JPH08307117A - Transformer coupler - Google Patents

Transformer coupler

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Publication number
JPH08307117A
JPH08307117A JP10677195A JP10677195A JPH08307117A JP H08307117 A JPH08307117 A JP H08307117A JP 10677195 A JP10677195 A JP 10677195A JP 10677195 A JP10677195 A JP 10677195A JP H08307117 A JPH08307117 A JP H08307117A
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JP
Japan
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line
sub
sub line
main line
frequency
Prior art date
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Pending
Application number
JP10677195A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Katsumoto Okino
勝基 沖野
Tadahiko Nakahara
忠彦 中原
Yukihiro Ando
幸浩 安藤
Koji Kasahara
晃二 笠原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TAISE KK
Original Assignee
TAISE KK
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Filing date
Publication date
Application filed by TAISE KK filed Critical TAISE KK
Priority to JP10677195A priority Critical patent/JPH08307117A/en
Publication of JPH08307117A publication Critical patent/JPH08307117A/en
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Abstract

PURPOSE: To obtain a transformer coupler having a low insertion loss over a wide frequency band with a small size. CONSTITUTION: A metallic piece 16 riding over a major line 12 and a sub line 13 is formed by film deposition via a dielectric material (glass) 15 on the major line 12 making up of microstrip lines formed on a dielectric board 11 and the sub line 13 in parallel with the major line 12. Then the permeability around the major line 12 and the sub line 13 is changed and the state of the electromagnetic coupling between them is changed, then the inductive component is increased without increasing the resistance of the major line 12 and the sub line 13, and the coupling degree between the major line 12 and the sub line 13 is increased. Furthermore, the adjustment range of the coupling degree between the major line 12 and the sub line 13 is extended and the frequency characteristic of an insertion loss is easily set to a desired design value and the size is made small.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、トランス結合器に関
し、特に、自動車電話及び携帯電話等の無線機器に使用
される位相分配器或いは方向性結合器等を構成するトラ
ンス結合器に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a transformer coupler, and more particularly to a transformer coupler which constitutes a phase distributor or a directional coupler used in radio equipment such as a car telephone and a mobile telephone. .

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、電子回路の小型化、集積化が進む
につれ、各素子部品の小型化かが望まれるようになって
きている。この様に小型化が望まれる素子部品の一つと
して、トランス結合器が知られている。
2. Description of the Related Art Conventionally, with the progress of miniaturization and integration of electronic circuits, miniaturization of each element component has been desired. A transformer coupler is known as one of the component parts for which miniaturization is desired.

【0003】トランス結合器の一種として、図2に示す
ような構成を有する高周波に適した方向性結合器が知ら
れている。この方向性結合器は、プリント回路基板又は
セラミック等の基板1上に主線路2と、副線路3、並び
に主線路2及び副線路3の両端の電極2a,2b,3
a,3bとを成膜して形成されている。
As a type of transformer coupler, a directional coupler having a structure as shown in FIG. 2 and suitable for high frequencies is known. This directional coupler includes a main line 2, a sub line 3, and electrodes 2a, 2b, 3 at both ends of the main line 2 and the sub line 3 on a substrate 1 such as a printed circuit board or a ceramic.
It is formed by forming a and 3b.

【0004】この方向性結合器は、一対のストリップ線
路2,3間の容量による電磁結合を利用したもので側結
合方向性結合器と呼ばれている。
This directional coupler utilizes electromagnetic coupling due to the capacitance between a pair of strip lines 2 and 3, and is called a side coupling directional coupler.

【0005】前述した方向性結合器は、図3に示すよう
に、回路基板4上における信号検出対象となる信号線路
5の途中を切断し、該切断位置に主線路2を介在させて
使用される。
As shown in FIG. 3, the above-mentioned directional coupler is used by cutting the signal line 5 which is a signal detection target on the circuit board 4 and inserting the main line 2 at the cutting position. It

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た従来の方向性結合器においては、図4に示すように周
波数が高くなるにつれ挿入損失ISN-LOSSが増加し、高周
波数帯域においての使用が困難であるという問題点があ
った。
However, in the above-described conventional directional coupler, as shown in FIG. 4, the insertion loss ISN-LOSS increases as the frequency becomes higher, which makes it difficult to use in the high frequency band. There was a problem that was.

【0007】例えば、900MHz帯用の方向性結合器
の周波数特性は図4に示すものとなる。図において、横
軸は周波数を示し、縦軸は挿入損失INS-LOSS進行波P
f、反射波Prを表し、挿入損失ISN-LOSSの単位は1d
B/DIV、進行波Pf及び反射波Prの単位は10d
B/DIVである。
For example, the frequency characteristic of the directional coupler for the 900 MHz band is as shown in FIG. In the figure, the horizontal axis represents frequency and the vertical axis represents insertion loss INS-LOSS traveling wave P.
f, reflected wave Pr, insertion loss ISN-LOSS unit is 1d
The unit of B / DIV, traveling wave Pf, and reflected wave Pr is 10d.
B / DIV.

【0008】901.5MHzにおける挿入損失ISN-LO
SSは−0.3425dBと小さいが、1.5GHz付近
では−1dB程度にまで増大している。一般に、方向性
結合器における挿入損失INS-LOSSは低いほど良いとさ
れ、実用的には−0.5dB以下が好ましい。
Insertion loss ISN-LO at 901.5 MHz
SS is as small as -0.3425 dB, but increases to about -1 dB near 1.5 GHz. In general, it is considered that the lower the insertion loss INS-LOSS in the directional coupler, the better, and practically, it is preferably -0.5 dB or less.

【0009】本発明の目的は上記の問題点に鑑み、小形
で、且つ広周波数帯域に亙って低い挿入損失を有するト
ランス結合器を提供することにある。
In view of the above problems, an object of the present invention is to provide a compact transformer coupler having a low insertion loss over a wide frequency band.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明は上記の目的を達
成するために請求項1では、絶縁体基板上に形成された
マイクロストリップ線路からなる主線路及び該主線路に
平行な少なくとも一の副線路とを備えたトランス結合器
において、前記主線路と副線路の上に絶縁物を介して前
記主線路と副線路に跨る金属片を設けたトランス結合器
を提案する。
In order to achieve the above object, the present invention provides, in claim 1, a main line composed of a microstrip line formed on an insulating substrate and at least one of the main lines parallel to the main line. In a transformer coupler including a sub line, there is proposed a transformer coupler in which a metal piece that straddles the main line and the sub line is provided on the main line and the sub line via an insulator.

【0011】また、請求項2では、請求項1記載のトラ
ンス結合器において、前記金属片を着膜により形成した
トランス結合器を提案する。
A second aspect of the present invention proposes the transformer coupler according to the first aspect, wherein the metal piece is formed of a film.

【0012】また、請求項3では、請求項1又は2記載
のトランス結合器において、前記副線路の一端に接続さ
れた終端抵抗器を前記絶縁体基板上に成膜形成したトラ
ンス結合器を提案する。
According to a third aspect of the present invention, there is proposed the transformer coupler according to the first or second aspect, in which a terminating resistor connected to one end of the sub line is formed on the insulator substrate by film formation. To do.

【0013】また、請求項4では、請求項1乃至3の何
れかに記載のトランス結合器において、前記主線路と前
記副線路との間に誘電体部材を介在したトランス結合器
を提案する。
A fourth aspect of the present invention proposes the transformer coupler according to any one of the first to third aspects, wherein a dielectric member is interposed between the main line and the sub line.

【0014】また、請求項5では、請求項1乃至4の何
れかに記載のトランス結合器において、前記主線路及び
副線路を蛇行形状に形成したトランス結合器を提案す
る。
A fifth aspect of the present invention proposes the transformer coupler according to any one of the first to fourth aspects, wherein the main line and the sub line are formed in a meandering shape.

【0015】[0015]

【作用】本発明の請求項1によれば、絶縁体基板上に形
成された主線路及び副線路上には絶縁物を介して金属片
が設けられる。これにより、前記主線路と副線路の周囲
の透磁率が変わり、前記主線路と副線路との間の電磁結
合の状態が変化される。
According to the first aspect of the present invention, the metal piece is provided on the main line and the sub line formed on the insulator substrate through the insulator. As a result, the magnetic permeability around the main line and the sub line changes, and the state of electromagnetic coupling between the main line and the sub line changes.

【0016】また、請求項2によれば、前記金属片が着
膜により形成される。
According to a second aspect of the present invention, the metal piece is formed of a film.

【0017】また、請求項3によれば、前記副線路の一
端には、前記絶縁体基板上に成膜形成された終端抵抗器
が接続され、該終端抵抗器の抵抗値を変えることにより
整合状態が変化される。
According to a third aspect of the present invention, a termination resistor formed on the insulator substrate is connected to one end of the sub line, and matching is performed by changing a resistance value of the termination resistor. The state is changed.

【0018】また、請求項4によれば、前記主線路と前
記副線路の間には誘電体部材が介在される。これによ
り、前記主線路及び副線路の特性インピーダンスが変わ
る。
According to the fourth aspect, a dielectric member is interposed between the main line and the sub line. As a result, the characteristic impedances of the main line and the sub line change.

【0019】また、請求項5によれば、前記主線路及び
副線路が蛇行形状に形成される。これにより、同一長さ
の主線路と副線路を、直線状に形成したときに比べて少
ない面積内に形成することができる。
According to a fifth aspect, the main line and the sub line are formed in a meandering shape. As a result, the main line and the sub line having the same length can be formed within a smaller area than when formed in a straight line.

【0020】[0020]

【実施例】以下、図面に基づいて本発明の一実施例を説
明する。図1は、本発明の第1の実施例を示す構成図
で、図1の(a)は平面図、図1の(b)は(a)にお
けるA−A線矢視方向の断面図であり、図5はその等価
回路図である。また、第1の実施例は、0.45〜2.
49GHz程度の周波数において用いられるように構成
されている。図において、11は例えばアルミナ等の誘
電体からなる基板で、2.0mm×1.25mm×0.4mmの矩形状を
有し、その上面には蛇行形状を有する主線路12及び副
線路13が形成されている。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. 1A and 1B are configuration diagrams showing a first embodiment of the present invention. FIG. 1A is a plan view, and FIG. 1B is a sectional view taken along line AA in FIG. Yes, FIG. 5 is an equivalent circuit diagram thereof. Further, in the first embodiment, 0.45 to 2.
It is configured to be used at a frequency of about 49 GHz. In the figure, reference numeral 11 denotes a substrate made of a dielectric material such as alumina, which has a rectangular shape of 2.0 mm × 1.25 mm × 0.4 mm, and a main line 12 and a sub line 13 having a meandering shape are formed on the upper surface thereof. There is.

【0021】主線路12及び副線路13のそれぞれは、
厚膜印刷を用いて形成された所定の幅及び厚さを有する
ストリップラインからなり、副線路13は所定の間隔を
あけて主線路12に対して平行に形成されている。ま
た、主線路12及び副線路13の中央部には、主線路1
2と副線路13との間に所定の誘電体、例えばガラス1
5が介在されると共に、ガラス15の表面には例えば金
等からなる金属片16が着膜形成されている。
Each of the main line 12 and the sub line 13 is
The sub-line 13 is formed in parallel with the main line 12 with a predetermined interval, and is composed of a strip line having a predetermined width and thickness formed by thick film printing. In addition, in the central portion of the main line 12 and the sub line 13, the main line 1
2 and the sub line 13 have a predetermined dielectric, for example, glass 1
5, the metal piece 16 made of, for example, gold is deposited on the surface of the glass 15.

【0022】前述の構成によれば、主線路12及び副線
路13のそれぞれはインダクタを構成し、さらにこれら
の主線路12及び副線路13は接近して配置されると共
に、これらの間には誘電体が介在されているので、主線
路12と副線路13は誘導結合及び容量結合をなす。従
って、周知の容量誘導型トランス結合器が構成される。
According to the above structure, each of the main line 12 and the sub line 13 constitutes an inductor, and the main line 12 and the sub line 13 are arranged close to each other, and a dielectric is provided between them. Since the body is interposed, the main line 12 and the sub line 13 form inductive coupling and capacitive coupling. Therefore, a well-known capacitance inductive transformer coupler is constructed.

【0023】このトランス結合器を用いて方向性結合器
を構成するには、図6に示すように副線路の一端13a
に終端抵抗器Rを接続すれば良い。これにより、主線路
12の他端12bから一端12aへ向かう信号のみが、
副線路13の他端13bに出力される。
To construct a directional coupler using this transformer coupler, one end 13a of the sub line is formed as shown in FIG.
The terminating resistor R may be connected to. Thereby, only the signal from the other end 12b of the main line 12 to the one end 12a is
It is output to the other end 13b of the sub line 13.

【0024】図7は、図6に示した方向性結合器におけ
る特性の実測値を示す図である。図において、横軸は周
波数を、また縦軸は挿入損失INS-LOSS、順方向結合度P
f、及び逆方向結合度Prを表している。実測における
周波数は0.1〜3.0GHzとした。
FIG. 7 is a diagram showing measured values of characteristics of the directional coupler shown in FIG. In the figure, the horizontal axis is frequency and the vertical axis is insertion loss INS-LOSS, forward coupling P
f and the reverse coupling Pr. The frequency measured was 0.1 to 3.0 GHz.

【0025】挿入損失INS-LOSSは周波数が変化してもほ
ぼ一定値を維持し、0.45GHz,0.9GHz,1.5GHz, 1.9GHz,
2.4GHzの5つの周波数f1 〜f5 における値はそれぞれ
-0.10dB,-0.16dB,-0.26dB,-0.34dB,-0.38dB となり、実
用上支障の無い値となっている。また、周波数f1 〜f
5 における順方向結合度Pfは-29.71dB, -23.81dB,-1
9.70dB,-17.76dB, -15.74dBとなり、逆方向結合度Pr
は-49.12dB, -37.00dB,-28.65dB, -24.99dB, -21.59dB
となった。これにより、各周波数f1 〜f5 における分
離度は19.42dB,13.18dB, 8.95dB, 6.34dB, 5.06dB とな
った。従って、広帯域に亙って使用可能な小型の方向性
結合器を得ることができた。
Insertion loss INS-LOSS maintains an almost constant value even when the frequency changes, and 0.45GHz, 0.9GHz, 1.5GHz, 1.9GHz,
The values at five frequencies f1 to f5 of 2.4 GHz are respectively
The values are -0.10dB, -0.16dB, -0.26dB, -0.34dB, -0.38dB, which are values that do not hinder practical use. Also, the frequencies f1 to f
The forward coupling Pf at 5 is -29.71dB, -23.81dB, -1
9.70dB, -17.76dB, -15.74dB, reverse coupling Pr
Is -49.12dB, -37.00dB, -28.65dB, -24.99dB, -21.59dB
Became. As a result, the degree of separation at each of the frequencies f1 to f5 was 19.42 dB, 13.18 dB, 8.95 dB, 6.34 dB, 5.06 dB. Therefore, it is possible to obtain a small directional coupler that can be used over a wide band.

【0026】また、前述したガラス15及び金属片16
の面積を変えることにより、結合度及び分離度を広範囲
に亙って変化させることができ、この場合、終端抵抗器
Rの抵抗値を変えることにより、容易に整合をとること
ができる。さらに、1/4波長結合線路を用いた方向性
結合器に比べて実装時の占有面積を1/10以下に小型
化することができる。
The glass 15 and the metal piece 16 described above are also used.
The degree of coupling and the degree of isolation can be changed over a wide range by changing the area of the terminal, and in this case, matching can be easily achieved by changing the resistance value of the termination resistor R. Further, the occupied area at the time of mounting can be reduced to 1/10 or less as compared with the directional coupler using the 1/4 wavelength coupled line.

【0027】次に、本発明の第2の実施例を説明する。
図8は第2の実施例のトランス結合器を示す平面図であ
る。図において、前述した第1の実施例と同一構成部分
は同一符号をもって表しその説明を省略する。
Next, a second embodiment of the present invention will be described.
FIG. 8 is a plan view showing the transformer coupler of the second embodiment. In the figure, the same components as those in the first embodiment described above are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted.

【0028】また、第1の実施例と第2の実施例との相
違点は、ガラス15及び金属片16の幅を変えたことに
ある。即ち、ガラス15及び金属片16の主線路12及
び副線路13に沿った長さは第1の実施例と同じに設定
し、幅を主線路12の中央から副線路13の中央までに
設定した。
The difference between the first embodiment and the second embodiment is that the widths of the glass 15 and the metal piece 16 are changed. That is, the lengths of the glass 15 and the metal piece 16 along the main line 12 and the sub line 13 are set to be the same as those in the first embodiment, and the width is set from the center of the main line 12 to the center of the sub line 13. .

【0029】図9は、第2の実施例におけるトランス結
合器の副線路13の一端13aに第1の実施例と同様に
終端抵抗器を接続して方向性結合器を構成したときの特
性の実測値を示す図である。図において、横軸は周波数
を、また縦軸は挿入損失INS-LOSS、順方向結合度Pf、
及び逆方向結合度Prを表している。実測における周波
数は0.1〜3.0GHzとした。
FIG. 9 shows characteristics of a directional coupler formed by connecting a terminating resistor to one end 13a of the sub line 13 of the transformer coupler in the second embodiment as in the first embodiment. It is a figure which shows a measured value. In the figure, the horizontal axis represents frequency, the vertical axis represents insertion loss INS-LOSS, forward coupling Pf,
And the reverse coupling Pr. The frequency measured was 0.1 to 3.0 GHz.

【0030】挿入損失INS-LOSSは、第1の実施例と同様
に周波数が変化してもほぼ一定値を維持し、0.45GHz,0.
9GHz, 1.5GHz, 1.9GHz, 2.4GHzの5つの周波数f1 〜f
5 における値はそれぞれ-0.11dB,-0.16dB,-0.26dB,-0.3
4dB,-0.38dB となり、実用上支障の無い値となってい
る。また、周波数f1 〜f5 における順方向結合度Pf
は-29.16dB, -23.28dB, -19.09dB, -17.03dB, -14.85dB
となり、逆方向結合度Prは-47.64dB, -35.65dB, -27.
32dB, -23.63dB, -20.16dBとなった。これにより、各周
波数f1 〜f5 における分離度は18.48dB,12.38dB, 8.2
3dB, 6.60dB, 5.32dB となった。従って、広帯域に亙っ
て使用可能な小型の方向性結合器を得ることができた。
The insertion loss INS-LOSS maintains a substantially constant value even when the frequency changes, as in the first embodiment, 0.45 GHz, 0.
5 frequencies f1 to f of 9GHz, 1.5GHz, 1.9GHz, 2.4GHz
The values at 5 are -0.11dB, -0.16dB, -0.26dB, -0.3, respectively.
The values are 4 dB and -0.38 dB, which are practically unproblematic values. Also, the degree of forward coupling Pf at frequencies f1 to f5
Is -29.16dB, -23.28dB, -19.09dB, -17.03dB, -14.85dB
Therefore, the reverse coupling Pr is -47.64dB, -35.65dB, -27.
It became 32dB, -23.63dB, -20.16dB. As a result, the separation at each frequency f1 to f5 is 18.48dB, 12.38dB, 8.2.
It became 3dB, 6.60dB, 5.32dB. Therefore, it is possible to obtain a small directional coupler that can be used over a wide band.

【0031】次に、本発明の第3の実施例を説明する。
図10は第3の実施例のトランス結合器を示す平面図で
ある。図において、前述した第2の実施例と同一構成部
分は同一符号をもって表しその説明を省略する。
Next, a third embodiment of the present invention will be described.
FIG. 10 is a plan view showing the transformer coupler of the third embodiment. In the figure, the same components as those of the second embodiment described above are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted.

【0032】また、第2の実施例と第3の実施例との相
違点は、ガラス15及び金属片16の幅を変えたことに
ある。即ち、ガラス15及び金属片16の主線路12及
び副線路13に沿った長さは第1の実施例と同じに設定
し、幅を主線路12の外側端から副線路13の外側端ま
でに設定した。
Further, the difference between the second embodiment and the third embodiment is that the widths of the glass 15 and the metal piece 16 are changed. That is, the lengths of the glass 15 and the metal piece 16 along the main line 12 and the sub line 13 are set to be the same as in the first embodiment, and the width is set from the outer end of the main line 12 to the outer end of the sub line 13. Set.

【0033】図11は、第3の実施例におけるトランス
結合器の副線路13の一端13aに第2の実施例と同様
に終端抵抗器を接続して方向性結合器を構成したときの
特性の実測値を示す図である。図において、横軸は周波
数を、また縦軸は挿入損失INS-LOSS、順方向結合度P
f、及び逆方向結合度Prを表している。実測における
周波数は0.1〜3.0GHzとした。
FIG. 11 shows the characteristics when a directional coupler is constructed by connecting a terminating resistor to one end 13a of the sub line 13 of the transformer coupler in the third embodiment as in the second embodiment. It is a figure which shows a measured value. In the figure, the horizontal axis is frequency and the vertical axis is insertion loss INS-LOSS, forward coupling P
f and the reverse coupling Pr. The frequency measured was 0.1 to 3.0 GHz.

【0034】挿入損失INS-LOSSは、第1の実施例と同様
に周波数が変化してもほぼ一定値を維持し、0.45GHz,0.
9GHz, 1.5GHz, 1.9GHz, 2.4GHzの5つの周波数f1 〜f
5 における値はそれぞれ-0.09dB,-0.15dB,-0.24dB,-0.3
1dB,-0.33dB となり、実用上支障の無い値となってい
る。また、周波数f1 〜f5 における順方向結合度Pf
は-28.32dB, -22.37dB, -18.06dB, -15.95dB, -13.71dB
となり、逆方向結合度Prは-44.48dB, -33.90dB, -25.
87dB, -22.24dB, -18.82dBとなった。これにより、各周
波数f1 〜f5 における分離度は16.16dB,11.53dB, 7.8
0dB, 6.29dB, 5.11dB となった。従って、広帯域に亙っ
て使用可能な小型の方向性結合器を得ることができた。
The insertion loss INS-LOSS maintains a substantially constant value even when the frequency changes, as in the first embodiment, 0.45 GHz, 0.
5 frequencies f1 to f of 9GHz, 1.5GHz, 1.9GHz, 2.4GHz
The values at 5 are -0.09dB, -0.15dB, -0.24dB, -0.3, respectively.
The values are 1 dB and -0.33 dB, which are practically unproblematic. Also, the degree of forward coupling Pf at frequencies f1 to f5
Is -28.32dB, -22.37dB, -18.06dB, -15.95dB, -13.71dB
The reverse coupling Pr is -44.48dB, -33.90dB, -25.
It became 87dB, -22.24dB, -18.82dB. As a result, the degree of separation at each frequency f1 to f5 is 16.16 dB, 11.53 dB, 7.8.
It became 0dB, 6.29dB, 5.11dB. Therefore, it is possible to obtain a small directional coupler that can be used over a wide band.

【0035】次に、本発明の第4の実施例を説明する。
図12は第4の実施例のトランス結合器を示す平面図で
ある。図において、前述した第1の実施例と同一構成部
分は同一符号をもって表しその説明を省略する。
Next, a fourth embodiment of the present invention will be described.
FIG. 12 is a plan view showing the transformer coupler of the fourth embodiment. In the figure, the same components as those in the first embodiment described above are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted.

【0036】また、第1の実施例と第4の実施例との相
違点は、ガラス15及び金属片16の長さを変えたこと
にある。即ち、ガラス15及び金属片16の幅は主線路
12の内側端から副線路13の内側端までに設定し、ガ
ラス15及び金属片16に沿った長さは第1の実施例の
約2倍に設定した。
The difference between the first embodiment and the fourth embodiment is that the lengths of the glass 15 and the metal piece 16 are changed. That is, the widths of the glass 15 and the metal piece 16 are set from the inner end of the main line 12 to the inner end of the sub line 13, and the length along the glass 15 and the metal piece 16 is about twice that of the first embodiment. Set to.

【0037】図13は、第4の実施例におけるトランス
結合器の副線路13の一端13aに第1の実施例と同様
に終端抵抗器を接続して方向性結合器を構成したときの
特性の実測値を示す図である。図において、横軸は周波
数を、また縦軸は挿入損失INS-LOSS、順方向結合度P
f、及び逆方向結合度Prを表している。実測における
周波数は0.1〜3.0GHzとした。
FIG. 13 shows the characteristics of a directional coupler constructed by connecting a terminating resistor to one end 13a of the sub line 13 of the transformer coupler in the fourth embodiment in the same manner as in the first embodiment. It is a figure which shows a measured value. In the figure, the horizontal axis is frequency and the vertical axis is insertion loss INS-LOSS, forward coupling P
f and the reverse coupling Pr. The frequency measured was 0.1 to 3.0 GHz.

【0038】挿入損失INS-LOSSは、第1の実施例と同様
に周波数が変化してもほぼ一定値を維持し、0.45GHz,0.
9GHz, 1.5GHz, 1.9GHz, 2.4GHzの5つの周波数f1 〜f
5 における値はそれぞれ-0.09dB,-0.18dB,-0.29dB,-0.3
6dB,-0.36dB となり、実用上支障の無い値となってい
る。また、周波数f1 〜f5 における順方向結合度Pf
は-28.86dB, -22.95dB, -18.69dB, -16.56dB, -14.27dB
となり、逆方向結合度Prは-45.93dB, -34.54dB, -26.
33dB, -22.66dB, -19.26dBとなった。これにより、各周
波数f1 〜f5 における分離度は17.07dB,11.59dB, 7.6
4dB, 6.10dB, 4.99dB となった。従って、広帯域に亙っ
て使用可能な小型の方向性結合器を得ることができた。
The insertion loss INS-LOSS maintains a substantially constant value even when the frequency changes, as in the first embodiment, 0.45 GHz, 0.
5 frequencies f1 to f of 9GHz, 1.5GHz, 1.9GHz, 2.4GHz
The values at 5 are -0.09dB, -0.18dB, -0.29dB, -0.3, respectively.
The values are 6 dB and -0.36 dB, which are practically unproblematic values. Also, the degree of forward coupling Pf at frequencies f1 to f5
Is -28.86dB, -22.95dB, -18.69dB, -16.56dB, -14.27dB
The reverse coupling Pr is -45.93dB, -34.54dB, -26.
It became 33dB, -22.66dB, -19.26dB. As a result, the degree of separation at each frequency f1 to f5 is 17.07dB, 11.59dB, 7.6.
It became 4dB, 6.10dB, 4.99dB. Therefore, it is possible to obtain a small directional coupler that can be used over a wide band.

【0039】次に、本発明の第5の実施例を説明する。
図14は第5の実施例のトランス結合器を示す平面図で
ある。図において、前述した第2の実施例と同一構成部
分は同一符号をもって表しその説明を省略する。
Next, a fifth embodiment of the present invention will be described.
FIG. 14 is a plan view showing the transformer coupler of the fifth embodiment. In the figure, the same components as those of the second embodiment described above are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted.

【0040】また、第2の実施例と第5の実施例との相
違点は、ガラス15及び金属片16の長さを変えたこと
にある。即ち、ガラス15及び金属片16の幅は主線路
12の中央から副線路13の中央までに設定し、ガラス
15及び金属片16に沿った長さは第2の実施例の約2
倍に設定した。
Further, the difference between the second embodiment and the fifth embodiment is that the lengths of the glass 15 and the metal piece 16 are changed. That is, the width of the glass 15 and the metal piece 16 is set from the center of the main line 12 to the center of the sub line 13, and the length along the glass 15 and the metal piece 16 is about 2 of the second embodiment.
Set to double.

【0041】図15は、第5の実施例におけるトランス
結合器の副線路13の一端13aに第2の実施例と同様
に終端抵抗器を接続して方向性結合器を構成したときの
特性の実測値を示す図である。図において、横軸は周波
数を、また縦軸は挿入損失INS-LOSS、順方向結合度P
f、及び逆方向結合度Prを表している。実測における
周波数は0.1〜3.0GHzとした。
FIG. 15 shows the characteristics when a directional coupler is constructed by connecting a terminating resistor to one end 13a of the sub line 13 of the transformer coupler in the fifth embodiment as in the second embodiment. It is a figure which shows a measured value. In the figure, the horizontal axis is frequency and the vertical axis is insertion loss INS-LOSS, forward coupling P
f and the reverse coupling Pr. The frequency measured was 0.1 to 3.0 GHz.

【0042】挿入損失INS-LOSSは、第1の実施例と同様
に周波数が変化してもほぼ一定値を維持し、0.45GHz,0.
9GHz, 1.5GHz, 1.9GHz, 2.4GHzの5つの周波数f1 〜f
5 における値はそれぞれ-0.09dB,-0.16dB,-0.26dB,-0.3
2dB,-0.33dB となり、実用上支障の無い値となってい
る。また、周波数f1 〜f5 における順方向結合度Pf
は-28.12dB, -22.24dB, -17.91dB, -15.77dB, -13.49dB
となり、逆方向結合度Prは-43.81dB, -33.46dB, -25.
48dB, -21.87dB, -18.46dBとなった。これにより、各周
波数f1 〜f5 における分離度は15.69dB,11.23dB, 7.5
6dB, 6.10dB, 4.97dB となった。従って、広帯域に亙っ
て使用可能な小型の方向性結合器を得ることができた。
The insertion loss INS-LOSS maintains a substantially constant value even when the frequency changes, as in the first embodiment, 0.45 GHz, 0.
5 frequencies f1 to f of 9GHz, 1.5GHz, 1.9GHz, 2.4GHz
The values at 5 are -0.09dB, -0.16dB, -0.26dB, -0.3, respectively.
The values are 2 dB and -0.33 dB, which are practically unproblematic values. Also, the degree of forward coupling Pf at frequencies f1 to f5
Is -28.12dB, -22.24dB, -17.91dB, -15.77dB, -13.49dB
The reverse coupling Pr is -43.81dB, -33.46dB, -25.
It became 48dB, -21.87dB, -18.46dB. As a result, the degree of separation at each frequency f1 to f5 is 15.69 dB, 11.23 dB, 7.5.
It became 6dB, 6.10dB, 4.97dB. Therefore, it is possible to obtain a small directional coupler that can be used over a wide band.

【0043】次に、本発明の第6の実施例を説明する。
図16は第6の実施例のトランス結合器を示す平面図で
ある。図において、前述した第3の実施例と同一構成部
分は同一符号をもって表しその説明を省略する。
Next, a sixth embodiment of the present invention will be described.
FIG. 16 is a plan view showing the transformer coupler of the sixth embodiment. In the figure, the same components as those in the third embodiment described above are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted.

【0044】また、第3の実施例と第6の実施例との相
違点は、ガラス15及び金属片16の長さを変えたこと
にある。即ち、ガラス15及び金属片16の幅は主線路
12の外側端から副線路13の外側端までに設定し、ガ
ラス15及び金属片16に沿った長さは第3の実施例の
約2倍に設定した。
Further, the difference between the third embodiment and the sixth embodiment is that the lengths of the glass 15 and the metal piece 16 are changed. That is, the widths of the glass 15 and the metal piece 16 are set from the outer end of the main line 12 to the outer end of the sub line 13, and the length along the glass 15 and the metal piece 16 is about twice that of the third embodiment. Set to.

【0045】図17は、第6の実施例におけるトランス
結合器の副線路13の一端13aに第3の実施例と同様
に終端抵抗器を接続して方向性結合器を構成したときの
特性の実測値を示す図である。図において、横軸は周波
数を、また縦軸は挿入損失INS-LOSS、順方向結合度P
f、及び逆方向結合度Prを表している。実測における
周波数は0.1〜3.0GHzとした。
FIG. 17 shows the characteristics when a directional coupler is constructed by connecting a terminating resistor to one end 13a of the sub line 13 of the transformer coupler in the sixth embodiment, as in the third embodiment. It is a figure which shows a measured value. In the figure, the horizontal axis is frequency and the vertical axis is insertion loss INS-LOSS, forward coupling P
f and the reverse coupling Pr. The frequency measured was 0.1 to 3.0 GHz.

【0046】挿入損失INS-LOSSは、第1の実施例と同様
に周波数が変化してもほぼ一定値を維持し、0.45GHz,0.
9GHz, 1.5GHz, 1.9GHz, 2.4GHzの5つの周波数f1 〜f
5 における値はそれぞれ-0.09dB,-0.16dB,-0.27dB,-0.3
5dB,-0.37dB となり、実用上支障の無い値となってい
る。また、周波数f1 〜f5 における順方向結合度Pf
は-26.75dB, -20.70dB, -16.17dB, -13.88dB, -13.49dB
となり、逆方向結合度Prは-38.64dB, -29.96dB, -22.
65dB, -19.18dB, -15.87dBとなった。これにより、各周
波数f1 〜f5 における分離度は11.89dB, 9.26dB, 6.4
7dB, 5.30dB, 4.43dB となった。従って、広帯域に亙っ
て使用可能な小型の方向性結合器を得ることができた。
The insertion loss INS-LOSS maintains a substantially constant value even when the frequency changes, as in the first embodiment, 0.45 GHz, 0.
5 frequencies f1 to f of 9GHz, 1.5GHz, 1.9GHz, 2.4GHz
The values at 5 are -0.09dB, -0.16dB, -0.27dB, -0.3, respectively.
It is 5dB and -0.37dB, which is a value that does not hinder practical use. Also, the degree of forward coupling Pf at frequencies f1 to f5
Is -26.75dB, -20.70dB, -16.17dB, -13.88dB, -13.49dB
The reverse coupling Pr is -38.64dB, -29.96dB, -22.
It became 65dB, -19.18dB, -15.87dB. As a result, the degree of separation at each frequency f1 to f5 is 11.89 dB, 9.26 dB, 6.4.
It became 7dB, 5.30dB, 4.43dB. Therefore, it is possible to obtain a small directional coupler that can be used over a wide band.

【0047】次に、本発明の第7の実施例を説明する。
図18は第7の実施例のトランス結合器を示す構成図
で、図18の(a)は平面図、図18の(b)は(a)
におけるB−B線矢視方向の断面図である。図におい
て、前述した第6の実施例と同一構成部分は同一符号を
もって表しその説明を省略する。
Next, a seventh embodiment of the present invention will be described.
18A and 18B are configuration diagrams showing a transformer coupler of the seventh embodiment. FIG. 18A is a plan view and FIG. 18B is FIG. 18A.
FIG. 6 is a cross-sectional view taken along the line BB in FIG. In the figure, the same components as those in the sixth embodiment described above are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted.

【0048】また、第6の実施例と第7の実施例との相
違点は、ガラス15及び金属片16の幅を変えたことに
ある。即ち、ガラス15及び金属片16の長さは第6の
実施例と同じに設定し、ガラス15及び金属片16の幅
を主線路12の外側から副線路13の外側を覆うように
設定した。
Further, the difference between the sixth embodiment and the seventh embodiment is that the widths of the glass 15 and the metal piece 16 are changed. That is, the lengths of the glass 15 and the metal piece 16 are set to be the same as those in the sixth embodiment, and the widths of the glass 15 and the metal piece 16 are set so as to cover the outside of the main line 12 and the outside of the sub line 13.

【0049】図19は、第7の実施例におけるトランス
結合器の副線路13の一端13aに第6の実施例と同様
に終端抵抗器を接続して方向性結合器を構成したときの
特性の実測値を示す図である。図において、横軸は周波
数を、また縦軸は挿入損失INS-LOSS、順方向結合度P
f、及び逆方向結合度Prを表している。実測における
周波数は0.1〜3.0GHzとした。
FIG. 19 shows the characteristics when a directional coupler is constructed by connecting a terminating resistor to one end 13a of the sub line 13 of the transformer coupler in the seventh embodiment as in the sixth embodiment. It is a figure which shows a measured value. In the figure, the horizontal axis is frequency and the vertical axis is insertion loss INS-LOSS, forward coupling P
f and the reverse coupling Pr. The frequency measured was 0.1 to 3.0 GHz.

【0050】挿入損失INS-LOSSは、第1の実施例と同様
に周波数が変化してもほぼ一定値を維持し、0.45GHz,0.
9GHz, 1.5GHz, 1.9GHz, 2.4GHzの5つの周波数f1 〜f
5 における値はそれぞれ-0.08dB,-0.19dB,-0.49dB,-0.8
2dB,-1.29dB となり、実用上支障の無い値となってい
る。また、周波数f1 〜f5 における順方向結合度Pf
は-22.29dB, -16.01dB, -11.10dB, -8.69dB, -6.42dBと
なり、逆方向結合度Prは-27.88dB, -20.75dB, -14.74
dB, -11.82dB, -9.15dB となった。これにより、各周波
数f1 〜f5 における分離度は5.59dB, 4.74dB, 3.64d
B, 3.12dB, 2.73dBとなった。従って、広帯域に亙って
使用可能な小型の方向性結合器を得ることができた。
The insertion loss INS-LOSS maintains a substantially constant value even when the frequency changes, as in the first embodiment, 0.45 GHz, 0.
5 frequencies f1 to f of 9GHz, 1.5GHz, 1.9GHz, 2.4GHz
The values at 5 are -0.08dB, -0.19dB, -0.49dB, -0.8, respectively.
The values are 2 dB and -1.29 dB, which are values that do not hinder practical use. Also, the degree of forward coupling Pf at frequencies f1 to f5
Is -22.29dB, -16.01dB, -11.10dB, -8.69dB, -6.42dB, and the reverse coupling Pr is -27.88dB, -20.75dB, -14.74.
It became dB, -11.82dB, -9.15dB. As a result, the degree of separation at each frequency f1 to f5 is 5.59 dB, 4.74 dB, 3.64d.
B, 3.12dB, 2.73dB. Therefore, it is possible to obtain a small directional coupler that can be used over a wide band.

【0051】前述したように本実施例によれば、誘電体
基板11上に形成された主線路12及び副線路13上に
誘電体(ガラス)15を介して金属片16を設けること
により、主線路12と副線路13の周囲の透磁率が変わ
り、主線路12と副線路13との間の電磁結合の状態が
変化されるので、主線路12と副線路13の抵抗値を増
大させること無くインダクタンス成分を大きくすること
ができ、主線路12と副線路13との間の結合度を増大
させることができる。
As described above, according to this embodiment, the metal piece 16 is provided on the main line 12 and the sub line 13 formed on the dielectric substrate 11 with the dielectric (glass) 15 interposed therebetween. Since the magnetic permeability around the line 12 and the sub line 13 changes and the state of electromagnetic coupling between the main line 12 and the sub line 13 changes, the resistance values of the main line 12 and the sub line 13 do not increase. The inductance component can be increased, and the degree of coupling between the main line 12 and the sub line 13 can be increased.

【0052】さらに、主線路12と副線路13との間の
結合度の調整範囲が広がり、挿入損失の周波数特性を所
望の設計値に容易に設定することができると共に、形状
を小型に形成することができる。
Furthermore, the adjustment range of the degree of coupling between the main line 12 and the sub line 13 is widened, the frequency characteristic of insertion loss can be easily set to a desired design value, and the shape is made small. be able to.

【0053】また、金属片16を着膜により形成してい
るので、金属片16を所望の厚さ、所望の位置に容易に
設けることができる。
Further, since the metal piece 16 is formed by film deposition, the metal piece 16 can be easily provided at a desired thickness and a desired position.

【0054】また、主線路12と副線路13との間に誘
電体15が介在され、主線路12及び副線路13の特性
インピーダンスが変えられるので、形状をさらに小型化
することができる。さらに、主線路12及び副線路13
が蛇行形状に形成することにより、同一長さの主線路1
2と副線路13を、直線状に形成したときに比べて少な
い面積内に形成することができるので、形状をさらに小
型化することができる。
Further, since the dielectric 15 is interposed between the main line 12 and the sub line 13 to change the characteristic impedance of the main line 12 and the sub line 13, the shape can be further miniaturized. Further, the main line 12 and the sub line 13
Main line 1 of the same length by forming a meandering shape
Since the 2 and the sub line 13 can be formed within a smaller area than when they are formed in a straight line, the shape can be further downsized.

【0055】尚、本実施例では、終端抵抗器を基板11
の外部に設けて方向性結合器を形成したが、図20に示
す第8の実施例のように、基板11上に終端抵抗器17
を成膜形成し、副線路13の一端に成膜形成された終端
抵抗器17を接続して整合状態を所望の値に設定しても
良い。これにより、使用する際に整合用の抵抗器を負荷
する必要がなくなると共に、最良の整合状態に設定する
ことができる。
In this embodiment, the terminating resistor is used as the substrate 11
The directional coupler is formed outside the substrate, but the terminating resistor 17 is formed on the substrate 11 as in the eighth embodiment shown in FIG.
May be formed into a film, and the termination resistor 17 formed into a film may be connected to one end of the sub line 13 to set the matching state to a desired value. This eliminates the need to load a matching resistor at the time of use and can set the best matching state.

【0056】[0056]

【発明の効果】以上説明したように本発明の請求項1に
よれば、絶縁体基板上に形成された主線路及び副線路上
に絶縁物を介して金属片を設けることにより、前記主線
路と副線路の周囲の透磁率が変わり、前記主線路と副線
路との間の電磁結合の状態が変化されるので、前記主線
路と副線路の抵抗値を増大させること無くインダクタン
ス成分を大きくすることができ、前記主線路と副線路と
の間の結合度を増大させることができる。さらに、前記
主線路と副線路との間の結合度の調整範囲が広がり、挿
入損失の周波数特性を所望の設計値に容易に設定するこ
とができると共に、形状を小型に形成することができ
る。
As described above, according to the first aspect of the present invention, by providing a metal piece on the main line and the sub-line formed on the insulating substrate via an insulator, the main line is formed. Since the magnetic permeability around the sub line changes and the state of electromagnetic coupling between the main line and the sub line changes, the inductance component is increased without increasing the resistance value of the main line and the sub line. It is possible to increase the degree of coupling between the main line and the sub line. Further, the adjustment range of the degree of coupling between the main line and the sub line is widened, the frequency characteristic of insertion loss can be easily set to a desired design value, and the shape can be made small.

【0057】また、請求項2によれば、上記の効果に加
えて、前記金属片を着膜により形成しているので、前記
金属片を所望の厚さ、所望の位置に容易に設けることが
できる。
According to the second aspect, in addition to the above effect, since the metal piece is formed by the film deposition, the metal piece can be easily provided at a desired thickness and a desired position. it can.

【0058】また、請求項3によれば、上記の効果に加
えて、前記副線路の一端に、誘電体基板上に成膜形成さ
れた終端抵抗器が接続されて整合状態が所望の値に設定
されるので、使用する際に整合用の抵抗器を負荷する必
要がなくなると共に、最良の整合状態に設定することが
できる。
According to claim 3, in addition to the above effects, a termination resistor formed on the dielectric substrate by film formation is connected to one end of the sub-line so that the matching state becomes a desired value. Since it is set, it is not necessary to load a matching resistor at the time of use, and the best matching state can be set.

【0059】また、請求項4によれば、上記の効果に加
えて、前記主線路と副線路との間に誘電体部材が介在さ
れ、前記主線路及び副線路の特性インピーダンスが変え
られるので、形状をさらに小型化することができる。
Further, according to claim 4, in addition to the above effect, since the dielectric member is interposed between the main line and the sub line, the characteristic impedance of the main line and the sub line can be changed. The shape can be further miniaturized.

【0060】また、請求項5によれば、上記の効果に加
えて、前記主線路及び副線路を蛇行形状に形成すること
により、同一長さの主線路と副線路を、直線状に形成し
たときに比べて少ない面積内に形成することができるの
で、形状をさらに小型化することができる。
According to the fifth aspect, in addition to the above effects, the main line and the sub line are formed in a meandering shape, so that the main line and the sub line having the same length are formed in a straight line shape. Since it can be formed in a smaller area as compared with the case, the shape can be further downsized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1の実施例を示す構成図FIG. 1 is a configuration diagram showing a first embodiment of the present invention.

【図2】従来例を示す構成図FIG. 2 is a configuration diagram showing a conventional example.

【図3】従来例の使用例を示す図FIG. 3 is a diagram showing a usage example of a conventional example.

【図4】従来例の周波数特性を示す図FIG. 4 is a diagram showing frequency characteristics of a conventional example.

【図5】従来例の等価回路を示す図FIG. 5 is a diagram showing an equivalent circuit of a conventional example.

【図6】本発明の第1の実施例のトランス結合器を用い
た方向性結合器を示す図
FIG. 6 is a diagram showing a directional coupler using the transformer coupler according to the first embodiment of the present invention.

【図7】本発明の第1の実施例における方向性結合器の
周波数特性を示す図
FIG. 7 is a diagram showing frequency characteristics of the directional coupler according to the first embodiment of the present invention.

【図8】本発明の第2の実施例を示す構成図FIG. 8 is a configuration diagram showing a second embodiment of the present invention.

【図9】本発明の第2の実施例における方向性結合器の
周波数特性を示す図
FIG. 9 is a diagram showing frequency characteristics of the directional coupler according to the second embodiment of the present invention.

【図10】本発明の第3の実施例を示す構成図FIG. 10 is a configuration diagram showing a third embodiment of the present invention.

【図11】本発明の第3の実施例における方向性結合器
の周波数特性を示す図
FIG. 11 is a diagram showing frequency characteristics of the directional coupler according to the third embodiment of the present invention.

【図12】本発明の第4の実施例を示す構成図FIG. 12 is a configuration diagram showing a fourth embodiment of the present invention.

【図13】本発明の第4の実施例における方向性結合器
の周波数特性を示す図
FIG. 13 is a diagram showing frequency characteristics of the directional coupler according to the fourth embodiment of the present invention.

【図14】本発明の第5の実施例を示す構成図FIG. 14 is a configuration diagram showing a fifth embodiment of the present invention.

【図15】本発明の第5の実施例における方向性結合器
の周波数特性を示す図
FIG. 15 is a diagram showing frequency characteristics of the directional coupler according to the fifth embodiment of the present invention.

【図16】本発明の第6の実施例を示す構成図FIG. 16 is a configuration diagram showing a sixth embodiment of the present invention.

【図17】本発明の第6の実施例における方向性結合器
の周波数特性を示す図
FIG. 17 is a diagram showing frequency characteristics of the directional coupler according to the sixth embodiment of the present invention.

【図18】本発明の第7の実施例を示す構成図FIG. 18 is a block diagram showing a seventh embodiment of the present invention.

【図19】本発明の第7の実施例における方向性結合器
の周波数特性を示す図
FIG. 19 is a diagram showing frequency characteristics of the directional coupler according to the seventh embodiment of the present invention.

【図20】本発明の第8の実施例を示す構成図FIG. 20 is a configuration diagram showing an eighth embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11…基板、12…主線路、13…副線路、15…誘電
体(ガラス)、16…金属片、R,17…終端抵抗器。
11 ... Substrate, 12 ... Main line, 13 ... Sub line, 15 ... Dielectric (glass), 16 ... Metal piece, R, 17 ... Termination resistor.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 笠原 晃二 埼玉県秩父郡吉田町大字下吉田6972 株式 会社タイセー内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (72) Inventor Koji Kasahara 6972 Shimoyoshida, Yoshida-cho, Chichibu-gun, Saitama Prefecture Taisei Co., Ltd.

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 絶縁体基板上に形成されたマイクロスト
リップ線路からなる主線路及び該主線路に平行な少なく
とも一の副線路とを備えたトランス結合器において、 前記主線路と副線路の上に絶縁物を介して前記主線路と
副線路に跨る金属片を設けたことを特徴とするトランス
結合器。
1. A transformer coupler comprising a main line composed of a microstrip line formed on an insulating substrate and at least one sub line parallel to the main line, wherein the main line and the sub line are provided. A transformer coupler provided with a metal piece extending over the main line and the sub line via an insulator.
【請求項2】 前記金属片を着膜により形成したことを
特徴とする請求項1記載のトランス結合器。
2. The transformer coupler according to claim 1, wherein the metal piece is formed by a film deposition.
【請求項3】 前記副線路の一端に接続された終端抵抗
器を前記絶縁体基板上に成膜形成したことを特徴とする
請求項1又は2記載のトランス結合器。
3. The transformer coupler according to claim 1, wherein a terminating resistor connected to one end of the sub line is formed on the insulating substrate by film formation.
【請求項4】 前記主線路と前記副線路との間に誘電体
部材を介在したことを特徴とする請求項1乃至3の何れ
かに記載のトランス結合器。
4. The transformer coupler according to claim 1, further comprising a dielectric member interposed between the main line and the sub line.
【請求項5】 前記主線路及び副線路を蛇行形状に形成
したことを特徴とする請求項1乃至4の何れかに記載の
トランス結合器。
5. The transformer coupler according to claim 1, wherein the main line and the sub line are formed in a meandering shape.
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