JPH08340213A - Monolithic voltage controlled oscillator - Google Patents
Monolithic voltage controlled oscillatorInfo
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- JPH08340213A JPH08340213A JP16833595A JP16833595A JPH08340213A JP H08340213 A JPH08340213 A JP H08340213A JP 16833595 A JP16833595 A JP 16833595A JP 16833595 A JP16833595 A JP 16833595A JP H08340213 A JPH08340213 A JP H08340213A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に関し、特に
モノリシック型電圧制御発振器に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device, and more particularly to a monolithic voltage controlled oscillator.
【０００２】[0002]
【従来の技術】モノリシック型電圧制御発振器（voltag
e controlled oscillator：ＶＣＯ）は、同一エピタキ
シャルウェーハ上に形成した電界効果トランジスタ、シ
ョットキーダイオード、及び伝送線路やキャパシタ等の
受動素子から構成される。2. Description of the Related Art A monolithic voltage controlled oscillator (voltag
An e controlled oscillator (VCO) is composed of a field effect transistor formed on the same epitaxial wafer, a Schottky diode, and passive elements such as a transmission line and a capacitor.
【０００３】電界効果トランジスタは、発振素子として
用いられ、ショットキーダイオードは周波数制御素子と
して用いられる。The field effect transistor is used as an oscillation element, and the Schottky diode is used as a frequency control element.
【０００４】発振素子には高利得、高出力であることが
要求され、周波数制御素子には周波数変化の線形性や大
きさが要求される。このため、電界効果トランジスタと
ショットキーダイオードには、それぞれ異なるエピタキ
シャル構造が必要とされる。The oscillation element is required to have high gain and high output, and the frequency control element is required to have linearity and magnitude of frequency change. Therefore, different epitaxial structures are required for the field effect transistor and the Schottky diode.
【０００５】以下、図面を参照して従来のモノリシック
電圧制御発振器の構造を説明する。The structure of a conventional monolithic voltage controlled oscillator will be described below with reference to the drawings.
【０００６】図３は、従来のモノリシック電圧制御発振
器における電界効果トランジスタとショットキーダイオ
ードを示す部分断面図である。FIG. 3 is a partial sectional view showing a field effect transistor and a Schottky diode in a conventional monolithic voltage controlled oscillator.
【０００７】図３において、１は半絶縁性GaAs基板、２
はi-GaAsチャネル層、３はn-AlGaAs電子供給層、４はn+
-GaAsコンタクト層、５はゲート電極、６はソース電
極、７はドレイン電極、８はn-GaAsショットキーダイオ
ード活性層、９はカソード電極、１０はアノード電極、
１１は電界効果トランジスタ、１２はショットキーダイ
オード、２０はショットキーダイオード用n+-GaAsコン
タクト層である。In FIG. 3, 1 is a semi-insulating GaAs substrate, 2 is
Is an i-GaAs channel layer, 3 is an n-AlGaAs electron supply layer, 4 is n +
-GaAs contact layer, 5 gate electrode, 6 source electrode, 7 drain electrode, 8 n-GaAs Schottky diode active layer, 9 cathode electrode, 10 anode electrode,
Reference numeral 11 is a field effect transistor, 12 is a Schottky diode, and 20 is an n + -GaAs contact layer for the Schottky diode.
【０００８】電界効果トランジスタ１１の活性層は、i-
GaAsチャネル層２とn-AlGaAs電子供給層３から構成さ
れ、HEMT（High Electron Mobility Transistor）構造
とされ、ゲート電極５はn-AlGaAs電子供給層３上に形成
され、ソース及びドレイン電極６、７はn+-GaAsコンタ
クト層４上に形成されている。The active layer of the field effect transistor 11 is i-
It is composed of a GaAs channel layer 2 and an n-AlGaAs electron supply layer 3 and has a HEMT (High Electron Mobility Transistor) structure. A gate electrode 5 is formed on the n-AlGaAs electron supply layer 3 and has source and drain electrodes 6 and 7. Are formed on the n + -GaAs contact layer 4.
【０００９】一方、ショットキーダイオード１２の活性
層はn-GaAsショットキーダイオード活性層８から成り、
カソード電極９は、n-GaAsショットキーダイオード活性
層８上に形成され、アノード電極１０はショットキーダ
イオード用n+-GaAsコンタクト層２０上に形成されてい
る。On the other hand, the active layer of the Schottky diode 12 comprises the n-GaAs Schottky diode active layer 8.
The cathode electrode 9 is formed on the n-GaAs Schottky diode active layer 8, and the anode electrode 10 is formed on the n + -GaAs contact layer 20 for the Schottky diode.
【００１０】HEMTはMESFET（Metal Semiconductor Fiel
d Effect Transistor）などに比べ高利得特性を有し、
特に高周波数帯での発振素子として適しているが、容量
変化が小さく周波数制御素子としては不適である。HEMT is a MESFET (Metal Semiconductor Fiel
It has high gain characteristics compared to d Effect Transistor)
In particular, it is suitable as an oscillating element in a high frequency band, but is not suitable as a frequency control element because of its small capacitance change.
【００１１】このため、図３に示すように、電界効果ト
ランジスタ１１とショットキーダイオード１２とを異な
るエピタキシャル構造としている。Therefore, as shown in FIG. 3, the field effect transistor 11 and the Schottky diode 12 have different epitaxial structures.
【００１２】このようなモノリシック電圧制御発振器に
おいては、電界効果トランジスタ１１のn+-GaAsコンタ
クト層４の上にはn-GaAsショットキーダイオード活性層
８を積層し、さらにn-GaAsショットキーダイオード活性
層８の上にショットキーダイオード用n+-GaAsコンタク
ト層２０を積層している。In such a monolithic voltage controlled oscillator, an n-GaAs Schottky diode active layer 8 is laminated on the n + -GaAs contact layer 4 of the field effect transistor 11, and an n-GaAs Schottky diode active layer is further stacked. An n + -GaAs contact layer 20 for a Schottky diode is laminated on the layer 8.
【００１３】[0013]
【発明が解決しようとする課題】異なるエピタキシャル
構造のショットキーダイオードと電界効果トランジスタ
を集積化してなるモノリシック電圧制御発振器において
は、従来、図３に示したように、電界効果トランジスタ
のコンタクト層の上にショットキーダイオードの活性層
を積層し、さらにその上にショットキーダイオードのコ
ンタクト層を積層していた。In a monolithic voltage controlled oscillator in which a Schottky diode and a field effect transistor having different epitaxial structures are integrated, a conventional monolithic voltage controlled oscillator is provided on the contact layer of the field effect transistor as shown in FIG. The active layer of the Schottky diode was laminated on, and the contact layer of the Schottky diode was further laminated thereon.
【００１４】このため、多くの層を有するエピタキシャ
ルウェーハが必要となり、コストの増大やウェーハ面内
での特性の均一性の劣化等の問題があった。Therefore, an epitaxial wafer having many layers is required, and there are problems such as an increase in cost and deterioration of uniformity of characteristics within the wafer surface.
【００１５】従って、本発明は、異なるエピタキシャル
構造のショットキーダイオードと電界効果トランジスタ
を集積化したモノリシック電圧制御発振器において、エ
ピタキシャル層の数を減少させ、コストの増大やウェー
ハ面内での特性の均一性の劣化を低減することを目的と
する。Therefore, according to the present invention, in a monolithic voltage controlled oscillator in which Schottky diodes and field effect transistors having different epitaxial structures are integrated, the number of epitaxial layers is reduced, the cost is increased and the characteristics are uniform in the wafer surface. The purpose is to reduce the deterioration of sex.
【００１６】[0016]
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明は、半絶縁性基板上に配設され、活性層とコ
ンタクト層とを含み、ゲート電極を前記活性層上に、ソ
ース及びドレイン電極を前記コンタクト層上にそれぞれ
備えた電界効果トランジスタと、前記電界効果トランジ
スタが配設される前記半絶縁性基板と同一の半絶縁性基
板上に配設され、ショットキーダイオード用コンタクト
層とショットキーダイオード用活性層とを含み、アノー
ド電極を前記ショットキーダイオード用コンタクト層上
に、カソード電極を前記ショットキーダイオード用活性
層上にそれぞれ備えたショットキーダイオードと、所定
の伝送線路及びキャパシタ等からなる受動素子と、を含
み、前記電界効果トランジスタと前記ショットキーダイ
オードとが前記コンタクト層を共有したことを特徴とす
るモノリシック型電圧制御発振器を提供する。To achieve the above object, the present invention comprises a semi-insulating substrate, an active layer and a contact layer, a gate electrode on the active layer, a source and a contact layer. A field effect transistor each having a drain electrode on the contact layer; and a Schottky diode contact layer disposed on the same semi-insulating substrate as the semi-insulating substrate on which the field effect transistor is disposed. A Schottky diode including a Schottky diode active layer, an anode electrode on the Schottky diode contact layer, and a cathode electrode on the Schottky diode active layer, a predetermined transmission line, a capacitor, and the like. And a field effect transistor and the Schottky diode. Providing a monolithic type voltage controlled oscillator, characterized in that shared the transfected layer.
【００１７】本発明のモノリシック型電圧制御発振器に
おいては、好ましくは、前記電界効果トランジスタの前
記活性層が、前記半絶縁性基板上に順次形成されたチャ
ネル層と電子供給層とを備え、前記電子供給層上に形成
されたコンタクト層上に前記ソース及びドレイン電極を
備えると共に、前記ショットキーダイオードが、前記電
界効果トランジスタの前記コンタクト層に相当する層の
上に前記アノード電極を備え、前記コンタクト層に相当
する層の上に形成された前記ショットキーダイオード用
活性層の上に前記カソード電極を備えたことを特徴とす
る。In the monolithic voltage controlled oscillator of the present invention, preferably, the active layer of the field effect transistor includes a channel layer and an electron supply layer which are sequentially formed on the semi-insulating substrate, The source and drain electrodes are provided on a contact layer formed on a supply layer, and the Schottky diode is provided with the anode electrode on a layer corresponding to the contact layer of the field effect transistor. The cathode electrode is provided on the active layer for a Schottky diode formed on a layer corresponding to.
【００１８】また、本発明は、半絶縁性基板上に配設さ
れた、活性層と、ソース及びドレイン電極がその上に形
成されるコンタクト層と、を含む電界効果トランジスタ
と、前記半絶縁性基板上に配設された、活性層と、その
上にカソード電極が形成されてなるコンタクト層と、を
含むショットキーダイオードとが、共に、同一層に配置
されたコンタクト層を有することを特徴とする半導体装
置を提供する。The present invention also provides a field-effect transistor which is provided on a semi-insulating substrate and which includes an active layer and a contact layer on which source and drain electrodes are formed, and the semi-insulating substrate. A Schottky diode including an active layer disposed on a substrate and a contact layer having a cathode electrode formed thereon has a contact layer disposed in the same layer. Provided is a semiconductor device.
【００１９】さらに、本発明のモノリシック型電圧制御
発振器においては、好ましくは、前記ショットキーダイ
オードのカソード電極と前記電界効果トランジスタの前
記ゲート電極とを伝送線路を介して接続し、前記電界効
果トランジスタの前記ドレイン電極と前記ゲート電極と
を帰還伝送線路を介して接続すると共に前記ソース電極
を接地し、前記ドレイン電極を所定の出力整合回路を介
して出力端子に接続し、前記ゲート電極及びドレイン電
極に所定のバイアス電圧を供給し、且つ前記カソード電
極に制御電圧端子から制御電圧を供給してなることを特
徴とする。Further, in the monolithic voltage controlled oscillator of the present invention, preferably, the cathode electrode of the Schottky diode and the gate electrode of the field effect transistor are connected via a transmission line, and the field effect transistor of the field effect transistor is connected. The drain electrode and the gate electrode are connected via a feedback transmission line, the source electrode is grounded, the drain electrode is connected to an output terminal via a predetermined output matching circuit, and the gate electrode and the drain electrode are connected to each other. A predetermined bias voltage is supplied, and a control voltage is supplied to the cathode electrode from a control voltage terminal.
【００２０】[0020]
【作用】本発明のモノリシック電圧制御発振器において
は、電界効果トランジスタ部分とショットキーダイオー
ド部分とがコンタクト層を共有することによりエピタキ
シャル層を一層削減することを可能としており、このた
めコストの増大やウェーハ面内での特性の均一性の劣化
を低減できる。In the monolithic voltage controlled oscillator of the present invention, the field effect transistor portion and the Schottky diode portion share the contact layer, thereby making it possible to further reduce the epitaxial layer, which increases the cost and the wafer. It is possible to reduce the deterioration of the uniformity of characteristics in the plane.
【００２１】[0021]
【実施例】以下、図面を参照して本発明の一実施例を説
明する。An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００２２】図１は、本発明の一実施例に係るモノリシ
ック電圧制御発振器の構成を説明する断面図である。FIG. 1 is a sectional view for explaining the structure of a monolithic voltage controlled oscillator according to an embodiment of the present invention.
【００２３】図１を参照して、本実施例に係るモノリシ
ック電圧制御発振器は、半絶縁性GaAs基板１、i-GaAsチ
ャネル層２、n-AlGaAs電子供給層３、n+-GaAsコンタク
ト層４、ゲート電極５、ソース電極６、ドレイン電極
７、n-GaAsショットキーダイオード活性層８、カソード
電極９、アノード電極１０とから構成される。Referring to FIG. 1, the monolithic voltage controlled oscillator according to the present embodiment comprises a semi-insulating GaAs substrate 1, an i-GaAs channel layer 2, an n-AlGaAs electron supply layer 3, and an n + -GaAs contact layer 4. , A gate electrode 5, a source electrode 6, a drain electrode 7, an n-GaAs Schottky diode active layer 8, a cathode electrode 9, and an anode electrode 10.
【００２４】電界効果トランジスタ１１の活性層は、i-
GaAsチャネル層２とn-AlGaAs電子供給層３から構成さ
れ、HEMT構造となっている。The active layer of the field effect transistor 11 is i-
It is composed of a GaAs channel layer 2 and an n-AlGaAs electron supply layer 3, and has a HEMT structure.
【００２５】一方、ショットキーダイオード１２の活性
層はn-GaAsショットキーダイオード活性層８から成る。On the other hand, the active layer of the Schottky diode 12 is composed of the n-GaAs Schottky diode active layer 8.
【００２６】図１に示すように、電界効果トランジスタ
１１とショットキーダイオード１２はn+-GaAsコンタク
ト層４を共有している。すなわち、ショットキーダイオ
ード１２は、アノード電極１０をn+-GaAsコンタクト層
４上に備え、カソード電極９をn+-GaAsコンタクト層４
上に形成されたn-GaAsショットキーダイオード活性層８
の上に備えている。すなわち、本実施例においては、図
３に示す従来例と比較して、エピタキシャル層を一層減
らしている。As shown in FIG. 1, the field effect transistor 11 and the Schottky diode 12 share the n + -GaAs contact layer 4. That is, the Schottky diode 12 includes the anode electrode 10 on the n + -GaAs contact layer 4 and the cathode electrode 9 on the n + -GaAs contact layer 4.
N-GaAs Schottky diode active layer 8 formed on top
Is prepared on top of. That is, in this embodiment, the number of epitaxial layers is further reduced as compared with the conventional example shown in FIG.
【００２７】図２は、本発明の一実施例に係るモノリシ
ック電圧制御発振器の等価回路である。FIG. 2 is an equivalent circuit of a monolithic voltage controlled oscillator according to an embodiment of the present invention.
【００２８】図２を参照して、本実施例に係るモノリシ
ック電圧制御発振器の等価回路は、電界効果トランジス
タ１１、ショットキーダイオード１２、伝送線路１３、
オープンスタブ１４、MIM（Metal Insulator Metal）キ
ャパシタ１５、帰還用伝送線路１６、λ/4長伝送線路１
７から構成される。Referring to FIG. 2, an equivalent circuit of the monolithic voltage controlled oscillator according to the present embodiment has a field effect transistor 11, a Schottky diode 12, a transmission line 13,
Open stub 14, MIM (Metal Insulator Metal) capacitor 15, feedback transmission line 16, λ / 4 long transmission line 1
It consists of 7.
【００２９】図２に示すように、伝送線路１３′、オー
プンスタブ１４、MIMキャパシタ１５とが出力整合回路
１８を構成する。また、MIMキャパシタ１５とλ/4長伝
送線路１７とでバイアス回路１９、１９′、１９″を構
成している。As shown in FIG. 2, the transmission line 13 ', the open stub 14, and the MIM capacitor 15 form an output matching circuit 18. Further, the MIM capacitor 15 and the λ / 4 length transmission line 17 constitute the bias circuits 19, 19 ′ and 19 ″.
【００３０】電界効果トランジスタ１１のドレイン端子
（Ｄ）には出力整合回路１８が接続され、ゲート端子
（Ｇ）には伝送線路１３を介してショットキーダイオー
ド１２が接続されている。そしてドレイン端子とゲート
端子は帰還用伝送線路１６を介して接続されている。The output matching circuit 18 is connected to the drain terminal (D) of the field effect transistor 11, and the Schottky diode 12 is connected to the gate terminal (G) via the transmission line 13. The drain terminal and the gate terminal are connected via the feedback transmission line 16.
【００３１】また、ショットキーダイオード１２のカソ
ード端子、電界効果トランジスタ１１のゲート端子及び
ドレイン端子にはそれぞれ第１〜第３のバイアス回路１
９、１９′、１９″が接続され、電界効果トランジスタ
１１のソース端子は接地されている。The cathode terminal of the Schottky diode 12 and the gate terminal and drain terminal of the field effect transistor 11 are provided with the first to third bias circuits 1 respectively.
9, 19 ', 19 "are connected, and the source terminal of the field effect transistor 11 is grounded.
【００３２】図２に示す等価回路において、第１のバイ
アス回路１９の端子Ｖvを制御電圧信号入力端子とし
て、ショットキーダイオード１２の容量を可変させるこ
とにより（バラクタダイオードとして作用）、電界効果
トランジスタ１１のドレイン端子（Ｄ）から出力される
発振周波数を可変させ、出力整合回路１８を介して出力
端子OUTから制御電圧に対応した周波数が出力される。
なお、第２、第３のバイアス回路１９、１９′は電界効
果トランジスタ１１のゲート及びドレインに直流バイア
スを加え動作点を決めるためのものである。In the equivalent circuit shown in FIG. 2, by using the terminal Vv of the first bias circuit 19 as a control voltage signal input terminal and varying the capacitance of the Schottky diode 12 (acting as a varactor diode), the field effect transistor 11 is formed. The oscillation frequency output from the drain terminal (D) is changed, and the frequency corresponding to the control voltage is output from the output terminal OUT via the output matching circuit 18.
The second and third bias circuits 19 and 19 'are for determining the operating point by applying a DC bias to the gate and drain of the field effect transistor 11.
【００３３】以上、本発明を上記実施例に即して説明し
たが、本発明は上記態様にのみ限定されず、本発明の原
理に準ずる各種態様を含むことは勿論である。Although the present invention has been described with reference to the above embodiments, it is needless to say that the present invention is not limited to the above embodiments and includes various embodiments according to the principle of the present invention.
【００３４】[0034]
【発明の効果】以上説明したように、本発明のモノリシ
ック電圧制御発振器は、電界効果トランジスタとショッ
トキーダイオードとでコンタクト層を共有したことによ
りエピタキシャル層を一層減少させることができ、この
ためコストの増大やウェーハ面内での特性の均一性の劣
化を低減できるという効果を有する。As described above, the monolithic voltage controlled oscillator of the present invention can further reduce the number of epitaxial layers by sharing the contact layer between the field effect transistor and the Schottky diode. This has the effect of increasing or reducing the deterioration of the uniformity of the characteristics on the wafer surface.
【図１】本発明の一実施例のモノリシック電圧制御発振
器の断面図である。FIG. 1 is a sectional view of a monolithic voltage controlled oscillator according to an embodiment of the present invention.
【図２】図１の実施例のモノリシック電圧制御発振器の
等価回路図である。2 is an equivalent circuit diagram of the monolithic voltage controlled oscillator of the embodiment of FIG.
【図３】従来のモノリシック電圧制御発振器の断面図で
ある。FIG. 3 is a sectional view of a conventional monolithic voltage controlled oscillator.
１ 半絶縁性GaAs基板 ２ i-GaAsチャネル層 ３ n-AlGaAs電子供給層 ４ n+-GaAsコンタクト層 ５ ゲート電極 ６ ソース電極 ７ ドレイン電極 ８ n-GaAsショットキーダイオード活性層 ９ カソード電極 １０ アノード電極 １１ 電界効果トランジスタ １２ ショットキーダイオード １３、１３′ 伝送線路 １４ オープンスタブ １５ MIMキャパシタ １６ 帰還用伝送線路 １７ λ/4長伝送線路 １８ 出力整合回路 １９、１９′、１９″ バイアス回路 ２０ ショットキーダイオード用n+-GaAsコンタクト層1 semi-insulating GaAs substrate 2 i-GaAs channel layer 3 n-AlGaAs electron supply layer 4 n + -GaAs contact layer 5 gate electrode 6 source electrode 7 drain electrode 8 n-GaAs Schottky diode active layer 9 cathode electrode 10 anode electrode 11 Field Effect Transistor 12 Schottky Diode 13, 13 'Transmission Line 14 Open Stub 15 MIM Capacitor 16 Feedback Transmission Line 17 λ / 4 Length Transmission Line 18 Output Matching Circuit 19, 19', 19 "Bias Circuit 20 For Schottky Diode n + -GaAs contact layer
Claims (4)
タクト層とを含み、ゲート電極を前記活性層上に、ソー
ス及びドレイン電極を前記コンタクト層上にそれぞれ備
えた電界効果トランジスタと、 前記電界効果トランジスタが配設される前記半絶縁性基
板と同一の半絶縁性基板上に配設され、ショットキーダ
イオード用コンタクト層とショットキーダイオード用活
性層とを含み、アノード電極を前記ショットキーダイオ
ード用コンタクト層上に、カソード電極を前記ショット
キーダイオード用活性層上にそれぞれ備えたショットキ
ーダイオードと、 所定の伝送線路及びキャパシタ等からなる受動素子と、 を含み、 前記電界効果トランジスタと前記ショットキーダイオー
ドとが前記コンタクト層を共有したことを特徴とするモ
ノリシック型電圧制御発振器。1. A field effect transistor which is disposed on a semi-insulating substrate, includes an active layer and a contact layer, and has a gate electrode on the active layer and source and drain electrodes on the contact layer. A Schottky diode contact layer and a Schottky diode active layer are provided on the same semi-insulating substrate on which the field effect transistor is provided, and the anode electrode is the Schottky diode. A Schottky diode each having a cathode electrode on the Schottky diode active layer on the key diode contact layer; and a passive element including a predetermined transmission line and a capacitor, and the field effect transistor and the field effect transistor. Monolithic type characterized by sharing the contact layer with a Schottky diode Voltage controlled oscillator.
が、前記半絶縁性基板上に順次形成されたチャネル層と
電子供給層とを備え、前記電子供給層上に形成されたコ
ンタクト層上に前記ソース及びドレイン電極を備えると
共に、 前記ショットキーダイオードが、前記電界効果トランジ
スタの前記コンタクト層に相当する層の上に前記アノー
ド電極を備え、前記コンタクト層に相当する層の上に形
成された前記ショットキーダイオード用活性層の上に前
記カソード電極を備えたことを特徴とする請求項１記載
のモノリシック型電圧制御発振器。2. The active layer of the field effect transistor comprises a channel layer and an electron supply layer sequentially formed on the semi-insulating substrate, and the contact layer formed on the electron supply layer. The shot having the source and drain electrodes, the Schottky diode having the anode electrode on a layer corresponding to the contact layer of the field effect transistor, and the Schottky diode formed on the layer corresponding to the contact layer. 2. The monolithic voltage controlled oscillator according to claim 1, wherein the cathode electrode is provided on an active layer for a key diode.
ソース及びドレイン電極がその上に形成されるコンタク
ト層と、を含む電界効果トランジスタと、 前記半絶縁性基板上に配設された、活性層と、その上に
カソード電極が形成されてなるコンタクト層と、を含む
ショットキーダイオードとが、共に、 同一層に配置されたコンタクト層を有することを特徴と
する半導体装置。3. An active layer disposed on a semi-insulating substrate,
A field-effect transistor including a contact layer on which source and drain electrodes are formed, an active layer disposed on the semi-insulating substrate, and a contact layer on which a cathode electrode is formed. And a Schottky diode including the same both have a contact layer arranged in the same layer.
極と前記電界効果トランジスタの前記ゲート電極とを伝
送線路を介して接続し、前記電界効果トランジスタの前
記ドレイン電極と前記ゲート電極とを帰還伝送線路を介
して接続すると共に前記ソース電極を接地し、前記ドレ
イン電極を所定の出力整合回路を介して出力端子に接続
し、前記ゲート電極及びドレイン電極に所定のバイアス
電圧を供給し、且つ前記カソード電極に制御電圧端子か
ら制御電圧を供給してなることを特徴とする請求項１又
は２記載のモノリシック型電圧制御発振器。4. The cathode electrode of the Schottky diode and the gate electrode of the field effect transistor are connected via a transmission line, and the drain electrode and the gate electrode of the field effect transistor are connected via a feedback transmission line. Connected to each other and grounding the source electrode, connecting the drain electrode to an output terminal through a predetermined output matching circuit, supplying a predetermined bias voltage to the gate electrode and the drain electrode, and controlling the cathode electrode. The monolithic voltage controlled oscillator according to claim 1 or 2, wherein a control voltage is supplied from a voltage terminal.
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP16833595A JP2874596B2 (en) | 1995-06-09 | 1995-06-09 | Monolithic voltage controlled oscillator |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP16833595A JP2874596B2 (en) | 1995-06-09 | 1995-06-09 | Monolithic voltage controlled oscillator |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08340213A true JPH08340213A (en) | 1996-12-24 |
| JP2874596B2 JP2874596B2 (en) | 1999-03-24 |
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| JP16833595A Expired - Fee Related JP2874596B2 (en) | 1995-06-09 | 1995-06-09 | Monolithic voltage controlled oscillator |
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|---|---|
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7029965B2 (en) | 2002-12-19 | 2006-04-18 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| KR100710434B1 (en) * | 2004-10-22 | 2007-04-23 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | Schottky barrier diode |
| JP2020141154A (en) * | 2016-11-14 | 2020-09-03 | ３−５ パワー エレクトロニクス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング３−５ Ｐｏｗｅｒ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ ＧｍｂＨ | III-V semiconductor diode |
| CN112271217A (en) * | 2020-11-02 | 2021-01-26 | 中国工程物理研究院电子工程研究所 | Impact-resistant field effect transistor and impact-resistant low-noise amplifier |
-
1995
- 1995-06-09 JP JP16833595A patent/JP2874596B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7029965B2 (en) | 2002-12-19 | 2006-04-18 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| KR100710434B1 (en) * | 2004-10-22 | 2007-04-23 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | Schottky barrier diode |
| JP2020141154A (en) * | 2016-11-14 | 2020-09-03 | ３−５ パワー エレクトロニクス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング３−５ Ｐｏｗｅｒ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ ＧｍｂＨ | III-V semiconductor diode |
| CN112271217A (en) * | 2020-11-02 | 2021-01-26 | 中国工程物理研究院电子工程研究所 | Impact-resistant field effect transistor and impact-resistant low-noise amplifier |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2874596B2 (en) | 1999-03-24 |
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