JPH0844060A - Production of photosensitive resin composition and pattern - Google Patents
Production of photosensitive resin composition and patternInfo
- Publication number
- JPH0844060A JPH0844060A JP6176276A JP17627694A JPH0844060A JP H0844060 A JPH0844060 A JP H0844060A JP 6176276 A JP6176276 A JP 6176276A JP 17627694 A JP17627694 A JP 17627694A JP H0844060 A JPH0844060 A JP H0844060A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film thickness
- resin composition
- photosensitive resin
- group
- weight
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、耐熱性高分子となる新
規な感光性樹脂組成物およびパターンの製造法に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a novel photosensitive resin composition which becomes a heat resistant polymer and a method for producing a pattern.
【0002】[0002]
【従来の技術】近年、半導体工業の分野でポリイミド系
樹脂が集積回路のプロテクション膜や多層配線用層間絶
縁膜などに用いられている。さらに、最近になってポリ
アミド酸(ポリイミドのプレポリマ)にフォトレジスト
の如きパターン形成能を付与せしめ、感光性のポリイミ
ド前駆体とし、パターン形成工程を合理化することが種
々の方法で試みられている。上記感光性のポリイミド前
駆体には、フォトレジストとしての感光特性と永久使用
膜としての絶縁特性が要求され、種々の材料が提案され
ているが、特に感度の高い材料を得るのが困難であっ
た。これはポリアミド酸の保存安定性、高いガラス転移
温度、近紫外部における光吸収、感光基(あるいは感光
剤)導入率の制約など、高い光反応性を抑える要因が多
いためである。2. Description of the Related Art In recent years, in the field of semiconductor industry, polyimide resins have been used for protection films of integrated circuits and interlayer insulating films for multilayer wiring. Further, recently, various methods have been attempted to impart a pattern forming ability such as a photoresist to a polyamic acid (polyimide prepolymer) to form a photosensitive polyimide precursor and to rationalize the pattern forming process. The photosensitive polyimide precursor is required to have a photosensitive property as a photoresist and an insulating property as a permanently used film, and various materials have been proposed, but it is difficult to obtain a particularly sensitive material. It was This is because there are many factors that suppress high photoreactivity, such as storage stability of polyamic acid, high glass transition temperature, light absorption in the near-ultraviolet region, and restrictions on the introduction rate of the photosensitive group (or photosensitizer).
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】感光剤としてビスアジ
ド化合物を使う方法が非常に優れた感度を有することが
見出され、この方法により上記問題点は解決されたが、
ワニスの経時変化に伴い、塗布工程において膜厚の均一
な塗膜を得られないという新たな問題が生じた。本発明
は、塗布工程で膜厚むらの生じない感光性樹脂組成物お
よびこの組成物を用いたパターンの製造法を提供するも
のである。It has been found that a method using a bisazide compound as a photosensitizer has an extremely high sensitivity, and the above problems have been solved by this method.
Along with the aging of the varnish, a new problem arises that a coating film having a uniform film thickness cannot be obtained in the coating process. The present invention provides a photosensitive resin composition which does not cause unevenness in film thickness in a coating process, and a method for producing a pattern using this composition.
【0004】[0004]
【課題を解決するための手段】本発明は、(a)一般式
(1)The present invention provides (a) general formula (1)
【化3】 (但し、式中R1は3価または4価の有機基、R2は2価
の有機基、Mは水素、アルカリ金属イオンまたはアンモ
ニウムイオンを表わす。nは1または2である)で表わ
される繰り返し単位を主成分とするポリマ100重量
部、(b)一般式(2)[Chemical 3] (Wherein R 1 is a trivalent or tetravalent organic group, R 2 is a divalent organic group, M is hydrogen, an alkali metal ion or an ammonium ion, and n is 1 or 2). 100 parts by weight of a polymer having a repeating unit as a main component, (b) general formula (2)
【化4】 (但し、式中R3は2価の有機基を表わす)で表わされ
るビスアジド化合物0.1〜100重量部、(c)不飽
和結合を有するアミン化合物1〜400重量部および
(d)分子内にカルボキシル基を有する化合物を含有し
てなる感光性樹脂組成物およびこの組成物を用いたパタ
ーンの製造法に関する。[Chemical 4] (Wherein R 3 represents a divalent organic group) 0.1 to 100 parts by weight, (c) 1 to 400 parts by weight of an amine compound having an unsaturated bond, and (d) intramolecular The present invention relates to a photosensitive resin composition containing a compound having a carboxyl group and a method for producing a pattern using this composition.
【0005】本発明の感光性樹脂組成物は、ワニスの形
で塗布される。塗布方法としては、一般に回転塗布が用
いられるが、浸漬塗布、スプレー塗布、印刷などでもよ
い。塗布されたワニスは溶媒を蒸発する目的で加熱乾燥
する。加熱温度は室温以上、120℃以下の温度範囲か
ら選ばれる。室温未満であると、溶媒の蒸発速度が遅く
実用的でない。120℃を超えると感光性樹脂組成物が
暗反応を起し、感光性を失なうかあるいは極端に感度が
悪くなり実用に供せない。なお40℃以下で加熱乾燥す
る場合は真空あるいは送風乾燥を行うと効果的である。
次に所定のフォトマスクを通して紫外線照射し、パター
ンを焼き付ける。紫外線は通常高圧水銀燈から放出され
るスペクトル分布を持つものが使用され、その365nm
の波長における紫外線強度が試料照射面で0.1〜50
mW/cm2のものが好ましく用いられる。The photosensitive resin composition of the present invention is applied in the form of a varnish. As a coating method, spin coating is generally used, but dip coating, spray coating, printing or the like may be used. The varnish applied is heated and dried for the purpose of evaporating the solvent. The heating temperature is selected from a temperature range of room temperature or higher and 120 ° C. or lower. If it is lower than room temperature, the evaporation rate of the solvent is slow and it is not practical. If it exceeds 120 ° C., the photosensitive resin composition causes a dark reaction and loses the photosensitivity or the sensitivity is extremely deteriorated, so that it cannot be put to practical use. When heating and drying at 40 ° C. or lower, it is effective to perform vacuum or blast drying.
Next, ultraviolet rays are irradiated through a predetermined photomask to print the pattern. Ultraviolet rays that have a spectral distribution emitted from a high-pressure mercury lamp are usually used.
UV intensity at the wavelength of 0.1 to 50 on the sample irradiation surface
Those of mW / cm 2 are preferably used.
【0006】焼き付けられたパターンの現像処理によっ
てレリーフ・パターンを得る。現像液としては、N−メ
チル−2−ピロリドン、N−アセチル−2−ピロリド
ン、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチル
アセトアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホ
スホルトリアミド、ジメチルイミダゾリジノン、N−ベ
ンジル−2−ピロリドン、N−アセチル−ε−カプロラ
クタムなどの非プロトン性極性溶媒を単独であるいはメ
タノール、エタノール、イソプロピルアルコール、ベン
ゼン、トルエン、キシレン、メチルセロソルブ、水など
のポリアミド酸の非溶媒との混合液として用いることが
できる。現像によって形成したレリーフ・パターンは次
いでリンス液によって洗浄し、現像溶媒を除去する。リ
ンス液としては、現像液と混和性が良く、かつポリアミ
ド酸の貧溶媒となる溶媒が用いられる。具体的には、メ
タノール、エタノール、イソプロピルアルコール、水、
ベンゼン、トルエン、キシレン、アセトン、メチルエチ
ルケトン、シクロヘキサノン、テトラヒドロフラン、ジ
オキサン、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチ
ルカルビトール、ブチルカルビトールアセテート、酢酸
エチル、酢酸ブチルなどを単独であるいは2種以上混合
して用いる。現像およびリンスは浸漬またはスプレー法
で室温で0.5〜5分間行うことができる。リンス後は
回転乾燥や送風乾燥によりリンス液を大部分除去する。A relief pattern is obtained by developing the printed pattern. As the developing solution, N-methyl-2-pyrrolidone, N-acetyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, dimethyl sulfoxide, hexamethylphosphortriamide, dimethylimidazolidinone, N -Aprotic polar solvent such as benzyl-2-pyrrolidone and N-acetyl-ε-caprolactam alone or with a non-solvent of polyamic acid such as methanol, ethanol, isopropyl alcohol, benzene, toluene, xylene, methyl cellosolve and water. Can be used as a mixed solution of. The relief pattern formed by development is then washed with a rinse solution to remove the development solvent. As the rinse liquid, a solvent that has good miscibility with the developer and serves as a poor solvent for the polyamic acid is used. Specifically, methanol, ethanol, isopropyl alcohol, water,
Benzene, toluene, xylene, acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, tetrahydrofuran, dioxane, methyl cellosolve, ethyl cellosolve, butyl carbitol, butyl carbitol acetate, ethyl acetate, butyl acetate, etc. may be used alone or in combination of two or more. Development and rinsing can be carried out by dipping or spraying at room temperature for 0.5 to 5 minutes. After the rinse, most of the rinse liquid is removed by spin drying or blow drying.
【0007】次に、残存しているリンス液を加熱乾燥し
て蒸発させるとともに、ポリアミド酸からポリイミドへ
の転化反応を生ぜしめる。このとき感光性付与のために
用いられたビスアジド化合物、アミン化合物および分子
内にカルボキシル基を有する化合物は膜から飛散する。
加熱処理温度は150℃以上500℃以下の範囲とされ
る。150℃より低いとイミド化の反応が実効的に起ら
ないかあるいはビスアジド化合物、アミン化合物および
カルボキシル基を有する化合物の飛散が十分に起らな
い。500℃より高いとポリマの分解が起る。加熱処理
温度が300℃以上のときはN2などの不活性ガス雰囲
気にするか真空加熱を行うと良い結果を与える。Next, the remaining rinse liquid is heated and dried to evaporate, and at the same time, a conversion reaction from polyamic acid to polyimide is caused. At this time, the bisazide compound, the amine compound and the compound having a carboxyl group in the molecule used for imparting photosensitivity scatter from the film.
The heat treatment temperature is in the range of 150 ° C to 500 ° C. If the temperature is lower than 150 ° C., the imidization reaction does not effectively occur or the bisazide compound, the amine compound and the compound having a carboxyl group are not sufficiently scattered. If the temperature is higher than 500 ° C, the polymer is decomposed. When the heat treatment temperature is 300 ° C. or higher, an inert gas atmosphere such as N 2 or vacuum heating is used to give good results.
【0008】本発明で用いる感光性樹脂組成物について
説明する。一般式(1)で表わされる繰り返し単位を主
成分とするポリマは、一般式(1)で示される繰り返し
単位のみからなるものでも、これと他の繰り返し単位を
含むものであってもよい。他の繰り返し単位の種類、量
は最終加熱処理によって得られるポリイミドの耐熱性を
著しく損なわない範囲で選択するのが望ましい。一般式
(1)中のR1およびR2はポリイミドとしたときの耐熱
性の面から含芳香族環有機基および含複素環有機基が望
ましい。The photosensitive resin composition used in the present invention will be described. The polymer containing a repeating unit represented by the general formula (1) as a main component may be composed of only the repeating unit represented by the general formula (1) or may contain this and other repeating units. It is desirable to select the type and amount of other repeating units within a range that does not significantly impair the heat resistance of the polyimide obtained by the final heat treatment. R 1 and R 2 in the general formula (1) are preferably aromatic ring-containing organic groups and heterocyclic ring-containing organic groups from the viewpoint of heat resistance when used as a polyimide.
【0009】R1は具体的には、R 1 is specifically
【化5】 (式中、結合手はポリマ主鎖のカルボニル基との結合の
みを表わし、さらにR1に結合するカルボキシル基等は
結合手に対してオルト位に位置する)などが挙げられ
る。Embedded image (In the formula, the bond represents only the bond with the carbonyl group of the polymer main chain, and the carboxyl group or the like bonded to R 1 is located at the ortho position with respect to the bond).
【0010】R2は具体的には、R 2 is specifically
【化6】 などが挙げられる。[Chemical 6] And the like.
【0011】また、R1およびR2はポリイミドの耐熱性
に悪影響を与えない範囲でハロゲン原子、アミノ基、ア
ミド基、カルボキシル基、スルホン酸基などの置換基を
有してもさしつかえない。Further, R 1 and R 2 may have a substituent such as a halogen atom, an amino group, an amide group, a carboxyl group and a sulfonic acid group as long as the heat resistance of the polyimide is not adversely affected.
【0012】一般式(1)で表わされるポリマとしては
ピロメリット酸二無水物と4,4′−ジアミノジフェニ
ルエーテル、ピロメリット酸二無水物および3,3′,
4,4′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物と
4,4′−ジアミノジフェニルエーテル、ピロメリット
酸二無水物および3,3′,4,4′−ベンゾフェノン
テトラカルボン酸と4,4′−ジアミノジフェニルエー
テルおよび4,4′−ジアミノジフェニルエーテル−3
−カルボンアミド、ピロメリット酸二無水物および3,
3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無
水物と4,4′−ジアミノジフェニルエーテルおよびビ
ス(3−アミノプロピル)テトラメチルジシロキサンと
から導れるポリアミド酸などが挙げられる。As the polymer represented by the general formula (1), pyromellitic dianhydride, 4,4'-diaminodiphenyl ether, pyromellitic dianhydride and 3,3 ',
4,4'-benzophenone tetracarboxylic dianhydride and 4,4'-diaminodiphenyl ether, pyromellitic dianhydride and 3,3 ', 4,4'-benzophenone tetracarboxylic acid and 4,4'-diaminodiphenyl ether And 4,4'-diaminodiphenyl ether-3
-Carboxamide, pyromellitic dianhydride and 3,
Examples thereof include polyamic acid derived from 3 ', 4,4'-benzophenone tetracarboxylic dianhydride, 4,4'-diaminodiphenyl ether and bis (3-aminopropyl) tetramethyldisiloxane.
【0013】一般式(1)で表わされるポリマは上記の
ように、通常ジアミン化合物に酸二無水物をほぼ当モル
量反応させることによって得られるが、この場合に用い
る反応溶媒としては、反応材料および生成するポリアミ
ド酸の溶解性等の点から、N−メチル−2−ピロリド
ン、N,N−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキ
シド、ヘキサメチルホスホリックトリアミドおよび1,
3−ジメチル−2−イミダゾリジノンなどの非プロトン
性極性溶媒が好ましい。As described above, the polymer represented by the general formula (1) is usually obtained by reacting a diamine compound with an acid dianhydride in an approximately equimolar amount. The reaction solvent used in this case is a reaction material. And N-methyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylformamide, dimethyl sulfoxide, hexamethylphosphoric triamide and
Aprotic polar solvents such as 3-dimethyl-2-imidazolidinone are preferred.
【0014】一般式(2)で示されるビスアジド化合物
の例としてはExamples of the bisazide compound represented by the general formula (2) include
【化7】 {ここでXは−N3又は−SO2N3、R4は−H、低級ア
ルキル基、−OH、−OCH3、−COOH、−SO
3H、−NO2およびハロゲンから選ばれる基、R5、R6
およびR7はアルキレン、−SO2−、−S−、−O−、
−NH−、[Chemical 7] {Wherein X is -N 3 or -SO 2 N 3, R 4 is -H, a lower alkyl group, -OH, -OCH 3, -COOH, -SO
Groups selected from 3 H, —NO 2 and halogen, R 5 , R 6
And R 7 is alkylene, —SO 2 —, —S—, —O—,
-NH-,
【化8】 (R10はアルキレンを表わす)、Embedded image (R 10 represents alkylene),
【化9】 (kは1〜10である)から選ばれる基、R8は−O
H、−OR9、[Chemical 9] (K is 1 to 10), R 8 is —O.
H, -OR 9 ,
【化10】 −COOHおよび−COOR9(R9は低級アルキル基で
ある)から選ばれる基、Yは−O−、−S−および−N
H−から選ばれる基、mは0または1である}などが挙
げられるが分子の両端に芳香族アジド基を持つ化合物で
あれば良い。[Chemical 10] A group selected from —COOH and —COOR 9 (R 9 is a lower alkyl group), and Y represents —O—, —S— and —N.
Examples thereof include a group selected from H-, m is 0 or 1, and the like, but a compound having an aromatic azide group at both ends of the molecule may be used.
【0015】一般式(2)で示されるビスアジド化合物
で好ましいものは、Preferred bisazide compounds represented by the general formula (2) are:
【化11】 [Chemical 11]
【化12】 [Chemical 12]
【化13】 [Chemical 13]
【化14】 などが挙げられる。ビスアジド化合物が前記のポリアミ
ド酸と良好な相溶性を有するものが好ましい。Embedded image And the like. It is preferable that the bisazide compound has good compatibility with the above-mentioned polyamic acid.
【0016】一般式(2)で表わされるビスアジド化合
物の配合割合は、一般式(1)で表わされる繰り返し単
位を主成分とするポリマ100重量部に対して0.1重
量部以上100重量部以下とされ、0.5重量部以上5
0重量部以下で用いるのが好ましい。この範囲を逸脱す
ると、現像性、ワニスの保存安定性等に悪影響を及ぼ
す。The blending ratio of the bisazide compound represented by the general formula (2) is 0.1 parts by weight or more and 100 parts by weight or less based on 100 parts by weight of the polymer containing the repeating unit represented by the general formula (1) as a main component. And 0.5 parts by weight or more 5
It is preferably used in an amount of 0 parts by weight or less. If it deviates from this range, the developability and the storage stability of the varnish are adversely affected.
【0017】不飽和結合を有するアミン化合物の例とし
ては、Examples of amine compounds having an unsaturated bond include:
【化15】 などが好適な例として挙げられる。これら化合物は、上
記のビスアジド化合物と効率良く反応する。このアミン
化合物の配合割合は、一般式(1)で表わされる繰り返
し単位を主成分とするポリマ100重量部に対して、1
重量部以上400重量部以下とされるが、10重量部以
上400重量部以下で用いるのが好ましい。[Chemical 15] Etc. are mentioned as a suitable example. These compounds react efficiently with the above bisazide compounds. The compounding ratio of the amine compound is 1 with respect to 100 parts by weight of the polymer containing the repeating unit represented by the general formula (1) as a main component.
The content is set to be not less than 400 parts by weight but preferably not less than 10 parts and not more than 400 parts by weight.
【0018】分子内にカルボキシル基を有する化合物の
例としては、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、イソ酪
酸、しゅう酸などが好適な例として挙げられるが、これ
らに限定されるものではない。この化合物の配合割合
は、一般式(1)で表わされる繰り返し単位を主成分と
するポリマ100重量部に対して好ましくは100重量
部以下とされるが、より好ましくは0.5重量部以上5
0重量部以下で用いられる。この化合物を100重量部
を超えて用いる場合には、この化合物が析出するので好
ましくない。Examples of the compound having a carboxyl group in the molecule include formic acid, acetic acid, propionic acid, butyric acid, isobutyric acid and oxalic acid, but are not limited thereto. The compounding ratio of this compound is preferably 100 parts by weight or less, more preferably 0.5 parts by weight or more and 5 parts by weight, relative to 100 parts by weight of the polymer containing the repeating unit represented by the general formula (1) as a main component.
It is used in an amount of 0 parts by weight or less. If this compound is used in excess of 100 parts by weight, this compound will precipitate, which is not preferable.
【0019】本発明による感光性樹脂組成物は上記構成
成分を適当な極性溶媒等に溶解した溶液状態で用いる
が、溶媒の量は成膜性から一般式(1)で表わされる繰
り返し単位を主成分とするポリマ、一般式(2)で表わ
されるビスアジド化合物、不飽和結合を有するアミン化
合物、分子内にカルボキシル基を有する化合物の総和を
100重量部として100重量部以上10000重量部
以下で用いるのが好ましく、200重量部以上5000
重量部以下で用いるのがさらに好ましい。溶媒として
は、例えばアセトン、メチルエチルケトン、トルエン、
クロロホルム、メタノール、エタノール、1−プロパノ
ール、2−プロパノール、1−ブタノール、2−ブタノ
ール、t−ブタノール、エチレングリコールモノメチル
エーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、キ
シレン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、N,N−ジ
メチルアセトアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、
N−メチル−2−ピロリドン、γ−ブチロラクトン、ジ
メチルスルホキシド、エチレンカーボネート、プロピレ
ンカーボネート、スルホラン等が用いられる。The photosensitive resin composition according to the present invention is used in a solution state in which the above-mentioned constituents are dissolved in a suitable polar solvent or the like. The amount of the solvent is mainly the repeating unit represented by the general formula (1) in view of film-forming property. The total amount of the component polymer, the bisazide compound represented by the general formula (2), the amine compound having an unsaturated bond, and the compound having a carboxyl group in the molecule is 100 parts by weight or more and 100 parts by weight or more and 10000 parts by weight or less. Is preferred, and 200 parts by weight or more and 5000
It is more preferable to use less than 1 part by weight. Examples of the solvent include acetone, methyl ethyl ketone, toluene,
Chloroform, methanol, ethanol, 1-propanol, 2-propanol, 1-butanol, 2-butanol, t-butanol, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, xylene, tetrahydrofuran, dioxane, N, N-dimethylacetamide, N, N-dimethylformamide,
N-methyl-2-pyrrolidone, γ-butyrolactone, dimethyl sulfoxide, ethylene carbonate, propylene carbonate, sulfolane and the like are used.
【0020】本発明になる感光性樹脂組成物は通常の微
細加工技術でパターンの製造が可能である。基板への本
組成物の塗布にはスピンナを用いた回転塗布、浸漬、噴
霧印刷などの手段が可能であり、適宜選択することがで
きる。塗布膜厚は塗布手段、本組成物のワニスの固形分
濃度、粘度等によって調節可能である。基材としては、
金属、ガラス、半導体、金属酸化物絶縁体(例えば、T
iO2、Ta2O5、SiO2など)、窒化ケイ素などが挙
げられる。本発明のパターンの製造法において感光性樹
脂組成物の塗膜または加熱硬化後のポリイミド被膜と支
持基板の接着性を向上させるために基材を接着助剤で処
理してもさしつかえない。通常、50〜150℃のホッ
トプレート上で乾燥され基板上で塗膜となった本発明に
なる感光性樹脂組成物に紫外線を照射して露光し、次に
未露光部を現像液で溶解除去して現像することによりパ
ターンを得る。露光および現像の条件等には特に制限は
ない。現像液としてはN−メチル−2−ピロリドン、N
−アセチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルホルム
アミド、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスル
ホキシド、ヘキサメチルホスホルトリアミド、ジメチル
イミダゾリジノン、N−ベンジル−2−ピロリドン、N
−アセチル−ε−カプロラクタムなどの非プロトン性極
性溶媒を単独あるいはメタノール、エタノール、イソプ
ロピルアルコール、ベンゼン、トルエンキシレン、メチ
ルセロソルブなどのポリアミド酸の非溶媒との混合液と
して用いることができる。現像によって形成されたパタ
ーンは次いでリンス液によって洗浄し、現像溶媒を除去
する。リンス液には現像液との混和性のよいポリアミド
酸の非溶媒を用いるが、メタノール、エタノール、イソ
プロピルアルコール、ベンゼン、トルエン、キシレン、
メチレンセロソルブなどが好適な例として挙げられる。
上記の処理によって得られたパターンのポリマはポリイ
ミドの前駆体であり、150℃〜450℃までの範囲か
ら選ばれた加熱温度で処理することによりイミド環や他
の環状基を持つ耐熱性ポリマのパターンとなる。The photosensitive resin composition of the present invention can be used to produce a pattern by an ordinary fine processing technique. For applying the present composition to a substrate, means such as spin coating using a spinner, dipping, and spray printing can be used, and can be appropriately selected. The coating film thickness can be adjusted by the coating means, the solid content concentration of the varnish of the present composition, the viscosity, and the like. As the base material,
Metals, glass, semiconductors, metal oxide insulators (eg T
iO 2 , Ta 2 O 5 , SiO 2 and the like), silicon nitride and the like. In the method for producing a pattern of the present invention, the base material may be treated with an adhesion aid in order to improve the adhesiveness between the coating film of the photosensitive resin composition or the polyimide coating after heat curing and the supporting substrate. Usually, the photosensitive resin composition of the present invention, which is dried on a hot plate at 50 to 150 ° C. to form a coating film on a substrate, is irradiated with ultraviolet rays to be exposed, and then the unexposed portion is dissolved and removed with a developing solution. Then, a pattern is obtained by developing. There are no particular restrictions on the conditions of exposure and development. As a developer, N-methyl-2-pyrrolidone, N
-Acetyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, dimethylsulfoxide, hexamethylphosphortriamide, dimethylimidazolidinone, N-benzyl-2-pyrrolidone, N
An aprotic polar solvent such as -acetyl-ε-caprolactam can be used alone or as a mixed solution with a non-solvent of a polyamic acid such as methanol, ethanol, isopropyl alcohol, benzene, toluene xylene and methyl cellosolve. The pattern formed by the development is then washed with a rinse solution to remove the development solvent. A non-solvent of polyamic acid having good miscibility with the developer is used as the rinse liquid, but methanol, ethanol, isopropyl alcohol, benzene, toluene, xylene,
Preferred examples include methylene cellosolve.
The polymer of the pattern obtained by the above treatment is a polyimide precursor, and by treatment at a heating temperature selected from the range of 150 ° C. to 450 ° C., a heat resistant polymer having an imide ring or other cyclic group can be obtained. It becomes a pattern.
【0021】本発明の実施例を説明する。An embodiment of the present invention will be described.
【実施例】実施例で用いたポリマは次の製法によって得
た。ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、ピロメ
リット酸二無水物、4,4′−ジアミノジフェニルエー
テルおよび3−アミノカルボニル−4,4′−ジアミノ
ジフェニルエーテルを1:1:4:1のモル比で室温で
5時間、N−メチル−2−ピロリドン中で反応させて得
た(No.1)。ピロメリット酸二無水物とジアミノジフ
ェニルエーテルを等モルで室温で5時間、N−メチル−
2−ピロリドン、NN−ジメチルアセトアミドまたは
1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン中で反応させ
て得た(No.2、No.3、No.4)。 実施例1 表1のNo.1に示す組成の感光性樹脂組成物をシリコン
ウエハに回転塗布し、70℃で30分間乾燥して厚さ約
5μmの塗膜とした。この塗膜の膜厚を干渉膜厚計で測
定したところ、均一な膜厚の塗膜であった。この塗膜に
所定のフォトマスクを介して、高圧水銀燈で1分間露光
した。このときの紫外線強度は10mW/cm2(365nm)
であった。次にN−メチル−2−ピロリドン90gおよ
びイオン交換水10gからなる現像液で室温で2分間浸
漬現像した。次いでエチルアルコールで1分間浸漬して
リンスした。ここでの膜厚は約4.5μmであり、膜厚
むらは生じていなかった。EXAMPLES The polymers used in the examples were obtained by the following production method. Benzophenone tetracarboxylic acid dianhydride, pyromellitic acid dianhydride, 4,4'-diaminodiphenyl ether and 3-aminocarbonyl-4,4'-diaminodiphenyl ether were mixed at a molar ratio of 1: 1: 4: 1 at room temperature to give 5 It was obtained by reacting in N-methyl-2-pyrrolidone for a period of time (No. 1). Pyromellitic dianhydride and diaminodiphenyl ether were equimolar for 5 hours at room temperature, N-methyl-
It was obtained by reaction in 2-pyrrolidone, NN-dimethylacetamide or 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone (No. 2, No. 3, No. 4). Example 1 A photosensitive resin composition having the composition shown in No. 1 of Table 1 was spin-coated on a silicon wafer and dried at 70 ° C. for 30 minutes to form a coating film having a thickness of about 5 μm. When the film thickness of this coating film was measured by an interference film thickness meter, the coating film had a uniform film thickness. This coating film was exposed for 1 minute with a high pressure mercury lamp through a predetermined photomask. UV intensity at this time is 10 mW / cm 2 (365 nm)
Met. Next, immersion development was carried out for 2 minutes at room temperature with a developer containing 90 g of N-methyl-2-pyrrolidone and 10 g of ion-exchanged water. Then, it was immersed in ethyl alcohol for 1 minute and rinsed. The film thickness here was about 4.5 μm, and no film thickness unevenness occurred.
【0022】実施例2 実施例1と同様にして表1のNo.1に示す組成の感光性
樹脂組成物を用いて実施例1と同様にして露光後の膜厚
が約5μmの塗膜を得た。この塗膜の膜厚を干渉膜厚計
で測定したところ、均一な膜厚の塗膜であった。次にN
−メチル−2−ピロリドン75gおよびイオン交換水2
5gからなる現像液を用いて室温で2分間浸漬現像を
し、次いでエチルアルコールで1分間浸漬してリンスし
た。リンス後の膜厚は約4.7μmであり、膜厚むらは
生じていなかった。Example 2 A photosensitive resin composition having the composition shown in No. 1 of Table 1 was used in the same manner as in Example 1 to form a coating film having a film thickness after exposure of about 5 μm in the same manner as in Example 1. Obtained. When the film thickness of this coating film was measured by an interference film thickness meter, the coating film had a uniform film thickness. Then N
-Methyl-2-pyrrolidone 75 g and ion-exchanged water 2
Immersion development was carried out for 2 minutes at room temperature using a developing solution consisting of 5 g, followed by immersion in ethyl alcohol for 1 minute for rinsing. The film thickness after rinsing was about 4.7 μm, and there was no film thickness unevenness.
【0023】実施例3 実施例1と同様にして表1のNo.1に示す組成の感光性
樹脂組成物を用いて実施例1と同様にして露光後の膜厚
が約5μmの塗膜を得た。この塗膜の膜厚を干渉膜厚計
で測定したところ、均一な膜厚の塗膜であった。次にN
−メチル−2−ピロリドン50gおよびイオン交換水5
0gからなる現像液を用いて室温で2分間浸漬法で現像
をし次いでエチルアルコールで1分間浸漬してリンスし
た。リンス後の膜厚は約4.6μmであり、膜厚むらは
生じていなかった。Example 3 A photosensitive resin composition having the composition shown in Table 1 No. 1 was used in the same manner as in Example 1 to form a coating film having a film thickness after exposure of about 5 μm in the same manner as in Example 1. Obtained. When the film thickness of this coating film was measured by an interference film thickness meter, the coating film had a uniform film thickness. Then N
-Methyl-2-pyrrolidone 50 g and ion-exchanged water 5
Development was performed by a dipping method for 2 minutes at room temperature using 0 g of a developing solution, and then dipping in ethyl alcohol for 1 minute for rinsing. The film thickness after rinsing was about 4.6 μm, and the film thickness unevenness did not occur.
【0024】実施例4 表1のNo.2に示す組成の感光性樹脂組成物を用いて実
施例1と同様にして露光後の膜厚が約8μmの塗膜を得
た。この塗膜の膜厚を干渉膜厚計で測定したところ、均
一な膜厚の塗膜であった。この露光した膜をN,N−ジ
メチルアセトアミドが75g、イオン交換水が25gか
らなる現像液を用いて室温で2分間浸漬法で現像し、次
いでアセトンで1分間浸漬してリンスした。リンス後の
膜厚は約7μmであり、膜厚むらは生じていなかった。Example 4 A coating film having a film thickness after exposure of about 8 μm was obtained in the same manner as in Example 1 except that the photosensitive resin composition having the composition shown in No. 2 of Table 1 was used. When the film thickness of this coating film was measured by an interference film thickness meter, the coating film had a uniform film thickness. The exposed film was developed by a dipping method for 2 minutes at room temperature using a developing solution containing 75 g of N, N-dimethylacetamide and 25 g of ion-exchanged water, and then rinsed by dipping in acetone for 1 minute. The film thickness after rinsing was about 7 μm, and the film thickness unevenness did not occur.
【0025】実施例5 表1のNo.3に示す組成の感光性樹脂組成物を用いて実
施例1と同様にして露光後の膜厚が約4μmの塗膜を得
た。この塗膜の膜厚を干渉膜厚計で測定したところ、均
一な膜厚の塗膜であった。この露光した塗膜を1,3−
ジメチル−2−イミダリジノン75gおよびイオン交換
水25gからなる現像液を用いて室温で2分間浸漬法で
現像し、次いでイソプロピルアルコールで1分間浸漬し
てリンスした。リンス後の膜厚は約3.4μmであり、
膜厚むらは生じていなかった。Example 5 A photosensitive resin composition having the composition shown in No. 3 of Table 1 was used in the same manner as in Example 1 to obtain a coating film having a film thickness after exposure of about 4 μm. When the film thickness of this coating film was measured by an interference film thickness meter, the coating film had a uniform film thickness. This exposed coating is 1,3-
Development was performed by a dipping method for 2 minutes at room temperature using a developing solution containing 75 g of dimethyl-2-imidazolidinone and 25 g of ion-exchanged water, and then dipping for 1 minute in isopropyl alcohol for rinsing. The film thickness after rinsing is about 3.4 μm,
The film thickness unevenness did not occur.
【0026】実施例6 表1のNo.4に示す組成の感光性樹脂組成物を用いて実
施例1と同様にして露光後の膜厚が約4μmの塗膜を得
た。この塗膜の膜厚を干渉膜厚計で測定したところ、均
一な膜厚の塗膜であった。この露光した膜をジメチルホ
ルムアミド80gおよびイオン交換水20gからなる現
像液を用いて室温で2分間浸漬法で現像し、次いでメチ
ルアルコールで1分間リンスした。リンス後の膜厚は約
3.2μmであり、膜厚むらは生じていなかった。Example 6 A coating film having a film thickness after exposure of about 4 μm was obtained in the same manner as in Example 1 except that the photosensitive resin composition having the composition shown in No. 4 of Table 1 was used. When the film thickness of this coating film was measured by an interference film thickness meter, the coating film had a uniform film thickness. The exposed film was developed by a dipping method for 2 minutes at room temperature using a developing solution containing 80 g of dimethylformamide and 20 g of ion-exchanged water, and then rinsed with methyl alcohol for 1 minute. The film thickness after rinsing was about 3.2 μm, and there was no film thickness unevenness.
【0027】実施例7 表1のNo.4に示す組成の感光性樹脂組成物を用いて実
施例1と同様にして露光後の膜厚が約4μmの塗膜を得
た。この塗膜の膜厚を干渉膜厚計で測定したところ、均
一な膜厚の塗膜であった。この露光した膜をジメチルス
ルホキシド80gおよびイオン交換水20gからなる現
像液を用いて室温で2分間浸漬法で現像し、次いでメチ
ルアルコールで1分間浸漬してリンスした。リンス後の
膜厚は約3.3μmであり、膜厚むらは生じていなかっ
た。Example 7 A coating film having a film thickness after exposure of about 4 μm was obtained in the same manner as in Example 1 except that the photosensitive resin composition having the composition shown in Table 4 No. 4 was used. When the film thickness of this coating film was measured by an interference film thickness meter, the coating film had a uniform film thickness. The exposed film was developed by a dipping method at room temperature for 2 minutes using a developing solution containing 80 g of dimethyl sulfoxide and 20 g of ion-exchanged water, and then dipped in methyl alcohol for 1 minute for rinsing. The film thickness after rinsing was about 3.3 μm, and the film thickness unevenness did not occur.
【0028】比較例1 表1のNo.1に示す組成で酢酸を用いぬ組成とした感光
性樹脂組成物を用いて実施例1と同様にして得た塗膜
は、膜厚にむらがあった。この露光膜をN,N−ジメチ
ルアセトアミド80gおよびメチルアルコール20gか
らなる現像液を用いて室温で2分間浸漬して現像し次い
でメチルアルコールで1分間浸漬してリンスしたところ
得られたパターンには膜厚むらが生じていた。Comparative Example 1 A coating film obtained in the same manner as in Example 1 using a photosensitive resin composition having the composition shown in No. 1 of Table 1 but not containing acetic acid had uneven thickness. It was The exposed film was immersed in a developer containing 80 g of N, N-dimethylacetamide and 20 g of methyl alcohol at room temperature for 2 minutes to develop the film, and then immersed in methyl alcohol for 1 minute to rinse the film. There was uneven thickness.
【0029】[0029]
【表1】 [Table 1]
【0030】本発明になる感光性樹脂組成物によって、
ワニスの経時変化によらず、膜厚の均一な塗膜を得るこ
とができる。By the photosensitive resin composition according to the present invention,
It is possible to obtain a coating film having a uniform film thickness, regardless of the change with time of the varnish.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 G03F 7/027 514 7/16 H01L 21/027 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Office reference number FI Technical display location G03F 7/027 514 7/16 H01L 21/027
Claims (2)
の有機基、Mは水素、アルカリ金属イオンまたはアンモ
ニウムイオンを表わす。nは1または2である)で表わ
される繰り返し単位を主成分とするポリマ100重量
部、(b)一般式(2) 【化2】 (但し、式中R3は2価の有機基を表わす)で表わされ
るビスアジド化合物0.1〜100重量部 (c)不飽和結合を有するアミン化合物1〜400重量
部および(d)分子内にカルボキシル基を有する化合物
を含有してなる感光性樹脂組成物。1. (a) General formula (1): (Wherein R 1 is a trivalent or tetravalent organic group, R 2 is a divalent organic group, M is hydrogen, an alkali metal ion or an ammonium ion, and n is 1 or 2). 100 parts by weight of a polymer containing a repeating unit as a main component, (b) a general formula (2) (Wherein R 3 represents a divalent organic group) 0.1 to 100 parts by weight of (c) an amine compound having an unsaturated bond 1 to 400 parts by weight and (d) in the molecule A photosensitive resin composition comprising a compound having a carboxyl group.
上に塗布、乾燥し、露光、現像するパターンの製造法。2. A method for producing a pattern, which comprises coating the substrate with the photosensitive resin composition according to claim 1, drying, exposing, and developing.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6176276A JPH0844060A (en) | 1994-07-28 | 1994-07-28 | Production of photosensitive resin composition and pattern |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6176276A JPH0844060A (en) | 1994-07-28 | 1994-07-28 | Production of photosensitive resin composition and pattern |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0844060A true JPH0844060A (en) | 1996-02-16 |
Family
ID=16010752
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6176276A Pending JPH0844060A (en) | 1994-07-28 | 1994-07-28 | Production of photosensitive resin composition and pattern |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0844060A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007206423A (en) * | 2006-02-02 | 2007-08-16 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | Polyamic acid ester composition |
WO2018043467A1 (en) * | 2016-08-31 | 2018-03-08 | 富士フイルム株式会社 | Resin composition and application of same |
-
1994
- 1994-07-28 JP JP6176276A patent/JPH0844060A/en active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007206423A (en) * | 2006-02-02 | 2007-08-16 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | Polyamic acid ester composition |
WO2018043467A1 (en) * | 2016-08-31 | 2018-03-08 | 富士フイルム株式会社 | Resin composition and application of same |
JPWO2018043467A1 (en) * | 2016-08-31 | 2019-08-08 | 富士フイルム株式会社 | Resin composition and its application |
TWI751190B (en) * | 2016-08-31 | 2022-01-01 | 日商富士軟片股份有限公司 | Photosensitive resin composition and its application |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0065352B1 (en) | Light-sensitive polymer composition | |
EP0119719B1 (en) | Radiation sensitive polymer composition | |
WO2007034604A1 (en) | Negative photosensitive resin composition, method of pattern forming and electronic part | |
US4587197A (en) | Flexible photosensitive polymer composition with azide and/or amine compound, poly(amic acid) and highly polar compound with boiling point above 150° C. | |
US4783391A (en) | Radiation-sensitive polyamide polymer composition with anthraquinone monoazide | |
JPH0336861B2 (en) | ||
JPH0844060A (en) | Production of photosensitive resin composition and pattern | |
JPH08137105A (en) | Photosensitive resin composition and production of pattern | |
JPS62179563A (en) | Photosensitive polymer composition | |
JPS6337823B2 (en) | ||
JPS63172767A (en) | Optical structural polyimide mixture | |
JP2917449B2 (en) | Actinic radiation sensitive polymer composition | |
JPH0526185B2 (en) | ||
JP3339134B2 (en) | Actinic radiation sensitive polymer composition | |
JPH1020499A (en) | Photosensitive resin composition and its pattern forming method | |
JPH1020498A (en) | Production of multilayered wiring structure and semiconductor device | |
JPH0833657B2 (en) | Photosensitive polyimide composition | |
JPH0339357A (en) | Actinic radiation-sensitive polymer composition | |
JPH0149929B2 (en) | ||
JPH0651512A (en) | Photosensitive resin composition | |
JPH05181274A (en) | Polyimido-based photosensitive composition | |
JPH1138616A (en) | Manufacture of photosensitive polyimide precursor composition | |
JPH06186744A (en) | Photosensitive resin composition | |
JPH09197670A (en) | Manufacture of multiple layer wiring structure and semiconductor device | |
JPS58160320A (en) | Photopolymer composition |