JPH08264420A - Charged particle beam drawing device - Google Patents
Charged particle beam drawing deviceInfo
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- JPH08264420A JPH08264420A JP6593495A JP6593495A JPH08264420A JP H08264420 A JPH08264420 A JP H08264420A JP 6593495 A JP6593495 A JP 6593495A JP 6593495 A JP6593495 A JP 6593495A JP H08264420 A JPH08264420 A JP H08264420A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、矩形断面に成形された
電子ビームやイオンビームを用いて被描画材料上に所定
のパターンを描画する荷電粒子ビーム描画装置に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a charged particle beam drawing apparatus for drawing a predetermined pattern on a material to be drawn by using an electron beam or an ion beam having a rectangular cross section.
【０００２】[0002]
【従来の技術】電子ビーム描画装置として、電子ビーム
の断面を可変して描画する方式の装置が広く利用されて
いる。この装置では、電子ビームを第１のアパーチャに
照射し、第１のアパーチャの開口像を第２のアパーチャ
上に結像するようにしている。そして、第１のアパーチ
ャの開口像の第２のアパーチャ上の投射位置を第１と第
２のアパーチャの間に配置された成形偏向器で変化させ
ることにより、任意の面積の矩形断面を有した電子ビー
ムが成形される。この成形された電子ビームは、被描画
材料にショットされる。このショットされる電子ビーム
の位置は、位置決め偏向器によって変えられる。2. Description of the Related Art As an electron beam drawing apparatus, an apparatus of a system that changes the cross section of an electron beam and draws is widely used. In this device, an electron beam is applied to the first aperture, and an aperture image of the first aperture is formed on the second aperture. Then, the projection position of the aperture image of the first aperture on the second aperture is changed by the shaping deflector arranged between the first and second apertures, so that a rectangular cross section having an arbitrary area is obtained. The electron beam is shaped. The formed electron beam is shot on the drawing material. The position of the shot electron beam is changed by the positioning deflector.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】上記した可変面積型電
子ビーム描画装置においては、ショットする電子ビーム
のサイズを変化させながら描画を行うが、このとき、ビ
ームサイズによって被描画材料に照射される電子ビーム
の電流量も変化する。ところで、対物レンズのフォーカ
ス値は、空間電荷効果（クーロン効果とも呼ばれる）に
より異なるので、電子ビームのサイズが変化すると最適
フォーカスでない状態、すなわち、ぼけた状態で描画が
行われることになる。In the variable area electron beam drawing apparatus described above, drawing is performed while changing the size of the electron beam to be shot. The amount of beam current also changes. By the way, since the focus value of the objective lens varies depending on the space charge effect (also called Coulomb effect), if the size of the electron beam changes, the image is not optimally focused, that is, the image is blurred.
【０００４】電子ビームのぼけは、パターンサイズの変
化につながるが、従来はビームサイズ変化によるビーム
ぼけのパターンサイズへの影響は許容されていたが、近
年、パターン精度に対する要求が厳しくなり、このぼけ
の影響を無視することができなくなってきた。The blurring of the electron beam leads to a change in the pattern size. In the past, the influence of the beam size change on the pattern size of the beam blur was allowed. However, in recent years, the demand for the pattern accuracy has become strict, and this blurring is caused. Can no longer ignore the effects of.
【０００５】本発明は、このような点に鑑みてなされた
もので、その目的は、可変面積型荷電粒子ビーム描画に
おいて、ビームサイズの変化によるビームのぼけの影響
を著しく軽減することができる荷電粒子ビーム描画装置
を実現するにある。The present invention has been made in view of the above points, and an object thereof is to reduce the influence of beam blurring due to a change in beam size in variable area type charged particle beam writing. This is to realize a particle beam drawing device.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】請求項１の発明に基づく
荷電粒子ビーム描画装置は、第１のアパーチャの開口像
を第２のアパーチャ上に結像し、第２のアパーチャの開
口を透過した矩形断面の荷電粒子ビームを対物レンズに
よって集束し、被描画材料上にショットすると共に、位
置決め偏向器への荷電粒子ビームの偏向信号に応じて荷
電粒子ビームを偏向し、被描画材料上のショット位置を
変化させるようにした荷電粒子ビーム描画装置におい
て、フォーカス補正レンズを設け、矩形断面のサイズに
応じて、フォーカス補正レンズにより荷電粒子ビームの
フォーカスを変化させるように構成したことを特徴とし
ている。According to another aspect of the charged particle beam drawing apparatus of the present invention, the aperture image of the first aperture is formed on the second aperture and transmitted through the aperture of the second aperture. The charged particle beam having a rectangular cross section is focused by the objective lens and shot on the drawing material, and the charged particle beam is deflected according to the deflection signal of the charged particle beam to the positioning deflector, and the shot position on the drawing material In the charged particle beam drawing apparatus in which the focus correction lens is provided, a focus correction lens is provided, and the focus of the charged particle beam is changed by the focus correction lens according to the size of the rectangular cross section.
【０００７】請求項２の発明に基づく荷電粒子ビーム描
画装置は、第１のアパーチャの開口像を第２のアパーチ
ャ上に結像し、第２のアパーチャの開口を透過した矩形
断面の荷電粒子ビームを対物レンズによって集束し、被
描画材料上にショットすると共に、位置決め偏向器への
荷電粒子ビームの偏向信号に応じて荷電粒子ビームを偏
向し、被描画材料上のショット位置を変化させるように
した荷電粒子ビーム描画装置において、フォーカス補正
レンズを設け、矩形断面のサイズに応じて、フォーカス
補正レンズにより荷電粒子ビームのフォーカスを変化さ
せると共に、位置決め偏向器の信号を矩形断面のサイズ
に応じて補正するように構成したことを特徴としてい
る。In the charged particle beam drawing apparatus according to the present invention, a charged particle beam having a rectangular cross section is formed by forming an aperture image of the first aperture on the second aperture and transmitting the aperture of the second aperture. Is focused by the objective lens and shot on the drawing material, and the charged particle beam is deflected according to the deflection signal of the charged particle beam to the positioning deflector to change the shot position on the drawing material. In the charged particle beam drawing apparatus, a focus correction lens is provided, the focus of the charged particle beam is changed by the focus correction lens according to the size of the rectangular section, and the signal of the positioning deflector is corrected according to the size of the rectangular section. It is characterized by being configured as follows.
【０００８】請求項３の発明に基づく荷電粒子ビーム描
画装置は、第１のアパーチャの開口像を第２のアパーチ
ャ上に結像し、第２のアパーチャの開口を透過した矩形
断面の荷電粒子ビームを対物レンズによって集束し、被
描画材料上にショットすると共に、位置決め偏向器への
荷電粒子ビームの偏向信号に応じて荷電粒子ビームを偏
向し、被描画材料上のショット位置を変化させるように
した荷電粒子ビーム描画装置において、フォーカス補正
レンズを設け、矩形断面のサイズと位置決め偏向器への
偏向信号に応じて、フォーカス補正レンズにより荷電粒
子ビームのフォーカスを変化させるように構成したこと
を特徴としている。In the charged particle beam drawing apparatus according to the invention of claim 3, a charged particle beam having a rectangular cross section is formed by forming an image of the aperture of the first aperture on the second aperture and transmitting the aperture of the second aperture. Is focused by the objective lens and shot on the drawing material, and the charged particle beam is deflected according to the deflection signal of the charged particle beam to the positioning deflector to change the shot position on the drawing material. In the charged particle beam drawing apparatus, a focus correction lens is provided, and the focus of the charged particle beam is changed by the focus correction lens according to the size of the rectangular section and the deflection signal to the positioning deflector. .
【０００９】[0009]
【作用】請求項１の発明は、矩形断面のサイズに応じ
て、フォーカス補正レンズにより荷電粒子ビームのフォ
ーカスを変化させる。According to the invention of claim 1, the focus of the charged particle beam is changed by the focus correction lens according to the size of the rectangular cross section.
【００１０】請求項２の発明は、矩形断面のサイズに応
じて、フォーカス補正レンズにより荷電粒子ビームのフ
ォーカスを変化させると共に、位置決め偏向器の信号を
矩形断面のサイズに応じて補正する。According to the second aspect of the present invention, the focus of the charged particle beam is changed by the focus correction lens according to the size of the rectangular cross section, and the signal of the positioning deflector is corrected according to the size of the rectangular cross section.
【００１１】請求項３の発明は、矩形断面のサイズと位
置決め偏向器への偏向信号に応じて、フォーカス補正レ
ンズにより荷電粒子ビームのフォーカスを変化させる。According to the third aspect of the invention, the focus of the charged particle beam is changed by the focus correction lens according to the size of the rectangular cross section and the deflection signal to the positioning deflector.
【００１２】[0012]
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。図１は本発明を実施するための可変面積型
電子ビーム描画装置の一例を示している。１は電子ビー
ムＥＢを発生する電子銃であり、該電子銃１から発生し
た電子ビームＥＢは、照明レンズ２を介して第１成形ア
パーチャ３上に照射される。第１成形アパーチャの開口
像は、成形レンズ４により、第２成形アパーチャ６上に
結像されるが、その結像の位置は、成形偏向器５により
変えることができる。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. FIG. 1 shows an example of a variable area electron beam writing apparatus for carrying out the present invention. An electron gun 1 generates an electron beam EB, and the electron beam EB generated from the electron gun 1 is applied to a first shaping aperture 3 via an illumination lens 2. The aperture image of the first shaping aperture is imaged on the second shaping aperture 6 by the shaping lens 4, and the position of the image formation can be changed by the shaping deflector 5.
【００１３】第２成形アパーチャ６により成形された像
は、対物レンズ７、フォーカス補正レンズ８を経て描画
材料１０上に照射される。描画材料１０への照射位置
は、位置決め偏向器９により変えることができる。な
お、フォーカス補正レンズ８としては、フォーカスを高
速で微調整することができる静電型レンズが用いられて
いる。The image formed by the second forming aperture 6 is irradiated onto the drawing material 10 via the objective lens 7 and the focus correction lens 8. The irradiation position on the drawing material 10 can be changed by the positioning deflector 9. As the focus correction lens 8, an electrostatic lens capable of finely adjusting the focus at high speed is used.
【００１４】１１はコンピュータであり、コンピュータ
１１はパターンデータメモリー１２からのパターンデー
タをデータ転送回路１３に転送する。データ転送回路１
３からのパターンデータは、ショット分割器１４に供給
されてショット分割される。ショット分割器１４からの
描画データに応じた信号は、成形偏向器５を制御する偏
向制御回路１５、位置決め偏向器９を制御する制御回路
１６、電子銃１から発生した電子ビームのブランキング
を行うブランキング電極１７を制御するブランキングコ
ントロール回路１８に供給される。Reference numeral 11 is a computer, and the computer 11 transfers the pattern data from the pattern data memory 12 to the data transfer circuit 13. Data transfer circuit 1
The pattern data from 3 is supplied to the shot divider 14 and divided into shots. A signal according to the drawing data from the shot divider 14 performs a blanking control of the shaping deflector 5, a deflection control circuit 15 for controlling the positioning deflector 9, and a blanking of the electron beam generated from the electron gun 1. It is supplied to a blanking control circuit 18 which controls the blanking electrode 17.
【００１５】成形偏向器５に供給されるビームサイズに
応じた信号は、位置補正メモリー１９とフォーカス補正
レンズメモリー２０に供給される。位置補正メモリー１
９からの信号は、制御回路１６に供給され、ショット分
割器１４からの位置データと加算される。また、フォー
カス補正メモリー２０には補正テーブルが含まれてお
り、供給されたビームサイズに応じた信号に基づいて補
正テーブル内のデータを読みだし、そのデータに応じて
フォーカス補正信号を補正レンズ８に供給する。更に、
コンピュータ１１は、材料のフィールド毎の移動のため
に、材料が載せられたステージ２１の駆動機構２２を制
御する。このような構成の動作を次に説明する。A signal corresponding to the beam size supplied to the shaping deflector 5 is supplied to the position correction memory 19 and the focus correction lens memory 20. Position correction memory 1
The signal from 9 is supplied to the control circuit 16 and added with the position data from the shot divider 14. Further, the focus correction memory 20 includes a correction table, reads data in the correction table based on the signal corresponding to the supplied beam size, and outputs the focus correction signal to the correction lens 8 according to the data. Supply. Furthermore,
The computer 11 controls the drive mechanism 22 of the stage 21 on which the material is placed in order to move the material for each field. The operation of such a configuration will be described below.
【００１６】パターンデータメモリ１２に格納されたパ
ターンデータは、逐次読み出され、データ転送回路１３
を経てショット分割器１４に供給される。ショット分割
器１４で分割されたデータに基づき、偏向制御回路１５
は成形偏向器５を制御し、また、制御回路１６は位置決
め偏向器９を制御する。The pattern data stored in the pattern data memory 12 are sequentially read out and the data transfer circuit 13 is read.
And is supplied to the shot divider 14. Based on the data divided by the shot divider 14, the deflection control circuit 15
Controls the shaping deflector 5 and the control circuit 16 controls the positioning deflector 9.
【００１７】この結果、各分割されたビームサイズデー
タに基づき、成形偏向器５により電子ビームの断面が所
定のビームサイズに成形され、そのビームサイズの電子
ビームが順々に材料上にショットされ、所望の形状のパ
ターン描画が行われる。なお、この時、ブランキングコ
ントロール回路１８からブランキング電極１７へのブラ
ンキング信号により、材料１０への電子ビームのショッ
トに同期して電子ビームのブランキングが実行される。As a result, the cross section of the electron beam is shaped into a predetermined beam size by the shaping deflector 5 based on the divided beam size data, and electron beams of that beam size are sequentially shot on the material, A pattern of a desired shape is drawn. At this time, the blanking signal from the blanking control circuit 18 to the blanking electrode 17 causes the blanking of the electron beam in synchronization with the shot of the electron beam on the material 10.
【００１８】さて、フォーカス補正メモリー２０には、
図２に示すような構造のテーブルＴ 1が記憶されてい
る。すなわち、このテーブルＴ1はＸ方向のビームサイ
ズとＹ方向のビームサイズに応じたフォーカスの補正値
が記憶されている。従って、フォーカス補正メモリー２
０は、ショット分割器１４からのＸ方向ビームサイズと
Ｙ方向ビームサイズに応じた補正値を読みだし、この補
正値に応じた補正信号をフォーカス補正レンズ８に供給
する。この結果、材料１０にはビームサイズによらず、
常にフォーカスの合った電子ビームが照射されることに
なる。Now, in the focus correction memory 20,
A table T having a structure as shown in FIG. 1Is remembered
It That is, this table T1Is the beam size in the X direction
And focus correction value according to the beam size in the Y direction
Is remembered. Therefore, the focus correction memory 2
0 is the beam size in the X direction from the shot splitter 14 and
Read the correction value according to the beam size in the Y direction and
Supplying a correction signal according to a positive value to the focus correction lens 8
I do. As a result, regardless of the beam size, the material 10
That the electron beam that is always in focus is irradiated
Become.
【００１９】ここで、フオーカス補正レンズ８に軸ずれ
があると、フォーカス補正レンズ８に供給される補正信
号の強度に応じて材料１０のショット位置が僅かにずれ
てしまう。そのため、この実施例では、位置補正メモリ
ー１９に図３に示すような構造のテーブルを設けてお
く。すなわち、このテーブルはＸ方向のビームサイズと
Ｙ方向のビームサイズに応じた２枚の位置補正テーブル
Ｔ2，Ｔ3より成り、それぞれのテーブルＴ2，Ｔ3には、
Ｘ方向の位置補正とＹ方向の位置補正の補正値が記憶さ
れている。Here, if the focus correction lens 8 has an axis shift, the shot position of the material 10 slightly shifts according to the intensity of the correction signal supplied to the focus correction lens 8. Therefore, in this embodiment, the position correction memory 19 is provided with a table having a structure as shown in FIG. That is, this table consists of the X-direction beam size and Y-direction position correcting two corresponding to the beam size table T 2, T 3, to each of the tables T 2, T 3,
Correction values for X-direction position correction and Y-direction position correction are stored.
【００２０】従って、メモリー１９からは、ショット分
割器１４からのＸ方向ビームサイズとＹ方向ビームサイ
ズに応じた補正値が読み出され、その値は制御回路１６
に供給されてショット分割器１５からの位置データと加
算される。この結果、位置決め偏向器９には位置補正さ
れた偏向信号が供給され、補正レンズ８の軸ずれによっ
て発生するビーム位置のずれはキャンセルされることに
なる。Therefore, the correction value corresponding to the X-direction beam size and the Y-direction beam size from the shot splitter 14 is read from the memory 19, and the value is read out.
Is added to the position data from the shot divider 15. As a result, the position-corrected deflection signal is supplied to the positioning deflector 9, and the deviation of the beam position caused by the deviation of the axis of the correction lens 8 is canceled.
【００２１】なお、上記フォーカス補正メモリー２０の
テーブルは次のようにして作成される。まず、特定ビー
ムサイズで電子ビームのフォーカス合わせを行う。この
ときのフォーカス合わせは対物レンズ７によって行う
が、フォーカス合わせの方法は、よく知られているよう
に、対物レンズ７の励磁をステップ状に変化させ、その
都度ステージ上に設けられたナイフエッジマークを走査
した時に検出されたビーム信号の微分波形を比較するこ
とによって行う。次に、フォーカス補正レンズ８を動作
させ、ビームサイズごとの最適フォーカス値を測定し、
テーブルを作成する。なお、この際、補正レンズの各フ
ォーカス値ごとに電子ビームの位置ずれも測定し、これ
によって位置補正メモリー１９内のテーブルを作成す
る。The table of the focus correction memory 20 is created as follows. First, the electron beam is focused with a specific beam size. Focusing at this time is performed by the objective lens 7. The method of focusing is, as is well known, that the excitation of the objective lens 7 is changed stepwise, and the knife edge mark provided on the stage is changed each time. This is done by comparing the differential waveforms of the beam signals detected when scanning the. Next, the focus correction lens 8 is operated to measure the optimum focus value for each beam size,
Create a table. At this time, the position shift of the electron beam is also measured for each focus value of the correction lens, and the table in the position correction memory 19 is created by this.
【００２２】図４は本発明の他の実施例を示しており、
図１の実施例と同一ないしは類似の構成要素には同一番
号を付し、その詳細な説明は省略する。この実施例で
は、補正レンズ８により、ビームサイズによる電子ビー
ムのぼけと電子ビームの偏向位置によるフォーカスぼけ
とを補正するようにしている。ショット分割器１４から
制御回路１６に供給される位置決め信号は、事前に偏向
歪み補正メモリー２３に供給される。FIG. 4 shows another embodiment of the present invention,
The same or similar components as those of the embodiment of FIG. 1 are designated by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted. In this embodiment, the correction lens 8 corrects the blur of the electron beam due to the beam size and the focus blur due to the deflection position of the electron beam. The positioning signal supplied from the shot divider 14 to the control circuit 16 is supplied to the deflection distortion correction memory 23 in advance.
【００２３】偏向歪み補正メモリー２３には、図５に示
すような２枚の補正テーブルＴ4，Ｔ5が記憶されてい
る。すなわち、それぞれの補正テーブルＴ4，Ｔ5には、
偏向信号のＸ座標とＹ座標に応じたＸ方向とＹ方向の歪
み補正値が記憶されている。この結果、偏向歪み補正メ
モリー２３により、偏向歪みが補正された位置決め偏向
信号（Ｘ座標，Ｙ座標）が作成される。この偏向信号
は、制御回路１６によって偏向歪み補正メモリー１９か
らの補正信号と加算され、位置決め偏向器９に供給され
る。The deflection distortion correction memory 23 stores two correction tables T 4 and T 5 as shown in FIG. That is, in the respective correction tables T 4 and T 5 ,
Distortion correction values in the X and Y directions corresponding to the X and Y coordinates of the deflection signal are stored. As a result, the deflection distortion correction memory 23 creates a positioning deflection signal (X coordinate, Y coordinate) in which the deflection distortion is corrected. The deflection signal is added to the correction signal from the deflection distortion correction memory 19 by the control circuit 16 and supplied to the positioning deflector 9.
【００２４】制御回路１６からの位置決め偏向信号はフ
ォーカス補正メモリー２４にも供給される。フォーカス
補正メモリー２４には図６に示すようなテーブルＴ6が
記憶されている。すなわち、偏向信号のＸ座標とＹ座標
に応じたフォーカスのぼけの補正値が記憶されている。
この結果、フォーカス補正メモリー２４からは電子ビー
ムの偏向位置に応じたぼけを補正する信号が得られる。
この補正信号は、加算器２５に供給され、フォーカス補
正メモリー２０からのビームサイズに応じた補正信号と
加算される。加算器２５によって加算された補正信号
は、フォーカス補正レンズ８に供給され、ビームサイズ
と偏向位置によるぼけを補正する。The positioning deflection signal from the control circuit 16 is also supplied to the focus correction memory 24. The focus correction memory 24 stores a table T 6 as shown in FIG. That is, the focus blur correction value corresponding to the X and Y coordinates of the deflection signal is stored.
As a result, a signal for correcting the blur according to the deflection position of the electron beam is obtained from the focus correction memory 24.
This correction signal is supplied to the adder 25 and added to the correction signal from the focus correction memory 20 according to the beam size. The correction signal added by the adder 25 is supplied to the focus correction lens 8 to correct the blur due to the beam size and the deflection position.
【００２５】以上本発明の実施例を説明したが、本発明
はこの実施例に限定されない。例えば、可変面積型の電
子ビーム描画装置を例に説明したが、イオンビーム描画
装置にも本発明を用いることができる。Although the embodiment of the present invention has been described above, the present invention is not limited to this embodiment. For example, although the variable area type electron beam writing apparatus has been described as an example, the present invention can be applied to an ion beam writing apparatus.
【００２６】[0026]
【発明の効果】以上説明したように、請求項１の発明
は、矩形断面のサイズに応じて、フォーカス補正レンズ
により荷電粒子ビームのフォーカスを変化させるように
構成したので、矩形断面のサイズによる対物レンズのフ
ォーカスのぼけは著しく軽減され、精度の高い描画を実
施することができる。As described above, according to the first aspect of the present invention, the focus of the charged particle beam is changed by the focus correction lens according to the size of the rectangular cross section. The blur of the focus of the lens is remarkably reduced, and highly accurate drawing can be performed.
【００２７】請求項２の発明は、矩形断面のサイズに応
じて、フォーカス補正レンズにより荷電粒子ビームのフ
ォーカスを変化させると共に、位置決め偏向器の信号を
矩形断面のサイズに応じて補正するように構成したの
で、矩形断面のサイズによる対物レンズのフォーカスの
ぼけは著しく軽減されると共に、フォーカス補正レンズ
の軸ずれの影響もなくすことができ、精度の高い描画を
実施することができる。According to the second aspect of the present invention, the focus of the charged particle beam is changed by the focus correction lens according to the size of the rectangular cross section, and the signal of the positioning deflector is corrected according to the size of the rectangular cross section. Therefore, the blur of the focus of the objective lens due to the size of the rectangular cross section is significantly reduced, the influence of the axis deviation of the focus correction lens can be eliminated, and highly accurate drawing can be performed.
【００２８】請求項３の発明は、矩形断面のサイズと位
置決め偏向器への偏向信号に応じて、フォーカス補正レ
ンズにより荷電粒子ビームのフォーカスを変化させるよ
うに構成したので、矩形断面のサイズによる対物レンズ
のフォーカスのぼけは著しく軽減され、また、併せて荷
電粒子ビームの偏向に伴う荷電粒子ビームのフォーカス
のぼけもなくすことができ、精度の高い描画を実施する
ことができる。According to the third aspect of the present invention, the focus of the charged particle beam is changed by the focus correction lens according to the size of the rectangular cross section and the deflection signal to the positioning deflector. The blur of the focus of the lens is remarkably reduced, and also the blur of the focus of the charged particle beam due to the deflection of the charged particle beam can be eliminated, so that highly accurate drawing can be performed.
【図１】本発明の一実施例を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing an embodiment of the present invention.
【図２】フォーカス補正テーブルを示す図である。FIG. 2 is a diagram showing a focus correction table.
【図３】位置補正テーブルを示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a position correction table.
【図４】本発明の他の実施例を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing another embodiment of the present invention.
【図５】偏向歪み補正テーブルを示す図である。FIG. 5 is a diagram showing a deflection distortion correction table.
【図６】フォーカス補正テーブルを示す図である。FIG. 6 is a diagram showing a focus correction table.
１ 電子銃 ２ 照明レンズ ３，６ 成形アパーチャ ４ 成形レンズ ５，９帆偏向器 ７ 対物レンズ ８ フォーカス補正レンズ １０ 材料 １１ コンピュータ １２ メモリ １３ データ転送回路 １４ ショット分割器 １５ 成形偏向器制御回路 １６ 位置決め偏向器制御回路 １７ ブランキング電極 １８ ブランキングコントロール回路 １９ 位置補正メモリー ２０ フォーカス補正メモリー ２１ ステージ ２２ 駆動機構 1 electron gun 2 illumination lens 3,6 shaping aperture 4 shaping lens 5,9 sail deflector 7 objective lens 8 focus correction lens 10 material 11 computer 12 memory 13 data transfer circuit 14 shot divider 15 shaping deflector control circuit 16 positioning deflection Control circuit 17 Blanking electrode 18 Blanking control circuit 19 Position correction memory 20 Focus correction memory 21 Stage 22 Drive mechanism
Claims (3)
ーチャ上に結像し、第２のアパーチャの開口を透過した
矩形断面の荷電粒子ビームを対物レンズによって集束
し、被描画材料上にショットすると共に、位置決め偏向
器への荷電粒子ビームの偏向信号に応じて荷電粒子ビー
ムを偏向し、被描画材料上のショット位置を変化させる
ようにした荷電粒子ビーム描画装置において、フォーカ
ス補正レンズを設け、矩形断面のサイズに応じて、フォ
ーカス補正レンズにより荷電粒子ビームのフォーカスを
変化させるように構成した荷電粒子ビーム描画装置。1. An image of an aperture of a first aperture is formed on a second aperture, and a charged particle beam having a rectangular cross section that has passed through the aperture of the second aperture is focused by an objective lens and is drawn on a material to be drawn. Provided with a focus correction lens in a charged particle beam drawing apparatus configured to change the shot position on a material to be drawn by deflecting the charged particle beam according to a deflection signal of the charged particle beam to a positioning deflector while performing a shot. A charged particle beam drawing apparatus configured to change the focus of a charged particle beam by a focus correction lens according to the size of a rectangular cross section.
ーチャ上に結像し、第２のアパーチャの開口を透過した
矩形断面の荷電粒子ビームを対物レンズによって集束
し、被描画材料上にショットすると共に、位置決め偏向
器への荷電粒子ビームの偏向信号に応じて荷電粒子ビー
ムを偏向し、被描画材料上のショット位置を変化させる
ようにした荷電粒子ビーム描画装置において、フォーカ
ス補正レンズを設け、矩形断面のサイズに応じて、フォ
ーカス補正レンズにより荷電粒子ビームのフォーカスを
変化させると共に、位置決め偏向器の信号を矩形断面の
サイズに応じて補正するように構成した荷電粒子ビーム
描画装置。2. An image of the aperture of the first aperture is formed on the second aperture, the charged particle beam of rectangular cross section transmitted through the aperture of the second aperture is focused by an objective lens, and the charged particle beam is drawn on the material to be drawn. Provided with a focus correction lens in a charged particle beam drawing apparatus configured to change the shot position on a material to be drawn by deflecting the charged particle beam according to a deflection signal of the charged particle beam to a positioning deflector while performing a shot. A charged particle beam drawing apparatus configured to change the focus of the charged particle beam by a focus correction lens according to the size of the rectangular section and to correct the signal of the positioning deflector according to the size of the rectangular section.
ーチャ上に結像し、第２のアパーチャの開口を透過した
矩形断面の荷電粒子ビームを対物レンズによって集束
し、被描画材料上にショットすると共に、位置決め偏向
器への荷電粒子ビームの偏向信号に応じて荷電粒子ビー
ムを偏向し、被描画材料上のショット位置を変化させる
ようにした荷電粒子ビーム描画装置において、フォーカ
ス補正レンズを設け、矩形断面のサイズと位置決め偏向
器への偏向信号に応じて、フォーカス補正レンズにより
荷電粒子ビームのフォーカスを変化させるように構成し
た荷電粒子ビーム描画装置。3. The aperture image of the first aperture is formed on the second aperture, and the charged particle beam having a rectangular cross section that has passed through the aperture of the second aperture is focused by the objective lens, and is drawn on the material to be drawn. Provided with a focus correction lens in a charged particle beam drawing apparatus configured to change the shot position on a material to be drawn by deflecting the charged particle beam according to a deflection signal of the charged particle beam to a positioning deflector while performing a shot. A charged particle beam drawing apparatus configured to change a focus of a charged particle beam by a focus correction lens according to a size of a rectangular cross section and a deflection signal to a positioning deflector.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6593495A JPH08264420A (en) | 1995-03-24 | 1995-03-24 | Charged particle beam drawing device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6593495A JPH08264420A (en) | 1995-03-24 | 1995-03-24 | Charged particle beam drawing device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08264420A true JPH08264420A (en) | 1996-10-11 |
Family
ID=13301294
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6593495A Pending JPH08264420A (en) | 1995-03-24 | 1995-03-24 | Charged particle beam drawing device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08264420A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1199601A2 (en) * | 2000-10-17 | 2002-04-24 | Sony Corporation | Photomask fabrication method, photomask, and exposure method thereof |
| US10622186B2 (en) | 2017-12-14 | 2020-04-14 | Nuflare Technology, Inc. | Charged particle beam writing apparatus and charged particle beam writing method |
-
1995
- 1995-03-24 JP JP6593495A patent/JPH08264420A/en active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1199601A2 (en) * | 2000-10-17 | 2002-04-24 | Sony Corporation | Photomask fabrication method, photomask, and exposure method thereof |
| EP1199601A3 (en) * | 2000-10-17 | 2003-12-03 | Sony Corporation | Photomask fabrication method, photomask, and exposure method thereof |
| US6924068B2 (en) | 2000-10-17 | 2005-08-02 | Sony Corporation | Photomask fabrication method, photomask, and exposure method thereof |
| US10622186B2 (en) | 2017-12-14 | 2020-04-14 | Nuflare Technology, Inc. | Charged particle beam writing apparatus and charged particle beam writing method |
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| Date | Code | Title | Description |
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