JPH0877959A - Ion doping device - Google Patents
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- JPH0877959A JPH0877959A JP6234039A JP23403994A JPH0877959A JP H0877959 A JPH0877959 A JP H0877959A JP 6234039 A JP6234039 A JP 6234039A JP 23403994 A JP23403994 A JP 23403994A JP H0877959 A JPH0877959 A JP H0877959A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、例えば薄膜トランジ
スタ方式の液晶ディスプレイの製造等に用いられるもの
であって、イオン源で発生させたイオンビームを質量分
離を行うことなくそのまま基板に照射してイオン注入を
行うイオンドーピング装置に関する。このようなイオン
ドーピング装置は、非質量分離型イオン注入装置とも呼
ばれる。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention is used, for example, in the manufacture of a thin film transistor type liquid crystal display and the like, in which an ion beam generated by an ion source is directly irradiated onto a substrate without mass separation. An ion doping apparatus for performing implantation. Such an ion doping apparatus is also called a non-mass separation type ion implantation apparatus.
【０００２】[0002]
【従来の技術】薄膜トランジスタ方式の液晶ディスプレ
イの高画質、高精細化を実現するために、従来からシリ
コン半導体分野で使用されてきたイオン注入技術が、上
記のような液晶ディスプレイの製造にも使用され始めて
いる。より具体的には、大面積化および高スループット
が可能であるという理由から、非質量分離型イオン注入
装置であるイオンドーピング装置が、薄膜トランジスタ
のソース・ドレイン領域の形成工程に使用され始めてい
る。2. Description of the Related Art In order to realize high image quality and high definition of a thin film transistor type liquid crystal display, the ion implantation technology which has been conventionally used in the field of silicon semiconductor is also used for manufacturing the above liquid crystal display. Have begun. More specifically, an ion doping apparatus, which is a non-mass separation type ion implantation apparatus, has begun to be used in the process of forming source / drain regions of thin film transistors, because it is possible to have a large area and high throughput.
【０００３】そのようなイオンドーピング装置の従来例
を図３に示す。このイオンドーピング装置は、ガス導入
口（より具体的にはガス導入ノズル）１２を有しており
かつ排気口４を経由して真空排気装置６によって真空排
気される真空容器２と、この真空容器２内に設けられて
いて処理しようとする基板１０を保持するホルダ８と、
この真空容器２にこの例では絶縁碍子３４を介して取り
付けられていてガス導入口１２から真空容器２内に導入
されたガスを用いてイオンビーム３２を発生させるイオ
ン源２０とを備えている。真空容器２内は、イオン注入
中は例えば１０-4Ｔｏｒｒ台に維持される。A conventional example of such an ion doping apparatus is shown in FIG. This ion doping apparatus has a gas introduction port (more specifically, a gas introduction nozzle) 12 and is evacuated by a vacuum evacuation device 6 via an evacuation port 4, and the vacuum container 2. A holder 8 for holding a substrate 10 to be processed, which is provided in 2;
In this example, the vacuum container 2 is provided with an ion source 20 that is attached via an insulator 34 and that generates an ion beam 32 using the gas introduced into the vacuum container 2 from the gas inlet 12. The inside of the vacuum chamber 2 is maintained at, for example, 10 −4 Torr level during ion implantation.
【０００４】ガス導入口１２には、原料ガス源４０から
の原料ガス４２が流量調整弁４４を経由して供給され
る。この原料ガス４２は、例えばＰＨ3 （ホスフィ
ン）、Ｂ2Ｈ6 （ジボラン）等のドーピング原料を、通
常はＨ2 等の希釈ガスで所望の濃度に希釈したものであ
り、より具体例としては５％ＰＨ3／Ｈ2である。A raw material gas 42 from a raw material gas source 40 is supplied to the gas inlet 12 via a flow rate adjusting valve 44. The raw material gas 42 is, for example, a doping raw material such as PH 3 (phosphine) or B 2 H 6 (diborane) diluted with a diluent gas such as H 2 to a desired concentration. It is 5% PH 3 / H 2 .
【０００５】イオン源２０は、この例では高周波イオン
源であり、共に高周波電極を兼ねるプラズマ生成容器２
２と背面板２４との間に、高周波電源２６から整合回路
２８を経由して高周波電力を供給して、プラズマ生成容
器２２内に高周波放電を生じさせるよう構成されてい
る。このプラズマ生成容器２２内には、真空容器２内に
導入された前記原料ガス４２が引出し電極系３０を通し
て拡散して来るので、上記高周波放電によってその原料
ガス４２がプラズマ化され、そこから、引出し電極系３
０における電界の作用で、イオンビーム３２が引き出さ
れる。３１は引出し電源である。The ion source 20 is a high frequency ion source in this example, and the plasma generating container 2 also serves as a high frequency electrode.
High frequency power is supplied from a high frequency power supply 26 through a matching circuit 28 between the rear plate 2 and the back plate 24 to generate a high frequency discharge in the plasma generation container 22. The raw material gas 42 introduced into the vacuum vessel 2 diffuses into the plasma generation container 22 through the extraction electrode system 30, so that the high-frequency discharge converts the raw material gas 42 into a plasma, and the plasma is extracted from the plasma. Electrode system 3
By the action of the electric field at 0, the ion beam 32 is extracted. Reference numeral 31 is a drawing power source.
【０００６】そしてこのイオンビーム３２は、質量分離
を行うことなくそのまま、ホルダ８に保持された基板１
０に照射され、イオン注入（イオンドーピング）が行わ
れる。Then, the ion beam 32 is directly subjected to the substrate 1 held by the holder 8 without mass separation.
0, and ion implantation (ion doping) is performed.
【０００７】このようなイオンドーピング装置は、これ
までは薄膜トランジスタの専らソース・ドレイン領域の
形成工程に使用されてきており、その場合、基板１０へ
のトータルドーズ量（リンやホウ素のような所望のドー
パントのドーズ量と水素のような希釈元素のドーズ量と
を合計したドーズ量）は１０15〜１０16ｉｏｎｓ／ｃｍ
2 程度が必要であり、しかもその場合でも高スループッ
トを実現するために、これまでは、イオン源２０から１
０μＡ／ｃｍ2 程度以上のビーム電流密度のイオンビー
ム３２を引き出すことのできる大電流機が使用されてき
た。Such an ion doping apparatus has hitherto been used exclusively in the step of forming the source / drain regions of a thin film transistor, and in that case, the total dose amount to the substrate 10 (a desired dose such as phosphorus or boron). The total dose amount of the dose amount of the dopant and the dose amount of the diluting element such as hydrogen is 10 15 to 10 16 ions / cm.
About 2 is required, and even in that case, in order to achieve high throughput, from the ion source 20 to 1
A large current machine capable of extracting the ion beam 32 having a beam current density of about 0 μA / cm 2 or more has been used.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】近年、上記のようなイ
オンドーピング装置を、薄膜トランジスタのソース・ド
レイン領域の形成工程だけでなく、ソース・ドレイン間
のチャネル部分に１０12〜１０13ｉｏｎｓ／ｃｍ2 程度
の低ドーズ量で注入（ドーピング）する工程にも使用し
たいという要望がある。In recent years, the ion doping apparatus as described above has been applied to not only the source / drain region forming step of a thin film transistor but also 10 12 to 10 13 ions / cm 2 in the channel portion between the source and drain. There is a demand for use in a step of implanting (doping) at a low dose amount.
【０００９】このような低ドーズ量注入の場合に、上記
のような大電流機をそのまま用いたのでは、注入時間が
極端に短くなり（例えばソース・ドレイン領域形成の場
合の１／１０００程度になり）、ドーズ量の制御ができ
なくなるという問題が生じる。これを詳述すると、この
種のイオンドーピング装置では、イオンビーム３２が大
面積である等の理由からイオンビーム３２を機械的に断
続するシャッタを設けることが難しく、通常は、イオン
源２０からのイオンビーム３２の引出し自体を断続する
という方法で注入時間を制御し、ひいてはドーズ量を制
御している。In the case of such a low dose implantation, if the large current machine as described above is used as it is, the implantation time becomes extremely short (for example, about 1/1000 that in the case of forming the source / drain regions). However, there arises a problem that the dose amount cannot be controlled. This will be described in detail. In this type of ion doping apparatus, it is difficult to provide a shutter that mechanically connects and disconnects the ion beam 32 because the ion beam 32 has a large area. The implantation time is controlled by a method of intermittently pulling out the ion beam 32 itself, and thus the dose amount is controlled.
【００１０】その場合、トータルドーズ量Ｄ（ｉｏｎｓ
／ｃｍ2 ）は、イオンビームのビーム電流密度をＪ（Ａ
／ｃｍ2 ）、注入時間をｔ（秒）、イオンの電気量をｑ
（１価イオンの場合は１．６×１０-19Ｃ）とすると、
次式で表される。In that case, the total dose amount D (ions
/ Cm 2 ) is the beam current density of the ion beam J (A
/ Cm 2 ), implantation time t (seconds), ion charge q
(1.6 × 10 -19 C for monovalent ions)
It is expressed by the following equation.
【００１１】[0011]
【数１】Ｄ＝Ｊ・ｔ／ｑ[Equation 1] D = J · t / q
【００１２】イオン源２０から引き出すイオンビーム３
２の電流密度Ｊを小さくするには限界があり、通常は最
大値の１／１０程度が限界である。これは、イオンビー
ム３２の電流密度を小さくしようとしてイオン源２０に
供給する高周波電力や真空容器２内に導入するガス流量
をあまり絞ると、イオン源２０内でプラズマが不安定に
なって消滅する等して、イオンビーム３２を安定して引
き出せなくなるからである。Ion beam 3 extracted from the ion source 20
There is a limit to reducing the current density J of 2 and usually about 1/10 of the maximum value is the limit. This is because if the high frequency power supplied to the ion source 20 or the gas flow rate introduced into the vacuum container 2 is reduced too much in order to reduce the current density of the ion beam 32, the plasma in the ion source 20 becomes unstable and disappears. This is because the ion beam 32 cannot be stably extracted.
【００１３】そこで、例えば前述した１０μＡ／ｃｍ2
の１／１０である１μＡ／ｃｍ2 の電流密度Ｊで１０12
のトータルドーズ量Ｄを注入するとした場合、注入時間
ｔは上記数１からも分かるように０．１６秒となってし
まい、これでは、イオンビーム３２の引き出しを断続す
る方法では制御することができない。同方法で制御可能
にするためには、注入時間ｔを２０秒程度以上にするの
が望ましい。Therefore, for example, the above-mentioned 10 μA / cm 2
10 12 at a current density J of 1 μA / cm 2 which is 1/10 of
When the total dose amount D is to be injected, the injection time t becomes 0.16 seconds as can be seen from the above mathematical expression 1, and this cannot be controlled by the method of intermittently extracting the ion beam 32. . In order to be controllable by the same method, it is desirable to set the injection time t to about 20 seconds or longer.
【００１４】上記のような低ドーズ量注入時の制御不能
の問題を避けるためには、例えば原料ガス源４０をソー
ス・ドレイン領域形成用のものより低濃度（低ドーピン
グ原料濃度。以下同じ）のもの（例えば０．１％ＰＨ3
／Ｈ2）に取り換えたり、あるいは図３中に２点鎖線で
示すように低ドーズ量注入専用の原料ガスラインを設け
なければならなかった。４６は低濃度の原料ガス４８を
供給する原料ガス源、５０はそれ用の流量調整弁であ
る。In order to avoid the problem of uncontrollability at the time of implanting a low dose as described above, for example, the source gas source 40 has a lower concentration (lower doping source concentration; hereinafter the same) than that for forming the source / drain regions. Thing (eg 0.1% PH 3
/ H 2 ), or it was necessary to provide a source gas line exclusively for low dose injection as shown by the chain double-dashed line in FIG. 46 is a source gas source for supplying a low concentration source gas 48, and 50 is a flow rate adjusting valve therefor.
【００１５】このようにして低濃度の原料ガスを用いる
と、そのぶんイオンビーム３２中に含まれているドーパ
ントの割合が小さくなるので、トータルドーズ量を小さ
くしなくても、実質的に所望の低ドーズ量注入を実現す
ることができる。When the raw material gas having a low concentration is used in this manner, the proportion of the dopant contained in the ion beam 32 is reduced accordingly, so that it is substantially desired even if the total dose amount is not reduced. It is possible to realize low dose implantation.
【００１６】しかし、上記のように低濃度の原料ガス源
を用いる場合、その原料ガスの濃度に誤差が発生しやす
く、その誤差によって、所望のドーパントのドーズ量に
誤差が発生するという問題がある。However, when a low-concentration source gas source is used as described above, an error easily occurs in the concentration of the source gas, and the error causes an error in the dose amount of a desired dopant. .
【００１７】また、原料ガスの利用可能な濃度の範囲を
広くするためには、多数の原料ガス源（具体的には原料
ガスボンベ）を交換したり、多数の原料ガスラインを設
けたりしなければならず、いずれも大変面倒であり、従
って現実的には、利用可能な原料ガス濃度の範囲が狭い
という問題がある。In order to widen the range of usable concentration of the raw material gas, it is necessary to replace a large number of raw material gas sources (specifically, raw material gas cylinders) or provide a large number of raw material gas lines. However, all of them are very troublesome, and therefore, there is a problem that the range of usable source gas concentration is narrow in reality.
【００１８】そこでこの発明は、広範囲の原料ガス濃度
でのイオン注入が可能であり、しかも低原料ガス濃度で
のイオン注入が原料ガス源からの原料ガスの濃度の誤差
に左右されずに可能であり、それによって低ドーズ量注
入においても制御性およびドーズ量精度の高いイオンド
ーピング装置を提供することを主たる目的とする。Therefore, according to the present invention, ion implantation can be performed in a wide range of source gas concentrations, and ion implantation in a low source gas concentration is possible without being affected by an error in the concentration of the source gas from the source gas source. Therefore, it is a main object of the present invention to provide an ion doping apparatus having high controllability and high dose accuracy even in low dose implantation.
【００１９】[0019]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明のイオンドーピング装置は、ドーピング原
料を含む原料ガスを前記ガス導入口に供給する原料ガス
源と、この原料ガス源から前記ガス導入口に至るガスラ
インに互いに並列に挿入されていて最小制御流量が相対
的に小さい第１の流量調整弁および最小制御流量が相対
的に大きい第２の流量調整弁と、この第１の流量調整弁
のガスラインと第２の流量調整弁のガスラインとを択一
的に切り換えて開く原料ガス用弁と、原料ガスの希釈用
の希釈ガスを前記ガス導入口に供給する希釈ガス源と、
この希釈ガス源から前記ガス導入口に至るガスラインに
挿入された第３の流量調整弁と、この第３の流量調整弁
のガスラインを開閉する希釈ガス用弁と、前記真空容器
内のガス中に含まれるドーピング原料の量を計測する計
測器と、この計測器からの計測信号に応答して前記第１
および第３の流量調整弁を制御して、両流量調整弁を流
れる合計のガス流量を一定に保ちつつ、前記真空容器内
のガス中に含まれるドーピング原料の濃度が一定になる
ように、両流量調整弁を流れるガスの流量をそれぞれ制
御する制御装置とを備えることを特徴とする。In order to achieve the above object, an ion doping apparatus of the present invention comprises a source gas source for supplying a source gas containing a doping source to the gas inlet, and a source gas source for supplying the source gas to the gas. A first flow rate adjusting valve having a relatively small minimum control flow rate and a second flow rate adjusting valve having a relatively high minimum control flow rate, which are inserted in parallel with each other in the gas line leading to the introduction port; and the first flow rate. A raw material gas valve which is opened by selectively switching the gas line of the regulating valve and the gas line of the second flow rate regulating valve, and a diluting gas source for supplying a diluting gas for diluting the raw material gas to the gas inlet port. ,
A third flow rate adjusting valve inserted in a gas line from the dilution gas source to the gas introduction port, a diluent gas valve for opening and closing the gas line of the third flow rate adjusting valve, and a gas in the vacuum container A measuring instrument for measuring the amount of the doping raw material contained therein, and the first instrument in response to a measurement signal from this instrument.
And controlling the third flow rate adjusting valve to keep the total gas flow rate flowing through both flow rate adjusting valves constant, and to keep the concentration of the doping material contained in the gas in the vacuum vessel constant. And a control device for controlling the flow rate of each gas flowing through the flow rate adjusting valve.
【００２０】[0020]
【作用】上記構成によれば、原料ガス用弁によって第２
の流量調整弁のガスラインを開き、かつ希釈ガス用弁を
閉じておくことにより、原料ガス源からの原料ガスを希
釈せずにそのままガス導入口へ供給して真空容器内に導
入することができる。これによって、高い原料ガス濃度
でのイオン注入が可能であり、高ドーズ量注入を行うこ
とができる。According to the above construction, the source gas valve allows the second
By opening the gas line of the flow rate adjustment valve and closing the dilution gas valve, the raw material gas from the raw material gas source can be directly supplied to the gas inlet without dilution and introduced into the vacuum container. it can. This enables ion implantation with a high source gas concentration, and high dose implantation.
【００２１】一方、原料ガス用弁によって第１の流量調
整弁のガスラインを開き、かつ希釈ガス用弁を開くこと
により、原料ガス源からの原料ガスを低流量でガス導入
口へ供給すると同時に、希釈ガス源からの希釈ガスをガ
ス導入口へ供給することができ、それによって原料ガス
を低濃度に希釈して真空容器内に導入することができ
る。これによって、低原料ガス濃度でのイオン注入が可
能であり、低ドーズ量注入を行うことができる。従っ
て、低ドーズ量注入における制御性が高い。On the other hand, by opening the gas line of the first flow rate adjusting valve by the raw material gas valve and opening the dilution gas valve, the raw material gas from the raw material gas source is supplied to the gas introduction port at a low flow rate. The diluent gas from the diluent gas source can be supplied to the gas introduction port, whereby the raw material gas can be diluted to a low concentration and introduced into the vacuum container. This enables ion implantation with a low source gas concentration and low dose implantation. Therefore, the controllability in the low dose implantation is high.
【００２２】しかもその場合、計測器によって真空容器
内のガス中に含まれるドーピング原料の量が計測され、
その濃度が一定になるように、制御装置によって、第１
の流量調整弁を流れる原料ガスの流量および第３の流量
調整弁を流れる希釈ガスの流量が制御されるので、原料
ガス源からの原料ガスの濃度の誤差に左右されることな
く、高いドーズ量精度の注入が可能になる。Moreover, in that case, the amount of the doping raw material contained in the gas in the vacuum container is measured by the measuring device,
The controller controls the first concentration so that the concentration becomes constant.
Since the flow rate of the raw material gas flowing through the flow rate adjusting valve and the flow rate of the diluting gas flowing through the third flow rate adjusting valve are controlled, a high dose amount can be obtained without being affected by an error in the concentration of the raw material gas from the raw material gas source. Precision injection is possible.
【００２３】[0023]
【実施例】図１は、この発明の一実施例に係るイオンド
ーピング装置を示す図である。図３の従来例と同一また
は相当する部分には同一符号を付し、以下においては当
該従来例との相違点を主に説明する。1 is a view showing an ion doping apparatus according to an embodiment of the present invention. The same or corresponding portions as those of the conventional example in FIG. 3 are denoted by the same reference numerals, and the differences from the conventional example will be mainly described below.
【００２４】このイオンドーピング装置は、真空容器２
のガス導入口１２へのガスラインを構成するものとし
て、次のようなものを備えている。This ion doping apparatus has a vacuum container 2
The following is provided as a component of the gas line to the gas inlet 12 of the above.
【００２５】即ち、このイオンドーピング装置は、ドー
ピング原料を含む原料ガス５４をガス導入口１２に供給
する原料ガス源５２と、この原料ガス源５２からガス導
入口１２に至るガスラインに互いに並列に挿入されてい
て、最小制御流量が相対的に小さい第１の流量調整弁６
０および最小制御流量が相対的に大きい第２の流量調整
弁６２と、この流量調整弁６０のガスラインと流量調整
弁６２のガスラインとを択一的に切り換えて開く原料ガ
ス用弁５６および５８と、原料ガス５４の希釈用の希釈
ガス６６をガス導入口１２に供給する希釈ガス源６４
と、この希釈ガス源６４からガス導入口１２に至るガス
ラインに挿入された第３の流量調整弁７０と、この流量
調整弁７０のガスラインを開閉する希釈ガス用弁６８と
を備えている。That is, in this ion doping apparatus, a source gas source 52 for supplying a source gas 54 containing a doping source to the gas inlet 12 and a gas line extending from the source gas source 52 to the gas inlet 12 are arranged in parallel with each other. The first flow rate adjusting valve 6 that is inserted and has a relatively small minimum control flow rate.
0 and a second flow rate adjusting valve 62 having a relatively small minimum control flow rate, and a raw material gas valve 56 that opens by selectively switching between the gas line of the flow rate adjusting valve 60 and the gas line of the flow rate adjusting valve 62, and 58 and a diluent gas source 64 for supplying a diluent gas 66 for diluting the source gas 54 to the gas inlet 12.
And a third flow rate adjusting valve 70 inserted in a gas line from the dilution gas source 64 to the gas inlet 12, and a dilution gas valve 68 for opening and closing the gas line of the flow rate adjusting valve 70. .
【００２６】原料ガス５４は、例えばＰＨ3 、Ｂ2Ｈ6
等のドーピング原料を、通常はＨ2等の希釈ガスで所望
の濃度に希釈したものであり、より具体例としては５％
ＰＨ3／Ｈ2である。The source gas 54 is, for example, PH 3 , B 2 H 6
Etc. are usually diluted with a diluent gas such as H 2 to a desired concentration, and more specifically, 5%
PH 3 / H 2 .
【００２７】原料ガス用弁５６および５８は、流量調整
弁６０および６２のガスラインにそれぞれ直列に挿入さ
れていて、そこを流れる原料ガス５４を断続するもので
あり、後述する制御装置８０によって、相補的に（即ち
一方が開なら他方は閉というように）開閉される。両原
料ガス用弁５６、５８は例えば電磁弁である。The raw material gas valves 56 and 58 are inserted in series in the gas lines of the flow rate adjusting valves 60 and 62, respectively, and connect and disconnect the raw material gas 54 flowing therethrough. They are opened and closed complementarily (ie one is open and the other is closed). Both raw material gas valves 56 and 58 are, for example, solenoid valves.
【００２８】流量調整弁６０は例えば最大流量が１ｃｃ
ｍのものであり、流量調整弁６２は例えば最大流量が１
００ｃｃｍのものである。これらの流量調整弁６０およ
び６２の制御可能領域は、通常、最大流量の２％〜１０
０％であるので、最大流量に応じて最小制御流量も、流
量調整弁６０側は相対的に小さく流量調整弁６２側は相
対的に大きくなる。The flow rate adjusting valve 60 has a maximum flow rate of 1 cc, for example.
The flow rate adjusting valve 62 has a maximum flow rate of 1
It is of 00 ccm. The controllable area of these flow control valves 60 and 62 is typically 2% to 10% of the maximum flow rate.
Since it is 0%, the minimum control flow rate according to the maximum flow rate is relatively small on the flow rate adjusting valve 60 side and relatively large on the flow rate adjusting valve 62 side.
【００２９】希釈ガス６６は例えば１００％Ｈ2 であ
り、希釈ガス用弁６８は例えば電磁弁であり、流量調整
弁７０は例えば最大流量が１００ｃｃｍのものである。The diluting gas 66 is, for example, 100% H 2 , the diluting gas valve 68 is, for example, a solenoid valve, and the flow rate adjusting valve 70 has, for example, a maximum flow rate of 100 ccm.
【００３０】なお、原料ガス源５２および希釈ガス源６
４の出口側には、通常は、ガス圧を調整する圧力調整弁
がそれぞれ設けられるが、ここではその図示を省略して
いる。The source gas source 52 and the dilution gas source 6
Normally, a pressure adjusting valve for adjusting the gas pressure is provided on each of the outlet sides of 4, but the illustration thereof is omitted here.
【００３１】このイオンドーピング装置は、更に、真空
容器２内のガス中に含まれるドーピング原料の量を計測
する計測器７２と、この計測器７２からの計測信号に応
答して流量調整弁６０および７０を制御して、両流量調
整弁６０および７０を流れる合計のガス流量（即ち原料
ガス５４と希釈ガス６６の合計の流量）を一定に保ちつ
つ、真空容器２内のガス中に含まれるドーピング原料の
濃度が一定になるように、流量調整弁６０および７０を
流れる原料ガス５４および希釈ガス６６の流量をそれぞ
れ制御する制御装置８０とを備えている。The ion doping apparatus further comprises a measuring instrument 72 for measuring the amount of the doping raw material contained in the gas in the vacuum container 2, and a flow rate adjusting valve 60 and a flow control valve 60 in response to a measurement signal from the measuring instrument 72. Doping contained in the gas in the vacuum container 2 while controlling 70 to keep the total gas flow rate (that is, the total flow rate of the raw material gas 54 and the dilution gas 66) flowing through both the flow rate adjusting valves 60 and 70 constant. A control device 80 is provided to control the flow rates of the raw material gas 54 and the diluent gas 66 flowing through the flow rate adjusting valves 60 and 70 so that the raw material concentration becomes constant.
【００３２】計測器７２は、例えば四重極型質量分析計
であり、真空容器２内のドーピング原料（例えばＰ
Ｈ3 ）の分圧を計測することにより、真空容器２内のガ
ス中に含まれるドーピング原料の量を計測するものであ
るが、四重極型質量分析計以外のもの、例えば真空容器
２内のガス中に含まれているドーピング原料の濃度を計
測するもの等でも良い。The measuring instrument 72 is, for example, a quadrupole mass spectrometer, and the doping raw material (for example, P
The amount of the doping raw material contained in the gas in the vacuum container 2 is measured by measuring the partial pressure of H 3 ), but other than the quadrupole mass spectrometer, for example, in the vacuum container 2 It may be one that measures the concentration of the doping material contained in the gas.
【００３３】更にこのイオンドーピング装置は、必須で
はないけれども、基板１０に照射されるイオンビーム３
２のビーム電流を計測するファラデーカップ７４と、そ
れで計測したビーム電流を積算する電流積算器７６とを
備えており、これらによって、前記数１に示した、トー
タルドーズ量Ｄの計算の元になるＪ・ｔに相当する信号
を制御装置８０に与えることができる。Further, although the ion doping apparatus is not essential, the ion beam 3 with which the substrate 10 is irradiated.
The Faraday cup 74 for measuring the beam current of No. 2 and the current integrator 76 for integrating the beam current measured by the Faraday cup 74 are provided, which are the basis of the calculation of the total dose amount D shown in the above-mentioned mathematical expression 1. A signal corresponding to J · t can be given to the controller 80.
【００３４】制御装置８０は、シーケンサおよびＤ／Ａ
変換器等を有しており、計測器７２からの計測信号に応
答して流量調整弁６０および７０の開度を調整して、上
記のような制御を行う。The controller 80 includes a sequencer and a D / A.
It has a converter and the like, and adjusts the opening of the flow rate adjusting valves 60 and 70 in response to the measurement signal from the measuring instrument 72 to perform the above control.
【００３５】また、この制御装置８０には、この例で
は、原料ガス濃度およびトータルドーズ量等を設定可能
であり、これらの設定値に応じて、原料ガス用弁５８の
みを開いて流量調整弁６２のガスラインのみを選択する
第１のモードと、原料ガス用弁５８を閉じ原料ガス用弁
５６および希釈ガス用弁６８を開いて流量調整弁６０お
よび７０のガスラインを選択する第２のモードとを切り
換えることができる。Further, in this example, the raw material gas concentration, the total dose amount, etc. can be set in the control device 80, and only the raw material gas valve 58 is opened according to these set values, and the flow rate adjusting valve is set. A first mode in which only the gas line 62 is selected, and a second mode in which the material gas valve 58 is closed and the material gas valve 56 and the dilution gas valve 68 are opened to select the gas lines of the flow rate adjusting valves 60 and 70. You can switch between modes.
【００３６】このようにこのイオンドーピング装置は、
流量調整弁６２のガスラインのみを選択する第１のモー
ドと、流量調整弁６０のガスラインを選択しかつ流量調
整弁７０のガスラインを開く第２のモードとを切り換え
ることができ、それによって広範囲の原料ガス濃度での
イオン注入が可能になる。Thus, this ion doping apparatus is
It is possible to switch between a first mode in which only the gas line of the flow rate adjusting valve 62 is selected and a second mode in which the gas line of the flow rate adjusting valve 60 is selected and the gas line of the flow rate adjusting valve 70 is opened. Ion implantation is possible in a wide range of source gas concentrations.
【００３７】即ち、第１のモードでは、原料ガス用弁５
８を開いて流量調整弁６２のガスラインのみを選択する
ことにより、原料ガス源５２からの原料ガス５４を希釈
せずにそのままガス導入口１２へ供給して真空容器２内
に導入することができる。これによって、高い原料ガス
濃度でのイオン注入が可能であり、高ドーズ量注入を行
うことができる。That is, in the first mode, the source gas valve 5
By opening 8 and selecting only the gas line of the flow rate adjusting valve 62, the raw material gas 54 from the raw material gas source 52 can be directly supplied to the gas inlet 12 without being diluted and introduced into the vacuum container 2. it can. This enables ion implantation with a high source gas concentration, and high dose implantation.
【００３８】一方、第２のモードでは、原料ガス用弁５
８を閉じかつ原料ガス用弁５８を開いて流量調整弁６０
のガスラインを選択し、かつ希釈ガス用弁６８を開くこ
とにより、原料ガス源５２からの原料ガス５４を低流量
でガス導入口１２へ供給すると同時に、希釈ガス源６４
からの希釈ガス６６をガス導入口１２へ供給することが
でき、それによって原料ガス５４を低濃度に希釈して真
空容器２内に導入することができる。これによって、低
原料ガス濃度でのイオン注入が可能であり、低ドーズ量
注入を行うことができる。On the other hand, in the second mode, the source gas valve 5
8 is closed and the raw material gas valve 58 is opened to open the flow rate adjusting valve 60.
Gas line is selected and the diluent gas valve 68 is opened to supply the raw material gas 54 from the raw material gas source 52 to the gas introduction port 12 at a low flow rate, and at the same time, to supply the diluent gas source 64.
It is possible to supply the dilution gas 66 from No. 1 to the gas introduction port 12, whereby the raw material gas 54 can be diluted to a low concentration and introduced into the vacuum container 2. This enables ion implantation with a low source gas concentration and low dose implantation.
【００３９】例えば、薄膜トランジスタのソース・ドレ
イン領域への注入等のためにトータルドーズ量が１０15
〜１０16ｉｏｎｓ／ｃｍ2 に設定された場合、制御装置
８０の上記のような制御によって第１のモードが選択さ
れ、原料ガス源５２からの原料ガス５４を希釈せずにそ
のまま用いるイオン注入が行われる。For example, the total dose is 10 15 because of implantation into the source / drain regions of the thin film transistor.
When set to -10 16 ions / cm 2 , the first mode is selected by the control of the controller 80 as described above, and the source gas 54 from the source gas source 52 is used as it is without being diluted. Done.
【００４０】一方、薄膜トランジスタのチャネル部分へ
の注入等のためにトータルドーズ量が１０12〜１０13ｉ
ｏｎｓ／ｃｍ2 に設定された場合、制御装置８０の上記
のような制御によって第２のモードが選択され、原料ガ
ス源５２からの原料ガス５４を希釈ガス６６で希望の濃
度に希釈して用いるイオン注入が行われる。On the other hand, the total dose is 10 12 to 10 13 i due to injection into the channel portion of the thin film transistor.
When set to ons / cm 2 , the second mode is selected by the control of the controller 80 as described above, and the raw material gas 54 from the raw material gas source 52 is diluted with the diluent gas 66 to a desired concentration for use. Ion implantation is performed.
【００４１】例えば、０．１％ＰＨ3／Ｈ2のガスを４０
ｃｃｍの流量で真空容器２内に供給しながらイオン注入
を行う場合、５％ＰＨ3／Ｈ2の原料ガス５４を流量調整
弁６０から０．８ｃｃｍ供給し、１００％ＰＨ3／Ｈ2の
希釈ガス６６を流量調整弁７０から３９．２ｃｃｍ供給
する。For example, 40% of 0.1% PH 3 / H 2 gas is used.
When ion implantation is performed while supplying into the vacuum chamber 2 at a flow rate of ccm, 0.8% of a source gas 54 of 5% PH 3 / H 2 is supplied from a flow rate adjusting valve 60 to dilute 100% PH 3 / H 2 . The gas 66 is supplied from the flow rate adjusting valve 70 at 39.2 ccm.
【００４２】上記第１のモードと第２のモードとの切り
換えは、例えば次のような条件に従って行われる。即
ち、イオン源２０から引き出すイオンビーム３２の最低
の電流密度Ｊを１μＡ／ｃｍ2 とし、最低の注入時間ｔ
を２０秒とすると、その条件でのトータルドーズ量Ｄ
は、前述した数１から、Ｄ＝１．２５×１０14（ｉｏｎ
ｓ／ｃｍ2 ）となる。従って、これ以下のトータルドー
ズ量が設定された場合は、第２のモードが選択される。The switching between the first mode and the second mode is performed, for example, under the following conditions. That is, the minimum current density J of the ion beam 32 extracted from the ion source 20 is set to 1 μA / cm 2 , and the minimum implantation time t
Is 20 seconds, the total dose D under that condition
Is expressed as D = 1.25 × 10 14 (ion
s / cm 2 ). Therefore, when the total dose amount less than this is set, the second mode is selected.
【００４３】第２のモードの場合は、希釈された低濃度
の原料ガスを用いることによって、イオンビーム３２中
に含まれているリンのようなドーパントの割合を小さく
することができるので、トータルドーズ量を小さくしな
くても、実質的に所望の低ドーズ量注入を実現すること
ができる。トータルドーズ量を小さくしなくても良いと
いうことは、注入時間を短く、例えば制御不能になるほ
ど短くしなくて済むということであり、従って低ドーズ
量注入における制御性が高い。In the case of the second mode, the ratio of the dopant such as phosphorus contained in the ion beam 32 can be reduced by using the diluted low concentration source gas, so that the total dose can be reduced. Substantially the desired low dose implant can be achieved without reducing the dose. The fact that the total dose amount does not have to be made small means that the implantation time is short and, for example, does not need to be so short as to make control uncontrollable. Therefore, the controllability in the low dose implantation is high.
【００４４】しかも第２のモードの場合、計測器７２に
よって真空容器２内のガス中に含まれるドーピング原料
の量が計測され、その濃度が一定になるように、制御装
置８０によって、流量調整弁６０を流れる原料ガス５４
の流量および流量調整弁７０を流れる希釈ガス６６の流
量が制御されるので、原料ガス源５２からの原料ガス５
４の濃度の誤差に左右されることなく、高いドーズ量精
度の注入が可能になる。Moreover, in the second mode, the measuring device 72 measures the amount of the doping raw material contained in the gas in the vacuum container 2, and the controller 80 controls the flow rate adjusting valve so that the concentration becomes constant. Source gas 54 flowing through 60
And the flow rate of the diluent gas 66 flowing through the flow rate adjusting valve 70 are controlled, so that the source gas 5 from the source gas source 52 is
It is possible to perform injection with high dose accuracy without being affected by the concentration error of No. 4.
【００４５】図２は、シリコン基板にリンを注入したと
きの原料ガス濃度およびトータルドーズ量に対するシー
ト抵抗の測定結果の一例を示す図である。このときの条
件は、シリコン基板はｐ形のＣＺ結晶で方位が〈１０
０〉のもの、真空容器内の圧力は３．０×１０-4Ｔｏｒ
ｒ、イオンビームのエネルギーは１００ｋｅＶ、ビーム
電流密度は１μＡ／ｃｍ2 、アニール処理は窒素中にお
いて９５０℃、３０分間であった。FIG. 2 is a diagram showing an example of the measurement results of the sheet resistance with respect to the source gas concentration and the total dose amount when phosphorus is injected into the silicon substrate. The condition at this time is that the silicon substrate is a p-type CZ crystal and the orientation is <10.
0>, the pressure inside the vacuum container is 3.0 × 10 −4 Tor
r, the energy of the ion beam was 100 keV, the beam current density was 1 μA / cm 2 , and the annealing treatment was performed at 950 ° C. for 30 minutes in nitrogen.
【００４６】この図から、同じシート抵抗、例えば３×
１０2 Ω／□のシート抵抗を実現したいとき、５．０８
％ＰＨ3／Ｈ2の原料ガスを用いる場合に比べて、例えば
０．５０２％ＰＨ3／Ｈ2の原料ガスを用いればトータル
ドーズ量を約１０倍にして注入することができ、例えば
０．１０２％ＰＨ3／Ｈ2の原料ガスを用いればトータル
ドーズ量を約１００倍にして注入することができる、と
いうことが分かる。トータルドーズ量を小さくしなくて
良ければ、そのぶん、前述したように注入時間を短くせ
ずに済むので、制御性が向上する。From this figure, the same sheet resistance, eg 3 ×
To achieve a sheet resistance of 10 2 Ω / □, 5.08
As compared with the case of using the source gas of% PH 3 / H 2 , for example, using the source gas of 0.502% PH 3 / H 2 , the total dose amount can be increased about 10 times and the injection can be performed, for example. It can be seen that the total dose amount can be increased about 100 times and the injection can be performed by using the source gas of 102% PH 3 / H 2 . If the total dose amount does not have to be reduced, the control time is improved because the injection time need not be shortened as described above.
【００４７】なお、原料ガス用弁５６、５８および希釈
ガス用弁６８の上記のような開閉の制御は、制御装置８
０以外のもの、例えば他の制御装置あるいは手動操作等
によって行うようにしても良い。The control of the opening and closing of the raw material gas valves 56 and 58 and the dilution gas valve 68 as described above is performed by the control device 8.
Other than 0, for example, may be performed by another control device or manual operation.
【００４８】また、上記のような二つの原料ガス用弁５
６および５８を用いる代わりに、原料ガス源５２からの
原料ガス５４を、流量調整弁６０と６２とに択一的に切
り換えて供給する一つの切換弁を用いても良い。Further, the two source gas valves 5 as described above are used.
Instead of using 6 and 58, one switching valve that supplies the source gas 54 from the source gas source 52 by selectively switching to the flow rate adjusting valves 60 and 62 may be used.
【００４９】また、必要に応じて、制御装置８０によっ
て更に流量調整弁６２を制御して、そこを流れる原料ガ
ス５４の流量をも制御するようにしても良い。If necessary, the controller 80 may further control the flow rate adjusting valve 62 to control the flow rate of the raw material gas 54 flowing therethrough.
【００５０】また、イオン源２０は、上記例のような高
周波イオン源以外のイオン源、例えば多極磁場を用いる
バケット型イオン源等でも良い。The ion source 20 may be an ion source other than the high frequency ion source as in the above example, for example, a bucket type ion source using a multipole magnetic field.
【００５１】[0051]
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、第２の
流量調整弁のガスラインを選択する第１のモードと、第
１の流量調整弁のガスラインを選択しかつ第３の流量調
整弁のガスラインを開く第２のモードとを切り換えるこ
とができ、第１のモードでは原料ガス源からの原料ガス
を希釈せずにそのまま、第２のモードでは原料ガス源か
らの原料ガスを絞ると共に希釈ガスによって希釈して、
それぞれ真空容器内に供給することができるので、広範
囲の原料ガス濃度でのイオン注入が可能になる。その結
果、低ドーズ量注入おいても、注入時間をあまり短くせ
ずに済むので、制御性が向上する。As described above, according to the present invention, the first mode for selecting the gas line of the second flow rate adjusting valve and the third mode for selecting the gas line of the first flow rate adjusting valve. It is possible to switch between the second mode in which the gas line of the adjusting valve is opened, the raw material gas from the raw material gas source is not diluted in the first mode, and the raw material gas from the raw material gas source is used in the second mode. Squeeze and dilute with diluent gas,
Since each can be supplied into the vacuum container, it is possible to perform ion implantation in a wide range of source gas concentrations. As a result, the controllability is improved because the implantation time does not need to be shortened so much even in the low dose implantation.
【００５２】しかも、第２のモードによって低原料ガス
濃度で注入を行う場合、真空容器内のガス中に含まれる
ドーピング原料の濃度が一定になるように制御されるの
で、原料ガス源からの原料ガスの濃度の誤差に左右され
ることなく、高いドーズ量精度での注入が可能になる。
即ち、低ドーズ量注入においても、制御性およびドーズ
量精度の高い注入が可能になる。Moreover, when the injection is performed at a low source gas concentration in the second mode, since the concentration of the doping source contained in the gas in the vacuum container is controlled to be constant, the source gas from the source gas source is controlled. The injection can be performed with high dose accuracy without being affected by the error in the gas concentration.
That is, even in the low dose implantation, it is possible to perform the implantation with high controllability and dose accuracy.
【図１】この発明の一実施例に係るイオンドーピング装
置を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing an ion doping apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図２】シリコン基板にリンを注入したときの原料ガス
濃度およびトータルドーズ量に対するシート抵抗の測定
結果の一例を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing an example of measurement results of sheet resistance with respect to a source gas concentration and a total dose amount when phosphorus is injected into a silicon substrate.
【図３】従来のイオンドーピング装置の一例を示す図で
ある。FIG. 3 is a diagram showing an example of a conventional ion doping apparatus.
２ 真空容器 ８ ホルダ １０ 基板 １２ ガス導入口 ２０ イオン源 ３２ イオンビーム ５２ 原料ガス源 ５４ 原料ガス ５６，５８ 原料ガス用弁 ６０ 第１の流量調整弁 ６２ 第２の流量調整弁 ６４ 希釈ガス源 ６６ 希釈ガス ６８ 希釈ガス用弁 ７０ 第３の流量調整弁 ７２ 計測器 ８０ 制御装置 2 Vacuum Container 8 Holder 10 Substrate 12 Gas Inlet 20 Ion Source 32 Ion Beam 52 Source Gas Source 54 Source Gas 56, 58 Source Gas Valve 60 First Flow Rate Control Valve 62 Second Flow Rate Control Valve 64 Dilution Gas Source 66 Diluting gas 68 Diluting gas valve 70 Third flow rate adjusting valve 72 Measuring instrument 80 Control device
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/425 (72)発明者 安東 靖典 京都府京都市右京区梅津高畝町47番地 日 新電機株式会社内─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification number Internal reference number FI Technical indication H01L 21/425 (72) Inventor Yasunori Ando 47 Umezu Takaunecho, Ukyo-ku, Kyoto Prefecture Nissin Electric Co., Ltd. In the company
Claims (1)
される真空容器と、この真空容器内に設けられていて基
板を保持するホルダと、前記真空容器に取り付けられて
いてそのガス導入口から真空容器内に導入されたガスを
用いてイオンビームを発生させるイオン源とを備えてい
て、このイオン源で発生させたイオンビームを質量分離
を行うことなく前記ホルダ上の基板に照射してイオン注
入を行うよう構成されたイオンドーピング装置におい
て、ドーピング原料を含む原料ガスを前記ガス導入口に
供給する原料ガス源と、この原料ガス源から前記ガス導
入口に至るガスラインに互いに並列に挿入されていて最
小制御流量が相対的に小さい第１の流量調整弁および最
小制御流量が相対的に大きい第２の流量調整弁と、この
第１の流量調整弁のガスラインと第２の流量調整弁のガ
スラインとを択一的に切り換えて開く原料ガス用弁と、
原料ガスの希釈用の希釈ガスを前記ガス導入口に供給す
る希釈ガス源と、この希釈ガス源から前記ガス導入口に
至るガスラインに挿入された第３の流量調整弁と、この
第３の流量調整弁のガスラインを開閉する希釈ガス用弁
と、前記真空容器内のガス中に含まれるドーピング原料
の量を計測する計測器と、この計測器からの計測信号に
応答して前記第１および第３の流量調整弁を制御して、
両流量調整弁を流れる合計のガス流量を一定に保ちつ
つ、前記真空容器内のガス中に含まれるドーピング原料
の濃度が一定になるように、両流量調整弁を流れるガス
の流量をそれぞれ制御する制御装置とを備えることを特
徴とするイオンドーピング装置。1. A vacuum container having a gas introduction port and evacuated to a vacuum, a holder provided in the vacuum container for holding a substrate, and a gas introduction attached to the vacuum container. An ion source for generating an ion beam by using a gas introduced into the vacuum container through the mouth is provided, and the ion beam generated by this ion source is applied to the substrate on the holder without mass separation. In a ion doping apparatus configured to perform ion implantation by means of ion implantation, a source gas source that supplies a source gas containing a doping source to the gas inlet and a gas line from the source gas source to the gas inlet are arranged in parallel with each other. A first flow rate adjusting valve that is inserted and has a relatively small minimum control flow rate, and a second flow rate adjusting valve that has a relatively large minimum control flow rate, and a gas of the first flow rate adjusting valve. A raw material gas valve which is opened by selectively switching between the spline and the gas line of the second flow rate adjusting valve;
A diluent gas source for supplying a diluent gas for diluting the raw material gas to the gas inlet, a third flow rate adjusting valve inserted in a gas line from the diluent gas source to the gas inlet, and a third A dilution gas valve for opening and closing the gas line of the flow rate adjusting valve, a measuring instrument for measuring the amount of the doping raw material contained in the gas in the vacuum container, and the first device in response to a measurement signal from the measuring instrument. And controlling the third flow regulating valve,
While keeping the total gas flow rate flowing through both flow rate adjusting valves constant, the flow rate of the gas flowing through both flow rate adjusting valves is controlled so that the concentration of the doping raw material contained in the gas in the vacuum container becomes constant. An ion doping apparatus comprising: a controller.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23403994A JP3391109B2 (en) | 1994-09-01 | 1994-09-01 | Ion doping equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23403994A JP3391109B2 (en) | 1994-09-01 | 1994-09-01 | Ion doping equipment |
Publications (2)
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|---|---|
| JPH0877959A true JPH0877959A (en) | 1996-03-22 |
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Family
ID=16964615
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|---|---|---|---|
| JP23403994A Expired - Fee Related JP3391109B2 (en) | 1994-09-01 | 1994-09-01 | Ion doping equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3391109B2 (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001033604A1 (en) * | 1999-10-29 | 2001-05-10 | Applied Materials Inc. | Method and apparatus for ion implantation |
| US6960498B2 (en) | 2002-07-04 | 2005-11-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Doping method, doping apparatus, and control system for doping apparatus |
| US7442631B2 (en) | 2005-02-10 | 2008-10-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Doping method and method of manufacturing field effect transistor |
-
1994
- 1994-09-01 JP JP23403994A patent/JP3391109B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001033604A1 (en) * | 1999-10-29 | 2001-05-10 | Applied Materials Inc. | Method and apparatus for ion implantation |
| US6960498B2 (en) | 2002-07-04 | 2005-11-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Doping method, doping apparatus, and control system for doping apparatus |
| US7361912B2 (en) | 2002-07-04 | 2008-04-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Doping method, doping apparatus, and control system for doping apparatus |
| US7442631B2 (en) | 2005-02-10 | 2008-10-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Doping method and method of manufacturing field effect transistor |
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| JP3391109B2 (en) | 2003-03-31 |
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