JPH0896426A - Production of stamper for optical recording medium - Google Patents

Production of stamper for optical recording medium

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JPH0896426A
JPH0896426A JP22619094A JP22619094A JPH0896426A JP H0896426 A JPH0896426 A JP H0896426A JP 22619094 A JP22619094 A JP 22619094A JP 22619094 A JP22619094 A JP 22619094A JP H0896426 A JPH0896426 A JP H0896426A
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JP
Japan
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stamper
film
conductive
recording medium
conductive film
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Application number
JP22619094A
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Japanese (ja)
Inventor
Yoshihiro Ogawa
善広 小川
Hiroshi Tanabe
浩 田邊
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
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Publication of JPH0896426A publication Critical patent/JPH0896426A/en
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Abstract

PURPOSE: To produce a stamper on which remaining of stamper films does not exist by producing the stamper in such a manner that the stress characteristics of metallic sputtered films vary in a thickness direction. CONSTITUTION: Microspheres of a prescribed average particle size are dispersed as spacer into a photosetting resin and this resin is dispensed by a dispenser to the outer peripheral part of a square original mold 1 of 300×300mm having a pattern area of, for example, 250×250mm and a glass substrate 2 having an injection port 5' is superposed on this original mold. A cell 4 is cured by irradiation with UV. Next, the photosetting resin 2P is encapsulated into a cavity 17. Next, the air in the chamber is exhaused and the pressure in the cavity 17 is held at, for example, 0.1Torr and is held for, for example, about 30 minutes to defoam the 2P. Next, a solenoid valve 15 is opened to drop the 2P to a funnel 14 and air is leaked into a chamber 6 to maintain the atm. pressure in the chamber. In such a case, the 2P is injected into the cell 4, by which the flocculation force of the films is intensified and the existence of the film remaining is averted.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は光学的に情報の記録/再
生を行う情報記録媒体用の基板を製造するためのスタン
パーに関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a stamper for manufacturing a substrate for an information recording medium for optically recording / reproducing information.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より光記録媒体用基板の製造方法に
おいて、代表的な方法としては、電鋳法によってスタン
パーを作成し、このスタンパーを用いてコンプレッショ
ン法、光硬化性樹脂を用いた2P成形法、押し出し成形
法等により基板を作成している。
2. Description of the Related Art Conventionally, as a typical method of manufacturing a substrate for an optical recording medium, a stamper is prepared by an electroforming method, and the stamper is used to perform a compression method and 2P molding using a photocurable resin. The substrate is created by the method, extrusion molding method, or the like.

【0003】光学的に情報の記録/再生を行う光記録媒
体用基板には、トラッキング用の案内溝の凹凸や、アド
レス情報ピット等の微細なプリフォーマットパターンが
刻設されている。従来これらのプリフォーマットパター
ンの付いた基板を形成する方法として、前述のようにイ
ンジェクション成型法やコンプレッション成型法が知ら
れている。また、プリフォーマットパターンの付いた基
板を高速かつ大量に成型する方法として、押し出し成型
によるローラーグルービング法がある。これは熱可塑性
樹脂を押し出し機により加熱・溶融してTダイより押し
出し、鏡面ロールとスタンパーロールの間を通し、シー
ト化すると同時にプリフォーマットの凹凸パターンを樹
脂表面に転写して、光ディスク、光カード、光テープ等
の光学的情報記録媒体用の基板を連続的に成型する方法
である。これに用いるスタンパーロールの製造方法とし
ては、特開平2−110841号に記載されているよう
に、ペーパー状ガラスマスクを用いてローラーへ密着露
光を施し、直接刻印によりロール状スタンパーを作製す
る方法が知られている。
An optical recording medium substrate for optically recording / reproducing information is engraved with irregularities of a guide groove for tracking and fine preformat patterns such as address information pits. Conventionally, as a method of forming a substrate having these preformat patterns, the injection molding method and the compression molding method are known as described above. A roller grooving method by extrusion molding is known as a method for molding a substrate having a preformat pattern at a high speed and in a large amount. This is a thermoplastic resin that is heated and melted by an extruder and extruded from a T-die, passed between a mirror roll and a stamper roll, made into a sheet, and at the same time, the pre-formatted concavo-convex pattern is transferred to the resin surface, and then an optical disk or optical card. , A method for continuously molding a substrate for an optical information recording medium such as an optical tape. As a method of manufacturing a stamper roll used for this, as described in JP-A No. 2-110841, there is a method in which a roller is closely exposed using a paper-like glass mask and a roll-shaped stamper is directly stamped. Are known.

【0004】しかしながら、上述の方法では、1本のロ
ール状スタンパーに対して、複数個の情報記録媒体の所
定パターン(トラッキング用溝、情報用ピット等の、ス
パイラル、同心円またはストライプ状パターン)が形成
されるため、例えば、1個乃至複数個のパターンに欠陥
等が発生した場合、スタンパーロール全体を交換するこ
とになるため、利用効率が非常に悪くなる。
However, in the above-described method, a predetermined pattern (a spiral groove, a concentric circle or a stripe pattern such as tracking grooves and information pits) of a plurality of information recording media is formed on one roll stamper. Therefore, for example, if a defect or the like occurs in one or a plurality of patterns, the entire stamper roll will be replaced, and the utilization efficiency will be very poor.

【0005】このような欠点を解決するために、電鋳に
よりシート状のフレキシブルスタンパーを作製し、ロー
ラーに固定する方法が、特開平2−132661、特開
平2−217234等で提案されている。
In order to solve such a drawback, a method of producing a sheet-shaped flexible stamper by electroforming and fixing it to a roller has been proposed in JP-A-2-132661 and JP-A-2-217234.

【0006】図5は、上記フレキシブルスタンパーの模
式図である。1はスタンパー、2は情報記録媒体用のプ
リフォーマットパターン、3はローラーにスタンパーを
固定するための固定具である。
FIG. 5 is a schematic view of the flexible stamper. Reference numeral 1 is a stamper, 2 is a preformat pattern for an information recording medium, and 3 is a fixture for fixing the stamper to a roller.

【0007】上記の方法によれば、スタンパーの装着が
極めて短時間に行うことができる。更に複数個のスタン
パーを準備しておくことによって、ロール基材表面に装
着した特定のスタンパーに欠陥が生じた場合、当該スタ
ンパーのみを交換することで済むため、成形の効率を上
げることができる。
According to the above method, the stamper can be mounted in an extremely short time. Further, by preparing a plurality of stampers, if a specific stamper mounted on the surface of the roll base material has a defect, it is sufficient to replace only the stamper, so that the molding efficiency can be improved.

【0008】上記のスタンパーは、表面に凹凸パターン
を有するオリジナル型のレプリカすなわちスタンパー用
原盤を作成し、そのスタンパー用原盤上に導電性スパッ
タ膜を介し電鋳膜を形成し、レプリカすなわちスタンパ
ー用原盤から剥離することによって作成する方法が一般
的である。
The stamper is an original type replica having a concave-convex pattern on its surface, that is, a stamper master, and an electroformed film is formed on the stamper master through a conductive sputtering film. The method of making it by peeling from is common.

【0009】そしてオリジナル型から、複製型いわゆる
レプリカを作成する方法として、オリジナル型の表面に
未硬化の光硬化性樹脂[以下2P(photo pol
ymer)と略]を滴下し、ガラスあるいはプラスチッ
ク基板と重ね合わせ、展伸させた後、2Pを硬化させる
方法が知られている。
Then, as a method of producing a replica type so-called replica from the original mold, an uncured photocurable resin [hereinafter referred to as 2P (photo pol
Yer) is added to the glass or plastic substrate, the mixture is spread, and then 2P is cured.

【0010】他の方法として平滑性にすぐれたガラス板
にフォトレジストを塗布し、該フォトレジストに直接レ
ーザビームでプリフォーマットパターンを形成してスタ
ンパー用の原盤を作成することが知られている。
As another method, it is known that a photoresist is coated on a glass plate having excellent smoothness and a preformat pattern is directly formed on the photoresist by a laser beam to prepare a master for a stamper.

【0011】図6に従来のスタンパーの作成方法を示
す。図6において左側(A)は2P樹脂使用、右側
(B)はフォトレジスト使用の場合のスタンパー作成の
夫々の工程を示す。
FIG. 6 shows a conventional stamper manufacturing method. In FIG. 6, the left side (A) shows the respective steps of forming the stamper when the 2P resin is used and the right side (B) is the case where the photoresist is used.

【0012】従来の方法では、パターニングされたレプ
リカ2P又はフォトレジスト上に、導電化処理のために
金属のスパッタ膜を設ける。次にこの金属スパッタ膜上
に電鋳によって金属めっき膜を設ける。次いでスタンパ
ーの厚さを一定にするために金属層を研磨加工する。最
後にレプリカすなわちスタンパー用原盤から剥離してス
タンパーとする。
According to the conventional method, a metal sputtered film is provided on the patterned replica 2P or the photoresist for conductive treatment. Next, a metal plating film is provided on this metal sputtered film by electroforming. Then, the metal layer is polished to make the thickness of the stamper constant. Finally, the stamper is peeled off from the replica, that is, the stamper master.

【0013】金属めっき膜/金属スパッタ膜(導電化
膜)/レプリカ2P又はフォトレジストの層構成におい
て、研磨加工を行なうために各層間の密着力は研磨加工
時のストレスに十分耐えるものでなければならない。
In the layer structure of metal plating film / metal sputtered film (conductive film) / replica 2P or photoresist, the adhesion force between the respective layers must be sufficient to withstand the stress during the polishing process in order to perform the polishing process. I won't.

【0014】しかしながら最終的に剥離した場合、図1
に示される導電性スパッタ膜/レプリカ2P又はフォト
レジストの界面A又は金属めっき膜/導電性スパッタ膜
の界面Bのどちらか一方で完全に剥離しなければならな
い。
However, in the case of the final peeling, as shown in FIG.
Must be completely peeled off at either the interface A of the electroconductive sputtered film / replica 2P or the photoresist or the interface B of the metal plating film / electroconductive sputtered film shown in FIG.

【0015】[0015]

【発明が解決しようとする課題】従来、単一の導電性ス
パッタ膜においては、レプリカ2P、又はフォトレジス
ト表面に密着性が良くなる様な成膜条件で成膜されてい
る。その結果、金属めっき膜の成膜条件の微変動や金属
スパッタ膜表面の酸化皮膜の存在の程度によって、レプ
リカ2Pから金属めっき膜を剥離した場合に、導電性ス
パッタ膜の一部がレプリカ2P上に残り、その結果スタ
ンパーのパターン部に欠陥が生じてしまうことが問題と
なった。
Conventionally, a single conductive sputtered film has been formed under the film forming conditions so as to improve the adhesion to the replica 2P or the photoresist surface. As a result, when the metal plating film is peeled from the replica 2P due to a slight change in the film forming conditions of the metal plating film and the degree of the presence of an oxide film on the surface of the metal sputter film, a part of the conductive sputtering film is on the replica 2P. However, as a result, a defect occurs in the pattern portion of the stamper, which is a problem.

【0016】上述の問題を解決するために、導電性スパ
ッタ膜の電鋳層形成面をアルカリで処理することで、導
電性スパッター膜と電鋳膜(金属メッキ膜)との密着性
を向上させることが提案されているが、工程の増加につ
ながりコストアップとなる。また、アルカリ処理液の廃
液処理が環境問題となる。
In order to solve the above problems, the surface of the electroconductive sputtered film on which the electroformed layer is formed is treated with alkali to improve the adhesion between the electroconductive sputtered film and the electroformed film (metal plated film). However, the number of processes is increased and the cost is increased. Further, the waste liquid treatment of the alkaline treatment liquid becomes an environmental problem.

【0017】また、上記導電性スパッター膜の一部がレ
プリカ2P面に残る問題を改良するために、導電性スパ
ッター膜とレプリカ2P又はフォトレジストとの密着性
を低下させることが考えられるが、密着性が悪くなる様
なスッパタ膜の成膜条件では導電性スパッター膜の応力
が大きくなり、スパッター膜自身の応力によって、電鋳
工程又は研磨工程の際に導電性スパッター膜が、レプリ
カ2P又はフォトレジスト表面から剥がれてしまい、精
度良く研磨できないのみならずプリフォーマットパター
ン表面に研磨液等が侵入したり、又は電鋳液等が侵入
し、プリフォーマットパターンの正確な転写が不可能と
なってしまうという欠点があった。
In order to improve the problem that a part of the conductive sputtered film remains on the replica 2P surface, it is considered that the adhesiveness between the conductive sputtered film and the replica 2P or the photoresist is lowered. The stress of the conductive sputtered film increases under the film forming condition of the sputter film, which deteriorates the conductivity, and the stress of the sputtered film itself causes the conductive sputtered film to become the replica 2P or the photoresist during the electroforming process or polishing process. Not only will it be peeled off from the surface, it will not be possible to polish it accurately, but polishing liquid etc. will enter the surface of the preformat pattern, or electroforming liquid etc. will enter, making it impossible to transfer the preformat pattern accurately. There was a flaw.

【0018】本発明は上記諸問題を解決することを目的
とする。
The present invention aims to solve the above problems.

【0019】[0019]

【課題を解決するための手段(作用)】上述の問題点を
改善するために、本発明では第一の手法として、光学的
情報記録媒体のスタンパー製造方法において、マスター
原盤のレプリカ樹脂のプリフォーマット形成面に形成さ
れる導電化スパッター膜の応力特性が該導電化スパッタ
ー膜の厚み方向で異なることを特徴とするスタンパー製
造方法を提供する。
In order to solve the above problems, as a first method of the present invention, in a stamper manufacturing method of an optical information recording medium, a pre-format of a replica resin of a master master is used. There is provided a stamper manufacturing method characterized in that stress characteristics of a conductive sputtered film formed on a formation surface are different in a thickness direction of the conductive sputtered film.

【0020】本発明の導電化スパッター膜の物性はレジ
スト又は2Pレプリカの表面と程よく密着し、金属メッ
キ膜と強固に密着する、かつ、膜の応力が小さくなる様
に調整されている。
The physical properties of the electroconductive sputtered film of the present invention are adjusted so as to be in close contact with the surface of the resist or the 2P replica, to be firmly in contact with the metal plating film, and to reduce the stress of the film.

【0021】本発明者らの研究、開発の結果、2Pレプ
リカ樹脂又はフォトレジスト表面に導電化スパッター膜
が残る原因として (1)導電化スパッター膜が2Pレプリカ樹脂又はフォ
トレジスト表面に密着が良すぎる (2)導電化スパッター膜の凝集力が低い (3)導電化スパッター膜の表面の一部が金属メッキ工
程の前に酸化され、酸化された導電化スパッター膜に金
属メッキ膜が密着しにくくなる などの要因が発見された。上記(1)〜(3)の解析結
果を基に本発明がなされた。
As a result of the research and development by the present inventors, the cause of the conductive sputtered film remaining on the surface of the 2P replica resin or the photoresist is (1) the adhesion of the conductive sputtered film to the surface of the 2P replica resin or the photoresist is too good. (2) The cohesive force of the electroconductive sputtered film is low. (3) Part of the surface of the electroconductive sputtered film is oxidized before the metal plating step, and the metal plated film is less likely to adhere to the oxidized electroconductive sputtered film. Factors such as were discovered. The present invention was made based on the analysis results of the above (1) to (3).

【0022】図1を用いて本発明を詳細に説明する。図
1の拡大図は2Pレプリカ樹脂/導電化スパッター膜/
金属メッキ膜の界面を模式図的に表したものである。
The present invention will be described in detail with reference to FIG. 1 is an enlarged view of 2P replica resin / conductive sputtered film /
It is a diagram schematically showing the interface of the metal plating film.

【0023】本発明者らの研究開発の結果、2Pレプリ
カ樹脂又はフォトレジストの表面近傍に(図1の界面A
の近傍に)、密着調整層の役割をなす導電化スパッター
膜の層を設ける。密着調整層の2Pレプリカ樹脂、又は
フォトレジストへの密着性は研磨工程後に外部からの応
力によって比較的容易に剥離できるように調整されてい
る。密着調整用導電化スパッター膜の成膜条件は、比較
的低いエネルギーで行なわれる。密着調整層の導電化ス
パッター膜の応力は、引張応力を示すように成膜され
る。密着調整層の厚みは50ー500Åが好ましい。密
着調整層の厚みが50Å以下の場合効果は認められな
い。又500Å以上では膜の応力が大きくなり過ぎ、電
気メッキ工程、又は研磨工程で剥離してしまう。導電化
スパッター膜の成膜条件は、スパッターガス(主にアル
ゴンガスが用いられる。)のスパッター系内での圧力
(以下Pと略す)、スパッターガスの系内への流量(以
下Fと略す)、及び放電の電力(以下Wと略す)で定義
される。成膜エネルギー(以下Eと略す)は、E=W/
FPと表現する。密着調整用導電化スパッター膜の成膜
条件は、スパッターの電源がDC(直流)電源、かつ導
電化スパッター膜がNi(ニッケル)の時は、Pが0.
5−0.8(Pa)、Fが20−50(SCCM)、W
が1000−1500(W)に設定される。Eの適切な
値は、80−50(W/(Pa*SCCM))である
が、装置によって数値の変動はある。上記成膜条件のな
かで特に系内の圧力Pが支配的であり、系内圧力が0.
5Pa以上で成膜することで密着調整用電導化スパッタ
ー膜の機能を有するようになる。
As a result of the research and development by the present inventors, the 2P replica resin or the photoresist (in the interface A in FIG.
A layer of a conductive sputtered film that functions as an adhesion adjusting layer. The adhesion of the adhesion adjusting layer to the 2P replica resin or the photoresist is adjusted so that the adhesion can be relatively easily peeled off by external stress after the polishing step. The conditions for forming the conductive sputter film for adjusting adhesion are performed with relatively low energy. The stress of the electroconductive sputtered film of the adhesion adjusting layer is formed so as to exhibit tensile stress. The thickness of the adhesion control layer is preferably 50-500Å. No effect is observed when the thickness of the adhesion control layer is 50 Å or less. On the other hand, when it is 500 Å or more, the stress of the film becomes too large and the film is peeled off in the electroplating process or the polishing process. The conditions for forming the electroconductive sputtered film are as follows: pressure of sputter gas (mainly argon gas is used) in the sputter system (hereinafter abbreviated as P), flow rate of the sputter gas into the system (hereinafter abbreviated as F). , And discharge power (hereinafter abbreviated as W). The deposition energy (hereinafter abbreviated as E) is E = W /
Expressed as FP. When the power supply of the sputter is DC (direct current) and the conductive sputter film is Ni (nickel), P is 0.
5-0.8 (Pa), F is 20-50 (SCCM), W
Is set to 1000-1500 (W). A suitable value of E is 80-50 (W / (Pa * SCCM)), but the value varies depending on the device. Of the above film forming conditions, the pressure P in the system is particularly dominant, and the pressure in the system is 0.
By forming the film at 5 Pa or more, it becomes possible to have the function of the adhesion-controlled conductive sputtered film.

【0024】スパッター電源が高周波電源のときは、放
電の電力のみが大きく異なり、300−1000Wとな
る。したっがてEの適切な値は60−40(W/(Pa
*SCCM))となる。
When the sputter power supply is a high frequency power supply, only the discharge power is significantly different and the power becomes 300-1000W. Therefore, an appropriate value of E is 60-40 (W / (Pa
* SCCM)).

【0025】次に、該密着調整用導電化スパッター膜の
上に連続的に成膜条件を変化させ、低応力高密度導電化
スパッター膜を形成する。該密着調整用導電化スパッタ
ー膜と低応力高密度導電化スパッター膜の成膜はスパッ
ターの放電を止めることなく連続的に行なわれる。した
がって、該密着調整用導電化スパッター膜と該低応力高
密度導電化スパッター膜との境界では、スパッター膜の
応力が順次変化し小さくなっている。低応力高密度導電
化スパッター膜の成膜条件は、導電化スパッター膜がN
i(ニッケル)、スパッターガスがアルゴンのときは、
Pが0.2−0.4(Pa)、Fが20−50(SCC
M)、Wが1000−1500(W)に設定される。E
の適切な値は、80(W/(Pa*SCCM))以上が
好ましい。特に、系内圧力Pが0.2−0.4Paで成
膜することが必要条件である。系内圧力が、0.2−
0.4Paで成膜することによって、導電化スパッター
膜の応力は、小さくなる。その結果、導電化スパッター
膜成形後の電気メッキ(電鋳)工程、研磨工程におい
て、導電化スパッター膜の応力が大きいことに起因する
膜の剥離は改善された。また、成膜エネルギーが大きい
ために、該膜の凝集力は大きくなるにしたっがって、低
応力高密度導電化スパッター膜は空気に触れても酸化し
にくくなり、図1の界面Bにおいて、該低応力高密度導
電化スパッター膜の電気抵抗が面内で安定し、金属メッ
キ膜(電鋳膜)との密着性が改善される。導電化スパッ
ター膜の厚さ方向に上記のような異なる応力特性を与え
ることによって、電鋳工程、及び研磨工程に耐え得る密
着力が得られ、かつ、研磨工程後、外部から応力をか
け、導電化スパッター膜をレプリカ2P、又はレジスト
原盤から剥離する場合に於て、該密着調整用導電化スパ
ッター膜の存在によって容易に剥離することが可能にな
った。
Next, the film forming conditions are continuously changed on the adhesion adjusting conductive sputter film to form a low stress high density conductive sputter film. The adhesion-controlled conductive sputter film and the low-stress high-density conductive sputter film are continuously formed without stopping discharge of the sputter. Therefore, at the boundary between the contact adjusting conductive sputter film and the low-stress high-density conductive sputter film, the stress of the sputter film gradually changes and becomes smaller. The conditions for forming the low stress high density conductive sputtered film are N for the conductive sputtered film.
i (nickel), when the sputter gas is argon,
P is 0.2-0.4 (Pa), F is 20-50 (SCC
M) and W are set to 1000-1500 (W). E
A suitable value of is preferably 80 (W / (Pa * SCCM)) or more. In particular, it is a necessary condition to form a film at a system pressure P of 0.2-0.4 Pa. The system pressure is 0.2-
By forming the film at 0.4 Pa, the stress of the electroconductive sputtered film becomes small. As a result, in the electroplating (electroforming) step and the polishing step after forming the electroconductive sputtered film, the peeling of the film due to the large stress of the electroconductive sputtered film was improved. In addition, since the film-forming energy is large, the cohesive force of the film becomes large, so that the low-stress high-density conductive sputtered film is less likely to be oxidized even when exposed to air. The electrical resistance of the low-stress high-density conductive sputtered film is stabilized in-plane, and the adhesion with the metal plating film (electroformed film) is improved. By imparting different stress characteristics as described above in the thickness direction of the electroconductive sputtered film, an adhesion force that can withstand the electroforming step and the polishing step is obtained, and after the polishing step, stress is applied from the outside to make the conductive In the case of peeling the conductive sputtered film from the replica 2P or the resist master, the existence of the adhesion-adjusting conductive sputtered film enables easy peeling.

【0026】本発明の第2の手法としての光情報記録媒
体用スタンパーの製造方法は、凹凸のプリフォーマット
パターンを有する光情報記録媒体用のスタンパーをマザ
ースタンパーから複製する際に、マザースタンパーのパ
ターン上に導電化膜を形成し、更に電鋳法にて金属スタ
ンパーを作製するスタンパーの製造方法において、該導
電化膜と該マザースタンパーの間に、該導電化膜とは異
種材料からなる密着調整用導電化膜を1層設けることを
特徴とする。
A second method of the present invention is a method of manufacturing a stamper for an optical information recording medium, which is a pattern of a mother stamper when a stamper for an optical information recording medium having an uneven preformat pattern is duplicated from the mother stamper. In a method of manufacturing a stamper, in which a conductive film is formed on the metal stamper, and a metal stamper is manufactured by electroforming, a contact adjustment made of a different material from the conductive film is provided between the conductive film and the mother stamper. It is characterized in that a single conductive film is provided.

【0027】更に、本発明の光情報記録媒体用スタンパ
ーの製造方法によれば、該導電化膜とは異種材料からな
る導電化膜が、クロム、チタン、ジルコニウム、モリブ
デン、バナジウム、ニオブ等の単体、或いは窒化物、酸
化物からなる、密着を調整する金属膜であることを特徴
とする。
Further, according to the method for manufacturing a stamper for an optical information recording medium of the present invention, the conductive film made of a material different from the conductive film is a single substance such as chromium, titanium, zirconium, molybdenum, vanadium, niobium or the like. Alternatively, it is a metal film made of nitride or oxide for adjusting adhesion.

【0028】更に、本発明の光情報記録媒体用スタンパ
ーの製造方法によれば、該異種材料の密着調整用導電化
膜の厚みが、20〜200オングストロームであること
を特徴とする。
Further, according to the method for manufacturing a stamper for an optical information recording medium of the present invention, the thickness of the adhesion adjusting conductive film of the different material is 20 to 200 angstrom.

【0029】導電化膜の材料としては白金、金、銀、
銅、ニッケル等、蒸着やスパッタで一般に用いられてい
る金属の単体、合金、及びその窒化物または酸化物等を
用いることができる。
Materials for the conductive film include platinum, gold, silver,
It is possible to use simple substances, alloys, and their nitrides or oxides of metals generally used in vapor deposition or sputtering such as copper and nickel.

【0030】密着調整用導電化膜の材料としては、クロ
ム、チタン、ジルコニウム、モリブデン、バナジウム、
ニオブ等の単体、或いは窒化物、酸化物が望ましいが、
これらに限定されるものではない。
As materials for the adhesion adjusting conductive film, chromium, titanium, zirconium, molybdenum, vanadium,
A simple substance such as niobium, or a nitride or an oxide is preferable,
It is not limited to these.

【0031】従来、これらの金属を用いてガラス板上に
成膜したところ、ガラス面に対して密着良く成膜するこ
とができたが、これらの金属を単独で成膜すると、密着
力が強すぎるため、ガラス面と成膜面でうまく剥すこと
ができなかったことから、本発明をなすに至ったもので
ある。本発明方法により研磨加工に耐える密着力が得ら
れるとともに、マザースタンパーから完全に剥離するス
タンパーを得ることができた。
Conventionally, when these metals were used to form a film on a glass plate, it was possible to form a film with good adhesion to the glass surface. However, if these metals are formed alone, the adhesion will be strong. Therefore, the present invention was completed because the glass surface and the film formation surface could not be peeled off well. According to the method of the present invention, it was possible to obtain an adhesive force that can withstand polishing and to obtain a stamper that completely peels from the mother stamper.

【0032】[0032]

【実施例】【Example】

(実施例1)本実施例は本発明の第一の手段、方法を例
示するものである。
(Example 1) This example illustrates the first means and method of the present invention.

【0033】パターンエリアが250×250mmであ
る、300×300mmの正方形オリジナル型の外周部
に、スペーサとして光硬化性樹脂(電気化学工業社製、
ハードロックOP4515)に平均粒子径40μmのマ
イクロスフェア(日本フェライト製、エクスパンセルD
U)を5重量%分散し、前記オリジナル型の外周部にデ
ィスペンサーによりディスペンスしたのち、340×3
40mmの図2に示す如き、注入口を有するガラス基板
を重ね合わせ、前記光硬化性樹脂にUV照射して硬化さ
せセルを形成した。セルの有効エリアは270×270
mmであった。なお、オリジナル型のパターンエリアに
形成されたパターンは、幅3μm、ピッチ12μm、深
さ3000Åのストライプ状の光カード用プリグルーブ
に対応するパターンとした。
A photocurable resin (made by Denki Kagaku Kogyo Co., Ltd.) is used as a spacer on the outer periphery of a 300 × 300 mm square original die having a pattern area of 250 × 250 mm.
Hard Rock OP4515) with an average particle size of 40 μm Microspheres (Nippon Ferrite, Expancel D)
Disperse U) in an amount of 5% by weight and dispense on the outer periphery of the original mold with a dispenser, and then 340 × 3
As shown in FIG. 2, 40 mm glass substrates having an injection port were overlapped with each other, and the photocurable resin was irradiated with UV to be cured to form a cell. The effective area of the cell is 270 x 270
mm. The pattern formed in the original pattern area was a pattern corresponding to a stripe-shaped optical card pre-groove having a width of 3 μm, a pitch of 12 μm, and a depth of 3000 Å.

【0034】次に、図3に示す装置及び方法により、キ
ャビティ17に光硬化性樹脂(2P)を封入した。ま
ず、図3(a)に示す様に、前記セルの注入口5をテフ
ロン(登録商標)チューブ13でロート14と接続し真
空チャンバー内に配置した。さらに、2P(日本化薬
INC118)がロート14内に滴下可能なように、別
途ロート14’を配置して、該ロート14’を電磁弁1
5によってチャンバー外部より開閉操作ができるように
した。
Next, a photocurable resin (2P) was filled in the cavity 17 by the apparatus and method shown in FIG. First, as shown in FIG. 3A, the injection port 5 of the cell was connected to the funnel 14 with a Teflon (registered trademark) tube 13 and placed in a vacuum chamber. Furthermore, 2P (Nippon Kayaku
The funnel 14 'is separately arranged so that the INC 118) can be dropped into the funnel 14, and the funnel 14' is connected to the solenoid valve 1
The opening and closing operation can be performed from the outside of the chamber by the method 5.

【0035】次に、チャンバー内の空気を排気し、キャ
ビティ17内部の圧力を0.1Torrとし、その真空
度で30分間保持し、2Pを脱泡した。つぎに、図3
(b)に示す様に、電磁弁15を開き、2Pをロート1
4に滴下したのち、チャンバー6内に空気を徐々にリー
クさせた。リーク開始後8時間でチャンバー内は大気圧
となり、2Pはセル内に注入されていた。又目視による
検査の結果セル内には気泡は認められなかった。
Next, the air in the chamber was evacuated, the pressure inside the cavity 17 was adjusted to 0.1 Torr, the vacuum degree was maintained for 30 minutes, and 2P was degassed. Next, FIG.
As shown in (b), open the solenoid valve 15 and connect 2P to the funnel 1
After dripping in 4, the air was gradually leaked into the chamber 6. Eight hours after the start of the leak, the pressure in the chamber became atmospheric pressure, and 2P was injected into the cell. Further, as a result of visual inspection, no bubbles were found in the cells.

【0036】なお、本実施例に於て2Pとしては、未硬
化の状態で700cpsの粘度を有し硬化後の体積収縮
率が3%であるアクリル系紫外線硬化樹脂を用いた。
In this example, as 2P, an acrylic UV curable resin having a viscosity of 700 cps in an uncured state and a volume shrinkage rate of 3% after curing was used.

【0037】次いで、前記セル注入口からテフロンチュ
ーブを取りはずし、ガラス基板側からUV光を照射し
て、2Pを硬化させた。目視による検査の結果、スペー
サ材の周辺部に幅最大10mmの「浮き」が発生してい
たが、「ひけ」は認められなかった。オリジナル型とガ
ラス基板を剥離したところ、ガラス基板上にオリジナル
型の凹凸パターンが忠実に転写した250×250mm
のレプリカ2Pを備えた光カード用スタンパー原盤が得
られた。
Then, the Teflon tube was removed from the cell inlet and UV light was irradiated from the glass substrate side to cure 2P. As a result of the visual inspection, "lifting" having a maximum width of 10 mm was generated in the peripheral portion of the spacer material, but "sink" was not recognized. When the original mold and the glass substrate were peeled off, the original mold concavo-convex pattern was faithfully transferred to the glass substrate 250 x 250 mm
A stamper master for an optical card having a replica 2P of was obtained.

【0038】次に得られたスタンパー原盤を徳田製作所
製の高周波マグネトロンスパッタ装置10CP内にセッ
トし、所定の圧力(4×10-4Pa)まで真空に排気し
た後、スタンパー原盤のプリフォーマット形成面上に、
系内アルゴン圧力0.55Pa、放電電力750Wで1
分間、密着調整用導電化スパッター膜としてNi層を高
周波マグネトロンスパッタ法で形成する。次に3分間か
けて、系内圧力を0.30Paまで下降させながら放電
を続け、最後に4分間、系内圧力0.30Pa、放電パ
ワー750Wで放電をつづけて低応力、高密度Niスパ
ッタ膜の成膜を行なった。
Next, the stamper master thus obtained is set in a high frequency magnetron sputtering apparatus 10CP manufactured by Tokuda Seisakusho, and after evacuating to a predetermined pressure (4 × 10 -4 Pa), a preformat forming surface of the stamper master is set. above,
1 at Argon pressure of 0.55Pa and discharge power of 750W
For a minute, a Ni layer is formed as a contact adjusting conductive sputter film by a high frequency magnetron sputtering method. Then, the discharge was continued for 3 minutes while lowering the system pressure to 0.30 Pa, and finally the discharge was continued for 4 minutes at a system pressure of 0.30 Pa and a discharge power of 750 W to produce a low stress, high density Ni sputtered film. Was formed.

【0039】0.55Pa、放電電力750Wで1分間
成膜した膜の応力は引張応力であり、15(N/m)で
あった。0.30Pa、放電電力750Wで4分間成膜
した膜の応力はほとんどゼロとなり、応力値は約2(N
/m)であった。全体のNiスパッタ膜の厚さは約13
00Å〜1500Åであった。上記スパッタ膜にスルフ
ァニル酸ニッケル浴中で電鋳膜を厚さ200μm形成
し、研磨加工した後、スタンパー原盤から剥離したとこ
ろ、スパッタ膜の膜残りは認められなかった。
The stress of the film formed at 0.55 Pa and a discharge power of 750 W for 1 minute was tensile stress, which was 15 (N / m). The stress of the film formed for 4 minutes at a discharge power of 750 W at 0.30 Pa becomes almost zero, and the stress value is about 2 (N
/ M). The thickness of the whole Ni sputtered film is about 13
It was from 00Å to 1500Å. An electroformed film having a thickness of 200 μm was formed on the sputtered film in a nickel sulfanilate bath, and after polishing processing, the film was peeled from the stamper master, and no film residue of the sputtered film was observed.

【0040】(実施例2)実施例1と同様な方法でレジ
スト2Pからなるスタンパー原盤を作成した。次に得ら
れたスタンパー原盤を真空理工製のDC(直流)電源ス
パッター装置にセットし、所定の圧力、1.5×10-4
Pa、まで真空に排気した後、スタンパー原盤のプリフ
ォーマット形成面上に、系内アルゴン圧力0.6Pa、
アルゴン流量35SCCM、放電電力2.5A,500
Vの条件でNiのスパッター成膜を30秒間行ない、密
着調整用導電化スパッター膜を得た。膜厚は200Åで
あった。次に連続的に系内アルゴン圧力の条件だけを
0.4Paまで1分30秒かけて順次低下させた。次に
2分間0.4Paで低応力、高密度導電化Niのスパッ
ター成膜をおこなった。導電化スパッター膜の厚みは全
体で2000〜2500Åであった。上記スパッター膜
にスルファニル酸ニッケル浴中で電鋳膜を200μm形
成して研磨加工した後、スタンパー原盤から剥離したと
ころ、スパッター膜の膜残りは認められなかった。電鋳
膜形成時および研磨加工時に、スパッター膜自身の応力
によってスパッター膜がスタンパー原盤から剥離するこ
とは認められなかった。
(Example 2) A stamper master made of resist 2P was prepared in the same manner as in Example 1. Next, the stamper master thus obtained was set in a DC (direct current) power supply sputtering device manufactured by Vacuum Riko Co., Ltd., and at a predetermined pressure of 1.5 × 10 −4.
After evacuating to a vacuum of Pa, argon pressure in the system is 0.6 Pa on the preformat forming surface of the stamper master.
Argon flow rate 35 SCCM, discharge power 2.5 A, 500
A Ni sputter film was formed for 30 seconds under the condition of V to obtain a conductive sputter film for adjusting adhesion. The film thickness was 200Å. Next, only the condition of the argon pressure in the system was successively reduced to 0.4 Pa over 1 minute and 30 seconds. Next, a low-stress, high-density conductive Ni film was formed by sputtering for 2 minutes at 0.4 Pa. The total thickness of the electroconductive sputtered film was 2000 to 2500Å. An electroformed film of 200 μm was formed on the sputtered film in a nickel sulfanylate bath, and after polishing processing, the film was peeled off from the stamper master. No peeling of the sputtered film from the stamper master was observed due to the stress of the sputtered film during the formation of the electroformed film and the polishing process.

【0041】比較例1 実施例2のニッケルスパッター膜の成膜条件の内、アル
ゴン系内圧力を0.4Paに一定として、4分間スパッ
ター成膜して導電化スパッター膜を得た後、実施例2と
同様な方法で電鋳、研磨してスタンパーを作成した。
Comparative Example 1 Among the film forming conditions for the nickel sputtered film of Example 2, the pressure inside the argon system was kept constant at 0.4 Pa and the film was sputtered for 4 minutes to obtain a conductive sputtered film. A stamper was prepared by electroforming and polishing in the same manner as in 2.

【0042】比較例2 比較例1のアルゴン系内圧力を0.6Paに一定とした
以外は実施例2と同様にしてスタンパーを作成した。結
果を表1に示す。
Comparative Example 2 A stamper was prepared in the same manner as in Example 2 except that the pressure in the argon system of Comparative Example 1 was kept constant at 0.6 Pa. The results are shown in Table 1.

【0043】 注:アルゴン流量:35SCCM 一定 DC放電パワー:2.5A、500V 一定 (実施例3)本実施例は本発明の第2の手段、方法を例
示するものである。
[0043] Note: Argon flow rate: 35 SCCM constant DC discharge power: 2.5 A, 500 V constant (Example 3) This example illustrates the second means and method of the present invention.

【0044】図4に、本発明方法によるスタンパーの製
造工程を示す。
FIG. 4 shows the steps of manufacturing the stamper according to the method of the present invention.

【0045】まず図4(a)に示すように、青板ガラス
等の基板104(縦34cm×横30cm)にフォトレ
ジストの層を形成した。フォトレジスト105は、WA
YCOAT HPR204(富士ハントエレクトロニク
ステクノロジー社製)を用い、これを基板104に滴下
し、スピナーで3000オングストロームの膜厚に塗布
した。その後、100℃、20分の条件でプレベークを
行った。
First, as shown in FIG. 4A, a photoresist layer was formed on a substrate 104 such as soda lime glass (length 34 cm × width 30 cm). The photoresist 105 is WA
Using YCOAT HPR204 (manufactured by Fuji Hunt Electronics Technology Co., Ltd.), this was dropped on the substrate 104 and applied with a spinner to a film thickness of 3000 angstrom. Then, prebaking was performed under conditions of 100 ° C. and 20 minutes.

【0046】次に、レーザー露光装置[ミラープロジェ
クターマスクアライナー。MPA−1500(キヤノン
社製)]等の露光装置を用い、複数個の情報記録媒体の
所定パターン(ストライプ状)を露光した。
Next, a laser exposure device [mirror projector mask aligner. An exposure device such as MPA-1500 (manufactured by Canon Inc.) was used to expose predetermined patterns (stripes) on a plurality of information recording media.

【0047】次いで、LSI現像液(富士ハントエレク
トロニクステクノロジー社製)で現像すると、紫外光の
当たったところのフォトレジストは流れ去り、当たらな
い部分のレジストが残り、パターン外部の表面が粗面化
され、かつトラッキング用溝、情報用ピット等の凹凸の
微細パターンが形成された、光カード用のガラス原盤1
06が得られた。(図4(b)) このガラス原盤106を用いて、同図(c)に示すよう
な注型成形用のユニットを組み、紫外線硬化型樹脂(I
NC−118 日本化薬(株)製)108を減圧注入し
たのち、紫外線を照射して樹脂を固化し、硬化した樹脂
を原盤106から脱型することで、同図(d)に示すよ
うな紫外線硬化型樹脂のマザースタンパー110を得
た。
Next, when development is carried out with an LSI developer (manufactured by Fuji Hunt Electronics Technology Co., Ltd.), the photoresist in the area exposed to the ultraviolet light flows away, the resist in the area not exposed remains, and the surface outside the pattern is roughened. And a glass master 1 for an optical card on which a fine pattern of irregularities such as tracking grooves and information pits is formed.
06 was obtained. (FIG. 4 (b)) Using this glass master 106, a unit for cast molding as shown in FIG. 4 (c) is assembled, and an ultraviolet curable resin (I
NC-118 (Nippon Kayaku Co., Ltd.) 108 is injected under reduced pressure, and then ultraviolet rays are irradiated to solidify the resin, and the cured resin is released from the master 106, as shown in FIG. A mother stamper 110 of an ultraviolet curable resin was obtained.

【0048】更に同図(e)に示すように、電鋳法によ
り金属膜を形成するための前処理として、紫外線硬化型
樹脂によるマザースタンパーのプリフォーマット面側に
導電化膜111をスパッタにより成膜した。
Further, as shown in FIG. 6E, as a pretreatment for forming a metal film by electroforming, a conductive film 111 is formed by sputtering on the preformat surface side of a mother stamper made of an ultraviolet curable resin. Filmed

【0049】スパッタ条件としては、実施例1と同じ装
置を用い系内の真空度を4×10-4Paにした後、系内
アルゴン圧0.27Pa、放電電力を750Wに設定
し、プレスパッタを2分間行った。
As for the sputtering conditions, the same apparatus as in Example 1 was used, the degree of vacuum in the system was set to 4 × 10 −4 Pa, the system argon pressure was set to 0.27 Pa, and the discharge power was set to 750 W. For 2 minutes.

【0050】次に、系内アルゴン圧力0.6Paでチタ
ンを30秒間スパッタリングして、更に、系内アルゴン
圧力0.25Paでニッケルを8分間スパッタリングし
てチタン膜の上にニッケル膜を成膜した。
Next, titanium was sputtered for 30 seconds at an argon pressure of 0.6 Pa in the system, and then nickel was sputtered for 8 minutes at an argon pressure of 0.25 Pa in the system to form a nickel film on the titanium film. .

【0051】チタンの膜厚は100オングストローム、
ニッケルの膜厚は1500オングストロームであった。
ニッケル膜の応力はほとんどゼロであった。
The film thickness of titanium is 100 Å,
The nickel film thickness was 1500 Å.
The stress of the nickel film was almost zero.

【0052】次に同図(f)に示すように、導電化膜1
11の設けられたマザースタンパー110に電鋳法によ
り金属膜112を形成する。
Next, as shown in FIG. 3F, the conductive film 1
A metal film 112 is formed on the mother stamper 110 provided with 11 by electroforming.

【0053】まず、電鋳槽内のニッケルチップを+側電
極、導電化膜111の施されたマザースタンパー110
を−側電極にセットした。このとき、電極板には外周電
極板を用いることが好ましい。外周電極板の方が、内周
電極板と比較した場合に、膜厚分布が良いためである。
また、外周電極板をスタンパーの形状に沿って長方形に
すると、電極板のエッヂ部に電気力線が集中し、膜厚分
布が極端に悪化することもあるので、ここではリング状
のものを用いた。
First, the nickel stamper in the electroforming tank is used as the + side electrode, and the mother stamper 110 provided with the conductive film 111.
Was set on the negative electrode. At this time, it is preferable to use an outer peripheral electrode plate as the electrode plate. This is because the outer electrode plate has a better film thickness distribution than the inner electrode plate.
Also, if the outer peripheral electrode plate is made rectangular along the shape of the stamper, electric lines of force may concentrate on the edge part of the electrode plate, and the film thickness distribution may be extremely deteriorated. I was there.

【0054】次に、スルファミン酸ニッケル電鋳液中
で、導電化膜の施されたガラス原盤を20〜30rpm
で回転させながら、通電電流の時間積分値17〜34A
H(アンペア・アワー)の条件で100〜200μmの
ニッケル金属を析出させ、金属膜111を形成した。
Next, a glass master having a conductive film applied thereto was put in a nickel sulfamate electroforming solution at 20 to 30 rpm.
Time integrated value of energizing current 17-34A while rotating at
Under the condition of H (ampere hour), 100 to 200 μm of nickel metal was deposited to form the metal film 111.

【0055】ここで使用した電鋳液は、スルファミン酸
ニッケル・4水塩[Ni(NH2 SO32 ・4H2
O]500g/l、ホウ酸[H3 BO3 ]35〜38g
/l、ピット防止剤2.5ml/l、の組成のものであ
る。
The electroforming liquid used here is nickel sulfamate tetrahydrate [Ni (NH 2 SO 3 ) 2 4H 2
O] 500 g / l, boric acid [H 3 BO 3 ] 35-38 g
/ L, pit inhibitor 2.5 ml / l.

【0056】次に、得られた電鋳膜をマザースタンパー
ごとに研磨機にかけ、電鋳膜を研磨して膜厚を均一にし
た。このとき、マザースタンパーとチタン/ニッケル膜
との密着は良好で、膜の応力によって研磨時の膜剥がれ
も起こらなかった。
Next, the obtained electroformed film was put on a polishing machine for each mother stamper, and the electroformed film was polished to make the film thickness uniform. At this time, the adhesion between the mother stamper and the titanium / nickel film was good, and the film was not peeled off during polishing due to the stress of the film.

【0057】最後に同図(g)に示すように、2層の導
電化膜111及び金属膜112を一体としてマザースタ
ンパー110より剥離させた。このとき、マザースタン
パーの紫外線硬化型樹脂面に、スパッタ膜の残留はな
く、転写が完全に行われていた。
Finally, as shown in FIG. 7G, the two-layer conductive film 111 and the metal film 112 were integrally peeled from the mother stamper 110. At this time, there was no residual sputtered film on the UV-curable resin surface of the mother stamper, and transfer was complete.

【0058】最後に、外周を300×200mmの長方
形に切断することにより、幅3μmピッチ12μmの直
線状の光カード用トラッキングトラックのパターンを有
するフレキシブルスタンパー101が得られた。
Finally, by cutting the outer periphery into a rectangle of 300 × 200 mm, a flexible stamper 101 having a linear tracking track pattern for an optical card having a width of 3 μm and a pitch of 12 μm was obtained.

【0059】比較例3および4スパッタの成膜条件以外
は実施例3と同じ製造方法によってスタンパーを作製し
た。
Comparative Examples 3 and 4 Stampers were manufactured by the same manufacturing method as in Example 3 except for the film forming conditions of sputtering.

【0060】スパッタ条件は、表2の通りでチタン膜及
びニッケル膜をマスタースタンパー上に順次成膜した。
The sputtering conditions are shown in Table 2, and a titanium film and a nickel film were sequentially formed on the master stamper.

【0061】 この結果、実施例3、比較例3、比較例4共に密着力は
良好で、研磨時の膜剥がれは発生しなかった。
[0061] As a result, in all of Example 3, Comparative Example 3 and Comparative Example 4, the adhesion was good and no film peeling occurred during polishing.

【0062】このときのチタン及びニッケルの膜の厚み
は表3の通りであった。
Table 3 shows the thicknesses of the titanium and nickel films at this time.

【0063】 電鋳、研磨の後、マザースタンパーから完成したスタン
パーをはがしたところ、比較例3、比較例4ではチタン
膜がマザースタンパーに残ってしまい、転写不良となっ
た。チタン膜が200Å以上であるとチタン膜が十分島
状構造でなくなり、膜の凝集力がつよくなりガラス板、
又はレプリカ2P面に強く密着するために膜残りが発生
するものと思われる。
[0063] After electroforming and polishing, the completed stamper was peeled off from the mother stamper. In Comparative Examples 3 and 4, the titanium film remained on the mother stamper, resulting in poor transfer. When the titanium film has a thickness of 200 Å or more, the titanium film does not have an island structure sufficiently, and the cohesive force of the film becomes strong, and the glass plate,
Alternatively, it is considered that a film residue occurs due to strong adhesion to the replica 2P surface.

【0064】以上より、チタン膜を20〜200オング
ストローム程度に調整する必要があることが明らかにな
った。
From the above, it became clear that it is necessary to adjust the titanium film to about 20 to 200 angstroms.

【0065】[0065]

【発明の効果】本発明の第1の手段、方法によって、電
鋳工程の前処理の簡略化をおこなってもスパッタ(導電
化膜の)膜の膜残りが存在しないスタンパーをつくるこ
とが可能となった。
According to the first means and method of the present invention, it is possible to form a stamper in which no film residue of a sputter (conductive film) exists even if the pretreatment of the electroforming process is simplified. became.

【0066】また、第2の手段、方法により、マザース
タンパーのパターン上に導電化膜を形成する際、導電化
膜と該マザースタンパーの間に、該導電化膜とは異種材
料からなる、密着力を調整するための導電化膜を1層設
けることにより、マザースタンパーと導電化膜の成膜面
との間の密着力を向上することができ、以降の工程での
膜剥がれを防止することができ、かつ、得られたスタン
パーをマザースタンパーから剥離する際に、導電化膜の
膜残りがないので、高精度でしかも生産性良く、光情報
記録媒体用スタンパーを製造することができた。
Further, when the conductive film is formed on the pattern of the mother stamper by the second means and method, the conductive film and the mother stamper are adhered to each other by a different material from the conductive film. By providing a single conductive film for adjusting the force, it is possible to improve the adhesion between the mother stamper and the conductive film forming surface, and prevent film peeling in the subsequent steps. In addition, when the obtained stamper was peeled from the mother stamper, there was no film remaining of the conductive film, so that the stamper for optical information recording medium could be manufactured with high accuracy and high productivity.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1の方法によるスパッタ膜を説明す
る断面図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a sputtered film according to a first method of the present invention.

【図2】2P樹脂レプリカの製造方法を説明する平面図
および断面図である。 (a)平面図 (b)(a)のB−B線による断面図
FIG. 2 is a plan view and a cross-sectional view illustrating a method for manufacturing a 2P resin replica. (A) Plan view (b) Sectional drawing by the BB line of (a)

【図3】2P樹脂をセルに注入する方法を説明する模式
図である。 (a)注入前の状況 (b)注入中の状況
FIG. 3 is a schematic diagram illustrating a method of injecting 2P resin into a cell. (A) Status before injection (b) Status during injection

【図4】本発明の第2の方法によるスタンパーの製造工
程を説明する断面図である。
FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a step of manufacturing a stamper according to a second method of the present invention.

【図5】フレキシブルスタンパーを説明する模式図であ
る。
FIG. 5 is a schematic diagram illustrating a flexible stamper.

【図6】従来のスタンパー作成方法を説明する模式的断
面図である。 (A)2P樹脂使用 (B)フォトレジスト使用
FIG. 6 is a schematic cross-sectional view illustrating a conventional stamper manufacturing method. (A) Using 2P resin (B) Using photoresist

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 オリジナル型 1’ 凹凸パターン 2 ガラス基板 3 スペーサ材 4 セル 5,5’ 注入口 6 チャンバー 7 排気口 8 吸気口 9 未硬化2P 10 硬化2P 11 固定板 12 UV光 13 テフロンチューブ 14,14’ ロート 15 電磁弁 16 突起 17 キャビティ 22 電鋳膜 23 スパッタ膜(導電化処理膜) 24 プリグルーブ 101 スタンパー 102 プリフォーマットパターン領域 103 スタンパー固定具 104 ガラス基板 105 フォトレジスト 106 ガラス原盤 107 ガラス基板 108 紫外線硬化型樹脂 109 注型ユニット封止部材 110 マザースタンパー 111 導電化膜 112 電鋳膜 1 Original type 1'Concavo-convex pattern 2 Glass substrate 3 Spacer material 4 Cell 5, 5'Inlet port 6 Chamber 7 Exhaust port 8 Inlet port 9 Unhardened 2P 10 Hardened 2P 11 Fixed plate 12 UV light 13 Teflon tube 14, 14 'funnel 15 Solenoid Valve 16 Protrusion 17 Cavity 22 Electroformed Film 23 Sputtered Film (Conductive Film) 24 Pregroove 101 Stamper 102 Preformat Pattern Area 103 Stamper Fixture 104 Glass Substrate 105 Photoresist 106 Glass Master 107 Glass Substrate 108 Ultraviolet Curing Resin 109 Casting unit sealing member 110 Mother stamper 111 Conductive film 112 Electroformed film

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 光学記録媒体のプリフォーマット形成用
スタンパーの (1)マスター原盤のレプリカ樹脂のプリフォーマット
パターン面に金属スパッタ膜を設け、 (2)該金属スパッタ膜上に金属電鋳層を形成する製造
工程において、金属スパッタ膜をその応力特性が厚さ方
向に一定の割合で異なるように形成することを特徴とす
る光記録媒体用スタンパーの製造法。
1. A metal sputtering film is provided on a preformat pattern surface of a replica resin of a master master of a stamper for forming a preformat of an optical recording medium, and (2) a metal electroformed layer is formed on the metal sputtering film. In the manufacturing process described above, the method for manufacturing a stamper for an optical recording medium, wherein the metal sputtered film is formed so that its stress characteristics differ in the thickness direction at a constant rate.
【請求項2】 凹凸のプリフォーマットパターンを有す
る光情報記録媒体用のスタンパーをマザースタンパーか
ら複製する際に、マザースタンパーのパターン上に導電
化膜を形成し、更に電鋳法にて金属スタンパーを作成す
るスタンパーの製造方法において、該導電化膜と該マザ
ースタンパーの間に、該導電化膜とは異種材料からなる
導電化膜を1層設けることを特徴とする、光情報記録媒
体用スタンパーの製造方法。
2. When a stamper for an optical information recording medium having a concavo-convex preformat pattern is duplicated from a mother stamper, a conductive film is formed on the pattern of the mother stamper, and a metal stamper is formed by electroforming. In the method for manufacturing a stamper to be produced, one layer of a conductive film made of a material different from that of the conductive film is provided between the conductive film and the mother stamper. Production method.
【請求項3】 該導電化膜とは異種材料からなる導電化
膜が、クロム、チタン、ジルコニウム、モリブデン、バ
ナジウム、ニオブ等の単体、或いは窒化物、酸化物から
なる、密着を調整する金属膜である請求項2に記載の光
情報記録媒体用スタンパーの製造方法。
3. A metal film for adjusting adhesion, wherein the conductive film made of a material different from that of the conductive film is a simple substance such as chromium, titanium, zirconium, molybdenum, vanadium, niobium, or a nitride or an oxide. 3. The method for manufacturing a stamper for an optical information recording medium according to claim 2.
【請求項4】 該異種材料の導電化膜の厚みが、20〜
200オングストロームである請求項2に記載の光情報
記録媒体用スタンパーの製造方法。
4. The thickness of the conductive film of the different material is 20 to 20.
The method for manufacturing a stamper for an optical information recording medium according to claim 2, which has a thickness of 200 Å.
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