JPH0847854A - Pressure plate and polishing device using it - Google Patents

Pressure plate and polishing device using it

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Publication number
JPH0847854A
JPH0847854A JP18223394A JP18223394A JPH0847854A JP H0847854 A JPH0847854 A JP H0847854A JP 18223394 A JP18223394 A JP 18223394A JP 18223394 A JP18223394 A JP 18223394A JP H0847854 A JPH0847854 A JP H0847854A
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JP
Japan
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plate
pressure
load distribution
semiconductor wafer
load
Prior art date
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Pending
Application number
JP18223394A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hajime Yui
肇 油井
Hiromasa Kaida
洋正 海田
Kenichi Nishiyori
憲一 西依
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Renesas Eastern Japan Semiconductor Inc
Original Assignee
Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd, Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd
Priority to JP18223394A priority Critical patent/JPH0847854A/en
Publication of JPH0847854A publication Critical patent/JPH0847854A/en
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  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

PURPOSE:To provide a polishing device which can uniform load distribution over a semiconductor wafer. CONSTITUTION:A pressure plate 4 in a polishing device is composed of a first plate 1 is composed of a first plate 1, attached at the center of its one surface with a pressure rod 3, a second plate positioned facing the first plate 1 and adapted to hold a semiconductor wafer 8, and a load distributing ring 11 located between the first and second plates 1, 2, for distributing a load applied upon the first plate and directed toward a base plate 5 before the load is transmitted to the second plate 2. With this arrangement in which the load applied around the center of the first plate 1 by the pressure rod 3 is distributed by the distributing ring 11 and then is transmitted to the second plate 2, and the load is uniformly applied over the semiconductor wafer 8 supported to the second plate 2, thereby it is possible to polish the semiconductor surface with a high degree of flatness.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、プレッシャプレートお
よびそれを用いた研磨装置に関し、特に、半導体ウエハ
などの被研磨部材を高平坦度に研磨できる技術に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a pressure plate and a polishing apparatus using the pressure plate, and more particularly to a technique capable of polishing a member to be polished such as a semiconductor wafer with high flatness.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体装置の製造工程においては、シリ
コンインゴットからスライシングしてシリコンウエハな
どの半導体ウエハを得て、これを鏡面研磨することによ
って表面平坦度を数μm以下としている。
2. Description of the Related Art In the process of manufacturing a semiconductor device, a semiconductor ingot such as a silicon wafer is obtained by slicing from a silicon ingot, and the surface flatness is set to several .mu.m or less by mirror polishing.

【0003】このような半導体ウエハなどの被研磨部材
を鏡面研磨する研磨装置としては、たとえば、工業調査
会発行、「1992年版 超LSI製造、試験装置ガイ
ドブック」(平成3年11月22日発行)P20〜P2
3や、オーム社発行、「LSIハンドブック」(昭和5
9年11月30日発行)P238などに記載されている
ように、被研磨部材を保持したプレッシャプレートに荷
重を加え、これをベースプレート方向に押圧するものが
知られている。
An example of a polishing apparatus for mirror-polishing a member to be polished such as a semiconductor wafer is, for example, published by the Industrial Research Committee, "1992 version VLSI manufacturing and test equipment guidebook" (issued on November 22, 1991). ) P20-P2
No. 3, published by Ohmsha, "LSI Handbook" (Showa 5
It is known that, as described in P238, etc., issued on November 30, 1997, a load is applied to a pressure plate holding a member to be polished and the load is pressed toward the base plate.

【0004】図5は、このような研磨装置を示す断面図
である。図示するように、プレッシャプレート34は、
テンプレート39によって位置決めされた半導体ウエハ
(被研磨部材)38を保持パッド40を介して保持する
ものであり、図示しないエアシリンダの加圧ロッド33
がストロークすることによる押圧力によって半導体ウエ
ハ38をベースプレート35の研磨布43に押圧しなが
ら回転させ、これと同時に研磨剤45を供給することで
鏡面研磨を行うものである。
FIG. 5 is a sectional view showing such a polishing apparatus. As shown, the pressure plate 34 is
A semiconductor wafer (member to be polished) 38 positioned by the template 39 is held via a holding pad 40, and a pressure rod 33 of an air cylinder (not shown) is held.
The semiconductor wafer 38 is rotated while being pressed against the polishing cloth 43 of the base plate 35 by the pressing force caused by the stroke of the stroke, and at the same time, the polishing agent 45 is supplied to perform mirror polishing.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかし、このような従
来の研磨装置においては、加圧ロッド33による押圧力
がプレッシャプレート34の中央部に作用するので、こ
のプレッシャプレート34の中央部付近に周辺弛れが生
じたり中央部に向かってテーパ状に変形したりして、半
導体ウエハ38にかかる荷重が不均一な分布となってし
まう。これでは、数μm以下の高平坦度を有する半導体
ウエハ38を安定的に製造することは困難になる。
However, in such a conventional polishing apparatus, since the pressing force of the pressure rod 33 acts on the central portion of the pressure plate 34, the peripheral portion near the central portion of the pressure plate 34. The load applied to the semiconductor wafer 38 has an uneven distribution due to slack or deformation toward the central portion. This makes it difficult to stably manufacture the semiconductor wafer 38 having a high flatness of several μm or less.

【0006】そして、今日のように半導体ウエハ38の
大口径化、高平坦化が進展する中においては、研磨され
た半導体ウエハ38の平坦度の悪化が、その後の工程で
形成される回路パターンの品質などにおいて重大な問題
となってきている。
As the diameter of the semiconductor wafer 38 is increased and the flatness thereof is increased as in today's day, the deterioration of the flatness of the polished semiconductor wafer 38 is caused by the deterioration of the circuit pattern formed in the subsequent process. It is becoming a serious problem in terms of quality.

【0007】そこで、本発明の目的は、被研磨部材にか
かる荷重分布を均一にし、被研磨部材を高平坦度に研磨
できる技術を提供することにある。
Therefore, an object of the present invention is to provide a technique capable of making a load distribution on a member to be polished uniform and polishing the member to be polished to a high flatness.

【0008】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかにな
るであろう。
The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を説明すれば、次の通
りである。
The typical ones of the inventions disclosed in the present application will be outlined below.

【0010】すなわち、本発明によるプレッシャプレー
トは、一方面の中心位置に加圧ロッドが取り付けられた
第1のプレートと、この第1のプレートに対向して設け
られ、被研磨部材を保持する第2のプレートと、第1の
プレートと第2のプレートとの間に設けられ、加圧ロッ
ドにより第1のプレートにかけられたベースプレート方
向への荷重を分散して第2のプレートに伝達する荷重分
散手段とを有するものである。
That is, the pressure plate according to the present invention is provided with a first plate having a pressure rod attached to the center of one surface thereof, and a first plate provided so as to face the first plate and holding a member to be polished. Load distribution which is provided between the second plate and the first plate and the second plate, and which distributes the load applied to the first plate by the pressure rod in the direction of the base plate and transmits the load to the second plate. And means.

【0011】この場合、前記した荷重分散手段は、環状
の荷重分散リング、または複数本の荷重分散ピンとする
ことができる。この荷重分散リングや荷重分散ピンは、
加圧ロッドと同軸的に配置することが望ましい。
In this case, the load distribution means may be an annular load distribution ring or a plurality of load distribution pins. This load distribution ring and load distribution pin
It is desirable to place it coaxially with the pressure rod.

【0012】これらの場合において、第2のプレートの
下方にはテーパ面を形成し、第1のプレートの外周位置
に固定される連結リングの保持部によって前記テーパ面
を保持することで第2のプレートを第1のプレートに装
着することが可能である。このとき、第1のプレートの
外周面の複数箇所には連結ピンを取り付け、連結リング
には、連結ピンが進入可能な連結溝を上端から下方に向
かって略L字状に形成し、第2のプレートを保持した連
結リングの連結溝に連結ピンをはめ込んで連結リングを
回転することで第2のプレートを第1のプレートに装着
するようにできる。テーパ面と連結リングとは、加圧ロ
ッドによる加圧状態において僅かの隙間が形成されて非
接触状態となるようにするのがよい。
In these cases, a tapered surface is formed below the second plate, and the tapered surface is held by the holding portion of the connecting ring fixed to the outer peripheral position of the first plate. It is possible to attach the plate to the first plate. At this time, connecting pins are attached to a plurality of locations on the outer peripheral surface of the first plate, and a connecting groove into which the connecting pin can enter is formed in the connecting ring in a substantially L shape from the upper end to the lower side. The second plate can be attached to the first plate by fitting the connecting pin into the connecting groove of the connecting ring holding the plate and rotating the connecting ring. It is preferable that the tapered surface and the connecting ring be in a non-contact state with a slight gap formed in a state of being pressed by the pressing rod.

【0013】また、本発明による研磨装置は、前記のよ
うなプレッシャプレートを用いて構成されたものであ
る。
Further, the polishing apparatus according to the present invention is constructed by using the pressure plate as described above.

【0014】[0014]

【作用】上記した手段によれば、加圧ロッドにより第1
のプレートの中心付近にかかった荷重が荷重分散手段に
より分散されて第2のプレートに伝達されるので、第2
のプレートに保持された被研磨部材にかかる荷重は均一
な分布になり、被研磨部材を高平坦度に研磨することが
可能になる。これにより、たとえば被研磨部材が半導体
ウエハである場合には、半導体装置の製造工程における
回路パターン形成などに与える悪影響を取り除くことが
でき、半導体ウエハの歩留まりを向上させることができ
る。
According to the above-mentioned means, the first pressure rod is used.
Since the load applied to the vicinity of the center of the plate of 10 is dispersed by the load distributing means and transmitted to the second plate,
The load applied to the member to be polished held on the plate is evenly distributed, and the member to be polished can be polished with high flatness. Thus, for example, when the member to be polished is a semiconductor wafer, it is possible to eliminate adverse effects on the circuit pattern formation in the manufacturing process of the semiconductor device and improve the yield of the semiconductor wafer.

【0015】また、荷重分散リングや複数本の荷重分散
ピンが加圧ロッドと同軸的に配置することによって、よ
り確実に被研磨部材の荷重分布の均一化を図ることが可
能になる。
Further, by arranging the load distribution ring and the plurality of load distribution pins coaxially with the pressing rod, it becomes possible to more surely make the load distribution of the member to be polished uniform.

【0016】さらに、連結リングを用いることで、第2
のプレートを第1のプレートに容易に装着することがで
き、被研磨部材の着脱作業が迅速且つ容易になる。
Further, by using the connecting ring, the second
The plate can be easily attached to the first plate, and the work of attaching and detaching the member to be polished can be performed quickly and easily.

【0017】そして、研磨処理中における第2のプレー
トのテーパ面と連結リングとの間を非接触状態とするこ
とによって、被研磨部材を保持する第2のプレートの歪
を未然に防止することができ、高平坦度に研磨された被
研磨部材を安定して製造することが可能になる。
By disposing the tapered surface of the second plate and the connecting ring in a non-contact state during the polishing process, distortion of the second plate holding the member to be polished can be prevented in advance. Therefore, it becomes possible to stably manufacture a member to be polished that has been polished to a high degree of flatness.

【0018】[0018]

【実施例】以下、本発明の実施例を、図面に基づいて詳
細に説明する。
Embodiments of the present invention will now be described in detail with reference to the drawings.

【0019】図1は本発明の一実施例による研磨装置を
示す要部断面図、図2は図1の研磨装置によるプレッシ
ャプレートの側面図、図3はその研磨装置によるプレッ
シャプレートの荷重分布を示す斜視図である。
FIG. 1 is a sectional view showing the essential parts of a polishing apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a side view of a pressure plate by the polishing apparatus of FIG. 1, and FIG. 3 is a load distribution of the pressure plate by the polishing apparatus. It is a perspective view shown.

【0020】図1に示すように、本実施例の研磨装置
は、加圧ロッド3が取り付けられた第1のプレート1
と、この第1のプレート1に対向して設けられた第2の
プレート2とからなるプレッシャプレート4と、このプ
レッシャプレート4の下方に位置するベースプレート5
とを有するものである。プレッシャプレート4とベース
プレート5とは、ともに図示しない回転駆動手段によっ
てそれぞれ独自に回転可能とされている。
As shown in FIG. 1, the polishing apparatus of the present embodiment has a first plate 1 having a pressure rod 3 attached thereto.
And a pressure plate 4 including a second plate 2 provided so as to face the first plate 1, and a base plate 5 located below the pressure plate 4.
And Both the pressure plate 4 and the base plate 5 are independently rotatable by a rotation driving means (not shown).

【0021】たとえば鉄よりなる第1のプレート1の上
面の中央位置に取り付けられた加圧ロッド3は、エアシ
リンダ(図示せず)のピストンの摺動によって垂直方向
にストロークされるもので、この加圧ロッド3のストロ
ークによってプレッシャプレート4が数百kgの力でベー
スプレート5の方向へ押圧されるものである。
The pressure rod 3 attached to the center of the upper surface of the first plate 1 made of, for example, iron is vertically stroked by sliding of a piston of an air cylinder (not shown). The stroke of the pressure rod 3 presses the pressure plate 4 toward the base plate 5 with a force of several hundred kg.

【0022】第1のプレート1の外周面の複数箇所に
は、連結リング6を介して第2のプレート2が装着され
る連結ピン7が取り付けられている。一方、図2に示す
ように、連結リング6には、連結ピン7が進入可能な溝
幅で上端から下方に向かい、その後ほぼ垂直に折れ曲が
る略L字状の連結溝6aが形成されている。よって、連
結リング6の内側に向かって形成された保持部6bに第
2のプレート2の下方に形成されたテーパ面2aを保持
させた状態で連結溝6aに連結ピン7をはめ込み、連結
リング6を回転させることによってこれが第1のプレー
ト1の外周位置に固定され、第2のプレート2が第1の
プレート1にワンタッチで装着されるようになってい
る。
At a plurality of locations on the outer peripheral surface of the first plate 1, connecting pins 7 to which the second plate 2 is attached are attached via connecting rings 6. On the other hand, as shown in FIG. 2, a substantially L-shaped connecting groove 6a is formed in the connecting ring 6 so as to extend downward from the upper end with a groove width into which the connecting pin 7 can enter and then bend substantially vertically. Therefore, with the holding portion 6b formed toward the inside of the connecting ring 6 holding the tapered surface 2a formed below the second plate 2, the connecting pin 7 is fitted into the connecting groove 6a, and the connecting ring 6 is inserted. This is fixed to the outer peripheral position of the first plate 1 by rotating, and the second plate 2 is attached to the first plate 1 with one touch.

【0023】なお、こうして装着された第2のプレート
2のテーパ面2aと連結リング6とは、第2のプレート
2に歪が生じないように、研磨処理中の加圧状態におい
ては僅かの、たとえば0.5mm程度の隙間Tが形成されて
非接触状態となるようになっている。
The taper surface 2a of the second plate 2 and the connecting ring 6 thus mounted are slightly in a pressurized state during the polishing process so that the second plate 2 is not distorted. For example, a gap T of about 0.5 mm is formed so as to be in a non-contact state.

【0024】半導体ウエハ(被研磨部材)8を保持する
第2のプレート2は、前記のように、第1のプレート1
に対向して設けられている。たとえばセラミックよりな
る第2のプレート2の一方面には、半導体ウエハ8を所
定位置に位置決めする位置決め孔9aが開設された樹脂
製のテンプレート9が接着剤などによって貼着されてい
る。そして、位置決め孔9aの中には、たとえばウレタ
ンを発泡させた保持パッド10が貼着されており、この
保持パッド10を介して半導体ウエハ8が第2のプレー
ト2に保持されるものである。
The second plate 2 for holding the semiconductor wafer (member to be polished) 8 is, as described above, the first plate 1.
Is provided opposite to. For example, a resin template 9 having a positioning hole 9a for positioning the semiconductor wafer 8 at a predetermined position is attached to one surface of the second plate 2 made of ceramic by an adhesive agent or the like. A holding pad 10 made of, for example, urethane foam is attached in the positioning hole 9a, and the semiconductor wafer 8 is held by the second plate 2 via the holding pad 10.

【0025】第1のプレート1と第2のプレート2との
間には、環状の荷重分散リング(荷重分散手段)11が
設けられている。この荷重分散リング11は加圧ロッド
3と同軸的に配置されており、図3に示すように、該加
圧ロッド3により第1のプレート1にかけられたベース
プレート5方向への荷重は、この荷重分散リング11に
より分散されて第2のプレート2(図1、図2)に伝達
されることになる。
An annular load distribution ring (load distribution means) 11 is provided between the first plate 1 and the second plate 2. This load distribution ring 11 is arranged coaxially with the pressure rod 3, and as shown in FIG. 3, the load applied to the first plate 1 by the pressure rod 3 toward the base plate 5 is the load. It is dispersed by the dispersion ring 11 and transmitted to the second plate 2 (FIGS. 1 and 2).

【0026】プレッシャプレート4の下方には、このプ
レッシャプレート4に保持された半導体ウエハ8が押圧
されるベースプレート5が位置している。
Below the pressure plate 4, a base plate 5 on which the semiconductor wafer 8 held by the pressure plate 4 is pressed is located.

【0027】裏面の中央部にモータ(図示せず)の回転
力が伝達されるシャフト12が取り付けられたベースプ
レート5の表面には研磨布13が張り付けられており、
この研磨布13上にパイプ14からの研磨剤15が滴下
されるようになっている。そして、プレッシャプレート
4およびベースプレート5それぞれの回転運動によって
研磨剤15の微細な砥粒が半導体ウエハ8と研磨布13
との間に弾塑性的に抱え込まれて半導体ウエハ8が研磨
され、これが鏡面状態に研磨されるようになっている。
A polishing cloth 13 is attached to the front surface of the base plate 5 having a shaft 12 to which the rotational force of a motor (not shown) is transmitted in the central portion of the back surface.
The polishing agent 15 from the pipe 14 is dropped onto the polishing cloth 13. Then, the fine abrasive grains of the polishing agent 15 are generated by the rotational movements of the pressure plate 4 and the base plate 5, respectively.
The semiconductor wafer 8 is elasto-plastically held between and to polish the semiconductor wafer 8, and the semiconductor wafer 8 is mirror-finished.

【0028】本実施例の研磨装置では、テンプレート9
の位置決め孔9aに設けられた保持パッド10に半導体
ウエハ8を保持した状態の第2のプレート2を、そのテ
ーパ面2aが保持部6bと接触する方向で連結リング6
内に挿入する。次に、第2のプレート2を上昇させ、第
1のプレート1の外周面に取り付けられた連結ピン7に
連結リング6の連結溝6aを合わせて押し込み、連結リ
ング6を回転することによって第2のプレート2を第1
のプレート1に装着する。そして、このようにしたプレ
ッシャプレート4を下降させて加圧ロッド3により半導
体ウエハ8をベースプレート5に圧接し、研磨剤15を
滴下しつつプレッシャプレート4およびベースプレート
5をそれぞれ回転させると、鏡面研磨された半導体ウエ
ハ8が得られることになる。
In the polishing apparatus of this embodiment, the template 9
Of the second plate 2 holding the semiconductor wafer 8 on the holding pad 10 provided in the positioning hole 9a of the connecting ring 6 in the direction in which the taper surface 2a of the second plate 2 contacts the holding portion 6b.
Insert inside. Next, the second plate 2 is lifted, the connecting groove 6a of the connecting ring 6 is aligned with the connecting pin 7 attached to the outer peripheral surface of the first plate 1, and the connecting ring 6 is rotated to rotate the second plate. Plate 2 of 1st
Attach to plate 1 of. Then, the pressure plate 4 thus lowered is brought into pressure contact with the semiconductor wafer 8 against the base plate 5 by the pressure rod 3, and the pressure plate 4 and the base plate 5 are respectively rotated while dropping the polishing agent 15, whereby mirror polishing is performed. The semiconductor wafer 8 is obtained.

【0029】ここで、前記のように、本研磨装置のプレ
ッシャプレート4は、加圧ロッド3が取り付けられた第
1のプレート1と、この第1のプレート1に対向して設
けられて半導体ウエハ8を保持する第2のプレート2
と、第1のプレート1と第2のプレート2との間に設け
られた荷重分散リング11とを有している。したがっ
て、加圧ロッド3により第1のプレート1の中心付近に
かかった荷重は、この荷重分散リング11により分散さ
れて第2のプレート2に伝達される。よって、第2のプ
レート2に保持された半導体ウエハ8にかかる荷重は均
一な分布になり、半導体ウエハ8を高平坦度に研磨する
ことが可能になる。
Here, as described above, the pressure plate 4 of the present polishing apparatus is provided with the first plate 1 to which the pressure rod 3 is attached, and the semiconductor wafer provided so as to face the first plate 1. Second plate 2 holding 8
And a load distribution ring 11 provided between the first plate 1 and the second plate 2. Therefore, the load applied to the vicinity of the center of the first plate 1 by the pressure rod 3 is dispersed by the load distribution ring 11 and transmitted to the second plate 2. Therefore, the load applied to the semiconductor wafer 8 held by the second plate 2 has a uniform distribution, and the semiconductor wafer 8 can be polished with high flatness.

【0030】また、連結リング6によって第2のプレー
ト2を容易に第1のプレート1に装着することができる
ので、半導体ウエハ8の着脱作業が迅速且つ容易にな
り、作業性が向上する。
Since the second plate 2 can be easily attached to the first plate 1 by the connecting ring 6, the work of attaching and detaching the semiconductor wafer 8 is quick and easy, and the workability is improved.

【0031】そして、第2のプレート2のテーパ面2a
と連結リング6とは、研磨処理中において僅かの隙間T
が形成されるようになっているので、半導体ウエハ8を
保持する第2のプレート2の歪が未然に防止され、高平
坦度に研磨された半導体ウエハ8を安定して製造するこ
とができる。
The tapered surface 2a of the second plate 2
The connecting ring 6 and the connecting ring 6 have a slight gap T during the polishing process.
Since the second plate 2 for holding the semiconductor wafer 8 is prevented from being distorted, the semiconductor wafer 8 polished to a high flatness can be stably manufactured.

【0032】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることは言うまでもない。
Although the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiments, the present invention is not limited to the embodiments and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. Needless to say.

【0033】たとえば、本実施例における荷重分散手段
としては、環状の荷重分散リング11が用いられている
が、図4に示すような、複数本の荷重分散ピン21とい
った荷重分散手段を用いることも可能である。半導体ウ
エハ8にかかる荷重分布を均一なものとするためには、
本実施例のように、これらを加圧ロッド3と同軸的に配
置することが望ましいが、第1のプレートに対する加圧
ロッド3の取付強度が十分に確保されている場合などで
は、非同軸的な配置であってもよい。なお、荷重分散リ
ング11のリング径、あるいは環状に配置した荷重分散
ピン21の径は自由に設定することができる。したがっ
て、荷重点は任意の位置に調整可能である。
For example, an annular load distribution ring 11 is used as the load distribution means in this embodiment, but a load distribution means such as a plurality of load distribution pins 21 as shown in FIG. 4 may be used. It is possible. In order to make the load distribution on the semiconductor wafer 8 uniform,
Although it is desirable to arrange them coaxially with the pressure rod 3 as in the present embodiment, in the case where the attachment strength of the pressure rod 3 to the first plate is sufficiently secured, it is non-coaxial. Any arrangement may be possible. The ring diameter of the load distribution ring 11 or the diameter of the load distribution pin 21 arranged in an annular shape can be set freely. Therefore, the load point can be adjusted to any position.

【0034】また、本実施例のプレッシャプレート4で
は、連結リング6に連結溝6aを設け、これを第1のプ
レート1の連結ピン7と嵌合させることとしているが、
このような連結溝6aや連結ピン7を用いることなく、
第1のプレート1と連結リング6とをねじ結合すること
なども考えられる。
In the pressure plate 4 of the present embodiment, the connecting ring 6 is provided with the connecting groove 6a, which is fitted with the connecting pin 7 of the first plate 1.
Without using such connecting groove 6a and connecting pin 7,
It is also conceivable to screw the first plate 1 and the connecting ring 6 together.

【0035】なお、半導体ウエハ8などの被研磨部材は
プレッシャプレート4にワックスで張り付けることのほ
か、あるいは、ワックスを用いることなく、被研磨部材
との密着性のよいフィルムなどで張り付けることもでき
る。
The member to be polished such as the semiconductor wafer 8 may be adhered to the pressure plate 4 with wax, or may be adhered to the member to be polished with a film having good adhesion without using wax. it can.

【0036】さらに、本実施例における半導体ウエハ8
は被研磨部材の一例に過ぎず、シリコンウエハや化合物
半導体ウエハなどを含めた半導体ウエハ8以外にも、た
とえば磁気ディスク、液晶ガラスなどのように鏡面加工
が必要な種々の部材を被研磨部材として用いることがで
きる。
Further, the semiconductor wafer 8 in this embodiment
Is only an example of the member to be polished, and in addition to the semiconductor wafer 8 including a silicon wafer and a compound semiconductor wafer, various members such as a magnetic disk and a liquid crystal glass that require mirror finishing are used as the member to be polished. Can be used.

【0037】[0037]

【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以
下の通りである。
The effects obtained by the typical ones of the inventions disclosed in this application will be briefly described as follows.

【0038】(1).すなわち、本発明によれば、プレッシ
ャプレートが、加圧ロッドが取り付けられた第1のプレ
ートと、この第1のプレートに対向して設けられて被研
磨部材を保持する第2のプレートと、第1のプレートと
第2のプレートとの間に設けられた荷重分散リングとを
有しているので、加圧ロッドにより第1のプレートの中
心付近にかかった荷重は、荷重分散リングにより分散さ
れて第2のプレートに伝達される。したがって、第2の
プレートに保持された被研磨部材にかかる荷重は均一な
分布になり、被研磨部材を高平坦度に研磨することが可
能になる。
(1) That is, according to the present invention, the pressure plate is provided to face the first plate to which the pressure rod is attached and the first plate to hold the member to be polished. Since the second plate and the load distribution ring provided between the first plate and the second plate are included, the load applied to the vicinity of the center of the first plate by the pressure rod is The load is dispersed by the load distribution ring and transmitted to the second plate. Therefore, the load applied to the member to be polished held by the second plate has a uniform distribution, and the member to be polished can be polished with high flatness.

【0039】(2).これにより、たとえば被研磨部材が半
導体ウエハである場合には、該半導体ウエハが高平坦度
に研磨されることにより、半導体装置の製造工程におけ
る回路パターン形成などに与える悪影響を取り除くこと
ができ、半導体ウエハの歩留まりを向上させることがで
きる。
(2) As a result, for example, when the member to be polished is a semiconductor wafer, polishing the semiconductor wafer to a high degree of flatness adversely affects the circuit pattern formation in the manufacturing process of the semiconductor device. Can be removed, and the yield of semiconductor wafers can be improved.

【0040】(3).また、荷重分散リングや複数本の荷重
分散ピンが加圧ロッドと同軸的に配置することによっ
て、より確実に被研磨部材の荷重分布の均一化を図るこ
とが可能になる。
(3) Further, by arranging the load distribution ring and the plurality of load distribution pins coaxially with the pressure rod, it is possible to more surely make the load distribution of the member to be polished uniform. Become.

【0041】(4).連結リングを用いることによって、第
2のプレートを第1のプレートに容易に装着することが
できるので、被研磨部材の着脱作業が迅速且つ容易にな
り、作業性が向上する。
(4) Since the second plate can be easily attached to the first plate by using the connecting ring, the work for attaching and detaching the member to be polished is quick and easy, and the workability is improved. To do.

【0042】(5).研磨処理中における第2のプレートの
テーパ面と連結リングとの間を非接触状態とすることに
よって、被研磨部材を保持する第2のプレートの歪を未
然に防止することができ、高平坦度に研磨された被研磨
部材を安定して製造することが可能になる。
(5) By disposing the tapered surface of the second plate and the connecting ring in a non-contact state during the polishing process, the distortion of the second plate holding the member to be polished is prevented in advance. Therefore, it becomes possible to stably manufacture a member to be polished that has been polished to a high degree of flatness.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例による研磨装置を示す要部断
面図である。
FIG. 1 is a sectional view of an essential part showing a polishing apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1の研磨装置によるプレッシャプレートの側
面図である。
FIG. 2 is a side view of a pressure plate by the polishing apparatus of FIG.

【図3】その研磨装置によるプレッシャプレートの荷重
分布を示す斜視図である。
FIG. 3 is a perspective view showing a load distribution of a pressure plate by the polishing apparatus.

【図4】本発明の他の実施例による荷重分散手段を示す
斜視図である。
FIG. 4 is a perspective view showing a load distributing means according to another embodiment of the present invention.

【図5】従来の研磨装置を示す断面図である。FIG. 5 is a sectional view showing a conventional polishing apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 第1のプレート 2 第2のプレート 2a テーパ面 3 加圧ロッド 4 プレッシャプレート 5 ベースプレート 6 連結リング 6a 連結溝 6b 保持部 7 連結ピン 8 半導体ウエハ(被研磨部材) 9 テンプレート 9a 位置決め孔 10 保持パッド 11 荷重分散リング(荷重分散手段) 12 シャフト 13 研磨布 14 パイプ 15 研磨剤 21 荷重分散ピン(荷重分散手段) 33 加圧ロッド 34 プレッシャプレート 35 ベースプレート 38 半導体ウエハ 39 テンプレート 40 保持パッド 43 研磨布 45 研磨剤 T 隙間 1 1st plate 2 2nd plate 2a Tapered surface 3 Pressurizing rod 4 Pressure plate 5 Base plate 6 Connecting ring 6a Connecting groove 6b Holding part 7 Connecting pin 8 Semiconductor wafer (polished member) 9 Template 9a Positioning hole 10 Holding pad 11 load distribution ring (load distribution means) 12 shaft 13 polishing cloth 14 pipe 15 abrasive 21 load distribution pin (load distribution means) 33 pressure rod 34 pressure plate 35 base plate 38 semiconductor wafer 39 template 40 holding pad 43 polishing cloth 45 polishing Agent T gap

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 西依 憲一 東京都青梅市藤橋3丁目3番地2 日立東 京エレクトロニクス株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Kenichi Nishiyi 3-3 Fujibashi, Ome City, Tokyo 2 Hitachi Tokyo Electronics Co., Ltd.

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 一方面の中心位置に加圧ロッドが取り付
けられた第1のプレートと、 前記第1のプレートに対向して設けられ、被研磨部材を
保持する第2のプレートと、 前記第1のプレートと前記第2のプレートとの間に設け
られ、前記加圧ロッドにより前記第1のプレートにかけ
られたベースプレート方向への荷重を分散して前記第2
のプレートに伝達する荷重分散手段とを有することを特
徴とするプレッシャプレート。
1. A first plate having a pressure rod attached to the center of one surface thereof; a second plate provided to face the first plate and holding a member to be polished; Is provided between the first plate and the second plate, and the load applied to the first plate by the pressure rod in the direction of the base plate is dispersed to disperse the second plate.
And a load distribution means for transmitting the pressure plate to the plate.
【請求項2】 前記荷重分散手段は、環状の荷重分散リ
ングであることを特徴とする請求項1記載のプレッシャ
プレート。
2. The pressure plate according to claim 1, wherein the load distribution means is an annular load distribution ring.
【請求項3】 前記荷重分散手段は、複数本の荷重分散
ピンであることを特徴とする請求項1記載のプレッシャ
プレート。
3. The pressure plate according to claim 1, wherein the load distribution means is a plurality of load distribution pins.
【請求項4】 前記荷重分散リングまたは前記荷重分散
ピンは、前記加圧ロッドと同軸的に配置されていること
を特徴とする請求項2または3記載のプレッシャプレー
ト。
4. The pressure plate according to claim 2, wherein the load distribution ring or the load distribution pin is arranged coaxially with the pressure rod.
【請求項5】 前記第2のプレートの下方にはテーパ面
が形成され、前記第1のプレートの外周位置に固定され
る連結リングの保持部によって前記テーパ面が保持され
ることで前記第2のプレートが前記第1のプレートに装
着されることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項
に記載のプレッシャプレート。
5. A taper surface is formed below the second plate, and the taper surface is held by a holding portion of a connecting ring fixed to an outer peripheral position of the first plate, whereby the second plate is formed. 5. The pressure plate according to claim 1, wherein the plate is attached to the first plate.
【請求項6】 前記第1のプレートの外周面の複数箇所
には連結ピンが取り付けられ、前記連結リングには、前
記連結ピンが進入可能な連結溝が上端から下方に向かっ
て略L字状に形成されており、前記第2のプレートを保
持した前記連結リングの前記連結溝に前記連結ピンをは
め込んで前記連結リングを回転させることで前記第2の
プレートが前記第1のプレートに装着されることを特徴
とする請求項5記載のプレッシャプレート。
6. A connecting pin is attached to a plurality of locations on an outer peripheral surface of the first plate, and a connecting groove into which the connecting pin can be inserted is formed in the connecting ring in a substantially L-shape from an upper end to a lower part. The second plate is attached to the first plate by fitting the connecting pin into the connecting groove of the connecting ring holding the second plate and rotating the connecting ring. The pressure plate according to claim 5, wherein:
【請求項7】 前記テーパ面と前記連結リングとは、前
記加圧ロッドによる加圧状態において僅かの隙間が形成
されて非接触状態となることを特徴とする請求項5また
は6記載のプレッシャプレート。
7. The pressure plate according to claim 5, wherein the tapered surface and the connecting ring are in a non-contact state with a slight gap formed in a pressure state by the pressure rod. .
【請求項8】 請求項1〜7のいずれか一項に記載のプ
レッシャプレートを用いて構成されることを特徴とする
研磨装置。
8. A polishing apparatus comprising the pressure plate according to any one of claims 1 to 7.
JP18223394A 1994-08-03 1994-08-03 Pressure plate and polishing device using it Pending JPH0847854A (en)

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