JPH09147758A - Color cathode-ray tube and its manufacture - Google Patents
Color cathode-ray tube and its manufactureInfo
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- JPH09147758A JPH09147758A JP24488196A JP24488196A JPH09147758A JP H09147758 A JPH09147758 A JP H09147758A JP 24488196 A JP24488196 A JP 24488196A JP 24488196 A JP24488196 A JP 24488196A JP H09147758 A JPH09147758 A JP H09147758A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、カラー陰極線管及
びその製造方法に係わり、特に、色選別電極の電子ビー
ム衝突面にバルク密度の高い酸化ビスマス(Bi2 O
3 )薄膜からなる電子ビーム反射膜を備えたカラー陰極
線管及び色選別電極の一面に電子ビーム反射膜を蒸着さ
せる工程を含むカラー陰極線管の製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a color cathode ray tube and a method for manufacturing the same, and more particularly to bismuth oxide (Bi 2 O 2) having a high bulk density on an electron beam collision surface of a color selection electrode.
3 ) A color cathode ray tube having an electron beam reflecting film made of a thin film, and a method of manufacturing a color cathode ray tube including a step of depositing an electron beam reflecting film on one surface of a color selection electrode.
【0002】[0002]
【従来の技術】一般に、カラー陰極線管においては、電
子銃から出射された3本の電子ビームが、例えばシャド
ウマスク等の色選別電極の電子ビーム通過孔を通してパ
ネル部内面に形成されている螢光膜に投射されると、電
子ビームが投射された螢光膜の画素部分が発光し、螢光
膜全体で所要のカラー画像が表示される。2. Description of the Related Art Generally, in a color cathode ray tube, three electron beams emitted from an electron gun are formed on an inner surface of a panel through an electron beam passage hole of a color selection electrode such as a shadow mask. When projected onto the film, the pixel portion of the fluorescent film onto which the electron beam has been projected emits light, and a desired color image is displayed on the entire fluorescent film.
【0003】かかる画像表示動作時に、色選別電極、例
えばシャドウマスクにおける電子ビームの透過率は、通
常10乃至20%程度である。そして、色選別電極を通
過できずに色選別電極に衝突した電子ビームは、色選別
電極内を電流として流れ、この電流によるジュール熱に
よって色選別電極が熱膨張する。この結果、色選別電極
と、パネル部内面に形成されている螢光膜との位置関係
が若干変化し、螢光膜に投射される電子ビームにランデ
ィングエラーが発生する。かかる電子ビームのランディ
ングエラーは、表示画像に色ずれを生じさせるもので、
このような現象をマスクドーミングと呼んでいる。カラ
ー陰極線管の表示画像に、マスクドーミングが生じる
と、その表示画像の色純度及び白色均一性が大幅に劣化
する。During such an image display operation, the electron beam transmittance of the color selection electrode, for example, a shadow mask is usually about 10 to 20%. Then, the electron beam that cannot pass through the color selection electrode and strikes the color selection electrode flows as a current in the color selection electrode, and the color selection electrode thermally expands due to Joule heat due to this current. As a result, the positional relationship between the color selection electrode and the fluorescent film formed on the inner surface of the panel part is slightly changed, and a landing error occurs in the electron beam projected on the fluorescent film. Such an electron beam landing error causes a color shift in a display image.
This phenomenon is called mask doming. When mask doming occurs in the display image of the color cathode ray tube, the color purity and whiteness uniformity of the display image are significantly deteriorated.
【0004】ところで、カラー陰極線管に用いられてい
る既知のマスクドーミング抑圧手段は、色選別電極を熱
膨張率の低い金属、例えば、アンバー合金によって構成
し、かつ、色選別電極の電子ビーム衝突面に電子ビーム
反射膜をコーティングすることにより、色選別電極に入
力される電子ビームエネルギを減少させ、もって、色選
別電極の熱膨張を抑圧し、マスクドーミング量を減少さ
せているものである。By the way, in the known mask doming suppression means used in the color cathode ray tube, the color selection electrode is made of a metal having a low coefficient of thermal expansion, for example, amber alloy, and the electron beam collision surface of the color selection electrode. By coating an electron beam reflection film on the surface of the color selection electrode, the electron beam energy input to the color selection electrode is reduced, thereby suppressing thermal expansion of the color selection electrode and reducing the mask doming amount.
【0005】この場合、色選別電極に電子ビーム反射膜
を形成する方法としては、特開昭63−80438号公
報に開示された第1の方法、特開昭63−80439号
公報に開示された第2の方法、特開平2−75132号
公報に開示された第3の方法、特開昭62−28352
6号公報に開示された第4の方法等が知られている。In this case, as a method of forming the electron beam reflecting film on the color selection electrode, the first method disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 63-80438 and the Japanese Patent Laid-Open No. 63-80439 are disclosed. Second method, third method disclosed in JP-A-2-75132, JP-A-62-28352
A fourth method disclosed in Japanese Patent No. 6 is known.
【0006】前記第1の方法は、ステンレス製の蒸発皿
に載せた酸化ビスマス(Bi2 O3)を誘導加熱によっ
てシャドウマスク(色選別電極)の一面に真空蒸着し、
電子ビーム反射膜を形成する方法である。In the first method, bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) placed on a stainless steel evaporation dish is vacuum-deposited on one surface of a shadow mask (color selection electrode) by induction heating,
This is a method of forming an electron beam reflecting film.
【0007】前記第2の方法は、タングステン製のボー
トを抵抗加熱し、酸化ビスマス(Bi2 O3 )をシャド
ウマスク(色選別電極)の一面に真空蒸着し、電子ビー
ム反射膜を形成する方法である。In the second method, a tungsten boat is resistance-heated and bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) is vacuum-deposited on one surface of a shadow mask (color selection electrode) to form an electron beam reflection film. Is.
【0008】前記第3の方法は、金属ビスマス(Bi)
粉末の焼結ペレットをタングステン(W)製のボート上
で抵抗加熱し、シャドウマスク(色選別電極)の一面に
金属ビスマス(Bi)の電子ビーム反射膜を真空蒸着す
る方法である。In the third method, metal bismuth (Bi) is used.
This is a method in which a sintered pellet of powder is resistance-heated on a boat made of tungsten (W), and an electron beam reflective film of metal bismuth (Bi) is vacuum-deposited on one surface of a shadow mask (color selection electrode).
【0009】前記第4の方法は、スプレーガンを用い、
酸化ビスマス(Bi2 O3 )粉末の懸濁液を、水ガラス
を結着剤とするスラリとともに吹き付け、シャドウマス
ク(色選別電極)の一面に電子ビーム反射膜として酸化
ビスマス(Bi2 O3 )コーティング膜を形成する方法
である。The fourth method uses a spray gun,
A suspension of bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) powder was sprayed together with a slurry containing water glass as a binder, and bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) oxide was used as an electron beam reflective film on one surface of a shadow mask (color selection electrode). This is a method of forming a coating film.
【0010】[0010]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記第
1乃至第4の方法は、いずれも、以下に述べるように、
種々の問題を有している。However, in any of the first to fourth methods, as described below,
It has various problems.
【0011】まず、前記第1の方法は、被蒸着物が導電
体からなる色選別電極であるため、蒸着装置が複雑とな
り、量産性が悪いものである。また、ステンレス製の蒸
発皿を約900℃の高温に誘導加熱するため、酸化ビス
マス(Bi2 O3 )の一部が蒸発皿のステンレスと化学
反応し、反応生成物も同時に色選別電極に蒸着されるよ
うになり、極端な場合には、酸化ビスマス(Bi2 O
3 )が蒸発皿のステンレスと化学反応して還元され、還
元された金属ビスマス(Bi)が色選別電極に蒸着され
る。そして、蒸着された金属ビスマス(Bi)は、融点
が約270℃というように比較的低いため、カラー陰極
線管製造工程における約400乃至450℃の加熱処理
時に、金属ビスマス(Bi)の小球、いわゆるビスマス
ボールになって色選別電極上に形成されるようになり、
その後で、このビスマスボールが振動等によって剥離
し、カラー陰極線管の耐電圧を劣化させる。First, in the first method, since the material to be vapor-deposited is a color selection electrode made of a conductor, the vapor deposition apparatus becomes complicated and the mass productivity is poor. In addition, since the stainless steel evaporation dish is induction-heated to a high temperature of about 900 ° C, a part of bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) chemically reacts with the stainless steel of the evaporation dish, and the reaction product is simultaneously deposited on the color selection electrode. In an extreme case, bismuth oxide (Bi 2 O
3 ) is chemically reacted with the stainless steel of the evaporating dish to be reduced, and the reduced metal bismuth (Bi) is deposited on the color selection electrode. Since the vapor-deposited metal bismuth (Bi) has a relatively low melting point of about 270 ° C., when the heat treatment at about 400 to 450 ° C. is performed in the color cathode ray tube manufacturing process, the metal bismuth (Bi) small spheres, It becomes so-called bismuth ball and is formed on the color selection electrode,
After that, the bismuth balls are peeled off by vibration or the like, and the withstand voltage of the color cathode ray tube is deteriorated.
【0012】次に、前記第2の方法は、タングステン製
ボートの抵抗加熱によって酸化ビスマス(Bi2 O3 )
を加熱するため、第1の方法の加熱温度より高い加熱温
度が必要になり、加熱によってタングステン製ボートと
酸化ビスマス(Bi2 O3 )とが反応して溶融温度が上
昇し、酸化ビスマス(Bi2 O3 )よりも密度の小さい
物質が生成する。また、圧力が10~2Torrという低
真空領域における蒸着であるため、酸化ビスマス(Bi
2 O3 )の蒸発物が酸素(O2 )あるいは窒素
(N2 )、水蒸気(H2 O)等の残留ガスを引き込み、
非常にポーラスな状態で蒸着される。このとき得られた
膜は、不純物も蒸着されているため、膜組成が不均一に
なり、高密度の膜ができ難く、特に膜厚がμmオーダ以
下のときに均一な薄膜が得られず、電子ビームの反射効
果が大幅に悪化するようになる。さらに、第1の方法と
同様に、タングステン製ボートにより加熱するため、酸
化ビスマス(Bi2 O3 )の一部が蒸発してボートのタ
ングステンと化学反応し、反応生成物も色選別電極に蒸
着される。そして、極端な場合には、酸化ビスマス(B
i2O3 )が蒸発してボートのタングステンと化学反応
して還元され、還元された金属ビスマス(Bi)が色選
別電極に蒸着され、ビスマスボールが色選別電極上に形
成されるようになり、その後で、このビスマスボールが
振動等により剥離し、カラー陰極線管の耐電圧を劣化さ
せる。Next, in the second method, bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) is formed by resistance heating of a boat made of tungsten.
In order to heat the bismuth oxide, a heating temperature higher than the heating temperature of the first method is required, and the heating causes the boat made of tungsten and bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) to react with each other to raise the melting temperature and increase the bismuth oxide (Bi oxide). A substance having a density lower than that of 2 O 3 ) is produced. Further, since the vapor deposition is performed in the low vacuum region of 10 to 2 Torr, bismuth oxide (Bi
2 O 3 ) evaporates withdraw residual gas such as oxygen (O 2 ) or nitrogen (N 2 ), steam (H 2 O),
It is deposited in a very porous state. Since the film obtained at this time is also vapor-deposited with impurities, the film composition becomes non-uniform, and it is difficult to form a high-density film. In particular, when the film thickness is on the order of μm or less, a uniform thin film cannot be obtained. The reflection effect of the electron beam becomes significantly worse. Further, as in the first method, since the boat made of tungsten is used for heating, part of bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) evaporates and chemically reacts with tungsten in the boat, and the reaction product is also deposited on the color selection electrode. To be done. And in an extreme case, bismuth oxide (B
i 2 O 3 ) evaporates and chemically reacts with the tungsten of the boat to be reduced, and the reduced metal bismuth (Bi) is deposited on the color selection electrode to form bismuth balls on the color selection electrode. After that, the bismuth balls are peeled off by vibration or the like, and the withstand voltage of the color cathode ray tube is deteriorated.
【0013】次いで、前記第3の方法は、蒸着膜の材料
となる金属ビスマス(Bi)の融点が通常270℃前後
であって、カラー陰極線管の製造工程における熱処理時
の温度約400乃至450℃よりも低いため、製造工程
における熱処理時に、色選別電極の一面に形成された金
属ビスマス(Bi)の蒸着膜が溶融し、その表面張力に
よって金属ビスマス(Bi)が球状化し、ビスマスボー
ルを形成する。そして、このビスマスボールが色選別電
極の電子ビーム透過孔に付着すると、電子ビーム透過孔
を塞ぎ、色選別電極にマスク詰まりを発生させ、このよ
うな色選別電極のマスク詰まりは、高密度かつ高精細の
表示画像を要求されるファインピッチのカラー陰極線管
にとっては致命的な画素欠陥をもたらす。また、金属ビ
スマス(Bi)粉末の焼結ペレットは、それ自体高価で
あるため、電子ビーム反射膜を形成する場合にコスト高
になってしまう。Next, in the third method, the melting point of metal bismuth (Bi), which is the material of the deposited film, is usually around 270 ° C., and the temperature during the heat treatment in the manufacturing process of the color cathode ray tube is about 400 to 450 ° C. Therefore, during heat treatment in the manufacturing process, the vapor-deposited film of metal bismuth (Bi) formed on one surface of the color selection electrode is melted, and the surface tension causes the metal bismuth (Bi) to be spherical and form a bismuth ball. . When the bismuth ball adheres to the electron beam transmitting hole of the color selecting electrode, it blocks the electron beam transmitting hole and causes mask clogging of the color selecting electrode. This causes a fatal pixel defect for a fine pitch color cathode ray tube which requires a fine display image. Further, since the sintered pellet of metal bismuth (Bi) powder is expensive in itself, the cost becomes high when the electron beam reflecting film is formed.
【0014】続く、前記第4の方法は、電子ビーム反射
膜を形成するスプレー材料として、酸化ビスマス(Bi
2 O3 )粉による懸濁液を用いているため、形成された
酸化ビスマス(Bi2 O3 )コーティング膜の粒子が粗
くなるとともに、コーティング膜の膜厚が厚くなり、色
選別電極に形成される電子ビーム透過孔の形状が不揃い
になる。そして、電子ビーム透過孔の形状が不揃いにな
ると、ハレーションの増加やマスクパターンの忠実度が
低下するとともに、表示画像の色純度及び白色均一性を
劣化させるもので、このような特性の劣化は、高密度か
つ高精細の表示画像を要求されるファインピッチのカラ
ー陰極線管にとって致命的な性能劣化をもたらす。In the fourth method, bismuth oxide (Bi) is used as a spray material for forming an electron beam reflecting film.
2 O 3 ) powder suspension is used, the particles of the formed bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) coating film become coarse, and the thickness of the coating film becomes thick, so that it is formed on the color selection electrode. The electron beam transmission holes have different shapes. When the shapes of the electron beam transmission holes become irregular, the halation increases and the fidelity of the mask pattern decreases, and the color purity and the whiteness uniformity of the display image deteriorate. For a fine-pitch color cathode-ray tube that requires a high-density and high-definition display image, it causes fatal performance deterioration.
【0015】本発明は、これらの問題点を解決するもの
で、その第1の目的は、色選別電極に、高密度かつ高精
細な画像表示が可能な電子ビーム反射膜を形成したカラ
ー陰極線管を提供することにある。The present invention solves these problems, and a first object thereof is a color cathode ray tube in which an electron beam reflecting film capable of high-density and high-definition image display is formed on a color selection electrode. To provide.
【0016】また、本発明の第2の目的は、色選別電極
に、高密度かつ高精細な画像表示が可能な電子ビーム反
射膜を形成可能にしたカラー陰極線管の製造方法を提供
することにある。A second object of the present invention is to provide a method of manufacturing a color cathode ray tube in which an electron beam reflecting film capable of high-density and high-definition image display can be formed on a color selection electrode. is there.
【0017】[0017]
【課題を解決するための手段】前記第1の目的を達成す
るために、本発明によるカラー陰極線管は、色選別電極
の電子ビームが衝突する面に、バルク密度が4.0乃至
9.3g/cm3 の酸化ビスマス(Bi2 O3 )薄膜か
らなる電子ビーム反射膜を形成した第1の手段を具備す
る。In order to achieve the first object, the color cathode ray tube according to the present invention has a bulk density of 4.0 to 9.3 g on the surface of the color selection electrode on which the electron beam impinges. / Cm 3 of the bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) thin film formed by the electron beam reflection film.
【0018】また、前記第2の目的を達成するために、
本発明によるカラー陰極線管の製造方法は、真空容器内
に試料載置部、色選別電極載置部、加熱手段等を含み、
排気手段を有する真空蒸着装置を用い、試料載置部に酸
化ビスマス(Bi2 O3 )を載置する工程、色選別電極
載置部に色選別電極を載置する工程、真空容器内を排気
手段で排気する工程、酸化ビスマス(Bi2 O3 )を加
熱手段で加熱気化する工程を経て、色選別電極に酸化ビ
スマス(Bi2 O3 )薄膜からなる電子ビーム反射膜を
蒸着形成する第2の手段を具備する。Further, in order to achieve the second object,
The method for manufacturing a color cathode ray tube according to the present invention includes a sample mounting part, a color selection electrode mounting part, a heating means, etc. in a vacuum container,
Using a vacuum vapor deposition apparatus having an evacuation means, a step of placing bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) on the sample mounting portion, a step of mounting the color selection electrode on the color selection electrode mounting portion, and exhausting the inside of the vacuum container. Second step of evaporating and forming an electron beam reflection film made of a bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) thin film on the color selection electrode through a step of exhausting by a means and a step of heating and vaporizing bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) by a heating means. It is equipped with means.
【0019】前記第1の手段によれば、色選別電極の一
面に、バルク密度が4.0乃至9.3g/cm3 の緻密
な酸化ビスマス(Bi2 O3 )薄膜からなる電子ビーム
反射膜を形成したので、ビスマスボールの生成がなく、
色選別電極にマスク詰まりが発生しない。このため、画
素欠陥等の致命的な性能の劣化が生じることはなく、高
密度かつ高精細の画像表示が可能なカラー陰極線管が得
られる。According to the first means, an electron beam reflecting film made of a dense bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) thin film having a bulk density of 4.0 to 9.3 g / cm 3 is formed on one surface of the color selection electrode. Since there is no bismuth ball generated,
No mask clogging on the color selection electrode. Therefore, a fatal deterioration in performance such as a pixel defect does not occur, and a color cathode ray tube capable of high-density and high-definition image display can be obtained.
【0020】また、前記第2の手段によれば、酸化ビス
マス(Bi2 O3 )粉末のペレットまたは酸化ビスマス
(Bi2 O3 )粉末が試料載置部(白金または白金合金
製のボート)上で均一に加熱され、酸化ビスマス(Bi
2 O3 )の蒸着速度が速まり、白金または白金合金製の
ボートと酸化ビスマス(Bi2 O3 )との間に化学反応
が起きないので、色選別電極上にバルク密度の高い均質
な酸化ビスマス(Bi2 O3 )薄膜からなる電子ビーム
反射膜が蒸着形成される。Further, the according to the second means, bismuth oxide (Bi 2 O 3) powder pellets or bismuth oxide (Bi 2 O 3) powder sample mounting portion (platinum or platinum alloy boat) above Evenly heated with bismuth oxide (Bi
2 O 3 ) vapor deposition rate is increased, and a chemical reaction does not occur between the platinum or platinum alloy boat and bismuth oxide (Bi 2 O 3 ). An electron beam reflection film made of a bismuth (Bi 2 O 3 ) thin film is formed by vapor deposition.
【0021】[0021]
【発明の実施の形態】本発明の第1の実施の形態におい
て、カラー陰極線管は、内面に螢光膜が形成されたパネ
ル部と、内部に電子銃を収納したネック部と、パネル部
とネック部を連接するファンネル部と、パネル部の内部
に螢光膜に対して離間対向配置され、電子銃から投射さ
れた電子ビームを透過させる多数の電子ビーム透過孔を
有する色選別電極とを備え、色選別電極の電子ビームが
衝突する面にバルク密度が4.0乃至9.3g/cm3
の酸化ビスマス(Bi2 O3 )薄膜からなる電子ビーム
反射膜を形成したものである。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION In the first embodiment of the present invention, a color cathode ray tube includes a panel portion having a fluorescent film formed on the inner surface thereof, a neck portion having an electron gun accommodated therein, and a panel portion. A funnel part connecting the neck part and a color selection electrode having a large number of electron beam transmission holes, which are arranged in the panel part so as to be opposed to the fluorescent film with a space therebetween, for transmitting an electron beam projected from an electron gun. , The bulk density is 4.0 to 9.3 g / cm 3 on the surface of the color selection electrode where the electron beam collides.
Of the bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) thin film of FIG.
【0022】本発明の第1の実施の形態の1つのもの
は、膜厚が5乃至700nmの酸化ビスマス(Bi2 O
3 )薄膜からなる電子ビーム反射膜を形成している。One of the first embodiments of the present invention is a bismuth oxide (Bi 2 O) film having a thickness of 5 to 700 nm.
3 ) An electron beam reflection film consisting of a thin film is formed.
【0023】本発明の第1の実施の形態の他のものは、
単位面積当りの重量が2×10~6乃至6.5×10~4g
/cm2 の酸化ビスマス(Bi2 O3 )薄膜からなる電
子ビーム反射膜を形成している。Another aspect of the first embodiment of the present invention is that
Weight per unit area is 2 × 10 ~ 6 to 6.5 × 10 ~ 4 g
The electron beam reflection film made of a bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) thin film having a thickness of / cm 2 is formed.
【0024】本発明の第1の実施の形態の他のものは、
ビスマス原子と酸素原子のモル比が0.5対1乃至0.
7対1の範囲内にある酸化ビスマス(Bi2 O3 )薄膜
からなる電子ビーム反射膜を形成している。Another aspect of the first embodiment of the present invention is that
The molar ratio of bismuth atom to oxygen atom is 0.5: 1 to 0.
An electron beam reflecting film made of a bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) thin film in the range of 7: 1 is formed.
【0025】本発明の第1の実施の形態の他のものは、
膜厚が色選別電極の板厚の1%以下の酸化ビスマス(B
i2 O3 )薄膜からなる電子ビーム反射膜を形成してい
る。Another aspect of the first embodiment of the present invention is that
The film thickness of bismuth oxide (B
An electron beam reflection film made of i 2 O 3 ) is formed.
【0026】また、本発明の第2の実施の形態におい
て、カラー陰極線管の製造方法は、内面に螢光膜が形成
されたパネル部と、電子銃を収納したネック部と、パネ
ル部とネック部を連接するファンネル部と、パネル部の
内部に螢光膜に対して離間対向配置され、電子銃から投
射された電子ビームを透過させる多数の電子ビーム透過
孔を有する色選別電極とを備えるカラー陰極線管の製造
方法であって、真空容器と、真空容器の排気手段と、真
空容器内に設置され、試料載置面が白金または白金合金
である試料載置部と、色選別電極載置部と、試料載置部
の加熱手段とからなる真空蒸着装置を用い、試料載置部
に酸化ビスマス(Bi2 O3 )を載置する工程、色選別
電極載置部に色選別電極を載置する工程、真空容器内を
排気手段により排気する工程、酸化ビスマス(Bi2 O
3 )を加熱手段により加熱して気化する工程を経て、色
選別電極に酸化ビスマス(Bi2 O3 )薄膜からなる電
子ビーム反射膜を蒸着形成したものである。Further, in the second embodiment of the present invention, the method of manufacturing a color cathode ray tube includes a panel portion having a fluorescent film formed on an inner surface thereof, a neck portion accommodating an electron gun, a panel portion and a neck. A color including a funnel part connecting the parts and a color selection electrode having a large number of electron beam transmitting holes, which are arranged in the panel part so as to be opposed to the fluorescent film at a distance from each other and through which an electron beam projected from an electron gun is transmitted. A method of manufacturing a cathode ray tube, comprising: a vacuum container, an evacuation means for the vacuum container, a sample mounting part that is installed in the vacuum container, and has a sample mounting surface made of platinum or a platinum alloy, and a color selection electrode mounting part. And a step of placing bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) on the sample placing part using a vacuum vapor deposition device comprising a heating means of the sample placing part, and placing a color selecting electrode on the color selecting electrode placing part. Exhaust the inside of the vacuum container with exhaust means That step bismuth oxide (Bi 2 O
3 ) is heated by a heating means to be vaporized, and an electron beam reflection film made of a bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) thin film is vapor-deposited and formed on the color selection electrode.
【0027】本発明の第2の実施の形態の1つのもの
は、バルク密度が4.0乃至9.3g/cm3 になるよ
う、酸化ビスマス(Bi2 O3 )薄膜からなる電子ビー
ム反射膜を蒸着形成している。One of the second embodiments of the present invention is an electron beam reflecting film made of a bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) thin film so as to have a bulk density of 4.0 to 9.3 g / cm 3. Are formed by vapor deposition.
【0028】本発明の第2の実施の形態の他のものは、
真空蒸着装置の試料載置面を、イリジウム(Ir)、オ
スミウム(Os)、パラジウム(Pd)、ロジウム(R
h)、ルテニウム(Ru)の少なくとも1種を含んだ白
金合金によって形成している。Another embodiment of the second embodiment of the present invention is that
The sample mounting surface of the vacuum vapor deposition apparatus is provided with iridium (Ir), osmium (Os), palladium (Pd), rhodium (R).
h), a platinum alloy containing at least one of ruthenium (Ru).
【0029】本発明の第2の実施の形態の他のものは、
真空蒸着装置の試料載置面を、略台形状をなすととも
に、熱による膨張収縮のメカニカルストレスを緩和する
形状に構成している。Another embodiment of the second embodiment of the present invention is that
The sample mounting surface of the vacuum vapor deposition apparatus has a substantially trapezoidal shape and is configured to relieve mechanical stress due to thermal expansion and contraction.
【0030】本発明の第2の実施の形態の他のものは、
真空容器内を排気する工程時に、排気手段を用いて真空
容器内を10~4Torr以下の圧力に排気している。Another embodiment of the second embodiment of the present invention is that
During the step of evacuating the inside of the vacuum container, the inside of the vacuum container is evacuated to a pressure of 10 to 4 Torr or less using an evacuation means.
【0031】本発明の第2の実施の形態の他のものは、
酸化ビスマス(Bi2 O3 )を気化する工程時に加熱手
段を用いる試料載置部の通電加熱によって酸化ビスマス
(Bi2 O3 )を気化している。Another embodiment of the second embodiment of the present invention is that
And vaporizing the bismuth oxide (Bi 2 O 3) by electrical heating of the sample mounting unit using a heating means during the step of vaporizing the bismuth oxide (Bi 2 O 3).
【0032】本発明の第1の実施の形態によれば、色選
別電極の一面に、バルク密度が4.0乃至9.3g/c
m3 の緻密な酸化ビスマス(Bi2 O3 )薄膜からなる
電子ビーム反射膜を形成しているので、カラー陰極線管
の製造工程における加熱処理時にビスマスボールが形成
されず、ビスマスボールの剥離による色選別電極のマス
ク詰まりが発生しないことから、画素欠陥等の致命的な
性能の劣化を生じることがなく、高密度かつ高精細の画
像表示を可能としたファインピッチのカラー陰極線管を
得ることができる。この場合、好ましくは、酸化ビスマ
ス(Bi2 O3)薄膜の膜厚を5乃至700nmに選
び、電子ビーム反射膜の膜厚を色選別電極の板厚の1%
以下の厚さにすれば、色選別電極の電子ビーム透過孔の
形状を不揃いにすることがない。According to the first embodiment of the present invention, the bulk density is 4.0 to 9.3 g / c on one surface of the color selection electrode.
Since the electron beam reflection film made of a dense bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) thin film of m 3 is formed, the bismuth ball is not formed during the heat treatment in the manufacturing process of the color cathode ray tube, and the color due to the peeling of the bismuth ball is generated. Since the masking of the selection electrode mask does not occur, it is possible to obtain a fine-pitch color cathode-ray tube capable of high-density and high-definition image display without causing fatal deterioration of performance such as pixel defects. . In this case, preferably, the film thickness of the bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) thin film is selected to be 5 to 700 nm, and the film thickness of the electron beam reflection film is 1% of the plate thickness of the color selection electrode.
With the following thickness, the shapes of the electron beam transmission holes of the color selection electrode will not be irregular.
【0033】また、本発明の第2の実施の形態によれ
ば、電子ビーム反射膜を形成する場合に、真空蒸着装置
の試料載置部として、白金(Pt)または白金(Pt)
合金製のボート、好ましくは、イリジウム(Ir)−白
金(Pt)合金製のボートを用い、このボートに酸化ビ
スマス(Bi2 O3 )粉末を高密度プレスしたペレット
または酸化ビスマス(Bi2 O3 )粉末を載せ、真空容
器内を10~4Torr以下の圧力に排気した状態で色選
別電極に電子ビーム反射膜を蒸着形成させる。このと
き、酸化ビスマス(Bi2 O3 )粉末のペレットまたは
酸化ビスマス(Bi2 O3 )粉末は、ボート上で均一に
加熱され、酸化ビスマス(Bi2 O3 )の蒸着速度を速
められるだけでなく、白金(Pt)合金製のボートと酸
化ビスマス(Bi2 O3 )とが化学反応を起こさないの
で、色選別電極上にバルク密度の高い均質な酸化ビスマ
ス(Bi2 O3 )薄膜からなる電子ビーム反射膜を蒸着
形成することができる。そして、本発明の第2の実施の
形態によって製造されたカラー陰極線管は、ハレーショ
ンの発生がなく、色選別電極の電子ビーム透過孔の形状
の劣化を防げるので、マスクドーミングの発生を抑制す
ることができる。さらに、本発明の第2の実施の形態に
おいて用いられる酸化ビスマス(Bi2 O3 )粉末を高
密度プレスしたペレットは、金属ビスマス(Bi)粉末
の焼結ペレットよりも安価であるので、本発明の第2の
実施の形態による製造方法は、金属ビスマス(Bi)か
らなる電子ビーム反射膜の製造方法よりも低コストで電
子ビーム反射膜を製造することができる。According to the second embodiment of the present invention, when the electron beam reflecting film is formed, platinum (Pt) or platinum (Pt) is used as the sample mounting portion of the vacuum vapor deposition apparatus.
Alloy boat, preferably, iridium (Ir) - platinum (Pt) using the alloy boat, bismuth oxide to the boat (Bi 2 O 3) powder density-pressed pellets or bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) A powder is placed, and an electron beam reflection film is vapor-deposited on the color selection electrode in a state where the inside of the vacuum container is evacuated to a pressure of 10 to 4 Torr or less. At this time, the pellets of bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) powder or the bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) powder are uniformly heated on the boat, and the deposition rate of bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) can be increased. Since a boat made of platinum (Pt) alloy and bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) do not chemically react with each other, a uniform bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) thin film having a high bulk density is formed on the color selection electrode. The electron beam reflection film can be formed by vapor deposition. In addition, the color cathode ray tube manufactured according to the second embodiment of the present invention does not cause halation and prevents the deterioration of the shape of the electron beam transmitting hole of the color selection electrode, and thus suppresses the occurrence of mask doming. You can Further, the pellet obtained by high-density pressing the bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) powder used in the second embodiment of the present invention is cheaper than the sintered pellet of the metal bismuth (Bi) powder. The manufacturing method according to the second embodiment can manufacture the electron beam reflecting film at a lower cost than the manufacturing method of the electron beam reflecting film made of metal bismuth (Bi).
【0034】[0034]
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【0035】図1は、本発明に係わるカラー陰極線管の
一実施例であって、カラー陰極線管の全体構成を示す断
面図である。FIG. 1 is a sectional view showing the overall construction of a color cathode ray tube, which is an embodiment of the color cathode ray tube according to the present invention.
【0036】図1において、1はパネル部、2はネック
部、3はファンネル部、4はフェースプレート、5は螢
光膜、6は色選別電極を構成するシャドウマスク、6R
は電子ビーム反射膜、7はマスクフレーム、8は偏向ヨ
ーク、9は電子銃、10はピュリテイ調整マグネット、
11はセンタービームスタティックコンバーゼンス調整
用マグネット、12はサイドビームスタティックコンバ
ーゼンス調整用マグネット、13は内部磁気シールド、
14は電子ビームである。In FIG. 1, 1 is a panel portion, 2 is a neck portion, 3 is a funnel portion, 4 is a face plate, 5 is a fluorescent film, 6 is a shadow mask constituting a color selection electrode, and 6R
Is an electron beam reflecting film, 7 is a mask frame, 8 is a deflection yoke, 9 is an electron gun, 10 is a purity adjusting magnet,
11 is a center beam static convergence adjustment magnet, 12 is a side beam static convergence adjustment magnet, 13 is an internal magnetic shield,
14 is an electron beam.
【0037】カラー陰極線管を構成する管体は、前側に
配置された大口径のパネル部1と、内部に電子銃9を収
納している細長いネック部2と、パネル部1及びネック
部2を連接する略漏斗状のファンネル部3とからなる。
パネル部1は、前面にフェースプレート4を備え、この
フェースプレート4の内面に螢光膜5が被着形成され
る。パネル部1の内側の周縁部にはマスクフレーム7が
固定配置され、このマスクフレーム7によってシャドウ
マスク6が螢光膜5に対向配置するように取付けられ
る。シャドウマスク6の電子銃9から投射された電子ビ
ーム14が衝突する面上に酸化ビスマス(Bi2 O3 )
薄膜からなる電子ビーム反射膜6Rが形成されている。
パネル部1とファンネル部3の結合部分の内側に内部磁
気シールド13が設けられ、ファンネル部3とネック部
2の結合部分の外側に偏向ヨーク8が設けられる。電子
銃9から投射された3本の電子ビーム14(1本のみ図
示)が、偏向ヨーク8で所定方向に偏向された後、シャ
ドウマスク6を通して螢光膜5に投射されるように、ネ
ック部2の外側に、ピュリテイ調整マグネット10、セ
ンタービームスタティックコンバーゼンス調整用マグネ
ット11、サイドビームスタティックコンバーゼンス調
整用マグネット12が並設配置されている。The tubular body constituting the color cathode ray tube comprises a large-diameter panel portion 1 arranged on the front side, an elongated neck portion 2 which houses an electron gun 9 therein, a panel portion 1 and a neck portion 2. It is composed of a funnel-shaped funnel portion 3 connected to each other.
The panel portion 1 is provided with a face plate 4 on the front surface, and a fluorescent film 5 is formed on the inner surface of the face plate 4 by adhesion. A mask frame 7 is fixedly arranged on the inner peripheral edge of the panel unit 1, and the shadow mask 6 is attached by the mask frame 7 so as to face the fluorescent film 5. Bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) is formed on the surface of the shadow mask 6 on which the electron beam 14 projected from the electron gun 9 collides.
An electron beam reflecting film 6R made of a thin film is formed.
An internal magnetic shield 13 is provided inside the coupling portion between the panel portion 1 and the funnel portion 3, and a deflection yoke 8 is provided outside the coupling portion between the funnel portion 3 and the neck portion 2. The three electron beams 14 (only one is shown) projected from the electron gun 9 are deflected in a predetermined direction by the deflection yoke 8 and then projected onto the fluorescent film 5 through the shadow mask 6 so that the neck portion is formed. A purity adjusting magnet 10, a center beam static convergence adjusting magnet 11 and a side beam static convergence adjusting magnet 12 are arranged side by side on the outside of 2.
【0038】図2は、図1に図示された実施例のカラー
陰極線管のシャドウマスク6に、酸化ビスマス(Bi2
O3 )薄膜からなる電子ビーム反射膜6Rを形成する真
空蒸着装置の断面構成図である。[0038] Figure 2, the color cathode ray tube of the shadow mask 6 of the embodiment shown in FIG. 1, bismuth oxide (Bi 2
FIG. 3 is a cross-sectional configuration diagram of a vacuum vapor deposition device that forms an electron beam reflection film 6R made of an O 3 ) thin film.
【0039】図2において、15は真空蒸着装置、16
は真空容器、17は色選別電極(シャドウマスク)載置
部、18は支持台、19はイリジウム(Ir)−白金
(Pt)合金製のボート、19Dは略台形状の蒸着試料
載置部、20は酸化ビスマス(Bi2 O3 )粉末を高密
度プレスしたペレット、21は電源であり、その他、図
1に示された構成要素と同じ構成要素については同じ符
号を付けている。In FIG. 2, 15 is a vacuum vapor deposition device, and 16
Is a vacuum container, 17 is a color selection electrode (shadow mask) mount, 18 is a support, 19 is an iridium (Ir) -platinum (Pt) alloy boat, 19D is a substantially trapezoidal deposition sample mount, Reference numeral 20 is a pellet obtained by high-density pressing bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) powder, reference numeral 21 is a power source, and other components that are the same as those shown in FIG.
【0040】真空容器16の内部には、色選別電極載置
部17、支持台18、イリジウム(Ir)−白金(P
t)合金製のボート19がそれぞれ配置され、全体に真
空蒸着装置15が構成される。この真空蒸着装置15に
おいて、シャドウマスク6は、電子ビームが投射される
面を下にして色選別電極載置部17上に載置され、色選
別電極載置部17は、支持台18上に配置される。イリ
ジウム(Ir)−白金(Pt)合金製のボート19は、
中央に略台形状の蒸着試料載置部19Dが設けられ、こ
の蒸着試料載置部19D上には、酸化ビスマス(Bi2
O3 )粉末を高密度プレスしたペレット20が載置され
る。イリジウム(Ir)−白金(Pt)合金製のボート
19は、両端が電源21に接続され、電源21からの通
電により蒸着試料載置部19Dが加熱される。Inside the vacuum vessel 16, the color selection electrode mounting portion 17, the support 18, the iridium (Ir) -platinum (P
t) The boats 19 made of alloy are respectively arranged, and the vacuum vapor deposition device 15 is configured in its entirety. In this vacuum vapor deposition device 15, the shadow mask 6 is placed on the color selection electrode placement part 17 with the surface on which the electron beam is projected facing down, and the color selection electrode placement part 17 is placed on the support base 18. Will be placed. The boat 19 made of iridium (Ir) -platinum (Pt) alloy is
A substantially trapezoidal vapor deposition sample mounting portion 19D is provided in the center, and bismuth oxide (Bi 2
A pellet 20 obtained by high-density pressing O 3 ) powder is placed. Both ends of the boat 19 made of an iridium (Ir) -platinum (Pt) alloy are connected to a power source 21, and the vapor deposition sample mounting portion 19D is heated by the energization from the power source 21.
【0041】本実施例において、カラー陰極線管の電子
ビーム反射膜は、以下に示すようにして製造される。In this embodiment, the electron beam reflecting film of the color cathode ray tube is manufactured as follows.
【0042】まず、真空容器16を解放して内部を大気
圧状態に維持させ、真空容器16内のイリジウム(I
r)−白金(Pt)合金製のボート19の蒸着試料載置
部19Dに酸化ビスマス(Bi2 O3 )粉末を高密度プ
レスしたペレット20、例えば、平均粒径が1μmの酸
化ビスマス(Bi2 O3 )粉末を高密度プレスし、重量
が約500mgのペレット20を載置する。First, the vacuum vessel 16 is released to maintain the inside at atmospheric pressure, and the iridium (I
r) - platinum (Pt) bismuth oxide deposition sample mounting portion 19D of the alloy of the boat 19 (Bi 2 O 3) pellet 20 and the powder was high density pressed, for example, bismuth oxide having an average particle diameter of 1 [mu] m (Bi 2 The O 3 ) powder is pressed densely and pellets 20 weighing about 500 mg are placed.
【0043】次に、色選別電極載置部17上に、表面を
黒化処理した厚さ50乃至300μmの鉄(Fe)−ニ
ッケル(Ni)合金製のシャドウマスク6を載置する。Next, the shadow mask 6 made of iron (Fe) -nickel (Ni) alloy having a thickness of 50 to 300 μm and having a blackened surface is placed on the color selection electrode placement portion 17.
【0044】次いで、真空容器16に接続された真空ポ
ンプ(図示なし)を働かせて真空排気を行い、真空容器1
6内の残留ガス圧力を2×10~4Torr以下にする。
その後、電源21から800Wの電力をイリジウム(I
r)−白金(Pt)合金製のボート19に10秒間加
え、蒸着試料載置部19Dを予熱して酸化ビスマス(B
i2 O3 )を溶融させる。Then, a vacuum pump (not shown) connected to the vacuum container 16 is operated to evacuate the vacuum container 1.
The residual gas pressure in 6 is set to 2 × 10 4 Torr or less.
After that, power of 800 W from the power source 21 is supplied to the iridium (I
r) -platinum (Pt) alloy boat 19 is added for 10 seconds, the vapor deposition sample mounting portion 19D is preheated and bismuth oxide (B
i 2 O 3 ) is melted.
【0045】続いて、イリジウム(Ir)−白金(P
t)合金製のボート19に加える電力を2.3KWに増
加させ、蒸着試料載置部19Dを10秒間加熱して酸化
ビスマス(Bi2 O3 )を気化させる。このとき、シャ
ドウマスク6の電子ビーム投射面に、例えば、膜厚が3
0nmで、バルク密度が約8.6g/cm3 の酸化ビス
マス(Bi2 O3 )薄膜6Rが蒸着される。Then, iridium (Ir) -platinum (P
t) The electric power applied to the alloy boat 19 is increased to 2.3 KW, and the vapor deposition sample mounting portion 19D is heated for 10 seconds to vaporize bismuth oxide (Bi 2 O 3 ). At this time, for example, a film thickness of 3 is formed on the electron beam projection surface of the shadow mask 6.
At 0 nm, the bulk density is about 8.6 g / cm 3. Bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) thin film 6R is deposited.
【0046】図3は、図2に図示の真空蒸着装置を用
い、シャドウマスク(色選別電極)に酸化ビスマス(B
i2 O3 )薄膜6Rを形成した際に、その薄膜6Rの膜
厚の測定箇所の一例を示す説明図であって、膜厚は米国
Sloan社M100型光干渉膜厚計を用いて測定した
ものである。FIG. 3 shows the shadow mask (color selection electrode) formed of bismuth oxide (B) using the vacuum deposition apparatus shown in FIG.
i 2 O 3 ) It is an explanatory view showing an example of measurement points of the film thickness of the thin film 6R when the thin film 6R is formed, and the film thickness was measured using an M100 type optical interference film thickness meter manufactured by Sloan Co., USA. It is a thing.
【0047】図3において、シャドウマスク6は、縦と
横の比が3対4で、対角線の長さが51cmのものであ
り、図中の点O、A、Bは膜厚の測定個所を示す。この
場合、点Oは、シャドウマスク6の中央部分であり、点
Aは、点Oから長辺方向(X−X方向)に沿って距離I
(17cm)だけ離れた点であり、B点は、点Oから対
角線方向に沿って距離m(23cm)だけ離れた点であ
る。In FIG. 3, the shadow mask 6 has a length-to-width ratio of 3: 4 and a diagonal length of 51 cm, and points O, A, and B in the figure represent measurement points of the film thickness. Show. In this case, the point O is the central portion of the shadow mask 6, and the point A is a distance I from the point O along the long side direction (XX direction).
It is a point separated by (17 cm), and point B is a point separated by a distance m (23 cm) from the point O along the diagonal direction.
【0048】そして、酸化ビスマス(Bi2 O3 )薄膜
6Rの膜厚の測定は、点O、点A、点Bのそれぞれにお
いて膜厚の測定を行い、それら測定値の平均値を求める
ことにより、酸化ビスマス(Bi2 O3 )薄膜6Rの膜
厚の測定を行っている。The film thickness of the bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) thin film 6R is measured by measuring the film thickness at each of point O, point A and point B, and obtaining the average value of the measured values. , The film thickness of the bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) thin film 6R is measured.
【0049】この場合、酸化ビスマス(Bi2 O3 )薄
膜6Rの膜厚の測定は、前述のような測定手段の他に、
光学顕微鏡を用いた測定や、走査型電子顕微鏡(SE
M)による断面観察による測定であってもよい。In this case, the film thickness of the bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) thin film 6R can be measured by the measuring means as described above.
Measurement using an optical microscope, scanning electron microscope (SE
Measurement by cross-section observation according to M) may be performed.
【0050】また、酸化ビスマス(Bi2 O3 )薄膜6
Rのバルク密度は、一定面積に蒸着した酸化ビスマス
(Bi2 O3 )蒸着膜の質量を天秤で測定した値と、測
定した膜厚及び酸化ビスマス(Bi2 O3 )蒸着膜の形
成面積とから得られる酸化ビスマス(Bi2 O3 )蒸着
膜の体積とを用いて計算したものである。The bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) thin film 6
The bulk density of R is a value obtained by measuring the mass of a bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) vapor-deposited film vapor-deposited on a fixed area, the measured film thickness, and the formation area of the bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) vapor-deposited film. And the volume of the bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) vapor-deposited film obtained from the above.
【0051】次に、図5は、シャドウマスク(色選別電
極)に形成された電子ビーム反射膜6Rの膜厚とカラー
陰極線管のハレーションレベル(表示画像劣化度)との
関係を示す特性図であって、酸化ビスマス(Bi
2 O3 )薄膜のバルク密度が7g/cm3 の電子ビーム
反射膜を備えた本実施例のカラー陰極線管と、特開昭6
2−123635号に開示の粉末スプレイ法により形成
したバルク密度が0.1g/cm3 の電子ビーム反射膜
を備えた既知のカラー陰極線管のハレーションレベルを
示すものである。Next, FIG. 5 is a characteristic diagram showing the relationship between the film thickness of the electron beam reflection film 6R formed on the shadow mask (color selection electrode) and the halation level (display image deterioration degree) of the color cathode ray tube. Yes, bismuth oxide (Bi
The color cathode ray tube of the present embodiment provided with an electron beam reflective film having a bulk density of 2 O 3 ) thin film of 7 g / cm 3 ,
2 shows the halation level of a known color cathode ray tube provided with an electron beam reflective film having a bulk density of 0.1 g / cm 3 formed by the powder spray method disclosed in JP-A-2-123635.
【0052】ここで、カラー陰極線管のハレーションレ
ベル(表示画像劣化度)は、赤単色の色度値の測定によ
って求めたもので、カラー陰極線管螢光膜に赤単色を表
示させ、分光光度計でC.I.E(Commission
International de l’Eclai
rage)のx、y色度値を測定し、zの値を次式(1)
によって求める。Here, the halation level (display image deterioration degree) of the color cathode ray tube is obtained by measuring the chromaticity value of the monochromatic red, and the monochromatic red is displayed on the color cathode ray tube fluorescent film, and the spectrophotometer is used. CIE (Commission)
International de l'Eclai
Rage) x, y chromaticity values are measured, and the z value is calculated by the following equation (1).
Ask by.
【0053】z=1−(x+y)… … … …(1) また、電子ビーム反射膜が形成されていないシャドウマ
スク(色選別電極)を備えたカラー陰極線管において、
同様にして算出した値z0 を用い、ハレーションレベル
Hの値を次式(2)で求める。Z = 1- (x + y) ... (1) Further, in a color cathode ray tube provided with a shadow mask (color selection electrode) on which an electron beam reflection film is not formed,
Using the value z 0 calculated in the same manner, the value of the halation level H is calculated by the following equation (2).
【0054】 H={(z−z0 )/z0 }×100… … … …(2) この(2)式において、ハレーションレベルHは、その
値が0に近い程が小さく良好である。H = {(z−z 0 ) / z 0 } × 100 ... (2) In the equation (2), the halation level H is smaller and better as the value is closer to 0.
【0055】図5に示されるように、酸化ビスマス(B
i2 O3 )薄膜の膜厚、即ち、電子ビーム反射膜6Rの
膜厚を5乃至700nmになるようにしている本実施例
のカラー陰極線管は、ハレーションレベル(表示画像劣
化度)が0に近いレベルにほぼ一定であるのに対し、電
子ビーム反射膜の膜厚を1μm以下にすることができな
い既知のカラー陰極線管は、ハレーションレベルHが最
低でも10を超えており、本実施例のカラー陰極線管が
非常に良好なハレーションレベル(表示画像劣化度)を
有するものであることが判る。As shown in FIG. 5, bismuth oxide (B
The color cathode ray tube of this embodiment in which the thickness of the i 2 O 3 ) thin film, that is, the thickness of the electron beam reflecting film 6R is 5 to 700 nm, has a halation level (display image deterioration degree) of 0. The known color cathode ray tube in which the film thickness of the electron beam reflecting film cannot be set to 1 μm or less, while the level is almost constant at a near level, has a halation level H of at least 10 or more, and the color of the present embodiment is the same. It can be seen that the cathode ray tube has a very good halation level (display image deterioration degree).
【0056】この場合、本実施例のカラー陰極線管にお
いては、電子ビーム反射膜、即ち、酸化ビスマス(Bi
2 O3 )薄膜6Rを蒸着により形成していることから、
その膜厚を容易に5乃至700nmの範囲内のものにす
ることができ、ハレーションレベル(表示画像劣化度)を
小さくした極めて良好なカラー陰極線管を得ることがで
きるものであるのに対し、既知のカラー陰極線管は、電
子ビーム反射膜を形成する際に、酸化ビスマス(Bi2
O3 )粉末をスプレイする粉末スプレイ法を用いている
ので、得られる電子ビーム反射膜のバルク密度は0.1
g/cm3 と低く、しかも、その膜厚を1μm以下にす
ると、多孔質の膜になってしまい、入射した電子ビーム
が電子ビーム反射膜で反射されずに、酸化ビスマス(B
i2 O3)粒子の間を突き抜けるようになる。このた
め、既知のカラー陰極線管は、ハレーションレベル(表
示画像劣化度)が悪く、後述するようにドーミング抑制
率も悪くなる。In this case, in the color cathode ray tube of this embodiment, the electron beam reflecting film, that is, bismuth oxide (Bi) is used.
2 O 3 ) Since the thin film 6R is formed by vapor deposition,
The film thickness can be easily adjusted within the range of 5 to 700 nm, and a very good color cathode ray tube with a reduced halation level (display image deterioration degree) can be obtained. The color cathode-ray tube of No. 2 has a bismuth oxide (Bi 2
Since the powder spray method of spraying O 3 ) powder is used, the bulk density of the obtained electron beam reflecting film is 0.1.
When the film thickness is as low as g / cm 3 and the film thickness is 1 μm or less, it becomes a porous film, and the incident electron beam is not reflected by the electron beam reflecting film, and bismuth oxide (B
i 2 O 3) becomes penetrate between the particles. For this reason, the known color cathode ray tube has a poor halation level (deterioration degree of display image), and the doming suppression rate also becomes poor as described later.
【0057】続く、図6は、シャドウマスク(色選別電
極)に形成された電子ビーム反射膜のバルク密度とドー
ミング抑制率との関係を示す特性図であって、電子ビー
ム反射膜の膜厚をパラメータにして表したものである。FIG. 6 is a characteristic diagram showing the relationship between the bulk density of the electron beam reflection film formed on the shadow mask (color selection electrode) and the doming suppression rate. It is expressed as a parameter.
【0058】図6に示す特性図を得るには、酸化ビスマ
ス(Bi2 O3 )蒸着時の蒸着速度と真空蒸着装置の残
留ガス圧力とを変えることにより、電子ビーム反射膜の
バルク密度を変えている。この場合、蒸着速度が遅く、
残留ガス圧力が高い場合に、バルク密度が小さくなる。In order to obtain the characteristic diagram shown in FIG. 6, the bulk density of the electron beam reflecting film is changed by changing the deposition rate during bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) deposition and the residual gas pressure of the vacuum deposition apparatus. ing. In this case, the deposition rate is slow,
When the residual gas pressure is high, the bulk density is low.
【0059】そして、ドーミング抑制率は、電子ビーム
反射膜がないシャドウマスク(色選別電極)を備えたカ
ラー陰極線管(前者)における螢光膜5上の電子ビーム
移動量と、電子ビーム反射膜6Rを有するシャドウマス
ク(色選別電極)を備えたカラー陰極線管(後者)にお
ける螢光膜5上の電子ビーム移動量とをそれぞれ顕微鏡
で測定し、その測定結果から求めたものである。即ち、
前者と後者の2つのカラー陰極線管における螢光膜を一
定時間、一定電流で励起した後の電子ビーム移動量を顕
微鏡を用いてそれぞれ測定し、それらの測定結果を用い
て、後者の測定値(電子ビーム移動量)に対する前者の
測定値(電子ビーム移動量)の減少量を百分率で表して
ドーミング抑制率を求めたものである。このドーミング
抑制率は、その値が大きい程良好である。The doming suppression rate is determined by the amount of movement of the electron beam on the fluorescent film 5 in the color cathode ray tube (the former) provided with a shadow mask (color selection electrode) having no electron beam reflecting film, and the electron beam reflecting film 6R. The amount of electron beam movement on the fluorescent film 5 in the color cathode-ray tube (latter) provided with the shadow mask (color selection electrode) having the above was measured by a microscope and obtained from the measurement result. That is,
The amount of electron beam movement after the fluorescent films in the former and latter two color cathode ray tubes were excited with a constant current for a certain period of time with a microscope, and the measured values of the latter were used to measure the latter ( The reduction amount of the former measured value (electron beam movement amount) with respect to the electron beam movement amount) is expressed as a percentage to obtain the doming suppression rate. The higher the doming suppression rate, the better.
【0060】図6の特性図に示すように、ドーミング抑
制率は、電子ビーム反射膜のバルク密度が大きくなるに
したがって順次増大するものであるが、本実施例のカラ
ー陰極線管のように、シャドウマスク(色選別電極)6
に形成される電子ビーム反射膜6R、即ち、酸化ビスマ
ス(Bi2 O3 )薄膜の膜厚を5乃至700nmにした
ときに、そのバルク密度を4乃至9.3g/cm3 の範
囲(電子ビーム反射膜の単位面積当たりの質量が2×1
0~6乃至6.5×10~4g/cm3 )にすることがで
き、それにより、本実施例のカラー陰極線管は、少なく
ともドーミング抑制率を30%以上にすることができ
る。As shown in the characteristic diagram of FIG. 6, the doming suppression rate gradually increases as the bulk density of the electron beam reflecting film increases, but as in the color cathode ray tube of this embodiment, the shadowing rate is reduced. Mask (color selection electrode) 6
When the film thickness of the electron beam reflection film 6R formed on the substrate, that is, the bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) thin film is set to 5 to 700 nm, its bulk density is in the range of 4 to 9.3 g / cm 3 (electron beam The mass per unit area of the reflective film is 2 x 1
0 to 6 to 6.5 × 10 4 g / cm 3 ), whereby the color cathode ray tube of the present embodiment can have a doming suppression rate of at least 30% or more.
【0061】さらに、本実施例のカラー陰極線管におい
て、蒸着された酸化ビスマス(Bi2 O3 )薄膜のビス
マスと酸素のモル比をSEM−WDX(Scannin
gElectron Microscope−Wave
length Dispersive X−ray S
pectrometer)分析方法(日立製SEM−W
DX650型)によって分析したところ、酸素1モルに
対してビスマスが0.5乃至0.7モルの間に入ってお
り、ほぼ理論値(0.67モル)に近い値になってい
た。ちなみに、既知のカラー陰極線管は、粉末スプレイ
法で形成した電子ビーム反射膜のバルク密度を0.1g
/cm3 以上にすることができないことから、図6の特
性図で明らかなように、ドーミング抑制率を30%以上
にすることができない。また、本実施例のカラー陰極線
管において、蒸着された酸化ビスマス(Bi2 O3 )薄
膜に含まれる不純物をSEM−EDX(Scannin
gElectron Microscope−Ener
gy Dispersive X−ray Spect
rometer)を用いて分析を行ったところ、蒸着試
料を載置するボート19に含まれる金属成分は、分析装
置の検出限界値(1ppm)以下であった。Further, in the color cathode ray tube of this example, the molar ratio of bismuth to oxygen in the vapor-deposited bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) thin film was determined by SEM-WDX (Scannin).
gElectron Microscope-Wave
length Dispersive X-ray S
analysis method (Hitachi SEM-W
According to the analysis by DX650 type), bismuth was in the range of 0.5 to 0.7 mol with respect to 1 mol of oxygen, which was close to the theoretical value (0.67 mol). Incidentally, the known color cathode ray tube has a bulk density of the electron beam reflecting film formed by the powder spray method of 0.1 g.
Since it is not possible to make it above / cm 3 , it is not possible to make the doming suppression rate above 30%, as is clear from the characteristic diagram of FIG. Further, in the color cathode ray tube of the present embodiment, impurities contained in the vapor-deposited bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) thin film were subjected to SEM-EDX (Scannin).
gElectron Microscope-Ener
gy Dispersive X-ray Spect
The metal component contained in the boat 19 on which the vapor deposition sample is placed was below the detection limit value (1 ppm) of the analyzer.
【0062】次いで、図7は、本実施例のカラー陰極線
管において、バルク密度が7g/cm3 の酸化ビスマス
(Bi2 O3 )薄膜6Rをシャドウマスク(色選別電
極)6に形成した場合の、膜厚とハレーションレベル
(表示画像劣化度)及びドーミング抑制率との関係を示
す特性図である。Next, FIG. 7 shows a case where a shadow mask (color selection electrode) 6 is formed with a bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) thin film 6R having a bulk density of 7 g / cm 3 in the color cathode ray tube of this embodiment. FIG. 5 is a characteristic diagram showing a relationship among a film thickness, a halation level (display image deterioration degree), and a doming suppression rate.
【0063】図7の特性図に示されるように、本実施例
による酸化ビスマス(Bi2 O3 )薄膜6Rを構成する
場合、膜厚が5乃至500nmの範囲内において、ハレ
ーションレベル(表示画像劣化度)が殆んど0であり、、
膜厚が500nm乃至700nm範囲内においても、ハ
レーションレベル(表示画像劣化度)が5以下になる。ま
た、膜厚が5乃至100nmの範囲内において、ドーミ
ング抑制率が最低30%以上であるが、膜厚が100乃
至700nmの範囲内において、ドーミング抑制率が一
定値の約55%になる。As shown in the characteristic diagram of FIG. 7, when the bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) thin film 6R according to the present embodiment is formed, the halation level (display image deterioration) in the thickness range of 5 to 500 nm. Degree) is almost 0,
The halation level (display image deterioration degree) is 5 or less even when the film thickness is in the range of 500 nm to 700 nm. Further, the doming suppression rate is at least 30% or more in the film thickness range of 5 to 100 nm, but becomes about 55% of the constant value in the film thickness range of 100 to 700 nm.
【0064】これらの結果に基づけば、本実施例のカラ
ー陰極線管は、シャドウマスク(色選別電極)6に形成
される電子ビーム反射膜6R、即ち、酸化ビスマス(B
i2O3 )薄膜について、その膜厚を5乃至700nm
範囲内に選んでいるので、図7に示されるように、ドー
ミング抑制率を30%以上にすることができ、かつ、ハ
レーションレベル(表示画像劣化度)を電子ビーム反射膜
を形成しない色選別電極とほぼ同じにした極めて良好な
カラー陰極線管を得ることができる。On the basis of these results, the color cathode ray tube of the present embodiment shows that the electron beam reflection film 6R formed on the shadow mask (color selection electrode) 6, that is, bismuth oxide (B).
i 2 O 3 ) thin film with a thickness of 5 to 700 nm
Since the selection is made within the range, as shown in FIG. 7, the doming suppression rate can be set to 30% or more, and the halation level (display image deterioration degree) does not form the electron beam reflection film. It is possible to obtain a very good color cathode ray tube which is almost the same as the above.
【0065】また、本実施例のカラー陰極線管は、シャ
ドウマスク(色選別電極)6に酸化ビスマス(Bi2 O
3 )薄膜からなる電子ビーム反射膜6Rを形成したの
で、マスク詰まりや電子ビーム透過孔の変形を生じるこ
とがなく、致命的な画素欠陥のない高密度かつ高精細の
画像表示が可能なカラー陰極線管が得られる。In the color cathode ray tube of this embodiment, the shadow mask (color selection electrode) 6 has bismuth oxide (Bi 2 O).
3 ) Since the electron beam reflecting film 6R made of a thin film is formed, a color cathode line capable of high-density and high-definition image display without fatal pixel defects without causing mask clogging or deformation of electron beam transmission holes. A tube is obtained.
【0066】また、本実施例のカラー陰極線管製造方法
によれば、シャドウマスク(色選別電極)6の電子ビー
ム投射面に酸化ビスマス(Bi2 O3 )薄膜からなる電
子ビーム反射膜6Rを形成する際に、イリジウム(I
r)−白金(Pt)合金製のボート19と、酸化ビスマ
ス(Bi2 O3 )粉末を高密度プレスしたペレット20
とを用い、このペレット20をボート19上で均一に加
熱しているので、酸化ビスマス(Bi2 O3 )薄膜の蒸
着速度が速まるとともに、ペレット20がボート19と
化学反応を起こすことがないので、シャドウマスク(色
選別電極)6上にバルク密度の高い均質な酸化ビスマス
(Bi2 O3 )薄膜からなる電子ビーム反射膜6Rを形
成できる。According to the method of manufacturing a color cathode ray tube of this embodiment, the electron beam reflecting film 6R made of a bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) thin film is formed on the electron beam projection surface of the shadow mask (color selection electrode) 6. Iridium (I
r) -Platinum (Pt) alloy boat 19 and pellets 20 obtained by high-density pressing bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) powder
Since the pellets 20 are uniformly heated on the boat 19 by using, the deposition rate of the bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) thin film is increased and the pellets 20 do not chemically react with the boat 19. On the shadow mask (color selection electrode) 6, it is possible to form the electron beam reflection film 6R made of a homogeneous bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) thin film having a high bulk density.
【0067】なお、本実施例においては、色選別電極が
シャドウマスク6である場合を例に挙げて説明したが、
本発明による色選別電極はシャドウマスクである場合に
限られず、他の類似のもの、例えばアパーチャグリルに
も同様に適用可能である。In this embodiment, the case where the color selection electrode is the shadow mask 6 has been described as an example.
The color selection electrode according to the present invention is not limited to being a shadow mask, but can be similarly applied to other similar ones, for example, an aperture grill.
【0068】また、本実施例においては、蒸着試料を載
置するボート19がイリジウム(Ir)−白金(Pt)
合金製のボートである場合を例を挙げて説明したが、本
発明によるボート19の構成材料は、イリジウム(I
r)−白金(Pt)合金製のものに限られず、単独の白
金(Pt)製のものであってもよく、オスミウム(O
s)、パラジウム(Pd)、ロジウム(Rh)、ルテニ
ウム(Ru)のいずれかと白金(Pt)との合金等から
なる白金(Pt)合金製のものであってもよい。この場
合、ボート19は、少なくとも蒸着試料を載置する面が
白金(Pt)または前記白金(Pt)合金で覆われてい
ればよく、このような条件を満たすボート19であれ
ば、蒸着試料の加熱には、抵抗加熱だけでなく、高周波
加熱、赤外線加熱、電子ビーム加熱等の加熱手段を用い
ることが可能になる。Further, in the present embodiment, the boat 19 on which the vapor deposition sample is placed is iridium (Ir) -platinum (Pt).
Although the case where the boat is made of an alloy is described as an example, the constituent material of the boat 19 according to the present invention is iridium (I).
r) -platinum (Pt) alloy is not the only one, and platinum (Pt) alone may be used.
s), palladium (Pd), rhodium (Rh), or ruthenium (Ru) and a platinum (Pt) alloy made of an alloy of platinum (Pt) or the like. In this case, at least the surface of the boat 19 on which the vapor deposition sample is placed should be covered with platinum (Pt) or the platinum (Pt) alloy. For heating, it is possible to use not only resistance heating but also heating means such as high frequency heating, infrared heating, and electron beam heating.
【0069】さらに、本実施例においては、蒸着試料と
して、作業性が良好で、自動化が可能な酸化ビスマス
(Bi2 O3 )粉末を高密度プレスしたペレット20を
用いた場合を例を挙げて説明したが、本発明による蒸着
試料はかかるペレット状の試料に限られず、酸化ビスマ
ス(Bi2 O3 )粉末をそのまま用いてもよい。Further, in the present embodiment, the case where the pellet 20 obtained by high-density pressing bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) powder, which has good workability and can be automated, is used as the vapor deposition sample. As described above, the vapor deposition sample according to the present invention is not limited to such a pellet sample, and bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) powder may be used as it is.
【0070】また、本実施例において、ボート19を構
成する場合に、図4に図示されるように、略台形状の蒸
着試料載置部19Dの蒸着試料が載置されない部分を波
形に構成し、熱による膨張収縮のメカニカルストレスを
吸収するような熱膨張吸収部分22を設けるようにすれ
ば、加熱に伴って膨張収縮するボート19のメカニカル
ストレスを吸収できる。Further, in the case of constructing the boat 19 in this embodiment, as shown in FIG. 4, the portion of the substantially trapezoidal vapor deposition sample placing portion 19D on which the vapor deposition sample is not placed is formed into a waveform. By providing the thermal expansion absorbing portion 22 that absorbs the mechanical stress of expansion and contraction due to heat, the mechanical stress of the boat 19 that expands and contracts with heating can be absorbed.
【0071】[0071]
【発明の効果】以上のように、本発明のカラー陰極線管
によれば、色選別電極の電子ビーム投射面に形成する電
子ビーム反射膜を、バルク密度が4乃至9.3g/cm
3 の酸化ビスマス(Bi2 O3 )薄膜で構成したので、
カラー陰極線管の製造工程における加熱処理時に、ビス
マスボールが形成され、それが剥離して色選別電極にマ
スク詰まりを発生させたり、電子ビーム反射膜の構成粒
子が粗く、かつ、膜厚が厚いことにより、色選別電極に
おけるビーム透過孔の形状が不揃いになったりすること
はなく、致命的な性能劣化をもたらさない高密度かつ高
精細の画像表示が可能なファインピッチのカラー陰極線
管を得ることができる効果がある。As described above, according to the color cathode ray tube of the present invention, the electron beam reflection film formed on the electron beam projection surface of the color selection electrode has a bulk density of 4 to 9.3 g / cm.
Three Since it was composed of the bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) thin film of
Bismuth balls are formed during the heat treatment in the manufacturing process of the color cathode ray tube, and the bismuth balls are peeled off to cause clogging of the mask on the color selection electrode, or the particles forming the electron beam reflecting film are coarse and the film thickness is large. This makes it possible to obtain a fine-pitch color cathode-ray tube capable of displaying a high-density and high-definition image without causing a fatal performance deterioration without causing irregular shapes of the beam transmission holes in the color selection electrode. There is an effect that can be done.
【0072】また、本発明のカラー陰極線管によれば、
酸化ビスマス(Bi2 O3 )粉末を高密度プレスしたペ
レットが、金属ビスマス(Bi)粉末の焼結ペレットよ
りも安価であることから、電子ビーム反射膜を低コスト
で製造することができるという効果もある。According to the color cathode ray tube of the present invention,
Since the pellet obtained by high-density pressing bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) powder is cheaper than the sintered pellet of metal bismuth (Bi) powder, it is possible to manufacture the electron beam reflection film at low cost. There is also.
【0073】さらに、本発明のカラー陰極線管の製造方
法によれば、色選別電極の電子ビーム投射面に電子ビー
ム反射膜を蒸着形成させるための真空蒸着装置として、
イリジウム(Ir)−白金(Pt)合金製のボートと、
酸化ビスマス(Bi2 O3 )粉末を高密度プレスしたペ
レットとを用い、色選別電極に電子ビーム反射膜を蒸着
形成させる際に、酸化ビスマス(Bi2 O3 )粉末のペ
レットが、ボート上で均一に加熱され、かつ、ボートと
の間で化学反応を起こさないため、電子ビーム反射膜の
蒸着速度を速め、色選別電極にバルク密度の高い均質な
酸化ビスマス(Bi2 O3 )薄膜からなる電子ビーム反
射膜を形成することができるという効果がある。Further, according to the method of manufacturing a color cathode ray tube of the present invention, as a vacuum vapor deposition apparatus for vapor deposition forming an electron beam reflecting film on the electron beam projection surface of the color selection electrode,
A boat made of iridium (Ir) -platinum (Pt) alloy;
Using the pellets high density pressed bismuth oxide (Bi 2 O 3) powder, when depositing form an electron beam reflecting film on the color selection electrode, bismuth oxide (Bi 2 O 3) powder pellets, on a boat Since it is heated uniformly and does not cause a chemical reaction with the boat, it accelerates the deposition rate of the electron beam reflection film, and the color selection electrode is made of a homogeneous bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) thin film with high bulk density. There is an effect that an electron beam reflecting film can be formed.
【0074】また、本発明のカラー陰極線管の製造方法
によれば、真空蒸着装置を用いて色選別電極に電子ビー
ム反射膜を蒸着形成したカラー陰極線管は、ハレーショ
ンの発生やマスクの電子ビーム透過孔形状の劣化が防止
され、マスクドーミングの発生を抑制することができる
という効果もある。Further, according to the method of manufacturing a color cathode ray tube of the present invention, the color cathode ray tube in which the electron beam reflecting film is vapor-deposited and formed on the color selection electrode by using the vacuum vapor deposition apparatus causes halation and electron beam transmission of the mask. There is also an effect that the deterioration of the hole shape is prevented and the occurrence of mask doming can be suppressed.
【図1】本発明に係わるカラー陰極線管の一実施例であ
って、カラー陰極線管の全体構成を示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing an overall configuration of a color cathode ray tube, which is an embodiment of the color cathode ray tube according to the present invention.
【図2】図1に図示のカラー陰極線管の色選別電極に、
酸化ビスマス(Bi2 O3 )薄膜からなる電子ビーム反
射膜を形成する真空蒸着装置の断面構成図である。FIG. 2 shows a color selection electrode of the color cathode ray tube shown in FIG.
It is a sectional view of a vacuum deposition apparatus for forming an electron beam reflecting film made of bismuth oxide (Bi 2 O 3) thin film.
【図3】図2に図示の真空蒸着装置を用い、色選別電極
に酸化ビスマス(Bi2 O3 )薄膜を形成した際に、そ
の薄膜の膜厚の測定箇所の一例を示す説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram showing an example of measurement points of the film thickness of a bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) thin film formed on a color selection electrode using the vacuum vapor deposition apparatus shown in FIG. .
【図4】図2に図示の真空蒸着装置において、蒸着試料
載置部の構成の一例を示す斜視図である。FIG. 4 is a perspective view showing an example of a configuration of a vapor deposition sample mounting portion in the vacuum vapor deposition apparatus shown in FIG.
【図5】色選別電極に形成された電子ビーム反射膜の膜
厚とカラー陰極線管のハレーションレベル(表示画像劣
化度)との関係を示す特性図である。FIG. 5 is a characteristic diagram showing a relationship between a film thickness of an electron beam reflective film formed on a color selection electrode and a halation level (display image deterioration degree) of a color cathode ray tube.
【図6】色選別電極に形成された電子ビーム反射膜のバ
ルク密度とドーミング抑制率との関係を示す特性図であ
る。FIG. 6 is a characteristic diagram showing the relationship between the bulk density of an electron beam reflective film formed on a color selection electrode and the doming suppression rate.
【図7】本実施例のカラー陰極線管において、酸化ビス
マス(Bi2 O3 )薄膜を色選別電極に形成した場合
の、膜厚とハレーションレベル(表示画像劣化度)及び
ドーミング抑制率との関係を示す特性図である。FIG. 7 shows the relationship between film thickness, halation level (display image deterioration degree) and doming suppression rate when a bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) thin film is formed on a color selection electrode in the color cathode ray tube of the present embodiment. FIG.
1 パネル部 2 ファンネル部 3 ネック部 4 フェースプレート 5 螢光膜 6 色選別電極(シャドウマスク) 6R 電子ビーム反射膜 7 マスクフレーム 8 偏向ヨーク 9 電子銃 10 ピュリテイ調整マグネット 11 センタービームスタティックコンバーゼンス調整
用マグネット 12 サイドビームスタティックコンバーゼンス調整用
マグネット 13 内部磁気シールド 14 電子ビーム 15 真空蒸着装置 16 真空容器 17 色選別電極(シャドウマスク)載置部 18 支持台 19 ボート 19D 蒸着試料載置部 20 酸化ビスマス(Bi2 O3 )粉末を高密度プレス
したペレット 21 電源 22 熱膨張吸収部分1 Panel Part 2 Funnel Part 3 Neck Part 4 Face Plate 5 Fluorescent Film 6 Color Selection Electrode (Shadow Mask) 6R Electron Beam Reflective Film 7 Mask Frame 8 Deflection Yoke 9 Electron Gun 10 Purity Adjustment Magnet 11 Center Beam Static Convergence Adjustment Magnet 12 Side Beam Static Convergence Adjustment Magnet 13 Inner Magnetic Shield 14 Electron Beam 15 Vacuum Evaporator 16 Vacuum Container 17 Color Selection Electrode (Shadow Mask) Placement 18 Supporting Base 19 Boat 19D Evaporation Sample Placement 20 Bismuth Oxide (Bi 2) O 3 ) Pellets obtained by pressing powder with high density 21 Power supply 22 Thermal expansion absorption part
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 無藤 里志 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所電子デバイス事業部内 (72)発明者 熊田 政治 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所電子デバイス事業部内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Satoshi Muto 3300 Hayano, Mobara-shi, Chiba Electronic device division, Hitachi, Ltd. (72) Politics Kumata Kumada 3300 Hayano, Mobara-shi, Chiba Hitachi, Ltd. Electronic device Within the business unit
Claims (13)
部に電子銃を収納したネック部と、前記パネル部と前記
ネック部を連接するファンネル部と、前記パネル部の内
部に前記螢光膜に対して離間対向配置され、前記電子銃
から投射された電子ビームを透過させる多数の電子ビー
ム透過孔を有する色選別電極とを備えるカラー陰極線管
において、前記色選別電極の前記電子ビームが衝突する
面にバルク密度が4.0乃至9.3g/cm3 の酸化ビ
スマス(Bi2 O3 )薄膜からなる電子ビーム反射膜が
形成されていることを特徴とするカラー陰極線管。1. A panel section having a fluorescent film formed on an inner surface thereof, a neck section having an electron gun housed therein, a funnel section connecting the panel section and the neck section, and the inside of the panel section. In a color cathode ray tube provided with a color selection electrode having a large number of electron beam transmission holes for transmitting an electron beam projected from the electron gun, the electron beam of the color selection electrode. A color cathode ray tube, characterized in that an electron beam reflection film made of a bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) thin film having a bulk density of 4.0 to 9.3 g / cm 3 is formed on the surface which collides with.
なる電子ビーム反射膜は、膜厚が5乃至700nmであ
ることを特徴とする請求項1に記載のカラー陰極線管。2. The color cathode ray tube according to claim 1, wherein the electron beam reflecting film made of the bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) thin film has a film thickness of 5 to 700 nm.
なる電子ビーム反射膜は、単位面積当りの重量が2×1
0~6乃至6.5×10~4g/cm2 であることを特徴と
する請求項1に記載のカラー陰極線管。3. The electron beam reflection film made of the bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) thin film has a weight per unit area of 2 × 1.
The color cathode ray tube according to claim 1, wherein the color cathode ray tube has a weight of 0 to 6 to 6.5 × 10 to 4 g / cm 2 .
なる電子ビーム反射膜は、ビスマス原子と酸素原子のモ
ル比が0.5対1乃至0.7対1の範囲内にあることを
特徴とする請求項1に記載のカラー陰極線管。4. The electron beam reflective film comprising the bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) thin film has a molar ratio of bismuth atoms to oxygen atoms in the range of 0.5: 1 to 0.7: 1. The color cathode ray tube according to claim 1, which is characterized in that.
なる電子ビーム反射膜は、膜厚が前記色選別電極の板厚
の1%以下であることを特徴とする請求項1に記載のカ
ラー陰極線管。5. The electron beam reflection film made of the bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) thin film has a film thickness of 1% or less of a plate thickness of the color selection electrode. Color cathode ray tube.
子銃を収納したネック部と、前記パネル部と前記ネック
部を連接するファンネル部と、前記パネル部の内部に前
記螢光膜に対して離間対向配置され、前記電子銃から投
射された電子ビームを透過させる多数の電子ビーム透過
孔を有する色選別電極とを備えるカラー陰極線管の製造
方法であって、 真空容器と、前記真空容器の排気手段と、前記真空容器
内に設置され、試料載置面が白金または白金合金である
試料載置部と、色選別電極載置部と、前記試料載置部の
加熱手段とからなる真空蒸着装置を用い、 前記試料載置部に酸化ビスマス(Bi2 O3 )を載置す
る工程と、 前記色選別電極載置部に色選別電極を載置する工程と、 前記真空容器内を前記排気手段により排気する工程と、 前記酸化ビスマス(Bi2 O3 )を前記加熱手段により
加熱して気化する工程とを経て、 前記色選別電極に酸化ビスマス(Bi2 O3 )薄膜から
なる電子ビーム反射膜を蒸着していることを特徴とする
カラー陰極線管の製造方法。6. A panel section having a fluorescent film formed on an inner surface thereof, a neck section accommodating an electron gun, a funnel section connecting the panel section and the neck section, and the fluorescent section inside the panel section. A method of manufacturing a color cathode ray tube, comprising: a color selection electrode having a number of electron beam transmitting holes, which are arranged to face each other and are spaced apart from each other, for transmitting an electron beam projected from the electron gun; From the evacuation means of the vacuum container, the sample mounting part installed in the vacuum container, the sample mounting surface is platinum or platinum alloy, the color selection electrode mounting part, and the heating means of the sample mounting part. Using the vacuum vapor deposition apparatus described above, placing bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) on the sample placing part, placing a color selecting electrode on the color selecting electrode placing part, and Exhausting the gas by the exhaust means, And a process of vaporizing serial bismuth oxide (Bi 2 O 3) is heated by the heating means, bismuth oxide on the color selection electrode (Bi 2 O 3) that is deposited an electron beam reflecting film formed of a thin film And a method for manufacturing a color cathode ray tube.
(Bi2 O3 )薄膜のバルク密度が4.0乃至9.3g
/cm3 なるように蒸着されることを特徴とする請求項
6に記載のカラー陰極線管の製造方法。7. The electron beam reflective film comprises a bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) thin film having a bulk density of 4.0 to 9.3 g.
The method for producing a color cathode ray tube according to claim 6, wherein the vapor deposition is performed so that the color cathode ray tube has a thickness of / cm 3 .
イリジウム(Ir)、オスミウム(Os)、パラジウム
(Pd)、ロジウム(Rh)、ルテニウム(Ru)の少
なくとも1種を含んだ白金合金によって形成されている
ことを特徴とする請求項6に記載のカラー陰極線管の製
造方法。8. The sample mounting surface in the vacuum vapor deposition apparatus is
The color according to claim 6, which is formed of a platinum alloy containing at least one of iridium (Ir), osmium (Os), palladium (Pd), rhodium (Rh), and ruthenium (Ru). Method for manufacturing cathode ray tube.
略台形状をなすとともに、熱による膨張収縮のメカニカ
ルストレスを緩和する形状を有していることを特徴とす
る請求項6に記載のカラー陰極線管の製造方法。9. The sample mounting surface of the vacuum vapor deposition apparatus is
7. The method of manufacturing a color cathode ray tube according to claim 6, wherein the color cathode ray tube has a substantially trapezoidal shape and has a shape that relieves mechanical stress caused by thermal expansion and contraction.
前記真空容器内を排気する工程時に、前記真空容器内を
10~4Torr以下の圧力に排気するものであることを
特徴とする請求項6に記載のカラー陰極線管の製造方
法。10. The exhaust means in the vacuum vapor deposition apparatus comprises:
7. The method of manufacturing a color cathode ray tube according to claim 6, wherein the vacuum container is evacuated to a pressure of 10 to 4 Torr or less during the process of evacuating the vacuum container.
前記酸化ビスマス(Bi2 O3 )を気化する工程時に前
記試料載置部の通電加熱によって前記酸化ビスマス(B
i2 O3 )を気化するものであることを特徴とする請求
項6に記載のカラー陰極線管。11. The heating means in the vacuum vapor deposition apparatus comprises:
During the process of vaporizing the bismuth oxide (Bi 2 O 3 ), the bismuth oxide (B 2
The color cathode ray tube according to claim 6, wherein i 2 O 3 ) is vaporized.
前記酸化ビスマス(Bi2 O3 )を気化する工程時に赤
外線加熱によって前記酸化ビスマス(Bi2 O3 )を気
化するものであることを特徴とする請求項6に記載のカ
ラー陰極線管の製造方法。12. The heating means in the vacuum vapor deposition apparatus comprises:
The method for manufacturing a color cathode ray tube according to claim 6, wherein the bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) is vaporized by infrared heating during the step of vaporizing the bismuth oxide (Bi 2 O 3 ).
前記酸化ビスマス(Bi2 O3 )を気化する工程時に電
子ビーム加熱によって前記酸化ビスマス(Bi2 O3 )
を気化するものであることを特徴とする請求項6に記載
のカラー陰極線管の製造方法。13. The heating means in the vacuum vapor deposition apparatus comprises:
The bismuth oxide by electron beam heating during a process of vaporizing the bismuth oxide (Bi 2 O 3) (Bi 2 O 3)
7. The method for manufacturing a color cathode ray tube according to claim 6, wherein the method is for vaporizing
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24488196A JPH09147758A (en) | 1995-09-18 | 1996-09-17 | Color cathode-ray tube and its manufacture |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23871395 | 1995-09-18 | ||
JP7-238713 | 1995-09-18 | ||
JP24488196A JPH09147758A (en) | 1995-09-18 | 1996-09-17 | Color cathode-ray tube and its manufacture |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09147758A true JPH09147758A (en) | 1997-06-06 |
Family
ID=26533843
Family Applications (1)
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---|---|---|---|
JP24488196A Pending JPH09147758A (en) | 1995-09-18 | 1996-09-17 | Color cathode-ray tube and its manufacture |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH09147758A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20000026831A (en) * | 1998-10-23 | 2000-05-15 | 구자홍 | Electron reflective film of shadow mask for color cathode ray tube and method for forming thereof |
-
1996
- 1996-09-17 JP JP24488196A patent/JPH09147758A/en active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20000026831A (en) * | 1998-10-23 | 2000-05-15 | 구자홍 | Electron reflective film of shadow mask for color cathode ray tube and method for forming thereof |
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