JPH09118593A - Production of lutetium-containing crystal for scintillator - Google Patents
Production of lutetium-containing crystal for scintillatorInfo
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- JPH09118593A JPH09118593A JP28055595A JP28055595A JPH09118593A JP H09118593 A JPH09118593 A JP H09118593A JP 28055595 A JP28055595 A JP 28055595A JP 28055595 A JP28055595 A JP 28055595A JP H09118593 A JPH09118593 A JP H09118593A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、ルテチウムオキシ
オルトシリケート結晶等のルテチウム含有結晶の成長方
法に関するものであって、更に、詳細には、シンチレー
タとして使用するためのこの様な結晶の成長方法に関す
るものである。本発明は、又、この様な結晶を組み込ん
だ改良型シンチレーション検知器を提供するものであ
る。FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to a method for growing lutetium-containing crystals such as lutetium oxyorthosilicate crystals, and more particularly to such a method for growing crystals for use as a scintillator. It is a thing. The present invention also provides improved scintillation detectors incorporating such crystals.
【0002】[0002]
【従来の技術】セリウムをドープしたルテチウムオキシ
オルトシリケート結晶は、ガンマ線及びX線検知器用の
シンチレータとして有用であることは公知である。米国
特許第4,958,080号及び米国特許第5,02
5,151号は、Ce2xLu2(1-x)SiO5で尚2×1
0-4<x<3×10-2(以後、この式を表す記号として
用語LSOを使用する)の式で表される溶融体から形成
した単結晶シンチレータについて記載している。LSO
を成長させるために提案されている方法はチョクラルス
キー結晶成長方法であって、それは概略「結晶成長:個
別指導的手法(CRYSTAL GROWTH:A T
UTORIAL APPROACH)」、W.Bard
sley、D.T.J. Hurle、J.B.Mul
lins(eds)ノースホランド出版社、1979
年、189−215頁の文献に記載されている。この方
法は、ガドリウムオルトシリケートシンチレータ用の
「Gd2SiO5:Ceシンチレータの成長及び適用(G
rowth and applications of
Gd2SiO5:Ce scintillator
s)」、T.Utsu及びS. Akiyama、ジャ
ーナル・オブ・クリスタルグロス109(1991)、
385−391、に記載されており、且つ「希土類オキ
シオルトシリケート単結晶のチョクラルスキー成長(C
zochralskigrowth of rare
earth oxyorthosilicate si
ngle crystals)」、C.L. Melc
her, R.A. Manente, C.A. P
eterson及びJ.S. Schweitzer、
ジャーナル・オブ・クリスタルグロス128(199
3)、1001−1005、及び「チョクラルスキー結
晶成長用のマッキントッシュをベースとしたシステム
(A Macintosh−based System
For Czochralski Crystal
Growth)」、C.L.Melcher, R.
A. Manente, C.A. Peterso
n, J.S. Schweitzer, M.A.
Singelenberg及びF.J. Bruni、
サイエンチフィックコンピューティングアンドオートメ
ーション、1994年1月、39−45、LSOシンチ
レータ、の文献に記載されている。Cerium-doped lutetium oxyorthosilicate crystals are known to be useful as scintillators for gamma and X-ray detectors. US Pat. No. 4,958,080 and US Pat. No. 5,02
No. 5,151 is Ce 2x Lu 2 (1-x) SiO 5 and still 2 × 1
A single crystal scintillator formed from a melt represented by the formula 0 -4 <x <3 × 10 -2 (hereinafter, the term LSO is used as a symbol representing this formula) is described. LSO
The method proposed for growing the is the Czochralski crystal growth method, which is the outline "Crystal Growth: AT
UTORAL APPROACH) ", W. Bard
sley, D.I. T. J. Hurle, J .; B. Mul
lins (eds) North Holland Publishing Company, 1979
Year 189-215. This method is for the growth and application of "Gd 2 SiO 5 : Ce scintillator for gadolinium orthosilicate scintillator (G
rowh and applications of
Gd 2 SiO 5 : Ce scintillator
s) ", T.S. Utsu and S.H. Akiyama, Journal of Crystal Gloss 109 (1991),
385-391, and "Czochralski growth of rare earth oxyorthosilicate single crystals (C
zochralskigrowth of rare
earth oxyorthosilicate si
single crystals) ”, C.I. L. Melc
her, R.H. A. Manente, C.I. A. P
eterson and J.M. S. Schweitzer,
Journal of Crystal Gloss 128 (199
3), 1001-1005, and "A Macintosh-based system for Czochralski crystal growth (A Macintosh-based System).
For Czochralski Crystal
Growth), C.I. L. Melcher, R.M.
A. Manente, C.I. A. Peterso
n, J. et al. S. Schweitzer, M .; A.
Singelenberg and F.S. J. Bruni,
Scientific Computing and Automation, January 1994, 39-45, LSO Scintillator.
【0003】これらの方法は、或種の適用において有用
なシンチレータ結晶を製造するために使用することが可
能であるが、LSOの単一のボウルから切断した異なる
結晶のシンチレーション挙動の間には変動がある。この
変動は、シンチレーション挙動以外の特性には見られて
おらず、即ち、その他の全ての意図及び目的に対して
は、該ボウルは均一であるように見えるが、結果的に得
られる結晶は、広範なまたは複数個のピークを有するガ
ンマ線スペクトルを有している。しかしながら、LSO
結晶シンチレータの分光的使用のためには、その挙動が
可及的に一様であることが望ましい。While these methods can be used to make scintillator crystals useful in certain applications, they vary between the scintillation behavior of different crystals cut from a single bowl of LSO. There is. This variation is not seen in properties other than scintillation behaviour, i.e. for all other intents and purposes the bowl appears to be uniform, but the resulting crystals are It has a gamma ray spectrum with broad or multiple peaks. However, LSO
For spectroscopic use of crystal scintillators, it is desirable that their behavior be as uniform as possible.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、結晶全体に
わたり実質的に一様なシンチレーション動作を発揮する
シンチレータとして使用するための結晶を製造する方法
を提供することを目的とする。本発明の別の目的とする
ところは、シンチレータ結晶を製造するための改良した
チョクラルスキー結晶成長方法を提供することである。SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a method of making a crystal for use as a scintillator that exhibits a substantially uniform scintillation behavior throughout the crystal. Another object of the present invention is to provide an improved Czochralski crystal growth method for producing scintillator crystals.
【0005】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明によれば、ルテチ
ウム含有結晶を製造する方法が提供され、その場合に、
結晶とそれが引き出される溶融体との間の界面を、該結
晶が成長される場合に、実質的に平坦状に維持するもの
である。チョクラルスキー成長方法においては、該結晶
の回転速度及びその直径は、該結晶が引き出される場合
に、平坦な界面を与えるために、典型的に制御可能なも
のである。ルテチウム含有結晶は、好適には、シンチレ
ータとして使用可能なものであり、且つ、典型的に、ル
テチウムオキシオルトシリケートを有することが可能で
ある。According to the present invention, there is provided a method for producing a lutetium-containing crystal, wherein:
It keeps the interface between the crystal and the melt from which it is drawn substantially flat as the crystal is grown. In the Czochralski growth method, the rotational speed of the crystal and its diameter are typically controllable to provide a flat interface when the crystal is drawn. The lutetium-containing crystals are preferably those that can be used as scintillators and can typically have lutetium oxyorthosilicate.
【0006】固体−液体界面の形状は、凍結等温線の形
状によって決定される。その結果、本発明の目的は、結
晶成長の主要部分における凍結等温線の形状を制御する
ことによって達成される。その成長の開始時及び終了時
においては所望の条件とは異なる場合があり得る。温度
条件は、るつぼ寸法及び加熱環境における位置、炉設
計、使用する絶縁性物質、及び液状溶融体の流れパター
ンによって決定される。液体溶融体の流れパターンは、
溶融体粘度、るつぼ直径に対する結晶直径、及び結晶回
転速度の関数である。The shape of the solid-liquid interface is determined by the shape of the freezing isotherm. As a result, the object of the invention is achieved by controlling the shape of the freezing isotherm in the main part of the crystal growth. At the start and end of the growth, the desired conditions may differ. Temperature conditions are determined by crucible size and location in the heating environment, furnace design, insulating material used, and liquid melt flow pattern. The flow pattern of the liquid melt is
It is a function of melt viscosity, crystal diameter versus crucible diameter, and crystal rotation speed.
【0007】[0007]
【発明の実施の形態】以下に、添付の図面を参照して、
本発明を実施例に即して説明する。結晶成長は、図1に
示したような炉を有するチョクラルスキー結晶成長器
(CGS−5,クリスタロックス(Crystalo
x)社)で実施する。該炉は、耐火性及び絶縁性物質か
ら形成されており且つ内部に2インチ内径イリジウムる
つぼ12が設けられたハウジング10を有している(エ
ンゲルハード社、米国特許第4,444,728号参
照)。該ハウジングは、結晶に対するシードとして作用
させるためにるつぼ内にイリジウムワイヤ又はシード結
晶(不図示)を挿入させるための孔を有している。結晶
成長期間中、該ワイヤを回転させることが可能である。
RF誘導性加熱コイル14がるつぼ12の高さにおいて
該ハウジングを取り囲んでいる。使用中においては、原
料物質、即ち好適には99.99%純度のLu2O3、S
iO2(1,000℃で乾燥)、及びCeO2の粉末を適
宜の割合で混合し、且つペレットの形態に押圧し(適当
である場合)、且つるつぼ内にロード即ち装填させる。
次いで、該物質を溶融させ且つ該溶融体を適宜の期間、
例えば、成長雰囲気を安定化させるために24時間の
間、エージングを行う。該溶融体は、典型的に、Ce2x
Lu2(1-x)SiO5の式を有しており、尚、2×10-4
<x<6×10-2(xに対する好適範囲は1×10-3乃
至2×10-2)である。LSOの回転シード結晶か又は
1mmのイリジウムワイヤのいずれかを使用して、該溶融
体から結晶を引き出す。窒素雰囲気中において結晶ボウ
ルを成長させ、それは少量の酸素を有することが可能で
ある。成長期間中、回転速度、温度(RFパワー)、及
び結晶の引き出し速度は、以下に更に詳細に説明する制
御システムによって制御する。該結晶を引きだした後に
室温へ冷却させる。このことを48時間にわたって行っ
たが、7時間で室温へ冷却させる場合にも結晶に損傷を
発生させることなしに行うことが可能であった。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG.
The present invention will be described with reference to examples. Crystal growth is performed by a Czochralski crystal grower (CGS-5, Crystallox having a furnace as shown in FIG. 1).
x) company). The furnace has a housing 10 formed of a refractory and insulating material and having a 2 inch inner diameter iridium crucible 12 therein (see Engelhard, U.S. Pat. No. 4,444,728). ). The housing has holes for inserting iridium wires or seed crystals (not shown) within the crucible to act as seeds for the crystals. It is possible to rotate the wire during the crystal growth period.
An RF inductive heating coil 14 surrounds the housing at the level of the crucible 12. During use, the raw material, ie, preferably 99.99% pure Lu 2 O 3 , S
Powders of iO 2 (dried at 1000 ° C.) and CeO 2 are mixed in suitable proportions and pressed into pellet form (if appropriate) and loaded into the crucible.
The material is then melted and the melt is allowed to stand for a suitable period of time.
For example, aging is performed for 24 hours to stabilize the growth atmosphere. The melt is typically Ce 2x
It has a formula of Lu 2 (1-x) SiO 5 , where 2 × 10 −4
<X <6 × 10 −2 (a preferable range for x is 1 × 10 −3 to 2 × 10 −2 ). Crystals are drawn from the melt using either LSO rotating seed crystals or 1 mm iridium wire. A crystal bowl is grown in a nitrogen atmosphere, which can have a small amount of oxygen. During the growth period, the rotation rate, temperature (RF power), and crystal pull rate are controlled by a control system, which is described in more detail below. After pulling out the crystals, they are cooled to room temperature. This was carried out for 48 hours, but it was possible to cool it to room temperature in 7 hours without causing damage to the crystal.
【0008】成長システムを図7に概略示してあり、そ
れは成長プロセス期間中に特定した結晶直径を維持する
ためにパワーレベルの自動的調節を可能とさせるるつぼ
ロードセルを有している。結晶成長プロセスを制御する
ためにクリスタロックス社によって供給されるDOSを
ベースとしたソフトウエアを使用して所望の寸法を有す
る結晶ボウルを効果的に成長させることが可能であっ
た。しかしながら、制御特性の実時間観察、アーカイブ
データへのアクセス、及びユーザフレンドリ状態を改善
するためには、機器の広範なソフトウエア制御を包含す
る、プロセスを制御するためのLabVIEW2.1.
1ソフトウエア(ナショナルインストルメンツ)を稼働
するマッキントッシュコンピュータを使用することが望
ましい。このプログラムの基本的な前提条件は、自動的
半径制御(ARC)であり、その場合、特定の操作に関
連する全てのパラメータを見ることが可能なものとすべ
きであり且つ同一のスクリーンディスプレイ上へ変更可
能である。ARCモード期間中、測定した及び所望の半
径及び%パワーがストリップチャート状のディスプレイ
上にプロットされ、それは、制御サイクル時間が5分で
ある場合には、約10個の前の時間のデータを示す。更
に、現在及び平均のるつぼ重量もプロットされる。成長
した長さ、予測完了時間、所望の結晶形状、及びその他
のパラメータも入手可能である。ディスプレイチャート
上に示したものよりも以前の時間からのデータは、ディ
スプレイを「スクロール」動作させることにより迅速に
アクセスすることが可能である。従って、特定の成長操
作に対する全ての関連データは成長プロセス期間中の任
意の時間においてアクセスすることが可能である。The growth system is shown schematically in FIG. 7, which has a crucible load cell that allows automatic adjustment of the power level to maintain a specified crystal diameter during the growth process. It was possible to effectively grow a crystal bowl with the desired dimensions using DOS-based software supplied by Crystallox to control the crystal growth process. However, in order to improve real-time observation of control characteristics, access to archived data, and user-friendly conditions, LabVIEW 2.1.TM for controlling processes, including extensive software control of equipment.
It is desirable to use a Macintosh computer running 1 software (National Instruments). The basic prerequisite of this program is automatic radius control (ARC), in which case it should be possible to see all the parameters related to a particular operation and on the same screen display. Can be changed to. During the ARC mode, the measured and desired radii and% power are plotted on a strip chart-like display, which shows data for about 10 previous hours when the control cycle time is 5 minutes. . In addition, the current and average crucible weights are also plotted. Growth length, expected completion time, desired crystal shape, and other parameters are also available. Data from times earlier than those shown on the display chart can be quickly accessed by "scrolling" the display. Therefore, all relevant data for a particular growth operation can be accessed at any time during the growth process.
【0009】クリスタロックスシステムは、IEEE4
88及びRS422バスの両方を使用している。2つの
Prema6030DVMがIEEEバス及びユーロサ
ーム(Eurotherm)822プロセスコントロー
ラによって通信を行い、且つ2つのクリスタロックスM
SD4000がRS422バスによって通信を行う(図
7)。該DVMは、該るつぼ及びその内容物の重量を測
定するロードセル及びRF発生器出力をモニタするパワ
ーピックアップコイルによって発生される電圧を測定す
る。引き出し速度及び回転速度は、MSD4000によ
って制御され、且つステネルコ(Stenelco)発
電器パワー出力はユーロサーム822プロセスコントロ
ーラによって制御される。その制御コンピュータはネッ
トワークへのアクセスを有するビデオモニタ付きマッキ
ントッシュciである。The Crystal Locks system is IEEE4
It uses both 88 and RS422 buses. Two Prema 6030DVMs communicate with an IEEE bus and Eurotherm 822 process controller, and two Crystallox Ms.
The SD4000 communicates via the RS422 bus (Fig. 7). The DVM measures the voltage produced by a load cell that weighs the crucible and its contents and a power pickup coil that monitors the RF generator output. The withdrawal and rotation speeds are controlled by the MSD 4000, and the Stenelco generator power output is controlled by the Eurotherm 822 process controller. The control computer is a Macintosh ci with video monitor that has access to the network.
【0010】ユーロサーム822のデジタル・アナログ
変換器は、最大パワーの約70%の通常のパワー動作領
域において10ビット分解能を有している。この分解能
は、ステネルコ発電器の観察された再現性及び安定性と
比較した場合に、十分なものと思われる。DVM分解能
は、ロードセルに対しては1Vd.c.であり、且つパ
ワーピックアップコイルに対しては10Va.c.であ
る。The Eurotherm 822 digital-to-analog converter has 10-bit resolution in the normal power operating region of about 70% of maximum power. This resolution appears to be sufficient when compared to the observed reproducibility and stability of the Stenelco generator. The DVM resolution is 1 Vd. c. And 10Va. For the power pickup coil. c. It is.
【0011】制御は、標準的な比例積分微分(PID)
フィードバックループを介して動作する。制御されるパ
ラメータは、RF発生器パワーである。時間tにおける
パワーP(t)は以下の式によって決定される。The control is standard proportional integral derivative (PID)
It works through a feedback loop. The parameter controlled is the RF generator power. The power P (t) at time t is determined by the following equation.
【0012】[0012]
【数1】 (Equation 1)
【0013】尚、P(0)は自動制御が初期化された時
の時間0におけるパワーであり、PG、IG及びDG
は、夫々、比例、積分及び微分利得であり、且つerr
は結晶半径における瞬間的なエラーである。注意すべき
ことであるが、現在のソフトウエアにおいては、微分利
得は常にゼロである。Note that P (0) is the power at time 0 when the automatic control is initialized, and is PG, IG, and DG.
Are proportional, integral and derivative gains respectively, and err
Is the instantaneous error in the crystal radius. Note that in current software the derivative gain is always zero.
【0014】チョクラルスキー成長は定常的プロセスで
はないので、長い期間にわたってパワーにおける傾向が
観察される。この傾向(ベース速度)を計算し且つ時間
の進む方向に外挿することが、精密な制御を維持する上
で助けとなることが判明した。従って、式(1)は、ゼ
ロエラーの条件に対しても計算されたパワーに対してベ
ース速度傾向を付加するように修正する。このエラー
は、所望の結晶半径と測定した結晶半径との間の差異と
して定義される。測定結晶半径は次式から計算される。Since Czochralski growth is not a stationary process, trends in power are observed over long periods of time. It has been found that calculating this trend (base velocity) and extrapolating in time is helpful in maintaining precise control. Therefore, equation (1) is modified to add a base velocity trend to the calculated power even for zero error conditions. This error is defined as the difference between the desired crystal radius and the measured crystal radius. The measured crystal radius is calculated from the following formula.
【0015】[0015]
【数2】 (Equation 2)
【0016】尚、dW/dtは結晶重量の第1微分であ
り、Prは引き出し速度であり、Rはるつぼ半径であ
り、ds及びdlは、夫々、結晶及び溶融体の密度であ
る。所望の結晶半径は、初期のシード直径から完全な直
径への結晶半径における滑らかな単調的増加、及び成長
プロセスの終わりにおいてのゼロ半径へのテールオフ即
ち減少を計算するアルゴリズムから派生される。式
(2)の分母における第2項はるつぼ内の溶融ドロップ
から発生する。DW / dt is the first derivative of the crystal weight, Pr is the drawing speed, R is the crucible radius, and ds and dl are the crystal and melt densities, respectively. The desired crystal radius is derived from an algorithm that calculates a smooth monotonic increase in crystal radius from the initial seed diameter to the full diameter, and a tail-off or decrease to zero radius at the end of the growth process. The second term in the denominator of equation (2) arises from the molten drop in the crucible.
【0017】クリスタロックス牽引機構はマイクロステ
ッパモータを使用しており且つ10,000分の1の精
度での牽引即ち引き出し速度における増分的変化を許容
する駆動部によって制御される。この特徴を利用して、
ソフトウエアが結晶の引き出し速度を制御してプロセス
全体にわたって一定で絶対的な成長速度を維持する。結
晶半径が変化する場合の溶融体ドロップ速度における変
化を補償するために、シード直径から完全な直径への成
長期間中に引き出し速度は低下される。The Crystallox traction mechanism uses a microstepper motor and is controlled by a drive which allows incremental changes in traction or withdrawal speed with an accuracy of 10,000 times. Utilizing this feature,
Software controls the crystal pull rate to maintain a constant and absolute growth rate throughout the process. In order to compensate for the change in melt drop rate as the crystal radius changes, the withdrawal rate is reduced during the seed diameter to full diameter growth period.
【0018】理想的には、時間の関数として重量読取の
可動ウインドウを使用してdW/dtの値から結晶半径
を計算する。しかしながら、現在のシステムにおいて
は、るつぼが誘導加熱コイルからのレビテーション即ち
浮揚効果を受け、それは発生器パワーが式(1)によっ
て調節される場合に変化する。従って、重量及び時間の
値は、パワー調節を行わない期間中の時間をベースとし
て回収されねばならない。現在の適用例においては、5
分の時間ベースを4秒間隔で取られる重量読取の場合に
使用している。これはクリスタロックス社のソフトウエ
アによって使用されている技術と同じであり、それは非
常に適切な結果を発生する。Ideally, the crystal radius is calculated from the value of dW / dt using a moving window of weight reading as a function of time. However, in current systems, the crucible experiences a levitation or levitation effect from the induction heating coil, which changes when the generator power is adjusted according to equation (1). Therefore, the weight and time values must be collected on a time basis during periods of no power adjustment. 5 in the current application
The time base of minutes is used for weight readings taken at 4 second intervals. This is the same technique used by the Crystal Rocks software, which produces very relevant results.
【0019】上述した如く、るつぼのレビテーション効
果のために、重量の読取を選択した時間ベースを越えて
拡張させることは不可能である。その結果、dW/dt
(及びそれから計算された結晶半径の値)はノイズの多
いものである場合がある。この信号におけるノイズの殆
どは、以下のタイプのデジタルフィルタを使用して除去
することが可能である。As mentioned above, due to the levitation effect of the crucible, it is not possible to extend the weight reading beyond the selected time base. As a result, dW / dt
(And the value of the crystal radius calculated from it) may be noisy. Most of the noise in this signal can be removed using the following types of digital filters.
【0020】[0020]
【数3】 (Equation 3)
【0021】尚、FPiは時間iにおけるフィルタされ
たパラメータの値であり、Riは時間iにおける読みで
あり、且つfはデジタルフィルタである。fの値は0と
1との間である。式(3)を検査すると分かるように、
フィルタが0であると何等情報をパスすることはなく、
1の値はフィルタしていない信号と等価である。この式
は、測定したパラメータの指数的に重み付けした平均値
を発生する。ガウスノイズを除去することが理想的であ
ることが判明している。この計算された値から結晶の重
量及び半径の表示された値がかなり平滑化されるよう
に、多数の箇所においてこのタイプのデジタルフィルタ
処理を使用すべくソフトウエアを容易に修正することが
可能である。しかしながら、制御システムの迅速な応答
を確保するために、制御アルゴリズムにおいては専らフ
ィルタしていない値を使用すべきである。Note that FPi is the value of the filtered parameter at time i, Ri is the reading at time i, and f is the digital filter. The value of f is between 0 and 1. As you can see by inspecting equation (3),
If the filter is 0, no information will pass,
A value of 1 is equivalent to the unfiltered signal. This equation produces an exponentially weighted average of the measured parameters. It has been found ideal to eliminate Gaussian noise. From this calculated value it is possible to easily modify the software to use this type of digital filtering in many places so that the displayed values of crystal weight and radius are considerably smoothed. is there. However, in order to ensure a quick response of the control system, unfiltered values should be used exclusively in the control algorithm.
【0022】LSOは密度が7.41g/cm3であり且つ
溶融点は約2,100℃である。以下のデータは、前の
成長プロセスから得られたシード結晶かまたはイリジウ
ムワイヤから0.3%の酸素を有する窒素雰囲気中にお
いて成長された結晶からのものである。LSO has a density of 7.41 g / cm 3 and a melting point of about 2,100 ° C. The following data is from seed crystals obtained from the previous growth process or crystals grown from a iridium wire in a nitrogen atmosphere with 0.3% oxygen.
【0023】 ボウル モル%Ce シード 成長速度 直径 回転速度 界面 LSO10 0.5 Irワイヤ 0.5mm/hr 20mm 20rpm 凸状 LSO15 2.5 Irワイヤ 1.0mm/hr 20mm 20rpm 凸状 LSO17 2.45 Irワイヤ 1.0mm/hr 20mm 65rpm 切頭円錐 LSO27 0.25 LSOシード 0.5mm/hr 26mm 59rpm 平坦状 LSO28 1.0 LSOシード 2.0mm/hr 26mm 59rpm 平坦状 これらの各々に対してのボウルの形状及び137Csから
のガンマ線スペクトルを図2〜6に示してある。上の表
から、ボウル直径及び回転速度を調節することによって
所望の効果を得ることが可能であることが理解される。
所要の実際の直径及び速度は、使用するるつぼの寸法及
び幾何学的形状に依存する(本例においては2イン
チ)。Bowl Mol% Ce seed Growth rate Diameter Rotational speed Interface LSO10 0.5 Ir wire 0.5 mm / hr 20 mm 20 rpm Convex LSO15 2.5 Ir wire 1.0 mm / hr 20 mm 20 rpm Convex LSO17 2.45 Ir wire 1.0 mm / hr 20 mm 65 rpm Truncated shows a gamma-ray spectrum from the conical LSO27 0.25 LSO seed 0.5mm / hr 26mm 59rpm flat LSO28 1.0 LSO seed 2.0mm / hr 26mm 59rpm of the flat bowl against each of these shapes and 137 Cs in Figure 2-6 is there. From the table above, it is understood that it is possible to obtain the desired effect by adjusting the bowl diameter and rotation speed.
The actual diameter and speed required depends on the size and geometry of the crucible used (2 inches in this example).
【0024】図2〜4においては、平坦状の界面で成長
されなかった結晶からのスペクトルを示しており、ガン
マ線スペクトルは、ラディエーション即ち照射源が各々
の場合に同一であるにも拘らず大きな変動を示してい
る。そこに示されたスペクトルは異なる光出力での多数
のスペクトルの和から構成されており、LSO結晶にお
ける不均一性に起因するものである。2-4 show spectra from crystals that were not grown at a flat interface, the gamma ray spectra being large despite the radiation or irradiation source being the same in each case. Shows fluctuations. The spectrum shown therein is composed of the sum of multiple spectra at different light outputs and is due to the non-uniformity in the LSO crystal.
【0025】図5及び6は、平坦状界面で成長された結
晶に対してのスペクトルを示しており、成長条件及び組
成が異なるにも拘らず実質的に同様のスペクトルが示さ
れている。FIGS. 5 and 6 show spectra for crystals grown at a flat interface and show substantially similar spectra despite different growth conditions and compositions.
【0026】図8は、上述した方法で製造されたLSO
を使用することが可能なLSOシンチレーション検知器
の概略図を示している。図8において、単結晶LSOシ
ンチレータ110がガンマ線検知器のハウジング112
内に収納した状態が示されている。該シンチレータの1
つの面114は光倍増管116の感光表面と光学的に接
触して位置されている。一方、光ガイド又はファイバ
ー、レンズ、ミラー等を介して光倍増管へ光パルスを結
合させることが可能である。光倍増管は、例えばホトダ
イオード、マイクロチャンネルプレート等の任意の適宜
の光検知器で置換させることが可能である。各光フラッ
シュの可及的に多くのものを光倍増管へ指向させるため
に、シンチレータの他の面118は好適には反射性物
質、例えば、テフロンテープ、酸化マグネシウム粉末、
アルミホイル、又は二酸化チタン塗料等で囲繞ないしは
被覆する。ラディエーション即ち照射が入射するとLS
O結晶から射出される光パルスが、光倍増管によって直
接的に又は表面118からの反射によってインターセプ
ト即ち受光され、該光倍増管はその光パルスに応答して
電気パルスないしは信号を発生する。これらの電気出力
パルスは、典型的に、最初、増幅され、次いで、例えば
パルス高さ増幅器等において所望により処理されて、検
知したラディエーション即ち照射に関する興味のあるパ
ラメータを得る。該光倍増管は、図8に示した如く、高
電圧電源にも接続されている。LSOシンチレータ以
外、図8に関連して説明した構成要素及び組成の全ては
従来のものとすることが可能であり、従ってそれらの詳
細な説明は割愛する。FIG. 8 shows an LSO manufactured by the method described above.
Figure 2 shows a schematic of an LSO scintillation detector that can be used. In FIG. 8, a single crystal LSO scintillator 110 is a gamma ray detector housing 112.
It is shown stored inside. One of the scintillators
One surface 114 is located in optical contact with the photosensitive surface of photomultiplier tube 116. On the other hand, it is possible to couple the light pulse to the photomultiplier tube via a light guide or fiber, lens, mirror, etc. The photomultiplier tube can be replaced by any suitable photodetector such as a photodiode, microchannel plate, or the like. The other surface 118 of the scintillator is preferably a reflective material, such as Teflon tape, magnesium oxide powder, to direct as many of each light flash as possible to the photomultiplier tube.
Surround or cover with aluminum foil or titanium dioxide paint. When the radiation, that is, the irradiation, is incident, LS
Light pulses emanating from the O-crystal are intercepted by the photomultiplier tube, either directly or by reflection from the surface 118, and the photomultiplier tube generates an electrical pulse or signal in response to the light pulse. These electrical output pulses are typically first amplified and then optionally processed, for example in a pulse height amplifier, to obtain the parameter of interest for the detected radiation. The photomultiplier tube is also connected to a high voltage power supply, as shown in FIG. With the exception of the LSO scintillator, all of the components and compositions described in connection with FIG. 8 can be conventional and therefore their detailed description is omitted.
【0027】図8のLSOシンチレータ検知器は、例え
ば石油探査等のボアホール即ち穿孔用のロギング即ち検
層用の環境におけるラディエーション検知器として特に
効果的なものである。この場合には、本検知器は図9に
示したタイプのものとすることが可能なロギング(検
層)システムの一部を形成する。The LSO scintillator detector of FIG. 8 is particularly effective as a radiation detector in a logging or logging environment for boreholes, eg, oil exploration. In this case, the detector forms part of a logging system which may be of the type shown in FIG.
【0028】図9は高エネルギ中性子で地層をボンバー
ド即ち衝撃することによって得られるガンマラディエー
ションを感知し且つ爾後のスペクトル解析の為に該ラデ
ィエーションのエネルギを検知するためのロギング即ち
検層用ゾンデ211を示している。該ゾンデ211は、
装甲した多数導体ケーブル215によって穿孔213内
に懸架されている。穿孔213は地層217を横断して
おり且つ流体219で充填されており、図示した如くに
開放状態であるか又はケーシングが設けられている。以
下に記載するゾンデ211は米国特許第4,317,9
93号に基づいて構成することが可能である。ゾンデ2
11は、地表装置224の一部を形成するウインチによ
って、滑車220及び深さゲージ222を介してケーブ
ル215を繰り出したり且つ巻き戻したりすることによ
り穿孔213内を移動される。通常、ゾンデ211を穿
孔213に沿って上昇させながら検層測定を実際に行う
が、或る環境においては、検層測定をゾンデを下降させ
る場合に行ったり又は両方の場合に行う場合もある。FIG. 9 is a logging sonde for sensing gamma radiation obtained by bombarding the formation with high energy neutrons and for sensing the energy of the radiation for subsequent spectral analysis. 211 is shown. The sonde 211
Suspended in perforations 213 by armored multi-conductor cables 215. Perforations 213 traverse formation 217 and are filled with fluid 219 and are either open as shown or provided with a casing. The sonde 211 described below is U.S. Pat. No. 4,317,9.
It is possible to configure based on No. 93. Sonde 2
The 11 is moved in the perforation 213 by paying out and rewinding the cable 215 via the pulley 220 and the depth gauge 222 by a winch forming part of the surface apparatus 224. Normally, the logging measurement is actually performed while raising the sonde 211 along the perforation 213, but in some circumstances, the logging measurement may be performed when the sonde is lowered, or both.
【0029】ゾンデ211は、それが穿孔213に沿っ
て上昇する場合に高速の中性子で地層217をボンバー
ド即ち衝撃して一次ラディエーションを発生させるため
のパルス型中性子供給源226を有すると共に、その際
に穿孔213及び地層217内において誘発される二次
(ガンマ)ラディエーションを検知するためのラディエ
ーション検知器228を有している。中性子供給源22
6は、好適には、米国特許第3,461,291号及び
米国特許第3,546,512号に記載されているタイ
プのパルス型加速器である。このタイプの供給源は、特
に、期間及び繰り返し割合を制御して、高エネルギ又は
高速中性子、例えば14MeV、の離散的なバーストを
発生させるのに適している。The sonde 211 has a pulsed neutron source 226 for bombarding the formation 217 with fast neutrons to generate primary radiation as it rises along the perforations 213, whereupon And a radiation detector 228 for detecting secondary (gamma) radiation induced in the perforations 213 and the formation 217. Neutron source 22
6 is preferably a pulse accelerator of the type described in U.S. Pat. No. 3,461,291 and U.S. Pat. No. 3,546,512. This type of source is particularly suitable for controlling the duration and repetition rate to generate discrete bursts of high energy or fast neutrons, eg 14 MeV.
【0030】検知器228は、ガンマラディエーション
を検知し且つ各検知されたガンマ線に対応しており且つ
ガンマ線のエネルギを表す振幅を持った電気信号を発生
させるのに適したタイプのものである。このために、検
知器228は、図8に示したような光倍増管(PMT)
216に光学的に結合したセリウム活性型LSOシンチ
レーション結晶210を有している。適宜の光倍増管は
ニュージャージイ州プリンストンのEMRホトエレクト
リック社によって製造されている。The detector 228 is of a type suitable for detecting gamma radiation and generating an electrical signal corresponding to each detected gamma ray and having an amplitude representative of the energy of the gamma ray. To this end, the detector 228 includes a photomultiplier tube (PMT) as shown in FIG.
216 has a cerium activated LSO scintillation crystal 210 optically coupled. Suitable photomultiplier tubes are manufactured by EMR Photoelectric Company of Princeton, NJ.
【0031】供給源226からの中性子によって検知器
228が直接的にボンバード即ち衝撃を受けることを制
限し、その際にこの様な直接的な照射により検知器22
8が飽和することを回避するために、供給源226と検
知器228との間に中性子シールド234を設けること
が可能である。更に、特に捕獲ガンマラディエーション
の測定の場合に、ゾンデ211を炭化硼素で含湿させた
スリーブ236で囲繞し且つ供給源226と検知器22
8の概略近傍に位置させることが可能である。このスリ
ーブは検知器228の領域内の穿孔流体を排除し且つ地
層から射出されるガンマラディエーションを著しく減衰
させること無しに、検知器228へ向かって地層によっ
て散乱される中性子を吸収する。正味の効果としては、
穿孔内容物及び検知器228への近傍におけるゾンデ2
11の物質との中性子相互作用の可能性を減少させるこ
とであり、そうでなければ、所要のガンマ線測定の不所
望の擾乱を構成する検知可能なガンマ線を発生させるこ
ととなる。Limiting the detector 228 from being bombarded directly by neutrons from the source 226 is limited by such direct irradiation.
A neutron shield 234 may be provided between the source 226 and the detector 228 to avoid saturating the eight. Furthermore, especially in the case of capture gamma radiation measurements, the sonde 211 is surrounded by a boron carbide moistened sleeve 236 and the source 226 and detector 22.
It is possible to locate it in the approximate vicinity of 8. This sleeve absorbs neutrons scattered by the formation towards detector 228, while eliminating perforating fluid in the area of detector 228 and without significantly attenuating gamma radiation emitted from the formation. The net effect is
Sonde 2 near the drilling contents and detector 228
11 to reduce the potential for neutron interactions with the material, otherwise producing detectable gamma rays that constitute the unwanted disturbance of the required gamma ray measurement.
【0032】ゾンデ211用の電気的パワーは地表装置
224からケーブル215を介して供給される。ゾンデ
211は、適宜の電圧及び電流レベルで、供給源22
6、検知器228、及びその他のダウンホール(穿孔内
における)回路へパワーを供給するためのパワー条件付
け回路(不図示)を有している。これらの回路は、増幅
器238及びPMT216から出力パルスを受け取る関
連した回路を有している。増幅されたパルスは、例えば
単一ランプ(ウイルキンソンランダウン)タイプ等の任
意の従来のタイプのものとすることの可能なアナログ・
デジタル変換器を具備するパルス高さ解析器(PHA)
240へ印加される。解析されるべきガンマ線エネルギ
範囲に対してその他の適宜のアナログ・デジタル変換器
を使用することも可能である。解析すべき検知器信号フ
レームの時間部分の制御のためにリニアゲート動作回路
を使用することも可能である。例えばパルスパイルアッ
プ拒否等の付加的な従来技術を使用することによって更
に性能を改善させることが可能である。Electric power for the sonde 211 is supplied from the surface apparatus 224 via a cable 215. The sonde 211 supplies the power source 22 at an appropriate voltage and current level.
6, detector 228, and other power conditioning circuitry (not shown) for powering downhole circuitry (within the borehole). These circuits have associated circuitry that receives output pulses from amplifier 238 and PMT 216. The amplified pulse is an analog signal that can be of any conventional type, such as the single lamp (Wilkinson rundown) type.
Pulse height analyzer (PHA) with digital converter
Applied to 240. It is also possible to use other suitable analog-to-digital converters for the gamma-ray energy range to be analyzed. It is also possible to use a linear gating circuit for controlling the time part of the detector signal frame to be analyzed. It is possible to further improve performance by using additional conventional techniques such as pulse pileup rejection.
【0033】パルス高さ解析器240は、各検知器パル
スに対して、その振幅(即ち、ガンマ線エネルギ)に従
って多数の(典型的に、256乃至8,000の範囲)
所定のチャンネルの内の一つを割り当て、且つ各解析さ
れたパルスのチャンネル又は振幅を表す適宜のデジタル
形態の信号を発生する。典型的に、パルス高さ解析器2
40はメモリを有しており、その中に、デジタル信号に
おける各チャンネル番号の発生を蓄積してエネルギスペ
クトルを与える。蓄積された合計はバッファメモリ24
2(或る環境においては省略可能)を介して遠隔・ケー
ブルインターフェース回路244へ転送し、ケーブル2
15を介して地表装置224へ伝送させる。The pulse height analyzer 240 provides a number (typically in the range 256 to 8,000) for each detector pulse according to its amplitude (ie, gamma ray energy).
Assigning one of the predetermined channels and generating a signal in appropriate digital form representing the channel or amplitude of each analyzed pulse. Typically, pulse height analyzer 2
40 has a memory in which the occurrence of each channel number in the digital signal is stored to give an energy spectrum. The accumulated total is the buffer memory 24
2 (which may be omitted in some circumstances) to the remote / cable interface circuit 244 and the cable 2
15 to the surface apparatus 224.
【0034】地表においては、ケーブル信号がケーブル
インターフェース・信号処理回路246によって受信さ
れる。理解されるように、回路244及び246は、地
表装置224への伝送及び受信のために、信号をエンコ
ード及びデコードし、多重化及び脱多重化し、増幅し且
つその他の処理を行う任意の適宜の構成のものとするこ
とが可能である。適宜の回路は例えば米国特許第4,0
12,712号に記載されている。At the surface of the earth, cable signals are received by the cable interface and signal processing circuit 246. As will be appreciated, circuits 244 and 246 may be any suitable circuit that encodes and decodes, multiplexes and demultiplexes, amplifies and otherwise processes signals for transmission and reception to surface device 224. It can be configured. Appropriate circuits are described, for example, in US Pat.
No. 12,712.
【0035】ゾンデ211の操作は、地表装置224内
に設けられているマスタープログラマー248からダウ
ンホール即ち穿孔内へ送られる信号によって制御され
る。これらの信号は、中性子供給源226及びパルス高
さ解析器240へ制御信号を伝送するツールプログラマ
ー250によって受信される。The operation of the sonde 211 is controlled by signals sent from the master programmer 248 located in the surface equipment 224 into the downhole. These signals are received by tool programmer 250, which transmits control signals to neutron source 226 and pulse height analyzer 240.
【0036】地表装置224は、ダウンホール即ち穿孔
内の装置から受信されるデータを処理し、検知したガン
マラディエーションのエネルギスペクトルを解析し、そ
れから地層217に関する情報及びそれが含有すること
のある炭化水素に関する情報を抽出し、且つこのデータ
及び情報の全て又は幾つかを例えばフィルム、紙又はテ
ープ等の知覚可能な記録媒体を発生させるために使用す
る種々の電子回路を有している。これらの回路は、特別
目的ハードウエア又はこの様なハードウエアと同じ作業
を実行するように適宜プログラムされた汎用コンピュー
タを有することが可能である。この様な解析の詳細は本
発明の一部を構成するものではなく、本明細書において
の説明は割愛するが、例えば、米国特許第3,521,
064号に記載されている。Surface device 224 processes the data received from devices in the downhole, analyzes the energy spectrum of the detected gamma radiation, and then provides information about formation 217 and any carbonization it may contain. It has various electronic circuits that extract information about the hydrogen and use all or some of this data and information to generate a perceptible recording medium such as film, paper or tape. These circuits can comprise special purpose hardware or general purpose computers appropriately programmed to perform the same tasks as such hardware. The details of such an analysis do not form part of the present invention, and although the description thereof is omitted, for example, US Pat.
064.
【0037】以上、本発明の具体的実施の態様について
詳細に説明したが、本発明はこれらの具体的実施の態様
に制限されるべきものではなく、本発明の技術的範囲を
逸脱すること無しに種々の変形が可能であることは勿論
である。Although the specific embodiments of the present invention have been described in detail above, the present invention should not be limited to these specific embodiments and does not depart from the technical scope of the present invention. Of course, various modifications are possible.
【図1】 LSOを製造するために使用する炉の概略
図。FIG. 1 is a schematic diagram of a furnace used to produce LSO.
【図2a】 或る成長条件で製造された結晶の一つの形
状を示した概略図。FIG. 2a is a schematic view showing one shape of a crystal manufactured under a certain growth condition.
【図2b】 図2aの結晶のガンマ線スペクトルを示し
たグラフ図。2b is a graph showing a gamma ray spectrum of the crystal of FIG. 2a.
【図3a】 或る成長条件で製造された結晶の一つの形
状を示した概略図。FIG. 3a is a schematic diagram showing one shape of a crystal manufactured under certain growth conditions.
【図3b】 図3aの結晶のガンマ線スペクトルを示し
たグラフ図。3b is a graph showing a gamma ray spectrum of the crystal of FIG. 3a.
【図4a】 或る成長条件で製造された結晶の一つの形
状を示した概略図。FIG. 4a is a schematic diagram showing one shape of a crystal manufactured under certain growth conditions.
【図4b】 図4aの結晶のガンマ線スペクトルを示し
たグラフ図。4b is a graph showing a gamma ray spectrum of the crystal of FIG. 4a.
【図5a】 或る成長条件で製造された結晶の一つの形
状を示した概略図。FIG. 5a is a schematic diagram showing one shape of a crystal manufactured under a certain growth condition.
【図5b】 図5aの結晶のガンマ線スペクトルを示し
たグラフ図。5b is a graph showing a gamma ray spectrum of the crystal of FIG. 5a.
【図6a】 或る成長条件で製造された結晶の一つの形
状を示した概略図。FIG. 6a is a schematic diagram showing one shape of a crystal manufactured under certain growth conditions.
【図6b】 図6aの結晶のガンマ線スペクトルを示し
たグラフ図。6b is a graph showing a gamma ray spectrum of the crystal of FIG. 6a.
【図7】 結晶成長器用のハードウエア形態を示した概
略図。FIG. 7 is a schematic diagram showing a hardware configuration for a crystal grower.
【図8】 本発明に基づくシンチレータを組み込んだガ
ンマ線検知器を示した概略図。FIG. 8 is a schematic diagram showing a gamma ray detector incorporating a scintillator according to the present invention.
【図9】 図8に示したような検知器を組み込んだ穿孔
検層ツールを示した概略図。FIG. 9 is a schematic diagram showing a drill logging tool incorporating the detector as shown in FIG.
10:ハウジング 12:るつぼ 14:RF誘導加熱コイル 110:LSOシンチレータ 112:ハウジング 114:1面 116:光倍増管 118:他の面 211:検層用ゾンデ 213:穿孔 215:ケーブル 216:光倍増管 226:供給源 228:検知器 10: housing 12: crucible 14: RF induction heating coil 110: LSO scintillator 112: housing 114: 1 surface 116: photomultiplier tube 118: other surface 211: logging probe 213: perforation 215: cable 216: photomultiplier tube 226: Supply source 228: Detector
フロントページの続き (72)発明者 フランク ブルネイ アメリカ合衆国, カリフォルニア 95405, サンタ ローザ, ボックス 2010 (72)発明者 チャールズ エル. メルチャー アメリカ合衆国, コネチカット 06896, ウエスト リディング, ランポスト ドライブ 49 (72)発明者 カール エイ. ピーターソン アメリカ合衆国, ニューヨーク 10710, ヨンカーズ, エイボンデール ロード 8 (72)発明者 ジェフリー エス. シュバイツァー アメリカ合衆国, コネチカット 06877, リッジフィールド, シルバー ヒル ロード 41Front Page Continuation (72) Inventor Frank Brunei USA, California 95405, Santa Rosa, Box 2010 (72) Inventor Charles El. Melcher United States, Connecticut 06896, West Riding, Run Post Drive 49 (72) Inventor Karl A. Peterson USA, New York 10710, Yonkers, Avondale Road 8 (72) Inventor Jeffrey S. Schweizer USA, Connecticut 06877, Ridgefield, Silver Hill Road 41
Claims (11)
晶と該溶融体との界面を実質的に平坦状に維持しなが
ら、前記溶融体から結晶を引き出す、ことを特徴とする
ルテチウム含有結晶の成長方法。1. A lutetium-containing crystal, which comprises forming a melt of a lutetium compound and extracting the crystal from the melt while maintaining the interface between the crystal and the melt substantially flat. How to grow.
化合物がルテチウムオキシオルトシリケートを有してお
り、且つ前記結晶と前記溶融体との間の界面を実質的に
平坦状に維持しながら結晶を引き出すことを特徴とする
方法。2. The crystal according to claim 1, wherein the lutetium-containing compound has lutetium oxyorthosilicate, and the crystal is extracted while maintaining the interface between the crystal and the melt substantially flat. A method characterized by the following.
シオルトシリケート溶融体がCe2xLu2(1-x)SiO5
の式を有しており、2×10-4<x<6×10-2である
ことを特徴とする方法。3. The lutetium oxyorthosilicate melt according to claim 2, wherein the lutetium oxyorthosilicate melt is Ce 2x Lu 2 (1-x) SiO 5
And the formula is 2 × 10 −4 <x <6 × 10 −2 .
至約2×10-2の範囲内にあることを特徴とする方法。4. The method of claim 3, wherein x is in the range of about 1 × 10 −3 to about 2 × 10 −2 .
いて、チョクラルスキー結晶成長方法によって行うこと
を特徴とする方法。5. The method according to any one of claims 1 to 4, which is carried out by the Czochralski crystal growth method.
且つその回転速度及び前記結晶の直径を制御することに
よって前記界面を実質的に平坦状に維持することを特徴
とする方法。6. The method of claim 5, wherein the interface is maintained substantially flat by rotating the crystal and controlling the speed of rotation and the diameter of the crystal.
いて、前記結晶が個々のシンチレータ結晶を形成するた
めに細分化されるボウルを構成することを特徴とする方
法。7. A method according to any one of claims 1 to 6, characterized in that it comprises a bowl in which the crystals are comminuted to form individual scintillator crystals.
法によって製造されたルテチウムオキシオルトシリケー
ト結晶を有することを特徴とするシンチレータ。8. A scintillator comprising a lutetium oxyorthosilicate crystal produced by the method according to any one of claims 1 to 7.
記シンチレータに光学的に結合されており前記シンチレ
ータによる光パルスの発生に応答して電気信号を発生さ
せる光検知器とを有することを特徴とするガンマ線/X
線検知器。9. A scintillator according to claim 8, and a photodetector optically coupled to the scintillator for generating an electric signal in response to generation of an optical pulse by the scintillator. Gamma ray / X
Line detector.
に記載しており穿孔を介して移動すべく適合されている
ゾンデによって担持されたガンマ線/X線検知器を有し
ており、更に前記検知器に結合されており前記検知器に
よって検知されたラディエーションの少なくとも1つの
特性を表す信号を発生し且つ記録する手段を有すること
を特徴とする装置。10. The underground stratum inspection device according to claim 9,
A gamma-ray / X-ray detector carried by a sonde as described in US Pat. Device having means for generating and recording a signal representative of at least one characteristic of
質を透過性ラディエーションで照射する照射供給源が前
記ゾンデに設けられており、前記透過性ラディエーショ
ンは前記物質との相互作用により前記物質に関する情報
を担持する特性を持ったラディエーションを発生させる
ことが可能であることを特徴とする装置。11. The irradiation source of claim 10, wherein the sonde is provided with an irradiation source for irradiating the substance in the perforation with a permeable radiation, the permeable radiation being caused by an interaction with the substance. A device capable of generating a radiation having a characteristic of carrying information about a device.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28055595A JPH09118593A (en) | 1995-10-27 | 1995-10-27 | Production of lutetium-containing crystal for scintillator |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28055595A JPH09118593A (en) | 1995-10-27 | 1995-10-27 | Production of lutetium-containing crystal for scintillator |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09118593A true JPH09118593A (en) | 1997-05-06 |
Family
ID=17626683
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28055595A Pending JPH09118593A (en) | 1995-10-27 | 1995-10-27 | Production of lutetium-containing crystal for scintillator |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH09118593A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7060982B2 (en) | 2003-09-24 | 2006-06-13 | Hokushin Corporation | Fluoride single crystal for detecting radiation, scintillator and radiation detector using the single crystal, and method for detecting radiation |
JP2007008983A (en) * | 2005-06-28 | 2007-01-18 | Hitachi Chem Co Ltd | Inorganic scintillator |
-
1995
- 1995-10-27 JP JP28055595A patent/JPH09118593A/en active Pending
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