JPH0837098A - Plasma generating device - Google Patents
Plasma generating deviceInfo
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- JPH0837098A JPH0837098A JP6173937A JP17393794A JPH0837098A JP H0837098 A JPH0837098 A JP H0837098A JP 6173937 A JP6173937 A JP 6173937A JP 17393794 A JP17393794 A JP 17393794A JP H0837098 A JPH0837098 A JP H0837098A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、イオンプレーティング
やプラズマCVD装置などに用いて最適なプラズマ発生
装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optimum plasma generator for use in ion plating, plasma CVD equipment and the like.
【0002】[0002]
【従来の技術】イオンプレーティング装置などのプラズ
マ発生装置では、真空チャンバー内にプラズマを形成
し、このプラズマによって成膜材料をイオン化し、チャ
ンバー内の基板にイオン化材料を付着させるようにして
いる。このチャンバー内でプラズマを発生させるため、
チャンバーに電子源を備え、電子源からの電子をチャン
バー内に導入するようにしている。最近、この電子源と
してプラズマ源が用いられている。2. Description of the Related Art In a plasma generator such as an ion plating device, plasma is formed in a vacuum chamber, the film forming material is ionized by the plasma, and the ionized material is attached to a substrate in the chamber. To generate plasma in this chamber,
An electron source is provided in the chamber, and electrons from the electron source are introduced into the chamber. Recently, a plasma source is used as this electron source.
【0003】図1は電子源としてプラズマ源を用いたプ
ラズマ発生装置を示している。図中1はプラズマ源であ
り、プラズマ源1はカソード2、リング状のアノード
3、磁場発生用コイル4、カソード2を包むように配置
された円筒状のケース5、ケース5の端部に設けられた
ガス導入口6で構成されている。プラズマ源1は真空チ
ャンバー7内に内蔵された形で取り付けられている。カ
ソード2はタングステンなどの熱電子放出材料の線材で
形成されている。このカソード2は加熱電源8に接続さ
れており、熱電子が放出可能な温度にまで加熱できるよ
うに構成されている。なお、アノード3はケース5に対
し碍子9によって電気的に絶縁されている。FIG. 1 shows a plasma generator using a plasma source as an electron source. In the figure, reference numeral 1 denotes a plasma source, and the plasma source 1 is provided at an end of the case 2, a cylindrical case 5 arranged so as to enclose the cathode 2, a ring-shaped anode 3, a magnetic field generating coil 4, a cathode 2. It is composed of a gas inlet 6. The plasma source 1 is mounted in a vacuum chamber 7 so as to be built therein. The cathode 2 is made of a wire made of a thermionic emission material such as tungsten. The cathode 2 is connected to a heating power source 8 and is configured to be heated to a temperature at which thermoelectrons can be emitted. The anode 3 is electrically insulated from the case 5 by an insulator 9.
【0004】アノード3は、カソード2と放電用直流電
源10、抵抗R1を介して接続されており、アノード3
にはカソード2に対して+50V〜+150Vの電圧が
印加されており、ケース5内で発生したプラズマ中の電
子を引き出して加速させ、真空チャンバー7内に導く役
割をする。ケース5はカソード2とアノード3との間で
安定な放電を維持させるための放電室となっている。ま
た、ケース5は数100Ω程度の抵抗R3を介して放電
電源10に接続されている。その結果、ケース5はカソ
ード2の平均電位に対してアルゴンガスの電離電圧以上
の電圧が印加されており、放電トリガの役割を果たすよ
うに構成されている。なお、カソード2、アノード3、
放電用直流電源10で構成される放電回路は、真空チャ
ンバー7と高抵抗R2で接続されている。The anode 3 is connected to the cathode 2 via a discharge DC power source 10 and a resistor R 1.
Is applied with a voltage of +50 V to +150 V with respect to the cathode 2, and plays a role of extracting and accelerating the electrons in the plasma generated in the case 5 and introducing them into the vacuum chamber 7. The case 5 serves as a discharge chamber for maintaining stable discharge between the cathode 2 and the anode 3. Further, the case 5 is connected to the discharge power source 10 via a resistor R 3 of about several hundred Ω. As a result, the case 5 is applied with a voltage equal to or higher than the ionization voltage of the argon gas with respect to the average potential of the cathode 2, and is configured to function as a discharge trigger. In addition, the cathode 2, the anode 3,
The discharge circuit composed of the discharge DC power supply 10 is connected to the vacuum chamber 7 by a high resistance R 2 .
【0005】コイル4は、ケース5内で発生したプラズ
マ中から電子が引き出される方向と平行な磁場を形成す
る電磁石であり、この磁場により、ケース5内の放電プ
ラズマを集束させ、電子ビームをアノード3から通過さ
せる助けをすると共に、アノード3から真空チャンバー
6へ引き出された電子ビームをアノード3から遠方に導
く役割も有している。なお、ケース5やアノード3は詳
細に図示していないが、冷却水が循環できる構造となっ
ている。次にこのような構成の動作を説明する。The coil 4 is an electromagnet that forms a magnetic field parallel to the direction in which electrons are extracted from the plasma generated in the case 5, and the magnetic field focuses the discharge plasma in the case 5 to make the electron beam an anode. It also has a role of guiding the electron beam extracted from the anode 3 to the vacuum chamber 6 to a distance from the anode 3 while helping to pass the electron beam from the anode 3. Although not shown in detail, the case 5 and the anode 3 have a structure in which cooling water can circulate. Next, the operation of such a configuration will be described.
【0006】まず、ケース5内を図示していない真空排
気系により高真空に排気し、その後、ケース5内にガス
導入口6からアルゴンガスなどの不活性ガスを導入す
る。この場合、ケース5内の圧力を10−2Torrよ
りも高く設定する。ケース5内が所定の圧力に設定され
た後、カソード2に加熱電源8より電流を供給して通電
加熱し、カソードを熱電子放出可能な温度にまで加熱す
る。この結果、カソード2から熱電子が放出され、カソ
ード2とアノード3との間、および、カソード2とケー
ス5との間で放電が発生する。この放電によりケース5
内部のアルゴンガスはイオン化され、ケース5内にはプ
ラズマが発生する。First, the inside of the case 5 is evacuated to a high vacuum by a vacuum exhaust system (not shown), and then an inert gas such as argon gas is introduced into the case 5 through the gas introduction port 6. In this case, the pressure in the case 5 is set higher than 10 −2 Torr. After the inside of the case 5 is set to a predetermined pressure, a current is supplied from the heating power source 8 to the cathode 2 to electrically heat it, and the cathode is heated to a temperature at which thermionic electrons can be emitted. As a result, thermoelectrons are emitted from the cathode 2, and a discharge is generated between the cathode 2 and the anode 3 and between the cathode 2 and the case 5. Case 5 by this discharge
The argon gas inside is ionized, and plasma is generated in the case 5.
【0007】このようにして発生したプラズマは、コイ
ル4が作る磁場の影響でカソード2からの電子ビームの
軸方向に集束され、更に、アノード3の加速電界により
加速された電子は、真空チャンバー7へと引き出され
る。真空チャンバー7内に引き出された電子は、真空チ
ャンバー7内にガス導入口11から導入された活性ガ
ス、または反応ガスなどを励起してプラズマ化し、真空
チャンバー7内に濃いプラズマを形成する。The plasma thus generated is focused in the axial direction of the electron beam from the cathode 2 under the influence of the magnetic field created by the coil 4, and the electrons accelerated by the accelerating electric field of the anode 3 are evacuated to the vacuum chamber 7. Be drawn to. The electrons drawn into the vacuum chamber 7 excite the active gas or the reaction gas introduced from the gas introduction port 11 into the vacuum chamber 7 to generate plasma, thereby forming a deep plasma in the vacuum chamber 7.
【0008】なお、プラズマ源1の放電回路と真空チャ
ンバー7とが高抵抗により接続されていることから、ア
ノード3から真空チャンバー7に引き出された放電電流
は真空チャンバー7へは流れにくくなり、ほとんどがア
ノード3方向に戻ることになる。つまり、プラズマ源1
はアノード2から引き出された電子ビームがUターンし
てアノード3に戻されるような振る舞いをする。Since the discharge circuit of the plasma source 1 and the vacuum chamber 7 are connected by a high resistance, the discharge current drawn from the anode 3 to the vacuum chamber 7 becomes difficult to flow into the vacuum chamber 7 and is almost impossible. Will return in the direction of the anode 3. That is, the plasma source 1
Acts such that the electron beam extracted from the anode 2 makes a U-turn and is returned to the anode 3.
【0009】[0009]
【発明が解決しようとする課題】上記した構成のプラズ
マ源は、次のような問題点を有している。すなわち、ケ
ース5内のプラズマ中の電子は、その大部分が真空チャ
ンバー7へ引き出されないで直接アノード3に流れ込ん
でしまうことである。したがって、カソード2とアノー
ド3との間の放電電流に対し、真空チャンバー7に引き
出される放電電流はかなり減少してしまう。この点を解
決するため、コイル4により磁場を強くしてケース5内
のプラズマから引き出す電子を軸方向に圧縮して直接ア
ノード3に流れ込むことを防止することが考えられる。
しかしながら、この方法では、直接アノード3に流れ込
む放電電流を減少させることができるものの、アノード
3から真空チャンバー7へ引き出された電子ビームによ
り発生したプラズマが、磁場の影響を受けてアノード3
付近で広がることができず、アノード3から引き出され
た電子ビームがUターンしてアノード3に戻されるよう
な振る舞いが阻害され、真空チャンバー7に投入できる
放電出力を高めることができない。The plasma source having the above-mentioned structure has the following problems. That is, most of the electrons in the plasma inside the case 5 flow directly into the anode 3 without being extracted to the vacuum chamber 7. Therefore, the discharge current drawn into the vacuum chamber 7 is considerably reduced with respect to the discharge current between the cathode 2 and the anode 3. In order to solve this point, it is conceivable to strengthen the magnetic field by the coil 4 to prevent the electrons extracted from the plasma in the case 5 from axially compressing and directly flowing into the anode 3.
However, with this method, the discharge current flowing directly into the anode 3 can be reduced, but the plasma generated by the electron beam extracted from the anode 3 to the vacuum chamber 7 is affected by the magnetic field, and thus the anode 3
The electron beam extracted from the anode 3 cannot spread in the vicinity, and the behavior that the electron beam is U-turned and returned to the anode 3 is hindered, and the discharge output that can be injected into the vacuum chamber 7 cannot be increased.
【0010】本発明は、このような点に鑑みてなされた
もので、その目的は、プラズマ源からの電子を効率良く
真空チャンバー内に導入し、濃いプラズマを発生させる
ことができるプラズマ発生装置を実現するにある。The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to provide a plasma generator capable of efficiently introducing electrons from a plasma source into a vacuum chamber to generate a dense plasma. It will be realized.
【0011】[0011]
【課題を解決するための手段】本発明に基づくプラズマ
発生装置は、内部にプラズマガスが供給されるケース
と、カソードとアノードを備えており、カソードを加熱
することによって発生した熱電子によってケース内にプ
ラズマを形成するように構成されたプラズマ源と、プラ
ズマ源のケース内で発生したプラズマからアノードによ
って引き出され加速された電子が導入される真空チャン
バーとを備えたプラズマ発生装置において、前記ケース
内に形成されたプラズマに面したアノードの前面に、シ
ールド板を設けたことを特徴としている。A plasma generator according to the present invention comprises a case into which a plasma gas is supplied, a cathode and an anode, and the inside of the case is heated by thermoelectrons generated by heating the cathode. A plasma source configured to form a plasma in the interior of the plasma source, and a vacuum chamber into which electrons accelerated by the anode are introduced from plasma generated in the case of the plasma source are introduced into the plasma source. It is characterized in that a shield plate is provided on the front surface of the anode facing the plasma formed in the above.
【0012】[0012]
【作用】本発明に基づくプラズマ装置は、プラズマ源の
ケース内に形成されたプラズマに面したアノードの前面
に、シールド板を設け、プラズマから引き出された電子
がアノードに流れ込むことを防止する。In the plasma device according to the present invention, a shield plate is provided on the front surface of the anode facing the plasma formed in the case of the plasma source to prevent electrons extracted from the plasma from flowing into the anode.
【0013】[0013]
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。図2は本発明の一実施例を示しているが、
図1の従来装置と同一ないしは類似構成要素には同一番
号を付しその詳細な説明は省略する。この実施例では、
アノード3の前面にシールド板12が配置されている点
が図1の従来装置と異なっている。このシールド板12
はケース5内に形成されたプラズマに晒されるアノード
3の面を覆うように配置されている。シールド板12は
アノード3やケース5と絶縁して配置され、フローティ
ング状態とされるか、あるいは高抵抗を介して設置され
る。また、高抵抗を介して設置されているケース5に固
定し、ケース5と電気的に接続させるようにしても良
い。このような構成の動作を次に説明する。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. 2 shows an embodiment of the present invention,
The same or similar components as those of the conventional apparatus of FIG. 1 are designated by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted. In this example,
This is different from the conventional device shown in FIG. 1 in that a shield plate 12 is arranged on the front surface of the anode 3. This shield plate 12
Are arranged so as to cover the surface of the anode 3 exposed to the plasma formed in the case 5. The shield plate 12 is arranged so as to be insulated from the anode 3 and the case 5, and is placed in a floating state or installed with a high resistance. Alternatively, it may be fixed to the case 5 installed via a high resistance and electrically connected to the case 5. The operation of such a configuration will be described below.
【0014】まず、図1の従来装置と同様に、ケース5
内を図示していない真空排気系により高真空に排気し、
その後、ケース5内にガス導入口6からアルゴンガスな
どの不活性ガスを導入する。この場合、ケース5内の圧
力を10−2Torrよりも高く設定する。ケース5内
が所定の圧力に設定された後、カソード2に加熱電源よ
り電流を供給して通電加熱し、カソードを熱電子放出可
能な温度にまで加熱する。この結果、カソード2から熱
電子が放出され、カソード2とケース5との間、およ
び、カソード2とシールド板12との間で放電が発生す
る。この放電によりケース5内部のアルゴンガスはイオ
ン化され、ケース5内にはプラズマが発生する。First, as in the conventional device shown in FIG. 1, a case 5 is used.
The inside is evacuated to a high vacuum by a vacuum exhaust system (not shown),
Then, an inert gas such as argon gas is introduced into the case 5 through the gas introduction port 6. In this case, the pressure in the case 5 is set higher than 10 −2 Torr. After the inside of the case 5 is set to a predetermined pressure, an electric current is supplied to the cathode 2 from a heating power source to energize and heat the cathode 2 to a temperature at which the thermoelectrons can be emitted. As a result, thermoelectrons are emitted from the cathode 2, and discharge is generated between the cathode 2 and the case 5 and between the cathode 2 and the shield plate 12. Due to this discharge, the argon gas inside the case 5 is ionized, and plasma is generated inside the case 5.
【0015】このようにして発生したプラズマは、コイ
ル4が作る磁場の影響でカソード2からの電子ビームの
軸方向に集束され、更に、アノード3の加速電界により
加速された電子は、真空チャンバー7へと引き出され
る。このとき、プラズマ中の電子は、ケース5やシール
ド板12に流れ込みにくいことから、そのほとんどがシ
ールド板の真空チャンバー7に面した開口部に存在する
アノード3の加速電界により加速され、真空チャンバー
7へと効率良く引き出される。ここで、コイル4による
磁場の影響については、プラズマ源の運転時のコイル磁
場強度をコイル中心で100ガウス〜300ガウスとし
ており、実用上何等問題なく動作することが確認され
た。The plasma thus generated is focused in the axial direction of the electron beam from the cathode 2 under the influence of the magnetic field created by the coil 4, and the electrons accelerated by the accelerating electric field of the anode 3 are vacuum chamber 7. Be drawn to. At this time, the electrons in the plasma are difficult to flow into the case 5 and the shield plate 12, so most of them are accelerated by the acceleration electric field of the anode 3 existing in the opening of the shield plate facing the vacuum chamber 7, and the vacuum chamber 7 To be efficiently extracted. Here, regarding the influence of the magnetic field by the coil 4, it was confirmed that the coil magnetic field strength during the operation of the plasma source was 100 gauss to 300 gauss at the center of the coil, and that the coil operates practically without any problem.
【0016】真空チャンバー7内に引き出された電子
は、真空チャンバー7内に導入された活性ガス、または
反応ガスなどを励起してプラズマ化し、真空チャンバー
7内に濃いプラズマを形成する。なお、プラズマ源1の
放電回路と真空チャンバー7とが高抵抗により接続され
ていることから、アノード3から真空チャンバー7に引
き出された放電電流は真空チャンバー7へは流れにくく
なり、ほとんどがアノード3方向に戻ることになる。つ
まり、プラズマ源1はアノード3から引き出された電子
ビームがUターンしてアノード3に戻されるような振る
舞いをする。したがって、アノード3の真空チャンバー
7に対向する面の前には、シールド板を配置しないよう
に構成しなければならない。The electrons drawn into the vacuum chamber 7 excite the active gas or the reaction gas introduced into the vacuum chamber 7 to turn them into plasma and form a deep plasma in the vacuum chamber 7. Since the discharge circuit of the plasma source 1 and the vacuum chamber 7 are connected by a high resistance, the discharge current drawn from the anode 3 to the vacuum chamber 7 becomes difficult to flow into the vacuum chamber 7, and most of the anode 3 It will return to the direction. That is, the plasma source 1 behaves such that the electron beam extracted from the anode 3 makes a U-turn and is returned to the anode 3. Therefore, the shield plate should not be arranged in front of the surface of the anode 3 facing the vacuum chamber 7.
【0017】尚、プラズマ源1を真空チャンバー7内に
内蔵する構成に限らず、プラズマ源を真空チャンバーの
壁部に外付けする構成であっても良い。The plasma source 1 is not limited to being built in the vacuum chamber 7, but the plasma source may be externally attached to the wall of the vacuum chamber.
【0018】 [0018]
【発明の効果】以上説明したように、本発明に基づくプ
ラズマ発生装置は、プラズマ源のケース内に形成された
プラズマに面したアノードの前面に、シールド板を設
け、プラズマから引き出された電子が真空チャンバーに
引き出される前にアノードに流れ込むことを防止するよ
うに構成した。この結果、プラズマ源から真空チャンバ
ー内に効率良く電子を供給することができ、チャンバー
内に濃いプラズマを形成することができる。また、アノ
ードへの電子の流れ込みを防ぐために磁場強度を増加さ
せる必要がないので、真空チャンバー内の狭い範囲にの
み電子が導入されるような従来装置の問題点は解消され
る。As described above, in the plasma generator according to the present invention, the shield plate is provided on the front surface of the anode facing the plasma formed in the case of the plasma source so that the electrons extracted from the plasma are It was configured to prevent it from flowing into the anode before being drawn into the vacuum chamber. As a result, electrons can be efficiently supplied from the plasma source into the vacuum chamber, and dense plasma can be formed in the chamber. Further, since it is not necessary to increase the magnetic field strength in order to prevent the electrons from flowing into the anode, the problem of the conventional device in which the electrons are introduced only into a narrow area in the vacuum chamber is solved.
【図1】従来のプラズマ発生装置を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a conventional plasma generator.
【図2】本発明に基づくプラズマ発生装置の一実施例を
示す図である。FIG. 2 is a diagram showing an embodiment of a plasma generator according to the present invention.
1 プラズマ源 2 カソード 3 アノード 4 磁場発生用コイル 5 ケース 6 ガス導入口 7 真空チャンバー 8 加熱電源 9 碍子 10 放電電源 11 ガス導入口 12 シールド板 1 Plasma Source 2 Cathode 3 Anode 4 Magnetic Field Generation Coil 5 Case 6 Gas Inlet 7 Vacuum Chamber 8 Heating Power 9 Insulator 10 Discharge Power 11 Gas Inlet 12 Shield Plate
Claims (3)
と、カソードとアノードを備えており、カソードを加熱
することによって発生した熱電子によってケース内にプ
ラズマを形成するように構成されたプラズマ源と、プラ
ズマ源のケース内で発生したプラズマからアノードによ
って引き出され加速された電子が導入される真空チャン
バーとを備えたプラズマ発生装置において、前記ケース
内に形成されたプラズマに面したアノードの前面に、シ
ールド板を設けたことを特徴とするプラズマ発生装置。1. A case in which a plasma gas is supplied inside, a plasma source including a cathode and an anode, and configured to form plasma in the case by thermoelectrons generated by heating the cathode. In a plasma generator provided with a vacuum chamber into which electrons accelerated by the anode and extracted from plasma generated in the case of the plasma source are introduced, a front surface of the anode facing the plasma formed in the case, A plasma generator provided with a shield plate.
ている請求項1記載のプラズマ発生装置。2. The plasma generator according to claim 1, wherein the shield plate has a floating potential.
いる請求項1記載のプラズマ発生装置。3. The plasma generator according to claim 1, wherein the shield plate is grounded via a high resistance.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP06173937A JP3143016B2 (en) | 1994-07-26 | 1994-07-26 | Plasma generator |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP06173937A JP3143016B2 (en) | 1994-07-26 | 1994-07-26 | Plasma generator |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0837098A true JPH0837098A (en) | 1996-02-06 |
JP3143016B2 JP3143016B2 (en) | 2001-03-07 |
Family
ID=15969838
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP06173937A Expired - Fee Related JP3143016B2 (en) | 1994-07-26 | 1994-07-26 | Plasma generator |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3143016B2 (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008293829A (en) * | 2007-05-25 | 2008-12-04 | Jeol Ltd | Plasma generation system |
JP2009102726A (en) * | 2007-10-05 | 2009-05-14 | Jeol Ltd | Film deposition system |
JP2010053443A (en) * | 2008-07-31 | 2010-03-11 | Canon Anelva Corp | Plasma generating apparatus, deposition apparatus, deposition method, and method of manufacturing display device |
-
1994
- 1994-07-26 JP JP06173937A patent/JP3143016B2/en not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2008293829A (en) * | 2007-05-25 | 2008-12-04 | Jeol Ltd | Plasma generation system |
JP2009102726A (en) * | 2007-10-05 | 2009-05-14 | Jeol Ltd | Film deposition system |
JP2010053443A (en) * | 2008-07-31 | 2010-03-11 | Canon Anelva Corp | Plasma generating apparatus, deposition apparatus, deposition method, and method of manufacturing display device |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP3143016B2 (en) | 2001-03-07 |
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