JPH0832525A - Optical reception circuit - Google Patents

Optical reception circuit

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JPH0832525A
JPH0832525A JP6166547A JP16654794A JPH0832525A JP H0832525 A JPH0832525 A JP H0832525A JP 6166547 A JP6166547 A JP 6166547A JP 16654794 A JP16654794 A JP 16654794A JP H0832525 A JPH0832525 A JP H0832525A
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JP
Japan
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base
transistor
emitter
power supply
receiving circuit
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JP6166547A
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Japanese (ja)
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Katsuya Tanaka
勝也 田中
Takeshi Kato
猛 加藤
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Abstract

PURPOSE:To obtain the optical reception circuit operated at a high speed. CONSTITUTION:A collector of a transistor(TR) Q1 is connected to a power supply VCC1, an emitter is connected to a power supply VEE1 via a load resistor RE1 and a base is connected to an anode of a photo diode PD1. A collector of a TR Q2 is connected to a base of the TR Q1, an emitter is connected to the power supply VEE1, and a base is connected to the emitter of the TR Q1. The base of the TR Q1 is connected to the power supply VEE1 via a load resistor RL1. Thus, the charge stored in a parasitic capacitance of the circuit is discharged via the load resistor RL1, then the TR Q1 is turned off at a high speed to attain a high speed operation of the optical reception circuit.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は光受信回路に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical receiver circuit.

【0002】[0002]

【従来の技術】光受信回路は入力光強度の変動に対して
ターンオン,ターンオフ時間が変化しないことが望まし
い。一般に、光受信回路は光検出器とトランジスタスイ
ッチ回路からなり、光検出器が発生する光電流がトラン
ジスタスイッチ回路をスイッチさせる。入力光強度が変
動すると光電流が変化する。一方、スイッチ回路はドラ
イブする電流の増減により、ターンオン,ターンオフ時
間が変化する。従って、入力光強度の変動に対してター
ンオン,ターンオフ時間が変化しないためには、光電流
の増減に係わらずスイッチ回路をドライブする電流を一
定に保つ定電流化手段が必要となる。
2. Description of the Related Art It is desirable that an optical receiver circuit does not change its turn-on and turn-off times with respect to variations in input light intensity. In general, the light receiving circuit includes a photodetector and a transistor switch circuit, and the photocurrent generated by the photodetector switches the transistor switch circuit. When the input light intensity changes, the photocurrent changes. On the other hand, in the switch circuit, the turn-on / turn-off time changes according to the increase / decrease in the current to drive. Therefore, in order that the turn-on and turn-off times do not change with respect to changes in the intensity of the input light, a constant current means for keeping the current that drives the switch circuit constant is required regardless of the increase or decrease in the photocurrent.

【0003】この定電流化手段を用いた光受信回路とし
ては、特開平5−152862 号公報に記載されている受光I
Cがある。この受光ICの光受信回路の一例を図5に示
す。この回路では、光信号入力時に負荷抵抗REに流れ
る電流をトランジスタQ2で制御して定電流化してい
る。即ち、フォトダイオードPDの光電流が増減しても
トランジスタQ1をドライブする電流を一定に保つこと
により、ターンオン,ターンオフ時間の入力光強度依存
性を抑えている。
An optical receiving circuit using this constant current converting means is a light receiving I disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 5-152862.
There is C. An example of the light receiving circuit of this light receiving IC is shown in FIG. In this circuit, the current flowing through the load resistor RE at the time of inputting an optical signal is controlled by the transistor Q2 to make it a constant current. That is, even if the photocurrent of the photodiode PD increases or decreases, the current that drives the transistor Q1 is kept constant, thereby suppressing the dependence of turn-on and turn-off times on the input light intensity.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】上記した従来の光受信
回路において、負荷抵抗REを1kΩ,フォトダイオー
ドPDの寄生容量1pFとして出力波形をシミュレート
した結果を図6に示す。入力光電流は、波高値2mA,
周波数1MHz,立ち上がり及び立ち下がり時間50n
sの方形波を入力した。その結果、出力波形の立ち下が
りが遅く、この光受信回路の動作速度は数MHz程度が
限界であることがわかった。つまり、従来の光受信回路
を、より高速動作が要求される光通信等に適用すること
は困難である。
FIG. 6 shows a result of simulating an output waveform in the above-mentioned conventional optical receiving circuit with a load resistance RE of 1 kΩ and a parasitic capacitance 1 pF of the photodiode PD. The input photocurrent has a peak value of 2 mA,
Frequency 1MHz, rise and fall time 50n
A square wave of s was input. As a result, it was found that the falling of the output waveform was slow and the operating speed of this optical receiving circuit was limited to about several MHz. That is, it is difficult to apply the conventional optical receiving circuit to optical communication or the like which requires higher speed operation.

【0005】また、分析の結果、立ち下がりが遅い原因
は、フォトダイオードPDやトランジスタQ1,Q2、
及び配線等の寄生容量に蓄積された電荷を高速に放電す
る電流経路が設定されていないことにより、トランジス
タQ1のベースとエミッタ間の電圧が減少せず、トラン
ジスタQ1が高速にターンオフできないためであるとわ
かった。
As a result of the analysis, the cause of the slow fall is the photodiode PD and the transistors Q1 and Q2.
This is because the voltage between the base and the emitter of the transistor Q1 does not decrease and the transistor Q1 cannot be turned off at high speed because the current path for discharging the electric charge accumulated in the parasitic capacitance such as the wiring at high speed is not set. I understand.

【0006】本発明の第一の目的は、スイッチ回路をド
ライブする電流を定電流化した上、光受信回路の高速化
を図る手段を提供することにある。
A first object of the present invention is to provide a means for increasing the speed of an optical receiving circuit while making the current for driving the switch circuit constant.

【0007】本発明の第二の目的は、第一の目的に加え
てさらに光受信回路の高速化を図ることにある。
A second object of the present invention is to further speed up the optical receiving circuit in addition to the first object.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明の第一の目的は、
第一のベースと第二の端子の接続点を、第二の負荷手段
を介して第二の電源に接続することにより達成できる。
The first object of the present invention is to:
This can be achieved by connecting the connection point between the first base and the second terminal to the second power source via the second load means.

【0009】本発明の第二の目的は、アノードを第二の
バイアスに接続し、カソードを第一のベースと第二の端
子の接続点に接続した第一のダイオードを付加し、入力
信号の無い場合の第一のベースと第一のエミッタ間の電
圧を、第一のトランジスタがオン状態になるために必要
な第一のベースと第一のエミッタ間の電圧より小さくな
るように、第二のバイアス電源,第一のダイオード及び
第二の負荷手段を設定することにより達成できる。
A second object of the invention is the addition of a first diode with the anode connected to a second bias and the cathode connected to the junction of the first base and the second terminal to provide the input signal The voltage between the first base and the first emitter in the absence thereof is set to be smaller than the voltage between the first base and the first emitter required for the first transistor to be turned on. Can be achieved by setting the bias power supply, the first diode, and the second load means.

【0010】[0010]

【作用】第一のベースと第二の端子の接続点を、第二の
負荷手段を介して第二の電源に接続することにより、寄
生容量に蓄積された電荷を高速に放電するための電流経
路ができる。それにより立ち下がり時間が短縮され、光
受信回路の高速動作が可能となる。
By connecting the connection point between the first base and the second terminal to the second power source through the second load means, a current for discharging the electric charge accumulated in the parasitic capacitance at high speed. There is a route. As a result, the fall time is shortened, and the optical receiving circuit can operate at high speed.

【0011】また、第一のトランジスタをオン状態にす
るためには、第一のベース電位を第一のトランジスタが
オン状態になるまで上昇させる必要がある。第一のベー
ス電位を上昇させるためには、寄生容量を充電しなくて
はならない。電荷を充電する時間はベース電位を上昇さ
せる電位差が大きいほど長くなる。そこで、アノードを
第二のバイアスに接続し、カソードを第一のベースと第
二の端子の接続点に接続したダイオードを付加し、入力
信号の無い場合の第一のベースと第一のエミッタ間の電
圧を、第一のトランジスタがオン状態になるために必要
な第一のベースと第一のエミッタ間の電圧より小さくな
るように、第二のバイアス電源,第一のダイオード及び
第二の負荷手段を設定する。それによって、入力のない
ときの第一のベースの電位は、第二の電源の電位と第一
のトランジスタがオン状態になるときの第一のベース電
位との中間に設定される。つまり、第一のベース電位が
上昇しなければならない電位差が小さくなるので、寄生
容量を充電するための時間が短縮される。従って、第一
のトランジスタのターンオン時間が短縮されることにな
り、光受信回路をさらに高速化することができる。
In order to turn on the first transistor, it is necessary to raise the first base potential until the first transistor is turned on. In order to raise the first base potential, the parasitic capacitance has to be charged. The time for charging the electric charge becomes longer as the potential difference for raising the base potential becomes larger. Therefore, add a diode with the anode connected to the second bias and the cathode connected to the connection point between the first base and the second terminal, and between the first base and the first emitter when there is no input signal. The second bias power supply, the first diode and the second load such that the voltage of the first transistor is smaller than the voltage between the first base and the first emitter required for the first transistor to turn on. Set the means. Thereby, the electric potential of the first base when there is no input is set to an intermediate value between the electric potential of the second power supply and the electric potential of the first base when the first transistor is turned on. That is, since the potential difference that the first base potential has to rise becomes small, the time for charging the parasitic capacitance is shortened. Therefore, the turn-on time of the first transistor is shortened, and the speed of the optical receiving circuit can be further increased.

【0012】[0012]

【実施例】第一の実施例を図1に示す。トランジスタQ
1のコレクタを電源VCC1に接続し、エミッタを負荷
抵抗RE1を介して電源VEE1に接続する。トランジ
スタQ1のエミッタと負荷抵抗RE1との接続点は、出
力端子OUT1と接続する。トランジスタQ1のベース
は、フォトダイオードPD1のアノードとトランジスタ
Q2のコレクタとに接続する。フォトダイオードPD1
のカソードにはバイアスVH1を与える。トランジスタ
Q2のベースは、トランジスタQ1のエミッタと負荷抵
抗RE1との接続点に接続し、エミッタは電源VEE1
と接続する。フォトダイオードのアノード,トランジス
タQ1のベース及びトランジスタQ2のコレクタは、負
荷抵抗RL1を介して電源VEE1と接続する。
EXAMPLE A first example is shown in FIG. Transistor Q
The collector of 1 is connected to the power supply VCC1 and the emitter is connected to the power supply VEE1 via the load resistor RE1. The connection point between the emitter of the transistor Q1 and the load resistor RE1 is connected to the output terminal OUT1. The base of the transistor Q1 is connected to the anode of the photodiode PD1 and the collector of the transistor Q2. Photodiode PD1
A bias VH1 is applied to the cathode of the. The base of the transistor Q2 is connected to the connection point between the emitter of the transistor Q1 and the load resistor RE1, and the emitter is the power source VEE1.
Connect with. The anode of the photodiode, the base of the transistor Q1 and the collector of the transistor Q2 are connected to the power supply VEE1 via the load resistor RL1.

【0013】フォトダイオードPD1に光信号を入力す
ると光電流が発生する。この光電流はトランジスタQ1
のベース電流となってトランジスタQ1をターンオンさ
せるとともに、寄生容量を充電することに使われる。そ
して、余剰な光電流はトランジスタQ2のコレクタ電流
となる。光信号入力が無くなると、負荷抵抗RL1を介
して寄生容量に蓄積された電荷が放電し、トランジスタ
Q1がターンオフする。
When an optical signal is input to the photodiode PD1, a photocurrent is generated. This photocurrent is the transistor Q1
Is used to turn on the transistor Q1 and to charge the parasitic capacitance. Then, the surplus photocurrent becomes the collector current of the transistor Q2. When the optical signal input disappears, the charge accumulated in the parasitic capacitance is discharged via the load resistor RL1 and the transistor Q1 is turned off.

【0014】第一の実施例において、負荷抵抗RE1を
1kΩ,負荷抵抗RL1を1kΩ,フォトダイオードP
D1の寄生容量1pFとして出力波形をシミュレートし
た結果を図2に示す。入力光電流は、波高値2mA,周
波数100MHz,立ち上がり及び立ち下がり時間0.
5ns の方形波を入力した。トランジスタはシリコン
バイポーラトランジスタとした。電源VCC1は3V,
電源VEE1は0V,バイアスVH1は3V,出力のハ
イレベルは0.8V ,ローレベルは0Vである。図2に
よれば、第一の実施例の光受信回路は周波数100MH
zの光信号も受信可能であることがわかる。つまり、本
実施例によれば、従来の光受信回路に比べて動作速度を
100倍高速化できた。
In the first embodiment, the load resistance RE1 is 1 kΩ, the load resistance RL1 is 1 kΩ, and the photodiode P is
FIG. 2 shows the result of simulating the output waveform with the parasitic capacitance of 1 pF of D1. The input photocurrent has a peak value of 2 mA, a frequency of 100 MHz, and rise and fall times of 0.
A square wave of 5 ns was input. The transistor was a silicon bipolar transistor. Power supply VCC1 is 3V,
The power supply VEE1 is 0V, the bias VH1 is 3V, the output high level is 0.8V, and the low level is 0V. According to FIG. 2, the optical receiver circuit of the first embodiment has a frequency of 100 MHz.
It can be seen that the optical signal of z can also be received. That is, according to this embodiment, the operating speed can be increased 100 times as compared with the conventional optical receiving circuit.

【0015】第二の実施例を図3に示す。本実施例は、
第一の実施例に、アノードをバイアスVH2に接続し、
カソードを、フォトダイオードPD1のアノード,トラ
ンジスタQ1のベース,トランジスタQ2のコレクタ及
び負荷抵抗RL1と接続したダイオードD1を付加した
ものである。ここで、ダイオードD1をシリコンダイオ
ードと仮定すると順方向電圧は0.8V である。従っ
て、バイアスVH2を1.5V に設定した場合、入力信
号のない場合のトランジスタQ1のベース電位は0.7
V に設定される。トランジスタQ1は、ベースとエミ
ッタ間の電圧が0.8V 以上になるとオン状態となる。
従って、本実施例では、光電流により寄生容量を充電し
てベース電位を0.1V だけ上昇させればよくなるの
で、第一の実施例に比べて充電時間の短縮、即ち、ター
ンオン時間の短縮ができる。なお、トランジスタQ1の
ベース電位は、ダイオードD1の順方向電圧,負荷抵抗
RL1の値,バイアスVH2の電源電圧を変更することに
より、所望の電位に設定できる。
A second embodiment is shown in FIG. In this embodiment,
In the first embodiment, the anode is connected to the bias VH2,
A diode D1 connected to the anode of the photodiode PD1, the base of the transistor Q1, the collector of the transistor Q2, and the load resistor RL1 is added to the cathode. Here, assuming that the diode D1 is a silicon diode, the forward voltage is 0.8V. Therefore, when the bias VH2 is set to 1.5V, the base potential of the transistor Q1 when there is no input signal is 0.7.
Set to V. The transistor Q1 is turned on when the voltage between the base and the emitter becomes 0.8 V or higher.
Therefore, in the present embodiment, it is sufficient to charge the parasitic capacitance by photocurrent to raise the base potential by 0.1 V, so that the charging time, that is, the turn-on time can be shortened as compared with the first embodiment. it can. The base potential of the transistor Q1 is the forward voltage of the diode D1 and the load resistance.
A desired potential can be set by changing the value of RL1 and the power supply voltage of bias VH2.

【0016】本実施例において、バイアスVH2を1.
5V として出力波形をシミュレートした結果を図4に
示す。他の素子の値及び電圧値は第一の実施例と同じで
ある。図4において、実線がバイアスVH2およびダイ
オードD1を付加した場合、点線が第一実施例の波形で
ある。第一の実施例に比べて本実施例ではターンオン時
間が約0.5ns 短縮されていることがわかる。つま
り、本実施例によれば、第一の実施例に比べ、さらに光
受信回路の高速化を図ることができた。
In this embodiment, the bias VH2 is 1.
The result of simulating the output waveform at 5 V is shown in FIG. The values and voltage values of the other elements are the same as those in the first embodiment. In FIG. 4, when the solid line is the bias VH2 and the diode D1 is added, the dotted line is the waveform of the first embodiment. It can be seen that the turn-on time is shortened by about 0.5 ns in this embodiment as compared with the first embodiment. That is, according to this embodiment, the speed of the optical receiving circuit can be further increased as compared with the first embodiment.

【0017】[0017]

【発明の効果】本発明によれば、トランジスタスイッチ
回路をドライブする電流を定電流化した上、光受信回路
の高速化を図ることができる。
According to the present invention, the current for driving the transistor switch circuit can be made constant and the speed of the optical receiving circuit can be increased.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第一の実施例を示す回路図。FIG. 1 is a circuit diagram showing a first embodiment of the present invention.

【図2】第一の実施例の出力波形図。FIG. 2 is an output waveform diagram of the first embodiment.

【図3】本発明の第二の実施例を示す回路図。FIG. 3 is a circuit diagram showing a second embodiment of the present invention.

【図4】第二の実施例の出力波形図。FIG. 4 is an output waveform diagram of the second embodiment.

【図5】従来の光受信回路図。FIG. 5 is a conventional optical receiver circuit diagram.

【図6】従来の光受信回路の出力波形図。FIG. 6 is an output waveform diagram of a conventional optical receiver circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

Q1,Q2…トランジスタ、RE1,RL1…負荷抵
抗、PD1…フォトダイオード、VCC1,VEE1…
電源、VH1…バイアス、OUT1…出力端子。
Q1, Q2 ... Transistors, RE1, RL1 ... Load resistors, PD1 ... Photodiodes, VCC1, VEE1 ...
Power supply, VH1 ... Bias, OUT1 ... Output terminal.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H04B 10/06 H03F 3/08 8839−5J ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Internal reference number FI technical display location H04B 10/06 H03F 3/08 8839-5J

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】第一の端子を第一のバイアスに接続した第
一の光検出器と、第一のコレクタを第一の電源に接続
し、第一のベースを前記第一の光検出器の第二の端子に
接続し、第一のエミッタを第一の負荷手段を介して第二
の電源に接続した第一のトランジスタと、第二のコレク
タを前記第一のベースと前記第二の端子の接続点に接続
し、第二のベースを前記第一のエミッタと前記第一の負
荷手段との接続点に接続し、第二のエミッタを前記第二
の電源に接続した第二のトランジスタからなり、前記第
一のエミッタと前記第一の負荷手段との接続点から出力
を取り出す光受信回路において、前記第一のベースと前
記第二の端子の接続点を前記第二の負荷手段を介して前
記第二の電源に接続したことを特徴とする光受信回路。
1. A first photodetector having a first terminal connected to a first bias, a first collector connected to a first power supply, and a first base connected to the first photodetector. A first transistor connected to the second terminal of the first emitter whose first emitter is connected to the second power supply through the first load means, and a second collector connected to the first base and the second base. A second transistor connected to a connection point of a terminal, a second base connected to a connection point between the first emitter and the first load means, and a second emitter connected to the second power supply. In the optical receiving circuit for extracting an output from the connection point between the first emitter and the first load means, the connection point between the first base and the second terminal is connected to the second load means. An optical receiving circuit, characterized in that the optical receiving circuit is connected to the second power source through the above.
【請求項2】請求項1において、第二のバイアスと、ア
ノードを前記第二のバイアスに接続しカソードを前記第
一のベースと前記第二の端子の接続点に接続した第一の
ダイオードとを含み、入力信号の無い場合の前記第一の
ベースと前記第一のエミッタ間の電圧を、前記第一のト
ランジスタがオン状態になるために必要な前記第一のベ
ースと前記第一のエミッタ間の電圧より小さくなるよう
に、前記第二の電源、前記第一のダイオード及び前記第
二の負荷手段を設定した光受信回路。
2. A second bias, and a first diode having an anode connected to the second bias and a cathode connected to a connection point between the first base and the second terminal. Including a voltage between the first base and the first emitter in the absence of an input signal, the first base and the first emitter required for the first transistor to be in an ON state. An optical receiving circuit in which the second power supply, the first diode, and the second load means are set so as to be smaller than the voltage between them.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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