JPH0895942A - One-chip microcomputer - Google Patents
One-chip microcomputerInfo
- Publication number
- JPH0895942A JPH0895942A JP23146194A JP23146194A JPH0895942A JP H0895942 A JPH0895942 A JP H0895942A JP 23146194 A JP23146194 A JP 23146194A JP 23146194 A JP23146194 A JP 23146194A JP H0895942 A JPH0895942 A JP H0895942A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- data
- output
- eeprom
- volatile memory
- chip microcomputer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02D—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
- Y02D10/00—Energy efficient computing, e.g. low power processors, power management or thermal management
Landscapes
- Microcomputers (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、電池駆動される電子機
器に使用するのに好適な1チップマイクロコンピュータ
に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a one-chip microcomputer suitable for use in battery-powered electronic equipment.
【0002】[0002]
【従来の技術】一般に、1チップマイクロコンピュータ
は、その内部に、動作制御を行う為のプログラムデータ
を記憶したROMを内蔵している。このROMには、マ
スク処理でプログラムデータを書き込むマスクROM、
電気的処理でプログラムデータの書き込み及び読み出し
を可能としたEEPROM等が存在し、何れか一方のR
OMが1チップ上に集積化され、これらのROMから読
み出されるプログラムデータを解読した結果に基づき1
チップマイクロコンピュータを動作制御していた。2. Description of the Related Art Generally, a one-chip microcomputer has a built-in ROM in which program data for controlling operation is stored. In this ROM, a mask ROM for writing program data by mask processing,
There is an EEPROM or the like that enables writing and reading of program data by electrical processing, and either R
The OM is integrated on one chip, and 1 is obtained based on the result of decoding the program data read from these ROMs.
It controlled the operation of the chip microcomputer.
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、1チッ
プマイクロコンピュータにマスクROMを内蔵した場
合、マスクROMの構造上、消費電力を抑えることはで
きるが、一度書き込んだプログラムデータを書き直すこ
とができない為、プログラムデータを変更するには再び
新たなマスクを作成して新たな1チップ上に焼き付けな
ければ成らず、これより、作業工程が複雑になり、プロ
グラムを変更した新たな1チップマイクロコンピュータ
を完成するまでに多くの時間を要してしまう問題があっ
た。一方、1チップマイクロコンピュータにEEPRO
Mを内蔵した場合、EEPROMの構造上、プログラム
データの書き換えを電気的処理により容易に実行できる
が、消費電力が大きく、電池を使用する携帯用の電子機
器にはEEPROMを内蔵する1チップマイクロコンピ
ュータは不向きとなる問題があった。However, when the mask ROM is built in the one-chip microcomputer, the power consumption can be suppressed due to the structure of the mask ROM, but the program data once written cannot be rewritten. In order to change the program data, a new mask has to be created again and printed on a new one chip, which complicates the work process and completes a new one-chip microcomputer with the changed program. There was a problem that it took a lot of time. On the other hand, the one-chip microcomputer has EEPRO
When M is built in, rewriting of program data can be easily executed by electrical processing due to the structure of the EEPROM, but it consumes a large amount of power and is a 1-chip microcomputer with a built-in EEPROM for portable electronic equipment that uses a battery. There was a problem that was unsuitable.
【0004】そこで、本発明は、電池を使用する携帯用
の電子機器に好適であり、マスクROM及びEEPRO
Mの利点を生かした1チップマイクロコンピュータを提
供することを目的とする。Therefore, the present invention is suitable for a portable electronic device using a battery, such as a mask ROM and EEPRO.
It is an object of the present invention to provide a one-chip microcomputer that takes advantage of the advantages of M.
【0005】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明は、前記問題点を
解決する為に成されたものであり、その特徴とするとこ
ろは、プログラムカウンタの第1範囲のアドレスデータ
によりアクセスされる、予めデータがマスク処理で書き
込まれた第1の不揮発性メモリと、前記プログラムカウ
ンタの第2範囲のアドレスデータによりアクセスされ
る、データの書き込み及び読み出しが可能な第2の不揮
発性メモリと、前記第1の不揮発性メモリの読み出しデ
ータをラッチする第1のラッチ回路と、前記第2の不揮
発性メモリの読み出しデータをラッチする第2のラッチ
回路と、前記プログラムカウンタから出力されるアドレ
スデータの上位xビットを判別し、前記第1又は第2の
ラッチ回路の何れか一方のラッチ出力を選択的にデータ
バスへ送出する為の選択信号を発生する制御部と、を1
チップ上に集積化した点である。The present invention has been made to solve the above problems, and is characterized in that it is accessed by address data in the first range of the program counter in advance. A first non-volatile memory in which data is written by a mask process, a second non-volatile memory in which data can be written and read and which is accessed by address data in a second range of the program counter; Latch circuit for latching read data of the non-volatile memory, second latch circuit for latching read data of the second non-volatile memory, and upper x bits of address data output from the program counter For selectively sending the latch output of either the first or second latch circuit to the data bus. A control unit for generating a No. 択信, 1
The point is that it is integrated on a chip.
【0006】[0006]
【作用】本発明によれば、データをマスク処理で記憶す
る第1の不揮発性メモリと、データの書き込み及び読み
出しが可能な第2の不揮発性メモリとを同一チップ上に
集積化し、プログラムカウンタの第1範囲のアドレスデ
ータで第1の不揮発性メモリをアクセス可能とし、プロ
グラムカウンタの第2範囲のアドレスデータで第2の不
揮発性メモリをアクセス可能とした。そして、第1の不
揮発性メモリに長時間使用するか又は変更することのな
いデータを記憶し、また、第2の不揮発性メモリに短時
間使用するか又は変更する可能性のあるデータを記憶さ
せることにより、プログラム変更が容易で且つ低消費電
力型の1チップマイクロコンピュータを提供できる。According to the present invention, the first non-volatile memory for storing data by mask processing and the second non-volatile memory capable of writing and reading data are integrated on the same chip, and the program counter The first non-volatile memory can be accessed by the first range of address data, and the second non-volatile memory can be accessed by the second range of address data of the program counter. Then, the first non-volatile memory stores data that is not used or changed for a long time, and the second non-volatile memory stores data that may be used or changed for a short time. As a result, it is possible to provide a low power consumption one-chip microcomputer in which the program can be easily changed.
【0007】[0007]
【実施例】本発明の詳細を図面に従って具体的に説明す
る。図1は本発明の1チップマイクロコンピュータを示
す図である。図1において、(1)はマスクROM(第
1の不揮発性メモリ)であり、チップ上にマスクを焼き
付けることによりnビットのプログラムデータが記憶さ
れたものであり、1度書き込んだプログラムデータの変
更は新たなマスクを作りなおさなければできないもので
ある。該マスクROM(1)は、その構造上、消費電力
が少なく、比較的長時間使用するか或いは将来に亘って
変更することのないプログラムデータを書き込むのが好
ましい。(2)はEEPROMであり、電気的処理によ
りnビットのプログラムデータの書き込み又は読み出し
の繰り返しを可能とされたものである。該EEPROM
(2)は、その構造上、電力消費量が多い為、短時間だ
けしか使用しないか或いは将来変更の可能性のあるプロ
グラムデータを書き込んでおくのが望ましい。(3)は
プログラムカウンタでありmビットのアドレスデータを
発生するものである。つまり、該プログラムカウンタ
(3)は、2↑m(2のm乗)種類のアドレスデータを
発生するものであり、前半の第1範囲に属するアドレス
データでマスクROM(1)をアクセスし、後半の第2
範囲に属するアドレスデータでEEPROM(2)をア
クセスする。ここで、マスクROM(1)及びEEPR
OM(2)をアクセスする時には、アドレスデータの上
位xビットが異なるものとする。例えば、アドレスデー
タが8ビットであるとすると、マスクROM(1)及び
EEPROM(2)併せて256(=2↑8)アドレス
がアクセスできるが、ここで、マスクROM(1)及び
EEPROM(2)が共に128アドレスずつの記憶容
量を有する場合、アドレスデータの最上位ビット(上位
1ビット)のみが異なることになる。具体的には、マス
クROM(1)をアクセスする時は、アドレスデータの
最上位ビットは「0」となり、EEPROM(2)をア
クセスする時は、アドレスデータの最上位ビットは
「1」になる。(4)(5)は各々マスクROM(1)
及びEEPROM(2)から読み出されたnビットのプ
ログラムデータをラッチするラッチ回路である。(6)
は制御部であり、マスクROM(1)及びEEPROM
(2)をアクセスする時に異なる上位xビットを判別
し、アドレスデータがマスクROM(1)をアクセスす
る内容の時は「1」を出力し、また、アドレスデータが
EEPROM(2)をアクセスする内容の時は「0」を
出力するものである。NANDゲート(7)は、ラッチ
回路(4)の出力を後述するデータバスへ出力するのを
制御する為のゲートであり、一方の入力端子には制御部
(6)からの判別出力が印加され、他方の入力端子には
後述する出力許可信号が印加される。同様に、NAND
ゲート(8)は、ラッチ回路(5)の出力を前記データ
バスへ出力するのを制御する為のゲートであり、一方の
入力端子には制御部(6)からの判別出力がインバータ
(9)を介して印加され、他方の入力端子には前記出力
許可信号が印加される。NORゲート(10)は、ラッ
チ回路(4)のnビットの各出力に対応してn個設けら
れており、n個のNORゲート(10)の一方の入力端
子は各々ラッチ回路(4)のnビットの各出力と接続さ
れ、他方の入力端子にはNANDゲート(7)の出力が
共通に印加されている。同様に,NORゲート(11)
は、ラッチ回路(5)のnビットの各出力に対応してn
個設けられており、n個のNORゲート(11)の一方
の入力端子はラッチ回路(5)のnビットの各出力と接
続され、他方の入力端子にはNANDゲート(8)の出
力が共通印加されている。Nチャンネル型MOSトラン
ジスタ(12)は、そのゲートがNORゲート(10)
の出力端子と接続され、ドレインが1ビット分の1本の
データバス(13)と接続され、ソースが接地されてい
る。同様に,Nチャンネル型MOSトランジスタ(1
4)は、そのゲートがNORゲート(11)の出力端子
と接続され、ドレインがデータバス(13)と接続さ
れ、更にソースは接地されている。Pチャンネル型MO
Sトランジスタ(15)は、そのゲートにインバータ
(16)を介してプリチャージ信号が印加され、ドレイ
ンがデータバス(13)と接続され、ソースが電源Vd
dと接続されている。Pチャンネル型MOSトランジス
タ(17)は、そのゲートがインバータ(18)を介し
てデータバス(13)と接続され、ドレインがデータバ
ス(13)と接続され、ソースが電源Vddと接続され
ている。ここで、Pチャンネル型MOSトランジスタ
(17)及びインバータ(18)は保持回路を構成す
る。尚、ラッチ回路(4)(5)の各出力はnビットず
つある為、Nチャンネル型MOSトランジスタ(12)
(14)、データバス(13)、Pチャンネル型MOS
トランジスタ(15)(17)、及びインバータ(1
6)(18)から成る構成は、ラッチ回路(4)(5)
のビット数に合わせてn個存在するものとする。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. FIG. 1 is a diagram showing a one-chip microcomputer of the present invention. In FIG. 1, (1) is a mask ROM (first non-volatile memory), which stores n-bit program data by burning a mask on a chip, and changes the program data once written. Is something you cannot do without recreating a new mask. Due to the structure of the mask ROM (1), it is preferable to write program data that consumes less power, is used for a relatively long time, or is not changed in the future. (2) is an EEPROM in which writing or reading of n-bit program data can be repeated by electrical processing. The EEPROM
Since (2) consumes a large amount of power due to its structure, it is desirable to use it only for a short time or to write program data that may be changed in the future. (3) is a program counter, which generates m-bit address data. That is, the program counter (3) generates 2 ↑ m (2 to the m-th power) types of address data. The mask ROM (1) is accessed by the address data belonging to the first range in the first half, and the latter half. Second
The EEPROM (2) is accessed with the address data belonging to the range. Here, the mask ROM (1) and the EEPR
When accessing OM (2), it is assumed that the upper x bits of the address data are different. For example, if the address data is 8 bits, the mask ROM (1) and the EEPROM (2) can access 256 (= 2 ↑ 8) addresses, but here, the mask ROM (1) and the EEPROM (2) are accessible. , Both have a storage capacity of 128 addresses each, only the most significant bit (upper 1 bit) of the address data is different. Specifically, when accessing the mask ROM (1), the most significant bit of the address data becomes "0", and when accessing the EEPROM (2), the most significant bit of the address data becomes "1". . (4) and (5) are mask ROMs (1), respectively
And a latch circuit for latching n-bit program data read from the EEPROM (2). (6)
Is a control unit, a mask ROM (1) and an EEPROM
Different upper x bits are discriminated when (2) is accessed, "1" is output when the address data is the content that accesses the mask ROM (1), and the address data is the content that accesses the EEPROM (2). At the time of, "0" is output. The NAND gate (7) is a gate for controlling output of the output of the latch circuit (4) to a data bus which will be described later, and a discrimination output from the control unit (6) is applied to one input terminal. An output permission signal, which will be described later, is applied to the other input terminal. Similarly, NAND
The gate (8) is a gate for controlling output of the output of the latch circuit (5) to the data bus, and the discrimination output from the control unit (6) is provided to the inverter (9) at one input terminal. And the output enable signal is applied to the other input terminal. NOR gates (10) are provided in a number of n corresponding to each n-bit output of the latch circuit (4), and one input terminal of each of the n NOR gates (10) is provided in the latch circuit (4). The output of the NAND gate (7) is commonly applied to the other input terminal, which is connected to each n-bit output. Similarly, NOR gate (11)
Is n in correspondence with each n-bit output of the latch circuit (5).
One of the n NOR gates (11) has one input terminal connected to each n-bit output of the latch circuit (5), and the other input terminal has a common output of the NAND gate (8). Is being applied. The gate of the N-channel type MOS transistor (12) is a NOR gate (10).
Of which the drain is connected to one data bus (13) for one bit, and the source is grounded. Similarly, N-channel type MOS transistor (1
In 4), the gate is connected to the output terminal of the NOR gate (11), the drain is connected to the data bus (13), and the source is grounded. P channel type MO
The precharge signal is applied to the gate of the S transistor (15) through the inverter (16), the drain is connected to the data bus (13), and the source is the power supply Vd.
It is connected to d. The P-channel type MOS transistor (17) has its gate connected to the data bus (13) via the inverter (18), its drain connected to the data bus (13), and its source connected to the power supply Vdd. Here, the P-channel MOS transistor (17) and the inverter (18) form a holding circuit. Since each output of the latch circuits (4) and (5) is n bits, the N channel type MOS transistor (12)
(14), data bus (13), P-channel type MOS
Transistors (15) (17) and inverter (1
6) (18) consists of latch circuits (4) (5)
It is assumed that there are n in number according to the number of bits.
【0008】以下、図1の動作を図2のタイムチャート
を基に説明する。尚、1チップマイクロコンピュータを
動作させる1マシンサイクルは、クロック信号の3周期
T1〜T3から成るものとして説明する。また、プログ
ラムカウンタ(3)から出力されるアドレスデータはク
ロック信号のT1期間の立ち下がりに同期して変更され
るものとする。また、ラッチ回路(4)(5)がラッチ
を行う為のラッチ信号はクロック信号のT1期間のハイ
レベル期間だけハイレベルとして発生するものとする。
更に、データバス(13)へラッチ回路(4)(5)の
ラッチ出力を送出する為の出力許可信号はクロック信号
のT1期間のローレベル期間にハイレベルとして出力さ
れる。The operation of FIG. 1 will be described below with reference to the time chart of FIG. It should be noted that one machine cycle for operating the one-chip microcomputer will be described as comprising three cycles T1 to T3 of the clock signal. Further, it is assumed that the address data output from the program counter (3) is changed in synchronization with the falling edge of the clock signal in the T1 period. Further, the latch signal for the latch circuits (4) and (5) to latch is generated as a high level only during the high level period of the T1 period of the clock signal.
Furthermore, the output enable signal for sending the latched output of the latch circuits (4) and (5) to the data bus (13) is output as a high level during the low level period of the T1 period of the clock signal.
【0009】まず、プログラムカウンタ(3)からmビ
ットのアドレスデータaが発生し、該アドレスデータa
によりマスクROM(1)の所定アドレスがアクセスさ
れたとすると、該マスクROM(1)のこのアドレスか
らnビットのプログラムデータAが読み出される(アド
レスデータaにプログラムデータAが対応しているもの
とする)。このプログラムデータAは、ラッチ信号がハ
イレベルになるタイミングでラッチ回路(4)にラッチ
される。一方、制御部(6)においては、プログラムデ
ータaの最上位ビットの「0」が判別されて「1」の判
別信号が出力され、該判別信号はNANDゲート(7)
の一方の入力端子に印加される。そして、ラッチ信号の
直後に出力許可信号がハイレベルになると、NANDゲ
ート(7)の出力信号がローレベルとなってNORゲー
ト(10)の出力はラッチ回路(4)のnビット出力に
依存することになる。一方、プリチャージ信号として
は、クロック信号が印加されるものであり、クロック信
号のハイレベル期間においてPチャンネル型MOSトラ
ンジスタ(15)がオンし、これに伴い、Pチャンネル
型MOSトランジスタ(17)がオンを保持し、データ
バス(13)はハイレベルにプリチャージされることに
なる。そこに、NORゲート(10)の出力に応じてN
チャンネル型MOSトランジスタ(12)がオンオフす
ると、データバス(13)のレベルが変化することにな
る。例えば、ラッチ回路(4)の所定の1ビット出力が
「0」の場合、NORゲート(10)の出力がハイレベ
ルとなってNチャンネル型MOSトランジスタ(13)
がオンし、これよりデータバス(13)はハイレベルに
プリチャージされた状態からローレベルに引き下げら
れ、データバス(13)にはラッチ回路(4)の所定の
1ビット出力である「0」が出力されたことになる。こ
の動作は、プログラムカウンタ(3)によりEEPRO
M(2)をアクセスする場合も同様であるので、この場
合の動作説明は省略する。First, m-bit address data a is generated from the program counter (3), and the address data a is generated.
If a predetermined address of the mask ROM (1) is accessed by, the n-bit program data A is read from this address of the mask ROM (1) (it is assumed that the program data A corresponds to the address data a). ). The program data A is latched in the latch circuit (4) at the timing when the latch signal becomes high level. On the other hand, in the control section (6), the most significant bit "0" of the program data a is discriminated and a discrimination signal of "1" is output, and the discrimination signal is the NAND gate (7).
Applied to one of the input terminals. When the output enable signal goes high immediately after the latch signal, the output signal of the NAND gate (7) goes low and the output of the NOR gate (10) depends on the n-bit output of the latch circuit (4). It will be. On the other hand, as the precharge signal, a clock signal is applied, and the P-channel type MOS transistor (15) is turned on during the high level period of the clock signal, and the P-channel type MOS transistor (17) is accordingly turned on. The data bus (13) is kept on and precharged to the high level. Depending on the output of the NOR gate (10), N
When the channel type MOS transistor (12) is turned on / off, the level of the data bus (13) changes. For example, when the predetermined 1-bit output of the latch circuit (4) is "0", the output of the NOR gate (10) becomes high level and the N-channel type MOS transistor (13).
Is turned on, and the data bus (13) is pulled down from the high-level precharge state to the low level. The data bus (13) is a predetermined 1-bit output of the latch circuit (4) "0". Is output. This operation is performed by the program counter (3).
The same applies to the case of accessing M (2), so the description of the operation in this case will be omitted.
【0010】この様に、1チップ上において、1個のプ
ログラムカウンタ(3)でマスクROM(1)及びEE
PROM(2)をアクセスできる様に構成した為、携帯
用電子機器にこの1チップマイクロコンピュータを内蔵
して使用する場合においては、マスクROM(1)に長
時間使用するか又は将来書き換える必要のないプログラ
ムデータを書き込んでおき、EEPROM(2)に短時
間使用するか又は将来書き換える可能性のあるプログラ
ムデータを書き込んでおくことにより、電力消費量を低
減でき、更にプログラム変更を短時間に容易に実現でき
る効果が得られる。As described above, on one chip, the mask ROM (1) and the EE are provided by one program counter (3).
Since the PROM (2) is configured to be accessible, it is not necessary to use the mask ROM (1) for a long time or rewrite it in the future when using the built-in one-chip microcomputer in a portable electronic device. By writing the program data in advance and using it in the EEPROM (2) for a short time or writing it in the future, the power consumption can be reduced and the program can be easily changed in a short time. The effect that can be obtained is obtained.
【0011】尚、マスクROM(1)にEEPROM
(2)のプログラムデータの書き換えを指示する為のプ
ログラムデータを書き込んでおくと、1チップマイクロ
コンピュータ内部でEEPROM(2)のプログラムデ
ータの変更が可能となる。The mask ROM (1) has an EEPROM.
By writing the program data for instructing the rewriting of the program data of (2), the program data of the EEPROM (2) can be changed inside the one-chip microcomputer.
【0012】[0012]
【発明の効果】本発明によれば、データをマスク処理で
記憶する第1の不揮発性メモリと、データの書き込み及
び読み出しが可能な第2の不揮発性メモリとを同一チッ
プ上に集積化し、プログラムカウンタの第1範囲のアド
レスデータで第1の不揮発性メモリをアクセス可能と
し、プログラムカウンタの第2範囲のアドレスデータで
第2の不揮発性メモリをアクセス可能とした。そして、
第1の不揮発性メモリに長時間使用するか又は変更する
ことのないデータを記憶し、また、第2の不揮発性メモ
リに短時間使用するか又は変更する可能性のあるデータ
を記憶させることにより、プログラム変更が容易で且つ
低消費電力型の1チップマイクロコンピュータを提供で
きる利点が得られる。According to the present invention, a first non-volatile memory for storing data by mask processing and a second non-volatile memory capable of writing and reading data are integrated on the same chip, and a program is stored. The first non-volatile memory can be accessed by the first range address data of the counter, and the second non-volatile memory can be accessed by the second range address data of the program counter. And
By storing in the first non-volatile memory data that is not used or changed for a long time, and by storing in the second non-volatile memory data that may be used or changed for a short time. It is possible to provide an advantage that it is possible to provide a low power consumption one-chip microcomputer in which the program can be easily changed.
【図1】本発明の1チップマイクロコンピュータを示す
図である。FIG. 1 is a diagram showing a one-chip microcomputer of the present invention.
【図2】図1の動作を示すタイムチャートである。FIG. 2 is a time chart showing the operation of FIG.
(1) マスクROM (2) EEPROM (3) プログラムカウンタ (6) 制御部 (1) Mask ROM (2) EEPROM (3) Program counter (6) Control unit
Claims (2)
スデータによりアクセスされる、予めデータがマスク処
理で書き込まれた第1の不揮発性メモリと、 前記プログラムカウンタの第2範囲のアドレスデータに
よりアクセスされる、データの書き込み及び読み出しが
可能な第2の不揮発性メモリと、 前記第1の不揮発性メモリの読み出しデータをラッチす
る第1のラッチ回路と、 前記第2の不揮発性メモリの読み出しデータをラッチす
る第2のラッチ回路と、 前記プログラムカウンタから出力されるアドレスデータ
の上位xビットを判別し、前記第1又は第2のラッチ回
路の何れか一方のラッチ出力を選択的にデータバスへ送
出する為の選択信号を発生する制御部と、 を1チップ上に集積化したことを特徴とする1チップマ
イクロコンピュータ。1. A first non-volatile memory in which data is written in advance by mask processing, which is accessed by address data in a first range of a program counter, and is accessed by address data in a second range of the program counter. A second non-volatile memory capable of writing and reading data, a first latch circuit for latching read data of the first non-volatile memory, and latching read data of the second non-volatile memory To discriminate the upper x bits of the address data output from the second latch circuit and the program counter, and selectively output the latch output of either the first latch circuit or the second latch circuit to the data bus. A one-chip micro computer characterized by integrating a control unit for generating a selection signal of Over data.
又は変更することのないデータがマスク処理にて書き込
まれ、前記第2メモリには、短時間使用するか又は変更
する可能性のあるデータが書き込まれることを特徴とす
る請求項1記載の1チップマイクロコンピュータ。2. The first memory is used for masking to write data that will not be used or changed for a long time, and the second memory will be used or changed for a short time. The one-chip microcomputer according to claim 1, wherein certain data is written.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23146194A JPH0895942A (en) | 1994-09-27 | 1994-09-27 | One-chip microcomputer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23146194A JPH0895942A (en) | 1994-09-27 | 1994-09-27 | One-chip microcomputer |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0895942A true JPH0895942A (en) | 1996-04-12 |
Family
ID=16923878
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23146194A Pending JPH0895942A (en) | 1994-09-27 | 1994-09-27 | One-chip microcomputer |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0895942A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7543159B2 (en) | 2001-11-14 | 2009-06-02 | International Business Machines Corporation | Device and method with reduced information leakage |
-
1994
- 1994-09-27 JP JP23146194A patent/JPH0895942A/en active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7543159B2 (en) | 2001-11-14 | 2009-06-02 | International Business Machines Corporation | Device and method with reduced information leakage |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR940002754B1 (en) | Control method in a semiconductor integrated circuit device | |
US7581070B2 (en) | Multi-chip package device having alternately-enabled memory chips | |
US5987581A (en) | Configurable address line inverter for remapping memory | |
JP2784550B2 (en) | Semiconductor storage device | |
RU2189082C2 (en) | Circuit device with certain number of electronic circuit components | |
JP3153155B2 (en) | Semiconductor memory | |
JPH0895942A (en) | One-chip microcomputer | |
JP2004078772A (en) | Microcomputer device processing method during standby, and microcomputer device | |
KR100374367B1 (en) | Semiconductor memory | |
JPH087742B2 (en) | One-chip microcomputer | |
JPH03296986A (en) | Semiconductor storage device | |
KR920010468A (en) | Single chip microcomputer and electronic devices embedded therein | |
US7184357B2 (en) | Decoding circuit for memory device | |
EP0714060B1 (en) | One chip microcomputer with built-in non-volatile memory | |
US6845040B2 (en) | Nonvolatile memory | |
JPS623458B2 (en) | ||
KR900005315A (en) | Development Method of Data Processing System and Semiconductor Integrated Circuits for Data Processing | |
US5889706A (en) | Apparatus for and method of terminal setting of integrated circuit | |
JPS642177Y2 (en) | ||
JPH09114799A (en) | One chip microcomputer | |
JP2537489B2 (en) | Semiconductor memory device | |
JPH04102296A (en) | Semiconductor memory | |
JPS62107495A (en) | Semiconductor integrated circuit | |
JPH09114731A (en) | Microcomputer | |
JPS6220024Y2 (en) |