
JP31617095A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Ryoichi Furukawa
亮一 古川
Toshio Saito
敏男 斎藤
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP31617095A priority Critical patent/JPH09155266A/en
Publication of JPH09155266A publication Critical patent/JPH09155266A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a coating device in which a specified solvent is discharged through a discharge pipe to apply the specified solvent on the surface of a body to be coated, to increase the directivity of the solvent and to prevent splashing of the solvent during discharge by forming a helical groove inside of the discharge pipe. SOLUTION: A spin coating machine 1 in which a uniform resist film is formed on a sample by dropping the resist on the sample and rotating the sample is equipped with a spin cup 2 surround the sample so as to prevent splashing of the resist. A semiconductor wafer W as a sample is sucked and fixed to the upper face of a spin chuck 3, onto which a resist is dropped through a nozzle 5 for chemicals and applied on the wafer W. The upper part of the outer peripheral of the wafer W is provided with a rinsing nozzle 10 to supply a solvent as a rinsing liquid for edges. This rinsing nozzle 10 has a helical groove RM formed inside so that the directivity of the solvent is improved to prevent splashing of the solvent.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、塗布装置に関し、
特に、溶剤を吐出して供給を行う吐出管の溶剤供給制御
に適用して有効な技術に関するものである。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a coating apparatus,
In particular, the present invention relates to a technique effectively applied to solvent supply control of a discharge pipe that discharges and supplies a solvent.

【0002】[0002]

【従来の技術】本発明者が検討したところによれば、半
導体ウエハにレジストやSOG(Spin On Gl
ass)塗布を行う塗布装置の一種であるスピン式塗布
装置には、半導体ウエハ表面の周辺部に塗布されたSO
G膜やレジスト膜を溶剤により取り除くエッジリンスを
行うエッジノズルが設けられている。
2. Description of the Related Art According to a study made by the present inventor, a semiconductor wafer is provided with a resist or SOG (Spin On Gl).
The spin-type coating apparatus, which is a type of coating apparatus that performs coating, applies SO applied to the peripheral portion of the semiconductor wafer surface.
An edge nozzle is provided to perform edge rinse to remove the G film and the resist film with a solvent.

【0003】このエッジノズルは、たとえば、直径数m
m程度の筒状の管により一般的に構成されている。
This edge nozzle has a diameter of several meters, for example.
It is generally composed of a cylindrical tube of about m.

【0004】なお、この種の塗布装置について詳しく述
べてある例としては、株式会社工業調査会、1994年
11月25日発行、大島雅志(編)「電子材料11月号
別冊超LSI製造・試験装置ガイドブック<1995年
版>」P77〜P78があり、この文献には、コータユ
ニットの構成や動作などの説明が記載されている。
As an example in which this type of coating apparatus is described in detail, the Industrial Research Institute Co., Ltd., issued November 25, 1994, Masashi Oshima (ed.) “Electronic Materials November issue, separate volume, VLSI manufacturing and testing. Device guidebook <1995 edition> ”P77 to P78, and this document describes the configuration and operation of the coater unit.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ところが、上記のよう
なエッジノズルの形状では、次のような問題点があるこ
とが本発明者により見い出された。
However, the present inventor has found that the above-described shape of the edge nozzle has the following problems.

【0006】すなわち、エッジノズル端部が直径数mm
程度の筒状であるので、エッジリンス液である溶剤の噴
射方向が不安定となり、半導体ウエハ表面の周辺で溶剤
の跳ね返りが生じてしまい、それらの跳ね返った溶剤が
半導体ウエハ表面の中心部周辺に付着し、配線ショート
などの不良発生の原因となってしまうという問題があ
る。
That is, the edge of the edge nozzle has a diameter of several mm.
Since it is cylindrical in shape, the spray direction of the solvent, which is the edge rinse solution, becomes unstable, and the solvent bounces around the semiconductor wafer surface, and these bounced solvent is scattered around the center of the semiconductor wafer surface. There is a problem that they adhere to each other and cause a defect such as a wiring short circuit.

【0007】また、溶剤の跳ね返りを少なくするための
溶剤の供給制御は、人手によりエッジノズルの向きや角
度を調整しなければならず、作業それ自体が熟練を要す
るものであり、作業時間が長時間となり、作業工数も多
く掛かってしまうという問題もある。
Further, in controlling the supply of the solvent in order to reduce the splashing of the solvent, it is necessary to manually adjust the direction and angle of the edge nozzle, the work itself requires skill, and the work time is long. There is also a problem that it takes time and a lot of man-hours are required.

【0008】本発明の目的は、吐出時の溶剤の指向性を
向上させ、所定の領域のみに的確に安定して溶剤を塗布
することのできる塗布装置を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a coating apparatus capable of improving the directivity of a solvent at the time of discharging and accurately and stably coating the solvent only in a predetermined region.

【0009】また、本発明の他の目的は、吐出後の不要
な溶剤の垂れ落ちを確実に防止することのできる塗布装
置を提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a coating apparatus capable of reliably preventing unnecessary dripping of the solvent after discharging.

【0010】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
SUMMARY OF THE INVENTION Among the inventions disclosed in the present application, the outline of a representative one will be briefly described.
It is as follows.

【0012】すなわち、本発明の塗布装置は、所定の溶
剤を吐出するノズルの内部に、螺旋状の溝を設けたもの
である。
That is, the coating apparatus of the present invention is provided with a spiral groove inside the nozzle for discharging a predetermined solvent.

【0013】それにより、溶剤をスパイラル状に吐出す
ることができるので、溶剤の指向性を向上させることが
でき、吐出時の溶剤の飛散などを防止することができ
る。
As a result, since the solvent can be discharged in a spiral shape, the directivity of the solvent can be improved and the scattering of the solvent at the time of discharging can be prevented.

【0014】また、本発明の塗布装置は、前記ノズル
が、エッジリンス液を吐出するリンスノズルであるもの
である。
Further, in the coating apparatus of the present invention, the nozzle is a rinse nozzle for discharging the edge rinse liquid.

【0015】それにより、所定の領域に的確に安定して
エッジリンス液を噴射することができ、エッジリンス液
が不要な箇所に飛散してしまうことを防止することがで
きる。
As a result, the edge rinse liquid can be jetted accurately and stably to a predetermined area, and the edge rinse liquid can be prevented from splashing to unnecessary portions.

【0016】さらに、本発明の塗布装置は、所定の溶剤
を吐出するノズルの先端部に、溶剤の垂れ落ちを防止す
る滴下防止手段を設けたものである。
Further, the coating apparatus of the present invention is provided with a drip preventing means for preventing the solvent from dripping at the tip of the nozzle for discharging the predetermined solvent.

【0017】それにより、溶剤の供給後の不要なノズル
先端部からの溶剤の垂れ落ちを防止することができ、溶
剤の供給後に溶剤を吸引するサックバック機構が不要と
なり、装置構成を簡単にでき、コストも抑えることがで
きる。
As a result, it is possible to prevent unnecessary dripping of the solvent from the tip of the nozzle after the solvent has been supplied, and to eliminate the need for a suck back mechanism for sucking the solvent after the solvent has been supplied, thus simplifying the device structure. The cost can be reduced.

【0018】また、本発明の塗布装置は、前記滴下防止
手段が、ノズルの先端部に複数の仕切り板を設けた構造
よりなるものである。
In the coating apparatus of the present invention, the drip preventing means has a structure in which a plurality of partition plates are provided at the tip of the nozzle.

【0019】それにより、ノズル先端部の吐出口の面積
を小さくすることによって、表面張力を小さくすること
ができるので、簡単な機構により確実にノズル先端部か
らの不要な溶剤の垂れ落ちを防止することができる。
As a result, the surface tension can be reduced by reducing the area of the discharge port at the tip of the nozzle, so that unnecessary solvent can be reliably prevented from dripping from the tip of the nozzle with a simple mechanism. be able to.

【0020】さらに、本発明の塗布装置は、前記仕切り
板が、ノズルの中心から外周部に放射状に等間隔に形成
された形状よりなるものである。
Further, in the coating apparatus of the present invention, the partition plate has a shape in which the partition plate is radially formed from the center of the nozzle to the outer peripheral portion at equal intervals.

【0021】それにより、ノズル先端部の吐出口の面積
を小さくすることによって、表面張力を小さくすること
ができるので、簡単な機構により確実にノズル先端部か
らの不要な溶剤の垂れ落ちを防止することができる。
As a result, the surface tension can be reduced by reducing the area of the discharge port at the tip of the nozzle, so that unnecessary solvent can be reliably prevented from dripping from the tip of the nozzle with a simple mechanism. be able to.

【0022】また、本発明の塗布装置は、前記滴下防止
手段が、ノズルの先端部に該ノズルの吐出口を分割する
複数の分割孔を一定間隔に設けた構造よりなるものであ
る。
Further, in the coating apparatus of the present invention, the drip preventing means has a structure in which a plurality of dividing holes for dividing the discharge port of the nozzle are provided at regular intervals at the tip of the nozzle.

【0023】それによっても、ノズル先端部の吐出口の
面積を小さくすることにより、表面張力を小さくするこ
とができるので、簡単な機構により確実にノズル先端部
からの不要な溶剤の垂れ落ちを防止することができる。
Also by this, the surface tension can be reduced by reducing the area of the discharge port at the tip of the nozzle, so that unnecessary solvent can be reliably prevented from dripping from the tip of the nozzle with a simple mechanism. can do.

【0024】[0024]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0025】(実施の形態1)図1は、本発明の実施の
形態1によるスピンコータの構造説明図、図2は、本発
明の実施の形態1によるスピンコータに設けられたリン
スノズルの一部破断した外観図である。
(Embodiment 1) FIG. 1 is a structural explanatory view of a spin coater according to Embodiment 1 of the present invention, and FIG. 2 is a partial fracture of a rinse nozzle provided in the spin coater according to Embodiment 1 of the present invention. FIG.

【0026】本実施の形態1において、水平にした試料
上にSOGやレジストを滴下し、試料を回転させること
により試料上に均一なSOG膜やレジスト膜を形成させ
るスピンコータ(塗布装置)1は、SOGやレジストの
跳ね返りを防止する円筒状の容器であるスピンカップ2
が、塗布される試料を囲い込むように据え付けられてい
る。
In the first embodiment, a spin coater (coating apparatus) 1 for dropping SOG or resist on a leveled sample and rotating the sample to form a uniform SOG film or resist film is used. Spin cup 2 that is a cylindrical container that prevents the SOG and resist from bouncing back
Are mounted to enclose the sample to be applied.

【0027】また、スピンコータ1の中央部には、真空
吸着などにより試料を吸着し、試料の回転を行うスピン
チャック3が設けられ、スピンチャック3はモータなど
の駆動手段(図示せず)と接続された回転軸4と固定さ
れている。
A spin chuck 3 for adsorbing a sample by vacuum adsorption and rotating the sample is provided in the center of the spin coater 1, and the spin chuck 3 is connected to a driving means (not shown) such as a motor. The fixed rotary shaft 4 is fixed.

【0028】そして、スピンチャック3の上面には試料
である、たとえば、半導体ウエハ(被処理物)Wが吸着
固定され、駆動手段により回転軸4を回転させることに
よってスピンチャック3を回転させる。
A sample, for example, a semiconductor wafer (object to be processed) W is adsorbed and fixed on the upper surface of the spin chuck 3, and the spin chuck 3 is rotated by rotating the rotating shaft 4 by the driving means.

【0029】さらに、スピンチャック3の上方には、吸
着固定された半導体ウエハWの中心にSOGもしくはレ
ジストを滴下する、たとえば、ステンレスやテフロン樹
脂製の薬液ノズル5が位置しており、この薬液ノズル5
は、滴下されるSOGやレジストの量を調整する調整用
バルブ6および配管7を介してSOGやレジストが貯め
られた薬液ボトル8に接続されている。
Further, above the spin chuck 3, there is located a chemical solution nozzle 5 for dropping SOG or resist on the center of the semiconductor wafer W which is adsorbed and fixed, for example, a chemical solution nozzle 5 made of stainless steel or Teflon resin. 5
Is connected to a chemical solution bottle 8 in which SOG and resist are stored, through an adjusting valve 6 and a pipe 7 for adjusting the amounts of SOG and resist to be dropped.

【0030】また、スピンコータ1には、たとえば、窒
素ガスやヘリウムガスなどの不活性ガスが供給される圧
送用ガス供給チューブ9が設けられている。
Further, the spin coater 1 is provided with a pressure-feeding gas supply tube 9 to which an inert gas such as nitrogen gas or helium gas is supplied.

【0031】そして、圧送用ガス供給チューブ9は薬液
ボトル8に接続され、圧送用ガス供給チューブ9から供
給された不活性ガスの圧力で薬液ボトル8内のSOGや
レジストが配管7に圧送され、調整用バルブ6によって
滴下量が調整されて薬液ノズル5から所定量のレジスト
が滴下される。
The pressure-feeding gas supply tube 9 is connected to the chemical solution bottle 8, and the SOG and the resist in the chemical solution bottle 8 are pressure-fed to the pipe 7 by the pressure of the inert gas supplied from the pressure-feeding gas supply tube 9. The dropping amount is adjusted by the adjusting valve 6, and a predetermined amount of resist is dropped from the chemical liquid nozzle 5.

【0032】また、スピンチャック3に吸着固定された
半導体ウエハW上面の外周部近傍の上方には、半導体ウ
エハW上面に外周部にエッジリンス液である溶剤を供給
する、たとえば、ステンレスやテフロン樹脂などからな
るリンスノズル(吐出管)10が設けられている。
Further, above the vicinity of the outer peripheral portion of the upper surface of the semiconductor wafer W adsorbed and fixed to the spin chuck 3, a solvent which is an edge rinse liquid is supplied to the outer peripheral portion of the upper surface of the semiconductor wafer W, for example, stainless steel or Teflon resin. A rinse nozzle (discharge pipe) 10 including the above is provided.

【0033】さらに、リンスノズル10は、供給される
溶剤の量を調整する溶剤調整用バルブ11に接続され、
溶剤調整用バルブ11は配管12により溶剤が貯められ
たリンスボトル13に接続されている。
Further, the rinse nozzle 10 is connected to a solvent adjusting valve 11 for adjusting the amount of solvent supplied,
The solvent adjusting valve 11 is connected by a pipe 12 to a rinse bottle 13 in which the solvent is stored.

【0034】また、スピンコータ1には、同じく、窒素
ガスやヘリウムガスなどの不活性ガスが供給させる圧送
用ガス供給チューブ14が設けられており、圧送用ガス
供給チューブ14はリンスボトル13に接続されてい
る。
Similarly, the spin coater 1 is provided with a pressure-feeding gas supply tube 14 for supplying an inert gas such as nitrogen gas or helium gas. The pressure-feeding gas supply tube 14 is connected to the rinse bottle 13. ing.

【0035】そして、圧送用ガス供給チューブ9から供
給された不活性ガスの圧力でリンスボトル13内の溶剤
が配管12に圧送され、溶剤調整用バルブ11によって
供給量が調整されてリンスノズル10から所定量の溶剤
が供給される。
Then, the solvent in the rinse bottle 13 is pressure-fed to the pipe 12 by the pressure of the inert gas supplied from the pressure-feeding gas supply tube 9, and the supply amount is adjusted by the solvent adjusting valve 11 to be supplied from the rinse nozzle 10. A predetermined amount of solvent is supplied.

【0036】また、前述したリンスノズル10には、図
2に示すように、リンスノズル10の内部に螺旋状の溝
RMが形成されている。
In the rinse nozzle 10 described above, as shown in FIG. 2, a spiral groove RM is formed inside the rinse nozzle 10.

【0037】さらに、リンスノズル10の形成は、リン
スノズル10を縦方向に半分ずつ形成し、溝RMがずれ
ないように位置精度を確保した上で溶接を行い、仕上げ
に化学研磨あるいは電解研磨を施すことによって形状を
整える。
Further, the rinse nozzle 10 is formed by forming the rinse nozzle 10 in halves in the longitudinal direction, ensuring the positional accuracy so that the groove RM does not shift, and then performing the welding, and performing chemical polishing or electrolytic polishing for finishing. The shape is adjusted by applying.

【0038】次に、本実施の形態の作用について説明す
る。
Next, the operation of the present embodiment will be described.

【0039】まず、圧送用ガス供給チューブ9から不活
性ガスを供給し、薬液ボトル8内に貯められたSOGや
レジストを吐出させる。そして、SOGやレジストは配
管7を介して調整用バルブ6により流量制限が行われ、
所定量のSOGやレジストが薬液ノズル5よりスピンチ
ャック3に吸着固定されている半導体ウエハWの中心部
に滴下される。
First, an inert gas is supplied from the pressure-feeding gas supply tube 9 to discharge the SOG and the resist stored in the chemical liquid bottle 8. Then, the flow rate of the SOG and the resist is restricted by the adjusting valve 6 via the pipe 7,
A predetermined amount of SOG or resist is dropped from the chemical liquid nozzle 5 onto the central portion of the semiconductor wafer W that is adsorbed and fixed to the spin chuck 3.

【0040】次に、駆動手段を駆動させて回転軸4を回
転させ、半導体ウエハWを所定の回転数で回転させるこ
とにより、半導体ウエハW上に均一なSOG膜やレジス
ト膜を形成させる。
Next, the driving means is driven to rotate the rotary shaft 4 to rotate the semiconductor wafer W at a predetermined rotation speed, thereby forming a uniform SOG film or resist film on the semiconductor wafer W.

【0041】そして、駆動手段により半導体ウエハWの
回転数を落とした後、圧送用ガス供給チューブ14から
不活性ガスを供給し、リンスボトル13内に貯められた
溶剤をリンスボトル13から吐出させる。
After the rotating speed of the semiconductor wafer W is reduced by the driving means, the inert gas is supplied from the pressure-feeding gas supply tube 14 to discharge the solvent stored in the rinse bottle 13 from the rinse bottle 13.

【0042】吐出された溶剤は、配管12を介して溶剤
調整用バルブ11により流量制限が行われ、所定量の溶
剤がスピンチャック3に吸着固定されている半導体ウエ
ハW表面の周辺部に位置するリンスノズル10から供給
され、半導体ウエハW表面の周辺部レジストの取り除き
を行う。
The flow rate of the discharged solvent is limited by the solvent adjusting valve 11 via the pipe 12, and a predetermined amount of the solvent is located at the peripheral portion of the surface of the semiconductor wafer W where the spin chuck 3 is adsorbed and fixed. The peripheral resist supplied from the rinse nozzle 10 on the surface of the semiconductor wafer W is removed.

【0043】この時、リンスノズル10の内部は、前述
したように螺旋状の溝RMが形成されており、溶剤の供
給時に溶剤はスパイラル状にリンスノズル10の先端部
から流出するので、直進性がよく、溶剤の飛散も防止す
ることができる。
At this time, the spiral groove RM is formed inside the rinse nozzle 10 as described above, and when the solvent is supplied, since the solvent spirally flows out from the tip of the rinse nozzle 10, the straightness is improved. Good, and it is possible to prevent the scattering of the solvent.

【0044】ここで、リンスノズル10における溝RM
の螺旋形状について説明する。
Here, the groove RM in the rinse nozzle 10
The spiral shape of will be described.

【0045】まず、図2に示す螺旋状の溝RMにおい
て、溝RMの任意の位置a1とその任意の位置に対向す
る位置a2とにおける直線の距離Lは、 (2√3/3)r≦L≦(√2)r (式1) となるのが望ましい。但し、rは、リンスノズル10の
内半径とする。
First, in the spiral groove RM shown in FIG. 2, the straight line distance L between an arbitrary position a1 of the groove RM and a position a2 opposite to the arbitrary position is (2√3 / 3) r ≦ It is desirable that L ≦ (√2) r (Equation 1). However, r is the inner radius of the rinse nozzle 10.

【0046】たとえば、式1において、Lの値が(2√
3/3)rよりも小さい場合、螺旋状の溝の間隔が小さ
くなってしまい、溶剤の流出時の抵抗となるばかりでな
く、溶剤がスパイラル状とならずに流出するので溶剤の
直進性が悪化し、飛散も多くなってしまう。
For example, in Equation 1, the value of L is (2√
If it is smaller than 3/3) r, the distance between the spiral grooves becomes small, which not only creates resistance when the solvent flows out, but also causes the solvent to flow out without forming a spiral shape, so that the straightness of the solvent is reduced. Deterioration and more scattering.

【0047】また、同様に、式1において、Lの値が
(√2)rよりも大きくなる場合、螺旋状の溝の間隔が
広すぎてしまい、溶剤がスパイラル状とならずに流出す
るのでこの場合も同じく溶剤の直進性が悪化し、飛散も
多くなってしまう。
Similarly, in the equation 1, when the value of L is larger than (√2) r, the interval between the spiral grooves becomes too wide, and the solvent flows out without forming a spiral shape. In this case as well, the straightness of the solvent is deteriorated and the scattering is increased.

【0048】それにより、本実施の形態1によれば、螺
旋状の溝RMが形成されたリンスノズル10を用いるこ
とにより、溶剤の指向性を向上させることができるの
で、狭い領域に的確に安定して溶剤を噴射することがで
きるので溶剤の飛散や跳ね返りなどに起因する配線ショ
ートなどの半導体装置の製造不良を防止できる。
Therefore, according to the first embodiment, by using the rinse nozzle 10 in which the spiral groove RM is formed, the directivity of the solvent can be improved, so that the solvent can be accurately stabilized in a narrow area. Since the solvent can be sprayed, it is possible to prevent a manufacturing defect of the semiconductor device such as a wiring short circuit due to the scattering or splashing of the solvent.

【0049】(実施の形態2)図3(a)は、本発明の
実施の形態2によるスピンコータに設けられたリンスノ
ズルの一部破断した外観図、(b)は、リンスノズルを
A−A方向から見た矢視図である。
(Second Embodiment) FIG. 3A is an external view of a rinse nozzle provided in a spin coater according to a second embodiment of the present invention, in which the rinse nozzle is partially broken, and FIG. It is an arrow view seen from the direction.

【0050】本実施の形態2においては、エッジリンス
液である溶剤の吐出口となる先端部に液だれ防止手段
(滴下防止手段)15を設けたリンスノズル10が設け
られている。
In the second embodiment, the rinse nozzle 10 is provided with the dripping prevention means (dripping prevention means) 15 at the tip portion which is the discharge port of the solvent which is the edge rinse liquid.

【0051】この液だれ防止手段15は、リンスノズル
10の中心から外周部に放射状に延びる、たとえば、ス
テンレスやテフロン樹脂からなる複数のフィン(仕切り
板)15aが等間隔で形成されている。
The dripping prevention means 15 has a plurality of fins (partition plates) 15a radially extending from the center of the rinse nozzle 10 to the outer peripheral portion and made of, for example, stainless steel or Teflon resin at equal intervals.

【0052】また、この液だれ防止手段15の形成は、
たとえば、リンスノズル10の中心から外周部に放射状
に延びる複数のフィン15aをあらかじめ形成し、円筒
状のリンスノズル10の管内に挿入することによって装
着するようにする。
The formation of the dripping prevention means 15 is
For example, a plurality of fins 15a radially extending from the center of the rinse nozzle 10 to the outer peripheral portion are formed in advance, and the fins 15a are mounted by being inserted into the tube of the cylindrical rinse nozzle 10.

【0053】よって、複数のフィン15aによってリン
スノズル10の先端部である溶剤の流出口の面積を小さ
くできるので、表面張力を小さくすることができる。
Therefore, since the area of the solvent outlet, which is the tip of the rinse nozzle 10, can be reduced by the plurality of fins 15a, the surface tension can be reduced.

【0054】それによって、本実施の形態2によれば、
液だれ防止手段15により溶剤の供給の停止時にリンス
ノズル10の先端部からの液だれを防止することができ
るので、リンスノズル10から溶剤のたれ落ちを防ぐた
めに溶剤の供給後に溶剤を吸引するサックバック機構が
不要となり、装置構成を簡単にでき、コストも抑えるこ
とができる。
Thereby, according to the second embodiment,
Since the dripping prevention means 15 can prevent dripping from the tip of the rinse nozzle 10 when the solvent supply is stopped, the sack that sucks the solvent after supplying the solvent in order to prevent the solvent from dripping from the rinse nozzle 10. The back mechanism is unnecessary, the device configuration can be simplified, and the cost can be suppressed.

【0055】また、溶剤にたれ落ちがなくなるので、そ
れに起因する半導体装置の製造不良を防止することがで
きる。
Further, since the solvent does not drip off, it is possible to prevent manufacturing defects of the semiconductor device caused by the solvent.

【0056】さらに、本実施の形態2では、液だれ防止
手段15は、リンスノズル10の中心から外周部に放射
状に延びる複数のフィン15aが等間隔で形成された形
状としたが、たとえば、図4(a),(b)に示すよう
に、液だれ防止手段16(滴下防止手段)が、所定の直
径の孔(分割孔)16aが所定の間隔で複数個形成され
た形状や図5(a),(b)に示すように、液だれ防止手
段(滴下防止手段)17が、フィン(仕切り板)17a
をメッシュ状に等間隔で設けた形状などリンスノズル1
0の管内の面積を小さくして、表面張力を小さくするこ
とのできる形状であれば吐出後の溶剤の垂れ落ちを良好
に防止することができる。
Further, in the second embodiment, the dripping prevention means 15 has a shape in which a plurality of fins 15a radially extending from the center of the rinse nozzle 10 to the outer peripheral portion are formed at equal intervals. As shown in FIGS. 4 (a) and 4 (b), the liquid dripping prevention means 16 (dripping prevention means) has a shape in which a plurality of holes (divided holes) 16a having a predetermined diameter are formed at predetermined intervals, and FIG. As shown in a) and (b), the liquid dripping prevention means (dripping prevention means) 17 is a fin (partition plate) 17a.
Rinse nozzle 1 such as a shape in which meshes are provided at equal intervals
If the shape is such that the area inside the tube of 0 can be made small and the surface tension can be made small, it is possible to favorably prevent the solvent from dripping after the discharge.

【0057】また、これら液だれ防止手段16,17
も、同様に、たとえば、ステンレスやテフロン樹脂から
構成されている。
Further, these dripping prevention means 16 and 17
Similarly, for example, it is made of stainless steel or Teflon resin.

【0058】さらに、この場合も、たとえば、レーザ光
加工や放電加工などによってあらかじめ複数の孔16a
を形成した液だれ防止手段16をリンスノズル10の管
内に挿入して装着することによって形成する。
Further, in this case as well, a plurality of holes 16a are previously formed by, for example, laser beam machining or electric discharge machining.
The dripping prevention means 16 having the above-mentioned structure is inserted into the pipe of the rinse nozzle 10 and mounted.

【0059】また、メッシュ状に形成されたフィン17
aによる防止手段17の形成も、前述したように、たと
えば、フィン17aをリンスノズル10の内部の形状に
あったメッシュにあらかじめ形成した後、円筒状のリン
スノズル10の管内に挿入することによって装着するよ
うにする。
Further, the fins 17 formed in a mesh shape
As for the formation of the prevention means 17 by a, as described above, for example, the fins 17a are formed in advance into a mesh suitable for the shape of the interior of the rinse nozzle 10 and then inserted into the pipe of the cylindrical rinse nozzle 10 to attach the fin 17a. To do so.

【0060】以上、本発明者によってなされた発明を発
明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は
前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を
逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでも
ない。
Although the invention made by the inventor has been specifically described based on the embodiments of the present invention, the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications may be made without departing from the gist of the invention. Needless to say, it can be changed.

【0061】[0061]

【発明の効果】本願によって開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
Advantageous effects obtained by typical ones of the inventions disclosed by the present application will be briefly described as follows.
It is as follows.

【0062】(1)本発明によれば、所定の溶剤を吐出
するノズルの内部に設けた螺旋状の溝により、溶剤をス
パイラル状に吐出するので、溶剤の指向性を向上させる
ことができるので、吐出時の溶剤の飛散などを防止する
ことができる。
(1) According to the present invention, the spiral groove provided inside the nozzle for discharging the predetermined solvent discharges the solvent in a spiral shape, so that the directivity of the solvent can be improved. In addition, it is possible to prevent the solvent from scattering at the time of discharging.

【0063】(2)また、本発明では、ノズルの先端部
に溶剤の垂れ落ちを防止する滴下防止手段により、溶剤
の供給後の不要なノズル先端部からの溶剤の垂れ落ちを
確実に防止できるので、溶剤の供給後に溶剤を吸引する
サックバック機構が不要となり、装置構成を簡単にする
ことができる。
(2) Further, in the present invention, the dropping prevention means for preventing the solvent from dripping on the tip of the nozzle can surely prevent unnecessary dripping of the solvent from the tip of the nozzle after the solvent is supplied. Therefore, a suck-back mechanism for sucking the solvent after supplying the solvent is not required, and the device configuration can be simplified.

【0064】(3)さらに、本発明においては、上記
(1),(2)により、溶剤の飛散や跳ね返りなどに起因
する配線ショートなどの製造不良を防止できるので、半
導体装置の信頼性を向上ならびに半導体装置の不良率を
低減することができる。
(3) Further, according to the present invention, the above (1) and (2) can prevent manufacturing defects such as wiring short-circuiting due to the scattering and splashing of the solvent, thus improving the reliability of the semiconductor device. In addition, the defect rate of the semiconductor device can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態1によるスピンコータの構
造説明図である。
FIG. 1 is a structural explanatory view of a spin coater according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の実施の形態1によるスピンコータに設
けられたリンスノズルの一部破断した外観図である。
FIG. 2 is an external view in which the rinse nozzle provided in the spin coater according to the first embodiment of the present invention is partially broken.

【図3】(a)は、本発明の実施の形態2によるスピン
コータに設けられたリンスノズルの一部破断した外観
図、(b)は、リンスノズルをA−A方向から見た矢視
図である。
FIG. 3A is an external view in which a rinse nozzle provided in a spin coater according to a second embodiment of the present invention is partially broken, and FIG. 3B is a view of the rinse nozzle seen from the direction AA. Is.

【図4】(a)は、本発明の他の実施の形態によるスピ
ンコータに設けられたリンスノズルの一部破断した外観
図、(b)は、リンスノズルに取り付けられる液だれ防
止手段の外観斜視図である。
FIG. 4 (a) is a partially broken external view of a rinse nozzle provided in a spin coater according to another embodiment of the present invention, and FIG. 4 (b) is an external perspective view of a dripping prevention means attached to the rinse nozzle. It is a figure.

【図5】(a)は、本発明の他の実施の形態によるスピ
ンコータに設けられたリンスノズルの一部破断した外観
図、(b)は、リンスノズルをA−A方向から見た矢視
図である。
FIG. 5A is an external view of a rinse nozzle provided in a spin coater according to another embodiment of the present invention with a part thereof broken, and FIG. 5B is a view of the rinse nozzle as seen from the direction AA. It is a figure.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 スピンコータ(塗布装置) 2 スピンカップ 3 スピンチャック 4 回転軸 5 薬液ノズル 6 調整用バルブ 7 配管 8 薬液ボトル 9 圧送用ガス供給チューブ 10 リンスノズル(吐出管) 11 溶剤調整用バルブ 12 配管 13 リンスボトル 14 圧送用ガス供給チューブ 15 液だれ防止手段(滴下防止手段) 15a フィン(仕切り板) 16 液だれ防止手段(滴下防止手段) 16a 孔(分割孔) 17 液だれ防止手段(滴下防止手段) 17a フィン(仕切り板) W 半導体ウエハ(被処理物) RM 溝 1 Spin coater (coating device) 2 Spin cup 3 Spin chuck 4 Rotating shaft 5 Chemical liquid nozzle 6 Adjustment valve 7 Piping 8 Chemical liquid bottle 9 Pressure feed gas supply tube 10 Rinse nozzle (Discharge pipe) 11 Solvent adjustment valve 12 Piping 13 Rinsing bottle 14 Gas Supply Tube for Pressure Supply 15 Drip Prevention Means (Drip Prevention Means) 15a Fins (Partition Plate) 16 Drip Prevention Means (Drip Prevention Means) 16a Holes (Divided Holes) 17 Drip Prevention Means (Drip Prevention Means) 17a Fins (Partition plate) W Semiconductor wafer (Processing object) RM groove

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 所定の溶剤を吐出管から吐出し、被処理
物の表面に所定の前記溶剤を塗布する塗布装置であっ
て、前記吐出管の内部に、螺旋状の溝を設けたことを特
徴とする塗布装置。
1. A coating device for discharging a predetermined solvent from a discharge pipe to coat the surface of an object to be processed with the predetermined solvent, wherein a spiral groove is provided inside the discharge pipe. Characteristic coating device.
【請求項2】 請求項1記載の塗布装置において、前記
吐出管が、エッジリンス液を吐出するリンスノズルであ
ることを特徴とする塗布装置。
2. The coating apparatus according to claim 1, wherein the discharge pipe is a rinse nozzle that discharges an edge rinse liquid.
【請求項3】 所定の溶剤を吐出管から吐出し、被処理
物の表面に所定の前記溶剤を塗布する塗布装置であっ
て、前記吐出管の先端部に、所定の前記溶剤の垂れ落ち
を防止する滴下防止手段を設けたことを特徴とする塗布
装置。
3. A coating device for discharging a predetermined solvent from a discharge pipe to coat the surface of an object to be processed with the predetermined solvent, wherein a predetermined amount of the solvent dripped at the tip of the discharge pipe. A coating device provided with a dripping prevention means for preventing the dripping.
【請求項4】 請求項3記載の塗布装置において、前記
滴下防止手段が、前記吐出管の先端部に前記吐出管の吐
出口を分割する複数の仕切り板を設けた構造よりなるこ
とを特徴とする塗布装置。
4. The coating apparatus according to claim 3, wherein the drip preventing means has a structure in which a plurality of partition plates that divide the discharge port of the discharge pipe are provided at the tip of the discharge pipe. Coating device.
【請求項5】 請求項4記載の塗布装置において、前記
仕切り板が、前記吐出管の中心から外周部に放射状に等
間隔に形成された形状であることを特徴とする塗布装
置。
5. The coating device according to claim 4, wherein the partition plate has a shape radially formed at equal intervals from a center of the discharge pipe to an outer peripheral portion thereof.
【請求項6】 請求項3記載の塗布装置において、前記
滴下防止手段が、前記吐出管の先端部に前記吐出管の吐
出口を分割する複数の分割孔を一定間隔に設けた構造よ
りなることを特徴とする塗布装置。
6. The coating apparatus according to claim 3, wherein the drip preventing means has a structure in which a plurality of dividing holes for dividing a discharge port of the discharge pipe are provided at a fixed interval at a tip end portion of the discharge pipe. A coating device characterized by.
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100640775B1 (en) * 2005-09-12 2006-11-01 주식회사 대우일렉트로닉스 Apparatus for spin coating
JP2008205059A (en) * 2007-02-19 2008-09-04 Tokyo Electron Ltd Processing liquid feeder
JP2010010348A (en) * 2008-06-26 2010-01-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate processor
JP2011136269A (en) * 2009-12-28 2011-07-14 Kao Corp Coating method and coater
JPWO2015098877A1 (en) * 2013-12-24 2017-03-23 株式会社ニフコ spray nozzle
JP2019135889A (en) * 2018-02-05 2019-08-15 タイガースポリマー株式会社 Coolant supply pipe

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100640775B1 (en) * 2005-09-12 2006-11-01 주식회사 대우일렉트로닉스 Apparatus for spin coating
JP2008205059A (en) * 2007-02-19 2008-09-04 Tokyo Electron Ltd Processing liquid feeder
JP2010010348A (en) * 2008-06-26 2010-01-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate processor
JP2011136269A (en) * 2009-12-28 2011-07-14 Kao Corp Coating method and coater
JPWO2015098877A1 (en) * 2013-12-24 2017-03-23 株式会社ニフコ spray nozzle
US10155502B2 (en) 2013-12-24 2018-12-18 Nifco Inc. Airflow-direction adjustment device
JP2019135889A (en) * 2018-02-05 2019-08-15 タイガースポリマー株式会社 Coolant supply pipe

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