JPH08313748A - Producing device for oxide glass film - Google Patents

Producing device for oxide glass film

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JPH08313748A
JPH08313748A JP11698795A JP11698795A JPH08313748A JP H08313748 A JPH08313748 A JP H08313748A JP 11698795 A JP11698795 A JP 11698795A JP 11698795 A JP11698795 A JP 11698795A JP H08313748 A JPH08313748 A JP H08313748A
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JP
Japan
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substrate
turntable
glass
electrostatic chuck
heater
Prior art date
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Pending
Application number
JP11698795A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shigeru Konishi
繁 小西
Kazuo Kamiya
和雄 神屋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Chemical Co Ltd
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Publication date
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B19/00Other methods of shaping glass
    • C03B19/14Other methods of shaping glass by gas- or vapour- phase reaction processes
    • C03B19/1484Means for supporting, rotating or translating the article being formed

Abstract

PURPOSE: To prevent generation of cracks in a later of glass fine particles by disposing an electrostatic chuck with a heater under a substrate and depositing glass particles from a flame burner on the substrate on a table while the burner is relatively moved to the substrate. CONSTITUTION: A substrate 2 made of Si, etc., is mounted on a turntable 1 made of quartz or the like and flames from an oxyhydrogen burner 3 to which the source material gas essentially comprising SiCl4 . and the like is mixed are sprayed to the substrate 2 to deposit glass fine particles. During deposition, the oxyhydrogen flame burner 3 is reciprocally moved by a burner moving shaft 4 and excess glass particles which do not deposit on the substrate 2 are discharged through a gas discharging pipe 5 to the outside. In this method, an electrostatic chuck 6 with a heater having the same size as that of the substrate 2 is mounted on the turntable 1, and the substrate 2 is fixed to the specified position so that only the substrate 2 is heated to specified temp. Therefore, the turntable part in the outside of the substrate 2 is not heated to high temp. and therefore, the glass particles deposit only on the substrate 2 to form a film 7 of glass fine particles.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は酸化物ガラス膜製造装
置、特にはガラス微粒子の基板の外側への推積、基板の
推積面への余分のガラス微粒子の付着を防止し、ガラス
微粒子層のクラック発生を防止してなる酸化物ガラス膜
製造装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus for producing an oxide glass film, and more particularly, to prevent the deposition of glass particles on the outside of a substrate and the adhesion of extra glass particles to the deposition surface of the substrate, thereby forming a glass particle layer The present invention relates to an oxide glass film production apparatus which prevents the occurrence of cracks in the oxide glass film.

【0002】[0002]

【従来の技術】酸化物ガラス膜製造装置については、河
内正夫氏他、Optical and Quantum Electronics 22 391
〜416(1990) において、図3に示したように酸水素火炎
バーナー13に SiCl4+TiCl4 や SiCl4+GeCl4 などの原
料ガスを供給し、これから発生したガラス微粒子を回転
しているターンテーブル11に置かれたSiや石英からな
る基板12の上に推積し、このバーナー13をテーブルの径
方向に往復させてガラス微粒子を基板12の表面全体に均
一に推積させ、ついでこの基板を電気炉中で 1,200〜
1,400℃に加熱して透明ガラスする方法が知られてい
る。
2. Description of the Related Art Regarding an oxide glass film manufacturing apparatus, Masao Kawauchi et al., Optical and Quantum Electronics 22 391
~ 416 (1990), as shown in Fig. 3, a raw material gas such as SiCl 4 + TiCl 4 or SiCl 4 + GeCl 4 was supplied to the oxyhydrogen flame burner 13 and the turntable 11 rotating the glass particles generated from this gas was rotated. It is deposited on the substrate 12 made of Si or quartz placed on the substrate, and the burner 13 is reciprocated in the radial direction of the table so that the glass particles are uniformly deposited on the entire surface of the substrate 12. 1,200 ~ in the furnace
A method is known in which transparent glass is produced by heating to 1,400 ° C.

【0003】そして、この火炎推積法装置については、
この論文の筆者である河内正夫氏等が図4に示したよう
に基板ホルダー14の上にターンテーブル11と基板12を並
べ、この基板ホルダー14の中に基板加熱ヒーター15を設
け、これに通電して基板温度を上昇させ、基板ホルダー
14を回転させるというものを提案しており(特開昭 58-
105111号公報参照)、この場合には図5に示したように
基板12の表面に流れるガラス微粒子を含んだ高温ガス流
16から基板に付着しなかった余剰のガラス微粒子を排気
管17に導くようにするとされている。
And, regarding this flame thrusting apparatus,
As shown in FIG. 4, the author of this paper, Masao Kawauchi, arranged a turntable 11 and a substrate 12 on a substrate holder 14 and provided a substrate heater 15 in the substrate holder 14 to energize them. To raise the substrate temperature and
We have proposed to rotate 14 (JP-A-58-58).
105111), in this case, as shown in FIG. 5, a high temperature gas flow containing glass particles flowing on the surface of the substrate 12.
It is said that excess glass particles not adhered to the substrate from 16 are guided to the exhaust pipe 17.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかし、この装置では
この基板12の加熱が基板ホルダー14の中に設けられてい
る基板加熱ヒーター15により行なわれ、この加熱により
基板12だけでなく、基板外周部のターンテーブル11も加
熱されるので、この状態でガラス微粒子を推積すると、
ガラス微粒子18は図6に示したように基板12の表面だけ
でなくターンテーブル11の上にも推積され、これから基
板12を取り出そうとすると基板12の端部からターンテー
ブル11に推積したガラス微粒子膜18の層に亀裂が入り、
その亀裂が基板12の表面にも及んだり、また基板を取り
出す際に基板端部からターンテーブルに積層したガラス
微粒子膜18の塊が剥れてこれが基板表面に付着するなど
の問題が発生し、このような基板を加熱してガラス化す
ると、クラックや微結晶等の欠陥となり、光を導波した
ときの伝搬損失の原因となる。また、このときには基板
はターンテーブルに載せるだけでいつも同じ位置に基板
が載せられるとは限らないので、その都度バーナーのス
トローク幅やターンテーブルの回転速度等のパラメータ
ーを変更する必要があり、再現性があるとはいえない。
However, in this apparatus, the substrate 12 is heated by the substrate heater 15 provided in the substrate holder 14. By this heating, not only the substrate 12 but also the substrate outer peripheral portion is heated. Since the turntable 11 of is also heated, if glass particles are piled up in this state,
As shown in FIG. 6, the glass particles 18 are deposited not only on the surface of the substrate 12 but also on the turntable 11, and when the substrate 12 is taken out from this, the glass deposited on the turntable 11 from the end portion of the substrate 12 is deposited. The layer of the fine particle film 18 is cracked,
The cracks also extend to the surface of the substrate 12, and when the substrate is taken out, problems such as the lump of the glass fine particle film 18 laminated on the turntable peeling from the end of the substrate and adhering to the substrate surface occur. When such a substrate is heated and vitrified, it becomes a defect such as a crack or a microcrystal, which causes a propagation loss when light is guided. Also, at this time, the board is not always placed on the same position just by placing it on the turntable, so it is necessary to change parameters such as the stroke width of the burner and the rotation speed of the turntable each time. It cannot be said that there is.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明はこのような不
利、欠点を解決した酸化物ガラス膜製造装置に関するも
ので、これは酸水素火炎バーナーから酸化物ガラス微粒
子をテーブル上の基板に相対的に移動させながら推積さ
せてガラス微粒子層を形成し、ついでこれを加熱し、透
明化する酸化物ガラス膜製造装置において、基板の下に
基板をテーブルに固定する手段と基板を加熱する手段を
設けてなることを特徴とするものであり、この基板をテ
ーブルに固定する手段、基板を加熱する手段をヒーター
付静電チャックとしてなることを特徴とするものであ
る。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention relates to an oxide glass film manufacturing apparatus which solves the above disadvantages and drawbacks, in which oxide glass fine particles are relative to a substrate on a table from an oxyhydrogen flame burner. In the apparatus for producing an oxide glass film, in which a glass fine particle layer is formed by stacking while moving to a substrate, and then heated to make it transparent, a means for fixing the substrate to the table under the substrate and a means for heating the substrate are provided. It is characterized in that it is provided, and the means for fixing the substrate to the table and the means for heating the substrate are electrostatic chucks with a heater.

【0006】すなわち、本発明者らは上記したような不
利を解決した酸化物ガラス膜製造装置を開発すべく種々
検討した結果、これについてはターンテーブル上に基板
を固定し、この基板だけを加熱するためには、ターンテ
ーブルに基板を固定する手段とこの基板だけを加熱する
手段を設ければよく、この基板を固定し、この基板を加
熱する手段としてヒーター付静電チャックを使用するこ
ととし、このヒーター付静電チャックを基板と同じ大き
さのものとしてこれをターンテーブルの上に固定し、こ
の上に基板を載置すれば基板が固定されるし、基板をヒ
ーター付静電チャックで加熱すれば基板のみが加熱さ
れ、この周囲のターンテーブルは基板に比べて温度が低
くなるので、ガラス微粒子の推積は基板上のみとなると
いうことを見出し、これによれば基板の取り出し時に基
板表面に亀裂が入ったり、ガラス微粒子層の剥れもなく
なるので、これをガラス化したものにクラックの発生や
微結晶等の欠陥もなくなり、光を導波したときの伝搬損
失もなくなるということを確認して本発明を完成させ
た。
That is, the inventors of the present invention have conducted various studies to develop an oxide glass film manufacturing apparatus that solves the above disadvantages. As a result, the substrate is fixed on a turntable and only this substrate is heated. In order to do so, it is sufficient to provide a means for fixing the substrate to the turntable and a means for heating only this substrate, and the electrostatic chuck with a heater is used as a means for fixing this substrate and heating this substrate. Assuming that this electrostatic chuck with heater is the same size as the substrate, fix it on the turntable, and place the substrate on this, the substrate will be fixed. Only the substrate is heated if heated, and the temperature of the turntable around this becomes lower than that of the substrate, so it was found that the deposition of glass particles was only on the substrate, According to this, there is no crack on the surface of the substrate at the time of taking out the substrate and peeling of the glass fine particle layer is eliminated, so that the vitrified material does not have cracks or defects such as microcrystals, and the light is guided. The present invention has been completed by confirming that the propagation loss at that time also disappears.

【0007】[0007]

【作用】本発明の酸化物ガラス膜製造装置は図1、図2
に示したものとされる。図1は本発明の酸化物ガラス膜
製造装置の斜視図、図2はこの装置における基板固定手
段、基板加熱手段としてのヒーター付静電チャックの設
置を示す縦断面図を示したものである。すなわち、この
酸化物ガラス膜製造装置は図1に示したように、公知の
図3に示した酸化物ガラス膜製造装置と同様に、石英等
で作製したターンテーブル1の上にSiや石英等からな
る基板2を載せ、この基板2に原料ガスを混入した酸水
素火炎バーナー3からの火炎を吹きつけてここにガラス
微粒子を推積させるのであるが、この間酸水素火炎バー
ナーはバーナー移動シャフト4で往復運動させることが
よく、基板2に推積されなかった余剰のガラス微粒子は
排気管5から外部に排出される。
The function of the oxide glass film production apparatus of the present invention is shown in FIGS.
It is assumed that FIG. 1 is a perspective view of an oxide glass film manufacturing apparatus of the present invention, and FIG. 2 is a vertical sectional view showing the installation of a substrate fixing means and a heater-equipped electrostatic chuck as substrate heating means in this apparatus. That is, as shown in FIG. 1, this oxide glass film manufacturing apparatus is similar to the known oxide glass film manufacturing apparatus shown in FIG. 3, and Si, quartz, etc. are placed on the turntable 1 made of quartz, etc. A substrate 2 made of is placed, and a flame from an oxyhydrogen flame burner 3 mixed with a raw material gas is blown onto this substrate 2 to deposit glass fine particles there. During this time, the oxyhydrogen flame burner is operated by the burner moving shaft 4 It is preferable to reciprocate in the above manner, and the surplus glass particles not deposited on the substrate 2 are discharged to the outside through the exhaust pipe 5.

【0008】しかし、本発明の酸化物ガラス膜製造装置
では、基板2をターンテーブル1の所定の位置に固定す
るため、またこの基板のみを所定の温度に加熱するため
に、ここに基板固定装置、基板加熱装置が設けられてお
り、例えば図2に示したようにこの固定手段、加熱手段
としてのヒーター付静電チャック6がターンテーブル1
の上に載置されており、このヒーター付静電チャック6
の大きさは基板2と同一の大きさのものとされている
が、このヒーター付静電チャック6の上には基板が載置
されているので、基板2はこれらによってターンテーブ
ル1の所定の位置に固定されるし、この大きさが基板2
の大きさと同一とされているので、このヒーターによる
加熱で基板2のみが所定の温度に加熱され、この基板2
の外側のターンテーブル部は余り高い温度にはならない
ので、ガラス微粒子は基板のみに推積されてガラス微粒
子膜7がここに形成される。
However, in the oxide glass film manufacturing apparatus of the present invention, in order to fix the substrate 2 at a predetermined position of the turntable 1 and to heat only this substrate to a predetermined temperature, the substrate fixing device is provided here. A substrate heating device is provided. For example, as shown in FIG. 2, the fixing means and the electrostatic chuck 6 with a heater as the heating means are provided on the turntable 1.
The electrostatic chuck 6 with a heater is placed on the
Is the same size as the substrate 2. However, since the substrate is placed on the electrostatic chuck 6 with a heater, the substrate 2 is provided with a predetermined size of the turntable 1. It is fixed in position and this size is substrate 2
Since the size of the substrate 2 is the same as that of the substrate 2, only the substrate 2 is heated to a predetermined temperature by heating with this heater.
Since the temperature of the turntable outside the table does not reach a very high temperature, the glass particles are deposited only on the substrate and the glass particle film 7 is formed here.

【0009】したがって、これによれば基板はターンテ
ーブルに静電チャックで固定されているので、ターンテ
ーブルの回転中にも基板が動くことがなくなるし、この
基板はヒーター付静電チャックで加熱されているので基
板のみが加熱され、ターンテーブルの温度は基板の温度
に比べて低くなり、ガラス微粒子は基板のみに推積され
るので、基板の取り出しも容易となり、取り出し時に基
板に亀裂が入ったり、ガラス微粒子層が剥れることもな
くなるので、これをガラス化して得た酸化物ガラス膜は
クラック発生や微結晶等の欠陥のないものとなり、光を
導波したときに伝搬損失の原因となることもなくなると
いう有利性が与えられる。
Therefore, according to this, since the substrate is fixed to the turntable by the electrostatic chuck, the substrate does not move even while the turntable rotates, and the substrate is heated by the electrostatic chuck with a heater. Therefore, only the substrate is heated, the temperature of the turntable becomes lower than the temperature of the substrate, and the glass particles are deposited only on the substrate, making it easy to take out the substrate and cracking the substrate at the time of taking out. Since the glass fine particle layer will not be peeled off, the oxide glass film obtained by vitrifying this will be free from defects such as crack generation and microcrystals, which will cause propagation loss when light is guided. The advantage is also given.

【0010】なお、ここで用いられるヒーター付静電チ
ャックは公知のものでよく、例えば図7に示すものが例
示される。図7によれば、このヒーター付静電チャック
は、アルミナ等のセラミックスよりなる基板21の一方の
面にタングステン等導電性物質よりなる静電チャック用
電極22が形成され、これには電源回路26が接続されてお
り、他の面には導電性物質よりなる加熱用電極23が形成
されており、これには電源回路25が接続されており、こ
の基板21と両電極22、23は絶縁層24により被覆されてい
る構造となっている。そして各電源回路25、26に通電す
ることによってヒーター付静電チャックとして基板2を
吸着し、加熱する作用を有する。
The electrostatic chuck with a heater used here may be a known one, for example, the one shown in FIG. According to FIG. 7, in this electrostatic chuck with a heater, an electrostatic chuck electrode 22 made of a conductive material such as tungsten is formed on one surface of a substrate 21 made of ceramics such as alumina. Is connected, and a heating electrode 23 made of a conductive material is formed on the other surface, and a power circuit 25 is connected to this, and this substrate 21 and both electrodes 22, 23 are insulating layers. The structure is covered by 24. When the power supply circuits 25 and 26 are energized, the electrostatic chuck with a heater attracts and heats the substrate 2.

【0011】また、この場合ここに使用される原料ガス
は SiCl4を主体とするものとされるが、これがコア層を
形成するものであるときには SiCl4+GeCl4 混合ガスと
してSiO2+GeO2を、SiCl+TiCl4 混合ガスとしてSiO2
TiO2を、 SiCl4+ GeCl4+BBr3+POCl3 混合ガスとして
SiO2+GeO2+B2O3+P2O5を、また SiCl4+ TiCl4+BBr3
+POCl3 混合ガスとしてSiO2+TiO2+B2O3+P2O5を発生
させるようにしてもよいし、これがクラッド層を形成す
るものであるときにはSiO2、SiO2+P2O5+B2O3を形成す
るように各元素のハロゲン化物やアルコキシドを使用す
るようにすればよい。
Further, in this case, the raw material gas used here is mainly composed of SiCl 4 , but when it forms the core layer, SiO 2 + GeO 2 is mixed as SiCl 4 + GeCl 4 mixed gas, SiO 2 + as mixed gas of SiCl + TiCl 4
TiO 2 as a mixed gas of SiCl 4 + GeCl 4 + BBr 3 + POCl 3
SiO 2 + GeO 2 + B 2 O 3 + P 2 O 5 and also SiCl 4 + TiCl 4 + BBr 3
SiO 2 + TiO 2 + B 2 O 3 + P 2 O 5 may be generated as a + POCl 3 mixed gas, or when this forms a cladding layer, SiO 2 , SiO 2 + P 2 O 5 + B 2 O 3 A halide or alkoxide of each element may be used so as to form

【0012】なお、このターンテーブルとしては非金属
材料からなるもので融点の高い材料からなるものとする
ことが望ましいことから、石英やカーボン、アルミナ等
からなるものとすることがよいが、推積中反応性の乏し
いものとすることからは石英とすることが望ましい。ま
た、ここに使用するヒーター付静電チャックは、これを
ターンテーブルに組み入れるためにターンテーブルに凹
部を設けてここに設置することがよく、このものは上述
のように基材に静電チャック用電極と加熱用電極を形成
したものとして外部からの給電で作動するものとすれば
よいが、この加熱用電極は熱分解無鉛からなるものとす
れば 1,000℃まで昇温可能なものになる。
The turntable is preferably made of a non-metallic material having a high melting point, so that it is preferably made of quartz, carbon, alumina or the like. Quartz is desirable because it has a low medium reactivity. In addition, the electrostatic chuck with a heater used here may be installed here by providing a recess in the turntable in order to incorporate the electrostatic chuck in the turntable. The electrode and the heating electrode may be formed to operate by external power supply, but if the heating electrode is made of pyrolytic lead-free, the temperature can be raised to 1,000 ° C.

【0013】[0013]

【実施例】つぎに本発明の実施例をあげる。 実施例 石英製のターンテーブルの表面に図7に示す外径10cmの
ヒーター付静電チャックを設置し、この上に外径10cm、
厚さ 1.0mmのシリコン基板を載せて静電チャックで固定
した。ついで、この基板をヒーター付静電チャックで 8
00℃に加熱し、基板面内の温度分布をしらべたところ、
800℃±10℃であった。
EXAMPLES Next, examples of the present invention will be given. Example An electrostatic chuck with a heater having an outer diameter of 10 cm shown in FIG. 7 was installed on the surface of a quartz turntable, and an outer diameter of 10 cm was placed on the electrostatic chuck.
A 1.0 mm thick silicon substrate was placed and fixed with an electrostatic chuck. Then, this substrate is
After heating to 00 ℃ and examining the temperature distribution on the substrate surface,
It was 800 ° C ± 10 ° C.

【0014】つぎに、この基板に原料ガスとしての SiC
l4、BBr3、POCl3 を添加したガス流量が、H2 3.0 L/
分、O2 4.0 L/分、Ar 1.6L/分、SiCl4 120cc/分、BB
r3 20cc/分、POCl3 50cc/分である、ストローク長 120
mmの酸水素火炎バーナーからの火炎を移動速度1mm/
秒、ターンテーブルの回転速度5rpm で移動させながら
吹きつけて、基板上にガラス微粒子を推積させたとこ
ろ、1時間後に基板上に厚さ0.2mmのガラス微粒子の推
積がみられたがターンテーブルへのガラス微粒子の推積
は殆んどみられなかったので、これから基板のみを取り
出し、この基板を電気炉を用いてHe1L/分+O2 1L/
分の雰囲気中において 1,270℃で焼結したところ、透明
なガラス膜を得ることができ、このガラス膜を顕微鏡で
観察したところ、これにはクラックや微結晶の発生は見
られなかった。
Next, SiC as a raw material gas was applied to this substrate.
The gas flow rate with addition of l 4 , BBr 3 , and POCl 3 is H 2 3.0 L /
Min, O 2 4.0 L / min, Ar 1.6 L / min, SiCl 4 120cc / min, BB
r 3 20cc / min, POCl 3 50cc / min, stroke length 120
mm moving speed of 1 mm / mm of flame from oxyhydrogen flame burner
When the glass particles were sprayed onto the substrate by spraying while moving at a rotation speed of the turntable of 5 rpm for 2 seconds, the glass particles with a thickness of 0.2 mm were deposited on the substrate after 1 hour. Almost no deposition of glass particles on the table was observed, so only the substrate was taken out from this, and this substrate was heated to 1 L / min + O 2 1 L / min using an electric furnace.
A transparent glass film could be obtained by sintering at 1,270 ° C. in a minute atmosphere, and when the glass film was observed with a microscope, neither cracks nor microcrystals were found.

【0015】[0015]

【発明の効果】本発明は酸化物ガラス膜製造装置に関す
るものであるが、これによればターンテーブル上に固定
された静電チャックの上に基板がターンテーブルの回転
中にも動かないように固定され、この基板はこの静電チ
ャックに併設されているヒーターにより加熱されるが、
ターンテーブルはあまり加熱されないので、基板への酸
水素火炎バーナーからのガラス微粉末は基板上のみに推
積し、したがって基板の取り出し時に基板表面に亀裂が
入ったり、ガラス微粒子層が剥れることもなくなり、こ
れをガラス化して得たガラス膜はクラックや微結晶のな
いものになるという有利性が与えられる。
Industrial Applicability The present invention relates to an oxide glass film manufacturing apparatus. According to the present invention, an electrostatic chuck fixed on a turntable prevents a substrate from moving during rotation of the turntable. It is fixed and this substrate is heated by the heater attached to this electrostatic chuck,
Since the turntable is not heated so much, the fine glass powder from the oxyhydrogen flame burner onto the substrate is deposited only on the substrate, and therefore the substrate surface may be cracked or the glass fine particle layer may peel off when the substrate is taken out. The glass film obtained by vitrifying this is advantageous in that it is free of cracks and microcrystals.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の酸化物ガラス膜製造装置の斜視図を示
したものである。
FIG. 1 is a perspective view of an oxide glass film manufacturing apparatus of the present invention.

【図2】本発明の酸化物ガラス膜製造装置におけるター
ンテーブル、ヒーター付静電チャック、基板、ガラス微
粉末膜の配置例の縦断面図を示したものである。
FIG. 2 is a vertical sectional view showing an arrangement example of a turntable, an electrostatic chuck with a heater, a substrate, and a glass fine powder film in the oxide glass film manufacturing apparatus of the present invention.

【図3】公知の酸化物ガラス膜製造装置の斜視図を示し
たものである。
FIG. 3 is a perspective view of a known oxide glass film manufacturing apparatus.

【図4】公知の酸化物ガラス膜製造装置の加熱装置配置
の縦断面図を示したものである。
FIG. 4 is a vertical cross-sectional view of a heating device arrangement of a known oxide glass film manufacturing apparatus.

【図5】従来公知の酸化物ガラス膜製造装置における余
剰ガラス微粒子排気装置の縦断面図を示したものであ
る。
FIG. 5 is a vertical cross-sectional view of a surplus glass particulate exhaust device in a conventionally known oxide glass film manufacturing apparatus.

【図6】従来公知の酸化物ガラス膜製造装置における基
板へのガラス微粉末膜形成状態の縦断面図を示したもの
である。
FIG. 6 is a vertical sectional view showing a state in which a glass fine powder film is formed on a substrate in a conventionally known oxide glass film manufacturing apparatus.

【図7】公知のヒーター付静電チャックの縦断面図の一
例を示したものである。
FIG. 7 shows an example of a vertical sectional view of a known electrostatic chuck with a heater.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,11…ターンテーブル 2,12…基板 3,13…酸水素火炎バーナー 4…バーナー移動シャフト 5,17…排気管 6…ヒーター付静電チャック 7,18…ガラス微粒子膜 14…基板ホルダー 15…基板加熱ヒーター 16…高温ガス流 21…基板 22…静電チャック用電極 23…加熱用電極 24…絶縁層 25,26…電源回路 1, 11 ... turntable 2, 12 ... substrate 3, 13 ... oxyhydrogen flame burner 4 ... burner moving shaft 5, 17 ... exhaust pipe 6 ... electrostatic chuck with heater 7, 18 ... glass particle film 14 ... substrate holder 15 ... Substrate heating heater 16 ... High temperature gas flow 21 ... Substrate 22 ... Electrostatic chuck electrode 23 ... Heating electrode 24 ... Insulating layer 25, 26 ... Power supply circuit

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 酸水素火炎バーナーから酸化物ガラス微
粒子をテーブル上の基板に相対的に移動させながら推積
させてガラス微粒子層を形成し、ついでこれを加熱し、
透明化する酸化物ガラス膜製造装置において、基板の下
に基板をテーブルに固定する手段と基板を加熱する手段
とを設けてなることを特徴とする酸化物ガラス膜製造装
置。
1. A glass fine particle layer is formed by depositing oxide glass fine particles from an oxyhydrogen flame burner on a substrate on a table while relatively moving them, and then heating the glass fine particle layer,
An apparatus for producing an oxide glass film to be transparent, characterized in that means for fixing the substrate to a table and means for heating the substrate are provided below the substrate.
【請求項2】 基板をテーブルに固定する手段、基板を
加熱する手段がヒーター付静電チャックである請求項1
に記載した酸化物ガラス膜製造装置。
2. The electrostatic chuck with a heater is used as the means for fixing the substrate to the table and the means for heating the substrate.
The oxide glass film manufacturing apparatus described in 1.
【請求項3】 ガラス微粒子形成時に基板温度を基板下
部または外部に設けた熱源で抑制し、余剰のガラス微粒
子を基板の近くで排気する手段を設けた請求項1に記載
した酸化物ガラス膜製造装置。
3. The oxide glass film production according to claim 1, further comprising means for suppressing the substrate temperature at the time of forming the glass particles by a heat source provided under the substrate or outside, and exhausting the excess glass particles near the substrate. apparatus.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100352645B1 (en) * 1999-09-29 2002-09-12 이형종 Planar silica optical waveguide manufactural method using the High Temperature Substrate and Flame Hydrolysis Deposition method

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