JPH0827315B2 - Microwave energy detector - Google Patents

Microwave energy detector

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JPH0827315B2
JPH0827315B2 JP4202038A JP20203892A JPH0827315B2 JP H0827315 B2 JPH0827315 B2 JP H0827315B2 JP 4202038 A JP4202038 A JP 4202038A JP 20203892 A JP20203892 A JP 20203892A JP H0827315 B2 JPH0827315 B2 JP H0827315B2
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JP
Japan
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microwave
radio wave
wave absorber
temperature
thermistor element
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JP4202038A
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昌弘 平間
正己 越村
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Mitsubishi Materials Corp
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Priority to DE4243597A priority patent/DE4243597C2/en
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Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は電子レンジのようなマイ
クロ波加熱装置において被加熱体の加熱状況又は仕上り
状況を検出するに適したマイクロ波センサを用いたマイ
クロ波エネルギ検出装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a microwave energy detecting device using a microwave sensor suitable for detecting a heating condition or a finishing condition of an object to be heated in a microwave heating device such as a microwave oven. .

【0002】[0002]

【従来の技術】電子レンジにはマイクロ波加熱による冷
凍食品の解凍機能、冷えた食品の温め機能等各種機能が
装備されている。電子レンジではこの種の食品の加熱状
況又は仕上り状況をセンサにより検出してマイクロ波を
発生するマグネトロンの出力を自動的に制御している。
従来、食品の冷凍状態から解凍状態までの温度変化を追
跡し、解凍サイクルの終りを検出する電子レンジが開示
されている(特開昭64−50385)。この電子レン
ジはマイクロ波を吸収して発熱する検出器とその温度を
測定する素子とその温度から電子レンジの作動を制御す
る計算及び制御装置を備える。検出器は電子レンジ内の
処理すべき製品の近傍に配置され、計算及び制御装置は
時間の関数としての検出器の温度上昇を表わす曲線を求
め、この曲線の二次導関数の値を計算することにより製
品の解凍サイクルの終りを決定し、また二次導関数の値
が所定値よりも小さくなる解凍サイクルの終了時に電子
レンジの作動を制御する。
2. Description of the Related Art Microwave ovens are equipped with various functions such as a function for thawing frozen food by microwave heating and a function for warming cold food. The microwave oven automatically controls the output of the magnetron that generates microwaves by detecting the heating status or finishing status of this type of food with a sensor.
Conventionally, there has been disclosed a microwave oven which detects the end of the thawing cycle by tracking the temperature change from the frozen state to the thawed state of food (Japanese Patent Laid-Open No. 64-50385). This microwave oven includes a detector that absorbs microwaves and generates heat, an element that measures the temperature thereof, and a calculation and control device that controls the operation of the microwave oven from the temperature. The detector is placed in the microwave oven in the vicinity of the product to be treated and the calculation and control device determines a curve representing the temperature rise of the detector as a function of time and calculates the value of the second derivative of this curve. It determines the end of the thawing cycle of the product and controls the operation of the microwave oven at the end of the thawing cycle where the value of the second derivative is less than a predetermined value.

【0003】また、複数の順次の解凍作業において各解
凍作業の終了を一定の感度で検出できる検出器を備えた
別の電子レンジが開示されている(特開昭64−503
84)。この電子レンジもマイクロ波検出器と温度測定
素子と計算及び制御装置とを備える。この電子レンジで
は、検出器がマイクロ波を透過するが、マイクロ波の吸
収により発熱した検出器の外部への熱放散を防止する熱
絶縁体を含んでいる。この熱絶縁体により外部との熱交
換が減少して温度上昇が増加するので、検出器は各解凍
作業を感度を低下させることなく検出できる。またこの
検出器は外部に対する熱交換面積が大きくかつその厚さ
が薄く形成される。このため検出器は外部との熱交換が
促進され、各解凍作業後に初期特性を急速に回復する熱
的ラグの小さいものになる。
Further, another microwave oven provided with a detector capable of detecting the end of each thawing operation with a constant sensitivity in a plurality of sequential thawing operations is disclosed (Japanese Patent Laid-Open No. 64-503).
84). This microwave oven also comprises a microwave detector, a temperature measuring element and a calculation and control device. In this microwave oven, the detector transmits microwaves, but includes a heat insulator that prevents heat generated by absorption of microwaves from being dissipated to the outside of the detector. The heat insulator reduces the heat exchange with the outside and increases the temperature rise, so that the detector can detect each thawing operation without reducing the sensitivity. Further, this detector has a large heat exchange area for the outside and a thin thickness. This facilitates heat exchange with the outside of the detector, resulting in a small thermal lag that rapidly restores its initial properties after each thawing operation.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】特開昭64−5038
5号公報に示される電子レンジでは、製品が氷の状態か
ら水の状態に移行すると、製品は徐々により多くのマイ
クロ波エネルギを吸収して徐々に加熱され、検出器に吸
収されるエネルギは徐々に減少する。ここで、時間の関
数として検出器の温度上昇を示す曲線の勾配(一次導関
数)を測定した場合に、この勾配がやや減少し二次導関
数の絶対値が所定値よりも大きくなったとき、電子レン
ジ内の製品は解凍し始める。またこの勾配が緩やかにな
り、二次導関数の絶対値が所定値よりも小さくなったと
き、製品は解凍を終了する。上記電子レンジはこの二次
導関数の変化から解凍状態を決定している。しかし、こ
の解凍状態の決定方法によれば二次導関数の変化をもた
らすのは、検出器に吸収されるマイクロ波エネルギの変
化のみでなくてはならない。
Problems to be Solved by the Invention JP-A-64-5038
In the microwave oven disclosed in Japanese Patent Publication No. 5, when the product shifts from the ice state to the water state, the product gradually absorbs more microwave energy and is gradually heated, and the energy absorbed by the detector gradually. Decrease to. Here, when measuring the slope (first derivative) of the curve showing the temperature rise of the detector as a function of time, when this slope decreases slightly and the absolute value of the second derivative becomes larger than a predetermined value. , The product in the microwave begins to thaw. When the gradient becomes gentle and the absolute value of the second derivative becomes smaller than the predetermined value, the product finishes thawing. The microwave oven determines the defrosting state from the change in the second derivative. However, according to this method of determining the defrosted state, it is only the change in the microwave energy absorbed by the detector that causes the change in the second derivative.

【0005】一方、一般に熱容量Cを持つ被加熱物質、
例えばマイクロ波センサがマイクロ波エネルギEを受け
たときのt時間後の温度上昇値θは外部への熱放散が全
くない、完全な断熱状態において、次の式(2)で表わ
される。この関係は図9に示される。なお、θはマイク
ロ波エネルギEを受ける前の温度θ 0 からマイクロ波エ
ネルギEをt時間受けた後の温度θ t までの温度上昇値
である。 θ = E・t/C (2) しかしながら、実際の被加熱物質では、マイクロ波エネ
ルギを受けたときに外部への熱放散を無視することがで
きない。この場合、被加熱物質が熱放散定数δを持つ場
合、微小時間dtにこの物質が受取るエネルギE・dt
は次の式(3)で表わされる。 E・dt = C・dθ + δ・θ・dt (3) ただし、dθは微小時間に上昇した温度、C・dθは微
小時間に物質に蓄えられた熱エネルギ、δ・θ・dtは
微小時間に周囲に放散した熱エネルギである。上記式
(3)から温度上昇値θはエネルギEが一定のとき次の
式(4)で表わされる。この関係は図10に示される。 θ = (E/δ)・{1−exp(−t/τ)} (4) ただし、τは熱時定数であって、C=τ・δの関係があ
る。図9及び図10から明らかなように、温度上昇値θ
が大きくなるに従って、式(1)と式(2)との差が増
大する。
On the other hand, a substance to be heated, which generally has a heat capacity C,
For example, the temperature rise value θ after t hours when the microwave sensor receives the microwave energy E is expressed by the following equation (2) in a completely adiabatic state where there is no heat dissipation to the outside. This relationship is shown in FIG. Note that θ is the microphone
Micro from the temperature θ 0 of before receiving the b wave energy E Namie
Temperature rise value up to temperature θ t after receiving Nergi E for t hours
It is. θ = E · t / C (2) However, in the actual substance to be heated, the heat dissipation to the outside cannot be ignored when the microwave energy is received. In this case, if the substance to be heated has a heat dissipation constant δ, the energy E · dt received by this substance in a minute time dt
Is expressed by the following equation (3). E · dt = C · dθ + δ · θ · dt (3) where dθ is the temperature increased in a minute time, C · dθ is the thermal energy stored in the substance in a minute time, and δ · θ · dt is a minute time. Is the heat energy that is dissipated to the surroundings. From the equation (3), the temperature rise value θ is represented by the following equation (4) when the energy E is constant. This relationship is shown in FIG. θ = (E / δ) · {1-exp (−t / τ)} (4) However, τ is a thermal time constant and has a relationship of C = τ · δ. As is clear from FIGS. 9 and 10, the temperature rise value θ
As becomes larger, the difference between the equation (1) and the equation (2) increases.

【0006】さて、上記式(4)から特開昭64−50
385号公報に述べられた一次導関数(dθ/dt)及
び二次導関数(d2θ/dt2)を求めると、次の式
(5)及び式(6)がそれぞれ得られる。これらの関係
は図11及び図12に示される。 dθ/dt =(E/δ/τ)・exp(−t/τ) (5) d2θ/dt2=(−E/δ/τ2)・exp(−t/τ) (6) 図12及び式(6)から二次導関数(d2θ/dt2)は
時間tが零から無限大(0〜∞)の範囲において、(−
E/δ/τ2)から0へと変化することを示しており、
熱放散を考慮すると時間に対しエネルギが変化しない場
合でも二次導関数の変化がもたらされる。このことは特
開昭64−50385号公報の電子レンジの解凍状態の
決定方法が温度上昇値θが大きくなった状態では、正確
でないことを示唆している。即ち、上記電子レンジでは
検出器に吸収されるマイクロ波エネルギの変化のみで二
次導関数の変化をみて、この二次導関数の変化から解凍
状態を決定しているが、実際にはマイクロ波センサの熱
放散を考慮する必要がある。
From the above formula (4), Japanese Patent Laid-Open No. 64-50
When the first derivative (dθ / dt) and the second derivative (d 2 θ / dt 2 ) described in Japanese Patent No. 385 are obtained, the following equations (5) and (6) are obtained. These relationships are shown in FIGS. 11 and 12. dθ / dt = (E / δ / τ) · exp (−t / τ) (5) d 2 θ / dt 2 = (− E / δ / τ 2 ) · exp (−t / τ) (6) Figure 12 and equation (6), the second derivative (d 2 θ / dt 2 ) is (−) in the range of time t from zero to infinity (0 to ∞).
E / δ / τ 2 ) changes to 0,
Considering heat dissipation results in a change in the second derivative even if the energy does not change over time. This suggests that the method for determining the defrosting state of the microwave oven disclosed in JP-A-64-50385 is not accurate when the temperature rise value θ is large. That is, in the above microwave oven, the change of the second derivative is observed only by the change of the microwave energy absorbed by the detector, and the defrosting state is determined from the change of the second derivative. It is necessary to consider the heat dissipation of the sensor.

【0007】また、特開昭64−50384号公報に示
される電子レンジでは、上述したように熱絶縁体を用
い、かつ熱放散し易い構造を採用している。熱絶縁体
はマイクロ波が照射されている間は熱放散を減少させ、
熱放散し易い構造はマイクロ波が照射されない間は熱
放散を大きくし速やかに初期状態に復帰させ、かつ繰返
し加熱する場合の熱の累積による熱破壊の防止をはかっ
ている。しかし、上記とは相反するものであり、そ
れぞれ十分に満足することは不可能である。更に、検出
器の外部への熱放散を考慮する場合には、この放散され
る熱量は周囲の温度により左右される。即ち、周囲の温
度が高いときには放散される熱量は少なく、低いときは
多い。例えば電子レンジではその使用状況によってその
加熱室が高温になった場合には検出誤差が大きくなる。
従来の単一の検出器では周囲の温度は画一的に捉えてい
たため、なお正確にマイクロ波エネルギを検出できない
不具合があった。
Further, the microwave oven disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 64-50384 uses a heat insulator as described above and employs a structure that easily dissipates heat. Thermal insulators reduce heat dissipation during microwave irradiation,
The structure that easily dissipates heat is intended to increase the heat dissipation while not being irradiated with microwaves to quickly return to the initial state, and prevent thermal destruction due to accumulated heat when repeatedly heated. However, it is contrary to the above, and it is impossible to satisfy each of them sufficiently. Furthermore, when considering heat dissipation to the outside of the detector, the amount of heat dissipated depends on the ambient temperature. That is, when the ambient temperature is high, the amount of heat radiated is small, and when it is low, it is large. For example, in a microwave oven, the detection error becomes large when the temperature of the heating chamber becomes high depending on the usage conditions.
The conventional single detector has a problem that the microwave energy cannot be accurately detected because the ambient temperature is uniformly captured.

【0008】本発明の目的は、マイクロ波センサの熱放
散を必ずしも減少させる必要がなく、この熱放散を考慮
し、周囲の温度変化に影響されずに正確にマイクロ波エ
ネルギを検出できる装置を提供することにある。
It is an object of the present invention to provide a device that does not necessarily reduce the heat dissipation of a microwave sensor, and takes this heat dissipation into consideration and can accurately detect microwave energy without being affected by ambient temperature changes. To do.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】図1に示すように、本発
明は、マイクロ波加熱室17にマイクロ波センサ10と
温度センサ50が並んで設置される。マイクロ波センサ
10はマイクロ波を吸収して発熱する第1電波吸収体1
2とこの吸収体12の温度を検出する第1サーミスタ素
子11とを有する。温度センサ50は第1電波吸収体1
2と同形同大であって同一熱容量を有しマイクロ波を反
射する電波反射体55とこの反射体55の温度を検出し
第1サーミスタ素子11と同一構成の第2サーミスタ素
子51とを有する。この電波反射体55は、第1電波吸
収体12と同一構成の第2電波吸収体52と、この電波
吸収体52のマイクロ波を受ける面52aにマイクロ波
を反射する薄膜の金属被覆材53とを備える。マイクロ
波センサ10及び温度センサ50の各検出出力に基づい
て計算装置30は、下記式(1)によりマイクロ波エネ
ルギの値を時間の関数として計算する。 E = C・dθ/dt + δ・θ (1) ただし、Eは前記電波吸収体が吸収したマイクロ波エネ
ルギ、θ=(θ t1 −θ 01 )−(θ t2 −θ 02 であって、
θ 01 は前記電波吸収体がマイクロ波エネルギEを吸収す
る前の前記第1サーミスタ素子の検出温度、θ t1 は前記
電波吸収体がマイクロ波エネルギEをt時間吸収した後
の前記第1サーミスタ素子の検出温度θ 02 は前記電波
吸収体がマイクロ波エネルギEを吸収する前の前記第2
サーミスタ素子の検出温度、θ t2 は前記電波吸収体がマ
イクロ波エネルギEをt時間吸収した後の前記第2サー
ミスタ素子の検出温度、Cは前記マイクロ波センサの熱
容量、δは前記マイクロ波センサの熱放散定数である。
As shown in FIG. 1, in the present invention, a microwave sensor 10 and a temperature sensor 50 are installed side by side in a microwave heating chamber 17 . The microwave sensor 10 is a first radio wave absorber 1 that absorbs microwaves and generates heat.
2 and a first thermistor element 11 that detects the temperature of the absorber 12. The temperature sensor 50 is the first electromagnetic wave absorber 1
2, a radio wave reflector 55 having the same shape and size and the same heat capacity and reflecting microwaves, and a second thermistor element 51 having the same configuration as the first thermistor element 11 for detecting the temperature of the reflector 55. . This radio wave reflector 55 is designed to absorb the first radio wave.
The second radio wave absorber 52 having the same configuration as the collector 12 and the radio wave
The surface 52a of the absorber 52 that receives the microwave is
And a thin-film metal coating 53 that reflects light. Based on the detection outputs of the microwave sensor 10 and the temperature sensor 50, the calculation device 30 calculates the value of microwave energy as a function of time by the following equation (1). E = C · dθ / dt + δ · θ (1) However, E is microwave energy that the wave absorber has absorbed, θ = (θ t1 -θ 01 ) - A t2 02),
θ 01 indicates that the radio wave absorber absorbs microwave energy E
Detection temperature of the first thermistor element before, theta t1 is the
After the radio wave absorber has absorbed the microwave energy E for t hours
, The temperature detected by the first thermistor element , θ 02 is the radio wave
The second before the absorber absorbs the microwave energy E
The temperature detected by the thermistor element, θ t2, is measured by the electromagnetic wave absorber.
The second sir after absorbing the microwave energy E for t hours
The detected temperature of the mister element , C is the heat capacity of the microwave sensor, and δ is the heat dissipation constant of the microwave sensor.

【0010】[0010]

【作用】計算装置30には予め式(1)の関係とマイク
ロ波センサ10に固有の熱容量C及び熱放散定数δの各
値を記憶させておく。マイクロ波センサ10及び温度セ
ンサ50にマイクロ波が到来すると、温度センサ50で
は金属被覆材53がこれを反射するが、電波吸収体12
がこれを吸収して発熱する。温度センサ50を構成する
サーミスタ素子51は被加熱物の輻射熱等による加熱室
の温度により電気抵抗値が変化する。一方、マイクロ波
センサ10を構成するサーミスタ素子11は加熱室の温
度に加えてマイクロ波エネルギ量に相応した発熱により
電気抵抗値が変化する。計算装置30は、第1電波吸収
体12がマイクロ波エネルギを吸収する前の第1サーミ
スタ素子11の検出温度θ 01 から第1電波吸収体12が
マイクロ波エネルギをt時間吸収した後の第1サーミス
タ素子11の検出温度θ t1 までの温度上昇値(θ t1 −θ
01 )から、第1電波吸収体12がマイクロ波エネルギを
吸収する前の第2サーミスタ素子51の検出温度θ 02
ら第1電波吸収体12がマイクロ波エネルギをt時間吸
収した後の第2サーミスタ素子51の検出温度θ t2 まで
の温度上昇値(θ t2 −θ 02 を減算して、マイクロ波エ
ネルギの吸収による発熱分だけを求め、このθ=(θ t1
−θ 01 )−(θ t2 −θ 02 を前記式(1)に代入して、
マイクロ波センサ10の熱放散と、周囲の温度変化を考
慮して被加熱物が受けるマイクロ波エネルギ量を正確に
求める。
In the calculation device 30, the relationship of the equation (1) and the respective values of the heat capacity C and the heat dissipation constant δ peculiar to the microwave sensor 10 are stored in advance. When microwaves arrive at the microwave sensor 10 and the temperature sensor 50, the metal coating material 53 reflects them at the temperature sensor 50, but the electromagnetic wave absorber 12
Absorbs this and generates heat. The thermistor element 51 that constitutes the temperature sensor 50 has an electric resistance value that changes depending on the temperature of the heating chamber due to radiant heat of the object to be heated. On the other hand, in the thermistor element 11 which constitutes the microwave sensor 10, the electric resistance value changes due to the heat generation corresponding to the microwave energy amount in addition to the temperature of the heating chamber. The calculation device 30 absorbs the first electromagnetic wave.
First thermist before body 12 absorbs microwave energy
From the detected temperature θ 01 of the star element 11, the first electromagnetic wave absorber 12
First thermist after absorbing microwave energy for t hours
Temperature rise value to detect temperature theta t1 of data elements 11 t1
01 ), the first electromagnetic wave absorber 12 receives microwave energy.
Is the detected temperature θ 02 of the second thermistor element 51 before absorption ?
The first radio wave absorber 12 absorbs microwave energy for t time.
Up to the detection temperature θ t2 of the second thermistor element 51 after it is stored
The temperature rise value (θ t2 −θ 02 ) is subtracted to obtain only the heat generation due to the absorption of microwave energy, and this θ = t1
Substituting −θ 01 ) − (θ t2 −θ 02 ) into the equation (1),
The amount of microwave energy received by the object to be heated is accurately determined in consideration of the heat dissipation of the microwave sensor 10 and the ambient temperature change.

【0011】[0011]

【実施例】次に、本発明の実施例を図面に基づいて詳し
く説明する。図1に示すように、電子レンジ13の前面
には扉14が開閉可能に設けられる。電子レンジ13の
加熱室17の天井部にはマイクロ波センサ10と温度セ
ンサ50が並設される。両センサ10及び50は天井部
のフレーム15にそれぞれ形成されたスリット15a,
15a内に加熱室17に臨んで固定され、両センサ10
及び50のリード11c及び51cは後述するマグネト
ロン18からのマイクロ波を受けない位置に設けられ
る。
Embodiments of the present invention will now be described in detail with reference to the drawings. As shown in FIG. 1, a door 14 is provided on the front surface of the microwave oven 13 so as to be openable and closable. The microwave sensor 10 and the temperature sensor 50 are arranged side by side on the ceiling of the heating chamber 17 of the microwave oven 13. Both sensors 10 and 50 are slits 15a formed in the frame 15 of the ceiling,
Both sensors 10 a and 15 b are fixed so as to face the heating chamber 17.
Leads 11c and 51c of 50 and 50 are provided at positions where microwaves from the magnetron 18, which will be described later, are not received.

【0012】サーミスタ素子11及びサーミスタ素子
1はそれぞれ直径1.35mmで厚さ1.45mmのメ
ルフ(Metal Electrode Face)型素子であって、Mn,
Co,Niを主成分とする金属酸化物の焼結体からなる
感温部11a及び51aを有し、その両端の端子電極1
1b及び51bにリード11c及び51cをはんだ付け
して作られる。両サーミスタ素子11,51の25℃に
おける抵抗値はそれぞれ100kΩであって、B定数は
それぞれ3965Kである。電波吸収体12及び52は
SiCの焼結体であって、それぞれ直径12mmで厚さ
1mmのサイズに作られ、同一の熱容量を有する。電波
吸収体12,52の一方の面12a,52aはマイクロ
波吸収面であり、その他方の面12b,52bの中央に
上記リード付きサーミスタ素子11,51の感温部11
a,51aがエポキシ樹脂10a,50aにより接着さ
れる。温度センサ50は更に電波吸収体52のマイクロ
波を受ける面52aにAgペースト(昭栄化学:商品名
H−5723)を印刷し、最高温度800℃で10分間
維持して焼成し、金属被覆材53を得た。この金属被覆
材53はその他の蒸着法、スパッタリング法等により薄
膜形成法で作製してもよい。サーミスタ素子11、電波
吸収体12及びエポキシ樹脂10aを含むマイクロ波セ
ンサ10の熱放散定数δは6mW/℃であり、その熱時
定数τは40秒である。またサーミスタ素子51、電波
吸収体52及びエポキシ樹脂50aを含む温度センサ5
0の熱放散定数δも6mW/℃であり、その熱時定数τ
も40秒である。
Thermistor element 11 and thermistor element 5
Reference numeral 1 denotes a Melf (Metal Electrode Face) type element having a diameter of 1.35 mm and a thickness of 1.45 mm.
The temperature sensing parts 11a and 51a made of a sintered body of a metal oxide containing Co and Ni as main components are provided, and the terminal electrodes 1 at both ends thereof are provided.
It is made by soldering leads 11c and 51c to 1b and 51b. The resistance values of both thermistor elements 11 and 51 at 25 ° C. are 100 kΩ, and the B constants are 3965K. The radio wave absorbers 12 and 52 are sintered SiC bodies, each of which has a diameter of 12 mm and a thickness of 1 mm and has the same heat capacity. One surface 12a, 52a of the radio wave absorber 12, 52 is a microwave absorbing surface, and the temperature sensing portion 11 of the thermistor element 11 with lead is placed in the center of the other surface 12b, 52b.
a and 51a are adhered by the epoxy resins 10a and 50a. The temperature sensor 50 is further printed with Ag paste (Shoei Chemical Co., Ltd .: trade name H-5723) on the microwave receiving surface 52a of the radio wave absorber 52, baked at a maximum temperature of 800 ° C. for 10 minutes, and then the metal coating material 53. Got The metal coating material 53 may be formed by a thin film forming method such as another vapor deposition method or a sputtering method. The microwave sensor 10 including the thermistor element 11, the radio wave absorber 12 and the epoxy resin 10a has a heat dissipation constant δ of 6 mW / ° C. and a thermal time constant τ of 40 seconds. Further, the temperature sensor 5 including the thermistor element 51, the radio wave absorber 52, and the epoxy resin 50a.
The heat dissipation constant δ of 0 is also 6 mW / ° C, and its thermal time constant τ
Is also 40 seconds.

【0013】加熱室17の奥部には2450MHzのマ
イクロ波を発生するマグネトロン18が、またその背後
にはブロアファン19及びファンモータ20がそれぞれ
設けられる。加熱室17の底部には容器21を載せてモ
ータ23により回転するターンテーブル22が設けられ
る。ファンモータ20の近傍には吸気口24が、また加
熱室17の天井部には排気口26がそれぞれ設けられ
る。電子レンジ13にはCPU及びメモリを含むコント
ローラ30が設けられる。このメモリには前述した式
(1)の関係と前述したマイクロ波センサ10の熱放散
定数δ及び熱時定数τの各値が記憶される。マイクロ波
センサ10及び温度センサ50の検出出力はコントロー
ラ30に接続され、電波吸収体12の発熱に伴う温度上
昇値(θ t1 −θ 01 及び電波吸収体52の発熱に伴う温
度上昇値(θ t2 −θ 02 がサーミスタ素子11及び51
の電気信号としてコントローラ30に入力する。またコ
ントローラ30の制御出力はマグネトロン18、モータ
20及び23にそれぞれ接続される。なお、θ 01 は電波
吸収体12がマイクロ波エネルギEを吸収する前のサー
ミスタ素子11の検出温度、θ t1 は電波吸収体12がマ
イクロ波エネルギEをt時間吸収した後のサーミスタ素
子11の検出温度θ 02 は電波吸収体12がマイクロ波
エネルギEを吸収する前のサーミスタ素子51の検出温
度、θ t2 は電波吸収体12がマイクロ波エネルギEをt
時間吸収した後のサーミスタ素子51の検出温度であ
る。
A magnetron 18 for generating a microwave of 2450 MHz is provided at the back of the heating chamber 17, and a blower fan 19 and a fan motor 20 are provided behind it. At the bottom of the heating chamber 17, there is provided a turntable 22 on which a container 21 is placed and which is rotated by a motor 23. An intake port 24 is provided near the fan motor 20, and an exhaust port 26 is provided at the ceiling of the heating chamber 17. The microwave oven 13 is provided with a controller 30 including a CPU and a memory. This memory stores the relationship of the above-mentioned equation (1) and the respective values of the heat dissipation constant δ and the thermal time constant τ of the microwave sensor 10 described above. The detection output of the microwave sensor 10 and the temperature sensor 50 is connected to the controller 30, the temperature rise value due to the heat generation of the wave absorber 12 t1 01) and the temperature rise value due to the heat generation of the electric wave absorber 52 (theta t2- θ 02 ) is the thermistor elements 11 and 51
Is input to the controller 30. The control output of the controller 30 is connected to the magnetron 18 and the motors 20 and 23, respectively. Note that θ 01 is the radio wave
Before the absorber 12 absorbs the microwave energy E
The temperature detected by the mister element 11, θ t1, is measured by the electromagnetic wave absorber 12.
Thermistor element after absorbing the microwave energy E for t hours
The detected temperature of the child 11 , θ 02 is the microwave of the radio wave absorber 12
Detected temperature of the thermistor element 51 before absorbing energy E
The angle, θ t2, is that the microwave absorber 12 measures the microwave energy E by t.
The temperature detected by the thermistor element 51 after absorption for a time
It

【0014】次に、このように構成された電子レンジを
用いて、ターンテーブル22上には何も被加熱物を載せ
ない状態でマイクロ波エネルギ検出試験を行った。加熱
室17に照射されたマイクロ波エネルギ量を調べるため
にコントローラ30に記録装置27を接続した。 <試験A>最初にマイクロ波出力は200W相当のレン
ジ弱の状態に設定してコントローラ30によりマグネト
ロン18からマイクロ波を加熱室17に照射した。な
お、比較のため温度センサをコントローラ30に接続し
ない状態でも同様にマイクロ波を照射した。コントロー
ラ30が計算したエネルギ量を記録装置27により記録
した。その結果を図2に示す。温度センサ50を用いな
いで、即ち温度補正しない場合には時間の経過とともに
エネルギ量が微増するのに対して、温度センサ50を用
いて温度補正した場合には、照射時間の長短によらずエ
ネルギ量が一定であった。 <試験B>次にマイクロ波出力を150W、200W、
250W及び300Wの4段階に切換え、それぞれにつ
いてコントローラ30が計算したエネルギ量を記録装置
27により記録した。その結果を図3に示す。図3から
明らかなように、温度センサにより温度補正した場合に
は、マイクロ波出力を変え、照射時間が長くなっても、
エネルギ量は一定であった。これらのことから、周囲温
度の補正を行うことによりマイクロ波エネルギをより正
確に検出できることが判った。
Next, a microwave energy detection test was conducted using the microwave oven constructed as described above in a state where no object to be heated was placed on the turntable 22. A recording device 27 was connected to the controller 30 in order to check the amount of microwave energy applied to the heating chamber 17. <Test A> First, the microwave output was set to a state of a weak range corresponding to 200 W, and the heating chamber 17 was irradiated with microwaves from the magnetron 18 by the controller 30. For comparison, microwaves were similarly irradiated even when the temperature sensor was not connected to the controller 30. The energy amount calculated by the controller 30 was recorded by the recording device 27. The result is shown in FIG. When the temperature sensor 50 is not used, that is, when the temperature is not corrected, the amount of energy slightly increases with time, whereas when the temperature is corrected using the temperature sensor 50, the energy is increased regardless of the irradiation time. The amount was constant. <Test B> Next, the microwave output is 150 W, 200 W,
Switching to four stages of 250 W and 300 W, the energy amount calculated by the controller 30 for each was recorded by the recording device 27. The result is shown in FIG. As is clear from FIG. 3, when the temperature is corrected by the temperature sensor, even if the microwave output is changed and the irradiation time becomes long,
The amount of energy was constant. From these, it was found that the microwave energy can be detected more accurately by correcting the ambient temperature.

【0015】なお、本発明のマイクロ波センサは上記例
で示した以外に、本出願人がこれまでそれぞれ特許出願
した図4〜図8に示されるものを用いることができる。
温度センサについては図示しないが、マイクロ波センサ
のマイクロ波を受ける面に金属被覆材を形成したものを
温度センサとして用いることができる。図4に示される
マイクロ波センサ10は、サーミスタ素子11の感温部
11aが電波吸収体粉末を充填材として含む有機物質3
2又は無機物質により被覆される。このセンサに関して
特願平3−244449号により出願した。図5に示さ
れるマイクロ波センサ10は、サーミスタ素子11に近
接してこのサーミスタ素子11をそのリード11cを含
めて被包する金属被包体33と、この金属被包体33の
表面に層状に形成された電波吸収体12とを備える。サ
ーミスタ素子11は充填材36により金属被包体33内
で固定されることが好ましい。このセンサに関して特願
平4−100348号により出願した。
As the microwave sensor of the present invention, in addition to the examples shown in the above examples, those shown in FIGS. 4 to 8 to which the present applicant has applied for patents can be used.
Although not shown, the temperature sensor may be a temperature sensor having a metal coating formed on the surface of the microwave sensor that receives microwaves. In the microwave sensor 10 shown in FIG. 4, the temperature sensing portion 11a of the thermistor element 11 includes an organic substance 3 containing a radio wave absorber powder as a filler.
2 or coated with an inorganic substance. An application for this sensor was filed in Japanese Patent Application No. 3-244449. The microwave sensor 10 shown in FIG. 5 includes a metal encapsulation body 33 that is close to the thermistor element 11 and encloses the thermistor element 11 including its leads 11c, and a layer on the surface of the metal encapsulation body 33. The formed electromagnetic wave absorber 12 is provided. The thermistor element 11 is preferably fixed in the metal envelope 33 by a filler 36. An application for this sensor was filed in Japanese Patent Application No. 4-100348.

【0016】図6に示されるマイクロ波センサ10は、
電波吸収体12がサーミスタ特性を有し、この電波吸収
体12のマイクロ波を受けない面に一対の電極42,4
3が間隔をあけて設けられる。電極42,43にはリー
ド44,46がそれぞれ接続され、電波吸収体12はリ
ード44,46を被包するセラミック被包体47を介し
てキャップ状の取付体48に取付けられる。このセンサ
に関して特願平4−100349号により出願した。図
7に示されるマイクロ波センサ10は、電波吸収体12
がサーミスタ素子11に近接してこのサーミスタ素子1
1をそのリード11cを含めて被包する。電波吸収体1
2は金属製の鍔部54を介して取付けられる。サーミス
タ素子11は充填材36により電波吸収体12内で固定
されることが好ましい。このセンサに関して特願平4−
100350号により出願した。図8に示されるマイク
ロ波センサ10は、電波吸収体12の表面をマイクロ波
を受ける面とし、この電波吸収体12の裏面のマイクロ
波を受けない位置に金属体56が金属層58を介して接
合され、サーミスタ素子11がこの金属体56により保
持されかつ電波吸収体12の温度を金属体56を介して
感知する。サーミスタ素子11のリード11cは絶縁性
物質で被覆される。このセンサに関して特願平4−16
3582により出願した。
The microwave sensor 10 shown in FIG.
The radio wave absorber 12 has thermistor characteristics, and a pair of electrodes 42, 4 is provided on the surface of the radio wave absorber 12 that does not receive microwaves.
3 are provided at intervals. Leads 44 and 46 are connected to the electrodes 42 and 43, respectively, and the radio wave absorber 12 is attached to a cap-shaped attachment body 48 via a ceramic enclosure 47 that encloses the leads 44 and 46. An application for this sensor was filed in Japanese Patent Application No. 4-100349. The microwave sensor 10 shown in FIG.
Is close to the thermistor element 11 and the thermistor element 1
1 is encapsulated including its lead 11c. Radio wave absorber 1
2 is attached via a collar 54 made of metal. The thermistor element 11 is preferably fixed in the radio wave absorber 12 by a filling material 36. Japanese Patent Application No. 4-
Filed under No. 100350. In the microwave sensor 10 shown in FIG. 8, the front surface of the radio wave absorber 12 is a surface that receives microwaves, and the metal body 56 is provided on the back surface of the radio wave absorber 12 at a position that does not receive microwaves via the metal layer 58. The thermistor element 11 is joined and held by the metal body 56 and senses the temperature of the radio wave absorber 12 through the metal body 56. The leads 11c of the thermistor element 11 are covered with an insulating material. Regarding this sensor, Japanese Patent Application No. 4-16
Filed under 3582.

【0017】[0017]

【発明の効果】以上述べたように、本発明では、前記式
(1)の関係及びマイクロ波センサの熱放散定数δとそ
の熱時定数τを予め計算装置に入力しておき、このδと
τでマイクロ波センサの熱放散を考慮するようにして、
マイクロ波センサではマイクロ波の吸収に伴う熱エネル
ギを検出するように構成したので、正確にエネルギ量を
検出できるとともに、従来のようにマイクロ波センサに
熱放散を防止する熱絶縁体を設けずに済む。特に、温度
センサにより周囲の温度補正を行えば、より一層正確に
エネルギ量を検出することができる。また、計算装置が
時間の経過に従ってマイクロ波エネルギを求めるため、
その変化に基づきマイクロ波源の出力を制御すれば、被
加熱物を所望の解凍状態又は加熱状態に的確に処理する
ことができる。
As described above, according to the present invention, the relation of the equation (1), the heat dissipation constant δ of the microwave sensor and its thermal time constant τ are input to the calculation device in advance, and this δ Considering the heat dissipation of the microwave sensor with τ,
Since the microwave sensor is configured to detect the thermal energy associated with the absorption of microwaves, it is possible to accurately detect the amount of energy, and without providing the microwave sensor with a heat insulator that prevents heat dissipation as in the conventional case. I'm done. In particular, if the ambient temperature is corrected by the temperature sensor, the amount of energy can be detected more accurately. In addition, since the calculation device calculates the microwave energy over time,
If the output of the microwave source is controlled based on the change, the object to be heated can be appropriately processed into a desired defrosting state or heating state.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明実施例のマイクロ波エネルギ検出装置の
構成図。
FIG. 1 is a configuration diagram of a microwave energy detection device according to an embodiment of the present invention.

【図2】温度補正した場合としない場合の被加熱物のな
いときに検出装置が検出したエネルギ量の変化を示す
図。
FIG. 2 is a diagram showing changes in the amount of energy detected by a detection device when there is no object to be heated, with and without temperature correction.

【図3】マイクロ波出力を4段階に変え、被加熱物のな
いときに検出装置が検出したエネルギ量の変化を示す
図。
FIG. 3 is a diagram showing changes in the amount of energy detected by the detection device when there is no object to be heated by changing the microwave output in four stages.

【図4】そのマイクロ波センサの別の断面図。FIG. 4 is another sectional view of the microwave sensor.

【図5】そのマイクロ波センサの別の断面図。FIG. 5 is another sectional view of the microwave sensor.

【図6】そのマイクロ波センサの別の断面図。FIG. 6 is another sectional view of the microwave sensor.

【図7】そのマイクロ波センサの別の断面図。FIG. 7 is another sectional view of the microwave sensor.

【図8】そのマイクロ波センサの別の断面図。FIG. 8 is another sectional view of the microwave sensor.

【図9】断熱状態において物質がマイクロ波エネルギを
受けたときの温度変化図。
FIG. 9 is a temperature change diagram when a substance receives microwave energy in an adiabatic state.

【図10】熱放散がある状態において物質がマイクロ波
エネルギを受けたときの温度変化図。
FIG. 10 is a temperature change diagram when a substance receives microwave energy in a state where heat is dissipated.

【図11】このときの時間に対する温度の一次導関数を
示す図。
FIG. 11 is a diagram showing the first derivative of temperature with respect to time at this time.

【図12】このときの時間に対する温度の二次導関数を
示す図。
FIG. 12 is a diagram showing a second derivative of temperature with respect to time at this time.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 マイクロ波センサ 11,51 サーミスタ素子 11a,51a 感温部 11c,51c リード 12,52 電波吸収体 12a,52a 電波吸収体の一方の面 12b,52b 電波吸収体の他方の面 30 コントローラ(計算装置) 50 温度センサ 53 金属被覆材 55 電波反射体 10 microwave sensor 11,51 thermistor element 11a, 51a temperature sensing part 11c, 51c lead 12,52 radio wave absorber 12a, 52a one side of radio wave absorber 12b, 52b other side of radio wave absorber 30 controller (calculator) ) 50 temperature sensor 53 metal coating 55 radio wave reflector

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 マイクロ波加熱室(17)に設置され、マイ
クロ波を吸収して発熱する第1電波吸収体(12)と前記吸
収体(12)の温度を検出する第1サーミスタ素子(11)とを
有するマイクロ波センサ(10)と、前記マイクロ波加熱室(17)に前記マイクロ波センサ(10)
と並んで設置され、 前記第1電波吸収体(12)と同形同大
であって同一熱容量を有しマイクロ波を反射する電波反
射体(55)と前記反射体(55)の温度を検出し前記第1サー
ミスタ素子(11)と同一構成の第2サーミスタ素子(51)と
を有する温度センサ(50)と、 前記マイクロ波センサ(10)及び前記温度センサ(50)の各
検出出力に基づいてマイクロ波エネルギの値を計算する
計算装置(30)とを備えたマイクロ波エネルギ検出装置で
あって、前記電波反射体(55)は、前記第1電波吸収体(12)と同一
構成の第2電波吸収体(52)と、この電波吸収体(52)のマ
イクロ波を受ける面(52a)にマイクロ波を反射する薄膜
の金属被覆材(53)とを備え、 前記計算装置(30)は、下記式(1)によりマイクロ波エ
ネルギの値を時間の関数として計算することを特徴とす
るマイクロ波エネルギ検出装置。 E = C・dθ/dt + δ・θ (1) ただし、Eは前記電波吸収体が吸収したマイクロ波エネ
ルギ、θ=(θ t1 −θ 01 )−(θ t2 −θ 02 であって、
θ 01 は前記電波吸収体がマイクロ波エネルギEを吸収す
る前の前記第1サーミスタ素子の検出温度、θ t1 は前記
電波吸収体がマイクロ波エネルギEをt時間吸収した後
の前記第1サーミスタ素子の検出温度θ 02 は前記電波
吸収体がマイクロ波エネルギEを吸収する前の前記第2
サーミスタ素子の検出温度、θ t2 は前記電波吸収体がマ
イクロ波エネルギEをt時間吸収した後の前記第2サー
ミスタ素子の検出温度、Cは前記マイクロ波センサの熱
容量、δは前記マイクロ波センサの熱放散定数である。
1. A first radio wave absorber (12) installed in a microwave heating chamber (17) that absorbs microwaves to generate heat, and a first thermistor element (11) for detecting the temperature of the absorber (12). ) And a microwave sensor (10), the microwave heating chamber (17) in the microwave sensor (10)
And the temperature of the radio wave reflector (55), which has the same shape and size as the first radio wave absorber (12), has the same heat capacity and reflects microwaves, and the reflector (55). A temperature sensor (50) having the first thermistor element (11) and a second thermistor element (51) having the same configuration, and based on the detection outputs of the microwave sensor (10) and the temperature sensor (50). A microwave energy detecting device comprising: a calculating device (30) for calculating a value of microwave energy, wherein the radio wave reflector (55) is the same as the first radio wave absorber (12).
The second electromagnetic wave absorber (52) of the constitution and the electromagnetic wave absorber (52)
A thin film that reflects microwaves on the surface (52a) that receives the microwave
And a metal coating material (53) of (1) , wherein the calculation device (30) calculates the value of microwave energy as a function of time by the following formula (1). E = C · dθ / dt + δ · θ (1) However, E is microwave energy that the wave absorber has absorbed, θ = (θ t1 -θ 01 ) - A t2 02),
θ 01 indicates that the radio wave absorber absorbs microwave energy E
Detection temperature of the first thermistor element before, theta t1 is the
After the radio wave absorber has absorbed the microwave energy E for t hours
, The temperature detected by the first thermistor element , θ 02 is the radio wave
The second before the absorber absorbs the microwave energy E
The temperature detected by the thermistor element, θ t2, is measured by the electromagnetic wave absorber.
The second sir after absorbing the microwave energy E for t hours
The detected temperature of the mister element , C is the heat capacity of the microwave sensor, and δ is the heat dissipation constant of the microwave sensor.
【請求項2】 マイクロ波センサ(10)は電波吸収体(12)
が少なくともサーミスタ素子(11)の感温部(11a)より広
い面積を有する平板状に形成され、前記電波吸収体の一
方の面(12a)がマイクロ波吸収面であって、前記電波吸
収体の他方の面(12b)に前記サーミスタ素子(11)がマイ
クロ波を受けないように前記感温部(11a)が接着された
請求項1記載のマイクロ波エネルギ検出装置。
2. The microwave sensor (10) is a radio wave absorber (12).
Is formed in a flat plate shape having a larger area than at least the temperature sensing part (11a) of the thermistor element (11), and one surface (12a) of the radio wave absorber is a microwave absorbing surface, 2. The microwave energy detecting device according to claim 1, wherein the temperature sensing part (11a) is adhered to the other surface (12b) so that the thermistor element (11) does not receive microwaves.
【請求項3】 マイクロ波センサ(10)はサーミスタ素子
(11)の感温部(11a)が電波吸収体粉末を充填材として含
む有機物質(32)又は無機物質により被覆された請求項1
記載のマイクロ波エネルギ検出装置。
3. The microwave sensor (10) is a thermistor element.
The temperature sensing part (11a) of (11) is covered with an organic substance (32) or an inorganic substance containing a radio wave absorber powder as a filler.
Microwave energy detection device as described.
【請求項4】 マイクロ波センサ(10)はサーミスタ素子
(11)に近接して前記サーミスタ素子(11)をそのリード(1
1c)を含めて被包する金属被包体(33)と、前記金属被包
体(33)の表面に層状に形成された電波吸収体(12)とを備
えた請求項1記載のマイクロ波エネルギ検出装置。
4. The microwave sensor (10) is a thermistor element.
Connect the thermistor element (11) to its lead (1
The microwave according to claim 1, further comprising: a metal encapsulant (33) encapsulating the metal encapsulation (1c), and a radio wave absorber (12) formed in layers on the surface of the metal encapsulant (33). Energy detection device.
【請求項5】 マイクロ波センサ(10)は電波吸収体(12)
がサーミスタ特性を有し、前記電波吸収体(12)のマイク
ロ波を受けない面に一対の電極(42,43)が間隔をあけて
設けられた請求項1記載のマイクロ波エネルギ検出装
置。
5. The microwave sensor (10) is a radio wave absorber (12).
2. The microwave energy detecting apparatus according to claim 1, wherein said microwave absorber has a thermistor characteristic, and a pair of electrodes (42, 43) are provided at intervals on a surface of said radio wave absorber (12) which does not receive microwaves.
【請求項6】 マイクロ波センサ(10)は電波吸収体(12)
がサーミスタ素子(11)に近接して前記サーミスタ素子(1
1)をそのリード(11c)を含めて被包する請求項1記載の
マイクロ波エネルギ検出装置。
6. The microwave sensor (10) is a radio wave absorber (12).
Is close to the thermistor element (11) and the thermistor element (1
The microwave energy detecting device according to claim 1, wherein the lead (11c) is encapsulated in (1).
【請求項7】 マイクロ波センサ(10)は電波吸収体(12)
の表面をマイクロ波を受ける面とし、前記電波吸収体(1
2)の裏面のマイクロ波を受けない位置に金属体(56)が接
合され、サーミスタ素子(11)が前記金属体(56)により保
持されかつ前記電波吸収体(12)の温度を前記金属体(56)
を介して感知する請求項1記載のマイクロ波エネルギ検
出装置。
7. The microwave sensor (10) is a radio wave absorber (12).
The surface of the electromagnetic wave absorber (1
The metal body (56) is bonded to the back surface of 2) at a position where it does not receive microwaves, the thermistor element (11) is held by the metal body (56), and the temperature of the radio wave absorber (12) is controlled by the metal body. (56)
The microwave energy detecting apparatus according to claim 1, wherein the microwave energy detecting apparatus detects the energy through a microwave.
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