JPH0817569A - High frequency heating device - Google Patents
High frequency heating deviceInfo
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- JPH0817569A JPH0817569A JP14939794A JP14939794A JPH0817569A JP H0817569 A JPH0817569 A JP H0817569A JP 14939794 A JP14939794 A JP 14939794A JP 14939794 A JP14939794 A JP 14939794A JP H0817569 A JPH0817569 A JP H0817569A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、被加熱物をマイクロ波
加熱するための高周波加熱装置に関し、特に加熱室内の
マイクロ波インピーダンスを変化させる機能を有する高
周波加熱装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a high frequency heating apparatus for heating an object to be heated with microwaves, and more particularly to a high frequency heating apparatus having a function of changing microwave impedance in a heating chamber.
【0002】[0002]
【従来の技術】まず、第1の従来例について述べる。高
周波加熱装置では、加熱室内の被加熱物の大きさおよび
含有水分量等、被加熱物特有の要素によって加熱室側の
インピーダンスが変動し、被加熱物の種類によってはマ
イクロ波発生手段であるマグネトロンと加熱室との間の
インピーダンスマッチングが取れなくなり、マイクロ波
反射電界が大きくなって加熱ロスが増大する場合があ
る。そこで、被加熱物の種類に応じてインピーダンスマ
ッチングを取るための手段を設けることによりマイクロ
波反射電界を低減させる機能を有する高周波加熱装置が
提案されている。2. Description of the Related Art First, a first conventional example will be described. In the high-frequency heating device, the impedance of the heating chamber varies depending on factors such as the size of the object to be heated and the amount of water contained in the heating chamber, and depending on the type of object to be heated, a magnetron that is a microwave generation means. In some cases, impedance matching between the heating chamber and the heating chamber cannot be obtained, the microwave reflection electric field becomes large, and heating loss may increase. Therefore, there has been proposed a high-frequency heating device having a function of reducing the microwave reflection electric field by providing a means for impedance matching depending on the type of object to be heated.
【0003】図32は、そのようなインピーダンスマッ
チング手段を有する従来の高周波加熱装置の構成図であ
る。この高周波加熱装置は外郭筺体1の内部に加熱室2
を備え、加熱室2の内部底面には、被加熱物Mが載置さ
れるターンテーブル3がセンター軸4によって回転自在
に支持されている。このセンター軸4はターンテーブル
モータ5によって回転駆動され、同時に下端部が被加熱
物Mの重量を測定するための静電容量式重量センサ6に
当接する構成となっている。FIG. 32 is a block diagram of a conventional high-frequency heating apparatus having such impedance matching means. This high-frequency heating device has a heating chamber 2 inside an outer casing 1.
A turntable 3 on which an object to be heated M is placed is rotatably supported by a center shaft 4 on the inner bottom surface of the heating chamber 2. The center shaft 4 is rotationally driven by a turntable motor 5, and at the same time, the lower end portion of the center shaft 4 is brought into contact with a capacitance type weight sensor 6 for measuring the weight of the object to be heated M.
【0004】また、外郭筺体1内には、加熱室2に隣接
してマイクロ波発生手段としてのマグネトロン10が配
置されている。マグネトロン10で発生したマイクロ波
はマグネトロンアンテナ11によって外部に輻射され、
導波管12に導かれて加熱室2内に輻射される。加熱室
2および導波管12の接合部には開口カバー7が取り付
けられており、加熱室2側から導波管12内が見えない
ようになっている。Further, a magnetron 10 as a microwave generating means is arranged adjacent to the heating chamber 2 in the outer casing 1. The microwave generated by the magnetron 10 is radiated to the outside by the magnetron antenna 11,
It is guided to the waveguide 12 and radiated into the heating chamber 2. An opening cover 7 is attached to the joint between the heating chamber 2 and the waveguide 12 so that the inside of the waveguide 12 cannot be seen from the heating chamber 2 side.
【0005】導波管12内には、インピーダンス整合用
金属リフレクタ(以下、可動式スタブ、という)13が
設置されている。この可動式スタブ13は、図33の拡
大図および図34の斜視図に示すように、アルミニウム
等の非磁性体金属板製の円板状の金属面13aと、その
周端に折曲形成した金属スタブ13bとからなり、プラ
スチックまたはセラミック等の低誘電率誘電体材料から
なる回転軸14に固定されている。In the waveguide 12, a metal reflector for impedance matching (hereinafter referred to as a movable stub) 13 is installed. As shown in the enlarged view of FIG. 33 and the perspective view of FIG. 34, the movable stub 13 is formed by bending a disc-shaped metal surface 13a made of a non-magnetic metal plate such as aluminum and the peripheral end thereof. It is composed of a metal stub 13b and is fixed to a rotary shaft 14 made of a low dielectric constant dielectric material such as plastic or ceramic.
【0006】回転軸14は、回転方向が一方向に規制さ
れたシンクロナスモータ(以下、スタブモータ、とい
う)15によって回転駆動される。回転軸14には回転
基準位置検知用のカム16が取り付けられており、この
カム16の外周部にはカム16に設けた突起によって駆
動されるマイクロスイッチを備えた検知スイッチ17が
配置され、カム16の位置すなわち可動式スタブ13の
位置が検知できるようになっている。図35は可動式ス
タブ13の回転位置を説明するための図で、基準位置0
から反時計回りに16等分した位置0〜15を示してい
る。The rotating shaft 14 is rotationally driven by a synchronous motor (hereinafter referred to as a stub motor) 15 whose rotation direction is restricted to one direction. A cam 16 for detecting a rotation reference position is attached to the rotary shaft 14, and a detection switch 17 having a micro switch driven by a protrusion provided on the cam 16 is arranged on an outer peripheral portion of the cam 16 to form a cam. The position of 16, that is, the position of the movable stub 13 can be detected. FIG. 35 is a diagram for explaining the rotational position of the movable stub 13, and the reference position 0
It shows the positions 0 to 15 which are divided into 16 equal parts in the counterclockwise direction.
【0007】アンテナ11からマイクロ波が輻射される
と、マイクロ波は導波管12内を進行波として通過し、
開口カバー7から加熱室2の内部に輻射され被加熱物M
に吸収される。可動式スタブ13が設置されていなけれ
ば、被加熱物Mの状態により一部のマイクロ波が反射波
として導波管12の内部に戻り、反射波と進行波との割
合や位相状態等により導波管12内の定在波モードが変
化し、マグネトロン10の動作効率に影響を与える。When the microwave is radiated from the antenna 11, the microwave passes through the waveguide 12 as a traveling wave,
The object to be heated M radiated from the opening cover 7 into the heating chamber 2
Is absorbed by If the movable stub 13 is not installed, a part of the microwaves returns to the inside of the waveguide 12 as a reflected wave depending on the state of the object to be heated M, and is guided by the ratio of the reflected wave and the traveling wave or the phase state. The standing wave mode in the wave tube 12 changes, affecting the operating efficiency of the magnetron 10.
【0008】そこで、この高周波加熱装置では、導波管
12内に設置した可動式スタブ13を被加熱物Mに応じ
て回転させることによりインピーダンスを調整し、マグ
ネトロン10の動作効率を高くするようにしている。す
なわち、スタブモータ15の回転によって可動式スタブ
13の金属スタブ13bが基準位置0に達すると、カム
16に設けた突起が検知スイッチ17を駆動する。これ
により検知スイッチ17から制御回路20にオン/オフ
信号が送出される。制御回路20はこの信号を受けて内
部メモリから被加熱物Mに対応する可動式スタブ13の
回転位置データを読み出し、スタブモータ15の通電時
間を制御して可動式スタブ13が所定の位置に停止する
ように制御する。このように可動式スタブ13を被加熱
物Mに応じて変化させることにより、被加熱物Mの種類
に関係なく常に被加熱物Mに対する加熱効率を高めるよ
うにしている。Therefore, in this high-frequency heating apparatus, the movable stub 13 installed in the waveguide 12 is rotated according to the object M to be heated so that the impedance is adjusted and the operating efficiency of the magnetron 10 is increased. ing. That is, when the metal stub 13b of the movable stub 13 reaches the reference position 0 by the rotation of the stub motor 15, the protrusion provided on the cam 16 drives the detection switch 17. As a result, the detection switch 17 sends an ON / OFF signal to the control circuit 20. Upon receiving this signal, the control circuit 20 reads the rotational position data of the movable stub 13 corresponding to the object to be heated M from the internal memory, controls the energization time of the stub motor 15 and stops the movable stub 13 at a predetermined position. Control to do. By changing the movable stub 13 according to the object to be heated M in this way, the heating efficiency for the object to be heated M is always increased regardless of the type of the object to be heated M.
【0009】次に、第2の従来例について述べる。従来
の高周波加熱装置の中には、被加熱物の高さおよび重量
を測定し、その測定結果に基づいて被加熱物を予め分類
されたグループに比較分類し、グループ毎に予め設定さ
れた位置に前述した可動式スタブ13を回転移動させる
ことで被加熱物に最適の加熱特性を得る機能を有する高
周波加熱装置がある。Next, the second conventional example will be described. In the conventional high-frequency heating device, the height and weight of the object to be heated are measured, the object to be heated is compared and classified into pre-groups based on the measurement results, and the position preset for each group is set. There is a high-frequency heating apparatus having a function of obtaining optimum heating characteristics for an object to be heated by rotating the movable stub 13 described above.
【0010】この高周波加熱装置では、ターンテーブル
3上のいかなる位置に被加熱物が置かれてもその高さを
正確に測定できるように、ターンテーブル3を1回転さ
せてその間の測定高さの最高値を被加熱物の高さとみる
方法をとり、重量においても同様にターンテーブル3上
のいかなる位置に被加熱物が置かれてもその偏荷重を相
殺する目的でターンテーブル3を1回転させ、その間に
一定時間間隔で測定された重量の平均をとって被加熱物
の重量としている。被加熱物の予め分類されたグループ
への比較分類はターンテーブル3の1回転の後に行わ
れ、その後にグループ毎に予め設定された位置へ可動式
スタブ13を移動させる。In this high-frequency heating apparatus, the turntable 3 is rotated once so that the height of the object to be heated can be accurately measured regardless of the position of the object to be heated on the turntable 3. Taking the maximum value as the height of the heated object, the turntable 3 is rotated once for the purpose of canceling the unbalanced load even if the heated object is placed at any position on the turntable 3 in terms of weight. During that time, the weight of the object to be heated is calculated by averaging the weights measured at regular time intervals. The comparative classification of the objects to be heated into the pre-sorted groups is performed after one turn of the turntable 3, and then the movable stubs 13 are moved to the preset positions for each group.
【0011】したがって、マグネトロン10への電力供
給は、これらの測定動作が終了してから行うのが加熱効
率の面から考えると最良であるが、被加熱物の測定、分
類、可動式スタブ13の移動といった一連の動作に要す
る時間が長いため、加熱スタート(測定開始)から加熱
終了までに時間がかかり加熱時間の短縮というメリット
がなくなってしまう。そこで、加熱開始(測定開始)か
ら被加熱物の測定を終えて可動式スタブ13を動作させ
るまでの間は、加熱前に予め設定されていたあらゆる負
荷に対して電圧定在波比(VS)が低い位置に可動式ス
タブ13を位置させ、被加熱物の測定等を行っている間
もマグネトロン10を動作させて加熱するようにしてい
る。Therefore, it is best to supply the electric power to the magnetron 10 after these measuring operations are completed from the viewpoint of heating efficiency, but the measurement, classification, and movable stub 13 of the object to be heated are performed. Since the time required for a series of operations such as movement is long, it takes time from the start of heating (start of measurement) to the end of heating, and the merit of shortening the heating time is lost. Therefore, during the period from the start of heating (start of measurement) to the end of measurement of the object to be heated and the operation of the movable stub 13, the voltage standing wave ratio (VS) is set for any load set in advance before heating. The movable stub 13 is located at a low position, and the magnetron 10 is operated and heated even while the object to be heated is measured.
【0012】次に、第3の従来例について述べる。高周
波加熱装置によって冷凍された刺身などの生ものの解凍
を行う場合、加熱後の被加熱物の温度が0℃を超えると
食品の鮮度が落ちて味が悪くなってしまう。また、高周
波加熱装置で生ものを加熱すると急激に温度が上昇する
ため加熱ムラが生じ、被加熱物の温度を0℃以下に保と
うとすると未解凍の部分ができたり、逆に未解凍の部分
をなくそうとすると過加熱の部分ができて煮えたような
状態になってしまう。そこで、生ものの解凍を行う場合
は、マグネトロン10への電力供給を断続させ、マグネ
トロン10への電力供給時に部分的に上昇した被加熱物
の温度を電力未供給時に分散させて単位時間当たりの高
周波出力を押さえて均一加熱特性を改善するようにして
いる。Next, a third conventional example will be described. When thawing raw food such as sashimi frozen by a high-frequency heating device, if the temperature of the heated object after heating exceeds 0 ° C., the freshness of the food decreases and the taste becomes bad. Also, when raw food is heated with a high-frequency heating device, the temperature rises sharply, causing uneven heating, and when trying to keep the temperature of the object to be heated below 0 ° C, unthawed parts are created, and conversely unthawed parts If you try to get rid of, the overheated part will be created and it will be like a boiled state. Therefore, when thawing raw food, the power supply to the magnetron 10 is intermittently supplied, and the temperature of the heated object partially increased when the power is supplied to the magnetron 10 is dispersed when the power is not supplied to generate high frequency waves per unit time. The output is suppressed to improve the uniform heating characteristics.
【0013】ところが、出力の断続によって高周波出力
を押さえた場合、熱伝導特性の悪い被加熱物はマグネト
ロン10からの電力供給によって急激に温度が上昇した
後、電力未供給時の熱分散が不十分となり、被加熱物内
に温度差を作り出してしまうことがある。また、断続加
熱時の単位サイクル内のマグネトロン10への電力供給
時間を短くすると、マグネトロン10の寿命を極端に短
くするため単位サイクル内のマグネトロン10への電力
供給時間をある程度確保する必要があり、結果として高
周波出力の大きい高周波加熱装置ほど断続加熱時の均一
加熱性が悪いものになってしまう。However, when the high frequency output is suppressed by intermittent output, the temperature of the object to be heated, which has poor heat conduction characteristics, rises sharply due to the power supply from the magnetron 10, and the heat dispersion is insufficient when the power is not supplied. Therefore, a temperature difference may be created in the object to be heated. Further, if the power supply time to the magnetron 10 in the unit cycle during intermittent heating is shortened, it is necessary to secure the power supply time to the magnetron 10 in the unit cycle to some extent in order to extremely shorten the life of the magnetron 10. As a result, the higher the high-frequency heating device with the higher high-frequency output, the worse the uniform heating property during intermittent heating.
【0014】そこで、最近ではマグネトロン10への電
力供給量を制御できるインバータ電源装置をマグネトロ
ン10への電力供給源とすることにより、マグネトロン
10への電力供給を断続させることなく弱パワー出力を
持続させるようにしたした高周波加熱装置が提案されて
いる。図36は、そのような高周波加熱装置のインバー
タ電源装置30を示すブロック構成図である。この装置
30は商用電源を整流平滑して直流電源を得る整流平滑
回路31、マグネトロン駆動用の変圧器32、この変圧
器32の一次巻線32aに並列に接続された共振コンデ
ンサ33および半導体スイッチング回路34を備え、半
導体スイッチング回路34を高周波スイッチングさせる
ためのオン/オフパルス信号を変化させてマグネトロン
10への電力供給量を制限するようにしている。Therefore, recently, a weak power output is maintained without interrupting the power supply to the magnetron 10 by using an inverter power supply device capable of controlling the power supply amount to the magnetron 10 as a power supply source to the magnetron 10. A high-frequency heating device having such a structure has been proposed. FIG. 36 is a block diagram showing an inverter power supply device 30 of such a high frequency heating device. This device 30 is a rectifying / smoothing circuit 31 for rectifying and smoothing a commercial power source to obtain a DC power source, a transformer 32 for driving a magnetron, a resonance capacitor 33 connected in parallel to a primary winding 32a of the transformer 32, and a semiconductor switching circuit. 34, the ON / OFF pulse signal for high-frequency switching the semiconductor switching circuit 34 is changed to limit the amount of electric power supplied to the magnetron 10.
【0015】変圧器32の二次側には、二次巻線32b
に高圧コンデンサ35と高圧ダイオード36が接続され
て倍電圧回路VMを構成し、これがマグネトロン駆動回
路としてマグネトロン10に接続されている。マグネト
ロン10の陰極はコンデンサ35および二次巻線32b
を介してインバータ制御回路40に接続され、このイン
バーター制御回路40から駆動回路41を介して半導体
スイッチング回路34にパルス信号が送られることでフ
ィードバックによる最適制御が行われる。The secondary side of the transformer 32 has a secondary winding 32b.
A high-voltage capacitor 35 and a high-voltage diode 36 are connected to each other to form a voltage doubler circuit VM, which is connected to the magnetron 10 as a magnetron drive circuit. The cathode of the magnetron 10 is the capacitor 35 and the secondary winding 32b.
The inverter control circuit 40 is connected to the semiconductor control circuit 40 via the drive circuit 41, and a pulse signal is sent from the inverter control circuit 40 to the semiconductor switching circuit 34 via the drive circuit 41 to perform optimum control by feedback.
【0016】すなわち、インバータ制御回路40はシス
テム全体を制御する制御回路20からのマグネトロン出
力設定信号に応じて、入出力の電圧・電流等の検出結果
に基づき出力を制御すべく駆動回路41を通じて半導体
スイッチング回路34の駆動パルス幅および駆動タイミ
ングを調節する構成になっている。このようなインバー
タ電源装置30を用いて生ものの解凍を行う場合、マグ
ネトロン10への電力供給量を少なくし、マグネトロン
10への電力供給を断続させることなく弱パワー出力を
実現させることが可能である。That is, the inverter control circuit 40 controls the output according to the magnetron output setting signal from the control circuit 20 for controlling the entire system, and controls the output based on the detection result of the input / output voltage / current. It is configured to adjust the drive pulse width and drive timing of the switching circuit 34. When thawing a raw product using such an inverter power supply device 30, it is possible to reduce the amount of power supplied to the magnetron 10 and realize a weak power output without interrupting the power supply to the magnetron 10. .
【0017】次に、第4の従来例について述べる。高周
波加熱装置の中には、マグネトロン10のモーディング
(異常発振)を早期に検出してマグネトロン10の発振
状態を正常動作に戻す機能を有した高周波加熱装置があ
る。すなわち、前述の図36のブロック構成図におい
て、変圧器32の二次巻線32bのインバータ制御回路
40側の端子に接続された抵抗37はマグネトロン陽極
電流検出用抵抗で、この抵抗37の両端電圧が制御回路
40に入力される。Next, a fourth conventional example will be described. Among high-frequency heating devices, there is a high-frequency heating device having a function of early detecting the modding (abnormal oscillation) of the magnetron 10 and returning the oscillation state of the magnetron 10 to normal operation. That is, in the block diagram of FIG. 36 described above, the resistor 37 connected to the terminal on the side of the inverter control circuit 40 of the secondary winding 32b of the transformer 32 is a magnetron anode current detection resistor, and the voltage across the resistor 37 is Is input to the control circuit 40.
【0018】また、マグネトロン10のフィラメントを
暖めるためのヒータ巻線32cがマグネトロン陽極に接
続され、マグネトロン10の陽極電圧は制御回路20か
らの信号によって制御される。また、変圧器32の一時
側の制御巻線32dが同期および出力電圧検知用として
制御回路40へ入力される。さらに、変圧器32の二次
側にはマグネトロン10の発振状態を検出する検出巻線
32eと、この検出巻線32eからの出力結果に基づい
てマグネトロン10のモーディング時に制御回路20の
駆動を停止する停止信号としてのリセットパルスを送信
する検出巻線出力整形回路50が設けられている。この
出力整形回路50と制御回路20とから駆動停止手段が
構成される。A heater winding 32c for warming the filament of the magnetron 10 is connected to the magnetron anode, and the anode voltage of the magnetron 10 is controlled by a signal from the control circuit 20. In addition, the control winding 32d on the temporary side of the transformer 32 is input to the control circuit 40 for synchronization and output voltage detection. Further, a detection winding 32e for detecting the oscillation state of the magnetron 10 is provided on the secondary side of the transformer 32, and the driving of the control circuit 20 is stopped when the magnetron 10 is moded based on the output result from the detection winding 32e. A detection winding output shaping circuit 50 that transmits a reset pulse as a stop signal is provided. The output shaping circuit 50 and the control circuit 20 constitute drive stop means.
【0019】マグネトロン駆動用の変圧器32は、図3
7および図38(図37におけるA−A線上断面図)に
示すように、断面視ロ字型のコア32Aに複数段に分割
形成されたボビン32Bの領域に二次巻線32bが巻き
付けられている。検出巻線32eは、図38に示すよう
にボビン32Bの二次側の一領域で二次巻線32bに並
列に配置され、マグネトロン10の陰極電圧の出力変動
を微分的に抽出するもので、検出巻線32eの一側が出
力整形回路50に接続される。The transformer 32 for driving the magnetron is shown in FIG.
As shown in FIG. 7 and FIG. 38 (a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 37), the secondary winding 32b is wound around the region of the bobbin 32B divided into a plurality of stages on the core 32A having a square cross section. There is. The detection winding 32e is arranged in parallel with the secondary winding 32b in a region on the secondary side of the bobbin 32B as shown in FIG. 38, and differentially extracts the output fluctuation of the cathode voltage of the magnetron 10. One side of the detection winding 32e is connected to the output shaping circuit 50.
【0020】検出巻線出力整形回路50は、検出巻線3
2eからの電圧VA を基準値としてスレッシュ電圧VN
と比較する比較回路51と、電圧VA のピーク値がスレ
ッシュ電圧VN のピーク値より大きければマグネトロン
10がモーディングを起こしていると判断しトリガ信号
を出力する判定回路52と、このトリガ信号の到来によ
ってインバータ制御回路40へ停止信号(リセットパル
ス)を送信するパルス発生回路53と、モーディング時
にパルス発生回路53での停止信号を一定期間送信した
のち送信を禁止する駆動復帰手段としてのリセット回路
54とから構成されている。The detection winding output shaping circuit 50 includes the detection winding 3
The threshold voltage V N with the voltage V A from 2e as a reference value
A comparing circuit 51 for comparing with, a judging circuit 52 for judging that the magnetron 10 is in the moding state and outputting a trigger signal if the peak value of the voltage V A is larger than the peak value of the threshold voltage V N ; Of the pulse generation circuit 53 that transmits a stop signal (reset pulse) to the inverter control circuit 40 due to the arrival of the signal, and a reset as a drive recovery means that transmits the stop signal in the pulse generation circuit 53 for a certain period during moding and then prohibits the transmission. And a circuit 54.
【0021】制御回路20はメイン制御装置に接続され
てマグネトロン出力設定信号をインバータ制御回路40
に供給するとともに、検出巻線出力整形回路50の判定
回路52に接続され、制御巻線32dからの信号に同期
してマグネトロン10が出力設定信号で与えられた出力
で発振するようスイッチング素子34を駆動回路41を
介して駆動制御する。The control circuit 20 is connected to the main control device and outputs a magnetron output setting signal to the inverter control circuit 40.
The switching element 34 is connected to the determination circuit 52 of the detection winding output shaping circuit 50, and the magnetron 10 oscillates at the output given by the output setting signal in synchronization with the signal from the control winding 32d. Drive control is performed via the drive circuit 41.
【0022】インバータ制御回路40は停止信号が供給
されていないときは、制御回路20からマグネトロン出
力設定信号が供給されるのに伴ってスイッチング素子3
4を駆動し、マグネトロン出力設定信号が途絶えたとき
や、出力整形回路50から停止信号が供給されたときに
は、スイッチング素子34の駆動を停止する。このよう
に出力整形回路50によってマグネトロンのモーディン
グを早期に検出してスイッチング素子34の駆動を停止
することでマグネトロン10の発振状態を正常動作に戻
すようにしている。When the stop signal is not supplied to the inverter control circuit 40, the switching element 3 is supplied as the magnetron output setting signal is supplied from the control circuit 20.
4 is driven, and when the magnetron output setting signal is interrupted or when the stop signal is supplied from the output shaping circuit 50, the driving of the switching element 34 is stopped. In this way, the output shaping circuit 50 detects the modding of the magnetron at an early stage and stops the driving of the switching element 34 to restore the oscillation state of the magnetron 10 to the normal operation.
【0023】次に、第5の従来例について述べる。高周
波加熱装置でマイクロ波加熱を行う場合、加熱ムラを少
なくするために、被加熱物をターンテーブルによって回
転させてマイクロ波の照射を均等化させる方法が取られ
ている。しかし、ターンテーブルの回転は平面的である
ため上下方向の加熱ムラに対する改善効果は少なく、ま
た平面方向においても回転の中心に位置する部分は殆ど
移動しないためターンテーブルを回転するのみで完全な
均一加熱特性の改善はできない。そこで、導波管12の
加熱室2への開口位置の決定が重要となる。Next, a fifth conventional example will be described. When microwave heating is performed with a high-frequency heating device, in order to reduce heating unevenness, a method of rotating an object to be heated by a turntable to equalize microwave irradiation is adopted. However, the rotation of the turntable is flat, so there is little improvement effect on uneven heating in the vertical direction, and the portion located at the center of rotation does not move in the plane direction either, so that the turntable is rotated uniformly. The heating characteristics cannot be improved. Therefore, it is important to determine the opening position of the waveguide 12 to the heating chamber 2.
【0024】一般には、導波管12の加熱室2への開口
位置が比較的高い位置にあると、平面方向に広く高さの
ない被加熱物に対しては、被加熱物のどの部分も開口か
ら被加熱物までの距離に大差がないため均一特性に優れ
ている。しかし、上下方向に高い被加熱物に対しては、
開口から被加熱物の上部までの距離に対して下部までの
距離に大差が生じ、被加熱物の上部にマイクロ波が集中
して均一特性が悪くなる。Generally, when the opening position of the waveguide 12 to the heating chamber 2 is at a relatively high position, any part of the object to be heated is wide with respect to the object to be heated which is wide in the plane direction and has no height. Since there is no great difference in the distance from the opening to the object to be heated, it has excellent uniform characteristics. However, for objects that are high in the vertical direction,
A large difference occurs in the distance from the opening to the upper part of the object to be heated, and the microwave concentrates on the upper part of the object to be heated, resulting in poor uniformity.
【0025】これに対し、導波管12の加熱室2への開
口位置が比較的低い位置にあると、平面方向に広く高さ
のない被加熱物に対しては、被加熱物の外周が開口に極
端に近づきすぎるため、その部分のみマイクロ波が集中
して外周が過加熱となり均一特性が悪くなる。しかし、
上下方向に高い被加熱物に対しては、開口から被加熱物
のどの部分までの距離にも大差がないため均一特性に優
れている。On the other hand, when the opening position of the waveguide 12 to the heating chamber 2 is at a relatively low position, the outer periphery of the object to be heated is wide with respect to the object to be heated which is wide in the plane direction and has no height. Since it is extremely close to the opening, microwaves concentrate only on that portion and the outer circumference is overheated, resulting in poor uniformity. But,
With respect to the object to be heated which is high in the vertical direction, there is no great difference in the distance from the opening to any part of the object to be heated, so that the uniform characteristics are excellent.
【0026】次に、第6の従来例について述べる。従来
の高周波加熱装置の中には、被加熱物の仕上がりを検知
して加熱を終了する機能を有した高周波加熱装置があ
る。そのような高周波加熱装置では、被加熱物の加熱状
態を検出する手段として湿度センサを用い、この湿度セ
ンサによって被加熱物の温度上昇にともない被加熱物か
ら発せられる水蒸気量の変化を捕らえて加熱状態を検出
するようにしている。Next, a sixth conventional example will be described. Among conventional high-frequency heating devices, there is a high-frequency heating device having a function of detecting the finish of an object to be heated and ending heating. In such a high-frequency heating device, a humidity sensor is used as a means for detecting the heating state of the object to be heated, and the humidity sensor captures the change in the amount of water vapor emitted from the object to be heated with the temperature rise of the object to be heated. I am trying to detect the state.
【0027】次に、第7の従来例について述べる。従来
の高周波加熱装置の中には、ターンテーブルに載せられ
た被加熱物の重量を測定し、被加熱物の重量に適した加
熱制御を行う高周波加熱装置がある。被加熱物の重量を
測定する手段のひとつに圧電式重量センサを用いた方式
がある。この方式はターンテーブルを支えて回転する3
叉形状の支持ローラ台のローラ通過点に設けた圧電式重
量センサの検知信号を制御回路に入力し、ピークホール
ド回路でスレッシュ電圧レベルを超えるレベルのピーク
電圧信号を一定時間保持した後、A/Dコンバータで電
圧レベルを読み取って演算回路にデータを送る。Next, a seventh conventional example will be described. Among conventional high-frequency heating devices is a high-frequency heating device that measures the weight of an object to be heated placed on a turntable and performs heating control suitable for the weight of the object to be heated. One of the means for measuring the weight of an object to be heated is a method using a piezoelectric weight sensor. This method supports the turntable and rotates 3
The detection signal of the piezoelectric weight sensor provided at the roller passage point of the fork-shaped support roller base is input to the control circuit, and the peak hold circuit holds the peak voltage signal at a level exceeding the threshold voltage level for a certain period of time. The D converter reads the voltage level and sends the data to the arithmetic circuit.
【0028】被加熱物がターンテーブルの中央部に置か
れている場合は、3個のローラに被加熱物の重量の約1
/3の荷重が加わっており、重量センサの各ローラに対
応する出力ピークホールド値は略同等値となる。被加熱
物がターンテーブルの周辺部に置かれている場合は、3
個のローラに被加熱物の位置によってそれぞれ異なる荷
重が加わっており、重量センサの各ローラに対応する出
力ピークホールド値はそれぞれ異なる値となる。When the object to be heated is placed in the center of the turntable, the weight of the object to be heated is about 1 on the three rollers.
Since the load of / 3 is applied, the output peak hold value corresponding to each roller of the weight sensor becomes substantially the same value. 3 if the object to be heated is placed around the turntable
Different loads are applied to the individual rollers depending on the position of the object to be heated, and the output peak hold values corresponding to the respective rollers of the weight sensor have different values.
【0029】[0029]
【発明が解決しようとする課題】前述した第1の従来例
において、可動式スタブ13を予め選択されたメニュー
に適した位置に移動させ、被加熱物に応じたインピーダ
ンスマッチングをとって加熱しても、例えば冷凍食品を
冷凍状態から解凍し、解凍後は温め加熱に移行する場合
のように、マイクロ波加熱中に被加熱物の物性が変化す
る場合は、加熱室2内のインピーダンスが0℃以下の状
態と0℃以上の状態とで融点を境に異なるため、冷凍状
態を脱した時点でインピーダンスマッチングがずれてし
まい加熱ロスが増大するという不都合がある。In the first conventional example described above, the movable stub 13 is moved to a position suitable for a preselected menu, and is heated by impedance matching according to the object to be heated. Also, for example, when the physical properties of the object to be heated change during microwave heating, such as when thawing frozen food from the frozen state and then warming and heating after thawing, the impedance in the heating chamber 2 is 0 ° C. Since the melting point is different between the following state and the state of 0 ° C. or more, there is a disadvantage that impedance matching is deviated at the time of leaving the frozen state and heating loss increases.
【0030】次に、前述した第2の従来例において、被
加熱物の形状判断における予め分類されたグループは、
使用するであろう負荷容量を網羅しているが、被加熱物
を乗せる容器は使用者それぞれで異なり、重さや高さが
平均的な容器より極端に異なる場合は、被加熱物と容器
の重量および高さをわけて測定することは不可能である
ため、容器によっては意とするグループとずれたグルー
プに分類される不都合がある。Next, in the above-mentioned second conventional example, the previously classified groups in the shape determination of the object to be heated are:
Although it covers the load capacity that will be used, the container to put the heated object is different for each user, and if the weight and height are extremely different from the average container, the weight of the heated object and the container Since it is impossible to measure the height and the height separately, there is the inconvenience that some containers are classified into different groups from the intended group.
【0031】また、前述した第2の従来例では、加熱前
に予め設定されていたあらゆる負荷に対して電圧定在波
比が低い位置に可動式スタブ13を位置させ、マイクロ
波加熱を続けながら被加熱物の形状を認識した後に、被
加熱物に最適の加熱特性のマイクロ波インピーダンスの
位置に可動式スタブ13を回転させているが、その回転
途中に電圧定在波比が高くなる位置が存在すると、その
位置を可動式スタブ13が通過する際に導波管12内で
放電が起き、最悪の場合はマグネトロン10が破壊され
ることがある。Further, in the above-mentioned second conventional example, the movable stub 13 is positioned at a position where the voltage standing wave ratio is low with respect to any load preset before heating, and microwave heating is continued. After recognizing the shape of the object to be heated, the movable stub 13 is rotated to the position of the microwave impedance having the optimum heating characteristic for the object to be heated. If present, discharge may occur in the waveguide 12 when the movable stub 13 passes through that position, and in the worst case, the magnetron 10 may be destroyed.
【0032】次に、前述した第3の従来例において、イ
ンバータ電源装置30を構成するマグネトロン駆動用の
変圧器32を、一次巻線32a、二次巻線32bおよび
ヒータ巻線32cから構成した場合、図39に示す「マ
グネトロン入力電力−フィラメント電流特性」から明ら
かなように、マグネトロン10への入力電力の減少とと
もにフィラメント電流が低下し、フィラメント温度が下
がってモーディングを起こす場合がある。Next, in the above-mentioned third conventional example, when the transformer 32 for driving the magnetron constituting the inverter power supply device 30 is composed of the primary winding 32a, the secondary winding 32b and the heater winding 32c. As is clear from the "magnetron input power-filament current characteristic" shown in FIG. 39, the filament current may decrease as the input power to the magnetron 10 decreases, and the filament temperature may decrease to cause moding.
【0033】一方、フィラメントの温度が一定値を超え
るとマグネトロン10の寿命が極端に短くなるため、フ
ィラメント電流の上限値も必然的に決められている。そ
のため、前述するような構成のマグネトロン駆動用変圧
器32を有するインバータ電源装置30では、マグネト
ロン10への供給電力がある量以下になると、フィラメ
ント電流が不足するため、生ものの解凍のように高周波
出力をかなり低く抑える必要がある場合には、半導体ス
イッチング回路34を高周波スイッチングさせるための
パルス信号を変化させて、マグネトロン10への供給電
力を少なくすると共に、マグネトロン10への電力供給
を断続させる必要がある。On the other hand, if the temperature of the filament exceeds a certain value, the life of the magnetron 10 becomes extremely short, so the upper limit of the filament current is inevitably determined. Therefore, in the inverter power supply device 30 having the magnetron driving transformer 32 having the above-described configuration, when the power supplied to the magnetron 10 becomes less than a certain amount, the filament current becomes insufficient, so that a high frequency output such as the defrosting of a raw product is generated. When it is necessary to suppress the power consumption to a considerably low level, it is necessary to change the pulse signal for switching the semiconductor switching circuit 34 at a high frequency to reduce the power supplied to the magnetron 10 and to interrupt the power supply to the magnetron 10. is there.
【0034】ところが、マグネトロン10への供給電力
を少なくすると同時にマグネトロン10の電力供給を断
続させると、均一加熱特性はマグネトロン10への供給
電力を少なくするとともにマグネトロン10への電力供
給を断続させたときの見かけ上の高周波出力と同等の高
周波出力をインバーター回路30のマグネトロン10へ
の入力電力の減少のみの連続加熱によって実現した場合
に比較して劣ることになる。However, when the power supply to the magnetron 10 is reduced and the power supply to the magnetron 10 is interrupted at the same time, the uniform heating characteristic is that when the power supplied to the magnetron 10 is reduced and the power supply to the magnetron 10 is interrupted. This is inferior to the case where a high frequency output equivalent to the apparent high frequency output is realized by continuous heating only by reducing the input power of the inverter circuit 30 to the magnetron 10.
【0035】一方、生ものの解凍のように高周波出力を
かなり低く抑えた状態をインバータ回路30の半導体ス
イッチング回路34を高周波スイッチングさせるための
パルス信号の変化のみによる連続加熱によって実現する
には、変圧器32からヒータ巻線32cを分離し、フィ
ラメント加熱用の変圧器を別に設ける必要があり、コス
ト的に高価なものになるとともに他の部品の設置スペー
スに大きな制約を与えるという不都合がある。On the other hand, in order to realize a state in which the high-frequency output is suppressed to a considerably low level, such as thawing raw food, by continuous heating only by changing the pulse signal for high-frequency switching the semiconductor switching circuit 34 of the inverter circuit 30, a transformer is used. It is necessary to separate the heater winding 32c from 32 and separately provide a transformer for heating the filament, which is costly and disadvantageous in that the installation space for other components is greatly restricted.
【0036】次に、前述した第4の従来例におけるマグ
ネトロン10のモーディング検出方法では、マグネトロ
ン10のモーディングの発生後に連続してなるモーディ
ングを停止させることができるのみであり、検出するま
での間のモーディングによるマグネトロン10へのダメ
ージは回避できない。また、モーディング発生の頻度は
マグネトロン10の使用期間とともに増加し、マグネト
ロン10の寿命末期が近づくにつれて急激に増加するた
め、一つの加熱サイクルのなかで頻繁にモーディングを
起こすようになると、パルス発生回路53での停止信号
を一定期間送信した後、その送信を禁止してスイッチン
グ回路34の駆動を復帰させる駆動復帰手段によってマ
グネトロン10の無発振期間が大幅に増加し、単位時間
当たりの高周波出力を大幅に低下させることになる。Next, in the above-mentioned fourth conventional example, the method of detecting the modding of the magnetron 10 can only stop the continuous modding after the occurrence of the modding of the magnetron 10, and until it is detected. Damage to the magnetron 10 due to the modding during the period cannot be avoided. Further, the frequency of occurrence of modding increases with the period of use of the magnetron 10, and rapidly increases as the end of the magnetron 10's life approaches. Therefore, when frequent moding occurs in one heating cycle, pulse generation occurs. After the stop signal in the circuit 53 is transmitted for a certain period of time, the non-oscillation period of the magnetron 10 is significantly increased by the drive recovery means that inhibits the transmission and restores the drive of the switching circuit 34, and the high frequency output per unit time is increased. It will be greatly reduced.
【0037】また、モーディング検知手段はインバータ
電源装置30を有する高周波加熱装置に限定され、さら
に変圧器32にモーディング検知用巻線32eを有する
ことが必要である。さらに、第3の従来例で述べたよう
に、被加熱物の形状判断における予め分類されたグルー
プは、使用するであろう負荷容量を網羅しているが、被
加熱物を乗せる容器によってはごくまれであるがモーデ
ィングを起こしやすいインピーダンスマッチングになる
ことがあり、これを避けるためにあえて通常状態ではマ
イクロ波インピーダンスマッチングを最良の位置からは
ずして設定することがある。Further, the moding detecting means is limited to the high frequency heating device having the inverter power supply device 30, and it is necessary that the transformer 32 further has the moding detecting winding 32e. Further, as described in the third conventional example, the pre-classified group for determining the shape of the object to be heated covers the load capacity that will be used, but it depends on the container on which the object to be heated is placed. In rare cases, the impedance matching may be prone to cause moding, and in order to avoid this, the microwave impedance matching may be set off from the best position in the normal state.
【0038】次に、前述した第5の従来例において、平
面および上下両方の均一加熱特性にそれぞれ優れた導波
管の加熱室への開口位置は、平面均一加熱特性に優れた
開口位置と上下均一加熱特性に優れた開口位置との間に
位置することが多く、両者に優れたというよりは、むし
ろそれぞれに妥協した均一加熱特性の位置である場合が
多い。このため、極端に平面方向に大きく高さのない被
加熱物や、その逆の被加熱物においては十分満足のでき
る均一加熱特性ではない場合がある。とくに近年は加熱
時間の短縮が望まれ、高周波出力の高い高周波加熱装置
が提案されているが、高周波出力が大きくなるにつれて
均一加熱特性は劣化する。Next, in the above-mentioned fifth conventional example, the opening position of the waveguide to the heating chamber, which has excellent uniform heating characteristics on both the plane and the upper and lower sides, is determined by It is often located between the opening position which is excellent in uniform heating characteristics, and in many cases, it is a position in which uniform heating characteristics are compromised, rather than being excellent in both. For this reason, the object to be heated that is extremely large in the plane direction and has no height, or the object to be heated, which is the opposite, may not have a sufficiently uniform heating characteristic. Particularly, in recent years, it has been desired to shorten the heating time, and a high-frequency heating device having a high high-frequency output has been proposed, but the uniform heating characteristic deteriorates as the high-frequency output increases.
【0039】次に、前述した第6の従来例において、湿
度センサを用いて被加熱物の加熱状態を検出する場合、
食品包装用薄膜フィルム(以下、ラップ、という)を使
用して被加熱物の温め加熱を行う場合、被加熱物を覆い
かつ被加熱物から発せられる水蒸気を被加熱物の受け皿
とラップとの間にできる空間に封じ込めることで被加熱
物を蒸らして加熱するので、ラップの密封状態による水
蒸気の漏れ方によって検出時間にバラツキが発生し、そ
れを湿度センサを用いて検知して加熱を終了した場合、
仕上がりにバラツキが発生することがある。Next, in the sixth conventional example described above, when the heating state of the object to be heated is detected using the humidity sensor,
When a thin film for food packaging (hereinafter referred to as "wrap") is used to warm and heat an object to be heated, the steam that covers the object to be heated and emits steam from the object to be heated is between the saucer and the wrap of the object to be heated. When the object to be heated is steamed and heated by enclosing it in a space that can be opened, the detection time will vary due to how the water vapor leaks due to the sealed state of the wrap. ,
There may be variations in the finish.
【0040】次に、前述した第7の従来例において、圧
電式重量センサでターンテーブル上に置かれた被加熱物
の位置を認識する場合は、中央部に置かれているか外周
に置かれているかの二者択一であり、最外周付近に置か
れているか否かという極限の選択をすることはできな
い。また、複数個の同重量の被加熱物が外周に等間隔で
置かれた場合、それは被加熱物がターンテーブルの中央
部に置かれたものと判断してしまう。Next, in the above-mentioned seventh conventional example, when the position of the object to be heated placed on the turntable is recognized by the piezoelectric type weight sensor, it is placed at the center or on the outer periphery. It is a binary choice, and it is not possible to make the ultimate choice as to whether or not it is located near the outermost circumference. Further, when a plurality of objects having the same weight are placed on the outer circumference at equal intervals, it is determined that the objects are placed in the center of the turntable.
【0041】被加熱物がターンテーブルの最外周の置か
れた場合、図40に示すスミスチャートから明らかなよ
うに、加熱室内のマイクロ波インピーダンスはターンテ
ーブルの回転に同期して大きく変化する。とくにマイク
ロ波を輻射する開口付近を被加熱物が通る場合、被加熱
物が開口の正面に位置するとき(スミスチャート上でa
点)、マイクロ波インピーダンスは大きくずれてモーデ
ィング領域に入り、マグネトロンがモーディングを起こ
すことがある。When the object to be heated is placed on the outermost circumference of the turntable, as is apparent from the Smith chart shown in FIG. 40, the microwave impedance in the heating chamber changes greatly in synchronization with the rotation of the turntable. Especially when the object to be heated passes near the opening that radiates microwaves, when the object to be heated is located in front of the opening (a on the Smith chart
Point), the microwave impedance may shift greatly and enter the moding region, and the magnetron may cause moding.
【0042】また、被加熱物がターンテーブルの外周付
近にあっても被加熱物の高さが低くマイクロ波を輻射す
る開口を塞ぐ量が少ない場合、加熱室内のマイクロ波イ
ンピーダンスにあまり影響を与えずモーディング領域に
入ることがない場合がある。しかし、この場合も被加熱
物の高さに関係なく外周置きと判断して可動式スタブを
モーディングを避けた位置に移動させるため、不必要な
モーディング回避操作で理想的なマイクロ波インピーダ
ンスマッチングの位置からずれたマイクロ波インピーダ
ンスで加熱してしまい加熱効率が落ちてしまう。Further, even if the object to be heated is near the outer circumference of the turntable and the height of the object to be heated is low and the opening for radiating microwaves is small, the microwave impedance in the heating chamber is greatly affected. There is a case that it does not enter the moding area. However, in this case as well, the movable stub is moved to a position avoiding moding regardless of the height of the object to be heated, and therefore ideal microwave impedance matching is performed by unnecessary moding avoiding operation. The microwave impedance deviates from the position of, and heating is performed, and the heating efficiency decreases.
【0043】また、図41のスミスチャートに示すよう
に、被加熱物がマイクロ波を輻射する開口の前を通過す
るときにモーディングを起こさないように可動式スタブ
の位置を決定した場合、開口付近以外に被加熱物の位置
があるとき被加熱物に対してマイクロ波が効率よく吸収
されないインピーダンスマッチングになってしまうこと
がある。Further, as shown in the Smith chart of FIG. 41, when the position of the movable stub is determined so as not to cause moding when the object to be heated passes in front of the opening radiating the microwave, When there is a position of the object to be heated other than the vicinity, impedance matching may not be efficiently absorbed by the object to be heated.
【0044】このように、従来の高周波加熱装置には解
決すべき種々の不都合がある。本発明の第1の目的は、
マイクロ波加熱中に被加熱物の物性が変化する場合で
も、加熱室内のマイクロ波インピーダンスマッチングを
変化させて最適加熱状態を作り出すことのできる高周波
加熱装置を提供することにある。As described above, the conventional high-frequency heating device has various disadvantages to be solved. The first object of the present invention is to
An object of the present invention is to provide a high-frequency heating device capable of creating an optimum heating state by changing the microwave impedance matching in the heating chamber even when the physical properties of the object to be heated change during microwave heating.
【0045】本発明の第2の目的は、マイクロ波加熱中
に金属リフレクタ(可動式スタブ)を移動させたとき
に、その移動途中に電圧定在波比が高くなる位置が存在
しても導波管内で放電が起きたり、マグネトロンが破壊
されたりしないようにすることのできる高周波加熱装置
を提供することにある。A second object of the present invention is to guide a metal reflector (movable stub) which is moved during microwave heating even if there is a position where the voltage standing wave ratio becomes high during the movement. It is an object of the present invention to provide a high-frequency heating device capable of preventing a discharge from occurring in a wave tube and a magnetron from being destroyed.
【0046】本発明の第3の目的は、生ものを解凍する
場合のように低出力で連続加熱することによって均一加
熱特性を向上させることのできる高周波加熱装置を提供
することにある。A third object of the present invention is to provide a high-frequency heating device capable of improving uniform heating characteristics by continuously heating at a low output as in the case of thawing raw food.
【0047】本発明の第4の目的は、マグネトロンの発
振異常を防止することのできる高周波加熱装置を提供す
ることにある。A fourth object of the present invention is to provide a high frequency heating device capable of preventing abnormal oscillation of the magnetron.
【0048】本発明の第5の目的は、あるゆる形状の被
加熱物に対して均一加熱特性に優れた高周波加熱装置を
提供することにある。A fifth object of the present invention is to provide a high-frequency heating device which is excellent in uniform heating characteristics for an object having a certain shape.
【0049】本発明の第6の目的は、被加熱物をラップ
で覆い蒸らして加熱する場合に、被加熱物の仕上がりを
精度よく検出することのできる高周波加熱装置を提供す
ることにある。A sixth object of the present invention is to provide a high-frequency heating device capable of accurately detecting the finish of the object to be heated when the object to be heated is covered with wrap and steamed for heating.
【0050】本発明の第7の目的は、被加熱物がターン
テーブルの最外周近傍に置かれた場合に、被加熱物が導
波管の開口付近を通過するときに生じるマグネトロンの
発振異常を防止することのできる高周波加熱装置を提供
することにある。A seventh object of the present invention is to prevent an abnormal oscillation of the magnetron which occurs when the object to be heated passes near the opening of the waveguide when the object to be heated is placed near the outermost circumference of the turntable. An object of the present invention is to provide a high-frequency heating device that can be prevented.
【0051】[0051]
【課題を解決するための手段】請求項1記載の発明は、
マイクロ波発生手段と、このマイクロ波発生手段から輻
射されたマイクロ波を加熱室に導く導波管と、導波管内
に挿入された誘電体回転軸と、誘電体回転軸に支持され
た金属面およびこの金属面の周辺部に設けられた金属ス
タブからなるインピーダンス整合用金属リフレクタと、
金属リフレクタの回転を制御する制御手段とを備えた高
周波加熱装置において、マイクロ波加熱中に被加熱物の
物性が変化する変化点を被加熱物の温度によって判別す
る手段を有し、変化点の前後において金属リフレクタを
動作させて加熱室内のマイクロ波インピーダンスマッチ
ングを変化させ、被加熱物の各物性状態における最適加
熱状態を作り出すように構成する。According to the first aspect of the present invention,
Microwave generating means, a waveguide for guiding microwaves radiated from the microwave generating means to the heating chamber, a dielectric rotating shaft inserted in the waveguide, and a metal surface supported by the dielectric rotating shaft. And a metal reflector for impedance matching, which comprises a metal stub provided on the periphery of the metal surface,
In a high frequency heating device having a control means for controlling the rotation of the metal reflector, there is a means for discriminating a change point at which the physical properties of the object to be heated change during microwave heating depending on the temperature of the object to be heated. The microwave reflector is operated before and after to change the microwave impedance matching in the heating chamber to create an optimum heating state in each physical state of the object to be heated.
【0052】請求項2記載の発明は、マイクロ波発生手
段と、このマイクロ波発生手段から輻射されたマイクロ
波を加熱室に導く導波管と、導波管内に挿入された誘電
体回転軸と、誘電体回転軸に支持された金属面およびこ
の金属面の周辺部に設けられた金属スタブを有するイン
ピーダンス整合用金属リフレクタと、金属リフレクタの
回転を制御する制御手段とを備えた高周波加熱装置にお
いて、マイクロ波加熱中に金属リフレクタが回転して電
圧定在波比が高くなる位置を通過するときに、マイクロ
波発生手段への電力供給を一次的に停止または低下させ
ることにより導波管内での放電を防止するように構成す
る。According to a second aspect of the present invention, microwave generation means, a waveguide for guiding the microwave radiated from the microwave generation means to the heating chamber, and a dielectric rotating shaft inserted in the waveguide. A high-frequency heating device including a metal reflector for impedance matching having a metal surface supported by a dielectric rotating shaft and a metal stub provided on a peripheral portion of the metal surface, and a control means for controlling rotation of the metal reflector. , When the metal reflector rotates and passes through the position where the voltage standing wave ratio increases during microwave heating, the power supply to the microwave generation means is temporarily stopped or lowered to thereby It is configured to prevent discharge.
【0053】請求項3記載の発明は、マイクロ波発生手
段と、このマイクロ波発生手段から輻射されたマイクロ
波を加熱室に導く導波管と、導波管内に挿入された誘電
体回転軸と、誘電体回転軸に支持された金属面およびこ
の金属面の周辺部に設けられた金属スタブを有するイン
ピーダンス整合用金属リフレクタと、金属リフレクタの
回転を制御する制御手段とを備えた高周波加熱装置にお
いて、金属リフレクタを回転させてマイクロ波が被加熱
物に当たりにくい状態を作り出し、マイクロ波発生手段
への電力供給を断続させることなく連続的に供給して弱
パワーの連続運転を行い、冷凍状態の被加熱物を均一加
熱によって解凍するように構成する。According to a third aspect of the present invention, microwave generating means, a waveguide for guiding the microwave radiated from the microwave generating means to the heating chamber, and a dielectric rotating shaft inserted in the waveguide. A high-frequency heating device including a metal reflector for impedance matching having a metal surface supported by a dielectric rotating shaft and a metal stub provided on a peripheral portion of the metal surface, and a control means for controlling rotation of the metal reflector. By rotating the metal reflector to create a state in which microwaves are less likely to hit the object to be heated, the microwave generator is continuously supplied without interruption to perform continuous operation at low power, and the microwave is not frozen. The heating material is configured to be thawed by uniform heating.
【0054】請求項4記載の発明は、マイクロ波発生手
段と、このマイクロ波発生手段から輻射されたマイクロ
波を加熱室に導く導波管と、導波管内に挿入された誘電
体回転軸と、誘電体回転軸に支持された金属面およびこ
の金属面の周辺部に設けられた金属スタブを有するイン
ピーダンス整合用金属リフレクタと、金属リフレクタの
回転を制御する制御手段とを備えた高周波加熱装置にお
いて、マイクロ波発生手段の発振状態を検出する検出手
段を設け、この検出手段によってマイクロ波発生手段の
発振異常を検知したときは制御手段によって金属リフレ
クタを回転させ加熱室内のマイクロ波インピーダンスマ
ッチングを変化させることによりマイクロ波発生手段の
発振異常を停止するように構成する。According to a fourth aspect of the present invention, there is provided microwave generating means, a waveguide for guiding the microwave radiated from the microwave generating means to the heating chamber, and a dielectric rotating shaft inserted in the waveguide. A high-frequency heating device including a metal reflector for impedance matching having a metal surface supported by a dielectric rotating shaft and a metal stub provided on a peripheral portion of the metal surface, and a control means for controlling rotation of the metal reflector. A detection means for detecting the oscillation state of the microwave generation means is provided, and when the detection means detects an oscillation abnormality of the microwave generation means, the control means rotates the metal reflector to change the microwave impedance matching in the heating chamber. As a result, the abnormal oscillation of the microwave generation means is stopped.
【0055】請求項5記載の発明は、マイクロ波発生手
段と、このマイクロ波発生手段から輻射されたマイクロ
波を加熱室に導く導波管と、導波管内に挿入された誘電
体回転軸と、誘電体回転軸に支持された金属面およびこ
の金属面の周辺部に設けられた金属スタブを有するイン
ピーダンス整合用金属リフレクタと、金属リフレクタの
回転を制御する制御手段とを備えた高周波加熱装置にお
いて、マイクロ波発生手段が発振異常を起こしたときの
被加熱物の状態および金属リフレクタの位置を記憶する
記憶手段を有し、制御手段は再び同じ状態の被加熱物が
加熱されたときは記憶手段に記憶されているデータから
金属リフレクタの位置を発振異常を回避した位置に移動
させるように構成する。According to a fifth aspect of the present invention, there is provided microwave generating means, a waveguide for guiding the microwave radiated from the microwave generating means to the heating chamber, and a dielectric rotating shaft inserted in the waveguide. A high-frequency heating device including a metal reflector for impedance matching having a metal surface supported by a dielectric rotating shaft and a metal stub provided on a peripheral portion of the metal surface, and a control means for controlling rotation of the metal reflector. And a storage means for storing the state of the object to be heated and the position of the metal reflector when the microwave generating means causes an oscillation abnormality, and the control means stores the memory means when the object to be heated in the same state is heated again. It is configured to move the position of the metal reflector to the position avoiding the oscillation abnormality from the data stored in.
【0056】請求項6記載の発明は、マイクロ波発生手
段と、マイクロ波発生手段から輻射されたマイクロ波を
加熱室に導く導波管と、導波管内に挿入された誘電体回
転軸と、誘電体回転軸に支持された金属面およびこの金
属面の周辺部に設けられた金属スタブを有するインピー
ダンス整合用金属リフレクタと、金属リフレクタの回転
を制御する制御手段とを備えた高周波加熱装置におい
て、マイクロ波発生手段の外郭に温度検出手段を有し、
この温度検出手段によってマイクロ波発生手段の単位時
間あたりの温度変化を測定し、制御手段によって温度変
化に応じて金属リフレクタを回転させ、加熱室内のマイ
クロ波インピーダンスマッチングを変化させるように構
成する。According to a sixth aspect of the present invention, microwave generation means, a waveguide for guiding the microwave radiated from the microwave generation means to the heating chamber, a dielectric rotating shaft inserted in the waveguide, In a high-frequency heating device comprising a metal surface supported by a dielectric rotating shaft and a metal reflector for impedance matching having a metal stub provided in the peripheral portion of this metal surface, and a control means for controlling the rotation of the metal reflector, Having a temperature detecting means on the outer surface of the microwave generating means,
The temperature detecting means measures the temperature change per unit time of the microwave generating means, and the control means rotates the metal reflector according to the temperature change to change the microwave impedance matching in the heating chamber.
【0057】請求項7記載の発明は、第1および第2の
マイクロ波発生手段と、第1および第2のマイクロ波発
生手段から輻射されたマイクロ波を加熱室に導く第1お
よび第2の導波管と、加熱室に収納された被加熱物の形
状を測定する手段と、第1および第2のマイクロ波発生
手段に供給する電力を制御するための制御手段とを備え
た高周波加熱装置であって、第1の導波管は被加熱物の
平面均一加熱特性に優れた位置に開口を有し、第2の導
波管は被加熱物の上下均一加熱特性に優れた位置に開口
を有し、制御手段は被加熱物の形状に応じて第1および
第2のマイクロ波発生手段への電力供給を制御するよう
に構成する。According to a seventh aspect of the present invention, the first and second microwave generating means and the first and second microwave guiding means for radiating the microwaves radiated from the first and second microwave generating means to the heating chamber. A high frequency heating apparatus including a waveguide, a means for measuring the shape of an object to be heated housed in a heating chamber, and a control means for controlling electric power supplied to the first and second microwave generation means. And the first waveguide has an opening at a position excellent in uniform heating property of the object to be heated, and the second waveguide has an opening at a position excellent in uniform heating property of the object to be heated. And the control means is configured to control the power supply to the first and second microwave generation means in accordance with the shape of the object to be heated.
【0058】請求項8記載の発明は、請求項7記載の高
周波加熱装置において、前記制御手段は被加熱物の形状
に応じて第1および第2のマイクロ波発生手段への電力
供給を加熱途中に切り換えるように構成する。According to an eighth aspect of the present invention, in the high-frequency heating apparatus according to the seventh aspect, the control means is heating the power supply to the first and second microwave generation means in accordance with the shape of the object to be heated. It is configured to switch to.
【0059】請求項9記載の発明は、マイクロ波発生手
段と、このマイクロ波発生手段から輻射されたマイクロ
波を加熱室に導く導波管と、導波管内に挿入された誘電
体回転軸と、誘電体回転軸に支持された金属面およびこ
の金属面の周辺部に設けられた金属スタブを有するイン
ピーダンス整合用金属リフレクタと、金属リフレクタの
回転を制御する制御手段とを備えた高周波加熱装置にお
いて、被加熱物の高さを測定する高さ測定手段を有し、
マイクロ波加熱中に高さ測定手段によって被加熱物の高
さを定期的に測定し、被加熱物を覆って被加熱物を蒸ら
して加熱するための食品包装用薄膜フィルムの加熱途中
の膨脹を検知して被加熱物の仕上がりを検出するように
構成する。According to a ninth aspect of the present invention, microwave generation means, a waveguide for guiding the microwave radiated from the microwave generation means to the heating chamber, and a dielectric rotating shaft inserted in the waveguide. A high-frequency heating device including a metal reflector for impedance matching having a metal surface supported by a dielectric rotating shaft and a metal stub provided on a peripheral portion of the metal surface, and a control means for controlling rotation of the metal reflector. , Having height measuring means for measuring the height of the object to be heated,
The height of the object to be heated is periodically measured by the height measuring means during microwave heating, and expansion during heating of the thin film for food packaging for heating the object by covering the object to be heated is performed. It is configured to detect the finish of the object to be heated.
【0060】請求項10記載の発明は、マイクロ波発生
手段と、マイクロ波発生手段から輻射されたマイクロ波
を加熱室に導く導波管と、導波管内に挿入された誘電体
回転軸と、誘電体回転軸に支持された金属面およびこの
金属面の周辺部に設けられた金属スタブを有するインピ
ーダンス整合用金属リフレクタと、金属リフレクタの回
転を制御する制御手段とを備えた高周波加熱装置におい
て、加熱室内の被加熱物がターンテーブル上に置かれた
状態を認識するセンサ手段を有し、このセンサ手段によ
って被加熱物がターンテーブル上の最外周近傍に位置す
ることを認識すると、制御手段は被加熱物がマイクロ波
を輻射する導波管の開口の前を通過するタイミングをは
かって金属リフレクタの位置を制御し、マイクロ波発生
手段の発振異常を回避するように構成する。According to a tenth aspect of the present invention, microwave generation means, a waveguide for guiding the microwave radiated from the microwave generation means to the heating chamber, a dielectric rotating shaft inserted in the waveguide, In a high-frequency heating device comprising a metal surface supported by a dielectric rotating shaft and a metal reflector for impedance matching having a metal stub provided in the peripheral portion of this metal surface, and a control means for controlling the rotation of the metal reflector, The control means has a sensor means for recognizing a state where the object to be heated in the heating chamber is placed on the turntable, and when the sensor means recognizes that the object to be heated is located in the vicinity of the outermost circumference on the turntable, the control means The position of the metal reflector is controlled by adjusting the timing when the object to be heated passes in front of the opening of the waveguide that radiates microwaves to prevent abnormal oscillation of the microwave generation means. Configured to avoid.
【0061】[0061]
【作用】請求項1記載の発明に係る高周波加熱装置は、
被加熱物の物性が変化するメニュー、とくに冷凍食品の
ように冷凍状態から融点を過ぎ、さらに温め加熱するよ
うな解凍再加熱を行うメニューにおいて、被加熱物から
放出される赤外線もしくは輻射熱を加熱室内に設けた赤
外線センサまたはサーミスタなどで非接触で測定するこ
とによって被加熱物の表面温度を検出し、被加熱物の表
面温度が0℃を越えると融点以上の場合の被加熱物のイ
ンピーダンス整合のとれる位置へ可動式スタブを回転さ
せて高効率の高周波加熱装置を実現する。The high-frequency heating device according to the invention of claim 1
In the menu where the physical properties of the object to be heated change, especially in the menu such as frozen food where the melting point is passed from the frozen state and further thawing and reheating is performed by further heating, the infrared or radiant heat emitted from the object to be heated is heated in the heating chamber. The surface temperature of the object to be heated is detected by non-contact measurement with an infrared sensor or a thermistor provided in, and the impedance matching of the object to be heated when the surface temperature of the object to be heated exceeds 0 ° C is above the melting point. A highly efficient high-frequency heating device is realized by rotating the movable stub to a position where it can be taken.
【0062】請求項2記載の発明に係る高周波加熱装置
は、VS(電圧定在波比)が高くなる位置を金属リフレ
クタ(可動式スタブ)が通過するときにのみマグネトロ
ンへの電力供給を停止するか、もしくはマグネトロンへ
の電力供給量を制限して導波管内で放電に必要なエネル
ギー以下にマグネトロンの発生電波を抑えることで高効
率でかつ測定開始からの加熱時間を短くするとともに、
放電のない安全な動作を可能とする。In the high-frequency heating apparatus according to the second aspect of the present invention, the power supply to the magnetron is stopped only when the metal reflector (movable stub) passes the position where VS (voltage standing wave ratio) becomes high. Or, by limiting the amount of power supplied to the magnetron and suppressing the radio waves generated by the magnetron below the energy required for discharge in the waveguide, it is highly efficient and shortens the heating time from the start of measurement.
Allows safe operation without discharge.
【0063】請求項3記載の発明に係る高周波加熱装置
は、冷凍食品の解凍のような高周波出力を低く設定する
調理を行う場合、加熱室内のマイクロ波インピーダンス
マッチングを変化させる目的で導波管内に設けられた可
動式スタブをマグネトロンに対してマイクロ波の反射の
多い位置に移動させる。この状態でマグネトロンを発振
させるとマグネトロンから出た電波は被加熱物に効率良
く照射されずに反射してマグネトロンへと戻って来てマ
グネトロン自体を加熱する。In the high-frequency heating apparatus according to the third aspect of the present invention, when cooking such as thawing frozen foods by setting the high-frequency output to a low level, the high-frequency heating apparatus is installed in the waveguide for the purpose of changing the microwave impedance matching in the heating chamber. The movable stub provided is moved to a position where microwave reflection is large with respect to the magnetron. When the magnetron is oscillated in this state, the radio waves emitted from the magnetron are not efficiently irradiated to the object to be heated but are reflected and return to the magnetron to heat the magnetron itself.
【0064】一方、マグネトロンは通常のインピーダン
スマッチングにおいても入力電力の70%程度の変換効
率であり、残る30%は熱となってマグネトロン本体を
加熱するため十分な冷却構造をとっており、マイクロ波
の反射の多い状態でマグネトロンを発振させても、あら
かじめ入力電力を少なくした状態ではマグネトロン自体
の発熱量を十分放散させる能力をもっているので、マグ
ネトロンにダメージを与える心配はない。On the other hand, the magnetron has a conversion efficiency of about 70% of the input power even in the normal impedance matching, and the remaining 30% becomes heat to heat the magnetron main body, and has a sufficient cooling structure. Even if the magnetron is oscillated in a state where there are many reflections, it has the ability to sufficiently dissipate the calorific value of the magnetron itself when the input power is reduced in advance, so there is no risk of damaging the magnetron.
【0065】このマイクロ波インピーダンスマッチング
状態では被加熱物の加熱効率が悪いため、必要な高周波
出力を得るのに多くのマグネトロン入力電力を必要と
し、その結果、高周波出力を増加させることなく一次巻
線、二次巻線およびフィラメント加熱巻線(ヒータ巻
線)から構成されるマグネトロン駆動用変圧器の発生す
るフィラメント電流のみを増加させることが可能とな
る。In this microwave impedance matching state, since the heating efficiency of the object to be heated is poor, a large amount of magnetron input power is required to obtain the required high frequency output, and as a result, the primary winding is increased without increasing the high frequency output. It is possible to increase only the filament current generated by the magnetron driving transformer configured by the secondary winding and the filament heating winding (heater winding).
【0066】請求項4記載の発明に係る高周波加熱装置
は、マグネトロンのモーディングの発生の主原因である
加熱室内のマイクロ波インピーダンスマッチングを可動
式スタブを回転させることで、モーディング発生前へと
変化させるためモーディングの発生を原因から改善でき
る。In the high-frequency heating apparatus according to the fourth aspect of the present invention, microwave impedance matching in the heating chamber, which is the main cause of the modding of the magnetron, is rotated before the occurrence of the modding by rotating the movable stub. Since it changes, the occurrence of moding can be improved from the cause.
【0067】請求項5記載の発明に係る高周波加熱装置
は、被加熱物の形状認識データから得た被加熱物の形状
データを、モーディングを検知した後に可動式スタブを
移動した量とともに記憶素子に記憶しており、形状デー
タと同じ被加熱物が再び加熱された場合には、加熱と同
時にモーディングを起こさないように前回移動させた位
置に可動式スタブを修正移動させるため、いったんモー
ディングを起こした負荷に対しては以後の加熱において
2度とモーディングを起こさない。According to a fifth aspect of the present invention, in the high-frequency heating apparatus, the shape data of the object to be heated obtained from the shape recognition data of the object to be heated is stored together with the amount of movement of the movable stub after detecting the moding. If the object to be heated that is the same as the shape data is heated again, the moving stub will be corrected and moved to the previously moved position so as not to cause the moding at the same time as the heating. With respect to the load that caused the, the moding is never caused again in the subsequent heating.
【0068】請求項6記載の発明に係る高周波加熱装置
は、被加熱物に対するマイクロ波の加熱効率をマグネト
ロンの温度変化で捉えることで、制御回路が直接被加熱
物へのマイクロ波の輻射状態を検知し、可動式スタブを
動作させてマイクロ波インピーダンスマッチングを改善
することができる。とくにマグネトロンのモーディング
の検知手段として、マグネトロンのモーディングによる
急激な温度上昇に着目し、マグネトロンの温度変化でモ
ーディングを検知し、モーディングの発生の主原因であ
る加熱室内のマイクロ波インピーダンスマッチングを可
動式スタブを動作させることでモーディング発生前と変
化させモーディングを停止させる。In the high-frequency heating apparatus according to the sixth aspect of the present invention, the control circuit directly detects the microwave radiation state to the object to be heated by detecting the heating efficiency of the microwave to the object to be heated by the temperature change of the magnetron. The movable stub can be sensed and actuated to improve microwave impedance matching. In particular, as a means of detecting the modding of the magnetron, paying attention to the rapid temperature rise due to the modding of the magnetron, the moding is detected by the temperature change of the magnetron, and the microwave impedance matching in the heating chamber, which is the main cause of the occurrence of the modding, is detected. By moving the movable stub, it is changed from the state before the occurrence of moding and the moding is stopped.
【0069】請求項7および8記載の発明に係る高周波
加熱装置は、被加熱物の形状に応じて被加熱物へのマイ
クロ波給電開口を選択することで、あるいは加熱途中に
被加熱物にマイクロ波輻射する開口を電力を供給するマ
グネトロンを切り替えることで、あるいは開口の違う2
つのマグネトロンへの電力供給量をそれぞれ制御するこ
とで、被加熱物の均一加熱特性を改善させる。In the high-frequency heating apparatus according to the seventh and eighth aspects of the present invention, the microwave feeding opening to the object to be heated is selected according to the shape of the object to be heated, or the microwave is applied to the object to be heated during heating. By switching the magnetron that supplies power to the aperture that radiates waves, or with a different aperture 2
The uniform heating characteristics of the object to be heated are improved by controlling the amount of power supplied to each of the two magnetrons.
【0070】請求項9記載の発明に係る高周波加熱装置
は、加熱途中の被加熱物から発せられる水蒸気の圧力に
よって膨張したラップのふくらみ具合を被加熱物の高さ
を検知する高さ測定手段によって検知し、それを被加熱
物の仕上がり検知の手段として自動調理を終了するの
で、被加熱物の仕上がりを精度よく検出することができ
る。According to the ninth aspect of the present invention, in the high-frequency heating apparatus, the height measuring means for detecting the height of the heated object is used to measure the bulge of the wrap expanded by the pressure of the steam generated from the heated object. Since the detection is performed and the automatic cooking is ended by using it as a means for detecting the finish of the object to be heated, the finish of the object to be heated can be accurately detected.
【0071】請求項10記載の発明に係る高周波加熱装
置は、加熱室の壁面に設けられた複数個の発光素子と、
対向する壁面に同様に設けられた同数個の受光素子の前
をターンテーブルの回転動作によって横切る被加熱物が
発光素子の光を遮るか否かによる受光素子の出力電圧差
を検知し、ターンテーブル上の被加熱物の置かれた状態
を認識する機能を有する。According to a tenth aspect of the present invention, there is provided a high frequency heating apparatus, comprising: a plurality of light emitting elements provided on a wall surface of a heating chamber;
The turntable detects the output voltage difference of the light receiving element depending on whether or not the object to be heated that crosses the same number of light receiving elements similarly installed on the opposite wall surface by the rotation operation of the turntable blocks the light of the light emitting element. It has a function of recognizing the placed state of the object to be heated.
【0072】そして、ターンテーブル上の被加熱物が最
外周近傍に位置したことを認識すると、可動式スタブの
位置を修正してモーディングを回避する。また、ターン
テーブルの位置から偏って置かれた被加熱物がマイクロ
波を輻射する開口の前を通過するタイミングをはかって
インバータ回路の出力を押さえてモーディングを回避す
る。When it is recognized that the object to be heated on the turntable is located in the vicinity of the outermost circumference, the position of the movable stub is corrected to avoid the moding. Further, the output of the inverter circuit is suppressed and the modding is avoided at a timing when the object to be heated placed deviating from the position of the turntable passes in front of the opening radiating the microwave.
【0073】[0073]
【実施例】まず、本発明による高周波加熱装置の第1の
実施例について説明する。本実施例は請求項1記載の発
明に対応するものである。図1は本発明による高周波加
熱装置の第1の実施例を示す構成図で、前述の従来例と
同一構成要素には同一符号を付して説明する。本実施例
による高周波加熱装置は、前述の図32に示す構成にお
いて、ターンテーブル3上に載置されている被加熱物M
の表面を見通せる加熱室2の天面または側面に、赤外線
感知装置60が配置された構成を有する。この赤外線感
知装置60は、図2に拡大して示すように、被加熱物M
から輻射された赤外線をセンサ61によって感知し、チ
ョッパー駆動モータ62の回転によって周期的にセンサ
61の前を横切るチョッパー63の温度と比較して被加
熱物Mの表面温度を測定し、その測定データを後述する
制御装置70の制御回路20へ伝送する。First, a first embodiment of the high-frequency heating apparatus according to the present invention will be described. The present embodiment corresponds to the invention described in claim 1. FIG. 1 is a block diagram showing a first embodiment of a high-frequency heating apparatus according to the present invention, in which the same components as those in the above-mentioned conventional example are designated by the same reference numerals. The high-frequency heating apparatus according to the present embodiment has the configuration shown in FIG. 32 described above, in which the article to be heated M placed on the turntable 3 is heated.
The infrared sensing device 60 is arranged on the top surface or the side surface of the heating chamber 2 through which the surface of the heating chamber 2 can be seen. This infrared sensing device 60, as shown in FIG.
The infrared ray radiated from the sensor 61 is detected by the sensor 61, and the surface temperature of the object to be heated M is measured by comparing with the temperature of the chopper 63 that crosses the front of the sensor 61 periodically by the rotation of the chopper drive motor 62. Is transmitted to the control circuit 20 of the control device 70 described later.
【0074】その他の構成は前述の図32に示す構成と
同一である。簡単に述べると、加熱室2に隣接してマイ
クロ波発生手段としてのマグネトロン10が配置され、
マグネトロン10で発生したマイクロ波がマグネトロン
アンテナ11によって外部に輻射され、導波管12に導
かれて加熱室2内に輻射される。導波管12内には可動
式スタブ13が設置されており、加熱室2内に収納され
ている被加熱物Mに対応して可動式スタブ13の回転位
置を設定することにより、マグネトロン10と加熱室2
との間のインピーダンスマッチングを取り、マイクロ波
反射電界を低減するように構成されている。可動式スタ
ブ13の構成は図33および図34に示す構成と同一で
ある。The other structure is the same as the structure shown in FIG. Briefly, a magnetron 10 as microwave generating means is arranged adjacent to the heating chamber 2,
Microwaves generated in the magnetron 10 are radiated to the outside by the magnetron antenna 11, guided to the waveguide 12, and radiated into the heating chamber 2. A movable stub 13 is installed in the waveguide 12, and by setting the rotational position of the movable stub 13 in correspondence with the object M to be heated stored in the heating chamber 2, Heating chamber 2
And an impedance matching between them and to reduce the microwave reflected electric field. The structure of the movable stub 13 is the same as that shown in FIGS. 33 and 34.
【0075】図3は、本実施例の高周波加熱装置におけ
る制御装置70のブロック構成図である。この制御装置
70は入力交流電源ACに対して複数の駆動リレーが並
列に接続された構成を有している。すなわち、加熱室2
内を照明するランプLを駆動するランプ駆動リレー7
1、マグネトロン10を冷却する冷却ファンモータFM
を駆動する冷却ファン駆動リレー72、スタブモータ1
5を駆動するスタブモータ駆動リレー73、ターンテー
ブルモータ5を駆動するターンテーブル駆動リレー7
4、マグネトロン10に電力を供給する加熱リレー75
がそれぞれ入力交流電源ACに対して並列に接続されて
いる。FIG. 3 is a block diagram of the control device 70 in the high frequency heating apparatus of this embodiment. The control device 70 has a configuration in which a plurality of drive relays are connected in parallel to the input AC power supply AC. That is, the heating chamber 2
Lamp drive relay 7 that drives the lamp L that illuminates the inside
1. Cooling fan motor FM for cooling magnetron 10
Cooling fan drive relay 72 for driving the stub motor 1
Stub motor drive relay 73 for driving 5 and turntable drive relay 7 for driving turntable motor 5
4. Heating relay 75 for supplying power to magnetron 10
Are respectively connected in parallel to the input AC power supply AC.
【0076】各リレー71〜75の接点は各ドライブト
ランジスタによってオン/オフ駆動され、各ドライブト
ランジスタは制御回路20からインターフェイス21を
介して供給されるドライブ信号によって制御される。制
御回路20はマイクロコンピュータ構成の制御回路で、
使用者が操作パネル22で指定した制御を実行するため
に、予めプログラムされたプログラムメモリを内蔵して
いる。また、この制御回路20には、赤外線感知装置6
0で測定した被加熱物Mの表面温度データがA/Dコン
バータ23でディジタル信号に変換されてインターフェ
イス21を介して入力され、さらにスタブモータ15の
回転によってオンする検知スイッチ17のオン/オフ状
態がインターフェイス21を介して入力される。The contacts of each of the relays 71 to 75 are ON / OFF driven by each drive transistor, and each drive transistor is controlled by a drive signal supplied from the control circuit 20 via the interface 21. The control circuit 20 is a control circuit having a microcomputer configuration.
In order to execute the control specified by the user on the operation panel 22, a pre-programmed program memory is incorporated. The control circuit 20 also includes an infrared sensing device 6
The surface temperature data of the object to be heated M measured at 0 is converted into a digital signal by the A / D converter 23 and input through the interface 21, and the on / off state of the detection switch 17 that is turned on by the rotation of the stub motor 15 Is input via the interface 21.
【0077】加熱リレー75の出力は変圧器32の一次
巻線32aに接続されている。変圧器32の二次巻線3
2bは高圧コンデンサ35および高圧ダイオード36か
らなる倍電圧回路VMに接続され、その接続中点がマグ
ネトロン10に接続されている。また、変圧器32の二
次側にはマグネトロン10のフィラメントを暖めるため
のヒータ巻線32cがマグネトロン陽極に接続されてお
り、マグネトロン10の陽極電圧は制御回路20からの
信号によって制御される。The output of the heating relay 75 is connected to the primary winding 32a of the transformer 32. Secondary winding 3 of transformer 32
2b is connected to a voltage doubler circuit VM composed of a high voltage capacitor 35 and a high voltage diode 36, and the midpoint of the connection is connected to the magnetron 10. A heater winding 32c for warming the filament of the magnetron 10 is connected to the magnetron anode on the secondary side of the transformer 32, and the anode voltage of the magnetron 10 is controlled by a signal from the control circuit 20.
【0078】次に、このような構成を有する本実施例に
よる高周波加熱装置の動作、特に可動式スタブ13の回
転位置制御によるインピーダンス調整について説明す
る。図4は加熱室2内に被加熱物Mを置いてターンテー
ブル3を回転させたときの加熱室2側のインピーダンス
をスミスチャート上にプロットした図である。同図にお
いて、aは冷凍状態の被加熱物Mのインピーダンス、b
は解凍後の被加熱物Mのインピーダンス、αはターンテ
ーブル3を停止して可動式スタブ13を回転させたとき
の冷凍状態の被加熱物Mのインピーダンスの軌跡、βは
ターンテーブル3を停止して可動式スタブ13を回転さ
せたときの解凍後の被加熱物Mのインピーダンスの軌跡
である。図中、軌跡αおよびβ上に付記された番号は可
動式スタブ13の回転位置0〜15(図35参照)を示
している。Next, the operation of the high-frequency heating apparatus according to this embodiment having such a structure, particularly the impedance adjustment by controlling the rotational position of the movable stub 13, will be described. FIG. 4 is a diagram in which the impedance on the heating chamber 2 side when the object M to be heated is placed in the heating chamber 2 and the turntable 3 is rotated is plotted on a Smith chart. In the figure, a is the impedance of the heated object M in the frozen state, and b
Is the impedance of the heated object M after thawing, α is the locus of the impedance of the heated object M in the frozen state when the turntable 3 is stopped and the movable stub 13 is rotated, and β is the turntable 3 stopped 3 is a locus of impedance of the object to be heated M after being thawed when the movable stub 13 is rotated by the above. In the figure, the numbers added to the loci α and β indicate the rotational positions 0 to 15 (see FIG. 35) of the movable stub 13.
【0079】本実施例による高周波加熱装置は、マイク
ロ波加熱中に被加熱物Mの物性が、例えば冷凍食品のよ
うに冷凍状態から解凍し、その後さらに加熱して温め加
熱に移行する場合において、加熱開始後に制御回路20
は被加熱物Mの種類に応じ冷凍状態の被加熱物Mに適し
た可動式スタブ13の回転位置データを内部メモリから
読み出し、スタブモータ駆動リレー73を制御すること
によってスタブモータ15の通電時間制御を行い、可動
式スタブ13を冷凍状態の被加熱物Mに適した位置に回
転させる。この例の場合、可動式スタブ13の回転位置
データは図4の軌跡αの点4(つまり回転位置4)のデ
ータである。In the high frequency heating apparatus according to this embodiment, when the physical properties of the object to be heated M are thawed from a frozen state such as frozen foods during microwave heating, and then heating is further performed to shift to warming heating, Control circuit 20 after heating starts
Reads the rotational position data of the movable stub 13 suitable for the frozen object M according to the type of the object M from the internal memory, and controls the stub motor drive relay 73 to control the energization time of the stub motor 15. Then, the movable stub 13 is rotated to a position suitable for the object to be heated M in a frozen state. In the case of this example, the rotational position data of the movable stub 13 is the data of the point 4 (that is, the rotational position 4) of the locus α in FIG.
【0080】また、可動式スタブ13の回転後または回
転動作と平行して、制御回路20の制御信号で加熱リレ
ー75の接点を閉じてマグネトロン10に電力を供給
し、マグネトロン10を動作させて被加熱物Mにマイク
ロ波を輻射して加熱する。被加熱物Mの温度が0℃にな
ると、制御回路20が赤外線感知装置60からの温度デ
ータによって被加熱物Mの融点を検知し、内部メモリか
ら解凍後の被加熱物Mに適した可動式スタブ13の回転
位置データを読み出し、スタブモータ駆動リレー73を
制御することによってスタブモータ15の通電時間を制
御し可動式スタブ13を解凍後の被加熱物Mに適した位
置に移動させる。この例の場合、可動式スタブ13の回
転位置データは図4の軌跡βの点9(つまり回転位置
9)のデータである。この間、制御回路20は加熱リレ
ー75の接点を閉じたままマグネトロン10に電力を供
給し、マグネトロン10を動作させて被加熱物Mを加熱
し続ける。After the rotation of the movable stub 13 or in parallel with the rotation of the movable stub 13, the contact of the heating relay 75 is closed by the control signal of the control circuit 20 to supply the electric power to the magnetron 10 and operate the magnetron 10 to operate. The heating object M is radiated with microwaves to be heated. When the temperature of the object to be heated M reaches 0 ° C., the control circuit 20 detects the melting point of the object to be heated M from the temperature data from the infrared sensing device 60, and the movable type suitable for the object to be heated M after being defrosted from the internal memory. By reading the rotational position data of the stub 13 and controlling the stub motor drive relay 73, the energization time of the stub motor 15 is controlled to move the movable stub 13 to a position suitable for the object M to be heated after thawing. In the case of this example, the rotational position data of the movable stub 13 is the data of the point 9 (that is, the rotational position 9) of the locus β in FIG. During this period, the control circuit 20 supplies electric power to the magnetron 10 while keeping the contact of the heating relay 75 closed, and operates the magnetron 10 to continue heating the object M to be heated.
【0081】なお、被加熱物Mの表面温度を測定する手
段としては、赤外線感知装置60に限らず、図5に示す
ように、被加熱物Mの輻射熱を反射する椀状の反射板6
5、反射した熱を検知するサーミスタ66および検知温
度を補正するサーミスタ67からなる輻射熱センサ68
を用いても同様の効果が得られる。The means for measuring the surface temperature of the object to be heated M is not limited to the infrared sensing device 60, and as shown in FIG. 5, a bowl-shaped reflecting plate 6 for reflecting the radiant heat of the object to be heated M.
5, a radiant heat sensor 68 including a thermistor 66 that detects the reflected heat and a thermistor 67 that corrects the detected temperature
The same effect can be obtained by using.
【0082】以上説明したように、本実施例によれば、
被加熱物Mの物性が変化するメニュー、特に冷凍シュー
マイのように冷凍状態から融点を過ぎてさらに温めるよ
うな解凍再加熱を行うメニューにおいて、被加熱物Mか
ら放出される赤外線もしくは輻射熱を非接触で測定する
ことで被加熱物Mの表面温度を検出し、被加熱物Mの表
面温度が0℃を越えると、融点以上の場合の被加熱物M
のインピーダンス整合のとれる位置へ可動式スタブ13
を回転させることにより高効率の高周波加熱装置を実現
することができる。As described above, according to this embodiment,
In a menu in which the physical properties of the object to be heated M change, particularly in a menu such as frozen shoumai that performs thawing and reheating to heat the material from the frozen state past the melting point, the infrared rays or radiant heat emitted from the object to be heated M is not contacted. The surface temperature of the object to be heated M is detected by measuring with M, and when the surface temperature of the object to be heated M exceeds 0 ° C., the object to be heated M having a melting point or higher.
Movable stub 13 to a position where impedance matching can be achieved
By rotating the, it is possible to realize a high-efficiency high-frequency heating device.
【0083】次に、本発明による高周波加熱装置の第2
の実施例について説明する。本実施例は可動式スタブ1
3を被加熱物Mに適した位置に回転させてインピーダン
ス調整を行うにあたり、被加熱物Mの高さおよび重量を
測定し、その測定結果に基づいて可動式スタブ13の位
置を調整するようにしたもので、請求項2記載の発明に
対応するものである。Next, the second embodiment of the high-frequency heating apparatus according to the present invention
An example will be described. This embodiment is a movable stub 1
When rotating 3 to a position suitable for the object to be heated M to perform impedance adjustment, the height and weight of the object to be heated M are measured, and the position of the movable stub 13 is adjusted based on the measurement result. It corresponds to the invention of claim 2.
【0084】図6は本発明による高周波加熱装置の第2
の実施例を示す構成図で、図(a) は垂直断面図、図(b)
は水平断面図である。この装置は被加熱物Mの高さを測
定する機能を有し、加熱室2の壁面に上下方向に一定の
間隔で複数の発光素子LDが設けられており、対向する
壁面には発光素子LDと同じ高さ位置関係で同数個の受
光素子PDが設けられている。発光素子LDから照射さ
れる光は、ターンテーブル3の中心上もしくはその近傍
上を通って受光素子PDにあたるように、発光素子LD
と受光素子PDが配置されている。本実施例の高周波加
熱装置においては、導波管12およびマグネトロン10
が加熱室2の右側壁中央部に位置するため、発光素子L
Dは加熱室2の右側壁後方に位置し、受光素子PDは発
光素子LDに対応してターンテーブル3の中心と発光素
子LDとを結ぶ線上にある加熱室2の左側壁前方に配置
されている。FIG. 6 shows a second example of the high-frequency heating apparatus according to the present invention.
FIG. 1 (a) is a vertical sectional view, FIG.
Is a horizontal sectional view. This device has a function of measuring the height of the object to be heated M, and a plurality of light emitting elements LD are provided on the wall surface of the heating chamber 2 at regular intervals in the vertical direction. The same number of light receiving elements PD are provided in the same height positional relationship. The light emitted from the light emitting element LD passes through the center of the turntable 3 or in the vicinity thereof and strikes the light receiving element PD, so that the light emitting element LD
And a light receiving element PD are arranged. In the high frequency heating apparatus of this embodiment, the waveguide 12 and the magnetron 10 are used.
Is located in the center of the right side wall of the heating chamber 2,
D is located at the rear of the right side wall of the heating chamber 2, and the light receiving element PD is arranged at the front of the left side wall of the heating chamber 2 on the line connecting the center of the turntable 3 and the light emitting element LD corresponding to the light emitting element LD. There is.
【0085】また、この装置は被加熱物Mの重量を測定
する機能を有し、加熱室2の下部に重量センサ6が設け
られている。図7は重量センサ6の拡大図である。重量
センサ6は、互いに一定の距離を保って水平に設置され
た板バネ6aおよび発振基板6bを備え、板バネ6は上
端がターンテーブル3を支持し下端が加熱室2の底面を
貫通するセンター軸4の下端を支え、ターンテーブル3
に加えられる重量に応じて上下に摺動する。板バネ6a
は電極を兼ね、発振基板6b上にパターンで構成された
電極との間でコンデンサを構成し、被加熱物Mの重さで
センター軸4を介して板バネ6aが押し下げられると、
板バネ6aと発振基板6b上のパターン電極の距離に変
化を与える構造となっている。Further, this apparatus has a function of measuring the weight of the object to be heated M, and the weight sensor 6 is provided below the heating chamber 2. FIG. 7 is an enlarged view of the weight sensor 6. The weight sensor 6 includes a plate spring 6a and an oscillation substrate 6b that are horizontally installed at a certain distance from each other. The plate spring 6 has a center at which the upper end supports the turntable 3 and the lower end penetrates the bottom surface of the heating chamber 2. Support the lower end of the shaft 4 and turntable 3
It slides up and down depending on the weight added to it. Leaf spring 6a
Also serves as an electrode and constitutes a capacitor between the electrode and the electrode formed in a pattern on the oscillation substrate 6b, and when the weight of the object to be heated M pushes down the leaf spring 6a via the center shaft 4,
The structure is such that the distance between the leaf spring 6a and the pattern electrode on the oscillation substrate 6b is changed.
【0086】これにより、板バネ6aと発振基板6b上
のパターン電極とで構成される可変コンデンサの静電容
量が変化し、その結果、発振基板6b内の発振回路の発
振周波数に変化を与えることで被加熱物Mの重量を測定
する。このような重量センサ6を有した高周波加熱装置
は、ターンテーブル3上に中心をずらせて被加熱物Mを
置かれると、センター軸4の摺動部での摩擦によって測
定重量に誤差を生じさせる。そのためターンテーブル3
を1回転させ、その間に一定時間間隔で測定された重量
の平均値をとって被加熱物Mのその偏荷重を相殺する測
定方法が取られている。As a result, the capacitance of the variable capacitor composed of the leaf spring 6a and the pattern electrode on the oscillation substrate 6b is changed, and as a result, the oscillation frequency of the oscillation circuit in the oscillation substrate 6b is changed. The weight of the article to be heated M is measured. In the high-frequency heating device having the weight sensor 6 as described above, when the object M to be heated is placed on the turntable 3 with its center deviated, an error occurs in the measured weight due to friction at the sliding portion of the center shaft 4. . Therefore turntable 3
Is rotated once, and the average value of the weights measured at fixed time intervals is taken to cancel out the unbalanced load of the article to be heated M.
【0087】図8は本実施例における制御装置70のブ
ロック構成図である。この制御装置70は、図3に示す
制御装置70において、加熱リレー75を削除し、それ
に代えてマグネトロン10へ電力を供給する電源回路と
して商用電源を整流平滑して直流電源を得る整流平滑回
路31、マグネトロン駆動用の変圧器32、この変圧器
32の一次巻線32aに並列接続された共振コンデンサ
33および半導体スイッチング回路34を備え、半導体
スイッチング回路34を高周波スイッチングさせるため
のオン/オフパルス信号を変化させてマグネトロン10
への電力供給量を制限するインバータ回路が接続されて
いる。FIG. 8 is a block diagram of the control device 70 in this embodiment. This control device 70 is the same as the control device 70 shown in FIG. 3, except that the heating relay 75 is removed and, instead, a rectifying / smoothing circuit 31 for rectifying and smoothing a commercial power source to obtain a DC power source as a power source circuit for supplying power to the magnetron 10. A transformer 32 for driving the magnetron, a resonance capacitor 33 and a semiconductor switching circuit 34 connected in parallel to the primary winding 32a of the transformer 32, and changing an on / off pulse signal for high frequency switching of the semiconductor switching circuit 34. Let me magnetron 10
An inverter circuit is connected to limit the amount of power supplied to the inverter.
【0088】変圧器32の二次側には、二次巻線32b
に高圧コンデンサ35と高圧ダイオード36が接続され
て倍電圧回路VMを構成し、これがマグネトロン駆動回
路としてマグネトロン10に接続されている。マグネト
ロン10の陰極はコンデンサ35および二次巻線32b
を介してインバータ制御回路40に接続され、このイン
バーター制御回路40から駆動回路41を介して半導体
スイッチング回路34にパルス信号が送られることでフ
ィードバックによる最適制御が行われる。The secondary side of the transformer 32 has a secondary winding 32b.
A high-voltage capacitor 35 and a high-voltage diode 36 are connected to each other to form a voltage doubler circuit VM, which is connected to the magnetron 10 as a magnetron drive circuit. The cathode of the magnetron 10 is the capacitor 35 and the secondary winding 32b.
The inverter control circuit 40 is connected to the semiconductor control circuit 40 via the drive circuit 41, and a pulse signal is sent from the inverter control circuit 40 to the semiconductor switching circuit 34 via the drive circuit 41 to perform optimum control by feedback.
【0089】また、変圧器32の二次巻線32bのイン
バータ制御回路40側の端子に接続された抵抗37はマ
グネトロン陽極電流検出用抵抗で、この抵抗37の両端
電圧が制御回路40に入力される。また、マグネトロン
10のフィラメントを暖めるためのヒータ巻線32cが
マグネトロン陽極に接続され、マグネトロン10の陽極
電圧は制御回路20からの信号によって制御される。ま
た、変圧器32の一時側の制御巻線32dが同期および
出力電圧検知用としてインバータ制御回路40へ入力さ
れる。The resistor 37 connected to the terminal on the side of the inverter control circuit 40 of the secondary winding 32b of the transformer 32 is a magnetron anode current detection resistor, and the voltage across the resistor 37 is input to the control circuit 40. It Further, a heater winding 32c for heating the filament of the magnetron 10 is connected to the magnetron anode, and the anode voltage of the magnetron 10 is controlled by a signal from the control circuit 20. Further, the control winding 32d on the temporary side of the transformer 32 is input to the inverter control circuit 40 for synchronization and output voltage detection.
【0090】制御回路20は操作パネル22に接続さ
れ、さらにインターフェイス21を介してインバータ制
御回路40、各リレー71〜74の各ドライブトランジ
スタ、検知スイッチ17、重量センサ6および受光素子
PDに接続されている。The control circuit 20 is connected to the operation panel 22, and further connected via the interface 21 to the inverter control circuit 40, the drive transistors of the relays 71 to 74, the detection switch 17, the weight sensor 6 and the light receiving element PD. There is.
【0091】次に、本実施例による高周波加熱装置の動
作について説明する。図9は可動式スタブ13を回転し
たときの加熱室2側のインピーダンスの変化をスミスチ
ャート上にプロットした図である。ターンテーブル3上
に被加熱物Mを乗せて加熱を開始すると、制御回路20
がターンテーブル駆動リレー74を制御してターンテー
ブルモータ5に電源を供給し、ターンテーブルモータ5
を回転させてターンテーブル3上の被加熱物Mを回転さ
せつつ受光素子PDのそれぞれの出力レベルを測定す
る。Next, the operation of the high frequency heating apparatus according to this embodiment will be described. FIG. 9 is a diagram in which a change in impedance on the heating chamber 2 side when the movable stub 13 is rotated is plotted on a Smith chart. When the object M to be heated is placed on the turntable 3 and heating is started, the control circuit 20
Controls the turntable drive relay 74 to supply power to the turntable motor 5,
Is rotated to rotate the object to be heated M on the turntable 3, and each output level of the light receiving element PD is measured.
【0092】高さ測定時に被加熱物Mを回転させる目的
は、被加熱物Mがターンテーブル3上に偏心して置かれ
た場合に被加熱物Mが発光素子LDと受光素子PDの間
に位置せず、発光素子LDの光を正しく遮らないことを
想定し、回転することで被加熱物Mが発光素子LDと受
光素子PDの間に位置する状態(発光素子LDと受光素
子PDを結んだ線と被加熱物Mとターンテーブル3中心
を結んだ線が重なり合う状態)を作り出すためである。The purpose of rotating the object to be heated M during height measurement is to position the object to be heated M between the light emitting element LD and the light receiving element PD when the object M to be heated is eccentrically placed on the turntable 3. If the object M to be heated is positioned between the light emitting element LD and the light receiving element PD by rotating, assuming that the light of the light emitting element LD is not correctly blocked (the light emitting element LD and the light receiving element PD are connected to each other). This is to create a state in which the line, the object to be heated M, and the line connecting the centers of the turntables 3 overlap each other.
【0093】制御回路20はターンテーブル3が回転す
る間の受光素子PDの出力信号を読み取り、回転中に発
光素子LDからの光が遮られた(受光素子PDの出力レ
ベルがゼロとなった)最上の受光素子PDまでの高さを
被加熱物Mの高さとして判断する。この高さ測定と同時
に前述した重量測定を行う。The control circuit 20 reads the output signal of the light receiving element PD while the turntable 3 rotates, and the light from the light emitting element LD is blocked during the rotation (the output level of the light receiving element PD becomes zero). The height to the uppermost light receiving element PD is determined as the height of the article to be heated M. At the same time as this height measurement, the above-mentioned weight measurement is performed.
【0094】被加熱物Mの高さ測定および重量測定の
間、可動式スタブ13は前回の加熱後に予め制御回路2
0によってスタブモータ駆動リレー73を制御して位置
を決められたあらゆる負荷に対してVSの低い位置(図
9の位置0)に停止したままである。During the height measurement and the weight measurement of the object to be heated M, the movable stub 13 is previously controlled by the control circuit 2 after the previous heating.
The stub motor drive relay 73 is controlled by 0 and remains stopped at a position where VS is low (position 0 in FIG. 9) for any position-determined load.
【0095】一方、制御回路20は加熱操作と同時にイ
ンバータ制御回路40に制御信号を送り、マグネトロン
10に電力を供給してマグネトロン10から輻射される
マイクロ波で被加熱物Mを加熱する。そして、制御回路
20はターンテーブル3が1回転した後に測定した被加
熱物Mの高さと重さから最適マイクロ波インピーダンス
マッチングの位置を制御回路20内のメモリから呼び出
してスタブモータ駆動リレー73を制御してスタブモー
タ5を回転し、可動式スタブ13を最適インピーダンス
マッチングの位置12(図9)に移動させる。On the other hand, the control circuit 20 sends a control signal to the inverter control circuit 40 at the same time as the heating operation to supply electric power to the magnetron 10 to heat the object M to be heated by the microwave radiated from the magnetron 10. Then, the control circuit 20 calls the optimum microwave impedance matching position from the memory in the control circuit 20 from the height and weight of the object to be heated M measured after the turntable 3 makes one rotation, and controls the stub motor drive relay 73. Then, the stub motor 5 is rotated to move the movable stub 13 to the optimum impedance matching position 12 (FIG. 9).
【0096】このとき、可動式スタブ13は位置0から
位置12に移動する間にVSの高い位置4近傍を通るた
め、制御回路20は測定した被加熱物Mの高さと重さか
らVSの高い位置4を推測し、かつスタブモータ15へ
の電力供給時間から可動式スタブ13の回転位置を認識
しつつ、可動式スタブ13がその位置を通過するときに
インバータ制御回路40に出力制御信号を送りマグネト
ロン10への電力供給を停止するか放電に十分なエネル
ギーのないレベルまでマグネトロン10への電力供給量
を抑え、可動式スタブ13がVSの高い位置を通過した
後にマグネトロン10への電力供給量をもとのレベルに
戻すように制御する。この制御は均一加熱特性を改善す
ることを目的として放熱中にたえず可動式スタブ13を
回転し続ける制御を行うような高周波加熱装置において
も同様の制御を行うことで導波管12内での放電を防止
することができる。At this time, since the movable stub 13 passes near the position 4 where VS is high while moving from the position 0 to the position 12, the control circuit 20 has a high VS from the measured height and weight of the object to be heated M. While inferring the position 4 and recognizing the rotational position of the movable stub 13 from the power supply time to the stub motor 15, the output control signal is sent to the inverter control circuit 40 when the movable stub 13 passes the position. The power supply to the magnetron 10 is stopped or the power supply to the magnetron 10 is suppressed to a level at which there is not enough energy for discharging, and the power supply to the magnetron 10 is reduced after the movable stub 13 has passed the high VS position. Control to return to the original level. This control is performed in the high-frequency heating device in which the movable stub 13 is continuously rotated during the heat radiation for the purpose of improving the uniform heating characteristic. Can be prevented.
【0097】以上説明したように、本実施例によれば、
可動式スタブ13がVS(電圧定在波比)の高くなる位
置を通過するときのみマグネトロン10への電力供給を
停止するか、またはインバータ回路によってマグネトロ
ン10への電力供給量を制限して導波管12内で放電に
必要なエネルギー以下にマグネトロン10の発生電波を
抑えることで、高効率かつ測定開始からの加熱時間の短
くするとともに放電のない安全な動作を行える。また、
加熱途中に自由に可動式スタブ13を動作させることが
できるため、加熱途中に可動式スタブ13を回転し続け
ることによるマイクロ波特性の改善等の手段も容易に実
施することができる。As described above, according to this embodiment,
Only when the movable stub 13 passes a position where VS (voltage standing wave ratio) becomes high, the power supply to the magnetron 10 is stopped, or the power supply amount to the magnetron 10 is limited by an inverter circuit and guided. By suppressing the radio waves generated by the magnetron 10 in the tube 12 to be less than the energy required for discharge, it is possible to perform a highly efficient operation, shorten the heating time from the start of measurement, and perform a safe operation without discharge. Also,
Since the movable stub 13 can be freely operated during heating, it is possible to easily implement means for improving microwave characteristics by continuing to rotate the movable stub 13 during heating.
【0098】ところで、VS(電圧定在波比)は負荷量
によって大きく変化し、被加熱物Mの負荷重量がある程
度大きいと、被加熱物Mの電波吸収量が多いため可動式
スタブ13の動作に伴いVSが導波管12内で放電を起
こすまで高くはならない。そこで、重量センサ6によっ
て測定した被加熱物Mの重量が制御回路20のメモリに
予め記憶されている比較重量に比べて大きいときは、加
熱中の可動式スタブ13の動作中にマグネトロン20へ
の一時的な電力供給の停止操作を回避し、あらゆる被加
熱物Mに対して最良の加熱手段を講じるようにしてもよ
い。By the way, VS (voltage standing wave ratio) greatly changes depending on the load amount, and when the load weight of the object to be heated M is large to some extent, the amount of electromagnetic waves absorbed by the object to be heated M is large, so that the movable stub 13 operates. Therefore, VS does not increase until discharge occurs in the waveguide 12. Therefore, when the weight of the object to be heated M measured by the weight sensor 6 is larger than the comparative weight stored in advance in the memory of the control circuit 20, the magnetron 20 is transferred to the magnetron 20 during operation of the movable stub 13 during heating. It is also possible to avoid a temporary stopping operation of power supply and take the best heating means for all the objects M to be heated.
【0099】ところで、高周波加熱装置の加熱効率を評
価する測定では、負荷条件として、図10に示すよう
に、2リットルの水を1リットルずつ2つのビーカーB
K1,BK2に分けて入れることが電気用品取締法およ
びJIS規格によって決められている。この1リットル
ビーカーBK1,BK2は底面積が大きいため、ターン
テーブル3上に中心から偏らせて置いても極端な偏荷重
にはならず、ターンテーブル3を回転して重量を測らな
くてもその重量(2kg+ビーカーの重さ)を大きな誤差
なく測定することができる。By the way, in the measurement for evaluating the heating efficiency of the high-frequency heating apparatus, as a load condition, as shown in FIG.
It is determined by the Electrical Appliance and Material Control Law and JIS standard that it can be put into K1 and BK2 separately. Since these 1 liter beakers BK1 and BK2 have a large bottom area, even if the 1 liter beakers BK1 and BK2 are placed on the turntable 3 so as to be deviated from the center, an extreme unbalanced load does not occur, and even if the turntable 3 is rotated and its weight is not measured, Weight (2kg + weight of beaker) can be measured without large error.
【0100】一般に、高周波加熱装置は加熱動作を行っ
ていない加熱待機状態の間にも重量センサ6からの重量
データを定期的に読み取っており、被加熱物Mがターン
テーブル3上にのせられると制御回路20にそのデータ
を伝えている。そこで、このことを本実施例における被
加熱物Mの重量を測定する際に適用し、制御回路20に
よって被加熱物Mの重さが2kg以上か否か判断し、2kg
以上であると制御回路20はスタブモータ駆動リレー7
3を制御してスタブモータ15を回転し、可動式スタブ
13を高周波出力測定用負荷に最適の位置に直ちに移動
させる。Generally, the high-frequency heating device periodically reads the weight data from the weight sensor 6 even during the heating standby state in which the heating operation is not performed, and when the object to be heated M is placed on the turntable 3. The data is transmitted to the control circuit 20. Therefore, this is applied when measuring the weight of the object to be heated M in the present embodiment, and the control circuit 20 judges whether the weight of the object to be heated M is 2 kg or more and 2 kg.
If it is above, the control circuit 20 will be the stub motor drive relay 7
3 is controlled to rotate the stub motor 15, and the movable stub 13 is immediately moved to the optimum position for the high frequency output measurement load.
【0101】この移動は重量測定後速やかに行われ、使
用者が加熱室2の扉を閉め加熱時間(高周波出力測定用
負荷を10℃上昇させる時間)を設定して加熱を開始す
るまでにその位置を前記高周波出力測定用負荷に最適に
位置に移動させる操作を完了する。一方、負荷が2kg以
上で高周波出力測定用負荷ではない場合には加熱開始後
の被加熱物Mの形状を高さセンサーおよび重量センサで
の形状確認で見直し、再び被加熱物Mに適したインピー
ダンスマッチングの位置まで可動式スタブ13を回転さ
せる。This movement is carried out promptly after the weight measurement, and the user closes the door of the heating chamber 2 to set the heating time (time to increase the load for measuring the high frequency output by 10 ° C.) and start the heating. The operation of moving the position to the optimum position for the high-frequency output measurement load is completed. On the other hand, when the load is 2 kg or more and is not a high frequency output measurement load, the shape of the object to be heated M after heating is reviewed by checking the shape with the height sensor and the weight sensor, and the impedance suitable for the object to be heated M again. The movable stub 13 is rotated to the matching position.
【0102】このように、被加熱物Mを高周波出力測定
用の負荷であることを加熱前に予め推定することで、加
熱開始直後から高周波出力測定用の負荷に対して一番給
電効率のよい可動式スタブ13の位置で動作させられ
る。また、高周波出力測定用の負荷に限定して可動式ス
タブ13を高周波出力が最大となる位置に加熱前から移
動しているため、高周波出力測定時に最高出力を発生で
き、高効率な装置を実現できる。As described above, by preliminarily estimating that the object M to be heated is a load for measuring the high frequency output before heating, the power feeding efficiency is highest for the load for measuring the high frequency output immediately after the start of heating. It is operated at the position of the movable stub 13. In addition, since the movable stub 13 is moved to a position where the high frequency output is maximized before heating, limiting the load for measuring the high frequency output, the maximum output can be generated during the high frequency output measurement, and a highly efficient device is realized. it can.
【0103】次に、本発明による高周波加熱装置の第3
の実施例について説明する。本実施例は冷凍食品の解凍
のように、高周波出力を低く設定する調理を行う場合、
インバータ電源装置を連続してかつ低出力で動作させる
ために可動式スタブ13の位置を最適位置に調整するよ
うにしたもので、請求項3記載の発明に対応する実施例
である。Next, the third embodiment of the high-frequency heating apparatus according to the present invention
An example will be described. In this example, when performing cooking with a high-frequency output set low, such as thawing of frozen foods,
The position of the movable stub 13 is adjusted to an optimum position in order to operate the inverter power supply device continuously and at a low output, which is an embodiment corresponding to the invention of claim 3.
【0104】本実施例における制御装置70としては、
前述の図8に示す制御装置70が適用される。ただし、
発光素子LDおよび受光素子PDからなる高さセンサお
よび重量センサ6はなくてもよい。本実施例の高周波加
熱装置によって冷凍食品の生もの解凍を行う場合、加熱
開始後に制御回路20は生もの解凍を行う被加熱物Mに
適した可動式スタブ13の回転位置データを内部メモリ
から読み出し、スタブモータ駆動リレー73を制御して
スタブモータ15の通電時間を制御し、可動式スタブ1
3を生もの解凍を行う被加熱物Mに適した位置に移動さ
せる。As the control device 70 in this embodiment,
The control device 70 shown in FIG. 8 is applied. However,
The height sensor and the weight sensor 6 including the light emitting element LD and the light receiving element PD may be omitted. When the frozen food is thawed by the high-frequency heating apparatus of this embodiment, the control circuit 20 reads the rotational position data of the movable stub 13 suitable for the object M to be thawed from the internal memory after the heating is started. , The stub motor drive relay 73 is controlled to control the energization time of the stub motor 15, and the movable stub 1
3 is moved to a position suitable for the object to be heated M to be thawed raw.
【0105】図11は生もの解凍を行う被加熱物Mをタ
ーンテーブル3上に乗せ、ターンテーブル3を停止させ
た状態で可動式スタブ13を回転させたときの加熱室2
側のインピーダンスをスミスチャート上にプロットした
図である。図中に付記された番号は可動式スタブ13の
回転位置0〜15(図35)を示し、斜線で囲まれた領
域がマグネトロン10が一番効率良く動作するマグネト
ロン10の最大出力領域である。FIG. 11 shows the heating chamber 2 in which the object M to be thawed is placed on the turntable 3 and the movable stub 13 is rotated while the turntable 3 is stopped.
It is the figure which plotted the impedance of the side on the Smith chart. The numbers attached in the drawing indicate the rotational positions 0 to 15 (FIG. 35) of the movable stub 13, and the region surrounded by the diagonal lines is the maximum output region of the magnetron 10 in which the magnetron 10 operates most efficiently.
【0106】図11から明らかなように、被加熱物Mを
負荷とした場合、マグネトロン10は可動式スタブ13
を位置4〜6にした場合が最も効率良く動作し、逆に位
置12にした場合はマイクロ波のマグネトロン10への
反射波が多く、被加熱物Mに対する出力効率が下がって
マグネトロン10本体を加熱する。したがって、生もの
解凍を行う被加熱物Mに適した位置は、図11のスミス
チャートに示された負荷ならば位置12となる。As is apparent from FIG. 11, when the object to be heated M is used as a load, the magnetron 10 has a movable stub 13
When the positions are set to 4 to 6, the most efficient operation is performed, and when the position is set to 12, on the other hand, the number of microwaves reflected by the magnetron 10 is large, and the output efficiency for the object to be heated M is lowered to heat the main body of the magnetron 10. To do. Therefore, the position suitable for the object to be heated M for thawing raw food is the position 12 in the case of the load shown in the Smith chart of FIG.
【0107】可動式スタブ13を位置12にした場合、
マグネトロン10の出力は位置4(マグネトロンの最大
出力領域)と比較して約 3/4 になる。したがって可動
式スタブ13を位置4とした場合に比較して同じ出力を
得るには、インバータ回路のマグネトロン10への電力
供給量を 4/3 倍にする必要がある。When the movable stub 13 is set to the position 12,
The output of the magnetron 10 is about 3/4 compared to position 4 (maximum output region of the magnetron). Therefore, in order to obtain the same output as compared with the case where the movable stub 13 is set to the position 4, it is necessary to increase the power supply amount to the magnetron 10 of the inverter circuit by 4/3.
【0108】したがって、本実施例の高周波加熱装置で
生もの解凍を行う場合、制御回路20が内部メモリから
生もの解凍に適した可動式スタブ13の回転位置データ
(図11の位置12)を読み出し、スタブモータ駆動リ
レー73を制御することでスタブモータ15の通電時間
制御を行って可動式スタブ13を位置12に移動させ
る。Therefore, in the case of performing raw defrosting with the high-frequency heating apparatus of this embodiment, the control circuit 20 reads the rotational position data (position 12 in FIG. 11) of the movable stub 13 suitable for raw defrosting from the internal memory. By controlling the stub motor drive relay 73, the energizing time of the stub motor 15 is controlled to move the movable stub 13 to the position 12.
【0109】制御回路20は解凍に適した出力を得るた
めのマグネトロン出力設定信号をインバータ制御回路4
0に出力するが、その設定値は可動式スタブ13が位置
4にある場合に比較して 4/3 倍の値となる。その結
果、必要な高周波出力を得るために 4/3 倍の電力供給
を行うことで十分なフィラメント電流を得てインバータ
電源装置によって弱出力で連続運転を行うことができ
る。The control circuit 20 outputs a magnetron output setting signal for obtaining an output suitable for defrosting to the inverter control circuit 4
Although it is output to 0, the set value is 4/3 times the value when the movable stub 13 is at position 4. As a result, a sufficient filament current can be obtained by supplying 4/3 times the power to obtain the required high-frequency output, and continuous operation with weak output can be performed by the inverter power supply device.
【0110】本実施例において可動式スタブ13を位置
12にした場合、マグネトロン10の陽極温度が位置4
に比較して高くなるが、生もの解凍の場合、インバータ
回路による電力供給量が少なく、高出力時に十分な冷却
のできる構造の本実施例の高周波加熱装置では問題なく
マグネトロン10を動作させることができる。When the movable stub 13 is set to the position 12 in this embodiment, the anode temperature of the magnetron 10 is set to the position 4.
However, in the case of raw thawing, the magnetron 10 can be operated without problems in the high frequency heating apparatus of this embodiment having a structure in which the amount of power supplied by the inverter circuit is small and sufficient cooling can be performed at high output. it can.
【0111】次に、本発明による高周波加熱装置の第4
の実施例について説明する。本実施例はマグネトロンの
モーディング(異常発振)を防止するもので、請求項4
記載の発明に対応するものである。本実施例は、前述の
図36に示すインバータ電源装置30のブロック構成
図、図37および図38に示すマグネトロン駆動用の変
圧器が適用される。Next, the fourth embodiment of the high-frequency heating apparatus according to the present invention
An example will be described. This embodiment is intended to prevent magnetron moding (abnormal oscillation).
It corresponds to the described invention. In this embodiment, the above-described block configuration diagram of the inverter power supply device 30 shown in FIG. 36 and the magnetron driving transformer shown in FIGS. 37 and 38 are applied.
【0112】図12に正常時のマグネトロン陰極電圧の
波形(図a)と、それに対応する検出巻き線32eの出
力波形(図b)とを示す。また、図13に異常時のマグ
ネトロン陰極電圧の波形(図a)と、それに対応する検
出巻き線32eの出力波形(図b)とを示す。両図から
明らかなように、異常発振時にはマグネトロン陰極電圧
の波形の底部に変動が表れ、検出巻き線32eの出力に
この変化に対応した微分変化的変動部が表れる。正常発
振時における検出巻き線出力のピーク電圧レベルはVN
であり、異常発振時における検出巻き線出力のピーク電
圧レベルはVA(VN <VA )である。FIG. 12 shows the waveform of the magnetron cathode voltage under normal conditions (FIG. 12A) and the corresponding output waveform of the detection winding 32e (FIG. 12B). Further, FIG. 13 shows the waveform of the magnetron cathode voltage at the time of abnormality (FIG. 13A) and the corresponding output waveform of the detection winding 32e (FIG. 13B). As is clear from both figures, a fluctuation appears at the bottom of the waveform of the magnetron cathode voltage during abnormal oscillation, and a differential change part corresponding to this change appears at the output of the detection winding 32e. The peak voltage level of the detection winding output during normal oscillation is V N
The peak voltage level of the detection winding output during abnormal oscillation is V A (V N <V A ).
【0113】図14は、異常発振発生時における検出巻
線出力整形回路50(図36)の各部の信号を示すタイ
ミングチャートである。時点t1において異常発振が発
生すると、比較回路51からパルス状のマグネトロン異
常発振信号(図a)が出力され、判定回路52の論理積
回路52aの一方に入力される。このとき論理積回路5
2aの他方の入力には論理“H”のゲート信号(図b)
が入力されているので、判定回路52からはパルス状の
マグネトロン異常発振信号がそのままパルス発生トリガ
信号(図c)として出力される。FIG. 14 is a timing chart showing signals of respective parts of the detection winding output shaping circuit 50 (FIG. 36) when abnormal oscillation occurs. When abnormal oscillation occurs at time t1, a pulsed magnetron abnormal oscillation signal (FIG. A) is output from the comparison circuit 51 and is input to one of the AND circuits 52a of the determination circuit 52. At this time, the AND circuit 5
Gate signal of logic "H" is input to the other input of 2a (Fig. B)
, The pulsed magnetron abnormal oscillation signal is output as it is as a pulse generation trigger signal (FIG. 7C).
【0114】パルス発生回路53はこのパルス発生トリ
ガ信号を受けると時点t2から時点t3までの一定期間
論理“H”となるリセットパルス(図d)をインバータ
制御回路40に出力する。これによりマグネトロン10
は時点t2から時点t3までの間発振を停止する。時点
t3はマグネトロン10の再発振開始時点であり、時点
t4はマグネトロン10の発振安定時点である。時点t
3から時点t4の間でマグネトロン異常発振信号(図
a)が出力されてもゲート信号(図b)が論理“L”で
あるので判定回路52からはパルス発生トリガ信号(図
c)が出力されることはない。When the pulse generation circuit 53 receives this pulse generation trigger signal, it outputs to the inverter control circuit 40 a reset pulse (FIG. D) which becomes logical "H" for a certain period from time t2 to time t3. This allows the magnetron 10
Stops the oscillation from time t2 to time t3. Time point t3 is a time point when the re-oscillation of the magnetron 10 is started, and time point t4 is a time point when the oscillation of the magnetron 10 is stabilized. Time t
Even if the magnetron abnormal oscillation signal (Fig. A) is output from time 3 to time t4, the determination circuit 52 outputs the pulse generation trigger signal (Fig. C) because the gate signal (Fig. B) is logic "L". There is no such thing.
【0115】次に、図15に示すフローチャートを参照
しながらモーディング検知時の制御方法について説明す
る。検出巻き線出力VA のピーク電圧レベルVAP がス
レッシュ電圧VN のピーク電圧レベルVNPよりも大きけ
れば(ステップS10)、前述したように検出巻線出力
整形回路50からリセットパルスが出力され、インバー
タ制御回路40はスイッチング回路34の駆動を停止し
(ステップS11)、マグネトロン10への電力供給を
停止して連続するモーディングを停止する。Next, the control method when the moding is detected will be described with reference to the flowchart shown in FIG. If the peak voltage level V AP of the detection winding output V A is higher than the peak voltage level V NP of the threshold voltage V N (step S10), a reset pulse is output from the detection winding output shaping circuit 50 as described above, The inverter control circuit 40 stops driving the switching circuit 34 (step S11), stops power supply to the magnetron 10, and stops continuous moding.
【0116】一方、制御回路20は、マグネトロン10
の発振状態を正常動作に戻すためにマグネトロン10へ
の電力供給を停止している期間中に、スタブモータ駆動
用リレー73を制御してスタブモータ15の通電時間制
御を行ってスタブモータ15を一定量回転し、可動式ス
タブ13をモーディングを起こしたインピーダンスの位
置から移動させる(ステップS12〜14)。その後、
再びスイッチング回路34の駆動を再開してマグネトロ
ン10への電力供給を再開し(ステップS15)、マグ
ネトロン10の発振状態を正常動作に戻す。On the other hand, the control circuit 20 uses the magnetron 10
While the power supply to the magnetron 10 is stopped in order to return the stub motor 15 to the normal operation, the stub motor drive relay 73 is controlled to control the energization time of the stub motor 15 to keep the stub motor 15 constant. The movable stub 13 is rotated by a certain amount and is moved from the position of the impedance causing the moding (steps S12 to S14). afterwards,
The driving of the switching circuit 34 is restarted again to restart the power supply to the magnetron 10 (step S15), and the oscillation state of the magnetron 10 is returned to the normal operation.
【0117】マグネトロン10への一時的な電力供給の
停止および可動式スタブ13の移動による加熱室2内の
マイクロ波インピーダンスの改善後に、再びモーディン
グを発生した場合は、マグネトロン10への一時的な電
力供給の停止および可動式スタブ13の移動を繰り返し
て完全にモーディングを発生しない位置まで可動式スタ
ブ13を移動させる。When the moding occurs again after the microwave impedance in the heating chamber 2 is improved by temporarily stopping the power supply to the magnetron 10 and moving the movable stub 13, the magnetron 10 is temporarily stopped. The movable stub 13 is moved to a position where the moding is not completely generated by repeatedly stopping the power supply and moving the movable stub 13.
【0118】次に、本発明による高周波加熱装置の第5
の実施例について説明する。本実施例は請求項5記載の
発明に対応するもので、前述の第4の実施例と同様に、
マグネトロンのモーディング(異常発振)を防止するも
ので、図36に示すインバータ電源装置30のブロック
構成図、図37および図38に示すマグネトロン駆動用
の変圧器が適用される。Next, the fifth embodiment of the high-frequency heating apparatus according to the present invention
An example will be described. This embodiment corresponds to the invention described in claim 5, and like the above-mentioned fourth embodiment,
In order to prevent the modding (abnormal oscillation) of the magnetron, the block diagram of the inverter power supply device 30 shown in FIG. 36 and the magnetron driving transformer shown in FIGS. 37 and 38 are applied.
【0119】図16は、本実施例によるモーディング検
知時の制御方法を説明するためのフローチャートであ
る。まず、制御回路20は被加熱物の形状認識を行う
(ステップS20)。形状認識は前述した高さセンサお
よび重量センサで検出した被加熱物の高さおよび重さに
よって行う。次いで、制御回路20は認識した被加熱物
の形状から可動式スタブ13の位置データを内部メモリ
から読み出し(ステップS21)、さらに認識した形状
の被加熱物でモーディングを起こしたことがあるか否か
を判断する(ステップS22)。モーディングを起こし
たことがあれば内部メモリから修正データを読み出し
(ステップS23)、修正データによって可動式スタブ
13の位置データを修正する(ステップS24)。そし
て、モーディングを起こしたことがなければステップS
21で内部メモリから読み出した位置データに基づい
て、モーディングを起こしたことがあればステップS2
4で修正した位置データに基づいて、それぞれスタブモ
ータ駆動用リレー73を制御し、スタブモータ15の通
電時間制御を行ってスタブモータ15を一定量回転し、
可動式スタブ13を移動させる(ステップS25)。FIG. 16 is a flow chart for explaining the control method when the moding is detected according to this embodiment. First, the control circuit 20 recognizes the shape of the object to be heated (step S20). The shape recognition is performed by the height and weight of the object to be heated detected by the height sensor and the weight sensor described above. Then, the control circuit 20 reads the position data of the movable stub 13 from the recognized shape of the object to be heated from the internal memory (step S21), and further modifies the object to be heated having the recognized shape. It is determined (step S22). If the moding has occurred, the correction data is read from the internal memory (step S23), and the position data of the movable stub 13 is corrected by the correction data (step S24). Then, if no moding has occurred, step S
If moding has occurred based on the position data read from the internal memory in step 21, step S2
Based on the position data corrected in 4, the stub motor drive relay 73 is controlled, the energization time of the stub motor 15 is controlled, and the stub motor 15 is rotated by a certain amount.
The movable stub 13 is moved (step S25).
【0120】次いで、比較回路51で検出巻き線出力V
A のピーク電圧レベルVAP がスレッシュ電圧VN のピ
ーク電圧レベルVNPよりも大きくなったことを検出する
と(ステップS26)、マグネトロン10でモーディン
グが発生したとして検出巻線出力整形回路50からイン
バータ制御回路40に前述したようにリセットパルスが
出力され、これによりインバータ制御回路40はスイッ
チング回路34の駆動を停止し(ステップS27)、マ
グネトロン10への電力供給を停止して連続するモーデ
ィングを停止する。Then, the comparison winding 51 outputs the detection winding output V
When it is detected that the peak voltage level V AP of A has become larger than the peak voltage level V NP of the threshold voltage V N (step S26), it is determined that the modding has occurred in the magnetron 10, and the detection winding output shaping circuit 50 causes the inverter. As described above, the reset pulse is output to the control circuit 40, which causes the inverter control circuit 40 to stop the driving of the switching circuit 34 (step S27) and to stop the power supply to the magnetron 10 to stop the continuous moding. To do.
【0121】次いで、制御回路20は、マグネトロン1
0の発振状態を正常動作に戻すためにマグネトロン10
への電力供給を停止している期間中にスタブモータ駆動
用リレー73を制御してスタブモータ15の通電時間制
御を行い、スタブモータ15を一定量回転して可動式ス
タブ13をモーディングを起こしたインピーダンスの位
置から移動させる(ステップS28,S29)。次い
で、可動式スタブ13の移動量をスタブモータ15の通
電時間の積算で制御するために通電時間の積算を行い
(ステップS30)、積算結果を内部メモリに記憶し
(ステップS31)、スタブモータ駆動用リレー73を
制御して可動式スタブ13を停止し(ステップS3
2)、その後に再びインバータ制御回路40によるスイ
ッチング回路34の駆動を再開してマグネトロン10へ
の電力供給を再開し(ステップS33)、マグネトロン
10の発振状態を正常動作に戻す。Then, the control circuit 20 controls the magnetron 1
Magnetron 10 to return the oscillation state of 0 to normal operation
While the power supply to the stub motor is stopped, the stub motor drive relay 73 is controlled to control the energization time of the stub motor 15, and the stub motor 15 is rotated by a certain amount to cause the movable stub 13 to be moded. It is moved from the position of the impedance (steps S28 and S29). Next, the energization time is integrated to control the movement amount of the movable stub 13 by integrating the energization time of the stub motor 15 (step S30), and the integration result is stored in the internal memory (step S31) to drive the stub motor. To control the movable relay 73 to stop the movable stub 13 (step S3
2) After that, the driving of the switching circuit 34 by the inverter control circuit 40 is restarted again to restart the power supply to the magnetron 10 (step S33), and the oscillation state of the magnetron 10 is returned to the normal operation.
【0122】マグネトロン10への一時的な電力供給の
停止および可動式スタブ13の移動による加熱室2内の
マイクロ波インピーダンスの改善後に、再びモーディン
グを発生した場合は、マグネトロン10への一時的な電
力供給の停止および可動式スタブ13の移動を繰り返し
(ステップS26〜S33)、完全にモーディングを発
生しない位置まで可動式スタブ13を移動させる。When the moding occurs again after the microwave impedance in the heating chamber 2 is improved by temporarily stopping the power supply to the magnetron 10 and moving the movable stub 13, the magnetron 10 is temporarily stopped. The stop of the power supply and the movement of the movable stub 13 are repeated (steps S26 to S33), and the movable stub 13 is moved to the position where the moding is not completely generated.
【0123】このように、制御回路20はモーディング
の検知から完全にモーディングが発生しなくなるまでの
可動式スタブ13の移動量をスタブモータ15への通電
時間の積算で制御回路20内の内部メモリに記憶する。
内部メモリとしては、電気的にその記憶内容を自由に書
き換えることのできるE2 PROMが望ましい。その記
憶内容は制御回路20およびE2 PROMへの電力の供
給がなされなくなっても保持されている。As described above, the control circuit 20 calculates the amount of movement of the movable stub 13 from the detection of the moding to the time when the moding does not completely occur, by integrating the energization time to the stub motor 15 inside the control circuit 20. Store in memory.
As the internal memory, an E 2 PROM whose stored contents can be electrically rewritten is desirable. The stored contents are retained even when power is not supplied to the control circuit 20 and the E 2 PROM.
【0124】モーディング回避動作をおこなってE2 P
ROMに可動式スタブ13の補正移動データーを記憶し
た後に、加熱を行った被加熱物Mの高さおよび重さの形
状データがモーディングを検知した形状データと一致し
た場合には、被加熱物Mの高さと重さをもとに制御回路
20内の記憶素子から呼び出した最適マイクロ波インピ
ーダンスマッチングの可動式スタブ13の位置データに
E2 PROMの補正データを加味してスタブモータ駆動
用リレー73を制御してスタブモータ15を回転し、可
動式スタブ13をモーディングをおこさない最適インピ
ーダンスマッチングの位置に移動させてマイクロ波加熱
を行う。The moding avoidance operation is performed and E 2 P
After the correction movement data of the movable stub 13 is stored in the ROM, when the shape data of the height and weight of the heated object M that has been heated matches the shape data of which the moding is detected, the object to be heated is Based on the height and weight of M, the position data of the movable stub 13 for optimum microwave impedance matching called from the storage element in the control circuit 20 is added with the correction data of the E 2 PROM, and the stub motor drive relay 73 is added. Is controlled to rotate the stub motor 15 to move the movable stub 13 to a position for optimum impedance matching that does not cause moding, and microwave heating is performed.
【0125】次に、本発明による高周波加熱装置の第6
の実施例について説明する。本実施例は請求項6記載の
発明に対応するものである。前述した第2の実施例(図
6)では、被加熱物Mの高さおよび重量を測定して可動
式スタブ13の位置を調整するようにしているが、被加
熱物Mを入れる容器は使用者それぞれで異なり、高さや
重さが平均的容器より極端に異なる場合は誤判定するこ
とになる。そこで、本実施例では、被加熱物Mに対する
マイクロ波の加熱効率をマグネトロン10の温度変化で
捕らえ、制御回路20によって直接被加熱物Mへのマイ
クロ波の輻射状態を検知し、可動式スタブ13を動作さ
せてマイクロ波インピーダンスマッチングを改善するよ
うにしている。Next, the sixth embodiment of the high-frequency heating apparatus according to the present invention
An example will be described. The present embodiment corresponds to the invention described in claim 6. In the above-described second embodiment (FIG. 6), the height and weight of the object to be heated M are measured to adjust the position of the movable stub 13, but a container for the object to be heated M is used. If the height and weight are extremely different from those of the average container, it will be erroneously determined. Therefore, in the present embodiment, the heating efficiency of the microwave to the object to be heated M is detected by the temperature change of the magnetron 10, and the control circuit 20 directly detects the radiation state of the microwave to the object to be heated M, and the movable stub 13 Is operated to improve the microwave impedance matching.
【0126】図17は本実施例による高周波加熱装置の
構成図で、マグネトロン10の外郭にサーミスタTHを
取り付けた構成を有する。その他の構成は前述の図6に
示す構成と同一である。図18は本実施例の制御装置7
0のブロック構成図で、サーミスタTHおよび検知抵抗
Rが直列接続されて直流電源Vdに接続され、サーミス
タTHおよび検知抵抗Rの接続中点がインターフェイス
21を介して制御回路20に接続されている。その他の
構成は前述の図3に示す構成と同一である。FIG. 17 is a block diagram of the high-frequency heating apparatus according to this embodiment, which has a structure in which a thermistor TH is attached to the outer shell of the magnetron 10. The other structure is the same as the structure shown in FIG. FIG. 18 shows the controller 7 of this embodiment.
In the block diagram of 0, the thermistor TH and the detection resistor R are connected in series and connected to the DC power supply Vd, and the connection midpoint of the thermistor TH and the detection resistor R is connected to the control circuit 20 via the interface 21. The other structure is the same as the structure shown in FIG.
【0127】サーミスタTHはその温度上昇につれて抵
抗値が減少する特性を有し、直列に接続された検知抵抗
Rの両端電圧はサーミスタTHの抵抗値の減少とともに
増加する。制御回路20は検知抵抗Rの電圧変化として
サーミスタTHの温度変化すなわちマグネトロン10の
温度変化を検知することができる。The thermistor TH has a characteristic that its resistance value decreases as its temperature rises, and the voltage across the detection resistor R connected in series increases as the resistance value of the thermistor TH decreases. The control circuit 20 can detect the temperature change of the thermistor TH, that is, the temperature change of the magnetron 10 as the voltage change of the detection resistor R.
【0128】一方、マイクロ波加熱時には、制御回路2
0が冷却ファン駆動リレー72を制御してマグネトロン
冷却ファンモータFMを駆動し、外気を吸い込み、冷風
をマグネトロン10およびマグネトロン10に電力を供
給する半波倍電圧回路VMに吹き付けて冷却する。マグ
ネトロン10の発熱量はマグネトロン10が取り付けら
れた導波管12とそれが接続された加熱室2のマイクロ
波インピーダンスマッチングによって変化し、マグネト
ロン10が被加熱物Mに効率良くマイクロ波を輻射して
いるときにはマグネトロン10のエネルギーロスが少な
くその温度は比較的低い。On the other hand, during microwave heating, the control circuit 2
0 controls the cooling fan drive relay 72 to drive the magnetron cooling fan motor FM, sucks the outside air, and blows cool air to the magnetron 10 and the half-wave voltage doubler circuit VM that supplies electric power to the magnetron 10 for cooling. The heat generation amount of the magnetron 10 is changed by the microwave impedance matching of the waveguide 12 to which the magnetron 10 is attached and the heating chamber 2 to which the magnetron 10 is connected, and the magnetron 10 efficiently radiates microwaves to the object to be heated M. When it is present, the energy loss of the magnetron 10 is small and its temperature is relatively low.
【0129】逆に、被加熱物Mに効率良くマイクロ波が
輻射されない状態では、マグネトロン10への反射波が
多くなってマグネトロン10の温度が高くなる。マグネ
トロン温度はマグネトロン10への電力供給開始ととも
に早い速度で上昇し、その温度は同一負荷・同一インピ
ーダンスマッチング状態において、冷却能力とマグネト
ロン10の放熱量が釣り合う飽和温度の約60%までが
加熱後数分の間に上昇し、その上昇率はその間ほぼ一定
である。On the contrary, when the microwave M is not efficiently radiated to the object to be heated M, the number of reflected waves to the magnetron 10 increases and the temperature of the magnetron 10 rises. The magnetron temperature rises at a high speed with the start of power supply to the magnetron 10, and the temperature is about 60% of the saturation temperature at which the cooling capacity and the heat radiation amount of the magnetron 10 are balanced under the same load and the same impedance matching condition. It rises in a minute, and the rate of increase is almost constant during that time.
【0130】次に、図19に示すフローチャートを参照
しながら本実施例の制御手順について説明する。マイク
ロ波加熱を開始すると、制御回路20は冷却ファン駆動
リレー72を制御してマグネトロン冷却ファンモータF
Mを駆動し、同時に加熱リレー75を制御して倍電圧回
路VMに電力を供給することによりマグネトロン10に
電力を供給し、マグネトロン10からマイクロ波を輻射
させる(ステップS40)。また、制御回路20はマグ
ネトロン10が温度上昇を開始すると同時に検知抵抗R
の電圧を定期的に測定し(ステップS41〜43)、温
度勾配データYを計算して(ステップS44)、可動式
スタブ13の位置データXおよび温度勾配データYを記
憶する(ステップS45)。位置データXが位置4の位
置となっていない場合は(ステップS46)、スタブモ
ータ駆動リレー73を制御してスタブモータ15を回転
させて可動式スタブ13を位置0を最初として一定量だ
け動かし(ステップS47)、各停止位置での単位時間
当たりのマグネトロン温度の変化率を測定する(ステッ
プS41〜S45)。Next, the control procedure of this embodiment will be described with reference to the flow chart shown in FIG. When the microwave heating is started, the control circuit 20 controls the cooling fan drive relay 72 to control the magnetron cooling fan motor F.
By driving M and simultaneously controlling the heating relay 75 to supply power to the voltage doubler circuit VM, power is supplied to the magnetron 10 and the microwave is radiated from the magnetron 10 (step S40). Further, the control circuit 20 detects the detection resistance R at the same time when the magnetron 10 starts to increase its temperature.
Is periodically measured (steps S41 to 43), the temperature gradient data Y is calculated (step S44), and the position data X and the temperature gradient data Y of the movable stub 13 are stored (step S45). If the position data X is not the position of position 4 (step S46), the stub motor drive relay 73 is controlled to rotate the stub motor 15 to move the movable stub 13 by a certain amount with the position 0 as the first position ( In step S47), the rate of change of the magnetron temperature per unit time at each stop position is measured (steps S41 to S45).
【0131】図20は、ある被加熱物Mを加熱室2内で
加熱したときの可動式スタブ13の停止位置とマグネト
ロン温度の変化率の関係を示すグラフであり、その関係
は被加熱物Mの形状によって異なる。制御回路20は単
位時間あたりの検知抵抗Rの電圧の変化勾配がもっとも
小さいところが最適可動式スタブの位置であると判断す
る。図20に示す被加熱物を例にとるならば、位置0〜
4の間で最適出力ポイントは位置2となる。FIG. 20 is a graph showing the relationship between the stop position of the movable stub 13 and the rate of change of the magnetron temperature when a certain object M to be heated is heated in the heating chamber 2, and the relationship is the object M to be heated. It depends on the shape of. The control circuit 20 determines that the position where the voltage change gradient of the detection resistor R per unit time is the smallest is the position of the optimum movable stub. Taking the object to be heated shown in FIG.
Between 4 the optimum output point is position 2.
【0132】ところで、導波管12は前述した図35
(可動式スタブ13の回転位置を説明する図)に示す破
線DLを境として開口側から見て左右対称に作られてお
り、可動式スタブ13の動きに対するインピーダンスマ
ッチングの軌跡は位置12から位置0を通り位置4に至
る軌跡を、位置4から位置8を通り位置12への動きで
逆にたどる。制御回路20は位置2から位置4までの可
動式スタブ13の回転量をスタブモータ15への通電時
間の積算で算出して、位置4からそれと対象位置である
位置6まで可動式スタブ13を移動させて停止させる。
この位置は位置2とインピーダンスマッチングが同じ最
適出力ポイントの位置である。By the way, the waveguide 12 is shown in FIG.
The locus of impedance matching with respect to the movement of the movable stub 13 is symmetrical from the position 12 to the position 0 from the opening side with respect to the broken line DL shown in (a diagram for explaining the rotational position of the movable stub 13). The path from the position 4 to the position 4 is traced in reverse by the movement from the position 4 to the position 8 to the position 12. The control circuit 20 calculates the amount of rotation of the movable stub 13 from position 2 to position 4 by integrating the energization time to the stub motor 15, and moves the movable stub 13 from position 4 to position 6 which is the target position. Let it stop.
This position is the position of the optimum output point having the same impedance matching as position 2.
【0133】この高周波加熱装置はこの制御を加熱早期
に行い、以降加熱が終了するまで最適出力のインピーダ
ンスマッチングの可動式スタブ13の位置で加熱を続け
る。すなわち、可動式スタブ13の位置データXが位置
4の位置になると(スタップS46)、温度勾配が最小
となる可動式スタブ位置を認識し(スタップS50)、
温度勾配が最小となる可動式スタブ位置から位置4の位
置までのスタブモータ15の動作時間T2を計算し(ス
テップS51)、スタブモータ駆動リレー73をオンし
てスタブモータ15を駆動し(ステップS52)、時間
T2が経過した時点でスタブモータ駆動リレー73をオ
フしてスタブモータ15を停止する(スタップS53,
S54)。This high-frequency heating device performs this control at an early stage of heating, and thereafter continues heating at the position of the movable stub 13 for impedance matching of optimum output until the heating is completed. That is, when the position data X of the movable stub 13 reaches the position of position 4 (stab S46), the movable stub position where the temperature gradient is minimized is recognized (stab S50),
The operation time T2 of the stub motor 15 from the movable stub position where the temperature gradient is the minimum to the position 4 is calculated (step S51), and the stub motor drive relay 73 is turned on to drive the stub motor 15 (step S52). ), When the time T2 has elapsed, the stub motor drive relay 73 is turned off to stop the stub motor 15 (stub S53,
S54).
【0134】ところで、本実施例において、マグネトロ
ン10がモーディングを起こすとマグネトロン10内で
電子が正常な動作をせずに管内で熱に変換されてしま
う。モーディングが連続して発生するとマグネトロン1
0はマイクロ波を輻射できずマグネトロン10に供給さ
れた電力のほどんどは熱に変換されてしまう。マグネト
ロン10のマイクロ波変換効率は通常動作では70%前
後であり、残りが熱等に変換されており、マグネトロン
冷却ファンモータFMの冷却能力は通常動作でマグネト
ロン10を正常動作させるに十分な温度に保つ能力を有
するが、マグネトロン10がモーディングを起こすとマ
グネトロン10の放熱量が急激に増加してマグネトロン
冷却ファンモータFMの冷却能力を越えてマグネトロン
10の温度を急激に上昇させ、さらにこの上昇でモーデ
ィングが促進されマグネトロン10を熱暴走させて破壊
に至らせる。By the way, in the present embodiment, when the magnetron 10 modifies, the electrons in the magnetron 10 do not operate normally and are converted into heat in the tube. Magnetron 1 when moding occurs continuously
0 cannot radiate microwaves, and most of the electric power supplied to the magnetron 10 is converted into heat. The microwave conversion efficiency of the magnetron 10 is around 70% in normal operation, and the rest is converted into heat, etc., and the cooling capacity of the magnetron cooling fan motor FM is at a temperature sufficient for normal operation of the magnetron 10. It has the ability to maintain, but when the magnetron 10 modifies, the heat radiation amount of the magnetron 10 rapidly increases, exceeding the cooling capacity of the magnetron cooling fan motor FM, and rapidly increasing the temperature of the magnetron 10, and by this rise. The modding is promoted, causing the magnetron 10 to run into heat and run into destruction.
【0135】モーディングはその発生要因がマグネトロ
ン10が接続された導波管12とそれに接続された加熱
室2および加熱室2内に置かれた負荷によって構成され
るキャビティのマイクロ波インピーダンスマッチングに
関係し、モーディングの起こり易いインピーダンスマッ
チングの位置はマグネトロン10の最大出力領域の近く
にあるのが一般的である。図21に加熱経過時間に対す
る通常動作時のマグネトロン温度の変化を示し、図22
に加熱経過時間に対するモーディング発生時のマグネト
ロン温度の変化を示す。この図から明らかなように、マ
グネトロン10の温度は通常は加熱直後から一定の勾配
で上昇し、やがてある温度で飽和してその温度を維持す
る。ところが、マグネトロン10がモーディングを起こ
すとマグネトロン10の温度上昇中であれば、その上昇
勾配に変化が現れモーディング発生点から勾配が大きく
なる。飽和後であればそこから再び温度上昇が始まる。
また、モーディングの発生がマグネトロン10の温度上
昇中であれ飽和後であれ、通常のマグネトロン10の飽
和温度点を超えて上昇し続ける。The cause of moding is related to the microwave impedance matching of the cavity constituted by the waveguide 12 to which the magnetron 10 is connected, the heating chamber 2 connected to it, and the load placed in the heating chamber 2. However, the position of impedance matching where moding is likely to occur is generally near the maximum output region of the magnetron 10. FIG. 21 shows changes in the magnetron temperature during normal operation with respect to the elapsed heating time.
Figure 3 shows the change in magnetron temperature when the moding occurs with respect to the elapsed heating time. As is clear from this figure, the temperature of the magnetron 10 usually rises with a constant gradient immediately after heating, and eventually saturates at a certain temperature and maintains that temperature. However, when the magnetron 10 is moded and the temperature of the magnetron 10 is rising, a change occurs in the rising gradient and the gradient becomes large from the moding occurrence point. If it is saturated, the temperature starts to rise again.
Further, regardless of whether the occurrence of moding is during the temperature rise of the magnetron 10 or after the saturation, it continues to rise beyond the normal saturation temperature point of the magnetron 10.
【0136】そこで、図23に示すフローチャートのよ
うに、温度勾配データYを計算した後(ステップS4
4)、加熱が終了していなければ(ステップS60)、
温度勾配が大きくなったか否か判断する(ステップS6
1)。その結果、温度勾配が大きければ加熱リレー75
を制御して半波倍電圧回路VMに供給する電力を遮断し
てマグネトロン10への電力供給を停止し、連続するモ
ーディングを停止させつつマグネトロン冷却ファンモー
タFMを駆動し続けてマグネトロン10の温度を下げる
(ステップS62)。そして、スタブモータ駆動用リレ
ー73を制御してスタブモータ15の通電時間制御を行
ってスタブモータ15を一定量回転し、可動式スタブ1
3をモーディングを起こしたインピーダンスの位置から
移動させる(ステップS63)。その後に再びマグネト
ロン10への電力供給を再開してマグネトロン10の発
振状態を正常動作に戻す(ステップS64)。Therefore, after calculating the temperature gradient data Y as shown in the flowchart of FIG. 23 (step S4)
4) If the heating is not completed (step S60),
It is determined whether the temperature gradient has become large (step S6).
1). As a result, if the temperature gradient is large, the heating relay 75
Is controlled to cut off the electric power supplied to the half-wave voltage doubler circuit VM to stop the electric power supply to the magnetron 10, and to continue driving the magnetron cooling fan motor FM while stopping the continuous moding to keep the temperature of the magnetron 10. Is lowered (step S62). Then, the stub motor driving relay 73 is controlled to control the energization time of the stub motor 15 to rotate the stub motor 15 by a certain amount, and the movable stub 1
3 is moved from the position of the impedance that caused the moding (step S63). After that, the power supply to the magnetron 10 is restarted again to return the oscillation state of the magnetron 10 to the normal operation (step S64).
【0137】マグネトロン10への一時的な電力供給の
停止および可動式スタブ13の移動による加熱室2内の
マイクロ波インピーダンスの改善後に、再びモーディン
グを発生した場合は、マグネトロン10への一時的な電
力供給の停止および可動式スタブ13の移動を繰り返し
て完全にモーディングを発生しない位置まで可動式スタ
ブ13を移動させる。When the moding occurs again after the microwave impedance in the heating chamber 2 is improved by temporarily stopping the power supply to the magnetron 10 and moving the movable stub 13, the magnetron 10 is temporarily stopped. The movable stub 13 is moved to a position where the moding is not completely generated by repeatedly stopping the power supply and moving the movable stub 13.
【0138】次に、本実施例による高周波加熱装置(図
17〜18)の他の制御方法について説明する。図24
は被加熱物Ma(またはMb)の加熱中に可動式スタブ
13の位置の変化に伴うマグネトロン温度の単位時間あ
たりの変化率の変化を示すグラフであり、図25および
図26は制御方法を示すフローチャートである。Next, another control method of the high frequency heating apparatus (FIGS. 17 to 18) according to this embodiment will be described. FIG.
FIG. 25 is a graph showing changes in the rate of change of the magnetron temperature per unit time due to changes in the position of the movable stub 13 during heating of the object Ma (or Mb) to be heated, and FIGS. 25 and 26 show the control method. It is a flowchart.
【0139】図25および図26において、マイクロ波
加熱を開始すると、制御回路20は冷却ファン駆動リレ
ー72を制御してマグネトロン冷却ファンモータFMを
駆動し、加熱リレー75を制御して半波倍電圧回路VM
に電力を供給することでマグネトロン10に電力を供給
し、マグネトロン10からマイクロ波を輻射させる。同
時に制御回路20はターンテーブル3が1回転した後に
測定した被加熱物Mの高さと重さとから形状認識を行う
(ステップS70)。25 and 26, when microwave heating is started, the control circuit 20 controls the cooling fan drive relay 72 to drive the magnetron cooling fan motor FM and the heating relay 75 to control the half-wave voltage doubler. Circuit VM
The electric power is supplied to the magnetron 10 so that microwaves are radiated from the magnetron 10. At the same time, the control circuit 20 performs shape recognition based on the height and weight of the object to be heated M measured after the turntable 3 makes one rotation (step S70).
【0140】次いで、制御回路20は認識した被加熱物
Mのグループが以前に加熱したものか否か判断し(ステ
ップS71)、以前に加熱したものであれば内部メモリ
(例えばE2 PROM)からそのときの可動式スタブ1
3の位置データを読み出し(ステップS72)、さらに
認識した形状の被加熱物Mでモーディングを起こしたこ
とがあるか否か判断する(ステップS73)。モーディ
ングを起こしたことがあれば内部メモリから回避データ
を読み出し(ステップS74)、回避データによって可
動式スタブ13の位置データに修整を加える(ステップ
S75)。Then, the control circuit 20 judges whether or not the recognized group of the objects to be heated M has been heated before (step S71), and if it has been heated before, it is judged from the internal memory (for example, E 2 PROM). Movable stub 1 at that time
The position data of No. 3 is read (step S72), and it is further determined whether or not the object to be heated M having the recognized shape has undergone moding (step S73). If the moding has occurred, the avoidance data is read from the internal memory (step S74), and the position data of the movable stub 13 is modified by the avoidance data (step S75).
【0141】次いで、制御回路20はステップS73で
モーディングを起こしたことがないと判断した場合は、
ステップS72で内部メモリから読み出した位置データ
に基づき、モーディングを起こしたことがあればステッ
プS75で修整した位置データに基づき、それぞれスタ
ブモータ駆動用リレー73を制御してスタブモータ15
の通電時間制御を行い(ステップS76)、可動式スタ
ブ13が最適インピーダンスマッチングの位置に移動し
た時点で(ステップS77)、スタブモータ駆動用リレ
ー73をオフし、可動式スタブ13を停止する(ステッ
プS78)。Next, when the control circuit 20 determines in step S73 that the moding has not occurred,
Based on the position data read from the internal memory in step S72, if moding has occurred, the stub motor drive relays 73 are controlled based on the position data modified in step S75, respectively.
Is controlled (step S76), and when the movable stub 13 moves to the position for optimum impedance matching (step S77), the stub motor drive relay 73 is turned off and the movable stub 13 is stopped (step S77). S78).
【0142】一方、制御回路20は認識した被加熱物M
のグループが以前に加熱したものでないと判断したとき
は(ステップS71)、加熱と同時に検知抵抗Rの電圧
を定期的に測定し(ステップS90〜92)、温度勾配
データYを計算して(ステップS93)、可動式スタブ
13の現在の位置データXおよび温度勾配データYを記
憶する(ステップS94)。次いで、制御回路20は位
置データXが位置4になっていない場合は(ステップS
95)、スタブモータ駆動リレー73を制御してスタブ
モータ15を回転させ可動式スタブ13を位置0を最初
として一定量だけ動かし(ステップS96)、各停止位
置での単位時間当たりのマグネトロン温度の変化率を測
定する(ステップS90〜S94)。On the other hand, the control circuit 20 recognizes the object M to be heated.
When it is determined that the group No. has not been heated before (step S71), the voltage of the detection resistor R is periodically measured simultaneously with the heating (steps S90 to 92), and the temperature gradient data Y is calculated (step S90). S93), the current position data X and the temperature gradient data Y of the movable stub 13 are stored (step S94). Next, if the position data X is not at position 4, the control circuit 20 (step S
95), controlling the stub motor drive relay 73 to rotate the stub motor 15 to move the movable stub 13 by a fixed amount starting from position 0 (step S96), and change in magnetron temperature per unit time at each stop position. The rate is measured (steps S90 to S94).
【0143】可動式スタブ13の位置データXが位置4
になると(スタップS95)、温度勾配が最小となる可
動式スタブ13の位置を認識し(スタップS97)、位
置4から最適スタブ位置と対象位置までの移動量Pを計
算し(ステップS98)、スタブモータ駆動リレー73
をオンしてスタブモータ15を駆動する(ステップS9
9)。可動式スタブ13が移動量Pだけ移動すると(ス
タップS100)、制御回路20はスタブモータ駆動リ
レー73をオフしてスタブモータ15を停止し(スタッ
プS101)、最適可動スタブ位置を制御回路20内の
内部メモリ(例えばE2 PROM)へ記憶する(スタッ
プS102)。E2 PROMは電気的にその記憶内容を
自由に書き換えることのできる記憶素子であり、その記
憶内容は制御回路20およびE2 PROMへの電力の供
給がなされなくなっても保持されている。The position data X of the movable stub 13 is the position 4
Then, the position of the movable stub 13 that minimizes the temperature gradient is recognized (stap S97), and the movement amount P from the position 4 to the optimum stub position and the target position is calculated (step S98). Motor drive relay 73
Is turned on to drive the stub motor 15 (step S9).
9). When the movable stub 13 moves by the movement amount P (stub S100), the control circuit 20 turns off the stub motor drive relay 73 to stop the stub motor 15 (stab S101), and the optimum movable stub position is set in the control circuit 20. The data is stored in the internal memory (for example, E 2 PROM) (stap S102). The E 2 PROM is a memory element whose stored contents can be electrically rewritten freely, and the stored contents are retained even if power is not supplied to the control circuit 20 and the E 2 PROM.
【0144】ステップS78またはステップS102の
処理が終了すると、制御回路20は加熱が終了したか否
か判断し(スタップS79)、加熱が終了していなけれ
ばマグネトロン10がモーディングを発生していないか
検知し(スタップS80)、モーディングを起こしてい
なければ加熱が終了するまでステップS79〜80の処
理を繰り返す。When the processing of step S78 or step S102 is completed, the control circuit 20 determines whether or not the heating is completed (step S79). If the heating is not completed, the magnetron 10 is not moding. Detecting (stap S80), if the moding has not occurred, the processes of steps S79 to 80 are repeated until the heating is completed.
【0145】マグネトロン10がモーディングを起こす
と、それがマグネトロン10の温度上昇中であればその
上昇勾配に変化が現れ勾配が大きくなる。飽和後であれ
ばそこから再び温度上昇を始める。また、モーディング
の発生がマグネトロン10の温度上昇中であれ飽和後で
あれ、通常のマグネトロン10の飽和温度を超えて上昇
し続ける。制御回路20は検知抵抗Rの電圧からモーデ
ィング発生に伴うマグネトロン温度の変化を検知してマ
グネトロン10がモーディングを起こしていると判断す
ると(ステップS80)、加熱リレー75を制御して半
波倍電圧回路VMに供給される電力を遮断することでマ
グネトロン10への電力供給を停止し(ステップS8
1)、連続するモーディングを停止させつつマグネトロ
ン冷却ファンモータFMを駆動し続けてマグネトロン1
0の温度を下げる。なお、マグネトロン10への電力供
給源としてインバータ回路を有する高周波加熱装置は、
前述した方法でマグネトロン10のモーディングを検知
する。When the magnetron 10 causes the moding, if the temperature of the magnetron 10 is rising, a change appears in the rising gradient and the gradient becomes large. If it is saturated, the temperature starts rising again from there. Further, whether or not the modding occurs during the temperature rise of the magnetron 10 or after the temperature rises, the temperature continues to rise beyond the normal saturation temperature of the magnetron 10. When the control circuit 20 detects the change in the magnetron temperature due to the occurrence of the moding from the voltage of the detection resistor R and determines that the magnetron 10 is in the moding (step S80), it controls the heating relay 75 to perform half-wave multiplication. The power supply to the magnetron 10 is stopped by cutting off the power supplied to the voltage circuit VM (step S8).
1), the magnetron cooling fan motor FM is continuously driven while stopping the continuous moding, and the magnetron 1
Decrease the temperature of 0. The high-frequency heating device having an inverter circuit as a power supply source to the magnetron 10 is
The modding of the magnetron 10 is detected by the method described above.
【0146】次いで、制御回路20はマグネトロン10
の発振状態を正常動作に戻すためにマグネトロン10へ
の電力供給の停止期間中に、スタブモータ駆動用リレー
73を制御してスタブモータ15の通電時間制御を行っ
てスタブモータ15を一定量回転し、可動式スタブ13
をモーディングを起こしたインピーダンスの位置から移
動させ(ステップS82)、その後に再びマグネトロン
10への電力供給を再開してマグネトロン10の発振状
態を正常動作に戻し(ステップS83)、可動式スタブ
13の移動量をスタブモータ15への通電時間の積算で
制御回路20内のE2 PROMへ記憶し(ステップS8
4)、ステップS79に戻る。Next, the control circuit 20 operates the magnetron 10
In order to return the oscillating state of the stub to the normal operation, the stub motor drive relay 73 is controlled to control the energization time of the stub motor 15 to rotate the stub motor 15 by a certain amount during the period in which the power supply to the magnetron 10 is stopped. , Movable stub 13
Is moved from the position of the impedance that caused the moding (step S82), and then the power supply to the magnetron 10 is restarted to return the oscillation state of the magnetron 10 to the normal operation (step S83). The moving amount is stored in the E 2 PROM in the control circuit 20 by integrating the energization time to the stub motor 15 (step S8).
4) and returns to step S79.
【0147】加熱が終了すると(ステップS79)、制
御回路20は加熱リレー75を制御して半波倍電圧回路
VMに供給される電力を遮断することでマグネトロン1
0への電力供給を停止し(ステップS85)、冷却ファ
ン駆動リレー72を制御して冷却ファンモータFMに供
給される電力を遮断することで冷却ファンモータFMを
停止し(ステップS86)、処理を終了する。When the heating is completed (step S79), the control circuit 20 controls the heating relay 75 to cut off the electric power supplied to the half-wave voltage doubler circuit VM so that the magnetron 1 can operate.
0 is stopped (step S85), the cooling fan drive relay 72 is controlled to cut off the power supplied to the cooling fan motor FM to stop the cooling fan motor FM (step S86), and the processing is executed. finish.
【0148】このように、この制御方法では、ステップ
S70〜S78に示すように、最適インピーダンスマッ
チングの位置に修正を加えた後、新たに加熱を行った被
加熱物Mの高さおよび重さの形状データが修正するデー
タをE2 PROMに記憶した形状データと一致した場合
には、被加熱物Mの高さと重さをもとに制御回路20内
の記憶素子から呼び出した最適マイクロ波インピーダン
スマッチングの可動式スタブ13の位置データーにE2
PROMの補正データを加味してスタブモータ駆動用リ
レー73を駆動してスタブモータ15を回転し、最適イ
ンピーダンスマッチングの位置に可動式スタブ13を速
やかに移動する。As described above, in this control method, as shown in steps S70 to S78, after the position of the optimum impedance matching is corrected, the height and weight of the object to be heated M newly heated is adjusted. If the shape data matches the shape data stored in the E 2 PROM, the optimum microwave impedance matching called from the memory element in the control circuit 20 based on the height and weight of the object to be heated M. E 2 for position data of movable stub 13
The stub motor driving relay 73 is driven in consideration of the correction data of the PROM to rotate the stub motor 15, and the movable stub 13 is quickly moved to the position of the optimum impedance matching.
【0149】さらに、その形状データのときモーディン
グ回避動作をおこなってE2 PROMに可動式スタブ1
3の補正移動データを記憶している場合には、可動式ス
タブ13の位置を最適インピーダンスマッチングの位置
にモーディングを起こさない位置のデータを加味して学
習し、可動式スタブ13の位置を決定する。これは一般
的に、モーディングの起こり易いインピーダンスマッチ
ングの位置はマグネトロン10の最大出力領域の近くに
あるためである。Further, when the shape data is obtained, the moding avoiding operation is performed and the movable stub 1 is added to the E 2 PROM.
When the corrected movement data of No. 3 is stored, the position of the movable stub 13 is learned by adding the data of the position where moding does not occur to the position of the optimum impedance matching, and the position of the movable stub 13 is determined. To do. This is because the position of impedance matching where moding is likely to occur is generally near the maximum output region of the magnetron 10.
【0150】例えば、形状認識データが同じである被加
熱物Maと被加熱物Mbがあったとし、形状データのあ
らかじめ制御回路20の記憶素子に記憶されている可動
式スタブ13の位置は1であったとする。この可動式ス
タブ13の位置は形状認識データに含まれるあらゆる負
荷に対してマグネトロン10がモーディングを起こさな
い位置である。被加熱物Maの加熱中に可動式スタブ1
3の位置の変化にともなうマグネトロン温度の単位時間
あたりの変化率の変化が図24のラインaのごとくであ
り、制御回路20が可動式スタブ13の位置が3の位置
で最適インピーダンスマッチングの位置であると判断し
てE2 PROMに内容を記憶する。For example, if there is a heated object Ma and a heated object Mb having the same shape recognition data, the position of the movable stub 13 stored in the storage element of the control circuit 20 of the shape data in advance is 1. Suppose there is. The position of the movable stub 13 is a position at which the magnetron 10 does not cause a modding to any load included in the shape recognition data. Movable stub 1 while heating object Ma
The change in the rate of change of the magnetron temperature per unit time with the change in the position of 3 is as shown by line a in FIG. 24, and the control circuit 20 determines that the position of the movable stub 13 is 3 and the position of the optimum impedance matching. When it is determined that there is, the contents are stored in the E 2 PROM.
【0151】一方、被加熱物Mbを加熱すると、制御回
路20は高さおよび重量データから被加熱物Maと同じ
形状データと判断して、可動式スタブをE2 PROMに
記憶されたデータに従ってスタブモータ駆動用リレー7
3を制御してスタブモータ15を回転し位置3に移動さ
せる。可動式スタブ13の位置3で加熱途中にモーディ
ングが発生し、制御回路20がモーディングを検知する
と、スタブモータ駆動用リレー73を制御してスタブモ
ータ13を回転して位置6でモーディングが回避できた
とすると、可動式スタブ13の位置の変化にともなうマ
グネトロン温度の単位時間あたりの変化率の変化が図2
4のラインbのごとくとなる。On the other hand, when the object to be heated Mb is heated, the control circuit 20 judges from the height and weight data that the shape data is the same as that of the object to be heated Ma, and the movable stub is stub according to the data stored in the E 2 PROM. Motor drive relay 7
3 is controlled to rotate the stub motor 15 to move it to the position 3. When moding occurs during heating at the position 3 of the movable stub 13 and the control circuit 20 detects the moding, the stub motor drive relay 73 is controlled to rotate the stub motor 13 and the moding occurs at the position 6. If it can be avoided, the change in the rate of change of the magnetron temperature per unit time with the change in the position of the movable stub 13 is shown in FIG.
It becomes like the line b of 4.
【0152】導波管12は、図35の破線DLを境とし
て開口側から見て左右対称に作られており、可動式スタ
ブ13の動きに対するインピーダンスマッチングの軌跡
は位置12から位置0を通り位置4に至る軌跡を位置4
から位置8を通り位置12への動きで逆にたどる。制御
回路20は位置6と対象位置である位置2から位置6ま
での間を被加熱物Mのモーディング領域と判断する。以
降、被加熱物Ma,Mbと同じ形状に分類された被加熱
物Mが加熱されると、制御回路20は被加熱物Maから
得た可動式スタブ13の最適インピーダンスマッチング
の位置データ3をE2 PROMから読み出すとともに、
被加熱物Mbから得たモーディング領域データ(位置2
〜6)をE2 PROMから読み出し、非モーディング領
域内で一番マイクロ波加熱効率の良く、かつ加熱開始時
の可動式スタブ13の位置に最も近い位置2を被加熱物
Ma,Mbと同じ形状に分類された被加熱物Mの可動式
スタブ13の位置と判断し、スタブモータ駆動用リレー
73を制御してスタブモータ15を回転し、可動式スタ
ブ13を位置2に移動させて加熱を開始させる。The waveguide 12 is made symmetrical with respect to the opening side with respect to the broken line DL in FIG. 35, and the locus of impedance matching with respect to the movement of the movable stub 13 passes from position 12 to position 0. Position 4 on the locus to 4
The position is traced in the opposite direction by moving from the position 8 to the position 12. The control circuit 20 determines that the area between the position 6 and the target position, that is, the positions 2 to 6 is the moding region of the object to be heated M. After that, when the heated object M classified into the same shape as the heated objects Ma and Mb is heated, the control circuit 20 outputs the position data 3 of the optimum impedance matching of the movable stub 13 obtained from the heated object Ma as E. 2 While reading from PROM,
Moding area data (position 2) obtained from the object to be heated Mb
6) is read from the E 2 PROM, the microwave heating efficiency is the highest in the non-moding area, and the position 2 closest to the position of the movable stub 13 at the start of heating is the same as the objects Ma and Mb to be heated. It is determined that the position of the movable stub 13 of the object M to be heated classified into the shape, the stub motor driving relay 73 is controlled to rotate the stub motor 15, and the movable stub 13 is moved to the position 2 for heating. Let it start.
【0153】次に、本発明による高周波加熱装置の第7
の実施例について説明する。本実施例は加熱室の側壁に
2つのマグネトロンを上下に設け、被加熱物の形状に応
じてマグネトロン波給電開口を選択することによって被
加熱物の均一加熱特性を改善するようにしたもので、請
求項7および8記載の発明に対応するものである。Next, the seventh embodiment of the high-frequency heating apparatus according to the present invention
An example will be described. In this embodiment, two magnetrons are vertically provided on the side wall of the heating chamber, and the uniform heating characteristic of the object to be heated is improved by selecting the magnetron wave feeding opening according to the shape of the object to be heated. The invention corresponds to the invention described in claims 7 and 8.
【0154】本実施例は、図27に示すように、高周波
加熱装置の側壁に平面均一特性にすぐれた開口7Aと上
下均一加熱特性にすぐれた開口7Bとが設けられ、開口
7Aにはマグネトロン10Aから輻射されるマイクロ波
を加熱室2に導く導波管12Aが設けられ、開口7Bに
はマグネトロン10Bから輻射されるマイクロ波を加熱
室2に導く導波管12Bが設けられている。その他の構
成は前述の図1および図6に示す構成と同一である。な
お、導波管12A,12Bに設置される可動式スタブ1
3およびスタブモータ15等は省略して示している。In this embodiment, as shown in FIG. 27, the side wall of the high-frequency heating apparatus is provided with an opening 7A having excellent flat uniform characteristics and an opening 7B having excellent upper and lower uniform heating characteristics. The opening 7A has a magnetron 10A. A waveguide 12A for guiding microwaves radiated from the heating chamber 2 is provided, and a waveguide 12B for guiding microwaves radiated from the magnetron 10B to the heating chamber 2 is provided at the opening 7B. Other configurations are the same as the configurations shown in FIGS. 1 and 6 described above. The movable stub 1 installed in the waveguides 12A and 12B
3, the stub motor 15 and the like are omitted.
【0155】また、この高周波加熱装置の制御装置70
は、図28に示すように、高圧トランス32および高圧
コンデンサ35、高圧ダイオード36からなる半波倍電
圧回路VMからマグネトロン10A,10Bへの電力供
給ラインは、高圧切り換えリレー71の接点72を介し
てそれぞれのマグネトロン10A,10Bに接続されて
おり、制御回路20からの信号で高圧切り換えリレー7
1を切り換えて電力を供給するマグネトロンを選択する
構造になっている。その他の構成は前述の図3に示す構
成と同一であるが、赤外線感知装置60は不要であり、
重量センサ6および受光素子PDの出力がインターフェ
イス21を介して制御回路20に入力されている。Further, the control device 70 of this high-frequency heating device.
As shown in FIG. 28, the power supply line from the half-wave voltage doubler circuit VM including the high-voltage transformer 32, the high-voltage capacitor 35, and the high-voltage diode 36 to the magnetrons 10A and 10B is connected via the contact 72 of the high-voltage switching relay 71. The high voltage switching relay 7 is connected to each of the magnetrons 10A and 10B and receives a signal from the control circuit 20.
The structure is such that 1 is switched to select a magnetron for supplying electric power. Other configurations are the same as the configurations shown in FIG. 3 described above, but the infrared sensing device 60 is unnecessary,
The outputs of the weight sensor 6 and the light receiving element PD are input to the control circuit 20 via the interface 21.
【0156】本実施例において、加熱を開始すると、加
熱室2壁面に上下方向に一定の間隔で設けられた複数の
発光素子LDと、発光素子LDと対向する壁面に同じ高
さ関係で設けられた同数個の発光素子PDとからなる高
さ測定センサによって被加熱物Mの高さを測定し、重量
センサ6によって被加熱物Mの重量を測定して被加熱物
Mの形状を認識する。この形状認識動作の詳細について
は先に詳述したので省略する。In this embodiment, when heating is started, a plurality of light emitting elements LD are provided on the wall surface of the heating chamber 2 at regular intervals in the vertical direction, and the same height relationship is provided on the wall surface facing the light emitting element LD. The height measurement sensor including the same number of light emitting elements PD measures the height of the object to be heated M, and the weight sensor 6 measures the weight of the object to be heated M to recognize the shape of the object to be heated M. The details of this shape recognition operation have been described above, and will be omitted.
【0157】制御回路20は被加熱物Mの形状に基づい
て平均均一加熱特性にすぐれた開口7Aと上下均一加熱
特性にすぐれた開口7Bのどちらが被加熱物Mに適して
いるかを判断して開口を決定し、高圧切り換えリレー7
1を制御して決定された開口に対応するマグネトロン1
0Aまたは10Bを半波倍電圧回路VMに接続するとと
もに、加熱リレー75を駆動して決定したマグネトロン
10Aまたは10Bに電力を供給し、マイクロ波を輻射
させて被加熱物Mを加熱する。本実施例によれば、被加
熱物Mの形状を認識してその形状に合った開口を選択し
て加熱することができるため、あらゆる負荷に対して均
一加熱特性に優れた高周波加熱装置を実現できる。Based on the shape of the object to be heated M, the control circuit 20 judges which of the opening 7A having excellent average uniform heating characteristics and the opening 7B having excellent upper and lower uniform heating characteristics is suitable for the object M to be heated. The high voltage switching relay 7
1 corresponding to the aperture determined by controlling 1
0A or 10B is connected to the half-wave voltage doubler circuit VM, and the heating relay 75 is driven to supply power to the determined magnetron 10A or 10B to radiate a microwave to heat the object to be heated M. According to the present embodiment, since the shape of the object to be heated M can be recognized and the opening that matches the shape can be selected and heated, a high-frequency heating device having excellent uniform heating characteristics for any load is realized. it can.
【0158】この場合、制御回路20は被加熱物Mの形
状認識データに基づいて平均均一加熱特性にすぐれた開
口7Aからのマイクロ波の輻射と上下均一加熱特性にす
ぐれた開口7Bからのマイクロ波の輻射の割合を決定
し、加熱途中に高圧切り換えリレー71を定期的に切り
換えるとともに、輻射割合と同割合の電力供給時間比率
で切り換えリレー71を切り換えることで、それぞれの
マグネトロン10Aまたは10Bへの単位時間あたりの
電力供給量を制御して被加熱物Mの形状に応じた均一加
熱を実現するようにしてもよい。このようにすれば、加
熱途中にマイクロ波を輻射する開口を定期的に変更でき
るため被加熱物Mの形状に応じたさらに優れた均一加熱
特性の高周波加熱装置を実現できる。In this case, the control circuit 20 radiates microwaves from the opening 7A having an excellent average uniform heating characteristic and microwaves from the opening 7B having an excellent uniform heating characteristic on the basis of the shape recognition data of the object M to be heated. Unit of each magnetron 10A or 10B by deciding the ratio of the radiation and periodically switching the high-voltage switching relay 71 during heating and switching the switching relay 71 at the power supply time ratio of the same ratio as the radiation ratio. You may make it implement | achieve the uniform heating according to the shape of the to-be-heated material M by controlling the electric power supply amount per time. By doing so, the opening for radiating microwaves can be periodically changed during heating, so that it is possible to realize a high-frequency heating apparatus having more excellent uniform heating characteristics according to the shape of the object to be heated M.
【0159】図29は、本実施例(図27〜28)にお
ける制御装置70の変形例を示すブロック構成図であ
る。この制御装置70は、図29に示す制御装置70に
おいて加熱リレー75を削除し、それに代えてマグネト
ロン10A,10Bへ電力を供給する電源回路として商
用電源を整流平滑して直流電源を得る整流平滑回路31
の出力側に、2つのマグネトロン10A,10B用のマ
グネトロン駆動用の変圧器32A,32B、変圧器32
A,32Bの一次巻線32aA,32aBに並列接続さ
れた共振コンデンサ33A,33Bおよび半導体スイッ
チング回路34A,34Bを備え、半導体スイッチング
回路34A,34Bを高周波スイッチングさせるための
オン/オフパルス信号を変化させてマグネトロン10
A,10Bへの電力供給量を制限するインバータ回路が
接続されている。FIG. 29 is a block diagram showing a modification of the control device 70 in this embodiment (FIGS. 27 to 28). This control device 70 is a rectifying / smoothing circuit that eliminates the heating relay 75 in the control device 70 shown in FIG. 29 and replaces it with a power supply circuit that supplies electric power to the magnetrons 10A and 10B by rectifying and smoothing a commercial power supply to obtain a DC power supply. 31
On the output side of the two magnetrons 10A, 10B for driving the magnetron 32A, 32B, the transformer 32
Resonant capacitors 33A and 33B and semiconductor switching circuits 34A and 34B connected in parallel to the primary windings 32aA and 32aB of A and 32B are provided, and ON / OFF pulse signals for high frequency switching the semiconductor switching circuits 34A and 34B are changed. Magnetron 10
An inverter circuit that limits the amount of power supplied to A and 10B is connected.
【0160】変圧器32A,32Bの二次側には、二次
巻線32bA,32bBに高圧コンデンサ35A,32
Bと高圧ダイオード36A,36Bが接続されて倍電圧
回路VMを構成し、これがマグネトロン駆動回路として
マグネトロン10A,10Bに接続されている。マグネ
トロン10A,10Bの陰極はコンデンサ35A,35
Bおよび二次巻線32bA,32bBを介してインター
フェイス21に接続されている。On the secondary side of the transformers 32A and 32B, secondary windings 32bA and 32bB have high voltage capacitors 35A and 32B.
B and the high voltage diodes 36A and 36B are connected to form a voltage doubler circuit VM, which is connected to the magnetrons 10A and 10B as a magnetron drive circuit. The cathodes of the magnetrons 10A, 10B are capacitors 35A, 35
It is connected to the interface 21 via B and the secondary windings 32bA and 32bB.
【0161】また、変圧器32A,32Bの二次巻線3
2bA,32bBのインターフェイス21側に接続され
た抵抗37A,37Bはマグネトロン陽極電流検出用抵
抗で、この抵抗37A,37Bの両端電圧がインターフ
ェイス21に入力される。また、マグネトロン10A,
10Bのフィラメントを暖めるためのヒータ巻線32c
A,32cBがマグネトロン陽極に接続され、マグネト
ロン10A,10Bの陽極電圧は制御回路20からの信
号によって制御される。また、変圧器32A,32Bの
一時側の制御巻線32dA,32dBが同期および出力
電圧検知用としてインターフェイス21へ入力される。Further, the secondary winding 3 of the transformers 32A and 32B
The resistors 37A and 37B connected to the interface 21 side of 2bA and 32bB are magnetron anode current detection resistors, and the voltage across the resistors 37A and 37B is input to the interface 21. Also, the magnetron 10A,
Heater winding 32c for heating 10B filament
A and 32cB are connected to the magnetron anode, and the anode voltage of the magnetrons 10A and 10B is controlled by the signal from the control circuit 20. Further, the control windings 32dA and 32dB on the temporary side of the transformers 32A and 32B are input to the interface 21 for synchronization and output voltage detection.
【0162】本実施例において、加熱を開始すると、制
御回路20は高さセンサおよび重量センサによって被加
熱物Mの形状を認識し、この形状認識データに基づいて
平面均一加熱特性にすぐれた開口7Aからのマイクロ波
の輻射と上下均一加熱特性にすぐれた開口7Bからのマ
イクロ波の輻射の割合を決定し、制御回路20からの出
力制御信号によってそれぞれのインバータ電源がそれぞ
れのマグネトロン10A,10Bに輻射割合に応じた電
力を供給して同時に出力の異なるマイクロ波を輻射させ
る。したがって、本実施例によれば、被加熱物Mの形状
認識データに応じて2つの開口から同時にマイクロ波を
輻射できるとともに、それぞれの開口から輻射されるマ
イクロ波の比率を自由に変えられるため、さらに均一加
熱特性に優れた高周波加熱装置を実現できる。In the present embodiment, when heating is started, the control circuit 20 recognizes the shape of the object M to be heated by the height sensor and the weight sensor, and based on this shape recognition data, the opening 7A having excellent planar uniform heating characteristics. The ratio of the microwave radiation from the antenna and the microwave radiation from the opening 7B having excellent upper and lower uniform heating characteristics is determined, and each inverter power supply radiates to each magnetron 10A, 10B by the output control signal from the control circuit 20. Electric power corresponding to the ratio is supplied to simultaneously radiate microwaves having different outputs. Therefore, according to the present embodiment, the microwaves can be simultaneously radiated from the two openings according to the shape recognition data of the object to be heated M, and the ratio of the microwaves radiated from each opening can be freely changed. Furthermore, it is possible to realize a high frequency heating device having excellent uniform heating characteristics.
【0163】次に、本発明による高周波加熱装置の第8
の実施例について説明する。本実施例は被加熱物をラッ
プで覆い蒸らして加熱調理する場合に、被加熱物の仕上
がりを精度よく検出するようにしたもので、請求項9記
載の発明に対応する実施例である。本実施例は、前述の
図6に示す構成の高周波加熱装置において、図30に示
すように被加熱物MをラップLで覆って加熱調理した場
合に、高さセンサによって被加熱物の仕上がりを検出す
るものである。なお、図30(a) は加熱前のラップLの
状態を示し、図30(b) は加熱終了間際のラップLの状
態を示す。Next, the eighth embodiment of the high-frequency heating apparatus according to the present invention
An example will be described. This embodiment is an embodiment corresponding to the invention of claim 9 in which the finish of the object to be heated is accurately detected when the object to be heated is covered with wrap and steamed for cooking. In this embodiment, in the high-frequency heating apparatus having the configuration shown in FIG. 6, when the object to be heated M is covered with the wrap L as shown in FIG. 30 and cooked, the height sensor finishes the object to be heated. It is something to detect. Note that FIG. 30 (a) shows the state of the lap L before heating, and FIG. 30 (b) shows the state of the lap L just before the end of heating.
【0164】被加熱物Mの高さを測定する機能を有した
高周波加熱装置は、前述したように加熱室2壁面に上下
方向に一定の間隔で複数の発光素子LDが設けられてい
る。また対向する壁面には発光素子LDと同じ高さの関
係で同数個の受光素子PDが設けられている。発光素子
LDから照射される光は、ターンテーブル3の中心上も
しくはその近傍上を通って受光素子PDに当たるように
発光素子LDと受光素子PDがレイアウトされている。In the high-frequency heating device having the function of measuring the height of the object to be heated M, as described above, the plurality of light emitting elements LD are provided on the wall surface of the heating chamber 2 in the vertical direction at regular intervals. Further, the same number of light receiving elements PD are provided on the opposing wall surfaces in the same height relationship as the light emitting elements LD. The light emitting element LD and the light receiving element PD are laid out so that the light emitted from the light emitting element LD passes through the center of the turntable 3 or the vicinity thereof and strikes the light receiving element PD.
【0165】本実施例の高周波加熱装置においては、導
波管12およびマグネトロン10が加熱室2の右側壁中
央部に位置するため発光素子LDは加熱室2の右側壁後
方に位置し、受光素子PDは発光素子LDに対応してタ
ーンテーブル3の中心と発光素子LDとを結ぶ線上にあ
る加熱室2の左側壁前方に配置されている。ターンテー
ブル3上に被加熱物Mを載せて加熱を開始すると、制御
回路20はターンテーブル駆動リレー74を制御してタ
ーンテーブルモータ5を回転させてターンテーブル3上
の被加熱物Mを回転させつつ受光素子PDのそれぞれの
出力レベルを測定する。In the high frequency heating apparatus of this embodiment, since the waveguide 12 and the magnetron 10 are located in the center of the right side wall of the heating chamber 2, the light emitting element LD is located behind the right side wall of the heating chamber 2 and the light receiving element is located. The PD is arranged in front of the left side wall of the heating chamber 2 on the line connecting the center of the turntable 3 and the light emitting element LD, corresponding to the light emitting element LD. When the object M to be heated is placed on the turntable 3 and heating is started, the control circuit 20 controls the turntable drive relay 74 to rotate the turntable motor 5 to rotate the object M to be heated on the turntable 3. Meanwhile, each output level of the light receiving element PD is measured.
【0166】高さ測定時に被加熱物Mを回転させる目的
は、被加熱物Mがターンテーブル3上に偏心しておかれ
た場合に被加熱物Mが発光素子LDと受光素子PDの間
に位置せず、発光素子LDの光を正しく遮らないことを
想定し、回転することで被加熱物Mが発光素子LDと受
光素子PDとの間に位置する状態(発光素子LDと受光
素子PDを結んだ線と被加熱物Mとターンテーブル3の
中心を結んだ線が重なり合う)を作り出すためである。
制御回路20はターンテーブル3が回転する間の受光素
子PDの出力信号を読み取り、回転中に発光素子LDか
らの光が遮られた(受光素子PDの出力レベルが零とな
った)最上の受光素子PDまでの高さを被加熱物Mの高
さとして判断する。The purpose of rotating the object to be heated M during height measurement is to position the object to be heated M between the light emitting element LD and the light receiving element PD when the object M to be heated is eccentric on the turntable 3. If the object M to be heated is positioned between the light emitting element LD and the light receiving element PD by rotating, assuming that the light of the light emitting element LD is not correctly blocked (the light emitting element LD and the light receiving element PD are connected to each other). This is to create an overlapping line (the line connecting the center of the turntable 3 with the spiral line, the object M to be heated).
The control circuit 20 reads the output signal of the light receiving element PD while the turntable 3 rotates, and the light from the light emitting element LD is blocked during the rotation (the output level of the light receiving element PD becomes zero). The height to the element PD is determined as the height of the object to be heated M.
【0167】図30(a) に示される被加熱物Mは受光素
子PDのうち一番下のレベルHに入る光のみを遮るた
め、加熱前のラップLの高さはレベルHとなる。本実施
例の被加熱物Mは自身から発せられる水蒸気を密閉され
た空間に閉じ込めることで被加熱物Mを蒸らして加熱す
るためラップLで覆われている。マイクロ波加熱を開始
すると、制御回路20は加熱前のラップL(つまり被加
熱物M)の高さを測定するとともに、加熱リレー75を
制御して半波倍電圧回路VMに電力を供給することでマ
グネトロン10に電力を供給してマグネトロン10から
マイクロ波を輻射させる。Since the object to be heated M shown in FIG. 30A blocks only the light entering the lowest level H of the light receiving elements PD, the height of the lap L before heating becomes the level H. The object to be heated M of the present embodiment is covered with a wrap L in order to steam and heat the object to be heated M by confining water vapor emitted from itself in a closed space. When microwave heating is started, the control circuit 20 measures the height of the lap L (that is, the object to be heated M) before heating, and controls the heating relay 75 to supply power to the half-wave voltage doubler circuit VM. Then, electric power is supplied to the magnetron 10 to radiate microwaves from the magnetron 10.
【0168】マグネトロン10から輻射されたマイクロ
波で加熱された被加熱物Mは、温度上昇とともに自身か
ら水蒸気を発する。この水蒸気はラップLによって密閉
された空間に充満してこの空間の圧力を高める。ラップ
Lで密閉された空間の圧力が上昇するにつれラップLは
その圧力に負けて上方向に膨張し、加熱前には透過して
いた発光素子LDと受光素子PDの間に入って受光素子
PDへの光源をふさいで受光素子PDの出力電圧を変化
させる。図30(b) に示すように加熱終了間際のラップ
LはレベルF,G,Hの受光素子PDへ入る光を遮り、
その高さデーターはレベルFとなる。制御回路20はこ
の受光素子PDの出力変化をとらえてラップLの膨張を
認識して加熱を終了する。The object to be heated M heated by the microwave radiated from the magnetron 10 emits water vapor from itself as the temperature rises. This water vapor fills the space sealed by the wrap L and increases the pressure in this space. As the pressure of the space sealed by the wrap L rises, the wrap L loses the pressure and expands upward, and enters between the light emitting element LD and the light receiving element PD which have been transmitted before heating and enters the light receiving element PD. The output voltage of the light receiving element PD is changed by closing the light source to As shown in FIG. 30 (b), the lap L just before the end of heating blocks the light entering the photodetector PD of levels F, G, and H,
The height data is level F. The control circuit 20 catches the output change of the light receiving element PD, recognizes the expansion of the lap L, and finishes the heating.
【0169】次に、本発明による高周波加熱装置の第9
の実施例について説明する。本実施例は請求項10記載
の発明に対応するものである。図31(a) および(b)
は、本実施例による高周波加熱装置の正面垂直断面図お
よび水平断面図である。本実施例は加熱室2の壁面にタ
ーンテーブル3よりやや上の位置に水平方向に一定の間
隔で複数の発光素子LDが設けられ、対向する壁面に発
光素子LDと同じ高さおよび同じ前後関係で同数個の受
光素子PDが設けられ、かつ発光素子LDから照射され
た光がターンテーブル3の中心より後方もしくは前方で
それぞれの光が平行して受光素子PDに当たるように発
光素子LDと受光素子PDとがレイアウトされている。
この実施例では発光素子LDおよび受光素子PDがター
ンテーブル3の後方半分に配置されている。Next, the ninth embodiment of the high-frequency heating apparatus according to the present invention
An example will be described. The present embodiment corresponds to the invention of claim 10. 31 (a) and (b)
[Fig. 3] is a front vertical cross-sectional view and a horizontal cross-sectional view of the high-frequency heating device according to this embodiment. In this embodiment, a plurality of light emitting elements LD are horizontally provided at a constant interval on the wall surface of the heating chamber 2 at a position slightly above the turntable 3, and the opposite wall surfaces have the same height and the same front-back relationship. Are provided with the same number of light receiving elements PD, and the light emitted from the light emitting elements LD hits the light receiving elements PD in parallel behind or in front of the center of the turntable 3. PD and PD are laid out.
In this embodiment, the light emitting element LD and the light receiving element PD are arranged in the rear half of the turntable 3.
【0170】本実施例において、ターンテーブル3上に
被加熱物Mを載せて加熱を開始すると、制御回路20は
ターンテーブルモータ駆動用リレー74を制御してター
ンテーブルモータ5を回転させ、ターンテーブル3上の
被加熱物Mを回転させつつ受光素子PDのそれぞれの出
力レベルを測定する。測定時に被加熱物Mを回転させる
目的は、被加熱物Mのターンテーブル3上での最端部分
(一番外周よりの部)とターンテーブル3の中心を結ん
だ線が受光素子PDと発光素子LDを結んだ線とが直交
したときに測定する必要があるためで、ターンテーブル
3を一回転させる間にその点(一番多くは発光素子LD
からの光を遮った点)で被加熱物Mの位置を認識する。In this embodiment, when the object M to be heated is placed on the turntable 3 and heating is started, the control circuit 20 controls the turntable motor drive relay 74 to rotate the turntable motor 5 to turn the turntable motor 5. The output level of each of the light receiving elements PD is measured while rotating the object to be heated M on 3. The purpose of rotating the object to be heated M at the time of measurement is that the line connecting the end of the object to be heated M on the turntable 3 (the part from the outermost periphery) and the center of the turntable 3 emits light from the light receiving element PD. This is because the measurement needs to be performed when the line connecting the elements LD is orthogonal to each other, and that point (most of which is the light emitting element LD
The position of the object to be heated M is recognized by the point where the light from the is blocked.
【0171】制御回路20はターンテーブル3が回転す
る間の受光素子PDの出力信号を読み取り、ターンテー
ブル3の中心から回転中に発光素子LDからの光が遮ら
れた(すなわち、受光素子PDの出力レベルが零となっ
た)一番奥に位置する受光素子PD(図31では“ウ”
の位置)までの距離を被加熱物Mの位置データとして判
断する。The control circuit 20 reads the output signal of the light receiving element PD while the turntable 3 rotates, and the light from the light emitting element LD is blocked during rotation from the center of the turntable 3 (that is, of the light receiving element PD). The light receiving element PD located at the innermost position (when the output level becomes zero) (“U” in FIG. 31)
Position) is determined as position data of the object to be heated M.
【0172】この場合、一番奥の受光素子PDが遮られ
てから後のターンテーブル3への通電時間の積算時間で
被加熱物Mがマイクロ波を輻射する開口に対してどの位
置にあるかを判断する。制御回路20はこのデータに基
づき被加熱物Mが開口のすぐそばを通る場合は、インバ
ータ回路の出力制御信号を制御して被加熱物Mが開口の
前に位置するときだけマグネトロン10への電力供給量
を減らしてモーディングを避け、被加熱物Mが開口から
離れると再び電力供給量に戻す。こうして加熱が終了す
るまでターンテーブル3の回転に同期してマグネトロン
10への電力供給量の増減を繰り返す。In this case, at what position is the object M to be heated with respect to the opening for radiating microwaves in the integrated time of the energization time to the turntable 3 after the innermost light receiving element PD is shielded? To judge. Based on this data, the control circuit 20 controls the output control signal of the inverter circuit when the object M to be heated passes near the opening, and supplies the power to the magnetron 10 only when the object M to be heated is positioned in front of the opening. The supply amount is reduced to avoid the moding, and when the object to be heated M separates from the opening, it is returned to the power supply amount again. In this way, the increase and decrease of the power supply amount to the magnetron 10 are repeated in synchronization with the rotation of the turntable 3 until the heating is completed.
【0173】このようにすれば、ターンテーブル3の外
周に置かれた被加熱物Mが開口の前に位置したときのみ
瞬間的にマグネトロン10への電力供給を停止するか、
あるいはモーディングを起こすに十分でない量まで電力
供給量を低下させてモーディングを回避するため、開口
を塞ぐ位置以外のときは被加熱物Mに対して最適マイク
ロ波インピーダンスで加熱できる高効率でモーディング
を起こさない高周波加熱装置を実現できる。In this way, the power supply to the magnetron 10 is momentarily stopped only when the object M to be heated placed on the outer circumference of the turntable 3 is positioned in front of the opening.
Alternatively, in order to avoid the moding by reducing the power supply amount to an amount that is not sufficient to cause the moding, the object to be heated M can be heated with an optimum microwave impedance at a position other than the position where the opening is closed with high efficiency. It is possible to realize a high-frequency heating device that does not cause ding.
【0174】また、被加熱物Mの位置を測定する前述の
実施例構成(図31)において、さらに第2の実施例
(図6〜図8)に示すように被加熱物Mの高さおよび重
量を測定する機能を用いることも可能である。この場
合、被加熱物Mを加熱室2に入れて加熱操作を行うと、
制御回路20がターンテーブル駆動用リレー74を制御
してターンテーブルモータ5に電源を供給し、ターンテ
ーブルモータ5を回転させて被加熱物Mの高さおよび重
さを測定する。この間、可動式スタブ13は前回の加熱
の後に予め制御回路20によってスタブモータ駆動用リ
レー73を制御してあらゆる負荷に対してVS(電圧定
在波比)の低い位置(図35に示す停止位置0)に停止
したままである。Further, in the configuration of the above-described embodiment (FIG. 31) for measuring the position of the object to be heated M, as shown in the second embodiment (FIGS. 6 to 8), the height of the object to be heated M and It is also possible to use the function of measuring the weight. In this case, when the object to be heated M is placed in the heating chamber 2 and the heating operation is performed,
The control circuit 20 controls the turntable driving relay 74 to supply power to the turntable motor 5 and rotate the turntable motor 5 to measure the height and weight of the object to be heated M. During this time, the movable stub 13 controls the stub motor drive relay 73 in advance by the control circuit 20 after the previous heating, and the position where VS (voltage standing wave ratio) is low with respect to any load (stop position shown in FIG. 35). It remains stopped at 0).
【0175】一方、制御回路20は被加熱物Mの高さお
よび重量の測定時に同時に、ターンテーブル3が回転す
る間に水平方向に並べられた受光素子PDの出力信号を
読み取り、ターンテーブル3の中心から回転中に発光素
子LDからの光が遮られた(受光素子LDの出力レベル
が零となった)一番奥に位置する受光素子PDまでの距
離を被加熱物Mの位置データとして判断する。On the other hand, the control circuit 20 simultaneously reads the output signals of the light receiving elements PD arranged in the horizontal direction while the turntable 3 rotates while measuring the height and weight of the object to be heated M, and outputs the output signal of the turntable 3. The light from the light emitting element LD is blocked during rotation from the center (the output level of the light receiving element LD becomes zero) and the distance to the light receiving element PD located at the innermost position is determined as the position data of the object to be heated M. To do.
【0176】こうして得た被加熱物Mの高さ、重量およ
び位置の各データをもとに、制御回路20は認識した形
状に対する可動式スタブ13の位置データを制御回路2
0の記憶素子から呼び出し、被加熱物Mの位置データか
ら被加熱物Mがモーディングを起こす位置か否かの判断
をくだし、モーディングを起こす位置である場合には予
め制御回路20が記憶素子に記憶しているモーディング
を起こさない位置へ可動式スタブ13を移動させるため
の補正データを呼び出して形状に対する可動式スタブ1
3の位置データに修正を加え、そのデータをもって可動
式スタブ13を移動させる。このようにすることによ
り、被加熱物Mに最適なインピーダンスの位置に可動式
スタブ13を位置させて高効率の高周波加熱装置を実現
できる。Based on the height, weight and position data of the object to be heated M thus obtained, the control circuit 20 outputs the position data of the movable stub 13 for the recognized shape to the control circuit 2.
0 is called from the memory element, and it is judged from the position data of the object to be heated M whether or not the object to be heated M causes the moding. The correction data for moving the movable stub 13 to the position that does not cause the moding stored in the memory is called to move the movable stub 1 to the shape.
The position data of No. 3 is corrected, and the movable stub 13 is moved with the correction. By doing so, the movable stub 13 is located at the position of the optimum impedance for the object to be heated M, and a high-efficiency high-frequency heating device can be realized.
【0177】この場合、測定して得た被加熱物Mの高
さ、重量および位置の各データをもとに、制御回路20
は認識した形状に対する可動式スタブ13の位置データ
を制御回路20の記憶素子から呼び出し、被加熱物Mの
位置データから被加熱物Mがモーディングを起こす位置
かの判断を下し、起こす位置である場合には、さらに高
さデータをもって被加熱物Mがマイクロ波を輻射する開
口を覆い隠す高さにあるか否かの判定を行う。そして、
開口を覆い隠す高さにある場合は、予め制御回路20が
記憶素子に記憶しているモーディングを起こさない位置
へ可動式スタブ13を移動させるための補正データを呼
び出し、形状に対する可動式スタブ13の位置データに
修正を加え、そのデーターをもとにスタブモータ駆動用
リレー73を制御してスタブモータ15を回転して可動
式スタブ13を移動させる。このようにすることによ
り、多くの被加熱物Mに対して高効率でモーディングを
起こさない高周波加熱装置を実現できる。In this case, the control circuit 20 is based on the height, weight and position data of the object to be heated M obtained by measurement.
Calls the position data of the movable stub 13 for the recognized shape from the storage element of the control circuit 20, determines from the position data of the object to be heated M whether or not the object to be heated M causes the moding, and at the position to raise the object. In some cases, it is further determined based on the height data whether or not the object to be heated M is at a height that covers the opening radiating the microwave. And
When the height is so as to cover the opening, the control circuit 20 calls the correction data stored in the storage element in advance to move the movable stub 13 to the position where the moding does not occur, and the movable stub 13 corresponding to the shape is called. Is corrected and the stub motor drive relay 73 is controlled based on the data to rotate the stub motor 15 to move the movable stub 13. By doing so, it is possible to realize a high-frequency heating device that does not cause moding with high efficiency for many objects M to be heated.
【0178】[0178]
【発明の効果】請求項1記載の発明によれば、被加熱物
の物性が変化するメニューにおいて加熱室の壁面もしく
は天面に設けた赤外線センサーまたはサーミスタで被加
熱物から放出される赤外線または輻射熱を非接触で測定
することで被加熱物の表面温度を検出し、融点を境とし
てその前後でそれぞれの物性に最適なインピーダンス整
合のとれる高効率の高周波加熱装置を実現することがで
きる。According to the first aspect of the invention, in a menu in which the physical properties of the object to be heated change, infrared rays or radiant heat emitted from the object to be heated by an infrared sensor or thermistor provided on the wall or top of the heating chamber. It is possible to realize a high-efficiency high-frequency heating device capable of detecting the surface temperature of the object to be heated by non-contact measurement, and performing impedance matching optimal for each physical property before and after the melting point as a boundary.
【0179】請求項2記載の発明によれば、可動式スタ
ブが電圧定在波比(VS)の高くなる位置を通過すると
きにのみマグネトロンへの電力供給を瞬間的に停止する
かもしくは電力供給量を放電に十分な電力量以下に押さ
えることで、放電防止手段による加熱時間の伸びを全加
熱時間に対して少なくできるため、高効率で安全な高周
波加熱装置を実現できる。また、加熱途中に自由に可動
式スタブを動作させることができるため、加熱途中に可
動式スタブを回転し続けることによるマイクロ波特性の
改善等の手段も容易に実施することが可能となる。According to the second aspect of the invention, the power supply to the magnetron is momentarily stopped or the power supply is stopped only when the movable stub passes through the position where the voltage standing wave ratio (VS) becomes high. By suppressing the amount to be equal to or less than the amount of electric power sufficient for discharging, the extension of the heating time by the discharge preventing means can be reduced with respect to the total heating time, so that a highly efficient and safe high-frequency heating device can be realized. Further, since the movable stub can be freely operated during heating, it is possible to easily implement means for improving the microwave characteristics by continuing to rotate the movable stub during heating.
【0180】請求項3記載の発明によれば、フィラメン
ト加熱用の変圧器を用意することなくインバータ回路を
連続してかつ低出力で動作させることができるので、均
一加熱性に優れるとともに低コストで他の部品の設置ス
ペースに余裕のある高周波加熱装置が実現できる。According to the third aspect of the present invention, the inverter circuit can be operated continuously and at a low output without preparing a transformer for heating the filament, so that the uniform heating property is excellent and the cost is low. It is possible to realize a high-frequency heating device that has plenty of space for installing other parts.
【0181】請求項4記載の発明によれば、モーディン
グが発生した場合、可動式スタブの位置を変えることで
被加熱物を入れた加熱室内のマイクロ波インピーダンス
を変化させて加熱室内のマイクロ波インピーダンスをモ
ーディングを発生させる原因となるインピーダンス位置
から外すため、それ以降加熱が終了するまで再びモーデ
ィングを起こすことはない。また、寿命末期に近づいて
耐モーディング性の低下したマグネトロンにおいてもそ
れに応じたマイクロ波インピーダンスを決定できるため
高効率でかつ寿命の長い高周波加熱装置を実現できる。According to the fourth aspect of the invention, when the moding occurs, the position of the movable stub is changed to change the microwave impedance in the heating chamber containing the object to be heated to change the microwave in the heating chamber. Since the impedance is removed from the impedance position that causes the moding, the moding does not occur again until the heating is completed. In addition, since the microwave impedance can be determined in accordance with the magnetron whose moding resistance is lowered toward the end of its life, a high-frequency heating device with high efficiency and long life can be realized.
【0182】請求項5記載の発明によれば、モーディン
グを起こした形状データとモーディングを回避した後の
可動式スタブの位置を記憶し、それ以降に加熱された被
加熱物が記憶した形状データと同じグループに分類され
た場合には、制御回路はモーディングを回避した可動式
スタブの位置データを加味して可動式の位置を決定する
ため、以降にモーディングを起こす心配がなく、よって
あえてあらゆる被加熱物およびその状態に対してモーデ
ィングを起こさないインピーダンスを選択する必要がな
いため、被加熱物に最適なマイクロ波インピーダンスを
選択でき、高効率でモーディングを起こさない高周波加
熱装置を実現できる。According to the fifth aspect of the present invention, the shape data in which the moding has occurred and the position of the movable stub after avoiding the moding are stored, and the shape to be stored by the object to be heated thereafter is stored. When the data is classified into the same group as the data, the control circuit determines the movable position by adding the position data of the movable stub that avoids the moding, so there is no risk of causing the moding after that. Since it is not necessary to select an impedance that does not cause moding for all objects to be heated and its state, it is possible to select the most suitable microwave impedance for the objects to be heated, and to provide a high-frequency heating device that does not cause moding with high efficiency. realizable.
【0183】請求項6記載の発明によれば、マグネトロ
ンの温度変化から被加熱物に対するマグネトロンの電波
輻射状態を直接判断することができるため、被加熱物を
入れる容器の形状や重さに関係なく被加熱物に最適なマ
イクロ波インピーダンスを作り出す可動式スタブの位置
を決定し、高効率な高周波加熱装置を実現できる。According to the invention of claim 6, since the radio wave radiation state of the magnetron to the object to be heated can be directly judged from the temperature change of the magnetron, regardless of the shape or weight of the container for containing the object to be heated. By determining the position of the movable stub that creates the optimum microwave impedance for the object to be heated, a highly efficient high frequency heating device can be realized.
【0184】請求項7および8記載の発明によれば、被
加熱物の形状を認識してその形状に合った開口を選択し
たり、開口を定期的に変更したり、各開口から輻射する
マイクロ波の比率を変えながら両開口を同時に選択した
りして加熱できるため、あらゆる負荷に対して均一加熱
特性に優れた高周波加熱装置を実現できる。According to the seventh and eighth aspects of the invention, the shape of the object to be heated is recognized, the opening suitable for the shape is selected, the opening is periodically changed, and the micro-radiation from each opening is performed. Since both openings can be selected and heated at the same time while changing the wave ratio, it is possible to realize a high-frequency heating device having excellent uniform heating characteristics for all loads.
【0185】請求項9記載の発明によれば、被加熱物を
覆ったラップの膨らみを直接検知できるため、ラップし
た被加熱物の仕上がり検知を的確に行うことのできる高
周波加熱装置を実現できる。According to the ninth aspect of the invention, since the bulge of the wrap covering the object to be heated can be directly detected, it is possible to realize a high-frequency heating apparatus capable of accurately detecting the finish of the object to be heated wrapped.
【0186】請求項10記載の発明によれば、ターンテ
ーブル上に置かれた被加熱物の位置を正確に認識できる
ため、その位置に応じて可動式スタブの位置を決定する
ことにより高効率でモーディングを起こさない高周波加
熱装置を実現することができる。According to the tenth aspect of the present invention, since the position of the object to be heated placed on the turntable can be accurately recognized, by determining the position of the movable stub according to the position, the efficiency can be improved. It is possible to realize a high-frequency heating device that does not cause moding.
【図1】本発明による高周波加熱装置の第1の実施例を
示す構成図である。FIG. 1 is a configuration diagram showing a first embodiment of a high-frequency heating device according to the present invention.
【図2】図1に示す赤外線感知装置の拡大図である。FIG. 2 is an enlarged view of the infrared sensing device shown in FIG.
【図3】図1に示す高周波加熱装置の制御装置を示すブ
ロック図である。3 is a block diagram showing a control device of the high-frequency heating device shown in FIG.
【図4】加熱室内に被加熱物を置きターンテーブルを回
転したときのインピーダンスをスミスチャート上にプロ
ットした図である。FIG. 4 is a diagram in which impedance when the object to be heated is placed in the heating chamber and the turntable is rotated is plotted on a Smith chart.
【図5】輻射熱センサの拡大図である。FIG. 5 is an enlarged view of a radiant heat sensor.
【図6】本発明による高周波加熱装置の第2の実施例を
示す構成図である。FIG. 6 is a configuration diagram showing a second embodiment of the high-frequency heating device according to the present invention.
【図7】重量センサの拡大図である。FIG. 7 is an enlarged view of the weight sensor.
【図8】図6に示す高周波加熱装置の制御装置を示すブ
ロック図である。8 is a block diagram showing a control device of the high-frequency heating device shown in FIG.
【図9】可動式スタブを回転したときの加熱室側のイン
ピーダンスの変化をスミスチャート上にプロットした図
である。FIG. 9 is a diagram in which a change in impedance on the heating chamber side when a movable stub is rotated is plotted on a Smith chart.
【図10】高周波加熱装置の加熱効率を評価する測定の
際の負荷条件を説明するための図である。FIG. 10 is a diagram for explaining load conditions at the time of measurement for evaluating heating efficiency of the high-frequency heating device.
【図11】ターンテーブルを停止させ可動式スタブを回
転させたときの加熱室側のインピーダンスをスミスチャ
ート上にプロットした図である。FIG. 11 is a diagram in which the impedance on the heating chamber side when the turntable is stopped and the movable stub is rotated is plotted on a Smith chart.
【図12】正常時のマグネトロン陰極電圧とそれに対応
する検出巻き線出力を示す波形図である。FIG. 12 is a waveform diagram showing a magnetron cathode voltage and a detection winding output corresponding thereto in a normal state.
【図13】異常時のマグネトロン陰極電圧とそれに対応
する検出巻き線出力を示す波形図である。FIG. 13 is a waveform diagram showing a magnetron cathode voltage and a detection winding output corresponding to the voltage when an abnormality occurs.
【図14】通常時の異常発振信号およびゲート信号を示
すタイミングチャートである。FIG. 14 is a timing chart showing an abnormal oscillation signal and a gate signal during normal times.
【図15】本発明による高周波加熱装置の第4の実施例
におけるモーディング検知時の制御方法を示すフローチ
ャートである。FIG. 15 is a flow chart showing a control method when a moding is detected in the fourth embodiment of the high-frequency heating apparatus according to the present invention.
【図16】本発明による高周波加熱装置の第5の実施例
におけるモーディング検知時の制御方法を示すフローチ
ャートである。FIG. 16 is a flow chart showing a control method when a moding is detected in a fifth embodiment of the high-frequency heating device according to the present invention.
【図17】本発明による高周波加熱装置の第6の実施例
を示す構成図である。FIG. 17 is a structural diagram showing a sixth embodiment of the high-frequency heating device according to the present invention.
【図18】図17に示す高周波加熱装置の制御装置のブ
ロック図である。18 is a block diagram of a control device of the high frequency heating device shown in FIG.
【図19】図17に示す高周波加熱装置の制御方法を示
すフローチャートである。19 is a flowchart showing a control method of the high frequency heating apparatus shown in FIG.
【図20】可動式スタブの位置とマグネトロン温度勾配
の変化例を示すグラフである。FIG. 20 is a graph showing an example of changes in the position of the movable stub and the magnetron temperature gradient.
【図21】高周波加熱装置の加熱経過時間に対する通常
動作時のマグネトロン温度の変化を示すグラフである。FIG. 21 is a graph showing changes in magnetron temperature during normal operation with respect to elapsed heating time of the high-frequency heating device.
【図22】高周波加熱装置の加熱経過時間に対するモー
ディング発生時のマグネトロン温度の変化を示すグラフ
である。FIG. 22 is a graph showing a change in magnetron temperature when a moding occurs with respect to a heating elapsed time of the high frequency heating device.
【図23】図17に示す高周波加熱装置の他の制御方法
を示すフローチャートである。23 is a flowchart showing another control method of the high-frequency heating device shown in FIG.
【図24】2つの被加熱物の加熱中の可動式スタブの位
置の変化にともなうマグネトロン温度の単位時間あたり
の変化率を示すグラフである。FIG. 24 is a graph showing a rate of change in magnetron temperature per unit time with a change in position of a movable stub during heating of two objects to be heated.
【図25】図17に示す高周波加熱装置の他の制御方法
を示すフローチャートである。25 is a flowchart showing another control method of the high-frequency heating device shown in FIG.
【図26】図25に示すフローチャートの一部である。FIG. 26 is a part of the flowchart shown in FIG. 25.
【図27】本発明による高周波加熱装置の第7の実施例
を示す構成図である。FIG. 27 is a structural diagram showing a seventh embodiment of the high-frequency heating device according to the present invention.
【図28】図27に示す高周波加熱装置の制御装置のブ
ロック図である。28 is a block diagram of a control device of the high-frequency heating device shown in FIG. 27.
【図29】図27に示す高周波加熱装置の他の制御装置
のブロック図である。FIG. 29 is a block diagram of another control device of the high frequency heating device shown in FIG. 27.
【図30】本発明による高周波加熱装置の第8の実施例
を示す構成図である。FIG. 30 is a structural diagram showing an eighth embodiment of the high-frequency heating device according to the present invention.
【図31】本発明による高周波加熱装置の第9の実施例
を示す構成図である。FIG. 31 is a configuration diagram showing a ninth embodiment of the high-frequency heating device according to the present invention.
【図32】従来の高周波加熱装置の構成図である。FIG. 32 is a configuration diagram of a conventional high-frequency heating device.
【図33】図32に示す可動式スタブの拡大図である。FIG. 33 is an enlarged view of the movable stub shown in FIG. 32.
【図34】図32に示す可動式スタブの斜視図である。34 is a perspective view of the movable stub shown in FIG. 32. FIG.
【図35】可動式スタブの回転位置説明のための図であ
る。FIG. 35 is a view for explaining the rotational position of the movable stub.
【図36】インバータ電源装置のブロック図である。FIG. 36 is a block diagram of an inverter power supply device.
【図37】マグネトロン駆動用変圧器の側面図である。FIG. 37 is a side view of a magnetron driving transformer.
【図38】図37のA−A線上断面図である。38 is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG. 37.
【図39】マグネトロン入力電力に対するフィラメント
電流の関係を示す図である。FIG. 39 is a diagram showing a relationship between filament input current and magnetron input power.
【図40】被加熱物がターンテーブルの最外周に置かれ
ターンテーブルを回転させたときの加熱室側のインピー
ダンスをスミスチャート上にプロットした図である。FIG. 40 is a diagram in which the impedance on the heating chamber side when the object to be heated is placed on the outermost periphery of the turntable and the turntable is rotated is plotted on a Smith chart.
【図41】被加熱物がターンテーブルの最外周に置かれ
ターンテーブルを回転させたときに可動式スタブを移動
しモーディングを回避した場合の加熱室側のインピーダ
ンスをスミスチャート上にプロットした図である。FIG. 41 is a diagram in which the impedance on the heating chamber side is plotted on a Smith chart when the object to be heated is placed on the outermost periphery of the turntable and the turntable is rotated to move the movable stub to avoid the moding. Is.
1 外部筺体 2 加熱室 3 ターンテーブル 4 センター軸 5 ターンテーブルモータ 6 重量センサ 7 開口カバー 10 マグネトロン 11 マグネトロンアンテナ 12 導波管 13 可動式スタブ(金属リフレクタ) 14 回転軸 15 スタブモータ 20 制御回路 30 インバータ電源装置 40 インバータ制御装置 50 検出巻線出力整形回路 60 赤外線感知装置 63 輻射熱センサ 70 制御装置 71〜75 リレー M 被加熱物 VM 半波倍電圧回路 1 External Housing 2 Heating Chamber 3 Turntable 4 Center Shaft 5 Turntable Motor 6 Weight Sensor 7 Opening Cover 10 Magnetron 11 Magnetron Antenna 12 Waveguide 13 Movable Stub (Metal Reflector) 14 Rotating Shaft 15 Stub Motor 20 Control Circuit 30 Inverter Power supply device 40 Inverter control device 50 Detection winding output shaping circuit 60 Infrared sensing device 63 Radiant heat sensor 70 Control device 71-75 Relay M Heated object VM Half wave voltage doubler circuit
Claims (10)
発生手段から輻射されたマイクロ波を加熱室に導く導波
管と、前記導波管内に挿入された誘電体回転軸と、前記
誘電体回転軸に支持された金属面およびこの金属面の周
辺部に設けられた金属スタブからなるインピーダンス整
合用金属リフレクタと、前記金属リフレクタの回転を制
御する制御手段とを備えた高周波加熱装置において、 マイクロ波加熱中に被加熱物の物性変化を検知する検知
手段を有し、前記物性変化の前後において前記金属リフ
レクタを動作させて前記加熱室内のマイクロ波インピー
ダンスマッチングを変化させることを特徴とする高周波
加熱装置。1. A microwave generation means, a waveguide for guiding microwaves radiated from the microwave generation means to a heating chamber, a dielectric rotating shaft inserted in the waveguide, and the dielectric rotation. A high frequency heating device comprising a metal reflector for impedance matching, which comprises a metal surface supported by a shaft and a metal stub provided on the periphery of the metal surface, and a control means for controlling the rotation of the metal reflector. A high-frequency heating device having a detection means for detecting a change in physical properties of an object to be heated during heating, and changing the microwave impedance matching in the heating chamber by operating the metal reflector before and after the change in physical properties. .
発生手段から輻射されたマイクロ波を加熱室に導く導波
管と、前記導波管内に挿入された誘電体回転軸と、前記
誘電体回転軸に支持された金属面およびこの金属面の周
辺部に設けられた金属スタブを有するインピーダンス整
合用金属リフレクタと、前記金属リフレクタの回転を制
御する制御手段とを備えた高周波加熱装置において、 マイクロ波加熱中に前記金属リフレクタが回転して電圧
定在波比が高くなる位置を通過するときに、前記マイク
ロ波発生手段への電力供給を一次的に停止または低下さ
せることを特徴とする高周波加熱装置。2. A microwave generation means, a waveguide for guiding the microwave radiated from the microwave generation means to a heating chamber, a dielectric rotating shaft inserted in the waveguide, and the dielectric rotation. A high-frequency heating device comprising: a metal surface for supporting impedance; and a metal reflector for impedance matching, which has a metal stub provided on the periphery of the metal surface, and a control means for controlling rotation of the metal reflector. A high-frequency heating device characterized in that when the metal reflector rotates and passes through a position where the voltage standing wave ratio increases during heating, power supply to the microwave generation means is temporarily stopped or lowered. .
発生手段から輻射されたマイクロ波を加熱室に導く導波
管と、前記導波管内に挿入された誘電体回転軸と、前記
誘電体回転軸に支持された金属面およびこの金属面の周
辺部に設けられた金属スタブを有するインピーダンス整
合用金属リフレクタと、前記金属リフレクタの回転を制
御する制御手段とを備えた高周波加熱装置において、 前記金属リフレクタを回転させて前記マイクロ波が被加
熱物に当たりにくい状態を作り出し、前記マイクロ波発
生手段への電力供給を断続させることなく連続的に供給
して弱パワーの連続運転を行うことを特徴とする高周波
加熱装置。3. A microwave generating means, a waveguide for guiding the microwave radiated from the microwave generating means to a heating chamber, a dielectric rotating shaft inserted in the waveguide, and the dielectric rotating. A high-frequency heating device comprising: a metal surface for supporting impedance; a metal reflector for impedance matching having a metal stub provided on the periphery of the metal surface; and a control means for controlling rotation of the metal reflector, wherein the metal It is characterized by rotating the reflector to create a state in which the microwave is hard to hit the object to be heated, and continuously supplying power to the microwave generating means without interruption to perform continuous operation with weak power. High frequency heating device.
発生手段から輻射されたマイクロ波を加熱室に導く導波
管と、前記導波管内に挿入された誘電体回転軸と、前記
誘電体回転軸に支持された金属面およびこの金属面の周
辺部に設けられた金属スタブを有するインピーダンス整
合用金属リフレクタと、前記金属リフレクタの回転を制
御する制御手段とを備えた高周波加熱装置において、 前記マイクロ波発生手段の発振状態を検出する検出手段
を有し、前記検出手段によって前記マイクロ波発生手段
の発振異常を検知したときは前記制御手段によって前記
金属リフレクタを回転させ加熱室内のマイクロ波インピ
ーダンスマッチングを変化させることにより前記マイク
ロ波発生手段の発振異常を停止することを特徴とする高
周波加熱装置。4. A microwave generating means, a waveguide for guiding the microwave radiated from the microwave generating means to a heating chamber, a dielectric rotating shaft inserted in the waveguide, and the dielectric rotating. A high-frequency heating apparatus comprising: an impedance matching metal reflector having a metal surface supported by a shaft and a metal stub provided on a peripheral portion of the metal surface; and a control means for controlling rotation of the metal reflector, wherein: When the detection means detects an oscillation abnormality of the microwave generation means, the control means rotates the metal reflector to perform microwave impedance matching in the heating chamber. A high-frequency heating device, characterized in that the abnormal oscillation of the microwave generation means is stopped by changing it.
発生手段から輻射されたマイクロ波を加熱室に導く導波
管と、前記導波管内に挿入された誘電体回転軸と、前記
誘電体回転軸に支持された金属面およびこの金属面の周
辺部に設けられた金属スタブを有するインピーダンス整
合用金属リフレクタと、前記金属リフレクタの回転を制
御する制御手段とを備えた高周波加熱装置において、 前記マイクロ波発生手段が発振異常を起こしたときの被
加熱物の状態および前記金属リフレクタの位置を記憶す
る記憶手段を有し、前記制御手段は再び同じ状態の被加
熱物が加熱されたときは前記記憶手段に記憶されている
データから前記金属リフレクタの位置を前記発振異常を
回避した位置に移動させることを特徴とする高周波加熱
装置。5. A microwave generation means, a waveguide for guiding the microwave radiated from the microwave generation means to a heating chamber, a dielectric rotating shaft inserted in the waveguide, and the dielectric rotation. A high-frequency heating apparatus comprising: an impedance matching metal reflector having a metal surface supported by a shaft and a metal stub provided on a peripheral portion of the metal surface; and a control means for controlling rotation of the metal reflector, wherein: The wave generation means has a storage means for storing the state of the heated object and the position of the metal reflector when the oscillation abnormality occurs, and the control means stores the memory when the heated object in the same state is heated again. A high-frequency heating device, wherein the position of the metal reflector is moved to a position avoiding the oscillation abnormality from the data stored in the means.
発生手段から輻射されたマイクロ波を加熱室に導く導波
管と、前記導波管内に挿入された誘電体回転軸と、前記
誘電体回転軸に支持された金属面およびこの金属面の周
辺部に設けられた金属スタブを有するインピーダンス整
合用金属リフレクタと、前記金属リフレクタの回転を制
御する制御手段とを備えた高周波加熱装置において、 前記マイクロ波発生手段の外郭に温度検出手段を有し、
前記温度検出手段によって前記マイクロ波発生手段の単
位時間あたりの温度変化を測定し、前記制御手段によっ
て前記温度変化に応じて前記金属リフレクタを回転さ
せ、加熱室内のマイクロ波インピーダンスマッチングを
変化させることを特徴とする高周波加熱装置。6. A microwave generating means, a waveguide for guiding microwaves radiated from the microwave generating means to a heating chamber, a dielectric rotating shaft inserted in the waveguide, and the dielectric rotating. A high-frequency heating device comprising: an impedance matching metal reflector having a metal surface supported by a shaft and a metal stub provided on a peripheral portion of the metal surface; and a control means for controlling rotation of the metal reflector, wherein: Having a temperature detecting means in the outer contour of the wave generating means,
The temperature detection unit measures a temperature change per unit time of the microwave generation unit, and the control unit rotates the metal reflector according to the temperature change to change the microwave impedance matching in the heating chamber. Characteristic high-frequency heating device.
と、前記第1および第2のマイクロ波発生手段から輻射
されたマイクロ波を加熱室に導く第1および第2の導波
管と、前記加熱室に収納された被加熱物の形状を測定す
る手段と、前記第1および第2のマイクロ波発生手段に
供給する電力を制御するための制御手段とを備え、 前記第1の導波管は前記被加熱物の平面均一加熱特性に
優れた位置に開口を有し、前記第2の導波管は前記被加
熱物の上下均一加熱特性に優れた位置に開口を有し、前
記制御手段は前記被加熱物の形状に応じて前記第1およ
び第2のマイクロ波発生手段への電力供給を制御するこ
とを特徴とする高周波加熱装置。7. A first and second microwave generating means, and first and second waveguides for guiding the microwave radiated from the first and second microwave generating means to a heating chamber, The first waveguide includes means for measuring the shape of an object to be heated housed in the heating chamber, and control means for controlling the electric power supplied to the first and second microwave generation means. The tube has an opening at a position excellent in uniform heating property of the object to be heated, and the second waveguide has an opening at a position excellent in uniform heating property of the object to be heated. The high-frequency heating apparatus is characterized in that the means controls the power supply to the first and second microwave generation means according to the shape of the object to be heated.
て、前記制御手段は前記被加熱物の形状に応じて前記第
1および第2のマイクロ波発生手段への電力供給を加熱
途中に切り換えることを特徴とする高周波加熱装置。8. The high-frequency heating apparatus according to claim 7, wherein the control means switches power supply to the first and second microwave generation means during heating in accordance with the shape of the object to be heated. Characteristic high-frequency heating device.
発生手段から輻射されたマイクロ波を加熱室に導く導波
管と、前記導波管内に挿入された誘電体回転軸と、前記
誘電体回転軸に支持された金属面およびこの金属面の周
辺部に設けられた金属スタブを有するインピーダンス整
合用金属リフレクタと、前記金属リフレクタの回転を制
御する制御手段とを備えた高周波加熱装置において、 被加熱物の高さを測定する高さ測定手段を有し、マイク
ロ波加熱中に前記高さ測定手段によって前記被加熱物の
高さを定期的に測定し、前記被加熱物を覆って前記被加
熱物を蒸らして加熱するための食品包装用薄膜フィルム
の加熱途中の膨脹を検知して前記被加熱物の仕上がりを
検出することを特徴とする高周波加熱装置。9. A microwave generation means, a waveguide for guiding the microwave radiated from the microwave generation means to a heating chamber, a dielectric rotating shaft inserted in the waveguide, and the dielectric rotation. A high-frequency heating device comprising an impedance matching metal reflector having a metal surface supported on a shaft and a metal stub provided on the periphery of the metal surface, and a control means for controlling the rotation of the metal reflector. Having a height measuring means for measuring the height of an object, the height measuring means periodically measures the height of the object to be heated during microwave heating, and the object to be heated is covered with the object to be heated. A high-frequency heating device, characterized in that expansion of a thin film for food packaging for heating food by heating is detected to detect the finish of the object to be heated.
波発生手段から輻射されたマイクロ波を加熱室に導く導
波管と、前記導波管内に挿入された誘電体回転軸と、前
記誘電体回転軸に支持された金属面およびこの金属面の
周辺部に設けられた金属スタブを有するインピーダンス
整合用金属リフレクタと、前記金属リフレクタの回転を
制御する制御手段とを備えた高周波加熱装置において、 前記加熱室内の被加熱物がターンテーブル上に置かれた
状態を認識するセンサ手段を有し、前記センサ手段によ
って前記被加熱物が前記ターンテーブル上の最外周近傍
に位置することを認識すると、前記制御手段は前記被加
熱物がマイクロ波を輻射する前記導波管の開口の前を通
過するタイミングをはかって前記金属リフレクタの位置
を制御し、前記マイクロ波発生手段の発振異常を回避す
ることを特徴とする高周波加熱装置。10. A microwave generation means, a waveguide for guiding the microwave radiated from the microwave generation means to a heating chamber, a dielectric rotating shaft inserted in the waveguide, and the dielectric rotation. In a high-frequency heating device comprising an impedance matching metal reflector having a metal surface supported by a shaft and a metal stub provided on the periphery of the metal surface, and a control means for controlling rotation of the metal reflector, When the object to be heated in the room has a sensor means for recognizing a state of being placed on the turntable, and the sensor means recognizes that the object to be heated is located in the vicinity of the outermost circumference on the turntable, the control is performed. The means controls the position of the metal reflector at a timing when the object to be heated passes in front of the opening of the waveguide that radiates microwaves, High-frequency heating apparatus, characterized in that to avoid the oscillation abnormality black wave generating means.
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14939794A JP3227309B2 (en) | 1994-06-30 | 1994-06-30 | High frequency heating equipment |
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JP14939794A JP3227309B2 (en) | 1994-06-30 | 1994-06-30 | High frequency heating equipment |
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JPH0817569A true JPH0817569A (en) | 1996-01-19 |
JP3227309B2 JP3227309B2 (en) | 2001-11-12 |
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ID=15474243
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14939794A Expired - Fee Related JP3227309B2 (en) | 1994-06-30 | 1994-06-30 | High frequency heating equipment |
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Country | Link |
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000051450A1 (en) * | 1999-03-03 | 2000-09-08 | Yamamoto Vinita Co., Ltd. | High-frequency thawing device |
US6246039B1 (en) | 1999-02-19 | 2001-06-12 | Sanyo Electric Co., Ltd. | High frequency heating apparatus having a wave guide introducing microwaves into heating chamber |
JP2009187842A (en) * | 2008-02-07 | 2009-08-20 | Mitsubishi Electric Corp | Microwave heating device |
CN106867620A (en) * | 2017-04-12 | 2017-06-20 | 太原科技大学 | For the microwave desulfurization intelligent integrated experimental system of sulphur coal |
-
1994
- 1994-06-30 JP JP14939794A patent/JP3227309B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US6246039B1 (en) | 1999-02-19 | 2001-06-12 | Sanyo Electric Co., Ltd. | High frequency heating apparatus having a wave guide introducing microwaves into heating chamber |
WO2000051450A1 (en) * | 1999-03-03 | 2000-09-08 | Yamamoto Vinita Co., Ltd. | High-frequency thawing device |
JP2009187842A (en) * | 2008-02-07 | 2009-08-20 | Mitsubishi Electric Corp | Microwave heating device |
CN106867620A (en) * | 2017-04-12 | 2017-06-20 | 太原科技大学 | For the microwave desulfurization intelligent integrated experimental system of sulphur coal |
CN106867620B (en) * | 2017-04-12 | 2023-03-24 | 太原科技大学 | Microwave desulfurization intelligent integrated experimental system for high-sulfur coal |
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