JPH09134892A - Semiconductor wafer dicing method and device - Google Patents

Semiconductor wafer dicing method and device

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JPH09134892A
JPH09134892A JP29248395A JP29248395A JPH09134892A JP H09134892 A JPH09134892 A JP H09134892A JP 29248395 A JP29248395 A JP 29248395A JP 29248395 A JP29248395 A JP 29248395A JP H09134892 A JPH09134892 A JP H09134892A
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JP
Japan
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dicing
tape
blade
wafer
semiconductor wafer
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JP29248395A
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Inventor
Noboru Goto
登 後藤
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Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To easily carry out a zero point adjustment of a semiconductor wafer dicing device by a method wherein the edge of a dicing blade is brought into contact with a metal reference plane provided near the periphery of a dicing tape to be adjusted in level. SOLUTION: A semiconductor wafer 1 is fixed to a tape 2, and the tape 2 is also fixed to a metal ring 3 by bonding. The wafer 1 is vacuum-chucked, and the metal ring 3 is fixed to the wafer fixing table 4 by a magnet. A blade 5 is aligned with a scribe line on the wafer 1, and the wafer 1 is diced. The edge of the blade 5 is brought into contact with a metal reference plane provided near the periphery of the tape 2 to be adjusted in level. That is, the edge of the blade 5 is brought into contact with the surface 3-1 of the metal ring 3 exposed near the periphery of the tape 2 or the surface 4-1 of a stage near the periphery of the metal ring 3 to be adjusted in level. The blade 5 can be replaced at any time and easily adjusted in level.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハを複数の
チップに分割するためのダイシング方法及び装置に関
し、特に、ダイシングブレードの刃の高さを調整する基
準面の改良に係わる。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a dicing method and apparatus for dividing a semiconductor wafer into a plurality of chips, and more particularly to improvement of a reference surface for adjusting the height of the blade of a dicing blade.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体ウエハ上には多数のデバイス、例
えば集積回路等の電子デバイス、レーザダイオードやフ
ォトダイオード等の光デバイス、あるいは電子デバイス
と光デバイスを複合化した光電子集積回路等が形成さ
れ、この半導体ウエハを個々のデバイス毎に分割する場
合には、ダイシング装置が通常用いられる。
2. Description of the Related Art A large number of devices such as electronic devices such as integrated circuits, optical devices such as laser diodes and photodiodes, or optoelectronic integrated circuits in which electronic devices and optical devices are combined are formed on a semiconductor wafer. When the semiconductor wafer is divided into individual devices, a dicing device is usually used.

【0003】一般的なダイシング装置は、図2に示すよ
うに水平方向に可動なウエハ固定テーブル13と、この
ウエハ固定テーブルに固定された半導体ウエハ11に対
して鉛直方向に進退される高速回転可能なダイシングブ
レード12とを備えており、コントローラによる制御
下、デバイス間に形成されるスクライブラインの中心線
上をダイシングブレードにより切断することで半導体ウ
エハを分割するよう構成されている(特願平5−118
50号)。
As shown in FIG. 2, a general dicing apparatus is capable of rotating a wafer fixing table 13 which is horizontally movable, and a semiconductor wafer 11 fixed on the wafer fixing table, which can be rotated at a high speed so as to be vertically advanced and retracted. The dicing blade 12 is provided, and the semiconductor wafer is divided by cutting the center line of the scribe line formed between the devices with the dicing blade under the control of the controller (Japanese Patent Application No. 118
No. 50).

【0004】また、半導体ウエハのダイシング方法とし
ては、図3(c)に示すように切断される半導体ウエハ
1はテープ2に貼りつけられ、このテープ2は金属リン
グ3に接着固定されてウエハ固定テーブル4の上に把持
される。このとき中心部は真空吸着6により、又周辺部
の金属リング3は磁石7により固定される。スクライブ
ラインSとブレードとの位置あわせを行なってから図4
に示すようにch1方向のダイシングを行なった後、ウ
エハ固定テーブル4を90°回転し、ch2のダイシン
グを行う。切断された半導体チップは後工程でコレット
によって搬送し易くするために、ダイシングはウエハ1
だけでなくテープ2の表面に若干食い込む、いわゆるフ
ルカットで行なう。フルカットするためには最初にブレ
ードを基準の高さにセットアップする必要がある。その
ために、ウエハ1をウエハ固定テーブル4の上に固定す
る前にブレードをウエハ固定テーブルの中央部4−0の
表面に接触させ、この時のブレードの高さを基準面4−
0としていた。接触の有無は電気的導通によって確認し
ている。
As a method for dicing a semiconductor wafer, a semiconductor wafer 1 to be cut as shown in FIG. 3 (c) is attached to a tape 2, and the tape 2 is adhesively fixed to a metal ring 3 to fix the wafer. It is gripped on the table 4. At this time, the central portion is fixed by the vacuum suction 6, and the metal ring 3 in the peripheral portion is fixed by the magnet 7. After the scribe line S and the blade are aligned, FIG.
After the dicing in the ch1 direction is performed as shown in, the wafer fixing table 4 is rotated by 90 ° and the dicing for the ch2 is performed. The dicing is performed on the wafer 1 so that the cut semiconductor chips can be easily conveyed by the collet in the subsequent process.
Not only that, it is carried out by a so-called full cut, which bites slightly into the surface of the tape 2. In order to make a full cut, it is first necessary to set up the blade at the standard height. Therefore, before fixing the wafer 1 on the wafer fixing table 4, the blade is brought into contact with the surface of the central portion 4-0 of the wafer fixing table, and the height of the blade at this time is set to the reference plane 4-.
It was 0. The presence or absence of contact is confirmed by electrical conduction.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】上記の手順に従ってダ
イシングを行なうに際し、先ずch1について全ライン
を自動で行い、ch2をダイシングする前に、ウエハの
切断状態を検査する。この時、例えば図5に示すように
ブレードの劣化等により、切断された溝が許容される2
本のスクライブラインSの間を越えるようなチッピング
の生じる場合がある。このままの状態でch2のダイシ
ングを行なうと、ブレードの劣化が進行して不良品を作
成することになる。そこで、ch1のダイシングが終わ
った後、ブレードを交換し、真円出し、ドレッシング、
高さの零点合わせを行なった後にch2のダイシングを
続行する。
When performing the dicing according to the above procedure, first, all the lines for ch1 are automatically performed, and the cutting state of the wafer is inspected before dicing for ch2. At this time, for example, as shown in FIG. 5, the cut groove is allowed due to deterioration of the blade or the like.
In some cases, chipping may occur between the scribe lines S of the book. If dicing of ch2 is performed in this state, deterioration of the blade progresses and a defective product is created. So, after the dicing of ch1 is over, replace the blade, make a perfect circle, dress,
After the height zero point adjustment, ch2 dicing is continued.

【0006】しかしながら、従来は高さの零点合わせを
行なうには、一度ウエハ1をウエハ固定テーブル4から
外さなければならない。この時、テープは真空吸着によ
り張力のかかった状態から開放された状態となってい
る。これを再度ウエハ固定テーブルに固定しても、図6
に示すようにch2のスクライブラインは揃わなくな
り、復元することは困難となっていた。そこで本発明
は、零点合わせの方法を改良して円滑にブレードを交換
してダイシングを続行できる半導体ウエハのダイシング
方法及びその装置について提供することを目的とする。
However, conventionally, the wafer 1 has to be removed from the wafer fixing table 4 once in order to perform the zero adjustment of the height. At this time, the tape is in a state of being released from a state of being tensioned by vacuum suction. Even if it is fixed to the wafer fixing table again, as shown in FIG.
As shown in, the scribe lines of ch2 are not aligned and it is difficult to restore. SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a dicing method for semiconductor wafers and an apparatus therefor capable of improving the zero-pointing method and smoothly exchanging blades to continue dicing.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明に係わるダイシン
グ方法は、半導体ウエハがダイシングテープの上に、ま
た、該ダイシングテープが金属リングの上に夫々接着固
定され、前記ウエハ部は真空吸着、前記金属リング部は
磁石で夫々ステージ表面に固着保持され、スクライブラ
インとブレードの位置あわせを行なった後、ウエハをダ
イシングする方法であって、ダイシングを行なうに先立
って、ダイシングブレードの刃先を前記ダイシングテー
プの外周近傍に設けられた金属性の基準面と接触させて
刃先の高さを調整することを特徴とする。
In the dicing method according to the present invention, a semiconductor wafer is adhered and fixed on a dicing tape, and the dicing tape is adhered and fixed on a metal ring, respectively. A method for dicing a wafer after the metal ring portions are fixedly held on the stage surface by magnets and the scribe line and the blade are aligned, and the cutting edge of the dicing blade is moved to the dicing tape prior to dicing. The height of the cutting edge is adjusted by bringing it into contact with a metallic reference surface provided in the vicinity of the outer periphery of the blade.

【0008】また、本発明に係わるダイシング装置は、
半導体ウエハと、半導体ウエハを表面に粘着固定するテ
ープと、テープの周辺部を粘着固定する金属リングと、
ダイシングテープ及び金属リングを表面に固着保持する
ウエハ固定テーブルと、前記半導体ウエハを切断する円
板状のダイシングブレードと、ダイシングブレード刃先
の高さ基準となる面とを備えたダイシング装置であっ
て、前記基準面が前記ダイシングテープの外周近傍に設
けられた金属性の平面であることを特徴とする。
Further, the dicing apparatus according to the present invention is
A semiconductor wafer, a tape for adhesively fixing the semiconductor wafer to the surface, and a metal ring for adhesively fixing the peripheral portion of the tape,
A wafer fixing table that firmly holds and holds a dicing tape and a metal ring on the surface, a disc-shaped dicing blade that cuts the semiconductor wafer, and a dicing device that includes a surface that serves as a height reference of a dicing blade edge. The reference surface is a metallic flat surface provided near the outer periphery of the dicing tape.

【0009】[0009]

【作用】上記の構成によれば、本発明はダイシングテー
プの外周近傍に設けられた金属面(例えば、ダイシング
テープの外周近傍に露出している金属リングの表面、あ
るいは金属リングの外周近傍に露出しているウエハ固定
テーブルの表面等)を基準面とするので、特に設備を変
更する必要がなく、またブレードの交換に伴う高さ調整
を簡単に行なうことができる。
According to the above-mentioned structure, the present invention provides a metal surface provided near the outer circumference of the dicing tape (for example, the surface of the metal ring exposed near the outer circumference of the dicing tape or the metal surface exposed near the outer circumference of the metal ring). Since the surface of the wafer fixing table etc.) is used as the reference surface, it is not necessary to change the equipment in particular, and the height can be easily adjusted when the blade is replaced.

【0010】[0010]

【実施例】以下、添付図面を参照して本発明の実施例を
説明する。なお、図面の説明において同一要素には同一
符号を付し、重複する説明を省略する。図2は本実施に
使用するダイシング装置10の概略図である。図示する
ように、このダイシング装置10は、半導体ウエハ11
を切断する手段としてダイシングブレード12を有し、
また、半導体ウエハ11を固定するためのウエハ固定手
段としてのウエハ固定テーブル13を有している。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. In the description of the drawings, the same elements will be denoted by the same reference symbols, without redundant description. FIG. 2 is a schematic diagram of the dicing apparatus 10 used in this embodiment. As shown in the figure, the dicing apparatus 10 is provided with a semiconductor wafer 11
Has a dicing blade 12 as means for cutting
Further, it has a wafer fixing table 13 as a wafer fixing means for fixing the semiconductor wafer 11.

【0011】ダイシングブレード12は、支持コラム1
4に支持された主軸ヘッド15の主軸16に取り付けら
れている。支持コラム14は、固定構造体であるベッド
17に鉛直無機になるように固定されており、主軸ヘッ
ド15は支持コラム14に沿って鉛直方向に上下動され
る。また、主軸16は水平方向に延び、高速回転され
る。
The dicing blade 12 is a support column 1.
It is attached to a spindle 16 of a spindle head 15 which is supported by 4. The support column 14 is fixed to a bed 17 which is a fixed structure so as to be vertically inorganic, and the spindle head 15 is vertically moved along the support column 14. The main shaft 16 extends in the horizontal direction and is rotated at high speed.

【0012】一方、ウエハ固定テーブル13はベッド1
7の上面に取り付けられており、互いに直交する水平方
向の2軸に沿って直進運動可能となっている。また、ウ
エハ固定テーブル13の上面は水平なウエハ固定面18
となっており、この面18は鉛直方向の軸線を中心に正
逆両方向に回転可能となっている。ウエハ固定面18上
には、半導体ウエハ11がダイシングテープ19に貼り
付けられた状態で真空吸着により固定される。
On the other hand, the wafer fixing table 13 is the bed 1
It is attached to the upper surface of 7 and can move linearly along two horizontal axes that are orthogonal to each other. The upper surface of the wafer fixing table 13 is a horizontal wafer fixing surface 18
The surface 18 is rotatable in both forward and reverse directions about the vertical axis. The semiconductor wafer 11 is fixed on the wafer fixing surface 18 by vacuum suction while being attached to the dicing tape 19.

【0013】更に、この実施例のダイシング装置10
は、主軸ヘッド15の下部に、半導体ウエハ11の表面
を撮像する撮像手段であるCCDカメラ20を備えてい
る。このCCDカメラ20はダイシングブレード12に
隣接する領域を撮像することができる。また、CCDカ
メラ20はA/D変換器21を介して、撮像処理手段で
あるコンピュータ22に接続されている。
Furthermore, the dicing apparatus 10 of this embodiment
In the lower part of the spindle head 15, a CCD camera 20 as an image pickup means for picking up an image of the surface of the semiconductor wafer 11 is provided. The CCD camera 20 can image an area adjacent to the dicing blade 12. Further, the CCD camera 20 is connected via an A / D converter 21 to a computer 22 which is an image pickup processing means.

【0014】CCDカメラ20で撮像した画像のアナロ
グ情報は、A/D変換器21によりデジタル化され、コ
ンピュータ22に入力される。コンピュータ22は、入
力された画像情報を適当なアルゴリズムに従って画像処
理し、切断ラインの位置を検出することができる。コン
ピュータ22により検出された切断ラインの位置情報
は、ダイシングブレード12の回転、主軸ヘッド15の
上下動及びウエハ固定テーブル13の水平方向運動を制
御するコントローラ23に入力され、その切断ラインに
て半導体ウエハ11を切断するようになっている。
The analog information of the image picked up by the CCD camera 20 is digitized by the A / D converter 21 and input to the computer 22. The computer 22 can perform image processing on the input image information according to an appropriate algorithm to detect the position of the cutting line. The position information of the cutting line detected by the computer 22 is input to the controller 23 that controls the rotation of the dicing blade 12, the vertical movement of the spindle head 15, and the horizontal movement of the wafer fixing table 13, and the semiconductor wafer is cut along the cutting line. It is designed to cut 11.

【0015】図1は本実施例に係わるダイシング装置の
拡大図である。図において、半導体ウエハ1と、半導体
ウエハを表面に粘着固定するダイシングテープ2と、ダ
イシングテープの周辺部を粘着固定する金属リング3
と、テープ及び金属リングを表面に固着保持するウエハ
固定テーブル4と、半導体ウエハを切断する円板状のダ
イシングブレード5と、ブレード刃先の高さ基準となる
面7あるいは8とを備えたダイシング装置であって、基
準面4−1がテープ2の外周近傍に設けられた金属性の
平面である。
FIG. 1 is an enlarged view of the dicing apparatus according to this embodiment. In the figure, a semiconductor wafer 1, a dicing tape 2 for adhesively fixing the semiconductor wafer to the surface, and a metal ring 3 for adhesively fixing the peripheral portion of the dicing tape.
A dicing apparatus having a wafer fixing table 4 for fixing and holding a tape and a metal ring on the surface, a disc-shaped dicing blade 5 for cutting a semiconductor wafer, and a surface 7 or 8 serving as a height reference of a blade edge. The reference surface 4-1 is a metallic flat surface provided near the outer circumference of the tape 2.

【0016】ここで、テープの外周近傍に露出している
金属リング3の表面3−1、あるいは金属リング外周近
傍のウエハ固定テーブル4の表面4−1を基準面として
使用することは、特に設備を変更する必要がなく、また
基準面が常に露出しているので何時でもブレードの高さ
を調整することができ、操作が簡単となるので実用上好
ましい。半導体ウエハ1は直径3インチのGaAs、ダ
イシングテープ2は弾性を有する塩化ビニル製シートを
用いた。
Here, using the surface 3-1 of the metal ring 3 exposed in the vicinity of the outer periphery of the tape or the surface 4-1 of the wafer fixing table 4 in the vicinity of the outer periphery of the metal ring as a reference surface is particularly advantageous for equipment. Is not necessary, and since the reference surface is always exposed, the height of the blade can be adjusted at any time, and the operation is simple, which is preferable in practice. The semiconductor wafer 1 was GaAs with a diameter of 3 inches, and the dicing tape 2 was a vinyl chloride sheet having elasticity.

【0017】本発明に係わる半導体ウエハのダイシング
方法は、半導体ウエハ1がテープ2の上に、また、テー
プ2が金属リング3の上に夫々接着固定され、ウエハ部
は真空吸着、金属リング部は磁石によって夫々ウエハ固
定テーブル4の表面に固着保持され、スクライブライン
とブレード5の位置あわせを行なった後、ウエハ1をダ
イシングする方法であって、ダイシングを行なうに先立
って、ブレード5の刃先をテープ2の外周近傍に設けら
れた金属性の基準面と接触させて刃先の高さを調整する
ことを特徴とし、より具体的にはブレード5の刃先をテ
ープ2の外周近傍に露出している金属リングの表面3−
1、あるいは金属リング3の外周近傍のステージ表面4
−1と接触させて刃先の高さを調整する方法である。
In the method for dicing a semiconductor wafer according to the present invention, the semiconductor wafer 1 is adhered and fixed on the tape 2, and the tape 2 is adhered and fixed on the metal ring 3, respectively. A method of dicing the wafer 1 after the wafers are fixed and held on the surface of the wafer fixing table 4 by magnets, respectively, and the scribe line and the blade 5 are aligned with each other. Prior to dicing, the blade tip of the blade 5 is taped. 2 is characterized in that the height of the cutting edge is adjusted by bringing it into contact with a metallic reference surface provided near the outer circumference of the tape 2. More specifically, the metal that exposes the cutting edge of the blade 5 near the outer circumference of the tape 2. Ring surface 3-
1 or the stage surface 4 near the outer circumference of the metal ring 3
It is a method of adjusting the height of the cutting edge by bringing it into contact with -1.

【0018】直径3インチ、厚さ600μmのGaAs
ウエハでは、通常約100回のダイシングが必要であ
る。一方、ダイシングブレードが正常にダイシングでき
るのは約10、000なので、ウエハ100枚毎にダイ
シングブレードを交換し、その都度1枚の切断不良が生
じていた。しかし、基準面を金属リングの表面、あるい
は金属リングの外周近傍に露出しているウエハ固定テー
ブルの表面に変更することによって、何時でもダイシン
グブレードを交換することができ、ブレードの高さ調整
を簡単に行なうことができると共にダイシングによる不
良の発生を抑制することができた。
GaAs with a diameter of 3 inches and a thickness of 600 μm
Wafers typically require about 100 dicings. On the other hand, since the dicing blade can normally perform dicing of about 10,000, the dicing blade was replaced after every 100 wafers, and one cutting failure occurred each time. However, by changing the reference surface to the surface of the metal ring or the surface of the wafer fixing table exposed near the outer periphery of the metal ring, the dicing blade can be replaced at any time, and blade height adjustment is easy. In addition, it was possible to suppress the occurrence of defects due to dicing.

【0019】[0019]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ダイシングテープの外周近傍に設けられた金属面(例え
ば、ダイシングテープの外周近傍に露出している金属リ
ングの表面、あるいは金属リングの外周近傍に露出して
いるウエハ固定テーブルの表面等)を基準面とするの
で、特に設備を変更する必要がなく、またブレードの交
換に伴う高さ調整を簡単に行なうことができる。従っ
て、ダイシングの加工時間を短縮するとともにダイシン
グによる不良の発生を抑制することができる。
As described above, according to the present invention,
A reference surface is a metal surface provided near the outer circumference of the dicing tape (for example, the surface of the metal ring exposed near the outer circumference of the dicing tape or the surface of the wafer fixing table exposed near the outer circumference of the metal ring). Therefore, it is not necessary to change the equipment, and the height can be easily adjusted when the blade is replaced. Therefore, it is possible to reduce the processing time of dicing and suppress the occurrence of defects due to dicing.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本実施例に係わるダイシング装置の拡大図であ
る。
FIG. 1 is an enlarged view of a dicing apparatus according to this embodiment.

【図2】本実施例に使用されるダイシング装置の構成を
示す概略図である。
FIG. 2 is a schematic diagram showing a configuration of a dicing apparatus used in this embodiment.

【図3】従来のダイシング方法を説明するための平面図
(a)、及び断面図(b,c)である。
FIG. 3 is a plan view (a) and a cross-sectional view (b, c) for explaining a conventional dicing method.

【図4】ダイシング方法を説明するための平面図であ
る。
FIG. 4 is a plan view for explaining a dicing method.

【図5】ダイシング方法を説明するための拡大図であ
る。
FIG. 5 is an enlarged view for explaining a dicing method.

【図6】ダイシング方法を説明するための平面図であ
る。
FIG. 6 is a plan view for explaining a dicing method.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1:半導体ウエハ 2:ダイシングテープ 3:リング 3−1:基準面 4:ウエハ固定テーブル 4−0、4−1:基準面 5:ダイシングブレード 6:真空引き 7:磁石 10:ダイシング装置 11:半導体ウエハ 12:ダイシングブレード 13:ウエハ固定テーブル 14:支持コラム 15:主軸ヘッド 16:主軸 17:ベッド 18:ウエハ固定面 19:ダイシングテープ 20:CCDカメラ 21:A/D変換器 22:コンピュータ 23:コントローラ S:スクライブライン 1: Semiconductor wafer 2: Dicing tape 3: Ring 3-1: Reference surface 4: Wafer fixing table 4-0, 4-1: Reference surface 5: Dicing blade 6: Vacuuming 7: Magnet 10: Dicing device 11: Semiconductor Wafer 12: Dicing blade 13: Wafer fixing table 14: Support column 15: Spindle head 16: Spindle 17: Bed 18: Wafer fixing surface 19: Dicing tape 20: CCD camera 21: A / D converter 22: Computer 23: Controller S: Scribe line

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体ウエハがダイシングテープの上
に、また、該ダイシングテープが金属リングの上に夫々
接着固定され、前記ウエハ部は真空吸着、前記金属リン
グ部は磁石で夫々ステージ表面に固着保持され、スクラ
イブラインとブレードの位置あわせを行なった後、ウエ
ハをダイシングする方法であって、 ダイシングを行なうに先立って、ダイシングブレードの
刃先を前記ダイシングテープの外周近傍に設けられた金
属性の基準面と接触させて刃先の高さを調整することを
特徴とする半導体ウエハのダイシング方法。
1. A semiconductor wafer is adhered and fixed on a dicing tape, and the dicing tape is adhered and fixed on a metal ring, the wafer portion is vacuum-adsorbed, and the metal ring portion is fixedly held on a stage surface by a magnet. A method of dicing the wafer after aligning the scribe line and the blade, and prior to dicing, the cutting edge of the dicing blade is a metallic reference surface provided near the outer periphery of the dicing tape. A method for dicing a semiconductor wafer, which comprises adjusting the height of a cutting edge by contacting with the cutting edge.
【請求項2】 ダイシングブレードの刃先をダイシング
テープの外周近傍に露出している金属リング表面、と接
触させて刃先の高さを調整することを特徴とする請求項
1に記載の半導体ウエハのダイシング方法。
2. The dicing of a semiconductor wafer according to claim 1, wherein the height of the cutting edge is adjusted by bringing the cutting edge of the dicing blade into contact with the metal ring surface exposed near the outer periphery of the dicing tape. Method.
【請求項3】 半導体ウエハと、半導体ウエハを表面に
粘着固定するテープと、テープの周辺部を粘着固定する
金属リングと、ダイシングテープ及び金属リングを表面
に固着保持するウエハ固定テーブルと、前記半導体ウエ
ハを切断する円板状のダイシングブレードと、ダイシン
グブレード刃先の高さ基準となる面とを備えたダイシン
グ装置であって、 前記基準面が前記ダイシングテープ
の外周近傍に設けられた金属性の平面であることを特徴
とする半導体ウエハのダイシング装置。
3. A semiconductor wafer, a tape for adhering and fixing the semiconductor wafer to the surface, a metal ring for adhering and fixing the peripheral portion of the tape, a wafer fixing table for fixing and holding the dicing tape and the metal ring on the surface, and the semiconductor. A dicing device comprising a disk-shaped dicing blade for cutting a wafer and a surface serving as a height reference of a dicing blade edge, wherein the reference surface is a metallic flat surface provided in the vicinity of the outer periphery of the dicing tape. A semiconductor wafer dicing device characterized by:
【請求項4】 基準面がダイシングテープの外周近傍に
露出している金属リングの表面、であることを特徴とす
る請求項3に記載の半導体ウエハのダイシング装置。
4. The dicing apparatus for a semiconductor wafer according to claim 3, wherein the reference surface is a surface of a metal ring exposed near the outer periphery of the dicing tape.
JP29248395A 1995-11-10 1995-11-10 Semiconductor wafer dicing method and device Pending JPH09134892A (en)

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JP29248395A Pending JPH09134892A (en) 1995-11-10 1995-11-10 Semiconductor wafer dicing method and device

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JP (1) JPH09134892A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7164571B2 (en) 2004-02-19 2007-01-16 Anelva Corporation Wafer stage with a magnet
JP2011014568A (en) * 2009-06-30 2011-01-20 Disco Abrasive Syst Ltd Cutting device
JP2015115418A (en) * 2013-12-10 2015-06-22 東芝機械株式会社 Vacuum chuck device and vertical precision machine including vacuum chuck device and dicing device

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