JPH08236430A - Method and apparatus for controlling film thickness - Google Patents
Method and apparatus for controlling film thicknessInfo
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- JPH08236430A JPH08236430A JP6152095A JP6152095A JPH08236430A JP H08236430 A JPH08236430 A JP H08236430A JP 6152095 A JP6152095 A JP 6152095A JP 6152095 A JP6152095 A JP 6152095A JP H08236430 A JPH08236430 A JP H08236430A
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Abstract
Description
【０００１】本発明は、半導体集積回路装置、液晶表示
装置の作成に際して使用される、レジスト膜厚制御方法
および装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method and apparatus for controlling a resist film thickness, which is used when manufacturing a semiconductor integrated circuit device and a liquid crystal display device.
【０００２】半導体集積回路装置、液晶表示装置の作成
において、リソグラフィ工程を行うために基板へのレジ
スト塗布が必要である。この時、塗布されたレジスト膜
厚が異なると最終的な回路の寸法が変化するため、レジ
スト膜厚は所定の範囲内に制御されなければならない。
現状では、ウェハー面間のレジスト膜厚のばらつきは２
０オングストローム以下にすることが要求されている。
また、レジストメーカー、デバイスメーカー等では、レ
ジスト膜厚を変化させてレジストの特性評価を実施して
いるので、所定の膜厚のサンプルを精度よく作成する必
要がある。レジスト膜厚は塗布環境が同じであれば、ス
ピン塗布の場合には最終スピン回転数により決定され
る。このため、オペレーターは、ある回転数で塗布し、
次いで、膜厚測定装置で塗布膜厚を測定し、所望のレジ
スト膜厚になるようにトライアンドエラーで回転数の調
整を行ってきた。しかし、同一の回転数で塗布を行って
も、上記の「ウェハー面間のレジスト膜厚のばらつきが
２０オングストローム以下」という要求を満足するため
には、温度が０．１℃以内、湿度が０．５％以内の範囲
内にあることが必要とされる。しかし、塗布環境を厳密
にコントロールしても、温度や湿度を常時前記の範囲内
に保つことは困難であり、その日の温度や湿度に合わせ
て毎日スピン回転数を調節しなければならなかったのが
実情であった。本発明は、オペレーターが膜厚を測定
し、所望の膜厚が得られるよう回転数を調整しなければ
ならないという現在の現状の問題点を解決し、所望のレ
ジスト膜厚、枚数を入力するだけで、レジスト膜厚測
定、回転数調整を全自動で行う方法およびそのための装
置を提供する。In the production of semiconductor integrated circuit devices and liquid crystal display devices, it is necessary to apply a resist to a substrate in order to carry out a lithography process. At this time, if the applied resist film thickness is different, the dimensions of the final circuit are changed. Therefore, the resist film thickness must be controlled within a predetermined range.
Currently, there are 2 variations in resist film thickness between wafer surfaces.
It is required to be 0 angstrom or less.
Further, since resist maker, device maker, etc. perform resist characteristic evaluation by changing the resist film thickness, it is necessary to accurately prepare a sample having a predetermined film thickness. If the coating environment is the same, the resist film thickness is determined by the final spin rotation speed in the case of spin coating. For this reason, the operator applies at a certain rotation speed,
Next, the coating film thickness was measured with a film thickness measuring device, and the rotation speed was adjusted by trial and error so as to obtain a desired resist film thickness. However, even if the coating is performed at the same number of rotations, in order to satisfy the above-mentioned requirement that "the variation in resist film thickness between wafer surfaces is 20 angstroms or less", the temperature is within 0.1 ° C and the humidity is 0. It is required to be within the range of 0.5% or less. However, even if the coating environment was strictly controlled, it was difficult to constantly maintain the temperature and humidity within the above range, and the spin rotation number had to be adjusted every day according to the temperature and humidity of the day. Was the reality. The present invention solves the present problem that the operator has to measure the film thickness and adjust the rotation speed so as to obtain the desired film thickness, and only inputs the desired resist film thickness and number. Thus, there is provided a method for fully automatic resist film thickness measurement and rotation speed adjustment, and an apparatus therefor.
【０００３】本発明は、レジスト塗布工程において、塗
布工程中にリアルタイムで膜厚を測定し、反射強度測定
法、リアルタイム測定法のいずれかの方法によりスピン
回転数又はロールの回転数をリアルタイムで補正する膜
厚制御方法を提供する。塗布工程中にリアルタイムで膜
厚を測定して膜厚を制御する方法としては、以下の方法
が好ましい。In the resist coating process, the present invention measures the film thickness in real time during the coating process and corrects the spin rotation speed or the roll rotation speed in real time by any one of the reflection intensity measuring method and the real time measuring method. A method for controlling film thickness is provided. The following method is preferable as a method for controlling the film thickness by measuring the film thickness in real time during the coating process.
【０００４】リアルタイムレジスト膜厚測定補正法 ａ） 反射強度測定によるリアルタイム膜厚測定におけ
る回転数調整（反射強度測定法） 反射強度測定により膜厚を検出する技術は公知であり、
たとえば、特開平２−６３０６１号において本発明者ら
が開示しているように、レジスト上面から光を照射し、
検出したその反射光の強度変化をモニターして、反射光
強度の最後の極小点までの時間（ＣＰＴ）を検出し、こ
の時間の多項式として塗布時間を決定する方法が知られ
ている。この方法では、ＣＰＴ検出時間が長くなればな
るほどレジスト膜厚は薄くなる。ＣＰＴ検出時間と最終
レジスト膜厚の関係を予め求めておき、反射強度を測定
することによりＣＰＴを検出し、リアルタイムで膜厚測
定をし、所望するレジスト膜厚となるようにリアルタイ
ムでスピン塗布回転数を調整する。スピン時間はレジス
ト膜厚を決定するパラメータとはならないので回転数の
みを考慮すれば膜厚を調製することができる。Real-time resist film thickness measurement correction method a) Rotation speed adjustment in real-time film thickness measurement by reflection intensity measurement (reflection intensity measurement method) A technique for detecting a film thickness by reflection intensity measurement is known,
For example, as disclosed by the present inventors in JP-A-2-63061, light is radiated from the upper surface of the resist,
A method is known in which the change in the intensity of the detected reflected light is monitored, the time (CPT) to the final minimum point of the reflected light intensity is detected, and the coating time is determined as a polynomial of this time. In this method, the longer the CPT detection time, the thinner the resist film thickness. The relationship between the CPT detection time and the final resist film thickness is obtained in advance, the CPT is detected by measuring the reflection intensity, the film thickness is measured in real time, and spin coating rotation is performed in real time to obtain the desired resist film thickness. Adjust the number. Since the spin time is not a parameter that determines the resist film thickness, the film thickness can be adjusted by considering only the rotation speed.
【０００５】ｂ） 直接リアルタイムレジスト膜厚測定
における回転数調整（リアルタイム測定法） この方法においては、スピン回転中の基板上のレジスト
膜厚を直接非接触で測定する。そして、その時のレジス
トの測定膜厚とベーク後の最終レジスト膜厚の関係を予
め求めておいて、所望するレジスト膜厚となるように、
リアルタイムで膜厚測定を行いながらスピン塗布回転数
を増大させ、所望の膜厚となった時にスピン回転を停止
する。B) Rotational Speed Adjustment in Direct Real-time Resist Film Thickness Measurement (Real-time Measurement Method) In this method, the resist film thickness on the substrate during spin rotation is measured directly without contact. Then, the relationship between the measured film thickness of the resist at that time and the final resist film thickness after baking is determined in advance so that the desired resist film thickness is obtained.
The spin coating rotation speed is increased while the film thickness is measured in real time, and the spin rotation is stopped when the desired film thickness is reached.
【０００６】インラインレジスト膜厚測定補正法 本発明はさらに、レジスト塗布工程において、ベーク後
にレジストの膜厚を測定し、反射強度測定法、または後
述の検量線法によりスピン回転数又はロールの回転数を
次の基板に対してインライン補正する膜厚制御方法を提
供する。上記の方法においては、リアルタイムで膜厚を
測定しスピン回転数を制御したが、この方法ではベーク
後にレジストの膜厚を測定し、次の基板に対してインラ
イン補正することにより膜厚を制御する。ベーク後の実
測膜厚に基づいて補正を行うので、より高精度の制御を
行うことができる。また、前述のリアルタイムでの膜厚
制御方法における塗布終了点の決定条件に対し、上記の
方法でインライン補正を行うと、より迅速かつ高精度な
制御を行うことができる。In-line resist film thickness measurement and correction method The present invention further measures the film thickness of the resist after baking in the resist coating step and measures the spin speed or roll speed by the reflection intensity measurement method or the calibration curve method described later. There is provided a film thickness control method for performing in-line correction on the next substrate. In the above method, the film thickness was measured in real time and the spin rotation number was controlled. However, in this method, the film thickness of the resist is measured after baking, and the film thickness is controlled by performing in-line correction on the next substrate. . Since the correction is performed based on the actually measured film thickness after baking, more precise control can be performed. Further, when the in-line correction is performed by the above method with respect to the determination condition of the coating end point in the above-mentioned real-time film thickness control method, more rapid and highly accurate control can be performed.
【０００７】検量線法によるレジスト膜厚測定補正法 さらに本発明は、予め作成した検量線を膜厚測定の結果
に基づいて補正し、補正された検量線に基づいてスピン
回転数又はロールの回転数を制御する膜厚制御方法を提
供する。この方法によれば、同日におけるウェハー膜厚
のバラツキだけでなく、温度・湿度などの環境条件の異
なる長期間にわたるェハー膜厚のバラツキをも制御する
ことができる。補正・制御は以下の検量線法により行う
ことができる。コーティングの処理フローを図１に示
す。回転数Ｓ1，Ｓ2、Ｓ3，．．．．Ｓn（単位ｒｐｍ：
サンプリング数は任意に決定できる）で塗布し、ベーク
処理後にレジスト膜厚を測定する。この測定データを
（スピン回転数と膜厚）を対数グラフにプロットして、
以下の式に近似して検量線とする。 Ｓ＝ａ・Ｔb・ωc・ｔd （１） Ｓ：基板回転数 Ｔ：レジスト膜厚 ω：レジスト粘度 ｔ：環境パラメータ ａ，ｂ，ｃ，ｄ：定数Method for correcting resist film thickness measurement by calibration curve method Further, the present invention corrects a calibration curve prepared in advance based on the result of film thickness measurement, and spins the rotation speed or rolls based on the corrected calibration curve. A film thickness control method for controlling the number is provided. According to this method, it is possible to control not only the variation of the wafer film thickness on the same day but also the variation of the film thickness of the wafer over a long period of time under different environmental conditions such as temperature and humidity. Correction and control can be performed by the following calibration curve method. The coating process flow is shown in FIG. The rotation speeds S 1 , S 2 , S 3 ,. ． ． ． S n (unit rpm:
The number of samplings can be arbitrarily determined) and the resist film thickness is measured after baking. Plotting this measurement data (spin rotation speed and film thickness) on a logarithmic graph,
The calibration curve is approximated to the following formula. S = a · T b · ω c · t d (1) S: substrate rotation speed T: resist film thickness ω: resist viscosity t: environmental parameter a, b, c, d: constant
【０００８】次いで、所望するレジスト膜厚Ｔを式
（１）に代入すれば、その基板回転数Ｓが求められる。
粘度パラメータηは環境パラメータと考えることもでき
る。この検量線をコンピュータに保存しておき、呼出し
て補正して使うことができる。そうすれば異なる日に同
じサンプルを塗布する場合、保存しておいた検量線を用
いて所望の膜厚になる基板回転数を求めることができ
る。さらに、塗布室内の温度の変化等の環境パラメータ
が変化する可能性がある。そこで、環境パラメータのみ
再度補正して塗布を行えばより精度の高い塗布が可能と
なる。基板回転数とレジスト膜厚の関係を示す式に環境
パラメータを変数として導入することは新規であり、こ
のパラメータを設けることにより経日による検量線の変
化を定量化し、迅速に補正することができるようになっ
た。また、環境パラメータは別途モニターすることが可
能であり、かかるパラメータを導入することにより、あ
らゆる種類のレジストに対して式を（１）を適用するこ
とができ、より普遍的な膜厚制御方法を開発することが
できたのである。また、ローラー塗布による場合も上記
（１）式と同様の式により検量線の作成および補正を行
うことができる。Then, by substituting the desired resist film thickness T into the equation (1), the substrate rotation speed S can be obtained.
The viscosity parameter η can also be considered as an environmental parameter. This calibration curve can be saved in a computer and recalled for use. Then, when the same sample is applied on different days, it is possible to obtain the substrate rotation speed at which the desired film thickness is obtained, using the stored calibration curve. Furthermore, environmental parameters such as changes in temperature in the coating chamber may change. Therefore, if the environmental parameters are corrected again and the coating is performed, the coating can be performed with higher accuracy. Introducing environmental parameters as variables into the equation showing the relationship between substrate rotation speed and resist film thickness is new, and by setting this parameter, changes in the calibration curve due to day can be quantified and quickly corrected. It became so. In addition, environmental parameters can be monitored separately, and by introducing such parameters, equation (1) can be applied to all types of resists, and a more universal film thickness control method can be achieved. I was able to develop it. Also, in the case of roller coating, the calibration curve can be created and corrected by the same formula as the above formula (1).
【０００９】具体的には、以下の手法により行われる。 １）１ないし２のサンプルを適当な回転数で塗布し、ベー
ク後にレジスト膜厚を測定する。 ２）測定結果を保存しておいた検量線の結果と比較す
る。 ３）測定結果と検量線が合うように、検量線の環境パラ
メータｔを調整し、検量線のシフト量を決定する。この
操作は図１に示された微調整機能に当たる。また、新し
い検量線をコンピュータに保存することができる。 ４）新しい検量線に所望するレジスト膜厚を入力し、得
られた基板回転数でレジストを塗布する。 上記の操作を行うことにより、より精度の高いレジスト
塗布が可能となる。クリーンルーム中でも、その日によ
り温度および湿度が若干変動するので、その日の最初に
数枚レジスト塗布を行い、その膜厚をチェックすること
により環境パラメータを決定し、それに基づいて検量線
をシフトさせ、得られた検量線に従って膜厚を決定制御
すれば、迅速に所望の膜厚のレジストの塗布条件が決定
できる。上記の検量線法により経日間の制御を行い、前
述のリアルタイム補正法やインライン補正法により同日
間のウェハー膜厚のバラツキを制御するのが最も好まし
い制御方法である。Specifically, the following method is used. 1) Samples 1 and 2 are applied at an appropriate number of rotations, and after baking, the resist film thickness is measured. 2) Compare the measurement results with the stored calibration curve results. 3) The environmental parameter t of the calibration curve is adjusted so that the measurement result and the calibration curve match, and the shift amount of the calibration curve is determined. This operation corresponds to the fine adjustment function shown in FIG. Also, a new calibration curve can be saved in the computer. 4) Enter the desired resist film thickness into a new calibration curve, and apply the resist at the obtained substrate rotation speed. By performing the above operation, more accurate resist coating can be performed. Even in a clean room, the temperature and humidity fluctuate slightly depending on the day, so several resist coatings are applied at the beginning of the day, the environmental parameters are determined by checking the film thickness, and the calibration curve is shifted based on that to obtain If the film thickness is determined and controlled according to the calibration curve, the coating conditions of the resist having the desired film thickness can be quickly determined. The most preferable control method is to carry out control over time by the above-mentioned calibration curve method and control the variation of the wafer film thickness during the same day by the above-mentioned real-time correction method or in-line correction method.
【００１０】さらに本発明は、上記の膜厚制御方法を実
施するために好適な装置も提供する。すなわち本発明
は、レジスト塗布ユニット、ベークユニット、膜厚測定
ユニットを有し、該膜厚測定ユニットが、レジスト塗布
ユニットにおけるレジスト塗布工程中、およびベーク後
のレジスト膜厚を測定でき、測定された膜厚に基づい
て、反射強度測定法、リアルタイム測定法、検量線法の
いずれかの方法により塗布ユニットのスピン回転数又は
ロールの回転数を制御する膜厚制御装置を提供する。The present invention also provides an apparatus suitable for carrying out the above film thickness control method. That is, the present invention has a resist coating unit, a bake unit, and a film thickness measurement unit, and the film thickness measurement unit can measure the resist film thickness during the resist coating process in the resist coating unit and after baking, Provided is a film thickness control device for controlling the spin rotation speed of a coating unit or the rotation speed of a roll by any one of a reflection intensity measurement method, a real-time measurement method, and a calibration curve method based on the film thickness.
【００１１】本発明にかかる装置の具体的な構成例を図
２に示す。装置は主として塗布ユニット、ベークユニッ
ト、膜厚測定ユニットから構成される。たとえば、図２
の装置においては、スピナーカップ５にレジストをディ
スペンサー６，７，８から供給し、塗布ユニットにより
塗布し、塗布終了後、レジストはベークユニット内で加
熱硬化される。レジスト膜厚は塗布ユニット内におい
て、またはベーク処理後に、膜厚測定ユニットにより測
定することができる。塗布ユニット、ベークユニット、
および膜厚測定ユニットは、公知のものを使用すること
ができる。本発明の装置は、個々のユニットに特徴があ
るのではなく、測定された膜厚に基づいて、反射強度測
定法、リアルタイム測定法、検量線法のいずれかの方法
により塗布ユニットのスピン回転数又はロールの回転数
を制御できるように、各ユニットが関連づけられている
点に特徴を有する。すなわち、反射強度測定法およびリ
アルタイム測定法においては、膜厚の測定手段と塗布ユ
ニットが、膜厚測定データを処理し、、その結果に基づ
き塗布ユニットを制御するコンピュータにより結ばれて
いる。また、検量線法においては、検量線のデータと所
望の膜厚との関連から、一定時間で作動を停止するよう
に制御するコンピュータが塗布ユニットと結ばれてい
る。以下、実施例により本発明を説明する。これらの実
施例は例示であり、本発明の範囲を何等制限するもので
はない。FIG. 2 shows a specific example of the configuration of the device according to the present invention. The apparatus is mainly composed of a coating unit, a baking unit, and a film thickness measuring unit. For example, in Figure 2.
In this apparatus, the resist is supplied to the spinner cup 5 from the dispensers 6, 7 and 8 and is applied by the coating unit, and after the coating is completed, the resist is heated and cured in the baking unit. The resist film thickness can be measured by the film thickness measuring unit in the coating unit or after the baking treatment. Coating unit, bake unit,
As the film thickness measuring unit, a known unit can be used. The device of the present invention is not characterized by individual units, but based on the measured film thickness, the spin rotation speed of the coating unit is measured by any one of the reflection intensity measurement method, the real-time measurement method, and the calibration curve method. Alternatively, it is characterized in that each unit is associated so that the rotation speed of the roll can be controlled. That is, in the reflection intensity measuring method and the real-time measuring method, the film thickness measuring means and the coating unit are connected by a computer that processes the film thickness measurement data and controls the coating unit based on the result. Further, in the calibration curve method, a computer is connected to the coating unit to control the operation so that the operation is stopped for a certain period of time in relation to the data of the calibration curve and the desired film thickness. Hereinafter, the present invention will be described with reference to examples. These examples are illustrative and do not limit the scope of the invention in any way.
【００１２】実施例１ 本実施例は検量線測定法の実施例である。図３に、東京
応化工業社製ポジ型ホトレジストＯＦＰＲ−８００（粘
度３５ｃｐ）を使用した場合の、基板回転数とレジスト
膜厚の関係を示す。測定結果より、式（１）における各
係数、ａ，ｂ，ｃ，およびｄを決定した。 Ｓ＝ａ・Ｔb・ωc・ｔd （１） Ｓ：基板回転数 Ｔ：レジスト膜厚 ω：レジスト粘度 ｔ：環境パラメータ ａ，ｂ，ｃ，ｄ：定数 ωのレジスト粘度としては３５ｃｐを、ｔの環境パラメ
ータとしてはカップ内温度２３．５℃を使用した。得ら
れた各係数は以下の通りであった。 ａ＝０．９７７０２ｘ１０-1 ｂ＝−１．８４１５８ ｃ＝７．４４９９２ ｄ＝４．６６２５３ｘ１０-1 上記の各係数の値を使用して、所望膜厚と実測膜厚との
関係を調べた結果を図４に示す。所望膜厚と実際に得ら
れた膜厚とが非常によい相関を示すことがわかる。Example 1 This example is an example of a calibration curve measuring method. FIG. 3 shows the relationship between the substrate rotation speed and the resist film thickness when a positive photoresist OFPR-800 (viscosity 35 cp) manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. is used. Based on the measurement results, each coefficient in the formula (1), a, b, c, and d was determined. S = a · T b · ω c · t d (1) S: substrate rotation speed T: resist film thickness ω: resist viscosity t: environmental parameters a, b, c, d: constant ω resist viscosity is 35 cp 23.5 ° C. was used as the environmental parameter for the temperature t. The obtained coefficients were as follows. a = 0.97702 × 10 −1 b = −1.84158 c = 7.44992 d = 4.66253 × 10 −1 The result of investigating the relationship between the desired film thickness and the measured film thickness using the values of the above coefficients Is shown in FIG. It can be seen that the desired film thickness and the actually obtained film thickness show a very good correlation.
【００１３】実施例２ 本実施例は反射強度測定法の実施例である。回転するウ
ェハー上部５０ｍｍのところに膜厚測定用プローブを置
き、レジスト塗布中のウェハーに光を当て反射強度を測
定した。図５にスピン回転中のレジスト塗布基板におけ
る反射強度の時間的変化を示す。ここでは最後の谷をＣ
ＰＴとして検出した。図６にＣＰＴと最終レジスト膜厚
の関係を示す。使用レジストは東京応化工業社製ポジ型
ホトレジストＯＦＰＲ−８００（粘度２０ｃｐ）であ
り、スピン回転数は３０００ｒｐｍであった。この結果
よりＣＰＴを測定することにより最終レジスト膜厚を予
測できることがわかる。さらに回転数を調整することに
より所望の膜厚に調整することが可能である。表１に５
秒間、表示の回転数で追加の回転を行った時に得られた
最終膜厚を測定した。実験結果を表１に示す。Example 2 This example is an example of a reflection intensity measuring method. A probe for film thickness measurement was placed 50 mm above the rotating wafer, and light was applied to the wafer during resist coating to measure the reflection intensity. FIG. 5 shows the change over time in the reflection intensity on the resist-coated substrate during spin rotation. Here, the last valley is C
It was detected as PT. FIG. 6 shows the relationship between CPT and final resist film thickness. The resist used was positive photoresist OFPR-800 (viscosity 20 cp) manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd., and the spin rotation speed was 3000 rpm. From this result, it is understood that the final resist film thickness can be predicted by measuring the CPT. Further, it is possible to adjust the film thickness to a desired value by adjusting the rotation speed. 5 in Table 1
The final film thickness obtained when additional rotation was performed at the indicated number of rotations per second was measured. The experimental results are shown in Table 1.
【００１４】[0014]
【表１】 追加回転数（ｒｐｍ） 最終膜厚（オングストローム） ０ １０４２０ ５０ １０３９７ １００ １０３７２ １５０ １０３５５[Table 1] Additional rotation speed (rpm) Final film thickness (angstrom) 0 10420 50 50 9797 100 10372 150 10355
【図１】コーティングの処理フローを示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a coating processing flow.
【図２】本発明にかかる装置の具体的な構成例を示す図
である。FIG. 2 is a diagram showing a specific configuration example of an apparatus according to the present invention.
【図３】基板回転数とレジスト膜厚の関係を示す図であ
る。FIG. 3 is a diagram showing a relationship between a substrate rotation speed and a resist film thickness.
【図４】実施例１における、所望膜厚と実測膜厚との関
係を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a relationship between a desired film thickness and an actually measured film thickness in Example 1.
【図５】実施例２における、スピン回転中のレジスト塗
布基板における反射強度の時間的変化を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing a temporal change in reflection intensity on a resist-coated substrate during spin rotation in Example 2.
【図６】実施例２における、ＣＰＴと最終レジスト膜厚
の関係を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing the relationship between CPT and final resist film thickness in Example 2.
１：ホットプレートベーク ２：膜厚測定装置 ３：ロボットアーム ４：ローダー兼アンローダー ５：スピナーカップ ６：レジストディスペンサー 系統１ ７：レジストディスペンサー 系統２ ８：レジストディスペンサー 系統３ ９：ＰＣ、ＣＲＴ、プリンター 1: hot plate bake 2: film thickness measuring device 3: robot arm 4: loader / unloader 5: spinner cup 6: resist dispenser system 1 7: resist dispenser system 2 8: resist dispenser system 3 9: PC, CRT, printer
Claims (4)
にリアルタイムで膜厚を測定し、反射強度測定法、リア
ルタイム測定法のいずれかの方法によりスピン回転数又
はロールの回転数をリアルタイムで補正する膜厚制御方
法。1. A film in which a film thickness is measured in real time during a coating process in a resist coating process, and a spin speed or a roll speed is corrected in real time by any one of a reflection intensity measuring method and a real time measuring method. Thickness control method.
レジストの膜厚を測定し、反射強度測定法、検量線法の
いずれかの方法によりスピン回転数又はロールの回転数
を次の基板に対してインライン補正する膜厚制御方法。2. In the resist coating step, the resist film thickness is measured after baking, and the spin rotation speed or roll rotation speed is inline with respect to the next substrate by any one of the reflection intensity measuring method and the calibration curve method. A film thickness control method for correction.
の回転数とレジスト膜厚との関係を示す検量線を、膜厚
測定の結果に基づいて補正し、補正された検量線に基づ
いてスピン回転数又はロールの回転数を制御する膜厚制
御方法。3. A calibration curve showing a relationship between a spin rotation speed or a rotation speed of a roll and a resist film thickness prepared in advance is corrected based on a result of film thickness measurement, and spin rotation is performed based on the corrected calibration curve. A film thickness control method for controlling the number of rollers or the rotation speed of a roll.
ト、膜厚測定ユニットを有し、該膜厚測定ユニットが、
レジスト塗布ユニットにおけるレジスト塗布工程中、お
よびベーク後のレジスト膜厚を測定でき、測定された膜
厚に基づいて、反射強度測定法、リアルタイム測定法、
検量線法のいずれかの方法により塗布ユニットのスピン
回転数又はロールの回転数を制御する膜厚制御装置。4. A resist coating unit, a bake unit, and a film thickness measuring unit, the film thickness measuring unit comprising:
During the resist coating process in the resist coating unit, and the resist film thickness after baking can be measured, based on the measured film thickness, reflection intensity measurement method, real-time measurement method,
A film thickness control device for controlling the spin rotation speed of a coating unit or the rotation speed of a roll by any of the calibration curve methods.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06152095A JP3960633B2 (en) | 1995-02-27 | 1995-02-27 | Film thickness control method and apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06152095A JP3960633B2 (en) | 1995-02-27 | 1995-02-27 | Film thickness control method and apparatus |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08236430A true JPH08236430A (en) | 1996-09-13 |
| JP3960633B2 JP3960633B2 (en) | 2007-08-15 |
Family
ID=13173457
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06152095A Expired - Fee Related JP3960633B2 (en) | 1995-02-27 | 1995-02-27 | Film thickness control method and apparatus |
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1995
- 1995-02-27 JP JP06152095A patent/JP3960633B2/en not_active Expired - Fee Related
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| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
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