JPH0881771A - Film forming device and film forming method - Google Patents

Film forming device and film forming method

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JPH0881771A
JPH0881771A JP6221495A JP22149594A JPH0881771A JP H0881771 A JPH0881771 A JP H0881771A JP 6221495 A JP6221495 A JP 6221495A JP 22149594 A JP22149594 A JP 22149594A JP H0881771 A JPH0881771 A JP H0881771A
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JP
Japan
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film
chamber
adhesion
peeling
substrate
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JP6221495A
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Japanese (ja)
Inventor
Toshihiro Okuyama
利宏 奥山
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Nikon Corp
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Nikon Corp
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Abstract

PURPOSE: To reduce the happening of defects, such as pinhole, decrease the number of exchanges of a deposition preventive plate and enable long-term continuous operation by suppressing peeling of deposited films. CONSTITUTION: A peeling preventive film is formed by sputtering of Al, etc., on the surface of the deposition preventive plate 11 arranged in a chamber 4. The peeling preventive film relieves the stress of the adhered film 12 formed by adhesion and deposition of metallic particles at the time of film formation on a substrate and prevents the peeling thereof. Continuous operation is made possible by further forming the peeling preventive film when the adhered film 12 is formed.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、スパッタリングにより
金属薄膜を光磁気記録媒体の基板等に成膜する成膜装置
および成膜方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a film forming apparatus and a film forming method for forming a metal thin film on a substrate of a magneto-optical recording medium by sputtering.

【0002】[0002]

【従来の技術】光磁気記録媒体は、一度記録した情報を
消去することによって何度でも記録再生が可能なことか
ら、最近注目を浴びている高密度記録媒体である。ま
た、光磁気記録媒体は1ビット当たりのマーク長を更に
短縮し、記録案内溝のピッチ間隔を更に狭くすることに
よって一層の記録密度の向上が期待される。
2. Description of the Related Art A magneto-optical recording medium is a high-density recording medium which has recently attracted attention because it can be recorded and reproduced many times by erasing recorded information once. Further, in the magneto-optical recording medium, it is expected that the recording density will be further improved by further shortening the mark length per bit and further narrowing the pitch interval of the recording guide grooves.

【0003】一般に、光磁気記録媒体はアクリル樹脂、
エポキシ樹脂、ポリカーボネート樹脂等の熱硬化性樹
脂、またはガラスからなる基板の表面に鉄やコバルトな
どの遷移金属とテルビウム、ジスプロシウムやカドリニ
ウムのような希土類金属の合金薄膜からなる光磁気記録
膜を高真空状態で成膜し、その表面を無機保護層(Si
34等)と有機保護層(紫外線硬化樹脂)で保護するこ
とにより製作される。光磁気記録膜および無機保護層の
成膜には膜厚および組成を再現性よく成膜し、かつ基板
と薄膜の密着性がよい膜が得られるという特徴からスパ
ッタリング法が適している。
Generally, a magneto-optical recording medium is an acrylic resin,
A high-vacuum magneto-optical recording film made of an alloy thin film of a transition metal such as iron and cobalt and a rare earth metal such as terbium, dysprosium, and cadolinium is formed on the surface of a substrate made of epoxy resin, polycarbonate resin, or other thermosetting resin, or glass. Film is formed in the state, and the surface is covered with an inorganic protective layer (Si
3 N 4 ) and an organic protective layer (UV curable resin) for protection. The sputtering method is suitable for forming the magneto-optical recording film and the inorganic protective layer because of the features that the film thickness and composition can be formed with good reproducibility and a film having good adhesion between the substrate and the thin film can be obtained.

【0004】図2はこのようなスパッタリング法による
成膜装置の従来例を示す断面図である。この成膜装置1
は、真空ポンプ2によって内部が高真空に保持され、ま
たアルゴンガス(Ar)等の低圧不活性ガスを導入する
ための導入部3を有するチャンバー4を備えている。ま
た、チャンバー4の内部には、成膜材料(例えばTb22
Fe74Co4 合金)であるターゲット5と被スパッタリ
ング基材である光磁気記録媒体の基板6がそれぞれ配設
され、スパッタ用電源7に接続されている。また、基板
6は成膜時にモータ8によって回転される基板ホルダー
9に取り付けられている。成膜に際しては、真空ポンプ
2によりチャンバー4内を排気して真空度10-7Tor
r程度の高真空度に保った状態で、チャンバー4内に不
活性ガスを導入部3から導入しながらターゲット5に負
の電圧を印加する。すると、不活性ガスは電気的に加速
されてターゲット5の表面に衝突し、これによりターゲ
ット5の表面の原子または分子が放出されて基板6の表
面に付着堆積し、所望の記録膜10が成膜される。この
時、ターゲット5から放出された金属粒子の一部は、チ
ャンバー4の内壁面に付着堆積すると付着膜を形成す
る。そこで、これを防止するため通常チャンバー4内に
防着板11を設置している。
FIG. 2 is a sectional view showing a conventional example of a film forming apparatus using such a sputtering method. This film forming apparatus 1
Is provided with a chamber 4 which is maintained at a high vacuum by a vacuum pump 2 and which has an introduction portion 3 for introducing a low pressure inert gas such as argon gas (Ar). Further, inside the chamber 4, a film forming material (for example, Tb 22
A target 5 which is an Fe 74 Co 4 alloy) and a substrate 6 of a magneto-optical recording medium which is a substrate to be sputtered are respectively arranged and connected to a power supply 7 for sputtering. The substrate 6 is attached to a substrate holder 9 which is rotated by a motor 8 during film formation. When forming a film, the inside of the chamber 4 is evacuated by the vacuum pump 2 and the vacuum degree is 10 −7 Tor.
While maintaining a high degree of vacuum of about r, a negative voltage is applied to the target 5 while introducing an inert gas into the chamber 4 from the introduction part 3. Then, the inert gas is electrically accelerated and collides with the surface of the target 5, whereby atoms or molecules on the surface of the target 5 are released and adhered and deposited on the surface of the substrate 6 to form a desired recording film 10. To be filmed. At this time, a part of the metal particles released from the target 5 forms an adhered film when adhered and deposited on the inner wall surface of the chamber 4. Therefore, in order to prevent this, the deposition preventive plate 11 is usually installed in the chamber 4.

【0005】ところで、光磁気記録媒体として高い信頼
性を得るためには、ピンホールなどの欠陥が少ないほど
好ましい。そのため、スパッタリング作業はクリーン度
1000以下の部屋で行われている。しかし、従来の方
法では防着板11の表面に付着した付着膜12がスパッ
タリング中に剥離し、チャンバー4内に飛散すると基板
6に付着する可能性がある。そして、剥離片が付着した
まま成膜を継続すると、ピンホール等の欠陥となる。そ
のため、従来は防着板11に付着堆積した付着膜12が
剥離する前にクリーニングされた別の防着板と定期的も
しくは不定期に交換していた。交換に際しては、当然の
ことながらチャンバー4内を大気圧に戻して防着板11
を取り替える必要がある。
In order to obtain high reliability as a magneto-optical recording medium, it is preferable that there are few defects such as pinholes. Therefore, the sputtering work is performed in a room with a cleanliness of 1000 or less. However, in the conventional method, the adhered film 12 adhered to the surface of the deposition preventive plate 11 may be separated during the sputtering and scattered in the chamber 4 to adhere to the substrate 6. If film formation is continued with the peeling pieces attached, defects such as pinholes will occur. Therefore, conventionally, the adhesion film 12 adhered and deposited on the adhesion preventing plate 11 is regularly or irregularly replaced with another adhesion preventing plate that has been cleaned before being peeled off. At the time of replacement, as a matter of course, the inside of the chamber 4 is returned to the atmospheric pressure and the deposition-preventing plate 11
Need to be replaced.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】上記したように、従来
のこの種の成膜装置においては、成膜時に防着板11に
付着堆積した付着層12が剥離する前に防着板11を交
換していた。しかしながら、防着板11の交換は面倒で
時間を要し、しかもチャンバー4を大気圧に戻して行な
うため連続運転することができないという問題があっ
た。また、交換のための新しい防着板11を用意してお
かなければならないという問題もあった。
As described above, in the conventional film-forming apparatus of this type, the deposition-prevention plate 11 is exchanged before the adhesion layer 12 deposited and deposited on the deposition-prevention plate 11 during film formation is peeled off. Was. However, the replacement of the deposition-inhibitory plate 11 is troublesome and time-consuming, and since the chamber 4 is returned to atmospheric pressure, continuous operation cannot be performed. There is also a problem in that a new attachment-preventing plate 11 for replacement must be prepared.

【0007】したがって、本発明は上記したような従来
の問題点に鑑みてなされたもので、その目的とするとこ
ろは、付着膜の剥離を抑えることにより、ピンホール等
の欠陥の発生を低減すると共に防着板の交換回数を低減
することができ、連続運転を可能にした成膜装置および
成膜方法を提供することにある。
Therefore, the present invention has been made in view of the above-mentioned conventional problems, and an object thereof is to suppress the peeling of the adhered film, thereby reducing the occurrence of defects such as pinholes. Another object of the present invention is to provide a film forming apparatus and a film forming method that can reduce the number of times the deposition-prevention plate needs to be replaced and that enables continuous operation.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項1に記載の発明は、低圧不活性ガスの導入部
を有し内部が高真空に保持されるチャンバー内にターゲ
ットと基板を配置し、ターゲットのイオン照射によって
基板表面に金属薄膜を成膜する成膜装置において、前記
チャンバー内に配設されチャンバー内壁を金属粒子から
保護する防着板を備え、この防着板の表面に剥離防止膜
を形成したことを特徴とする。請求項2に記載の発明
は、低圧不活性ガスの導入部を有し内部が高真空に保持
されたチャンバー内にターゲットと基板を配置し、ター
ゲットのイオン照射によって基板表面に金属薄膜を成膜
する成膜方法において、前記チャンバー内に配設されチ
ャンバー内壁を金属粒子から保護する防着板の表面に直
接剥離防止膜を形成するかもしくは防着板表面に付着膜
が形成されるとその上に剥離防止膜を形成して成膜を行
い、さらに剥離防止膜上に付着膜が形成されると更にそ
の上に新たな剥離防止膜を形成して成膜を行うことを特
徴とする。請求項3に記載の発明は、請求項1に記載の
発明において、剥離防止膜がAl、Cu、Tiのうちの
いずれかであることを特徴とする。
In order to achieve the above object, the present invention according to claim 1 provides a target and a substrate in a chamber having a low-pressure inert gas inlet and having a high vacuum inside. In a film forming apparatus for arranging and depositing a metal thin film on the surface of a substrate by ion irradiation of a target, a deposition preventive plate that is disposed in the chamber and protects the inner wall of the chamber from metal particles is provided. The peeling prevention film is formed. In a second aspect of the present invention, the target and the substrate are arranged in a chamber having a low-pressure inert gas inlet and the inside of which is kept in a high vacuum, and a metal thin film is formed on the surface of the substrate by ion irradiation of the target. In the film forming method, the peeling prevention film is formed directly on the surface of the deposition preventing plate disposed in the chamber and protecting the inner wall of the chamber from metal particles, or when an adhesion film is formed on the deposition preventing plate surface. The peeling prevention film is formed on the film to form a film, and when the adhesion film is further formed on the peeling prevention film, a new peeling prevention film is further formed thereon to form the film. A third aspect of the invention is characterized in that, in the first aspect of the invention, the peeling prevention film is any one of Al, Cu, and Ti.

【0009】[0009]

【作用】本発明において、剥離防止膜は金属粒子の付着
堆積によって形成される付着膜の応力を緩和し、付着膜
の剥離を防止する。また、剥離防止膜は、金属粒子の付
着堆積によって付着膜が形成されると、その上にさらに
形成されることにより、新たに付着堆積される付着膜の
応力を緩和し、付着膜の剥離を防止する。これにより、
防着板の交換を不要にする。
In the present invention, the peeling prevention film alleviates the stress of the adhesion film formed by the adhesion and deposition of the metal particles, and prevents the adhesion film from peeling. Further, when the adhesion film is formed by the adhesion and deposition of the metal particles, the peeling prevention film is further formed on the adhesion prevention film to relieve the stress of the newly deposited adhesion film and to separate the adhesion film. To prevent. This allows
No need to replace the deposition shield.

【0010】[0010]

【実施例】以下、本発明を図面に示す実施例に基づいて
詳細に説明する。図1は本発明に係る成膜装置の一実施
例を示す要部断面図である。本発明はチャンバー4(図
1参照)内に配置される防着板11の表面全体に剥離防
止膜20を形成して成膜を行うようにしたものである。
剥離防止膜20としては、Al、Cu、Tiの金属をス
パッタリングすることで形成される。また、成膜中にタ
ーゲット5の金属粒子はその一部が剥離防止膜20に付
着堆積して付着膜12を形成するので、その膜厚が一定
の値になるかもしくは目的の記録膜10を数十ロット成
膜した後、付着膜12の上に更に新たな剥離防止膜2
0’を形成して成膜を行う。つまり、本発明において
は、剥離防止膜20を繰り返し形成することにより同一
の防着板11を何回でも使用するようにしたものであ
る。この場合、最初は防着板11の表面に剥離防止膜2
0を形成しておかず、成膜によって形成される付着膜1
2の厚みが一定の厚みになったらその上に剥離防止膜2
0を形成するようにしてもよい。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below in detail with reference to the embodiments shown in the drawings. FIG. 1 is a sectional view of an essential part showing an embodiment of a film forming apparatus according to the present invention. According to the present invention, the peeling preventing film 20 is formed on the entire surface of the deposition preventing plate 11 arranged in the chamber 4 (see FIG. 1) to form a film.
The peeling prevention film 20 is formed by sputtering a metal of Al, Cu, or Ti. Further, during the film formation, a part of the metal particles of the target 5 adheres and deposits on the peeling prevention film 20 to form the adhesion film 12, so that the film thickness becomes a constant value or the target recording film 10 is formed. After forming several tens of lots, a new peeling prevention film 2 is formed on the adhesion film 12.
0'is formed and a film is formed. That is, in the present invention, the same anti-adhesion plate 11 is used any number of times by repeatedly forming the peeling prevention film 20. In this case, first, the peeling prevention film 2 is formed on the surface of the deposition preventive plate 11.
Adhesive film 1 formed by film formation without forming 0
When the thickness of 2 becomes a certain thickness, the peeling prevention film 2 is formed on top of it.
You may make it form 0.

【0011】基板6への成膜に際しては、図1に示すよ
うに先ず成膜装置1の基板ホルダー9に例えば直径12
インチのガラス2P基板6をセットした状態で真空ポン
プ2によってチャンバー4内を真空度10-7Torr程
度まで排気する。基板ホルダー9を回転させながら基板
6上に無機保護層(Si34)、記録層(Tb22Fe74
Co4 )、さらに無機保護層(Si34)をスパッタリ
ング法によって成膜する。この構成を50ロットにわた
りスパッタリングを行った結果、防着板11の表面に付
着膜12が形成された。その後、防着板11の表面に形
成されている付着膜12の上に剥離防止膜20をAlの
スパッタリングによって基板6をセットしない状態で形
成した。以上の作業を繰り返したところ、従来の成膜方
法では防着板11からの付着膜12の剥離が見られた時
点になっても付着膜12の剥離は全く見られず、剥離防
止膜20の効果を確認することができた。これは、剥離
防着膜20によって付着膜12の応力を吸収緩和するこ
とにより付着膜12が剥離し難くなるためと思われる。
When forming a film on the substrate 6, first, as shown in FIG.
With the inch glass 2P substrate 6 set, the inside of the chamber 4 is evacuated to a vacuum degree of about 10 −7 Torr by the vacuum pump 2. While rotating the substrate holder 9, the inorganic protective layer (Si 3 N 4 ) and the recording layer (Tb 22 Fe 74 ) were formed on the substrate 6.
Co 4 ), and an inorganic protective layer (Si 3 N 4 ) are formed by sputtering. As a result of sputtering this structure for 50 lots, the adhesion film 12 was formed on the surface of the deposition preventing plate 11. After that, the peeling prevention film 20 was formed on the adhesion film 12 formed on the surface of the deposition preventing plate 11 by sputtering Al without the substrate 6 being set. When the above operation was repeated, no peeling of the adhesion film 12 was observed at the time when the peeling of the adhesion film 12 from the deposition preventive plate 11 was observed in the conventional film forming method. I was able to confirm the effect. It is considered that this is because the peeling-and-adhesion-preventing film 20 absorbs and relaxes the stress of the adhesion film 12 to make it difficult for the adhesion film 12 to peel off.

【0012】剥離防止膜20を形成した本発明方法と、
剥離防止膜を形成しない従来方法によって200ロット
のディスクをそれぞれ作製し、最後の20枚のディスク
について全領域でのビット・エラー・レートを測定した
ところ以下のような結果が得られた。本発明方法におい
ては、 20枚の平均ビット・エラー・レートが7.0×10-7
で、エラーレートが1×10-6以上のディスクは0枚で
あった。これに対して、従来方法においては、 20枚の平均ビット・エラー・レートが1.5×10-6
で、エラーレートが1×10-6以上のディスクは8枚で
あった。 この測定結果からも明かなように、本発明方法によれば
構造簡易にしてビット・エラー・レートを小さくするこ
とができ、付着膜の剥離によるディスクの欠陥を効果的
に軽減防止し得るものである。
The method of the present invention in which the peeling prevention film 20 is formed,
Discs of 200 lots were produced by the conventional method without forming the peeling prevention film, and the bit error rate in the entire area of the last 20 discs was measured. The following results were obtained. In the method of the present invention, the average bit error rate of 20 sheets is 7.0 × 10 −7.
The number of disks having an error rate of 1 × 10 −6 or more was zero. On the other hand, in the conventional method, the average bit error rate of 20 sheets is 1.5 × 10 −6.
The number of disks having an error rate of 1 × 10 −6 or more was 8. As is clear from this measurement result, according to the method of the present invention, the bit error rate can be reduced by simplifying the structure, and the defect of the disk due to the peeling of the adhered film can be effectively reduced and prevented. is there.

【0013】[0013]

【発明の効果】以上説明したように本発明に係る成膜装
置は、低圧不活性ガスの導入部を有し内部が高真空に保
持されるチャンバー内にターゲットと基板を配置し、タ
ーゲットのイオン照射によって基板表面に金属薄膜を成
膜する成膜装置において、前記チャンバー内に配設され
チャンバー内壁を金属粒子から保護する防着板を備え、
この防着板の表面に剥離防止膜を形成したので、付着膜
の剥離が少なく、付着膜の剥離によるピンホール等の欠
陥を軽減防止することができる。さらに、剥離防止膜を
スパッタリングによって形成すれば、チャンバー内を真
空に保つことができるので、防着板の交換回数を減らす
ことができ、長時間の連続運転が可能である。
As described above, in the film forming apparatus according to the present invention, the target and the substrate are placed in a chamber having a low-pressure inert gas introduction section and the inside of which is maintained in a high vacuum, and the target ion In a film forming apparatus for forming a metal thin film on the surface of a substrate by irradiation, a deposition preventive plate is provided in the chamber for protecting the inner wall of the chamber from metal particles,
Since the peeling-preventing film is formed on the surface of the adhesion-preventing plate, the peeling of the adhered film is small, and defects such as pinholes due to the peeling of the adhered film can be prevented. Furthermore, if the peeling prevention film is formed by sputtering, the inside of the chamber can be maintained in a vacuum, so that the number of times the anti-adhesion plate is replaced can be reduced and continuous operation for a long time is possible.

【0014】また、本発明による成膜方法は、付着膜が
形成される度にその上に新たな剥離防止膜を形成するよ
うにしているので、防着板を交換する必要がなく、1つ
の防着板を何度でも使用することができる。
Further, in the film forming method according to the present invention, a new peeling prevention film is formed on the adhered film every time it is formed. The protective plate can be used any number of times.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 本発明に係る成膜装置の一実施例を示す要部
断面図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view of essential parts showing an embodiment of a film forming apparatus according to the present invention.

【図2】 成膜装置の従来例を示す概略断面図である。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing a conventional example of a film forming apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…成膜装置、2…真空ポンプ、3…導入部、4…チャ
ンバー、5…ターゲット、6…基板、7…電源、8…モ
ータ、9…基板ホルダ、10記録膜、11…防着板、1
2…付着膜、20…剥離防止膜。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Film-forming apparatus, 2 ... Vacuum pump, 3 ... Introductory part, 4 ... Chamber, 5 ... Target, 6 ... Substrate, 7 ... Power supply, 8 ... Motor, 9 ... Substrate holder, 10 recording film, 11 ... Adhesion prevention plate 1
2 ... Adhesive film, 20 ... Peeling prevention film.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 低圧不活性ガスの導入部を有し内部が高
真空に保持されるチャンバー内にターゲットと基板を配
置し、ターゲットのイオン照射によって基板表面に金属
薄膜を成膜する成膜装置において、前記チャンバー内に
配設されチャンバー内壁を金属粒子から保護する防着板
を備え、この防着板の表面に剥離防止膜を形成したこと
を特徴とする成膜装置。
1. A film forming apparatus in which a target and a substrate are arranged in a chamber having a low-pressure inert gas introduction section and the inside of which is kept in a high vacuum, and a metal thin film is formed on the surface of the substrate by ion irradiation of the target. 2. A film forming apparatus, comprising: an adhesion preventing plate disposed inside the chamber for protecting an inner wall of the chamber from metal particles, and a peeling prevention film is formed on a surface of the adhesion preventing plate.
【請求項2】 低圧不活性ガスの導入部を有し内部が高
真空に保持されたチャンバー内にターゲットと基板を配
置し、ターゲットのイオン照射によって基板表面に金属
薄膜を成膜する成膜方法において、前記チャンバー内に
配設されチャンバー内壁を金属粒子から保護する防着板
の表面に直接剥離防止膜を形成するかもしくは防着板表
面に付着膜が形成されるとその上に剥離防止膜を形成し
て成膜を行い、さらに剥離防止膜上に付着膜が形成され
ると更にその上に新たな剥離防止膜を形成して成膜を行
うことを特徴とする成膜方法。
2. A film forming method in which a target and a substrate are placed in a chamber having a low-pressure inert gas inlet and a high vacuum inside, and a metal thin film is formed on the substrate surface by ion irradiation of the target. In the above, the peeling prevention film is formed directly on the surface of the deposition preventing plate which is disposed in the chamber and protects the chamber inner wall from metal particles, or when an adhesion film is formed on the surface of the deposition preventing plate. Is formed to form a film, and further, when an adhesion film is formed on the peeling prevention film, a new peeling prevention film is further formed thereon to form a film.
【請求項3】 請求項1記載の成膜装置において、剥離
防止膜がAl、Cu、Tiのうちのいずれかであること
を特徴とする成膜装置。
3. The film forming apparatus according to claim 1, wherein the peeling prevention film is any one of Al, Cu, and Ti.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001316812A (en) * 2000-04-28 2001-11-16 Ulvac Japan Ltd Aluminum nitride film-forming method
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