JPH08274284A - Multi-power supply interface lsi - Google Patents
Multi-power supply interface lsiInfo
- Publication number
- JPH08274284A JPH08274284A JP7331795A JP7331795A JPH08274284A JP H08274284 A JPH08274284 A JP H08274284A JP 7331795 A JP7331795 A JP 7331795A JP 7331795 A JP7331795 A JP 7331795A JP H08274284 A JPH08274284 A JP H08274284A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- power supply
- cells
- cell
- power
- supply line
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、ASIC等に使用され
るマルチ電源インターフェースLSIに関するものであ
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a multi-power supply interface LSI used for ASIC and the like.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、複数の電源をインターフェースす
ることが可能なLSIは少なく、そのようなLSIが存
在したとしてもその仕様に制限があったり、もしくはチ
ップサイズが大きくなりコストが高くなったりして、ユ
ーザから見て使い勝手が良いものではなかった。この種
のLSIとしては、例えば図4及び図5に示すもの(第
1の従来例)や図6及び図7に示すもの(第2の従来
例)があった。2. Description of the Related Art Conventionally, there are few LSIs capable of interfacing a plurality of power sources, and even if such an LSI exists, the specifications thereof are limited, or the chip size becomes large and the cost becomes high. As a result, it was not convenient for the user. Examples of this type of LSI include those shown in FIGS. 4 and 5 (first conventional example) and those shown in FIGS. 6 and 7 (second conventional example).
【0003】図4は、2つの電源をインターフェースす
るLSIにおけるI/Oセルの配置を示す図である。ま
た、図5は、図4のI/Oセルの内部構成例を示す図で
ある。FIG. 4 is a diagram showing the arrangement of I / O cells in an LSI that interfaces two power supplies. Further, FIG. 5 is a diagram showing an internal configuration example of the I / O cell of FIG.
【0004】第1の従来例のLSIは、図4に示すよう
に、チップ周辺にI/Oセルがマスタスライス方式で配
置されたもので、図中101はパッドであり、102は
Nチャネルトランジスタ作成領域(P−Well)、1
03はA電源Pチャネルトランジスタ作成領域(N−W
ell)、104はB電源Pチャネルトランジスタ作成
領域(N−Well)を示している。なお、図中PはI
/Oセルの1スロットを示す。As shown in FIG. 4, an LSI of the first conventional example has I / O cells arranged in the periphery of a chip by a master slice method. In the figure, 101 is a pad and 102 is an N-channel transistor. Creation area (P-Well), 1
03 is an A power source P-channel transistor creation area (N-W
and 104 are B power P channel transistor formation regions (N-Well). In the figure, P is I
1 slot of an / O cell is shown.
【0005】第1の従来例のLSIは、図5に示すよう
に、前記Nチャネルトランジスタ作成領域102には、
VSS電源ライン102aに接続されたNチャネルトラ
ンジスタ102bが形成され、さらに、B電源Pチャネ
ル作成領域104には、B電源ライン104aに接続さ
れたPチャネルトランジスタ104bが形成されてい
る。In the first conventional LSI, as shown in FIG. 5, in the N-channel transistor formation region 102,
An N-channel transistor 102b connected to the VSS power supply line 102a is formed, and a P-channel transistor 104b connected to the B power supply line 104a is formed in the B-power supply P-channel formation region 104.
【0006】このような第1の従来例では、2種の電源
をインターフェースすることができる場合でも、インタ
ーフェースI/Oセル(インプット、アウトプットセ
ル)の配置には、DWの作成の際から予め場所が設定さ
れており、PWの設計をするユーザはその制限内で設計
するしかなかった。このことにより、トータルのピン数
は十分に入るチップサイズでも、異なった2つの電源を
インターフェースするI/Oセルの数の比が、DWで用
意された2種のI/Oセルの数に合わないとチップサイ
ズを大きくするしかなく、ピン・アサイン(入出力ピン
の割当て)に制限があるだけではなくコストも上がると
いう問題があった。In the first conventional example as described above, even when two kinds of power sources can be interfaced, the interface I / O cells (input and output cells) are arranged in advance at the time of creating the DW. Is set, and the user designing the PW can only design within the limit. This allows the ratio of the number of I / O cells that interface two different power supplies to match the number of two types of I / O cells prepared in the DW even if the total pin count is sufficient for the chip size. If not, there is no choice but to increase the chip size, and there is a problem that not only the pin assignment (assignment of input / output pins) is limited but also the cost increases.
【0007】また、他の従来例では、異なった電源を扱
えるトランジスタ素子を予めI/Oスロット内に搭載
し、I/Oセルの配置制限を無くしているLSIもある
が(図6及び図7に示す第2の従来例)、1電源を扱え
るI/Oセルを構成したときは、他の電源を扱えるトラ
ンジスタ素子の領域は空き領域となり、これもチップサ
イズが大きくなることによるコストの増加があった。な
お、図6は2つの電源をインターフェースするLSIに
おけるI/Oセルの配置を示す図である。また、図7
は、図6のI/Oセルの内部構成例を示す図であり、共
通する構成要素には同一の符号が付されている。Further, in another conventional example, there is an LSI in which a transistor element capable of handling a different power source is previously mounted in an I / O slot to eliminate the restriction on the arrangement of I / O cells (FIGS. 6 and 7). Second conventional example shown in FIG. 2) When an I / O cell that can handle one power supply is configured, the area of the transistor element that can handle the other power supply becomes an empty area, which also increases the cost due to the increase in chip size. there were. FIG. 6 is a diagram showing the arrangement of I / O cells in an LSI that interfaces two power supplies. Also, FIG.
FIG. 7 is a diagram showing an example of the internal configuration of the I / O cell of FIG. 6, and common components are assigned the same reference numerals.
【0008】さらに、特定のI/Oセルだけの電源を一
時的に変えたいというユーザの要求もあるが、上記の第
1及び第2の従来例におけるLSIの場合、隣接し合う
I/Oセルはウエルにより繋がっているため、この要求
に答えるためには、DWから設計し直したユーザ専用D
Wを作成する必要があった。Further, although there is a user's request to temporarily change the power source of only a specific I / O cell, in the case of the LSI in the above-mentioned first and second conventional examples, adjacent I / O cells are adjacent to each other. Are connected by wells, so to meet this demand, DW redesigned from user D
It was necessary to create W.
【0009】[0009]
【発明が解決しようとする課題】このように、第1の従
来例では、(1)I/Oセルの配置に制限が有る、
(2)I/Oセルのサイズが大きくなる、(3)特定の
I/Oセルだけの電源を一時的に変えたい場合でも、D
Wから設計し直したユーザ専用DWを作成する必要があ
る、(4)3種類以上の電源のインターフェースを行う
ことができない、等の問題があり、そのため、使い勝手
やコストの面で満足のいくものではなかった。As described above, in the first conventional example, (1) there are restrictions on the arrangement of I / O cells.
(2) The size of the I / O cell becomes large, (3) Even if you want to temporarily change the power supply for a specific I / O cell, D
There is a problem that it is necessary to create a user-specific DW redesigned from W, (4) it is not possible to interface with three or more types of power supplies, and so it is satisfactory in terms of usability and cost. Was not.
【0010】本発明は、上述の如き従来の問題点を解決
するためになされたもので、その目的は、使い勝手やコ
ストの面で満足のできるマルチ電源インターフェースL
SIを提供することを目的とする。またその他の目的
は、PWの変更のみでピン・アサインにも影響なく、2
種類はもちろん3種類以上の電源のインターフェースを
可能にするマルチ電源インターフェースLSIを提供す
ることを目的とする。The present invention has been made to solve the above-mentioned conventional problems, and its purpose is to provide a multi-power supply interface L which is satisfactory in terms of usability and cost.
The purpose is to provide SI. The other purpose is to change the PW and not affect the pin assignment. 2
It is an object of the present invention to provide a multi-power supply interface LSI capable of interfacing three or more kinds of power supplies as well as types.
【0011】[0011]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の特徴は、チップ周辺に複数のI/Oセルが
配置され、複数種の電源のインターフェースを行なうマ
スタースライス方式のマルチ電源インターフェースLS
Iにおいて、前記I/OセルのN−ウエルが1スロット
毎に独立し、隣接し合う各I/OセルのN−ウエルを電
気的に分離したことにある。In order to achieve the above object, a feature of the present invention is that a plurality of I / O cells are arranged in the periphery of a chip and a master slice type multi-power source for interfacing a plurality of types of power sources. Interface LS
In I, the N-well of the I / O cell is independent for each slot, and the N-wells of adjacent I / O cells are electrically separated.
【0012】また、上述の発明において、前記各I/O
セルに電源を供給する電源ラインを、I/Oセル上にリ
ング状で配置することが望ましい。Further, in the above-mentioned invention, each I / O
It is desirable to arrange a power supply line for supplying power to the cell in a ring shape on the I / O cell.
【0013】また、上述の発明において、高電源を供給
する電源ラインは、電気的に分離された複数本からなる
ことが望ましい。Further, in the above-mentioned invention, it is desirable that the power supply line for supplying the high power supply is composed of a plurality of electrically separated lines.
【0014】[0014]
【作用】上述の如き構成の本発明によれば、チップ周辺
に配置する複数のI/OセルのN−ウエルを各I/Oセ
ル毎に電気的に分離しているので、他のI/Oセルと異
なった、電源のインターフェースを可能とする。According to the present invention having the above-described structure, since the N-wells of a plurality of I / O cells arranged around the chip are electrically separated for each I / O cell, other I / O cells are It enables the interface of the power supply different from the O cell.
【0015】また、本発明において、各I/Oセルに電
源を供給する電源ラインを、該I/Oセル上にリング状
で配置することにより、簡易且つ的確にI/Oセルに電
源を供給することができる。Further, in the present invention, by arranging a power supply line for supplying power to each I / O cell in a ring shape on the I / O cell, power is supplied to the I / O cell easily and accurately. can do.
【0016】また、本発明において、高電源を供給する
電源ラインを、電気的に分離された複数本から成るよう
にすることにより、PWの変更のみでピン・アサインに
も影響なく、3種類以上の電源のインターフェースを可
能にすることができる。Further, in the present invention, the power supply line for supplying a high power supply is composed of a plurality of electrically isolated lines, so that only the PW is changed and the pin assignment is not affected. Power supply interface can be enabled.
【0017】[0017]
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図1は、本発明の第1実施例に係るマルチ電源イ
ンターフェースLSIにおけるI/Oセルの配置を示す
図である。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a diagram showing the arrangement of I / O cells in a multi-power supply interface LSI according to the first embodiment of the present invention.
【0018】このLSIは、チップ周辺部の外側から内
側へ向かって複数のI/Oセルを構成するパッド1と、
Nチャネルトランジスタ作成領域(P−Well)2
と、マルチ電源Pチャネルトランジスタ作成領域(N−
Well)3とが順次配置されている。なお、Pは先に
説明したI/Oセルの1スロットを示す。This LSI comprises a pad 1 which constitutes a plurality of I / O cells from the outside to the inside of the peripheral portion of the chip,
N-channel transistor creation area (P-Well) 2
And multi-power supply P-channel transistor creation area
Well) 3 are sequentially arranged. Note that P indicates one slot of the I / O cell described above.
【0019】図2は、図1中のI/Oセルの内部構成例
を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing an internal configuration example of the I / O cell in FIG.
【0020】Pチャネルトランジスタ作成領域(N−W
ell)3は、電源電圧VDD1を供給する電源ライン
3aと電源電位VDD2を供給する電源ライン3bと共
に、複数のPチャネルトランジスタ3cが配置され、そ
の電源ライン3aまたは3bには、各Pチャネルトラン
ジスタ3cのソース及びサブストレートが接続されてい
る。そして、I/OセルのN−ウエル3が1スロット
(図中P)毎に独立し、隣接し合う各I/OセルのN−
Well領域3は、電気的に分離されている。P-channel transistor formation region (N-W
3), a plurality of P-channel transistors 3c are arranged together with a power supply line 3a supplying a power supply voltage VDD1 and a power supply line 3b supplying a power supply potential VDD2, and each P-channel transistor 3c is arranged in the power supply line 3a or 3b. Source and substrate are connected. The N-well 3 of the I / O cell is independent for each slot (P in the figure) and the N-well of each adjacent I / O cell is N-well.
The Well region 3 is electrically isolated.
【0021】また、Nチャネルトランジスタ作成領域
(P−Well)2は、接地電源VSSを供給する電源
ライン2aと複数のNチャネルトランジスタ2bとが配
置され、その電源ライン2aには、各Nチャネルトラン
ジスタ2bのソース及びサブストレートが接続されてい
る。ここで、各I/Oセルに電源を供給する電源ライン
3a,3b,2aは、I/Oセル上にリング状で配置さ
れている。In the N-channel transistor forming region (P-Well) 2, a power supply line 2a for supplying the ground power supply VSS and a plurality of N-channel transistors 2b are arranged, and each N-channel transistor is provided in the power supply line 2a. The source and substrate of 2b are connected. Here, the power supply lines 3a, 3b, 2a for supplying power to each I / O cell are arranged in a ring shape on the I / O cell.
【0022】そして、N−Well領域3の前記Pチャ
ネルトランジスタ3cのドレインがP−Well領域2
の前記Nチャネルトランジスタ2bのドレインに接続さ
れている。そのドレイン同士の接続点からの信号がチッ
プ内部回路へ、またはパッド1へ出力されるようになっ
ている。The drain of the P-channel transistor 3c in the N-Well region 3 is the P-Well region 2
Is connected to the drain of the N-channel transistor 2b. A signal from the connection point between the drains is output to the chip internal circuit or to the pad 1.
【0023】本実施例の複数の電源ライン3a,3bの
配置方法としては、予め複数の電源ライン3a,3bを
用意しておき、I/OPWセルはその電源ライン3a,
3bに対応したものを配置するようにする。As a method of arranging the plurality of power supply lines 3a and 3b in this embodiment, a plurality of power supply lines 3a and 3b are prepared in advance, and the I / OPW cell has the power supply lines 3a and 3b.
The one corresponding to 3b is arranged.
【0024】このように本実施例では、チップ周辺に配
置する複数のI/OセルのN−ウエルを各I/Oセル毎
に電気的に分離しているので、他のI/Oセルと異なっ
た、電源のインターフェースが実現される。すなわち、
I/Oセルの配置に制限がなく、且つI/Oセルのサイ
ズを大きくすることなくマルチ電源のインターフェース
を可能とするLSIを実現することができる。さらに、
電源ライン3a,3b,2aを各I/Oセル上にリング
状で配置したので、簡易且つ的確にI/Oセルに電源を
供給することができる。As described above, in this embodiment, the N-wells of a plurality of I / O cells arranged in the periphery of the chip are electrically separated for each I / O cell, so that they are isolated from other I / O cells. Different, power interface is realized. That is,
It is possible to realize an LSI that has no limitation on the arrangement of I / O cells and that can interface with multiple power supplies without increasing the size of the I / O cells. further,
Since the power supply lines 3a, 3b, 2a are arranged in a ring shape on each I / O cell, the power can be supplied to the I / O cell easily and accurately.
【0025】図3は、本発明の第2実施例に係るマルチ
電源インターフェースLSIにおけるI/Oセルの内部
構成例を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing an internal configuration example of an I / O cell in a multi-power supply interface LSI according to the second embodiment of the present invention.
【0026】本実施例は、3種類以上の電源のインター
フェースを可能にするもので、そのI/Oセルの配置
は、上述の第1実施例における図1に示すものと同一で
ある。This embodiment enables the interface of three or more kinds of power supplies, and the arrangement of the I / O cells is the same as that shown in FIG. 1 in the above-mentioned first embodiment.
【0027】本実施例のように対応電源が増加した場合
でも、図3に示すようにN−Well領域3とPチャネ
ルトランジスタ3cのソースに加わる電源が変わるだけ
である。すなわち、隣接し合う各I/OセルのN−ウエ
ル領域3は1スロット毎に独立して電気的に分離され、
そのN−ウエル領域3内のPチャネルトランジスタの一
部は、そのソースが増設された電源ライン3dに接続さ
れている。Even when the corresponding power source is increased as in this embodiment, the power source applied to the sources of the N-Well region 3 and the P-channel transistor 3c is changed as shown in FIG. That is, the N-well regions 3 of adjacent I / O cells are independently electrically separated for each slot,
A part of the P-channel transistor in the N-well region 3 is connected to the power supply line 3d whose source is added.
【0028】また、3種類以上の電源ライン3a,3b
の配置方法としては、図3に示すように必要とする電源
の数が予め用意された電源ラインの数より多い時に、一
本の電源ラインをピン・アサインに応じて切断するよう
にする。Further, three or more types of power supply lines 3a, 3b
As an arrangement method, as shown in FIG. 3, when the number of required power supplies is larger than the number of prepared power supply lines, one power supply line is disconnected according to the pin assignment.
【0029】本実施例では、PWの変更のみでピン・ア
サインにも影響なく、3種類以上の電源のインターフェ
ースを可能にすることができ、PWの変更のみで一時的
に特定のI/Oセルだけのインターフェース電源を変え
ることができる。In the present embodiment, it is possible to enable the interface of three or more kinds of power sources without changing the pin assignment only by changing the PW, and by temporarily changing the PW, a specific I / O cell is temporarily changed. Only the interface power supply can be changed.
【0030】[0030]
【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明は、チ
ップ周辺に複数のI/Oセルが配置され、複数種の電源
のインターフェースを行なうマスタースライス方式のマ
ルチ電源インターフェースLSIにおいて、前記I/O
セルのN−ウエルが1スロット毎に独立し、隣接し合う
各I/OセルのN−ウエルを電気的に分離したので、I
/Oセルの配置に制限がなく、且つI/Oセルのサイズ
を大きくすることなくマルチ電源インターフェースLS
Iを提供することができる。これにより、使い勝手が改
善され、しかも低コストが可能となる。As described above in detail, the present invention provides a master slice type multi-power supply interface LSI in which a plurality of I / O cells are arranged around the chip and which interfaces a plurality of power supplies. O
Since the N-well of the cell is independent for each slot and the N-well of each adjacent I / O cell is electrically isolated,
There are no restrictions on the layout of I / O cells and the multi-power supply interface LS can be used without increasing the size of I / O cells
I can be provided. This improves usability and enables low cost.
【0031】また、PWの変更のみで一時的に特定のI
/Oセルだけのインターフェース電源を変えること、さ
らに2種類はもちろん3種類以上の電源のインターフェ
ースを行うことも可能となる。Further, a specific I can be temporarily changed only by changing the PW.
It is possible to change the interface power supply only for the / O cell, and to interface not only two types but also three or more types.
【図1】本発明の第1実施例に係るマルチ電源インター
フェースLSIにおけるI/Oセルの配置を示す図であ
る。FIG. 1 is a diagram showing an arrangement of I / O cells in a multi-power supply interface LSI according to a first embodiment of the present invention.
【図2】図1中のI/Oセルの内部構成例を示す図であ
る。FIG. 2 is a diagram showing an internal configuration example of an I / O cell in FIG.
【図3】本発明の第2実施例に係るマルチ電源インター
フェースLSIにおけるI/Oセルの内部構成例を示す
図である。FIG. 3 is a diagram showing an internal configuration example of an I / O cell in a multi-power supply interface LSI according to a second embodiment of the present invention.
【図4】第1の従来例におけるI/Oセルの配置を示す
図である。FIG. 4 is a diagram showing an arrangement of I / O cells in a first conventional example.
【図5】図4のI/Oセルの内部構成例を示す図であ
る。5 is a diagram showing an example of the internal configuration of the I / O cell of FIG.
【図6】第2の従来例におけるI/Oセルの配置を示す
図である。FIG. 6 is a diagram showing an arrangement of I / O cells in a second conventional example.
【図7】図6のI/Oセルの内部構成例を示す図であ
る。7 is a diagram showing an internal configuration example of the I / O cell of FIG.
1 パッド 2 P−Well 3 N−Well 2a,3a,3b,3d 電源ライン 2b Nチャネルトランジスタ 3c Pチャネルトランジスタ VDD1,VDD2,VDD3 電源電圧 VSS 接地電源 1 Pad 2 P-Well 3 N-Well 2a, 3a, 3b, 3d Power supply line 2b N-channel transistor 3c P-channel transistor VDD1, VDD2, VDD3 Power supply voltage VSS Ground power supply
Claims (3)
れ、複数種の電源のインターフェースを行なうマスター
スライス方式のマルチ電源インターフェースLSIにお
いて、 前記I/OセルのN−ウエルが1スロット毎に独立し、
隣接し合う各I/OセルのN−ウエルを電気的に分離し
たことを特徴とするマルチ電源インターフェースLS
I。1. A master-slice-type multi-power supply interface LSI in which a plurality of I / O cells are arranged in the periphery of a chip and which interfaces with a plurality of types of power supplies, wherein the N-well of the I / O cells is provided for each slot. Independent,
A multi-power supply interface LS characterized in that the N-wells of adjacent I / O cells are electrically separated.
I.
ラインを、I/Oセル上にリング状で配置したことを特
徴とする請求項1記載のマルチ電源インターフェースL
SI。2. The multi-power supply interface L according to claim 1, wherein a power supply line for supplying power to each of the I / O cells is arranged in a ring shape on the I / O cell.
SI.
に分離された複数本から成ることを特徴とする請求項1
記載のマルチ電源インターフェースLSI。3. The power supply line for supplying high power is composed of a plurality of electrically isolated lines.
The described multi-power supply interface LSI.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7331795A JPH08274284A (en) | 1995-03-30 | 1995-03-30 | Multi-power supply interface lsi |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7331795A JPH08274284A (en) | 1995-03-30 | 1995-03-30 | Multi-power supply interface lsi |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08274284A true JPH08274284A (en) | 1996-10-18 |
Family
ID=13514683
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7331795A Pending JPH08274284A (en) | 1995-03-30 | 1995-03-30 | Multi-power supply interface lsi |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH08274284A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006059910A (en) * | 2004-08-18 | 2006-03-02 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device |
-
1995
- 1995-03-30 JP JP7331795A patent/JPH08274284A/en active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006059910A (en) * | 2004-08-18 | 2006-03-02 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5663662A (en) | Library group and semiconductor integrated circuit structured thereof | |
US7514766B2 (en) | Semiconductor device | |
KR100614557B1 (en) | Semiconductor integrated circuit device | |
US6404232B1 (en) | Semiconductor integrated circuit device | |
US20030141926A1 (en) | Semiconductor integrated circuit device | |
US7326595B2 (en) | Semiconductor integrated circuit and method of redesigning same | |
JPH05335502A (en) | Semiconductor integrated circuit device | |
JP2826446B2 (en) | Semiconductor integrated circuit device and design method thereof | |
KR100223352B1 (en) | Semiconductor integrated circuit device | |
US5291043A (en) | Semiconductor integrated circuit device having gate array | |
US5552618A (en) | Multi-voltage-lever master-slice integrated circuit | |
US5416431A (en) | Integrated circuit clock driver having improved layout | |
US5780881A (en) | Gate array driven by source voltages and electronic equipment using the same | |
JPH08274284A (en) | Multi-power supply interface lsi | |
US7095063B2 (en) | Multiple supply gate array backfill structure | |
US7212031B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method of the same | |
JPH03109767A (en) | Semiconductor integrated circuit device | |
US5930166A (en) | Semiconductor memory device with triple metal layer | |
JPH10173055A (en) | Cell-based semiconductor device and standard cell | |
US6324677B1 (en) | Integrated circuit layout design | |
JP2001203270A (en) | Method for wiring semiconductor integrated circuits and semiconductor integrated circuit | |
EP0613076A1 (en) | Circuit board receptacle and IC packages for multiple and single supply circuits | |
EP0344055B1 (en) | Semiconductor integrated circuit device | |
JP3587841B2 (en) | Semiconductor integrated circuit | |
JPH10261781A (en) | Semiconductor device and system |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020402 |