JPH09148401A - Wafer transfer apparatus - Google Patents

Wafer transfer apparatus

Info

Publication number
JPH09148401A
JPH09148401A JP31061395A JP31061395A JPH09148401A JP H09148401 A JPH09148401 A JP H09148401A JP 31061395 A JP31061395 A JP 31061395A JP 31061395 A JP31061395 A JP 31061395A JP H09148401 A JPH09148401 A JP H09148401A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
finger
wafer
thin plate
vibration
wafer transfer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP31061395A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tomoaki Kubo
智彰 久保
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP31061395A priority Critical patent/JPH09148401A/en
Publication of JPH09148401A publication Critical patent/JPH09148401A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Manipulator (AREA)
  • Warehouses Or Storage Devices (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a transfer apparatus which suppresses vibration of a finger holding a wafer. SOLUTION: A finger 10 holding a wafer 1 has a double-layer structure consisting of a main thin plate 11 and an auxiliary plate 12 stacked on the main thin plate 11. These plates are combined by using concave and convex portions 11a and 12a provided at a boundary portion. This causes friction between the main thin plate 11 and the auxiliary plate 12 when the finger vibrates, which converts vibration energy into thermal energy caused by friction.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体製造工程
に用いられ、装置間でウエハを受け渡すウエハ移載装置
に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer transfer device used in a semiconductor manufacturing process for transferring a wafer between devices.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体装置の製造装置においては、キャ
リアと称されるウエハ格納容器からウエハを取り出した
り、逆にウエハを収めたりするウエハ移載装置が設けら
れている。
2. Description of the Related Art A semiconductor device manufacturing apparatus is provided with a wafer transfer device called a carrier for taking out a wafer from a wafer storage container and vice versa.

【0003】上記キャリアは、上下方向に狭いピッチで
形成されてなる複数の格納棚を有し、各棚に上記ウエハ
が保持するようになっている。したがって、従来のウエ
ハ移載装置は、薄板状のフィンガを用いることで、この
狭い格納棚の間からウエハを取り出すようにしていた。
The carrier has a plurality of storage shelves formed at a narrow pitch in the vertical direction, and the wafers are held on the respective shelves. Therefore, in the conventional wafer transfer apparatus, the wafer is taken out from between the narrow storage shelves by using thin plate fingers.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記フィン
ガは、一般に多軸位置決め装置に取り付けて使用される
ようになっているが、上述したように薄板状であるた
め、非常に振動しやすいということがある。
By the way, the above-mentioned fingers are generally used by being attached to a multi-axis positioning device. However, since they are thin plates as described above, they are very likely to vibrate. There is.

【0005】すなわち、上記多軸位置決め装置の各軸
は、サーボモータ、ステッピングモータ等の原動機、ボ
ールねじ、歯車、ベルト等の伝達機構、直動ベアリング
等の案内機構から構成され、各機構は運転時に何らかの
振動を発生する。また、発生する振動は、運動が速いほ
ど大きくなり、しかも、低周波から高周波まで様々な周
波数成分を含んでいる。
That is, each axis of the multi-axis positioning device is composed of a prime mover such as a servomotor and a stepping motor, a transmission mechanism such as a ball screw, a gear and a belt, and a guide mechanism such as a linear motion bearing. Sometimes some vibration is generated. Further, the generated vibration becomes larger as the movement is faster, and further includes various frequency components from low frequency to high frequency.

【0006】一方、上記薄板状のフィンガは、図4
(a)〜(c)に示すように様々な振動モードとそれに
対応する固有振動数を有する。上記各軸から発生する振
動がフィンガに伝わると、フィンガがそれに共振するこ
とがある。この場合、振動源での振動はそれほど大きく
ない場合でも、フィンガにおいては許容値以上に拡大さ
れてしまう結果となる。
On the other hand, the thin plate finger is shown in FIG.
As shown in (a) to (c), it has various vibration modes and their corresponding natural frequencies. When the vibration generated from each of the above axes is transmitted to the finger, the finger may resonate with it. In this case, even if the vibration at the vibration source is not so large, the finger will be expanded beyond the allowable value.

【0007】そして、フィンガの振れが大きくなると、
このフィンガに保持されたウエハの位置が搬送中にずれ
たり、脱落するという不具合を引き起こすおそれがあ
る。また、移載動作を高速化するほどその問題は深刻と
なる。
When the deflection of the fingers becomes large,
There is a possibility that the position of the wafer held by the finger may be displaced during transportation or may fall off. Moreover, the problem becomes more serious as the transfer operation is accelerated.

【0008】このような事態を避けるには、まず、振動
源を無くすことが考えられるが、振動の少ない多軸位置
決め装置の実現にはコストが非常にかかる。また、ある
程度の動作速度を維持しつつ振動の発生をなくすという
ことは不可能である。
In order to avoid such a situation, it is conceivable to eliminate the vibration source first, but it is very costly to realize a multi-axis positioning device with little vibration. Further, it is impossible to eliminate the occurrence of vibration while maintaining a certain operating speed.

【0009】また、上記フィンガの固有振動数を振動源
の周波数から十分に小さくするかあるいは大きくして共
振を避ける方法も考えられる。しかし、固有振動数を低
くするために上記フィンガをさらに薄形化すると、フィ
ンガの剛性が低くなり過ぎ、ウエハを載せたときや加減
速の際にこのフィンガが撓んでしまうということがあ
る。
It is also conceivable to make the natural frequency of the finger sufficiently smaller or larger than the frequency of the vibration source to avoid resonance. However, if the finger is further thinned in order to reduce the natural frequency, the rigidity of the finger becomes too low and the finger may bend when the wafer is placed or during acceleration / deceleration.

【0010】また、固有振動数を大きくためには、フィ
ンガの厚みを増す必要があるが、上述したように、キャ
リアの棚のピッチが狭いため、それにも制限がある。こ
の発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、ウ
エハを支持するフィンガに発生する振動を有効に抑制す
ることができるウエハ移載装置を提供することを目的と
するものである。
Further, in order to increase the natural frequency, it is necessary to increase the thickness of the fingers, but as described above, the pitch of the carrier racks is narrow, which is also a limitation. The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a wafer transfer device capable of effectively suppressing vibration generated in a finger that supports a wafer.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】この発明の第1の手段
は、フィンガ上にウエハを保持し、このウエハを移載す
るウエハ移載装置において、上記フィンガは、積層され
た複数の板から構成され、振動した際、上記複数の板間
に変位を生じさせることでこのフィンガの振動を減衰す
るものであることを特徴とするウエハ移載装置である。
A first means of the present invention is a wafer transfer apparatus for holding a wafer on a finger and transferring the wafer, wherein the finger is composed of a plurality of laminated plates. The wafer transfer device is characterized in that, when vibrated, the vibrations of the fingers are attenuated by causing a displacement between the plurality of plates.

【0012】第2の手段は、上記第1の手段のウエハ移
載装置において、上記フィンガの各板には凹凸が形成さ
れ、上記各板どうしはこの凹凸を組み合わせることで積
層されていることを特徴とするウエハ移載装置である。
The second means is that in the wafer transfer apparatus of the first means, each plate of the fingers is formed with irregularities, and the respective plates are laminated by combining these irregularities. A characteristic wafer transfer device.

【0013】このような構成によれば、フィンガは、振
動した際、上記積層された複数の板間に変位を生じさせ
ることで、上記振動エネルギを摩擦などにより発生する
熱エネルギに変換することができ、このことにより上記
振動を抑制することができる。
According to this structure, when the fingers vibrate, the fingers generate a displacement between the laminated plates, thereby converting the vibration energy into heat energy generated by friction or the like. This makes it possible to suppress the vibration.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】以下、この発明の一実施形態を図
面を参照して説明する。図1に示すのは、ウエハ1を収
納するキャリア2およびこのキャリア2からウエハ1を
取り出すウエハ移載装置3である。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 shows a carrier 2 for accommodating a wafer 1 and a wafer transfer device 3 for taking out the wafer 1 from the carrier 2.

【0015】上記キャリア2は、上記ウエハ移載装置3
側に開放する箱状の本体4と、この本体4の内壁に上下
方向に所定のピッチで設けられた収納棚5とからなる。
各収納棚5は、上記キャリア2の内壁面から所定寸法突
出する突出片6から構成され、上記ウエハ1の周縁部を
保持することができるようになっている。
The carrier 2 is the wafer transfer device 3 described above.
It is composed of a box-shaped main body 4 opened to the side, and a storage rack 5 provided on the inner wall of the main body 4 in the vertical direction at a predetermined pitch.
Each of the storage shelves 5 is composed of a projecting piece 6 projecting from the inner wall surface of the carrier 2 by a predetermined dimension so that the peripheral edge of the wafer 1 can be held.

【0016】一方、上記ウエハ移載装置3は、ベース7
と、このベース7に設けられた多軸位置決め機構8と、
この多軸位置決め機構8に取り付けられ、上記キャリア
2の方向に進退駆動される移動体9と、この移動体9に
固定されたウエハ保持用のフィンガ10とからなる。
On the other hand, the wafer transfer device 3 has a base 7
And a multi-axis positioning mechanism 8 provided on the base 7,
The multi-axis positioning mechanism 8 includes a moving body 9 that is driven to move back and forth in the direction of the carrier 2, and a wafer holding finger 10 fixed to the moving body 9.

【0017】上記多軸位置決め機構8は、上記フィンガ
10を上下、水平および回転方向に駆動するものであ
り、この機構8の各軸は、サーボモータ、ステッピング
モータ等の原動機、ボールねじ、歯車、ベルト等の伝達
機構、直動ベアリング等の案内機構から構成されてい
る。
The multi-axis positioning mechanism 8 drives the finger 10 in the vertical, horizontal and rotational directions. Each axis of the mechanism 8 has a prime mover such as a servo motor or a stepping motor, a ball screw, a gear, It is composed of a transmission mechanism such as a belt and a guide mechanism such as a linear motion bearing.

【0018】また、上記フィンガ10は、図2に示すよ
うに、上記移動体9に固定された主薄板11と、この主
薄板11の上側に積層された補助薄板12とからなる。
図3は、図2において、このフィンガ10を矢視A方向
から見た縦断面図である。
As shown in FIG. 2, the finger 10 is composed of a main thin plate 11 fixed to the movable body 9 and an auxiliary thin plate 12 laminated on the upper side of the main thin plate 11.
FIG. 3 is a vertical cross-sectional view of the finger 10 seen in the direction of arrow A in FIG.

【0019】上記主薄板11と補助薄板12は、それぞ
れに上記フィンガ10の幅方向に交互に設けられた凹凸
11a、12aが形成され、両者は、各凹凸11a、1
2aを互いに噛み合わせることで積層されるようになっ
ている。
The main thin plate 11 and the auxiliary thin plate 12 are respectively formed with irregularities 11a and 12a which are alternately provided in the width direction of the finger 10, and both are respectively irregularities 11a and 1a.
2a is laminated by engaging with each other.

【0020】なお、この主薄板11と補助薄板12は、
互いに接着されておらず、幅方向両端部に設けられた樹
脂性のシール材13によって結合されているのみであ
る。また、上記補助薄板12の上面は平坦に形成され、
上記ウエハ1の保持面となっている。
The main thin plate 11 and the auxiliary thin plate 12 are
They are not bonded to each other, but are only bonded by the resinous sealing material 13 provided at both ends in the width direction. In addition, the upper surface of the auxiliary thin plate 12 is formed flat,
It serves as a holding surface for the wafer 1.

【0021】次に、この装置の動作について説明する。
この装置は、例えば、上記キャリア2からウエハ1を取
り出し、オリフラ(図1および図2に示す1a)合わせ
を行った後、このウエハ1を再び上記キャリア2内に収
納するのに用いられる。
Next, the operation of this device will be described.
This apparatus is used, for example, to take the wafer 1 out of the carrier 2, align the orientation flat (1a shown in FIGS. 1 and 2), and then store the wafer 1 in the carrier 2 again.

【0022】この場合、上記ウエハ移載装置3は、上記
多軸位置決め機構8を作動させ、上記フィンガ10の先
端を上記キャリア2の開放側に対向させる。ついで上記
移動体9を上記キャリア2の方向に前進させることで、
上記フィンガ10を所定の収納棚5(ウエハ1)の下側
に侵入させる(図1の状態)。
In this case, the wafer transfer device 3 operates the multi-axis positioning mechanism 8 so that the tips of the fingers 10 face the open side of the carrier 2. Then, by moving the moving body 9 in the direction of the carrier 2,
The fingers 10 are inserted into the lower side of a predetermined storage rack 5 (wafer 1) (state of FIG. 1).

【0023】この状態で上記フィンガ10を若干量上昇
させることで、このフィンガ10の補助薄板12の上面
で上記ウエハ1を保持する。そして、上記移動体9を後
退させることで、上記ウエハ1を上記キャリア2から取
り出す。
In this state, the finger 10 is slightly raised to hold the wafer 1 on the upper surface of the auxiliary thin plate 12 of the finger 10. Then, by moving the moving body 9 backward, the wafer 1 is taken out from the carrier 2.

【0024】ついで、上記多軸位置決め機構8は、上記
フィンガ10を図示しないオリフラ合わせ装置に対向さ
せ、この装置に上記ウエハ1を受け渡す。オリフラ合わ
せが行われたならば、再び上記フィンガ10でウエハ1
を受け取り、上記キャリア2の各棚5に収納するように
する。
Next, the multi-axis positioning mechanism 8 makes the fingers 10 face an orientation flat aligning device (not shown) and transfers the wafer 1 to this device. When the orientation flat alignment is performed, the wafer 1 is again held by the finger 10 described above.
To be stored in each shelf 5 of the carrier 2.

【0025】以上のような動作を行う際、上記フィンガ
10は、上記多軸位置決め機構8によって上下、水平お
よび回転方向に駆動されて上記ウエハ1の受け取りおよ
び受け渡しの動作を行うため、この多軸位置決め機構8
側からかなりの振動が伝達されることとなる。
When performing the above-described operation, the fingers 10 are driven in the vertical, horizontal and rotational directions by the multi-axis positioning mechanism 8 to perform the operation of receiving and delivering the wafer 1. Positioning mechanism 8
A considerable vibration is transmitted from the side.

【0026】この振動は、上記移動体9を通じてまず上
記主薄板11に伝わることとなる。しかし、この主薄板
11には、補助薄板12が積層され、かつこの補助薄板
12は上記主薄板11に固定されていない。したがっ
て、この主薄板11が振動しようとして反ると、この主
薄板11と補助薄板12の境界部(凹凸11a、12
a)で両者間に相対変位が生じ「こすれ」(摩擦)が生
じることとなる。また、これに伴い上記シール材13に
は歪みが生じることとなる。
This vibration is first transmitted to the main thin plate 11 through the moving body 9. However, the auxiliary thin plate 12 is laminated on the main thin plate 11, and the auxiliary thin plate 12 is not fixed to the main thin plate 11. Therefore, when the main thin plate 11 warps while trying to vibrate, the boundary portion between the main thin plate 11 and the auxiliary thin plate 12 (irregularities 11a, 12).
In a), relative displacement occurs between the two and "rubbing" (friction) occurs. Further, along with this, the sealing material 13 is distorted.

【0027】このように摩擦や歪みが生じると、この境
界部の温度が上昇し、この温度上昇によって振動エネル
ギが吸収されることとなる。このことによって上記フィ
ンガ10の振動は有効に減衰される。したがって、上記
フィンガ10に生じる振動は共振域に達する前に抑制さ
れることとなる。
When friction and strain occur in this way, the temperature at this boundary rises, and this rise in temperature absorbs vibration energy. This effectively damps the vibration of the finger 10. Therefore, the vibration generated in the finger 10 is suppressed before reaching the resonance range.

【0028】このような構成によれば、以下に説明する
効果を得ることができる。すなわち、上記構成によれ
ば、フィンガ10を主薄板11と補助薄板12とからな
る二層構造にし、両者の間で摩擦等を生じさせること
で、上記フィンガ10に振動減衰特性を持たせるように
した。このことにより、簡易な構成でフィンガ10に生
じる振動を有効に抑制することができる効果がある。
With this structure, the effects described below can be obtained. That is, according to the above configuration, the finger 10 has a two-layer structure composed of the main thin plate 11 and the auxiliary thin plate 12, and friction or the like is generated between the both, so that the finger 10 has a vibration damping characteristic. did. This has the effect of effectively suppressing the vibration generated in the finger 10 with a simple configuration.

【0029】また、両者は、互いに凹凸11a、12a
を噛み合わせることで組み合わされているので、平坦面
どうしを接触させている場合と比較すると接動面積が大
きくなる。したがって、その分摩擦により発生するエネ
ルギを大きくできるから、減衰特性を大きくすることが
できる。
Further, both of them have irregularities 11a and 12a.
Since they are combined by engaging with each other, the contact area becomes larger than that in the case where flat surfaces are brought into contact with each other. Therefore, the amount of energy generated by friction can be increased correspondingly, so that the damping characteristic can be increased.

【0030】さらに、上記主薄板11と保持薄板12
は、一方の面が凹凸11a、12aに形成されているか
ら、単なる平板状の場合と比較して断面係数が大きくな
る。このことで、上記主薄板11および補助薄板12の
曲げ剛性を高く保持することができる。このことによ
り、フィンガ10の剛性を確保しつつ上記フィンガ10
の厚さが増加することを有効に防止できる。
Further, the main thin plate 11 and the holding thin plate 12
Since one surface is formed with the concavities and convexities 11a and 12a, the section modulus becomes larger than that in the case of a simple flat plate. As a result, the bending rigidity of the main thin plate 11 and the auxiliary thin plate 12 can be kept high. As a result, the finger 10 is secured while ensuring the rigidity of the finger 10.
It is possible to effectively prevent an increase in thickness.

【0031】以上のべたことにより、簡易な構成でフィ
ンガ10に減衰特性を持たせることができるから、この
フィンガ10が過度に振動することによって、上記ウエ
ハ1が脱落したり、ウエハ1が破損したりすることを有
効に防止することができる。また、フィンガ10の振動
を抑制することができる分、このフィンガ10をより高
速で駆動位置決めすることができ、半導体装置の生産性
を向上することができる効果もある。
As described above, since the finger 10 can have the damping characteristic with a simple structure, the excessive vibration of the finger 10 causes the wafer 1 to drop off or the wafer 1 to be damaged. Can be effectively prevented. Further, since the vibration of the finger 10 can be suppressed, the finger 10 can be driven and positioned at a higher speed, and the productivity of the semiconductor device can be improved.

【0032】なお、この発明は、上記一実施形態に限定
されるものではなく、発明の要旨を変更しない範囲で種
々変形可能である。例えば、上記一実施形態では、上記
フィンガ10は、二層構造であったが、これに限定され
るものではなく、三層以上の構造であっても良い。三層
構造のフィンガであれば、二層構造のフィンガ10と比
較して各層間の摺動面積を大きくすることができる。
The present invention is not limited to the above-mentioned one embodiment, but can be variously modified without changing the gist of the invention. For example, although the finger 10 has a two-layer structure in the one embodiment, the finger 10 is not limited to this and may have a structure of three or more layers. A finger having a three-layer structure can increase the sliding area between the layers as compared with the finger 10 having a two-layer structure.

【0033】また、上記一実施形態では、フィンガ10
の主薄板11と補助薄板12とを接着せず、摺動可能と
することでこの摺動部に摩擦熱を発生させる構成であっ
たが、これに限定されるものではなく、例えば、上記主
薄板11と補助薄板12とを弾性を有する接着剤で接着
することで、この接着剤を発熱させるようにしても良
い。このような構成であっても、上記一実施形態と同様
に振動エネルギを熱エネルギに変換することができるの
で、同様に振動を抑制することができる。
In the above embodiment, the finger 10 is used.
The main thin plate 11 and the auxiliary thin plate 12 are not bonded to each other and are made slidable so that frictional heat is generated in this sliding portion. However, the present invention is not limited to this and, for example, The thin plate 11 and the auxiliary thin plate 12 may be bonded to each other with an adhesive having elasticity to heat the adhesive. Even with such a configuration, the vibration energy can be converted into the heat energy as in the above-described embodiment, so that the vibration can be similarly suppressed.

【0034】さらに、上記一実施形態では、上記主薄板
11のみを移動体9に固定したが、これに限定されるも
のではなく、上記補助薄板12についても上記移動体9
に固定するようにしても良い。このような構成であって
も、2枚の板11、12間に変位が生じるので上記一実
施形態と同様の効果を得ることができる。
Further, in the above-described embodiment, only the main thin plate 11 is fixed to the moving body 9, but the present invention is not limited to this, and the auxiliary thin plate 12 is also moved to the moving body 9.
It may be fixed to. Even with such a configuration, since displacement occurs between the two plates 11 and 12, the same effect as that of the above-described embodiment can be obtained.

【0035】[0035]

【発明の効果】以上述べたように、この発明は、ウエハ
を保持するフィンガを、積層された複数の板で構成する
ようにし、振動した際上記複数の板間に変位を生じさせ
ることで、この部位に摩擦等による熱を発生させ、振動
エネルギを熱エネルギに変換するようにしたものであ
る。
As described above, according to the present invention, the fingers for holding the wafer are constituted by a plurality of laminated plates, and when the fingers are vibrated, displacement is caused between the plurality of plates. Heat is generated in this portion due to friction or the like, and the vibration energy is converted into heat energy.

【0036】このような構成によれば、このフィンガを
厚くして剛性を向上させる等の措置をとらずに、このフ
ィンガに振動減衰特性を持たせることができる。したが
って、駆動側からの振動との間で共振を起こすことを有
効に防止できるので、移載中にウエハがずれたり脱落す
るという不具合を有効に防止することができる。また、
上記フィンガの各板に凹凸を形成し、上記各板どうしを
この凹凸を組み合わせて積層することで、各板の接動面
積を大きくすることができる。このことにより上記熱エ
ネルギがより有効に発生するので減衰効果が大きくな
る。また、凹凸を設けることで、厚さを増すことなく、
各板の曲げ剛性を向上させる効果もある。
According to this structure, the finger can have the vibration damping characteristic without taking measures such as increasing the thickness of the finger to improve the rigidity. Therefore, it is possible to effectively prevent the occurrence of resonance with the vibration from the driving side, so that it is possible to effectively prevent the problem that the wafer is displaced or dropped during the transfer. Also,
It is possible to increase the contact area of each plate by forming the unevenness on each plate of the finger and stacking the plates by combining the unevenness. As a result, the thermal energy is generated more effectively, and the damping effect is increased. Also, by providing unevenness, without increasing the thickness,
It also has the effect of improving the bending rigidity of each plate.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明の一実施形態を示す概略構成図。FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing an embodiment of the present invention.

【図2】同じく、要部を拡大して示す平面図および側面
図。
FIG. 2 is a plan view and a side view showing an enlarged main part of the same.

【図3】同じく、図2のAーA線に沿う拡大縦断面図。FIG. 3 is an enlarged vertical sectional view taken along line AA of FIG.

【図4】フィンガの振動モードを示す説明図。FIG. 4 is an explanatory diagram showing vibration modes of fingers.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…ウエハ、3…ウエハ移載装置、10…フィンガ、1
1…主薄板(板)、11a…凹凸、12…補助薄板
(板)、12a…凹凸。
1 ... Wafer, 3 ... Wafer transfer device, 10 ... Finger, 1
1 ... Main thin plate (plate), 11a ... Unevenness, 12 ... Auxiliary thin plate (plate), 12a ... Unevenness.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 フィンガ上にウエハを保持し、このウエ
ハを移載するウエハ移載装置において、 上記フィンガは、積層された複数の板から構成され、振
動した際、上記複数の板間に変位を生じさせることでこ
のフィンガの振動を減衰するものであることを特徴とす
るウエハ移載装置。
1. A wafer transfer apparatus for holding a wafer on a finger and transferring the wafer, wherein the finger is composed of a plurality of stacked plates, and when the finger is vibrated, the finger is displaced between the plurality of plates. The wafer transfer device is characterized in that the vibration of the finger is attenuated by causing
【請求項2】 請求項1記載のウエハ移載装置におい
て、 上記フィンガの各板には凹凸が形成され、上記各板どう
しはこの凹凸を組み合わせることで積層されていること
を特徴とするウエハ移載装置。
2. The wafer transfer apparatus according to claim 1, wherein each plate of the fingers is formed with concavities and convexities, and the respective plates are stacked by combining the concavities and convexities. Mounting device.
JP31061395A 1995-11-29 1995-11-29 Wafer transfer apparatus Pending JPH09148401A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP31061395A JPH09148401A (en) 1995-11-29 1995-11-29 Wafer transfer apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP31061395A JPH09148401A (en) 1995-11-29 1995-11-29 Wafer transfer apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH09148401A true JPH09148401A (en) 1997-06-06

Family

ID=18007377

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP31061395A Pending JPH09148401A (en) 1995-11-29 1995-11-29 Wafer transfer apparatus

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH09148401A (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020073417A (en) * 2010-12-15 2020-05-14 シムボティック エルエルシー Autonomous transport vehicle
US11078017B2 (en) 2010-12-15 2021-08-03 Symbotic Llc Automated bot with transfer arm
US11273981B2 (en) 2010-12-15 2022-03-15 Symbolic Llc Automated bot transfer arm drive system
US11396427B2 (en) 2009-04-10 2022-07-26 Symbotic Llc Autonomous transports for storage and retrieval systems

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11396427B2 (en) 2009-04-10 2022-07-26 Symbotic Llc Autonomous transports for storage and retrieval systems
JP2020073417A (en) * 2010-12-15 2020-05-14 シムボティック エルエルシー Autonomous transport vehicle
US11078017B2 (en) 2010-12-15 2021-08-03 Symbotic Llc Automated bot with transfer arm
US11273981B2 (en) 2010-12-15 2022-03-15 Symbolic Llc Automated bot transfer arm drive system

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8339016B2 (en) Vibration wave driving device
JP2011043227A (en) Base-isolated table having damping mechanism and base-isolated table unit using the same
JP6260109B2 (en) Load port device
KR20080080493A (en) Vibration isolation mechanism for article receiving container
US7956513B2 (en) Method of driving a driving device
JP5470060B2 (en) Storage tray
KR20220002620A (en) drive
JPH09148401A (en) Wafer transfer apparatus
JP2014129167A (en) Part inversion unit
US11336211B2 (en) Vibration wave motor and driving apparatus using vibration wave motor
JP2006076617A (en) Storage tray and storing device
JP2011178531A (en) Slip sheet transfer method and slip sheet transfer device
TWI237297B (en) Apparatus for mounting semiconductors
KR20180077559A (en) Apparatus for transferring trays
Kurisaki et al. A newly developed XY planar nano-motion table system with large travel ranges
JP5958013B2 (en) Actuators and robots
JP2009040459A (en) Cushion member for package
JP6265188B2 (en) Transfer equipment
WO2001010608A1 (en) Work transfer device
KR101763727B1 (en) Separator and apparatus for transferring workpiece having the same
WO2011087453A1 (en) Direct drive xyz positioning system with reduced moving parts
JP2017052599A (en) Transfer device and control method of transfer device
JP7398896B2 (en) Drive device, die bonder, bonding method, and semiconductor device manufacturing method
JP2005332868A (en) Work storing cassette
KR20000055001A (en) Apparatus for transferring semiconductor device