JPH08245668A - Asymmetric epoxidation catalyst - Google Patents
Asymmetric epoxidation catalystInfo
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- JPH08245668A JPH08245668A JP7050904A JP5090495A JPH08245668A JP H08245668 A JPH08245668 A JP H08245668A JP 7050904 A JP7050904 A JP 7050904A JP 5090495 A JP5090495 A JP 5090495A JP H08245668 A JPH08245668 A JP H08245668A
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
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- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
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- Heterocyclic Carbon Compounds Containing A Hetero Ring Having Oxygen Or Sulfur (AREA)
- Catalysts (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は高血圧症、喘息症等の治
療に有効な光学活性ベンゾピラン化合物を初めとして、
医薬の重要中間体である光学活性エポキシ化合物の製造
法に関する。The present invention relates to an optically active benzopyran compound effective for the treatment of hypertension, asthma, etc.
The present invention relates to a method for producing an optically active epoxy compound, which is an important intermediate in medicine.
【0002】[0002]
【従来の技術】最近、光学活性なマンガン錯体を用いる
触媒的不斉エポキシ化反応が見出されており、近傍官能
基を有しないオレフィン化合物を原料とする効率的な光
学活性エポキシ体の製造法として注目されている。例え
ば、特開平5−507645号公報に記載されているヤ
コブセン(Jacobsen)等の製造法、特開平5−3018
78号公報、欧州公開特許535377号公報及び特願
平6−41076号(平成6年3月11日出願)に記載
されている香月等の製造法がある。2. Description of the Related Art Recently, a catalytic asymmetric epoxidation reaction using an optically active manganese complex has been found, and an efficient method for producing an optically active epoxy compound using an olefin compound having no neighboring functional group as a raw material. Is being watched as. For example, a method for producing Jacobsen described in JP-A-5-507645 and JP-A-5-3018.
No. 78, EP-A-535377, and Japanese Patent Application No. 6-41076 (filed on Mar. 11, 1994), there are manufacturing methods such as Katsuki.
【0003】これらの方法はラセミ体の分割法と異な
り、プロキラルなオレフィン化合物から光学活性エポキ
シ化合物が得られるため不要な側の対掌体が無駄になる
と言う問題が解消され、原料となるオレフィンの種類に
よっては良好な化学収率と光学収率を与えるため効率的
な製造法となる。Unlike the racemate resolution method, these methods solve the problem that the enantiomer on the unnecessary side is wasted because the optically active epoxy compound is obtained from the prochiral olefin compound, and the olefin used as the raw material is eliminated. Depending on the type, it is an efficient production method because it gives good chemical yield and optical yield.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の触媒は
全ての光学活性エポキシ誘導体の製造に良好な結果を与
えるとは限らず、現在も改善を計るための研究が盛んに
行なわれているのが現状である。However, the above-mentioned catalysts do not always give good results for the production of all optically active epoxy derivatives, and there are still many active studies to improve them. Is the current situation.
【0005】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明者は、近傍官能基
を有しないオレフィンから高い不斉収率で光学活性エポ
キシ化合物を得ることのできる不斉触媒を見出すべく鋭
意努力検討した結果、本発明を完成させるに至った。即
ち、本発明は、式〔I〕又は式〔I’〕Means for Solving the Problems As a result of diligent studies to find an asymmetric catalyst capable of obtaining an optically active epoxy compound from an olefin having no neighboring functional group in a high asymmetric yield, the present inventors have found that The invention was completed. That is, the present invention provides the formula [I] or the formula [I ′]
【0006】[0006]
【化11】 [Chemical 11]
【0007】〔式中、R1 はC1 〜C4 アルキル基、C
1 〜C4 アルコキシ基、置換シリル基を意味する。Rは
水素原子、C1 〜C4 アルキル基、フェニル基(該フェ
ニル基は、ハロゲン原子、C1 〜C4 アルキル基、C1
〜C4 アルコキシ基で置換されていてもよい。)、置換
シリル基を意味する。[Wherein R 1 is a C 1 -C 4 alkyl group, C
1 -C 4 alkoxy group, means a substituted silyl group. R is a hydrogen atom, a C 1 -C 4 alkyl group, a phenyl group (the phenyl group is a halogen atom, a C 1 -C 4 alkyl group, C 1
It may be substituted with a C 4 alkoxy group. ), And a substituted silyl group.
【0008】X- は塩を形成しうる陰イオン対を意味す
る。Yは水素原子、ハロゲン原子、C1 〜C4 アルキル
基、C1 〜C4 アルコキシ基、ニトロ基又はシアノ基を
意味する。〕で表される光学活性マンガン錯体、式〔I
I〕[0008] X - is meant an anion pair which may form salts. Y represents a hydrogen atom, a halogen atom, C 1 -C 4 alkyl group, C 1 -C 4 alkoxy group, a nitro group or a cyano group. ] An optically active manganese complex represented by the formula [I
I]
【0009】[0009]
【化12】 [Chemical 12]
【0010】〔式中、R2 及びR3 はそれぞれ独立し
て、水素原子、シアノ基、ニトロ基、トシルアミノ基、
ベンジルアミノ基等の保護基で保護されていてもよいア
ミノ基、ハロゲン原子、C1 〜C4 アルキル基、C1 〜
C4 アルコキシ基、ハロゲノC1〜C4 アルキル基、カ
ルボキシ基、ホルミル基、C1 〜C4 アルカノイル基、
アロイル基、ハロゲノC1 〜C4 アルカノイル基、カル
バモイル基、C1 〜C4 アルキルスルフィニル基、アリ
ールスルフィニル基、C1 〜C4 アルキルスルホニル
基、アリールスルホニル基、アミノスルホニル基、モノ
又はジC1 〜C4 アルキルアミノスルホニル基を意味す
る。[In the formula, R 2 and R 3 are each independently a hydrogen atom, a cyano group, a nitro group, a tosylamino group,
An amino group which may be protected by a protecting group such as a benzylamino group, a halogen atom, a C 1 -C 4 alkyl group, a C 1-
C 4 alkoxy group, halogeno C 1 -C 4 alkyl group, carboxy group, formyl group, C 1 -C 4 alkanoyl group,
Aroyl groups, halogeno C 1 -C 4 alkanoyl group, a carbamoyl group, C 1 -C 4 alkylsulfinyl group, an arylsulfinyl group, C 1 -C 4 alkylsulfonyl group, an arylsulfonyl group, aminosulfonyl group, a mono- or di-C 1 To C 4 alkylaminosulfonyl group.
【0011】R4 は水素原子、C1 〜C4 アルキル基、
C1 〜C4アルコキシ基を意味する。R5 はC1 〜C4
アルキル基、C1 〜C4 アルコキシ基、フェニル基(該
フェニル基は、ハロゲン原子、C1 〜C4 アルキル基、
C1 〜C4 アルコキシ基で置換されていてもよい。)を
意味する。R 4 is a hydrogen atom, a C 1 -C 4 alkyl group,
Means C 1 -C 4 alkoxy group. R 5 is C 1 to C 4
An alkyl group, a C 1 -C 4 alkoxy group, a phenyl group (the phenyl group is a halogen atom, a C 1 -C 4 alkyl group,
It may be substituted with a C 1 -C 4 alkoxy group. ) Means.
【0012】又は、R4 とR5 が一緒になってOr R 4 and R 5 together
【0013】[0013]
【化13】 [Chemical 13]
【0014】(R6 、R7 、R8 及びR9 はそれぞれ独
立して、水素原子、C1 〜C4 アルキル基を意味す
る。)を意味する。〕で表されるオレフィン化合物に対
し、請求項1記載の式〔I〕又は〔I’〕で表される光
学活性マンガン錯体のいずれかを触媒として不斉エポキ
シ化反応を行ない、式〔III〕(R 6 , R 7 , R 8 and R 9 each independently represent a hydrogen atom or a C 1 -C 4 alkyl group). ] The asymmetric epoxidation reaction is carried out with respect to the olefin compound represented by the formula [1] using the optically active manganese complex represented by the formula [I] or [I '] as a catalyst.
【0015】[0015]
【化14】 Embedded image
【0016】(式中、R2 、R3 、R4 及びR5 は前記
に同じ。*で示された炭素原子の絶対配位はRかSを意
味する。)で表される光学活性エポキシ化合物の製造
法、式〔IV〕(Wherein R 2 , R 3 , R 4 and R 5 are the same as above. The absolute coordination of the carbon atom indicated by * means R or S.) Method for producing compound, formula [IV]
【0017】[0017]
【化15】 [Chemical 15]
【0018】(式中、R2 及びR3 はそれぞれ独立し
て、水素原子、シアノ基、ニトロ基、トシルアミノ基、
ベンジルアミノ基等の保護基で保護されていてもよいア
ミノ基、ハロゲン原子、C1 〜C4 アルキル基、C1 〜
C4 アルコキシ基、ハロゲノC1〜C4 アルキル基、カ
ルボキシ基、ホルミル基、C1 〜C4 アルカノイル基、
アロイル基、ハロゲノC1 〜C4 アルカノイル基、カル
バモイル基、C1 〜C4 アルキルスルフィニル基、アリ
ールスルフィニル基、C1 〜C4 アルキルスルホニル
基、アリールスルホニル基、アミノスルホニル基、モノ
又はジC1 〜C4 アルキルアミノスルホニル基を意味す
る。(In the formula, R 2 and R 3 are each independently a hydrogen atom, a cyano group, a nitro group, a tosylamino group,
An amino group which may be protected by a protecting group such as a benzylamino group, a halogen atom, a C 1 -C 4 alkyl group, a C 1-
C 4 alkoxy group, halogeno C 1 -C 4 alkyl group, carboxy group, formyl group, C 1 -C 4 alkanoyl group,
Aroyl groups, halogeno C 1 -C 4 alkanoyl group, a carbamoyl group, C 1 -C 4 alkylsulfinyl group, an arylsulfinyl group, C 1 -C 4 alkylsulfonyl group, an arylsulfonyl group, aminosulfonyl group, a mono- or di-C 1 To C 4 alkylaminosulfonyl group.
【0019】R6 及びR7 はそれぞれ独立して、水素原
子、C1〜C4アルキル基を意味する。)で表されるベン
ゾピラン誘導体に対し、請求項1記載の式〔I〕又は
〔I’〕で表される光学活性マンガン錯体のいずれかを
触媒として不斉エポキシ化反応を行ない、式〔V〕R 6 and R 7 each independently represent a hydrogen atom or a C 1 -C 4 alkyl group. ), The asymmetric epoxidation reaction is carried out using either the optically active manganese complex represented by the formula [I] or [I '] of claim 1 as a catalyst, and the benzopyran derivative represented by the formula [V]
【0020】[0020]
【化16】 Embedded image
【0021】(式中、R2 、R3 、R6 及びR7 は前記
に同じ。*で示された炭素原子の絶対配位はRかSを意
味する。)で表される光学活性エポキシベンゾピラン化
合物の製造法、式〔VI〕(In the formula, R 2 , R 3 , R 6 and R 7 are the same as described above. The absolute coordination of the carbon atom represented by * means R or S.) Method for producing benzopyran compound, formula [VI]
【0022】[0022]
【化17】 [Chemical 17]
【0023】(式中、R6 及びR7 はそれぞれ独立し
て、水素原子、C1 〜C4 アルキル基を意味する。)で
表されるインデン化合物に対し、請求項1記載の式
〔I]又は〔I’〕で表される光学活性マンガン錯体の
いずれかを触媒として不斉エポキシ化反応を行ない、式
〔VII 〕(In the formula, R 6 and R 7 are each independently a hydrogen atom or a C 1 -C 4 alkyl group.) The indene compound represented by the formula [I] ] Or an optically active manganese complex represented by [I ′] is used as a catalyst to carry out an asymmetric epoxidation reaction,
【0024】[0024]
【化18】 Embedded image
【0025】(式中、R6 及びR7 は前記に同じ。*で
示された炭素原子の絶対配位はRかSを意味する。)で
表される光学活性エポキシインデン化合物の製造法、式
〔VIII〕(Wherein R 6 and R 7 are the same as above, and the absolute coordination of the carbon atom represented by * means R or S), and a method for producing an optically active epoxyindene compound, Formula (VIII)
【0026】[0026]
【化19】 [Chemical 19]
【0027】で表されるインデンに対し、請求項1記載
の式〔I〕又は〔I’〕で表される光学活性マンガン錯
体のいずれかを触媒として不斉エポキシ化反応を行な
い、式〔IX〕The indene represented by the formula [IX] is subjected to an asymmetric epoxidation reaction by using either the optically active manganese complex represented by the formula [I] or [I '] of claim 1 as a catalyst. ]
【0028】[0028]
【化20】 Embedded image
【0029】(*で示された炭素原子の絶対配位はRか
Sを意味する。)で表される光学活性エポキシインデン
の製造法に関するものである。以下、式〔I〕、
〔I’〕、〔II〕、〔III〕、〔IV〕、〔V〕、〔V
I〕、〔VII〕の置換基R、R1 、R2 、R3 、R4 、R
5 、R6 、R7 、R8 、R9 、X - 及びYについて説明
する。(Is the absolute coordination of the carbon atom indicated by * an R?
Means S. ) Optically active epoxy indene represented by
Of the manufacturing method of. Hereinafter, the formula [I],
[I '], [II], [III], [IV], [V], [V
I], [VII] substituents R, R1, R2, R3, RFour, R
Five, R6, R7, R8, R9, X -And about Y
I do.
【0030】C1 〜C4 アルキル基としては、メチル
基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−
ブチル基、i−ブチル基、sec−ブチル基、t−ブチ
ル基等が挙げられる。C1 〜C4 アルコキシ基として
は、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、i−
プロポキシ基、n−ブトキシ基、i−ブトキシ基、se
c−ブトキシ基、t−ブトキシ基等が挙げられる。The C 1 -C 4 alkyl group includes a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an i-propyl group and an n-
Examples thereof include a butyl group, an i-butyl group, a sec-butyl group and a t-butyl group. The C 1 -C 4 alkoxy group, a methoxy group, an ethoxy group, n- propoxy group, i-
Propoxy group, n-butoxy group, i-butoxy group, se
Examples thereof include c-butoxy group and t-butoxy group.
【0031】置換シリル基としては、トリメチルシリル
基、トリエチルシリル基、トリ−n−プロピルシリル
基、トリ−i−プロピルシリル基、トリ−n−ブチルシ
リル基、トリ−i−ブチルシリル基、ジメチルエチルシ
リル基、ジメチル−n−プロピルシリル基、ジメチル−
n−ブチルシリル基、ジメチル−i−ブチルシリル基、
ジメチル−t−ブチルシリル基等が挙げられる。Examples of the substituted silyl group include trimethylsilyl group, triethylsilyl group, tri-n-propylsilyl group, tri-i-propylsilyl group, tri-n-butylsilyl group, tri-i-butylsilyl group and dimethylethylsilyl group. , Dimethyl-n-propylsilyl group, dimethyl-
n-butylsilyl group, dimethyl-i-butylsilyl group,
A dimethyl-t-butyl silyl group etc. are mentioned.
【0032】保護基で保護されていてもよいアミノ基と
しては、トシルアミノ基、ベンジルアミノ基の他、アシ
ルアミノ基、アルコキシアミノ基等が挙げられる。アシ
ルアミノ基としては、アセチルアミノ基、プロピオニル
アミノ基、ベンゾイルアミノ基等が挙げられる。アルコ
キシアミノ基としては、メトキシカルボニルアミノ基、
エトキシカルボニルアミノ基、n−プロポキシカルボニ
ルアミノ基、i−プロポキシカルボニルアミノ基、n−
ブトキシカルボニルアミノ基、i−ブトキシカルボニル
アミノ基、sec−ブトキシカルボニルアミノ基、t−
ブトキシカルボニルアミノ基等があげられる。Examples of the amino group which may be protected by a protecting group include a tosylamino group, a benzylamino group, an acylamino group and an alkoxyamino group. Examples of the acylamino group include an acetylamino group, a propionylamino group and a benzoylamino group. As the alkoxyamino group, a methoxycarbonylamino group,
Ethoxycarbonylamino group, n-propoxycarbonylamino group, i-propoxycarbonylamino group, n-
Butoxycarbonylamino group, i-butoxycarbonylamino group, sec-butoxycarbonylamino group, t-
Examples thereof include butoxycarbonylamino group.
【0033】C1 〜C4 アルカノイル基としては、アセ
チル基、プロピオニル基等が挙げられる。アロイル基と
しては、ベンゾイル基、o−トルオイル基、m−トルオ
イル基、p−トルオイル基、ナフトイル基等が挙げられ
る。C1 〜C4 アルキルスルフィニル基としては、メチ
ルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、n−プロピ
ルスルフィニル基、i−プロピルスルフィニル基、n−
ブチルスルフィニル基、i−ブチルスルフィニル基、s
ec−ブチルスルフィニル基、t−ブチルスルフィニル
基等が挙げられる。Examples of the C 1 -C 4 alkanoyl group include an acetyl group and a propionyl group. Examples of the aroyl group include benzoyl group, o-toluoyl group, m-toluoyl group, p-toluoyl group, and naphthoyl group. As the C 1 -C 4 alkylsulfinyl group, a methylsulfinyl group, an ethylsulfinyl group, an n-propylsulfinyl group, an i-propylsulfinyl group, an n-
Butylsulfinyl group, i-butylsulfinyl group, s
Examples thereof include an ec-butylsulfinyl group and a t-butylsulfinyl group.
【0034】アリールスルフィニル基としては、ベンゼ
ンスルフィニル基、o−トルエンスルフィニル基、m−
トルエンスルフィニル基、p−トルエンスルフィニル基
等が挙げられる。C1 〜C4 アルキルスルホニル基とし
ては、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、n−
プロピルスルホニル基、i−プロピルスルホニル基、n
−ブチルスルホニル基、i−ブチルスルホニル基、se
c−ブチルスルホニル基、t−ブチルスルホニル基等が
挙げられる。Examples of the arylsulfinyl group include a benzenesulfinyl group, an o-toluenesulfinyl group, and a m-
Examples thereof include a toluenesulfinyl group and a p-toluenesulfinyl group. As the C 1 -C 4 alkylsulfonyl group, a methylsulfonyl group, an ethylsulfonyl group, n-
Propylsulfonyl group, i-propylsulfonyl group, n
-Butylsulfonyl group, i-butylsulfonyl group, se
Examples thereof include c-butylsulfonyl group and t-butylsulfonyl group.
【0035】アリールスルホニル基としては、ベンゼン
スルホニル基、o−トルエンスルホニル基、m−トルエ
ンスルホニル基、p−トルエンスルホニル基等が挙げら
れる。モノ又はジC1 〜C4 アルキルアミノスルホニル
基としては、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミ
ノスルホニル基、エチルアミノスルホニル基、ジエチル
アミノスルホニル基、n−プロピルアミノスルホニル
基、ジ−n−プロピルアミノスルホニル基等が挙げられ
る。Examples of the arylsulfonyl group include benzenesulfonyl group, o-toluenesulfonyl group, m-toluenesulfonyl group, p-toluenesulfonyl group and the like. Examples of the mono- or di-C 1 -C 4 alkylaminosulfonyl group include methylaminosulfonyl group, dimethylaminosulfonyl group, ethylaminosulfonyl group, diethylaminosulfonyl group, n-propylaminosulfonyl group, di-n-propylaminosulfonyl group, etc. Is mentioned.
【0036】ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素
原子、臭素原子等が挙げられる。ハロゲノC1 〜C4 ア
ルキル基としては、トリフルオロメチル基、モノクロロ
メチル基、ペンタフルオロエチル基等が挙げられる。ハ
ロゲノC1 〜C4 アルカノイル基としては、トリフルオ
ロアセチル基、モノアセチル基、ペンタフルオロプロピ
オニル基等が挙げられる。Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom and a bromine atom. Examples of the halogeno C 1 -C 4 alkyl group include a trifluoromethyl group, a monochloromethyl group and a pentafluoroethyl group. Examples of the halogeno C 1 -C 4 alkanoyl group include a trifluoroacetyl group, a monoacetyl group, a pentafluoropropionyl group and the like.
【0037】ハロゲン原子、C1 〜C4 アルキル基、C
1 〜C4 アルコキシ基で置換されていてもよいフェニル
基としては、フルオロフェニル基、クロロフェニル基、
ブロモフェニル基、トリル基、エチルフェニル基、t−
ブチルフェニル基、3,5−ジメチルフェニル基、o−
メトキシフェニル基、m−メトキシフェニル基、p−メ
トキシフェニル基等が挙げられる。Halogen atom, C 1 -C 4 alkyl group, C
Examples of the phenyl group which may be substituted with a 1 to C 4 alkoxy group include a fluorophenyl group, a chlorophenyl group,
Bromophenyl group, tolyl group, ethylphenyl group, t-
Butylphenyl group, 3,5-dimethylphenyl group, o-
Methoxyphenyl group, m-methoxyphenyl group, p-methoxyphenyl group and the like can be mentioned.
【0038】塩を形成しうる陰イオン対としては、1価
のOH- 、F- 、Cl- 、Br- 、I- 、CH3 CO2
- 、PF6 - 、ClO4 - 、BF4 - 、2価のC
O3 2-、SO4 2-、3価のPO4 3- イオン等が挙げられ
る。尚、式〔I〕又は〔I’〕の光学活性マンガン錯体
の中心金属であるマンガンは1価から5価までの酸化状
態をとりうる。As the anion pair capable of forming a salt, monovalent OH − , F − , Cl − , Br − , I − , CH 3 CO 2 are used.
-, PF 6 -, ClO 4 -, BF 4 -, 2 -valent C
Examples thereof include O 3 2− , SO 4 2− , trivalent PO 4 3− ion and the like. Incidentally, manganese, which is the central metal of the optically active manganese complex of the formula [I] or [I '], can take an oxidation state of monovalent to pentavalent.
【0039】式〔I〕又は〔I’〕の光学活性マンガン
錯体の代表的な合成例を次に説明する。スキーム1、2
及び3には、〔I〕〔R1 =Me(メチル基)、R=P
h(フェニル基)、Y=H、X- =- OAc(酢酸イオ
ン) 〕のみの合成例を示すが、〔I〕と〔I’〕は互い
に対掌体の関係であるため、〔I’〕〔R1 =Me、R
=Ph、Y=H、X- =- OAc〕を合成するには、出
発原料である光学活性ビナフトール化合物及びジアミン
化合物を逆の立体配置を持つものに変更すればよい。Representative synthetic examples of the optically active manganese complex of the formula [I] or [I '] will be described below. Schemes 1 and 2
And 3 include [I] [R 1 = Me (methyl group), R = P
h (phenyl group), Y = H, X - = - OAc (acetate ion)] is shown as an example, but since [I] and [I '] have an antipodal relationship with each other, [I' ] [R 1 = Me, R
= Ph, Y = H, X - = - OAc], the optically active binaphthol compound and the diamine compound which are the starting materials may be changed to those having the opposite configurations.
【0040】分子不斉を持つ光学活性ビナフトール化合
物からのサリチルアルデヒド化合物の合成は、既にテト
ラヘドロン(Tetrahedron )、50巻(41)、1182
7頁、1994年に記載された方法により得ることがで
きる。即ち、S−(−)−ビナフトールを、(a)コリ
ジン存在下、N−フェニルトリフルオロメタンスルホン
イミドを反応させて、一方の水酸基をトリフレートと
し、(b)塩化〔1,2−ビス(ジフェニルホスフィ
ノ)エタン〕ニッケル(II)を触媒としてフェニルグリ
ニャール試薬で置換する。Synthesis of a salicylaldehyde compound from an optically active binaphthol compound having a molecular asymmetry has already been reported in Tetrahedron, 50, (41), 1182.
It can be obtained by the method described on page 7, 1994. That is, S-(−)-binaphthol is reacted with N-phenyltrifluoromethanesulfonimide in the presence of (a) collidine to form one hydroxyl group as triflate, and (b) chloride [1,2-bis (diphenyl) chloride. Phosphino) ethane] nickel (II) is used as a catalyst to replace the phenyl Grignard reagent.
【0041】次いで(c)塩基性条件下、クロロメチル
メチルエーテルでメトキシメチル化した後、(d)t−
ブチルリチウムでのリチオ化、(e)ジメチルホルムア
ミドでのホルミル化、(f)トリメチルシリルブロミド
での脱メトキシメチル化を経て目的とするサリチルアル
デヒド化合物を合成する。R部分が異なる化合物の合成
は上記(b)の段階でグリニャール試薬の種類を代えれ
ばよい。(スキーム1参照) スキーム1Then, (c) under basic conditions, methoxymethylated with chloromethyl methyl ether, and then (d) t-
The target salicylaldehyde compound is synthesized through lithiation with butyl lithium, (e) formylation with dimethylformamide, and (f) demethoxymethylation with trimethylsilyl bromide. The compound having a different R portion may be synthesized by changing the type of Grignard reagent in the step (b). (See Scheme 1) Scheme 1
【0042】[0042]
【化21】 [Chemical 21]
【0043】〔式中、Tf2NPhはN−フェニルトリ
フルオロメタンスルホンイミド、PhMgBrはフェニ
ルマグネシウムブロミド、NiCl2 (dppe)は塩
化〔1,2−ビス(ジフェニルホスフィノ)エタン〕ニ
ッケル(II)を、MOMClはクロロメチルメチルエー
テルを、(i−Pr)2 NEtはジイソプロピルエチル
アミンを、t−BuLiはターシャリーブチルリチウム
を、DMFはジメチルホルムアミドを、TMSBrは臭
化トリメチルシリルを、各々意味する。〕 もう一方の原料であるジアミン化合物は、まず、(R)
−(+)−3−メチルシクロヘキサノンから既知の方法
〔ジャーナル、アメリカン、ケミカル、ソサイアティ
(J. Am. Chem. Soc. )、86巻、465頁、1964
年〕により(+)−トランス−2,5−ジメチルシクロ
ヘキサノンを合成する。[In the formula, Tf 2 NPh is N-phenyltrifluoromethanesulfonimide, PhMgBr is phenylmagnesium bromide, and NiCl 2 (dppe) is [1,2-bis (diphenylphosphino) ethane] nickel (II) chloride. , MOMCl means chloromethyl methyl ether, (i-Pr) 2 NEt means diisopropylethylamine, t-BuLi means tertiary butyllithium, DMF means dimethylformamide, and TMSBr means trimethylsilyl bromide. ] The other raw material, the diamine compound, is (R)
A known method from-(+)-3-methylcyclohexanone [Journal, American, Chemical, Society (J. Am. Chem. Soc.), 86, 465, 1964.
Year) to synthesize (+)-trans-2,5-dimethylcyclohexanone.
【0044】即ち、3−メチルシクロヘキサノンを
(g)NaOEt存在下、シュウ酸ジエチルを反応させ
てグリオキシレートとし、(h)脱カルボニル化してβ
−ケトエステル、更に、(i)NaOEt存在下、ヨウ
化メチルを反応させてジメチルシクロヘキサノンを得
る。次いで(j)トシルヒドラゾンとした後、(k)メ
チルリチウムと反応させてジメチルシクロヘキセンと
し、(l)ナトリウムアジドの存在下、塩化ヨードを反
応させてヨードアジド化合物を合成する。That is, 3-methylcyclohexanone was reacted with diethyl oxalate in the presence of (g) NaOEt to give glyoxylate, and (h) decarbonylated to give β.
-Ketoester and (i) methyl iodide is reacted in the presence of NaOEt to give dimethylcyclohexanone. Next, (j) tosylhydrazone is reacted with (k) methyllithium to give dimethylcyclohexene, and (l) iodine chloride is reacted with sodium azide to synthesize an iodoazide compound.
【0045】更にこれを、(m)LAHで還元して、
(n)トシル化してトシルアジリジンとする。次いで
(o)ナトリウムアジドにてアジド体を得、(p)接触
水添によりジアミンとした後、(q)トシル化してジト
シルアミンとし、最後に(r)還元して目的とするジア
ミン化合物を合成する。(スキーム2参照) スキーム2Further, this is reduced with (m) LAH,
(N) Tosylate to tosyl aziridine. Next, (o) sodium azide is used to obtain an azide, (p) catalytic hydrogenation to give a diamine, (q) tosylation to give ditosylamine, and finally (r) reduction to synthesize the desired diamine compound. . (See Scheme 2) Scheme 2
【0046】[0046]
【化22】 [Chemical formula 22]
【0047】〔式中、(CO2 Et)2 はシュウ酸ジエ
チルを、MeIはヨウ化メチルを、H 2 NNHTsはト
シルヒドラジンを、MeLiはメチルリチウムを、LA
Hはリチウムアルミニウムヒドリドを、TsClは塩化
トシルを、Et3Nはトリエチルアミンを、各々意味す
る。〕 但し、ジアミン化合物の合成法は置換基R1 の種類によ
り様々であるため、必ずしもこの方法に限定するもので
はない。[Wherein (CO2Et)2Is oxalate
Til, MeI is methyl iodide, H 2NNHTs are
Silhydrazine, MeLi methyllithium, LA
H is lithium aluminum hydride, TsCl is chloride
Tosyl, Et3N means triethylamine, respectively
It However, the synthetic method of the diamine compound is the substituent R1Depending on the type of
Therefore, it is not limited to this method.
There is no.
【0048】以上のようにして得られたサリチルアルデ
ヒド化合物とジアミン化合物を、エタノール、メタノー
ル等のアルコール系溶媒、アセトニトリル、プロピオニ
トリル等のニトリル系溶媒、ジクロロメタン、クロロホ
ルム等のハロゲン系溶媒、ベンゼン、トルエン等の芳香
族炭化水素系溶媒、テトラヒドロフラン、ジエチルエー
テル等のエーテル系溶媒、ヘキサン、ヘプタン等の炭化
水素系溶媒、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトア
ミド、N−メチルピロリドン等のアミド系溶媒等の溶媒
中で混合させイミン化合物を形成させる。The salicylaldehyde compound and the diamine compound thus obtained are mixed with an alcohol solvent such as ethanol and methanol, a nitrile solvent such as acetonitrile and propionitrile, a halogen solvent such as dichloromethane and chloroform, benzene, and the like. In an aromatic hydrocarbon solvent such as toluene, an ether solvent such as tetrahydrofuran or diethyl ether, a hydrocarbon solvent such as hexane or heptane, an amide solvent such as dimethylformamide, dimethylacetamide or N-methylpyrrolidone. Mix to form an imine compound.
【0049】好ましい溶媒としては、エタノール、メタ
ノール、アセトニトリル、ジクロロメタン、トルエン、
ジメチルホルムアミド等を挙げることができる。この時
必要であれば、等モル以上の無水硫酸マグネシウムや無
水ホウ酸又はモレキュラーシーブのような脱水剤を共存
させてもよい。あるいは溶媒との共沸脱水により生成水
の除去を行なってもよい。Preferred solvents are ethanol, methanol, acetonitrile, dichloromethane, toluene,
Examples thereof include dimethylformamide. At this time, if necessary, a dehydrating agent such as anhydrous magnesium sulfate, boric acid anhydride, or molecular sieve in an equimolar amount or more may coexist. Alternatively, the produced water may be removed by azeotropic dehydration with a solvent.
【0050】反応温度については特に制限がなく、−2
0℃から使用する溶媒の沸点まで可能であるが、好まし
くは0℃から50℃の範囲で行なうのがよい。イミン化
合物は必ずしも反応系中から取り出す必要はなく、次の
マンガン錯体合成と連続して行なうこともできる。得ら
れたイミン化合物を、エタノール、メタノール等のアル
コール系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリル等の
ニトリル系溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム等のハ
ロゲン系溶媒、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセト
アミド、N−メチルピロリドン等のアミド系溶媒等の溶
媒中に溶解又は懸濁させ、0.5モル当量から10モル
当量、好ましくは0.8モル当量から2モル当量の酢酸
マンガンを加え、酸素存在下で反応させると目的とする
光学活性マンガン錯体〔I〕〔R1 =Me、R=Ph、
Y=H、X- =- OAc〕を得ることができる。The reaction temperature is not particularly limited and is -2.
The temperature can be from 0 ° C to the boiling point of the solvent used, but it is preferably in the range of 0 ° C to 50 ° C. The imine compound does not necessarily have to be taken out from the reaction system, and can be continuously carried out with the next manganese complex synthesis. The obtained imine compound is an alcohol solvent such as ethanol or methanol, a nitrile solvent such as acetonitrile or propionitrile, a halogen solvent such as dichloromethane or chloroform, an amide solvent such as dimethylformamide, dimethylacetamide, or N-methylpyrrolidone. It is dissolved or suspended in a solvent such as a solvent, and 0.5 molar equivalent to 10 molar equivalents, preferably 0.8 molar equivalent to 2 molar equivalents of manganese acetate are added and the reaction is carried out in the presence of oxygen. Active manganese complex [I] [R 1 = Me, R = Ph,
Y = H, X - = - OAc] can be obtained.
【0051】必要であれば、-OAcイオンをCl- 、
PF6 - 等のその他の陰イオンと置き換えることも可能
である。例えば、反応系中に等モル以上の塩化リチウム
を追加することにより、Cl-イオンとの交換をするこ
とができる。好ましい溶媒としてはエタノール、メタノ
ール、アセトニトリル、ジクロロメタン、ジメチルホル
ムアミド等を挙げることができる。If [0051] is necessary, - OAc ions Cl -,
It is also possible to replace it with other anions such as PF 6 − . For example, by adding equimolar amount or more of lithium chloride to the reaction system, exchange with Cl − ion can be performed. Preferred solvents include ethanol, methanol, acetonitrile, dichloromethane, dimethylformamide and the like.
【0052】反応温度については特に制限がなく、−2
0℃から使用する溶媒の沸点まで可能であるが、好まし
くは0℃から50℃の範囲で行なのがよい。酸素は大過
剰の空気又は酸素ガスを反応系中に吹き込むか、又は大
気中、開放系で撹拌することにより、供給される。(ス
キーム3参照) スキーム3The reaction temperature is not particularly limited, and is -2.
The temperature can be from 0 ° C to the boiling point of the solvent used, but it is preferably in the range of 0 ° C to 50 ° C. Oxygen is supplied by blowing a large excess of air or oxygen gas into the reaction system or by stirring in an open system in the atmosphere. (See Scheme 3) Scheme 3
【0053】[0053]
【化23】 [Chemical formula 23]
【0054】〔式中、Ph、-OAcは前記に同じ。〕 次に、不斉エポキシ化反応の具体的な方法について説明
する。[0054] [In the formula, Ph, - OAc have the same meanings as defined above. Next, a specific method of the asymmetric epoxidation reaction will be described.
【0055】[0055]
【化24】 [Chemical formula 24]
【0056】不斉触媒として用いる式〔I〕又は
〔I’〕で表される光学活性マンガン錯体の使用量は原
料である式〔II〕、式〔IV〕、式〔VI〕のオレフィンに
対して通常0.1モル%から5モル%の範囲である。酸
化剤の種類としては、ヨードシルベンゼン、2−ヨード
シル安息香酸、次亜塩素酸ナトリウム、過ヨウ素酸テト
ラブチルアンモニウム、過酸化水素、酸素、空気等を挙
げることができる。The amount of the optically active manganese complex represented by the formula [I] or [I '] used as the asymmetric catalyst is based on the starting olefins of the formula [II], [IV] and [VI]. And usually in the range of 0.1 mol% to 5 mol%. Examples of the oxidizing agent include iodosylbenzene, 2-iodosylbenzoic acid, sodium hypochlorite, tetrabutylammonium periodate, hydrogen peroxide, oxygen, air and the like.
【0057】酸化剤の使用量としては、原料であるオレ
フィン化合物に対して通常1当量から10当量、好まし
くは1当量から3当量の範囲がよい。酸化剤として、空
気又は酸素ガスを用いる場合は、大過剰の空気又は酸素
ガスを反応系中に吹き込むか、又は大気中、開放系で撹
拌することにより、供給される。The amount of the oxidizing agent used is usually in the range of 1 to 10 equivalents, preferably 1 to 3 equivalents, based on the starting olefin compound. When air or oxygen gas is used as the oxidant, it is supplied by blowing a large excess of air or oxygen gas into the reaction system or by stirring in an open system in the atmosphere.
【0058】反応溶媒としては、水、アセトニトリル、
ジクロロメタン、ジクロロエタン、酢酸エチル、メチル
イソブチルケトン、クロロベンゼン及びこれらの混合溶
媒等を挙げることができる。特に、酸化剤が次亜塩素酸
ナトリウムの場合は、水とジクロロメタンのように2相
系で実施するほうが好ましい場合がある。As the reaction solvent, water, acetonitrile,
Examples thereof include dichloromethane, dichloroethane, ethyl acetate, methyl isobutyl ketone, chlorobenzene, and mixed solvents thereof. In particular, when the oxidizing agent is sodium hypochlorite, it may be preferable to carry out in a two-phase system such as water and dichloromethane.
【0059】又、反応系にピリジン−N−オキシド、4
−フェニルピリジン−N−オキシド、ルチジン−N−オ
キシド、ピコリン−N−オキシド、2−メチルイミダゾ
ール等のマンガン錯体に配位能力を持つ成分を共存させ
ることもできる。配位能力を持つ成分の使用量について
は特に制限がない。反応温度は通常−50℃から50℃
の範囲、好ましくは−20℃から25℃の範囲がよい。In the reaction system, pyridine-N-oxide, 4
A component having a coordinating ability can be made to coexist with a manganese complex such as -phenylpyridine-N-oxide, lutidine-N-oxide, picoline-N-oxide and 2-methylimidazole. There is no particular limitation on the amount of the component having the coordination ability used. Reaction temperature is usually -50 ° C to 50 ° C
Is preferably in the range of -20 ° C to 25 ° C.
【0060】反応終了後は有機溶媒を減圧濃縮し、シリ
カゲルカラムクロマトグラフィー又は蒸留等により分離
すれば、目的とする光学活性エポキシ化合物を単離する
ことができる。得られた光学活性エポキシ化合物の光学
純度は光学活性クロマトグラフィーカラムや旋光度によ
って分析することができる。After completion of the reaction, the target solvent can be isolated by concentrating the organic solvent under reduced pressure and separating it by silica gel column chromatography or distillation. The optical purity of the obtained optically active epoxy compound can be analyzed by an optically active chromatography column or optical rotation.
【0061】[0061]
【発明の効果】本発明の式〔I〕又は式〔I’〕の光学
活性マンガン錯体触媒は、近傍官能基を有しない式〔I
I〕、式〔IV〕、式〔VI〕のオレフィン及びインデンを
不斉エポキシ化し、高い不斉収率で医薬品及びその中間
体として有用な式〔III〕、式〔V〕、式〔VII〕及び式
〔IX〕の光学活性エポキシ誘導体を与える。INDUSTRIAL APPLICABILITY The optically active manganese complex catalyst of the formula [I] or the formula [I '] of the present invention has the formula [I] having no neighboring functional group.
I], olefins of formula [IV] and formula [VI] and indene are asymmetrically epoxidized, and formula [III], formula [V] and formula [VII] useful as pharmaceuticals and intermediates thereof with high asymmetric yield. And an optically active epoxy derivative of the formula [IX].
【0062】[0062]
【0063】[0063]
【化25】 [Chemical 25]
【0064】〔式中、H2 NNHTsはトシルヒドラジ
ンを、EtOHはエタノールを、MeLiはメチルリチ
ウムを、Et2 Oはジエチルエーテルを、LAHはリチ
ウムアルミニウムハイドライドを、TsClは塩化トシ
ルを、Et3 Nはトリエチルアミンを、DMFはジメチ
ルホルムアミドを、各々意味する。]1の合成 (+)−トランス−2,5−ジメチルシクロヘキサノン
(1.24g、9.84mmol)のエタノール溶液
(14ml)にトシルヒドラジン(2.01g、10.
8mmol)を加えて室温下3時間反応した。[In the formula, H 2 NNHTs is tosylhydrazine, EtOH is ethanol, MeLi is methyllithium, Et 2 O is diethyl ether, LAH is lithium aluminum hydride, TsCl is tosyl chloride and Et 3 N. Means triethylamine and DMF means dimethylformamide. ] Synthesis of 1 In a solution of (+)-trans-2,5-dimethylcyclohexanone (1.24 g, 9.84 mmol) in ethanol (14 ml), tosylhydrazine (2.01 g, 10.
(8 mmol) was added and the mixture was reacted at room temperature for 3 hours.
【0065】反応混合物を濃縮した後、残渣をシリカゲ
ルカラムクロマトグラフィー(溶出溶媒:ヘキサン/酢
酸エチル=9/1)により精製した。 1の収量(収率):1.8g(62%)。白色結晶。2の合成 1(1.8g、6.1mmol)のジエチルエーテル溶
液(24.4ml)にメチルリチウム(10.5ml、
1.4M、14.6mmol)を室温下30分かけて滴
下した。滴下後室温で24時間反応した。After concentrating the reaction mixture, the residue was purified by silica gel column chromatography (eluting solvent: hexane / ethyl acetate = 9/1). Yield of 1 (yield): 1.8 g (62%). White crystals. Synthesis of 2 in a diethyl ether solution (24.4 ml) of 1 (1.8 g, 6.1 mmol) in methyllithium (10.5 ml,
1.4 M, 14.6 mmol) was added dropwise at room temperature over 30 minutes. After the dropping, the mixture was reacted at room temperature for 24 hours.
【0066】反応後少量の水を加えて反応を停止した。
反応混合物をジエチルエーテルで抽出して、有機層を無
水硫酸マグネシウムで乾燥し、次いで濃縮した。残渣を
クーゲル蒸留(沸点:130〜135℃)により精製し
た。 2の収量(収率):335mg(50%)。無色透明液
体。After the reaction, a small amount of water was added to stop the reaction.
The reaction mixture was extracted with diethyl ether, the organic layer was dried over anhydrous magnesium sulfate and then concentrated. The residue was purified by Kugel distillation (boiling point: 130-135 ° C). Yield of 2 (yield): 335 mg (50%). Colorless transparent liquid.
【0067】IR(KBr):3009,1650,1456,1369cm-1 1 HNMR(270MHz,CDCl3):5.56(s,2H),2.30-2.13(m,2H),
1.98-1.83(m,2H),1.36-1.20(m,2H), 1.05(d,6H,J=6.9H
z)3の合成 ナトリウムアジド(496mg、7.63mmol)の
アセトニトリル溶液(1.5ml)に塩化ヨード(56
0mg、3.45mmol)のアセトニトリル溶液
(0.5ml)を室温下滴下した。[0067] IR (KBr): 3009,1650,1456,1369cm -1 1 HNMR (270MHz, CDCl 3): 5.56 (s, 2H), 2.30-2.13 (m, 2H),
1.98-1.83 (m, 2H), 1.36-1.20 (m, 2H), 1.05 (d, 6H, J = 6.9H
z) 3 synthesis Sodium azide (496 mg, 7.63 mmol) in acetonitrile solution (1.5 ml) was added to iodine chloride (56
An acetonitrile solution (0.5 ml) of 0 mg, 3.45 mmol) was added dropwise at room temperature.
【0068】更に、上記混合物に2(335mg、3.
05mmol)のアセトニトリル溶液(0.5ml)を
室温下滴下した。そのまま室温下で18時間反応した。
反応混合物を水中に注ぎ反応を停止して、ジエチルエー
テルで抽出した。有機層を飽和チオ硫酸ナトリウム水で
洗浄、更に水洗して無水硫酸マグネシウムで乾燥し、次
いで濃縮した。Furthermore, 2 (335 mg, 3.
An acetonitrile solution (0.5 ml) of (05 mmol) was added dropwise at room temperature. The mixture was reacted as it was at room temperature for 18 hours.
The reaction mixture was poured into water to stop the reaction, and the mixture was extracted with diethyl ether. The organic layer was washed with saturated aqueous sodium thiosulfate, further washed with water, dried over anhydrous magnesium sulfate, and then concentrated.
【0069】残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィ
ー(溶出溶媒:ヘキサン)により精製した。 3の収量(収率):520mg(61%)。無色透明液
体。 IR (KBr):2097,1654,1259cm-1 1 HNMR(270MHz,CDCl3):4.77(dd,1H,J=2.6,2.0Hz), 4.54
(dd,1H,J=3.0,2.0Hz)2.73-2.64(m,1H), 1.61-1.18(m,5
H), 1.00(d,3H,J=6.6Hz),0.92(d,3H,J=5.9Hz) [α]D 24:+12.8°(C 1.0, CHCl3 )4の合成 リチウムアルミニウムハイドライド(146mg、3.
8mmol)のジエチルエーテル溶液(7.8ml)に
3(520mg、1.86mmol)のジエチルエーテ
ル溶液(3ml)を0℃で20分で滴下した。The residue was purified by silica gel column chromatography (eluting solvent: hexane). Yield of 3 (yield): 520 mg (61%). Colorless transparent liquid. IR (KBr): 2097,1654,1259cm -1 1 HNMR (270MHz, CDCl 3): 4.77 (dd, 1H, J = 2.6,2.0Hz), 4.54
(dd, 1H, J = 3.0,2.0Hz) 2.73-2.64 (m, 1H), 1.61-1.18 (m, 5
H), 1.00 (d, 3H, J = 6.6Hz), 0.92 (d, 3H, J = 5.9Hz) [α] D 24 : + 12.8 ° (C 1.0, CHCl 3 ) 4 synthetic lithium aluminum hydride ( 146 mg, 3.
To a diethyl ether solution (7.8 ml) of 8 mmol), a diethyl ether solution (3 ml) of 3 (520 mg, 1.86 mmol) was added dropwise at 0 ° C. over 20 minutes.
【0070】室温まで昇温し15時間撹拌した。20%
水酸化ナトリウム水を加えて1時間撹拌して反応を停止
した。反応混合物を濾過して、有機層を分液して無水硫
酸マグネシウムで乾燥し、次いで濃縮した。残渣をジク
ロロメタン(5.2ml)に溶解しトリエチルアミン
(260μl)、トシルクロライド(416mg)を加
えて、室温下12時間撹拌した。The temperature was raised to room temperature and the mixture was stirred for 15 hours. 20%
Aqueous sodium hydroxide was added and stirred for 1 hour to stop the reaction. The reaction mixture was filtered and the organic layer was separated, dried over anhydrous magnesium sulfate and then concentrated. The residue was dissolved in dichloromethane (5.2 ml), triethylamine (260 μl) and tosyl chloride (416 mg) were added, and the mixture was stirred at room temperature for 12 hours.
【0071】反応混合物を濃縮した後、残渣をシリカゲ
ルカラムクロマトグラフィー(溶出溶媒:ヘキサン/酢
酸エチル=19/1)により精製した。 4の収量(収率):228mg(44%)。無色透明液
体。 IR (KBr):2928, 1599, 1157,934, 849cm-1 1 HNMR(400MHz,CDCl3):7.82(d,2H,J=8.1Hz),7.32(d,2
H,J=8.1Hz), 2.84(dd,1H,J=7.3,2.9Hz), 2.77(d,1H,J=
7.3Hz), 2.44(s,3H), 1.85-1.72(m,2H), 1.61-1.58(m,1
H), 1.33-1.29(m,1H), 1.06(d,3H,J=6.8Hz), 1.02-0.92
(m,1H), 0.84-0.74(m,1H), 0.72(d,3H,J=6.8Hz) [α]D 24:+3.6 °(C 0.6, CHCl3 ) HRMS(FAB):m/z 〔C15H21O2NSとして〕 計算値:279.4001 分析値:280.1371(M+H)+ 5の合成 4(228mg、0.82mmol)のジメチルホルム
アミド溶液(4.1ml)にナトリウムアジド(107
mg、1.64mmol)を加えて、室温下7時間反応
した。After concentrating the reaction mixture, the residue was purified by silica gel column chromatography (eluting solvent: hexane / ethyl acetate = 19/1). Yield of 4 (yield): 228 mg (44%). Colorless transparent liquid. IR (KBr): 2928, 1599, 1157, 934, 849cm -1 1 HNMR (400MHz, CDCl 3 ): 7.82 (d, 2H, J = 8.1Hz), 7.32 (d, 2
H, J = 8.1Hz), 2.84 (dd, 1H, J = 7.3,2.9Hz), 2.77 (d, 1H, J =
7.3Hz), 2.44 (s, 3H), 1.85-1.72 (m, 2H), 1.61-1.58 (m, 1
H), 1.33-1.29 (m, 1H), 1.06 (d, 3H, J = 6.8Hz), 1.02-0.92
(m, 1H), 0.84-0.74 (m, 1H), 0.72 (d, 3H, J = 6.8Hz) [α] D 24 : +3.6 ° (C 0.6, CHCl 3 ) HRMS (FAB): m / z [as C 15 H 21 O 2 NS] Calculated value: 279.4001 Analysis value: 280.1371 (M + H) + 5 Synthesis 4 (228 mg, 0.82 mmol) in dimethylformamide solution (4.1 ml) sodium azide (107 ml)
(mg, 1.64 mmol) was added and the mixture was reacted at room temperature for 7 hours.
【0072】水を加えて反応を停止した後、反応混合物
を酢酸エチルで抽出して、有機層を無水硫酸マグネシウ
ムで乾燥し、次いで濃縮した。残渣をシリカゲルカラム
クロマトグラフィー(溶出溶媒:ヘキサン/酢酸エチル
=9/1)により精製した。 5の収量(収率):225mg(85%)。白色結晶。After the reaction was stopped by adding water, the reaction mixture was extracted with ethyl acetate, the organic layer was dried over anhydrous magnesium sulfate, and then concentrated. The residue was purified by silica gel column chromatography (eluting solvent: hexane / ethyl acetate = 9/1). Yield of 5 (yield): 225 mg (85%). White crystals.
【0073】IR(KBr):3292, 2963, 2100, 1599, 816,
667, 590, 552cm-1 1 HNMR(400MHz,CDCl3) :7.77(d,2H,J=8.1Hz),7.32(d,2
H,J=8.1Hz),4.62(d,1H,J=7.6Hz), 3.58(dd,1H,J=2.9,
2.4Hz), 3.27(ddd,1H,J=7.6,3.4,2.4Hz), 2.44(s,3H),
1.89-1.80(m,2H),1.45-1.33(m,2H), 1.26-1.16(m,1H),
0.94(d,3H,J=6.8Hz),0.97-0.85(m,1H), 0.53(d,3H,J=
6.8Hz) [α]D 24:+88.8°(C 1.0 ,CHCl3) HRMS (FAB):m/z 〔C15H22O2N4S として〕 計算値:322.4282 分析値:323.1542(M+H)+ 6の合成 5(225mg、0.7mmol)の酢酸エチル溶液
(3.5ml)にパラジウム−炭素(20mg)を加え
て、室温で常圧下、水素による接触還元を行なった。IR (KBr): 3292, 2963, 2100, 1599, 816,
667, 590, 552cm -1 1 HNMR (400MHz, CDCl 3): 7.77 (d, 2H, J = 8.1Hz), 7.32 (d, 2
H, J = 8.1Hz), 4.62 (d, 1H, J = 7.6Hz), 3.58 (dd, 1H, J = 2.9,
2.4Hz), 3.27 (ddd, 1H, J = 7.6,3.4,2.4Hz), 2.44 (s, 3H),
1.89-1.80 (m, 2H), 1.45-1.33 (m, 2H), 1.26-1.16 (m, 1H),
0.94 (d, 3H, J = 6.8Hz), 0.97-0.85 (m, 1H), 0.53 (d, 3H, J =
6.8Hz) [α] D 24 : + 88.8 ° (C 1.0, CHCl 3 ) HRMS (FAB): m / z [as C 15 H 22 O 2 N 4 S] Calculated value: 322.4282 Analytical value: 323.1542 (M Synthesis of + H) + 6 Palladium-carbon (20 mg) was added to an ethyl acetate solution (3.5 ml) of 5 (225 mg, 0.7 mmol), and catalytic reduction with hydrogen was performed at room temperature under normal pressure.
【0074】1時間後反応混合物をセライト濾過し、次
いで濃縮した。残渣をジクロロメタン(3.5ml)に
溶解し、トリエチルアミン(117μl、0.77mm
ol)とトシルクロライド(147mg、0.77mm
ol)を加えて室温下12時間反応した。反応混合物を
濃縮した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィ
ー(溶出溶媒:ヘキサン/酢酸エチル=8/2)により
精製した。After 1 hour, the reaction mixture was filtered through Celite and then concentrated. The residue was dissolved in dichloromethane (3.5 ml) and triethylamine (117 μl, 0.77 mm
ol) and tosyl chloride (147 mg, 0.77 mm)
was added and reacted at room temperature for 12 hours. After the reaction mixture was concentrated, the residue was purified by silica gel column chromatography (eluting solvent: hexane / ethyl acetate = 8/2).
【0075】6の収量(収率):116mg(37
%)。白色結晶。 IR(KBr):3294,2962,1597,937, 814, 669, 592, 55
3cm -1 1 HNMR(400MHz,CD2Cl2):7.75(d,4H,J=8.1),7.34(d,4H,
J=8.1Hz),4.42(d,2H,J=6.3Hz), 3.30(dd,2H,J=6.3,2.3
Hz), 2.45(s,6H), 1.89-1.82(m,2H), 1.42-1.39(m,2H),
0.96-0.90(m,2H), 0.44(d,6H,J=6.8Hz) [α]D 24:+194.1 °(C 0.17, CHCl3) HRMS (FAB):m/z 〔C22H30O4N2S2 として〕 計算値:450.6154 分析値:451.1725(M+H)+ 実施例1 〔光学活性マンガン錯体(〔I−1〕:R1 =Me、R
=Ph、Y=H、X-=PF6 - ) の合成〕Yield of 6 (yield): 116 mg (37
%). White crystals. IR (KBr): 3294, 2962, 1597, 937, 814, 669, 592, 55
3cm -1 1 HNMR (400MHz, CD 2 Cl 2): 7.75 (d, 4H, J = 8.1), 7.34 (d, 4H,
J = 8.1Hz), 4.42 (d, 2H, J = 6.3Hz), 3.30 (dd, 2H, J = 6.3,2.3
Hz), 2.45 (s, 6H), 1.89-1.82 (m, 2H), 1.42-1.39 (m, 2H),
0.96-0.90 (m, 2H), 0.44 (d, 6H, J = 6.8Hz) [α] D 24 : +194.1 ° (C 0.17, CHCl 3 ) HRMS (FAB): m / z [C 22 H 30 O 4 N 2 as S 2] calculated: 450.6154 analysis value: 451.1725 (M + H) + example 1 [an optically active manganese complex ([I-1]: R 1 = Me, R
= Ph, Y = H, X − = PF 6 − )]
【0076】[0076]
【化26】 [Chemical formula 26]
【0077】〔式中は、Phはフェニル、Cp2Fe・
PF6はフェロッセニウムヘキサフルオロホスフェート
を意味する。] リチウム(30mg、4.3mmol)の液体アンモニ
ア溶液を−78℃に冷却して、6(10mg、0.02
2mmol)のテトラヒドロフラン溶液(1ml)を加
え、−78℃で1時間反応した。[In the formula, Ph is phenyl, Cp 2 Fe.
PF 6 means ferroscenium hexafluorophosphate. ] Liquid ammonia solution of lithium (30 mg, 4.3 mmol) was cooled to -78 ° C and 6 (10 mg, 0.02).
A tetrahydrofuran solution (1 ml) of 2 mmol) was added, and the mixture was reacted at −78 ° C. for 1 hour.
【0078】反応混合物を室温まで昇温して水を少量加
えて反応を停止した。エタノール(3ml)とサリチル
アルデヒド化合物7(17mg、0.044mmol)
を加えて室温で13時間反応した。反応混合物を濾過し
て次いで濃縮した。残渣をアセトニトリル(2ml)に
溶解し、酢酸マンガン4水和物(8.6mg、0.03
5mmol)を加えて室温下2時間撹拌した。The reaction mixture was warmed to room temperature and a small amount of water was added to stop the reaction. Ethanol (3 ml) and salicylaldehyde compound 7 (17 mg, 0.044 mmol)
Was added and reacted at room temperature for 13 hours. The reaction mixture was filtered then concentrated. The residue was dissolved in acetonitrile (2 ml) and manganese acetate tetrahydrate (8.6 mg, 0.03
(5 mmol) was added and the mixture was stirred at room temperature for 2 hours.
【0079】更にフェロッセニウムヘキサフルオロホス
フェート(12mg、0.035mmol)のアセトニ
トリル溶液(2ml)を加えて室温下12時間反応し
た。反応混合物を濃縮した後、シリカゲルカラムクロマ
トグラフィー(溶出溶媒:ジクロロメタン/メタノール
=10/1)により精製した。 マンガン錯体〔I−1〕の収量(収率):8mg(22
%)。Further, an acetonitrile solution (2 ml) of ferroscenium hexafluorophosphate (12 mg, 0.035 mmol) was added, and the mixture was reacted at room temperature for 12 hours. The reaction mixture was concentrated and then purified by silica gel column chromatography (eluting solvent: dichloromethane / methanol = 10/1). Yield of manganese complex [I-1] (yield): 8 mg (22
%).
【0080】IR(KBr):3448,2923,2862,1606,145
8,1419,1326,1161,1093,845,669cm -1 実施例2 〔ベンゾピラン化合物のエポキシ化〕IR (KBr): 3448, 2923, 2862, 1606, 145
8,1419,1326,1161,1093,845,669 cm -1 Example 2 [Epoxidation of benzopyran compound]
【0081】[0081]
【化27】 [Chemical 27]
【0082】原料のベンゾピラン化合物(10.5m
g、0.04mmol)とマンガン錯体〔I−1〕
(1.05mg、1.0μmol)と4−フェニルピリ
ジン−N−オキサイド(1.7mg、10μmol)を
ジクロロメタン(0.25ml)に溶解した後、0℃に
冷却し、次亜塩素酸ナトリウム(0.34ml、200
μmol)を加えた。Raw material benzopyran compound (10.5 m
g, 0.04 mmol) and manganese complex [I-1]
(1.05 mg, 1.0 μmol) and 4-phenylpyridine-N-oxide (1.7 mg, 10 μmol) were dissolved in dichloromethane (0.25 ml), cooled to 0 ° C., and sodium hypochlorite (0 0.34 ml, 200
μmol) was added.
【0083】0℃で1時間反応後、反応混合物を分液し
更にジクロロメタンで抽出を行なった。有機層を無水硫
酸マグネシウムで乾燥し、次いで濃縮した。残渣をシリ
カゲルカラムクロマトグラフィー(溶出溶媒:ヘキサン
/酢酸エチル=8/2)により精製した。 エポキシドの収量(収率):7.0mg(63%)。不
斉収率:99.7%ee(DAICEL CHIRAL
CEL OJ,ヘキサン/イソプロパノール=1/1,
流速=0.5ml/分)。黄色結晶。 実施例3〜5 〔各種オレフィンのエポキシ化〕実施例2と同様に各種
のオレフィンに対して、本発明化合物〔I−1〕を触媒
として用い、アセトニトリル中ヨードシルベンゼン(P
hIO)、ジクロロメタン中次亜塩素酸ナトリウムで不
斉エポキシ化したときの試験結果を下表に示す。After reacting at 0 ° C. for 1 hour, the reaction mixture was separated and further extracted with dichloromethane. The organic layer was dried over anhydrous magnesium sulfate and then concentrated. The residue was purified by silica gel column chromatography (eluting solvent: hexane / ethyl acetate = 8/2). Yield of epoxide (yield): 7.0 mg (63%). Asymmetric yield: 99.7% ee (DAICEL CHIRAL
CEL OJ, hexane / isopropanol = 1/1
Flow rate = 0.5 ml / min). Yellow crystals. Examples 3 to 5 [Epoxidation of various olefins] In the same manner as in Example 2, with respect to various olefins, the compound of the present invention [I-1] was used as a catalyst, and iodosylbenzene (P
hIO), the test results when asymmetric epoxidation with sodium hypochlorite in dichloromethane are shown in the table below.
【0084】[0084]
【化28】 [Chemical 28]
【0085】参考例2〜5 参考例として下記に示すマンガン錯体を触媒として用い
た場合の、オレフィンの不斉エポキシ化反応の結果を下
表に示す。Reference Examples 2 to 5 The following table shows the results of the asymmetric epoxidation reaction of olefins using the manganese complexes shown below as catalysts.
【0086】[0086]
【化29】 [Chemical 29]
【0087】[0087]
【化30】 Embedded image
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 C07D 493/04 106 C07D 493/04 106A // C07B 61/00 300 C07B 61/00 300 C07M 7:00 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Internal reference number FI Technical display location C07D 493/04 106 C07D 493/04 106A // C07B 61/00 300 C07B 61/00 300 C07M 7: 00
Claims (5)
コキシ基、置換シリル基を意味する。Rは水素原子、C
1 〜C4 アルキル基、フェニル基(該フェニル基は、ハ
ロゲン原子、C1 〜C4 アルキル基、C1 〜C4 アルコ
キシ基で置換されていてもよい。)、置換シリル基を意
味する。X- は塩を形成しうる陰イオン対を意味する。
Yは水素原子、ハロゲン原子、C1 〜C4 アルキル基、
C1 〜C4 アルコキシ基、ニトロ基又はシアノ基を意味
する。〕で表される光学活性マンガン錯体。1. A formula [I] or a formula [I ′] Wherein, R 1 is C 1 -C 4 alkyl group, C 1 -C 4 alkoxy group, it means a substituted silyl group. R is a hydrogen atom, C
1 -C 4 alkyl group, a phenyl group (the phenyl group, a halogen atom, C 1 -C 4 alkyl group, optionally substituted by C 1 -C 4 alkoxy group.), Refers to substituted silyl group. X − means an anion pair capable of forming a salt.
Y is a hydrogen atom, a halogen atom, a C 1 -C 4 alkyl group,
C 1 -C 4 alkoxy group means a nitro group or a cyano group. ] The optically active manganese complex represented by these.
シアノ基、ニトロ基、トシルアミノ基、ベンジルアミノ
基等の保護基で保護されていてもよいアミノ基、ハロゲ
ン原子、C1 〜C4 アルキル基、C1 〜C4 アルコキシ
基、ハロゲノC1〜C4 アルキル基、カルボキシ基、ホ
ルミル基、C1 〜C4 アルカノイル基、アロイル基、ハ
ロゲノC1 〜C4 アルカノイル基、カルバモイル基、C
1 〜C4 アルキルスルフィニル基、アリールスルフィニ
ル基、C1 〜C4 アルキルスルホニル基、アリールスル
ホニル基、アミノスルホニル基、モノ又はジC1 〜C4
アルキルアミノスルホニル基を意味する。R4 は水素原
子、C1 〜C4 アルキル基、C1 〜C4アルコキシ基を
意味する。R5 はC1 〜C4 アルキル基、C1 〜C4 ア
ルコキシ基、フェニル基(該フェニル基は、ハロゲン原
子、C1 〜C4 アルキル基、C1 〜C4 アルコキシ基で
置換されていてもよい。)を意味する。又は、R4 とR
5 が一緒になって 【化3】 (R6 、R7 、R8 及びR9 はそれぞれ独立して、水素
原子、C1 〜C4 アルキル基を意味する。)を意味す
る。〕で表されるオレフィン化合物に対し、請求項1記
載の式〔I〕又は〔I’〕で表される光学活性マンガン
錯体のいずれかを触媒として不斉エポキシ化反応を行な
い、 式〔III〕 【化4】 (式中、R2 、R3 、R4 及びR5 は前記に同じ。*で
示された炭素原子の絶対配位はRかSを意味する。)で
表される光学活性エポキシ化合物の製造法。2. A formula [II]: [In the formula, R 2 and R 3 are each independently a hydrogen atom,
Amino group which may be protected by a protecting group such as cyano group, nitro group, tosylamino group, benzylamino group, halogen atom, C 1 -C 4 alkyl group, C 1 -C 4 alkoxy group, halogeno C 1 -C 4 alkyl group, carboxy group, formyl group, C 1 -C 4 alkanoyl group, aroyl group, halogeno C 1 -C 4 alkanoyl group, carbamoyl group, C
1 -C 4 alkylsulfinyl group, an arylsulfinyl group, C 1 -C 4 alkylsulfonyl group, an arylsulfonyl group, aminosulfonyl group, a mono- or di-C 1 -C 4
It means an alkylaminosulfonyl group. R 4 denotes a hydrogen atom, C 1 -C 4 alkyl group, a C 1 -C 4 alkoxy group. R 5 is a C 1 -C 4 alkyl group, a C 1 -C 4 alkoxy group, a phenyl group (wherein the phenyl group is substituted with a halogen atom, a C 1 -C 4 alkyl group, a C 1 -C 4 alkoxy group, Also means). Or R 4 and R
5 together [Chemical 3] (R 6 , R 7 , R 8 and R 9 each independently represent a hydrogen atom or a C 1 -C 4 alkyl group). ] The asymmetric epoxidation reaction is carried out on the olefin compound represented by the formula [III] using the optically active manganese complex represented by the formula [I] or [I '] as a catalyst. [Chemical 4] (In the formula, R 2 , R 3 , R 4 and R 5 are the same as above. Absolute coordination of carbon atom represented by * means R or S.) Production of optically active epoxy compound Law.
シアノ基、ニトロ基、トシルアミノ基、ベンジルアミノ
基等の保護基で保護されていてもよいアミノ基、ハロゲ
ン原子、C1 〜C4 アルキル基、C1 〜C4 アルコキシ
基、ハロゲノC1〜C4 アルキル基、カルボキシ基、ホ
ルミル基、C1 〜C4 アルカノイル基、アロイル基、ハ
ロゲノC1 〜C4 アルカノイル基、カルバモイル基、C
1 〜C4 アルキルスルフィニル基、アリールスルフィニ
ル基、C1 〜C4 アルキルスルホニル基、アリールスル
ホニル基、アミノスルホニル基、モノ又はジC1 〜C4
アルキルアミノスルホニル基を意味する。R6 及びR7
はそれぞれ独立して、水素原子、C1〜C4アルキル基を
意味する。)で表されるベンゾピラン誘導体に対し、請
求項1記載の式〔I〕又は〔I’〕で表される光学活性
マンガン錯体のいずれかを触媒として不斉エポキシ化反
応を行ない、 式〔V〕 【化6】 (式中、R2 、R3 、R6 及びR7 は前記に同じ。*で
示された炭素原子の絶対配位はRかSを意味する。)で
表される光学活性エポキシベンゾピラン化合物の製造
法。3. A formula [IV]: (In the formula, R 2 and R 3 are each independently a hydrogen atom,
Amino group which may be protected by a protecting group such as cyano group, nitro group, tosylamino group, benzylamino group, halogen atom, C 1 -C 4 alkyl group, C 1 -C 4 alkoxy group, halogeno C 1 -C 4 alkyl group, carboxy group, formyl group, C 1 -C 4 alkanoyl group, aroyl group, halogeno C 1 -C 4 alkanoyl group, carbamoyl group, C
1 -C 4 alkylsulfinyl group, an arylsulfinyl group, C 1 -C 4 alkylsulfonyl group, an arylsulfonyl group, aminosulfonyl group, a mono- or di-C 1 -C 4
It means an alkylaminosulfonyl group. R 6 and R 7
Each independently represent a hydrogen atom or a C 1 -C 4 alkyl group. ), The asymmetric epoxidation reaction is carried out using the optically active manganese complex represented by the formula [I] or [I '] of claim 1 as a catalyst, and the benzopyran derivative represented by the formula [V] [Chemical 6] (In the formula, R 2 , R 3 , R 6 and R 7 are the same as above. The absolute coordination of the carbon atom represented by * means R or S.) Manufacturing method.
C1 〜C4 アルキル基を意味する。)で表されるインデ
ン化合物に対し、請求項1記載の式〔I]又は〔I’〕
で表される光学活性マンガン錯体のいずれかを触媒とし
て不斉エポキシ化反応を行ない、 式〔VII〕 【化8】 (式中、R6 及びR7 は前記に同じ。*で示された炭素
原子の絶対配位はRかSを意味する。)で表される光学
活性エポキシインデン化合物の製造法。4. The formula [VI]: (In the formula, R 6 and R 7 are each independently a hydrogen atom,
Means C 1 -C 4 alkyl group. ) To the indene compound represented by the formula [I] or [I '] according to claim 1.
The asymmetric epoxidation reaction is carried out using any of the optically active manganese complex represented by (In the formula, R 6 and R 7 are the same as above. The absolute coordination of the carbon atom represented by * means R or S.) The process for producing an optically active epoxyindene compound.
〔I’〕で表される光学活性マンガン錯体のいずれかを
触媒として不斉エポキシ化反応を行ない、 式〔IX〕 【化10】 (*で示された炭素原子の絶対配位はRかSを意味す
る。)で表される光学活性エポキシインデンの製造法。5. A compound represented by the formula [VIII]: The indene represented by the formula [IX] is prepared by performing an asymmetric epoxidation reaction using either the optically active manganese complex represented by the formula [I] or [I '] of claim 1 as a catalyst. (Absolute coordination of carbon atom indicated by * means R or S.) A method for producing an optically active epoxyindene.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7050904A JPH08245668A (en) | 1995-03-10 | 1995-03-10 | Asymmetric epoxidation catalyst |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7050904A JPH08245668A (en) | 1995-03-10 | 1995-03-10 | Asymmetric epoxidation catalyst |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08245668A true JPH08245668A (en) | 1996-09-24 |
Family
ID=12871752
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---|---|---|---|
JP7050904A Pending JPH08245668A (en) | 1995-03-10 | 1995-03-10 | Asymmetric epoxidation catalyst |
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JP (1) | JPH08245668A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007105658A1 (en) | 2006-03-10 | 2007-09-20 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Process for producing optically active chromene oxide compound |
-
1995
- 1995-03-10 JP JP7050904A patent/JPH08245668A/en active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007105658A1 (en) | 2006-03-10 | 2007-09-20 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Process for producing optically active chromene oxide compound |
AU2007225765B2 (en) * | 2006-03-10 | 2012-05-24 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Process for producing optically active chromene oxide compound |
JP5126540B2 (en) * | 2006-03-10 | 2013-01-23 | 日産化学工業株式会社 | Method for producing optically active chromene oxide compound |
US8394974B2 (en) | 2006-03-10 | 2013-03-12 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Process for producing optically active chromene oxide compound |
TWI400241B (en) * | 2006-03-10 | 2013-07-01 | Nissan Chemical Ind Ltd | Method for producing optically active chromen oxide compound |
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