JPH09129967A - Semiconductor laser - Google Patents

Semiconductor laser

Info

Publication number
JPH09129967A
JPH09129967A JP28427195A JP28427195A JPH09129967A JP H09129967 A JPH09129967 A JP H09129967A JP 28427195 A JP28427195 A JP 28427195A JP 28427195 A JP28427195 A JP 28427195A JP H09129967 A JPH09129967 A JP H09129967A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ridge
semiconductor laser
layer
cladding layer
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP28427195A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tetsuhito Nakajima
徹人 中島
Koji Nakamura
幸治 中村
Hideaki Horikawa
英明 堀川
Hiroki Yaegashi
浩樹 八重樫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Oki Electric Industry Co Ltd filed Critical Oki Electric Industry Co Ltd
Priority to JP28427195A priority Critical patent/JPH09129967A/en
Publication of JPH09129967A publication Critical patent/JPH09129967A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor laser, which has a wide ridges but is capable of stabilized fundamental lateral mode oscillation during high-output operation, by forming a high-loss, lateral-mode control region that has a narrow optical path. SOLUTION: A semiconductor laser comprises an n-type GaAs substrate 10, an n-type AlGaAs clad layer 20 on the substrate 10, an active layer 30 on the n-type AlGaAs clad layer 20, and a p-type AlGaAs clad layer 40a with a ridge 70. The p-type AlGaAs clad layer 40a includes recesses 90 for lateral mode control on both sides of the ridge 70.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、高出力半導体レー
ザ(以後、LDと略記することもある)に係り、特に高
出力時において安定した基本横モード発振を得ることが
できるリッジ導波路型半導体レーザの構造に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a high-power semiconductor laser (hereinafter sometimes abbreviated as LD), and particularly to a ridge waveguide type semiconductor capable of obtaining stable fundamental transverse mode oscillation at high output. It relates to the structure of a laser.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、このような分野の技術としては、
例えば、文献名:RECENT DEVELOPMEN
TS OF 980−nm PUMP LASERS
FOROPTICAL FIBER AMPLIFIE
RS.著者:Heinz Meier、IBM Res
earch Division,Zurich Res
earch Laboratory、Proc.of
20th European Conf.on Opt
ical Communication(ECOC 1
994),Florence,Italy,Sept.
25−29,1994に記載されるものがあった。
2. Description of the Related Art Conventionally, techniques in such a field include:
For example, literature name: RECENT DEVELOPMEN
TS OF 980-nm PUMP LASERS
FOROPTICAL FIBER AMPLIFIE
RS. Author: Heinz Meier, IBM Res
search Division, Zurich Res
search Laboratory, Proc. of
20th European Conf. on Opt
ical Communication (ECOC 1
994), Florence, Italy, Sept.
25-29, 1994.

【0003】以下、この文献に開示されている半導体レ
ーザの構造について、図4を参照して簡単に説明する。
n−GaAs基板101上に基板側から順に、n−Al
GaAsクラッド層102、InGaAs/AlGaA
s活性層103、p−AlGaAsクラッド層104、
p−GaAsコンタクト層105が形成されている。そ
の活性層103は、図示しないが、InGaAsからな
る量子井戸層とAlGaAs障壁層を積層したInGa
As/AlGaAs量子井戸構造の半導体層により構成
されている。また、p−AlGaAsクラッド層104
とp−GaAsコンタクト層105により、リッジが形
成されている。なお、106は絶縁膜(SiO2 膜)で
ある。
The structure of the semiconductor laser disclosed in this document will be briefly described below with reference to FIG.
On the n-GaAs substrate 101, n-Al is formed in order from the substrate side.
GaAs cladding layer 102, InGaAs / AlGaA
s active layer 103, p-AlGaAs cladding layer 104,
A p-GaAs contact layer 105 is formed. Although not shown, the active layer 103 is InGa in which a quantum well layer made of InGaAs and an AlGaAs barrier layer are laminated.
It is composed of a semiconductor layer having an As / AlGaAs quantum well structure. In addition, the p-AlGaAs cladding layer 104
And the p-GaAs contact layer 105 form a ridge. Reference numeral 106 is an insulating film (SiO 2 film).

【0004】更に、n−GaAs基板101の下面では
n側電極108、p−GaAsコンタクト層105の上
面にはp側電極107が形成されている。
Further, an n-side electrode 108 is formed on the lower surface of the n-GaAs substrate 101, and a p-side electrode 107 is formed on the upper surface of the p-GaAs contact layer 105.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
リッジ導波路型半導体レーザでは、以下の問題点があ
る。レーザ光は、リッジ両脇とリッジ部の実効屈折率差
により形成される屈折率導波路を伝搬する。このため、
高出力動作時に、安定した基本横モード発振を得るため
には、材料と構造により決まる実効屈折率差に応じて、
屈折率導波路の幅を狭くする必要がある。従来の構造で
はこのためにリッジの幅を狭くすることになる。しか
し、リッジ幅を狭くすると、リッジ頭部の面積が小さく
なるためにp型電極での接触抵抗の増加、及び光導波路
での光密度の増加によりレーザ発振時に素子の温度上昇
が顕著になる。このことにより、素子寿命が低下すると
ともに、動作の不安定化を生じるといった問題があっ
た。
However, the conventional ridge waveguide type semiconductor laser has the following problems. The laser light propagates in the refractive index waveguide formed by the effective refractive index difference between both sides of the ridge and the ridge portion. For this reason,
In order to obtain stable fundamental transverse mode oscillation during high power operation, according to the effective refractive index difference determined by the material and structure,
It is necessary to narrow the width of the refractive index waveguide. In the conventional structure, this reduces the width of the ridge. However, when the ridge width is narrowed, the area of the ridge head becomes small, so that the contact resistance at the p-type electrode increases and the optical density at the optical waveguide increases, so that the temperature rise of the element becomes remarkable during laser oscillation. This causes a problem that the device life is shortened and the operation becomes unstable.

【0006】本発明は、上記問題点を除去し、横モード
制御領域では、光損失が高くなり、光伝搬路を実効的に
狭くすることにより、リッジ幅を広くしても高出力動作
時に安定した基本横モード発振を得ることができる半導
体レーザを提供することを目的とする。
The present invention eliminates the above-mentioned problems and increases optical loss in the transverse mode control region, and effectively narrows the optical propagation path to stabilize the ridge width even during high output operation. It is an object of the present invention to provide a semiconductor laser capable of obtaining the fundamental transverse mode oscillation described above.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 〔1〕化合物半導体基板と、この基板の上側の第1クラ
ッド層と、この第1クラッド層の上側の活性層と、この
活性層の上側の第2クラッド層とを少なくとも具え、こ
の活性層の上側の第2クラッド層にリッジ部が形成され
ているリッジ導波路型半導体レーザにおいて、前記第2
クラッド層のリッジ部の側面近傍において、このリッジ
部の両側の、前記第2クラッド層の厚みが薄くなってい
る横モード制御領域が形成されるようにしたものであ
る。
In order to achieve the above object, the present invention provides [1] a compound semiconductor substrate, a first clad layer on the upper side of the substrate, and an active layer on the upper side of the first clad layer. And a second clad layer above the active layer, wherein a ridge portion is formed in the second clad layer above the active layer.
In the vicinity of the side surface of the ridge portion of the cladding layer, lateral mode control regions where the thickness of the second cladding layer is thin are formed on both sides of the ridge portion.

【0008】〔2〕上記〔1〕記載の半導体レーザにお
いて、前記化合物半導体基板はGaAs基板、前記第1
クラッド層はn型AlGaAsクラッド層、前記第2ク
ラッド層はp型AlGaAsクラッド層である。 本発明によれば、上記のように、両端面部のリッジ両脇
のAlGaAsクラッド層の厚みを薄くした横モード制
御領域を設けることにより、光伝搬路の実質的狭小化が
生じ、リッジ幅を狭くすることなく、高出力動作時にお
いて安定な基本横モード発振が得られる。
[2] In the semiconductor laser described in [1] above, the compound semiconductor substrate is a GaAs substrate, and the first semiconductor laser is the GaAs substrate.
The clad layer is an n-type AlGaAs clad layer, and the second clad layer is a p-type AlGaAs clad layer. According to the present invention, as described above, by providing the lateral mode control region in which the thickness of the AlGaAs cladding layers on both sides of the ridge on both end faces is reduced, the optical propagation path is substantially narrowed and the ridge width is narrowed. In this way, stable fundamental transverse mode oscillation can be obtained during high output operation.

【0009】更に、リッジ幅を広くすることができるこ
とにより、リッジ頭部でのp側電極での接触抵抗の増
加、及び光導波路での光密度の増加によるレーザ発振時
の素子の顕著な温度上昇が抑制され、高出力動作時にお
いての安定動作が得られる。
Further, since the ridge width can be widened, the contact resistance at the p-side electrode at the ridge head increases, and the light density in the optical waveguide increases, so that the temperature of the device remarkably rises during laser oscillation. Is suppressed, and stable operation at high output operation is obtained.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を用いて説明する。これらの図面において、各構
成成分は、本発明が理解できる程度に各構成成分の形
状、大きさ、及び配置関係を概略的に示してあるにすぎ
ない。図1は本発明の実施例であるリッジ導波路型半導
体レーザを構成する素子の構造を概略的に示す斜視図、
図2はその半導体レーザの製造工程図(その1)、図3
はその半導体レーザの製造工程図(その2)である。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In these drawings, each component merely shows the shape, size, and positional relationship of each component to the extent that the present invention can be understood. FIG. 1 is a perspective view schematically showing the structure of an element constituting a ridge waveguide type semiconductor laser which is an embodiment of the present invention,
2 is a manufacturing process diagram (1) of the semiconductor laser, FIG.
FIG. 3 is a manufacturing process diagram (2) of the semiconductor laser.

【0011】まず、図2(a)に示すように、n−Ga
As基板10上に、n−Alx Ga 1-x As第1クラッ
ド層(例えば、x=0.2、キャリア濃度5×1017
-3)20、活性層30、p−Alx Ga1-x As第2
クラッド層(例えば、x=0.2、キャリア濃度5×1
18cm-3、厚さ1.5〜2μm程度)40、p−Ga
Asコンタクト層(例えば、キャリア濃度1.5×10
19cm-3以下、厚さ0.3〜0.5μm)50をMOV
PE法やMBE法等公知の方法で成長させる。
First, as shown in FIG. 2A, n-Ga
On the As substrate 10, n-AlxGa 1-xAs first crack
Layer (eg, x = 0.2, carrier concentration 5 × 1017c
m-3) 20, active layer 30, p-AlxGa1-xAs second
Cladding layer (eg, x = 0.2, carrier concentration 5 × 1
018cm-3, Thickness about 1.5 to 2 μm) 40, p-Ga
As contact layer (for example, carrier concentration 1.5 × 10
19cm-3Below, thickness 0.3-0.5 μm) 50 MOV
It is grown by a known method such as PE method and MBE method.

【0012】活性層30は、図示しないが、アンドープ
Inx Ga1-x Asからなる量子井戸(例えば、キャリ
ア濃度0.15≦x≦0.2、厚さ8〜10nm)をア
ンドープGaAsからなる障壁層(例えば、厚さ40〜
80nm)で挟んだアンドープInGaAs/GaAs
シングル量子井戸構造の半導体層により構成されてい
る。
Although not shown, the active layer 30 has a quantum well (for example, carrier concentration 0.15 ≦ x ≦ 0.2, thickness 8-10 nm) made of undoped In x Ga 1-x As made of undoped GaAs. Barrier layer (e.g.
80 nm) sandwiched between undoped InGaAs / GaAs
It is composed of a semiconductor layer having a single quantum well structure.

【0013】次に、図2(b)に示すように、プラズマ
CVD法等により、p−GaAsコンタクト層50上に
SiO2 等の酸化膜を形成し、通常のフォトリソグラフ
ィー法、及びバッファー沸化水素エッチングにより、幅
6〜8μmのSiO2 ストライプマスク60を形成す
る。次に、図2(c)に示すように、ウエットエッチン
グ(例えば、硫酸:1、過酸化水素水:8、水:100
の混合液)や、ドライエッチングRIE(Reacti
ve Ion Etching)等により、p−GaA
sコンタクト層50、p−AlX Ga1-X As第2クラ
ッド層40をエッチングし、リッジ部70を形成する。
Next, as shown in FIG. 2B, an oxide film such as SiO 2 is formed on the p-GaAs contact layer 50 by the plasma CVD method or the like, and the usual photolithography method and buffer evaporation are used. A SiO 2 stripe mask 60 having a width of 6 to 8 μm is formed by hydrogen etching. Next, as shown in FIG. 2C, wet etching (for example, sulfuric acid: 1, hydrogen peroxide solution: 8, water: 100) is performed.
Liquid mixture) and dry etching RIE (Reacti
ve Ion Etching) and the like, p-GaA
The s contact layer 50, p-Al X Ga 1 -X As second cladding layer 40 are etched to form a ridge portion 70.

【0014】この場合、エッチング後、残存しているp
−Alx Ga1-X As第2クラッド層40aの厚みを、
約0.5μm、リッジ部70の幅を5〜7μmになるよ
うにエッチング条件、時間を抑制する。なお、図中、4
0aはエッチング済みのp−Alx Ga1-X As第2ク
ラッド層、50aはエッチング済みのp−GaAsコン
タクト層を示す。
In this case, the remaining p after etching.
-Al x Ga 1-x As second cladding layer 40a thickness,
The etching conditions and time are controlled so that the width of the ridge 70 is about 0.5 μm and 5 to 7 μm. In the figure, 4
0a is etched in p-Al x Ga 1-X As second cladding layer, 50a denotes the etched of the p-GaAs contact layer.

【0015】次に、図3(a)に示すように、リッジ部
70の上部SiO2 ストライプマスク60を除去し、再
度全面にSiO2 等の酸化膜を形成し、通常のフォトリ
ソグラフィー法、及びバッファー沸化水素エッチングに
より、共振器両端面のリッジ両脇に幅4〜6μm、長さ
10〜20μmに渡って、SiO2 を取り除いたSiO
2 マスク80を形成する。
Next, as shown in FIG. 3A, the upper SiO 2 stripe mask 60 of the ridge portion 70 is removed, an oxide film of SiO 2 or the like is formed again on the entire surface, and the ordinary photolithography method and SiO 2 from which SiO 2 was removed over the width of 4 to 6 μm and the length of 10 to 20 μm on both sides of the ridge on both end faces of the resonator by buffered hydrogen fluoride etching.
2 A mask 80 is formed.

【0016】次いで、ウエットエッチング(例えば、硫
酸:1、過酸化水素水:8、水:100の混合液)や、
ドライエッチングRIE等により、SiO2 マスク80
を用いてエッチング済みのp−AlX Ga1-X As第2
クラッド層40aの一部を、厚さが0.2μm程度にな
るようにエッチングし、横モード制御領域90を形成す
る。なお、100はリッジ領域である。
Next, wet etching (for example, a mixed solution of sulfuric acid: 1, hydrogen peroxide: 8, water: 100),
SiO 2 mask 80 by dry etching RIE or the like
P-Al x Ga 1 -x As second etched using
A part of the clad layer 40a is etched to have a thickness of about 0.2 μm to form a lateral mode control region 90. Incidentally, 100 is a ridge region.

【0017】次いで、図3(b)に示すように、SiO
2 マスク80を沸化水素により取り除く。なお、図中、
40bは横モード制御領域90を形成済みのp−AlX
Ga 1-X As第2クラッド層を示す。この後、図示しな
いが、エッチング済みのp−GaAsコンタクト層50
a、横モード制御領域90を形成済みのp−AlX Ga
1-X As第2クラッド層40bの上に、SiN等の絶縁
膜を形成した後、エッチング済みのp−GaAsコンタ
クト層50a上の絶縁膜を取り除き、p側電極を形成
し、基板側にn側電極を形成する。劈開後、劈開面にA
R、HRコーティングをする。
Then, as shown in FIG.
TwoThe mask 80 is removed with hydrogen fluoride. In the figure,
40b is p-Al on which the transverse mode control region 90 is already formed.X
Ga 1-XThe As 2nd clad layer is shown. After this,
However, the etched p-GaAs contact layer 50
a, p-Al on which the transverse mode control region 90 has been formedXGa
1-XInsulation of SiN or the like on the As second clad layer 40b
After film formation, etched p-GaAs contour
The insulating film on the insulating layer 50a is removed to form the p-side electrode
Then, the n-side electrode is formed on the substrate side. After cleavage, A on the cleavage plane
Apply R and HR coating.

【0018】以下、このようにして得られた半導体レー
ザの動作について説明する。この素子を正常に動作させ
た場合、レーザ光は、リッジ両脇とリッジ部の実効屈折
率差により形成される屈折率導波路を伝搬する。伝搬し
たレーザ光は、共振器両端部のリッジ両脇に形成された
横モード制御領域で光損失が高められ、実効的に光伝搬
路が狭くされ、横モードが制御され、高出力動作時にお
いても、基本横モードの発振となる。
The operation of the semiconductor laser thus obtained will be described below. When this element is operated normally, the laser light propagates in the refractive index waveguide formed by the effective refractive index difference between both sides of the ridge and the ridge portion. The propagated laser light has increased optical loss in the transverse mode control regions formed on both sides of the ridge at both ends of the resonator, effectively narrowing the optical propagation path, controlling the transverse mode, and operating at high output. Also becomes the oscillation of the fundamental transverse mode.

【0019】このように構成したので、両端面部のリッ
ジ両脇のAlGaAsクラッド層の厚みを薄くした横モ
ード制御領域を設けることにより、光伝搬路の実質的狭
小化が生じ、リッジ幅を狭くすることなく、高出力動作
時において安定な基本横モード発振が得られる。さら
に、リッジ幅を広くすることができることにより、リッ
ジ頭部でのp側電極での接触抵抗の増加、及び光導波路
での光密度の増加によるレーザ発振時の素子の顕著な温
度上昇が抑制され、高出力動作時においての安定動作が
得られる。
With this structure, by providing the lateral mode control region in which the thickness of the AlGaAs cladding layers on both sides of the ridge at both end faces is reduced, the optical propagation path is substantially narrowed and the ridge width is narrowed. In this way, stable fundamental transverse mode oscillation can be obtained during high output operation. Furthermore, since the ridge width can be widened, a remarkable temperature rise of the element during laser oscillation due to an increase in contact resistance at the p-side electrode at the ridge head and an increase in optical density in the optical waveguide can be suppressed. A stable operation can be obtained at the time of high output operation.

【0020】また、本発明の半導体レーザは以下のよう
な利用形態を有することができる。 (1)上記実施例では、n型基板を用いた実施例を示し
たが、導電型をnとpと入れ換えることにより、p型基
板を用いることもできる。 (2)GaAs系のレーザを用いた実施例を示したが、
他の材料系、例えば、InP系においても適用できる。
Further, the semiconductor laser of the present invention can be used in the following forms. (1) In the above embodiment, an n-type substrate is used, but a p-type substrate can be used by changing the conductivity types of n and p. (2) The embodiment using the GaAs-based laser has been described.
It can also be applied to other material systems such as InP system.

【0021】(3)横モード制御領域を両端面に構成し
た実施例を示したが、片方の端面や、それ以外の領域に
おいて形成する場合にも適用できる。この場合、横モー
ド制御領域の幅、長さ及び深さ等のパラメータは、それ
ぞれの場合において最適化する必要がある。 なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。
(3) Although the embodiment in which the lateral mode control region is formed on both end faces is shown, the present invention can be applied to the case where it is formed on one end face or the other region. In this case, parameters such as width, length, and depth of the lateral mode control region need to be optimized in each case. Note that the present invention is not limited to the above embodiment,
Various modifications are possible based on the spirit of the present invention, and these are not excluded from the scope of the present invention.

【0022】[0022]

【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、両端面部のリッジ両脇のAlGaAsクラッド
層の厚みを薄くした横モード制御領域を設けることによ
り、光伝搬路の実質的狭小化が生じ、リッジ幅を狭くす
ることなく、高出力動作時において安定な基本横モード
発振が得られる。
As described above in detail, according to the present invention, by providing the transverse mode control region in which the thickness of the AlGaAs cladding layers on both sides of the ridges on both end faces is reduced, the optical propagation path is substantially formed. Narrowing occurs, and stable fundamental transverse mode oscillation can be obtained during high-power operation without narrowing the ridge width.

【0023】さらに、リッジ幅を広くできることによ
り、リッジ頭部でのp側電極での接触抵抗の増加、及び
光導波路での光密度の増加によるレーザ発振時の素子の
顕著な温度上昇が抑制され、高出力動作時においての安
定動作が得られる。
Further, since the ridge width can be widened, a remarkable increase in temperature of the device during laser oscillation due to an increase in contact resistance at the p-side electrode at the ridge head and an increase in light density in the optical waveguide can be suppressed. A stable operation can be obtained at the time of high output operation.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施例であるリッジ導波路型半導体レ
ーザを構成する素子の構造を概略的に示す斜視図であ
る。
FIG. 1 is a perspective view schematically showing the structure of an element constituting a ridge waveguide type semiconductor laser which is an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の実施例であるリッジ導波路型半導体レ
ーザの製造工程図(その1)である。
FIG. 2 is a manufacturing process diagram (1) of a ridge waveguide type semiconductor laser according to an embodiment of the present invention.

【図3】本発明の実施例であるリッジ導波路型半導体レ
ーザの製造工程図(その2)である。
FIG. 3 is a manufacturing process diagram (2) of the ridge waveguide type semiconductor laser according to the embodiment of the present invention.

【図4】従来のリッジ導波路型半導体レーザを構成する
素子の構造を概略的に示す斜視図である。
FIG. 4 is a perspective view schematically showing the structure of an element that constitutes a conventional ridge waveguide type semiconductor laser.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 n−GaAs基板 20 n−Alx Ga1-x As第1クラッド層 30 活性層 40 p−Alx Ga1-x As第2クラッド層 40a エッチング済みのp−AlGaAs第2クラ
ッド層 40b 横モード制御領域を形成済みのp−AlGa
As第2クラッド層 50 p−GaAsコンタクト層 50a エッチング済みのp−AlGaAsコンタク
ト層 60 SiO2 ストライプマスク 70 リッジ部 80 SiO2 マスク 90 横モード制御領域 100 リッジ領域
10 n-GaAs substrate 20 n-Al x Ga 1- x As first cladding layer 30 active layer 40 p-Al x Ga 1- x As second cladding layer 40a etched of the p-AlGaAs second cladding layer 40b transverse mode P-AlGa with a control region already formed
As second cladding layer 50 p-GaAs contact layer 50a etched of the p-AlGaAs contact layer 60 SiO 2 stripe masks 70 ridge 80 SiO 2 mask 90 transverse mode control region 100 ridge region

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 八重樫 浩樹 東京都港区虎ノ門1丁目7番12号 沖電気 工業株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued Front Page (72) Inventor Hiroki Yaegashi 1-7-12 Toranomon, Minato-ku, Tokyo Oki Electric Industry Co., Ltd.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 化合物半導体基板と、該基板の上側の第
1クラッド層と、該第1クラッド層の上側の活性層と、
該活性層の上側の第2クラッド層とを少なくとも具え、
該活性層の上側の第2クラッド層にリッジ部が形成され
ているリッジ導波路型半導体レーザにおいて、 前記第2クラッド層のリッジ部の側面近傍において、該
リッジ部の両側の前記第2クラッド層の厚みが薄くなっ
ている横モード制御領域を形成するようにしたことを特
徴とする半導体レーザ。
1. A compound semiconductor substrate, a first cladding layer above the substrate, an active layer above the first cladding layer,
At least a second cladding layer above the active layer,
A ridge waveguide type semiconductor laser in which a ridge portion is formed in a second cladding layer above the active layer, wherein the second cladding layers on both sides of the ridge portion are provided in the vicinity of a side surface of the ridge portion of the second cladding layer. A semiconductor laser characterized in that a lateral mode control region having a reduced thickness is formed.
【請求項2】 請求項1記載の半導体レーザにおいて、
前記化合物半導体基板はGaAs基板、前記第1クラッ
ド層はn型AlGaAsクラッド層、前記第2クラッド
層はp型AlGaAsクラッド層であることを特徴とす
る半導体レーザ。
2. The semiconductor laser according to claim 1, wherein
A semiconductor laser, wherein the compound semiconductor substrate is a GaAs substrate, the first cladding layer is an n-type AlGaAs cladding layer, and the second cladding layer is a p-type AlGaAs cladding layer.
JP28427195A 1995-11-01 1995-11-01 Semiconductor laser Withdrawn JPH09129967A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP28427195A JPH09129967A (en) 1995-11-01 1995-11-01 Semiconductor laser

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP28427195A JPH09129967A (en) 1995-11-01 1995-11-01 Semiconductor laser

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH09129967A true JPH09129967A (en) 1997-05-16

Family

ID=17676374

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP28427195A Withdrawn JPH09129967A (en) 1995-11-01 1995-11-01 Semiconductor laser

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH09129967A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006303052A (en) * 2005-04-19 2006-11-02 Nec Electronics Corp Semiconductor laser device and manufacturing method thereof
KR101254817B1 (en) * 2007-04-20 2013-04-15 엘지전자 주식회사 Semiconductor laser diode
DE102022133047A1 (en) 2022-12-12 2024-06-13 Ams-Osram International Gmbh EDGE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER, METHOD FOR PRODUCING A PLURALITY OF EDGE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASERS, LASER COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING A LASER COMPONENT

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006303052A (en) * 2005-04-19 2006-11-02 Nec Electronics Corp Semiconductor laser device and manufacturing method thereof
KR101254817B1 (en) * 2007-04-20 2013-04-15 엘지전자 주식회사 Semiconductor laser diode
DE102022133047A1 (en) 2022-12-12 2024-06-13 Ams-Osram International Gmbh EDGE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER, METHOD FOR PRODUCING A PLURALITY OF EDGE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASERS, LASER COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING A LASER COMPONENT

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH07263811A (en) Semiconductor laser device
JPH11112081A (en) Semiconductor laser and manufacture thereof
JPH1168231A (en) Semiconductor laser and its manufacture
JP3468612B2 (en) Semiconductor laser device
JP3183683B2 (en) Window type semiconductor laser device
EP0155853B1 (en) Window vsis semiconductor laser
JP2002141611A (en) Semiconductor light emitting element and its fabricating method
JPH09129967A (en) Semiconductor laser
JP3268958B2 (en) Semiconductor laser device
JP3053139B2 (en) Strained quantum well semiconductor laser
JP2531719B2 (en) Semiconductor laser
JPH10223970A (en) Semiconductor laser
JP3043561B2 (en) Manufacturing method of semiconductor laser
JPS6237834B2 (en)
JP2001168458A (en) Semiconductor laser
JPS5858784A (en) Distribution feedback type semiconductor laser
JP3075512B2 (en) Semiconductor laser device
JPH06283801A (en) Semiconductor laser
JP2000114660A (en) Ridge waveguide type semiconductor laser device
JPH0671122B2 (en) Semiconductor laser device
JP2946781B2 (en) Semiconductor laser
JP2002185081A (en) Semiconductor laser element
JPH07111363A (en) Semiconductor laser device
JP3651984B2 (en) Semiconductor laser device and manufacturing method thereof
JPH05275800A (en) Distortion quantum well semiconductor laser

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20030107