JPH09111446A - Sputtering apparatus - Google Patents
Sputtering apparatusInfo
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- JPH09111446A JPH09111446A JP26860795A JP26860795A JPH09111446A JP H09111446 A JPH09111446 A JP H09111446A JP 26860795 A JP26860795 A JP 26860795A JP 26860795 A JP26860795 A JP 26860795A JP H09111446 A JPH09111446 A JP H09111446A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、スパッタリングに
よる成膜に用いられる装置に関する。TECHNICAL FIELD The present invention relates to an apparatus used for film formation by sputtering.
【０００２】[0002]
【従来の技術】反応性スパッタリングは、金属化合物の
膜を得る方法の１つであるが、同じく金属化合物の成膜
に多用されるＣＶＤとは異なる特徴を有する。2. Description of the Related Art Reactive sputtering, which is one of the methods for obtaining a film of a metal compound, has a characteristic different from CVD which is also frequently used for forming a metal compound film.
【０００３】例えば、ＴｉＮ等の金属化合物の薄膜を成
膜しようとする場合、ＣＶＤと並んで反応性スパッタリ
ングがしばしば用いられる。反応性スパッタリングに
は、成膜させるための基材の選択の幅が大きい等の様々
な利点がある。反応性スパッタリングによる成膜は、Ｔ
ｉ、Ａｌ、Ｗ等の金属とＯ、Ｎ、Ｃ等との化合物に適用
される。For example, when a thin film of a metal compound such as TiN is to be formed, reactive sputtering is often used along with CVD. Reactive sputtering has various advantages such as a wide range of choices of substrates for film formation. The film formation by reactive sputtering is T
It is applied to compounds of metals such as i, Al and W and O, N and C.
【０００４】Ｔｉ、Ａｌ、Ｗ等の金属の化合物の反応性
スパッタリングでは、約６ｘ１０-3Ｔｏｒｒ〜約５ｘ１
０-4Ｔｏｒｒの範囲の比較的低い圧力にて成膜が行われ
る。In reactive sputtering of compounds of metals such as Ti, Al and W, about 6 × 10 −3 Torr to about 5 × 1 is used.
Film formation is performed at a relatively low pressure in the range of 0 −4 Torr.
【０００５】図５は、従来から用いられているスパッタ
リング装置の一例の断面図である。図５に示されるよう
に、従来からのスパッタリング装置５００は、チャンバ
壁５０２に包囲された円筒状のチャンバ５０４の内部
に、ウエハ５０６を保持するサセプタ５０８と、ウエハ
５０６上へ堆積するためのスパッタリング材料のターゲ
ット５１０とを備える。ターゲット５１０の裏側には、
放電を収斂させるためのマグネット５１２が配置されて
いる。ターゲット５１０を包囲するようにシールド５１
３が、チャンバ内に設置され、スパッタリング粒子のチ
ャンバ壁への飛散付着を防止する。FIG. 5 is a sectional view of an example of a conventional sputtering apparatus. As shown in FIG. 5, a conventional sputtering apparatus 500 includes a susceptor 508 for holding a wafer 506 inside a cylindrical chamber 504 surrounded by a chamber wall 502, and a sputtering for depositing on the wafer 506. A material target 510. On the back side of the target 510,
A magnet 512 for converging the discharge is arranged. Shield 51 to surround target 510
3 is installed in the chamber to prevent the sputtered particles from scattering and adhering to the chamber wall.
【０００６】従来からのスパッタリング装置５００は、
チャンバ壁５０２に接続されたガス流入口５１４を１つ
以上有する。ガス流入口５１４は、ガスソースに接続さ
れており、例えば反応性スパッタリングでは、プロセス
ガスと雰囲気ガスの混合ガスが、ガス流入口５１４を介
してチャンバ５０４内部へと導入される。シールド５１
３には、ところどころに開口があり（図示されず）、シ
ールドの外側の「空間Ｂ」の雰囲気は、シールドの内側
の「空間Ａ」内に流通する。即ち、ガス流入口５１４を
介してチャンバ５０４内部の空間Ｂへ導入されたプロセ
スガスは空間Ａに至る。The conventional sputtering apparatus 500 is
It has one or more gas inlets 514 connected to the chamber wall 502. The gas inlet 514 is connected to a gas source, and in reactive sputtering, for example, a mixed gas of a process gas and an atmospheric gas is introduced into the chamber 504 through the gas inlet 514. Shield 51
3 has openings (not shown) in some places, and the atmosphere in the “space B” outside the shield flows into the “space A” inside the shield. That is, the process gas introduced into the space B inside the chamber 504 through the gas inlet 514 reaches the space A.
【０００７】電力の印加によりスパッタリングされたタ
ーゲット５１０を構成する物質は、空間Ａに存在するプ
ロセスガスと反応して、ターゲット材料の化合物として
ウエハ５０６上に堆積する。シールド５１３の下方にも
開口（図示されず）が設けられ、空間Ａのガスが空間Ｂ
へと移動した後、チャンバの外へ排出される。The substance constituting the target 510 sputtered by the application of electric power reacts with the process gas existing in the space A and is deposited on the wafer 506 as a compound of the target material. An opening (not shown) is also provided below the shield 513 so that the gas in the space A can be stored in the space B.
And then discharged to the outside of the chamber.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】このように、従来から
用いられているスパッタリング装置では、スパッタリン
グ粒子の飛散防止のためのシールドの外側のチャンバ内
の空間（空間Ｂ）にプロセスガスを供給するため、スパ
ッタリングが行われる空間（空間Ａ）には、充分な量の
プロセスガスが供給されにくい構造になっていた。更
に、装置部材の表面から揮発する水等を含むアウトガス
が、スパッタリングが行われる空間に滞留しやすく、ス
パッタリング領域内の汚染の原因になっていた。As described above, in the conventionally used sputtering apparatus, the process gas is supplied to the space (space B) inside the chamber outside the shield for preventing the scattering of sputtered particles. However, it was difficult to supply a sufficient amount of process gas to the space (space A) in which sputtering was performed. Further, outgas containing water and the like volatilized from the surface of the device member is likely to stay in the space where sputtering is performed, which causes contamination in the sputtering region.
【０００９】また、シールド５１３は一般にターゲット
５１０のエッジ部分と近接しているため、マグネット５
１２の磁場によりターゲットの下に封じ込めている電子
がグランド側のシールドに逃げて、スパッタエネルギー
をロスしていた。これらは、いずれも膜質向上の妨げに
なっていた。Further, since the shield 513 is generally close to the edge portion of the target 510, the magnet 5
Due to the magnetic field of 12, the electrons contained under the target escaped to the shield on the ground side, and the sputter energy was lost. All of these impeded the improvement of the film quality.
【００１０】本発明は、以上の問題点に鑑みてなされた
ものであり、アウトガスをスパッタリング領域から速や
かに排出させ、効率良くプラズマを維持して、高品質の
膜を効率良く成膜できるスパッタリング装置を提供する
ことを目的とする。The present invention has been made in view of the above problems, and a sputtering apparatus capable of quickly discharging outgas from the sputtering region, efficiently maintaining plasma, and efficiently forming a high quality film. The purpose is to provide.
【００１１】また、本発明の別の目的は、反応性スパッ
タリングの効率を高めて、均一な膜質の薄膜を形成でき
るスパッタリング装置を提供することにある。Another object of the present invention is to provide a sputtering apparatus capable of increasing the efficiency of reactive sputtering and forming a thin film having a uniform film quality.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】本発明のスパッタリング
装置は、スパッタされて成膜のための物質を放出するタ
ーゲットと成膜されるウエハを保持するウエハ保持手段
とを収容するチャンバと、チャンバの内部を、ターゲッ
トとウエハとが含められたシールド内空間と、シールド
外空間とに画するシールドとを備えるスパッタリング装
置であって、シールドが、ガスを供給するガス供給手段
に接続された流入口を有して、シールド内空間にガスが
直接導入され、シールドが通気口を有して、シールド内
空間とシールド外空間との間にガスを流通させ、チャン
バがガスを排気するガス排気手段に接続され、シールド
外空間のガスをチャンバの外に排出することを特徴とす
る。A sputtering apparatus according to the present invention includes a chamber for accommodating a target that is sputtered to release a substance for film formation and a wafer holding unit that holds a wafer to be filmed, and a chamber for the chamber. What is claimed is: 1.A sputtering apparatus comprising: a shield inner space including a target and a wafer; and a shield outer space, wherein the shield has an inlet connected to a gas supply means for supplying a gas. In addition, the gas is directly introduced into the inner space of the shield, the shield has a vent hole, and the gas is circulated between the inner space of the shield and the outer space of the shield, and the chamber is connected to a gas exhaust means for exhausting the gas. The gas in the space outside the shield is discharged to the outside of the chamber.
【００１３】本発明の別のスパッタリング装置は、気密
性を備えたチャンバと、チャンバ内部に収容され、側面
と、スパッタされて成膜のための物質を放出する、一方
の底面であるスパッタリング表面とを有する錘状、錘台
状又は板状のターゲットと、成膜されるウエハを、ター
ゲットのスパッタリング表面に面してチャンバ内に保持
するウエハ保持手段と、チャンバ内で、ターゲットに近
接してターゲットの側面を包囲し、ターゲットからウエ
ハ保持手段へ向かう方向へ延長し、更に、ウエハ保持手
段に近接してこれを包囲して、チャンバ内部を、ターゲ
ットとウエハとが含められたシールド内空間と、シール
ド外空間とに画する、１つ以上の部材から成るシールド
と、シールドに１つ以上設けられ、シールド内空間の内
部にガスを直接導入する流入口と、流入口に接続され、
チャンバの外からガスをシールド内空間の内部へと供給
するガス供給手段と、シールドに１つ以上設けられ、ガ
スをシールド内空間内からシールド外空間へと流通させ
る通気口と、チャンバに接続され、シールド外空間内の
ガスをチャンバの外へ排気させるガス排出手段とを備え
ることを特徴とする。Another sputtering apparatus of the present invention includes a chamber having airtightness, a side surface accommodated in the chamber, and a sputtering surface which is one bottom surface and is sputtered to release a substance for film formation. A frustum-shaped, frustum-shaped or plate-shaped target, a wafer holding means for holding the film-forming wafer in the chamber facing the sputtering surface of the target, and the target in the chamber in the vicinity of the target. Surrounding the side surface of the target, extending in the direction from the target to the wafer holding means, and further surrounding the wafer holding means and surrounding the wafer holding means, and the inside of the chamber, a shield inner space including the target and the wafer, A shield consisting of one or more members, which is separated from the space outside the shield, and one or more shields, which are provided in the shield, directly guide the gas into the space inside the shield. An inlet for being connected to the inlet,
A gas supply means for supplying gas from the outside of the chamber to the inside of the shield inner space, one or more ventilation holes provided in the shield for allowing gas to flow from the inside of the shield space to the outside space of the shield, and connected to the chamber And a gas discharge means for discharging the gas in the shield outer space to the outside of the chamber.
【００１４】これらの、本発明に従ったスパッタリング
装置では、シールドに囲まれてターゲットとウエハとを
含むシールド内空間へ直接ガスを導入し、且つ、シール
ド内空間内の雰囲気をシールド外空間へと容易に流通さ
せることにより、スパッタリングが行われる領域を含ん
でいるシールド内空間は常に新しいガスで満たされる。In these sputtering apparatuses according to the present invention, the gas is directly introduced into the shield inner space surrounded by the shield and containing the target and the wafer, and the atmosphere in the shield inner space is changed to the shield outer space. By allowing easy circulation, the space inside the shield including the region where sputtering is performed is always filled with fresh gas.
【００１５】また、本発明のスパッタリング装置は、流
入口が、シールドがターゲットに近接してターゲット側
面を包囲する部分に形成されていることを特徴としても
よい。Further, the sputtering apparatus of the present invention may be characterized in that the inflow port is formed in a portion where the shield is close to the target and surrounds the side surface of the target.
【００１６】流入口が、ターゲットの側面を包囲してい
る部分に形成されていれば、流入口はターゲットのスパ
ッタリング表面に面していないため、スパッタされた粒
子が流入口に到達する確率が非常に低くなる。従って、
スパッタされた粒子の付着による流入口の閉塞が防止さ
れる。If the inflow port is formed in the portion surrounding the side surface of the target, the inflow port does not face the sputtering surface of the target, so that the probability of sputtered particles reaching the inflow port is extremely high. It becomes low. Therefore,
The clogging of the inlet due to the deposition of sputtered particles is prevented.
【００１７】また、本発明のスパッタリング装置は、タ
ーゲットとウエハ保持手段との間に磁場を形成するマグ
ネットを、ターゲットのウエハ保持手段の側とは反対の
側に更に備え、且つ、シールドが、ターゲットに近接し
てターゲット側面を包囲する部分において、ターゲット
側面から離れる方向に伸びる部分を有し、該部分の終点
から更にターゲットからウエハ保持手段へ向かう方向へ
延長して、ターゲットのスパッタリング表面の端部の周
囲に所定の空間を確保することを特徴としてもよい。The sputtering apparatus of the present invention further comprises a magnet for forming a magnetic field between the target and the wafer holding means on the side of the target opposite to the wafer holding means side, and the shield is the target. Has a portion that extends in a direction away from the target side surface in a portion that surrounds the target side surface in the vicinity of the target side surface, and extends from the end point of the portion toward the target toward the wafer holding means, and the end portion of the sputtering surface of the target. It may be characterized in that a predetermined space is secured around the.
【００１８】ターゲットのスパッタリング表面の端部の
周囲に空間を確保することにより、ターゲットとウエハ
保持手段の間に発生したプラズマ内の電子の運動が、シ
ールドに影響されなくなる。従って、エネルギー効率良
くプラズマを発生、維持することが可能となる。By securing a space around the edge of the sputtering surface of the target, the movement of electrons in the plasma generated between the target and the wafer holding means is not affected by the shield. Therefore, it is possible to generate and maintain plasma with energy efficiency.
【００１９】[0019]
【発明の実施の形態】以下、添付した図面を参照して、
本発明を詳細に説明する。尚、図面においては、共通の
要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG.
The present invention will be described in detail. In the drawings, common elements are designated by the same reference numerals, and redundant description will be omitted.
【００２０】図１は、本発明に従ったスパッタリング装
置の一例の断面図である。円筒状のスパッタリング装置
１００は、チャンバ壁１０２に囲まれたチャンバ１０４
を備える。チャンバ１０４内には、ウエハ１０６を保持
するためのサセプタ１０８と、ターゲット１１０とが備
えられ、ウエハ１０６は、ターゲット１１０に対してあ
る一定の距離を保って対向するように配置される。ター
ゲット１１０の裏側には、ターゲット１１０とウエハ１
０６との間の放電を収斂させるためのマグネット１１２
が配置される。ターゲット１１０の底面は円板状であ
る。このターゲット１１０の底面は、スパッタされてタ
ーゲット材料の粒子を放出するスパッタリング表面であ
る。ターゲット１１０は、スパッタリング表面がサセプ
タ１０８の方を向くように設置される。ターゲット１１
０のスパッタリング表面から放出された粒子は、サセプ
タ１０８の上に保持されているウエハ１０６の表面上に
堆積される。FIG. 1 is a sectional view of an example of a sputtering apparatus according to the present invention. The cylindrical sputtering apparatus 100 includes a chamber 104 surrounded by a chamber wall 102.
Is provided. A susceptor 108 for holding the wafer 106 and a target 110 are provided in the chamber 104, and the wafer 106 is arranged to face the target 110 with a certain distance. On the back side of the target 110, the target 110 and the wafer 1
Magnet 112 for converging the discharge between
Is arranged. The bottom surface of the target 110 is disk-shaped. The bottom surface of this target 110 is a sputtering surface that is sputtered to emit particles of target material. The target 110 is installed so that the sputtering surface faces the susceptor 108. Target 11
The particles emitted from the zero sputtering surface are deposited on the surface of the wafer 106 held on the susceptor 108.
【００２１】図１に示されるスパッタリング装置１００
のチャンバ１０４では、スパッタされたターゲット材料
の粒子の飛散による汚染を防止するためのシールドは、
アッパーシールド１１３と、ミドルシールド１１４と、
ロワーシールド１１５の３つのシールドから構成されて
いる。アッパーシールド１１３は、ターゲット１１０の
側面に近接してこれを包囲し、更にターゲット１１０か
らサセプタ１０８へ向かう方向へ延長するように形成さ
れている。ミドルシールド１１４の構造と役割は後述す
る。ロワーシールド１１５は、サセプタ１０８に近接し
てこれを包囲している。アッパーシールド１１３、ミド
ルシールド１１４及びロワーシールド１１５は、ＳＵＳ
３０４製である。但し、これらのシールドの材質は、Ｓ
ＵＳ３０６やチタンの場合もある。これらのシールドの
構造に関しては、後に詳述する。The sputtering apparatus 100 shown in FIG.
In the chamber 104 of, a shield for preventing contamination due to scattering of particles of the sputtered target material is
An upper shield 113, a middle shield 114,
The lower shield 115 is composed of three shields. The upper shield 113 is formed so as to be close to and surround the side surface of the target 110 and further extend in the direction from the target 110 toward the susceptor 108. The structure and role of the middle shield 114 will be described later. The lower shield 115 is close to and surrounds the susceptor 108. The upper shield 113, the middle shield 114, and the lower shield 115 are made of SUS.
It is made of 304. However, the material of these shields is S
It may be US306 or titanium. The structure of these shields will be described in detail later.
【００２２】チャンバ内部は、これらのシールドによっ
て、シールド内空間である空間Ａと、シールド外空間で
ある空間Ｂの２つの空間に分割される。図１に示される
ように、ウエハ１０６とターゲット１１０とが配置され
ている空間Ａでは、ターゲット１１０とウエハ１０６の
間に電力が印加されて、ターゲット１１０を構成するタ
ーゲット材料がスパッタリングされウエハ１０６上に薄
膜が堆積される。ターゲット材料は、典型的には、Ｗ、
Ｔｉ、Ａｌ合金、ＷＳｉ、ＴｉＷ、ＭｏＳｉ、Ｓｉ、Ｃ
ｕ等の物質である。このとき、スパッタされたターゲッ
ト材料と反応してターゲット材料の化合物を形成してウ
エハ１０６上にこの化合物の薄膜を形成する反応性スパ
ッタリングを行う場合は、ターゲット材料と反応して化
合物を形成するためのガスをターゲット１１０とウエハ
１０６との間に流通させる。例えば、ＴｉＮ薄膜をウエ
ハ１０６上に成膜させる場合、ターゲット１１０にＴｉ
を用い、Ｎ2 ガスをプロセスガスとして空間Ａに流通さ
せる。このとき、プロセスガスであるＮ2 と共にＡｒ等
の雰囲気ガスも流通させる。反応性スパッタリングでは
なく、化学反応を伴わない通常のスパッタリングを行う
際は、プラズマ発生のためのＡｒガス等の雰囲気ガスの
みを流通させればよい。The inside of the chamber is divided by these shields into two spaces, that is, a space A which is a space inside the shield and a space B which is a space outside the shield. As shown in FIG. 1, in the space A where the wafer 106 and the target 110 are arranged, electric power is applied between the target 110 and the wafer 106, and the target material forming the target 110 is sputtered onto the wafer 106. A thin film is deposited on. The target material is typically W,
Ti, Al alloy, WSi, TiW, MoSi, Si, C
It is a substance such as u. At this time, when reactive sputtering is performed in which a compound of the target material is formed by reacting with the sputtered target material and a thin film of this compound is formed on the wafer 106, the compound is formed by reacting with the target material. Gas is circulated between the target 110 and the wafer 106. For example, when depositing a TiN thin film on the wafer 106, the Ti
Is used to flow N 2 gas into the space A as a process gas. At this time, an atmosphere gas such as Ar is also circulated together with the process gas N 2 . When performing normal sputtering that does not involve a chemical reaction, instead of reactive sputtering, only an atmospheric gas such as Ar gas for plasma generation may be passed.
【００２３】サセプタ１０８には、ウエハ１０６を所望
の温度に加熱するためのヒーターが具備されるが、チャ
ンバ内が低圧の状態でスパッタリングを行う際は、ヒー
ターによる加熱の効率が低くなるため、ヒーターガス導
入管１４６を介してアルゴン等のヒーターガスをサセプ
タ１０８に供給し、ヒーターにより加熱されたヒーター
ガスを加熱のための媒体としてウエハ１０６とサセプタ
１０８との間の僅かな隙間へ流通させている。ヒーター
ガスは、通常、スパッタリングのための雰囲気ガスと同
じガスであることが好ましいが、他の不活性ガスを用い
てもよい。The susceptor 108 is equipped with a heater for heating the wafer 106 to a desired temperature. However, when sputtering is performed in a chamber where the pressure is low, the efficiency of heating by the heater becomes low, so that the heater is heated. A heater gas such as argon is supplied to the susceptor 108 via the gas introduction pipe 146, and the heater gas heated by the heater is circulated as a medium for heating into a slight gap between the wafer 106 and the susceptor 108. . Usually, the heater gas is preferably the same gas as the atmospheric gas for sputtering, but other inert gas may be used.
【００２４】図２は、図１に示されるスパッタリング装
置１００のアッパーシールド１１３近傍の断面図であ
る。以下、図１及び図２を参照して、シールドの構造を
説明し、本発明におけるスパッタリング領域でのガス流
通の機構に関して明らかにする。図２に示されるよう
に、ターゲット１１０の周囲部には、アッパーシールド
１１３がブロック１２２と共にビス１２０により固定さ
れている。ここで、アッパーシールド１１３は、底面が
円板状のターゲット１１０の側面に近接してこれを覆う
円筒状である。図示の都合で、図１には、アッパーシー
ルド１１３固定用のビス１２０は２点しか示されていな
いが、円周上に沿って８点でアッパーシールド１１３は
ブロック１２２に固定されている。FIG. 2 is a sectional view near the upper shield 113 of the sputtering apparatus 100 shown in FIG. The structure of the shield will be described below with reference to FIGS. 1 and 2, and the mechanism of gas flow in the sputtering region in the present invention will be clarified. As shown in FIG. 2, the upper shield 113 is fixed to the periphery of the target 110 by screws 120 together with the block 122. Here, the upper shield 113 has a cylindrical shape in which the bottom surface is close to and covers the side surface of the disk-shaped target 110. For convenience of illustration, only two screws 120 for fixing the upper shield 113 are shown in FIG. 1, but the upper shield 113 is fixed to the block 122 at eight points along the circumference.
【００２５】図１及び図２に示されるように、ブロック
１２２の下のブロック１２３には、プロセスガスと雰囲
気ガスを導入するためのガス導入部１２４が備えられて
いる。ガス導入部１２４には、プロセスガスと雰囲気ガ
スの混合ガスを供給する外部のガスソース（図示され
ず）に接続される導管１２６が接続されている。導管１
２６には、ガスの供給を調節するためのストップバルブ
１３０が具備されている。導管１２６は、ガス導入部１
２４を介して、ブロック１２３の内部に空けられたガス
流入口１２８ａとアッパーシールド１１３の内部を貫通
するガス流入口１２８ｂ（図１、２共に、どちらも点線
で図示）に接続されている。即ち、プロセスガスと雰囲
気ガスの混合ガスは、導管１２６を通り、ガス導入部１
２４を介し、ガス流入口１２８ａ、１２８ｂを通って、
空間Ａのターゲット１１０の外側附近へと供給される。
このような、導管１２６−ガス導入部１２４−ガス流入
口１２８ａ−ガス流入口１２８ｂへ至るガス供給ライン
は、チャンバ１０４の円筒の円周上に、適当な間隔をも
って均等に３２組配置されている。従って、円筒状のア
ッパーシールド１１３には、その内壁の円周上に、３２
個のガス流入口１２８ｂが規則的に配置され、３２個の
通気口が空間Ａ内へ向いている。As shown in FIGS. 1 and 2, a block 123 below the block 122 is provided with a gas introduction section 124 for introducing a process gas and an atmosphere gas. A conduit 126 connected to an external gas source (not shown) that supplies a mixed gas of a process gas and an atmospheric gas is connected to the gas introduction unit 124. Conduit 1
The stop 26 is equipped with a stop valve 130 for adjusting the supply of gas. The conduit 126 is the gas introduction unit 1.
A gas inlet 128a opened inside the block 123 and a gas inlet 128b penetrating the inside of the upper shield 113 (both shown by dotted lines in both FIGS. 1 and 2) are connected via 24. That is, the mixed gas of the process gas and the atmospheric gas passes through the conduit 126 and passes through the gas introducing unit 1.
24, through the gas inlets 128a, 128b,
It is supplied to the space A near the outside of the target 110.
Such gas supply lines extending from the conduit 126-the gas introduction portion 124-the gas inlet 128a-the gas inlet 128b are evenly arranged in 32 sets on the circumference of the cylinder of the chamber 104 at appropriate intervals. . Therefore, the cylindrical upper shield 113 has 32
The gas inlets 128b are regularly arranged, and 32 vents are directed into the space A.
【００２６】このように、３２個のガス流入口１２８ｂ
がアッパーシールド１１３に具備されることにより、空
間Ａ内部には充分の量のプロセスガスが供給される。ま
た、円周上に均等に配置された３２個のガス流入口１２
８ｂからガスが放射状内向きに空間Ａ内部に供給される
ため、空間Ａ内のプロセスガスの濃度の分布が生じなく
なる。In this way, 32 gas inlets 128b
Since the upper shield 113 is provided with, a sufficient amount of process gas is supplied into the space A. In addition, 32 gas inlets 12 evenly arranged on the circumference
Since the gas is supplied radially inward from the space 8b into the space A, the concentration distribution of the process gas in the space A does not occur.
【００２７】また、低圧条件下での操作では、装置の部
材表面等に僅かに吸着していた空気や水等のアウトガス
を速やかに空間Ａから排気する必要がある。このため、
ロワーシールド１１５は、図２の点線で示されるような
通気口（開口）を多数有する構造となっている。例え
ば、図３に示されるロワーシールド１１５の側面のよう
に、比較的大きな開口１３４が、円筒型のロワーシール
ド１１５の周囲に合計８個形成されており、空間Ａから
空間Ｂへの排気を容易にしている。この様な場合、ロワ
ーシールド１１５の開口１３４（通気口）からスパッタ
された粒子等がロワーシールド１１５の外側へと飛散し
てしまうため、これを防止する目的で、図１及び図２に
示されるように、ミドルシールド１１４が設置されてい
る。そして、ミドルシールド１１４とロワーシールド１
１５で構成される排気経路のコンダクタンスが充分大き
くなるように、ミドルシールド１１４の形状や配置と、
ロワーシールド１１５の開口１３４とを調整すればよ
い。Further, in the operation under the low pressure condition, it is necessary to quickly exhaust the outgas such as air and water slightly adsorbed on the surface of the member of the apparatus from the space A. For this reason,
The lower shield 115 has a structure having a large number of vent holes (openings) as shown by the dotted line in FIG. For example, like the side surface of the lower shield 115 shown in FIG. 3, a total of eight relatively large openings 134 are formed around the cylindrical lower shield 115, so that the exhaust from the space A to the space B is easy. I have to. In such a case, particles or the like sputtered from the opening 134 (vent) of the lower shield 115 scatters to the outside of the lower shield 115, and for the purpose of preventing this, it is shown in FIGS. 1 and 2. As described above, the middle shield 114 is installed. And middle shield 114 and lower shield 1
The shape and arrangement of the middle shield 114 so that the conductance of the exhaust path constituted by 15 is sufficiently large,
The opening 134 of the lower shield 115 may be adjusted.
【００２８】このように、スパッタリングが行われる空
間Ａに対して、直接ガスを供給する手段を与え、また、
排気のために、空間Ａから空間Ｂへのコンダクタンスを
充分大きくとることにより、空間Ａ内は、常に新しいガ
スが存在し、装置部材の表面から揮発する水等を含むア
ウトガスは、速やかに空間Ｂの方へと排出される。As described above, a means for directly supplying gas is provided to the space A in which sputtering is performed, and
By sufficiently increasing the conductance from the space A to the space B for exhaustion, new gas is always present in the space A, and outgas containing water and the like volatilized from the surface of the device member is promptly discharged to the space B. Is discharged to the.
【００２９】チャンバ１０４からガスを排出するため
に、図１に示されるように、チャンバ１０４にはガス排
気口１４０が具備される。ガス排気口１４０は、チャン
バ１０４の空間Ｂに接続されている。そして、ガス排気
口１４０はクライオポンプ１４２に接続され、空間Ｂの
ガスを外部へと排出する。従って、ミドルシールド１１
４とロワーシールド１１５により適切なコンダクタンス
をもって構成される排気経路を介して空間Ｂへと排気さ
れたアウトガスは、クライオポンプ１４２により空間Ｂ
から排除される。また、チャンバ１０４の空間Ｂには、
圧力計１４４が接続されて、空間Ｂの圧力がモニターさ
れる。空間Ａから空間Ｂへのコンダクタンスが決まれ
ば、ガス流量と排気量とをストップバルブ１３０とクラ
イオポンプ１４２で与えることにより、空間Ａ及び空間
Ｂの圧力はそれぞれ調整される。To exhaust gas from the chamber 104, the chamber 104 is provided with a gas outlet 140, as shown in FIG. The gas exhaust port 140 is connected to the space B of the chamber 104. The gas exhaust port 140 is connected to the cryopump 142 to exhaust the gas in the space B to the outside. Therefore, the middle shield 11
4 and the lower shield 115, the outgas exhausted to the space B through the exhaust path configured with an appropriate conductance is supplied to the space B by the cryopump 142.
Be excluded from. In the space B of the chamber 104,
The pressure gauge 144 is connected and the pressure in the space B is monitored. Once the conductance from the space A to the space B is determined, the pressures of the space A and the space B are adjusted by supplying the gas flow rate and the exhaust amount with the stop valve 130 and the cryopump 142.
【００３０】このように、空間Ａへは常に充分な量のガ
スが均一に供給され、且つ、空間Ａ内から空間Ｂへのガ
スの充分な流通性が確保されているため、空間Ａのスパ
ッタリング領域では、常に新鮮なガスの存在下でスパッ
タリングを行うことが可能となる。従って、汚染の原因
となるアウトガスをチャンバ内に滞留させないと共に、
特に反応性スパッタリングにおいては、スパッタリング
領域におけるプロセスガスの濃度を均一に保つことがで
きるため膜質が向上する等、特に有効である。As described above, since a sufficient amount of gas is always uniformly supplied to the space A and sufficient flowability of the gas from the space A to the space B is secured, the sputtering of the space A is performed. In the area, it is always possible to carry out sputtering in the presence of fresh gas. Therefore, outgas that causes pollution is not retained in the chamber, and
In particular, in reactive sputtering, the process gas concentration in the sputtering region can be kept uniform, so that the film quality is improved, and so on.
【００３１】また、スパッタリングが行われる領域（空
間Ａ）へのガス供給のためのガス流入口は、図２に示さ
れるガス流入口１２８ａ，ｂとは別の配置であってもよ
い。図４は、本発明に従った別のガス流入口４２８ａ及
び４２８ｂを具備したスパッタリング装置４００の部分
的な断面図である。図４に示されるスパッタリング装置
４００における、図２に示されるスパッタリング装置１
００との相違点は、通気口の配置のみである。図４に示
されるように、スパッタリング装置４００では、下ブロ
ック４２３内のガス流入口４２８ａに通じ、アッパーシ
ールド４１３を貫通するガス流入口４２８ｂが、ターゲ
ット１１０の側面とアッパーシールド４１３との間のク
リアランスに向かって形成されている。図２のガス流入
口１２８ｂの配置の場合は、ターゲット１１０からのス
パッタ粒子が、ガス流入口１２８ｂの出口に付着する問
題が多少存在する。しかし、図４に示されるように、シ
ールド４１３がターゲット１１０に近接してターゲット
１１０の側面を包囲する部分に形成されているガス流入
口４２８ｂの配置であれば、ターゲット１１０の表面か
ら叩き出されたスパッタ粒子は、ガス流入口４２８ｂの
出口には達しないため、スパッタ粒子の付着による汚染
や閉塞等の問題が防止される。The gas inlets for supplying gas to the region (space A) in which sputtering is performed may be arranged differently from the gas inlets 128a and 128b shown in FIG. FIG. 4 is a partial cross-sectional view of a sputtering apparatus 400 with alternative gas inlets 428a and 428b according to the present invention. The sputtering apparatus 1 shown in FIG. 2 in the sputtering apparatus 400 shown in FIG.
The only difference from 00 is the arrangement of the vent holes. As shown in FIG. 4, in the sputtering apparatus 400, the gas inlet 428b that communicates with the gas inlet 428a in the lower block 423 and penetrates the upper shield 413 is a clearance between the side surface of the target 110 and the upper shield 413. Formed towards. In the case of the arrangement of the gas inlet 128b of FIG. 2, there is a problem that sputtered particles from the target 110 adhere to the outlet of the gas inlet 128b. However, as shown in FIG. 4, if the shield 413 has the gas inlet port 428b formed in the portion close to the target 110 and surrounding the side surface of the target 110, the shield 413 is knocked out from the surface of the target 110. Moreover, since the sputtered particles do not reach the outlet of the gas inflow port 428b, problems such as contamination and blockage due to attachment of the sputtered particles are prevented.
【００３２】図２に示されるようなガス流入口１２８
ａ，ｂと、図４に示されるようなガス流入口４２８ａ，
ｂのいずれを用いるかは、形成する膜の種類や、汚染の
原因となるパーティクル発生の状況等を考慮して決定さ
れる。Gas inlet 128 as shown in FIG.
a, b and a gas inlet 428a, as shown in FIG.
Which of b is used is determined in consideration of the type of film to be formed, the state of particle generation that causes contamination, and the like.
【００３３】更に、図１、図２及び図４に示されるよう
に、アッパーシールド１１３（又は４１３）は、ターゲ
ット１１０の表面の手前から、ターゲットから離れる方
向に向かうような形状を有している。これを従来技術と
比較する。図５に示される従来技術のスパッタリング装
置５００におけるシールド５１３では、ターゲット５１
０の周囲の近傍から垂直下方向に伸びており、ターゲッ
ト５１０とシールド５１３との間の領域は狭い。一方、
本発明に従ったアッパーシールド１１３又は４１３は、
ターゲット外周附近にえぐれたような部分を有している
ため、ターゲット１１０の外周附近には、図１、図２及
び図４に示されるように広い領域が確保されている。Further, as shown in FIGS. 1, 2 and 4, the upper shield 113 (or 413) has a shape which extends from the front side of the surface of the target 110 toward the direction away from the target. . This is compared with the prior art. In the shield 513 of the conventional sputtering apparatus 500 shown in FIG.
It extends vertically downward from the vicinity of the periphery of 0, and the area between the target 510 and the shield 513 is narrow. on the other hand,
The upper shield 113 or 413 according to the invention is
Since the target 110 has a portion that is carved near the outer circumference, a wide area is secured near the outer circumference of the target 110 as shown in FIGS. 1, 2, and 4.
【００３４】図２に示されるように、本発明の装置１０
０のターゲット１１０下方には、マグネット１１２によ
って、矢印付き曲線１３２のような磁場が形成されてい
る。スパッタリングが行われているときは、この磁場と
電界により、電子はローレンツ力を受けてその軌道が曲
げられ、ターゲットの下方のある領域内に閉じ込められ
る。この領域内ではイオン化させるためのＡｒ等の雰囲
気ガスとの衝突密度が高くなる。しかし、グラウンドの
役割を有するシールドがターゲットの周囲のすぐ近くに
あれば、電子はアッパーシールド１１３及びミドルシー
ルド１１４の方向へ逃れやすくなり、電子の運動エネル
ギーが全体として減少する。しかし、図１及び図２のア
ッパーシールド１１３の形状に代表されるように、ター
ゲット１１０のスパッタリング表面の端部の周囲に大き
な空間をとることにより、電子の運動エネルギーを減少
させないようにした。As shown in FIG. 2, the device 10 of the present invention.
A magnetic field like a curved line with an arrow 132 is formed by the magnet 112 below the target 110 of 0. During sputtering, the magnetic and electric fields cause the electrons to undergo Lorentz force and bend their trajectories, trapping them in a region below the target. In this region, the collision density with the atmospheric gas such as Ar for ionization becomes high. However, if the shield having the role of the ground is in the immediate vicinity of the periphery of the target, the electrons are likely to escape toward the upper shield 113 and the middle shield 114, and the kinetic energy of the electron is reduced as a whole. However, as represented by the shape of the upper shield 113 in FIGS. 1 and 2, a large space is provided around the edge of the sputtering surface of the target 110 so that the kinetic energy of electrons is not reduced.
【００３５】このように、シールドの外周附近に広い領
域を設けることにより、スパッタエネルギーを効率良く
利用することが可能となる。このため、放電圧力を下げ
ることができるため、カバレッジを更に向上させること
が可能になる。By providing a large area near the outer circumference of the shield as described above, it is possible to efficiently use the sputtering energy. Therefore, the discharge pressure can be lowered, and the coverage can be further improved.
【００３６】以上説明してきたように、本発明の装置
は、特に、反応性スパッタリングに用いることにより、
非常に有利な効果を得ることができる。一方、本発明の
装置は、化学反応のためのプロセスガスを用いずプラズ
マのためのＡｒ等の雰囲気ガスのみ流通させて行う通常
のスパッタリング等のＰＶＤに用いても、汚染の原因と
なるアウトガスの効果的な除去やプラズマの効率化や安
定化等、顕著な効果を与える。As described above, the apparatus of the present invention can be used particularly for reactive sputtering,
A very advantageous effect can be obtained. On the other hand, the apparatus of the present invention is used for PVD such as ordinary sputtering in which only an atmospheric gas such as Ar for plasma is circulated without using a process gas for chemical reaction, and even if it is used for an outgas that causes contamination. It provides significant effects such as effective removal and plasma efficiency and stabilization.
【００３７】以上、本発明に従った好ましい装置の具体
例に関して説明してきたが、本具体例は本発明に従って
様々な変形が可能である。例えば、図１ではシールドは
アッパーシールド、ミドルシールド及びロワーシールド
の３つで構成されているが、１つ又は２つのシールドで
構成されていてもよい。この場合は、シールドに少なく
とも１つ以上のガス流入口を有してシールド内空間に直
接ガスを導入することが可能で、且つ、少なくとも１つ
以上の排気開口とを有してシールド内空間からシールド
外空間へ適切なコンダクタンスが与えられていればよ
い。また、この場合も、シールドがターゲットの外周附
近でターゲットから離れるような部分を有して、ターゲ
ットのスパッタリング表面の端部周囲に一定の空間を与
える形状であることが好ましい。Although the preferred embodiment of the apparatus according to the present invention has been described above, the present embodiment can be variously modified according to the present invention. For example, in FIG. 1, the shield is composed of three upper shields, middle shields, and lower shields, but may be composed of one or two shields. In this case, the shield can have at least one or more gas inlets to directly introduce gas into the shield inner space, and the shield can have at least one or more exhaust openings from the shield inner space. Appropriate conductance should be given to the space outside the shield. Also in this case, it is preferable that the shield has a portion that is separated from the target near the outer periphery of the target, and has a shape that provides a constant space around the end portion of the sputtering surface of the target.
【００３８】また、上記の好ましい実施の形態の説明で
は、ウエハ１枚づつを処理する枚葉式のＰＶＤ装置に関
して説明してきたが、ガス導入の手段を具備するシール
ドを用いて、ガスをシールド内のスパッタリング領域へ
直接導入する構成は、複数のウエハを処理するバッチ式
ＰＶＤ装置等に用いられても、上述と同様の効果を与え
る。Further, in the above description of the preferred embodiment, the single-wafer type PVD apparatus for processing the wafers one by one has been described. However, a gas having a means for introducing gas is used to shield the gas inside the shield. The configuration of directly introducing the same into the sputtering region of (1) provides the same effect as described above even when used in a batch type PVD apparatus or the like that processes a plurality of wafers.
【００３９】[0039]
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明の
スパッタリング装置では、ガス導入の手段を具備するシ
ールドを用いて、スパッタリング領域を含むシールド内
空間へガスを直接導入し、且つ、シールド内の雰囲気を
シールド外空間へ容易に流通できるようにした。このた
め、シールド内空間は常に新鮮なガスで満たされ、アウ
トガスが滞留することが防止される。As described above in detail, in the sputtering apparatus of the present invention, the shield provided with the means for introducing gas is used to directly introduce the gas into the space inside the shield including the sputtering region, and to shield the shield. The atmosphere inside can be easily distributed to the space outside the shield. Therefore, the space inside the shield is always filled with fresh gas and outgas is prevented from staying.
【００４０】また、本発明では、シールドが、ターゲッ
トの側面から離れる方向に伸びる形状を有して、ターゲ
ットのスパッタリング表面の端部の周囲に所定の空間を
確保している。このため、電子の運動エネルギーのロス
が防止されて、プラズマの発生及び維持が効率良く行わ
れるようになる。Further, in the present invention, the shield has a shape extending in the direction away from the side surface of the target, and a predetermined space is secured around the end of the sputtering surface of the target. Therefore, loss of electron kinetic energy is prevented, and plasma is efficiently generated and maintained.
【００４１】従って、高品質の膜を効率良く成膜できる
スパッタリング装置が提供される。Therefore, a sputtering apparatus capable of efficiently forming a high quality film is provided.
【図１】本発明に従ったスパッタリング装置の縦断面図
である。FIG. 1 is a vertical sectional view of a sputtering apparatus according to the present invention.
【図２】図１に示されるスパッタリング装置のアッパー
シールド周囲の断面図であり、ガス流入口の配置が示さ
れる。FIG. 2 is a cross-sectional view around the upper shield of the sputtering apparatus shown in FIG. 1, showing a gas inlet arrangement.
【図３】ロワーシールドの側面図であり、通気口の配置
が示される。FIG. 3 is a side view of the lower shield showing the placement of the vents.
【図４】図２とは別のアッパーシールド周囲の断面図で
あり、別のガス流入口の配置が示される。FIG. 4 is a cross-sectional view around the upper shield, which is different from that of FIG. 2, and shows another gas inlet arrangement.
【図５】従来技術のスパッタリング装置の断面図であ
る。FIG. 5 is a cross-sectional view of a conventional sputtering device.
１００，４００…スパッタリング装置、１０２…チャン
バ壁、１０４…チャンバ、１０６…ウエハ、１０８…サ
セプタ、１１０…ターゲット、１１２…マグネット、１
１３，４１３…アッパーシールド、１１４…ミドルシー
ルド、１１５…ロワーシールド、１２０…ビス、１２
２，１２３，４２２，４２３…ブロック、１２４，４２
４…ガス導入部、１２６…導管、１２８ａ，ｂ，４２８
ａ，ｂ…ガス流入口、１３０…ストップバルブ、１３２
…矢印、１３４…通気口、１４０…ガス排気口、１４２
…クライオポンプ、１４４…圧力計、１４６…ヒーター
ガス導入管。100, 400 ... Sputtering apparatus, 102 ... Chamber wall, 104 ... Chamber, 106 ... Wafer, 108 ... Susceptor, 110 ... Target, 112 ... Magnet, 1
13, 413 ... Upper shield, 114 ... Middle shield, 115 ... Lower shield, 120 ... Screw, 12
2, 123, 422, 423 ... Block, 124, 42
4 ... Gas introduction part, 126 ... Conduit, 128a, b, 428
a, b ... Gas inlet, 130 ... Stop valve, 132
... arrow, 134 ... vent, 140 ... gas exhaust, 142
... cryopump, 144 ... pressure gauge, 146 ... heater gas introduction pipe.
Claims (4)
するターゲットと成膜されるウエハを保持するウエハ保
持手段とを収容するチャンバと、前記チャンバの内部
を、前記ターゲットとウエハとが含められたシールド内
空間と、シールド外空間とに画するシールドとを備える
スパッタリング装置であって、 前記シールドが、ガスを供給するガス供給手段に接続さ
れた流入口を有して、前記シールド内空間にガスが直接
導入され、 前記シールドが通気口を有して、前記シールド内空間と
前記シールド外空間との間にガスを流通させ、 前記チャンバがガスを排気するガス排気手段に接続さ
れ、前記シールド外空間のガスをチャンバの外に排出す
ることを特徴とするスパッタリング装置。1. A chamber for accommodating a target which is sputtered to release a substance for film formation and a wafer holding means for holding a wafer to be filmed, and the inside of the chamber including the target and the wafer. A shield inner space and a shield defining a shield outer space, wherein the shield has an inflow port connected to a gas supply means for supplying a gas, and the shield inner space Gas is directly introduced into the shield, the shield has a vent hole, the gas is circulated between the shield inner space and the shield outer space, the chamber is connected to a gas exhaust means for exhausting the gas, A sputtering apparatus, which discharges the gas in the space outside the shield to the outside of the chamber.
成膜のための物質を放出する、一方の底面であるスパッ
タリング表面とを有する錘状、錘台状又は板状のターゲ
ットと、 成膜されるウエハを、前記ターゲットの前記スパッタリ
ング表面に面して前記チャンバ内に保持するウエハ保持
手段と、 前記チャンバ内で、前記ターゲットに近接して前記ター
ゲットの前記側面を包囲し、前記ターゲットから前記ウ
エハ保持手段へ向かう方向へ延長し、更に、前記ウエハ
保持手段に近接してこれを包囲して、前記チャンバ内部
を、前記ターゲットとウエハとが含められたシールド内
空間と、シールド外空間とに画する、１つ以上の部材か
ら成るシールドと、 前記シールドに１つ以上設けられ、前記シールド内空間
の内部にガスを直接導入する流入口と、 前記流入口に接続され、前記チャンバの外からガスを前
記シールド内空間の内部へと供給するガス供給手段と、 前記シールドに１つ以上設けられ、ガスを前記シールド
内空間内から前記シールド外空間へと流通させる通気口
と、 前記チャンバに接続され、前記シールド外空間内のガス
を前記チャンバの外へ排気させるガス排出手段とを備え
ることを特徴とするスパッタリング装置。2. A cone shape having an airtight chamber, a side surface, a side surface, and a sputtering surface which is one bottom surface and is sputtered to release a substance for film formation. A trapezoidal or plate-shaped target, a wafer holding means for holding the film-forming wafer in the chamber facing the sputtering surface of the target, and in the chamber, the target in proximity to the target. Surrounding the side surface, extending in the direction from the target to the wafer holding means, and further surrounding and proximate to the wafer holding means, the interior of the chamber containing the target and the wafer. A shield consisting of one or more members, which is divided into a shield inner space and a shield outer space; and one or more shields provided on the shield. A gas inlet for directly introducing gas into the inner space of the chamber, gas supply means connected to the inlet for supplying gas into the inner space of the shield from outside the chamber, and one or more for the shield A vent is provided which allows gas to flow from the inside space of the shield to the outside space of the shield, and a gas discharge means which is connected to the chamber and discharges the gas inside the outside space of the shield to the outside of the chamber. A sputtering apparatus characterized by the above.
ゲットに近接して前記ターゲット側面を包囲する部分に
形成されていることを特徴とする請求項２に記載のスパ
ッタリング装置。3. The sputtering apparatus according to claim 2, wherein the inflow port is formed in a portion where the shield is close to the target and surrounds a side surface of the target.
の間に磁場を形成するマグネットを、前記ターゲットの
前記ウエハ保持手段の側とは反対の側に更に備え、且
つ、 前記シールドが、前記ターゲットに近接して前記ターゲ
ット側面を包囲する部分において、前記ターゲット側面
から離れる方向に伸びる部分を有し、該部分の終点から
更に前記ターゲットから前記ウエハ保持手段へ向かう方
向へ延長して、前記ターゲットの前記スパッタリング表
面の端部の周囲に所定の空間を確保することを特徴とす
る請求項２又は３のいずれかに記載のスパッタリング装
置。4. A magnet for forming a magnetic field between the target and the wafer holding means is further provided on a side of the target opposite to the wafer holding means side, and the shield is provided on the target. In a portion that closely surrounds the target side surface, there is a portion that extends in a direction away from the target side surface, and further extend from the end point of the portion in the direction from the target toward the wafer holding means, The sputtering apparatus according to claim 2 or 3, wherein a predetermined space is secured around the edge of the sputtering surface.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26860795A JPH09111446A (en) | 1995-10-17 | 1995-10-17 | Sputtering apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26860795A JPH09111446A (en) | 1995-10-17 | 1995-10-17 | Sputtering apparatus |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09111446A true JPH09111446A (en) | 1997-04-28 |
Family
ID=17460895
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26860795A Withdrawn JPH09111446A (en) | 1995-10-17 | 1995-10-17 | Sputtering apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09111446A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6878249B2 (en) | 2000-06-16 | 2005-04-12 | Anelva Corporation | High frequency sputtering device |
| KR100945608B1 (en) * | 2007-01-29 | 2010-03-04 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | Process kit for substrate processing chamber |
| CN112585297A (en) * | 2018-08-10 | 2021-03-30 | 应用材料公司 | Physical Vapor Deposition (PVD) chamber with reduced arcing |
| US11492697B2 (en) * | 2020-06-22 | 2022-11-08 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for improved anode-cathode ratio for rf chambers |
-
1995
- 1995-10-17 JP JP26860795A patent/JPH09111446A/en not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6878249B2 (en) | 2000-06-16 | 2005-04-12 | Anelva Corporation | High frequency sputtering device |
| KR100945608B1 (en) * | 2007-01-29 | 2010-03-04 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | Process kit for substrate processing chamber |
| CN112585297A (en) * | 2018-08-10 | 2021-03-30 | 应用材料公司 | Physical Vapor Deposition (PVD) chamber with reduced arcing |
| US11393665B2 (en) * | 2018-08-10 | 2022-07-19 | Applied Materials, Inc. | Physical vapor deposition (PVD) chamber with reduced arcing |
| CN112585297B (en) * | 2018-08-10 | 2024-04-16 | 应用材料公司 | Physical Vapor Deposition (PVD) chamber with reduced arcing |
| US11492697B2 (en) * | 2020-06-22 | 2022-11-08 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for improved anode-cathode ratio for rf chambers |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030107 |