JPH09106897A - Processing device - Google Patents

Processing device

Info

Publication number
JPH09106897A
JPH09106897A JP7264457A JP26445795A JPH09106897A JP H09106897 A JPH09106897 A JP H09106897A JP 7264457 A JP7264457 A JP 7264457A JP 26445795 A JP26445795 A JP 26445795A JP H09106897 A JPH09106897 A JP H09106897A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
workpiece
lens
processed
processing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP7264457A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hideo Takino
日出雄 瀧野
Hiroshi Ito
伊藤  博
Terunori Kobayashi
輝紀 小林
Norio Shibata
規夫 柴田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Priority to JP7264457A priority Critical patent/JPH09106897A/en
Publication of JPH09106897A publication Critical patent/JPH09106897A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Plasma Technology (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain processing with its high-precision efficiency for a surface such as optical lens by removing a surface layer with its uniform thickness while the shape precision of a processing face of a material to be processed is maintained by means of radial reaction generated by means of plasma. SOLUTION: A spherical face lens 10 is placed on a work table 1 of a lens processing device. A chamber 9 is closed, and the chamber 9 is temporarily de-pressurized by means of a gas discharge system 5. A reaction gas is supplied by means of a gas supply system, the pressure in the chamber is set to a specified pressure. A plasma generating unit of a processing electrode 2 is made close to a predetermined distance from the surface of a processed lens 10. High- frequency power is applied to the processing electrode 2 by means of a power supply system 3. An arc-shaped local plasma is generated along the plasma generating unit of the processing electrode 2, and radical of reaction gas is generated by means of this plasma. The radical of the reaction gas and the processed lens 10 react, the processed lens 10 reacts, and the surface of the processed lens is processed. The generated gas is discharged by means of the gas discharge system.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、物品の形状を加工
するための装置に関し、特に、カメラ、顕微鏡、半導体
製造装置などの光学製品に使用されるレンズを製造する
のに適した装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus for processing a shape of an article, and more particularly to an apparatus suitable for manufacturing a lens used for optical products such as a camera, a microscope, a semiconductor manufacturing apparatus.

【0002】[0002]

【従来の技術】カメラ、顕微鏡、半導体製造装置などの
光学製品の光学系には、おもにガラスレンズが用いられ
る。従来、ガラスレンズは、以下の工程を経て製造され
る。
2. Description of the Related Art A glass lens is mainly used for an optical system of an optical product such as a camera, a microscope, and a semiconductor manufacturing apparatus. Conventionally, a glass lens is manufactured through the following steps.

【0003】プレス工程:溶融状態のガラスからプレ
ス成形してガラスブロックを作る工程。
Pressing step: A step of forming a glass block by press-forming from molten glass.

【0004】研削工程:ガラスブロックを研削加工機
で研削加工することにより、所望を曲率を有する粗面レ
ンズを製造する工程。
Grinding step: a step of manufacturing a rough lens having a desired curvature by grinding a glass block with a grinding machine.

【0005】スムージング工程:ダイヤモンドペレッ
トを貼り付けた金属皿をワーク上の運動させることによ
り、前記粗面レンズの表面のスクラッチやクラック層を
除去する工程。ダイヤモンドペレットの代わりに、金属
皿とワークとの間に粒径の大きい砥粒を供給して加工す
る場合もある。砂掛け工程とも呼ばれる。
Smoothing step: a step of removing a scratch or a crack layer on the surface of the rough surface lens by moving a metal dish on which diamond pellets are attached on a work. In some cases, instead of the diamond pellets, abrasive grains having a large grain size may be supplied between the metal dish and the work for processing. Also called sanding process.

【0006】研磨工程:研磨ポリシャを用いて粗面レ
ンズを研磨することにより、スクラッチやクラック層を
さらに除去すると共に、研削工程時に生じていた形状誤
差を修正する工程。
Polishing step: A step of polishing a rough surface lens with a polishing polisher to further remove scratches and crack layers and to correct a shape error generated in the grinding step.

【0007】研磨工程は、研削工程およびスムージング
工程で生じたスクラッチやクラック層を除去する目的で
行うものである。しかしながら、研磨工程もスムージン
グ工程と同じく、塑性変形やぜい性破壊を利用した機械
加工であるため、研磨工程によって被加工物の表面に、
微細なクラックや歪による加工変質層を生成してしまう
ことがある。これは、高い光学性能が要求される場合に
問題となる。
The polishing process is performed for the purpose of removing scratches and crack layers generated in the grinding process and the smoothing process. However, like the smoothing process, the polishing process is also a machining process that utilizes plastic deformation and brittle fracture, so the surface of the workpiece is
A work-affected layer may be generated due to fine cracks and strains. This becomes a problem when high optical performance is required.

【0008】一方、ラジカル反応を利用した無歪加工方
法が、特開平1−125829号公報等に記載されてい
る。この加工法において、プラズマを用いるものは特に
プラズマCVMと呼ばれている(森ら、精密工学会春季
大会学術講演会講演論文集P.637 1992)。プ
ラズマCVMとはつぎのような原理に基づくものであ
る。すなわち、高圧力下において、被加工物近傍に設置
された加工電極によりプラズマを発生させる。このプラ
ズマにハロゲンなどの電気陰性度の高い反応ガスを供給
する。これにより、反応ガスを解離させ、反応性に富ん
だラジカルを生成し、このラジカルを被加工物表面と反
応させる。反応により生じた生成物を、連続的に気化さ
せることにより、被加工物の表面を加工する。なお、反
応ガスには、被加工物と反応し、生成物が気化する特性
を有するものを選択して用いる。
On the other hand, a strain-free processing method utilizing a radical reaction is described in JP-A-1-125829. In this processing method, the one using plasma is particularly called plasma CVM (Mori et al., Proceedings of the Spring Meeting of the Precision Engineering Society Spring Conference P. 637 1992). The plasma CVM is based on the following principle. That is, under high pressure, plasma is generated by the processing electrode installed near the workpiece. A reaction gas having a high electronegativity such as halogen is supplied to this plasma. As a result, the reaction gas is dissociated, radicals rich in reactivity are generated, and the radicals react with the surface of the workpiece. The surface of the work piece is processed by continuously vaporizing the product generated by the reaction. In addition, as the reaction gas, a gas having a property of reacting with the workpiece and vaporizing the product is selected and used.

【0009】この加工法では高圧力下でプラズマを生成
するために、従来にない高濃度のラジカルを生成でき
る。このため、機械加工に匹敵する高加工速度が得られ
る。また高圧力下であるために、加工電極周辺の電界強
度の高い箇所だけに局在化したプラズマを生成できる。
その結果、加工領域を加工電極近傍に限定することがで
き、加工電極形状に依存した極めて空間分解能の高い加
工を達成できる。さらに、機械加工では塑性変形、ぜい
性破壊といった物理現象を利用しているために加工面に
ダメージを与えることになるが、プラズマCVMでは化
学的に加工が進行するので、加工面は欠陥や熱的変質層
がなく無歪である。
According to this processing method, since plasma is generated under high pressure, it is possible to generate a high concentration of radicals which has never been obtained. Therefore, a high processing speed comparable to machining can be obtained. Further, because of the high pressure, it is possible to generate the localized plasma only in the area around the processing electrode where the electric field strength is high.
As a result, the processing region can be limited to the vicinity of the processing electrode, and processing with extremely high spatial resolution depending on the shape of the processing electrode can be achieved. Furthermore, since mechanical processing uses physical phenomena such as plastic deformation and brittle fracture to damage the machined surface, plasma CVM chemically processes the machined surface, so that the machined surface has defects and defects. There is no distortion layer and there is no strain.

【0010】プラズマCVMでは、加工時間と加工量と
に相関がある。したがって、必要除去量に応じて、所定
の時間または速度で加工電極と被加工物とを相対的に移
動させることにより、加工量がコントロールできる。こ
の特性から、特開平4ー246184に開示されている
ように数値制御を用いることにより、ガラスやセラミッ
クス等の絶縁体、シリコン単結晶等の半導体、および導
体を高精度に加工できる。
In the plasma CVM, there is a correlation between the processing time and the processing amount. Therefore, the machining amount can be controlled by moving the machining electrode and the workpiece relative to each other at a predetermined time or speed according to the required removal amount. From this characteristic, by using numerical control as disclosed in JP-A-4-246184, an insulator such as glass or ceramics, a semiconductor such as silicon single crystal, and a conductor can be processed with high precision.

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、プラズ
マCVMを用いて光学レンズを加工しようとすると、高
精度に、効率よく加工を行うことが困難であった。
However, when an optical lens is processed by using the plasma CVM, it is difficult to perform the processing with high accuracy and efficiency.

【0012】本発明は、プラズマによって生成したラジ
カルの反応によって加工を行う加工装置であって、被加
工物の加工面の形状精度を維持したまま、均一な厚さの
表面層を取り除くことが可能であり、これにより表面の
加工変質層を除去したり、表面粗さを向上させたりする
のに適した装置を提供することを目的とする。
The present invention is a processing apparatus for processing by the reaction of radicals generated by plasma, and can remove a surface layer having a uniform thickness while maintaining the shape accuracy of the processed surface of the workpiece. It is an object of the present invention to provide an apparatus suitable for removing the work-affected layer on the surface and improving the surface roughness.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明によれば、被加工物を搭載するための支持
部と、ガスを供給するためのガス供給部と、局部的なプ
ラズマを生成するための電極と、前記被加工物に対して
相対的に移動させる移動手段とを有し、前記電極の被加
工物に対向する部分は、長手方向について、被加工物の
加工後における所望の形状に対応した形状を有し、前記
移動手段は、前記電極の前記被加工物に対向する部分で
ある被加工物対向部を前記被加工物に対向させ、前記電
極を前記被加工物の表面の法線に一致させながら、前記
長手方向に垂直な方向に前記電極を前記被加工物に対し
て相対的に移動させることを特徴とする加工装置が提供
される。
In order to achieve the above object, according to the present invention, a support portion for mounting a workpiece, a gas supply portion for supplying gas, and a local An electrode for generating plasma, and a moving means for moving the electrode relative to the work piece, and a portion of the electrode facing the work piece is formed in the longitudinal direction after the work piece is processed. The moving means has a shape corresponding to the desired shape in, and the workpiece facing portion, which is a portion of the electrode facing the workpiece, faces the workpiece, and the electrode moves the workpiece. A processing apparatus is provided which moves the electrode relative to the workpiece in a direction perpendicular to the longitudinal direction while aligning with the normal line of the surface of the workpiece.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態であるレンズ
加工装置について、図1を用いて説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION A lens processing apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

【0015】本発明のレンズ加工装置は、機械加工で形
成された球面レンズの表面精度を維持したまま、機械加
工によって球面レンズの表面に生じた加工変質層を一様
に取り除いたり、球面レンズの表面粗さを向上させたり
するための装置である。被加工レンズ10を搭載するた
めのワークテーブル1と、被加工レンズ10の表面で局
部的なプラズマを発生させるための加工電極2とをチャ
ンバ9の内部に備えている。
The lens processing apparatus of the present invention uniformly removes a work-affected layer generated on the surface of a spherical lens by mechanical processing while maintaining the surface accuracy of the spherical lens formed by mechanical processing. This is a device for improving the surface roughness. A work table 1 for mounting a lens 10 to be processed and a processing electrode 2 for locally generating plasma on the surface of the lens 10 to be processed are provided inside a chamber 9.

【0016】加工電極2は、図5(a),(b)、図6
のように、被加工レンズに対向する部分が、円弧形状の
ブレード状の電極である。加工電極2の長手方向の長さ
は、被加工レンズ10の最大径部分を覆うことのできる
長さに設定されている。また、加工電極2の被加工レン
ズに対向する部分の円弧の曲率半径は、被加工レンズ1
0の加工後の球面の曲率半径に、加工電極2と被加工レ
ンズ10との間隔(ギャップ長)を加えた長さに設定さ
れている。したがって、加工電極2の被加工レンズ10
に対向する部分は、図5(a)のように、被加工レンズ
10から一定の間隔をあけて、被加工レンズ10の表面
に沿って位置する。
The machining electrode 2 is shown in FIGS. 5 (a), 5 (b) and 6
As described above, the portion facing the lens to be processed is an arc-shaped blade-shaped electrode. The length of the processing electrode 2 in the longitudinal direction is set to a length that can cover the maximum diameter portion of the lens 10 to be processed. In addition, the radius of curvature of the arc of the portion of the processing electrode 2 facing the lens to be processed is the lens 1 to be processed.
The radius of curvature of the spherical surface after processing of 0 is set to the length obtained by adding the interval (gap length) between the processing electrode 2 and the lens 10 to be processed. Therefore, the lens 10 to be processed of the processing electrode 2
As shown in FIG. 5A, the portion opposed to is positioned along the surface of the lens to be processed 10 with a constant distance from the lens to be processed 10.

【0017】加工電極2の被加工レンズに対向する部分
は、局部的なプラズマを生成するプラズマ生成部であ
る。図5(a)、(b)に示した加工電極2では、プラ
ズマ生成部が、図7(a)のように平面であるが、平面
に限らず、図7(b)のように、プラズマ生成部が1本
の線状の加工電極や、プラズマ生成部の面が三角形の加
工電極を用いることも可能である。
The portion of the processing electrode 2 facing the lens to be processed is a plasma generating portion for generating local plasma. In the processed electrode 2 shown in FIGS. 5A and 5B, the plasma generation unit is a flat surface as shown in FIG. 7A, but the plasma generation unit is not limited to the flat surface and the plasma is generated as shown in FIG. 7B. It is also possible to use a linear machining electrode having a single generation part or a machining electrode having a triangular surface on the plasma generation part.

【0018】加工電極2には、加工電極のプラズマ生成
部の円弧を含む面を被加工レンズ10の表面の加工した
い部分の法線と一致させるために、加工電極2を傾斜さ
せるための電極傾斜ユニット8が取り付けられている。
電極傾斜ユニット8は、ローラーと、このローラーを回
転させるための駆動源とを有している。加工電極2は、
ローラーの外側面に、回転軸に平行に取り付けられてい
る。駆動源がローラーを回転させることにより、加工電
極2のプラズマ生成部の円弧を含む面を、被加工レンズ
10の加工すべき部分の法線に一致させるために必要な
傾斜角θだけ、傾けることができる(図5(b))。
The processing electrode 2 has an electrode inclination for inclining the processing electrode 2 so that the surface including the arc of the plasma generating portion of the processing electrode coincides with the normal line of the portion to be processed on the surface of the lens 10 to be processed. Unit 8 is attached.
The electrode tilting unit 8 has a roller and a drive source for rotating the roller. The machining electrode 2 is
It is mounted parallel to the axis of rotation on the outer surface of the roller. The drive source rotates the roller to incline the surface including the arc of the plasma generating portion of the processing electrode 2 by the inclination angle θ required to match the normal line of the portion to be processed of the lens 10 to be processed. (Fig. 5 (b)).

【0019】また、ワークテーブル1には、被加工電極
2のプラズマ生成部を、被加工レンズ10の加工したい
部分に所望の間隔をあけて対向させるために、被加工レ
ンズ10をxyz方向および回転移動させる位置決めユ
ニット6が取り付けられている。ワークテーブル1は、
導電性の材料で形成されている。
Further, in order to make the plasma generating portion of the electrode 2 to be processed face the portion of the lens 10 to be processed at a desired interval on the work table 1, the lens 10 to be processed is rotated in the xyz direction and rotated. A positioning unit 6 for moving is attached. Work table 1 is
It is made of a conductive material.

【0020】さらに、加工電極2とワークテーブル1と
には、プラズマ生成のために加工電極2とワークテーブ
ル1との間に電圧を印加し、電力を供給する電力供給シ
ステム3が接続されている。
Further, the machining electrode 2 and the work table 1 are connected to a power supply system 3 which applies a voltage between the machining electrode 2 and the work table 1 for generating plasma and supplies electric power. .

【0021】電極傾斜ユニット8と位置決めユニット6
とには、これらの動作を制御する制御部7が接続されて
いる。
Electrode tilting unit 8 and positioning unit 6
A control unit 7 for controlling these operations is connected to and.

【0022】また、チャンバ9には、加工電極2の近傍
に反応ガスを供給するガス供給システム4と、反応ガス
と被加工レンズ2との反応により生成したガスを排気す
るガス排気システム5とが取り付けられている。
Further, the chamber 9 is provided with a gas supply system 4 for supplying a reaction gas in the vicinity of the processing electrode 2 and a gas exhaust system 5 for exhausting a gas generated by the reaction between the reaction gas and the lens 2 to be processed. It is installed.

【0023】つぎに、図1のレンズ加工装置を用いて、
球面レンズを製造する方法について説明する。
Next, using the lens processing apparatus of FIG.
A method of manufacturing a spherical lens will be described.

【0024】まず、従来の機械加工により、ガラスブロ
ックから目的とする曲率半径を有する球面レンズを製作
する。このとき、用いる機械加工の手法としては、研削
加工、スムージング、および、研磨の各加工段階のう
ち、いずれの段階まで用いるかは、ユーザが任意に選択
する。研磨まで施した球面レンズを被加工レンズ10と
して用いた場合には、本実施の形態の加工装置によっ
て、機械加工により生じた表面の加工変質層を表面から
一様に取り除き、無歪の球面レンズを製造することが可
能である。また、研削加工またはスムージングまで施し
た球面レンズを被加工レンズ10として用いた場合に
は、本実施の形態の加工装置によって、研削加工または
スムージングによって生じた加工変質層を取り除きなが
ら、歪みを生じさせることなく表面を滑らかに加工する
にすることができる。
First, a spherical lens having a desired radius of curvature is manufactured from a glass block by conventional machining. At this time, as a machining method to be used, the user arbitrarily selects which of the processing steps of grinding, smoothing, and polishing. When a spherical lens that has been subjected to polishing is used as the lens 10 to be processed, the processing apparatus of the present embodiment uniformly removes the work-affected layer of the surface caused by machining from the surface, and a spherical lens having no distortion. It is possible to manufacture When a spherical lens that has been subjected to grinding processing or smoothing is used as the lens to be processed 10, distortion is caused by the processing apparatus according to the present embodiment while removing the work-affected layer caused by grinding processing or smoothing. The surface can be processed smoothly without being processed.

【0025】この球面レンズを図1のレンズ加工装置の
ワークテーブル1上に設置する。そして、チャンバ9を
閉じ、ガス排気システム5により、チャンバ9を一旦減
圧する。その後、ガス供給システム4により反応ガスを
供給し、チャンバ内の圧力を所定の圧力(数百トール)
にする。
This spherical lens is set on the work table 1 of the lens processing apparatus shown in FIG. Then, the chamber 9 is closed, and the gas exhaust system 5 temporarily depressurizes the chamber 9. After that, the reaction gas is supplied by the gas supply system 4 to set the pressure in the chamber to a predetermined pressure (several hundred torr).
To

【0026】加工電極2のプラズマ生成部を、図5
(a)のように、被加工レンズ10の表面からあらかじ
め定めた距離まで接近させる。電力供給システム3によ
り、加工電極2に高周波電力を印加する。これにより、
加工電極2のプラズマ生成部にそって円弧状に局部的な
プラズマが発生し、このプラズマにより、反応ガスのラ
ジカルが生成される。
The plasma generating portion of the processing electrode 2 is shown in FIG.
As shown in (a), the lens 10 to be processed is brought close to a predetermined distance. A high frequency power is applied to the processing electrode 2 by the power supply system 3. This allows
An arc-shaped local plasma is generated along the plasma generating portion of the processing electrode 2, and the radical of the reaction gas is generated by this plasma.

【0027】制御部7は、加工電極2のプラズマ生成部
のある点2aが、被加工レンズ10からあらかじめ定め
たギャップ長だけ離れた円弧10a上を移動するよう
に、プラズマ生成部の円弧を含む面に垂直な方向および
上下方向に、被加工レンズ10を移動させるための移動
量を求める。加工電極2の移動範囲は、被加工レンズ1
0の端点10cから端点10dまでである(図5
(b))。
The control unit 7 includes an arc of the plasma generating unit so that the point 2a of the processing electrode 2 where the plasma generating unit is located moves on the arc 10a which is separated from the lens 10 to be processed by a predetermined gap length. A movement amount for moving the lens 10 to be processed is obtained in the direction perpendicular to the surface and the vertical direction. The movement range of the processing electrode 2 is the lens 1 to be processed.
It is from the end point 10c of 0 to the end point 10d (FIG. 5).
(B)).

【0028】同時に、制御部7は、加工電極2のプラズ
マ生成部の円弧を含む面が、プラズマ生成部が対向して
いる被加工レンズ10の表面の法線を含むように、加工
電極2を傾斜させるよう電極傾斜ユニット8に傾斜量を
指示する。傾斜量は、被加工レンズ10の加工前の形状
データから求めた被加工レンズ19の法線に基づいて定
める。
At the same time, the control section 7 controls the machining electrode 2 so that the surface of the machining electrode 2 including the arc of the plasma generating section includes the normal line of the surface of the lens 10 to be processed which the plasma generating section faces. The electrode tilting unit 8 is instructed to tilt the tilting amount. The inclination amount is determined based on the normal line of the lens to be processed 19 obtained from the shape data of the lens to be processed 10 before being processed.

【0029】電極傾斜ユニット8が加工電極2を傾斜さ
せることにより、加工電極のプラズマ生成部が電極傾斜
ユニット8のローラーの回転軸を中心に回転移動する。
制御部7は、上述の移動量に、加工電極2の傾斜により
生じるプラズマ生成部の移動量を加えて、位置決めユニ
ット6に被加工レンズ10を移動させるよう指示する。
When the electrode tilting unit 8 tilts the working electrode 2, the plasma generating portion of the working electrode rotates about the rotation axis of the roller of the electrode tilting unit 8.
The control unit 7 adds the amount of movement of the plasma generation unit caused by the inclination of the processing electrode 2 to the amount of movement described above, and instructs the positioning unit 6 to move the lens 10 to be processed.

【0030】これにより、加工電極2のプラズマ生成部
の円弧を含む面を、常に被加工レンズ10の法線を含む
よう傾斜させながら、加工電極2のプラズマ生成部を、
被加工レンズ10上を一定のギャップ長で往復移動させ
ることができる。
Thus, the surface of the machining electrode 2 including the arc of the plasma generating portion is always inclined so as to include the normal line of the lens 10 to be processed, while the plasma generating portion of the processing electrode 2 is
The lens 10 to be processed can be reciprocated with a constant gap length.

【0031】このように、加工電極2を移動させること
により、加工電極2のプラズマ生成面の円弧にそって生
じる局部的なプラズマが、被加工レンズ10の球面に沿
って移動する。そして、プラズマによって生成した反応
ガスのラジカルと被加工レンズ10とが反応し、被加工
レンズ10の表面が加工される。反応によって生じたガ
スは、ガス排気システム5によって排気される。
By moving the processing electrode 2 in this manner, local plasma generated along the arc of the plasma generation surface of the processing electrode 2 moves along the spherical surface of the lens 10 to be processed. Then, the radicals of the reaction gas generated by the plasma react with the lens 10 to be processed, and the surface of the lens 10 to be processed is processed. The gas generated by the reaction is exhausted by the gas exhaust system 5.

【0032】このとき、上述のような加工電極2の移動
方法をとることにより、被加工レンズ10上の全ての点
が、加工電極2により生じたプラズマにさらされる時間
を等しくすることができ、被加工レンズ10上の全ての
点の加工量が一定になる。したがって、本加工装置によ
って加工される前の被加工レンズ10の曲率を維持した
まま、被加工レンズ10の表面のスクラッチやクラック
の層を均等に高速に除去することができる。
At this time, by adopting the moving method of the processing electrode 2 as described above, it is possible to equalize the time that all points on the lens 10 to be processed are exposed to the plasma generated by the processing electrode 2. The processing amount of all points on the lens 10 to be processed becomes constant. Therefore, the layer of scratches and cracks on the surface of the lens 10 to be processed can be uniformly and rapidly removed while maintaining the curvature of the lens 10 to be processed before being processed by the present processing apparatus.

【0033】また、本実施の形態では、加工電極2のプ
ラズマ生成部の円弧を含む面を被加工レンズ10の法線
に一致させているため、加工電極2のプラズマ生成部が
図7(a)のように面である場合には、このプラズマ生
成面が被加工レンズ10の接平面に対して常に平行に位
置する。これにより、被加工レンズ10のプラズマ生成
面が対向している部分の加工量をほぼ一様にすることが
できる。というのは、加工電極2のプラズマ生成面の一
方の端部が、他方の端部に比べて被加工レンズ10に近
づくと、プラズマに強度分布が生じたり、被加工レンズ
301にプラズマが接触しない部分が生じたりすると考
えられる。図4(a),(b)に、この現象を模式的に
示す。図4(a),(b)のように、加工電極2が被加
工レンズ10に近い部分のプラズマの領域303は、加
工電極2が被加工レンズ10から遠い部分のプラズマの
領域304よりも、プラズマ強度が大きい。プラズマ強
度が大きい領域303に接する部分は、被加工レンズ1
0の加工速度が大きいため、加工痕の深さが深くなる。
したがって、被加工レンズ10を所望の形状に高精度に
加工することがむづかしくなる。これに対し、本発明で
は、プラズマ生成面が被加工レンズ10の接平面に平行
になるため、プラズマ生成面が対向している部分の加工
量を均等にすることができ、高精度に加工を行うことが
できる。
Further, in the present embodiment, the surface including the arc of the plasma generating portion of the processing electrode 2 is made to coincide with the normal line of the lens 10 to be processed, so that the plasma generating portion of the processing electrode 2 is shown in FIG. ), The plasma generation surface is always located parallel to the tangential plane of the lens 10 to be processed. This makes it possible to make the processing amount of the portion of the lens 10 to be processed facing the plasma generation surface substantially uniform. This is because when one end of the plasma generation surface of the processing electrode 2 is closer to the lens 10 to be processed than the other end, the plasma has an intensity distribution or the plasma does not contact the lens 301 to be processed. It is thought that some parts will occur. 4 (a) and 4 (b) schematically show this phenomenon. As shown in FIGS. 4A and 4B, the plasma region 303 in the portion where the processing electrode 2 is closer to the lens 10 to be processed is more than the plasma region 304 in the portion where the processing electrode 2 is far from the lens 10 to be processed. Plasma intensity is high. The portion in contact with the region 303 having high plasma intensity is the lens 1 to be processed.
Since the machining speed of 0 is high, the depth of the machining mark becomes deep.
Therefore, it becomes difficult to process the lens 10 to be processed into a desired shape with high accuracy. On the other hand, in the present invention, since the plasma generation surface is parallel to the tangential plane of the lens 10 to be processed, it is possible to equalize the processing amount of the portion where the plasma generation surface is opposed, and perform the processing with high accuracy. It can be carried out.

【0034】上述のように、本発明の加工装置を用いる
ことにより、加工すべき対象の表面が、光学レンズのよ
うな球面であっても、高精度に加工を行うことができ
る。また、被加工レンズが、非球面レンズであっても、
非球面量が余り大きくない場合には、加工前の非球面形
状を維持して、非球面レンズを製造することができる。
As described above, by using the processing apparatus of the present invention, even if the surface of the object to be processed is a spherical surface such as an optical lens, processing can be performed with high accuracy. Further, even if the lens to be processed is an aspherical lens,
When the amount of aspherical surface is not so large, the aspherical shape before processing can be maintained and an aspherical lens can be manufactured.

【0035】なお、上述の実施の形態では、加工電極2
を往復移動させるため、往復方向に条痕が生じる場合が
ある。これは、主に、加工電極に対し、反応ガスが均一
に供給されていない場合に生じる。条痕が生じる場合に
は、加工電極が、被加工レンズを一回通過し終わるごと
に、被加工レンズを所定の角度回転させることにより、
条痕を微小にできるとともに、微少な条痕を被加工レン
ズ全面に無秩序に散らばらせることができるため、実用
上問題のない光学レンズを製造できる。
In the above embodiment, the machining electrode 2 is used.
Since it reciprocates, streaks may occur in the reciprocating direction. This mainly occurs when the reaction gas is not uniformly supplied to the working electrode. When streaks occur, the processed electrode rotates the processed lens by a predetermined angle each time after passing through the processed lens once,
Since the scratches can be made minute and minute scratches can be randomly scattered on the entire surface of the lens to be processed, an optical lens having no practical problem can be manufactured.

【0036】図5に示した加工電極2は、被加工レンズ
に対向する面(プラズマ生成面)が長手方向に沿って円
弧形状であったが、プラズマ生成面を球面形状にするこ
とも可能である。また、プラズマ生成面に凹凸を形成す
ると、プラズマが生成されやすくなる。例えば、図8に
示した加工電極は、プラズマ生成面が球面形状で、か
つ、プラズマ生成面に溝を形成したものである。また、
図9(a),(b)に示した加工電極は、プラズマ生成
面に矩形の凸部を設けたものである。
In the processing electrode 2 shown in FIG. 5, the surface (plasma generation surface) facing the lens to be processed has an arc shape along the longitudinal direction, but the plasma generation surface can be spherical. is there. In addition, when unevenness is formed on the plasma generation surface, plasma is easily generated. For example, in the processing electrode shown in FIG. 8, the plasma generation surface has a spherical shape and a groove is formed on the plasma generation surface. Also,
The processed electrode shown in FIGS. 9A and 9B is one in which a rectangular convex portion is provided on the plasma generation surface.

【0037】また、加工電極は、一部材からなるものに
限らず、図10、図11のように複数部材から構成する
ことも可能である。図10に示した電極は、図5に示し
た電極を一定の間隔を空けて3枚並べたものを一つの電
極として用いるものである。図11に示した加工電極
は、複数のパイプを切り口が円弧を描くように並べたも
のである。
Further, the processing electrode is not limited to one made of one member, but may be made of a plurality of members as shown in FIGS. The electrode shown in FIG. 10 is one in which three electrodes shown in FIG. 5 are arranged at regular intervals and are arranged as one electrode. The processing electrode shown in FIG. 11 is formed by arranging a plurality of pipes so that the cut ends form an arc.

【0038】図10、図11のように、プラズマ生成面
を広くすることにより、被加工レンズを広い面積につい
て一度に加工することができる。
By widening the plasma generating surface as shown in FIGS. 10 and 11, the lens to be processed can be processed in a large area at one time.

【0039】さらに、図12のように、円弧状にたわま
せたワイヤ301を加工電極として用いることも可能で
ある。
Further, as shown in FIG. 12, it is possible to use the wire 301 bent in an arc shape as a processing electrode.

【0040】[0040]

【実施例】本発明の一実施例のレンズ加工装置を図2を
用いて説明する。なお、図1の実施の形態の加工装置と
対応する部分には、図1と同じ符号を付して示し、説明
を省略する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A lens processing apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The parts corresponding to those of the processing apparatus according to the embodiment of FIG. 1 are designated by the same reference numerals as those in FIG. 1, and the description thereof will be omitted.

【0041】チャンバ9は、2つのチャンバ9a,9b
に分割されている。被加工レンズ10とワークテーブル
1を収納するチャンバ9aは、約φ600mm、高さ約
300mmのステンレス製とした。位置決めユニット6
は、チャンバ9aとは独立したチャンバ9bに収納し、
位置決めユニット6が反応ガスにふれて腐食するのを防
止した。位置決めユニット6を収納するチャンバ9b
は、約φ1500mm、高さ1000mmのステンレス
製とした。両チャンバ9a,9b間は、ステンレス製の
蛇腹9cを隔壁9dを介して接続した。ワークテーブル
1と位置決めユニット6を連結する連結棒101は、蛇
腹9c底面の隔壁9dに固定した。ワークテーブル1
は、φ400mmのステンレス製とした。
The chamber 9 has two chambers 9a and 9b.
Is divided into The chamber 9a that houses the lens 10 to be processed and the work table 1 is made of stainless steel and has a diameter of about 600 mm and a height of about 300 mm. Positioning unit 6
Is stored in a chamber 9b independent of the chamber 9a,
The positioning unit 6 was prevented from being exposed to the reaction gas and corroding. Chamber 9b that houses the positioning unit 6
Was made of stainless steel having a diameter of about 1500 mm and a height of 1000 mm. A stainless bellows 9c was connected between the chambers 9a and 9b via a partition wall 9d. The connecting rod 101 connecting the work table 1 and the positioning unit 6 was fixed to the partition wall 9d on the bottom surface of the bellows 9c. Work table 1
Was made of stainless steel with a diameter of 400 mm.

【0042】加工電極2には、厚さ0.5mm、長さ1
50mm、一辺を150.4mmの曲率半径で切り欠い
たSUS製とした。被加工レンズと電極2とのギャップ
は、0.4mmとした。また、この加工電極に限らず厚
さ1/10〜数mm、長さ10〜400mmの範囲の加
工電極を取り付けられるようにした。
The processing electrode 2 has a thickness of 0.5 mm and a length of 1
It was made of SUS with 50 mm and one side cut with a radius of curvature of 150.4 mm. The gap between the lens to be processed and the electrode 2 was 0.4 mm. Further, not only this working electrode but also a working electrode having a thickness of 1/10 to several mm and a length of 10 to 400 mm can be attached.

【0043】電力供給システム3には、130MHzで
最大出力1kWの高周波電源31とマッチング回路32
とにより構成した。このマッチング回路32は、チャン
バ9a側と高周波電源31とのインピーダンスマッチン
グのためにある。
The power supply system 3 includes a high frequency power source 31 having a maximum output of 1 kW at 130 MHz and a matching circuit 32.
Composed by and. The matching circuit 32 is provided for impedance matching between the chamber 9a side and the high frequency power supply 31.

【0044】ガス供給システム4は、反応ガスの流量を
コントロールするマスフローコントローラおよびバルブ
により構成した。ガス供給システム4により流量をコン
トロールされた反応ガスは、加工電極2の近傍に供給さ
れる。
The gas supply system 4 is composed of a mass flow controller and a valve for controlling the flow rate of the reaction gas. The reaction gas whose flow rate is controlled by the gas supply system 4 is supplied to the vicinity of the processing electrode 2.

【0045】ガス排気システム5は、ドライポンプ、吸
着装置、および、バルブにより構成した。この構成によ
り、反応で生成したガスは、ドライポンプで吸引されて
チャンバ9a外に排出される。また、人体に有毒な生成
ガスは、吸着装置で吸着されたのち、無害なガスが大気
に放出される。
The gas exhaust system 5 is composed of a dry pump, an adsorption device, and a valve. With this configuration, the gas generated by the reaction is sucked by the dry pump and discharged to the outside of the chamber 9a. Further, the produced gas, which is toxic to the human body, is adsorbed by the adsorption device, and then a harmless gas is released to the atmosphere.

【0046】被加工レンズ10とワークテーブル1を移
動させる位置決めユニット6は、X,Y,Zの3軸方向
の直進と回転の自由度を有する。X,Yは各々約150
mm、Zは50mmのストロークを有するものとした。
The positioning unit 6 for moving the lens 10 to be processed and the work table 1 has the degree of freedom of linear movement and rotation in the three axial directions of X, Y and Z. X and Y are about 150 each
mm and Z had a stroke of 50 mm.

【0047】ワークテーブル1には、連結棒101が取
り付けられている。隔壁9dには、貫通孔が設けられて
いる。連結棒101は、この貫通孔を気密を保った状態
で貫通し、隔壁9dに固定されている。したがって、連
結棒101が変位すると、隔壁9dは、蛇腹9cの自由
度の範囲で変位する。連結棒101の端部には、位置決
めユニット6が接続されている。
A connecting rod 101 is attached to the work table 1. The partition wall 9d is provided with a through hole. The connecting rod 101 penetrates the through hole in an airtight state and is fixed to the partition wall 9d. Therefore, when the connecting rod 101 is displaced, the partition wall 9d is displaced within the degree of freedom of the bellows 9c. The positioning unit 6 is connected to the end of the connecting rod 101.

【0048】つぎに、図3を用いて電極傾斜ユニット8
の構成について説明する。図3に示したように、本実施
例では、電極2を、ローラー81に固定し、ローラー8
1に固定的に取り付けられた軸棒82を支持部83で支
持する構造を用いた。軸棒82は、チャンバ9aの外に
設置された駆動動力源85に接続した。軸棒82は、セ
ラミックス製である。こうして、駆動動力源85を駆動
し、軸棒82を回転させることにより、電極2を傾斜さ
せて、被加工レンズ10の任意の位置において電極2の
円弧の含まれる面を被加工レンズ10の法線方向に向け
ることができる。また、駆動動力源85は、チャンバ外
に設置されているため反応ガスにより腐食されることが
ない。
Next, the electrode tilting unit 8 will be described with reference to FIG.
Will be described. As shown in FIG. 3, in this embodiment, the electrode 2 is fixed to the roller 81 and the roller 8 is fixed.
The structure in which the shaft 82 fixedly attached to the No. 1 is supported by the support portion 83 is used. The shaft rod 82 was connected to a driving power source 85 installed outside the chamber 9a. The shaft rod 82 is made of ceramics. In this way, by driving the driving power source 85 and rotating the shaft rod 82, the electrode 2 is tilted, and the surface including the arc of the electrode 2 at the arbitrary position of the lens 10 to be processed is processed by the method of the lens 10 to be processed. Can be oriented in a line direction. Further, since the driving power source 85 is installed outside the chamber, it will not be corroded by the reaction gas.

【0049】制御部7は、位置決めユニット6と、電極
傾斜ユニット8の駆動動力源85を制御し、電極2の円
弧を含む面を被加工レンズ10の法線に一致させなが
ら、電極2を被加工レンズ10上で相対的に走査させ
る。
The control unit 7 controls the positioning unit 6 and the driving power source 85 of the electrode tilting unit 8 so that the surface of the electrode 2 including the arc is aligned with the normal line of the lens 10 to be processed and the electrode 2 is covered. The processing lens 10 is relatively scanned.

【0050】上記の構成の装置を用いて、φ150m
m、曲率半径100mmの球面レンズ(石英ガラス製)
を被加工レンズ10の創成加工は以下の手順で行う。
Using the apparatus having the above construction, φ150 m
m, spherical lens with 100 mm radius of curvature (made of quartz glass)
The creation process of the lens to be processed 10 is performed by the following procedure.

【0051】まず、被加工レンズをワークテーブル1上
に設置する。つぎにチャンバ9aを密閉し、チャンバ9
a内を排気する。
First, the lens to be processed is set on the work table 1. Next, the chamber 9a is closed and the chamber 9
Exhaust the inside of a.

【0052】チャンバ9aに反応ガス供給システム4に
よりHeに数%のSF6を混合した反応ガスを一定流量
で供給し、バルブで700torrに一定に維持する。
本実施例のような幾何学形状の電極2であれば、100
W程度の高周波を印加することにより、電極先端にのみ
プラズマを生成させることができる。このプラズマによ
り、反応ガスのラジカルが生成する。ここで、石英ガラ
スと反応ガスとは以下のように反応し、除去加工が進行
するものと考えられる。なお、Heは反応に寄与しな
い。
A reaction gas supply system 4 supplies a reaction gas containing He mixed with several percent of SF 6 to the chamber 9a at a constant flow rate, and a valve keeps the reaction gas at 700 torr.
If the electrode 2 has a geometrical shape as in this embodiment, 100
By applying a high frequency of about W, plasma can be generated only at the tip of the electrode. The radicals of the reaction gas are generated by this plasma. Here, it is considered that the quartz glass and the reaction gas react as follows, and the removal processing proceeds. Note that He does not contribute to the reaction.

【0053】SF6→S+6F* 3SiO2+2SF6→3SiF4+3O2+2S 上述のように、加工電極を2、被加工レンズ10の法線
に一致させながら、走査させることにより、所望の球面
レンズを製造できる。
SF 6 → S + 6F * 3SiO 2 + 2SF 6 → 3SiF 4 + 3O 2 + 2S As described above, scanning is performed while aligning the processing electrode 2 with the normal line of the lens 10 to be processed, thereby making a desired scan. A spherical lens can be manufactured.

【0054】このように、本発明によれば、研削工程、
スムージング、または、研磨工程の形状精度を維持した
まま、スクラッチやクラック層をワーク面から均等に高
速で除去できるため、高性能の光学レンズを形成するこ
とができる。本発明は、おもに球面レンズに対して有効
であるが、非球面量があまり大きくなければ加工面は非
球面であって構わない。また、トーリック面を有する光
学部材の加工や、面の平坦な光学部材、例えばプリズム
や平面基板ガラスの加工に適用してもよい。
As described above, according to the present invention, the grinding step,
Since the scratch or crack layer can be uniformly removed from the work surface at a high speed while maintaining the shape accuracy of the smoothing or polishing process, a high-performance optical lens can be formed. The present invention is mainly effective for spherical lenses, but the processed surface may be an aspherical surface unless the aspherical amount is too large. Further, it may be applied to processing of an optical member having a toric surface or processing of an optical member having a flat surface such as a prism or a flat substrate glass.

【0055】[0055]

【発明の効果】上述のように、本発明によれば、プラズ
マによって生成したラジカルの反応によって加工を行う
加工装置であって、光学レンズ等の曲面の加工に適した
装置を提供できる。
As described above, according to the present invention, it is possible to provide a processing apparatus for processing by the reaction of radicals generated by plasma, which is suitable for processing a curved surface such as an optical lens.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施の形態のレンズ加工装置の構成
を示すブロック図。
FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of a lens processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の一実施例のレンズ加工装置の構成を示
す説明図。
FIG. 2 is an explanatory diagram showing a configuration of a lens processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図3】図2のレンズ加工装置の電極傾斜ユニットの構
成を示す説明図。
FIG. 3 is an explanatory diagram showing a configuration of an electrode tilting unit of the lens processing apparatus of FIG.

【図4】(a)、(b)電極2とプラズマの状態を示す
説明図。
4A and 4B are explanatory views showing a state of an electrode 2 and plasma.

【図5】(a)、(b)図1の装置において電極の動作
を示す説明図。
5 (a) and 5 (b) are explanatory views showing the operation of the electrodes in the apparatus of FIG.

【図6】図1の装置の電極形状を示す斜視図。6 is a perspective view showing an electrode shape of the device of FIG.

【図7】本発明の一実施の形態のレンズ加工装置に用い
ることのできる電極の形状を示す断面図。
FIG. 7 is a cross-sectional view showing the shapes of electrodes that can be used in the lens processing apparatus according to the embodiment of the present invention.

【図8】本発明の一実施の形態のレンズ加工装置に用い
ることのできる電極の形状を示す断面図。
FIG. 8 is a cross-sectional view showing the shapes of electrodes that can be used in the lens processing apparatus according to the embodiment of the present invention.

【図9】本発明の一実施の形態のレンズ加工装置に用い
ることのできる電極の形状を示す(a)上面図、(b)
断面図。
FIG. 9A is a top view showing the shape of an electrode that can be used in the lens processing apparatus according to the embodiment of the present invention, and FIG.
Sectional view.

【図10】本発明の一実施の形態のレンズ加工装置に用
いることのできる電極の形状を示す斜視図。
FIG. 10 is a perspective view showing the shapes of electrodes that can be used in the lens processing apparatus according to the embodiment of the present invention.

【図11】本発明の一実施の形態のレンズ加工装置に用
いることのできる電極の形状を示す斜視図。
FIG. 11 is a perspective view showing the shape of an electrode that can be used in the lens processing apparatus according to the embodiment of the present invention.

【図12】本発明の一実施の形態のレンズ加工装置に用
いることのできる電極の形状を示す斜視図。
FIG. 12 is a perspective view showing the shapes of electrodes that can be used in the lens processing apparatus according to the embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1・・・ワークテーブル、2・・・加工電極、3・・・
電力供給システム、4・・・ガス供給システム、5・・
・ガス排気システム、6・・・位置決めユニット、7・
・・制御部、8・・・電極傾斜ユニット、9・・・チャ
ンバ。
1 ... Work table, 2 ... Processing electrode, 3 ...
Power supply system, 4 ... Gas supply system, 5 ...
・ Gas exhaust system, 6 ・ ・ ・ Positioning unit, 7 ・
..Control unit, 8 ... Electrode tilting unit, 9 ... Chamber.

─────────────────────────────────────────────────────
────────────────────────────────────────────────── ───

【手続補正書】[Procedure amendment]

【提出日】平成8年2月6日[Submission date] February 6, 1996

【手続補正1】[Procedure amendment 1]

【補正対象書類名】図面[Document name to be amended] Drawing

【補正対象項目名】図5[Correction target item name] Fig. 5

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction contents]

【図5】 [Figure 5]

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小林 輝紀 東京都千代田区丸の内3丁目2番3号 株 式会社ニコン内 (72)発明者 柴田 規夫 東京都千代田区丸の内3丁目2番3号 株 式会社ニコン内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (72) Teruki Kobayashi Teruyuki Kobayashi 3 2-3 Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo Nikon (72) Inventor Norio Shibata 3 2-3 Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo Ceremony Company Nikon

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】被加工物を搭載するための支持部と、 ガスを供給するためのガス供給部と、 局部的なプラズマを生成するための電極と、 前記被加工物に対して相対的に移動させる移動手段とを
有し、 前記電極の被加工物に対向する部分は、長手方向につい
て、被加工物の加工後における所望の形状に対応した形
状を有し、 前記移動手段は、前記電極の前記被加工物に対向する部
分である被加工物対向部を前記被加工物に対向させ、か
つ前記電極を前記被加工物の表面の法線に一致させなが
ら、前記長手方向に垂直な方向に前記電極を前記被加工
物に対して相対的に移動させることを特徴とする加工装
置。
1. A support part for mounting a work piece, a gas supply part for supplying gas, an electrode for generating local plasma, and a relative part to the work piece. A portion of the electrode facing the workpiece, the portion having a shape corresponding to a desired shape after processing the workpiece in the longitudinal direction. A direction perpendicular to the longitudinal direction while the workpiece facing portion that is a portion facing the workpiece is opposed to the workpiece, and the electrodes are aligned with the normal line of the surface of the workpiece. A processing apparatus, wherein the electrode is moved relative to the workpiece.
【請求項2】前記電極の前記被加工物に対向する部分
は、長手方向について、円弧形状であることを特徴とす
る請求項1記載の加工装置。
2. The machining apparatus according to claim 1, wherein a portion of the electrode facing the workpiece has an arc shape in a longitudinal direction.
【請求項3】前記電極の前記長手方向の長さは、前記被
加工物の最大径よりも長いことを特徴とする請求項1ま
たは2記載の加工装置。
3. The processing apparatus according to claim 1, wherein the length of the electrode in the longitudinal direction is longer than the maximum diameter of the workpiece.
【請求項4】前記移動手段は、前記被加工物の表面と、
前記電極の前記被加工物に対向する部分の面とが、ほぼ
一定の間隔を保持するように、前記電極を前記被加工物
に対して相対的に移動させることを特徴とする請求項
1、2または3記載の加工装置。
4. The moving means includes a surface of the workpiece,
2. The electrode is moved relative to the workpiece so that a surface of a portion of the electrode facing the workpiece is kept at a substantially constant interval. The processing device according to 2 or 3.
【請求項5】前記被加工物は、球面レンズであり、 前記電極の前記被加工物に対向する部分の形状は円弧形
状でかつその円弧形状の曲率半径は前記球面レンズの所
望の曲率半径に前記被加工物と電極との間隔を加えたも
のであることを特徴とする請求項1、2、3または4記
載の加工装置。
5. The work piece is a spherical lens, and a shape of a portion of the electrode facing the work piece is an arc shape, and a radius of curvature of the arc shape is a desired radius of curvature of the spherical lens. The processing apparatus according to claim 1, 2, 3 or 4, wherein a distance between the workpiece and the electrode is added.
【請求項6】前記移動手段は、前記電極の前記被加工物
に対向する部分である被加工物対向部を前記被加工物に
対向させ、かつ前記電極を前記被加工物の表面の法線に
一致させるため、前記電極を傾斜させる電極傾斜部材を
有することを特徴とする前記請求項1及至5いずれか一
項記載の加工装置。
6. The moving means causes a workpiece facing portion, which is a portion of the electrode facing the workpiece, to face the workpiece, and causes the electrode to be a normal line of a surface of the workpiece. The processing apparatus according to any one of claims 1 to 5, further comprising an electrode tilting member that tilts the electrode so as to match with.
【請求項7】前記電極傾斜部材は、前記電極を外周部に
設けた回転体と、前記回転体を任意の角度だけ回転させ
る回転駆動手段とを有することを特徴とする請求項6記
載の加工装置。
7. The processing according to claim 6, wherein the electrode tilting member has a rotating body provided with the electrode on an outer peripheral portion, and a rotation driving means for rotating the rotating body by an arbitrary angle. apparatus.
【請求項8】前記電極傾斜部材は、更に前記回転駆動手
段に前記電極の回転量を指示する制御手段を備え、 前記制御手段は、前記被加工物の加工前の形状データを
用いて、前記被加工物の加工すべき部分の法線を求め、
前記法線が前記電極の被加工物に対向する部分と一致す
るように、前記回転駆動手段に回転角度を指示すること
を特徴とする請求項7記載の加工装置。
8. The electrode tilting member further comprises control means for instructing the rotation driving means of the amount of rotation of the electrode, wherein the control means uses the shape data of the workpiece to be machined before machining. Find the normal of the part to be processed of the workpiece,
8. The processing apparatus according to claim 7, wherein the rotation driving means is instructed to rotate the rotation angle so that the normal line coincides with a portion of the electrode facing the workpiece.
【請求項9】前記電極と前記被加工物とを対向させた状
態で、前記被加工物を前記電極に対して相対的に回転さ
せる回転手段をさらに備えたことを特徴とする請求項1
及至8のいずれか一項記載の加工装置。
9. A rotating means for rotating the workpiece relative to the electrode in a state where the electrode and the workpiece are opposed to each other.
The processing apparatus according to any one of items 1 to 8.
【請求項10】前記ガス供給手段は、反応ガスを供給す
ることを特徴とする請求項1及至9のいずれか一項記載
の加工装置。
10. The processing apparatus according to claim 1, wherein the gas supply unit supplies a reaction gas.
JP7264457A 1995-10-12 1995-10-12 Processing device Pending JPH09106897A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7264457A JPH09106897A (en) 1995-10-12 1995-10-12 Processing device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7264457A JPH09106897A (en) 1995-10-12 1995-10-12 Processing device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH09106897A true JPH09106897A (en) 1997-04-22

Family

ID=17403480

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7264457A Pending JPH09106897A (en) 1995-10-12 1995-10-12 Processing device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH09106897A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5336355A (en) Methods and apparatus for confinement of a plasma etch region for precision shaping of surfaces of substances and films
US20070215463A1 (en) Pre-conditioning a sputtering target prior to sputtering
JPH0931670A (en) High-efficiency machining method by high-density free radical reaction using rotary electrode and device therefor
KR19980063777A (en) Ceramic parts and manufacturing method thereof
JP2011192687A (en) Processing apparatus for semiconductor substrate, method for manufacturing semiconductor substrate, and semiconductor substrate
JPH01125829A (en) No-strain precision processing by radical reaction
JPH09106897A (en) Processing device
JP6145548B1 (en) Chamfering grinding method and chamfering grinding apparatus
JPH0970669A (en) Shape creating method and device therefor
JP2001295044A (en) Method for removing diamond film and method for producing diamond-coated member
JP2022047538A (en) Chamfer grinding method and chamfer grinding device
EP0300224B1 (en) Strainless precision after-treatment process by radical reaction
JPH03272810A (en) Method and apparatus for grinding diamond and diamond article utilizing the same
JPH04331800A (en) Method of smoothing diamond surface, device therefor and diamond product taking advantage of the same method
JPH08197425A (en) Grinding method and grinding device
JP3597105B2 (en) Plasma processing apparatus and plasma processing method
JP2002100597A (en) Method and device for polishing
JPH07232981A (en) Method for machining ceramics
JPH09254268A (en) Shape creating method and apparatus
JPH09253977A (en) Method for forming shape
JPH07314299A (en) Polishing of diamond film
JPH10264135A (en) Manufacture of passing pipe of gas for producing plasma
JPH10284469A (en) Electrode for radical reaction type working device
JP3452619B2 (en) Spherical surface grinding method
JPH0316998A (en) Optical part and production thereof