JPH08337637A - エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置 - Google Patents
エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置Info
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- JPH08337637A JPH08337637A JP17138195A JP17138195A JPH08337637A JP H08337637 A JPH08337637 A JP H08337637A JP 17138195 A JP17138195 A JP 17138195A JP 17138195 A JP17138195 A JP 17138195A JP H08337637 A JPH08337637 A JP H08337637A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 本発明は、（Ａ）ジシクロペンタジエン骨格
を有するエポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂、（Ｃ）
エポキシ基を含有するシランカップリング剤、（Ｄ）複
合シリカ粉末および（Ｅ）硬化促進剤を必須成分とし、
樹脂組成物に対して前記（Ｄ）の複合シリカ粉末を25〜
90重量％の割合で含有してなるエポキシ樹脂組成物であ
り、また、このエポキシ樹脂組成物の硬化物によって、
半導体チップを封止した半導体封止装置である。 【効果】 本発明のエポキシ樹脂組成物および半導体封
止装置は、耐湿性、半田耐熱性、成形性、充填性に優
れ、吸湿による影響が少なく、電極の腐蝕による断線や
水分によるリーク電流の発生等を著しく低減することが
でき、しかも長期間にわたって信頼性を保証することが
できる。
を有するエポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂、（Ｃ）
エポキシ基を含有するシランカップリング剤、（Ｄ）複
合シリカ粉末および（Ｅ）硬化促進剤を必須成分とし、
樹脂組成物に対して前記（Ｄ）の複合シリカ粉末を25〜
90重量％の割合で含有してなるエポキシ樹脂組成物であ
り、また、このエポキシ樹脂組成物の硬化物によって、
半導体チップを封止した半導体封止装置である。 【効果】 本発明のエポキシ樹脂組成物および半導体封
止装置は、耐湿性、半田耐熱性、成形性、充填性に優
れ、吸湿による影響が少なく、電極の腐蝕による断線や
水分によるリーク電流の発生等を著しく低減することが
でき、しかも長期間にわたって信頼性を保証することが
できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、耐湿性、半田耐熱性、
成形性および熱伝導性に優れたエポキシ樹脂組成物およ
び半導体封止装置に関する。
成形性および熱伝導性に優れたエポキシ樹脂組成物およ
び半導体封止装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体集積回路の分野において、
高集積化、高信頼性化の技術開発と同時に半導体装置の
実装工程の自動化が推進されている。例えばフラットパ
ッケージ型の半導体装置を回路基板に取り付ける場合
に、従来、リードピン毎に半田付けを行っていたが、最
近では半田浸漬方式や半田リフロー方式が採用されてい
る。
高集積化、高信頼性化の技術開発と同時に半導体装置の
実装工程の自動化が推進されている。例えばフラットパ
ッケージ型の半導体装置を回路基板に取り付ける場合
に、従来、リードピン毎に半田付けを行っていたが、最
近では半田浸漬方式や半田リフロー方式が採用されてい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来のノボラック型エ
ポキシ樹脂等のエポキシ樹脂、ノボラック型フェノール
樹脂および無機充填剤からなる樹脂組成物によって封止
した半導体装置は、装置全体の半田浴浸漬を行うと耐湿
性が低下するという欠点があった。特に吸湿した半導体
装置を浸漬すると、封止樹脂と半導体チップ、あるいは
封止樹脂とリードフレームとの間の剥がれや、内部樹脂
クラックが生じて著しい耐湿性劣化を起こし、電極の腐
蝕による断線や水分によるリーク電流を生じ、その結
果、半導体装置は、長期間の信頼性を保証することがで
きないという欠点があった。
ポキシ樹脂等のエポキシ樹脂、ノボラック型フェノール
樹脂および無機充填剤からなる樹脂組成物によって封止
した半導体装置は、装置全体の半田浴浸漬を行うと耐湿
性が低下するという欠点があった。特に吸湿した半導体
装置を浸漬すると、封止樹脂と半導体チップ、あるいは
封止樹脂とリードフレームとの間の剥がれや、内部樹脂
クラックが生じて著しい耐湿性劣化を起こし、電極の腐
蝕による断線や水分によるリーク電流を生じ、その結
果、半導体装置は、長期間の信頼性を保証することがで
きないという欠点があった。
【０００４】また、無機充填剤を高充填することによ
り、樹脂分の割合が少なくなり、樹脂組成物の低吸湿化
を図れるが、それに伴い流動性が著しく損なわれるばか
りでなく、樹脂等の有機分と無機質充填剤との界面が多
くなるため、内部樹脂クラックがその界面を伝って外部
樹脂クラックへと進行するという欠点があった。
り、樹脂分の割合が少なくなり、樹脂組成物の低吸湿化
を図れるが、それに伴い流動性が著しく損なわれるばか
りでなく、樹脂等の有機分と無機質充填剤との界面が多
くなるため、内部樹脂クラックがその界面を伝って外部
樹脂クラックへと進行するという欠点があった。
【０００５】さらに、高集積化に伴う半導体素子の発熱
量の増大により、パッケージ構造ばかりでなく、封止材
料においても熱伝導性のよい材料が求められるようにな
りつつある。結晶シリカは溶融シリカに比べて熱伝導率
が高いため、これを充填剤として用いた組成物は高い熱
伝導率が期待できるが、鋭角な破砕形の結晶シリカでは
高集積化した際に良好な流動性が得られないばかりでな
く、金型が摩耗する等の欠点もあった。
量の増大により、パッケージ構造ばかりでなく、封止材
料においても熱伝導性のよい材料が求められるようにな
りつつある。結晶シリカは溶融シリカに比べて熱伝導率
が高いため、これを充填剤として用いた組成物は高い熱
伝導率が期待できるが、鋭角な破砕形の結晶シリカでは
高集積化した際に良好な流動性が得られないばかりでな
く、金型が摩耗する等の欠点もあった。
【０００６】本発明は、上記の欠点を解消するためにな
されたもので、吸湿の影響が少なく、特に半田浴浸漬後
の耐湿性、半田耐熱性、熱伝導性、成形性、流動性に優
れ、封止樹脂と半導体チップあるいは封止樹脂とリード
フレームとの間の剥がれや、内部樹脂クラックの発生が
なく、また電極の腐蝕による断線や水分によるリーク電
流の発生もなく、長期信頼性を保証できるエポキシ樹脂
組成物および半導体封止装置を提供しようとするもので
ある。
されたもので、吸湿の影響が少なく、特に半田浴浸漬後
の耐湿性、半田耐熱性、熱伝導性、成形性、流動性に優
れ、封止樹脂と半導体チップあるいは封止樹脂とリード
フレームとの間の剥がれや、内部樹脂クラックの発生が
なく、また電極の腐蝕による断線や水分によるリーク電
流の発生もなく、長期信頼性を保証できるエポキシ樹脂
組成物および半導体封止装置を提供しようとするもので
ある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の目
的を達成しようと鋭意研究を重ねた結果、特定のエポキ
シ樹脂、特定のシランカップリング剤などを用いること
によって、耐湿性、半田耐熱性、成形性等に優れた樹脂
組成物が得られることを見いだし、本発明を完成したも
のである。
的を達成しようと鋭意研究を重ねた結果、特定のエポキ
シ樹脂、特定のシランカップリング剤などを用いること
によって、耐湿性、半田耐熱性、成形性等に優れた樹脂
組成物が得られることを見いだし、本発明を完成したも
のである。
【０００８】即ち、本発明は、（Ａ）次の一般式で示さ
れるエポキシ樹脂、
れるエポキシ樹脂、
【０００９】
【化５】 （但し、式中n は0 又は1 以上の整数を表す） （Ｂ）フェノール樹脂、（Ｃ）次の一般式で示されるエ
ポキシ基を有するシランカップリング剤、
ポキシ基を有するシランカップリング剤、
【００１０】
【化６】Ｒ1 −Ｃn Ｈ2n−Ｓi （ＯＲ2 ）3 （但し、式中Ｒ1 はエポキシ基を有する原子団を、Ｒ2
はメチル基又はエチル基を、n は0 又は1 以上の整数を
それぞれ表す） （Ｄ）複合シリカ粉末として最大粒径が100 μm 以下の
溶融球状シリカ粉末および最大粒径が100 μm 以下の結
晶シリカ粉末、および（Ｅ）硬化促進剤を必須成分と
し、全体の樹脂組成物に対して前記（Ｄ）の複合シリカ
粉末を25〜90重量％の割合で含有してなることを特徴と
するエポキシ樹脂組成物である。また、このエポキシ樹
脂組成物の硬化物によって、半導体チップが封止されて
なることを特徴とする半導体封止装置である。
はメチル基又はエチル基を、n は0 又は1 以上の整数を
それぞれ表す） （Ｄ）複合シリカ粉末として最大粒径が100 μm 以下の
溶融球状シリカ粉末および最大粒径が100 μm 以下の結
晶シリカ粉末、および（Ｅ）硬化促進剤を必須成分と
し、全体の樹脂組成物に対して前記（Ｄ）の複合シリカ
粉末を25〜90重量％の割合で含有してなることを特徴と
するエポキシ樹脂組成物である。また、このエポキシ樹
脂組成物の硬化物によって、半導体チップが封止されて
なることを特徴とする半導体封止装置である。
【００１１】以下、本発明を詳細に説明する。
【００１２】本発明に用いる（Ａ）エポキシ樹脂は、前
記の一般式化５で示されるものが使用される。具体的な
樹脂として、例えば次のようなものが挙げられる。
記の一般式化５で示されるものが使用される。具体的な
樹脂として、例えば次のようなものが挙げられる。
【００１３】
【化７】
【００１４】
【化８】 また、このエポキシ樹脂には、ノボラック系エポキシ樹
脂、エピビス系エポキシ樹脂、その他の公知のエポキシ
樹脂を併用することができる。
脂、エピビス系エポキシ樹脂、その他の公知のエポキシ
樹脂を併用することができる。
【００１５】本発明に用いる（Ｂ）フェノール樹脂とし
ては、前記（Ａ）のエポキシ樹脂のエポキシ基と反応し
得るフェノール性水酸基を2 個以上有するものであれば
特に制限するものではない。具体的な化合物として例え
ば
ては、前記（Ａ）のエポキシ樹脂のエポキシ基と反応し
得るフェノール性水酸基を2 個以上有するものであれば
特に制限するものではない。具体的な化合物として例え
ば
【００１６】
【化９】
【００１７】
【化１０】
【００１８】
【化１１】
【００１９】
【化１２】
【００２０】
【化１３】 等が挙げられ、これらは単独又は混合して使用すること
ができる。
ができる。
【００２１】本発明に用いる（Ｃ）エポキシ基を有する
シランカップリング剤としては、前記の一般式化６で示
されるものが使用される。具体的なものとして、例え
ば、
シランカップリング剤としては、前記の一般式化６で示
されるものが使用される。具体的なものとして、例え
ば、
【００２２】
【化１４】
【００２３】
【化１５】 等が挙げられ、これらは単独又は混合して使用すること
ができる。
ができる。
【００２４】このシランカップリング剤には極微量の有
機塩基を添加処理することが重要である。有機塩基で処
理することによって加水分解性を高めることができる。
ここで処理する有機塩基としては、ジメチルアミン、ジ
エチルアミン、それにピリジン、キノリン、ピペリジン
等の環状有機塩基を挙げることができ、これらは単独又
は2 種以上混合して使用することができる。有機塩基の
配合割合は、シランカップリング剤に対して0.05〜5 重
量％の範囲内で使用することが望ましい。この配合量が
0.05重量％未満ではシランカップリング剤の加水分解を
十分に促進することができず、また、5 重量％を超える
と耐湿信頼性が低下して好ましくない。
機塩基を添加処理することが重要である。有機塩基で処
理することによって加水分解性を高めることができる。
ここで処理する有機塩基としては、ジメチルアミン、ジ
エチルアミン、それにピリジン、キノリン、ピペリジン
等の環状有機塩基を挙げることができ、これらは単独又
は2 種以上混合して使用することができる。有機塩基の
配合割合は、シランカップリング剤に対して0.05〜5 重
量％の範囲内で使用することが望ましい。この配合量が
0.05重量％未満ではシランカップリング剤の加水分解を
十分に促進することができず、また、5 重量％を超える
と耐湿信頼性が低下して好ましくない。
【００２５】本発明に用いる（Ｄ）複合シリカ粉末とし
ては、不純物濃度が低く最大粒径が100 μm 以下で、平
均粒径30μm 以下の溶融球状シリカ粉末と最大粒径が10
0 μm 以下の結晶シリカ粉末が使用される。平均粒径30
μm を超えると耐湿性および成形性が劣り好ましくな
い。複合シリカ粉末の配合割合は、全体の樹脂組成物に
対して25〜90重量％含有するように配合することか好ま
しい。その割合が25重量％未満では樹脂組成物の吸湿性
が高く、半田浸漬後の耐湿性に劣り、また90重量％を超
えると極端に流動性が悪くなり、成形性に劣り好ましく
ない。これらの複合シリカ粉末に、シランカップリング
剤に有機塩基を添加し、直ちにヘンシェルミキサー、ス
ーパーミキサー等で処理を行うと均一に表面処理がで
き、その効果が十分に発揮できる。
ては、不純物濃度が低く最大粒径が100 μm 以下で、平
均粒径30μm 以下の溶融球状シリカ粉末と最大粒径が10
0 μm 以下の結晶シリカ粉末が使用される。平均粒径30
μm を超えると耐湿性および成形性が劣り好ましくな
い。複合シリカ粉末の配合割合は、全体の樹脂組成物に
対して25〜90重量％含有するように配合することか好ま
しい。その割合が25重量％未満では樹脂組成物の吸湿性
が高く、半田浸漬後の耐湿性に劣り、また90重量％を超
えると極端に流動性が悪くなり、成形性に劣り好ましく
ない。これらの複合シリカ粉末に、シランカップリング
剤に有機塩基を添加し、直ちにヘンシェルミキサー、ス
ーパーミキサー等で処理を行うと均一に表面処理がで
き、その効果が十分に発揮できる。
【００２６】本発明に用いる（Ｅ）硬化促進剤として
は、リン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、Ｄ
ＢＵ系硬化促進剤その他の硬化促進剤等を広く使用する
ことができる。これらは単独又は2 種以上併用すること
ができる。硬化促進剤の配合割合は、全体の樹脂組成物
に対して0.01〜5 重量％含有するように配合することが
望ましい。その割合が0.01重量％未満では樹脂組成物の
ゲルタイムが長く、硬化特性も悪くなり、また、5 重量
％を超えると極端に流動性が悪くなって成形性に劣り、
さらに電気特性も悪くなり耐湿性に劣り好ましくない。
は、リン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、Ｄ
ＢＵ系硬化促進剤その他の硬化促進剤等を広く使用する
ことができる。これらは単独又は2 種以上併用すること
ができる。硬化促進剤の配合割合は、全体の樹脂組成物
に対して0.01〜5 重量％含有するように配合することが
望ましい。その割合が0.01重量％未満では樹脂組成物の
ゲルタイムが長く、硬化特性も悪くなり、また、5 重量
％を超えると極端に流動性が悪くなって成形性に劣り、
さらに電気特性も悪くなり耐湿性に劣り好ましくない。
【００２７】本発明のエポキシ樹脂組成物は、前述した
特定のエポキシ樹脂、フェノール樹脂、特定のシランカ
ップリング剤、複合シリカ粉末および硬化促進剤を必須
成分とするが、本発明の目的に反しない限度において、
また必要に応じて、例えば天然ワックス類、合成ワック
ス類、直鎖脂肪酸の金属塩、酸アミド類、エステル類、
パラフィン類等の離型剤、三酸化アンチモン等の難燃
剤、カーボンブラック等の着色剤、ゴム系やシリコーン
系の低応力付与剤等を適宜添加配合することができる。
特定のエポキシ樹脂、フェノール樹脂、特定のシランカ
ップリング剤、複合シリカ粉末および硬化促進剤を必須
成分とするが、本発明の目的に反しない限度において、
また必要に応じて、例えば天然ワックス類、合成ワック
ス類、直鎖脂肪酸の金属塩、酸アミド類、エステル類、
パラフィン類等の離型剤、三酸化アンチモン等の難燃
剤、カーボンブラック等の着色剤、ゴム系やシリコーン
系の低応力付与剤等を適宜添加配合することができる。
【００２８】本発明のエポキシ樹脂組成物を成形材料と
して調製する場合の一般的方法は、複合シリカ粉末に特
定のシランカップリング剤と有機塩基を配合して表面処
理し、前述した特定のエポキシ樹脂、フェノール樹脂、
シランカップリング剤処理をした複合シリカ粉末および
硬化促進剤その他の成分を配合し、ミキサー等によって
十分均一に混合した後、さらに熱ロールによる溶融混合
処理またはニーダ等による混合処理を行い、次いで冷却
固化させ適当な大きさに粉砕して成形材料とすることが
できる。こうして得られた成形材料は、半導体装置をは
じめとする電子部品或いは電気部品の封止・被覆・絶縁
等に適用すれば優れた特性と信頼性を付与させることが
できる。
して調製する場合の一般的方法は、複合シリカ粉末に特
定のシランカップリング剤と有機塩基を配合して表面処
理し、前述した特定のエポキシ樹脂、フェノール樹脂、
シランカップリング剤処理をした複合シリカ粉末および
硬化促進剤その他の成分を配合し、ミキサー等によって
十分均一に混合した後、さらに熱ロールによる溶融混合
処理またはニーダ等による混合処理を行い、次いで冷却
固化させ適当な大きさに粉砕して成形材料とすることが
できる。こうして得られた成形材料は、半導体装置をは
じめとする電子部品或いは電気部品の封止・被覆・絶縁
等に適用すれば優れた特性と信頼性を付与させることが
できる。
【００２９】また、本発明の半導体封止装置は、上述の
成形材料を用いて半導体チップを封止することにより容
易に製造することができる。封止を行う半導体チップと
しては、例えば集積回路、大規模集積回路、トランジス
タ、サイリスタ、ダイオード等で特に限定されるもので
はない。封止の最も一般的な方法としては、低圧トラン
スファー成形法があるが、射出成形、圧縮成形、注形等
による封止も可能である。成形材料で封止後加熱して硬
化させ、最終的にはこの硬化物によって封止された半導
体封止装置が得られる。加熱による硬化は、175 ℃以上
に加熱して硬化させることが望ましい。
成形材料を用いて半導体チップを封止することにより容
易に製造することができる。封止を行う半導体チップと
しては、例えば集積回路、大規模集積回路、トランジス
タ、サイリスタ、ダイオード等で特に限定されるもので
はない。封止の最も一般的な方法としては、低圧トラン
スファー成形法があるが、射出成形、圧縮成形、注形等
による封止も可能である。成形材料で封止後加熱して硬
化させ、最終的にはこの硬化物によって封止された半導
体封止装置が得られる。加熱による硬化は、175 ℃以上
に加熱して硬化させることが望ましい。
【００３０】
【作用】本発明のエポキシ樹脂組成物および半導体封止
装置は、前述した特定のエポキシ樹脂、フェノール樹
脂、特定のシランカップリング剤、複合シリカ粉末およ
び硬化促進剤を用いることによって、樹脂組成物の吸水
性を低減し、熱伝導性、成形性、流動性、熱機械的特性
と低応力性が向上し、半田浸漬、半田リフロー後の樹脂
クラックの発生がなくなり、耐湿性劣化が少なくなるも
のである。
装置は、前述した特定のエポキシ樹脂、フェノール樹
脂、特定のシランカップリング剤、複合シリカ粉末およ
び硬化促進剤を用いることによって、樹脂組成物の吸水
性を低減し、熱伝導性、成形性、流動性、熱機械的特性
と低応力性が向上し、半田浸漬、半田リフロー後の樹脂
クラックの発生がなくなり、耐湿性劣化が少なくなるも
のである。
【００３１】
【実施例】次に本発明を実施例によって説明するが、本
発明はこれらの実施例によって限定されるものではな
い。以下の実施例および比較例において「％」とは「重
量％」を意味する。
発明はこれらの実施例によって限定されるものではな
い。以下の実施例および比較例において「％」とは「重
量％」を意味する。
【００３２】実施例１ 最大粒径100 μm 以下の溶融球状シリカ粉末（平均粒径
20μm ）54％、平均粒径0.5 μm の微細な溶融球状シリ
カ粉末10％、最大粒径100 μm 以下の結晶シリカ粉末
（平均粒径10μm 以下）20％をヘンシェルミキサーに入
れ、攪拌しながら前述した化１４のシランカップリング
剤0.4 ％、ジエチルアミン4 ×10-4％を加えて上記のシ
リカ粉末の表面処理をした。
20μm ）54％、平均粒径0.5 μm の微細な溶融球状シリ
カ粉末10％、最大粒径100 μm 以下の結晶シリカ粉末
（平均粒径10μm 以下）20％をヘンシェルミキサーに入
れ、攪拌しながら前述した化１４のシランカップリング
剤0.4 ％、ジエチルアミン4 ×10-4％を加えて上記のシ
リカ粉末の表面処理をした。
【００３３】次に前述した化７に示したジシクロペンタ
ジエン骨格含有エポキシ樹脂7.1 ％、テトラブロモビス
フェノールＡ型エポキシ樹脂1.5 ％、前述した化９のフ
ェノールノボラック樹脂1.2 ％、前述した化１０のフェ
ノールアラルキル樹脂2.9 ％、トリフェニルホスフィン
0.2 ％、カルナバワックス類0.4 ％、カーボンブラック
0.3 ％、三酸化アンチモン2.0 ％を常温で混合し、さら
に70〜95℃で混練冷却した後、粉砕して成形材料（Ａ）
を製造した。
ジエン骨格含有エポキシ樹脂7.1 ％、テトラブロモビス
フェノールＡ型エポキシ樹脂1.5 ％、前述した化９のフ
ェノールノボラック樹脂1.2 ％、前述した化１０のフェ
ノールアラルキル樹脂2.9 ％、トリフェニルホスフィン
0.2 ％、カルナバワックス類0.4 ％、カーボンブラック
0.3 ％、三酸化アンチモン2.0 ％を常温で混合し、さら
に70〜95℃で混練冷却した後、粉砕して成形材料（Ａ）
を製造した。
【００３４】実施例２ 最大粒径100 μm 以下の溶融球状シリカ粉末（平均粒径
20μm ）44％、平均粒径0.5 μm の微細な溶融球状シリ
カ粉末10％、最大粒径100 μm 以下の結晶シリカ粉末
（平均粒径10μm 以下）30％をヘンシェルミキサーに入
れ、攪拌しながら前述した化１４のシランカップリング
剤0.4 ％、ジエチルアミン4 ×10-4％を加えて上記のシ
リカ粉末の表面処理をした。
20μm ）44％、平均粒径0.5 μm の微細な溶融球状シリ
カ粉末10％、最大粒径100 μm 以下の結晶シリカ粉末
（平均粒径10μm 以下）30％をヘンシェルミキサーに入
れ、攪拌しながら前述した化１４のシランカップリング
剤0.4 ％、ジエチルアミン4 ×10-4％を加えて上記のシ
リカ粉末の表面処理をした。
【００３５】次に実施例１で用いた化７のエポキシ樹脂
7.1 ％、テトラブロモビスフェノールＡ型エポキシ樹脂
1.5 ％、前述した化９のフェノールノボラック樹脂1.2
％、前述した化１０のフェノールアラルキル樹脂2.9
％、トリフェニルホスフィン0.2 ％、カルナバワックス
類0.4 ％、カーボンブラック0.3 ％、三酸化アンチモン
2.0 ％を常温で混合し、さらに70〜95℃で混練冷却した
後、粉砕して成形材料（Ｂ）を製造した。
7.1 ％、テトラブロモビスフェノールＡ型エポキシ樹脂
1.5 ％、前述した化９のフェノールノボラック樹脂1.2
％、前述した化１０のフェノールアラルキル樹脂2.9
％、トリフェニルホスフィン0.2 ％、カルナバワックス
類0.4 ％、カーボンブラック0.3 ％、三酸化アンチモン
2.0 ％を常温で混合し、さらに70〜95℃で混練冷却した
後、粉砕して成形材料（Ｂ）を製造した。
【００３６】実施例３ 最大粒径100 μm 以下の溶融球状シリカ粉末（平均粒径
20μm ）44％、平均粒径0.5 μm の微細な溶融球状シリ
カ粉末10％、最大粒径100 μm 以下の結晶シリカ粉末
（平均粒径10μm 以下）30％をヘンシェルミキサーに入
れ、攪拌しながら前述した化１４のシランカップリング
剤0.4 ％、ジエチルアミン4 ×10-4％を加えて上記のシ
リカ粉末の表面処理をした。
20μm ）44％、平均粒径0.5 μm の微細な溶融球状シリ
カ粉末10％、最大粒径100 μm 以下の結晶シリカ粉末
（平均粒径10μm 以下）30％をヘンシェルミキサーに入
れ、攪拌しながら前述した化１４のシランカップリング
剤0.4 ％、ジエチルアミン4 ×10-4％を加えて上記のシ
リカ粉末の表面処理をした。
【００３７】次に実施例１で用いた化７のエポキシ樹脂
7.1 ％、テトラブロモビスフェノールＡ型エポキシ樹脂
1.5 ％、前述した化９のフェノールノボラック樹脂1.2
％、前述した化１１のジシクロペンタジエン変性フェノ
ール樹脂2.9 ％、トリフェニルホスフィン0.2 ％、カル
ナバワックス類0.4 ％、カーボンブラック0.3 ％、三酸
化アンチモン2.0 ％を常温で混合し、さらに70〜95℃で
混練冷却した後、粉砕して成形材料（Ｃ）を製造した。
7.1 ％、テトラブロモビスフェノールＡ型エポキシ樹脂
1.5 ％、前述した化９のフェノールノボラック樹脂1.2
％、前述した化１１のジシクロペンタジエン変性フェノ
ール樹脂2.9 ％、トリフェニルホスフィン0.2 ％、カル
ナバワックス類0.4 ％、カーボンブラック0.3 ％、三酸
化アンチモン2.0 ％を常温で混合し、さらに70〜95℃で
混練冷却した後、粉砕して成形材料（Ｃ）を製造した。
【００３８】比較例１ 最大粒径100 μm 以下の溶融球状シリカ粉末（平均粒径
20μm ）50％、平均粒径0.5 μm の微細な溶融球状シリ
カ粉末10％、最大粒径100 μm 以下の結晶シリカ粉末
（平均粒径10μm 以下）20％をヘンシェルミキサーに入
れ、攪拌しながら前述した化１４のシランカップリング
剤0.4 ％を加えて上記のシリカ粉末の表面処理をした。
20μm ）50％、平均粒径0.5 μm の微細な溶融球状シリ
カ粉末10％、最大粒径100 μm 以下の結晶シリカ粉末
（平均粒径10μm 以下）20％をヘンシェルミキサーに入
れ、攪拌しながら前述した化１４のシランカップリング
剤0.4 ％を加えて上記のシリカ粉末の表面処理をした。
【００３９】次にテトラブロモビスフェノールＡ型エポ
キシ樹脂2.0 ％、o-クレゾールノボラック型エポキシ樹
脂8.1 ％、前述した化９のフェノールノボラック樹脂2.
0 ％、前述した化１０のフェノールアラルキル樹脂4.6
％、トリフェニルホスフィン0.2 ％、カルナバワックス
類0.4 ％、カーボンブラック0.3 ％、三酸化アンチモン
2.0 ％を常温で混合し、さらに70〜95℃で混練冷却した
後、粉砕して成形材料（Ｄ）を製造した。
キシ樹脂2.0 ％、o-クレゾールノボラック型エポキシ樹
脂8.1 ％、前述した化９のフェノールノボラック樹脂2.
0 ％、前述した化１０のフェノールアラルキル樹脂4.6
％、トリフェニルホスフィン0.2 ％、カルナバワックス
類0.4 ％、カーボンブラック0.3 ％、三酸化アンチモン
2.0 ％を常温で混合し、さらに70〜95℃で混練冷却した
後、粉砕して成形材料（Ｄ）を製造した。
【００４０】比較例２ 最大粒径100 μm 以下の溶融球状シリカ粉末（平均粒径
20μm ）54％、平均粒径0.5 μm の微細な溶融球状シリ
カ粉末10％、最大粒径100 μm 以下の結晶シリカ粉末
（平均粒径10μm 以下）20％をヘンシェルミキサーに入
れ、攪拌しながら前述した化１４のシランカップリング
剤0.4 ％を加えて上記のシリカ粉末の表面処理をした。
20μm ）54％、平均粒径0.5 μm の微細な溶融球状シリ
カ粉末10％、最大粒径100 μm 以下の結晶シリカ粉末
（平均粒径10μm 以下）20％をヘンシェルミキサーに入
れ、攪拌しながら前述した化１４のシランカップリング
剤0.4 ％を加えて上記のシリカ粉末の表面処理をした。
【００４１】次にテトラブロモビスフェノールＡ型エポ
キシ樹脂1.5 ％、o-クレゾールノボラック型エポキシ樹
脂6.2 ％、前述した化９のフェノールノボラック樹脂1.
5 ％、前述した化１０のフェノールアラルキル樹脂3.5
％、トリフェニルホスフィン0.2 ％、カルナバワックス
類0.4 ％、カーボンブラック0.3 ％、三酸化アンチモン
2.0 ％を常温で混合し、さらに70〜95℃で混練冷却した
後、粉砕して成形材料（Ｅ）を製造した。
キシ樹脂1.5 ％、o-クレゾールノボラック型エポキシ樹
脂6.2 ％、前述した化９のフェノールノボラック樹脂1.
5 ％、前述した化１０のフェノールアラルキル樹脂3.5
％、トリフェニルホスフィン0.2 ％、カルナバワックス
類0.4 ％、カーボンブラック0.3 ％、三酸化アンチモン
2.0 ％を常温で混合し、さらに70〜95℃で混練冷却した
後、粉砕して成形材料（Ｅ）を製造した。
【００４２】比較例３ 最大粒径100 μm 以下の溶融球状シリカ粉末（平均粒径
20μm ）54％、平均粒径0.5 μm の微細な溶融球状シリ
カ粉末10％、最大粒径100 μm 以下の結晶シリカ粉末
（平均粒径10μm 以下）20％をヘンシェルミキサーに入
れ、攪拌しながら前述した化１４のシランカップリング
剤0.4 ％を加えて上記のシリカ粉末の表面処理をした。
20μm ）54％、平均粒径0.5 μm の微細な溶融球状シリ
カ粉末10％、最大粒径100 μm 以下の結晶シリカ粉末
（平均粒径10μm 以下）20％をヘンシェルミキサーに入
れ、攪拌しながら前述した化１４のシランカップリング
剤0.4 ％を加えて上記のシリカ粉末の表面処理をした。
【００４３】次に実施例１で用いた化７のエポキシ樹脂
7.1 ％、テトラブロモビスフェノールＡ型エポキシ樹脂
1.5 ％、前述した化９のフェノールノボラック樹脂1.2
％、前述した化１０のフェノールアラルキル樹脂2.9
％、トリフェニルホスフィン0.2 ％、カルナバワックス
類0.4 ％、カーボンブラック0.3 ％、三酸化アンチモン
2.0 ％を常温で混合し、さらに70〜95℃で混練冷却した
後、粉砕して成形材料（Ｆ）を製造した。
7.1 ％、テトラブロモビスフェノールＡ型エポキシ樹脂
1.5 ％、前述した化９のフェノールノボラック樹脂1.2
％、前述した化１０のフェノールアラルキル樹脂2.9
％、トリフェニルホスフィン0.2 ％、カルナバワックス
類0.4 ％、カーボンブラック0.3 ％、三酸化アンチモン
2.0 ％を常温で混合し、さらに70〜95℃で混練冷却した
後、粉砕して成形材料（Ｆ）を製造した。
【００４４】こうして製造した成形材料（Ａ）〜（Ｆ）
を用いて 175℃に加熱した金型内にトランスファー注
入、半導体チップを封止し硬化させて半導体封止装置を
製造した。これらの半導体封止装置について、諸試験を
行ったのでその結果を表１に示したが、本発明のエポキ
シ樹脂組成物および半導体封止装置は、成形性、耐湿
性、半田耐熱性、熱伝導性に優れており、本発明の顕著
な効果を確認することができた。
を用いて 175℃に加熱した金型内にトランスファー注
入、半導体チップを封止し硬化させて半導体封止装置を
製造した。これらの半導体封止装置について、諸試験を
行ったのでその結果を表１に示したが、本発明のエポキ
シ樹脂組成物および半導体封止装置は、成形性、耐湿
性、半田耐熱性、熱伝導性に優れており、本発明の顕著
な効果を確認することができた。
【００４５】
【表１】 ＊1 ：ＥＭＭＩ−Ｉ−６６に準じてスパイラルフロー測定した（175 ℃）。 ＊2 ：高化式フロー粘度（175 ℃）。 ＊3 ：175 ℃，80kg／cm2 ，2 分間のトランスファー成形によって得られた成形 品（試験片）をつくり、175 ℃，8 時間の後硬化を行い、ＪＩＳ−Ｋ−６９１１ に準じて試験した。 ＊4 ：＊3 と同様な成形品を作り、175 ℃，8 時間の後硬化を行い、適当な大き さの試験片とし、熱機械分析装置を用いて測定した。 ＊5 ：φ100.25mm厚の成形品を作り熱伝導率計を用いて測定した。 ＊6,＊7 ：5.3 ×5.3mm チップをＶＱＦＰ（12×12×1.4mm 厚）パッケージに納 め、成形材料を用いて175 ℃，2 分間トランスファー成形した後、175 ℃，8 時 間の後硬化を行った。こうして得た半導体封止装置を85℃，85％，48時間の吸湿 処理した後、増加した重量によって計算した。また、これをエアーリフローマシ ン（Ｍax 240℃）に通し、外部および内部クラックの有無を調査した。
【００４６】
【発明の効果】以上の説明および表１から明らかなよう
に、本発明のエポキシ樹脂組成物および半導体封止装置
は、耐湿性、半田耐熱性、成形性に優れ、また、薄型パ
ッケージ等の充填性にも優れ、吸湿による影響が少な
く、電極の腐蝕による断線や水分によるリーク電流の発
生等を著しく低減することができ、しかも長期間にわた
って信頼性を保証することができる。
に、本発明のエポキシ樹脂組成物および半導体封止装置
は、耐湿性、半田耐熱性、成形性に優れ、また、薄型パ
ッケージ等の充填性にも優れ、吸湿による影響が少な
く、電極の腐蝕による断線や水分によるリーク電流の発
生等を著しく低減することができ、しかも長期間にわた
って信頼性を保証することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/31
Claims (2)
- 【請求項１】 （Ａ）次の一般式に示されるエポキシ樹
脂、 【化１】 （但し、式中n は0 又は1 以上の整数を表す） （Ｂ）フェノール樹脂、（Ｃ）次の一般式で示されるエ
ポキシ基を有するシランカップリング剤、 【化２】Ｒ1 −Ｃn Ｈ2n−Ｓi （ＯＲ2 ）3 （但し、式中Ｒ1 はエポキシ基を有する原子団を、Ｒ2
はメチル基又はエチル基を、n は0 又は1 以上の整数を
それぞれ表す） （Ｄ）複合シリカ粉末として最大粒径が100 μm 以下の
溶融球状シリカ粉末および最大粒径が100 μm 以下の結
晶シリカ粉末、および（Ｅ）硬化促進剤を必須成分と
し、全体の樹脂組成物に対して前記（Ｄ）の複合シリカ
粉末を25〜90重量％の割合で含有してなることを特徴と
するエポキシ樹脂組成物。 - 【請求項２】 （Ａ）次の一般式で示されるエポキシ樹
脂、 【化３】 （但し、式中n は0 又は1 以上の整数を表す） （Ｂ）フェノール樹脂、（Ｃ）次の一般式で示されるエ
ポキシ基を有するシランカップリング剤、 【化４】Ｒ1 −Ｃn Ｈ2n−Ｓi （ＯＲ2 ）3 （但し、式中Ｒ1 はエポキシ基を有する原子団を、Ｒ2
はメチル基又はエチル基を、n は0 又は1 以上の整数を
それぞれ表す） （Ｄ）複合シリカ粉末として最大粒径が100 μm 以下の
溶融球状シリカ粉末および最大粒径が100 μm 以下の結
晶シリカ粉末、および（Ｅ）硬化促進剤を必須成分と
し、全体の樹脂組成物に対して前記（Ｄ）の複合シリカ
粉末を25〜90重量％の割合で含有したエポキシ樹脂組成
物の硬化物によって、半導体チップが封止されてなるこ
とを特徴とする半導体封止装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17138195A JPH08337637A (ja) | 1995-06-14 | 1995-06-14 | エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17138195A JPH08337637A (ja) | 1995-06-14 | 1995-06-14 | エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08337637A true JPH08337637A (ja) | 1996-12-24 |
Family
ID=15922131
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17138195A Pending JPH08337637A (ja) | 1995-06-14 | 1995-06-14 | エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08337637A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100543092B1 (ko) * | 2002-12-07 | 2006-01-20 | 제일모직주식회사 | 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 |
| CN102477211A (zh) * | 2010-11-25 | 2012-05-30 | 联茂电子股份有限公司 | 无卤环氧树脂组合物及其胶片与基板 |
-
1995
- 1995-06-14 JP JP17138195A patent/JPH08337637A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100543092B1 (ko) * | 2002-12-07 | 2006-01-20 | 제일모직주식회사 | 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 |
| CN102477211A (zh) * | 2010-11-25 | 2012-05-30 | 联茂电子股份有限公司 | 无卤环氧树脂组合物及其胶片与基板 |
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