JPH0828528B2 - LED array brightness adjustment method and LED array brightness adjustment resistor resistance value detection device - Google Patents

LED array brightness adjustment method and LED array brightness adjustment resistor resistance value detection device

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JPH0828528B2
JPH0828528B2 JP13210088A JP13210088A JPH0828528B2 JP H0828528 B2 JPH0828528 B2 JP H0828528B2 JP 13210088 A JP13210088 A JP 13210088A JP 13210088 A JP13210088 A JP 13210088A JP H0828528 B2 JPH0828528 B2 JP H0828528B2
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brightness
led array
resistance value
intermediate point
led
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研介 澤瀬
弘美 緒方
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Rohm Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention 【産業上の利用分野】[Industrial applications]

この発明は、複数のLEDアレイが配置されたLEDプリン
トヘッドにおける前記LEDアレイの輝度調整方法およびL
EDアレイの輝度調整抵抗の抵抗値検出装置に関する。
The present invention provides a method for adjusting the brightness of an LED print head in which a plurality of LED arrays are arranged, and a method for adjusting the brightness of the LED array.
The present invention relates to a resistance value detection device for a brightness adjustment resistor of an ED array.

【従来の技術】[Prior art]

LEDプリントヘッドは、その光源として、それぞれが
別個のICによって駆動される複数のLEDアレイを配置し
た構成を備えている。通常、1チップのICで64個の単位
LEDからなるLEDアレイを駆動するようにしてあり、たと
えば、8ドット/mmでA3番の幅のプリントを可能とする
には、38個のLEDアレイとそのそれぞれに対応したICが
必要である。 このようなLEDプリントヘッドにより品質のよいプリ
ントを得るには、各LEDアレイごとの輝度のバラツキを
無くすことが肝要であるが、各ICチップの特性を正確に
画一化することはICが複雑な製造工程を経て製造される
こと等から困難であり、その結果、同一条件下でのLED
アレイの輝度には、なかば必然的にバラツキが生じる問
題がある。この問題に対処する方策として、同一のLED
プリントヘッドに使用するLEDおよびICの特性を揃える
という方法、および、各LEDアレイと対応するICごとに
その駆動電流を制御する方法があるが、前者はICの歩留
りの低下を、後者は制御系の複雑化を招き、適切ではな
い。
The LED print head has a configuration in which a plurality of LED arrays each driven by a separate IC are arranged as its light source. Normally, one chip IC is 64 units
It is designed to drive an LED array consisting of LEDs, and for example, 38 LED arrays and their corresponding ICs are required to enable printing of A3 width at 8 dots / mm. In order to obtain high-quality prints with such an LED print head, it is essential to eliminate variations in the brightness of each LED array, but it is complicated to accurately standardize the characteristics of each IC chip. It is difficult to be manufactured through various manufacturing processes, and as a result, LEDs under the same conditions
There is a problem that the brightness of the array inevitably varies. As a workaround for this issue, the same LED
There are a method of matching the characteristics of the LEDs and ICs used in the print head, and a method of controlling the drive current for each IC corresponding to each LED array. The former reduces the yield of ICs, and the latter reduces the control system. It is not appropriate because it complicates.

【発明が解決しようとする課題】[Problems to be Solved by the Invention]

ところで、特開昭62-65486号公報には、LEDアレイご
とにICに外付けされる調整抵抗の抵抗値を調節すること
により、各単位LEDに電流を流す出力トランジスタのゲ
ート電圧を所望の値に設定しうるように構成されたLED
アレイ駆動用ICが提案されている。このようなICを使用
すると、ICそれ自体の特性にバラツキがあっても、調整
抵抗の抵抗値を選択することによって各LEDアレイごと
の輝度を揃えることが可能である。しかしながら、LED
アレイの輝度を所定値とするべく上記の調整抵抗の抵抗
値を効率的にしかも正確に選択する方法はいまだ提案さ
れていない。 したがって、本願発明の目的は、ICに外付けされる調
整抵抗の抵抗値を選択することによって輝度が変更され
るようになされたLEDアレイにおいて、上記抵抗値を効
率的にかつ正確に選択する方法を提供することにある。
By the way, in JP-A-62-65486, by adjusting the resistance value of the adjustment resistor externally attached to the IC for each LED array, the gate voltage of the output transistor that causes a current to flow through each unit LED is set to a desired value. LEDs configured to be set to
Array driving ICs have been proposed. When such an IC is used, the brightness of each LED array can be made uniform by selecting the resistance value of the adjustment resistor, even if the characteristics of the IC itself vary. However, the LED
A method for efficiently and accurately selecting the resistance value of the adjusting resistor so that the brightness of the array has a predetermined value has not been proposed yet. Therefore, an object of the present invention is to efficiently and accurately select the resistance value in an LED array in which the brightness is changed by selecting the resistance value of the adjustment resistor externally attached to the IC. To provide.

【課題を解決するための手段】[Means for Solving the Problems]

上記の課題を解決するため、この発明では、次の技術
的手段を講じている。 まず、本願の請求項1に記載した発明であるLEDアレ
イの輝度調整方法は、複数の発光領域を備えたLEDアレ
イに出力トランジスタを介して駆動電流を流す駆動回路
素子に対し、上記出力トランジスタと電源間の中間点に
外付け調整抵抗をバイアス接続して上記中間点を所定の
電圧に設定することにより、LEDアレイの輝度を調整す
る調整方法であって、 上記調整抵抗を取付ける前の上記中間点に、制御用ト
ランジスタを介装し、オン状態としたときのLEDの輝度
を検出してこれがあらかじめ定められた所定の輝度とな
るように上記制御用トランジスタのベース電位を制御す
るとともに、上記制御用トランジスタのコレクタとエミ
ッタ間の抵抗値を検出してこれにより上記中間点に接続
すべき抵抗の抵抗値を決定するようにしたことを特徴と
する。 そして、本願の請求項2に記載した発明であるLEDア
レイの輝度調整抵抗の抵抗値検出装置は、複数の発光領
域を備えたLEDアレイに出力トランジスタを介して駆動
電流を流す駆動回路素子に対し、上記出力トランジスタ
と電源間の中間点に外付け調整抵抗をバイアス接続して
上記中間点を所定の電圧に設定することによりLEDアレ
イの輝度を調整するにあたり、上記調整抵抗の抵抗値を
検出する抵抗値検出装置であって、 オン状態のLEDの輝度を検出する輝度検出手段と、コ
レクタが上記中間点に、エミッタがマイナス電源に、そ
れぞれ導通させられる制御用トランジスタと、この制御
用トランジスタのコレクタ電位を検出するコレクタ電位
検出手段およびエミッタ電流を検出するエミッタ電流検
出手段と、上記輝度検出手段からの輝度信号があらかじ
め定められた所定値となるように上記制御用トランジス
タのコレクタ電位を制御するコレクタ電位制御手段と、
上記輝度信号があらかじめ定められた所定値となったと
き検出されるコレクタ電位およびエミッタ電流から上記
中間点とマイナス電源との間の抵抗を演算する抵抗演算
手段と、を備えることを特徴とする。
In order to solve the above problems, the present invention takes the following technical measures. First, according to the brightness adjusting method for an LED array of the invention described in claim 1 of the present application, the above-mentioned output transistor is provided to a drive circuit element for supplying a drive current to an LED array having a plurality of light emitting regions through the output transistor. A method of adjusting the brightness of the LED array by bias-connecting an external adjustment resistor to the intermediate point between the power supplies and setting the intermediate point to a prescribed voltage. At the point, the control transistor is interposed, and the base potential of the control transistor is controlled so that the brightness of the LED when in the ON state is detected and the brightness is set to a predetermined brightness determined in advance. It is characterized in that the resistance value between the collector and the emitter of the transistor for use is detected and the resistance value of the resistance to be connected to the intermediate point is determined by this. Further, the resistance value detecting device for the brightness adjusting resistor of the LED array according to the invention described in claim 2 of the present application is directed to a drive circuit element for passing a drive current through an output transistor to an LED array having a plurality of light emitting regions. When adjusting the brightness of the LED array by bias-connecting an external adjustment resistor to the intermediate point between the output transistor and the power supply and setting the intermediate point to a predetermined voltage, the resistance value of the adjustment resistor is detected. A resistance value detecting device, which is a brightness detecting means for detecting the brightness of an LED in an ON state, a control transistor whose collector is brought into conduction at the intermediate point and an emitter is connected to a negative power supply, and a collector of the control transistor. There are a collector potential detecting means for detecting a potential, an emitter current detecting means for detecting an emitter current, and a brightness signal from the brightness detecting means. Collector potential control means for controlling the collector potential of the control transistor so as to have a predetermined value which is determined by gaze,
Resistance calculating means for calculating the resistance between the intermediate point and the negative power source from the collector potential and the emitter current detected when the brightness signal reaches a predetermined value.

【作用】[Action]

上記コレクタ電位制御は、直接的には、制御用トラン
ジスタのベース電圧を変更することにより行う。そうす
ると、制御用トランジスタそれ自体のコレクタ・エミッ
タ間の抵抗が実質的に変化し、したがってコレクタ電
位、すなわち、上記中間点の電位が変化して出力トラン
ジスタのゲート電圧が変化する。出力トランジスタのゲ
ート電圧が変化すると、LEDに流れる電流が変化し、こ
れに伴ないLEDアレイの輝度も変化する。本願発明で
は、LEDアレイの輝度をサンプリングしつつ、このサン
プリングされた輝度が所定値となるように制御用トラン
ジスタのコレクタ電位を変化させる。 こうしてLEDアレイの輝度が所定値とされると、その
ときのコレクタ電位およびエミッタ電流から、上記中間
点とマイナス電極間の抵抗値が演算できる。 本願発明によって検出された抵抗値をもつ調整抵抗が
外付け抵抗としてICにおける上記中間点とマイナス電源
間に介装される。そうすると、LEDアレイの輝度を目標
値とするべきゲート電圧が再現される。 LEDプリントヘッド上のすべてのLEDアレイについて上
述のように設定された外付け調整抵抗を取付けることに
より、各LEDアレイのICの特性にバラツキがあっても、
簡単にすべてのLEDアレイの輝度を均一化調整すること
ができる。
The collector potential control is directly performed by changing the base voltage of the control transistor. Then, the resistance between the collector and the emitter of the control transistor itself substantially changes, so that the collector potential, that is, the potential at the intermediate point changes, and the gate voltage of the output transistor changes. When the gate voltage of the output transistor changes, the current flowing through the LED changes, and the brightness of the LED array changes accordingly. In the present invention, the collector potential of the control transistor is changed so that the sampled brightness has a predetermined value while the brightness of the LED array is sampled. When the brightness of the LED array is set to a predetermined value in this way, the resistance value between the intermediate point and the negative electrode can be calculated from the collector potential and the emitter current at that time. An adjusting resistor having a resistance value detected by the present invention is provided as an external resistor between the intermediate point of the IC and the minus power supply. Then, the gate voltage whose target value is the brightness of the LED array is reproduced. By installing the external adjustment resistors set as above for all LED arrays on the LED print head, even if there are variations in the IC characteristics of each LED array,
You can easily adjust the brightness of all LED arrays to be uniform.

【発明の効果】【The invention's effect】

上述のように、本願発明においては、検査時にLEDア
レイに導通させられる制御用トランジスタのコレクタ電
位をLEDアレイの輝度をサンプリングしつつ制御すると
いう簡単な構成により、所定のLEDアレイの輝度を得る
ために外付けされる調整抵抗の抵抗値を決定できる。
As described above, in the present invention, in order to obtain the luminance of a predetermined LED array, the collector potential of the control transistor that is conducted to the LED array at the time of inspection is controlled while sampling the luminance of the LED array. The resistance value of the external adjustment resistor can be determined.

【実施例の説明】[Explanation of the embodiment]

以下、本願発明の実施例を図面を参照しつつ具体的に
説明する。 第1図はLEDアレイの単位駆動ブロック1および本願
発明装置の構成を示す回路図である。なお、駆動ブロッ
クとは、LEDヘッド内で駆動できる最小限の単位を意味
する。 図において破線で囲まれた部分がLEDアレイの駆動ブ
ロック1を示している。この駆動ブロック1の一側に
は、マイナス電源VSSに並列接続された複数の単位LEDア
レイ2…が直線状に配置されており、これら単位LEDア
レイ2…のプラス側端子は、駆動ブロック1上のIC3内
の各出力トランジスタ4…の出力端子に接続される。な
お、ここでいう出力トランジスタ4とは、論理回路5か
らのオン信号が入力されているとき、プラス電源VDD
らの電力の供給を受けて、ゲート電圧が大きくなるほ
ど、輝度が小さくなるように上記各単位LED2に電流を流
す機能を呼称するものとする。 また、上記各出力トランジスタ4には、プラス電源V
DDと、アレイ外のマイナス電源6との間に直列的に介装
された内部抵抗R1および外付け調整抵抗R2(第2図参
照)の中間点CTの電位がゲート電圧として入力されるよ
うになっており、上記中間点CTは、ICの外部端子に引き
出されている。なお、論理回路5は、データ・イン端子
DINに入力されるデータにしたがって、各単位LED2…に
対応する出力トランジスタ4…にオン信号を発する機能
を備えている。 一方、上記外付け調整抵抗R2の抵抗値を決定する本願
発明の抵抗値検出装置7は、上記中間点CTにコレクタ
を、上記マイナス電源7にエミッタをそれぞれ導通させ
られる制御用トランジスタ8を備えており、この制御用
トランジスタ8のベースは、実質的にプログラムによっ
て実現される後記するコレクタ電位制御手段9によって
制御されるべく、中央処理装置10にD/Aコンバータ11を
介して接続されている。さらに、LEDアレイの輝度をサ
ンプリングするための輝度検出手段としてのフォトダイ
オード12からの輝度信号が、制御入力としてA/Dコンバ
ータ13を介して中央処理装置10に入力されるようにして
ある。さらに、上記制御用トランジスタ8のコレクタ電
圧を検出するコレクタ電位検出器14およびエミッタ電流
を検出するエミッタ電流検出器15からの検出信号が、A/
Dコンバータ16,17を介してそれぞれ中央処理装置10に入
力される。 なお、制御トランジスタ8のコレクタの駆動ブロック
上の中間点CTへの導通、および、LEDアレイの論理回路
5への所定のデータおよび電源等の供給は、図示しない
テストヘッドに設けられたプローバをLEDヘッドの各駆
動ブロックに対応する所定の端子に接触させることによ
り行う。また、上記フォトダイオード12もこのテストヘ
ッドに取付けられている。そしてこのテストヘッドは、
各駆動ブロックごとに、順次プローバを所定の端子に接
触させるようになっている。また、第1図において、符
号18はプログラムが納められたリード・オン・メモリ、
符号19は制御データを記録するランダム・アクセス・メ
モリである。 次に、実質的にプログラムによって実現されるコレク
タ電位制御手段9および抵抗値演算手段20について、制
御の手順の一例を第3図のフローチャートに基づいて説
明する。 なお、ここでは、一例として、IC内の出力トランジス
タ4のゲート電圧が0Vから5Vの範囲で設定されるもので
あることと対応して制御用トランジスタ8のコレクタ電
位は、0Vから5Vまで可変制御できるものとする。 まず、ステップ101の初期設定において、第4図に示
すように、メモリ内のアドレスaのイニシャルゲート電
圧VG、アドレスbの低レベル参照電位、アドレスcの高
レベル参照電位、および、アドレスdのLEDの目標輝度I
Vにそれぞれ初期データを書き込む。イニシャルゲート
電圧としては、たとえば、目標輝度に対するユーザ設定
ゲート電位が書き込まれる。また、低レベル参照電位お
よび高レベル参照電位は、上述のようにコレクタ電位が
0Vから5Vまで可変できることと対応して、0および5が
初期データとして書き込まれる。 次に、ステップ102でアドレスaのデータを読み出
し、そして、ステップ103でそのデータに基づいてゲー
ト電圧、すなわち、制御用トランジスタ4のコレクタ電
位を制御するとともに、LEDアレイ上の単位LEDのすべて
を点灯する。次にステップ104でLEDアレイの輝度IV′を
測定し、ステップ105でこの測定輝度IV′とアドレスd
の目標輝度IVとを比較する。ここで、測定輝度IV′が目
標輝度IVより大きい場合は、ゲート電圧が小さすぎると
いうことであるから、次のステップ106ないしステップ1
08においてアドレスaのデータを高め修正する。本例で
は、ステップ106でアドレスaのデータをアドレスbに
ロードしてアドレスbの低レベル参照電位データを高め
更新するとともに、ステップ107でアドレスbのデータ
とアドレスcのデータの平均を演算し、そしてステップ
108で上記演算の結果をアドレスaにロードするこによ
り行っている。 一方、ステップ105で測定輝度IV′が目標輝度IVより
小さい場合は、ゲート電圧が大きすぎるということであ
るから、ステップ109ないしステップ111においてアドレ
スaのデータを低め修正する。本例では、ステップ109
においてアドレスaのデータをアドレスcにロードして
アドレスcの高レベル参照電位データを低め更新すると
ともに、ステップ110でアドレスdとアドレスcのデー
タの平均を演算し、そして、ステップ111で上記演算の
結果をアドレスaにロードすることにより行っている。 このような処理を繰り返すうちに、アドレスbの高レ
ベル参照電位と、アドレスcの低レベル参照電位の双方
が、LEDアレイの輝度が目標輝度であると仮定した場合
のゲート電圧に近づき、やがて測定輝度IV′が目標輝度
IVと一致する。すなわち、このときのゲート電圧がLED
アレイを目標の輝度で発光するに必要なゲート電圧であ
る。 そして次に、ステップ112においてこのときの制御用
トランジスタ4のコレクタ電位Vcおよびエミッタ電流Ie
を検出し、ステップ113において制御用トランジスタ8
のコレクタ・エミッタ間の抵抗値を演算する。 この抵抗値が外付けすべき調整抵抗R2の抵抗値であ
り、第2図に示すように、中間点CTとマイナス電源6間
にこうして抵抗値が決定された外付け調整抵抗R2を介装
すると、目標輝度を得るべきゲート電圧が再現され、LE
Dアレイ2は、目標の輝度で発光することになる。LEDプ
リントヘッド上のすべてのLEDアレイにつき、目標輝度
を同一にして上記方法によって得られた抵抗値をもつ外
付け抵抗を接続すると、たとえ各LEDアレイに使用するI
Cの特性にバラツキが存在したとしても、そのようなIC
をそのまま使用しつつ、LEDアレイごとの輝度のバラツ
キをほぼ完全に解消することができ、LEDプリントヘッ
ドのプリント品質を著しく高めることができるのであ
る。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be specifically described with reference to the drawings. FIG. 1 is a circuit diagram showing the configuration of the unit drive block 1 of the LED array and the device of the present invention. The drive block means a minimum unit that can be driven in the LED head. In the figure, the part surrounded by the broken line shows the drive block 1 of the LED array. On one side of the drive block 1, a plurality of unit LED arrays 2 ... Which are connected in parallel to the negative power source V SS are linearly arranged, and the positive terminals of these unit LED arrays 2 ... It is connected to the output terminal of each output transistor 4 in the upper IC3. It should be noted that the output transistor 4 here means that when an ON signal from the logic circuit 5 is input, power is supplied from the positive power source V DD and the brightness decreases as the gate voltage increases. The function of passing a current through each of the unit LEDs 2 is called. In addition, a positive power supply V
The potential of the intermediate point CT of the internal resistance R 1 and the external adjustment resistance R 2 (see FIG. 2) interposed in series between DD and the minus power supply 6 outside the array is input as the gate voltage. The intermediate point CT is led to the external terminal of the IC. The logic circuit 5 has a data-in terminal.
It has a function of issuing an ON signal to the output transistors 4 ... Corresponding to each unit LED 2 ... According to the data input to D IN . On the other hand, the resistance value detecting device 7 of the present invention for determining the resistance value of the external adjustment resistor R 2 is provided with a control transistor 8 for conducting the collector at the intermediate point CT and the emitter at the negative power source 7, respectively. The base of the control transistor 8 is connected to the central processing unit 10 via the D / A converter 11 so as to be controlled by the collector potential control means 9 which will be described later and which is substantially realized by a program. . Further, the luminance signal from the photodiode 12 as the luminance detecting means for sampling the luminance of the LED array is input to the central processing unit 10 via the A / D converter 13 as a control input. Further, the detection signals from the collector potential detector 14 that detects the collector voltage of the control transistor 8 and the emitter current detector 15 that detects the emitter current are A /
It is input to the central processing unit 10 via the D converters 16 and 17, respectively. For the conduction of the collector of the control transistor 8 to the intermediate point CT on the drive block and the supply of predetermined data and power to the logic circuit 5 of the LED array, the prober provided in the test head (not shown) This is performed by contacting a predetermined terminal corresponding to each drive block of the head. The photodiode 12 is also attached to this test head. And this test head
The prober is sequentially brought into contact with a predetermined terminal for each drive block. Further, in FIG. 1, reference numeral 18 is a read-on-memory in which the program is stored,
Reference numeral 19 is a random access memory for recording control data. Next, an example of a control procedure of the collector potential control means 9 and the resistance value calculation means 20 which are substantially realized by a program will be described based on the flowchart of FIG. Here, as an example, the collector potential of the control transistor 8 is variably controlled from 0V to 5V in response to the fact that the gate voltage of the output transistor 4 in the IC is set in the range of 0V to 5V. It should be possible. First, in the initial setting of step 101, as shown in FIG. 4, the initial gate voltage V G of the address a, the low level reference potential of the address b, the high level reference potential of the address c, and the address d of the address d in the memory are set. LED target brightness I
Write initial data to V respectively. As the initial gate voltage, for example, a user-set gate potential for the target brightness is written. The low-level reference potential and the high-level reference potential have the collector potentials as described above.
Corresponding to the fact that 0V to 5V can be changed, 0 and 5 are written as initial data. Next, in step 102, the data at the address a is read out, and in step 103, the gate voltage, that is, the collector potential of the control transistor 4 is controlled based on the data, and all the unit LEDs on the LED array are turned on. To do. Next, in step 104, the brightness I V ′ of the LED array is measured, and in step 105, the measured brightness I V ′ and the address d
Compare the target brightness I V of. Here, if the measured brightness I V ′ is larger than the target brightness I V, it means that the gate voltage is too small.
At 08, the data of address a is enhanced and corrected. In this example, in step 106, the data of the address a is loaded into the address b to increase and update the low-level reference potential data of the address b, and in step 107, the average of the data of the address b and the data of the address c is calculated, And step
In step 108, the result of the above calculation is loaded into the address a. On the other hand, if the measured brightness I V ′ is smaller than the target brightness I V in step 105, it means that the gate voltage is too large. Therefore, in steps 109 to 111, the data at the address a is corrected to be low. In this example, step 109
At the same time, the data of the address a is loaded into the address c to lower and update the high level reference potential data of the address c, the average of the data of the address d and the data of the address c is calculated in step 110, and the above calculation is performed in step 111. This is done by loading the result into address a. While repeating such a process, both the high-level reference potential of the address b and the low-level reference potential of the address c approached the gate voltage when the brightness of the LED array was assumed to be the target brightness, and then measured. Brightness IV 'is the target brightness
Matches I V. That is, the gate voltage at this time is LED
It is the gate voltage required to make the array emit light at the target brightness. Then, next, in step 112, the collector potential Vc and the emitter current Ie of the control transistor 4 at this time.
Is detected, and the control transistor 8 is detected in step 113.
Calculate the resistance value between the collector and emitter of. This resistance value is the resistance value of the adjustment resistor R 2 to be externally attached, and as shown in FIG. 2, the external adjustment resistor R 2 having the resistance value thus determined is interposed between the intermediate point CT and the negative power source 6. When mounted, the gate voltage that should obtain the target brightness is reproduced and LE
The D array 2 will emit light with the target brightness. For all LED arrays on the LED print head, if the target brightness is the same and an external resistor with the resistance value obtained by the above method is connected, even if it is used for each LED array I
Even if there are variations in the characteristics of C, such ICs
It is possible to eliminate the variation in the brightness of each LED array almost completely while using the LED as it is, and it is possible to significantly improve the print quality of the LED print head.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は本願発明の構成を概略的に示す回路図、第2図
は製品としてのLEDアレイの回路図、第3図は実質的に
プログラムによって実現されるコレクタ電位制御手段お
よび抵抗値演算手段を説明するためるフローチャート、
第4図は初期状態でのメモリ内エリア図である。 1……LEDアレイ、3……IC、4……出力トランジス
タ、7……抵抗値検出装置、8……制御用トランジス
タ、9……コレクタ電位制御手段、12……輝度検出手段
(フォトダイオード)、14……コレクタ電位検出手段
(コレクタ電位検出器)、15……エミッタ電流検出手段
(エミッタ電流検出器)、20……抵抗値演算手段、R2
…調整抵抗。
FIG. 1 is a circuit diagram schematically showing the configuration of the present invention, FIG. 2 is a circuit diagram of an LED array as a product, and FIG. 3 is a collector potential control means and resistance value calculation means substantially realized by a program. A flow chart for explaining
FIG. 4 is a memory area diagram in the initial state. 1 ... LED array, 3 ... IC, 4 ... Output transistor, 7 ... Resistance detection device, 8 ... Control transistor, 9 ... Collector potential control means, 12 ... Brightness detection means (photodiode) , 14 ... collector potential detecting means (collector potential detector), 15 ... emitter current detecting means (emitter current detector), 20 ... resistance value calculating means, R 2 ...
… Adjustment resistance.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 33/00 J ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Office reference number FI technical display location H01L 33/00 J

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】複数の発光領域を備えたLEDアレイに出力
トランジスタを介して駆動電流を流す駆動回路素子に対
し、上記出力トランジスタと電源間の中間点に外付けの
調整抵抗をバイアス接続して上記中間点を所定の電圧に
設定することによりLEDアレイの輝度を調整する調整方
法であって、上記調整抵抗を取付ける前の上記中間点に
制御用トランジスタを介装し、オン状態としたときのLE
Dの輝度を検出してこれがあらかじめ定められた所定の
輝度となるように上記制御用トランジスタのベース電位
を制御するとともに、上記制御用トランジスタのコレク
タとエミッタ間の抵抗値を検出してこれらから上記中間
点に接続すべき調整抵抗の抵抗値を決定するようにした
ことを徴とする、LEDアレイの輝度調整方法。
1. An external adjusting resistor is bias-connected to an intermediate point between the output transistor and a power source for a drive circuit element for supplying a drive current to an LED array having a plurality of light emitting regions through an output transistor. A method of adjusting the brightness of an LED array by setting the intermediate point to a predetermined voltage, wherein a control transistor is interposed at the intermediate point before the adjustment resistor is mounted, LE
The brightness of D is detected and the base potential of the control transistor is controlled so that it becomes a predetermined brightness, and the resistance value between the collector and the emitter of the control transistor is detected and A method for adjusting the brightness of an LED array, which is characterized in that the resistance value of the adjustment resistor to be connected to the intermediate point is determined.
【請求項2】複数の発光領域を備えたLEDアレイに出力
トランジスタを介して駆動電流を流す駆動回路素子に対
し、上記出力トランジスタと電源間の中間点に外付けの
調整抵抗をバイアス接続して上記中間点を所定の電圧に
設定することによりLEDアレイの輝度を調整するにあた
り、上記調整抵抗の抵抗値を検出する抵抗値検出装置で
あって、 オン状態のLEDの輝度を検出する輝度検出手段と、コレ
クタが上記中間点に、エミッタがマイナス電源に、それ
ぞれ導通させられる制御用トランジスタと、この制御用
トランジスタのコレクタ電位を検出するコレクタ電位検
出手段およびエミッタ電流を検出するエミッタ電流検出
手段と、上記輝度検出手段からの輝度信号があらかじめ
定められた所定値となるように上記制御用トランジスタ
のコレクタ電位を制御するコレクタ電位制御手段と、上
記輝度信号があらかじめ定められた所定値となったとき
検出されるコレクタ電位およびエミッタ電流から上記中
間点とマイナス電源との間の抵抗を演算する抵抗演算手
段と、を備えることを特徴とする、LEDアレイの輝度調
整抵抗の抵抗値検出装置。
2. An external adjusting resistor is bias-connected to an intermediate point between the output transistor and a power source for a drive circuit element for supplying a drive current to the LED array having a plurality of light emitting regions through the output transistor. In adjusting the brightness of the LED array by setting the intermediate point to a predetermined voltage, a resistance value detecting device for detecting the resistance value of the adjusting resistor, the brightness detecting means for detecting the brightness of the LED in the ON state. And a control transistor whose collector is brought into conduction at the intermediate point and whose emitter is connected to the negative power source, collector potential detection means for detecting the collector potential of the control transistor, and emitter current detection means for detecting the emitter current. The collector potential of the control transistor is set so that the brightness signal from the brightness detection means has a predetermined value. A collector potential control means for controlling the resistance, and a resistance calculation means for calculating the resistance between the intermediate point and the negative power source from the collector potential and the emitter current detected when the luminance signal reaches a predetermined value. And a resistance value detecting device for a brightness adjusting resistor of an LED array.
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