JPH0836186A - 液晶装置の製造方法 - Google Patents
液晶装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0836186A JPH0836186A JP16963494A JP16963494A JPH0836186A JP H0836186 A JPH0836186 A JP H0836186A JP 16963494 A JP16963494 A JP 16963494A JP 16963494 A JP16963494 A JP 16963494A JP H0836186 A JPH0836186 A JP H0836186A
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- crystal device
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ａ−ＴＮ型液晶装置及び高分子分散型液晶装
置において、ドメインサイズを小さく制御できる液晶装
置の製造方法を提供することを目的とする。 【構成】 少なくとも一方の基板に配向処理を施さない
液晶装置の製造方法において、液晶−等方相転移温度以
上で液晶材料を基板間に注入する工程と、注入完了後、
等方相から液晶相への相転移時に１０℃／秒以上の速度
で急冷却する工程とを備えてなる。
置において、ドメインサイズを小さく制御できる液晶装
置の製造方法を提供することを目的とする。 【構成】 少なくとも一方の基板に配向処理を施さない
液晶装置の製造方法において、液晶−等方相転移温度以
上で液晶材料を基板間に注入する工程と、注入完了後、
等方相から液晶相への相転移時に１０℃／秒以上の速度
で急冷却する工程とを備えてなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶装置の製造方法に
関する。
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の液晶装置は基板表面にラビングな
どの配向処理を施し、パネル内の液晶をモノドメイン化
している。代表的なツイステッドネマティック（ＴＮ）
型液晶装置の構成を図４に示す。液晶分子４０５は２枚
の透明電極４０３付き基板４０２間で９０°ねじれた配
列をしている。電圧を印加すると、液晶分子４０５はプ
レティルト角（液晶分子長軸方向と基板のなす角度）方
向から立ち上がる。実際には、電圧を印加したときに全
ての液晶分子４０５が立ち上がるのではなく、基板の配
向膜４０４近くに位置する液晶分子は配向膜４０４に規
制されてわずかしか立ち上がらず、両基板の中央部に位
置する液晶分子４０５が最も大きく立ち上がる。このた
め、最も表示に関与するのは中央部の液晶分子４０５で
ある。電圧印加時に中央部の液晶分子４０５は完全に電
界方向に揃うわけではないので、観察者が画面を見る方
向によって液晶分子長軸方向との位置関係が異なり、視
角特性が生じる。
どの配向処理を施し、パネル内の液晶をモノドメイン化
している。代表的なツイステッドネマティック（ＴＮ）
型液晶装置の構成を図４に示す。液晶分子４０５は２枚
の透明電極４０３付き基板４０２間で９０°ねじれた配
列をしている。電圧を印加すると、液晶分子４０５はプ
レティルト角（液晶分子長軸方向と基板のなす角度）方
向から立ち上がる。実際には、電圧を印加したときに全
ての液晶分子４０５が立ち上がるのではなく、基板の配
向膜４０４近くに位置する液晶分子は配向膜４０４に規
制されてわずかしか立ち上がらず、両基板の中央部に位
置する液晶分子４０５が最も大きく立ち上がる。このた
め、最も表示に関与するのは中央部の液晶分子４０５で
ある。電圧印加時に中央部の液晶分子４０５は完全に電
界方向に揃うわけではないので、観察者が画面を見る方
向によって液晶分子長軸方向との位置関係が異なり、視
角特性が生じる。
【０００３】これに対して、パネル内の液晶が不規則な
配列をしているアモルファスツイステッドネマティック
（ａ−ＴＮ）型液晶装置（ＳＩＤ’９３ ＤＩＧＥＳＴ
ｐ６２２）及びポリマー材料を添加した高分子分散型
液晶装置は、液晶配向がランダムなため観察方向に依ら
ない広視角表示を得ることができる。図２にａ−ＴＮ型
液晶装置，図３に高分子分散型液晶装置を示す。ａ−Ｔ
Ｎ型液晶装置では配向処理を施していないコーティング
層２０４上で液晶分子２０５がランダムに吸着し、ミク
ロなツイスト領域が無数存在する。電圧を印加すると、
液晶分子２０５の立ち上がり方向が一方向に規定されな
いため、視角依存性がなく広視角な表示を得ることがで
きる。また、高分子分散型液晶装置はポリマー材料３０
５に囲まれた液晶滴３０４の中で液晶分子３０３がラン
ダム配向をしているため、視角依存性がなく広視角な表
示を得ることができる。
配列をしているアモルファスツイステッドネマティック
（ａ−ＴＮ）型液晶装置（ＳＩＤ’９３ ＤＩＧＥＳＴ
ｐ６２２）及びポリマー材料を添加した高分子分散型
液晶装置は、液晶配向がランダムなため観察方向に依ら
ない広視角表示を得ることができる。図２にａ−ＴＮ型
液晶装置，図３に高分子分散型液晶装置を示す。ａ−Ｔ
Ｎ型液晶装置では配向処理を施していないコーティング
層２０４上で液晶分子２０５がランダムに吸着し、ミク
ロなツイスト領域が無数存在する。電圧を印加すると、
液晶分子２０５の立ち上がり方向が一方向に規定されな
いため、視角依存性がなく広視角な表示を得ることがで
きる。また、高分子分散型液晶装置はポリマー材料３０
５に囲まれた液晶滴３０４の中で液晶分子３０３がラン
ダム配向をしているため、視角依存性がなく広視角な表
示を得ることができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ａ−Ｔ
Ｎ型液晶装置及び高分子分散型液晶装置は容易にドメイ
ンサイズ（ミクロなツイスト領域の大きさ及び液晶滴の
大きさ）を制御することができないという問題点を有し
ていた。ドメインが１画素に複数存在しなければ、その
画素の表示情報を全ての視角方向に提供することができ
ない。
Ｎ型液晶装置及び高分子分散型液晶装置は容易にドメイ
ンサイズ（ミクロなツイスト領域の大きさ及び液晶滴の
大きさ）を制御することができないという問題点を有し
ていた。ドメインが１画素に複数存在しなければ、その
画素の表示情報を全ての視角方向に提供することができ
ない。
【０００５】そこで、本発明はドメインサイズを小さく
制御できる液晶装置の製造方法を提供することを目的と
する。
制御できる液晶装置の製造方法を提供することを目的と
する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
一対の基板間に液晶材料を挟持してなり、該基板上には
電極が形成されてなり、少なくとも一方の該基板に配向
処理を施さない液晶装置の製造方法において、液晶−等
方相転移温度以上で液晶材料を基板間に注入する工程
と、注入完了後、等方相から液晶相への相転移時に１０
℃／秒以上の速度で急冷却する工程とを備えてなること
を特徴とする。
一対の基板間に液晶材料を挟持してなり、該基板上には
電極が形成されてなり、少なくとも一方の該基板に配向
処理を施さない液晶装置の製造方法において、液晶−等
方相転移温度以上で液晶材料を基板間に注入する工程
と、注入完了後、等方相から液晶相への相転移時に１０
℃／秒以上の速度で急冷却する工程とを備えてなること
を特徴とする。
【０００７】請求項２記載の発明は、該液晶材料をカイ
ラルネマティック液晶とし、該カイラルネマティック液
晶の自発ピッチｐと該一対の基板間の間隔ｄが概ねｄ＝
ｐ／４であることを特徴とする。
ラルネマティック液晶とし、該カイラルネマティック液
晶の自発ピッチｐと該一対の基板間の間隔ｄが概ねｄ＝
ｐ／４であることを特徴とする。
【０００８】請求項３記載の発明は、該液晶材料がポリ
マー材料を含むことを特徴とする。
マー材料を含むことを特徴とする。
【０００９】
（実施例１）ＩＴＯ透明電極２０３付きガラス基板２０
２上にスピンコート法でポリイミドＡＬ−３０４６（日
本合成ゴム（株）製）を塗布し、恒温槽で１８０℃，１
時間硬化させ、コーティング層２０４を形成した。ポリ
イミドコーティング層２０４にはラビングなどの配向処
理を全く施さずに、セルギャップ５．４μｍの空パネル
を作製した。本実施例に用いたカイラルネマティック液
晶は、ネマティック液晶ＺＬＩ−４５３５（メルク
（株）製）にカイラル剤Ｓ−８１１（メルク（株）製）
を０．３５ｗｔ％添加した自発ピッチ２１．６μｍの液
晶材料である。
２上にスピンコート法でポリイミドＡＬ−３０４６（日
本合成ゴム（株）製）を塗布し、恒温槽で１８０℃，１
時間硬化させ、コーティング層２０４を形成した。ポリ
イミドコーティング層２０４にはラビングなどの配向処
理を全く施さずに、セルギャップ５．４μｍの空パネル
を作製した。本実施例に用いたカイラルネマティック液
晶は、ネマティック液晶ＺＬＩ−４５３５（メルク
（株）製）にカイラル剤Ｓ−８１１（メルク（株）製）
を０．３５ｗｔ％添加した自発ピッチ２１．６μｍの液
晶材料である。
【００１０】本発明の液晶装置製造工程のタイムチャー
トを図１に示す。前記空パネルをヒータープレート上に
セットし、液晶相−等方相転移温度ＴNI以上の１００℃
でカイラルネマティック液晶を等方相状態で注入した。
注入後、冷却用プレート上で液晶パネルを２０℃／秒の
速度で等方相から液晶相に急冷却した。２枚の偏光子が
互いに直交するように液晶パネル両面に貼り合わせ、評
価用の液晶装置とした。
トを図１に示す。前記空パネルをヒータープレート上に
セットし、液晶相−等方相転移温度ＴNI以上の１００℃
でカイラルネマティック液晶を等方相状態で注入した。
注入後、冷却用プレート上で液晶パネルを２０℃／秒の
速度で等方相から液晶相に急冷却した。２枚の偏光子が
互いに直交するように液晶パネル両面に貼り合わせ、評
価用の液晶装置とした。
【００１１】アクティブ素子（薄膜トランジスタＴＦ
Ｔ）を用いて駆動したところ、１００×２００μｍの１
画素に１０ヶ以上のドメイン（径サイズ約３０μｍ）を
形成することができた。これによって、白表示，黒表示
時及び中間調表示時に視角による情報の反転もなく、広
視角の液晶装置を実現できた。
Ｔ）を用いて駆動したところ、１００×２００μｍの１
画素に１０ヶ以上のドメイン（径サイズ約３０μｍ）を
形成することができた。これによって、白表示，黒表示
時及び中間調表示時に視角による情報の反転もなく、広
視角の液晶装置を実現できた。
【００１２】本実施例ではカイラル剤を添加した液晶材
料を用いたが、カイラル剤が添加されていない液晶材料
を用いた場合でも本発明の製造方法を適用すると、１画
素に多数のドメインを形成することができた。
料を用いたが、カイラル剤が添加されていない液晶材料
を用いた場合でも本発明の製造方法を適用すると、１画
素に多数のドメインを形成することができた。
【００１３】（実施例２）ＩＴＯ透明電極３０２付きガ
ラス基板３０１でセルギャップ５．４μｍの空パネルを
作製し、紫外線（ＵＶ）硬化ポリマー３０５を３ｗｔ％
添加した液晶材料をヒータープレートで加熱しながら、
液晶相−等方相転移温度ＴNI以上の１００℃で注入し
た。注入後、冷却用プレート上で液晶パネルを１０℃／
秒以上の速度で等方相から液晶相に急冷却し、液晶３０
４と紫外線硬化ポリマー３０５を微細に相分離させた後
に、紫外線（１０００ｍＪ／ｃｍ2）を照射してポリマ
ー３０５を硬化させた。
ラス基板３０１でセルギャップ５．４μｍの空パネルを
作製し、紫外線（ＵＶ）硬化ポリマー３０５を３ｗｔ％
添加した液晶材料をヒータープレートで加熱しながら、
液晶相−等方相転移温度ＴNI以上の１００℃で注入し
た。注入後、冷却用プレート上で液晶パネルを１０℃／
秒以上の速度で等方相から液晶相に急冷却し、液晶３０
４と紫外線硬化ポリマー３０５を微細に相分離させた後
に、紫外線（１０００ｍＪ／ｃｍ2）を照射してポリマ
ー３０５を硬化させた。
【００１４】顕微鏡による観察で、径サイズ約２０μｍ
の液晶滴３０４が形成されていることを確認した。アク
ティブ素子（薄膜トランジスタＴＦＴ）を用いて駆動し
たところ、白表示，黒表示時及び中間調表示時に視角に
よる情報の反転もなく、広視角の液晶装置を実現でき
た。
の液晶滴３０４が形成されていることを確認した。アク
ティブ素子（薄膜トランジスタＴＦＴ）を用いて駆動し
たところ、白表示，黒表示時及び中間調表示時に視角に
よる情報の反転もなく、広視角の液晶装置を実現でき
た。
【００１５】（比較例１）実施例１における冷却速度を
１℃／秒，１０℃／秒，２０℃／秒，３０℃／秒，４０
℃／秒とした時のドメインサイズの比較結果を表１に示
す。冷却速度を速めることによって、液晶装置内のドメ
インをミクロにすることができた。また、実施例１及び
実施例２では冷却にプレートを用いたが、低温液体中に
浸す方法や低温気体を吹きかける方法によっても冷却速
度を制御することができ、液晶装置内のドメインをミク
ロにすることができた。
１℃／秒，１０℃／秒，２０℃／秒，３０℃／秒，４０
℃／秒とした時のドメインサイズの比較結果を表１に示
す。冷却速度を速めることによって、液晶装置内のドメ
インをミクロにすることができた。また、実施例１及び
実施例２では冷却にプレートを用いたが、低温液体中に
浸す方法や低温気体を吹きかける方法によっても冷却速
度を制御することができ、液晶装置内のドメインをミク
ロにすることができた。
【００１６】
【表１】
【００１７】
【発明の効果】請求項１記載の発明によれば、液晶−等
方相転移温度以上で液晶材料を基板間に注入する工程
と、注入完了後、等方相から液晶相への相転移時に１０
℃／秒以上の速度で急冷却する工程とを備えているの
で、液晶ドメインサイズを小さく制御することができ、
広視角な液晶装置を作製することができる。
方相転移温度以上で液晶材料を基板間に注入する工程
と、注入完了後、等方相から液晶相への相転移時に１０
℃／秒以上の速度で急冷却する工程とを備えているの
で、液晶ドメインサイズを小さく制御することができ、
広視角な液晶装置を作製することができる。
【００１８】請求項２記載の発明によれば、該液晶材料
をカイラルネマティック液晶とし、該カイラルネマティ
ック液晶の自発ピッチｐと該一対の基板間の間隔ｄが概
ねｄ＝ｐ／４であるので、パネル内の液晶を起点がミク
ロにランダムな９０゜ツイスト配向させることができ
る。
をカイラルネマティック液晶とし、該カイラルネマティ
ック液晶の自発ピッチｐと該一対の基板間の間隔ｄが概
ねｄ＝ｐ／４であるので、パネル内の液晶を起点がミク
ロにランダムな９０゜ツイスト配向させることができ
る。
【００１９】請求項３記載の発明によれば、該液晶材料
がポリマー材料を含んでいるので、液晶滴サイズを小さ
く制御した広視角な液晶装置を作製することができる。
がポリマー材料を含んでいるので、液晶滴サイズを小さ
く制御した広視角な液晶装置を作製することができる。
【図１】 本発明の液晶装置製造工程のタイムチャート
を示す図。
を示す図。
【図２】 ａ−ＴＮ型液晶装置の構成図。
【図３】 高分子分散型液晶装置の構成図。
【図４】 従来のＴＮ型液晶装置の構成図。
１０１・・・空パネルの温度を上昇させる工程 １０２・・・液晶材料を相転移温度以上で注入する工程 １０３・・・注入口を封止する工程 １０４・・・急冷却工程 １０５・・・液晶材料の相転移温度 １０６・・・室温 ２０１，４０１・・・偏光板 ２０２，３０１，４０２・・・ガラス基板 ２０３，３０２，４０３・・・電極 ２０４・・・コーティング層 ２０５，３０３，４０５・・・液晶分子 ３０４・・・液晶滴 ３０５・・・紫外線硬化ポリマー ４０４・・・配向膜
Claims (3)
- 【請求項１】 一対の基板間に液晶材料を挟持してな
り、該基板上には電極が形成されてなり、少なくとも一
方の該基板に配向処理を施さない液晶装置の製造方法に
おいて、液晶−等方相転移温度以上で液晶材料を基板間
に注入する工程と、注入完了後、等方相から液晶相への
相転移時に１０℃／秒以上の速度で急冷却する工程とを
備えてなることを特徴とする液晶装置の製造方法。 - 【請求項２】 該液晶材料をカイラルネマティック液晶
とし、該カイラルネマティック液晶の自発ピッチｐと該
一対の基板間の間隔ｄが概ねｄ＝ｐ／４であることを特
徴とする請求項１記載の液晶装置の製造方法。 - 【請求項３】 該液晶材料がポリマー材料を含むことを
特徴とする請求項１記載の液晶装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16963494A JPH0836186A (ja) | 1994-07-21 | 1994-07-21 | 液晶装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16963494A JPH0836186A (ja) | 1994-07-21 | 1994-07-21 | 液晶装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0836186A true JPH0836186A (ja) | 1996-02-06 |
Family
ID=15890140
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16963494A Pending JPH0836186A (ja) | 1994-07-21 | 1994-07-21 | 液晶装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0836186A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7710523B2 (en) | 2005-01-06 | 2010-05-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
| US7749575B2 (en) | 2003-03-31 | 2010-07-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display and method of manufacturing the same |
| US7910178B2 (en) | 2004-05-28 | 2011-03-22 | Fujitsu Limited | Liquid crystal display device and method of producing the same |
-
1994
- 1994-07-21 JP JP16963494A patent/JPH0836186A/ja active Pending
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8178171B2 (en) | 2003-03-31 | 2012-05-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display and method of manufacturing the same |
| US7749575B2 (en) | 2003-03-31 | 2010-07-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display and method of manufacturing the same |
| US9011990B2 (en) | 2003-03-31 | 2015-04-21 | Unified Innovative Technology, Llc | Liquid crystal display and method of manufacturing the same |
| US8623474B2 (en) | 2003-03-31 | 2014-01-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display and method of manufacturing the same |
| US7910178B2 (en) | 2004-05-28 | 2011-03-22 | Fujitsu Limited | Liquid crystal display device and method of producing the same |
| US7920239B2 (en) | 2005-01-06 | 2011-04-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
| US8125600B2 (en) | 2005-01-06 | 2012-02-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
| US7978290B2 (en) | 2005-01-06 | 2011-07-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
| US8208106B2 (en) | 2005-01-06 | 2012-06-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
| US8212981B2 (en) | 2005-01-06 | 2012-07-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
| US8325306B2 (en) | 2005-01-06 | 2012-12-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
| US8432518B2 (en) | 2005-01-06 | 2013-04-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
| US7710523B2 (en) | 2005-01-06 | 2010-05-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
| US8804079B2 (en) | 2005-01-06 | 2014-08-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
| US9007553B2 (en) | 2005-01-06 | 2015-04-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
| US7911573B2 (en) | 2005-01-06 | 2011-03-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
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