JPH08204565A - Semiconductor device and its driving method - Google Patents

Semiconductor device and its driving method

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JPH08204565A
JPH08204565A JP1409795A JP1409795A JPH08204565A JP H08204565 A JPH08204565 A JP H08204565A JP 1409795 A JP1409795 A JP 1409795A JP 1409795 A JP1409795 A JP 1409795A JP H08204565 A JPH08204565 A JP H08204565A
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input
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Abstract

PURPOSE: To easily change the input terminal potential of a comparison and discrimination means, which detects a minute voltage to compare and discriminate it, from the middle point level of a discrimination threshold to an arbitrary potential level. CONSTITUTION: After a switch means M1 is turned on to set the input terminal and the output terminal of a comparison and discrimination means 30 to the same potential, the switch means M1 is turned off to set the input terminal of the comparison and discrimination means 30 to the floating state. After a voltage is applied from at least one or more input terminals 200 out of plural input terminals to shift the input terminal 10 of the comparison and discrimination means 30, which is set to the floating state, from the middle point level to a desired level, voltages are applied from the other input terminals 1 to (n) to make the comparison and discrimination means 30 perform the inverting operation.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、複数の入力端子を持
ち、その各入力端子が容量手段を介して共通接続され前
記共通接続端子にインバータアンプの入力端子が接続さ
れた半導体回路を用いて、微小電圧を検出して比較判定
を実行する半導体装置とその駆動方法に関するものであ
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention uses a semiconductor circuit having a plurality of input terminals, each of which is commonly connected via a capacitance means and the input terminal of an inverter amplifier is connected to the common connection terminal. The present invention relates to a semiconductor device that detects a minute voltage and performs comparison determination, and a driving method thereof.

【0002】[0002]

【従来の技術】複数の入力端子を持ち、その各入力端子
が容量手段を介して共通接続され、前記共通接続端子に
インバータアンプの入力端子が接続された半導体回路を
用いて、微小電圧の比較判定を行なう回路の従来例を図
2に示す。
2. Description of the Related Art Comparison of minute voltages using a semiconductor circuit having a plurality of input terminals, each of which is commonly connected through a capacitance means, and an input terminal of an inverter amplifier is connected to the common connection terminal. FIG. 2 shows a conventional example of a circuit for making a judgment.

【0003】図2において、1,2,3…nは信号入力
端子、C1,C2,C3,…Cnは容量、10はインバ
ータアンプの入力端子、100はインバータアンプの出
力端子、M1はインバータアンプの出力端子と入力端子
との間に設けられたスイッチ、20は前記スイッチの制
御端子、である。本構成において、スイッチM1がオフ
されインバータアンプの入力端子が浮遊状態になされた
状態で、第1の信号入力端子にVHの電位差を印加した
とき、インバータアンプの入力端子に発生する電圧振幅
Vfgは、 Vfg=VH*C1/{C1+C2+C3+ … +Cn} …(1) となる。ここで例えば、C1=C2=C3…=Cnなら
VfgはVH/nとなり、またC1=(C2)/2=
(C3)/4=…(Cn)/2(n-1) なら、VfgはV
H/2(n-1) となり、nの値に応じて非常に小さくなる
(n=8、VH=5Vの時、各々、625mVと20m
V)。
2, C1, C2, C3, ... Cn are capacitors, 10 is an input terminal of an inverter amplifier, 100 is an output terminal of an inverter amplifier, and M1 is an inverter amplifier. A switch provided between the output terminal and the input terminal of the switch 20 is a control terminal of the switch. In this configuration, when the potential difference of VH is applied to the first signal input terminal with the switch M1 turned off and the input terminal of the inverter amplifier is in a floating state, the voltage amplitude Vfg generated at the input terminal of the inverter amplifier is , Vfg = VH * C1 / {C1 + C2 + C3 + ... + Cn} (1) Here, for example, if C1 = C2 = C3 ... = Cn, Vfg becomes VH / n, and C1 = (C2) / 2 =
If (C3) / 4 = ... (Cn) / 2 (n-1) , Vfg is V
H / 2 (n-1) , which becomes very small according to the value of n (when n = 8 and VH = 5V, 625 mV and 20 m, respectively)
V).

【0004】この様な微少電圧変化を検出するために、
本従来例では、各信号入力端子に入力信号を印加する前
に一旦スイッチM1をオンし、インバータアンプの入力
端子電位をインバータの伝達特性の中点レベルにクラン
プし、インバータアンプを電圧ゲインの最も高い動作点
に設定する。その後スイッチM1をオフしてから、前述
したように、ある信号入力端子に入力信号を印加する
と、たとえばインバータアンプの入力端子に発生する電
圧振幅Vfgが数10mVと微少であっても、インバー
タアンプの電圧ゲインが高いため、その微少電圧によっ
てインバータアンプが反転動作し、結果として電位変化
の高精度な検出と比較判定を実現することができる。
In order to detect such a minute voltage change,
In this conventional example, before applying an input signal to each signal input terminal, the switch M1 is turned on once, the input terminal potential of the inverter amplifier is clamped to the midpoint level of the transfer characteristic of the inverter, and the inverter amplifier has the most voltage gain. Set to a high operating point. After that, if the input signal is applied to a certain signal input terminal after the switch M1 is turned off, for example, even if the voltage amplitude Vfg generated at the input terminal of the inverter amplifier is as small as several tens mV, the inverter amplifier Since the voltage gain is high, the inversion operation of the inverter amplifier is caused by the minute voltage, and as a result, highly accurate detection of potential change and comparison determination can be realized.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来例では、インバータアンプを中点レベルにクランプリ
セットした後に各信号入力端子に与えられる正方向の電
位変化に対してインバータアンプがすぐに反転する様設
計されているため、例えば、一旦中点レベルにクランプ
リセットした後、任意の電位レベル以上の電位変化が生
じてはじめてインバータアンプを反転させるという様な
制御を必要とする場合には、このままでは適用できない
という問題がある。
However, in the above-described conventional example, after the inverter amplifier is clamp-reset to the midpoint level, the inverter amplifier is immediately inverted with respect to the positive potential change applied to each signal input terminal. Since it is designed, if it is necessary to perform control such that the inverter amplifier is inverted only after a potential change of a certain potential level or more occurs after the clamp reset to the midpoint level, it is applied as it is. There is a problem that you cannot do it.

【0006】[発明の目的]そこで本発明は、微少電圧
を検出して比較判定を実行する際に、前述のごとく一旦
中点レベルにリセットした後に任意の電位レベル以上の
電位変化が生じてはじめてインバータアンプを反転させ
ることを可能とした半導体装置及びその駆動方法を実現
することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION Therefore, according to the present invention, when a minute voltage is detected and a comparison judgment is executed, a potential change above an arbitrary potential level occurs only after resetting once to the midpoint level as described above. An object of the present invention is to realize a semiconductor device capable of inverting an inverter amplifier and a driving method thereof.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段及び作用】上記目的を達成
するため、本発明は、複数の入力端子を持ち、前記各入
力端子がそれぞれの容量手段を介して共通接続され、前
記共通接続端子に比較判定手段の入力端子が接続され、
前記比較判定手段の出力端子と入力端子との間にスイッ
チ手段が設けられた半導体装置の駆動方法において、前
記スイッチ手段をオンとして前記比較判定手段の入力端
子と出力端子を同電位に設定した後、前記スイッチ手段
をオフとして前記比較判定手段の入力端子を浮遊状態と
し、前記複数の入力端子の内の少なくとも1つ以上の入
力端子から電圧を印加して、前記浮遊状態の比較判定手
段の入力端子の電位を、中点レベルから所望のレベルに
シフトさせた後、残りの他の入力端子から電圧を印加し
て前記比較判定手段を反転動作させることを特徴とする
半導体装置の駆動方法を提供するものである。
In order to achieve the above object, the present invention has a plurality of input terminals, each input terminal being commonly connected through respective capacitance means, and being connected to the common connection terminal. The input terminal of the comparison judgment means is connected,
In a method of driving a semiconductor device in which a switch means is provided between an output terminal and an input terminal of the comparison / determination means, after the switch means is turned on and the input terminal and the output terminal of the comparison / determination means are set to the same potential. An input terminal of the comparison and determination means in the floating state by applying a voltage from at least one or more input terminals of the plurality of input terminals by turning off the switch means and setting an input terminal of the comparison and determination means in a floating state. A method for driving a semiconductor device, comprising: shifting the terminal potential from a midpoint level to a desired level and then applying a voltage from the remaining other input terminals to invert the comparison / determination means. To do.

【0008】また、本発明は、上記駆動方法を実現する
ための各手段を備えた半導体装置を提供するものであ
る。
The present invention also provides a semiconductor device provided with each means for implementing the above driving method.

【0009】本発明によれば、比較判定手段の入力端子
を予め中点レベルから任意の電位量だけシフトさせてお
くことにより、その後、比較判定手段が反転動作を起こ
すために他の入力端子から印加すべき電圧量を任意に変
更することが、容易に、かつ少ない素子数で実現でき
る。
According to the present invention, the input terminal of the comparison / determination means is preliminarily shifted from the midpoint level by an arbitrary potential amount, and thereafter, the comparison / determination means causes an inverting operation, so that the input / output terminal of the comparison / determination means is shifted from another input terminal. It is possible to easily and arbitrarily change the amount of voltage to be applied with a small number of elements.

【0010】また、本発明では、予めシフトした電位量
の影響で初めに一旦比較判定手段が反転動作を起こすこ
とが考えられるが、そのようなことが起きても本発明の
効果が失われるものではない。つまり、その後、他の入
力端子から、ある電圧が印加されることにより、比較判
定手段が再び反転動作を起こせば、本発明の効果が得ら
れることになる。
Further, in the present invention, it is conceivable that the comparing and judging means first causes the inversion operation due to the influence of the previously shifted potential amount, but the effect of the present invention is lost even if such a situation occurs. is not. That is, after that, if a certain voltage is applied from another input terminal and the comparison / determination means causes the inverting operation again, the effect of the present invention is obtained.

【0011】また、予めシフトさせるシフト量の設定
は、複数の容量手段の比によって任意に設定できるた
め、外部信号による特別な制御を必要とせずに簡単に実
現できる。
Further, since the shift amount to be shifted in advance can be arbitrarily set by the ratio of a plurality of capacitance means, it can be easily realized without requiring special control by an external signal.

【0012】[0012]

【実施例】【Example】

[第1の実施例]図1は、本発明の第1の実施例を示す
回路図である。図1において、1,2,3,…nは信号
入力端子、200はインバータアンプの入力端子の電位
Vfgを所望のレベルまでシフトさせるための制御端
子、C1,C2,C3,…Cn,Cdは容量、10はイ
ンバータアンプの入力端子、100はインバータアンプ
の出力端子、M1はインバータアンプの出力端子と入力
端子との間に設けられたスイッチ、20は前記スイッチ
の制御端子、である。
[First Embodiment] FIG. 1 is a circuit diagram showing a first embodiment of the present invention. 1, n is a signal input terminal, 200 is a control terminal for shifting the potential Vfg of the input terminal of the inverter amplifier to a desired level, and C1, C2, C3, ... Cn, Cd are The capacitor 10 is an input terminal of the inverter amplifier, 100 is an output terminal of the inverter amplifier, M1 is a switch provided between the output terminal and the input terminal of the inverter amplifier, and 20 is a control terminal of the switch.

【0013】図3は、本発明の動作を説明するためのタ
イミング図である。以下、これらの図を用いて詳しく説
明する。
FIG. 3 is a timing diagram for explaining the operation of the present invention. Hereinafter, a detailed description will be given with reference to these drawings.

【0014】まず、クランプリセット期間Tcpにおい
ては、信号Vcpがハイレベルとなり、スイッチM1が
オンするためインバータアンプの入力端子の電位はイン
バータの伝達特性の中点レベルVinvにクランプされ
る。この時、全ての信号入力端子1,2,3,…nはロ
ーレベルに設定されると共に制御端子200はハイレベ
ルに設定される。
First, during the clamp reset period Tcp, the signal Vcp is at a high level and the switch M1 is turned on, so that the potential of the input terminal of the inverter amplifier is clamped at the midpoint level Vinv of the transfer characteristic of the inverter. At this time, all the signal input terminals 1, 2, 3, ... N are set to the low level and the control terminal 200 is set to the high level.

【0015】その後、信号Vcpをローレベルとし、ス
イッチM1をオフしインバータアンプの入力端子を浮遊
状態にした後、さらに制御端子200をローレベルに設
定する。すると、浮遊状態にあるインバータアンプの入
力端子の電位Vfgは、容量Cdを通してΔVだけ、中
点レベルVinvからシフトされる。
After that, the signal Vcp is set to the low level, the switch M1 is turned off to put the input terminal of the inverter amplifier in the floating state, and then the control terminal 200 is set to the low level. Then, the potential Vfg of the input terminal of the inverter amplifier in the floating state is shifted from the midpoint level Vinv by ΔV through the capacitance Cd.

【0016】今、ローレベルとハイレベルの差電位をV
Hとすると、ΔVは、 ΔV=VH*Cd/{C1+C2+C3+ …+Cn+Cd}…(2) となる。従って、容量C1,C2,C3,…Cnと容量
Cdの大きさの比を任意に設定すれば中点レベルVin
vからのシフト量を任意の値に設定できる。例えば、C
1=(C2)/2=(C3)/4=…Cn/2(n-1)
し、Cd=C1/2とすれば、n=8、VH=5Vの
時、ΔVは約10mVとなり、中点レベルVinvから
のシフト量を非常に微少なレベルで制御できることがわ
かる。
Now, the difference potential between the low level and the high level is V
Assuming H, ΔV is ΔV = VH * Cd / {C1 + C2 + C3 + ... + Cn + Cd} (2) Therefore, if the ratio of the sizes of the capacitances C1, C2, C3, ... Cn and the capacitance Cd is arbitrarily set, the midpoint level Vin
The shift amount from v can be set to an arbitrary value. For example, C
If 1 = (C2) / 2 = (C3) / 4 = ... Cn / 2 (n-1) and Cd = C1 / 2, then when n = 8 and VH = 5V, ΔV becomes about 10 mV, It can be seen that the shift amount from the midpoint level Vinv can be controlled at a very small level.

【0017】この様に、制御端子200によって、浮遊
状態にあるインバータアンプの入力端子の電位Vfgを
所望のレベルへシフトさせた後、アクティブ期間Tac
tにおいては、信号入力端子1,2,3,…nから各信
号電圧が印加される。各信号入力端子1,2,3,…n
の各信号電圧をV1,V2,V3,…Vnとすると、各
信号電圧の印加によってインバータアンプの入力端子に
生じる電位Vfgは、 Vfg=Vinv−ΔV+{V1C1+V2C2+V3C3+…+VnCn} /{C1+C2+C3+…+Cn} …(3) となる。尚、ここでは、式(2)及びC1+C2+C3
+…+Cn>>Cdであることを考慮した。式(3)から
わかる様に、各信号電圧の印加によってインバータアン
プの入力端子の電位Vfgは上昇するが、その上昇量が
最初に設定されたシフト量ΔVを越えない限りインバー
タアンプは反転動作を起こさない。
As described above, the control terminal 200 shifts the potential Vfg of the input terminal of the inverter amplifier in a floating state to a desired level, and then the active period Tac.
At t, each signal voltage is applied from the signal input terminals 1, 2, 3, ... N. Each signal input terminal 1, 2, 3, ... N
Where V1, V2, V3, ... (3) Note that here, the formula (2) and C1 + C2 + C3
Considering that + ... + Cn >> Cd. As can be seen from the equation (3), the potential Vfg of the input terminal of the inverter amplifier rises due to the application of each signal voltage, but unless the amount of rise exceeds the initially set shift amount ΔV, the inverter amplifier performs the inverting operation. Do not wake up.

【0018】その後、各信号電圧が上昇しその上昇量が
シフト量ΔVを越えた時点ではじめてインバータアンプ
は反転する。この様に、本実施例では、微少電圧を検出
して比較判定を実行する際に、上述のごとく中点レベル
から任意の電位レベル以上の電位変化が生じてはじめて
インバータアンプを反転させるという動作が実現でき
る。
After that, the inverter amplifier is inverted only when each signal voltage rises and the amount of increase exceeds the shift amount ΔV. As described above, in the present embodiment, when the minute voltage is detected and the comparison determination is executed, the operation of inverting the inverter amplifier only after the potential change from the midpoint level to an arbitrary potential level or more occurs as described above. realizable.

【0019】尚、本実施例では、比較判定手段としてイ
ンバータアンプを用いているが、これと同等の機能を有
するものであれば、これに限定されるものではなく、例
えば、一般的な作動入力型のアンプ等であっても良い。
In this embodiment, an inverter amplifier is used as the comparison / determination means, but the invention is not limited to this as long as it has a function equivalent to this. For example, a general operation input It may be a type amplifier or the like.

【0020】また、各信号入力端子には、ローレベルへ
の設定と信号電圧の入力とを適時切り替えるためのスイ
ッチ手段が必要であることは言うまでもない。
Needless to say, each signal input terminal requires a switch means for timely switching between setting to a low level and inputting a signal voltage.

【0021】また、上述した一連の駆動を実現するため
には、例えば、前記信号入力端子のスイッチ手段への切
り替え信号や、インバータアンプに設けられたスイッチ
手段への制御信号や、インバータアンプの入力端子電位
をシフトさせるための制御信号を適時発生する様に論理
が組まれた制御回路手段が必要であることも言うまでも
なく、このような制御回路手段としては、例えば、ディ
レイ素子を用いたものや、論理素子を組み合わせたもの
や、クロック制御の論理素子を用いたもの、などが実施
可能である。
In order to realize the above-mentioned series of driving, for example, a signal for switching the signal input terminal to the switch means, a control signal for the switch means provided in the inverter amplifier, and an input for the inverter amplifier. It goes without saying that a control circuit means in which logic is formed so as to generate a control signal for shifting the terminal potential in a timely manner is necessary. As such control circuit means, for example, one using a delay element or , A combination of logic elements, a clock control logic element, and the like can be implemented.

【0022】[第2の実施例]図4は、本発明の第2の
実施例を示す回路図である。図4において、1,2,
3,…nは信号入力端子、200はインバータアンプの
入力端子の電位Vfgを所望のレベルまでシフトさせる
ための制御端子、C1,C2,C3,…Cn,Cdは容
量、10はインバータアンプ入力端子、100はインバ
ータアンプの出力端子、M1はインバータアンプの出力
端子と入力端子と間に設けられたスイッチ、20は前記
スイッチの制御端子、である。
[Second Embodiment] FIG. 4 is a circuit diagram showing a second embodiment of the present invention. In FIG. 4, 1, 2,
3, ... N are signal input terminals, 200 is a control terminal for shifting the potential Vfg of the input terminal of the inverter amplifier to a desired level, C1, C2, C3, ... Cn, Cd are capacitors, and 10 is an inverter amplifier input terminal. , 100 is an output terminal of the inverter amplifier, M1 is a switch provided between the output terminal and the input terminal of the inverter amplifier, and 20 is a control terminal of the switch.

【0023】本実施例は、インバータアンプの入力端子
の電位Vfgを所望のレベルまでシフトさせるための制
御信号として、インバータアンプの出力端子と入力端子
との間に設けられたスイッチを制御するオンオフ信号ま
たはその反転信号を用いることを特徴としている。本実
施例では、第1の実施例の様にインバータアンプの入力
端子の電位Vfgを所望のレベルまでシフトさせるため
の特別の制御信号を設ける必要がないため、より簡単な
構成で目的とする機能を実現することができる。
In this embodiment, an ON / OFF signal for controlling a switch provided between the output terminal and the input terminal of the inverter amplifier is used as a control signal for shifting the potential Vfg of the input terminal of the inverter amplifier to a desired level. Alternatively, it is characterized by using an inverted signal thereof. In the present embodiment, it is not necessary to provide a special control signal for shifting the potential Vfg of the input terminal of the inverter amplifier to a desired level as in the first embodiment, and therefore, the desired function can be achieved with a simpler configuration. Can be realized.

【0024】もし、インバータアンプの出力端子と入力
端子との間に設けられたスイッチをオフするタイミング
に対してインバータアンプの入力端子の電位Vfgを所
望のレベルまでシフトさせるタイミングを遅らせたい場
合には、ディレイ素子などを適度に挿入することで対応
できる。
If it is desired to delay the timing of shifting the potential Vfg of the input terminal of the inverter amplifier to a desired level with respect to the timing of turning off the switch provided between the output terminal and the input terminal of the inverter amplifier. This can be handled by properly inserting a delay element or the like.

【0025】本実施例の動作については、基本的に第1
の実施例のそれと同じである。
The operation of this embodiment is basically the first.
This is the same as that of the embodiment.

【0026】[第3の実施例]図5は、本発明の第3の
実施例を示す回路図である。前記実施例の回路を8個用
いて8ビットのマルチステップ型A/D変換器を構成し
たものである。アナログ信号Vinは、アナログスイッ
チを介して前記8個の各回路に入力される。各桁に1
つ、前記回路を対応させ、一番上位のビット(MSB)
では1/2レベル判定、その後下位のビットへ行くにつ
れて、各々1/4、1/8、1/16…と各々のレベル
での判定を行なう。上位のビットで判定された結果は、
順次それより下位の桁への入力信号としてフィードバッ
クされ、下位のビットではアナログ信号Vinと上位か
らの信号とに基づくレベル判定が行なわれる。
[Third Embodiment] FIG. 5 is a circuit diagram showing a third embodiment of the present invention. An eight-bit multi-step type A / D converter is constructed by using eight circuits of the above embodiment. The analog signal Vin is input to each of the eight circuits via an analog switch. 1 for each digit
Correspond to the above circuit, the most significant bit (MSB)
Then, 1/2 level determination is performed, and then determination is performed at each level as 1/4, 1/8, 1/16, ... The result determined by the upper bits is
It is sequentially fed back as an input signal to the lower digit, and for the lower bit, the level judgment is performed based on the analog signal Vin and the signal from the upper digit.

【0027】本発明によるA/D変換器の全体の動作を
説明する前に、まず、各桁毎に設けられた回路について
説明する。
Before describing the overall operation of the A / D converter according to the present invention, first, the circuit provided for each digit will be described.

【0028】図6は、8ビットA/Dの0〜7桁の内、
第4桁目の回路の内部構成を詳細に示したものである。
複数の入力端子の内の1つにはアナログ信号Vinが入
力され、残りの各入力端子には上位の出力信号Dn+1
の反転信号が入力されている。また、初段インバータア
ンプの出力端子と入力端子との間にはスイッチM1が設
けられている。
FIG. 6 shows that 0 to 7 digits of 8-bit A / D
It shows in detail the internal configuration of the fourth digit circuit.
The analog signal Vin is input to one of the plurality of input terminals, and the higher-order output signal Dn + 1 is input to the remaining input terminals.
The inverted signal of is input. Further, a switch M1 is provided between the output terminal and the input terminal of the first stage inverter amplifier.

【0029】さらに、初段インバータアンプの入力端子
の電位Vfgを所望のレベルまでシフトさせるための制
御信号Vcには前記スイッチを制御する信号Vcpが入
力されている。その他、下位のビットへ適時信号を伝達
させるためのスイッチやインバータが設けられている。
各入力端子に接続された各容量(Cin,C1,C2,
…Cd)には、A/Dのビット数をN、桁の番号をn
(nは0〜N−1で、0はLSB、N−1はMSB)、
容量の番号をj(jは1〜N−n−1)として、以下の
関係がある。
Further, the control signal Vc for shifting the potential Vfg of the input terminal of the first stage inverter amplifier to a desired level is inputted with the signal Vcp for controlling the switch. In addition, a switch and an inverter for timely transmitting signals to lower bits are provided.
Each capacitance (Cin, C1, C2, connected to each input terminal
... Cd) has N as the number of A / D bits and n as the digit number.
(N is 0 to N-1, 0 is LSB, N-1 is MSB),
Letting the number of the capacity be j (j is 1 to N−n−1), the following relationships are established.

【0030】 Cj=Cin/2(N-n-j) Cd=Cin/2(N-n) …(4) 図7は、図6に示した回路の動作タイミングと各部の電
位変化を示したものである。この図を用いて本回路の動
作を説明する。
Cj = Cin / 2 (Nnj) Cd = Cin / 2 (Nn) (4) FIG. 7 shows the operation timing of the circuit shown in FIG. 6 and the potential change of each part. The operation of this circuit will be described with reference to this figure.

【0031】まず、クランプリセット期間Tcpにおい
ては、信号VcpがハイレベルとなりスイッチM1がオ
ンするため初段インバータアンプの入力端子の電位はイ
ンバータの伝達特性の中点レベルVinにクランプされ
る。この時、アナログ信号入力端子はローレベルに設定
され、また、各信号入力端子は伝達用インバータを介し
て全てハイレベルに設定されると共に制御端子Vcもハ
イレベルに設定される。
First, during the clamp reset period Tcp, the signal Vcp is at a high level and the switch M1 is turned on, so that the potential of the input terminal of the first-stage inverter amplifier is clamped at the midpoint level Vin of the transfer characteristic of the inverter. At this time, the analog signal input terminal is set to the low level, and all the signal input terminals are set to the high level via the transmission inverter and the control terminal Vc is also set to the high level.

【0032】その後、信号Vcpをローレベルとしスイ
ッチM1をオフしインバータアンプの入力端子を浮遊状
態にした時、初段インバータアンプの入力端子の電位V
fgは、容量Cdを通してΔVだけ、中点レベルVin
vからシフトされる。
After that, when the signal Vcp is set to low level and the switch M1 is turned off to put the input terminal of the inverter amplifier in a floating state, the potential V of the input terminal of the first stage inverter amplifier is set.
fg is the middle point level Vin by ΔV through the capacitance Cd.
shifted from v.

【0033】今、ローレベルとハイレベルの差電位をV
Hとすると、n桁目でのΔVnは、 ΔVn=VH*Cd/{ΣCj+Cin+Cd} …(5) となる。式(4)と(5)から、例えば、LSB(n=
0)でのΔVは、VH/511となり、VHが5Vな
ら、約10mVとなる。また、n=1でのΔVは、VH
/255となり、n=2でのΔVは、VH/127とな
り、その他についても同様に計算できる。
Now, the difference potential between the low level and the high level is V
When H is set, ΔVn at the n-th digit is ΔVn = VH * Cd / {ΣCj + Cin + Cd} (5) From equations (4) and (5), for example, LSB (n =
ΔV at 0) is VH / 511, and if VH is 5V, it is about 10 mV. Also, ΔV at n = 1 is VH
/ 255, ΔV at n = 2 becomes VH / 127, and the other values can be calculated in the same manner.

【0034】この様に制御端子Vcと容量Cdを介し
て、浮遊状態にある初段インバータアンプの入力端子の
電位Vfgを所望のレベルへシフトさせた後、アクティ
ブ期間Tactにおいては、アナログ信号入力端子には
アナログ信号Vinがランプ的に入力されると共に、各
桁の回路の信号入力端子には上位ビットからの出力信号
Dn+1の反転信号が伝達用インバータを介して入力さ
れる。ちなみに最初の段階での各桁の出力信号は全てロ
ーレベルである。
As described above, after the potential Vfg of the input terminal of the first stage inverter amplifier in the floating state is shifted to a desired level via the control terminal Vc and the capacitor Cd, it is applied to the analog signal input terminal in the active period Tact. The analog signal Vin is input like a ramp, and the inverted signal of the output signal Dn + 1 from the upper bit is input to the signal input terminal of the circuit of each digit through the transmission inverter. By the way, the output signals of each digit at the first stage are all low level.

【0035】次に、アナログ信号が入力される初期段階
において、例えば、LSBでの初段インバータアンプの
入力端子に生じる電位Vfgは、 Vfg=Vinv−ΔV+{VinCin}/{ΣCj+Cin+Cd} …(6) となる。式(6)からわかる様に、LSBでは、アナロ
グランプ信号電圧が入力されてから、徐々に初段インバ
ータアンプの入力端子の電位Vfgが上昇し、その上昇
量が、前述のごとく最初にシフトされた電位量ΔV(1
0mV)を越えた時点ではじめて、初段インバータアン
プが反転動作する。そしてその結果、LSBの出力信号
はハイレベルへ変化する。さらにアナログ信号Vinが
上昇すると、今度はn=1のビットにおいて今述べた事
と同様のことがおこる。但し、n=1のビットにおいて
初段インバータアンプが反転動作を起こすまでの電位上
昇量は20mV(5V/255)と、LSBにおけるそ
れの2倍である点が異なる。
Next, in the initial stage when an analog signal is input, for example, the potential Vfg generated at the input terminal of the first-stage inverter amplifier at LSB is: Vfg = Vinv-ΔV + {VinCin} / {ΣCj + Cin + Cd} (6) Become. As can be seen from the equation (6), in the LSB, the potential Vfg of the input terminal of the first-stage inverter amplifier gradually increases after the analog ramp signal voltage is input, and the increase amount is first shifted as described above. Potential amount ΔV (1
Only when the voltage exceeds 0 mV) does the first-stage inverter amplifier invert. As a result, the output signal of the LSB changes to high level. When the analog signal Vin further rises, the same thing as that just described occurs at the bit of n = 1. However, in the bit of n = 1, the amount of potential increase until the inversion operation of the first-stage inverter amplifier is 20 mV (5 V / 255), which is twice the amount in LSB.

【0036】次に、以上の説明に基づき本発明によるマ
ルチステップ型A/D変換器全体の動作についてさらに
説明する。前述した様に、クランプリセット期間Tcp
を完了し、各桁の初期インバータアンプの入力端子の電
位Vfgnが各々所定のレベルにセットされた後にアナ
ログ信号Vinを図8に示す様に一定の傾きで電位上昇
する様に印加させると、各桁の初段インバータアンプの
入力端子の電位Vfgnは、容量Cinを通してやはり
ランプ的に上昇する。この時、アナログ信号Vinの変
化量に対する電位Vfgnの変化量の比を電圧ゲインG
nとすると、Gnは次式で与えられる。
Next, based on the above description, the operation of the entire multi-step type A / D converter according to the present invention will be further described. As described above, the clamp reset period Tcp
And the potential Vfgn of the input terminal of the initial inverter amplifier of each digit is set to a predetermined level, and then the analog signal Vin is applied so that the potential rises at a constant slope as shown in FIG. The potential Vfgn of the input terminal of the first-stage inverter amplifier of the digit also rises like a ramp through the capacitor Cin. At this time, the ratio of the amount of change in the potential Vfgn to the amount of change in the analog signal Vin is set to the voltage gain G.
Gn is given by the following equation.

【0037】 Gn=Cin/{Cin+ΣCj+Cd} …(7) (7)式から、各桁の初段インバータアンプの入力端子
の全容量を同一の値に設定した場合には、各桁のゲイン
Gnは等しくなる。従って、図に示す様に各桁の初段イ
ンバータアンプの入力端子の電位Vfgnは、アナログ
信号Vinの変化に対して全て同じ傾きで上昇する。
Gn = Cin / {Cin + ΣCj + Cd} (7) From equation (7), when the total capacitance of the input terminals of the first-stage inverter amplifier of each digit is set to the same value, the gain Gn of each digit is equal. Become. Therefore, as shown in the drawing, the potential Vfgn of the input terminal of the first-stage inverter amplifier of each digit rises with the same inclination with respect to the change of the analog signal Vin.

【0038】アナログ信号Vinの上昇に対して、まず
最下位桁(LSB)の初段インバータアンプの電位Vf
g0が10mV上昇し中点レベルVinvに達したとこ
ろで、LSBの初段インバータアンプは反転する。その
結果、図に示す様にLSBの出力端子D0がハイとな
る。
With respect to the rise of the analog signal Vin, first, the potential Vf of the first-stage inverter amplifier of the least significant digit (LSB).
When g0 rises by 10 mV and reaches the midpoint level Vinv, the LSB first-stage inverter amplifier is inverted. As a result, the output terminal D0 of the LSB becomes high as shown in the figure.

【0039】その後さらに、アナログ信号Vinが上昇
し続けると、今度は1つ上の桁の初段インバータアンプ
の入力端子の電位Vfg1がさらに10mV上昇し、や
はり中点レベルVinvに達したところで、反転する。
その結果、図に示す様に1桁目の出力端子D1がハイと
なる。
After that, when the analog signal Vin continues to rise further, the potential Vfg1 of the input terminal of the first-stage inverter amplifier of the next higher digit further rises by 10 mV, and when the potential reaches the midpoint level Vinv, it is inverted. .
As a result, the output terminal D1 of the first digit becomes high as shown in the figure.

【0040】1桁目の出力端子D1がハイとなると、そ
の反転信号は、その下の桁(LSB)にフィードバック
される。この時、LSBの初期インバータアンプの入力
端子の電位Vfg0が、容量Cnを通してn桁目からの
フィードバック電圧によって振られる電圧量は次式で示
される。
When the output terminal D1 of the first digit becomes high, its inverted signal is fed back to the lower digit (LSB). At this time, the voltage amount at which the potential Vfg0 of the input terminal of the initial inverter amplifier of LSB is swung by the feedback voltage from the nth digit through the capacitor Cn is expressed by the following equation.

【0041】 dvn=VH*Cn/{Cin+ΣCj+Cd} …(8) (4)と(8)式から、例えば1桁目からのフィードバ
ック電圧によって振られる電圧量dv1は、VH/25
5となり、VHが5Vの場合で約−20mVとなる。こ
の様にして、1桁目からのフィードバック電圧によって
LSBの初段インバータアンプの入力端子の電位Vfg
0がマイナス側に振られ、前記の最初に設定されたレベ
ル(Vinv−10mV)まで戻されると、図に示す様
に初段インバータアンプの入力端子の電位Vfg0は再
び中点レベルVinvより小さくなるため、LSBの初
段インバータアンプは再び反転し、その結果LSBの出
力端子D0はローとなる。以降、さらにアナログ信号V
inが上昇し続けると、図にも示してある様に、上述し
てきたメカニズムと全く同様にして、さらに上位の桁の
インバータアンプは反転すると共に、その反転信号が下
位の桁へフィードバックされ、その結果、各桁の出力端
子が順次所望の値に設定され、最終的に8ビットのA/
D変換が完了する。
Dvn = VH * Cn / {Cin + ΣCj + Cd} (8) From equations (4) and (8), for example, the voltage amount dv1 swung by the feedback voltage from the first digit is VH / 25.
5 and becomes about -20 mV when VH is 5V. In this manner, the feedback voltage from the first digit causes the potential Vfg of the input terminal of the LSB first stage inverter amplifier.
When 0 is swung to the minus side and returned to the above-mentioned initially set level (Vinv-10 mV), the potential Vfg0 of the input terminal of the first-stage inverter amplifier becomes smaller than the midpoint level Vinv again as shown in the figure. , The first-stage inverter amplifier of LSB is inverted again, and as a result, the output terminal D0 of LSB becomes low. After that, further analog signal V
When in continues to rise, as shown in the figure, the inverter amplifier of the higher digit inverts and the inverted signal is fed back to the lower digit in exactly the same mechanism as described above. As a result, the output terminals of each digit are sequentially set to desired values, and finally the 8-bit A /
D conversion is completed.

【0042】以上述べた様に、本発明によるA/D変換
器では、各桁において、複数の入力端子を持ちその各入
力端子が容量手段を介して共通接続されその共通接続端
子にインバータアンプの入力端子が接続され、かつその
インバータアンプの入力端子の電位を任意の電位レベル
に精度良く設定できる、という様な機能的な回路を用い
ることで、マルチステップ型A/D変換に必要な、D/
A変換とアナログ減算とコンパレートという3つの基本
処理を単一回路のみで、極めて効率的(少ない素子数と
低消費電力で)に実現している。
As described above, in the A / D converter according to the present invention, each digit has a plurality of input terminals, and the input terminals are commonly connected via the capacitance means, and the common connection terminals are connected to the inverter amplifier. By using a functional circuit such that the input terminal is connected and the potential of the input terminal of the inverter amplifier can be accurately set to an arbitrary potential level, the D step required for the multi-step A / D conversion can be achieved. /
The three basic processes of A conversion, analog subtraction, and compare are realized extremely efficiently (with a small number of elements and low power consumption) with only a single circuit.

【0043】[0043]

【発明の効果】以上の実施例で述べてきたように、本発
明によれば、複数の入力端子を持ち、前記各入力端子が
容量手段を介して共通接続され、前記共通接続端子にイ
ンバータアンプの入力端子が接続され、前記インバータ
アンプの出力端子と入力端子の間にスイッチが設けられ
た半導体装置において、前記スイッチをオンして前記イ
ンバータアンプの入力端子と出力端子を同電位に設定し
た後、前記スイッチをオフし前記インバータアンプの入
力端子を浮遊状態とした後、前記複数の入力端子の内の
少なくとも1つ以上の入力端子から電圧を印加し、前記
浮遊状態のインバータアンプの入力端子の電位を所望の
レベルまでシフトさせた後に、残りの入力端子から信号
電圧を印加する、という様な駆動をすることにより、微
少電圧を検出して比較判定を実行する際に、前記インバ
ータアンプの入力端子において任意の電位レベル以上の
電位変化が生じてはじめてインバータアンプを反転させ
るという機能を、極めて少ない素子数で経済的に実現で
きるという効果が得られる。
As described in the above embodiments, according to the present invention, a plurality of input terminals are provided, and each of the input terminals is commonly connected via a capacitance means, and the inverter amplifier is connected to the common connection terminal. In the semiconductor device in which the input terminal of is connected and the switch is provided between the output terminal and the input terminal of the inverter amplifier, after turning on the switch and setting the input terminal and the output terminal of the inverter amplifier to the same potential After turning off the switch to put the input terminal of the inverter amplifier in a floating state, a voltage is applied from at least one input terminal of the plurality of input terminals, After the potential is shifted to the desired level, the signal voltage is applied from the remaining input terminals to detect the minute voltage. When performing the comparison judgment, it is possible to economically realize the function of inverting the inverter amplifier only when a potential change of an arbitrary potential level or more occurs at the input terminal of the inverter amplifier with an extremely small number of elements. To be

【0044】すなわち、比較判定手段で反転動作を起こ
すのに必要な入力電圧量を、任意の値に容易に設定する
ことができるという効果が得られる。
That is, it is possible to obtain an effect that the input voltage amount required to cause the inversion operation in the comparison and determination means can be easily set to an arbitrary value.

【0045】さらに、この機能を使って、マルチステッ
プ型A/D変換器を作製した場合も、極めて少ない素子
数で経済的に実現できる効果が得られる。
Further, even when a multi-step type A / D converter is manufactured by using this function, an effect that can be economically realized with an extremely small number of elements can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1の実施例の半導体装置を示す回路
図。
FIG. 1 is a circuit diagram showing a semiconductor device according to a first embodiment of the present invention.

【図2】従来例の回路図。FIG. 2 is a circuit diagram of a conventional example.

【図3】図1の実施例の駆動方法を説明するための動作
タイミング図。
3 is an operation timing chart for explaining a driving method of the embodiment of FIG.

【図4】本発明の第2の実施例の半導体装置を示す回路
図。
FIG. 4 is a circuit diagram showing a semiconductor device according to a second embodiment of the present invention.

【図5】本発明の第3の実施例のA/D変換器を示す回
路図。
FIG. 5 is a circuit diagram showing an A / D converter according to a third embodiment of the present invention.

【図6】本発明の第3の実施例の各回路の内部構成を示
す回路図。
FIG. 6 is a circuit diagram showing the internal configuration of each circuit of the third embodiment of the present invention.

【図7】図6の実施例の動作タイミング図。7 is an operation timing chart of the embodiment of FIG.

【図8】図5、図6の実施例の動作タイミング図。FIG. 8 is an operation timing chart of the embodiment shown in FIGS. 5 and 6;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,2,3,…n 信号入力端子、 10 インバータアンプの入力端子、 20 前記スイッチの制御端子、 30 インバータアンプ(比較判定手段) 100 インバータアンプの出力端子、 200 インバータアンプの入力端子の電位Vfgを所
望のレベルまでシフトさせるための制御端子、 M1 インバータアンプの出力端子と入力端子と間に設
けられたスイッチ、 C1,C2,C3,…Cn,Cd 容量、
1, 2, 3, ... n signal input terminal, 10 input terminal of inverter amplifier, 20 control terminal of the switch, 30 inverter amplifier (comparative judgment means) 100 output terminal of inverter amplifier, 200 potential Vfg of input terminal of inverter amplifier , A switch provided between the output terminal and the input terminal of the M1 inverter amplifier, C1, C2, C3, ... Cn, Cd capacitors,

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 複数の入力端子を持ち、前記各入力端子
がそれぞれの容量手段を介して共通接続され、前記共通
接続端子に比較判定手段の入力端子が接続され、前記比
較判定手段の出力端子と入力端子との間にスイッチ手段
が設けられた半導体装置の駆動方法において、 前記スイッチ手段をオンとして前記比較判定手段の入力
端子と出力端子を同電位に設定した後、 前記スイッチ手段をオフとして前記比較判定手段の入力
端子を浮遊状態とし、 前記複数の入力端子の内の少なくとも1つ以上の入力端
子から電圧を印加して、前記浮遊状態の比較判定手段の
入力端子の電位を、中点レベルから所望のレベルにシフ
トさせた後、 残りの他の入力端子から電圧を印加して前記比較判定手
段を反転動作させることを特徴とする半導体装置の駆動
方法。
1. A plurality of input terminals, said input terminals are commonly connected via respective capacitance means, said common connection terminal is connected to an input terminal of comparison determination means, and an output terminal of said comparison determination means. In the method for driving a semiconductor device, wherein switch means is provided between the input terminal and the input terminal, the switch means is turned on and the input terminal and the output terminal of the comparison determination means are set to the same potential, and then the switch means is turned off. The input terminal of the comparison / determination means is in a floating state, and a voltage is applied from at least one or more input terminals of the plurality of input terminals to set the potential of the input terminal of the comparison / determination means in the floating state to a midpoint. After shifting from a level to a desired level, a voltage is applied from the remaining other input terminals to invert the comparison / determination means to drive the semiconductor device.
【請求項2】 前記比較判定手段の入力端子と出力端子
を同電位に設定する際、前記複数の入力端子の内の少な
くとも1つ以上の入力端子のハイレベルを印加してお
き、前記比較判定手段の入力端子を浮遊状態とした後
に、前記入力端子にローレベルを印加することを特徴と
する請求項1記載の半導体装置の駆動方法。
2. When setting the input terminal and the output terminal of the comparison and determination means to the same potential, the high level of at least one or more input terminals of the plurality of input terminals is applied and the comparison and determination is performed. 2. The method for driving a semiconductor device according to claim 1, wherein a low level is applied to the input terminal after the input terminal of the means is brought into a floating state.
【請求項3】 前記複数の入力端子の内の少なくとも1
つ以上の入力端子に、前記スイッチ手段をオンオフさせ
る信号またはその反転信号が印加されることを特徴とす
る請求項1記載の半導体装置の駆動方法。
3. At least one of the plurality of input terminals
2. The method of driving a semiconductor device according to claim 1, wherein a signal for turning on / off the switch means or an inverted signal thereof is applied to one or more input terminals.
【請求項4】 前記それぞれの容量手段の大きさの比を
任意に設定することにより、前記シフト量を任意に制御
することを特徴とする請求項1記載の半導体装置の駆動
方法。
4. The method for driving a semiconductor device according to claim 1, wherein the shift amount is controlled arbitrarily by arbitrarily setting the ratio of the sizes of the respective capacitance means.
【請求項5】 複数の入力端子を持ち、前記各入力端子
がそれぞれの容量手段を介して共通接続され、前記共通
接続端子に比較判定手段の入力端子が接続され、前記比
較判定手段の出力端子と入力端子との間にスイッチ手段
が設けられた半導体装置において、 前記スイッチ手段をオンとして前記比較判定手段の入力
端子と出力端子を同電位に設定した後、前記スイッチ手
段をオフとして前記比較判定手段の入力端子を浮遊状態
とする手段と、 前記複数の入力端子の内の少なくとも1つ以上の入力端
子から電圧を印加して、前記浮遊状態の比較判定手段の
入力端子の電位を中点レベルから所望のレベルにシフト
させる手段と、 残りの他の入力端子から電圧を印加して前記比較判定手
段を反転動作させる手段と、を有することを特徴とする
半導体装置。
5. A plurality of input terminals, said input terminals are commonly connected via respective capacitance means, said common connection terminal is connected to an input terminal of comparison determination means, and an output terminal of said comparison determination means. In a semiconductor device in which a switch means is provided between an input terminal and an input terminal, the switch means is turned on to set the input terminal and the output terminal of the comparison determination means to the same potential, and then the switch means is turned off to perform the comparison determination. A means for bringing the input terminal of the means into a floating state; and applying a voltage from at least one or more input terminals of the plurality of input terminals to set the potential of the input terminal of the comparison and determination means in the floating state to the midpoint level. To a desired level, and a means for applying a voltage from the remaining other input terminal to invert the comparison / determination means. apparatus.
【請求項6】 前記比較判定手段の入力端子と出力端子
を同電位に設定する際、前記複数の入力端子の内の少な
くとも1つ以上の入力端子のハイレベルを印加してお
き、前記比較判定手段の入力端子を浮遊状態とした後
に、前記入力端子にローレベルを印加する手段を有する
ことを特徴とする請求項5記載の半導体装置。
6. When setting the input terminal and the output terminal of the comparison / determination means to the same potential, the high level of at least one or more input terminals among the plurality of input terminals is applied, and the comparison / determination is performed. 6. The semiconductor device according to claim 5, further comprising means for applying a low level to the input terminal after the input terminal of the means is brought into a floating state.
【請求項7】 前記複数の入力端子の内の少なくとも1
つ以上の入力端子に、前記スイッチ手段をオンオフさせ
る信号またはその反転信号を印加する手段を有すること
を特徴とする請求項5記載の半導体装置。
7. At least one of the plurality of input terminals
6. The semiconductor device according to claim 5, further comprising means for applying a signal for turning on / off the switch means or an inverted signal thereof to one or more input terminals.
【請求項8】 前記それぞれの容量手段の大きさの比を
任意に設定することにより、前記シフト量を任意に制御
したことを特徴とする請求項5記載の半導体装置。
8. The semiconductor device according to claim 5, wherein the shift amount is arbitrarily controlled by arbitrarily setting the ratio of the sizes of the respective capacitance means.
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