JPH0868898A - Reflection mirror and its production method - Google Patents

Reflection mirror and its production method

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JPH0868898A
JPH0868898A JP6203921A JP20392194A JPH0868898A JP H0868898 A JPH0868898 A JP H0868898A JP 6203921 A JP6203921 A JP 6203921A JP 20392194 A JP20392194 A JP 20392194A JP H0868898 A JPH0868898 A JP H0868898A
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glass
mirror
ray
reflecting mirror
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JP6203921A
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Japanese (ja)
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Katsuhiko Murakami
勝彦 村上
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Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
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    • G03F7/70891Temperature

Abstract

PURPOSE: To provide a reflection mirror capable of suppressing thermal distortion due to X-ray irradiation and the like low enough. CONSTITUTION: Provided are a base 1 made of Invar having linear thermal expansion coefficient of 1×10<-7> /K or less and a thin film 2 of glass which is formed on the surface of the base 1 and its surface is polished optically smoothly. In the case used for an X-ray optical system, multiple layer film 4 reflecting X-ray of specific wave length is formed on the surface of the thin film 2.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

本発明は、X線縮小投影露光装置等のX線光学系やX線
以外の波長域の光線の光学系に用いられる反射鏡および
その製造方法に関するものである。
The present invention relates to a reflecting mirror used in an X-ray optical system such as an X-ray reduction projection exposure apparatus or an optical system for light rays in a wavelength range other than X-rays, and a manufacturing method thereof.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、半導体集積回路素子の微細化に伴
い、光の回折限界によって制限される光学系の解像力を
向上させるために、従来の紫外線に代わってこれより波
長の短いX線を使用した投影リソグラフィー技術が開発
されている。この技術に使用されるX線投影露光装置
は、主としてX線源、照明光学系、マスク、結像光学
系、ウェファーステージ等により構成される。
2. Description of the Related Art In recent years, with the miniaturization of semiconductor integrated circuit devices, X-rays having a shorter wavelength are used in place of conventional ultraviolet rays in order to improve the resolution of an optical system limited by the diffraction limit of light. The projection lithography technology has been developed. The X-ray projection exposure apparatus used in this technique is mainly composed of an X-ray source, an illumination optical system, a mask, an imaging optical system, a wafer stage and the like.

【0003】X線源には、放射光光源またはレーザープ
ラズマX線源が使用される。照明光学系は、斜入射ミラ
ー、多層膜ミラー、および所定の波長のX線のみを反射
または透過させるフィルター等により構成され、マスク
上を所望の波長のX線で照明する。マスクには透過型マ
スクと反射型マスクとがある。透過型マスクは、X線を
良く透過する物質からなる薄いメンブレンの上にX線を
吸収する物質を所定の形状に設けることによってパター
ンを形成したものである。一方、反射型マスクは、例え
ばX線を反射する多層膜上に反射率の低い部分を所定の
形状に設けることによってパターンを形成したものであ
る。このようなマスク上に形成されたパターンは、複数
の多層膜ミラーで構成された投影結像光学系により、フ
ォトレジストが塗布されたウェファー上に結像してその
レジストに転写される。なお、X線は大気に吸収されて
減衰するため、その光路は全て所定の真空度に維持され
ている。
A synchrotron radiation source or a laser plasma X-ray source is used as the X-ray source. The illumination optical system is composed of a grazing incidence mirror, a multilayer film mirror, a filter that reflects or transmits only X-rays of a predetermined wavelength, and illuminates the mask with X-rays of a desired wavelength. The mask includes a transmission type mask and a reflection type mask. The transmissive mask has a pattern formed by providing an X-ray absorbing substance in a predetermined shape on a thin membrane made of a substance that transmits X-rays well. On the other hand, the reflective mask has a pattern formed by providing a portion having a low reflectance in a predetermined shape on a multilayer film that reflects X-rays, for example. The pattern formed on such a mask is imaged on a wafer coated with a photoresist by a projection imaging optical system composed of a plurality of multilayer film mirrors, and is transferred to the resist. Since X-rays are absorbed by the atmosphere and attenuated, all optical paths thereof are maintained at a predetermined vacuum degree.

【0004】X線の波長域では、透明な物質は存在せ
ず、また物質表面での反射率も非常に低いため、レンズ
やミラーなどの通常の光学素子が使用できない。そのた
め、X線用の光学系は、反射面に斜め方向から入射した
X線を全反射を利用して反射させる斜入射ミラーや、多
層膜の各界面での反射光の位相を一致させて干渉効果に
よって高い反射率を得る多層膜ミラー等により構成され
ている。
In the X-ray wavelength range, since no transparent substance exists and the reflectance on the surface of the substance is very low, ordinary optical elements such as lenses and mirrors cannot be used. Therefore, the X-ray optical system includes an oblique-incidence mirror that reflects X-rays obliquely incident on the reflecting surface by using total reflection, and interference by matching the phases of reflected light at each interface of the multilayer film. It is composed of a multi-layer film mirror or the like that obtains a high reflectance by the effect.

【0005】斜入射光学系は収差が大きいために回折限
界の解像力を得ることはできない。一方、多層膜ミラー
はX線を垂直に反射することが可能であり、回折限界の
X線光学系を構成することが可能である。したがって、
X線投影露光装置の結像光学系は、すべて多層膜ミラー
で構成される。
Since the grazing incidence optical system has a large aberration, it is impossible to obtain a diffraction limit resolution. On the other hand, the multilayer mirror can reflect X-rays vertically, and can form a diffraction-limited X-ray optical system. Therefore,
The imaging optical system of the X-ray projection exposure apparatus is composed of multilayer mirrors.

【0006】このようなX線多層膜ミラーは、シリコン
のL吸収端(12.3nm)の長波長側でモリブデンとシリコ
ンからなる多層膜を用いたときに最も高い反射率が得ら
れるが、波長13〜15nmでは入射角によらず70%程度であ
る。シリコンのL吸収端よりも短波長側では、垂直入射
で30%以上の反射率が得られる多層膜は開発されていな
い。多層膜ミラーの基板材料には、形状精度が高く表面
粗さの小さい加工が可能な、石英等のガラス材料が用い
られている。
Such an X-ray multilayer mirror has the highest reflectance when a multilayer film made of molybdenum and silicon is used on the long wavelength side of the L absorption edge (12.3 nm) of silicon. At -15 nm, it is about 70% regardless of the incident angle. On the shorter wavelength side than the L absorption edge of silicon, a multilayer film that can obtain a reflectance of 30% or more at normal incidence has not been developed. As a substrate material of the multilayer mirror, a glass material such as quartz is used, which has a high shape accuracy and can be processed with a small surface roughness.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】上記のようなX線投影
露光装置において、実用的なスループット(例えば、8
インチウェファーで30枚/1時間程度)を得るために
は、結像光学系を構成する多層膜ミラーの表面には、あ
る程度の強度のX線(例えば、10mW/cm2程度)
が照射される必要がある。一方、多層膜ミラーの反射率
は最も高くても70%程度であり、残りは多層膜で反射
されずに吸収、透過、散乱される。散乱による損失はわ
ずかであり、多層膜を透過したX線はミラー基板により
完全に吸収される。すなわち、多層膜ミラーで反射され
なかったX線の大部分は多層膜ミラーに吸収されて、そ
のエネルギーは熱に変換される。この熱によって多層膜
ミラーの温度が上昇して熱変形を生じることになる。
In the X-ray projection exposure apparatus as described above, a practical throughput (for example, 8
In order to obtain 30 sheets / inch hour with an inch wafer), X-rays of a certain intensity (for example, about 10 mW / cm 2 ) are formed on the surface of the multilayer mirror that constitutes the imaging optical system.
Need to be irradiated. On the other hand, the reflectance of the multilayer film mirror is about 70% at the highest, and the rest is absorbed, transmitted, and scattered without being reflected by the multilayer film. The loss due to scattering is slight, and the X-ray transmitted through the multilayer film is completely absorbed by the mirror substrate. That is, most of the X-rays not reflected by the multilayer mirror are absorbed by the multilayer mirror, and the energy is converted into heat. This heat causes the temperature of the multilayer film mirror to rise, causing thermal deformation.

【0008】一般に、光学系で回折限界の解像力を得る
ためには、光学系を構成するミラーやレンズの形状誤差
は使用する光の波長に比べて充分小さくしなければなら
ない。したがって、X線を用いた光学系においては、可
視光や紫外線を用いた光学系よりも、波長が短い分だけ
その許容誤差は厳しくなる。そのために、上記のような
X線の照射による多層膜ミラーの熱変形は、結像特性に
大きな影響を与えることになり設計通りの解像力が得ら
れなくなるおそれがある。
In general, in order to obtain a diffraction-limited resolution in an optical system, the shape error of the mirror or lens forming the optical system must be made sufficiently smaller than the wavelength of the light used. Therefore, in the optical system using X-rays, the allowable error becomes stricter as the wavelength is shorter than that in the optical system using visible light or ultraviolet light. Therefore, the thermal deformation of the multilayer mirror due to the irradiation of X-rays as described above has a great influence on the imaging characteristics, and there is a possibility that the resolution as designed cannot be obtained.

【0009】このような熱変形の影響を防ぐために、裏
面からミラーを冷却することが行われているが、充分な
効果を得ることはできない。また、X線光学系は真空中
で使用されるので、ミラーの表面からの放熱はほとんど
無い。
In order to prevent the influence of such thermal deformation, the mirror is cooled from the back surface, but the sufficient effect cannot be obtained. Further, since the X-ray optical system is used in vacuum, there is almost no heat radiation from the surface of the mirror.

【0010】したがって、熱変形の影響を防ぐためには
ミラーへ入射するX線の強度を制限する他はなく、そう
するとX線投影露光装置のスループットが制限されてし
まう。すなわち、従来の技術ではX線投影露光装置の高
解像力と高スループットとを両立することができない。
Therefore, in order to prevent the influence of thermal deformation, there is no choice but to limit the intensity of X-rays incident on the mirror, which limits the throughput of the X-ray projection exposure apparatus. That is, the conventional technique cannot achieve both high resolution and high throughput of the X-ray projection exposure apparatus.

【0011】以上ではX線光学系についてその問題点を
説明したが、反射鏡の熱変形にともなう問題は、X線の
波長域とは異なる波長域の光線を使用する光学系でも程
度の差はあっても生じる。
Although the problems of the X-ray optical system have been described above, the problems associated with the thermal deformation of the reflecting mirror are not so different even in an optical system using a light beam in a wavelength range different from the X-ray wavelength range. It happens even if there is.

【0012】本発明は、X線などの照射光による熱変形
を充分小さく抑えることのできる反射鏡とその製造方法
を提供することを目的とする。
An object of the present invention is to provide a reflecting mirror capable of sufficiently suppressing thermal deformation due to irradiation light such as X-rays, and a manufacturing method thereof.

【0013】[0013]

【発明の概要】まず、X線光学系に使用する反射鏡を一
例として説明する。多層膜ミラーの表面にX線が照射さ
れたときのミラー表面の変形がどの程度の量になるかを
説明する。実際のミラーの変形は、その寸法形状により
大きく異なるので、正確に見積もるには有限要素法等に
よる計算が必要であるが、ここでは以下のような単純化
により変形のおおよその値を見積もることとする。
SUMMARY OF THE INVENTION First, a reflecting mirror used in an X-ray optical system will be described as an example. The amount of deformation of the mirror surface when the surface of the multilayer mirror is irradiated with X-rays will be described. Since the actual deformation of the mirror differs greatly depending on its size and shape, it is necessary to perform calculations by the finite element method, etc. for accurate estimation, but here we will estimate the approximate value of deformation by the following simplification. To do.

【0014】図2(a)に示すように、厚さdの基板の
裏面が一定温度の熱浴(裏面を冷却して一定温度に保つ
ことに相当する)に接しており、その表面の一部に定常
的な熱流束Q(照射されたX線のうち反射せずに基板に
吸収される分のエネルギー)が投入された時の、その部
分の基板に垂直方向(x方向)の伸び(または縮み)Δ
xを考える。ここでは、横方向の熱伝導は考えず、ま
た、X線はすべて表面で吸収されるとする。このとき基
板の内部には、図2(b)に示すように、x方向に一様
な温度勾配が生じるので、位置xでの温度(熱浴との温
度差)T(x)は、
As shown in FIG. 2A, the back surface of the substrate of thickness d is in contact with a constant temperature heat bath (corresponding to cooling the back surface to keep it at a constant temperature), and When a constant heat flux Q (energy of the irradiated X-rays that is absorbed by the substrate without being reflected) is applied to the portion, the extension of the portion in the vertical direction (x direction) ( Or shrinkage) Δ
Consider x. Here, it is assumed that heat conduction in the lateral direction is not considered, and that all X-rays are absorbed by the surface. At this time, since a uniform temperature gradient is generated in the x direction inside the substrate as shown in FIG. 2B, the temperature at the position x (temperature difference from the heat bath) T (x) is

【数1】 ただし、λは波長で与えられる。基板内の厚さδxの薄
い層の伸びΔ(δx)は、
[Equation 1] However, λ is given by the wavelength. The elongation Δ (δx) of a thin layer of thickness δx in the substrate is

【数2】 で与えられる。αは基板材料の熱膨張係数(線膨張率)
である。したがって、基板全体の伸びΔxは、
[Equation 2] Given in. α is the thermal expansion coefficient (coefficient of linear expansion) of the substrate material
Is. Therefore, the elongation Δx of the entire substrate is

【数3】 となる。(Equation 3) Becomes

【0015】図3に、種々の材料について、熱伝導率
と、熱膨張係数と、式(3)により計算した基板の熱変
形Δxとを示す。基板へ投入される熱流束Qは10mW
/cm2とした。X線投影露光装置において実用的な露
光領域の寸法を確保するためにはミラーの直径は200
mm程度は必要であり、ミラーの形状を精度良く維持す
るためには一般に厚さは直径の四分の一程度必要である
ので、基板の厚さdは50mmとする。図3からわかる
ように、紫外光を用いた投影露光装置の屈折光学系に広
く用いられている溶融石英では、45.3nmもの変形
を生じてしまう。これでは、使用するX線の波長(例え
ば13nm)よりも何倍も大きくなってしまうので論外
である。
FIG. 3 shows the thermal conductivity, the coefficient of thermal expansion, and the thermal deformation Δx of the substrate calculated by the equation (3) for various materials. Heat flux Q input to the substrate is 10 mW
/ Cm2. In order to secure a practical exposure area size in an X-ray projection exposure apparatus, the diameter of the mirror is 200
The thickness d is required to be about mm, and the thickness d is set to 50 mm because the thickness is generally required to be about a quarter of the diameter in order to maintain the shape of the mirror with high accuracy. As can be seen from FIG. 3, fused silica, which is widely used in the refractive optical system of the projection exposure apparatus using ultraviolet light, has a deformation of 45.3 nm. This is many times larger than the wavelength (for example, 13 nm) of the X-ray used, which is out of the question.

【0016】一般に低熱膨張ガラスとして良く知られて
いるショット社のゼロジュアとコーニング社のULE
は、熱膨張率は小さいが、ガラスであるため熱伝導率は
小さい。一方、シリコンカーバイド(SiC)とシリコ
ン(Si)は、ガラスと比べて熱伝導率は大きいが、熱
膨張係数は大きい。これらの材料は、いずれも1〜数n
mの変形を生じることになる。
Zero-Jur from Schott and ULE from Corning, which are generally well known as low thermal expansion glasses.
Has a low coefficient of thermal expansion, but since it is glass, it has a low coefficient of thermal conductivity. On the other hand, although silicon carbide (SiC) and silicon (Si) have a higher thermal conductivity than glass, they have a large thermal expansion coefficient. These materials are all 1 to several n
A deformation of m will occur.

【0017】光学系の波面収差を波長の四分の一以内と
するレイリーの条件を用いると、光学系を構成するミラ
ー一枚あたりの形状精度は、
Using Rayleigh's condition that the wavefront aberration of the optical system is within a quarter of the wavelength, the shape accuracy per mirror forming the optical system is

【数4】 以内に抑えなければならない。nは光学系を構成するミ
ラーの枚数であり、1/2を掛けてあるのは反射系であ
るためである。例えば4枚のミラーで構成された光学系
を波長13nmで使用する場合、1枚のミラーに許容さ
れる形状誤差は0.81nmとなる。ゼロジュア、UL
E、SiC、Siを基板に用いた場合には、熱変形量は
いずれもこの値よりも大きくなってしまう。したがっ
て、これらの材料を基板に用いたミラーで構成した光学
系では回折限界の解像力を得ることはできない。
[Equation 4] Must be suppressed within. n is the number of mirrors forming the optical system, and is multiplied by 1/2 because it is a reflective system. For example, when an optical system composed of four mirrors is used at a wavelength of 13 nm, the shape error allowed for one mirror is 0.81 nm. Zerojua, UL
When E, SiC, or Si is used for the substrate, the thermal deformation amount becomes larger than this value. Therefore, it is not possible to obtain a diffraction limit resolution with an optical system that is configured by a mirror using these materials as a substrate.

【0018】金属は自由電子の寄与のために熱伝導率は
大きいが、一般に熱膨張係数も大きい。しかし、インバ
ー(Invar)型合金は磁歪の影響により著しく小さな熱
膨張係数を示す材料として知られており、具体的には、
Fe-Ni合金、Fe-Ni-Co合金、Fe-Co-Cr合金、Fe-Pt合金、
Fe-Pd合金、Zr-Nb-Fe合金、Cr-Fe-Sn合金、Mn-Ge-Fe合
金、Fe-B非晶質合金およびFe-Ni-Zr非晶質合金等があ
る。以下では、インバー型合金をインバーと称する。図
3より、インバーを基板に用いれば、X線照射による熱
変形量は0.1nm以下となり、上記の許容形状誤差と
比べて充分小さく抑えることが可能である。
Metal has a large thermal conductivity due to the contribution of free electrons, but generally has a large thermal expansion coefficient. However, the Invar type alloy is known as a material exhibiting a remarkably small coefficient of thermal expansion due to the effect of magnetostriction.
Fe-Ni alloy, Fe-Ni-Co alloy, Fe-Co-Cr alloy, Fe-Pt alloy,
There are Fe-Pd alloy, Zr-Nb-Fe alloy, Cr-Fe-Sn alloy, Mn-Ge-Fe alloy, Fe-B amorphous alloy, Fe-Ni-Zr amorphous alloy and the like. Hereinafter, the Invar type alloy will be referred to as Invar. From FIG. 3, if Invar is used for the substrate, the amount of thermal deformation due to X-ray irradiation is 0.1 nm or less, which can be suppressed sufficiently smaller than the above allowable shape error.

【0019】しかしながら、金属は微細な結晶粒界が存
在するためその表面をナノメートルオーダーの平滑な表
面に研磨することは困難である。Alan G.Michette著のO
ptical Systems for X Rays (1986 Plenum Press, New
York)の74頁に、X線用のミラー材料の候補となる
物質について研磨加工により得ることできる表面粗さが
記されている。それによると、各材料で得られた最小の
表面粗さのrms値(二乗平均値)は、溶融石英とCV
D(Chemical Vapor Deposition)法で作製したSiC
で最も小さく0.4nmである。これらの材料は微細構
造を持たない非晶質物質なので平滑な表面を得ることが
できる。しかし、金属であるインバーでは2.8nm程
度の表面粗さまでにしか加工することができない。
However, since metal has fine crystal grain boundaries, it is difficult to polish its surface to a smooth surface of the order of nanometers. O by Alan G. Michelette
ptical Systems for X Rays (1986 Plenum Press, New
(York), page 74, describes the surface roughness that can be obtained by polishing a substance that is a candidate for a mirror material for X-rays. According to it, the rms value (root mean square value) of the minimum surface roughness obtained for each material is
SiC produced by D (Chemical Vapor Deposition) method
Is the smallest and is 0.4 nm. Since these materials are amorphous substances having no fine structure, a smooth surface can be obtained. However, metal Invar can be processed only to a surface roughness of about 2.8 nm.

【0020】X線用の多層膜ミラーの基板に必要な表面
粗さの大きさは次式により見積もることができる。
The surface roughness required for the substrate of the multilayer mirror for X-rays can be estimated by the following equation.

【数5】 ただし、R0は表面粗さが無いときの反射率 Rは表面粗さによる散乱損失があるときの反射率 σは表面粗さのrms値 λはX線の波長 θは斜入射角 λ=13nm、θ=90゜(垂直入射)としたときの、
表面粗さσに対するR/R0の値を図4に示す。この図
より明らかなように、表面粗さ0.4nmのSiCや溶
融石英を多層膜ミラーの基板に使用すれば、粗さが無い
理想的な場合の9割近い反射率が得られるが、表面粗さ
2.8nmのインバーを基板に使用した場合にはX線は
全く反射しなくなってしまう。
(Equation 5) Where R 0 is the reflectance without surface roughness R is the reflectance with scattering loss due to surface roughness σ is the rms value of the surface roughness λ is the wavelength of X-rays θ is the oblique incident angle λ = 13 nm , Θ = 90 ° (normal incidence),
The value of R / R 0 with respect to the surface roughness σ is shown in FIG. As is clear from this figure, if SiC or fused silica having a surface roughness of 0.4 nm is used for the substrate of the multilayer film mirror, a reflectance of nearly 90% of the ideal case without roughness can be obtained. When Invar having a roughness of 2.8 nm is used for the substrate, X-rays are not reflected at all.

【0021】そこで本発明者らは、鋭意検討の結果、熱
変形の小さいインバーなどの金属製基板の表面に表面粗
さの小さいガラスを貼り合わせれば、熱変形と表面粗さ
のいずれも充分に小さいミラー基板を得ることができる
ことを見い出した。すなわち、本発明によるX線光学系
用反射鏡は、図1に示すように、インバー等の金属製基
板1の上にガラス製薄板2を貼り合わせて基板3を作製
し、その上にX線を反射する多層膜4を形成して構成さ
れる。この場合、熱変形を小さく抑えるためには、上側
(X線の入射してくる側)の材料の熱膨張係数が小さい
ことと、下側の材料の熱伝導率が大きいことが有効であ
る。
[0021] Therefore, as a result of intensive studies, the present inventors have found that if glass having a small surface roughness is attached to the surface of a metal substrate such as Invar having a small thermal deformation, both the thermal deformation and the surface roughness can be sufficiently achieved. It has been found that a small mirror substrate can be obtained. That is, the reflecting mirror for an X-ray optical system according to the present invention, as shown in FIG. 1, a glass thin plate 2 is bonded onto a metal substrate 1 such as Invar to prepare a substrate 3, and an X-ray is formed thereon. Is formed by forming a multilayer film 4 that reflects light. In this case, in order to suppress the thermal deformation to be small, it is effective that the material on the upper side (the side on which X-rays are incident) has a small thermal expansion coefficient and the material on the lower side has a large thermal conductivity.

【0022】図5に、インバーの表面に各種のガラスを
貼り合わせた基板の熱変形Δxを示す。図3と同様に、
基板に投入される熱流束Qは10mW/cm2、基板全
体の厚さは50mmとした。インバーに厚さ20mm以
下のULEを貼り付けた場合と、インバーに厚さ5mm
以下のゼロジュアを貼り付けた場合には、許容される形
状誤差よりも熱変形を充分小さく抑えることができる。
溶融石英を貼り付ける場合は厚さを1mm以下にしなけ
ればならないので、インバーに貼り付けるガラスはUL
Eやゼロジュア等の低熱膨張ガラスが望ましい。なお、
X線用反射鏡として使用するためには、この表面にさら
にX線を反射するための多層膜を形成するが、この多層
膜の厚さは0.数μm以下しかないので、その熱変形は
無視することができる。
FIG. 5 shows the thermal deformation Δx of the substrate in which various kinds of glass are attached to the surface of the Invar. Similar to Figure 3,
The heat flux Q applied to the substrate was 10 mW / cm 2 , and the total thickness of the substrate was 50 mm. When ULE with a thickness of 20 mm or less is attached to the invar, and when the ULE has a thickness of 5 mm
When the following zero-jure is attached, the thermal deformation can be suppressed sufficiently smaller than the allowable shape error.
When pasting fused quartz, the thickness must be less than 1 mm, so the glass pasted on the Invar should be UL
A low thermal expansion glass such as E or Zerodur is desirable. In addition,
In order to use it as an X-ray reflecting mirror, a multilayer film for reflecting X-rays is further formed on this surface, and the thickness of this multilayer film is 0. Since it is only a few μm or less, its thermal deformation can be ignored.

【0023】インバー等の金属にガラスを貼り付ける際
には、界面の熱接触が良好であることが必要である。接
着剤を用いて貼り付ける場合には、熱伝導率の良好な接
着剤を使用することが望ましい。金属とガラスを貼り合
わせるのに最も好ましい方法は、例えばJ.Appl.Phys.,4
0(1969)P3946に記載されている、陽極接合による方法で
ある。この方法は、図6に示すように金属とガラスを接
触させておき、金属側に正の電圧を印加して、界面に生
じた静電力によって両者を接合するものである。この方
法を用いれば、金属とガラスとは原子レベルで密着する
ので、熱接触は非常に良好であり接合の強度も高い。
When the glass is attached to the metal such as Invar, it is necessary that the thermal contact at the interface is good. When sticking with an adhesive, it is desirable to use an adhesive having a good thermal conductivity. The most preferred method for bonding metal and glass is, for example, J. Appl. Phys., 4
0 (1969) P3946. In this method, as shown in FIG. 6, the metal and the glass are brought into contact with each other, a positive voltage is applied to the metal side, and the two are joined by the electrostatic force generated at the interface. When this method is used, the metal and glass are in close contact with each other at the atomic level, so that the thermal contact is very good and the bonding strength is high.

【0024】[0024]

【実施例】以下、本発明による反射鏡の一実施例を説明
する。図1は、本発明の第1の実施例である反射鏡の図
である。本実施例では、インバー1にULE2を貼り付
けるとともに、ULE2の表面に多層膜4を形成するこ
とにより、直径200mm、曲率半径500mm、中心
厚さ50mmのX線多層膜反射ミラーを作製した。その
製造工程を順に説明する。
EXAMPLE An example of the reflecting mirror according to the present invention will be described below. FIG. 1 is a diagram of a reflecting mirror that is a first embodiment of the present invention. In this example, the ULE 2 was attached to the Invar 1 and the multilayer film 4 was formed on the surface of the ULE 2 to manufacture an X-ray multilayer mirror having a diameter of 200 mm, a radius of curvature of 500 mm, and a central thickness of 50 mm. The manufacturing process will be described in order.

【0025】まず、インバーを研削加工して直径200
mm、中心厚さ30mm、表面が曲率半径500mmの
凹面で裏面が平面の金属製基板1を作製した。表面(ガ
ラスを接合する面)は、電解研磨加工により、表面粗さ
10nm(rms)以下の鏡面に仕上げた。これに貼り
付けるガラス製基板2は、材料にULEを用い、研削加
工と研磨加工により直径200mm、厚さ20mmで両
面が曲率半径500mmの凹面と凸面になるように加工
した。表面粗さは両面とも10nm(rms)以下の鏡
面に仕上げた。
First, the Invar is ground to a diameter of 200.
mm, the central thickness was 30 mm, the front surface was a concave surface having a radius of curvature of 500 mm, and the back surface was a flat metal substrate 1. The surface (the surface to which the glass is bonded) was finished by electropolishing into a mirror surface having a surface roughness of 10 nm (rms) or less. The glass substrate 2 to be attached thereto was made of ULE as a material, and was processed by grinding and polishing to have a concave surface and a convex surface each having a diameter of 200 mm, a thickness of 20 mm and a radius of curvature of 500 mm. Both surfaces were mirror finished with a surface roughness of 10 nm (rms) or less.

【0026】次に、図6に示すような装置を用いて、こ
の金属製基板1とガラス製基板2を陽極接合した。ヒー
ター5の上に金属製基板1を置き、その上にガラス製基
板2を載せた。ヒーター5によりこれらを400℃に加
熱しておき、ガラス製基板2の表面に図のように電極6
を接触させ、直流電源7により金属製基板1とガラス製
基板2の間に1000Vの電圧を印加した。約5分間電
圧を印加し続けると金属製基板1とガラス製基板2は完
全に接合した。その後、ガラス製基板2の表面の仕上げ
研磨を行って、表面粗さが0.4nm(rms)になる
まで平滑にした。このようにして、インバーからなる金
属製基板1とULEからなるガラス製基板2を貼り合わ
せた反射鏡用の基板3を作製した。
Next, the metal substrate 1 and the glass substrate 2 were anodically bonded using an apparatus as shown in FIG. The metal substrate 1 was placed on the heater 5, and the glass substrate 2 was placed thereon. These are heated to 400 ° C. by the heater 5, and the electrodes 6 are formed on the surface of the glass substrate 2 as shown in the figure.
And a voltage of 1000 V was applied between the metal substrate 1 and the glass substrate 2 by the DC power supply 7. When the voltage was continuously applied for about 5 minutes, the metal substrate 1 and the glass substrate 2 were completely bonded. Then, the surface of the glass substrate 2 was finish-polished to smooth the surface roughness to 0.4 nm (rms). In this way, a substrate 3 for a reflecting mirror was produced by bonding the metal substrate 1 made of Invar and the glass substrate 2 made of ULE.

【0027】最後に、イオンビームスパッタリングによ
り、モリブデン(Mo)とシリコン(Si)からなる周
期長6.7nm、積層数50層の多層膜4を基板3の表
面に形成してX線多層膜ミラーを完成した。この多層膜
ミラーは、裏面を冷却して一定温度に保っておけば、1
0mW/cm2の熱流束がその全面あるいは一部に入射
しても、熱変形は0.3nm以下であるので、波長13
nmのX線を用いて回折限界の光学系を構成することが
できる。
Finally, an X-ray multilayer mirror is formed by forming a multilayer film 4 composed of molybdenum (Mo) and silicon (Si) with a period length of 6.7 nm and a stacking number of 50 layers on the surface of the substrate 3 by ion beam sputtering. Was completed. This multi-layered film mirror has a back surface that is cooled down and kept at a constant temperature.
Even if a heat flux of 0 mW / cm 2 is incident on the whole surface or a part of the heat flux, the thermal deformation is 0.3 nm or less.
An X-ray of nm can be used to construct a diffraction-limited optical system.

【0028】図7は、本発明の第2の実施例である反射
鏡の図である。本実施例では、インバー1にゼロジュア
2Aを貼り付けるとともに、ゼロジョア2Aの表面に多
層膜4を形成することにより、直径200mm、曲率半
径1000mm、中心厚さ50mmのX線多層膜反射ミ
ラーを作製した。その製造工程を順に説明する。
FIG. 7 is a diagram of a reflecting mirror which is a second embodiment of the present invention. In this example, the X-ray multilayer mirror having a diameter of 200 mm, a radius of curvature of 1000 mm, and a center thickness of 50 mm was produced by sticking the zero jure 2A to the invar 1 and forming the multilayer film 4 on the surface of the zero joa 2A. . The manufacturing process will be described in order.

【0029】まず、インバーを研削加工して直径200
mm、中心厚さ45mmの円盤状の金属製基板1を作製
した。表面(ガラスを接合する面)は、電解研磨加工に
より、表面粗さ10nm(rms)以下の鏡面に仕上げ
た。これに貼り付けるガラス製基板2は、材料にゼロジ
ュアを用い、研削加工と研磨加工により直径200m
m、中心厚さ5mmで、表面が曲率半径1000mmの
凹面で裏面は平面になるように加工した。表面粗さは両
面とも10nm(rms)以下の鏡面に仕上げた。
First, the Invar is ground to a diameter of 200.
A disc-shaped metal substrate 1 having a center thickness of 45 mm and a center thickness of 45 mm was produced. The surface (the surface to which the glass is bonded) was finished by electropolishing into a mirror surface having a surface roughness of 10 nm (rms) or less. The glass substrate 2 to be attached to this has a diameter of 200 m as a result of grinding and polishing by using Zerodur as a material.
m, the central thickness was 5 mm, the front surface was a concave surface with a curvature radius of 1000 mm, and the back surface was flat. Both surfaces were mirror finished with a surface roughness of 10 nm (rms) or less.

【0030】次に、図6に示すような装置を用いて、上
述したと同様にして金属製基板1とガラス製基板2Aを
陽極接合し、さらにその表面の仕上げ研磨を行って、表
面粗さが0.4nm(rms)になるまで平滑にした。
このようにして、インバーからなる金属製基板1とゼロ
ジュアからなるガラス製基板2Aを貼り合わせた反射鏡
用の基板3を作製した。
Next, by using an apparatus as shown in FIG. 6, the metal substrate 1 and the glass substrate 2A are anodically bonded in the same manner as described above, and further the surface thereof is subjected to finish polishing to obtain a surface roughness. Was 0.4 nm (rms).
In this way, a substrate 3 for a reflecting mirror was produced in which the metal substrate 1 made of Invar and the glass substrate 2A made of Zerojure were bonded together.

【0031】最後に、上述したと同様にして、イオンビ
ームスパッタリングにより、モリブデン(Mo)とシリ
コンカーバイド(SiC)からなる周期長6.7nm、
積層数50層の多層膜4を基板3の表面に形成してX線
多層膜ミラーを完成した。この多層膜ミラーも第1の実
施例と同様に、裏面を冷却して一定温度に保っておけ
ば、10mW/cm2の熱流束がその全面あるいは一部
に入射しても、熱変形は0.3nm以下であるので、波
長13nmのX線を用いて回折限界の光学系を構成する
ことができる。
Finally, in the same manner as described above, a period length of 6.7 nm composed of molybdenum (Mo) and silicon carbide (SiC) is obtained by ion beam sputtering.
An X-ray multilayer mirror was completed by forming a multilayer film 4 of 50 layers on the surface of the substrate 3. Similarly to the first embodiment, if the back surface of this multilayer film mirror is cooled and kept at a constant temperature, even if a heat flux of 10 mW / cm 2 is incident on the whole surface or a part thereof, thermal deformation is 0. Since it is less than or equal to 0.3 nm, a diffraction-limited optical system can be constructed using X-rays with a wavelength of 13 nm.

【0032】なお、以上の実施例では金属製基板とガラ
ス製基板を貼り合わせるのに陽極接合を用いたが、本発
明はこれに限定されることはなく接着剤等で貼り付けて
もかまわない。また、金属製基板1の材料はインバーに
限定されないが、X線光学系用反射鏡として使用する場
合には、熱膨張係数は1×10-7/K以下であることが
必要である。ガラス製基板2の材料もULEとゼロジュ
アに限定されない。低熱膨張ガラスであることが望まし
いが、熱膨張係数がそれほど小さくない材料を使用する
場合には厚さを薄くすれば良い。
In the above embodiments, the anodic bonding was used to bond the metal substrate and the glass substrate together, but the present invention is not limited to this and may be bonded with an adhesive or the like. . The material of the metal substrate 1 is not limited to Invar, but when it is used as a reflection mirror for an X-ray optical system, it needs to have a coefficient of thermal expansion of 1 × 10 −7 / K or less. The material of the glass substrate 2 is not limited to ULE and zerojure. Low thermal expansion glass is desirable, but when using a material whose thermal expansion coefficient is not so small, the thickness may be reduced.

【0033】なお、以上ではX線縮小投影露光装置の光
学系に用いる反射鏡を一例として説明したが、それ以外
のX線光学系反射鏡にも適用できる。また、X線の波長
域と異なる波長域の紫外光や赤外光などに用いる光学系
の反射鏡として使用しても同様の効果が得られる。この
場合、X線を反射する多層膜は不要である。また、使用
する金属製基板の熱膨張係数もX線光学系ほど小さい数
値は要求されず、たとえば、可視光に対して用いる場合
は5×10-6/K程度でよい。
In the above description, the reflecting mirror used in the optical system of the X-ray reduction projection exposure apparatus has been described as an example, but it can be applied to other X-ray optical system reflecting mirrors. Also, the same effect can be obtained by using as a reflecting mirror of an optical system used for ultraviolet light or infrared light in a wavelength range different from the X-ray wavelength range. In this case, a multilayer film that reflects X-rays is unnecessary. Further, the coefficient of thermal expansion of the metal substrate used is not required to be as small as that of the X-ray optical system. For example, when used for visible light, it may be about 5 × 10 −6 / K.

【0034】[0034]

【発明の効果】以上のように本発明による反射鏡は、熱
膨張係数の小さい金属製基板の表面にガラス製薄板を貼
り合わせ、その表面を光学的に平滑に研磨してなるか
ら、X線などの入射光の吸収による反射鏡の熱変形を従
来の技術と比べて著しく小さく抑えることができ、高精
度の光学系を提供できる。請求項4の反射鏡のように線
膨張率が1×10-7/K以下である金属製基板を用い、
しかも非晶質物質の薄膜の表面にX線反射多層膜を形成
した反射鏡はX線光学系反射鏡として利用でき、たとえ
ばX線縮小投影露光装置に使用すれば、表面に高強度の
X線を照射しても熱変形によって光学系の結像特性が劣
化することがない。したがって、X線投影露光装置の解
像力を損なうことなくスループットを向上することがで
きる。
As described above, in the reflecting mirror according to the present invention, a thin glass plate is attached to the surface of a metal substrate having a small coefficient of thermal expansion, and the surface is polished to be optically smooth. It is possible to suppress the thermal deformation of the reflecting mirror due to absorption of incident light such as, for example, remarkably small as compared with the conventional technique, and it is possible to provide a highly accurate optical system. A metal substrate having a linear expansion coefficient of 1 × 10 −7 / K or less as in the reflecting mirror of claim 4,
Moreover, a reflecting mirror having an X-ray reflection multilayer film formed on the surface of a thin film of an amorphous material can be used as an X-ray optical system reflecting mirror. Even if the light is irradiated, the image forming characteristic of the optical system does not deteriorate due to thermal deformation. Therefore, the throughput can be improved without impairing the resolution of the X-ray projection exposure apparatus.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1実施例の反射鏡を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a reflecting mirror according to a first embodiment of the present invention.

【図2】基板の熱変形を説明する図である。FIG. 2 is a diagram illustrating thermal deformation of a substrate.

【図3】各種材料と熱伝導率、熱膨張係数、変形量を示
す図である。
FIG. 3 is a diagram showing various materials, thermal conductivity, thermal expansion coefficient, and deformation amount.

【図4】基板の表面粗さによる多層膜ミラーの反射率の
低下を示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing a decrease in reflectance of a multilayer film mirror due to surface roughness of a substrate.

【図5】インバーに各種のガラス製薄板を貼り合わせた
基板の変形量を説明する図である。
FIG. 5 is a diagram illustrating the amount of deformation of a substrate in which various glass thin plates are attached to Invar.

【図6】本発明に用いられる陽極接合の方法を示す図で
ある。
FIG. 6 is a diagram showing a method of anodic bonding used in the present invention.

【図7】本発明の第2実施例の反射鏡を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing a reflecting mirror according to a second embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 金属製基板 2 ガラス製基板 3 反射鏡基板 4 多層膜 5 ヒーター 6 電極 7 直流電源 1 Metal Substrate 2 Glass Substrate 3 Reflector Substrate 4 Multilayer Film 5 Heater 6 Electrode 7 DC Power Supply

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 金属製基板と、この金属製基板の表面に
貼り合わされ表面を光学的に平滑に研磨されたガラス製
薄板とを具備することを特徴とする反射鏡。
1. A reflecting mirror comprising: a metal substrate; and a thin glass plate which is attached to the surface of the metal substrate and whose surface is polished to be optically smooth.
【請求項2】 前記金属製基板の線膨張率が1×10-7
/K以下であることを特徴とする反射鏡。
2. The linear expansion coefficient of the metal substrate is 1 × 10 −7.
/ K or less, a reflecting mirror.
【請求項3】 前記金属製基板はインバー型合金で形成
されることを特徴とする請求項1または2に記載の反射
鏡。
3. The reflecting mirror according to claim 1, wherein the metallic substrate is made of an Invar type alloy.
【請求項4】 線膨張率が1×10-7/K以下である金
属製基板と、この金属製基板の表面に貼り合わされ表面
を光学的に平滑に研磨されたガラス製薄板と、このガラ
ス製薄板に形成され所定の波長のX線を反射する多層膜
とを具備することを特徴とする反射鏡。
4. A metal substrate having a coefficient of linear expansion of 1 × 10 −7 / K or less, a thin glass plate bonded to the surface of the metal substrate and having its surface polished optically smooth, and this glass. A reflecting mirror comprising: a multilayer film formed on a thin plate and reflecting X-rays of a predetermined wavelength.
【請求項5】 請求項1の反射鏡の製造方法において、
少なくとも、金属製基板とガラス製薄板とを張り合わせ
る工程と、該ガラス薄板の表面を光学的に平滑な表面に
研磨する工程とを含むことを特徴とする反射鏡の製造方
法。
5. The method for manufacturing a reflecting mirror according to claim 1,
A method for manufacturing a reflecting mirror, which comprises at least a step of laminating a metal substrate and a glass thin plate, and a step of polishing the surface of the glass thin plate to an optically smooth surface.
【請求項6】 請求項4の反射鏡の製造方法において、
少なくとも、金属製基板とガラス製薄板とを張り合わせ
る工程と、該ガラス薄板の表面を光学的に平滑な表面に
研磨する工程と、研磨工程の後に前記薄板の表面に所定
の波長のX線を反射する多層膜を形成する工程とを含む
ことを特徴とする反射鏡の製造方法。
6. The method for manufacturing a reflecting mirror according to claim 4,
At least a step of laminating a metal substrate and a glass thin plate, a step of polishing the surface of the glass thin plate to an optically smooth surface, and an X-ray having a predetermined wavelength on the surface of the thin plate after the polishing step. And a step of forming a reflective multilayer film.
【請求項7】 金属製基板とガラス製基板とを陽極接合
により接合することを特徴とする請求項5または6に記
載の反射鏡の製造方法。 〔特許請求の範囲〕 【0001】
7. The method of manufacturing a reflecting mirror according to claim 5, wherein the metal substrate and the glass substrate are bonded by anodic bonding. [Claims] [0001]
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