JPH08240500A - Capacitance type pressure sensor and its manufacture - Google Patents

Capacitance type pressure sensor and its manufacture

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Publication number
JPH08240500A
JPH08240500A JP4162495A JP4162495A JPH08240500A JP H08240500 A JPH08240500 A JP H08240500A JP 4162495 A JP4162495 A JP 4162495A JP 4162495 A JP4162495 A JP 4162495A JP H08240500 A JPH08240500 A JP H08240500A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
diaphragm
electrode
spacer
fixed substrate
spacer layer
Prior art date
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Pending
Application number
JP4162495A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hideto Monju
秀人 文字
Yoshikatsu Oishi
芳功 大石
Yuko Fujii
優子 藤井
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP4162495A priority Critical patent/JPH08240500A/en
Publication of JPH08240500A publication Critical patent/JPH08240500A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE: To provide a capacitance type pressure sensor on which characteristic dispersion is reduced by enhancing dimensional accuracy of a gap between a fixing base board and a diaphragm. CONSTITUTION: The capacitance type pressure sensor is provided with a fixing base board 1 in which a first electrode 3 is formed on a surface and which is composed of an electric insulating material, a diaphragm 2 in which a second electrode 4 is formed on the surface and which is composed of an electric insulating elastic material, a spacer layer 5 and a spacer 6 which are formed in at least one peripheral edge part of the first electrode 3 and the second electrode 4, and the first electrode 3 and the second electrode 4 are opposed to each other, and the fixing base board 1 and the diaphragm 2 are joined together through the specer layer 5 and the specer 6.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は圧力変化をダイアフラム
に設けられた電極の静電容量変化に変換し、さらに電気
的出力に変換する小型・高性能の静電容量式圧力センサ
及びその製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a small and high-performance capacitance type pressure sensor for converting a pressure change into a capacitance change of an electrode provided on a diaphragm and further converting it into an electric output, and a method for manufacturing the same. Regarding

【0002】[0002]

【従来の技術】静電容量式圧力センサは、圧力によって
ダイアフラムが変形し、電極間距離が変化することによ
って電極間に生ずる静電容量が変化することを利用した
ものである。従来の静電容量式圧力センサは、電極を形
成した基板とダイアフラムとの間のギャップをビーズを
含む封着ガラスでダイアフラムを基板に封着固定したも
の(特開昭57−97422号公報)であった。
2. Description of the Related Art Capacitance type pressure sensors utilize the fact that the diaphragm is deformed by pressure and the distance between the electrodes is changed to change the electrostatic capacitance generated between the electrodes. A conventional electrostatic capacitance type pressure sensor is one in which a gap between a substrate on which an electrode is formed and a diaphragm is fixed by sealing the diaphragm to the substrate with a sealing glass containing beads (JP-A-57-97422). there were.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】静電容量式圧力センサ
の小型・高性能化に対して電極間距離ギャップを小さく
することは有効であるが、図5のように電極13、14
を形成した基板11とダイアフラム12との間のギャッ
プを微小なビーズ16を含む封着ガラス15でダイアフ
ラム12を基板11に封着固定したもの(特開昭57−
97422号公報)は、高温で封着ガラス15を軟化さ
せて基板11とダイアフラム12とを封着固定させると
ともに、封着ガラス15中の微小なビーズ16によって
基板11とダイアフラム12間の数10μm以下のギャ
ップをコントロールしている。しかしながらガラスを封
着する温度ではガラスの粘度が大きいためにガラスが十
分拡がらず、微視的には基板11、封着ガラス、微小な
ビーズ16、封着ガラス15、ダイアフラム12のよう
に、基板11と微小なビーズ16との間及び微小なビー
ズ16とダイアフラム12との間に、封着ガラス15が
わずかに存在する。したがって微小なビーズ16のみで
微小なギャップを形成することができないので微小なギ
ャップの寸法精度が悪く静電容量がばらつくという問題
点があった。
Although it is effective to reduce the inter-electrode distance gap in order to reduce the size and performance of the electrostatic capacitance type pressure sensor, the electrodes 13, 14 as shown in FIG.
The gap between the substrate 11 and the diaphragm 12 in which the diaphragm is formed is fixed by sealing the diaphragm 12 to the substrate 11 with the sealing glass 15 containing the minute beads 16 (Japanese Patent Laid-Open No. 57-57).
No. 97422), the sealing glass 15 is softened at a high temperature to seal and fix the substrate 11 and the diaphragm 12, and the minute beads 16 in the sealing glass 15 cause a gap of several tens of μm or less between the substrate 11 and the diaphragm 12. Is controlling the gap. However, at the temperature for sealing the glass, the glass does not spread sufficiently because the viscosity of the glass is large, and microscopically, like the substrate 11, the sealing glass, the minute beads 16, the sealing glass 15, and the diaphragm 12, A small amount of sealing glass 15 exists between the substrate 11 and the minute beads 16 and between the minute beads 16 and the diaphragm 12. Therefore, since it is not possible to form a minute gap only with the minute beads 16, there is a problem in that the dimensional accuracy of the minute gap is poor and the capacitance varies.

【0004】容量はC=εAX-1(ここでCは容量、A
は電極面積、εは誘電率、Xは電極間隔である)で表さ
れ、、電極間隔が小さいほど容量が大きい。またdC/
dX=−εAX-2であり、電極間隔が小さいほど感度が
よいことがわかる。スペーサ層5及びスペーサ6によっ
て形成されるギャップ高さは、通常約0.1μm〜数1
0μmが好ましく、高容量化、高感度化のために約0.
1μm〜数10μmがさらに好ましい。しかしながら、高
容量化、高感度化のためにギャップ高さを約0.1μm
〜数10μmにすると、わずかなギャップ高さの変動が
容量の変動、ばらつきを引き起こすために、ギャップ高
さを非常に厳密に管理する必要がある。
The capacity is C = εAX -1 (where C is capacity and A is
Is the electrode area, ε is the dielectric constant, and X is the electrode spacing). The smaller the electrode spacing, the larger the capacity. Also dC /
Since dX = −εAX −2 , it can be seen that the smaller the electrode spacing, the higher the sensitivity. The height of the gap formed by the spacer layer 5 and the spacer 6 is usually about 0.1 μm to several 1
0 μm is preferable, and about 0.02 μm for high capacity and high sensitivity.
1 μm to several tens of μm is more preferable. However, the gap height is about 0.1 μm for higher capacity and higher sensitivity.
When the gap height is set to several tens of μm, a slight variation in the gap height causes variation and variation in the capacitance, and therefore the gap height needs to be controlled very strictly.

【0005】本発明は、かかる従来の問題点を解消する
もので、スペーサとスペーサ層とを分離することで静電
容量式圧力センサの容量ばらつきを小さくすることを第
1の目的としたものである。
The present invention solves the above-mentioned conventional problems, and its first object is to reduce the capacitance variation of the capacitance type pressure sensor by separating the spacer and the spacer layer. is there.

【0006】また、静電容量式圧力センサのダイアフラ
ムのたわみ径を一定にして容量ばらつきを小さくするこ
とを第2の目的としたものである。
A second object is to reduce the capacitance variation by keeping the deflection diameter of the diaphragm of the capacitance type pressure sensor constant.

【0007】また、静電容量式圧力センサのダイアフラ
ムのたわみ径を一定にするとともに、微小なギャップの
寸法を安定させて容量ばらつきを小さくすることを第3
の目的としたものである。
In addition, it is a third object to make the deflection diameter of the diaphragm of the capacitance type pressure sensor constant and to stabilize the size of the minute gap to reduce the capacitance variation.
The purpose is.

【0008】また、静電容量式圧力センサの容量ばらつ
きを小さくして電気信号変換時のばらつきを小さくする
ことを第4の目的としたものである。
A fourth object is to reduce the capacitance variation of the capacitance type pressure sensor to reduce the variation when converting the electric signal.

【0009】また、静電容量式圧力センサのダイアフラ
ムのたわみ径を一定にして容量ばらつきを小さくして電
気信号変換時のばらつきを小さくすることを第5の目的
としたものである。
A fifth object of the present invention is to make the deflection diameter of the diaphragm of the electrostatic capacitance type pressure sensor constant so as to reduce the capacitance variation and reduce the variation at the time of electric signal conversion.

【0010】また、静電容量式圧力センサのダイアフラ
ムのたわみ径を一定にするとともに、微小なギャップの
寸法を安定させて容量ばらつきを小さくして電気信号変
換時のばらつきを小さくすることを第6の目的としたも
のである。
In addition, the deflection diameter of the diaphragm of the electrostatic capacitance type pressure sensor is made constant, and the dimension of the minute gap is stabilized to reduce the capacitance variation and the variation at the time of electric signal conversion. The purpose is.

【0011】また、スペーサとスペーサ層とを分離形成
することで静電容量式圧力センサの容量ばらつきを小さ
くして製造することを第7の目的としたものである。
A seventh object is to manufacture the electrostatic capacitance type pressure sensor with a small capacitance variation by separately forming the spacer and the spacer layer.

【0012】また、スペーサとスペーサ層とを寸法精度
よく分離形成することで静電容量式圧力センサの容量ば
らつきを小さくして製造することを第8の目的としたも
のである。
An eighth object of the present invention is to manufacture the electrostatic capacitance type pressure sensor with a small capacitance variation by separately forming the spacer and the spacer layer with high dimensional accuracy.

【0013】また、スペーサとスペーサ層とを寸法精度
よく簡便に分離形成することで静電容量式圧力センサの
容量ばらつきを小さく容易に製造することを第9の目的
としたものである。
A ninth object is to easily manufacture the capacitance type pressure sensor with small capacitance variation by forming the spacer and the spacer layer separately with high dimensional accuracy and easily.

【0014】また、スペーサ形成装置にスペーサが詰ま
ることなく、スペーサとスペーサ層とを寸法精度よく簡
便に分離形成することで静電容量式圧力センサの容量ば
らつきを小さく容易に製造することを第10の目的とし
たものである。
The tenth feature of the present invention is to easily manufacture the capacitance type pressure sensor with a small capacitance variation by forming the spacer and the spacer layer separately with high dimensional accuracy and easily without clogging the spacer in the spacer forming device. The purpose is.

【0015】[0015]

【課題を解決するための手段】本発明は上記第1の目的
を達成するために、表面に第一の電極が形成された電気
絶縁性材料からなる固定基板と、第二の電極が表面に形
成された電気絶縁性弾性材料からなるダイアフラムと、
前記第一の電極と前記第二の電極との少なくとも一方の
周縁部に形成したスペーサ層及びスペーサとを備え、第
一の電極と第二の電極とが対向配置しかつ前記スペーサ
層及び前記スペーサを介して前記固定基板とダイアフラ
ムとを接合したものである。
In order to achieve the above first object, the present invention provides a fixed substrate made of an electrically insulating material having a first electrode formed on the surface thereof, and a second electrode formed on the surface thereof. A diaphragm made of a formed electrically insulating elastic material,
A spacer layer and a spacer formed on a peripheral portion of at least one of the first electrode and the second electrode, wherein the first electrode and the second electrode are arranged to face each other, and the spacer layer and the spacer The fixed substrate and the diaphragm are bonded to each other via.

【0016】また、本発明は上記第2の目的を達成する
ために、スペーサ層の外周にスペーサを設けたものであ
る。
Further, in order to achieve the second object, the present invention provides a spacer on the outer periphery of the spacer layer.

【0017】また、本発明は上記第3の目的を達成する
ために、電極の周縁部に複数形成したスペーサ層と、ス
ペーサ層の間隙にスペーサを設けたものである。
Further, in order to achieve the third object, the present invention provides a plurality of spacer layers formed at the peripheral edge of the electrode and a spacer provided in the gap between the spacer layers.

【0018】また、本発明は上記第4の目的を達成する
ために、表面に第一の電極が形成された電気絶縁性材料
からなる固定基板と、第二の電極が表面に形成された電
気絶縁性弾性材料からなるダイアフラムと、前記第一の
電極と前記第二の電極との少なくとも一方の周縁部に形
成したスペーサ層及びスペーサとを備え、第一の電極と
第二の電極とが対向配置しかつ前記スペーサ層及び前記
スペーサを介して前記固定基板とダイアフラムとを接合
しスペーサ層の外周にスペーサを設け、圧力変化に対応
した容量変化を電気信号に変換したものである。
In order to achieve the fourth object, the present invention provides a fixed substrate made of an electrically insulating material having a first electrode formed on the surface thereof, and an electric substrate having a second electrode formed on the surface thereof. A diaphragm made of an insulative elastic material, a spacer layer and a spacer formed on the peripheral portion of at least one of the first electrode and the second electrode, and the first electrode and the second electrode face each other. The fixed substrate is bonded to the diaphragm via the spacer layer and the spacer, and a spacer is provided on the outer periphery of the spacer layer to convert a capacitance change corresponding to a pressure change into an electric signal.

【0019】また、本発明は上記第5の目的を達成する
ために、スペーサ層の外周にスペーサを設け、圧力変化
に対応した容量変化を電気信号に変換したものである。
Further, in order to achieve the fifth object of the present invention, a spacer is provided on the outer periphery of the spacer layer, and a capacitance change corresponding to a pressure change is converted into an electric signal.

【0020】また、本発明は上記第6の目的を達成する
ために、電極の周縁部に複数形成したスペーサ層と、ス
ペーサ層の間隙にスペーサを設け、圧力変化に対応した
容量変化を電気信号に変換したものである。
In order to achieve the sixth object of the present invention, a plurality of spacer layers formed at the peripheral edge of the electrode and spacers are provided in the gaps between the spacer layers, and a capacitance change corresponding to a pressure change is caused by an electric signal. Is converted to.

【0021】また、本発明は上記第7の目的を達成する
ために、固定基板とダイアフラムとの上に所定の電極パ
ターンを形成する工程と、固定基板とダイアフラムとの
少なくとも一方の周縁にスペーサ層とスペーサとを形成
する工程と、固定基板とダイアフラム上の電極パターン
がスペーサ層とスペーサによって分離され互いに対向配
置した状態で固定基板とダイアフラムとを結合する工程
によって静電容量式圧力センサを製造するものである。
In order to achieve the seventh object, the present invention comprises the step of forming a predetermined electrode pattern on the fixed substrate and the diaphragm, and a spacer layer on the periphery of at least one of the fixed substrate and the diaphragm. And a spacer, and a step of connecting the fixed substrate and the diaphragm in a state where the electrode patterns on the fixed substrate and the diaphragm are separated by the spacer layer and the spacer and are arranged to face each other, thereby manufacturing the electrostatic capacitance pressure sensor. It is a thing.

【0022】また、本発明は上記第8の目的を達成する
ために、スペーサを含有した樹脂ペーストで描画してス
ペーサを形成して静電容量式圧力センサを製造するもの
である。
In order to achieve the eighth object, the present invention is to manufacture a capacitance type pressure sensor by forming a spacer by drawing with a resin paste containing a spacer.

【0023】また、本発明は上記第9の目的を達成する
ために、スペーサを含有した樹脂ペーストでスクリーン
印刷してスペーサを形成して静電容量式圧力センサを製
造するものである。
In order to achieve the ninth object, the present invention is to manufacture a capacitance type pressure sensor by screen-printing with a resin paste containing a spacer to form a spacer.

【0024】また、本発明は上記第10の目的を達成す
るために、樹脂ペーストでパターンを形成したあとスペ
ーサを散布してスペーサを形成して静電容量式圧力セン
サを製造するものである。
Further, in order to achieve the tenth object, the present invention is to manufacture a capacitance type pressure sensor by forming a pattern with a resin paste and then spraying spacers to form spacers.

【0025】[0025]

【作用】本発明は上記構成によって、下記の作用を有す
る。
The present invention has the following functions due to the above structure.

【0026】すなわち、固定基板とダイアフラムとの少
なくとも一方の周縁にスペーサ層とスペーサとを分離す
ることによって、製造時は固定基板とダイアフラムとの
間隔を変形のしないスペーサで保持しながら、スペーサ
層を形成することができるので、スペーサ層の厚みをほ
ぼ一定にすることができる。すなわち、固定基板とダイ
アフラムとのギャップを高精度にコントロールすること
ができる。
That is, by separating the spacer layer and the spacer around the periphery of at least one of the fixed substrate and the diaphragm, the spacer layer is held while maintaining the distance between the fixed substrate and the diaphragm by the spacer that does not deform during manufacturing. Since it can be formed, the thickness of the spacer layer can be made substantially constant. That is, the gap between the fixed substrate and the diaphragm can be controlled with high accuracy.

【0027】また固定基板とダイアフラムとの少なくと
も一方の周縁にスペーサ層の外周にスペーサを分離形成
することによって、ダイアフラムのたわみ径を一定にし
て固定基板とダイアフラムとの間のギャップはスペーサ
だけで管理されるので、固定基板とダイアフラムとのギ
ャップを高精度にコントロールすることができる。
Further, by forming a spacer on the outer periphery of the spacer layer at the periphery of at least one of the fixed substrate and the diaphragm, the deflection diameter of the diaphragm is made constant, and the gap between the fixed substrate and the diaphragm is controlled only by the spacer. Therefore, the gap between the fixed substrate and the diaphragm can be controlled with high accuracy.

【0028】また固定基板とダイアフラムとの少なくと
も一方の周縁に複数のスペーサ層の間隙にスペーサを分
離形成することによって、ダイアフラムのたわみ径を一
定にして固定基板とダイアフラムとの間のギャップはス
ペーサだけで管理されるので、固定基板とダイアフラム
とのギャップを高精度にコントロールすることができ
る。
Further, by forming spacers in the gap of a plurality of spacer layers at the periphery of at least one of the fixed substrate and the diaphragm, the deflection diameter of the diaphragm is made constant, and the gap between the fixed substrate and the diaphragm is only the spacer. Since it is controlled by, the gap between the fixed substrate and the diaphragm can be controlled with high accuracy.

【0029】また固定基板とダイアフラムとの少なくと
も一方の周縁にスペーサ層とスペーサとを分離形成する
ことによって、固定基板とダイアフラムとのギャップを
高精度にコントロールすることができ、電極間の容量変
化を高精度に電気的出力に変換することができる。
By forming the spacer layer and the spacer separately on the periphery of at least one of the fixed substrate and the diaphragm, the gap between the fixed substrate and the diaphragm can be controlled with high accuracy, and the change in capacitance between the electrodes can be controlled. It can be converted into an electrical output with high accuracy.

【0030】また固定基板とダイアフラムとの少なくと
も一方の周縁にスペーサ層の外周にスペーサを分離形成
することによって、ダイアフラムのたわみ径を一定にし
て固定基板とダイアフラムとの間のギャップはスペーサ
だけで管理されるので、固定基板とダイアフラムとのギ
ャップを高精度にコントロールすることができ、電極間
の容量変化を高精度に電気的出力に変換することができ
る。
By forming spacers on the outer periphery of the spacer layer at the periphery of at least one of the fixed substrate and the diaphragm, the deflection diameter of the diaphragm is kept constant and the gap between the fixed substrate and the diaphragm is controlled by the spacer alone. Therefore, the gap between the fixed substrate and the diaphragm can be controlled with high accuracy, and the change in capacitance between the electrodes can be converted with high accuracy into an electrical output.

【0031】また固定基板とダイアフラムとの少なくと
も一方の周縁に複数のスペーサ層の間隙にスペーサを分
離形成することによって、ダイアフラムのたわみ径を一
定にして固定基板とダイアフラムとの間のギャップはス
ペーサだけで管理されるので、固定基板とダイアフラム
とのギャップを高精度にコントロールすることができ、
電極間の容量変化を高精度に電気的出力に変換すること
ができる。
Further, by forming spacers in the gaps of a plurality of spacer layers on the periphery of at least one of the fixed substrate and the diaphragm, the deflection diameter of the diaphragm is made constant, and the gap between the fixed substrate and the diaphragm is only the spacer. Since it is controlled by, the gap between the fixed substrate and the diaphragm can be controlled with high accuracy,
The change in capacitance between the electrodes can be converted into an electrical output with high accuracy.

【0032】また固定基板とダイアフラムとの間のギャ
ップを正確かつ容易に形成できるため、素子間ばらつき
の低減、小型化、大容量化、高精度化を実現でき、製造
工程の簡略化、大量生産化が可能になる。
Further, since the gap between the fixed substrate and the diaphragm can be accurately and easily formed, it is possible to reduce the variation between elements, reduce the size, increase the capacity, and increase the accuracy, simplify the manufacturing process, and mass-produce. Becomes possible.

【0033】またスペーサを描画で形成することで固定
基板とダイアフラムとの間のギャップを正確かつ容易に
形成できるため、素子間ばらつきの低減、小型化、大容
量化、高精度化を実現でき、製造工程の簡略化、大量生
産化が可能になる。
By forming the spacer by drawing, the gap between the fixed substrate and the diaphragm can be formed accurately and easily, so that it is possible to reduce the variation between elements, reduce the size, increase the capacity, and increase the accuracy. The manufacturing process can be simplified and mass-produced.

【0034】またスペーサをスクリーン印刷で形成する
ことで固定基板とダイアフラムとの間のギャップを正確
かつ容易に形成できるため、素子間ばらつきの低減、小
型化、大容量化、高精度化を実現でき、製造工程の簡略
化、大量生産化が可能になる。
By forming the spacer by screen printing, the gap between the fixed substrate and the diaphragm can be formed accurately and easily, so that it is possible to reduce the variation between elements, reduce the size, increase the capacity, and increase the accuracy. The manufacturing process can be simplified and mass production can be achieved.

【0035】また樹脂ペーストを印刷したあとスペーサ
を散布してスペーサを形成することで固定基板とダイア
フラムとの間のギャップを正確かつ容易に形成できるた
め、素子間ばらつきの低減、小型化、大容量化、高精度
化を実現でき、製造工程の簡略化、大量生産化が可能に
なる。
Further, by printing the resin paste and then spraying the spacers to form the spacers, it is possible to accurately and easily form the gap between the fixed substrate and the diaphragm. It is possible to realize high precision and high accuracy, simplify the manufacturing process, and mass produce.

【0036】[0036]

【実施例】以下、本発明の実施例を図面にもとずいて説
明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0037】まず、本発明の特徴であるスペーサによる
正確なギャップ管理方法について述べる。例えば(1)高
融点のスペーサを含有した樹脂ペーストを電極周縁部に
スクリーン印刷で形成する。(2)ガラスフリットからな
るスペーサ層を脱脂、焼成する際に有機物である樹脂ペ
ーストが先に燃焼、分解してなくなり、スペーサのみが
あとに残る。(3)スペーサ層が脱脂、焼成されて低融点
のガラス層が残る。(4)荷重成形によって低融点のガラ
ス層が変形するが、高融点のスペーサは変形しないの
で、ギャップはスペーサで管理される。
First, an accurate gap management method using spacers, which is a feature of the present invention, will be described. For example, (1) a resin paste containing a high melting point spacer is formed by screen printing on the peripheral edge of the electrode. (2) When the spacer layer made of the glass frit is degreased and fired, the resin paste, which is an organic substance, is not burned and decomposed first, and only the spacer remains behind. (3) The spacer layer is degreased and fired to leave a low melting point glass layer. (4) The low melting point glass layer is deformed by load molding, but the high melting point spacer is not deformed, so the gap is controlled by the spacer.

【0038】図1において、表面に第一の電極3が形成
された電気絶縁性材料の固定基板1と、第二の電極4が
表面に形成された電気絶縁性弾性材料からなるダイアフ
ラム2と、前記第一の電極3と前記第二の電極4との少
なくとも一方の周縁部に形成したスペーサ層5及びスペ
ーサ6とを備え、前記第一の電極3と前記第二の電極4
とが対向配置し、かつ前記スペーサ層5及び前記スペー
サ6を介して前記固定基板1と前記ダイアフラム2とを
接合した。また電極形状として図4のように、表面に第
一の電極3が形成された電気絶縁絶縁性材料の固定基板
1と、測定用電極4aと参照用電極4bとが表面に形成
された電気絶縁性弾性材料からなるダイアフラム2と
が、第一の電極3と測定用電極4a及び参照用電極4b
とが対向配置し、かつスペーサ層5及び前記スペーサ6
を介して固定基板1とダイアフラム2とを接合してい
る。ここで第二の電極4のかわりに測定用電極4a及び
参照用電極4bを用いたのは、温度変化等の外乱によっ
て電極間距離が変化することによるセンサ特性変化を防
止するためものであり、測定用容量と参照用容量とを演
算して補償することで温度特性、非直線性を非常に小さ
くすることができる。以下実施例を示す。
In FIG. 1, a fixed substrate 1 made of an electrically insulating material having a first electrode 3 formed on the surface thereof, and a diaphragm 2 made of an electrically insulating elastic material having a second electrode 4 formed on the surface thereof, The first electrode 3 and the second electrode 4 are provided with a spacer layer 5 and a spacer 6 formed on the peripheral portion of at least one of the first electrode 3 and the second electrode 4.
Are opposed to each other, and the fixed substrate 1 and the diaphragm 2 are joined via the spacer layer 5 and the spacer 6. As the electrode shape, as shown in FIG. 4, a fixed substrate 1 of an electrically insulating insulating material having a first electrode 3 formed on the surface, and an electrically insulating substrate having a measurement electrode 4a and a reference electrode 4b formed on the surface A diaphragm 2 made of a flexible elastic material, a first electrode 3, a measurement electrode 4a, and a reference electrode 4b.
Are opposed to each other, and the spacer layer 5 and the spacer 6 are disposed.
The fixed substrate 1 and the diaphragm 2 are joined via the. The reason why the measurement electrode 4a and the reference electrode 4b are used instead of the second electrode 4 is to prevent a change in the sensor characteristics due to a change in the inter-electrode distance due to a disturbance such as a temperature change. By calculating and compensating the measuring capacitance and the reference capacitance, the temperature characteristic and the non-linearity can be made extremely small. Examples will be shown below.

【0039】(実施例1)固定基板1(厚み1.1mm)
及びダイアフラム2(厚み0.25mm)として、シリカ
(SiO2)、酸化バリウム(BaO)、ホウ酸(B2
3)からなるホウケイ酸バリウムガラス板(ガラス転移
点630℃)を用意し、固定基板1とダイアフラム2に
第一の電極3と第二の電極4としてそれぞれ金をスパッ
タリング法で0.1μmの厚みで形成した。図1のよう
にガラスの固定基板とほとんど同じ熱膨張係数をもつ低
融点のガラスフリット(軟化点470℃)をスクリーン
印刷で約12μmの厚みで固定基板1に印刷してスペー
サ層5を形成したあと、スペーサ層5の余白部にガラス
ビーズ(ガラス転移点630℃、粒子径10±0.05
μm)からなるスペーサ6を0.1重量%含有した樹脂
ペーストでスクリーン印刷してスペーサ6を形成した。
第一の電極3と第二の電極4とが対向するように配置し
た状態で、加熱温度480℃、荷重0.2kg重、加熱時
間10分の条件で荷重成形を行って、スペーサ6を介し
て固定基板1とダイアフラム2とをスペーサ層5で一体
接合した。固定基板1とダイアフラム2とのギャップを
段差計で測定すると、10±0.05μmであり、ギャ
ップの寸法精度が極めて良好であった。このような工程
で100個のサンプルを作製して、測定圧力500mmH
2Oの時のセンサ単体のそれぞれの容量値を測定して1
00個の平均値とそのばらつき3σとを求め、その結果
を(表1)に示した。
(Example 1) Fixed substrate 1 (thickness 1.1 mm)
As the diaphragm 2 (thickness 0.25 mm), silica (SiO 2 ), barium oxide (BaO), boric acid (B 2 O)
3 ) Prepare a barium borosilicate glass plate (glass transition point 630 ° C.) consisting of 3 ), and use gold as a first electrode 3 and a second electrode 4 on a fixed substrate 1 and a diaphragm 2 to a thickness of 0.1 μm by a sputtering method. Formed by. As shown in FIG. 1, a glass frit with a low melting point (softening point 470 ° C.) having a thermal expansion coefficient almost the same as that of the glass fixed substrate was screen-printed to a thickness of about 12 μm on the fixed substrate 1 to form the spacer layer 5. After that, glass beads (glass transition point 630 ° C., particle size 10 ± 0.05) were formed in the blank portion of the spacer layer 5.
The spacer 6 composed of 0.1 μm) was screen-printed with a resin paste containing 0.1% by weight to form the spacer 6.
With the first electrode 3 and the second electrode 4 arranged so as to face each other, load molding is performed under conditions of a heating temperature of 480 ° C., a load of 0.2 kg weight, and a heating time of 10 minutes, and a spacer 6 is used. The fixed substrate 1 and the diaphragm 2 are integrally joined by the spacer layer 5. When the gap between the fixed substrate 1 and the diaphragm 2 was measured by a step gauge, it was 10 ± 0.05 μm, and the dimensional accuracy of the gap was extremely good. 100 samples are made in this process, and the measurement pressure is 500mmH.
Measure the capacitance value of the sensor alone at 2 O and take 1
The average value of 00 pieces and its variation 3σ were determined, and the results are shown in (Table 1).

【0040】本発明の工程によって作製した静電容量式
圧力センサは、(表1)から明らかなように、特性ばら
つきが小さかった。
As is clear from (Table 1), the capacitance type pressure sensor manufactured by the process of the present invention had a small variation in characteristics.

【0041】(実施例2)96%アルミナからなる固定
基板1(厚み1.1mm)及びダイアフラム2(厚み0.
15mm)を用意し、固定基板1とダイアフラム2に第一
の電極3と第二の電極4としてそれぞれ金レジネートを
スクリーン印刷法で25μmの厚みで形成し、脱脂・焼
成して0.1μmの厚みとした。図2のように96%ア
ルミナの固定基板とほとんど同じ熱膨張係数をもつ低融
点のガラスフリット(軟化点550℃)をスクリーン印
刷で約12μmの厚みで固定基板1にスペーサ層5を形
成したあと、スペーサ層5の余白部にガラスビーズ(ガ
ラス転移点710℃、粒子径10±0.05μm)から
なるスペーサ6を0.1重量%含有した樹脂ペーストで
スクリーン印刷してスペーサ6を形成した。第一の電極
3と第二の電極4とが対向するように配置した状態で、
加熱温度580℃、荷重0.2kg重、加熱時間10分の
条件で荷重成形を行って、スペーサ6を介して固定基板
1とダイアフラム2とをスペーサ層5で一体接合した。
固定基板1とダイアフラム2とのギャップを段差計で測
定すると、10±0.05μmであり、ギャップの寸法
精度が極めて良好であった。このような工程で100個
のサンプルを作製して、測定圧力500mmH2Oの時の
センサ単体のそれぞれの容量値を測定して100個の平
均値とそのばらつき3σとを求め、その結果を(表1)
に示した。
(Example 2) A fixed substrate 1 (thickness: 1.1 mm) and a diaphragm 2 (thickness: 0.
15 mm), gold resinate having a thickness of 25 μm is formed on the fixed substrate 1 and the diaphragm 2 as the first electrode 3 and the second electrode 4 by a screen printing method, respectively, and then degreased and fired to a thickness of 0.1 μm. And After forming a spacer layer 5 on the fixed substrate 1 with a thickness of about 12 μm by screen printing, a glass frit with a low melting point (softening point of 550 ° C.) having almost the same thermal expansion coefficient as the fixed substrate of 96% alumina as shown in FIG. A spacer 6 made of glass beads (glass transition point: 710 ° C., particle diameter: 10 ± 0.05 μm) was screen-printed with a resin paste containing 0.1% by weight on the blank portion of the spacer layer 5 to form the spacer 6. With the first electrode 3 and the second electrode 4 arranged so as to face each other,
Load molding was performed under the conditions of a heating temperature of 580 ° C., a load of 0.2 kg, and a heating time of 10 minutes, and the fixed substrate 1 and the diaphragm 2 were integrally bonded with the spacer layer 5 via the spacer 6.
When the gap between the fixed substrate 1 and the diaphragm 2 was measured by a step gauge, it was 10 ± 0.05 μm, and the dimensional accuracy of the gap was extremely good. 100 samples were prepared in such a process, the respective capacitance values of the sensor alone at a measurement pressure of 500 mmH 2 O were measured, the average value of 100 and its variation 3σ were obtained, and the result was calculated as ( (Table 1)
It was shown to.

【0042】本発明の工程によって作製した静電容量式
圧力センサは、(表1)から明らかなように、特性ばら
つきが小さかった。
As is clear from (Table 1), the capacitance type pressure sensor manufactured by the process of the present invention had a small variation in characteristics.

【0043】(実施例3)固定基板1(厚み1.1mm)
及びダイアフラム2(厚み0.25mm)としてシリカ
(SiO2)、酸化バリウム(BaO)、ホウ酸(B2
3)からなるホウケイ酸バリウムガラス板(ガラス転移
点630℃)を用意し、固定基板1とダイアフラム2に
第一の電極3と第二の電極4としてそれぞれ金レジネー
トをスクリーン印刷法で約20μmの厚みで形成し、脱
脂・焼成して0.1μmの厚みとした。図3のようにガ
ラスの固定基板とほとんど同じ熱膨張係数をもつ低融点
のガラスフリット(軟化点550℃)をスクリーン印刷
で約10μmの厚みで固定基板1に印刷してスペーサ層
5を形成したあと、スペーサ層5の余白部にガラスファ
イバ(ガラス転移点710℃、ファイバ径7±0.05
μm、ファイバ長さ25μm)からなるスペーサ6を0.
5重量%含有した樹脂ペーストで描画してスペーサ6を
形成した。第一の電極3と第二の電極4とが対向するよ
うに配置した状態で、加熱温度550℃、荷重0.2kg
重、加熱時間10分の条件で荷重成形を行って、スペー
サ6を介して固定基板1とダイアフラム2とをスペーサ
層5で一体接合した。固定基板1とダイアフラム2との
ギャップを段差計で測定すると、7±0.05μmであ
り、ギャップの寸法精度が極めて良好であった。このよ
うな工程で100個のサンプルを作製して、測定圧力5
00mmH2Oの時のセンサ単体のそれぞれの容量値を測
定して100個の平均値とそのばらつき3σとを求め、
その結果を(表1)に示した。
(Example 3) Fixed substrate 1 (thickness 1.1 mm)
And silica (SiO 2 ), barium oxide (BaO), boric acid (B 2 O) as the diaphragm 2 (thickness 0.25 mm).
3 ) A barium borosilicate glass plate (glass transition point 630 ° C.) consisting of 3 ) is prepared, and gold resinate is applied to the fixed substrate 1 and the diaphragm 2 as the first electrode 3 and the second electrode 4 respectively by a screen printing method of about 20 μm. It was formed to a thickness, degreased and fired to a thickness of 0.1 μm. As shown in FIG. 3, a glass frit with a low melting point (softening point 550 ° C.) having almost the same thermal expansion coefficient as that of the glass fixed substrate was screen-printed on the fixed substrate 1 to a thickness of about 10 μm to form the spacer layer 5. Then, a glass fiber (glass transition point 710 ° C., fiber diameter 7 ± 0.05) is provided in the blank portion of the spacer layer 5.
.mu.m and a fiber length of 25 .mu.m).
Spacers 6 were formed by drawing with a resin paste containing 5% by weight. With the first electrode 3 and the second electrode 4 arranged so as to face each other, the heating temperature is 550 ° C. and the load is 0.2 kg.
Load molding was performed under conditions of heavy weight and heating time of 10 minutes, and the fixed substrate 1 and the diaphragm 2 were integrally joined by the spacer layer 5 via the spacer 6. When the gap between the fixed substrate 1 and the diaphragm 2 was measured with a step gauge, it was 7 ± 0.05 μm, and the dimensional accuracy of the gap was extremely good. In this process, 100 samples were prepared and the measurement pressure was 5
The respective capacitance values of the sensor alone at the time of 00 mmH 2 O were measured to obtain the average value of 100 pieces and its variation 3σ,
The results are shown in (Table 1).

【0044】本発明の工程によって作製した静電容量式
圧力センサは、(表1)から明らかなように、特性ばら
つきが小さかった。
As is clear from (Table 1), the capacitance type pressure sensor manufactured by the process of the present invention had a small variation in characteristics.

【0045】(実施例4)96%アルミナからなる固定
基板1(厚み1.1mm)及びダイアフラム2(厚み0.
15mm)を用意し、固定基板1とダイアフラム2に第一
の電極3と第二の電極4としてそれぞれ金レジネートを
スクリーン印刷法で約15μmの厚みで形成し、脱脂・
焼成して0.1μmの厚みとした。図4のように96%
アルミナの固定基板とほとんど同じ熱膨張係数をもつ低
融点のガラスフリット(軟化点550℃)をスクリーン
印刷で約7μmの厚みで固定基板1に印刷してスペーサ
層5を形成したあと、スペーサ層5の余白部にガラスフ
ァイバ(ガラス転移点780℃、ファイバ径5±0.0
5μm、ファイバ長さ25μm)からなるスペーサ6を
0.5重量%含有した樹脂ペーストで描画してスペーサ
6を形成した。第一の電極3と第二の電極4とが対向す
るように配置した状態で、加熱温度650℃、荷重0.
2kg重、加熱時間10分の条件で荷重成形を行って、ス
ペーサ6を介して固定基板1とダイアフラム2とをスペ
ーサ層5で一体接合した。固定基板1とダイアフラム2
とのギャップを段差計で測定すると5±0.05μmで
あり、ギャップの寸法精度が極めて良好であった。この
ような工程で100個のサンプルを作製して、測定圧力
500mmH2Oの時のセンサ単体のそれぞれの容量値を
測定して100個の平均値とそのばらつき3σとを求
め、その結果を(表1)に示した。
Example 4 A fixed substrate 1 (thickness: 1.1 mm) and a diaphragm 2 (thickness: 0.
15 mm) is prepared, and gold resinate is formed on the fixed substrate 1 and the diaphragm 2 as the first electrode 3 and the second electrode 4 by a screen printing method to a thickness of about 15 μm, respectively, and degreased.
It was calcined to a thickness of 0.1 μm. 96% as shown in Figure 4
A low-melting-point glass frit (softening point 550 ° C.) having almost the same coefficient of thermal expansion as the alumina fixed substrate is printed on the fixed substrate 1 by screen printing to a thickness of about 7 μm to form the spacer layer 5, and then the spacer layer 5 is formed. In the margin of the glass fiber (glass transition point 780 ℃, fiber diameter 5 ± 0.0
The spacer 6 composed of 5 μm and a fiber length of 25 μm) was drawn with a resin paste containing 0.5% by weight to form the spacer 6. With the first electrode 3 and the second electrode 4 arranged so as to face each other, a heating temperature of 650 ° C. and a load of 0.
Load molding was performed under the conditions of a weight of 2 kg and a heating time of 10 minutes to integrally bond the fixed substrate 1 and the diaphragm 2 with the spacer layer 5 via the spacer 6. Fixed substrate 1 and diaphragm 2
The gap between and was 5 ± 0.05 μm as measured with a step gauge, and the dimensional accuracy of the gap was extremely good. 100 samples were prepared in such a process, the respective capacitance values of the sensor alone at a measurement pressure of 500 mmH 2 O were measured, the average value of 100 and its variation 3σ were obtained, and the result was calculated as ( The results are shown in Table 1).

【0046】本発明の工程によって作製した静電容量式
圧力センサは、(表1)から明らかなように、特性ばら
つきが小さかった。このような方法で作製したセンサの
測定用電極4a及び参照用電極4bに充放電回路を形成
し、それぞれの容量の充電時間差に対応したパルス出力
を発生させる充放電時間検出型の検知回路に接続し、非
直線性補正及び利得、オフセット調整を施して所定の電
圧出力に変換した。その結果、総合精度が1%より小さ
いセンサ特性が得られた。
As is clear from (Table 1), the capacitance type pressure sensor manufactured by the process of the present invention had a small variation in characteristics. A charging / discharging circuit is formed on the measuring electrode 4a and the reference electrode 4b of the sensor manufactured by such a method, and is connected to a charging / discharging time detection type detection circuit that generates a pulse output corresponding to the charging time difference between the respective capacities. Then, non-linearity correction and gain / offset adjustment were performed to convert to a predetermined voltage output. As a result, sensor characteristics with a total accuracy of less than 1% were obtained.

【0047】(実施例5)シリコンからなる固定基板1
(厚み1.1mm)及びダイアフラム2(厚み0.30m
m)を用意し、固定基板1とダイアフラム2に第一の電
極3と第二の電極4としてそれぞれ金をメッキ法で0.
2μm形成した。図1のようにシリコンの固定基板とほ
とんど同じ熱膨張係数をもつ低融点のガラスフリット
(軟化点390℃)をスクリーン印刷で固定基板1に約
8μmの厚みで印刷してスペーサ層5を形成したあと、
スペーサ層5の余白部に樹脂ペーストで描画し、その部
分にガラスファイバ(ガラス転移点530℃、ファイバ
径7±0.05μm、ファイバ長さ25μm)を微量散布
してスペーサ6を形成した。第一の電極3と第二の電極
4とが対向するように配置した状態で、加熱温度400
℃、荷重0.2kg重、加熱時間10分の条件で荷重成形
を行って、スペーサ6を介して固定基板1とダイアフラ
ム2とをスペーサ層5で一体接合した。固定基板1とダ
イアフラム2とのギャップを段差計で測定すると7±
0.05μmであり、ギャップの寸法精度が極めて良好
であった。このような工程で100個のサンプルを作製
して、測定圧力500mmH2Oの時のセンサ単体のそれ
ぞれの容量値を測定して100個の平均値とそのばらつ
き3σとを求め、その結果を(表1)に示した。
(Embodiment 5) Fixed substrate 1 made of silicon
(Thickness 1.1 mm) and diaphragm 2 (thickness 0.30 m
m) is prepared, and gold is plated on the fixed substrate 1 and the diaphragm 2 as the first electrode 3 and the second electrode 4 by plating.
2 μm was formed. As shown in FIG. 1, a glass frit with a low melting point (softening point 390 ° C.) having a thermal expansion coefficient almost the same as that of the silicon fixed substrate was printed on the fixed substrate 1 by screen printing to a thickness of about 8 μm to form the spacer layer 5. after,
A resin paste was drawn on a blank portion of the spacer layer 5, and a small amount of glass fiber (glass transition point 530 ° C., fiber diameter 7 ± 0.05 μm, fiber length 25 μm) was scattered on the portion to form the spacer 6. With the first electrode 3 and the second electrode 4 arranged so as to face each other, the heating temperature 400
Load molding was performed under conditions of a temperature of 0.2 ° C., a load of 0.2 kg, and a heating time of 10 minutes, and the fixed substrate 1 and the diaphragm 2 were integrally bonded with the spacer layer 5 via the spacer 6. When the gap between the fixed substrate 1 and the diaphragm 2 is measured with a step gauge, it is 7 ±
It was 0.05 μm, and the dimensional accuracy of the gap was extremely good. 100 samples were prepared in such a process, the respective capacitance values of the sensor alone at a measurement pressure of 500 mmH 2 O were measured, the average value of 100 and its variation 3σ were obtained, and the result was calculated as ( The results are shown in Table 1).

【0048】本発明の工程によって作製した静電容量式
圧力センサは、(表1)から明らかなように、特性ばら
つきが小さかった。
As is clear from (Table 1), the capacitance type pressure sensor manufactured by the process of the present invention had a small variation in characteristics.

【0049】(実施例6)96%アルミナからなる固定
基板1(厚み1.1mm)と96%アルミナとほとんど同
じ熱膨張係数をもつホウ珪酸ガラス(ガラス転移点54
0℃)からなるダイアフラム2(厚み0.25mm)を用
意し、固定基板1とダイアフラム2に第一の電極3と第
二の電極4としてそれぞれ金レジネートをスクリーン印
刷法で約15μmの厚みで形成し、脱脂・焼成して0.
1μmの厚みとした。図2のように96%アルミナの固
定基板とほとんど同じ熱膨張係数をもつ低融点のガラス
フリット(軟化点460℃)をスクリーン印刷で固定基
板1に約7μmの厚みで印刷してスペーサ層5を形成し
たあと、スペーサ層5の余白部にガラスファイバ(ガラ
ス転移点540℃、ファイバ径5±0.05μm、ファ
イバ長さ25μm)からなるスペーサ6を0.5重量%
含有した樹脂ペーストで描画してスペーサ6を形成し
た。第一の電極3と第二の電極4とが対向するように配
置した状態で、加熱温度450℃、荷重0.2kg重、加
熱時間10分の条件で荷重成形を行って、スペーサ6を
介して固定基板1とダイアフラム2とをスペーサ層5で
一体接合した。固定基板1とダイアフラム2とのギャッ
プを段差計で測定すると、5±0.05μmであり、ギ
ャップの寸法精度が極めて良好であった。このような工
程で100個のサンプルを作製して、測定圧力500mm
2Oの時のセンサ単体のそれぞれの容量値を測定して
100個の平均値とそのばらつき3σとを求め、その結
果を(表1)に示した。
Example 6 Fixed substrate 1 (thickness: 1.1 mm) made of 96% alumina and borosilicate glass (glass transition point 54) having a thermal expansion coefficient almost the same as that of 96% alumina.
A diaphragm 2 (thickness: 0.25 mm) composed of 0 ° C.) is prepared, and a gold resinate is formed on the fixed substrate 1 and the diaphragm 2 as a first electrode 3 and a second electrode 4 by a screen printing method with a thickness of about 15 μm Then, degreasing and baking to 0.
The thickness was 1 μm. As shown in FIG. 2, a glass frit with a low melting point (softening point 460 ° C.) having almost the same coefficient of thermal expansion as the fixed substrate of 96% alumina (softening point 460 ° C.) is printed on the fixed substrate 1 with a thickness of about 7 μm to form the spacer layer 5. After forming, 0.5% by weight of the spacer 6 made of glass fiber (glass transition point 540 ° C., fiber diameter 5 ± 0.05 μm, fiber length 25 μm) in the blank portion of the spacer layer 5.
The spacer 6 was formed by drawing with the contained resin paste. With the first electrode 3 and the second electrode 4 arranged so as to face each other, load molding is performed under the conditions of a heating temperature of 450 ° C., a load of 0.2 kg weight, and a heating time of 10 minutes, and a spacer 6 is used. The fixed substrate 1 and the diaphragm 2 are integrally joined by the spacer layer 5. When the gap between the fixed substrate 1 and the diaphragm 2 was measured with a step gauge, it was 5 ± 0.05 μm, and the dimensional accuracy of the gap was extremely good. 100 samples are made in this process, and the measurement pressure is 500mm.
The respective capacitance values of the sensor alone at the time of H 2 O were measured, the average value of 100 pieces and the variation 3σ thereof were obtained, and the results are shown in (Table 1).

【0050】本発明の工程によって作製した静電容量式
圧力センサは、(表1)から明らかなように、特性ばら
つきが小さかった。
As is clear from (Table 1), the capacitance type pressure sensor manufactured by the process of the present invention had a small variation in characteristics.

【0051】(実施例7)固定基板1(厚み1.1mm)
及びダイアフラム2(厚み0.25mm)としてシリカ
(SiO2)、酸化バリウム(BaO)、ホウ酸(B2
3)からなるホウケイ酸バリウムガラス板(ガラス転移
点630℃)を用意し、固定基板1に第一の電極3とし
て、またダイアフラム2に測定用電極4aと参照用電極
4bとして金をスパッタリング法で0.01μm形成し
た。図4のようにスペーサ層5としてガラスの固定基板
とほとんど同じ熱膨張係数をもつ低融点のガラス(軟化
点485℃)をスパッタ法で固定基板1とダイアフラム
2に1.5μmの厚みで形成したあと、スペーサ層5の
余白部にガラスビーズ(ガラス転移点580℃、粒子径
1±0.02μm)からなるスペーサ6を0.1重量%
含有した樹脂ペーストでスクリーン印刷してスペーサ6
を形成した。第一の電極3と第二の電極4とが対向する
ように配置した状態で、加熱温度480℃、荷重0.2
kg重、加熱時間10分の条件で荷重成形を行って、スペ
ーサ6を介して固定基板1とダイアフラム2とをスペー
サ層5で一体接合した。固定基板1とダイアフラム2と
のギャップを段差計で測定すると1±0.02μmであ
り、ギャップの寸法精度が極めて良好であった。このよ
うな方法で作製したセンサの測定用電極4a及び参照用
電極4bそれぞれに発振回路を接続し、それぞれの発振
回路の出力を比較する比較回路に接続し、参照用の信号
をキャンセルした。さらに比較回路の周波数信号を電圧
信号に変換する周波数/電圧変換回路に接続して所定の
電圧出力に変換した。その結果、総合精度が1%より小
さいセンサ特性が得られた。
(Embodiment 7) Fixed substrate 1 (thickness 1.1 mm)
And silica (SiO 2 ), barium oxide (BaO), boric acid (B 2 O) as the diaphragm 2 (thickness 0.25 mm).
3 ) A barium borosilicate glass plate (glass transition point 630 ° C.) consisting of 3 ) is prepared, and gold is used as the first electrode 3 on the fixed substrate 1 and the measurement electrode 4a and the reference electrode 4b on the diaphragm 2 by the sputtering method. 0.01 μm was formed. As shown in FIG. 4, as the spacer layer 5, a low melting point glass (softening point 485 ° C.) having almost the same thermal expansion coefficient as the glass fixed substrate was formed on the fixed substrate 1 and the diaphragm 2 by the sputtering method to a thickness of 1.5 μm. Then, 0.1% by weight of a spacer 6 made of glass beads (glass transition point 580 ° C., particle diameter 1 ± 0.02 μm) is provided in a blank portion of the spacer layer 5.
Spacer 6 by screen printing with the contained resin paste
Was formed. With the first electrode 3 and the second electrode 4 arranged so as to face each other, a heating temperature of 480 ° C. and a load of 0.2
The load molding was performed under the conditions of the weight of kg and the heating time of 10 minutes, and the fixed substrate 1 and the diaphragm 2 were integrally bonded with the spacer layer 5 via the spacer 6. When the gap between the fixed substrate 1 and the diaphragm 2 was measured by a step gauge, it was 1 ± 0.02 μm, and the dimensional accuracy of the gap was extremely good. An oscillation circuit was connected to each of the measurement electrode 4a and the reference electrode 4b of the sensor manufactured by the above method, and the reference signal was canceled by connecting to the comparison circuit that compares the outputs of the respective oscillation circuits. Further, the frequency signal of the comparison circuit was connected to a frequency / voltage conversion circuit for converting it into a voltage signal and converted into a predetermined voltage output. As a result, sensor characteristics with a total accuracy of less than 1% were obtained.

【0052】(比較例1)固定基板11(厚み1.1m
m)及びダイアフラム12(厚み0.25mm)として実
施例1と同じシリカ(SiO2)、酸化バリウム(Ba
O)、ホウ酸(B2 3)からなるホウケイ酸バリウムガ
ラス(ガラス転移点630℃)を用意し、固定基板11
とダイアフラム12に第一の電極13と第二の電極14
としてそれぞれ金をスパッタリング法で0.1μm形成
した。低融点ガラス(軟化点480℃)中にガラスビー
ズからなるスペーサ16(ガラス転移点630℃、粒子
径10±0.05μm)を適量含ませたガラスペースト
を固定基板11にスクリーン印刷した。第一の電極13
と第二の電極14とが対向するように配置した状態で、
加熱温度480℃、荷重0.2kg重、加熱時間10分の
条件で荷重成形を行って、スペーサ16を介して固定基
板11とダイアフラム12とをスペーサ層15で一体接
合した。固定基板1とダイアフラム2とのギャップを段
差計で測定すると、10±0.8μmであり、ギャップ
の寸法精度が悪かった。このような工程を繰り返して1
00個のサンプルを作製して、測定圧力500mmH2
の時のセンサ単体のそれぞれの容量値を測定して100
個の中心値とばらつき3σとを求め、その結果を(表
1)に示した。比較例の静電容量式圧力センサは、(表
1)から明らかなように、特性ばらつきが大きかった。
(Comparative Example 1) Fixed substrate 11 (thickness: 1.1 m)
m) and diaphragm 12 (thickness 0.25 mm)
The same silica as in Example 1 (SiO2), Barium oxide (Ba
O), boric acid (B2O 3) Barium borosilicate
Lath (glass transition point 630 ° C.) is prepared and fixed substrate 11
And the first electrode 13 and the second electrode 14 on the diaphragm 12.
As a result, gold is formed by sputtering to a thickness of 0.1μ
did. Glass bee in low melting point glass (softening point 480 ° C)
Spacers 16 (glass transition point 630 ° C., particles
Glass paste containing an appropriate amount of diameter 10 ± 0.05 μm)
Was screen-printed on the fixed substrate 11. First electrode 13
And the second electrode 14 are arranged so as to face each other,
Heating temperature 480 ° C, load 0.2 kg weight, heating time 10 minutes
Perform load molding under the conditions, and fix the base through the spacer 16.
The plate 11 and the diaphragm 12 are integrally connected by the spacer layer 15.
It matched. The gap between the fixed substrate 1 and the diaphragm 2 is stepped.
When measured with a difference meter, it is 10 ± 0.8 μm, and the gap
The dimensional accuracy of was poor. Repeat these steps to 1
Making 00 samples, measuring pressure 500mmH2O
Measure the capacitance value of each sensor at 100
The central value and the variation 3σ of each of the
It is shown in 1). The capacitance type pressure sensor of the comparative example is (Table
As is clear from 1), the characteristic variation was large.

【0053】なお本発明の静電容量式圧力センサ及びそ
の製造方法において、各種材料(ダイアフラム、固定基
板、電極、スペーサ、スペーサ層等)、接合条件(温
度、時間、圧力、雰囲気等)、センサ形状(円形、角
型、径、電極パターン、厚み、ギャップ等の寸法)、回
路構成等は本実施例に限定されるものではない。
In the capacitance type pressure sensor of the present invention and the method for manufacturing the same, various materials (diaphragm, fixed substrate, electrode, spacer, spacer layer, etc.), bonding conditions (temperature, time, pressure, atmosphere, etc.), sensor The shapes (circles, squares, diameters, electrode patterns, thicknesses, dimensions such as gaps), circuit configurations, etc. are not limited to those in this embodiment.

【0054】[0054]

【表1】 [Table 1]

【0055】[0055]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の静電容量
式圧力センサ及びその製造方法によれば次の効果が得ら
れる。
As described above, according to the capacitance type pressure sensor of the present invention and the manufacturing method thereof, the following effects can be obtained.

【0056】(1)固定基板とダイアフラムとの少なく
とも一方の周縁にスペーサ層とスペーサとを分離形成す
ることによって、固定基板とダイアフラムとのギャップ
を高精度にコントロールすることができるのでばらつき
の少ない圧力センサが得られる。
(1) By forming the spacer layer and the spacer separately on the periphery of at least one of the fixed substrate and the diaphragm, the gap between the fixed substrate and the diaphragm can be controlled with high accuracy, so that the pressure with less variation can be obtained. A sensor is obtained.

【0057】(2)固定基板とダイアフラムとの少なく
とも一方の周縁にスペーサ層の外周にスペーサを分離形
成することによって、ダイアフラムのたわみ径を一定に
して固定基板とダイアフラムとの間のギャップはスペー
サだけで管理できるので、固定基板とダイアフラムとの
ギャップを高精度にコントロールすることができバラツ
キの少ない圧力センサが得られる。
(2) By forming spacers on the outer periphery of the spacer layer at the periphery of at least one of the fixed substrate and the diaphragm, the deflection diameter of the diaphragm is kept constant, and the gap between the fixed substrate and the diaphragm is only the spacer. Since it can be controlled by, the gap between the fixed substrate and the diaphragm can be controlled with high accuracy, and a pressure sensor with less variation can be obtained.

【0058】(3)固定基板とダイアフラムとの少なく
とも一方の周縁に複数のスペーサ層の間隙にスペーサを
分離形成することによって、ダイアフラムのたわみ径を
一定にして固定基板とダイアフラムとの間のギャップは
スペーサだけで管理できるので、固定基板とダイアフラ
ムとのギャップを高精度にコントロールすることができ
バラツキの少ない圧力センサが得られる。
(3) By forming spacers separately in the gaps of a plurality of spacer layers on the periphery of at least one of the fixed substrate and the diaphragm, the deflection diameter of the diaphragm is made constant, and the gap between the fixed substrate and the diaphragm is reduced. Since it can be controlled only by the spacer, the gap between the fixed substrate and the diaphragm can be controlled with high accuracy, and a pressure sensor with less variation can be obtained.

【0059】(4)固定基板とダイアフラムとの少なく
とも一方の周縁にスペーサ層とスペーサとを分離形成す
ることによって、固定基板とダイアフラムとのギャップ
を高精度にコントロールすることができ、電極間の容量
変化を高精度に電気的出力に変換することができる。
(4) By forming the spacer layer and the spacer separately on the periphery of at least one of the fixed substrate and the diaphragm, the gap between the fixed substrate and the diaphragm can be controlled with high accuracy, and the capacitance between the electrodes can be controlled. The change can be converted into an electric output with high accuracy.

【0060】(5)固定基板とダイアフラムとの少なく
とも一方の周縁にスペーサ層の外周にスペーサを分離形
成することによって、ダイアフラムのたわみ径を一定に
して固定基板とダイアフラムとの間のギャップはスペー
サだけで管理できるので、固定基板とダイアフラムとの
ギャップを高精度にコントロールすることができ、電極
間の容量変化を高精度に電気的出力に変換することがで
きる。
(5) By forming a spacer on the outer periphery of the spacer layer at the periphery of at least one of the fixed substrate and the diaphragm, the deflection diameter of the diaphragm is made constant, and the gap between the fixed substrate and the diaphragm is only the spacer. It is possible to control the gap between the fixed substrate and the diaphragm with high accuracy, and it is possible to convert the capacitance change between the electrodes into an electrical output with high accuracy.

【0061】(6)固定基板とダイアフラムとの少なく
とも一方の周縁に複数のスペーサ層の間隙にスペーサを
分離形成することによって、ダイアフラムのたわみ径を
一定にして固定基板とダイアフラムとの間のギャップは
スペーサだけで管理できるので、固定基板とダイアフラ
ムとのギャップを高精度にコントロールすることがで
き、電極間の容量変化を高精度に電気的出力に変換する
ことができる。
(6) By forming spacers separately in the gaps of a plurality of spacer layers on the periphery of at least one of the fixed substrate and the diaphragm, the deflection diameter of the diaphragm is kept constant and the gap between the fixed substrate and the diaphragm is reduced. Since it can be controlled only by the spacer, the gap between the fixed substrate and the diaphragm can be controlled with high accuracy, and the capacitance change between the electrodes can be converted with high accuracy into an electrical output.

【0062】(7)固定基板とダイアフラムとの間のギ
ャップを正確かつ容易に形成できるため、素子間ばらつ
きの低減、小型化、大容量化、高精度化を実現でき、製
造工程の簡略化、大量生産化が可能になる。
(7) Since the gap between the fixed substrate and the diaphragm can be accurately and easily formed, it is possible to reduce the variation between elements, reduce the size, increase the capacity, and improve the accuracy, and simplify the manufacturing process. Mass production is possible.

【0063】(8)スペーサを描画で形成することで固
定基板とダイアフラムとの間のギャップを正確かつ容易
に形成できるため、素子間ばらつきの低減、小型化、大
容量化、高精度化を実現でき、製造工程の簡略化、大量
生産化が可能になる。
(8) Since the gap between the fixed substrate and the diaphragm can be formed accurately and easily by forming the spacer by drawing, variation between elements can be reduced, downsizing, large capacity, and high accuracy can be realized. Therefore, the manufacturing process can be simplified and mass production can be realized.

【0064】(9)スペーサをスクリーン印刷で形成す
ることで固定基板とダイアフラムとの間のギャップを正
確かつ容易に形成できるため、素子間ばらつきの低減、
小型化、大容量化、高精度化を実現でき、製造工程の簡
略化、大量生産化が可能になる。
(9) Since the gap between the fixed substrate and the diaphragm can be accurately and easily formed by forming the spacer by screen printing, the variation between elements can be reduced.
It is possible to realize miniaturization, large capacity, high precision, simplification of manufacturing process, and mass production.

【0065】(10)樹脂ペーストを印刷したあとスペ
ーサを散布してスペーサを形成することで固定基板とダ
イアフラムとの間のギャップを正確かつ容易に形成でき
るため、素子間ばらつきの低減、小型化、大容量化、高
精度化を実現でき、製造工程の簡略化、大量生産化が可
能になる。
(10) The gap between the fixed substrate and the diaphragm can be accurately and easily formed by printing the resin paste and then spraying the spacers to form the spacers. Larger capacity and higher accuracy can be realized, and the manufacturing process can be simplified and mass-produced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】(a)本発明の一実施例の静電容量式圧力セン
サの平面図 (b)同静電容量式圧力センサの断面図
FIG. 1A is a plan view of an electrostatic capacity type pressure sensor according to an embodiment of the present invention. FIG. 1B is a sectional view of the same electrostatic capacity type pressure sensor.

【図2】(a)本発明の他の実施例の静電容量式圧力セ
ンサの平面図 (b)同静電容量式圧力の断面図
FIG. 2A is a plan view of a capacitance type pressure sensor according to another embodiment of the present invention. FIG. 2B is a sectional view of the capacitance type pressure sensor.

【図3】(a)本発明の他の実施例の静電容量式圧力セ
ンサの平面図 (b)同静電容量式圧力センサの断面図
FIG. 3A is a plan view of an electrostatic capacity type pressure sensor according to another embodiment of the present invention. FIG. 3B is a sectional view of the electrostatic capacity type pressure sensor.

【図4】(a)本発明の他の実施例の静電容量式圧力セ
ンサ平面図 (b)同静電容量式圧力センサの断面図
FIG. 4A is a plan view of a capacitance type pressure sensor of another embodiment of the present invention. FIG. 4B is a sectional view of the capacitance type pressure sensor.

【図5】従来の静電容量式圧力センサの断面図FIG. 5 is a sectional view of a conventional capacitance type pressure sensor.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 固定基板 2 ダイアフラム 3 第一の電極 4 第二の電極 4a 測定用電極 4b 参照用電極 5 スペーサ層 6 スペーサ 1 Fixed Substrate 2 Diaphragm 3 First Electrode 4 Second Electrode 4a Measurement Electrode 4b Reference Electrode 5 Spacer Layer 6 Spacer

Claims (11)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】表面に第一の電極が形成された電気絶縁性
材料からなる固定基板と、第二の電極が表面に形成され
た電気絶縁性弾性材料からなるダイアフラムと、前記第
一の電極と前記第二の電極との少なくとも一方の周縁部
に形成したスペーサ層及びスペーサとを備え、前記第一
の電極と前記第二の電極とが対向配置しかつ前記スペー
サ層及び前記スペーサを介して前記固定基板と前記ダイ
アフラムとを接合した静電容量式圧力センサ。
1. A fixed substrate made of an electrically insulating material having a first electrode formed on the surface, a diaphragm made of an electrically insulating elastic material having a second electrode formed on the surface, and the first electrode. And a spacer layer and a spacer formed on at least one peripheral portion of the second electrode, the first electrode and the second electrode are arranged to face each other and via the spacer layer and the spacer A capacitance type pressure sensor in which the fixed substrate and the diaphragm are joined.
【請求項2】表面に第一の電極が形成された電気絶縁性
材料からなる固定基板と、第二の電極が表面に形成され
た電気絶縁性弾性材料からなるダイアフラムと、前記第
一の電極と前記第二の電極との少なくとも一方の周縁部
に形成したスペーサ層と、前記スペーサ層の外周に設け
たスペーサとを備え、前記第一の電極と前記第二の電極
とが対向配置しかつ前記スペーサ層及び前記スペーサを
介して前記固定基板と前記ダイアフラムとを接合した静
電容量式圧力センサ。
2. A fixed substrate made of an electrically insulating material having a first electrode formed on the surface, a diaphragm made of an electrically insulating elastic material having a second electrode formed on the surface, and the first electrode. And a spacer layer formed on at least one peripheral portion of the second electrode, and a spacer provided on the outer periphery of the spacer layer, wherein the first electrode and the second electrode are arranged facing each other and An electrostatic capacitance type pressure sensor in which the fixed substrate and the diaphragm are joined via the spacer layer and the spacer.
【請求項3】表面に第一の電極が形成された電気絶縁性
材料からなる固定基板と、第二の電極が表面に形成され
た電気絶縁性弾性材料からなるダイアフラムと、前記第
一の電極と前記第二の電極との少なくとも一方の周縁部
に複数形成したスペーサ層と、前記スペーサ層の間隙に
設けたスペーサとを備え、前記第一の電極と前記第二の
電極とが対向配置しかつ前記スペーサ層及び前記スペー
サを介して前記固定基板と前記ダイアフラムとを接合し
た静電容量式圧力センサ。
3. A fixed substrate made of an electrically insulating material having a first electrode formed on the surface, a diaphragm made of an electrically insulating elastic material having a second electrode formed on the surface, and the first electrode. A plurality of spacer layers formed on at least one peripheral portion of the second electrode and a spacer provided in a gap between the spacer layers, and the first electrode and the second electrode are arranged to face each other. An electrostatic capacitance type pressure sensor in which the fixed substrate and the diaphragm are joined via the spacer layer and the spacer.
【請求項4】表面に第一の電極が形成された電気絶縁性
材料からなる固定基板と、第二の電極が表面に形成され
た電気絶縁性弾性材料からなるダイアフラムと、前記第
一の電極と前記第二の電極との少なくとも一方の周縁部
に形成したスペーサ層及びスペーサとを備え、前記第一
の電極と前記第二の電極とが対向配置しかつ前記スペー
サ層及び前記スペーサを介して前記固定基板と前記ダイ
アフラムとを接合した素子と、圧力変化によって生じた
前記ダイアフラムと前記固定基板との間の容量変化を電
気信号に変換する変換手段とを備えた静電容量式圧力セ
ンサ。
4. A fixed substrate made of an electrically insulating material having a first electrode formed on the surface, a diaphragm made of an electrically insulating elastic material having a second electrode formed on the surface, and the first electrode. And a spacer layer and a spacer formed on at least one peripheral portion of the second electrode, the first electrode and the second electrode are arranged to face each other and via the spacer layer and the spacer An electrostatic capacitance type pressure sensor comprising: an element in which the fixed substrate and the diaphragm are joined together; and a conversion means for converting a capacitance change between the diaphragm and the fixed substrate caused by a pressure change into an electric signal.
【請求項5】表面に第一の電極が形成された電気絶縁性
材料からなる固定基板と、第二の電極が表面に形成され
た電気絶縁性弾性材料からなるダイアフラムと、前記第
一の電極と前記第二の電極との少なくとも一方の周縁部
に形成したスペーサ層と、前記スペーサ層の外周に設け
たスペーサとを備え、前記第一の電極と前記第二の電極
とが対向配置しかつ前記スペーサ層及び前記スペーサを
介して前記固定基板と前記ダイアフラムとを接合した素
子と、圧力変化によって生じた前記ダイアフラムと前記
固定基板との間の容量変化を電気信号に変換する変換手
段とを備えた静電容量式圧力センサ。
5. A fixed substrate made of an electrically insulating material having a first electrode formed on the surface, a diaphragm made of an electrically insulating elastic material having a second electrode formed on the surface, and the first electrode. And a spacer layer formed on at least one peripheral portion of the second electrode, and a spacer provided on the outer periphery of the spacer layer, wherein the first electrode and the second electrode are arranged facing each other and An element in which the fixed substrate and the diaphragm are bonded to each other through the spacer layer and the spacer, and a conversion unit that converts a capacitance change between the diaphragm and the fixed substrate caused by a pressure change into an electric signal. Capacitive pressure sensor.
【請求項6】表面に第一の電極が形成された電気絶縁性
材料からなる固定基板と、第二の電極が表面に形成され
た電気絶縁性弾性材料からなるダイアフラムと、前記第
一の電極と前記第二の電極との少なくとも一方の周縁部
に複数形成したスペーサ層と、前記スペーサ層の間隙に
設けたスペーサとを備え、前記第一の電極と前記第二の
電極とが対向配置しかつ前記スペーサ層及び前記スペー
サを介して前記固定基板と前記ダイアフラムとを接合し
た素子と、圧力変化によって生じた前記ダイアフラムと
前記固定基板との間の容量変化を電気信号に変換する変
換手段とを備えた静電容量式圧力センサ。
6. A fixed substrate made of an electrically insulating material having a first electrode formed on the surface, a diaphragm made of an electrically insulating elastic material having a second electrode formed on the surface, and the first electrode. A plurality of spacer layers formed on at least one peripheral portion of the second electrode and a spacer provided in a gap between the spacer layers, and the first electrode and the second electrode are arranged to face each other. Further, an element in which the fixed substrate and the diaphragm are joined via the spacer layer and the spacer, and a conversion means for converting a capacitance change between the diaphragm and the fixed substrate caused by a pressure change into an electric signal. Capacitive pressure sensor equipped.
【請求項7】電気絶縁性弾性材料がアルミナ、シリコ
ン、またはガラスである請求項1ないし請求項6のいず
れか1項に記載の静電容量式圧力センサ。
7. The capacitance type pressure sensor according to claim 1, wherein the electrically insulating elastic material is alumina, silicon, or glass.
【請求項8】固定基板とダイアフラムとの上に所定の電
極パターンを形成する工程と、固定基板とダイアフラム
との少なくとも一方の周縁にスペーサ層とスペーサとを
形成する工程と、固定基板とダイアフラム上の電極パタ
ーンがスペーサ層とスペーサによって分離され互いに対
向配置した状態で固定基板とダイアフラムとを結合する
工程と、を含む静電容量式圧力センサの製造方法。
8. A step of forming a predetermined electrode pattern on the fixed substrate and the diaphragm, a step of forming a spacer layer and a spacer on the periphery of at least one of the fixed substrate and the diaphragm, and the step of forming the fixed substrate and the diaphragm on the fixed substrate and the diaphragm. And a step of coupling the fixed substrate and the diaphragm in a state where the electrode pattern is separated by the spacer layer and arranged so as to face each other, and a method for manufacturing a capacitance type pressure sensor.
【請求項9】固定基板とダイアフラムとの上に所定の電
極パターンを形成する工程と、固定基板とダイアフラム
との少なくとも一方の周縁にスペーサを含有した樹脂ペ
ーストで描画してスペーサを形成する工程と、固定基板
とダイアフラムとの少なくとも一方の周縁にスペーサ層
を形成する工程と、固定基板とダイアフラム上の電極パ
ターンがスペーサ層とスペーサによって分離され互いに
対向配置した状態で脱脂・焼成して固定基板とダイアフ
ラムとを結合する工程とを含む静電容量式圧力センサの
製造方法。
9. A step of forming a predetermined electrode pattern on a fixed substrate and a diaphragm, and a step of forming a spacer by drawing a resin paste containing a spacer on at least one peripheral edge of the fixed substrate and the diaphragm. A step of forming a spacer layer on the peripheral edge of at least one of the fixed substrate and the diaphragm, and degreasing and firing in a state where the electrode patterns on the fixed substrate and the diaphragm are separated from each other by the spacer layer and the spacer and face each other. A method of manufacturing a capacitance type pressure sensor, the method including a step of coupling with a diaphragm.
【請求項10】固定基板とダイアフラムとの上に所定の
電極パターンを形成する工程と、固定基板とダイアフラ
ムとの少なくとも一方の周縁にスペーサを含有した樹脂
ペーストでスクリーン印刷してスペーサを形成する工程
と、固定基板とダイアフラムとの少なくとも一方の周縁
にスペーサ層を形成する工程と、固定基板とダイアフラ
ム上の電極パターンがスペーサ層とスペーサによって分
離され互いに対向配置した状態で脱脂・焼成して固定基
板とダイアフラムとを結合する工程とを含む静電容量式
圧力センサの製造方法。
10. A step of forming a predetermined electrode pattern on a fixed substrate and a diaphragm, and a step of forming a spacer by screen-printing with a resin paste containing a spacer on the periphery of at least one of the fixed substrate and the diaphragm. And a step of forming a spacer layer on the periphery of at least one of the fixed substrate and the diaphragm, and the fixed substrate by degreasing and firing in a state where the electrode patterns on the fixed substrate and the diaphragm are separated by the spacer layer and the spacer and face each other. A method of manufacturing an electrostatic capacitance type pressure sensor, the method including the step of coupling a diaphragm with a diaphragm.
【請求項11】固定基板とダイアフラムとの上に所定の
電極パターンを形成する工程と、固定基板とダイアフラ
ムとの少なくとも一方の周縁に樹脂ペーストで所定パタ
ーンを形成したあとスペーサを散布してスペーサを形成
する工程と、固定基板とダイアフラムとの少なくとも一
方の周縁にスペーサ層を形成する工程と、固定基板とダ
イアフラム上の電極パターンがスペーサ層とスペーサに
よって分離され互いに対向配置した状態で脱脂・焼成し
て固定基板とダイアフラムとを結合する工程とを含む静
電容量式圧力センサの製造方法。
11. A step of forming a predetermined electrode pattern on a fixed substrate and a diaphragm, and a step of forming a predetermined pattern with a resin paste on at least one peripheral edge of the fixed substrate and the diaphragm and then spraying spacers to form the spacers. The step of forming, the step of forming a spacer layer on the periphery of at least one of the fixed substrate and the diaphragm, and the degreasing and firing in a state where the electrode patterns on the fixed substrate and the diaphragm are separated by the spacer layer and the spacer and are arranged to face each other. And a step of connecting a fixed substrate and a diaphragm to each other.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10253478A (en) * 1997-01-27 1998-09-25 Texas Instr Inc <Ti> Pressure transducer and method for forming the same
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