JPH0850564A - Control table management system - Google Patents
Control table management systemInfo
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- JPH0850564A JPH0850564A JP6201492A JP20149294A JPH0850564A JP H0850564 A JPH0850564 A JP H0850564A JP 6201492 A JP6201492 A JP 6201492A JP 20149294 A JP20149294 A JP 20149294A JP H0850564 A JPH0850564 A JP H0850564A
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02D—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
- Y02D10/00—Energy efficient computing, e.g. low power processors, power management or thermal management
Landscapes
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
- Information Retrieval, Db Structures And Fs Structures Therefor (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、制御テーブル管理方
式に関し、例えば、セクタ管理のための制御テーブルを
備えるフラッシュI/Oカードならびにその電源切断時
における制御テーブルの効率的な退避処理に利用して特
に有効な技術に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a control table management system, for example, a flash I / O card equipped with a control table for sector management and an efficient saving process of the control table when the power is turned off. Especially effective technology.
【0002】[0002]
【従来の技術】フラッシュメモリ等の不揮発性の半導体
メモリからなるメモリファイルをその基本構成要素と
し、パーソナルコンピュータ等のハードディスクインタ
フェースに結合されるフラッシュI/Oカード(フラッ
シュファイルシステム)がある。フラッシュI/Oカー
ドのメモリファイルの記憶領域は、ハードディスクのそ
れと対応付けるため、所定の単位でセクタ分割される。
また、フラッシュI/Oカードは、擬似スタティック型
RAM(ランダムアクセスメモリ)等の揮発性の半導体
メモリ内に設けられ、システム側からみた論理アドレス
をメモリファイルの各セクタの物理アドレスに対応させ
るための論理セクタテーブルや、書き換え回数の多いセ
クタと少ないセクタをダイナミックに入れ換えて各セク
タの書き換え回数を平均化するための消去管理テーブル
等の制御テーブルを備える。2. Description of the Related Art There is a flash I / O card (flash file system) which has a memory file composed of a non-volatile semiconductor memory such as a flash memory as its basic constituent element and is coupled to a hard disk interface of a personal computer or the like. The storage area of the memory file of the flash I / O card is divided into sectors in a predetermined unit so as to correspond to that of the hard disk.
Further, the flash I / O card is provided in a volatile semiconductor memory such as a pseudo static RAM (random access memory) or the like, and makes a logical address viewed from the system side correspond to a physical address of each sector of the memory file. It is provided with a logical sector table and a control table such as an erase management table for averaging the number of times of rewriting of each sector by dynamically exchanging a sector with a large number of times of rewriting and a sector with a small number of times of rewriting.
【0003】制御テーブルを備えるフラッシュI/Oカ
ード(フラッシュファイルシステム)ならびにこれを含
むパーソナルコンピュータ等の情報処理システムについ
て、例えば、特願平4−318159号等に記載されて
いる。An information processing system such as a flash I / O card (flash file system) having a control table and a personal computer including the flash I / O card is described in, for example, Japanese Patent Application No. 4-318159.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】上記に記載される従来
のフラッシュI/OカードFIOにおいて、擬似スタテ
ィック型RAM等のランダムアクセスメモリRAM内に
設けられた制御テーブルTBLは、図7に示されるよう
に、システムの電源切断時、制御手段となるマイクロコ
ンピュータMCを介してメモリファイルつまりフラッシ
ュメモリファイルFMF内の退避領域に退避され、退避
テーブルSTBLとなる。この退避テーブルSTBL
は、システムの電源投入時、ランダムアクセスメモリR
AMのテーブル領域に読み込まれ、制御テーブルTBL
として再現される。In the conventional flash I / O card FIO described above, the control table TBL provided in the random access memory RAM such as the pseudo static RAM is shown in FIG. In addition, when the power of the system is turned off, the data is saved in the save area in the memory file, that is, the flash memory file FMF via the microcomputer MC serving as the control means, and becomes the save table STBL. This save table STBL
Is a random access memory R when the system is turned on.
The control table TBL is read in the AM table area.
Is reproduced as.
【0005】ところが、フラッシュI/Oカードの大容
量化が進みその記憶領域の大規模化が進むにしたがっ
て、上記従来の制御テーブル退避方式には次のような問
題点が生じることが本願発明者等によって明らかとなっ
た。すなわち、フラッシュメモリファイルFMFを構成
するフラッシュメモリでは、周知のように、セクタ又は
複数セクタに対応するブロックを単位として記憶データ
の書き換えが行われ、この書き換えに先立つブロック消
去のために約1s(秒)を、また新しいデータの書き込
みにバイトあたり約10μs(マイクロ秒)をそれぞれ
必要とする。このため、例えば消去・書き換えの単位と
なる1ブロックを64KB(キロバイト)としこの1ブ
ロック内にすべての制御テーブルを格納できるとした場
合でも、電源切断時における制御テーブルの退避処理に
必要な時間Tsは、 Ts=1+10×10-6×64×103 =1.64 つまり1.64秒となり、このことがフラッシュI/O
カードの利便性を低下させ、その突発的な障害発生時の
信頼性を低下させる一因となっている。However, as the flash I / O card becomes larger in capacity and its storage area becomes larger in scale, the following problems occur in the conventional control table saving method. Etc. That is, in the flash memory that constitutes the flash memory file FMF, as is well known, the stored data is rewritten in units of blocks corresponding to a sector or a plurality of sectors. ) And about 10 μs per byte to write new data. Therefore, for example, even if one block that is a unit of erasing / rewriting is set to 64 KB (kilobytes) and all the control tables can be stored in this one block, the time Ts required for saving the control table at the time of power-off is Is Ts = 1 + 10 × 10 −6 × 64 × 10 3 = 1.64, that is, 1.64 seconds, which is the flash I / O.
This is one of the factors that reduce the convenience of the card and the reliability in the event of a sudden failure.
【0006】この発明の目的は、フラッシュI/Oカー
ド等の電源切断時等における制御テーブル退避処理の平
均的な所要時間を短縮することにある。この発明の他の
目的は、制御テーブルを備えるフラッシュI/Oカード
等の利便性を高め、その突発的な障害発生時における信
頼性を高めることにある。An object of the present invention is to reduce the average time required for the control table saving process when the power of a flash I / O card or the like is cut off. Another object of the present invention is to enhance the convenience of a flash I / O card having a control table and the like, and to enhance the reliability in the event of a sudden failure.
【0007】この発明の前記ならびにその他の目的と新
規な特徴は、この明細書の記述及び添付図面から明らか
になるであろう。The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次
の通りである。すなわち、フラッシュメモリ等の不揮発
性の半導体メモリからなるメモリファイルと、擬似スタ
ティック型RAM等の揮発性の半導体メモリからなりメ
モリファイルのセクタ管理等のための制御テーブルが置
かれるランダムアクセスメモリとを備えるフラッシュI
/Oカード等において、所定の周期でランダムアクセス
メモリ内の制御テーブルをメモリファイル内の退避領域
に退避テーブルとして周期的に転写するとともに、電源
切断時には、ランダムアクセスメモリ内の制御テーブル
とメモリファイル内の退避テーブルとを比較照合し、両
者が一致しない場合にのみ制御テーブルの退避動作を選
択的に実行する。The outline of the representative one of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows. That is, the memory file includes a non-volatile semiconductor memory such as a flash memory, and the random access memory including a volatile semiconductor memory such as a pseudo static RAM and a control table for sector management of the memory file. Flash I
In an I / O card or the like, the control table in the random access memory is periodically transferred to the save area in the memory file as a save table at a predetermined cycle, and when the power is turned off, the control table in the random access memory and the memory file The save table is compared and collated, and only when the two do not match, the save operation of the control table is selectively executed.
【0009】[0009]
【作用】上記した手段によれば、比較的高い確率で電源
切断時における制御テーブルの退避領域への退避動作を
無くし、フラッシュI/Oカード等の制御テーブル退避
処理に要する平均時間をテーブルの比較照合に必要な約
128ミリ秒程度に大幅に短縮できるとともに、退避動
作が実行できないような突発的な障害発生時を含めて、
最新の制御テーブルの写しをメモリファイル内に保持す
ることができる。この結果、制御テーブルを備えるフラ
ッシュI/Oカード等の利便性を高め、その突発的な障
害発生時における信頼性を高めることができる。According to the above-mentioned means, with a relatively high probability, the save operation of the control table to the save area at the time of power-off is eliminated, and the average time required for the save process of the control table of the flash I / O card or the like is compared between the tables. The time required for verification can be shortened to approximately 128 milliseconds, and even when a sudden failure occurs such that the save operation cannot be executed.
A copy of the latest control table can be kept in the memory file. As a result, it is possible to enhance the convenience of the flash I / O card having the control table and the reliability in the event of a sudden failure.
【0010】[0010]
【実施例】図1には、この発明が適用されたフラッシュ
I/OカードFIOを含むパーソナルコンピュータの一
実施例のシステム構成図が示されている。同図をもと
に、まずフラッシュI/Oカードを含むパーソナルコン
ピュータの構成及び動作の概要について説明する。な
お、図1の点線で囲まれたブロックは、パーソナルコン
ピュータの本体として1個の箱体内に実装され、点線外
のブロックは、そのオプションとして対応するコネクタ
等に選択的に装備される。1 is a system configuration diagram of an embodiment of a personal computer including a flash I / O card FIO to which the present invention is applied. An outline of the configuration and operation of a personal computer including a flash I / O card will be described first with reference to FIG. It should be noted that the block surrounded by the dotted line in FIG. 1 is mounted in one box body as the main body of the personal computer, and the block outside the dotted line is selectively equipped with a corresponding connector or the like as its option.
【0011】図1において、この実施例のパーソナルコ
ンピュータは、ストアドプログラム方式の中央処理装置
CPUと、この中央処理装置CPUにシステムバスSB
USを介して結合される補助処理装置CCPU,メモリ
制御ユニットMCU及びバス制御ユニットBCUを備え
る。このうち、補助処理装置CCPUは、中央処理装置
CPUと同様なストアドプログラム方式の処理装置であ
って、中央処理装置CPUの処理の一部を補助する。ま
た、メモリ制御ユニットMCUは、メモリバスMBUS
を介して主記憶装置MMEM及び拡張記憶装置EMEM
に結合され、システムバスSBUS及びメモリバスMB
US間のバス制御を行う。なお、主記憶装置MMEM及
び拡張記憶装置EMEMは、例えばダイナミック型RA
Mを基本に構成され、パーソナルコンピュータの記憶階
層の中心となる。In FIG. 1, a personal computer of this embodiment is a central processing unit CPU of a stored program system, and a system bus SB is connected to the central processing unit CPU.
It comprises an auxiliary processing unit CCPU, a memory control unit MCU and a bus control unit BCU which are coupled via the US. Of these, the auxiliary processing device CCPU is a processing device of a stored program system similar to the central processing device CPU, and assists a part of the processing of the central processing device CPU. Further, the memory control unit MCU has a memory bus MBUS.
Via the main memory MMEM and extended memory EMEM
Connected to the system bus SBUS and memory bus MB
Bus control between US is performed. The main memory MMEM and the extended memory EMEM are, for example, dynamic RAs.
It is constructed on the basis of M and becomes the center of the storage hierarchy of the personal computer.
【0012】一方、バス制御ユニットBCUは、入出力
バスIOBUSを介してリードオンリーメモリROM,
ディスプレイ装置アダプタDPYA,キーボード制御部
KBDC,フロッピディスク装置FDD,シリアルポー
トインタフェースSPIF,パラレルポートインタフェ
ースPPIF及びフラッシュI/Oカード制御部FIO
Cに結合され、これらの入出力装置とシステムバスSB
USとの間のバス制御を行う。入出力バスIOBUSに
結合される入出力装置のうち、リードオンリーメモリR
OMは、例えばEEPROM(電気的に消去・書き込み
可能な読み出し専用メモリ)を基本に構成され、中央処
理装置CPUのステップ制御に必要なプログラム及び固
定データ等を格納する。また、ディスプレイ装置アダプ
タDPYAには、CRT(陰極線管)を中心とするディ
スプレイ装置DPYが結合され、キーボード制御部KB
DC及びフラッシュI/Oカード制御部FIOCには、
それぞれキーボードKBD及びフラッシュI/Oカード
FIOが結合される。さらに、シリアルポートインタフ
ェースSPIFには、図示されない通信制御装置等のシ
リアル入出力装置が結合され、パラレルポートインタフ
ェースPPIFには図示されないプリンタ等のパラレル
入出力装置が結合される。On the other hand, the bus control unit BCU includes a read-only memory ROM, an input / output bus IOBUS, and a read-only memory ROM.
Display device adapter DPYA, keyboard controller KBDC, floppy disk device FDD, serial port interface SPIF, parallel port interface PPIF, and flash I / O card controller FIO
Is connected to C and these input / output devices and system bus SB
Performs bus control with the US. Of the input / output devices coupled to the input / output bus IOBUS, the read-only memory R
The OM is configured based on, for example, an EEPROM (electrically erasable / writable read-only memory) and stores programs and fixed data necessary for step control of the central processing unit CPU. Further, the display device adapter DPYA is coupled with a display device DPY centering on a CRT (cathode ray tube), and a keyboard control unit KB is provided.
In the DC and flash I / O card control unit FIOC,
A keyboard KBD and a flash I / O card FIO are connected to each other. Further, a serial input / output device such as a communication control device (not shown) is coupled to the serial port interface SPIF, and a parallel input / output device such as a printer (not shown) is coupled to the parallel port interface PPIF.
【0013】この実施例において、フラッシュI/Oカ
ード制御部FIOCは、ハードディスク装置と同一のイ
ンタフェース条件とされ、これと互換性を有する。ま
た、フラッシュI/OカードFIOは、後述するよう
に、フラッシュメモリからなるフラッシュメモリファイ
ルFMFをその基本構成要素とし、このフラッシュメモ
リファイルの記憶領域はハードディスクに対応してセク
タ分割される。In this embodiment, the flash I / O card controller FIOC has the same interface condition as the hard disk device and is compatible with this. As will be described later, the flash I / O card FIO has a flash memory file FMF composed of a flash memory as its basic constituent element, and the storage area of this flash memory file is divided into sectors corresponding to the hard disk.
【0014】図2には、図1のパーソナルコンピュータ
に含まれるフラッシュI/OカードFIOの一実施例の
ブロック図が示されている。同図をもとに、フラッシュ
I/OカードFIOの具体的構成及び動作について説明
する。FIG. 2 is a block diagram showing an embodiment of the flash I / O card FIO included in the personal computer shown in FIG. A specific configuration and operation of the flash I / O card FIO will be described with reference to FIG.
【0015】図2において、フラッシュI/OカードF
IOは、ストアドプログラム方式のマイクロコンピュー
タMCと、カード内部バスIBUSを介してマイクロコ
ンピュータMCに結合されるフラッシュメモリファイル
FMFとを含む。カード内部バスIBUSには、さらに
カードコントローラCC,プログラムメモリPROM及
びランダムアクセスメモリRAMが結合され、マイクロ
コンピュータMCにはクロック発生部CPG及びタイマ
ー回路TIMが結合される。In FIG. 2, the flash I / O card F
The IO includes a stored program type microcomputer MC and a flash memory file FMF coupled to the microcomputer MC via a card internal bus IBUS. A card controller CC, a program memory PROM, and a random access memory RAM are further coupled to the card internal bus IBUS, and a clock generator CPG and a timer circuit TIM are coupled to the microcomputer MC.
【0016】ここで、フラッシュメモリファイルFMF
は、比較的大きな記憶容量を有するフラッシュメモリ等
の不揮発性半導体メモリ(第1の半導体メモリ)からな
り、フラッシュI/OカードFIOの主たる記憶手段と
なる。この実施例において、フラッシュメモリファイル
FMFの記憶領域は、ハードディスクに対応してセクタ
分割され、このセクタを単位として記憶データのブロッ
ク消去が行われる。また、フラッシュメモリファイルF
MF内には、ランダムアクセスメモリRAMの制御テー
ブルTBLの電源切断時の退避領域となる退避テーブル
STBLが設けられ、この退避テーブルは、ランダムア
クセスメモリRAMの制御テーブルTBLに対応して論
理セクタテーブルSLST,物理セクタテーブルSPS
T,消去管理テーブルSEMT及び不良セクタテーブル
SBSTからなる。なお、フラッシュメモリファイルF
MFを構成するフラッシュメモリは、記憶データの消去
・書き換えが例えば64KBのブロックを単位として行
われるため、その書き込み動作は、後述するように、1
秒を超える程度に遅いものとなる。Here, the flash memory file FMF
Is a non-volatile semiconductor memory (first semiconductor memory) such as a flash memory having a relatively large storage capacity, and serves as a main storage means of the flash I / O card FIO. In this embodiment, the storage area of the flash memory file FMF is divided into sectors corresponding to the hard disk, and the blocks of stored data are erased in units of this sector. In addition, the flash memory file F
In the MF, a save table STBL which is a save area when the power of the control table TBL of the random access memory RAM is cut off is provided. This save table corresponds to the control table TBL of the random access memory RAM and the logical sector table SLST. , Physical sector table SPS
T, erase management table SEMT and bad sector table SBST. The flash memory file F
In the flash memory forming the MF, erase / rewrite of stored data is performed in units of, for example, a block of 64 KB, and therefore, the write operation is performed as described below.
It will be slow enough to exceed a second.
【0017】一方、カードコントローラCCは、インタ
フェースコントローラIFC,レジスタ群REGG及び
コマンドデコーダCOMDを含む。このうち、インタフ
ェースコントローラIFCは、起動制御信号となるファ
イルイネーブル信号FE及びリードライト信号R/Wな
らびにデータ転送確認信号ACKを介してフラッシュI
/Oカード制御部FIOCに結合され、フラッシュI/
Oカード制御部FIOC及びフラッシュI/OカードF
IO間のインタフェース制御を行う。また、レジスタ群
REGGは、ファイルアクセスバスFBUSを介してフ
ラッシュI/Oカード制御部FIOCに結合され、この
ファイルアクセスバスを介して供給されるコマンドや開
始アドレス及び終了アドレス等の制御データをインタフ
ェースコントローラIFCの指示に従って取り込み、保
持する。さらに、コマンドデコーダCOMDは、レジス
タ群REGGのコマンドレジスタにより保持されるコマ
ンドをデコードして、その結果をインタフェースコント
ローラIFCに伝達する。インタフェースコントローラ
IFCは、コマンドデコーダCOMDのデコード結果を
受けてフラッシュI/OカードFIOの動作モードを判
定し、例えば割り込み要求信号IRQBをアサートし
て、マイクロコンピュータMCに対してフラッシュメモ
リファイルFMFのアクセス開始等を指示する。On the other hand, the card controller CC includes an interface controller IFC, a register group REGG and a command decoder COMD. Among them, the interface controller IFC uses the flash I via the file enable signal FE and the read / write signal R / W which are the activation control signals and the data transfer confirmation signal ACK.
/ O card control unit FIOC, flash I /
O card control unit FIOC and flash I / O card F
Performs interface control between IOs. Further, the register group REGG is coupled to the flash I / O card control unit FIOC via a file access bus FBUS, and the interface controller receives control data such as commands and start and end addresses supplied via the file access bus. Capture and hold according to IFC instructions. Further, the command decoder COMD decodes the command held by the command register of the register group REGG and transmits the result to the interface controller IFC. The interface controller IFC receives the decoding result of the command decoder COMD, determines the operation mode of the flash I / O card FIO, asserts the interrupt request signal IRQB, and starts accessing the flash memory file FMF to the microcomputer MC. Etc.
【0018】なお、レジスタ群REGGは、ファイルス
テータスレジスタを含み、このファイルステータスレジ
スタの所定ビットは、システム側からフラッシュI/O
カードFIOに電源切断を知らせるための電源フラグと
して用いられる。また、ファイルステータスレジスタの
他の所定ビットは、逆にフラッシュI/OカードFIO
からシステム側に対して電源切断時における制御テーブ
ル退避処理が終了したことを知らせるための退避処理終
了フラグとして用いられる。The register group REGG includes a file status register, and a predetermined bit of this file status register has a flash I / O from the system side.
It is used as a power supply flag for notifying the card FIO of power off. In addition, other predetermined bits of the file status register are, on the contrary, the flash I / O card FIO
Is used as a save process end flag for notifying the system side that the control table save process at the time of power off is completed.
【0019】次に、ランダムアクセスメモリRAMは、
比較的書き込み速度の速い擬似スタティック型RAM等
の揮発性半導体メモリ(第2の半導体メモリ)からな
り、一連の書き込みデータを一時的に格納するライトデ
ータバッファやセクタ管理のための制御テーブルTBL
等に供される。この実施例において、制御テーブルTB
Lは、特に制限されないが、論理セクタテーブルLS
T,物理セクタテーブルPST,消去管理テーブルEM
T及び不良セクタテーブルBSTからなる。このうち、
論理セクタテーブルLSTは、システム側からみた論理
アドレスをフラッシュメモリファイルFMFのセクタつ
まり物理アドレスに対応付けるために用いられ、物理セ
クタテーブルPSTは、各物理アドレスに割り当てられ
た論理アドレスのマッピングに供される。また、消去管
理テーブルEMTは、各セクタの消去回数を管理してそ
の書き換え回数を平均化するために用いられ、不良セク
タテーブルBSTは、特性不良となったセクタの管理に
供される。Next, the random access memory RAM is
A write data buffer for temporarily storing a series of write data and a control table TBL for sector management, which includes a volatile semiconductor memory (second semiconductor memory) such as a pseudo static RAM having a relatively high write speed.
Etc. In this embodiment, the control table TB
L is not particularly limited, but the logical sector table LS
T, physical sector table PST, erase management table EM
T and bad sector table BST. this house,
The logical sector table LST is used for associating the logical address viewed from the system side with the sector of the flash memory file FMF, that is, the physical address, and the physical sector table PST is used for mapping the logical address assigned to each physical address. . The erase management table EMT is used to manage the erase count of each sector and average the number of rewrites, and the defective sector table BST is used to manage the sector having a defective characteristic.
【0020】ところで、ランダムアクセスメモリRAM
の制御テーブルTBLを構成する論理セクタテーブルL
ST,物理セクタテーブルPST,消去管理テーブルE
MT及び不良セクタテーブルBSTは、フラッシュI/
OカードFIOの動作進行にともなってその保持内容が
書き換えられ、更新される。このため、この実施例で
は、前述のように、フラッシュメモリファイルFMF内
に論理セクタテーブルSLST,物理セクタテーブルS
PST,消去管理テーブルSEMT及び不良セクタテー
ブルSBSTからなる退避テーブルSTBLが設けられ
るとともに、所定の周期でしかもフラッシュI/Oカー
ドFIOの通常動作の合間をみて、ランダムアクセスメ
モリRAMの制御テーブルTBLの保持内容がフラッシ
ュメモリファイルFMF内の退避領域つまり退避テーブ
ルSTBLに周期的に転写される。そして、システムの
電源切断時には、その時点におけるランダムアクセスメ
モリRAMの制御テーブルTBLの保持内容とフラッシ
ュメモリファイルFMFの退避テーブルSTBLの保持
内容との比較照合が行われた後、両者が完全に一致しな
い場合においてのみ制御テーブルTBLの退避テーブル
STBLへの退避動作が選択的に実行され、これによっ
てフラッシュI/OカードFIOの制御テーブル退避処
理の平均的な所定時間が短縮される。なお、制御テーブ
ルTBLの具体的な退避動作ならびにその特徴について
は、後で詳細に説明する。By the way, random access memory RAM
Logical sector table L constituting the control table TBL of
ST, physical sector table PST, erase management table E
MT and bad sector table BST are flash I /
The stored contents are rewritten and updated as the operation of the O card FIO progresses. Therefore, in this embodiment, as described above, the logical sector table SLST and the physical sector table S are stored in the flash memory file FMF.
A save table STBL including a PST, an erase management table SEMT, and a defective sector table SBST is provided, and a control table TBL of the random access memory RAM is held at a predetermined cycle and at intervals of normal operation of the flash I / O card FIO. The contents are periodically transferred to the save area in the flash memory file FMF, that is, the save table STBL. When the power of the system is turned off, the contents held in the control table TBL of the random access memory RAM at that time and the contents held in the save table STBL of the flash memory file FMF are compared and collated, and then the two do not completely match. Only in such a case, the save operation of the control table TBL to the save table STBL is selectively executed, whereby the average predetermined time of the control table save processing of the flash I / O card FIO is shortened. The specific saving operation of the control table TBL and its characteristics will be described later in detail.
【0021】一方、プログラムメモリPROMは、EE
PROM等からなり、マイクロコンピュータMCのアク
セス制御やセクタ管理等のためのプログラムを格納す
る。また、クロック発生部CPGは、マイクロコンピュ
ータMCの同期動作に必要なクロック信号を生成し、タ
イマー回路TIMは、マイクロコンピュータMCの時間
管理に供される。マイクロコンピュータMCは、プログ
ラムメモリPROMに格納された制御プログラムに従っ
てフラッシュメモリファイルFMFのアクセス制御を行
うとともに、ランダムアクセスメモリRAM内の制御テ
ーブルTBLを用いてフラッシュメモリファイルFMF
のセクタ管理を行い、さらには消去回数に応じたセクタ
入れ換え処理等を選択的かつダイナミックに実行して、
各セクタの書き換え回数を平均化する。また、タイマー
回路TIMとの時間管理により、所定の周期でランダム
アクセスメモリRAMの制御テーブルTBLの保持内容
を周期的にフラッシュメモリファイルFMFの退避テー
ブルSTBLに転写するとともに、システムの電源切断
時には、制御テーブルTBL及び退避テーブルSTBL
の保持内容を比較照合した後、両者が一致しない場合に
おいてのみ制御テーブルTBLの退避テーブルSTBL
への退避動作を選択的に実行する。On the other hand, the program memory PROM is EE
It is composed of a PROM or the like and stores programs for access control of the microcomputer MC, sector management, and the like. The clock generator CPG also generates a clock signal necessary for the synchronous operation of the microcomputer MC, and the timer circuit TIM is used for time management of the microcomputer MC. The microcomputer MC controls access to the flash memory file FMF according to the control program stored in the program memory PROM, and uses the control table TBL in the random access memory RAM to control the flash memory file FMF.
Sector management, and selectively and dynamically execute sector replacement processing according to the number of erases,
Average the number of rewrites in each sector. In addition, by the time management with the timer circuit TIM, the contents held in the control table TBL of the random access memory RAM are periodically transferred to the save table STBL of the flash memory file FMF at a predetermined cycle, and the control is performed when the system is powered off. Table TBL and save table STBL
After comparing and collating the stored contents of the above, only when the two do not match, the save table STBL of the control table TBL
The save operation to is selectively executed.
【0022】図3には、図2のフラッシュI/Oカード
FIOの制御テーブル管理方法を説明するための一実施
例の処理手順図が示され、図4には、その制御テーブル
退避処理の一実施例のフロー図が示されている。これら
の図をもとに、この実施例のフラッシュI/OカードF
IOの制御テーブル管理方法と電源切断時における制御
テーブル退避処理の詳細ならびにその特徴について説明
する。FIG. 3 shows a processing procedure diagram of an embodiment for explaining the control table management method of the flash I / O card FIO of FIG. 2, and FIG. 4 shows an example of the control table saving processing. A flow diagram of an embodiment is shown. Based on these figures, the flash I / O card F of this embodiment
The details and features of the IO control table management method and the control table saving process when the power is turned off will be described.
【0023】図3において、フラッシュI/OカードF
IOの制御手段となるマイクロコンピュータMCは、シ
ステム側の電源投入つまり電源オンを受けて立ち上がり
処理を実行し、その中の一つとして不揮発性メモリであ
るフラッシュメモリファイルFMFの退避テーブルST
BLの保持内容を揮発性メモリであるランダムアクセス
メモリRAMの制御テーブルTBLに読み込む。また、
この制御テーブルの読み込みが終了した時点でタイマー
回路TIMを起動し、制御テーブルの転写周期Tsvの
計時を開始する。以後、マイクロコンピュータMCは、
比較的書き込み速度の速いランダムアクセスメモリRA
M内の制御テーブルTBLをもとに各種の演算処理を効
率良く実行するとともに、フラッシュI/OカードFI
Oの動作進行にあわせて制御テーブルTBLの保持内容
を書き換え、更新する。In FIG. 3, the flash I / O card F
The microcomputer MC, which is the control means of the IO, receives the power-on, that is, the power-on of the system side and executes the rising process, and one of them is the save table ST of the flash memory file FMF which is a non-volatile memory.
The stored contents of BL are read into the control table TBL of the random access memory RAM which is a volatile memory. Also,
When the reading of the control table is completed, the timer circuit TIM is activated to start measuring the transfer cycle Tsv of the control table. After that, the microcomputer MC
Random access memory RA with relatively high writing speed
Various arithmetic processes are efficiently executed based on the control table TBL in the M, and the flash I / O card FI
The contents held in the control table TBL are rewritten and updated in accordance with the progress of the operation of O.
【0024】次に、タイマー回路TIMによる転写周期
Tsvの計時が終了すると、マイクロコンピュータMC
は、フラッシュメモリファイルFMFの退避テーブルS
TBLに対応するブロックを消去するとともに、ランダ
ムアクセスメモリRAMの制御テーブルTBLの保持内
容を読み出し、フラッシュメモリファイルFMFの退避
領域つまり退避テーブルSTBLに転写する。また、制
御テーブルの転写が終了した時点でタイマー回路TIM
を再度起動し、制御テーブルの転写時間Tsvの計時を
再開する。以後、マイクロコンピュータMCは、通常の
アクセス処理の合間をみて同様な時間計時及び転写動作
を繰り返し、これによってフラッシュメモリファイルF
MFの退避テーブルSTBLの保持内容がランダムアク
セスメモリRAMの制御テーブルTBLの最新の保持内
容と一致すべく書き換えられる。この結果、電源切断時
におけるフラッシュメモリファイルFMFの退避テーブ
ルSTBLの保持内容とその時点におけるランダムアク
セスメモリRAMの制御テーブルTBLの保持内容とが
一致する確率は充分に高いものとなる。Next, when the timing of the transfer cycle Tsv by the timer circuit TIM is completed, the microcomputer MC
Is the save table S of the flash memory file FMF.
The block corresponding to TBL is erased, and the contents held in the control table TBL of the random access memory RAM are read and transferred to the save area of the flash memory file FMF, that is, the save table STBL. When the transfer of the control table is completed, the timer circuit TIM
Is restarted and the timing of the transfer time Tsv in the control table is restarted. After that, the microcomputer MC repeats the same time measurement and transfer operation while seeing the interval of the normal access processing, whereby the flash memory file F
The contents held in the save table STBL of the MF are rewritten so as to match the latest contents held in the control table TBL of the random access memory RAM. As a result, there is a sufficiently high probability that the contents held in the save table STBL of the flash memory file FMF at the time of power-off and the contents held in the control table TBL of the random access memory RAM at that time point match.
【0025】ところで、システム側からカードコントロ
ーラCCのファイルステータスレジスタを介して電源切
断つまり電源オフが知らされると、マイクロコンピュー
タMCは、まずランダムアクセスメモリRAMの制御テ
ーブルTBLの保持内容とフラッシュメモリファイルF
MFの退避テーブルSTBLの対応する保持内容とを順
次読み出し、比較照合する。このとき、マイクロコンピ
ュータMCは、図4に示されるように、ステップST1
によりアドレスカウンタADCをゼロにプリセットした
後、ステップST2及びST3によりランダムアクセス
メモリRAMの制御テーブルTBLならびにフラッシュ
メモリファイルFMFの退避テーブルSTBLの先頭ア
ドレスのテーブルデータTDA及びTDBをそれぞれ読
み出し、両者をステップST4によって比較照合する。
この結果、これらのテーブルデータが一致した場合に
は、ステップST5によりアドレスカウンタADCを更
新する。また、ステップST6によりアドレスカウンタ
ADCの値が最終値つまり全アドレスについてテーブル
データの比較照合が終了したかを判定し、まだ最終アド
レスに達していない場合にはステップST2からの前記
処理を繰り返し、全アドレスについて終了した場合に
は、ランダムアクセスメモリRAMの制御テーブルTB
Lを退避することなく退避処理を終了する。なお、この
制御テーブル退避処理の終了は、前述のように、カード
コントローラCCのファイルステータスレジスタの退避
処理終了フラグを介してシステムに知らされる。By the way, when the power-off, that is, the power-off is notified from the system side via the file status register of the card controller CC, the microcomputer MC firstly holds the contents held in the control table TBL of the random access memory RAM and the flash memory file. F
The stored contents of the save table STBL of the MF are sequentially read out and compared and compared. At this time, the microcomputer MC, as shown in FIG.
After presetting the address counter ADC to zero by means of steps ST2 and ST3, the table data TDA and TDB at the start address of the control table TBL of the random access memory RAM and the save table STBL of the flash memory file FMF are read out respectively, and both are carried out at step ST4. Compare and collate by.
As a result, if these table data match, the address counter ADC is updated in step ST5. In step ST6, it is determined whether or not the value of the address counter ADC is the final value, that is, the comparison and collation of the table data has been completed for all the addresses. If the final address has not been reached yet, the above-mentioned processing from step ST2 is repeated, When the address is finished, the control table TB of the random access memory RAM
The saving process is terminated without saving L. The end of the control table save process is notified to the system via the save process end flag of the file status register of the card controller CC as described above.
【0026】一方、ステップST4においてテーブルデ
ータTDA及びTDBが一致しない場合、マイクロコン
ピュータMCは、ただちにテーブルデータの比較照合動
作を中断し、ランダムアクセスメモリRAMの制御テー
ブルTBLの退避動作を開始する。このとき、マイクロ
コンピュータMCは、まずステップST7によりフラッ
シュメモリファイルFMFの退避テーブルSTBLの対
応するブロックの消去動作を開始する。また、消去動作
の終了を受けて、ステップST8によるアドレスカウン
タADCのプリセットを行った後、ステップST9によ
りランダムアクセスメモリRAMの制御テーブルTBL
から先頭アドレスのテーブルデータTDCを読み出し、
ステップST10によりフラッシュメモリファイルFM
Fの退避テーブルSTBLの先頭アドレスに書き込む。
そして、このようなステップST9及びST10による
テーブルデータの退避動作とステップST11によるア
ドレスカウンタADCの更新ならびにステップST12
によるアドレス判定とを全アドレスについて繰り返し、
制御テーブル退避処理を終了する。On the other hand, if the table data TDA and TDB do not match in step ST4, the microcomputer MC immediately suspends the table data comparing and collating operation and starts the saving operation of the control table TBL of the random access memory RAM. At this time, the microcomputer MC first starts the erase operation of the corresponding block of the save table STBL of the flash memory file FMF in step ST7. After the end of the erase operation, the address counter ADC is preset in step ST8, and then the control table TBL of the random access memory RAM is set in step ST9.
Read the table data TDC of the start address from
Flash memory file FM in step ST10
Write to the start address of the save table STBL of F.
Then, the table data saving operation in steps ST9 and ST10, the update of the address counter ADC in step ST11, and the step ST12.
Repeat the address judgment with all addresses,
The control table saving process ends.
【0027】周知のように、擬似スタティック型RAM
からなるランダムアクセスメモリRAMならびにフラッ
シュメモリからなるフラッシュメモリファイルFMFの
読み出し動作は、ともに例えば1バイトあたり1μs程
度の比較的短い時間で終了する。したがって、制御テー
ブルTBL及び退避テーブルSTBLに対応するブロッ
クの記憶領域を64KBとした場合、全アドレスに関す
るテーブルデータの読み出し及び比較照合動作に要する
時間Tcは、 Tc=1×10-6×64×103 ×2 =128×10-3 つまり128ms(ミリ秒)となる。この結果、制御テ
ーブルTBL及び退避テーブルSTBLの保持内容が完
全に一致し、制御テーブルTBLの退避動作を必要とし
ない場合の退避処理時間Tsは、この読み出し・比較照
合動作に必要な128msのみとなって、大幅に短縮さ
れるものとなる。As is well known, a pseudo static RAM
The read operation of the random access memory RAM consisting of the above and the flash memory file FMF consisting of the flash memory are both completed in a relatively short time of, for example, about 1 μs per byte. Therefore, when the storage area of the block corresponding to the control table TBL and the save table STBL is set to 64 KB, the time Tc required for the table data read and comparison / comparison operations for all addresses is: Tc = 1 × 10 −6 × 64 × 10 3 × 2 = 128 × 10 −3, that is, 128 ms (millisecond). As a result, the save processing time Ts when the stored contents of the control table TBL and the save table STBL completely match and the save operation of the control table TBL is not required is only 128 ms required for this read / comparison operation. Will be greatly shortened.
【0028】一方、制御テーブルTBL及び退避テーブ
ルSTBLの保持内容が完全に一致しなかったとき、特
にこの不一致が最終アドレスで発生した場合において、
フラッシュI/OカードFIOの制御テーブル退避処理
時間Tsは、テーブルデータの比較照合動作に加えて、
約1秒を要するブロック消去と1バイトあたり約10μ
sを要する制御テーブルTBLの退避動作のために最大
となり、ほぼ、 Ts=1×10-6×64×103 ×2+1+10×10-6×64×103 =1.768 つまり1.768秒に達する。しかし、この実施例のフ
ラッシュI/OカードFIOでは、前述のように、所定
の周期でしかも通常動作の合間をみてランダムアクセス
メモリRAMの制御テーブルTBLがフラッシュメモリ
ファイルFMFの退避テーブルSTBLに周期的に転写
され、電源切断時における両テーブルの保持内容が一致
する確率は充分に高いものとされる。このため、フラッ
シュI/OカードFIOの制御テーブル退避処理に要す
る平均時間は、テーブルデータの比較照合動作のみが行
われる場合の処理時間Tcつまり128msに近い値と
なって充分に短縮されるとともに、退避動作を実行でき
ないような突発的な障害発生時を含めて、最新の制御テ
ーブルの写しをメモリファイル内に保持できる。この結
果、制御テーブルを備えるフラッシュI/Oカードの利
便性を高め、その突発的な障害発生時にける信頼性を高
めることができるものである。On the other hand, when the stored contents of the control table TBL and the save table STBL do not completely match, especially when this mismatch occurs at the final address,
The control table save processing time Ts of the flash I / O card FIO is calculated in addition to the table data comparison and collation operation.
Block erase that takes about 1 second and about 10μ per byte
It becomes maximum due to the retracting operation of the control table TBL requiring s, and Ts = 1 × 10 −6 × 64 × 10 3 × 2 + 1 + 10 × 10 −6 × 64 × 10 3 = 1.768, that is, 1.768 seconds. Reach However, in the flash I / O card FIO of this embodiment, as described above, the control table TBL of the random access memory RAM is periodically added to the save table STBL of the flash memory file FMF at a predetermined cycle and in between the normal operations. And the probability that the contents held in both tables match when the power is turned off is sufficiently high. Therefore, the average time required for the control table saving process of the flash I / O card FIO becomes a value close to the process time Tc when only the table data comparison and collation operation is performed, that is, 128 ms, and is sufficiently shortened. The latest copy of the control table can be retained in the memory file, including when a sudden failure occurs such that the save operation cannot be executed. As a result, it is possible to enhance the convenience of the flash I / O card provided with the control table and enhance the reliability in the event of a sudden failure.
【0029】以上の実施例により得られる作用効果は次
の通りである。すなわち、 (1)フラッシュメモリ等の不揮発性半導体メモリから
なるメモリファイルと、擬似スタティック型RAM等の
揮発性半導体メモリからなりメモリファイルのセクタ管
理等のための制御テーブルが置かれるランダムアクセス
メモリとを備えるフラッシュI/Oカード等において、
所定の周期でランダムアクセスメモリ内の制御テーブル
をメモリファイル内の退避領域に退避テーブルとして周
期的に転写するとともに、電源切断時には、ランダムア
クセスメモリ内の制御テーブルとメモリファイル内の退
避テーブルとを比較照合し、両者が一致しない場合にの
み制御テーブルの退避動作を選択的に実行することで、
比較的高い確率で電源切断時における制御テーブルの退
避領域への退避動作を無くし、フラッシュI/Oカード
等の制御テーブル退避処理の平均的な所要時間をテーブ
ルデータの比較照合に必要な約128ミリ秒程度に大幅
に短縮できるという効果が得られる。 (2)上記(1)項により、制御テーブルを備えるフラ
ッシュI/Oカード等の利便性を高めることができると
いう効果が得られる。The operation and effect obtained by the above embodiment are as follows. That is, (1) a memory file composed of a non-volatile semiconductor memory such as a flash memory, and a random access memory composed of a volatile semiconductor memory such as a pseudo static RAM and having a control table for sector management of the memory file. In a flash I / O card, etc. provided,
The control table in the random access memory is periodically transferred to the save area in the memory file as a save table at a predetermined cycle, and when the power is turned off, the control table in the random access memory and the save table in the memory file are compared. By collating and selectively executing the save operation of the control table only when both do not match,
With a relatively high probability, the save operation to the save area of the control table at power-off is eliminated, and the average time required for save processing of the control table such as a flash I / O card is about 128 mm necessary for comparing and collating table data. The effect is that it can be significantly shortened to about a second. (2) According to the above item (1), it is possible to enhance the convenience of the flash I / O card having the control table.
【0030】(3)上記(1)項により、フラッシュI
/Oカードならびにこれを含むシステムに退避動作を実
行できないような突発的障害が発生した場合でも、最新
の制御テーブルの写しをメモリファイル内に保持できる
という効果が得られる。 (4)上記(3)項により、フラッシュI/Oカード等
の突発的な障害発生時における信頼性を高めることがで
きるという効果が得られる。(3) According to the above item (1), the flash I
Even if a sudden failure such that the save operation cannot be executed in the / O card and the system including the same, the effect that the latest copy of the control table can be held in the memory file can be obtained. (4) According to the above item (3), it is possible to improve the reliability in the event of a sudden failure of the flash I / O card or the like.
【0031】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、この発明は、上記実
施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない
範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。例え
ば、図1において、フラッシュI/Oカード制御部FI
OCは、ハードディスクインタフェースに結合されるこ
とを必須条件とはしない。また、パーソナルコンピュー
タ本体としての区分やシステム構成及びバス形態等は、
種々の実施形態を採りうる。Although the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiments, the invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. Needless to say. For example, in FIG. 1, the flash I / O card controller FI
The OC does not have to be coupled to the hard disk interface. In addition, the classification as the personal computer main body, the system configuration, the bus form, etc.
Various embodiments can be adopted.
【0032】図2において、フラッシュメモリファイル
FMFは、例えばEEPROMによっても構成できる
し、プログラムメモリPROM及びランダムアクセスメ
モリRAMも、他の各種半導体メモリによって構成する
ことができる。また、この実施例では、制御テーブルT
BLを構成する論理セクタテーブルLST,物理セクタ
テーブルPST,消去管理テーブルEMT及び不良セク
タテーブルBSTのすべてをフラッシュメモリファイル
FMFの退避テーブルSTBLに転写又は退避させてい
るが、例えば物理セクタテーブルPSTは論理セクタテ
ーブルLSTをもとに再生できるため、その対象から外
すことができる。制御テーブルTBLの構成は、この実
施例による制約を受けないし、フラッシュI/Oカード
FIOのブロック構成やそのバス形態ならびに図3及び
図4に示される制御テーブルの管理手順及び退避処理フ
ロー等は、種々の実施形態を採りうる。In FIG. 2, the flash memory file FMF can be configured by, for example, an EEPROM, and the program memory PROM and random access memory RAM can also be configured by various other semiconductor memories. Further, in this embodiment, the control table T
The logical sector table LST, the physical sector table PST, the erase management table EMT, and the defective sector table BST forming the BL are all transferred or saved to the save table STBL of the flash memory file FMF. For example, the physical sector table PST is logical. Since it can be reproduced based on the sector table LST, it can be excluded from the target. The configuration of the control table TBL is not restricted by this embodiment, and the block configuration of the flash I / O card FIO, its bus form, the control table management procedure and the save processing flow shown in FIGS. Various embodiments can be adopted.
【0033】ランダムアクセスメモリRAMの制御テー
ブルTBLを周期的にフラッシュメモリファイルFMF
の退避テーブルSTBLに転写するための周期管理は、
図5に示されるように、カードコントローラCCに設け
られたタイマー回路TIM2によって行うことができ
る。また、図6に示されるように、カードコントローラ
CCにテーブル転写コントローラTDTCを設け、この
テーブル転写コントローラによって制御テーブルTBL
の退避テーブルSTBLに対する転写を制御してもよ
い。この場合、電源切断時におけるテーブルの比較照合
動作は、やはりマイクロコンピュータMCによって行わ
れるが、両テーブルが一致しなかった場合の退避動作は
テーブル転写コントローラTDTCに移管して行えばよ
い。The control table TBL of the random access memory RAM is periodically stored in the flash memory file FMF.
Cycle management for transferring to the evacuation table STBL of
As shown in FIG. 5, it can be performed by a timer circuit TIM2 provided in the card controller CC. Further, as shown in FIG. 6, a table transfer controller TDTC is provided in the card controller CC, and the table transfer controller TDTC is used by the table transfer controller TDTC.
The transfer to the save table STBL may be controlled. In this case, the comparison and collation operation of the table when the power is turned off is also performed by the microcomputer MC, but the evacuation operation when the two tables do not match may be transferred to the table transfer controller TDTC.
【0034】以上の説明では、主として本発明者によっ
てなされた発明をその背景となった利用分野であるフラ
ッシュI/Oカードならびにこれを含むパーソナルコン
ピュータに適用した場合について説明したが、それに限
定されるものではなく、例えば、カード形態を採らない
各種の半導体メモリファイルやメモリファイルを含む各
種ディジタルシステムにも適用できる。本発明は、少な
くともメモリファイルに供される不揮発性の半導体メモ
リと制御テーブルに供される揮発性の半導体メモリとを
含むシステムならびにその制御テーブル管理に広く適用
できる。In the above description, the invention mainly made by the present inventor is applied to a flash I / O card and a personal computer including the flash I / O card, which is the field of application of the invention, but the invention is not limited thereto. However, the present invention can be applied to, for example, various semiconductor memory files that do not take a card form and various digital systems including memory files. INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention can be widely applied to a system including at least a nonvolatile semiconductor memory provided for a memory file and a volatile semiconductor memory provided for a control table, and a control table management thereof.
【0035】[0035]
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記の通りである。すなわち、フラッシュメモリ等の不揮
発性半導体メモリからなるメモリファイルと、擬似スタ
ティック型RAM等の揮発性の半導体メモリからなりメ
モリファイルのセクタ管理等のための制御テーブルが置
かれるランダムアクセスメモリとを備えるフラッシュI
/Oカード等において、所定の周期でランダムアクセス
メモリ内の制御テーブルをメモリファイル内の退避領域
に退避テーブルとして周期的に転写するとともに、電源
切断時には、ランダムアクセスメモリ内の制御テーブル
とメモリファイル内の退避テーブルとを比較照合し、両
者が一致しない場合にのみ制御テーブルの退避動作を選
択的に実行することで、比較的高い確率で電源切断時に
おける制御テーブルの退避領域への退避動作を無くし、
フラッシュI/Oカード等の制御テーブル退避処理の平
均的な所要時間をテーブルデータの比較照合に必要な約
128ミリ秒程度に大幅に短縮することができるととも
に、退避動作が実行できないような突発的な障害発生時
を含めて、最新の制御テーブルの写しをメモリファイル
内に保持することができる。この結果、制御テーブルを
備えるフラッシュI/Oカード等の利便性を高め、その
突発的な障害発生時における信頼性を高めることができ
る。The effects obtained by the typical ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows. That is, a flash including a memory file including a non-volatile semiconductor memory such as a flash memory and a random access memory including a volatile semiconductor memory such as a pseudo-static RAM and including a control table for sector management of the memory file. I
In an I / O card or the like, the control table in the random access memory is periodically transferred to the save area in the memory file as a save table at a predetermined cycle, and when the power is turned off, the control table in the random access memory and the memory file By comparing and collating with the save table of the control table and selectively executing the save operation of the control table only when the two do not match, there is a relatively high probability that the save operation of the control table to the save area at power-off is eliminated. ,
The average time required to save the control table of a flash I / O card or the like can be significantly reduced to about 128 milliseconds required for comparison and collation of table data, and the save operation cannot be executed suddenly. It is possible to keep a copy of the latest control table in the memory file, including when a major failure occurs. As a result, it is possible to enhance the convenience of the flash I / O card having the control table and the reliability in the event of a sudden failure.
【図1】この発明が適用されたフラッシュI/Oカード
を含むパーソナルコンピュータの一実施例を示すシステ
ム構成図である。FIG. 1 is a system configuration diagram showing an embodiment of a personal computer including a flash I / O card to which the present invention is applied.
【図2】図1のパーソナルコンピュータに含まれるフラ
ッシュI/Oカードの一実施例を示すブロック図であ
る。2 is a block diagram showing an embodiment of a flash I / O card included in the personal computer of FIG.
【図3】図2のフラッシュI/Oカードの制御テーブル
管理方法を説明するための一実施例を示す処理手順図で
ある。3 is a processing procedure diagram showing an embodiment for explaining a control table management method of the flash I / O card of FIG.
【図4】図2のフラッシュI/Oカードの制御テーブル
退避処理の一実施例を示すフロー図である。FIG. 4 is a flowchart showing an embodiment of a control table saving process of the flash I / O card of FIG.
【図5】この発明が適用されたフラッシュI/Oカード
の第2の実施例を示すブロック図である。FIG. 5 is a block diagram showing a second embodiment of a flash I / O card to which the present invention is applied.
【図6】この発明が適用されたフラッシュI/Oカード
の第3の実施例を示すブロック図である。FIG. 6 is a block diagram showing a third embodiment of a flash I / O card to which the present invention is applied.
【図7】この発明に先立って本願発明者等が開発したフ
ラッシュI/Oカードの制御テーブル管理方法を説明す
るための一例を示す処理手順図である。FIG. 7 is a processing procedure diagram showing an example for explaining a control table management method for a flash I / O card developed by the inventors of the present application prior to the present invention.
【図8】図7のフラッシュI/Oカードの制御テーブル
退避処理の一例を示すフロー図である。8 is a flowchart showing an example of a control table saving process of the flash I / O card of FIG.
CPU・・・中央処理装置、SBUS・・・システムバ
ス、CCPU・・・補助処理装置、MCU・・・メモリ
制御ユニット、MBUS・・・メモリバス、MMEM・
・・主記憶装置、EMEM・・・拡張記憶装置、BCU
・・・バス制御ユニット、IOBUS・・・入出力バ
ス、ROM・・・リードオンリーメモリ、DPYA・・
・ディスプレイ装置アダプタ、DPY・・・ディスプレ
イ装置、KBDC・・・キーボード制御部、KBD・・
・キーボード、FDD・・・フロッピディスク装置、S
PIF・・・シリアルポートインタフェース、PPIF
・・・パラレルポートインタフェース、FIOC・・・
フラッシュI/Oカード制御部、FIO・・・フラッシ
ュI/Oカード。CC・・・カードコントローラ、IF
C・・・インタフェースコントローラ、REGG・・・
レジスタ群、COMD・・・コマンドデコーダ、IBU
S・・・カード内部バス、MC・・・マイクロコンピュ
ータ、CPG・・・クロック発生部、TIM,TIM1
〜TIM2・・・タイマー回路、PROM・・・プログ
ラムROM(リードオンリーメモリ)、RAM・・・ラ
ンダムアクセスメモリ、FMF・・・フラッシュメモリ
ファイル、TBL・・・制御テーブル、STBL・・・
退避テーブル、LST,SLST・・・論理セクタテー
ブル、PST,SPST・・・物理セクタテーブル、E
MT,SEMT・・・消去管理テーブル、BST,SB
ST・・・不良セクタテーブル。TDTC・・・テーブ
ル転写コントローラ。CPU ... Central processing unit, SBUS ... System bus, CCPU ... Auxiliary processing unit, MCU ... Memory control unit, MBUS ... Memory bus, MMEM.
..Main memory, EMEM ... Extended memory, BCU
... Bus control unit, IOBUS ... Input / output bus, ROM ... Read-only memory, DPYA ...
Display device adapter, DPY ... Display device, KBDC ... Keyboard control unit, KBD ...
・ Keyboard, FDD ... Floppy disk device, S
PIF: serial port interface, PPIF
... Parallel port interface, FIOC ...
Flash I / O card controller, FIO ... Flash I / O card. CC: Card controller, IF
C ... Interface controller, REGG ...
Register group, COMD ... Command decoder, IBU
S ... Card internal bus, MC ... Microcomputer, CPG ... Clock generator, TIM, TIM1
~ TIM2 ... Timer circuit, PROM ... Program ROM (read only memory), RAM ... Random access memory, FMF ... Flash memory file, TBL ... Control table, STBL ...
Evacuation table, LST, SLST ... Logical sector table, PST, SPST ... Physical sector table, E
MT, SEMT ... Erase management table, BST, SB
ST: Bad sector table. TDTC: Table transfer controller.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉田 啓彦 東京都小平市上水本町5丁目20番1号 日 立超エル・エス・アイ・エンジニアリング 株式会社内 (72)発明者 菊池 隆 東京都小平市上水本町5丁目20番1号 日 立超エル・エス・アイ・エンジニアリング 株式会社内 (72)発明者 大久保 京夫 東京都小平市上水本町5丁目20番1号 日 立超エル・エス・アイ・エンジニアリング 株式会社内 (72)発明者 門脇 茂 東京都小平市上水本町5丁目20番1号 日 立超エル・エス・アイ・エンジニアリング 株式会社内 (72)発明者 岸 正道 東京都小平市上水本町5丁目20番1号 日 立超エル・エス・アイ・エンジニアリング 株式会社内 (72)発明者 福田 宏 東京都小平市上水本町5丁目20番1号 日 立超エル・エス・アイ・エンジニアリング 株式会社内 (72)発明者 片山 国広 神奈川県川崎市麻生区王禅寺1099番地 株 式会社日立製作所システム開発研究所内 (72)発明者 管野 利夫 東京都小平市上水本町5丁目20番1号 株 式会社日立製作所半導体事業部内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Hirohiko Yoshida 5-20-1 Kamimizuhoncho, Kodaira-shi, Tokyo Inside Hiritsu Cho-LS Engineering Co., Ltd. (72) Inventor Takashi Kikuchi Tokyo 5-20-1 Kamimizuhoncho, Kodaira-shi Hitsudori Super S.I. Engineering Co., Ltd. (72) Inventor Kyoo Okubo 5-20-1 Kamimizuhoncho, Kodaira-shi, Tokyo SII Engineering Co., Ltd. (72) Inventor Shigeru Kadowaki 5-20-1 Kamimizuhonmachi, Kodaira-shi, Tokyo Hiratsuru LSI Engineering Co., Ltd. (72) Inventor Masamichi Kishi Tokyo 5-20-1 Kamimizuhonmachi, Kodaira-shi Hiritsu Cho-LS Engineering Co., Ltd. (72) Inventor Hirohito Fukuda 5-20-1 Kamimizuhonmachi, Kodaira-shi, Tokyo Within Hitsuritsu Cho-LS Engineering Co., Ltd. (72) Inventor Kunihiro Katayama 1099, Ozenji Temple, Aso-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa Ltd. Inside Hitachi Systems Development Laboratory (72) Inventor Toshio Kanno 5-20-1 Kamimizuhonmachi, Kodaira-shi, Tokyo Incorporated company Hitachi Ltd. Semiconductor Business Division
Claims (3)
の半導体メモリ内に設けられ動作進行に伴って選択的に
更新される制御テーブルの内容を、所定の周期で比較的
書き込み速度の遅い不揮発性の第2の半導体メモリ内に
設けられた退避領域に周期的に転写することを特徴とす
る制御テーブル管理方式。1. A volatile first having a relatively high writing speed.
The contents of the control table provided in the semiconductor memory of FIG. 3 and selectively updated as the operation progresses are saved in a save area provided in the nonvolatile second semiconductor memory in which the writing speed is relatively slow at a predetermined cycle. A control table management method characterized by periodical transfer.
内容は、その時点における上記退避領域の内容と一致し
ない場合にのみ選択的に上記退避領域に退避されるもの
であることを特徴とする請求項1の制御テーブル管理方
式。2. The contents of the control table when the power is turned off are selectively saved in the save area only when they do not match the contents of the save area at that time. 1. Control table management method.
ラッシュI/Oカードに含まれるものであって、上記第
1の半導体メモリは、擬似スタティック型RAMからな
り、上記第2の半導体メモリは、フラッシュメモリから
なるものであることを特徴とする請求項1又は請求項2
の制御テーブル管理方式。3. The first and second semiconductor memories are included in a flash I / O card, and the first semiconductor memory comprises a pseudo static RAM, and the second semiconductor memory. Is a flash memory.
Control table management method.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6201492A JPH0850564A (en) | 1994-08-03 | 1994-08-03 | Control table management system |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6201492A JPH0850564A (en) | 1994-08-03 | 1994-08-03 | Control table management system |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0850564A true JPH0850564A (en) | 1996-02-20 |
Family
ID=16441959
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6201492A Withdrawn JPH0850564A (en) | 1994-08-03 | 1994-08-03 | Control table management system |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0850564A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999031592A1 (en) * | 1997-12-16 | 1999-06-24 | Tdk Corporation | Flash memory system |
WO1999032977A1 (en) * | 1997-12-22 | 1999-07-01 | Tdk Corporation | Flash memory system |
-
1994
- 1994-08-03 JP JP6201492A patent/JPH0850564A/en not_active Withdrawn
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO1999031592A1 (en) * | 1997-12-16 | 1999-06-24 | Tdk Corporation | Flash memory system |
US6581132B1 (en) | 1997-12-16 | 2003-06-17 | Tdk Corporation | Flash memory system including a memory manager for managing data |
WO1999032977A1 (en) * | 1997-12-22 | 1999-07-01 | Tdk Corporation | Flash memory system |
US6591329B1 (en) | 1997-12-22 | 2003-07-08 | Tdk Corporation | Flash memory system for restoring an internal memory after a reset event |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20011106 |