JPH08321731A - Bias current source circuit and differential amplifier - Google Patents

Bias current source circuit and differential amplifier

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JPH08321731A
JPH08321731A JP7128534A JP12853495A JPH08321731A JP H08321731 A JPH08321731 A JP H08321731A JP 7128534 A JP7128534 A JP 7128534A JP 12853495 A JP12853495 A JP 12853495A JP H08321731 A JPH08321731 A JP H08321731A
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JP
Japan
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bias current
circuit
transistor
differential amplifier
nmos
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Application number
JP7128534A
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Japanese (ja)
Inventor
Atsushi Okita
篤志 沖田
Satoshi Sugino
聡 杉野
Shinji Sakamoto
慎司 坂本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Electric Works Co Ltd
Original Assignee
Matsushita Electric Works Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE: To make the area of an integrated circuit by connecting an analog basic circuit individually so as to supply or extract a bias current corresponding to a multi-stage mirror circuit. CONSTITUTION: A voltage Va divided by a PMOS transistor(TR) 1 and an NMOS TR 2 is fed to gates of PMOS TRs 3-6 being components of a mirror circuit for bias current supply and NMOS TRs 7-10 being components of a bias current extract mirror circuit. Then a bias current fed to each analog circuit is generated. Thus, it is possible to have provision for change in the number of analog basic circuits attended with entire specification change by changing the number of PMOS TRs 3-6 and NMOS TRs 7-10. Furthermore, the number of PMOS TRs 1 and NMOS TRs 2 is reduced.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、多数のアナログ基本回
路に対してバイアス電流を出力又は引き抜くバイアス電
流源回路及び該バイアス電流源回路を用いる差動増幅器
に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a bias current source circuit for outputting or drawing a bias current to a large number of analog basic circuits and a differential amplifier using the bias current source circuit.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の差動増幅器の構成を図4および図
5に示す。図4はPMOSトランジスタ100、10
3、104およびNMOSトランジスタ101、102
から構成される動作をオン・オフするための回路を備え
ている差動増幅器を示しており、この差動増幅器には回
路が動作状態にあるときにバイアス電流を差動増幅器に
供給するPMOSトランジスタ105およびNMOSト
ランジスタ115、116からなるバイアス電流源を付
設している。入力端子123に”Low”電圧を印加し
た場合、PMOSトランジスタ103、104のゲート
にはGND(0V)が印加されることからPMOSトラ
ンジスタ103、104はオンする。また、NMOSト
ランジスタ102、114のゲートには1段目のインバ
ータを構成するPMOSトランジスタ100とNMOS
トランジスタ101の出力VDD(+5V)が印加され
るためNMOSトランジスタ102、114はオンす
る。このことから、PMOSトランジスタ106、10
7、108、113のゲートには出力VDD(+5V)
が、NMOSトランジスタ115、116、117、1
19のゲートにはGND(0V)が印加されることか
ら、MOSトランジスタ106、107、108、11
3、115、116、117、119はすべてオフとな
る。つまり、入力端子123に”Low”電圧を印加し
た場合、図4の差動増幅器は非動作状態となる。入力端
子123に”High”を印加した場合は逆にPMOS
トランジスタ103、104とNMOSトランジスタ1
02、114はオフとなって、PMOSトランジスタ1
05がオンとなりPMOSトランジスタ105からNM
OSトランジスタ115、116及び118に向かって
バイアス電流が流入することにより図4の差動増幅器は
動作状態となる。
2. Description of the Related Art The structure of a conventional differential amplifier is shown in FIGS. FIG. 4 shows PMOS transistors 100 and 10.
3, 104 and NMOS transistors 101, 102
2 shows a differential amplifier including a circuit for turning on / off an operation including a PMOS transistor that supplies a bias current to the differential amplifier when the circuit is in an operating state. A bias current source composed of 105 and NMOS transistors 115 and 116 is attached. When the “Low” voltage is applied to the input terminal 123, the PMOS transistors 103 and 104 are turned on because GND (0 V) is applied to the gates of the PMOS transistors 103 and 104. In addition, the gates of the NMOS transistors 102 and 114 are connected to the PMOS transistor 100 and the NMOS that form the first-stage inverter.
Since the output VDD (+ 5V) of the transistor 101 is applied, the NMOS transistors 102 and 114 are turned on. From this, the PMOS transistors 106, 10
Output VDD (+ 5V) to the gate of 7, 108, 113
But NMOS transistors 115, 116, 117, 1
Since GND (0 V) is applied to the gate of 19, the MOS transistors 106, 107, 108, 11
3, 115, 116, 117, and 119 are all off. That is, when the “Low” voltage is applied to the input terminal 123, the differential amplifier of FIG. 4 is in a non-operating state. On the contrary, when "High" is applied to the input terminal 123,
Transistors 103 and 104 and NMOS transistor 1
02 and 114 are turned off, and the PMOS transistor 1
05 is turned on and the PMOS transistor 105 is connected to NM
When the bias current flows into the OS transistors 115, 116 and 118, the differential amplifier shown in FIG. 4 is put into operation.

【0003】尚差動増幅器はNMOSトランジスタ11
1、112からなる差動入力部、PMOSトランジスタ
109、110からなるミラー回路、及びPMOSトラ
ンジスタ118とからなる差動増幅回路と、NMOSト
ランジスタ113、PMOSトランジスタ119からな
る出力回路、位相補償用容量122とで構成される。ま
たVINPは正極入力端子,VINNは負極入力端子,
OUTは出力端子である。
The differential amplifier is an NMOS transistor 11
1, a differential input circuit composed of 112, a mirror circuit composed of PMOS transistors 109 and 110, and a differential amplifier circuit composed of a PMOS transistor 118, an output circuit composed of an NMOS transistor 113 and a PMOS transistor 119, and a phase compensation capacitor 122. Composed of and. In addition, VINP is a positive input terminal, VINN is a negative input terminal,
OUT is an output terminal.

【0004】図5の差動増幅器は図4の差動増幅器とは
異なり、回路のオン・オフ機能を持たず、PMOSトラ
ンジスタ130およびNMOSトランジスタ137から
構成されるバイアス電流源のみを持つものである。尚差
動増幅器はNMOSトランジスタ135、136からな
る差動入力部、PMOSトランジスタ131、132か
らなるミラー回路とPMOSトランジスタ138とから
なる差動増幅回路と、NMOSトランジスタ133、1
34、140、PMOSトランジスタ139からなる出
力回路と、位相補償用容量143とで構成される。
Unlike the differential amplifier shown in FIG. 4, the differential amplifier shown in FIG. 5 does not have a circuit on / off function but has only a bias current source composed of a PMOS transistor 130 and an NMOS transistor 137. . The differential amplifier includes a differential input section including NMOS transistors 135 and 136, a differential amplifier circuit including a mirror circuit including PMOS transistors 131 and 132, and a PMOS transistor 138, and NMOS transistors 133 and 1.
An output circuit including 34 and 140 and a PMOS transistor 139, and a phase compensation capacitor 143.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】上記従来例の問題点
は、これらの差動増幅器を多数利用してアナログ回路を
構成した場合、図4の差動増幅器ではオン・オフ回路と
バイアス電流源、図5ではバイアス電流源が差動増幅器
に付設された形態となっているため、差動増幅器を多数
用いて集積化した場合、集積回路全体の面積が大面積化
してしまうという問題点があった。特に、バイアス電流
源はPMOSトランジスタおよびNMOSトランジスタ
の抵抗成分がバイアス電流値を決定するため、小信号の
増幅回路部の電流源に用いるMOSトランジスタは増幅
回路部を構成するMOSトランジスタより規模の大きい
MOSトランジスタが使用されることになる。また、図
4の演算増幅器のようにオン・オフ回路を備えている場
合、動作状態から非動作状態に回路状態が移行した時に
出力電圧が不安定になり、その出力が比較器に入力され
るものであれぱ比較器以降の回路の誤動作につながると
いった問題点があった。
The problem of the above-mentioned conventional example is that when a large number of these differential amplifiers are used to construct an analog circuit, the differential amplifier of FIG. 4 has an on / off circuit and a bias current source, Since the bias current source is attached to the differential amplifier in FIG. 5, when a large number of differential amplifiers are integrated, there is a problem that the area of the entire integrated circuit becomes large. . Particularly, in the bias current source, the resistance component of the PMOS transistor and the NMOS transistor determines the bias current value. Therefore, the MOS transistor used as the current source of the small-signal amplification circuit unit has a larger scale than the MOS transistor forming the amplification circuit unit. Transistors will be used. In the case where the operational amplifier shown in FIG. 4 is provided with an on / off circuit, the output voltage becomes unstable when the circuit state shifts from the operating state to the non-operating state, and the output is input to the comparator. However, there is a problem that even after that, the circuit after the comparator may malfunction.

【0006】本発明は上記のような問題点に鑑みて為さ
れたものであり、請求項1の発明の目的は、集積した場
合の回路面積を小面積化することができるバイアス電流
源回路を提供するにある。請求項2の発明は、請求項1
の発明において、出力するバイアス電流をオン、オフす
ることができるバイアス電流源回路を提供するにある。
The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a bias current source circuit capable of reducing the circuit area when integrated. To provide. The invention of claim 2 relates to claim 1
In another aspect of the invention, there is provided a bias current source circuit capable of turning on and off a bias current to be output.

【0007】請求項3の発明は、請求項1又は2の発明
のバイアス電流源回路からバイアス電流の供給を受ける
ものにおいて、バイアス電流がカットされて非動作状態
となった場合出力電圧を強制的に0Vにすることができ
る差動増幅器を実現することである。
According to a third aspect of the present invention, in the configuration in which the bias current is supplied from the bias current source circuit according to the first or second aspect of the invention, the output voltage is forced when the bias current is cut and becomes inoperative. Is to realize a differential amplifier that can be set to 0V.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】請求項1の発明では、N
MOSトランジスタおよびPMOSトランジスタから構
成された多段のミラー回路を有し、各ミラー回路に対応
してバイアス電流を印加または引き抜くように各別にア
ナログ基本回路を接続するものである。請求項2の発明
では、請求項1の発明において、前記各ミラー回路に用
いられているNMOSトランジスタおよびPMOSトラ
ンジスタのゲートに印加される電圧を作成するために抵
抗成分を利用するように設けた第1のPMOSトランジ
スタに対して並列にバイアス電流のオン、オフ制御用の
第2のPMOSトランジスタを接続したものである。
According to the invention of claim 1, N
It has a multistage mirror circuit composed of a MOS transistor and a PMOS transistor, and an analog basic circuit is connected to each of the mirror circuits so as to apply or extract a bias current corresponding to each mirror circuit. According to a second aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, a resistance component is used to generate a voltage applied to the gates of the NMOS transistor and the PMOS transistor used in each of the mirror circuits. A first PMOS transistor is connected in parallel with a second PMOS transistor for controlling on / off of a bias current.

【0009】請求項3の発明では、請求項2のバイアス
電流回路のミラー回路に接続されてバイアス電流を受け
て動作する差動増輻器において、出力端子に対して並列
にNMOSトランジスタを接続し、該NMOSトランジ
スタのゲート電圧を制御することで、前記バイアス電流
源回路からのバイアス電流がカットされて非動作状態と
なった時に出力電圧を強制的に0Vとするものである。
According to a third aspect of the present invention, in the differential amplifier connected to the mirror circuit of the bias current circuit according to the second aspect and operated by receiving the bias current, an NMOS transistor is connected in parallel to the output terminal. By controlling the gate voltage of the NMOS transistor, the output voltage is forcibly set to 0V when the bias current from the bias current source circuit is cut and the non-operation state is set.

【0010】[0010]

【作用】請求項1の発明によれば、NMOSトランジス
タおよびPMOSトランジスタから構成された多段のミ
ラー回路を有し、各ミラー回路に対応してバイアス電流
を印加または引き抜くように各別にアナログ基本回路を
接続するので、ミラー回路のバイアス電流を供給するす
るPMOSトランジスタと、バイアス電流を引き抜くN
MOSトランジスタの配置数を変更することで、用いる
回路全体の仕様変更に伴うアナログ基本回路の使用個数
変動に対応することが可能であるだけでなく、電源電圧
の抵抗分割に用いられるPMOSトランジスタおよびN
MOSトランジスタの個数を削減できることからアナロ
グ基本回路とともに集積した場合の回路全体の面積を小
面積化することが可能となる。
According to the present invention, there is provided a multistage mirror circuit composed of NMOS transistors and PMOS transistors, and an analog basic circuit is separately provided for applying or extracting a bias current corresponding to each mirror circuit. Since it is connected, the PMOS transistor that supplies the bias current of the mirror circuit and the N that extracts the bias current
By changing the number of MOS transistors arranged, it is possible not only to cope with the variation in the number of analog basic circuits used due to the specification change of the entire circuit to be used, but also to use the PMOS transistors and N
Since the number of MOS transistors can be reduced, it is possible to reduce the area of the entire circuit when integrated with the analog basic circuit.

【0011】請求項2の発明によれば、請求項1の発明
において、前記各ミラー回路に用いられているNMOS
トランジスタおよびPMOSトランジスタのゲートに印
加される電圧を作成するために抵抗成分を利用するよう
に設けた第1のPMOSトランジスタに対して並列に第
2のPMOSトランジスタを接続したので、該第2のP
MOSトランジスタのゲート電圧を制御することによ
り、各ミラー回路から出力されるバイアス電流のオン、
オフを切り替えることができる。
According to the invention of claim 2, in the invention of claim 1, the NMOS used in each of the mirror circuits.
Since the second PMOS transistor is connected in parallel to the first PMOS transistor provided so as to utilize the resistance component to generate the voltage applied to the gates of the transistor and the PMOS transistor, the second P
By controlling the gate voltage of the MOS transistor, the bias current output from each mirror circuit is turned on,
Can be switched off.

【0012】請求項3の発明によれば、請求項1若しく
は請求項2のバイアス電流回路のミラー回路に接続され
てバイアス電流を受けて動作する差動増輻器において、
出力端子に対して並列にNMOSトランジスタを接続
し、該NMOSトランジスタのゲート電圧を制御するこ
とで、前記バイアス電流源回路からのバイアス電流がカ
ットされて非動作状態となった時に出力電圧を強制的に
0Vとするので、バイアス電流源回路から供給されるバ
イアス電流がカットされ、非動作状態となる場合出力電
圧を強制的に0Vとすることにより、当該差動増幅器の
出力を利用する回路の誤動作を防止することが可能とな
る。
According to the invention of claim 3, in the differential amplifier connected to the mirror circuit of the bias current circuit of claim 1 or 2 and operated by receiving the bias current,
By connecting an NMOS transistor in parallel with the output terminal and controlling the gate voltage of the NMOS transistor, the output voltage is forced when the bias current from the bias current source circuit is cut off to bring it into a non-operating state. Since the bias current supplied from the bias current source circuit is cut and the output voltage is forcibly set to 0 V, the malfunction of the circuit using the output of the differential amplifier is caused. Can be prevented.

【0013】[0013]

【実施例】以下本発明を実施例により説明する。 (実施例1)図1は請求項1の発明に対応する本実施例
を示しており、電源電圧を抵抗分圧するためのPMOS
トランジスタ1およびNMOSトランジスタ2の内、P
MOSトランジスタ1はソースをVDD(+5V)、ド
レインをNMOSトランジスタ2のドレインに接続し、
NMOSトランジスタ2はソースをGND(0V)に接
続し、PMOSトランジスタ1とNMOSトランジスタ
2のゲートおよびドレインはそれぞれ共通接続してい
る。
EXAMPLES The present invention will be described below with reference to examples. (Embodiment 1) FIG. 1 shows the present embodiment corresponding to the invention of claim 1, which is a PMOS for resistively dividing a power supply voltage.
P of the transistor 1 and the NMOS transistor 2
The MOS transistor 1 has a source connected to VDD (+ 5V) and a drain connected to the drain of the NMOS transistor 2,
The source of the NMOS transistor 2 is connected to GND (0V), and the gates and drains of the PMOS transistor 1 and the NMOS transistor 2 are commonly connected.

【0014】夫々がバイアス電流供給用のミラー回路を
構成するPMOSトランジスタ3、4、5、6はソース
をVDD(+5V)に接続し、ドレインをバイアス電流
供給用端子IP1、IP2、IP3、IP4にそれぞれ
接続している。バイアス電流引抜き用のミラー回路を構
成するNMOSトランジスタ7、8、9、10はソース
をGND(0V)に接続し、ドレインをバイアス電流引
抜き用端子IM1、IM2、IM3、IM4にそれぞれ
接続している。PMOSトランジスタ1およびNMOS
トランジスタ2のドレインとPMOSトランジスタ3、
4、5、6およびNMOSトランジスタ7、8、9、1
0のゲートとは共通に接続されている。
The PMOS transistors 3, 4, 5 and 6 each constituting a mirror circuit for supplying bias current have their sources connected to VDD (+ 5V) and their drains to the bias current supply terminals IP1, IP2, IP3 and IP4. Each is connected. The NMOS transistors 7, 8, 9 and 10 which form the mirror circuit for extracting the bias current have their sources connected to GND (0V) and their drains connected to the bias current extracting terminals IM1, IM2, IM3 and IM4, respectively. . PMOS transistor 1 and NMOS
Drain of transistor 2 and PMOS transistor 3,
4, 5, 6 and NMOS transistors 7, 8, 9, 1
It is commonly connected to the 0 gate.

【0015】而してPMOSトランジスタ1とNMOS
トランジスタ2によって分割された電圧Vaがミラー回
路を構成する各PMOSおよびNMOSの各トランジス
タ3、4、5、6および7、8、9、10のゲートに印
加され、各アナログ回路に供給するバイアス電流を発生
する。前述にもある通りアナログ全体回路の使用変更で
アナログ回路数が変更された場合でもPMOSトランジ
スタおよびNMOSトランジスタの追加および削減によ
り容易に調節が可能である。
Thus, the PMOS transistor 1 and the NMOS
The voltage Va divided by the transistor 2 is applied to the gates of the transistors 3, 4, 5, 6 and 7, 8, 9, 10 of the PMOS and NMOS constituting the mirror circuit, and is supplied to the analog circuits. To occur. As described above, even if the number of analog circuits is changed by changing the use of the entire analog circuit, the adjustment can be easily performed by adding or removing the PMOS transistor and the NMOS transistor.

【0016】(実施例2)図2は請求項2の発明に対応
する本実施例の回路を示しており、本実施例回路は各ア
ナログ回路に供給するバイアス電流の作成方法および回
路動作は図1のバイアス電流源回路と同様であるが、図
1のPMOSトランジスタ1に並列にPMOSトランジ
スタ11を接続したものである。本実施例回路において
バイアス電流を出力する場合、入力端子12はPMOS
トランジスタ11がオフ状態となる程度の電圧を印加し
ておく。その場合PMOSトランジスタ3、4、5、6
のゲートにはPMOSトランジスタ1とNMOSトラン
ジスタ2から構成される抵抗分割回路から出力される電
圧Vbが印加された状態にある。またバイアス電流をカ
ットする場合、入力端子12に0Vを入力するよう全体
回路動作を設定しておく。すると入力端子12からの印
加電圧が低下しPMOSトランジスタ11がオン状態と
なると、電源ラインVDD(+5V)から電流が流入し
PMOSトランジスタ3、4、5、6のゲートに電荷が
蓄積してPMOSトランジスタ3、4、5、6はオフし
バイアス電流がカットされる。このような構造にすると
図4に示した差動増幅器に配置されているような動作カ
ット用の回路は必要でなくなり、小面積化が実現でき
る。
(Embodiment 2) FIG. 2 shows a circuit of this embodiment corresponding to the invention of claim 2, and the circuit of this embodiment shows a method of making a bias current to be supplied to each analog circuit and a circuit operation. 1 is the same as the bias current source circuit of FIG. 1 except that the PMOS transistor 11 is connected in parallel to the PMOS transistor 1 of FIG. When the bias current is output in the circuit of this embodiment, the input terminal 12 is a PMOS.
A voltage is applied so that the transistor 11 is turned off. In that case, PMOS transistors 3, 4, 5, 6
The voltage Vb output from the resistance division circuit composed of the PMOS transistor 1 and the NMOS transistor 2 is applied to the gate of the. When the bias current is cut, the whole circuit operation is set so that 0 V is input to the input terminal 12. Then, when the voltage applied from the input terminal 12 is lowered and the PMOS transistor 11 is turned on, a current flows in from the power supply line VDD (+ 5V), and charges are accumulated in the gates of the PMOS transistors 3, 4, 5, and 6, so that the PMOS transistor 11 is turned on. 3, 4, 5 and 6 are turned off and the bias current is cut. With such a structure, the circuit for cutting the operation, which is arranged in the differential amplifier shown in FIG. 4, is not necessary, and the area can be reduced.

【0017】(実施例3)図3は請求項3の発明に対応
する本実施例の差動増幅器の回路を示している。図にお
いて、NMOSトランジスタ55、56は差動入力部を
構成し、PMOSトランジスタ51、52およびNMO
Sトランジスタ58、59、60はそれぞれミラー回路
を構成している。また容量57は位相補償用の容量であ
る。入力端子67は実施例2(又は1)のバイアス電流
源回路からのバイアス電流を入力するための端子で、バ
イアス電流源回路からのバイアス電流がカットされた場
合入力端子67に印加される電流も従ってカットされ
る。すると差動増幅器の動作もオフする。この場合出力
端子POUTの出力電圧が不安定となるため、差動増幅
器の出力端子OUTに接続されたNMOSトランジスタ
62のゲート電圧入力端子66からNMOSトランジス
タ62がオンする程度の電圧を印加するように全体回路
を動作させれぱ差動増幅器が非動作状態となった時の出
力が強制的にGND(0V)となる。従って、差動増幅
器の出力が入力される例えば比較器や、差動増幅器が使
用される回路全体の誤動作を防止することができる。尚
出力回路はMOSトランジスタ53、54、61、PM
OSトランジスタ60からなる。
(Embodiment 3) FIG. 3 shows a circuit of a differential amplifier of the present embodiment corresponding to the invention of claim 3. In the figure, NMOS transistors 55 and 56 form a differential input section, and PMOS transistors 51 and 52 and NMO are formed.
Each of the S transistors 58, 59, 60 constitutes a mirror circuit. The capacitor 57 is a capacitor for phase compensation. The input terminal 67 is a terminal for inputting the bias current from the bias current source circuit of the second embodiment (or 1), and when the bias current from the bias current source circuit is cut off, the current applied to the input terminal 67 is also Therefore, it is cut. Then, the operation of the differential amplifier is also turned off. In this case, since the output voltage of the output terminal POUT becomes unstable, it is necessary to apply a voltage to the extent that the NMOS transistor 62 is turned on from the gate voltage input terminal 66 of the NMOS transistor 62 connected to the output terminal OUT of the differential amplifier. The output is forcibly set to GND (0V) when the entire circuit is operated and the differential amplifier is in a non-operating state. Therefore, it is possible to prevent malfunction of, for example, the comparator to which the output of the differential amplifier is input and the entire circuit in which the differential amplifier is used. The output circuit is MOS transistors 53, 54, 61 and PM.
It is composed of the OS transistor 60.

【0018】[0018]

【発明の効果】請求項1の発明は、NMOSトランジス
タおよびPMOSトランジスタから構成された多段のミ
ラー回路を有し、各ミラー回路に対応してバイアス電流
を印加または引き抜くように各別にアナログ基本回路を
接続するので、ミラー回路のバイアス電流を供給するす
るPMOSトランジスタと、バイアス電流を引き抜くN
MOSトランジスタの配置数を変更することで、用いる
回路全体の仕様変更に伴うアナログ基本回路の使用個数
変動に対応することが可能であるだけでなく、電源電圧
の抵抗分割に用いられるPMOSトランジスタおよびN
MOSトランジスタの個数を削減できることからアナロ
グ基本回路とともに集積した場合の回路全体の面積を小
面積化することが可能となるいう効果がある。
According to the present invention, there is provided a multistage mirror circuit composed of an NMOS transistor and a PMOS transistor, and an analog basic circuit is separately provided for applying or extracting a bias current corresponding to each mirror circuit. Since it is connected, the PMOS transistor that supplies the bias current of the mirror circuit and the N that extracts the bias current
By changing the number of MOS transistors arranged, it is possible not only to cope with the variation in the number of analog basic circuits used due to the specification change of the entire circuit to be used, but also to use the PMOS transistors and N
Since the number of MOS transistors can be reduced, there is an effect that the area of the entire circuit when integrated with the analog basic circuit can be reduced.

【0019】請求項2の発明は、請求項1の発明におい
て、前記各ミラー回路に用いられているNMOSトラン
ジスタおよびPMOSトランジスタのゲートに印加され
る電圧を作成するために抵抗成分を利用するように設け
た第1のPMOSトランジスタに対して並列に第2のP
MOSトランジスタを接続したので、該第2のPMOS
トランジスタのゲート電圧を制御することにより、各ミ
ラー回路から出力されるバイアス電流のオン、オフを切
り替えることができるという効果がある。
According to a second aspect of the invention, in the first aspect of the invention, the resistance component is used to generate the voltage applied to the gates of the NMOS transistor and the PMOS transistor used in each of the mirror circuits. A second P is provided in parallel with the provided first PMOS transistor.
Since the MOS transistor is connected, the second PMOS
By controlling the gate voltage of the transistor, the bias current output from each mirror circuit can be switched on and off.

【0020】請求項3の発明は、請求項1若しくは請求
項2のバイアス電流回路のミラー回路に接続されてバイ
アス電流を受けて動作する差動増輻器において、出力端
子に対して並列にNMOSトランジスタを接続し、該N
MOSトランジスタのゲート電圧を制御することで、前
記バイアス電流源回路からのバイアス電流がカットされ
て非動作状態となった時に出力電圧を強制的に0Vとす
るので、バイアス電流源回路から供給されるバイアス電
流がカットされ、非動作状態となる場合出力電圧を強制
的に0Vとすることにより、当該差動増幅器の出力を利
用する回路の誤動作を防止することが可能となるという
効果がある。
According to a third aspect of the present invention, in a differential amplifier connected to the mirror circuit of the bias current circuit according to the first or second aspect and operated by receiving a bias current, an NMOS is provided in parallel with an output terminal. Connect the transistor,
By controlling the gate voltage of the MOS transistor, the output voltage is forcibly set to 0 V when the bias current from the bias current source circuit is cut and becomes inoperative, so that it is supplied from the bias current source circuit. By forcing the output voltage to 0 V when the bias current is cut and the device is in the non-operating state, it is possible to prevent the malfunction of the circuit using the output of the differential amplifier.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】請求項1の発明に対応する実施例1のバイアス
電流源回路の回路図である。
FIG. 1 is a circuit diagram of a bias current source circuit according to a first embodiment of the present invention.

【図2】請求項2の発明に対応する実施例2のバイアス
電流源回路の回路図である。
FIG. 2 is a circuit diagram of a bias current source circuit of a second embodiment corresponding to the invention of claim 2;

【図3】請求項3の発明に対応する実施例3の差動増幅
器の回路図である。
FIG. 3 is a circuit diagram of a differential amplifier of a third embodiment corresponding to the invention of claim 3;

【図4】従来例の差動増幅器の回路図である。FIG. 4 is a circuit diagram of a conventional differential amplifier.

【図5】別の従来例の差動増幅器の回路図である。FIG. 5 is a circuit diagram of another conventional differential amplifier.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1〜6 PMOSトランジスタ 7〜10 NMOSトランジスタ IP1〜IP4 バイアス電流供給用端子 IM1〜IM4バイアス電流引抜き用端子 1 to 6 PMOS transistor 7 to 10 NMOS transistor IP1 to IP4 Bias current supply terminal IM1 to IM4 Bias current extraction terminal

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】NMOSトランジスタおよびPMOSトラ
ンジスタから構成された多段のミラー回路を有し、各ミ
ラー回路に対応してバイアス電流を印加または引き抜く
ように各別にアナログ基本回路を接続することを特徴と
するバイアス電流源回路。
1. A multi-stage mirror circuit composed of an NMOS transistor and a PMOS transistor is provided, and an analog basic circuit is connected to each of the mirror circuits so as to apply or extract a bias current corresponding to each mirror circuit. Bias current source circuit.
【請求項2】前記各ミラー回路に用いられているNMO
SトランジスタおよびPMOSトランジスタのゲートに
印加される電圧を作成するために抵抗成分を利用するよ
うに設けた第1のPMOSトランジスタに対して並列に
バイアス電流のオン、オフ制御用の第2のPMOSトラ
ンジスタを接続したことを特徴とする請求項1記載のバ
イアス電流源回路。
2. An NMO used in each of the mirror circuits.
A second PMOS transistor for controlling on / off of a bias current in parallel with a first PMOS transistor provided so as to use a resistance component to generate a voltage applied to the gates of the S transistor and the PMOS transistor. 2. The bias current source circuit according to claim 1, further comprising:
【請求項3】請求項1若しくは請求項2のバイアス電流
回路のミラー回路に接続されてバイアス電流を受けて動
作する差動増輻器において、出力端子に対して並列にN
MOSトランジスタを接続し、該NMOSトランジスタ
のゲート電圧を制御することで、前記バイアス電流源回
路からのバイアス電流がカットされて非動作状態となっ
た時に出力電圧を強制的に0Vとすることを特徴とする
差動増幅器。
3. A differential amplifier connected to the mirror circuit of the bias current circuit according to claim 1 or 2 and operated by receiving a bias current, wherein N is provided in parallel with the output terminal.
By connecting a MOS transistor and controlling the gate voltage of the NMOS transistor, the output voltage is forcibly set to 0 V when the bias current from the bias current source circuit is cut off to bring it into a non-operating state. And a differential amplifier.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7268528B2 (en) 2004-10-08 2007-09-11 Ricoh Company, Ltd. Constant-current circuit and system power source using this constant-current circuit
JP2010532618A (en) * 2007-06-29 2010-10-07 エムシー テクノロジー カンパニー リミテッド AMPLIFIER CIRCUIT AND DISPLAY DEVICE DRIVING DEVICE USING THE SAME

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