JPH08293769A - Semiconductor integrated circuit - Google Patents

Semiconductor integrated circuit

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JPH08293769A
JPH08293769A JP7098330A JP9833095A JPH08293769A JP H08293769 A JPH08293769 A JP H08293769A JP 7098330 A JP7098330 A JP 7098330A JP 9833095 A JP9833095 A JP 9833095A JP H08293769 A JPH08293769 A JP H08293769A
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JP
Japan
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output
signal
circuit
buffer
rising
Prior art date
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Application number
JP7098330A
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Japanese (ja)
Inventor
Takashi Yonamine
隆 與那嶺
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPH08293769A publication Critical patent/JPH08293769A/en
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Abstract

PURPOSE: To provide a semiconductor integrated circuit with which an output buffer circuit is formed for shortening rise time regardlessly of the drive ability of an output buffer. CONSTITUTION: This circuit is constituted as the output buffer circuit equipped with a pulse generating circuit 4 provided with a differentiation circuit 1, an inverter 2 and a PMOS transistor 3 and an output circuit 9 which is provided with a buffer 5, an inverter 6, an NMOS transistor 7 and 8 and forms a TTL interface buffer. Concerning such an output buffer circuit, a pulse signal 103 generated by the differentiation circuit 1 is outputted from the pulse generating circuit 4 while receiving the input of a rising signal 101, and a rise signal 104 having the same polarity as this rise signal 101 is outputted from the output circuit 9 similarly while receiving the input of the rise signal 101. Then, these pulse signal 103 and rise signal 104 are instantaneously combined and outputted at the output terminal of the output buffer circuit.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路に関し、
特に出力バッファとして用いられる半導体集積回路に関
する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor integrated circuit,
In particular, it relates to a semiconductor integrated circuit used as an output buffer.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の、この種の出力バッファを形成す
る半導体集積回路においては、当該出力バッファより出
力される出力信号に要求される高速動作に対応するため
に、当該出力信号の立ち上り時間および立ち下がり時間
を短縮する方法として、一般的には、出力バッファの出
力段の駆動能力を高めることにより、その立ち上り時間
および立ち下がり時間を短かくするという方法が採られ
ている。
2. Description of the Related Art In a conventional semiconductor integrated circuit forming this type of output buffer, in order to cope with the high-speed operation required for the output signal output from the output buffer, the rise time of the output signal and As a method of shortening the fall time, generally, a method of increasing the driving capability of the output stage of the output buffer to shorten the rise time and the fall time is adopted.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】上述した従来の出力バ
ッファを形成する半導体集積回路においては、出力信号
の立ち上り時間および立ち下がり時間を短縮する方法と
して、出力バッファの駆動能力を向上させるという方策
が用いられている。これにより、当該出力バッファを形
成する半導体集積回路の出力段の出力電流量が増大する
結果となり、当該半導体集積回路のトランジスタ・サイ
ズを大型化することが必要になるとともに、その消費電
流が増大するという欠点がある。
In the conventional semiconductor integrated circuit forming the output buffer described above, there is a method of improving the driving capability of the output buffer as a method of shortening the rise time and the fall time of the output signal. It is used. This results in an increase in the amount of output current in the output stage of the semiconductor integrated circuit forming the output buffer, which necessitates an increase in the transistor size of the semiconductor integrated circuit and increases its current consumption. There is a drawback that.

【0004】本発明の目的は、前記出力バッファの駆動
能力とは無関係に、出力信号の立ち上り時間および立ち
下がり時間を短縮するとともに、消費電流を所定レベル
に抑制することのできる出力バッファを形成する半導体
集積回路を実現することにある。
An object of the present invention is to form an output buffer capable of shortening the rise time and fall time of an output signal and suppressing the consumption current to a predetermined level, regardless of the driving capability of the output buffer. It is to realize a semiconductor integrated circuit.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明の半導体集積回路
は、所定の立ち上がり入力信号を受けて、当該立ち上が
り入力信号の立ち上がりタイミングに対応してパルス信
号を生成して出力するパルス発生回路と、前記立ち上が
り入力信号を受けて、当該立ち上がり入力信号に対する
バッファとして機能する出力バッファとを備えて構成さ
れ、前記パルス発生回路より出力されるパルス信号と、
前記出力バッファの出力信号とを所定の出力端において
合成して出力する出力バッファ回路として形成される。
A semiconductor integrated circuit according to the present invention includes a pulse generation circuit which receives a predetermined rising input signal, generates a pulse signal corresponding to the rising timing of the rising input signal, and outputs the pulse signal. A pulse signal that is configured to include an output buffer that receives the rising input signal and functions as a buffer for the rising input signal, and that is output from the pulse generation circuit;
The output buffer circuit is formed as an output buffer circuit that combines the output signal of the output buffer with a predetermined output terminal and outputs the synthesized signal.

【0006】なお、前記パルス発生回路は、前記立ち上
がり入力信号を微分してパルス信号を出力する微分回路
と、当該パルス信号を入力して反転して出力する第1の
インバータと、ソースが高電位電源に接続されドレイン
が前記出力端に接続されて、前記第1のインバータより
出力されるパルス信号をゲートに入力して前記出力端に
出力するPMOSトランジスタとを備えて構成し、前記
出力バッファは、前記立ち上がり入力信号を受けて出力
するバッファと、ドレインが前記高電位電源に接続され
ソースが前記出力端に接続されて、前記バッファの出力
信号をゲートに入力して前記出力端に出力する第1のN
MOSトランジスタと、前記立ち上がり入力信号を入力
して反転して出力する第2のインバータと、ドレインが
前記出力端に接続されソースが低電位電源に接続され
て、前記第2のインバータの出力信号をゲートに入力し
て前記出力端に出力する第2のNMOSトランジスタと
を備えて構成してもよい。
The pulse generating circuit differentiates the rising input signal and outputs a pulse signal, a first inverter that inputs the pulse signal, inverts the pulse signal, and outputs the pulse signal, and the source has a high potential. A drain transistor connected to a power source and connected to the output end, and a pulse signal output from the first inverter is input to the gate and output to the output end. A buffer for receiving and outputting the rising input signal; a drain connected to the high-potential power supply and a source connected to the output terminal for inputting an output signal of the buffer to a gate and outputting to the output terminal; N of 1
A MOS transistor, a second inverter that receives the rising input signal and inverts and outputs the signal, and a drain connected to the output terminal and a source connected to a low potential power source to output the output signal of the second inverter. A second NMOS transistor that inputs to the gate and outputs to the output terminal may be provided.

【0007】[0007]

【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
Next, the present invention will be described with reference to the drawings.

【0008】図1は本発明の一実施例において形成され
る出力バッファ回路を示すブロック図である。図1に示
されるように、本実施例における出力バッファ回路は、
微分回路1、インバータ2およびPMOSトランジスタ
3を含むパルス発生回路4と、バッファ5、インバータ
6、NMOSトランジスタ7および8を含みTTLイン
ターフェ−スバッファを形成する出力回路9とを備えて
構成される。また、図2は、前記出力バッファ回路の1
例において、立ち上がり信号101の入力に対応して、
パルス発生回路4より出力されるパルス信号103と、
出力回路9より出力される立ち上がり信号104と、こ
れらのパルス信号103と立ち上がり信号104との合
成加算により生成される立ち上がり出力信号105とを
示す動作タイミング図である。
FIG. 1 is a block diagram showing an output buffer circuit formed in an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, the output buffer circuit in this embodiment is
A pulse generating circuit 4 including a differentiating circuit 1, an inverter 2 and a PMOS transistor 3, and an output circuit 9 including a buffer 5, an inverter 6, and NMOS transistors 7 and 8 to form a TTL interface buffer are configured. Further, FIG. 2 is a circuit diagram of the output buffer circuit 1
In the example, in response to the input of the rising signal 101,
A pulse signal 103 output from the pulse generation circuit 4,
5 is an operation timing chart showing a rising signal 104 output from the output circuit 9 and a rising output signal 105 generated by combining and adding the pulse signal 103 and the rising signal 104. FIG.

【0009】図1において、立ち上がり信号101は、
パルス発生回路4に含まれる微分回路1と、出力回路9
に含まれるバッファ5とインバータ6に入力される。微
分回路1においては、立ち上がり信号101の立ち上が
りが微分されてパルス信号102が生成され、インバー
タ2において反転されてPMOSトランジスタ3のゲー
トに入力される。PMOSトランジスタ3においては、
前記パルス信号がレベルアップされて反転され正極性の
パルス信号103として出力される。一方、出力回路9
においては、立ち上がり信号101はバッファ5を介し
てNMOSトランジスタ7のゲートに入力されるととも
に、他方においては、インバータ6により反転されてN
MOSトランジスタ8のゲートに入力される。NMOS
トランジスタ7とNMOSトランジスタ8は、それぞれ
バッファ5より出力される正極性の立ち上がり信号とイ
ンバータ6より出力される逆極性の立ち上がり信号の入
力を受けて、NMOSトランジスタ7は導通状態とな
り、NMOSトランジスタ8は非導通状態となって、出
力回路9からは正極性の立ち上がり信号104が出力さ
れる。これらのパルス発生回路4より出力されるパルス
信号103と、出力回路9より出力される立ち上がり信
号104は、出力バッファ回路の出力端において瞬時に
合成加算され、その結果として、立ち上り時間が短縮さ
れた立ち上がり出力信号105が得られる。
In FIG. 1, the rising signal 101 is
Differentiating circuit 1 included in pulse generating circuit 4 and output circuit 9
Is input to the buffer 5 and the inverter 6 included in. In the differentiating circuit 1, the rising edge of the rising signal 101 is differentiated to generate the pulse signal 102, which is inverted in the inverter 2 and input to the gate of the PMOS transistor 3. In the PMOS transistor 3,
The pulse signal is level-up, inverted, and output as the positive pulse signal 103. On the other hand, the output circuit 9
, The rising signal 101 is input to the gate of the NMOS transistor 7 via the buffer 5, and on the other hand, the rising signal 101 is inverted by the inverter 6
It is input to the gate of the MOS transistor 8. NMOS
The transistor 7 and the NMOS transistor 8 receive the positive-polarity rising signal output from the buffer 5 and the reverse-polarity rising signal output from the inverter 6, respectively, so that the NMOS transistor 7 becomes conductive and the NMOS transistor 8 becomes conductive. The non-conduction state is established, and the positive rising signal 104 is output from the output circuit 9. The pulse signal 103 output from the pulse generation circuit 4 and the rising signal 104 output from the output circuit 9 are instantaneously combined and added at the output end of the output buffer circuit, and as a result, the rising time is shortened. A rising output signal 105 is obtained.

【0010】1例として、NEC発行の「CMOS6/
6A/6VファミリCMOSゲ−トアレイ設計編」を参
照し、本実施例の出力バッファの出力端における負荷容
量を15pFとした場合、TTLインターフェ−スバッ
ファを形成する出力回路9の駆動能力が9mAであり、
またパルス発生回路4に含まれるPMOSトランジスタ
3の駆動能力も同じく9mAである場合には、図2に示
されるように、出力回路9より出力される立ち上り信号
104が0.3Vから2.7Vにレベルアップするまで
の立ち上り時間は約0.76nsecであり(図示され
ない)、また、PMOSトランジスタ3より出力される
パルス信号103は、当該パルス信号のピーク値1・5
Vに到達するまでの立ち上り時間は、図2に示されるよ
うに約0・58nsecである。そして、これらの立ち
上り信号104およびパルス信号103の合成によって
生成される立ち上がり出力信号105が2.7Vに達す
る時間は、図2に示されるように約0.48nsecで
ある。即ち、立ち上り信号104およびパルス信号10
3の瞬時合成により、当該出力バッファ回路の出力端か
らは、図2に示されるように、立ち上り時間が約0・3
8nsec程度短縮された立ち上がり出力信号105が
出力される。
As an example, NEC-issued "CMOS6 /
6A / 6V family CMOS gate array design edition ", if the load capacitance at the output end of the output buffer of this embodiment is 15 pF, the output circuit 9 forming the TTL interface buffer has a drive capacity of 9 mA. Yes,
When the driving capability of the PMOS transistor 3 included in the pulse generation circuit 4 is also 9 mA, as shown in FIG. 2, the rising signal 104 output from the output circuit 9 changes from 0.3V to 2.7V. The rise time until the level is raised is about 0.76 nsec (not shown), and the pulse signal 103 output from the PMOS transistor 3 has a peak value of 1.5 of the pulse signal.
The rising time to reach V is about 0.58 nsec as shown in FIG. The time required for the rising output signal 105 generated by combining the rising signal 104 and the pulse signal 103 to reach 2.7 V is about 0.48 nsec as shown in FIG. That is, the rising signal 104 and the pulse signal 10
As shown in FIG. 2, the rise time is about 0.3 from the output end of the output buffer circuit by the instant synthesis of 3.
The rising output signal 105 shortened by about 8 nsec is output.

【0011】[0011]

【発明の効果】以上説明したように、本発明は、出力バ
ッファ回路を形成する半導体集積回路に適用されて、所
定の立ち上がり信号入力に対応して出力される出力信号
と、前記立ち上がり信号入力の立ち上りタイミングにお
いて生成されるパルス信号とを、当該出力バッファ回路
の出力端において瞬時に合成することにより、出力段の
駆動能力に関係なく出力信号の立ち上がり時間を50%
程度短縮することができるという効果がある。
As described above, the present invention is applied to a semiconductor integrated circuit forming an output buffer circuit, and outputs an output signal corresponding to a predetermined rising signal input and the rising signal input. By instantaneously combining the pulse signal generated at the rising timing with the output terminal of the output buffer circuit, the rising time of the output signal is 50% regardless of the driving capability of the output stage.
The effect is that it can be shortened to some extent.

【0012】また、出力信号の立ち上がり時間の短縮
が、出力バッファ回路の出力段の駆動能力に関係なく実
現されるために、当該出力バッファ回路の消費電流が所
定レベルに抑制されるという効果がある。
Further, since the rise time of the output signal is shortened regardless of the driving capability of the output stage of the output buffer circuit, the current consumption of the output buffer circuit is suppressed to a predetermined level. .

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例を示すブロック図である。FIG. 1 is a block diagram showing one embodiment of the present invention.

【図2】本実施例における入出力信号の動作タイミング
図である。
FIG. 2 is an operation timing chart of input / output signals in the present embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 微分回路 2、6 インバータ 3 PMOSトランジスタ 4 パルス発生回路 5 バッファ 7、8 NMOSトランジスタ 9 出力回路 101 立ち上がり信号 102、103 パルス信号 104 立ち上がり信号 105 立ち上がり出力信号 1 Differentiation Circuit 2, 6 Inverter 3 PMOS Transistor 4 Pulse Generation Circuit 5 Buffer 7, 8 NMOS Transistor 9 Output Circuit 101 Rising Signal 102, 103 Pulse Signal 104 Rising Signal 105 Rising Output Signal

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 所定の立ち上がり入力信号を受けて、当
該立ち上がり入力信号の立ち上がりタイミングに対応し
てパルス信号を生成して出力するパルス発生回路と、 前記立ち上がり入力信号を受けて、当該立ち上がり入力
信号に対するバッファとして機能する出力バッファと、 を備えて構成され、前記パルス発生回路より出力される
パルス信号と、前記出力バッファの出力信号とを所定の
出力端において合成して出力する出力バッファ回路とし
て形成されることを特徴とする半導体集積回路。
1. A pulse generation circuit which receives a predetermined rising input signal and generates and outputs a pulse signal corresponding to the rising timing of the rising input signal, and the rising input signal which receives the rising input signal. And an output buffer functioning as a buffer for the output buffer circuit for forming a pulse signal output from the pulse generation circuit and an output signal of the output buffer at a predetermined output terminal and forming an output buffer circuit. And a semiconductor integrated circuit.
【請求項2】 前記パルス発生回路が、前記立ち上がり
入力信号を微分してパルス信号を出力する微分回路と、
当該パルス信号を入力して反転して出力する第1のイン
バータと、ソースが高電位電源に接続されドレインが前
記出力端に接続されて、前記第1のインバータより出力
されるパルス信号をゲートに入力して前記出力端に出力
するPMOSトランジスタとを備えて構成され、 前記出力バッファが、前記立ち上がり入力信号を受けて
出力するバッファと、ドレインが前記高電位電源に接続
されソースが前記出力端に接続されて、前記バッファの
出力信号をゲートに入力して前記出力端に出力する第1
のNMOSトランジスタと、前記立ち上がり入力信号を
入力して反転して出力する第2のインバータと、ドレイ
ンが前記出力端に接続されソースが低電位電源に接続さ
れて、前記第2のインバータの出力信号をゲートに入力
して前記出力端に出力する第2のNMOSトランジスタ
と、 を備えて構成される請求項1記載の半導体集積回路。
2. A differentiation circuit, wherein the pulse generation circuit differentiates the rising input signal and outputs a pulse signal,
A first inverter that inputs and inverts and outputs the pulse signal, and a pulse signal output from the first inverter, whose source is connected to a high-potential power supply and whose drain is connected to the output terminal, to the gate. A PMOS transistor for inputting and outputting to the output end, the output buffer receiving the rising input signal and outputting, and a drain connected to the high potential power supply and a source connected to the output end. First connected to input the output signal of the buffer to the gate and output to the output end
, An NMOS transistor, a second inverter that inputs and inverts and outputs the rising input signal, and a drain connected to the output terminal and a source connected to a low potential power source, and an output signal of the second inverter. 2. A semiconductor integrated circuit according to claim 1, further comprising: a second NMOS transistor which inputs to the gate and outputs to the output end.
JP7098330A 1995-04-24 1995-04-24 Semiconductor integrated circuit Pending JPH08293769A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015082810A (en) * 2013-10-24 2015-04-27 三菱電機株式会社 Semiconductor device and semiconductor module

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63240208A (en) * 1987-03-27 1988-10-05 Nec Corp Output buffer circuit

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Effective date: 19971104