JPH08220550A - Liquid crystal injection method for liquid crystal cell - Google Patents
Liquid crystal injection method for liquid crystal cellInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、液晶セルに対する液晶
注入方法に係り、特に、液晶のうち強誘電性液晶や反強
誘電性液晶等のスメクチック液晶の液晶セルに対する液
晶注入方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for injecting a liquid crystal into a liquid crystal cell, and more particularly to a method for injecting a smectic liquid crystal such as a ferroelectric liquid crystal or an antiferroelectric liquid crystal into a liquid crystal cell.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、例えば、強誘電性液晶を液晶セル
に注入するに際しては、当該強誘電性液晶を加熱してス
メクチック相から低粘度の液体状態に変化させ、この液
体状態になった液晶を、１０-5Ｔｏｒｒ程度の真空状態
に脱気した液晶セルの液晶注入口に付着させ、その後、
液晶セルの周囲を大気圧に戻して液晶セルの内外に差圧
を生じさせることにより、液体状態の強誘電性液晶を液
晶セル内に吸引させて注入するようにしている。2. Description of the Related Art Conventionally, for example, when injecting a ferroelectric liquid crystal into a liquid crystal cell, the ferroelectric liquid crystal is heated to change it from a smectic phase to a low-viscosity liquid state, and the liquid crystal becomes the liquid state. Is attached to the liquid crystal injection port of the liquid crystal cell that has been degassed to a vacuum state of about 10 −5 Torr, and then
The surroundings of the liquid crystal cell are returned to atmospheric pressure to generate a differential pressure inside and outside the liquid crystal cell, so that the ferroelectric liquid crystal in the liquid state is sucked and injected into the liquid crystal cell.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】ところで、強誘電性液
晶を採用する液晶セル内のギャップは、ＴＮ型液晶セル
に比べて非常に薄いため、液晶注入抵抗が大きい。この
ため、液晶セル内の奥の部分、即ち先端の部分に、強誘
電性液晶の未充填部分が生じる。また、液晶セルを構成
する両基板の形成材料と強誘電性液晶との間に熱膨張率
の差があるため、同様に、液晶セル内に強誘電性液晶の
未充填部分が生じる。By the way, since the gap in the liquid crystal cell using the ferroelectric liquid crystal is much thinner than that in the TN type liquid crystal cell, the liquid crystal injection resistance is large. Therefore, an unfilled portion of the ferroelectric liquid crystal occurs in the inner portion of the liquid crystal cell, that is, the tip portion. Further, since there is a difference in coefficient of thermal expansion between the forming material of both substrates forming the liquid crystal cell and the ferroelectric liquid crystal, a portion not filled with the ferroelectric liquid crystal similarly occurs in the liquid crystal cell.
【０００４】従って、上述のような液晶セル内の強誘電
性液晶の未充填部分が、液晶セルに表示不良部分を発生
させる原因となっている。これに対しては、特開平５−
３１３１１０号公報にて示されているように、液晶セル
内の未充填部分に対する強誘電性液晶の充填を促すため
に、強誘電性液晶の注入末期において、大気圧よりも高
い圧力を液晶セルの周囲に加え、液晶セルの内外間の圧
力差を大きくすることも考えられる。Therefore, the unfilled portion of the ferroelectric liquid crystal in the liquid crystal cell as described above causes the defective display portion in the liquid crystal cell. For this, Japanese Patent Laid-Open No. 5-
As disclosed in Japanese Patent No. 313110, in order to promote the filling of the ferroelectric liquid crystal into the unfilled portion in the liquid crystal cell, a pressure higher than atmospheric pressure is applied to the liquid crystal cell at the end of injection of the ferroelectric liquid crystal. It is possible to increase the pressure difference between the inside and outside of the liquid crystal cell in addition to the surroundings.
【０００５】しかし、このような方法では、上記加圧状
態が、主として、室温近傍における強誘電性液晶のＳｍ
Ｃ* 相よりも体積膨張している液体状態（ＩＳＯ状態）
にて行われる。このため、液晶セルに対する強誘電性液
晶の充填密度の大きさが不十分となる。従って、液晶セ
ルの温度を室温に戻すに伴い、液晶セル内の強誘電性液
晶がＳｍＣ* 相に相転移して体積収縮を起こしたとき、
上述と同様に、液晶セル内に、強誘電性液晶の未充填部
分が生じるという不具合を招く。However, in such a method, the above-mentioned pressurized state is mainly due to the Sm of the ferroelectric liquid crystal near room temperature.
Liquid state (ISO state) that is more expanded in volume than C * phase
Will be held in. Therefore, the filling density of the ferroelectric liquid crystal in the liquid crystal cell becomes insufficient. Therefore, when the temperature of the liquid crystal cell is returned to room temperature, when the ferroelectric liquid crystal in the liquid crystal cell undergoes a phase transition to the SmC * phase to cause volume contraction,
Similar to the above, there is a problem that an unfilled portion of the ferroelectric liquid crystal is generated in the liquid crystal cell.
【０００６】この場合、上記加圧状態の終わりにおい
て、強誘電性液晶を液体状態からコレステリック相（Ｃ
ｈ相）に相転移させているが、これによっても、液晶セ
ルに対する強誘電性液晶の充填密度の大きさが、なお、
不十分であって、上記不具合を解消することはできな
い。また、強誘電性液晶に代えて、反強誘電性液晶を採
用した場合、この反強誘電性液晶の相転移過程ではコレ
ステリック相が生じないため、上述した不具合は、強誘
電性液晶の場合に比べて、さらに著しいといえる。In this case, at the end of the pressurized state, the ferroelectric liquid crystal is changed from the liquid state to the cholesteric phase (C
(h phase), but due to this, the filling density of the ferroelectric liquid crystal in the liquid crystal cell is still
It is not enough to solve the above problems. Further, when an antiferroelectric liquid crystal is adopted instead of the ferroelectric liquid crystal, a cholesteric phase does not occur in the phase transition process of the antiferroelectric liquid crystal. In comparison, it can be said that it is even more remarkable.
【０００７】そこで、本発明は、以上のようなことに対
処すべく、スメクチック液晶の液晶セルに対する注入
を、液晶セル内における液晶未充填領域を無くするよう
に行う液晶注入方法を提供することを目的とする。In view of the above, the present invention provides a liquid crystal injecting method for injecting smectic liquid crystal into a liquid crystal cell so as to eliminate a liquid crystal unfilled region in the liquid crystal cell. To aim.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に記載の発明においては、請求項１に記載
の発明においては、スメクチック液晶を液晶セルに注入
する液晶注入方法において、スメクチック液晶の液晶セ
ル（１０）への注入後、この液晶セル内のスメクチック
液晶を液体状態に相転移させ、新たなスメクチック液晶
をその液体状態にて加圧により液晶セル（１０）内に充
填することを特徴とする液晶セルに対する液晶注入方法
が提供される。In order to achieve the above object, in the invention described in claim 1, in the invention described in claim 1, a smectic liquid crystal injection method for injecting smectic liquid crystal into a liquid crystal cell is provided. After injecting the liquid crystal into the liquid crystal cell (10), the smectic liquid crystal in the liquid crystal cell undergoes a phase transition to a liquid state, and a new smectic liquid crystal in the liquid state is filled into the liquid crystal cell (10) by pressurization. A method for injecting liquid crystal into a liquid crystal cell is provided.
【０００９】また、請求項２に記載の発明では、請求項
１に記載の液晶セルに対する液晶注入方法において、液
晶セル（１０）内への充填後、この液晶セル内のスメク
チック液晶をスメクチック相に相転移させることを特徴
とする。また、請求項３に記載の発明では、請求項１又
は２に記載の液晶セルに対する液晶注入方法において、
スメクチック液晶が強誘電性液晶及び反強誘電性液晶の
一方であることを特徴とする。Further, in the invention described in claim 2, in the liquid crystal injection method for the liquid crystal cell according to claim 1, after filling the liquid crystal cell (10), the smectic liquid crystal in the liquid crystal cell is changed to a smectic phase. It is characterized by causing a phase transition. Moreover, in the invention described in claim 3, in the liquid crystal injection method for the liquid crystal cell according to claim 1 or 2,
The smectic liquid crystal is one of a ferroelectric liquid crystal and an antiferroelectric liquid crystal.
【００１０】また、請求項４に記載の発明では、液晶セ
ル（１０）を減圧状態におく第１工程（Ｓ２）と、液晶
セル（１０）をその外部にて前記減圧状態から解放させ
ることにより、液体状態のスメクチック液晶を液晶セル
（１０）内に吸引させて注入する第２工程（Ｓ３、Ｓ
４）と、液晶セル（１０）内のスメクチック液晶をその
液体状態から他の相状態に相転移させる第３工程（Ｓ
５）と、この第３工程後、液晶セル（１０）内のスメク
チック液晶を液体状態に戻す第４工程（Ｓ６）と、新た
なスメクチック液晶をその液体状態にて加圧により液晶
セル（１０）内に充填する第５工程（Ｓ７）とを備える
液晶セルに対する液晶注入方法が提供される。In the invention according to claim 4, the liquid crystal cell (10) is depressurized in the first step (S2), and the liquid crystal cell (10) is released from the depressurized state outside thereof. The second step (S3, S) of sucking and injecting the liquid state smectic liquid crystal into the liquid crystal cell (10)
4) and the third step of changing the smectic liquid crystal in the liquid crystal cell (10) from its liquid state to another phase state (S).
5) and, after the third step, a fourth step (S6) of returning the smectic liquid crystal in the liquid crystal cell (10) to a liquid state, and a new smectic liquid crystal in the liquid state is pressed to the liquid crystal cell (10). A liquid crystal injection method for a liquid crystal cell is provided, which comprises a fifth step (S7) of filling the inside.
【００１１】また、請求項５に記載の発明では、請求項
４に記載の液晶セルに対する液晶注入方法において、液
晶セル（１０）内への充填後、この液晶セル内のスメク
チック液晶をスメクチック相に相転移させる第６工程
（Ｓ８、Ｓ９）を備えることを特徴とする。また、請求
項６に記載の発明では、請求項４又は５に記載の液晶セ
ルに対する液晶注入方法において、スメクチック液晶が
反強誘電性液晶であることを特徴とする。According to a fifth aspect of the present invention, in the liquid crystal injection method for the liquid crystal cell according to the fourth aspect, after filling the liquid crystal cell (10), the smectic liquid crystal in the liquid crystal cell is changed to a smectic phase. It is characterized by comprising a sixth step (S8, S9) of causing a phase transition. Further, in the invention described in claim 6, in the liquid crystal injection method for the liquid crystal cell according to claim 4 or 5, the smectic liquid crystal is an antiferroelectric liquid crystal.
【００１２】また、請求項７に記載の発明では、請求項
５に記載の液晶セルに対する液晶注入方法において、ス
メクチック液晶が反強誘電性液晶であり、反強誘電性液
晶のスメクチック相への相転移が、液晶セル（１０）内
に液晶未充填領域を発生させない程度に前記反強誘電性
液晶の体積収縮を抑制して行われることを特徴とする。According to the invention described in claim 7, in the method for injecting liquid crystal into the liquid crystal cell according to claim 5, the smectic liquid crystal is an antiferroelectric liquid crystal, and the phase of the antiferroelectric liquid crystal is changed to a smectic phase. The transition is performed while suppressing the volume shrinkage of the antiferroelectric liquid crystal to such an extent that a liquid crystal unfilled region is not generated in the liquid crystal cell (10).
【００１３】なお、上記各構成要素のカッコ内の符号
は、後述する実施例記載の具体的構成要素との対応関係
を示すものである。The reference numerals in parentheses of the above-mentioned respective constituent elements show the corresponding relationship with the concrete constituent elements described in the embodiments described later.
【００１４】[0014]
【発明の作用効果】上記請求項１〜３に記載の発明によ
れば、スメクチック液晶の液晶セルへの注入後、この液
晶セル内のスメクチック液晶を液体状態に相転移させた
上で、新たなスメクチック液晶をその液体状態にて加圧
により液晶セル内に充填する。これにより、新たなスメ
クチック液晶の充填前において、スメクチック液晶の注
入済みの液晶セル内に液晶未充填領域があっても、この
液晶未充填領域を無くするように、液晶セル内全体に亘
りスメクチック液晶を充填できる。その結果、液晶セル
の表示不良部分の発生を防止できる。According to the invention described in claims 1 to 3, after the smectic liquid crystal is injected into the liquid crystal cell, the smectic liquid crystal in the liquid crystal cell is allowed to undergo a phase transition to a liquid state, and then a new liquid crystal is produced. The smectic liquid crystal is filled in the liquid crystal cell by applying pressure in its liquid state. As a result, even if there is a liquid crystal unfilled region in the liquid crystal cell in which the smectic liquid crystal has been filled before the new smectic liquid crystal is filled, the smectic liquid crystal is entirely filled in the liquid crystal cell so as to eliminate the liquid crystal unfilled region. Can be filled. As a result, it is possible to prevent the occurrence of a defective display portion of the liquid crystal cell.
【００１５】また、請求項４〜６に記載の発明によれ
ば、液晶セルを、減圧後、その外部にて当該減圧から解
放させて、液体状態のスメクチック液晶を液晶セル内に
吸引させて注入する。然る後、液晶セル内のスメクチッ
ク液晶をその液体状態から他の相状態に相転移させた
上、液晶セル内のスメクチック液晶を液体状態に戻す。
ついで、新たなスメクチック液晶をその液体状態にて加
圧により液晶セル内に充填する。Further, according to the invention described in claims 4 to 6, after the liquid crystal cell is depressurized, the liquid crystal cell is released from the depressurized pressure outside thereof, and the smectic liquid crystal in a liquid state is sucked and injected into the liquid crystal cell. To do. After that, the smectic liquid crystal in the liquid crystal cell undergoes a phase transition from the liquid state to another phase state, and then the smectic liquid crystal in the liquid crystal cell is returned to the liquid state.
Then, a new smectic liquid crystal is filled in the liquid crystal cell by applying pressure in the liquid state.
【００１６】これにより、請求項１に記載の発明と同様
の効果を達成できる。また、請求項７に記載の発明によ
うに、反強誘電性液晶のスメクチック相への相転移が、
液晶セル内に液晶未充填領域を発生させない程度に反強
誘電性液晶の体積収縮を抑制して行われれば、液晶未充
填領域の再発防止に有効である。As a result, the same effect as that of the first aspect of the invention can be achieved. Further, as in the invention described in claim 7, the phase transition of the antiferroelectric liquid crystal to the smectic phase is
If the volume shrinkage of the antiferroelectric liquid crystal is suppressed to the extent that the liquid crystal unfilled region is not generated in the liquid crystal cell, it is effective in preventing recurrence of the liquid crystal unfilled region.
【００１７】[0017]
【実施例】以下、本発明の第１実施例を図面により説明
する。図１は、本発明に係る液晶注入方法を主として示
す工程図である。まず、液晶セル形成工程Ｓ１におい
て、反強誘電性液晶が注入されていない液晶セル１０
（図４参照）を次のようにして形成する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A first embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a process chart mainly showing the liquid crystal injection method according to the present invention. First, in the liquid crystal cell forming step S1, the liquid crystal cell 10 in which the antiferroelectric liquid crystal is not injected
(See FIG. 4) is formed as follows.
【００１８】両ガラス基板の一方に透明導電膜を成膜し
た後、この透明導電膜にフォトリソグラフィックパター
ン形成技術を施して複数条の電極を形成する。そして、
これら各電極を介して一方のガラス基板に絶縁膜を成膜
する。ついで、この絶縁膜に配向膜を形成してラビング
処理を施す。そして、この一方のガラス基板に上記配向
膜の周囲にて熱硬化性エポキシ系接着剤によりシール
（図４にて符号１１により示す）を形成する。これによ
り、液晶セル１０のコモン基板１０ａが形成される。After forming a transparent conductive film on one of both glass substrates, a photolithographic pattern forming technique is applied to this transparent conductive film to form a plurality of electrodes. And
An insulating film is formed on one glass substrate via these electrodes. Then, an alignment film is formed on this insulating film and a rubbing process is performed. Then, on one of the glass substrates, a seal (indicated by reference numeral 11 in FIG. 4) is formed around the alignment film with a thermosetting epoxy adhesive. As a result, the common substrate 10a of the liquid crystal cell 10 is formed.
【００１９】なお、シール１１は、両防止壁１１ｂを備
えており、これら両防止壁１１ｂは、液晶注入口１１ａ
の両側にて、コモン基板１０ａの対向基板１０ｂ（後述
する）からの延出板部上に延出形成される。他方のガラ
ス基板にも同様にして複数条の電極及び配向膜を形成す
る。そして、この配向膜上にスペーサ（１．７μｍ程度
の径を有する）及びエポキシ系接着粒子（５．５μｍ程
度の径を有する）を散布する。これにより、液晶セル１
０の対向基板１０ｂが形成される。なお、スペーサの散
布密度は、５００個／ｍｍ2程度とし、また、エポキシ
系接着粒子の散布密度は、５０個／ｍｍ2 程度とする。The seal 11 is provided with both prevention walls 11b, and these prevention walls 11b are the liquid crystal injection port 11a.
On both sides of the common substrate 10a, the common substrate 10a is formed so as to extend on the extension plate portion from the counter substrate 10b (described later). Similarly, a plurality of electrodes and an alignment film are formed on the other glass substrate. Then, spacers (having a diameter of about 1.7 μm) and epoxy-based adhesive particles (having a diameter of about 5.5 μm) are scattered on the alignment film. Thereby, the liquid crystal cell 1
The counter substrate 10b of 0 is formed. The spacers have a density of about 500 particles / mm 2 , and the epoxy-based adhesive particles have a density of about 50 particles / mm 2 .
【００２０】然る後、上記両ガラス基板をシール、スペ
ーサ及びエポキシ系接着粒子を介し重ね合わせて、１８
０℃にて１時間の間０．５ｋｇ／ｃｍ2 の加圧状態にて
上記シールを硬化させる。これにより、液晶セル１０の
形成が完了する。減圧工程Ｓ２においては、図４にて示
す液晶注入装置２０を利用し、次のようにして液晶セル
１０の内外部を減圧して真空状態にする。After that, both glass substrates are laminated with a seal, a spacer and epoxy-based adhesive particles interposed therebetween, and 18
The seal is cured at 0 ° C. for 1 hour under a pressure of 0.5 kg / cm 2 . This completes the formation of the liquid crystal cell 10. In the depressurizing step S2, the liquid crystal injection device 20 shown in FIG. 4 is used to depressurize the inside and outside of the liquid crystal cell 10 to a vacuum state as follows.
【００２１】ここで、液晶注入装置２０は、恒温チャン
バ２１を備えており、この恒温チャンバ２１の内部は、
ヒータ２２により０℃〜２００℃の範囲で加熱されるよ
うになっている。また、液晶注入装置２０は、真空ポン
プ２３を備えており、この真空ポンプ２３は、バルブ２
４を介し恒温チャンバ２１内に接続されている。この真
空ポンプ２３は、恒温チャンバ２１の内部を１０-6Ｔｏ
ｒｒの真空度まで減圧することができる。Here, the liquid crystal injection device 20 is provided with a constant temperature chamber 21, and the inside of the constant temperature chamber 21 is
It is adapted to be heated by the heater 22 in the range of 0 ° C to 200 ° C. Further, the liquid crystal injection device 20 includes a vacuum pump 23, and the vacuum pump 23 includes the valve 2
It is connected to the inside of the constant temperature chamber 21 via 4. The vacuum pump 23 has a temperature of 10 −6 To
The pressure can be reduced to a vacuum degree of rr.
【００２２】また、液晶注入装置２０は、真空計２５及
び温度計２６を備えており、真空計２５は、恒温チャン
バ２１の内部に生ずる圧力を測定する。また、温度計２
６は、恒温チャンバ２１内における液晶セル１０の表面
温度を測定する。しかして、このように構成した真空装
置２０の恒温チャンバ２１内に液晶セル１０を図４にて
示すごとく各治具２７により位置決めして配置する。こ
のとき、液晶セル１０の対向基板１０ｂがコモン基板１
０ａの上に位置するように、恒温チャンバ２１の底壁上
に置く。また、コモン基板１０ａの延出板部上には、反
強誘電性液晶が、両防止壁１１ｂの間にて付着されてい
る（図４にて符号１３参照）。このとき、恒温チャンバ
２１の内部は大気圧及び常温になっている。The liquid crystal injection device 20 is also provided with a vacuum gauge 25 and a thermometer 26, and the vacuum gauge 25 measures the pressure generated inside the constant temperature chamber 21. Also, the thermometer 2
6 measures the surface temperature of the liquid crystal cell 10 in the constant temperature chamber 21. Then, the liquid crystal cell 10 is positioned and arranged by the jigs 27 in the constant temperature chamber 21 of the vacuum device 20 configured as described above, as shown in FIG. At this time, the counter substrate 10b of the liquid crystal cell 10 is the common substrate 1
0a is placed on the bottom wall of the constant temperature chamber 21. Further, an antiferroelectric liquid crystal is attached between the both prevention walls 11b on the extension plate portion of the common substrate 10a (see reference numeral 13 in FIG. 4). At this time, the inside of the constant temperature chamber 21 is at atmospheric pressure and room temperature.
【００２３】このような状態にて、バルブ２４を開いて
真空ポンプ２３により恒温チャンバ２１の内部を減圧す
る。この減圧は、圧力と時間との関係を表す圧力−時間
プログラムＰ１（図２参照）の点Ａから点Ｂにかけてな
される。この場合、点Ａから点Ａ’まで、即ち、大気圧
から１０Ｔｏｒｒまでは、３０分程度かけて減圧を行
う。In this state, the valve 24 is opened and the inside of the constant temperature chamber 21 is decompressed by the vacuum pump 23. This depressurization is performed from point A to point B of the pressure-time program P1 (see FIG. 2) representing the relationship between pressure and time. In this case, from point A to point A ', that is, from atmospheric pressure to 10 Torr, decompression is performed for about 30 minutes.
【００２４】これにより、急激な圧力変化が抑制される
ので、コモン基板１０ａ及び対向基板１０ｂからのエポ
キシ系接着粒子の剥がれによるセルギャップむらの発生
が防止され得る。なお、点Ａ’から点Ｂまでは、減圧速
度を特定することなく減圧を行う。然る後、加熱工程Ｓ
３において、液晶セル１０の延出板部に付着している反
強誘電性液晶がスメクチック相から液体状態（ＩＳＯ状
態）に相転移するように、恒温チャンバ２１の内部を、
ヒータ２２により、１２０℃まで加熱する。この加熱
は、温度と時間との関係を表す温度−時間プログラムＴ
１（図２参照）の点ａから点ｂにかけてなされる。As a result, a rapid pressure change is suppressed, so that it is possible to prevent the occurrence of the cell gap unevenness due to the peeling of the epoxy adhesive particles from the common substrate 10a and the counter substrate 10b. From point A'to point B, decompression is performed without specifying the decompression rate. After that, heating step S
3, the inside of the constant temperature chamber 21 is changed so that the antiferroelectric liquid crystal attached to the extending plate portion of the liquid crystal cell 10 undergoes a phase transition from the smectic phase to the liquid state (ISO state).
It is heated up to 120 ° C. by the heater 22. This heating is a temperature-time program T that represents the relationship between temperature and time.
1 (see FIG. 2) from point a to point b.
【００２５】これにより、反強誘電性液晶がＩＳＯ状態
になると、この反強誘電性液晶の粘度が低下する。そし
て、この反強誘電性液晶が流動してシール１１の液晶注
入口１１ａを塞ぐ。ついで、圧力戻し工程Ｓ４におい
て、恒温チャンバ２１の内部を、バルブ２４及び真空ポ
ンプ２３を通して大気に開放して大気圧まで戻す。この
戻し過程は、図２の圧力−時間プログラムＰ１の点Ｃか
ら点Ｄに沿い、恒温チャンバ２１の内部の圧力を大気圧
まで３時間かけて行う。As a result, when the antiferroelectric liquid crystal is in the ISO state, the viscosity of this antiferroelectric liquid crystal decreases. Then, the antiferroelectric liquid crystal flows to close the liquid crystal injection port 11a of the seal 11. Next, in the pressure returning step S4, the inside of the constant temperature chamber 21 is opened to the atmosphere through the valve 24 and the vacuum pump 23 and returned to the atmospheric pressure. This returning process is performed from point C to point D of the pressure-time program P1 in FIG. 2 along with the pressure inside the constant temperature chamber 21 up to the atmospheric pressure over 3 hours.
【００２６】このような圧力の戻し過程においては、液
晶セル１０の周囲の圧力が液晶セル１０内の圧力よりも
高くなるので、この差圧により、液体状態の反強誘電性
液晶が液晶セル１０内に液晶注入口１１ａから吸引注入
される。但し、このような注入状態は、反強誘電性液晶
の液晶セル１０内への注入が完了するまで、温度−時間
プログラムＴ１の点ｂ〜点ｃにおける圧力−時間プログ
ラムＰ１の点Ｄ後の部分にて示すごとく、２時間程維持
される。In the process of returning the pressure, the pressure around the liquid crystal cell 10 becomes higher than the pressure inside the liquid crystal cell 10, and the differential pressure causes the antiferroelectric liquid crystal in the liquid state to move to the liquid crystal cell 10. The liquid crystal is injected into the inside through the liquid crystal injection port 11a. However, such an injection state is a portion after the point D of the pressure-time program P1 at the points b to c of the temperature-time program T1 until the injection of the antiferroelectric liquid crystal into the liquid crystal cell 10 is completed. It will be maintained for about 2 hours as shown in.
【００２７】次に、冷却工程Ｓ５において、恒温チャン
バ２１の内部を大気圧に維持したまま、当該恒温チャン
バ２１の内部の温度を温度−時間プログラムＴ１の点ｃ
〜点ｄに沿い低下させ常温に戻す。これにより、液晶セ
ル１０内に注入した反強誘電性液晶が液体状態からスメ
クチック相に戻る。なお、上述した各工程における液晶
セル１０の温度及び恒温チャンバ２１の内部の圧力は、
温度計２６及び真空計２５により視認される。Next, in the cooling step S5, the temperature inside the constant temperature chamber 21 is kept at atmospheric pressure, and the temperature inside the constant temperature chamber 21 is changed to the point c of the temperature-time program T1.
~ Reduce along point d to return to normal temperature. As a result, the antiferroelectric liquid crystal injected into the liquid crystal cell 10 returns from the liquid state to the smectic phase. The temperature of the liquid crystal cell 10 and the pressure inside the constant temperature chamber 21 in each of the above-mentioned steps are
It is visually recognized by the thermometer 26 and the vacuum gauge 25.
【００２８】ところで、上記冷却工程Ｓ５における液晶
セル１０内への反強誘電性液晶の注入完了時には、液晶
セル１０の内部の奥に液晶未充填部分が残っている場合
がある。このため、液晶セル１０内への強誘電性液晶の
充填密度を高めるとともに液晶セル１０内の液晶未充填
部分を無くする必要がある。そこで、図５にて示す加圧
装置３０を利用して、以下の各工程による処理をさらに
行う。By the way, when the injection of the antiferroelectric liquid crystal into the liquid crystal cell 10 is completed in the cooling step S5, a liquid crystal unfilled portion may remain inside the liquid crystal cell 10. Therefore, it is necessary to increase the filling density of the ferroelectric liquid crystal in the liquid crystal cell 10 and to eliminate the liquid crystal unfilled portion in the liquid crystal cell 10. Therefore, the pressurizing device 30 shown in FIG. 5 is used to further perform the following processes.
【００２９】ここで、加圧装置３０は、圧力チャンバ３
１を備えており、この圧力チャンバ３１の内部は、プレ
ートヒータ３２により０℃〜２００℃の範囲で加熱され
るようになっている。なお、プレートヒータ３２は、コ
字状のプレート３２ａ内にヒータ部３２ｂを配置して構
成されている。また、加圧装置３０は、ガスボンベ３３
を備えており、このガスボンベ３３は、バルブ３４を介
し圧力チャンバ３１内に接続されている。このガスボン
ベ３３は、窒素ガス等の不活性ガスを、バルブ３４を通
し圧力チャンバ３１内に圧送し、この圧力チャンバ３１
の内部に５ｋｇ／ｃｍ2 程度まで加圧できるようになっ
ている。Here, the pressurizing device 30 includes the pressure chamber 3
1, the inside of the pressure chamber 31 is heated by the plate heater 32 in the range of 0 ° C. to 200 ° C. The plate heater 32 is configured by arranging a heater portion 32b in a U-shaped plate 32a. In addition, the pressurizing device 30 includes a gas cylinder 33.
The gas cylinder 33 is connected to the inside of the pressure chamber 31 via a valve 34. The gas cylinder 33 pressure-feeds an inert gas such as nitrogen gas into the pressure chamber 31 through a valve 34.
The inside of the can be pressurized up to about 5 kg / cm 2 .
【００３０】また、この加圧装置３０は、圧力計３５及
び温度計３６を備えており、圧力計３５は、圧力チャン
バ３１の内部に生ずる圧力を測定する。また、温度計３
６は、圧力チャンバ３１内における液晶セル１０の表面
温度を測定する。しかして、加熱工程Ｓ６において、上
述のように構成した加圧装置３０の圧力チャンバ３１内
に、冷却工程Ｓ５による処理後の液晶セル１０を、図５
にて示すごとく、プレートヒータ３２のプレート３２ａ
上に載置する。このとき、コモン基板１０ａの延出板部
上には、両防止壁１１ｂの間にて、液晶セル１０内に充
填すべき新たな反強誘電性液晶が付着している（図５に
て符号１３ａ参照）。Further, the pressurizing device 30 is provided with a pressure gauge 35 and a thermometer 36, and the pressure gauge 35 measures the pressure generated inside the pressure chamber 31. Also, thermometer 3
6 measures the surface temperature of the liquid crystal cell 10 in the pressure chamber 31. Then, in the heating step S6, the liquid crystal cell 10 after the treatment in the cooling step S5 is placed in the pressure chamber 31 of the pressurizing device 30 configured as described above.
As shown in, the plate 32a of the plate heater 32
Place on top. At this time, a new antiferroelectric liquid crystal to be filled in the liquid crystal cell 10 is attached on the extension plate portion of the common substrate 10a between the both prevention walls 11b (reference numeral in FIG. 5). 13a).
【００３１】このような状態にて、液晶セル１０に付着
している反強誘電性液晶がスメクチック相から液体状態
（ＩＳＯ状態）に相転移するように、圧力チャンバ３１
の内部を、プレートヒータ３２により、１２０℃まで加
熱する。この加熱は、温度と時間との関係を表す温度−
時間プログラムＴ２（図３参照）の点ｅから点ｆにかけ
てなされる。In such a state, the pressure chamber 31 is arranged so that the antiferroelectric liquid crystal attached to the liquid crystal cell 10 undergoes a phase transition from the smectic phase to the liquid state (ISO state).
The inside of is heated up to 120 ° C. by the plate heater 32. This heating is a temperature-representing the relationship between temperature and time.
It is performed from point e to point f of the time program T2 (see FIG. 3).
【００３２】これにより、反強誘電性液晶がＩＳＯ状態
になると、この反強誘電性液晶の粘度が低下する。そし
て、この反強誘電性液晶が流動してシール１１の液晶注
入口１１ａを塞ぐ。その後、加圧工程Ｓ７において、バ
ルブ３４を開いてガスボンベ３３により圧力チャンバ３
１内に不活性ガスを圧送する。この加圧は、圧力と時間
との関係を表す圧力−時間プログラムＰ２（図３参照）
の点Ｅから点Ｆにかけてなされる。これにより、圧力チ
ャンバ３１の内部が３ｋｇ／ｃｍ2 程度まで加圧され
る。As a result, when the antiferroelectric liquid crystal is in the ISO state, the viscosity of this antiferroelectric liquid crystal decreases. Then, the antiferroelectric liquid crystal flows to close the liquid crystal injection port 11a of the seal 11. Then, in the pressurizing step S7, the valve 34 is opened and the pressure chamber 3 is opened by the gas cylinder 33.
Inert gas is pressure-fed into 1. This pressurization is a pressure-time program P2 (see FIG. 3) that represents the relationship between pressure and time.
Is done from point E to point F. As a result, the inside of the pressure chamber 31 is pressurized to about 3 kg / cm 2 .
【００３３】このため、液晶セル１０の周囲の圧力が液
晶セル１０内の圧力、即ち大気圧よりも高くなるので、
この差圧により、液体状態の反強誘電性液晶が液晶セル
１０内に液晶注入口１１ａから吸引注入される。これに
より、液晶セル１０内の液晶未充填部分への反強誘電性
液晶の充填が確実に行われる。なお、この注入は、９０
分程度（図３にて点Ｆと点ｇとの間の時間）の経過によ
り完了する。Therefore, the pressure around the liquid crystal cell 10 becomes higher than the pressure inside the liquid crystal cell 10, that is, the atmospheric pressure.
Due to this differential pressure, the liquid state antiferroelectric liquid crystal is sucked and injected into the liquid crystal cell 10 through the liquid crystal injection port 11a. Thereby, the antiferroelectric liquid crystal is surely filled in the liquid crystal unfilled portion in the liquid crystal cell 10. This injection is 90
The process is completed after a lapse of about a minute (the time between points F and g in FIG. 3).
【００３４】その後、冷却工程Ｓ８において、上記加圧
状態を維持したまま、圧力チャンバ３１の内部を、温度
−時間プログラムＴ２の点ｇから点ｊに沿い冷却する。
この場合、点ｇから点ｈまでは、液体状態の反強誘電性
液晶に相転移を起こさせない範囲で後の冷却期間を短縮
するように、図３にて示すごとく急激な冷却がなされ
る。Then, in the cooling step S8, the inside of the pressure chamber 31 is cooled along the point g to the point j of the temperature-time program T2 while maintaining the pressurized state.
In this case, from point g to point h, rapid cooling is performed as shown in FIG. 3 so as to shorten the subsequent cooling period within the range in which the phase transition does not occur in the antiferroelectric liquid crystal in the liquid state.
【００３５】また、点ｈから点ｉまでは、図３にて示す
ごとく、緩やかな徐冷速度（−０．１℃／ｍｉｎ程度）
で冷却が行われる。これは、反強誘電性液晶の体積が、
この反強誘電性液晶のＩＳＯ状態からＳｍＡ相への相転
移開始温度から完全にＳｍＡ相になる温度までの間にお
いて、最も大きく収縮することを考慮して、反強誘電性
液晶の体積収縮割合を緩和することにより、液晶セル１
０内の未充填領域の再発を防止するためである。From point h to point i, as shown in FIG. 3, a gradual slow cooling rate (about -0.1 ° C./min).
Cooling is performed. This is because the volume of antiferroelectric liquid crystal is
The volume shrinkage ratio of the antiferroelectric liquid crystal is considered in consideration of the largest shrinkage in the period from the phase transition start temperature from the ISO state of the antiferroelectric liquid crystal to the SmA phase to the temperature at which the SmA phase is completely reached. By relaxing the liquid crystal cell 1
This is to prevent recurrence of the unfilled area within 0.
【００３６】上述のような冷却により、液晶セル１０内
の反強誘電性液晶が液体状態からスメクチック相に完全
に戻る。ここで、点ｈから点ｉまでは緩やかな徐冷速度
にて冷却がなされるので、反強誘電性液晶の初期配向
が、きめ細かく揃い良好な状態を維持する。このような
冷却後は、圧力チャンバ３１の内部が、温度−時間プロ
グラムＴ２の点ｉから点ｊに沿い常温まで冷却される。
この過程では、既に反強誘電性液晶がスメクチック相に
相転移済み故、冷却速度は、時間短縮のために高くされ
ている。然る後、この状態が、温度−時間プログラムＴ
２の点ｊから点ｋにて示すごとく、一定時間の間保持さ
れる。By the cooling as described above, the antiferroelectric liquid crystal in the liquid crystal cell 10 completely returns from the liquid state to the smectic phase. Here, since the cooling is performed from the point h to the point i at a slow cooling rate, the initial alignment of the antiferroelectric liquid crystal is finely aligned and maintained in a good state. After such cooling, the inside of the pressure chamber 31 is cooled to room temperature along the points i to j of the temperature-time program T2.
In this process, since the antiferroelectric liquid crystal has already undergone the phase transition to the smectic phase, the cooling rate is increased to shorten the time. After that, this state is the temperature-time program T
As indicated by points j to k of No. 2, it is held for a fixed time.
【００３７】以上のようにして冷却工程Ｓ８の処理が終
了すると、圧力戻し工程Ｓ９において、圧力チャンバ３
１内の圧力を、圧力−時間プログラムＰ２の点Ｇから点
Ｈに沿い、大気圧まで戻す。これにより、液晶セル１０
内への反強誘電性液晶の加圧充填処理が終了する。この
ようにして反強誘電性液晶を充填した液晶セル１０に
は、液晶未充填領域がなく、その後再発することもな
い。When the processing of the cooling step S8 is completed as described above, in the pressure returning step S9, the pressure chamber 3
The pressure in 1 is returned from the point G of the pressure-time program P2 along the point H to the atmospheric pressure. Thereby, the liquid crystal cell 10
The pressure filling process of the antiferroelectric liquid crystal inside is completed. In the liquid crystal cell 10 thus filled with the antiferroelectric liquid crystal, there is no liquid crystal unfilled region, and there is no recurrence thereafter.
【００３８】ちなみに、反強誘電性液晶を注入してない
液晶セルを、試料ＮＯ．１〜５として準備して、これら
の液晶セルに冷却工程Ｓ５までの処理を行って反強誘電
性液晶を注入した場合の各液晶セル内の液晶未充填領域
の面積と、これらの液晶セルに加熱工程Ｓ６以後の処理
をさらに行った場合の各液晶セル内の液晶未充填領域の
面積とを測定したところ、次の表１にて示す結果が得ら
れた。なお、各液晶セルのセルギャップは１．７μｍで
ある。By the way, the liquid crystal cell in which the antiferroelectric liquid crystal was not injected was changed to Sample No. 1 to 5, the area of the liquid crystal unfilled region in each liquid crystal cell when the liquid crystal cells are injected with the antiferroelectric liquid crystal by performing the processes up to the cooling step S5, and When the area of the liquid crystal unfilled region in each liquid crystal cell when the treatment after the heating step S6 was further performed was measured, the results shown in Table 1 below were obtained. The cell gap of each liquid crystal cell is 1.7 μm.
【００３９】これによれば、各液晶セル共、最終的に
は、未充填領域が解消されていることが分かる。According to this, it can be seen that the unfilled region is finally eliminated in each liquid crystal cell.
【００４０】[0040]
【表１】 なお、各液晶セルに用いた反強誘電性液晶の相転移デー
タは以下の通りである。[Table 1] The phase transition data of the antiferroelectric liquid crystal used in each liquid crystal cell is as follows.
【００４１】 −１２℃ ７１℃ ７５℃ ９７℃ 結晶 → ＳｍＣA * → ＳｍＣ* → ＳｍＡ → ＩＳＯ ７３℃ ７７℃ ９７℃ 結晶 ← ＳｍＣA * ← ＳｍＣ* ← ＳｍＡ ← ＩＳＯ 次に、本発明の第２実施例について図６及び図７を参照
して説明する。−12 ° C. 71 ° C. 75 ° C. 97 ° C. Crystal → SmCA * → SmC * → SmA → ISO 73 ° C. 77 ° C. 97 ° C. Crystal ← SmCA * ← SmC * ← SmA ← ISO Next, a second embodiment of the present invention. This will be described with reference to FIGS. 6 and 7.
【００４２】この第２実施例においては、液晶セル１０
内への反強誘電性液晶の注入充填が、図６にて示す圧力
−時間プログラムＰ３及び温度−時間プログラムＴ３に
基づき、図７にて示す液晶注入加圧装置４０を利用して
なされる。ここで、圧力−時間プログラムＰ３は、上記
第１実施例にて述べた圧力−時間プログラムＰ１（図２
参照）と圧力−時間プログラムＰ２（図３参照）とを連
続的に実行するように合体させたものである。一方、温
度−時間プログラムＴ３は、上記第１実施例にて述べた
温度−時間プログラムＴ１（図２参照）と温度−時間プ
ログラムＴ２（図３参照）とを連続的に実行するように
合体させたものである。In this second embodiment, the liquid crystal cell 10
The injection and filling of the antiferroelectric liquid crystal into the inside is performed using the liquid crystal injection pressurizing device 40 shown in FIG. 7 based on the pressure-time program P3 and the temperature-time program T3 shown in FIG. Here, the pressure-time program P3 is the pressure-time program P1 (see FIG. 2) described in the first embodiment.
(Refer to FIG. 3) and the pressure-time program P2 (refer to FIG. 3) are combined so as to be continuously executed. On the other hand, the temperature-time program T3 is combined so as to continuously execute the temperature-time program T1 (see FIG. 2) and the temperature-time program T2 (see FIG. 3) described in the first embodiment. It is a thing.
【００４３】また、液晶注入加圧装置４０は、上記第１
実施例にて述べた液晶注入装置２０に、加圧装置３０の
ガスボンベ３３、バルブ３４及び圧力計３５を付加して
構成されている。この第２実施例によれば、上記第１実
施例における各工程Ｓ１〜Ｓ９の処理が圧力−時間プロ
グラムＰ３及び温度−時間プログラムＴ３に基づき液晶
注入加圧装置４０の利用でもって達成される。The liquid crystal injecting / pressurizing device 40 is the first
A gas cylinder 33, a valve 34 and a pressure gauge 35 of the pressurizing device 30 are added to the liquid crystal injecting device 20 described in the embodiment. According to the second embodiment, the processes of steps S1 to S9 in the first embodiment are achieved by using the liquid crystal injection pressure device 40 based on the pressure-time program P3 and the temperature-time program T3.
【００４４】なお、本発明の実施にあたっては、反強誘
電性液晶に限ることなく、強誘電性液晶等のスメクチッ
ク液晶を採用して実施してもよい。この場合、図２、図
３及び図６にて示す圧力−時間プログラム及び温度−時
間プログラムにおける各設定値は、液晶材料及び液晶セ
ルのサイズに基づき必要に応じて変更して実施すればよ
い。The present invention is not limited to antiferroelectric liquid crystals, but smectic liquid crystals such as ferroelectric liquid crystals may be used. In this case, each set value in the pressure-time program and the temperature-time program shown in FIGS. 2, 3 and 6 may be changed as necessary based on the size of the liquid crystal material and the liquid crystal cell.
【００４５】かかる場合、スメクチック液晶を液体状態
にて液晶セルに注入した後、このスメクチック液晶を常
温近くまで冷却してＳｍＣA * 相にし、その後、再び液
体状態まで昇温して加圧し、スメクチック液晶を高密度
で液晶セルに充填できるように上記各設定値を設定す
る。また、本発明の実施にあたっては、図１、図２及び
図６の各プログラムをコントローラに内蔵して図１の各
工程を自動的に実行するようにしてもよい。In such a case, after the smectic liquid crystal is injected into the liquid crystal cell in the liquid state, the smectic liquid crystal is cooled to near room temperature to be in the SmCA * phase, and then the temperature is raised again to the liquid state and pressure is applied to the smectic liquid crystal. The above set values are set so that the liquid crystal cells can be filled with high density. Further, in carrying out the present invention, each program of FIGS. 1, 2 and 6 may be built in the controller to automatically execute each step of FIG.
【図１】本発明に係る液晶注入方法の第１実施例を示す
工程図である。FIG. 1 is a process drawing showing a first embodiment of a liquid crystal injection method according to the present invention.
【図２】上記第１実施例における圧力−時間プログラム
及び温度−時間プログラムの各前半を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing the first half of each of the pressure-time program and the temperature-time program in the first embodiment.
【図３】上記第１実施例における圧力−時間プログラム
及び温度−時間プログラムの各後半を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing the latter half of each of the pressure-time program and the temperature-time program in the first embodiment.
【図４】上記第１実施例における液晶注入装置の概略断
面図である。FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of the liquid crystal injection device in the first embodiment.
【図５】上記第１実施例における加圧装置の概略断面図
である。FIG. 5 is a schematic cross-sectional view of a pressure device in the first embodiment.
【図６】本発明の第２実施例における圧力−時間プログ
ラム及び温度−時間プログラムを示す図である。FIG. 6 is a diagram showing a pressure-time program and a temperature-time program according to the second embodiment of the present invention.
【図７】上記第２実施例における液晶注入加圧装置の概
略断面図である。FIG. 7 is a schematic cross-sectional view of a liquid crystal injecting / pressurizing device in the second embodiment.
１０・・・液晶セル、２０・・・液晶注入装置、３０・
・・加圧装置、４０・・・液晶注入加圧装置。10 ... Liquid crystal cell, 20 ... Liquid crystal injection device, 30 ...
..Pressure device, 40 ... Liquid crystal injection pressure device.
Claims (7)
液晶注入方法において、 前記スメクチック液晶の前記液晶セルへの注入後、この
液晶セル内のスメクチック液晶を液体状態に相転移さ
せ、 新たなスメクチック液晶をその液体状態にて加圧により
前記液晶セル内に充填することを特徴とする液晶セルに
対する液晶注入方法。1. A method for injecting smectic liquid crystal into a liquid crystal cell, comprising: after injecting the smectic liquid crystal into the liquid crystal cell, causing the smectic liquid crystal in the liquid crystal cell to undergo a phase transition to a liquid state to form a new smectic liquid crystal. A method for injecting liquid crystal into a liquid crystal cell, comprising filling the liquid crystal cell in the liquid state by applying pressure.
ル内のスメクチック液晶をスメクチック相に相転移させ
ることを特徴とする請求項１に記載の液晶セルに対する
液晶注入方法。2. The method for injecting liquid crystal into a liquid crystal cell according to claim 1, wherein after filling the liquid crystal cell, the smectic liquid crystal in the liquid crystal cell undergoes a phase transition to a smectic phase.
び反強誘電性液晶の一方であることを特徴とする請求項
１又は２に記載の液晶セルに対する液晶注入方法。3. The liquid crystal injection method for a liquid crystal cell according to claim 1, wherein the smectic liquid crystal is one of a ferroelectric liquid crystal and an antiferroelectric liquid crystal.
ることにより、液体状態のスメクチック液晶を前記液晶
セル内に吸引させて注入する第２工程と、 前記液晶セル内のスメクチック液晶をその液体状態から
他の相状態に相転移させる第３工程と、 この第３工程後、前記液晶セル内のスメクチック液晶を
液体状態に戻す第４工程と、 新たなスメクチック液晶をその液体状態にて加圧により
前記液晶セル内に充填する第５工程とを備える液晶セル
に対する液晶注入方法。4. A first step of placing a liquid crystal cell in a depressurized state, and by releasing the liquid crystal cell from the depressurized state outside thereof, a smectic liquid crystal in a liquid state is sucked and injected into the liquid crystal cell. A second step, a third step of causing the smectic liquid crystal in the liquid crystal cell to undergo a phase transition from its liquid state to another phase state, and a fourth step of returning the smectic liquid crystal in the liquid crystal cell to a liquid state after the third step A method for injecting liquid crystal into a liquid crystal cell, comprising: a step; and a fifth step of filling a new smectic liquid crystal into the liquid crystal cell under pressure in the liquid state.
ル内のスメクチック液晶をスメクチック相に相転移させ
る第６工程を備えることを特徴とする請求項４に記載の
液晶セルに対する液晶注入方法。5. The method for injecting liquid crystal into a liquid crystal cell according to claim 4, further comprising a sixth step of changing the smectic liquid crystal in the liquid crystal cell to a smectic phase after filling the liquid crystal cell. .
であることを特徴とする請求項４又は５に記載の液晶セ
ルに対する液晶注入方法。6. The liquid crystal injection method for a liquid crystal cell according to claim 4, wherein the smectic liquid crystal is an antiferroelectric liquid crystal.
であり、 この反強誘電性液晶のスメクチック相への相転移が、前
記液晶セル内に液晶未充填領域を発生させない程度に前
記反強誘電性液晶の体積収縮を抑制して行われることを
特徴とする請求項５に記載の液晶セルに対する液晶注入
方法。7. The antiferroelectric liquid crystal is such that the smectic liquid crystal is an antiferroelectric liquid crystal and a phase transition of the antiferroelectric liquid crystal to a smectic phase does not cause a liquid crystal unfilled region in the liquid crystal cell. The method for injecting a liquid crystal into a liquid crystal cell according to claim 5, wherein the volumetric shrinkage of the organic liquid crystal is suppressed.
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|---|---|---|---|
| JP07026957A JP3095110B2 (en) | 1995-02-15 | 1995-02-15 | Liquid crystal injection method for liquid crystal cell |
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| Country | Link |
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| JP (1) | JP3095110B2 (en) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5953095A (en) * | 1997-03-28 | 1999-09-14 | Denso Corporation | Liquid crystal cell and method of manufacturing the same |
| US6288766B1 (en) | 1998-02-16 | 2001-09-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Manufacturing method of liquid crystal element for injecting the liquid crystal into the cell and liquid crystal injecting device |
| KR100574276B1 (en) * | 1999-01-22 | 2006-04-26 | 삼성전자주식회사 | Apparatus for filling phase changeable liquid crystal |
| US10966916B2 (en) | 2014-11-10 | 2021-04-06 | The Procter And Gamble Company | Personal care compositions |
| US10987290B2 (en) | 2017-10-20 | 2021-04-27 | The Procter And Gamble Company | Aerosol foam skin cleanser |
| US11207248B2 (en) | 2014-11-10 | 2021-12-28 | The Procter And Gamble Company | Personal care compositions with two benefit phases |
| US11207261B2 (en) | 2014-11-10 | 2021-12-28 | The Procter And Gamble Company | Personal care compositions with two benefit phases |
| US11419805B2 (en) | 2017-10-20 | 2022-08-23 | The Procter & Gamble Company | Aerosol foam skin cleanser |
-
1995
- 1995-02-15 JP JP07026957A patent/JP3095110B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5953095A (en) * | 1997-03-28 | 1999-09-14 | Denso Corporation | Liquid crystal cell and method of manufacturing the same |
| US6288766B1 (en) | 1998-02-16 | 2001-09-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Manufacturing method of liquid crystal element for injecting the liquid crystal into the cell and liquid crystal injecting device |
| KR100574276B1 (en) * | 1999-01-22 | 2006-04-26 | 삼성전자주식회사 | Apparatus for filling phase changeable liquid crystal |
| US10966916B2 (en) | 2014-11-10 | 2021-04-06 | The Procter And Gamble Company | Personal care compositions |
| US11207248B2 (en) | 2014-11-10 | 2021-12-28 | The Procter And Gamble Company | Personal care compositions with two benefit phases |
| US11207261B2 (en) | 2014-11-10 | 2021-12-28 | The Procter And Gamble Company | Personal care compositions with two benefit phases |
| US10987290B2 (en) | 2017-10-20 | 2021-04-27 | The Procter And Gamble Company | Aerosol foam skin cleanser |
| US11419805B2 (en) | 2017-10-20 | 2022-08-23 | The Procter & Gamble Company | Aerosol foam skin cleanser |
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| JP3095110B2 (en) | 2000-10-03 |
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