JPH08288247A - Electron beam apparatus with plasma cleaning mechanism - Google Patents
Electron beam apparatus with plasma cleaning mechanismInfo
- Publication number
- JPH08288247A JPH08288247A JP7089715A JP8971595A JPH08288247A JP H08288247 A JPH08288247 A JP H08288247A JP 7089715 A JP7089715 A JP 7089715A JP 8971595 A JP8971595 A JP 8971595A JP H08288247 A JPH08288247 A JP H08288247A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- plasma
- vacuum container
- cleaning
- beam apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、減圧された真空容器内
に存在する不要物を除去するための、反応性ガスを用い
たプラズマクリーニング機構を備えた電子線装置に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electron beam apparatus provided with a plasma cleaning mechanism using a reactive gas for removing unnecessary substances existing in a vacuum container whose pressure is reduced.
【０００２】[0002]
【従来の技術】減圧された真空容器内において、電子線
を用いて対象物の観察または処理を行う電子線装置に
は、例えば、高倍率による試料表面の観察が可能な電子
顕微鏡やシリコンウェハー上に塗布したレジストをパタ
ーニングする電子線描画装置がある。2. Description of the Related Art An electron beam apparatus for observing or treating an object using an electron beam in a depressurized vacuum container is, for example, an electron microscope or a silicon wafer on which a sample surface can be observed at a high magnification. There is an electron beam drawing apparatus for patterning the resist applied to the.
【０００３】電子顕微鏡では、試料の一部が電子線励起
により分解・脱離したり、試料によっては、低分子物質
や高分子物質が低真空の真空容器内において飛散または
蒸散することもある。分解・脱離した試料の一部や飛散
または蒸散した低分子物質（以下、低分子物質等と略称
する場合がある）は、真空容器内の壁や電子光学系（例
えば、絞り）等の部品に付着する。In an electron microscope, a part of a sample may be decomposed / desorbed by electron beam excitation, and depending on the sample, a low molecular weight substance or a high molecular weight substance may be scattered or evaporated in a low vacuum vacuum container. Part of the decomposed / desorbed sample and scattered or evaporated low-molecular substances (hereinafter sometimes abbreviated as low-molecular substances, etc.) are parts such as walls inside the vacuum container and electron optical systems (for example, diaphragms). Adhere to.
【０００４】電子光学系の部品に前記低分子物質等が付
着した場合には、電子顕微鏡の分解能が大きく低下す
る。また、真空容器内の壁に前記低分子物質等が付着し
た場合には、別の試料を観察する際に、前記低分子物質
等が再び真空容器内に飛散または蒸散して、該別の試料
表面を汚染しやすくなる。また、電子線描画装置では、
電子線によってレジストを感光させるときに電子線によ
りレジストの一部が分解・脱離したり、レジストに含ま
れる溶媒が低真空の真空容器内において飛散または蒸散
することがある。When the low molecular weight substance or the like adheres to the components of the electron optical system, the resolution of the electron microscope is greatly reduced. Further, when the low-molecular substance or the like adheres to the wall in the vacuum container, the low-molecular substance or the like is scattered or evaporated again in the vacuum container when observing another sample, and the other sample It is easy to contaminate the surface. Further, in the electron beam drawing apparatus,
When the resist is exposed to an electron beam, a part of the resist may be decomposed / desorbed by the electron beam, or the solvent contained in the resist may be scattered or evaporated in a low-vacuum vacuum container.
【０００５】分解・脱離したレジストの一部や飛散また
は蒸散した溶媒（以下、レジスト等と略称する場合があ
る）は、真空容器内の壁に付着して絶縁性の膜を形成す
る。その結果、真空容器内の壁に電荷が蓄積されて、電
子線による正確な描画や観察を妨害する。そこで、かか
る電子線装置においては、真空容器内の不要物（例え
ば、有機汚染物）を除去するための定期的なクリーニン
グによる装置のリフレッシュ（再生）が要求される。Part of the decomposed / desorbed resist and the scattered or evaporated solvent (hereinafter sometimes abbreviated as resist etc.) adhere to the inner wall of the vacuum container to form an insulating film. As a result, electric charges are accumulated on the wall inside the vacuum container, which hinders accurate drawing and observation with an electron beam. Therefore, in such an electron beam apparatus, it is required to refresh (regenerate) the apparatus by periodic cleaning for removing unnecessary substances (for example, organic contaminants) in the vacuum container.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】従来の電子線装置にお
いては、真空容器内の定期的なクリーニングを行うため
に、真空容器を大気に開放した後、容器内の部品（例え
ば、電子光学系の部品）を分解して、有機溶媒により該
分解した部品や容器内壁を洗浄していた。そのため、従
来の電子線装置においては、真空容器内のクリーニング
を行うと装置の使用効率が著しく低下するという問題点
があった。即ち、電子線装置の再生までには、真空容器
の開放→部品の分解→分解した部品と容器内壁の洗浄→
部品の組み立て→光学系の調整→真空容器の排気、とい
う長いプロセスが必要であり、装置の使用効率が著しく
低下するという問題点があった。In the conventional electron beam apparatus, in order to perform regular cleaning of the inside of the vacuum container, after opening the vacuum container to the atmosphere, the parts inside the container (for example, the electron optical system Parts) were decomposed, and the decomposed parts and the inner wall of the container were washed with an organic solvent. Therefore, in the conventional electron beam apparatus, there has been a problem that cleaning the inside of the vacuum container significantly reduces the use efficiency of the apparatus. That is, by the time the electron beam equipment is remanufactured, the vacuum container is opened → the parts are disassembled → the disassembled parts and the inner wall of the container are cleaned →
A long process of assembling parts → adjusting the optical system → evacuating the vacuum container is required, which causes a problem that the efficiency of use of the device is significantly reduced.
【０００７】本発明は、かかる問題点に鑑みてなされた
ものであり、真空容器内の定期的なクリーニングによる
装置のリフレッシュ（再生）を短時間で行うことがで
き、その結果、装置の使用効率を一段と向上させること
ができる電子線装置を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above problems, and it is possible to refresh (regenerate) the apparatus by periodically cleaning the inside of the vacuum container in a short time, and as a result, the efficiency of use of the apparatus is improved. It is an object of the present invention to provide an electron beam apparatus capable of further improving
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】そのため、本発明は第一
に「減圧された真空容器内において、電子線を用いて対
象物の観察または処理を行う電子線装置において、前記
減圧された真空容器内に存在する不要物を除去するため
の、プラズマクリーニング機構を設けたことを特徴とす
る電子線装置（請求項１）」を提供する。Therefore, a first object of the present invention is to provide an electron beam apparatus for observing or treating an object using an electron beam in a depressurized vacuum container. There is provided an electron beam apparatus (claim 1) characterized in that a plasma cleaning mechanism is provided for removing unnecessary substances existing therein.
【０００９】また、本発明は第二に「前記プラズマクリ
ーニングは、反応性ガスの活性化学種（ラジカル）の化
学作用を主体とするクリーニングであることを特徴とす
る請求項１記載の電子線装置（請求項２）」を提供す
る。また、本発明は第三に「前記反応性ガスとして酸素
ガスを用いたことを特徴とする請求項２記載の電子線装
置（請求項３）」を提供する。A second aspect of the present invention is that the plasma cleaning is cleaning mainly based on a chemical action of active chemical species (radicals) of a reactive gas. (Claim 2) "is provided. Further, the present invention thirdly provides an "electron beam apparatus (claim 3) according to claim 2, wherein oxygen gas is used as the reactive gas".
【００１０】また、本発明は第四に「前記電子装置が電
子線描画装置または電子顕微鏡であることを特徴とする
請求項１〜３記載の電子線装置（請求項４）」を提供す
る。A fourth aspect of the present invention provides "an electron beam apparatus according to any one of claims 1 to 3 (claim 4), wherein the electronic apparatus is an electron beam drawing apparatus or an electron microscope."
【００１１】[0011]
【作用】本発明の電子線装置は、減圧された真空容器内
に存在する不要物を除去するためのプラズマクリーニン
グ機構を備えている。即ち、本発明の電子線装置は、真
空容器内または真空容器外に、プラズマを発生させる機
構を設け、発生したプラズマにより、真空容器内を真空
状態に保持したままの状態にて（大気に開放することな
く）、また真空容器内の部品（例えば電子光学系の部
品）を分解することなく、真空容器内のクリーニングを
行うものである。The electron beam apparatus of the present invention is provided with a plasma cleaning mechanism for removing unnecessary substances existing in the depressurized vacuum container. That is, the electron beam apparatus of the present invention is provided with a mechanism for generating plasma inside or outside the vacuum container, and the generated plasma keeps the inside of the vacuum container in a vacuum state (opens to the atmosphere). The cleaning of the inside of the vacuum container is performed without disassembling the parts inside the vacuum container (for example, the parts of the electron optical system).
【００１２】クリーニングの作用粒子は、プラズマ中の
ラジカルやイオン等であるが、これらの作用粒子は比較
的寿命が長いので、反応しなければ長い間、その活性を
保持している。即ち、クリーニングの対象物に衝突する
まで、十分な活性（クリーニング作用）を保持してい
る。クリーニングの対象物に衝突した作用粒子は、クリ
ーニングの対象物と反応して対象物を分解・ガス化させ
る。そして、分解・ガス化したクリーニング対象物を真
空排気装置により真空容器外に排出する。例えば、主た
るクリーニング対象物である炭化水素化合物は、ＣＯ2
とＨ2 Ｏに変化させて排出する。[0012] The working particles for cleaning are radicals and ions in the plasma, but since these working particles have a relatively long life, they retain their activity for a long time if they do not react. That is, it maintains a sufficient activity (cleaning action) until it collides with an object to be cleaned. The working particles that have collided with the object to be cleaned react with the object to be cleaned and decompose and gasify the object. Then, the decomposed and gasified cleaning object is discharged to the outside of the vacuum container by the vacuum exhaust device. For example, a hydrocarbon compound that is a main cleaning target is CO 2
And change to H 2 O and discharge.
【００１３】プラズマは、１９２７年ＧＥ社のラングミ
ュアが水銀蒸気のイオン化の過程を調べているときに初
めて使用したといわれている。低圧に保たれている気体
に電界をかけると、気体中に少量存在している自由電子
が電界によって加速され大きな速度で移動する。このと
き、低圧状態であるため、電子の飛行時間はかなり長く
なって、５〜１０ｅＶ程度のエネルギーを持つことにな
る。The plasma was said to have been used for the first time in 1927 when Langmuir of GE was investigating the process of ionization of mercury vapor. When an electric field is applied to a gas kept at a low pressure, a small amount of free electrons existing in the gas are accelerated by the electric field and move at a high velocity. At this time, since it is in a low pressure state, the flight time of electrons becomes considerably long, and the electron has energy of about 5 to 10 eV.
【００１４】この加速された電子が付近に存在する原子
や分子に衝突する。その結果、原子や分子から電子が飛
びだして原子や分子がイオン化されてラジカルが生成す
る。この過程で生成した電子は、初期の電子と同じよう
に加速されて原子や分子の解離を引き起こす。 Ｏ2 → Ｏ・＋Ｏ・ ， Ｎ2 → Ｎ・＋Ｎ・ Ｈ2 Ｏ → ＯＨ・＋Ｈ・ ， ＣＨ4 → ＣＨ3 ・＋Ｈ・ 例えば、上記のような解離反応により、酸素分子であれ
ば酸素ラジカルＯ・を窒素分子であれば窒素ラジカルＮ
・を、水の分子であれば水酸基ラジカルＯＨ・と水素ラ
ジカルＨ・を、メタン分子であればメチルラジカルＣＨ
3 ・と水素ラジカルＨ・を生成する。The accelerated electrons collide with atoms and molecules existing in the vicinity. As a result, electrons are ejected from the atoms or molecules, the atoms or molecules are ionized, and radicals are generated. The electrons generated in this process are accelerated similarly to the initial electrons, causing dissociation of atoms and molecules. O 2 → O ・ + O ・, N 2 → N ・ + N ・ H 2 O → OH ・ + H ・, CH 4 → CH 3・ + H・ If is a nitrogen molecule, nitrogen radical N
, A hydroxyl radical OH · and a hydrogen radical H · for a water molecule, and a methyl radical CH for a methane molecule.
Generates 3 · and hydrogen radicals H ·.
【００１５】また、電子が衝突した原子や分子がイオン
化されるまでに至らず、励起された原子や分子が生成さ
れる。更に、解離や励起もされない原子や分子も存在す
る。さらに、解離反応の過程で紫外線も発生する。この
ように、プラズマ中には種々のものが存在している（下
記）。 電子（加速された高速電子、エネルギーを失った電
子） 励起状態にある中性の原子や分子 解離した原子や分子のラジカル 解離した原子や分子のイオン 解離反応の過程で生成する紫外線 未反応の中性原子や分子 本発明にかかるプラズマクリーニングは、プラズマを利
用して対象物の表面クリーニングを行うものであるが、
使用するガスの種類と放電電極へのバイアス電圧の印加
条件により、活性化学種（ラジカル）の化学作用がクリ
ーニングの主体となったり、ガスイオンによるスパッタ
（物理作用）がクリーニングの主体になったりする。Further, the atoms or molecules with which the electrons collide are not ionized, and excited atoms or molecules are generated. Furthermore, there are atoms and molecules that are neither dissociated nor excited. Further, ultraviolet rays are also generated during the dissociation reaction. As described above, various types of plasma exist (below). Electron (accelerated high-speed electron, energy-loss electron) Neutral atom or molecule in excited state Dissociated atom or molecule radical Dissociated atom or molecule ion Dissociated ultraviolet ray generated in the process of dissociation reaction Plasma Atoms and Molecules Plasma cleaning according to the present invention uses plasma to clean the surface of an object.
Depending on the type of gas used and the conditions for applying a bias voltage to the discharge electrode, the chemical action of active chemical species (radicals) may be the main cleaning element, or sputtering by gas ions (physical action) may be the main cleaning element. .
【００１６】例えば、使用ガスとして反応性ガス（例え
ば、Ｏ2 ，ＮＦ3 ，ＣＦ4 ，ＳＦ6）を用い、放電電極
へのバイアス電圧の印加を行わない場合には、クリーニ
ングの作用粒子はラジカル（例えば、前記反応性ガスの
構成原子のラジカル）となりクリーニングの対象物（容
器内に付着した不要物、例えば有機汚染物）以外のもの
（例えば、光学部品）への作用粒子によるダメージをな
くすことができる。For example, when a reactive gas (for example, O 2 , NF 3 , CF 4 , SF 6 ) is used as a used gas and a bias voltage is not applied to the discharge electrode, the cleaning particles are radicals. (For example, radicals of the constituent atoms of the reactive gas) to prevent damage by action particles to things (for example, optical parts) other than the object to be cleaned (unnecessary substances adhering to the container, for example, organic contaminants). You can
【００１７】また、使用ガスとして反応性ガス（例え
ば、Ｏ2 ，ＮＦ3 ，ＣＦ4 ，ＳＦ6 ）を用い、放電電極
への小さいバイアス電圧の印加を行う場合には、クリー
ニングの作用粒子はラジカル及びイオンとなるが、この
場合には、前記クリーニングの対象物（容器内に付着し
た不要物、例えば有機汚染物）以外のもの（例えば、光
学部品）への作用粒子によるダメージが多少ある。When a reactive gas (for example, O 2 , NF 3 , CF 4 , SF 6 ) is used as a used gas and a small bias voltage is applied to the discharge electrode, the cleaning particles are radicals. However, in this case, there is some damage due to the acting particles to other objects (for example, optical parts) other than the cleaning target object (unnecessary substances attached to the container, for example, organic contaminants).
【００１８】また、使用ガスとして不活性ガス（例え
ば、Ｎ2 ，Ａｒ）を用い、放電電極への大きいバイアス
電圧の印加を行う場合には、クリーニングの作用粒子は
イオンとなるが、この場合にも、クリーニングの対象物
以外のもの（例えば、光学部品）への作用粒子によるダ
メージがある。従って、本発明にかかるプラズマクリー
ニングは、クリーニングの対象物以外のもの（例えば、
光学部品）への作用粒子によるダメージがない反応性ガ
スの活性化学種（ラジカル）の化学作用を主体とするク
リーニングであることが好ましい（請求項２）。When an inert gas (for example, N 2 or Ar) is used as a used gas and a large bias voltage is applied to the discharge electrode, the cleaning particles become ions. In this case, Also, there is damage due to the acting particles on things (for example, optical parts) other than the object to be cleaned. Therefore, the plasma cleaning according to the present invention is not limited to the cleaning target (for example,
It is preferable that the cleaning is mainly based on the chemical action of the active chemical species (radicals) of the reactive gas that does not damage the optical component) by the acting particles (claim 2).
【００１９】また、真空容器内の不要物が主として有機
物である場合には、前記反応性ガスとして酸素ガスを用
いることが好ましい（請求項３）。反応性ガスとして酸
素ガスを用いた場合、プラズマ中に活性化学種（ラジカ
ル）として酸素ラジカルが生じ、クリーニングの対象物
（容器内に付着した不要物、主として有機物）の表面で
激しい酸化反応が行われる。そして不要物が酸化分解さ
れてＣＯ，ＣＯ2 ，Ｈ2 Ｏに変化して排除される。When the unnecessary substances in the vacuum container are mainly organic substances, it is preferable to use oxygen gas as the reactive gas (claim 3). When oxygen gas is used as the reactive gas, oxygen radicals are generated as active chemical species (radicals) in the plasma, and a vigorous oxidation reaction occurs on the surface of the object to be cleaned (unwanted substances adhering to the container, mainly organic substances). Be seen. Then, the unnecessary substances are oxidized and decomposed into CO, CO 2 , and H 2 O, which are eliminated.
【００２０】また、真空容器内の不要物が主としてポリ
シリコン、窒化シリコン、または酸化シリコン等のシリ
コン系物質である場合には、前記反応性ガスとしてＮＦ
3 ，ＣＦ4 ，ＳＦ6 またはこれらの混合ガスを用いるこ
とが好ましい場合もある。なお、反応性ガスとしてＮＦ
3 ，ＣＦ4 ，ＳＦ6 等のフッ素系ガスを使用する場合に
は、ガスが容器の内壁等に堆積（蒸着）しやすいので、
堆積（蒸着）しない条件にて使用することが好ましい。
例えば、Ｎ2 Ｏ，Ａｒ，Ｎ2 ，Ｈｅ等のガス（キャリア
ガス）と併用することが好ましい。When the unnecessary substance in the vacuum container is mainly a silicon-based substance such as polysilicon, silicon nitride, or silicon oxide, the reactive gas is NF.
In some cases, it may be preferable to use 3 , CF 4 , SF 6, or a mixed gas thereof. NF is used as the reactive gas.
When a fluorine-based gas such as 3 , CF 4 or SF 6 is used, the gas easily deposits (vaporizes) on the inner wall of the container, etc.
It is preferable to use it under the condition that it is not deposited (evaporated).
For example, it is preferable to use it in combination with a gas (carrier gas) such as N 2 O, Ar, N 2 , or He.
【００２１】本発明にかかるプラズマクリーニング機構
には、例えば、二つの板状電極の間に無電極放電によ
りプラズマを発生させて、二つの板状電極の間及びプラ
ズマ中にある対象物をクリーニングするもの、コイル
の内部に無電極放電によりプラズマを発生させて、コイ
ルの内部及びプラズマ中にある対象物をクリーニングす
るもの、有電極放電によりプラズマを別空間で発生さ
せて、該プラズマをクリーニング対象の真空容器内部に
導入して対象物をクリーニングするもの、などがある。In the plasma cleaning mechanism according to the present invention, for example, plasma is generated by electrodeless discharge between two plate-shaped electrodes to clean an object between the two plate-shaped electrodes and in the plasma. Thing, which generates plasma by electrodeless discharge inside the coil and cleans the object inside the coil and the plasma, generates plasma in another space by electroded discharge and cleans the plasma For example, there is one that is introduced into a vacuum container to clean an object.
【００２２】このうち、は均一かつ低温でのクリーニ
ングが可能であるので、特に好ましい。本発明にかかる
プラズマクリーニング機構は、電子線描画装置または電
子顕微鏡に用いて好適である（請求項４）。以下、本発
明を実施例により更に詳細に説明するが、本発明はこの
例に限定されるものではない。Of these, particularly preferable are those which can be uniformly cleaned at low temperature. The plasma cleaning mechanism according to the present invention is suitable for use in an electron beam drawing apparatus or an electron microscope (claim 4). Hereinafter, the present invention will be described in more detail by way of examples, but the present invention is not limited to these examples.
【００２３】[0023]
【実施例】本実施例の電子線装置（電子線描画装置）の
概略構成図を図１に示す。本実施例の電子線装置（電子
線描画装置）には、処理試料が置かれるステージ（試料
台）８が配置された真空容器（試料室）６に連結して、
酸素プラズマ３を生成するプラズマ２室が設けられてい
る。EXAMPLE FIG. 1 shows a schematic configuration diagram of an electron beam apparatus (electron beam drawing apparatus) of this example. The electron beam apparatus (electron beam drawing apparatus) of this embodiment is connected to a vacuum container (sample chamber) 6 in which a stage (sample stage) 8 on which a processed sample is placed is arranged,
A plasma 2 chamber for generating oxygen plasma 3 is provided.
【００２４】プラズマ室２に導入（流量１００ｍｌ／ｍ
ｉｎ）された酸素ガス（ガス圧１Ｔｏｒｒ）は、ＲＦ電
源１により高周波電圧（３００Ｗ）が印加された電極間
で放電して、酸素ラジカルＯ・が主体のプラズマ３とな
り、該プラズマ３は真空排気装置（真空ポンプ）９によ
り真空容器（試料室）６内に導入される。クリーニング
の主たる作用粒子となるプラズマ３中の酸素ラジカル
は、寿命が長いので、反応しなければ長い間、その活性
を保持している。即ち、クリーニングの対象物に衝突す
るまで、十分な活性（クリーニング作用）を保持してい
る。Introduction into plasma chamber 2 (flow rate 100 ml / m
The (in) oxygen gas (gas pressure 1 Torr) is discharged between the electrodes to which a high frequency voltage (300 W) is applied by the RF power source 1, and oxygen radicals O. It is introduced into a vacuum container (sample chamber) 6 by a device (vacuum pump) 9. The oxygen radicals in the plasma 3, which are the main action particles for cleaning, have a long life, and therefore retain their activity for a long time if they do not react. That is, it maintains a sufficient activity (cleaning action) until it collides with an object to be cleaned.
【００２５】クリーニングの対象物に衝突した作用粒子
は、クリーニングの対象物（真空容器６内の不要物、主
として有機不純物）と反応して、対象物を分解・ガス化
させる。そして、分解・ガス化したクリーニング対象物
は、真空排気装置（真空ポンプ）９により真空容器外に
排出される。本実施例の電子線装置は、真空容器６に隣
接（連結）するプラズマ室２にて発生させたプラズマ３
により、真空容器６内を真空状態に保持したままの状態
にて（大気に開放することなく）、また真空容器６内の
部品（例えば電子光学系の部品）を分解することなく、
短時間で真空容器６内のクリーニングを行うことができ
た。The working particles that have collided with the object to be cleaned react with the object to be cleaned (unnecessary substances in the vacuum container 6, mainly organic impurities) to decompose and gasify the object. Then, the decomposed and gasified cleaning object is discharged to the outside of the vacuum container by a vacuum exhaust device (vacuum pump) 9. The electron beam apparatus according to the present embodiment has a plasma 3 generated in a plasma chamber 2 adjacent (connected) to a vacuum container 6.
Thus, in a state where the inside of the vacuum container 6 is kept in a vacuum state (without being opened to the atmosphere), and without disassembling the parts (for example, parts of the electron optical system) in the vacuum container 6,
The inside of the vacuum container 6 could be cleaned in a short time.
【００２６】また、本実施例の電子線装置は、有電極放
電によりプラズマ３を真空容器６とは別空間（プラズマ
室）２で発生させて、該プラズマ３をクリーニング対象
の真空容器６内部に導入して対象物をクリーニングする
ものであり、均一かつ低温（１００°Ｃ）でのクリーニ
ングが可能であった。In the electron beam apparatus of this embodiment, the plasma 3 is generated in the space (plasma chamber) 2 different from the vacuum container 6 by the discharge with electrodes, and the plasma 3 is introduced into the vacuum container 6 to be cleaned. It was introduced to clean an object, and it was possible to perform cleaning uniformly and at a low temperature (100 ° C).
【００２７】[0027]
【発明の効果】以上詳しく説明した通り、本発明の電子
線装置によれば、真空容器内の定期的なクリーニングに
よる装置のリフレッシュ（再生）を短時間で行うことが
でき、その結果、装置の使用効率を一段と向上させるこ
とができる。As described in detail above, according to the electron beam apparatus of the present invention, it is possible to refresh (regenerate) the apparatus by cleaning the inside of the vacuum container in a short time, and as a result, Use efficiency can be further improved.
【図１】は、実施例の電子線装置（電子線描画装置）の
概略構成図である。FIG. 1 is a schematic configuration diagram of an electron beam apparatus (electron beam drawing apparatus) of an embodiment.
１・・・ＲＦ電源 ２・・・プラズマ室 ３・・・プラズマ（酸素プラズマ） ４・・・アース ５・・・鏡筒 ６・・・真空容器（試料室） ７・・・対物レンズ筒 ８・・・ステージ（試料台） ９・・・真空排気装置（真空ポンプ） 以 上 1 ... RF power source 2 ... Plasma chamber 3 ... Plasma (oxygen plasma) 4 ... Earth 5 ... Lens barrel 6 ... Vacuum container (sample chamber) 7 ... Objective lens barrel 8・ ・ ・ Stage (sample table) 9 ・ ・ ・ Vacuum exhaust device (vacuum pump) and above
Claims (4)
を用いて対象物の観察または処理を行う電子線装置にお
いて、 前記減圧された真空容器内に存在する不要物を除去する
ための、プラズマクリーニング機構を設けたことを特徴
とする電子線装置。1. An electron beam apparatus for observing or treating an object using an electron beam in a depressurized vacuum container, wherein plasma for removing unnecessary substances existing in the depressurized vacuum container is used. An electron beam apparatus having a cleaning mechanism.
スの活性化学種（ラジカル）の化学作用を主体とするク
リーニングであることを特徴とする請求項１記載の電子
線装置。2. The electron beam apparatus according to claim 1, wherein the plasma cleaning is cleaning mainly based on a chemical action of active chemical species (radicals) of a reactive gas.
ことを特徴とする請求項２記載の電子線装置。3. The electron beam apparatus according to claim 2, wherein oxygen gas is used as the reactive gas.
子顕微鏡であることを特徴とする請求項１〜３記載の電
子線装置。4. The electron beam apparatus according to claim 1, wherein the electronic apparatus is an electron beam drawing apparatus or an electron microscope.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7089715A JPH08288247A (en) | 1995-04-14 | 1995-04-14 | Electron beam apparatus with plasma cleaning mechanism |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7089715A JPH08288247A (en) | 1995-04-14 | 1995-04-14 | Electron beam apparatus with plasma cleaning mechanism |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08288247A true JPH08288247A (en) | 1996-11-01 |
Family
ID=13978472
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7089715A Pending JPH08288247A (en) | 1995-04-14 | 1995-04-14 | Electron beam apparatus with plasma cleaning mechanism |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08288247A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10189699A (en) * | 1996-12-27 | 1998-07-21 | Kyocera Corp | Method of cleaning electrostatic chuck |
| WO2004062824A1 (en) * | 2003-01-08 | 2004-07-29 | Applied Materials Israel, Ltd. | Method and apparatus for cleaning an analytical instrument while operating the analytical instrument |
| JP2020507461A (en) * | 2017-02-13 | 2020-03-12 | エドワーズ エスエルオー | Cleaning method |
-
1995
- 1995-04-14 JP JP7089715A patent/JPH08288247A/en active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10189699A (en) * | 1996-12-27 | 1998-07-21 | Kyocera Corp | Method of cleaning electrostatic chuck |
| WO2004062824A1 (en) * | 2003-01-08 | 2004-07-29 | Applied Materials Israel, Ltd. | Method and apparatus for cleaning an analytical instrument while operating the analytical instrument |
| JP2020507461A (en) * | 2017-02-13 | 2020-03-12 | エドワーズ エスエルオー | Cleaning method |
| US11517942B2 (en) | 2017-02-13 | 2022-12-06 | Edwards, S.R.O. | Cleaning method |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3253675B2 (en) | Charged beam irradiation apparatus and method | |
| US6105589A (en) | Oxidative cleaning method and apparatus for electron microscopes using an air plasma as an oxygen radical source | |
| US6610257B2 (en) | Low RF power electrode for plasma generation of oxygen radicals from air | |
| TW452820B (en) | System and method for cleaning contaminated surfaces in an ion implanter | |
| KR100271694B1 (en) | Method and apparatus for reducing perfluorocompound gases from substrate processing equipment emission | |
| US5756400A (en) | Method and apparatus for cleaning by-products from plasma chamber surfaces | |
| KR100644176B1 (en) | Method for cleaning deposition chambers for high dielectric constant materials | |
| US5466942A (en) | Charged beam irradiating apparatus having a cleaning means and a method of cleaning a charged beam irradiating apparatus | |
| US6667475B1 (en) | Method and apparatus for cleaning an analytical instrument while operating the analytical instrument | |
| JPH08139010A (en) | Charged beam apparatus with cleaning function and method of cleaning charged beam apparatus | |
| TW201400206A (en) | System and method for cleaning surfaces and components of mask and wafer inspection systems based on the positive column of a glow discharge plasma | |
| KR20070033419A (en) | How to wet clean component quartz surfaces for plasma processing chambers | |
| JPH09181063A (en) | Method and equipment for cleaning vacuum line of cvd system | |
| US8507879B2 (en) | Oxidative cleaning method and apparatus for electron microscopes using UV excitation in an oxygen radical source | |
| WO2009012149A1 (en) | In-situ ion source cleaning for partial pressure analyzers used in process monitoring | |
| JPH08288247A (en) | Electron beam apparatus with plasma cleaning mechanism | |
| JP2001148340A (en) | Method and apparatus for aligning with charged particle beam | |
| JPH08311665A (en) | Method for cleaning reaction chamber of plasma-process device | |
| JPH1140502A (en) | Method for dry-cleaning semiconductor manufacturing apparatus | |
| JPH06173041A (en) | Method for cleaning etching device | |
| JP3294242B2 (en) | Charged beam irradiation method | |
| JPH09148310A (en) | Semiconductor device, its cleaning, and handling of wafer | |
| JP3404434B2 (en) | Cleaning method for microwave plasma device | |
| JP3338123B2 (en) | Semiconductor manufacturing apparatus cleaning method and semiconductor device manufacturing method | |
| JP2658563B2 (en) | Microwave plasma dry cleaning method |