JPH0845812A - Surface position setting device - Google Patents

Surface position setting device

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JPH0845812A
JPH0845812A JP6175197A JP17519794A JPH0845812A JP H0845812 A JPH0845812 A JP H0845812A JP 6175197 A JP6175197 A JP 6175197A JP 17519794 A JP17519794 A JP 17519794A JP H0845812 A JPH0845812 A JP H0845812A
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JP
Japan
Prior art keywords
substrate
speed
optical system
projection optical
focus
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP6175197A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takashi Miyaji
敬 宮地
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Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
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Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
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Publication of JPH0845812A publication Critical patent/JPH0845812A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70358Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

PURPOSE:To provide a surface position setting device for a scanning exposure device, which has a relatively low gain and high follow-up performance without requiring high-level tuning in a servo system. CONSTITUTION:A deviation DELTAz (t) obtained by subtracting a focus position z (t) detected in a focus position detecting system from the target value zr (t) of a focus position in a subtracting part 69 is supplied to a position loop controller 56, and velocity vz (t) obtained by multiplying it by a predetermined gain in the position loop controller 56, predicted tilt velocity vz' (t) corresponding to a tilt angle in the surface of a wafer and predicted step difference velocity vz'' (t) corresponding to a step difference between the exposure region of the surface of the wafer and an estimated region are supplied to an adding part 57. An actuator 68 is driven through a velocity loop controller 63 on the basis of velocity Vz (t) obtained by integration in the adding part 57.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体素子又は
液晶表示素子等を製造するための投影露光装置において
感光基板の高さ又は傾斜角を所定の状態に設定するため
の面位置設定装置に関し、特に、スリット・スキャン方
式、又はステップ・アンド・スキャン方式等の走査型露
光装置のオートフォーカス機構、又はオートレベリング
機構に適用して好適なものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a surface position setting device for setting a height or a tilt angle of a photosensitive substrate to a predetermined state in a projection exposure apparatus for manufacturing a semiconductor device or a liquid crystal display device, for example. In particular, it is suitable for application to an autofocus mechanism or an autoleveling mechanism of a scanning exposure apparatus such as a slit scan method or a step and scan method.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体素子等を製造するためのリソグラ
フィ工程で使用される投影露光装置の内で、ステップ・
アンド・リピート方式(ステッパー等)のような一括露
光方式の投影露光装置では、合焦させようとするウエハ
が静止しているため、オートフォーカスあるいはオート
レベリングは、一定の目標値に対するサーボ制御により
行われることになる。
2. Description of the Related Art In a projection exposure apparatus used in a lithography process for manufacturing a semiconductor device, etc.
In a projection exposure apparatus that uses a batch exposure method such as the AND / REPEAT method (stepper, etc.), the wafer to be focused is stationary, so autofocus or autoleveling is performed by servo control for a fixed target value. Will be seen.

【0003】図12は、従来のオートフォーカス機構を
簡略化して示し、この図12において、減算部69の一
方の入力部にウエハの焦点位置(投影光学系の光軸方向
の位置)の目標値zr(t)が供給され、他方の入力部に
不図示の焦点位置検出系(AFセンサ)で計測された実
際の焦点位置z(t)が供給され、減算部69から両者
の偏差Δz(t)が出力される。そして、その差分Δz
(t)に位置ループコントローラ56で所定のゲインを
乗ずることにより、その偏差Δz(t)を0にするため
のウエハの焦点位置方向への駆動速度vz(t)が得ら
れ、この駆動速度vz(t)が減算部62の一方の入力部
に供給される。また、減算部62の他方の入力部に、ウ
エハを駆動するためのアクチュエータ68の実際の駆動
速度が供給され、減算部62から出力される差分に速度
ループコントローラ63で所定のゲインを乗じて得られ
る駆動信号がアクチュエータ68に供給されている。即
ち、従来の一括露光方式の投影露光装置用のオートフォ
ーカス機構は、焦点位置検出系(AFセンサ)を位置検
出器とする比較的単純な閉ループ位置制御系であり、こ
れにより必要な焦点位置の精度及び所定の整定時間が得
られていた。
FIG. 12 is a simplified view of a conventional autofocus mechanism. In FIG. 12, the target value of the focus position of the wafer (the position in the optical axis direction of the projection optical system) is input to one input unit of the subtraction unit 69. z r (t) is supplied, and the actual focus position z (t) measured by a focus position detection system (AF sensor) (not shown) is supplied to the other input unit, and the difference Δz ( t) is output. Then, the difference Δz
By multiplying (t) by a predetermined gain by the position loop controller 56, a driving speed v z (t) in the direction of the focus position of the wafer for making the deviation Δz (t) 0 can be obtained. v z (t) is supplied to one input section of the subtraction section 62. Further, the actual input speed of the actuator 68 for driving the wafer is supplied to the other input section of the subtraction section 62, and the difference output from the subtraction section 62 is multiplied by a predetermined gain in the speed loop controller 63 to obtain the difference. The drive signal to be supplied is supplied to the actuator 68. That is, the conventional autofocus mechanism for a projection exposure apparatus of the batch exposure type is a relatively simple closed-loop position control system that uses a focus position detection system (AF sensor) as a position detector. The accuracy and the prescribed settling time were obtained.

【0004】これに対して近年、半導体素子等の1個の
チップパターンが大型化する傾向にあるため、より大き
なレチクルのパターンをウエハ上に露光する露光装置が
求められている。そこで、投影光学系に大きな負担をか
けることなく大面積のパターンの露光を行う露光装置と
して、レチクルを照明した状態で、レチクルを投影光学
系の光軸を横切る第1の方向に走査するのと同期して、
ウエハを第1の方向に対応する第2の方向に走査するこ
とにより、レチクルのパターンをウエハの各ショット領
域に逐次露光するスリットスキャン方式、又はステップ
・アンド・スキャン方式等の走査型露光装置が注目され
ている。このような走査型露光装置の場合、図13に示
すように、投影光学系の露光フィールド内の所定の露光
領域70に対してウエハ69を走査することにより露光
が行われるため、同一径の投影光学系を使用してより大
きなショット領域への露光が可能になる。
On the other hand, in recent years, the size of one chip pattern such as a semiconductor element tends to be large, and therefore an exposure apparatus that exposes a larger reticle pattern onto a wafer is required. Therefore, as an exposure apparatus that exposes a large-area pattern without imposing a heavy burden on the projection optical system, while scanning the reticle, the reticle is scanned in a first direction across the optical axis of the projection optical system. In sync,
A scanning type exposure apparatus such as a slit scan method or a step-and-scan method that sequentially exposes a pattern of a reticle to each shot area of the wafer by scanning the wafer in a second direction corresponding to the first direction is provided. Attention has been paid. In the case of such a scanning type exposure apparatus, as shown in FIG. 13, since the exposure is performed by scanning the wafer 69 with respect to a predetermined exposure area 70 in the exposure field of the projection optical system, projection with the same diameter is performed. Exposure to larger shot areas is possible using optics.

【0005】このような走査型露光装置で例えばウエハ
のオートフォーカスを行う場合、合焦させようとするウ
エハが移動するため、例えば図13においてウエハ69
上の段差上の点69a等を合焦させるためには、ウエハ
の傾きや凹凸、段差等を正確に追いかける追従系を構成
する必要がある。
When, for example, auto-focusing a wafer in such a scanning type exposure apparatus, the wafer to be focused moves, so that, for example, the wafer 69 in FIG.
In order to focus the point 69a and the like on the upper step, it is necessary to configure a follow-up system that accurately follows the inclination, unevenness, step, etc. of the wafer.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
一般的な制御では、例えばウエハの傾きによる焦点位置
の変化に閉ループ制御で追従しようとすると、必ず定常
偏差を生ずることが分かっている。この定常偏差を要求
される精度内に納めるためには、位置ループの制御ゲイ
ンを上げ、しかも位置ループ内に積分器をもつ高次型の
閉ループサーボ系(所謂II型)を構成する必要がある。
ところが、そのように制御ゲインを上げること、及び積
分器を入れることはどちらもループを不安定にする方向
に働くため、このサーボ系は綿密なチューニングを必要
とし、しかも安定性(ロバスト性)に欠けるものになり
がちであった。
However, in the conventional general control, it is known that a steady deviation is inevitably generated when trying to follow the change of the focus position due to the tilt of the wafer by the closed loop control. In order to keep this steady-state deviation within the required accuracy, it is necessary to increase the control gain of the position loop and to configure a higher-order closed-loop servo system (so-called type II) that has an integrator in the position loop. .
However, raising the control gain and inserting an integrator both tend to destabilize the loop, so this servo system requires careful tuning and is stable (robust). It tended to be lacking.

【0007】また、追従性を高めるために制御ゲインを
上げると、必然的に制御帯域も広くなり、サーボ系の応
答が振動的になって投影光学系による投影像の形成に悪
影響を及ぼすことがあった。本発明は斯かる点に鑑み、
サーボ系に高度なチューニングを要することなく、比較
的低いゲインで高い追従性をもつ走査型露光装置用の面
位置設定装置を提供することを目的とする。
Further, if the control gain is increased to improve the followability, the control band is inevitably widened, and the response of the servo system becomes oscillating, which adversely affects the formation of a projected image by the projection optical system. there were. In view of such points, the present invention is
An object of the present invention is to provide a surface position setting device for a scanning type exposure apparatus having a relatively low gain and a high tracking capability without requiring a high-level tuning of a servo system.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明による第1の面位
置設定装置は、転写用のパターンが形成されたマスク
(7)を露光用の照明光で照明し、そのマスクのパター
ンを投影光学系(11)を介して基板ステージ(15
X)上の感光性の基板(12)上の露光領域(13)に
投影し、そのマスクを所定の方向(+X方向)に走査す
るのと同期して、その基板ステージを介して基板(1
2)を所定の方向(−X方向)に走査することにより、
基板(12)上にマスク(7)のパターンを逐次露光す
る走査型露光装置に設けられ、基板(12)の表面の投
影光学系(11)の光軸方向(Z方向)の位置を所定の
位置に設定する装置において、基板ステージ(15X)
上で、供給される駆動信号に応じた投影光学系(11)
の光軸方向への駆動速度で基板(12)の投影光学系
(11)の光軸方向の位置を制御する高さ調整手段(1
6A〜16C)と、基板(12)上の投影光学系(1
1)による露光領域(13)内の計測点P32で投影光学
系(11)の光軸方向の位置を検出する焦点位置検出手
段(64)と、を有する。
A first surface position setting device according to the present invention illuminates a mask (7) on which a transfer pattern is formed with an illuminating light for exposure, and the pattern of the mask is projected by a projection optical system. Through the system (11), the substrate stage (15
X) is projected onto the exposure area (13) on the photosensitive substrate (12) and the mask is scanned in a predetermined direction (+ X direction) in synchronization with the substrate (1) through the substrate stage.
By scanning 2) in a predetermined direction (-X direction),
It is provided in a scanning type exposure apparatus that sequentially exposes the pattern of the mask (7) on the substrate (12), and the position of the surface of the substrate (12) in the optical axis direction (Z direction) of the projection optical system (11) is set to a predetermined value. In the position setting device, the substrate stage (15X)
Above, the projection optical system (11) according to the drive signal supplied
Height adjusting means (1) for controlling the position of the projection optical system (11) of the substrate (12) in the optical axis direction at a driving speed in the optical axis direction of
6A to 16C) and the projection optical system (1
1) The focus position detection means (64) for detecting the position of the projection optical system (11) in the optical axis direction at the measurement point P 32 in the exposure area (13).

【0009】更に本発明は、その露光領域(13)内の
計測点P32を含む所定の計測領域の基板ステージ(15
X)の走り面に対する傾斜角を検出する傾斜角検出手段
(65)と、基板(12)のその投影光学系の光軸方向
の目標位置と焦点位置検出手段(64)により検出され
る位置との差分に応じた目標速度vz を示す駆動信号
と、傾斜角検出手段(65)により検出される傾斜角と
基板ステージ(15X)の走査速度との積に応じた予測
傾斜速度vz ’を示す駆動信号を加算して得られる駆動
信号を高さ調整手段(16A〜16C)に供給する速度
信号供給手段(52,53,56〜58,60)と、を
備えたものである。
Further, according to the present invention, the substrate stage (15) in a predetermined measurement area including the measurement point P 32 in the exposure area (13) is provided.
X) an inclination angle detecting means (65) for detecting an inclination angle with respect to the running surface, a target position in the optical axis direction of the projection optical system of the substrate (12), and a position detected by the focus position detecting means (64). The predicted tilt speed v z ′ according to the product of the driving signal indicating the target speed v z according to the difference between the tilt angle detected by the tilt angle detection means (65) and the scanning speed of the substrate stage (15X). Speed signal supply means (52, 53, 56 to 58, 60) for supplying a drive signal obtained by adding the drive signals shown to the height adjusting means (16A to 16C).

【0010】この場合、更に基板(12)上の露光領域
(13)に対して走査方向に先行する計測点P52でその
投影光学系の光軸方向の位置を先読みする焦点位置先読
み手段(66)を設け、その速度信号供給手段は、その
目標速度vz を示す駆動信号と、その予測傾斜速度
z ’を示す駆動信号との和信号に、更にその焦点位置
先読み手段により先読みされる位置とその焦点位置検出
手段により検出される位置との差分に応じた予測段差速
度vz ”を示す駆動信号を加算して得られる駆動信号を
その高さ調整手段に供給することが望ましい。
In this case, the focus position pre-reading means (66) pre-reads the position in the optical axis direction of the projection optical system at the measurement point P 52 which precedes the exposure area (13) on the substrate (12) in the scanning direction. ) Is provided, and the speed signal supply means uses the sum signal of the drive signal indicating the target speed v z and the drive signal indicating the predicted tilt speed v z ′, and the position pre-read by the focus position look-ahead means. It is desirable to supply a drive signal obtained by adding a drive signal indicating the predicted step velocity v z ″ according to the difference between the position detected by the focus position detection means and the height adjustment means.

【0011】[0011]

【作用】先ず図9〜図11に基づいて本発明の原理につ
いて説明する。図9において、感光性の基板(12)上
の投影光学系による露光領域(13)の上方には、投影
光学系の光軸方向(Z方向)への変位を検出する焦点位
置検出手段(64)と、傾斜角検出手段(65)とが配
置される。また、露光領域(13)に対して走査方向
(−X方向)に時間的に先行して検出できる位置(以
下、「先読み位置」という)(35A)に焦点位置先読
み手段(66)を配置する。ここで、基板(12)の走
査方向(−X方向)への移動速度(走査速度)をv、露
光領域(13)内の検出位置と先読み位置との間隔をd
とする。また、焦点位置検出手段(64)、及び焦点位
置先読み手段(66)は、基板(12)の走査方向への
走り面を基準として、その走り面からのずれ量を検出す
るようにキャリブレーションされているものとする。こ
のとき、基板(12)上の1点が2つの手段(64,6
6)の間隔dを横切るのに要する時間τは、次のように
なる。
First, the principle of the present invention will be described with reference to FIGS. In FIG. 9, above the exposure area (13) by the projection optical system on the photosensitive substrate (12), a focus position detecting means (64) for detecting the displacement of the projection optical system in the optical axis direction (Z direction). ) And an inclination angle detecting means (65) are arranged. Further, the focus position pre-reading means (66) is arranged at a position (hereinafter referred to as "pre-reading position") (35A) that can be detected in advance in the scanning direction (-X direction) with respect to the exposure region (13). . Here, the moving speed (scanning speed) of the substrate (12) in the scanning direction (-X direction) is v, and the interval between the detection position and the prefetch position in the exposure area (13) is d.
And Further, the focus position detecting means (64) and the focus position pre-reading means (66) are calibrated so as to detect the deviation amount from the running surface of the substrate (12) in the scanning direction as a reference. It is assumed that At this time, one point on the substrate (12) has two means (64, 6).
The time τ required to cross the interval d of 6) is as follows.

【0012】[0012]

【数1】τ=d/v また、図10に示すように、傾斜している基板(12
A)を想定して、この基板(12A)上で或る時刻tに
おける露光領域内の計測点でのZ方向への変位をz
(t)、傾斜角をθ(t)とする。また、同じくその時
刻tにおける先読み位置でのZ方向への変位をzp(t)
とする。そして、時刻tでの露光領域内の計測点(合焦
点)でのZ方向への変位及び傾斜角から、時刻(t+
τ)での露光領域内の計測点でのZ方向への変位z(t
+τ)を予測することを考える。図10に示すように、
基板(12A)の表面に凹凸や段差がなければ、変位z
(t+τ)は次式で与えられる。
Τ = d / v Further, as shown in FIG. 10, the tilted substrate (12
Assuming A), the displacement in the Z direction at the measurement point in the exposure area at a certain time t on this substrate (12A) is z.
(T) and the inclination angle is θ (t). Similarly, the displacement in the Z direction at the look-ahead position at time t is z p (t)
And Then, from the displacement and tilt angle in the Z direction at the measurement point (focus point) in the exposure area at time t, the time (t +
The displacement z (t) in the Z direction at the measurement point in the exposure area at (τ)
Consider predicting + τ). As shown in FIG.
If there are no irregularities or steps on the surface of the substrate (12A), the displacement z
(T + τ) is given by the following equation.

【0013】[0013]

【数2】z(t+τ)≒z(t)+θ(t)・d これは、基板(12A)の走査中に常に合焦を行うため
には、基板(12A)をZ方向に{z(t)−z(t+
τ)}/τなる予測傾斜速度vz'(t)で移動させれば
よいことを示す。従って、(数1)、(数2)より、次
式が成立する。
## EQU00002 ## z (t + .tau.). Apprxeq.z (t) +. Theta. (T) .d This means that in order to always focus during scanning of the substrate (12A), the substrate (12A) is moved in the Z direction by {z ( t) -z (t +
It shows that it is sufficient to move at the predicted inclination velocity v z '(t) such that τ)} / τ. Therefore, the following equation is established from (Equation 1) and (Equation 2).

【0014】[0014]

【数3】 vz'(t)≒−θ(t)・d/τ=−θ(t)・v 次に、図11に示すように表面に段差δzがある基板
(12B)の合焦を行う場合について考えると、段差δ
zは次式で与えられる。
Equation 3] v z '(t) ≒ -θ (t) · d / τ = -θ (t) · v Next, if the substrate (12B) there is a step δz the surface as shown in FIG. 11 focus If we consider the case of
z is given by the following equation.

【0015】[0015]

【数4】δz≒zp(t)−z(t)−d・θ(t) 基板(12B)上のその段差部は、時刻(t+τ)には
投影光学系による露光領域にかかるので、それに先立っ
てなめらかに基板(12B)の表面をZ方向に移動させ
ることを考える。そのためには、傾斜角θ(t)に対応
する速度vz'(t)に加えて、時刻tにおいて次式で表
される予測段差速度vz"(t)で基板(12B)のZ方
向への駆動を開始すればよい。
Equation 4] δz ≒ z p (t) -z (t) -d · θ (t) the stepped portion on the substrate (12B), the time (t + tau) because according to the exposure area of the projection optical system, Before that, it is considered that the surface of the substrate (12B) is smoothly moved in the Z direction. For that purpose, in addition to the velocity v z ′ (t) corresponding to the inclination angle θ (t), at the time t, the predicted step velocity v z ″ (t) expressed by the following equation is applied to the substrate (12B) in the Z direction. You can start driving to.

【0016】[0016]

【数5】vz"(t)≒−δz/τ これにより、基板(12B)の段差部は図11の点線で
示す軌跡(67)に沿って露光領域に達するため、その
段差部でも正確に合焦が行われることが分かる。この場
合、(数4)及び(数5)より次式が成立する。
The Equation 5] v z "(t) ≒ -δz / τ this, since the step portion of the substrate (12B) is to reach the exposure area along a trajectory (67) indicated by the dotted line in FIG. 11, precisely at the step portion It can be seen that the focusing is performed in the case of (4) and (5) in this case.

【0017】[0017]

【数6】vz"(t)≒−{(zp(t)−z(t)−d・
θ(t))/d}v これらの速度vz'(t)、及びvz"(t)を用いて、図
8のような制御系を構成する。図8において、目標位置
r(t)と実際に焦点位置検出手段(64)により計測
される位置z(t)との偏差Δz(t)から位置ループ
コントローラ(56)により目標速度vz(t)が求めら
れ、この目標速度vz(t)に上述の速度vz'(t)、及
びvz"(t)が加算されて駆動速度Vz(t)が求められ
る。そして、この駆動速度Vz(t)が得られるように高
さ調整手段(16A〜16C)の一例としてのアクチュ
エータ(68)が速度サーボ系(62,63)で駆動さ
れる。
[Mathematical formula-see original document] v z "(t) ≈-{(z p (t) -z (t) -d.
θ (t)) / d} v These velocity v z '(t), and v z "using a (t), in. FIG. 8 constituting the control system shown in FIG. 8, the target position z r ( The target velocity v z (t) is obtained by the position loop controller (56) from the deviation Δz (t) between the position t (t) and the position z (t) actually measured by the focus position detecting means (64). v z speeds above the (t) v z '(t ), and v z "(t) is summed driving speed V z (t) is obtained. Then, the actuator (68) as an example of the height adjusting means (16A to 16C) is driven by the speed servo system (62, 63) so that this drive speed V z (t) can be obtained.

【0018】このように予測傾斜速度vz'(t)を加え
た場合には、一定入力に対して追従を行う場合と近似的
に等価となり、通常のI型サーボ系、即ちPI制御(比
例、積分制御)サーボ系でも定常誤差をほとんど0に追
い込むことが可能となり、追従誤差を減少させることが
できる。更に、先読みセンサとしての焦点位置先読み手
段(66)による検出結果に基づいた予測段差速度vz"
(t)を加えることによって、凹凸や段差のある基板に
対しても追従性を高めることができる。
When the predicted tilt velocity v z '(t) is added in this way, it is approximately equivalent to the case where the constant input is followed, and the normal I-type servo system, that is, PI control (proportional) Integral control) Even in the servo system, the steady-state error can be driven to almost zero, and the tracking error can be reduced. Further, the predicted step velocity v z "based on the detection result by the focus position prefetching means (66) as the prefetch sensor.
By adding (t), it is possible to improve the followability even for a substrate having irregularities or steps.

【0019】[0019]

【実施例】以下、本発明による面位置設定装置の一実施
例につき図面を参照して説明する。本実施例は、ステッ
プ・アンド・スキャン方式の投影露光装置におけるオー
トフォーカス機構及びオートレベリング機構に本発明を
適用したものである。図1は、本実施例の投影露光装置
を示し、この図1において、光源及びオプティカル・イ
ンテグレータ等を含む光源系1からの露光用の照明光I
Lが、第1リレーレンズ2、レチクルブラインド(可変
視野絞り)3、第2リレーレンズ4、ミラー5、及びメ
インコンデンサーレンズ6を介して、均一な照度でレチ
クル7上のスリット状の照明領域8を照明する。レチク
ルブラインド3の配置面はレチクル7のパターン形成面
と共役であり、レチクルブラインド3の開口の位置及び
形状により、レチクル7上の照明領域8の形状が設定さ
れる。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of a surface position setting device according to the present invention will be described below with reference to the drawings. In this embodiment, the present invention is applied to an autofocus mechanism and an autoleveling mechanism in a step-and-scan type projection exposure apparatus. FIG. 1 shows a projection exposure apparatus of the present embodiment. In FIG. 1, an illumination light I for exposure from a light source system 1 including a light source, an optical integrator, etc.
L is a slit-shaped illumination area 8 on the reticle 7 with a uniform illuminance via the first relay lens 2, the reticle blind (variable field diaphragm) 3, the second relay lens 4, the mirror 5, and the main condenser lens 6. Illuminate. The arrangement surface of the reticle blind 3 is conjugate with the pattern formation surface of the reticle 7, and the shape of the illumination area 8 on the reticle 7 is set by the position and shape of the opening of the reticle blind 3.

【0020】レチクル7上の照明領域8内のパターンの
像が、投影光学系11を介してフォトレジストが塗布さ
れたウエハ12上のスリット状の露光領域13内に投影
露光される。投影光学系11の光軸に平行にZ軸を取
り、その光軸に垂直な2次元平面内で図1の紙面に平行
な方向にX軸を、図1の紙面に垂直な方向にY軸を取
る。レチクル7はレチクルステージ9上に保持され、レ
チクルステージ9はレチクルベース10上で走査方向で
あるX方向に例えばリニアモータにより駆動される。レ
チクルステージ9上の移動鏡18、及び外部のレーザ干
渉計19によりレチクル7のX座標が計測され、このX
座標が装置全体の動作を制御する主制御系20に供給さ
れ、主制御系20は、レチクルステージ駆動系21及び
レチクルステージ9を介してレチクル7の位置及び移動
速度の制御を行う。
The image of the pattern in the illumination area 8 on the reticle 7 is projected and exposed through the projection optical system 11 into the slit-shaped exposure area 13 on the wafer 12 coated with the photoresist. The Z axis is taken in parallel with the optical axis of the projection optical system 11, the X axis is in the direction parallel to the paper surface of FIG. 1 and the Y axis is in the direction perpendicular to the paper surface of FIG. 1 within a two-dimensional plane perpendicular to the optical axis. I take the. The reticle 7 is held on the reticle stage 9, and the reticle stage 9 is driven on the reticle base 10 in the X direction which is the scanning direction by, for example, a linear motor. The X coordinate of the reticle 7 is measured by the moving mirror 18 on the reticle stage 9 and the external laser interferometer 19, and this X coordinate is measured.
The coordinates are supplied to the main control system 20 that controls the operation of the entire apparatus, and the main control system 20 controls the position and the moving speed of the reticle 7 via the reticle stage drive system 21 and the reticle stage 9.

【0021】一方、ウエハ12は、不図示のウエハホル
ダを介してフォーカス・レベリングステージ14上に保
持され、フォーカス・レベリングステージ14は3個の
Z方向に移動自在なアクチュエータ16A〜16Cを介
してYステージ15Y上に載置され、Yステージ15Y
は、Xステージ15X上に例えば送りねじ方式でY方向
に移動されるように載置され、Xステージ15Xは、装
置ベース17上に例えば送りねじ方式でX方向に移動さ
れるように載置されている。3個のアクチュエータ16
A〜16Cを並行に伸縮させることにより、フォーカス
・レベリングステージ14のZ方向の位置(フォーカス
位置)の調整が行われ、3個のアクチュエータ16A〜
16Cの伸縮量を個別に調整することにより、フォーカ
ス・レベリングステージ14の傾斜角の調整が行われ
る。
On the other hand, the wafer 12 is held on the focus / leveling stage 14 via a wafer holder (not shown), and the focus / leveling stage 14 is moved to the Y stage via three actuators 16A to 16C movable in the Z direction. 15Y mounted on the Y stage 15Y
Is mounted on the X stage 15X by, for example, a feed screw method so as to be moved in the Y direction, and the X stage 15X is mounted on the apparatus base 17 by, for example, a feed screw method so as to be moved in the X direction. ing. 3 actuators 16
By expanding and contracting A to 16C in parallel, the position (focus position) of the focus / leveling stage 14 in the Z direction is adjusted, and the three actuators 16A to 16C
The tilt angle of the focus / leveling stage 14 is adjusted by individually adjusting the expansion / contraction amount of 16C.

【0022】また、フォーカス・レベリングステージ1
4の上端に固定されたX軸用の移動鏡22X、及び外部
のレーザ干渉計23Xにより、ウエハ12のX座標が常
時モニタされ、図6に示すように、Y軸用の移動鏡22
Y、及び外部のレーザ干渉計23Yにより、ウエハ12
のY座標が常時モニタされ、検出されたX座標、Y座標
が主制御系20内の座標検出部59に供給されている。
Further, the focus / leveling stage 1
The X-coordinate of the wafer 12 is constantly monitored by the X-axis moving mirror 22X fixed to the upper end of the wafer No. 4 and the external laser interferometer 23X, and as shown in FIG.
Y and the external laser interferometer 23Y, the wafer 12
Is always monitored, and the detected X and Y coordinates are supplied to the coordinate detection unit 59 in the main control system 20.

【0023】ここで、アクチュエータ16A〜16Cの
構成例につき説明する。図7は、アクチュエータ16A
の断面図であり、この図7において、図1のYステージ
15Y上に駆動機構ハウジング40が固定され、駆動機
構ハウジング40内に送りねじ41が回転自在に収納さ
れ、送りねじ41の左端にカップリング42を介してロ
ータリモータ43が接続され、送りねじ46の右端にカ
ップリング44を介して回転角検出用のロータリエンコ
ーダ45が接続されている。また、送りねじ41にナッ
ト39が螺合され、ナット39に支柱38を介して上端
が傾斜した斜面部36Aが固定され、斜面部36Aの上
端に回転体36Bが接触している。回転体36Bは、図
1のフォーカス・レベリングステージ14内に回転自在
に、且つ横方向には移動できないように埋め込まれてい
る。
Here, a configuration example of the actuators 16A to 16C will be described. FIG. 7 shows the actuator 16A.
7 is a cross-sectional view of FIG. 7, in which the drive mechanism housing 40 is fixed on the Y stage 15Y of FIG. 1, the feed screw 41 is rotatably accommodated in the drive mechanism housing 40, and the cup is provided at the left end of the feed screw 41. A rotary motor 43 is connected via a ring 42, and a rotary encoder 45 for detecting a rotation angle is connected to the right end of the feed screw 46 via a coupling 44. Further, a nut 39 is screwed onto the feed screw 41, a sloped portion 36A having an upper end inclined is fixed to the nut 39 via a support 38, and a rotary body 36B is in contact with the upper end of the sloped portion 36A. The rotator 36B is embedded in the focus / leveling stage 14 of FIG. 1 so as to be rotatable and immovable in the lateral direction.

【0024】また、斜面部36Aは直線ガイド37に沿
って送りねじ41に平行な方向に移動できるように支持
されている。この場合、図1のウエハステージ制御系2
4からの駆動速度を示す制御信号がロータリモータ43
に供給され、ロータリモータ43は指示された駆動速度
(角速度)で送りねじ41を回転する。これにより、ナ
ット39が送りねじ41に沿ってX方向に移動し、斜面
部36Aも送りねじ41に沿って移動する。従って、斜
面部36Aの上端に接触する回転体36Bは、回転しな
がら駆動機構ハウジング40に対して上下方向(Z方
向)に変位する。また、送りねじ43の回転角速度をロ
ータリエンコーダ45により計測することにより、回転
体36Bの上下方向への移動速度が検出される。他のア
クチュエータ16B,16Cも同じ構成である。
The inclined surface portion 36A is supported so as to be movable along the linear guide 37 in a direction parallel to the feed screw 41. In this case, the wafer stage control system 2 of FIG.
The control signal indicating the driving speed from the rotary motor 43
The rotary motor 43 rotates the feed screw 41 at the instructed drive speed (angular speed). As a result, the nut 39 moves in the X direction along the feed screw 41, and the slope portion 36A also moves along the feed screw 41. Therefore, the rotating body 36B, which is in contact with the upper end of the inclined surface portion 36A, is displaced in the vertical direction (Z direction) with respect to the drive mechanism housing 40 while rotating. Further, by measuring the rotational angular velocity of the feed screw 43 with the rotary encoder 45, the vertical moving velocity of the rotating body 36B is detected. The other actuators 16B and 16C have the same configuration.

【0025】なお、アクチュエータ16A〜16Cは、
図7のようにロータリーモータを使用する方式の外に、
例えばピエゾ素子等から構成してもよい。図1に戻り、
主制御系20は、供給された座標に基づいてウエハステ
ージ駆動系24を介してXステージ15X、Yステージ
15Y、及びフォーカス・レベリングステージ14の動
作を制御する。例えば走査露光方式で露光を行う場合に
は、投影光学系11が投影倍率βで倒立像を投影するも
のとして、レチクルステージ9を介してレチクル7を照
明領域8に対して+X方向(又は−X方向)に速度VR
で走査するのと同期して、Xステージ15Xを介してウ
エハ12が露光領域13に対して−X方向(又は+X方
向)に速度v(=β・VR )で走査される。
The actuators 16A to 16C are
In addition to the method using a rotary motor as shown in Fig. 7,
For example, it may be composed of a piezo element or the like. Returning to FIG. 1,
The main control system 20 controls the operations of the X stage 15X, the Y stage 15Y, and the focus / leveling stage 14 via the wafer stage drive system 24 based on the supplied coordinates. For example, when performing exposure by a scanning exposure method, it is assumed that the projection optical system 11 projects an inverted image at a projection magnification β, and the reticle 7 is moved through the reticle stage 9 in the + X direction (or −X direction) with respect to the illumination area 8. Direction) speed V R
In synchronism with the scanning in step S1, the wafer 12 is scanned through the X stage 15X in the −X direction (or + X direction) at a speed v (= β · V R ).

【0026】次に、ウエハ12の表面のZ方向の位置
(フォーカス位置)を検出するための多点の焦点位置検
出系(以下、「多点AFセンサ」という)25の構成に
つき説明する。この多点AFセンサ25において、光源
26から射出されたフォトレジストに対して非感光性の
検出光が、コンデンサーレンズ27を介して送光スリッ
ト板28内の多数のスリットを照明し、それらスリット
の像が対物レンズ29を介して、投影光学系11の光軸
に対して斜めにウエハ12上の露光領域13及びこの前
後の先読み領域35A,35B(図2参照)の15個の
計測点P11〜P51に投影される。
Next, the structure of a multipoint focus position detection system (hereinafter referred to as "multipoint AF sensor") 25 for detecting the position (focus position) of the surface of the wafer 12 in the Z direction will be described. In this multi-point AF sensor 25, detection light that is non-photosensitive to the photoresist emitted from the light source 26 illuminates a large number of slits in the light-sending slit plate 28 via the condenser lens 27, and The image passes through the objective lens 29 and is oblique to the optical axis of the projection optical system 11, and the 15 measurement points P 11 of the exposure area 13 on the wafer 12 and the pre-reading areas 35A and 35B (see FIG. 2) before and after this are provided. To P 51 .

【0027】図2は、ウエハ12上のそれら計測点P11
〜P51の配置を示し、この図2において、スリット状の
露光領域13に対して+X方向、及び−X方向側にそれ
ぞれ先読み領域35A及び35Bが設定されている。そ
して、露光領域13内に3行×3列の計測点P21〜P43
が設定され、先読み領域35B内に3個の計測点P11
13が設定され、先読み領域35A内に3個の計測点P
51〜P53が設定されている。本実施例では、露光領域1
3内の9個の計測点でのフォーカス位置の情報から露光
領域13内での平均的なフォーカス位置、及び傾斜角を
求める。更に、ウエハ12の走査方向が−X方向の場合
には後述のように、先読み領域35A内の3個の計測点
でのフォーカス位置の情報を使用して段差の補正を行
い、ウエハ12の走査方向が+X方向の場合には、先読
み領域35B内の3個の計測点でのフォーカス位置の情
報を使用して段差の補正を行う。
FIG. 2 shows those measurement points P 11 on the wafer 12.
2 to P 51. In FIG. 2, preread areas 35A and 35B are set on the + X direction side and the −X direction side of the slit-shaped exposure area 13, respectively. Then, in the exposure area 13, measurement points P 21 to P 43 of 3 rows × 3 columns are arranged.
Is set, and the three measurement points P 11 to
P 13 is set, and three measurement points P are set in the prefetch area 35A.
51 to P 53 are set. In this embodiment, the exposure area 1
The average focus position in the exposure area 13 and the tilt angle are obtained from the information of the focus positions at the nine measurement points in 3. Further, when the scanning direction of the wafer 12 is the −X direction, the level difference is corrected by using the focus position information at the three measurement points in the prefetch area 35A, and the wafer 12 is scanned as described later. When the direction is the + X direction, the step difference is corrected using the information on the focus positions at the three measurement points in the prefetch area 35B.

【0028】図1に戻り、それらの計測点からの反射光
が、集光レンズ30を介して振動スリット板31上に集
光され、振動スリット板31上にそれら計測点に投影さ
れたスリット像が再結像される。振動スリット板31
は、主制御系20からの駆動信号DSにより駆動される
加振器32により所定方向に振動している。振動スリッ
ト板31の多数のスリットを通過した光が光電検出器3
3上の多数の光電変換素子によりそれぞれ光電変換さ
れ、これら光電変換信号が信号処理系34に供給され
る。
Returning to FIG. 1, the reflected light from these measurement points is condensed on the oscillating slit plate 31 via the condenser lens 30, and the slit image projected on the oscillating slit plate 31 at these measuring points. Are re-imaged. Vibration slit plate 31
Is vibrated in a predetermined direction by the shaker 32 driven by the drive signal DS from the main control system 20. Light passing through many slits of the vibration slit plate 31 is detected by the photoelectric detector 3
Each of the photoelectric conversion elements is photoelectrically converted by a large number of photoelectric conversion elements, and these photoelectric conversion signals are supplied to the signal processing system 34.

【0029】図3は、図1中の送光スリット板28を示
し、この図3において、送光スリット板28には図2の
ウエハ上の計測点P11〜P53に対応する位置にそれぞれ
スリット2811〜2853が形成されている。また、図1
中の振動スリット板31上にも、図4に示すように図2
のウエハ上の計測点P11〜P53に対応する位置にそれぞ
れスリット3111〜3153が形成され、振動スリット板
31は加振器32により各スリットの長手方向に直交す
る計測方向に振動している。
FIG. 3 shows the light-sending slit plate 28 in FIG. 1, and in this FIG. 3, the light-sending slit plate 28 is located at positions corresponding to the measurement points P 11 to P 53 on the wafer in FIG. Slits 28 11 to 28 53 are formed. Also, FIG.
Also on the vibrating slit plate 31 inside, as shown in FIG.
Slits 31 11 to 31 53 are formed on the wafer at positions corresponding to the measurement points P 11 to P 53 , respectively, and the vibrating slit plate 31 is vibrated by the vibrator 32 in the measurement direction orthogonal to the longitudinal direction of each slit. ing.

【0030】次に、図5は、図1中の光電検出器33、
及び信号処理系34を示し、この図5において、光電検
出器33上の1行目の光電変換素子3311〜3313
は、それぞれ図2の計測点P11〜P13から反射されて、
且つ振動スリット板31中の対応するスリットを通過し
た光が入射し、2行目〜4行目の光電変換素子3321
3343には、それぞれ図2の計測点P21〜P43から反射
されて、且つ振動スリット板31中の対応するスリット
を通過した光が入射し、5行目の光電変換素子3351
3353には、それぞれ図2の計測点P51〜P53から反射
されて、且つ振動スリット板31中の対応するスリット
を通過した光が入射する。そして、光電変換素子3311
〜3353からの検出信号は、増幅器4611〜4653を介
して同期整流器4711〜4753に供給される。同期整流
器4711〜4753はそれぞれ加振器32用の駆動信号D
Sを用いて入力された検出信号を同期整流することによ
り、対応する計測点のフォーカス位置に所定範囲でほぼ
比例するフォーカス信号を生成する。本実施例では、同
期整流器4711〜4753から出力されるフォーカス信号
は、それぞれ図1において対応する計測点が投影光学系
11の結像面(ベストフォーカス面)に合致していると
きに0になるようにキャリブレーションが行われてい
る。
Next, FIG. 5 shows the photoelectric detector 33 in FIG.
5 shows a signal processing system 34. In FIG. 5, the photoelectric conversion elements 33 11 to 33 13 in the first row on the photoelectric detector 33 are reflected from the measurement points P 11 to P 13 in FIG.
And the light is incident having passed through the corresponding slits in the vibrating slit plate 31, 2 to fourth rows of the photoelectric conversion elements 33 21 to
Lights reflected from the measurement points P 21 to P 43 in FIG. 2 and passing through the corresponding slits in the vibration slit plate 31 are incident on the reference numeral 33 43 , and the photoelectric conversion elements 33 51 to
Lights reflected from the measurement points P 51 to P 53 in FIG. 2 and passed through the corresponding slits in the vibration slit plate 31 are incident on the reference numeral 33 53 . Then, the photoelectric conversion element 33 11
The detection signals from 33 33 53 are supplied to the synchronous rectifiers 47 11 47 53 via the amplifiers 46 11 46 53 . The synchronous rectifiers 47 11 to 47 53 are driving signals D for the vibrator 32, respectively.
By synchronously rectifying the input detection signal using S, a focus signal that is substantially proportional to the focus position of the corresponding measurement point within a predetermined range is generated. In this embodiment, the focus signals output from the synchronous rectifiers 47 11 to 47 53 are 0 when the corresponding measurement points in FIG. 1 coincide with the image plane (best focus plane) of the projection optical system 11. Is calibrated so that

【0031】同期整流器4711〜4753から出力される
フォーカス信号は、並列にマルチプレクサ48に供給さ
れ、マルチプレクサ48は、主制御系20内のマイクロ
プロセッサ(MPU)50からの切り換え信号に同期し
て、供給されるフォーカス信号から順番に選ばれたフォ
ーカス信号をアナログ/デジタル(A/D)変換器49
に供給し、A/D変換器49から出力されるデジタルの
フォーカス信号が順次主制御系20内のメモリ51内に
格納される。
The focus signals output from the synchronous rectifiers 47 11 to 47 53 are supplied in parallel to the multiplexer 48, and the multiplexer 48 synchronizes with the switching signal from the microprocessor (MPU) 50 in the main control system 20. , The focus signals sequentially selected from the supplied focus signals are converted into analog / digital (A / D) converters 49.
, And the digital focus signal output from the A / D converter 49 is sequentially stored in the memory 51 in the main control system 20.

【0032】図6は、図1の3個のアクチュエータ16
A〜16Cの駆動系を示し、この図6の主制御系20に
おいて、メモリ51内の各アドレス5111〜5153内に
それぞれ図2の計測点P11〜P53でのフォーカス位置を
示すデジタルのフォーカス信号が格納されている。な
お、これらのフォーカス信号は、所定のサンプリング周
期で逐次書き換えられているものである。それらアドレ
ス5111〜5153から読み出されるフォーカス信号は並
列に最小自乗近似演算部52及び補正量演算部53に供
給される。最小自乗近似演算部52では、図2の露光領
域13内の9個の計測点P21〜P43に対応する9個のフ
ォーカス信号に基づいて、最小自乗法的にその露光領域
13に合致する平面を決定し、この決定された平面の中
心でのZ座標z、XZ平面内での傾斜角θx 、及びYZ
平面内での傾斜角θy を求める。
FIG. 6 shows the three actuators 16 of FIG.
A drive system of A to 16C is shown, and in the main control system 20 of FIG. 6, in each address 51 11 to 51 53 in the memory 51, a digital indicating the focus position at the measurement points P 11 to P 53 of FIG. The focus signal of is stored. It should be noted that these focus signals are sequentially rewritten at a predetermined sampling period. Focus signals read from the address 51 11-51 53 is supplied to the least square approximation calculation unit 52 and the correction amount calculating unit 53 in parallel. The least-squares approximation calculation unit 52 matches the exposure region 13 in a least-squares manner based on the nine focus signals corresponding to the nine measurement points P 21 to P 43 in the exposure region 13 of FIG. The plane is determined, the Z coordinate z at the center of the determined plane, the tilt angle θ x in the XZ plane, and YZ
Find the tilt angle θ y in the plane.

【0033】また、最小自乗近似演算部52には、不図
示の目標値設定部から投影光学系11の結像面の中心で
のZ座標zr 、XZ平面内での傾斜角θxr、及びYZ平
面内での傾斜角Δθyr、即ちウエハの表面位置の目標値
も供給されている。但し、本実施例では、目標値zr
θxr、及びθyrはそれぞれ0である。従って、最小自乗
近似演算部52は、目標値から実際の計測値を差し引い
て得たZ座標偏差Δz(=−z)、傾斜角偏差Δθ
x (=−θx )、及び傾斜角偏差Δθy (=−θy)を
それぞれ、利得器56,54及び55に供給する。これ
らのZ座標偏差Δz、傾斜角偏差Δθx 、及び傾斜角偏
差Δθy は次の演算により求められる。
In addition, the least-squares approximation calculation unit 52 has a Z coordinate z r at the center of the image plane of the projection optical system 11, a tilt angle θ xr in the XZ plane, and a target value setting unit (not shown). The inclination angle Δθ yr in the YZ plane, that is, the target value of the wafer surface position is also supplied. However, in this embodiment, the target value z r ,
θ xr and θ yr are each 0. Therefore, the least-squares approximation calculation unit 52 calculates the Z coordinate deviation Δz (= −z) obtained by subtracting the actual measurement value from the target value, and the inclination angle deviation Δθ.
The x (= −θ x ) and the inclination angle deviation Δθ y (= −θ y ) are supplied to the gain units 56, 54 and 55, respectively. The Z coordinate deviation Δz, the inclination angle deviation Δθ x , and the inclination angle deviation Δθ y are obtained by the following calculations.

【0034】[0034]

【数7】 (Equation 7)

【0035】ここで、図2の計測点P21〜P43の例えば
投影光学系11の光軸を原点としたX方向及びY方向の
座標をそれぞれ(xi ,yi )(i=1〜n;n=9)
として、座標(xi ,yi )の計測点で計測されたフォ
ーカス位置(Z座標)をziとしている。これらのZ座
標偏差Δz、傾斜角偏差Δθx 、及び傾斜角偏差Δθy
はそれぞれ位置ループコントローラ56,54及び55
に供給され、位置ループコントローラ56,54及び5
5でそれぞれ適当なゲインkz ,kθx 及びkθy が乗
じられる。そして、位置ループコントローラ54,55
及び56からは、それぞれXZ平面内での角速度ΔVθ
x 、YZ平面内での角速度ΔVθy 、及びZ方向への速
度vz に対応する制御信号が出力され、角速度ΔVθx
及びΔVθy に対応する制御信号は座標変換演算部58
に供給され、速度vz に対応する制御信号は加算部57
に供給される。
Here, the coordinates of the measurement points P 21 to P 43 in FIG. 2 in the X and Y directions with the optical axis of the projection optical system 11, for example, as the origin are (x i , y i ) (i = 1 to 1). n; n = 9)
The focus position (Z coordinate) measured at the measurement point of coordinates (x i , y i ) is defined as z i . These Z coordinate deviation Δz, inclination angle deviation Δθ x , and inclination angle deviation Δθ y
Are position loop controllers 56, 54 and 55, respectively.
To position loop controllers 56, 54 and 5
5 are multiplied by the appropriate gains k z , kθ x and kθ y , respectively. Then, the position loop controllers 54 and 55
And 56 show the angular velocity ΔVθ in the XZ plane, respectively.
A control signal corresponding to x , the angular velocity ΔVθ y in the YZ plane, and the velocity v z in the Z direction is output, and the angular velocity ΔVθ x
And the control signal corresponding to ΔVθ y is the coordinate conversion calculation unit 58.
And the control signal corresponding to the speed v z is supplied to the adder 57.
Is supplied to.

【0036】また、図2において、現在のウエハの走査
方向を−X方向とすると、先読み領域としては右側の先
読み領域35Aが使用され、露光領域13の中央の計測
点P 32と先読み領域35Aの中央の計測点P52とのX方
向の間隔(これをdとする)は、予め図6の補正量演算
部53に記憶されている。その補正量演算部53には、
座標検出部59よりウエハ12の−X方向への走査速度
vも供給されており、補正量演算部53では、先ず露光
領域13内の9個の計測点でのフォーカス信号に基づい
て、露光領域13に例えば最小自乗法的に近似できる平
面の中央のZ座標z(t)(以下、時間tは省略す
る)、及びその平面のXZ平面内での傾斜角θを求め
る。この場合の傾斜角θは、図1のウエハ側のXステー
ジ15Xの走査方向への走り面を基準とした偏差として
求められる。その後、補正量演算部53は、(数3)よ
り予測傾斜速度vz'を求める。
Further, in FIG. 2, the current scanning of the wafer is performed.
Assuming that the direction is the -X direction, the prefetch area is on the right side of the prefetch area.
The reading area 35A is used to measure the center of the exposure area 13.
Point P 32And the measurement point P at the center of the prefetch area 35A52X direction with
The distance in the direction (this is referred to as d) is calculated in advance by the correction amount calculation in FIG.
It is stored in the unit 53. The correction amount calculation unit 53
Scanning speed of the wafer 12 in the −X direction from the coordinate detection unit 59.
v is also supplied, and the correction amount calculation unit 53 first exposes
Based on focus signals at 9 measurement points in area 13
And the exposure area 13 can be approximated by, for example, a least square method.
Z coordinate z (t) at the center of the surface (hereinafter, the time t is omitted
And the inclination angle θ of the plane in the XZ plane.
It The tilt angle θ in this case is determined by the X-station on the wafer side in FIG.
As a deviation based on the running surface of the 15X in the scanning direction
Desired. After that, the correction amount calculation unit 53
Predicted tilt speed vzAsk for.

【0037】次に、補正量演算部53は、先読み領域3
5Aの中央の計測点でのフォーカス信号に基づいてその
計測点でのZ座標zp を求め、(数6)より予測段差速
度v z"を求める。そして、予測傾斜速度vz'及び予測段
差速度vz"に対応する制御信号が加算部57に供給さ
れ、加算部57から座標変換演算部58に対して、速度
z ,vz'及びvz"を積算して得られる速度ΔVz に対
応する制御信号が出力される。上述の傾斜角偏差Δ
θx 、傾斜角偏差Δθy 、Z座標偏差Δz、及び速度v
z',vz"と、角速度ΔVθx 、角速度ΔVθy 、及び速
度ΔVz との関係は次のようになる。
Next, the correction amount calculation unit 53 causes the prefetch area 3
5A based on the focus signal at the center measurement point
Z coordinate z at the measurement pointp And the predicted step speed from (Equation 6)
Degree v z"And the predicted tilt speed vz'And the prediction stage
Differential speed vzThe control signal corresponding to "is supplied to the addition unit 57.
Then, the addition unit 57 sends the speed to the coordinate conversion calculation unit 58.
vz, Vz'And vz"V which is obtained by adding"zAgainst
A corresponding control signal is output. Inclination angle deviation Δ
θx, Tilt angle deviation Δθy, Z coordinate deviation Δz, and velocity v
z', Vz"And the angular velocity ΔVθx, Angular velocity ΔVθy, And fast
Degree ΔVzThe relationship with is as follows.

【0038】[0038]

【数8】 (Equation 8)

【0039】図6の座標変換演算部58には、座標検出
部59から時刻tにおける3個のアクチュエータ16
A,16B、及び16Cのそれぞれの(X,Y)座標で
ある(X1,Y1)、(X2,Y2)、及び(X3,Y3)が供給さ
れている。これらの(X,Y)座標は、Xステージ15
XがX方向に移動するにつれて変化する値である。そし
て、座標変換演算部58は、角速度ΔVθx 、角速度Δ
Vθy 、及び速度ΔVzを得るためのアクチュエータ1
6A,16B及び16CのそれぞれのZ方向への駆動速
度Δv1,Δv2 及びΔv3 を次式により求める。
The coordinate conversion calculation unit 58 of FIG. 6 includes three actuators 16 at the time t from the coordinate detection unit 59.
(X 1 , Y 1 ), (X 2 , Y 2 ), and (X 3 , Y 3 ), which are the (X, Y) coordinates of A, 16B, and 16C, are supplied. These (X, Y) coordinates are the X stage 15
It is a value that changes as X moves in the X direction. Then, the coordinate conversion calculation unit 58 calculates the angular velocity ΔVθ x and the angular velocity Δ.
Actuator 1 for obtaining Vθ y and velocity ΔV z
Driving speeds Δv 1 , Δv 2 and Δv 3 of 6A, 16B and 16C in the Z direction are obtained by the following equations.

【0040】[0040]

【数9】 [Equation 9]

【0041】座標変換演算部58は、それら駆動速度Δ
1,Δv2 及びΔv3 に対応する制御信号を比例制御方
式の速度ループコントローラ60に供給する。速度ルー
プコントローラ60は、パワーアンプ61A〜61Cを
介してアクチュエータ16A〜16Cを駆動する。ま
た、アクチュエータ16A〜16Cの内部には移動速度
を検出する速度センサ45A〜45C(図7のロータリ
エンコーダ45と同じ)が備えられ、これらの速度セン
サ43A〜43Cからの速度の検出信号が速度ループコ
ントローラ60にフィードバックされている。これによ
り、アクチュエータ16A〜16Cは、それぞれ先端部
が駆動速度Δv1 〜Δv3 でZ方向に駆動される。そし
て、そのアクチュエータ16A〜16Cにより駆動され
た後のウエハ12の表面の位置及び傾斜角が図1の多点
AFセンサ25により計測され、この計測結果が図6の
制御系にフィードバックされる。
The coordinate conversion calculation unit 58 calculates the driving speed Δ
The control signals corresponding to v 1 , Δv 2 and Δv 3 are supplied to the velocity loop controller 60 of the proportional control system. The speed loop controller 60 drives the actuators 16A to 16C via the power amplifiers 61A to 61C. Further, inside the actuators 16A to 16C, speed sensors 45A to 45C (same as the rotary encoder 45 in FIG. 7) for detecting the moving speed are provided, and speed detection signals from these speed sensors 43A to 43C are speed loops. It is fed back to the controller 60. As a result, the actuators 16A to 16C are driven in the Z direction at their tip portions at the driving speeds Δv 1 to Δv 3 . Then, the position and tilt angle of the surface of the wafer 12 after being driven by the actuators 16A to 16C are measured by the multipoint AF sensor 25 in FIG. 1, and the measurement result is fed back to the control system in FIG.

【0042】図8は、図6の制御系中のZ座標の制御部
を簡略化して示し、この図8において、減算部69にZ
座標の目標値zr(t)、及び多点AFセンサにより計測
されたZ座標z(t)が供給され、減算部69から位置
ループコントローラ56に対して偏差Δz(t)が供給
される。また、位置ループコントローラ56で入力値に
所定のゲインを乗じて得られる速度vz(t)が加算部5
7に供給され、加算部57には予測傾斜速度vz'
(t)、及び予測段差速度vz"(t)も供給され、加算
部57でそれら3個の速度を積算して得られる速度V
z(t)が減算部62に供給され、減算部62にはアクチ
ュエータ68(図6のアクチュエータ16A〜16Cを
まとめたもの)内の速度センサで検出された速度も供給
されている。即ち、予測傾斜速度vz'(t)、及び予測
段差速度vz"(t)はフィードフォワードされている。
FIG. 8 shows a simplified control unit for the Z coordinate in the control system of FIG. 6, and in FIG.
The target value z r (t) of the coordinate and the Z coordinate z (t) measured by the multipoint AF sensor are supplied, and the subtraction unit 69 supplies the deviation Δz (t) to the position loop controller 56. Further, the velocity v z (t) obtained by multiplying the input value by the position loop controller 56 by a predetermined gain is the addition unit 5
7 and the estimated tilt speed v z
(T) and the predicted step speed v z "(t) are also supplied, and the speed V obtained by integrating the three speeds by the adder 57
z (t) is supplied to the subtraction unit 62, and the subtraction unit 62 is also supplied with the speed detected by the speed sensor in the actuator 68 (which is a combination of the actuators 16A to 16C in FIG. 6). That is, the predicted tilt velocity v z ′ (t) and the predicted step velocity v z ″ (t) are feed forward.

【0043】そして、減算部62から比例制御方式の速
度ループコントローラ63に対して、速度Vz(t)から
速度センサによる計測値を差し引いた速度偏差が供給さ
れ、速度ループコントローラ63からアクチュエータ6
8に対して、アクチュエータ68を駆動速度Vz(t)で
駆動するための制御信号が供給される。また、アクチュ
エータ68の駆動により変化したウエハのZ座標z
(t)は多点AFセンサにより計測され、この計測結果
が減算部69にフィードバックされる。
Then, the speed deviation obtained by subtracting the measured value by the speed sensor from the speed V z (t) is supplied from the subtraction unit 62 to the speed loop controller 63 of the proportional control system, and the speed loop controller 63 causes the actuator 6 to operate.
8 is supplied with a control signal for driving the actuator 68 at the driving speed V z (t). Further, the Z coordinate z of the wafer changed by the drive of the actuator 68.
(T) is measured by the multipoint AF sensor, and the measurement result is fed back to the subtraction unit 69.

【0044】上述のように本実施例によれば、ウエハ1
2上の露光領域13のXステージ15XのX方向への走
り面に対する傾斜角θが検出され、この傾斜角に基づい
て予測傾斜速度vz'が求められ、この予測傾斜速度vz'
に対応する制御信号がフィードフォワードされている。
従って、走査露光方式で露光を行う際に、ウエハ12の
表面がステージの走り面に対して傾斜している場合で
も、ウエハ12の露光領域13が常に投影光学系11の
結像面に合致した状態で露光が行われ、レチクル7の全
パターンが高い解像度でウエハ12上に露光される。
As described above, according to this embodiment, the wafer 1
Inclination angle θ is detected for scanning plane in the X direction of the X stage 15X 2 on the exposure area 13, the prediction based on the inclination angle inclined velocity v z 'is obtained, this prediction ramp rate v z'
The control signal corresponding to is fed forward.
Therefore, when performing the exposure by the scanning exposure method, even if the surface of the wafer 12 is inclined with respect to the running surface of the stage, the exposure region 13 of the wafer 12 always matches the image plane of the projection optical system 11. Exposure is performed in this state, and the entire pattern of the reticle 7 is exposed on the wafer 12 with high resolution.

【0045】更に、露光領域13でのフォーカス位置、
及び先読み領域35A,35Bでのフォーカス位置に基
づいて予測段差速度vz"が求められ、この予測段差速度
z"に対応する制御信号がフィードフォワードされてい
る。従って、走査露光方式で露光を行う際に、ウエハ1
2の表面に段差がある場合でも、ウエハ12の露光領域
13が投影光学系11の結像面から大きく外れることな
く露光が行われる。
Further, the focus position in the exposure area 13,
The predicted step speed v z "is obtained based on the focus position in the prefetch areas 35A and 35B, and the control signal corresponding to the predicted step speed v z " is fed forward. Therefore, when the exposure is performed by the scanning exposure method, the wafer 1
Even if there is a step on the surface of No. 2, the exposure is performed without the exposure region 13 of the wafer 12 being largely deviated from the image plane of the projection optical system 11.

【0046】なお、図2においては、傾斜検出用の計測
点P21〜P43が露光領域13内に分布しているが、それ
ら計測点P21〜P43は露光領域13からはみ出していて
もよい。また、全体の計測点P11〜P53の個数、及び配
列は図2に限定されず、例えば計測点をX方向に段違い
に配置してもよい。更に、上述実施例では、ウエハ12
上の露光領域13の傾斜角を検出するために多点AFセ
ンサ25が使用されているが、その代わりに例えばウエ
ハ12の表面に平行光束を斜めに照射し、その反射光の
集光位置の横ずれ量からその表面の傾斜角を検出する平
行光束斜入射方式のレベリングセンサを使用してもよ
い。
Although the measurement points P 21 to P 43 for tilt detection are distributed in the exposure area 13 in FIG. 2, even if the measurement points P 21 to P 43 are out of the exposure area 13. Good. Further, the number and arrangement of the entire measurement points P 11 to P 53 are not limited to those in FIG. 2, and the measurement points may be arranged in different steps in the X direction, for example. Further, in the above embodiment, the wafer 12
The multi-point AF sensor 25 is used to detect the tilt angle of the upper exposure area 13. Instead, for example, the surface of the wafer 12 is obliquely irradiated with a parallel light beam and the converging position of the reflected light is changed. A parallel light beam oblique incidence type leveling sensor that detects the inclination angle of the surface from the lateral shift amount may be used.

【0047】なお、本発明は上述実施例に限定されず本
発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得るこ
とは勿論である。
The present invention is not limited to the above-mentioned embodiments, and it goes without saying that various configurations can be adopted without departing from the gist of the present invention.

【0048】[0048]

【発明の効果】本発明によれば、傾斜角検出手段により
合焦対象物としての感光性の基板の傾斜角が検出され、
この傾斜角に基づいて求められた予測傾斜速度が考慮さ
れている。従って、走査露光方式で露光を行う際に、そ
の基板が傾斜している場合においても、速度信号供給手
段では、比例制御のみの単純な閉ループ制御で高さ調整
手段を駆動することにより、比較的小さなゲインで定常
偏差を生ずることなく、その基板のオートフォーカスを
常に高精度に行うことができる利点がある。従って、高
次のサーボ系を構成する必要がなくなるので、サーボ系
のチューニングが簡単となり、安定性(ロバスト性)の
向上が期待できる。
According to the present invention, the inclination angle detecting means detects the inclination angle of the photosensitive substrate as an object to be focused,
The predicted tilt speed obtained based on this tilt angle is taken into consideration. Therefore, even when the substrate is tilted when the exposure is performed by the scanning exposure method, the speed signal supply means drives the height adjusting means by a simple closed loop control of only proportional control, thereby relatively There is an advantage that the autofocus of the substrate can always be performed with high accuracy without causing a steady deviation with a small gain. Therefore, since it is not necessary to configure a high-order servo system, the servo system can be easily tuned and the stability (robustness) can be improved.

【0049】更に、焦点位置先読み手段を設け、その基
板上の露光領域と先読み領域との段差に基づいた予測段
差速度を考慮した場合には、その基板の表面に凹凸や段
差があっても、投影光学系の結像面に対するなめらかな
追従が可能となり、オートフォーカスの追従性の向上が
期待できる。
Further, when the focus position pre-reading means is provided and the predicted step speed based on the step between the exposure area on the substrate and the pre-reading area is taken into consideration, even if there are irregularities or steps on the surface of the substrate, Smooth follow-up of the image plane of the projection optical system is possible, and improvement in auto-focus followability can be expected.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明による面位置設定装置の一実施例が適用
された走査露光型の投影露光装置を示す構成図である。
FIG. 1 is a configuration diagram showing a scanning exposure type projection exposure apparatus to which an embodiment of a surface position setting apparatus according to the present invention is applied.

【図2】図1のウエハ12上のフォーカス位置の計測点
の分布を示す平面図である。
FIG. 2 is a plan view showing a distribution of measurement points of focus positions on the wafer 12 of FIG.

【図3】図1中の送光スリット板28を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a light-sending slit plate 28 in FIG.

【図4】図1中の振動スリット板31を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a vibrating slit plate 31 in FIG.

【図5】図1中の光電検出器33、及び信号処理系34
を示す図である。
5 is a photoelectric detector 33 and a signal processing system 34 in FIG.
FIG.

【図6】図1中のウエハ12のフォーカス・レベリング
機構、及びその制御系を示す一部斜視図を含む構成図で
ある。
6 is a configuration diagram including a partial perspective view showing a focus / leveling mechanism of a wafer 12 in FIG. 1 and a control system thereof.

【図7】図6中のアクチュエータ16Aの構成例を示す
一部を断面とした構成図である。
FIG. 7 is a partial cross-sectional configuration diagram showing a configuration example of an actuator 16A in FIG.

【図8】図6のフォーカス・レベリング機構の制御系を
簡略化して示すブロック図である。
8 is a block diagram showing a simplified control system of the focus / leveling mechanism of FIG.

【図9】本発明の原理説明に供する図である。FIG. 9 is a diagram for explaining the principle of the present invention.

【図10】感光性の基板の表面が傾斜している場合を示
す図である。
FIG. 10 is a diagram showing a case where the surface of the photosensitive substrate is inclined.

【図11】感光性の基板の表面に段差がある場合を示す
図である。
FIG. 11 is a diagram showing a case where there is a step on the surface of a photosensitive substrate.

【図12】従来のオートフォーカス機構の制御系を示す
ブロック図である。
FIG. 12 is a block diagram showing a control system of a conventional autofocus mechanism.

【図13】走査型露光装置でウエハの表面に段差がある
場合を示す図である。
FIG. 13 is a diagram showing a case where there is a step on the surface of the wafer in the scanning exposure apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

7 レチクル 9 レチクルステージ 11 投影光学系 12 ウエハ 13 露光領域 14 フォーカス・レベリングステージ 15Y Yステージ 15X Xステージ 16A〜16C アクチュエータ 19,23X,23Y レーザ干渉計 20 主制御系 25 多点AFセンサ P11〜P53 計測点 33 光電検出器 34 信号処理系 35A,35B 先読み領域 52 最小自乗近似演算部 53 補正量演算部 54,55,56,57 位置ループコントローラ 58 座標変換演算部 59 座標検出部 60 速度ループコントローラ 63 速度ループコントローラ 68 アクチュエータ7 reticle 9 reticle stage 11 projection optical system 12 wafer 13 exposure area 14 focus / leveling stage 15Y Y stage 15X X stage 16A to 16C actuator 19, 23X, 23Y laser interferometer 20 main control system 25 multipoint AF sensor P 11 to P 53 measurement point 33 photoelectric detector 34 signal processing system 35A, 35B look-ahead region 52 least square approximation calculation unit 53 correction amount calculation unit 54, 55, 56, 57 position loop controller 58 coordinate conversion calculation unit 59 coordinate detection unit 60 speed loop controller 63 Velocity loop controller 68 Actuator

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 転写用のパターンが形成されたマスクを
露光用の照明光で照明し、前記マスクのパターンを投影
光学系を介して基板ステージ上の感光性の基板上の露光
領域内に投影し、前記マスクを所定の方向に走査するの
と同期して、前記基板ステージを介して前記基板を所定
の方向に走査することにより、前記基板上に前記マスク
のパターンを逐次露光する走査型露光装置に設けられ、
前記基板の表面の前記投影光学系の光軸方向の位置を所
定の位置に設定する装置において、 前記基板ステージ上で、供給される駆動信号に応じた前
記投影光学系の光軸方向への駆動速度で前記基板の前記
投影光学系の光軸方向の位置を制御する高さ調整手段
と;前記基板上の前記投影光学系による露光領域内の計
測点で前記投影光学系の光軸方向の位置を検出する焦点
位置検出手段と;前記露光領域内の計測点を含む所定の
計測領域の前記基板ステージの走り面に対する傾斜角を
検出する傾斜角検出手段と;前記基板の前記投影光学系
の光軸方向の目標位置と前記焦点位置検出手段により検
出される位置との差分に応じた目標速度を示す駆動信号
と、前記傾斜角検出信号により検出される傾斜角と前記
基板ステージの走査速度との積に応じた予測傾斜速度を
示す駆動信号を加算して得られる駆動信号を前記高さ調
整手段に供給する速度信号供給手段と;を備えたことを
特徴とする面位置設定装置。
1. A mask on which a transfer pattern is formed is illuminated with exposure illumination light, and the pattern of the mask is projected into an exposure area on a photosensitive substrate on a substrate stage via a projection optical system. Then, in synchronization with scanning the mask in a predetermined direction, the substrate is scanned in the predetermined direction via the substrate stage to sequentially expose the pattern of the mask on the substrate. Provided on the device,
An apparatus for setting the position of the surface of the substrate in the optical axis direction of the projection optical system to a predetermined position, in which the projection optical system is driven in the optical axis direction on the substrate stage according to a drive signal supplied. Height adjusting means for controlling the position of the substrate in the optical axis direction of the projection optical system at a speed; a position in the optical axis direction of the projection optical system at a measurement point in an exposure area of the projection optical system on the substrate A focus position detecting means for detecting a tilt angle detecting means for detecting a tilt angle of a predetermined measurement area including a measurement point in the exposure area with respect to a running surface of the substrate stage; and light of the projection optical system of the substrate. A drive signal indicating a target speed according to a difference between a target position in the axial direction and a position detected by the focus position detection means, a tilt angle detected by the tilt angle detection signal, and a scanning speed of the substrate stage. According to the product A surface position setting device comprising: a speed signal supply unit that supplies a drive signal obtained by adding a drive signal indicating a predicted tilt speed to the height adjusting unit.
【請求項2】 前記基板上の露光領域に対して走査方向
に先行する計測点で前記投影光学系の光軸方向の位置を
先読みする焦点位置先読み手段を設け、 前記速度信号供給手段は、前記目標速度を示す駆動信号
と、前記予測傾斜速度を示す駆動信号との和信号に、更
に前記焦点位置先読み手段により先読みされる位置と前
記焦点位置検出手段により検出される位置との差分に応
じた予測段差速度を示す駆動信号を加算して得られる駆
動信号を前記高さ調整手段に供給することを特徴とする
請求項1記載の面位置設定装置。
2. A focus position pre-reading means for pre-reading the position in the optical axis direction of the projection optical system at a measurement point preceding the exposure area on the substrate in the scanning direction is provided, and the speed signal supplying means is According to the sum signal of the drive signal indicating the target speed and the drive signal indicating the predicted tilt speed, further, the difference between the position pre-read by the focus position pre-reading means and the position detected by the focus position detecting means. 2. The surface position setting device according to claim 1, wherein a drive signal obtained by adding a drive signal indicating a predicted step speed is supplied to the height adjusting means.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN1299170C (en) * 2002-06-28 2007-02-07 佳能株式会社 Scanning exposuring device and method, manufacture of scanning exposuring device
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