JPH08241935A - Multilayer circuit board - Google Patents

Multilayer circuit board

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JPH08241935A
JPH08241935A JP7045149A JP4514995A JPH08241935A JP H08241935 A JPH08241935 A JP H08241935A JP 7045149 A JP7045149 A JP 7045149A JP 4514995 A JP4514995 A JP 4514995A JP H08241935 A JPH08241935 A JP H08241935A
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JP
Japan
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layer
dielectric layer
die pad
circuit board
multilayer circuit
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Application number
JP7045149A
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Japanese (ja)
Inventor
Toshiyuki Kikuchi
利幸 菊地
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Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
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Publication date
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    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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    • H05K1/0296Conductive pattern lay-out details not covered by sub groups H05K1/02 - H05K1/0295
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    • H05K1/18Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H05K1/181Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with surface mounted components

Abstract

PURPOSE: To provide a multilayer circuit board in which a wiring operation can be performed even directly below a position in which a die pad is arranged. CONSTITUTION: In a multilayer circuit board 1, a die pad 21 on which an LSI bare chip (a semiconductor element) 20 is to be mounted is formed. The multilayer circuit board comprises a plurality of conductor layers, including a power supply/ground plane 3b, a signal line 4b, a power supply/ground plane 5b and signal lines 6b, 6d; and a plurality of dielectric layers, including a first dielectric layer 3a, a second dielectric layer 4a, a third dielectric layer 5a and a fourth dielectric layer 6a. Then, the conductor layers and the dielectric layers are laminated alternately, and a partial dielectric layer 7 for the die pad 21, having a prescribed size, is formed on the signal line 6d arranged at the outermost part.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は多層回路基板に関し、特
に厚膜多層回路基板に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a multilayer circuit board, and more particularly to a thick film multilayer circuit board.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、多層回路基板は、複数の導体層と
複数の誘電体層を有し、この導体層と誘電体層とが交互
に積層されて構成されている。例えば図2(a)、
(b)に示す厚膜多層回路基板(以下、単に多層回路基
板と記す)31は、電源またはグランドプレーン(以
下、電源/グランドプレーンと記す)層としての第1層
32上に、中層の信号ライン層としての第2層33、電
源/グランドプレーン層としての第3層34、上層の信
号ライン層としての第4層35がこの順に積層されてな
る。
2. Description of the Related Art Conventionally, a multilayer circuit board has a plurality of conductor layers and a plurality of dielectric layers, and the conductor layers and the dielectric layers are alternately laminated. For example, in FIG.
A thick film multilayer circuit board (hereinafter, simply referred to as “multilayer circuit board”) 31 shown in (b) has a middle layer signal on a first layer 32 as a power or ground plane (hereinafter, referred to as “power / ground plane”) layer. A second layer 33 as a line layer, a third layer 34 as a power / ground plane layer, and a fourth layer 35 as an upper signal line layer are laminated in this order.

【0003】第1層32は、第1誘電体層32aとこの
上に形成された導体層である電源/グランドプレーン3
2bとから構成されており、第2層33は、第1層32
上に形成された第2誘電体層33aとこの上に形成され
た導体層である信号ライン33bとからなる。また第3
層34は、第2層33上に形成された第3誘電体層34
aとこの上に形成された導体層である電源/グランドプ
レーン34bとから構成されており、多層回路基板30
の最も表層側の第4層35は、第3層33上に形成され
た第4誘電体層35aと、この上に形成された導体層で
ある信号ライン35bと、同様に第4誘電体層35a上
に形成された部品搭載用および接続用のパッド(以下、
総称してパッドと記す)35cからなる。
The first layer 32 is a power supply / ground plane 3 which is a conductor layer formed on the first dielectric layer 32a.
2b and the second layer 33 is the first layer 32.
It is composed of a second dielectric layer 33a formed above and a signal line 33b which is a conductor layer formed above this. Also the third
The layer 34 is a third dielectric layer 34 formed on the second layer 33.
a and a power / ground plane 34b which is a conductor layer formed on the multilayer circuit board 30.
The outermost fourth layer 35 is a fourth dielectric layer 35a formed on the third layer 33, a signal line 35b which is a conductor layer formed on the fourth dielectric layer 35a, and the fourth dielectric layer 35a. Pads for mounting and connecting components (hereinafter, referred to as
(Collectively referred to as a pad) 35c.

【0004】なお、この多層回路基板31では、第4層
35の信号ライン35bのうち、パッド35cに接続し
た信号ライン35bと第2層33の信号ライン33bと
が、信号ライン接続用のビア37を介して接続されてい
る。
In the multi-layer circuit board 31, the signal line 35b connected to the pad 35c and the signal line 33b of the second layer 33 among the signal lines 35b of the fourth layer 35 are connected to the signal line vias 37. Connected through.

【0005】通常、このような多層回路基板31上に
は、すなわち第4層35の第4誘電体層35a上には、
ダイパッド51を介して半導体素子であるLSIベアチ
ップ50が例えばフェイスアップの状態で搭載される。
この場合、LSIベアチップ50はダイペースト剤52
を介してダイパッド51に固定され、ボンディングワイ
ヤ53を介してパッド35cに接続される。またダイパ
ッド51上に搭載したLSIベアチップ50の裏面をグ
ランドとしなければならない場合、ダイペースト剤52
として導電性材料からなるものが用いられるとともに、
第4層35に形成されたグランド間接続用のビア36を
介してダイパッド51が電源/グランドプレーン34b
に接続される。
Usually, on such a multilayer circuit board 31, that is, on the fourth dielectric layer 35a of the fourth layer 35,
The LSI bare chip 50, which is a semiconductor element, is mounted via the die pad 51 in a face-up state, for example.
In this case, the LSI bare chip 50 has the die paste 52
It is fixed to the die pad 51 via the and is connected to the pad 35c via the bonding wire 53. When the back surface of the LSI bare chip 50 mounted on the die pad 51 must be used as a ground, the die paste agent 52
A material made of a conductive material is used as
The die pad 51 is connected to the power / ground plane 34b through the via 36 for connecting between the grounds formed in the fourth layer 35.
Connected to.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図2に
示した多層回路基板31では、第4層35の第4誘電体
層35a上にダイパッド51が直接設けられるため、ダ
イパッド51直下の第4誘電体層35a上に信号ライン
35bを配置しようとするとこの信号ライン35bがダ
イパッド51とショートしてしまうおそれがあり、よっ
てダイパッド51直下の第4誘電体層35a上に信号ラ
イン35bを配置することができない。このため、信号
ライン35bの配置位置が制約されて配線の高密度化が
妨げられてしまう。したがって、ダイパッド配置位置直
下にも配線できる多層回路基板の開発が望まれているの
である。
However, in the multilayer circuit board 31 shown in FIG. 2, since the die pad 51 is directly provided on the fourth dielectric layer 35a of the fourth layer 35, the fourth dielectric layer immediately below the die pad 51 is formed. When the signal line 35b is arranged on the body layer 35a, the signal line 35b may be short-circuited with the die pad 51. Therefore, the signal line 35b may be arranged on the fourth dielectric layer 35a directly below the die pad 51. Can not. Therefore, the arrangement position of the signal line 35b is restricted, which prevents the wiring density from being increased. Therefore, it is desired to develop a multi-layer circuit board that can be wired immediately below the die pad arrangement position.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明の多層回路基板
は、半導体素子を搭載するためのダイパッドを設けたも
ので、複数の導体層と複数の誘電体層とを有しかつこの
導体層と誘電体層とを交互に積層してなる。そして、最
外部に配置された導体層上に、ダイパッド用の所定の大
きさの部分誘電体層を設けるようにしたものである。
A multilayer circuit board of the present invention is provided with a die pad for mounting a semiconductor element, has a plurality of conductor layers and a plurality of dielectric layers, and has a plurality of conductor layers. It is formed by alternately laminating dielectric layers. Then, a partial dielectric layer of a predetermined size for a die pad is provided on the outermost conductor layer.

【0008】[0008]

【作用】本発明の多層回路基板によれば、最外部に配置
された導体層上にダイパッド用の部分誘電体層が設けら
れていることから、多層回路基板上に半導体素子を設け
るため部分誘電体層上にダイパッドを設けても、上記導
体層はダイパッドに対して絶縁された状態となってい
る。よって部分誘電体層上にダイパッドを設けても、ダ
イパッドの配置位置に何等制約されることなく最外部の
導体層を配置することが可能となる。
According to the multilayer circuit board of the present invention, the partial dielectric layer for the die pad is provided on the outermost conductor layer. Therefore, the partial dielectric layer for providing the semiconductor element is provided on the multilayer circuit board. Even if the die pad is provided on the body layer, the conductor layer is in a state of being insulated from the die pad. Therefore, even if the die pad is provided on the partial dielectric layer, the outermost conductor layer can be arranged without any restriction on the arrangement position of the die pad.

【0009】[0009]

【実施例】以下、本発明の多層回路基板の一実施例を図
1に基づいて説明する。なお図1は本発明を厚膜多層回
路基板に適用した場合を示したものであり、図1におい
て(a)は平面図、(b)は(a)におけるA−A線矢
視断面図である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the multilayer circuit board of the present invention will be described below with reference to FIG. 1 shows a case where the present invention is applied to a thick film multilayer circuit board. In FIG. 1, (a) is a plan view and (b) is a sectional view taken along the line AA in (a). is there.

【0010】図1に示したようにこの厚膜多層回路基板
(以下、単に多層回路基板と記す)1は、電源またはグ
ランドプレーン層(以下、電源/グランドプレーン層と
記す)としての第1層3上に、中層の信号ライン層とし
ての第2層4、電源/グランドプレーン層としての第3
層5、上層の信号ライン層としての第4層6および本発
明の特徴とする部分誘電体層7がこの順に積層されてな
る。第1層3は、第1誘電体層3aとこの上に形成され
た導体層である電源/グランドプレーン3bとから構成
されており、第2層4は、第1層3上に形成された第2
誘電体層4aとこの上に形成された導体層である中層の
信号ライン4bとからなる。
As shown in FIG. 1, the thick film multilayer circuit board (hereinafter, simply referred to as a multilayer circuit board) 1 is a first layer as a power source or a ground plane layer (hereinafter, referred to as a power source / ground plane layer). On the third layer, the second layer 4 as the middle signal line layer and the third layer as the power / ground plane layer.
The layer 5, the fourth layer 6 as an upper signal line layer, and the partial dielectric layer 7 which is a feature of the present invention are laminated in this order. The first layer 3 is composed of a first dielectric layer 3a and a power / ground plane 3b which is a conductor layer formed on the first dielectric layer 3a, and the second layer 4 is formed on the first layer 3. Second
It is composed of a dielectric layer 4a and a middle-layer signal line 4b which is a conductor layer formed on the dielectric layer 4a.

【0011】また第3層5は、第2層4上に形成された
第3誘電体層5aとこの上に形成された導体層である電
源/グランドプレーン5bとから構成されており、第4
層6は、第3層5上に形成された第4誘電体層6a、こ
の上に形成された導体層である上層の信号ライン6b、
6d、部品搭載用および接続用の複数のパッド(以下、
総称してパッドと記す)6c…からなる。なお、信号ラ
イン6bは、上層に形成される部分誘電体層7の形成位
置以外に設けられており、信号ライン6dは部分誘電体
層7の形成位置に設けられている。またパッド6cは、
部分誘電体層7の形成位置の周辺に形成されている。
The third layer 5 is composed of a third dielectric layer 5a formed on the second layer 4 and a power / ground plane 5b which is a conductor layer formed on the third dielectric layer 5a.
The layer 6 is a fourth dielectric layer 6a formed on the third layer 5, an upper signal line 6b which is a conductor layer formed on the fourth dielectric layer 6a,
6d, a plurality of pads for component mounting and connection (hereinafter,
Collectively referred to as a pad) 6c. The signal line 6b is provided at a position other than the formation position of the partial dielectric layer 7 formed in the upper layer, and the signal line 6d is provided at the formation position of the partial dielectric layer 7. The pad 6c is
It is formed around the formation position of the partial dielectric layer 7.

【0012】そして上記導体層のうち最外部に配置され
た導体層上には、すなわち少なくとも一部が誘電体層で
覆われることなく露出している導体層である第4層6の
導体層上には、ダイパッド21用の部分誘電体層7が設
けられている。ここでは第4層6の導体層である信号ラ
イン6b、6dのうちの信号ライン6d上に、ダイパッ
ド21用の部分誘電体層7が設けられている。この部分
誘電体層7は所定の大きさ、すなわち多層回路基板1上
に設けようとするダイパッド21の底面とほぼ等しいか
またはそれより若干大きい大きさ・形状に形成されてい
る。また部分誘電体層7の材料としては、例えばガラス
セラミックスが用いられるが、多層回路基板1の製造時
に部分誘電体層7の下層との接着が良好になされればこ
れに限定されない。
On the outermost conductor layer of the conductor layers, that is, on the conductor layer of the fourth layer 6 which is a conductor layer at least a part of which is exposed without being covered with the dielectric layer. Is provided with a partial dielectric layer 7 for the die pad 21. Here, the partial dielectric layer 7 for the die pad 21 is provided on the signal line 6d of the signal lines 6b and 6d which is the conductor layer of the fourth layer 6. The partial dielectric layer 7 is formed to have a predetermined size, that is, a size and shape that are substantially equal to or slightly larger than the bottom surface of the die pad 21 to be provided on the multilayer circuit board 1. Further, as the material of the partial dielectric layer 7, for example, glass ceramics is used, but it is not limited to this as long as it is well adhered to the lower layer of the partial dielectric layer 7 when the multilayer circuit board 1 is manufactured.

【0013】このように多層回路基板1は、電源/グラ
ンドプレーン3b、5b、中層の信号ライン4b、上層
の信号ライン6b、6dの4つの導体層と、第1誘電体
層3a〜第4誘電体層6a、部分誘電体層7の5つの誘
電体層とを備え、かつ導体層と誘電体層とが交互に積層
された構造となっている。なお、部分誘電体層7および
第4誘電体層6aには、第3層5の電源/グランドプレ
ーン5bに通じるグランド間接続用のビア8が形成され
ており、部分誘電体層7の上面の少なくとも一部は、ビ
ア8を介して電源/グランドプレーン5bと導通した状
態となっている。
As described above, the multilayer circuit board 1 includes the four conductor layers of the power / ground planes 3b and 5b, the middle-layer signal line 4b, the upper-layer signal lines 6b and 6d, and the first dielectric layer 3a to the fourth dielectric layer. The body layer 6a and the five dielectric layers of the partial dielectric layer 7 are provided, and the conductor layers and the dielectric layers are alternately laminated. The partial dielectric layer 7 and the fourth dielectric layer 6a are provided with vias 8 for connecting the grounds to the power / ground plane 5b of the third layer 5, and are formed on the upper surface of the partial dielectric layer 7. At least a part is in a state of being electrically connected to the power / ground plane 5b via the via 8.

【0014】また、第4層6の信号ライン6b、6dの
うち、パッド6cに接続された信号ライン6bは各パッ
ド6cごとに交互に、パッド6cから部分誘電体層7
側、パッド6cから部分誘電体層7とは反対の側に延出
する状態で形成されている。そして部分誘電体層7側に
延出する状態で形成された信号ライン6bの先端は、部
分誘電体層7の直下位置の第4層6および第3層5に形
成された信号ライン接続用のビア9aを介して、第2層
4の信号ライン4bに接続されている。また部分誘電体
層7とは反対の側に延出する状態で形成された信号ライ
ン6bの先端は、部分誘電体層7の直下以外の位置にお
ける第4層6および第3層5に形成された信号ライン接
続用のビア9bを介して、第2層4の信号ライン4bに
接続されている。
Further, among the signal lines 6b and 6d of the fourth layer 6, the signal lines 6b connected to the pads 6c are alternately arranged for each pad 6c, and the pads 6c to the partial dielectric layer 7 are alternately arranged.
Side, the pad 6c is formed so as to extend to the side opposite to the partial dielectric layer 7. The tip of the signal line 6b formed so as to extend to the partial dielectric layer 7 side is for connecting the signal line formed on the fourth layer 6 and the third layer 5 immediately below the partial dielectric layer 7. It is connected to the signal line 4b of the second layer 4 via the via 9a. Further, the tips of the signal lines 6b formed so as to extend to the side opposite to the partial dielectric layer 7 are formed on the fourth layer 6 and the third layer 5 at positions other than directly below the partial dielectric layer 7. The signal line 4b of the second layer 4 is connected via the signal line connecting via 9b.

【0015】上記のごとく構成されている多層回路基板
1上に半導体素子としてLSIベアチップ20を設ける
場合、部分誘電体層7上にダイパッド21が設けられ、
このダイパッド21上にLSIベアチップ20が例えば
フェイスアップの状態で設けられる。図1は、ダイパッ
ド21上にLSIベアチップ20を搭載した状態を示し
ており、ここでは、LSIベアチップ20が導電性材料
からなるダイペースト剤22を介してダイパッド21に
固定されている。またLSIベアチップ20は、ボンデ
ィングワイヤ23を介して複数のパッド6c…に接続さ
れている。
When the LSI bare chip 20 is provided as a semiconductor element on the multilayer circuit board 1 configured as described above, the die pad 21 is provided on the partial dielectric layer 7.
The LSI bare chip 20 is provided on the die pad 21 in a face-up state, for example. FIG. 1 shows a state where the LSI bare chip 20 is mounted on the die pad 21, and here, the LSI bare chip 20 is fixed to the die pad 21 via a die paste agent 22 made of a conductive material. Further, the LSI bare chip 20 is connected to the plurality of pads 6c ... Through bonding wires 23.

【0016】次に多層回路基板1の製造方法を説明す
る。まずシート状の第1誘電体層3a、第2誘電体層4
a、第3誘電体層5a、第4誘電体層6aおよび部分誘
電体層7を用意し、第3誘電体層5aと第4誘電体層6
aとの所定の位置にビア9a、10b用の孔あけを行
う。また、第4誘電体層6aと部分誘電体層7との所定
の位置にビア8用の孔あけを行う。そして厚膜印刷法に
よって、それぞれの孔の部分に導体ペーストを充填す
る。
Next, a method of manufacturing the multilayer circuit board 1 will be described. First, the sheet-shaped first dielectric layer 3a and the second dielectric layer 4
a, the third dielectric layer 5a, the fourth dielectric layer 6a and the partial dielectric layer 7 are prepared, and the third dielectric layer 5a and the fourth dielectric layer 6 are prepared.
Holes for the vias 9a and 10b are formed at predetermined positions with a. Further, holes for the vias 8 are formed at predetermined positions in the fourth dielectric layer 6a and the partial dielectric layer 7. Then, the conductor paste is filled in the respective holes by the thick film printing method.

【0017】次に厚膜印刷法によって、第1誘電体層3
aに電源/グランドプレーン3bを、第2誘電体層4a
に信号ライン4bを、第3誘電体層5aに電源/グラン
ドプレーン5bを、第4誘電体層6aに信号ライン6
b、6dをそれぞれ印刷し、また第4誘電体層6a上の
所定の位置にパッド6cを設けて、第1層3、第2層
4、第3層5および第4層6を形成する。
Next, the first dielectric layer 3 is formed by a thick film printing method.
a to the power / ground plane 3b and the second dielectric layer 4a
To the signal line 4b, the third dielectric layer 5a to the power / ground plane 5b, and the fourth dielectric layer 6a to the signal line 6b.
b, 6d are respectively printed, and pads 6c are provided at predetermined positions on the fourth dielectric layer 6a to form the first layer 3, the second layer 4, the third layer 5 and the fourth layer 6.

【0018】そして、これら第1層3、第2層4、第3
層5、第4層6および部分誘電体層7を互いに位置合わ
せしつつこの順に重ね合わせた後、熱圧着により固定
し、最後に焼成する。このことにより、多層回路基板1
が製造される。なお、上記固定の際は、その後の焼成時
で燃焼しかつ残留カーボンとして基板に残らないような
溶剤、例えばシート状の第1誘電体層3a〜第4誘電体
層6aに含まれているバインダと同じ種類の溶剤で部分
誘電体層7を固定する。
The first layer 3, the second layer 4, and the third layer
The layer 5, the fourth layer 6 and the partial dielectric layer 7 are superposed in this order while being aligned with each other, fixed by thermocompression bonding and finally fired. As a result, the multilayer circuit board 1
Is manufactured. In addition, at the time of fixing, a solvent that burns during the subsequent firing and does not remain as residual carbon on the substrate, for example, the binder contained in the sheet-shaped first dielectric layer 3a to fourth dielectric layer 6a. The partial dielectric layer 7 is fixed with the same type of solvent as.

【0019】上記のように製造される多層回路基板1に
よれば、信号ライン6d上にダイパッド21用の部分誘
電体層7が設けられていることから、多層回路基板1上
にLSIベアチップ20を設けるために部分誘電体層7
上にダイパッド21を設けても、信号ライン6dはダイ
パッド21に対して絶縁された状態となっている。よっ
て、部分誘電体層7上にダイパッド21を設けても、ダ
イパッド21の配置位置に何等制約されることなく、第
4誘電体層6a上に上層の信号ライン6b、6dを配置
できる。すなわち、ダイパッド21用の部分誘電体層7
直下にも、本実施例のごとく自由に信号ライン6dを形
成することができる。
According to the multilayer circuit board 1 manufactured as described above, since the partial dielectric layer 7 for the die pad 21 is provided on the signal line 6d, the LSI bare chip 20 is provided on the multilayer circuit board 1. Partial dielectric layer 7 for providing
Even if the die pad 21 is provided on the upper portion, the signal line 6d is insulated from the die pad 21. Therefore, even if the die pad 21 is provided on the partial dielectric layer 7, the upper signal lines 6b and 6d can be arranged on the fourth dielectric layer 6a without any restriction on the arrangement position of the die pad 21. That is, the partial dielectric layer 7 for the die pad 21
The signal line 6d can be freely formed immediately below, as in this embodiment.

【0020】また、図2に示す従来例では、パッド35
cからの信号ライン35bをダイパッド51配置位置と
は反対の側の1方向にしか引き出せなかったが、本実施
例ではダイパッド21配置位置直下の第4誘電体層6a
上にも信号ライン6dを形成できるため、パッド6cか
らの信号ライン6bをダイパッド21配置位置側と、ダ
イパッド21配置位置とは反対の側の2方向に引き出す
ことができる。
In the conventional example shown in FIG. 2, the pad 35 is used.
Although the signal line 35b from c could be drawn out only in one direction on the side opposite to the position where the die pad 51 was arranged, in the present embodiment, the fourth dielectric layer 6a immediately below the position where the die pad 21 is arranged.
Since the signal line 6d can be formed on the upper side, the signal line 6b from the pad 6c can be drawn out in two directions, that is, the die pad 21 arrangement position side and the side opposite to the die pad 21 arrangement position.

【0021】特に本実施例のように、ワイヤボンディン
グに用いるパッド6cから信号ライン6bを引き出して
ビア9a、9bで中層の信号ライン4bに接続する場
合、パッド6cのピッチがビア9a、9bのピッチより
も小さいときに非常に有効となる。したがって本実施例
の多層回路基板1では、従来に比較して配線密度を向上
できるので、配線の高密度化が可能になる。
In particular, when the signal line 6b is drawn from the pad 6c used for wire bonding and connected to the signal line 4b in the middle layer with the vias 9a and 9b as in this embodiment, the pitch of the pad 6c is the pitch of the vias 9a and 9b. Very effective when smaller than. Therefore, in the multilayer circuit board 1 of the present embodiment, the wiring density can be improved as compared with the conventional one, so that the wiring density can be increased.

【0022】また本実施例では、部分誘電体層7の上面
の少なくとも一部が、ビア8を介して電源/グランドプ
レーン5bに導通した状態となっているので、部分誘電
体層7上にダイパッド21を設けた場合、ダイパッド2
1は電源/グランドプレーン5bに接続される。その結
果、部分誘電体層7と第4誘電体層6aとの間の信号ラ
イン6bは、電源/グランドプレーン5bとこれに接続
されているダイパッド21(グランド)とに挟まれた状
態になるため、ストリップラインとして構成することが
できる。しかも、上層の信号ライン6bをマクロストリ
ップライン、中層の信号ライン4bをストリップライン
でそれぞれ構成しているので、本実施例の多層回路基板
1は高速信号にも対応することができるものとなる。
Further, in this embodiment, at least a part of the upper surface of the partial dielectric layer 7 is electrically connected to the power / ground plane 5b through the via 8, so that the die pad is formed on the partial dielectric layer 7. 21 is provided, the die pad 2
1 is connected to the power / ground plane 5b. As a result, the signal line 6b between the partial dielectric layer 7 and the fourth dielectric layer 6a is sandwiched between the power / ground plane 5b and the die pad 21 (ground) connected thereto. , Can be configured as a stripline. Moreover, since the upper-layer signal line 6b is constituted by the macro strip line and the middle-layer signal line 4b is constituted by the strip line, the multilayer circuit board 1 of the present embodiment can cope with high-speed signals.

【0023】[0023]

【発明の効果】以上説明したように本発明の多層回路基
板によれば、最外部に配置された導体層上にダイパッド
用の部分誘電体層が設けられており、部分誘電体層上に
ダイパッドを設けても、ダイパッド直下位置の導体層は
ダイパッドに対して絶縁されているので、最外部の導体
層をダイパッドの配置位置に何等制約されることなく配
置することができる。したがって本発明の多層回路基板
では、ダイパッドを設けてもその直下位置に部分誘電体
層を介して自由に配線でき、配線密度を向上させること
ができるので、高密度配線が可能となる。
As described above, according to the multilayer circuit board of the present invention, the partial dielectric layer for the die pad is provided on the outermost conductor layer, and the die pad is formed on the partial dielectric layer. , The conductor layer immediately below the die pad is insulated from the die pad, so that the outermost conductor layer can be arranged at the arrangement position of the die pad without any restriction. Therefore, in the multilayer circuit board of the present invention, even if the die pad is provided, the wiring can be freely provided directly below the die pad via the partial dielectric layer, and the wiring density can be improved, so that high-density wiring is possible.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例を説明する図であり、(a)
は平面図、(b)は(a)におけるA−A線矢視断面図
である。
FIG. 1 is a diagram illustrating an embodiment of the present invention, (a)
Is a plan view and (b) is a sectional view taken along the line AA in (a).

【図2】従来例を説明する図であり、(a)は平面図、
(b)は(a)におけるB−B線矢視断面図である。
FIG. 2 is a diagram illustrating a conventional example, (a) is a plan view,
(B) is a BB line sectional view taken on the line in (a).

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 多層回路基板 3a 第1誘電体層 3b 電源/グランドプレーン(導体層) 4a 第2誘電体層 4b 信号ライン(導体層) 5a 第3誘電体層 5b 電源/グランドプレーン(導体層) 6a 第4誘電体層 6b、6d 信号ライン(導体層) 7 部分誘電体層 20 LSIベアチップ(半導体素子) 21 ダイパッド DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Multilayer circuit board 3a 1st dielectric layer 3b Power / ground plane (conductor layer) 4a 2nd dielectric layer 4b Signal line (conductor layer) 5a 3rd dielectric layer 5b Power / ground plane (conductor layer) 6a 4th Dielectric layer 6b, 6d Signal line (conductor layer) 7 Partial dielectric layer 20 LSI bare chip (semiconductor element) 21 Die pad

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体素子を搭載するためのダイパッド
を設けた多層回路基板であり、複数の導体層と複数の誘
電体層とを有しかつ前記導体層と前記誘電体層とを交互
に積層してなる多層回路基板であって、 最外部に配置された導体層上には、前記ダイパッド用の
所定の大きさの部分誘電体層が設けられていることを特
徴とする多層回路基板。
1. A multi-layer circuit board provided with a die pad for mounting a semiconductor element, comprising a plurality of conductor layers and a plurality of dielectric layers, wherein the conductor layers and the dielectric layers are alternately laminated. And a partial dielectric layer of a predetermined size for the die pad, which is provided on the outermost conductor layer.
【請求項2】 前記複数の導体層のうち、前記最外部に
配置された導体層を除く導体層の少なくとも一つは電源
層またはグランド層であり、 前記部分誘電体層の上面の少なくとも一部は、前記電源
またはグランド層と導通していることを特徴とする請求
項1記載の多層回路基板。
2. At least one of the conductor layers other than the outermost conductor layer among the plurality of conductor layers is a power supply layer or a ground layer, and at least a part of an upper surface of the partial dielectric layer. The multi-layer circuit board according to claim 1, wherein is electrically connected to the power supply or the ground layer.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6559548B1 (en) * 1999-03-19 2003-05-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Wiring structure of semiconductor device
US6691296B1 (en) * 1998-02-02 2004-02-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Circuit board design aiding

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