JPH08162931A - Switching device - Google Patents

Switching device

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JPH08162931A
JPH08162931A JP6295199A JP29519994A JPH08162931A JP H08162931 A JPH08162931 A JP H08162931A JP 6295199 A JP6295199 A JP 6295199A JP 29519994 A JP29519994 A JP 29519994A JP H08162931 A JPH08162931 A JP H08162931A
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JP
Japan
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voltage
transistor
source
fet
output
Prior art date
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Pending
Application number
JP6295199A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Makoto Shichi
信 志知
Manabu Hayakawa
学 早川
Emu Raito Denisu
エム ライト デニス
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Denso Corp
Original Assignee
NipponDenso Co Ltd
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Publication date
Application filed by NipponDenso Co Ltd filed Critical NipponDenso Co Ltd
Priority to JP6295199A priority Critical patent/JPH08162931A/en
Publication of JPH08162931A publication Critical patent/JPH08162931A/en
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Abstract

PURPOSE: To prevent the flash-on phenomenon of a transistor at the time of supplying power by simple constitution and to shorten off delay time as well. CONSTITUTION: This device is provided with an output circuit 1 provided with a FET 145 for switching whose drain and source are serially connected to a current path from a power source VD to an output detection part (lead) L, a resistor 147 connected between the gate and the source and a photo voltaic coupler 49 for supplying a driving voltage between the gate and the source of the FET 145 corresponding to the output of an internal circuit 151. A differentiation circuit composed of a capacitor 7 and the resistors 5 and 9 is provided between the drain and the source of the FET 145 and the transistor 3 whose collector and emitter are connected between the gate and the source of the FET 145 is driven by the charging current of the capacitor 7. As a result, when the rise of a voltage occurs between the drain and the source of the FET 145, the transistor 3 is turned on and the FET 145 is forcedly turned off.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、電源から負荷への電流
経路をトランジスタによりスイッチングして、負荷の通
電と非通電とを切り換えるスイッチング装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a switching device which switches a current path from a power source to a load by a transistor to switch between energization and de-energization of the load.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、この種のスイッチング装置
は、例えばプログラマブルコントローラにおいて、被制
御装置側へ制御信号を出力するための出力回路として用
いられており、図5に示すようなものが知られている。
尚、図5に例示する各出力回路は、出力トランジスタと
してFETを用いた場合のものである。
2. Description of the Related Art Conventionally, this type of switching device has been used as an output circuit for outputting a control signal to a controlled device side in a programmable controller, for example, and a switching device as shown in FIG. 5 is known. ing.
Each output circuit illustrated in FIG. 5 is a case where an FET is used as an output transistor.

【0003】まず、図5(A)に示す出力回路101
は、電源VD及び電源VDのマイナス側に接続された負
荷としての出力検出部Lを備えた被制御装置103に接
続される、所謂ソース出力型のものである。この出力回
路101は、電源VDのプラス側と、出力検出部Lの電
源VDとは反対側と、電源VDのマイナス側とに、3つ
の端子P,O,Mを介して接続される。そして、電源V
Dのプラス側(端子P)にソースが接続されると共に出
力検出部Lの電源VDとは反対側(端子O)にドレイン
が接続されるPチャンネルのFET105と、FET1
05のソースとゲート間に接続されてFET105のゲ
ートを電源VDのプラス側にプルアップする抵抗器10
7と、FET105のゲートにコレクタが接続されると
共に電源VDのマイナス側(端子M)にエミッタが接続
されたフォトトランジスタ109a及びフォトトランジ
スタ109aを発光により駆動するLED109bから
なるフォトカプラ109と、フォトカプラ109のLE
D109bを制御結果に応じて発光させるマイクロコン
ピュータ等からなる内部回路111と、を備えている。
First, the output circuit 101 shown in FIG.
Is a so-called source output type, which is connected to the controlled device 103 including the power supply VD and the output detection unit L as a load connected to the negative side of the power supply VD. The output circuit 101 is connected to the plus side of the power supply VD, the opposite side of the output detection unit L from the power supply VD, and the minus side of the power supply VD via three terminals P, O, and M. And the power supply V
The FET 105 of the P channel, the source of which is connected to the positive side (terminal P) of D and the drain of which is connected to the side (terminal O) opposite to the power source VD of the output detection unit L, and FET1.
A resistor 10 connected between the source and the gate of 05 to pull up the gate of the FET 105 to the positive side of the power supply VD.
7, a photocoupler 109 having a collector connected to the gate of the FET 105 and an emitter connected to the negative side (terminal M) of the power supply VD, and a photocoupler 109 including an LED 109b for driving the phototransistor 109a by light emission; 109 LE
And an internal circuit 111 including a microcomputer or the like for causing the D109b to emit light according to a control result.

【0004】そして、このソース出力型の出力回路10
1においては、内部回路111がフォトカプラ109の
LED109bを発光させると、フォトカプラ109の
フォトトランジスタ109aに抵抗器107を介して電
源VDからの電流が流れ、これによりFET105のゲ
ート−ソース間に電位差が生じて、FET105がオン
する。すると、電源VDからFET105のソースとド
レインを介して出力検出部Lに電流が流れ、被制御装置
103側では、出力検出部Lに電流が流れたことを検出
して、内部回路111の制御結果を検出する。
The source output type output circuit 10
In No. 1, when the internal circuit 111 causes the LED 109b of the photocoupler 109 to emit light, a current from the power supply VD flows through the phototransistor 109a of the photocoupler 109 via the resistor 107, which causes a potential difference between the gate and the source of the FET 105. Occurs and the FET 105 is turned on. Then, a current flows from the power supply VD to the output detection unit L via the source and drain of the FET 105, and on the controlled device 103 side, it is detected that a current has flowed to the output detection unit L, and the control result of the internal circuit 111 is detected. To detect.

【0005】次に、図5(B)に示す出力回路121
は、電源VD及び電源VDのプラス側に接続された出力
検出部Lを備えた被制御装置123に接続される、所謂
シンク出力型のものである。この出力回路121も、電
源VDのプラス側と、出力検出部Lの電源VDとは反対
側と、電源VDのマイナス側とに、3つの端子P,O,
Mを介して接続される。そして、電源VDのマイナス側
(端子M)にソースが接続されると共に出力検出部Lの
電源VDとは反対側(端子O)にドレインが接続される
NチャンネルのFET125と、FET125のゲート
とソース間に接続されてFET125のゲートを電源V
Dのマイナス側にプルダウンする抵抗器127と、電源
VDのプラス側(端子P)にコレクタが接続されると共
にFET125のゲートにエミッタが接続されたフォト
トランジスタ129a及びフォトトランジスタ129a
を発光により駆動するLED129bからなるフォトカ
プラ129と、フォトカプラ129のLED129bを
制御結果に応じて発光させる内部回路131と、を備え
ている。
Next, the output circuit 121 shown in FIG.
Is a so-called sink output type that is connected to the controlled device 123 including the power supply VD and the output detection unit L connected to the positive side of the power supply VD. This output circuit 121 also has three terminals P, O, on the positive side of the power supply VD, on the side opposite to the power supply VD of the output detection unit L, and on the negative side of the power supply VD.
Connected via M. An N-channel FET 125 having a source connected to the negative side (terminal M) of the power supply VD and a drain connected to the opposite side (terminal O) to the power supply VD of the output detection unit L, and the gate and source of the FET 125. It is connected between and the gate of FET125 is the power source V
A resistor 127 that pulls down to the minus side of D, a phototransistor 129a and a phototransistor 129a whose collector is connected to the plus side (terminal P) of the power supply VD and whose emitter is connected to the gate of the FET 125.
Is provided with a photocoupler 129 including an LED 129b for driving the LED by light emission, and an internal circuit 131 for causing the LED 129b of the photocoupler 129 to emit light according to a control result.

【0006】そして、このシンク出力型の出力回路12
1においては、内部回路131がフォトカプラ129の
LED129bを発光させると、フォトカプラ129の
フォトトランジスタ129aを介して抵抗器127に電
源VDからの電流が流れ、これによりFET125のゲ
ート−ソース間に電位差が生じて、FET125がオン
する。すると、電源VDから出力検出部LにFET12
5のドレインとソースを介して電流が流れ、被制御装置
123側では、出力検出部Lに電流が流れたことを検出
して、内部回路131の制御結果を検出する。
Then, the output circuit 12 of the sync output type
In No. 1, when the internal circuit 131 causes the LED 129b of the photocoupler 129 to emit light, a current from the power supply VD flows to the resistor 127 via the phototransistor 129a of the photocoupler 129, which causes a potential difference between the gate and the source of the FET 125. Occurs and the FET 125 is turned on. Then, the FET 12 is connected from the power source VD to the output detection unit L.
A current flows through the drain and source of No. 5, and on the controlled device 123 side, it is detected that a current has flowed to the output detection unit L, and the control result of the internal circuit 131 is detected.

【0007】つまり、ソース出力型の出力回路101
は、電源VDから出力検出部Lへの電流経路を、出力検
出部Lのプラス側(ハイサイド)でスイッチングするよ
うにしており、シンク出力型の出力回路121は、電源
VDから出力検出部Lへの電流経路を、出力検出部Lの
マイナス側(ロウサイド)でスイッチングするようにし
ている。
That is, the source output type output circuit 101.
Is configured to switch the current path from the power supply VD to the output detection unit L on the plus side (high side) of the output detection unit L, and the sink output type output circuit 121 is connected from the power supply VD to the output detection unit L. The current path to the switch is switched on the negative side (low side) of the output detection unit L.

【0008】一方、図5(C)に示す出力回路141
は、独立出力型と呼ばれるものであり、上述したソース
出力型及びシンク出力型の何れの出力形式でも使用する
ことができる。尚、図5(C)は、被制御装置143側
において出力検出部Lが電源VDのマイナス側に設けら
れた場合、即ちソース出力型の出力形式を採った場合を
示している。
On the other hand, the output circuit 141 shown in FIG.
Is called an independent output type and can be used in any of the above-mentioned source output type and sink output type output formats. 5C shows the case where the output detection unit L is provided on the minus side of the power supply VD on the controlled device 143 side, that is, the case where the source output type output format is adopted.

【0009】この出力回路141は、電源VDのプラス
側と出力検出部Lの電源VDとは反対側とに、2つの端
子P,Oを介して接続される。そして、電源VDのプラ
ス側(端子P)にドレインが接続されると共に出力検出
部Lの電源VDとは反対側(端子O)にソースが接続さ
れるNチャンネルのFET145と、FET145のゲ
ートとソース間に接続された抵抗器147と、FET1
45のゲートからソースの方向へ向けて順方向に且つ抵
抗器147と並列に接続されたフォトダイオードアレイ
149a及び発光によってフォトダイオードアレイ14
9aに起電力を発生させるLED149bからなるフォ
トボルカプラ149と、フォトボルカプラ149のLE
D149bを制御結果に応じて発光させる内部回路15
1と、を備えている。
The output circuit 141 is connected to the plus side of the power supply VD and the opposite side of the output detection section L from the power supply VD via two terminals P and O. An N-channel FET 145 having a drain connected to the plus side (terminal P) of the power supply VD and a source connected to the opposite side (terminal O) to the power supply VD of the output detection unit L, and a gate and a source of the FET 145. The resistor 147 connected between and the FET1
Photodiode array 149a connected in the forward direction from the gate of 45 to the source and in parallel with resistor 147 and photodiode array 14 by light emission.
9a, a photovoltaic coupler 149 composed of an LED 149b for generating an electromotive force, and an LE of the photovoltaic coupler 149.
Internal circuit 15 for making D149b emit light according to the control result
1 and.

【0010】そして、この独立出力型の出力回路141
においては、内部回路151がフォトボルカプラ149
のLED149bを発光させると、フォトボルカプラ1
49のフォトダイオードアレイ149aに電圧が発生
し、これによりFET145のゲート−ソース間に電位
差が生じて、FET145がオンする。すると、電源V
DからFET145のドレインとソースを介して出力検
出部Lに電流が流れ、被制御装置143側では、出力検
出部Lに電流が流れたことを検出して、内部回路151
の制御結果を検出する。
The independent output type output circuit 141
, The internal circuit 151 is connected to the photovol coupler 149.
When the LED 149b of the above is made to emit light, the photovoltaic coupler 1
A voltage is generated in the photodiode array 149a of 49, which causes a potential difference between the gate and the source of the FET 145, and the FET 145 is turned on. Then the power supply V
A current flows from D to the output detection unit L via the drain and source of the FET 145, and on the controlled device 143 side, it is detected that a current has flowed to the output detection unit L, and the internal circuit 151 is detected.
The control result of is detected.

【0011】ここで、上記のような出力回路101,1
21,141では、電源VDを投入した状態で被制御装
置103,123,143を接続したとき、或いは被制
御装置103,123,143を接続した状態で電源V
Dを投入したときに、FET105,125,145が
瞬間的にオン状態となって誤出力してしまい、被制御装
置103,123,143が誤動作するという問題があ
った。
Here, the output circuits 101 and 1 as described above.
21 and 141, when the controlled devices 103, 123, 143 are connected with the power supply VD turned on, or with the controlled devices 103, 123, 143 connected, the power supply V
When D is turned on, the FETs 105, 125, 145 are momentarily turned on and output erroneously, which causes the controlled devices 103, 123, 143 to malfunction.

【0012】これは、出力トランジスタとしてのFET
105,125,145のドレイン−ソース間に、急峻
に立ち上がる電圧が印加されると、図5に示すように、
ゲート−ドレイン間の接合容量Cgdに、抵抗器107,
127,147を介して電流Ifが流れ、接合容量Cgd
が充電されるまでの間、FET105,125,145
のゲート−ソース間に電位差が生じてFET105,1
25,145がオンしてしまう、所謂フラッシュオン現
象が発生するからである。
This is a FET as an output transistor.
When a voltage that sharply rises is applied between the drain and the source of 105, 125, 145, as shown in FIG.
The junction capacitance Cgd between the gate and the drain is connected to the resistor 107,
The current If flows through 127 and 147, and the junction capacitance Cgd
FET105, 125, 145 until is charged
Potential difference occurs between the gate and source of the FETs 105, 1
This is because a so-called flash-on phenomenon occurs in which 25 and 145 turn on.

【0013】尚、図5(C)に示したような独立出力型
の出力回路141に使用されているフォトボルカプラ1
49は、駆動能力が数十μA程度と非常に小さいため、
FET145のゲート−ソース間に設けられる抵抗器1
47の抵抗値は数百kΩ以上に設定しなければならな
い。よって、特にこの場合には、僅かな電流でFET1
45のゲート−ソース間に電圧が発生してしまい、且つ
ゲート−ソース間の接合容量Cgsの放電時間が長いた
め、フラッシュオン現象が顕著に現れてしまう。
It should be noted that the photo voltaic coupler 1 used in the independent output type output circuit 141 as shown in FIG.
No. 49 has a very small driving capacity of about several tens of μA,
Resistor 1 provided between the gate and source of the FET 145
The resistance value of 47 must be set to several hundreds kΩ or more. Therefore, especially in this case, the FET1 needs a small current.
Since the voltage is generated between the gate and the source of the gate electrode 45 and the discharge time of the junction capacitance Cgs between the gate and the source is long, the flash-on phenomenon appears remarkably.

【0014】そこで、このようなフラッシュオン現象を
防止することのできる構成として、従来より、例えば特
開平5−37322号公報に開示されているようなもの
がある。この技術について、図5(B)に示したシンク
出力型を例に挙げて説明すると、例えば図6に示すよう
に、この技術が適用された出力回路161では、電源V
Dのプラス側に接続される端子PとFET125のソー
スとの間にコンデンサ163を接続すると共に、FET
125のソースとコンデンサ163との接続点から電源
VDのマイナス側に接続される端子Mへの経路に抵抗器
165を設け、更に、その抵抗器165と並列に、コン
デンサ163の端子間電圧が所定値以上になった場合に
抵抗器165をバイパスするためのバイパス回路167
を設けるようにしている。
Therefore, as a structure capable of preventing such a flash-on phenomenon, there is a conventional structure disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-37322. This technique will be described by taking the sink output type shown in FIG. 5B as an example. For example, as shown in FIG. 6, in the output circuit 161 to which this technique is applied, the power supply V
The capacitor 163 is connected between the terminal P connected to the positive side of D and the source of the FET 125, and
A resistor 165 is provided on the path from the connection point between the source of 125 and the capacitor 163 to the terminal M connected to the negative side of the power supply VD, and further, in parallel with the resistor 165, the voltage between the terminals of the capacitor 163 is predetermined. Bypass circuit 167 for bypassing the resistor 165 when the value exceeds the value
Is provided.

【0015】そして、このように構成された出力回路1
61においては、被制御装置123が接続されるか、或
いは電源VDが投入された直後には、未充電のコンデン
サ163によってFET125のソースが電源VDのプ
ラス側と同電位になる。そしてその後は、時間の経過に
伴ってコンデンサ163が抵抗器165を介して充電さ
れていき、FET125のソース側の電圧が徐々に低下
していく。そして、更にその後、コンデンサ163の端
子間電圧が所定値以上になると、バイパス回路167が
短絡して、FET125のソースと電源VDのマイナス
側とを結ぶ経路から抵抗器165を排除するようにして
いる。
Then, the output circuit 1 thus constructed
In 61, immediately after the controlled device 123 is connected or the power supply VD is turned on, the source of the FET 125 becomes the same potential as the plus side of the power supply VD by the uncharged capacitor 163. Then, after that, the capacitor 163 is charged via the resistor 165 with the lapse of time, and the voltage on the source side of the FET 125 gradually decreases. Then, after that, when the voltage between the terminals of the capacitor 163 becomes a predetermined value or more, the bypass circuit 167 is short-circuited, and the resistor 165 is excluded from the path connecting the source of the FET 125 and the negative side of the power supply VD. .

【0016】よって、この出力回路161に電源VDが
加えられた場合には、FET125のドレイン−ソース
間に加えられる電圧は、急峻でなく徐々に増加すること
となり、FET125が瞬間的にオン状態となるフラッ
シュオン現象が防止される。
Therefore, when the power supply VD is applied to the output circuit 161, the voltage applied between the drain and source of the FET 125 is not steep but gradually increases, and the FET 125 is momentarily turned on. The flash-on phenomenon is prevented.

【0017】[0017]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の出力回路161では、電流経路に設けられた抵抗器
165をバイパスするためのバイパス回路167が必要
であり、通常このバイパス回路167は、リレーやトラ
ンジスタによって構成される。
However, the above-mentioned conventional output circuit 161 requires a bypass circuit 167 for bypassing the resistor 165 provided in the current path, and normally this bypass circuit 167 is a relay or It is composed of transistors.

【0018】そして、バイパス回路167をリレーで構
成した場合には、それだけで装置が大型化してしまう。
また、バイパス回路167をトランジスタで構成した場
合にも、そのトランジスタとしては、出力トランジスタ
(上記例ではFET125)と同等以上の通電能力を有
するものを使用しなければならず、特に負荷としての出
力検出部Lの抵抗値が小さい場合や電源VDの電圧が大
きな場合等、通電電流が大きい場合に、やはり装置が大
型化してしまう。
If the bypass circuit 167 is composed of a relay, the size of the device will be increased by itself.
Further, even when the bypass circuit 167 is composed of a transistor, it is necessary to use, as the transistor, one having an energization capacity equal to or higher than that of the output transistor (FET 125 in the above example). When the resistance value of the portion L is small, the voltage of the power supply VD is large, or the like, and the energization current is large, the device also becomes large.

【0019】一方、上記従来の出力回路101,12
1,141,161では、FET105,125,14
5がオン状態からオフするまでの時間、即ちオフ遅延時
間が大きいという問題もある。ここで、オフ遅延時間に
ついて、図5(C)に示した独立出力型の場合を例に挙
げて図7を用いて説明する。
On the other hand, the above conventional output circuits 101 and 12
1, 141, 161 are FETs 105, 125, 14
There is also a problem that the time from when the switch 5 is turned on to when the switch 5 is turned off, that is, the off delay time is long. Here, the OFF delay time will be described with reference to FIG. 7 by taking the case of the independent output type shown in FIG. 5C as an example.

【0020】まず、FET145をオン状態からオフさ
せる時には、内部回路151はLED149bの発光を
停止し、フォトダイオードアレイ149aでの電圧発生
を停止させる。すると、図7(A)の2つの矢印に示す
ように、まず、FET145のゲート−ソース間の接合
容量Cgsとゲート−ドレイン間の接合容量Cgdとが抵抗
器147を介して放電され、FET145のゲート−ソ
ース間電圧が所定のオフ電圧にまで低下して、FET1
45のドレイン−ソース間電圧が大きくなる(即ちオン
状態からオフ状態へ変化し始める)。ところがこの時、
ドレイン−ソース間電圧の立ち上がり変化によって、図
7(B)の矢印に示すように、ゲート−ドレイン間の接
合容量Cgdに抵抗器147を介して電流が流れ、ゲート
−ソース間の接合容量Cgsの放電が妨げられる。
First, when the FET 145 is turned off from the on state, the internal circuit 151 stops the light emission of the LED 149b and stops the voltage generation in the photodiode array 149a. Then, as indicated by the two arrows in FIG. 7A, first, the gate-source junction capacitance Cgs and the gate-drain junction capacitance Cgd of the FET 145 are discharged via the resistor 147, and the FET 145 has a The gate-source voltage drops to a predetermined off voltage, and FET1
The drain-source voltage of 45 increases (that is, starts changing from the on state to the off state). However, at this time,
As the drain-source voltage rises, as shown by the arrow in FIG. 7B, a current flows through the gate-drain junction capacitance Cgd through the resistor 147, and the gate-source junction capacitance Cgs of Discharge is disturbed.

【0021】つまり、オフ遅延時間は、FET145の
接合容量Cgs及び接合容量Cgdが放電して、FET14
5のゲート−ソース間電圧が所定のオフ電圧に低下する
までの時間T1と、FET145のドレイン−ソース間
電圧の立ち上がり変化によってゲート−ドレイン間の接
合容量Cgdが充電され、接合容量Cgsの放電が妨げられ
ている時間T2との和になるのであるが、上記従来の出
力回路では、このオフ遅延時間を短縮することができ
ず、この結果、より高速のスイッチング動作を実現する
ことはできなかったのである。
That is, in the off delay time, the junction capacitance Cgs and the junction capacitance Cgd of the FET 145 are discharged, and the FET 14 is turned off.
The time T1 until the gate-source voltage of 5 decreases to a predetermined off-voltage and the rising change of the drain-source voltage of the FET 145 charges the gate-drain junction capacitance Cgd and discharges the junction capacitance Cgs. Although it becomes the sum of the disturbed time T2, the above-mentioned conventional output circuit cannot shorten the off delay time, and as a result, a higher speed switching operation cannot be realized. Of.

【0022】尚、上記各問題は、出力トランジスタとし
てFETを使用した場合だけではなく、バイポーラトラ
ンジスタを用いた場合、或いはパイポーラトランジスタ
の特徴とFETの特徴とを合せ持つIGBTを用いた場
合についても全く同様である。
The above problems are not limited to the case where the FET is used as the output transistor, but also the case where the bipolar transistor is used or the case where the IGBT having the characteristics of both the bipolar transistor and the FET is used. Exactly the same.

【0023】本発明は、こうした問題に鑑みなされたも
のであり、簡単な構成でフラッシュオン現象を防止する
ことのできるスイッチング装置を提供することを第1の
目的とし、更にには、オフ遅延時間をも短縮することの
できるスイッチング装置を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of these problems, and it is a first object of the present invention to provide a switching device capable of preventing the flash-on phenomenon with a simple structure, and further, an off delay time. It is an object of the present invention to provide a switching device capable of shortening

【0024】[0024]

【課題を解決するための手段】かかる目的を達成するた
めになされた請求項1に記載の本発明は、電源から所定
の負荷へ電流を供給するための電流経路に、コレクタと
エミッタ又はドレインとソースからなる2つの出力端子
が直列に接続されたトランジスタと、該トランジスタの
ベース又はゲートからなる駆動端子に電流又は電圧を供
給して、該トランジスタをスイッチング動作させること
により、前記負荷への通電及び非通電を制御する駆動制
御手段と、を備えたスイッチング装置において、前記ト
ランジスタの前記2つの出力端子間に前記負荷を介して
前記電源からの電圧が印加されたか否かを検出する電圧
印加検出手段と、該電圧印加検出手段により前記電圧の
印加が検出されると、前記駆動端子の電圧を前記トラン
ジスタがオフする電圧レベルに所定時間だけ強制的に保
持する電圧制御手段と、を備えたことを特徴とするスイ
ッチング装置を要旨としている。
The present invention, which has been made to achieve the above object, provides a current path for supplying a current from a power source to a predetermined load, and a collector and an emitter or a drain. By supplying a current or a voltage to a transistor having two output terminals made of a source connected in series and a drive terminal made of a base or a gate of the transistor to cause the transistor to perform a switching operation, energization to the load and In a switching device including drive control means for controlling non-conduction, voltage application detection means for detecting whether or not a voltage from the power supply is applied between the two output terminals of the transistor via the load. And when the voltage application detecting means detects the application of the voltage, the transistor turns off the voltage of the drive terminal. Is a voltage control means for forcibly held for a predetermined time in pressure level, a switching device, characterized in that it provided with a spirit.

【0025】そして、請求項2に記載の本発明は、請求
項1に記載のスイッチング装置において、前記駆動制御
手段は、前記電源からの電圧を受けて前記トランジスタ
をスイッチング動作させるものであり、前記電圧印加検
出手段が、前記駆動制御手段に供給される電圧の立ち上
がりから前記電圧の印加を検出すること、を特徴とする
スイッチング装置を要旨としている。
According to a second aspect of the present invention, in the switching device according to the first aspect, the drive control means receives the voltage from the power source and causes the transistor to perform a switching operation. The gist of a switching device is characterized in that the voltage application detection means detects the application of the voltage from the rise of the voltage supplied to the drive control means.

【0026】一方、請求項3に記載の本発明は、請求項
1に記載のスイッチング装置において、前記電圧印加検
出手段が、前記トランジスタにおける前記2つの出力端
子間での電圧の立ち上がりから前記電圧の印加を検出す
ること、を特徴とするスイッチング装置を要旨としてい
る。
On the other hand, according to a third aspect of the present invention, in the switching device according to the first aspect, the voltage application detecting means changes the voltage from the rising of the voltage between the two output terminals of the transistor. The gist is a switching device characterized by detecting application.

【0027】そして、請求項4に記載の本発明は、請求
項2又は請求項3に記載のスイッチング装置において、
前記電圧印加検出手段が、コンデンサと抵抗器とを直列
に接続してなる微分回路であり、前記電圧制御手段が、
前記コンデンサの充電電流が所定値以上であるときに前
記トランジスタの駆動端子を前記2つの出力端子のうち
エミッタ又はソースに短絡させる第2のトランジスタで
あること、を特徴とするスイッチング装置を要旨として
いる。
The present invention according to claim 4 provides the switching device according to claim 2 or 3, wherein:
The voltage application detection means is a differentiating circuit formed by connecting a capacitor and a resistor in series, and the voltage control means is
A switching device characterized by being a second transistor that short-circuits a drive terminal of the transistor to an emitter or a source of the two output terminals when a charging current of the capacitor is a predetermined value or more. .

【0028】[0028]

【作用及び発明の効果】上記のように構成された請求項
1に記載のスイッチング装置においては、電源から所定
の負荷へ電流を供給するための電流経路に、トランジス
タのコレクタとエミッタ又はドレインとソースからなる
2つの出力端子が直列に接続されており、駆動制御手段
が、トランジスタのベース又はゲートからなる駆動端子
に電流又は電圧を供給して、トランジスタをスイッチン
グ動作させることにより、負荷への通電及び非通電を制
御する。
In the switching device according to the first aspect of the present invention configured as described above, the collector and the emitter or the drain and the source of the transistor are provided in the current path for supplying the current from the power source to the predetermined load. Are connected in series, and the drive control means supplies a current or voltage to the drive terminal composed of the base or gate of the transistor to cause the transistor to perform a switching operation, thereby energizing the load and Control de-energization.

【0029】そして、電圧印加検出手段が、トランジス
タの2つの出力端子間に負荷を介して電源からの電圧が
印加されたか否かを検出し、この電圧印加検出手段によ
って電圧の印加が検出されると、電圧制御手段が、トラ
ンジスタの駆動端子の電圧を、トランジスタがオフする
電圧レベルに所定時間だけ強制的に保持する。
Then, the voltage application detecting means detects whether or not the voltage from the power source is applied between the two output terminals of the transistor through the load, and the voltage application detecting means detects the application of the voltage. Then, the voltage control means forcibly holds the voltage of the drive terminal of the transistor at the voltage level at which the transistor is turned off for a predetermined time.

【0030】つまり、請求項1に記載のスイッチング装
置では、図6に例示した従来装置のようにトランジスタ
の出力端子間での電圧変化を和らげるのではなく、トラ
ンジスタの駆動端子(ベース又はゲート)の電圧自身を
オフする電圧レベルに強制的に保持して、トランジスタ
がオンしないようにしている。
That is, in the switching device according to the first aspect, unlike the conventional device illustrated in FIG. 6, the voltage change between the output terminals of the transistor is not moderated, but the drive terminal (base or gate) of the transistor is changed. The voltage itself is forcibly held at the voltage level for turning off so that the transistor does not turn on.

【0031】従って、請求項1に記載のスイッチング装
置によれば、トランジスタの出力端子と電源及び負荷と
を結ぶ電流経路に追加の部品を全く設ける必要なく、フ
ラッシュオン現象を防止することができる。よって、装
置の大型化を招くことなく、信頼性を向上させることが
できる。
Therefore, according to the switching device of the first aspect, it is possible to prevent the flash-on phenomenon without providing any additional component in the current path connecting the output terminal of the transistor and the power supply and the load. Therefore, it is possible to improve the reliability without increasing the size of the device.

【0032】次に、請求項2に記載のスイッチング装置
では、請求項1に記載のスイッチング装置において、駆
動制御手段が、負荷へ電流を供給する電源からの電圧を
受けて、トランジスタをスイッチング動作させるように
構成されており、電圧印加検出手段が、駆動制御手段に
供給される電圧の立ち上がりから、トランジスタの2つ
の出力端子間に電圧が印加されたことを検出する。
Next, in the switching device according to a second aspect, in the switching device according to the first aspect, the drive control means receives a voltage from a power source that supplies a current to the load and causes the transistor to perform a switching operation. The voltage application detection means detects that a voltage is applied between the two output terminals of the transistor from the rise of the voltage supplied to the drive control means.

【0033】つまり、請求項2に記載のスイッチング装
置は、図5(A),(B)に例示したような構成を前提
としており、電源の電圧自体が立ち上がったことを検出
して、トランジスタの出力端子間に負荷を介して電源か
らの電圧が印加されたことを検出するようにしている。
尚、図5(A),(B)においては、抵抗器107及び
フォトカプラ109と、抵抗器127及びフォトカプラ
129とが、夫々、駆動制御手段に対応するものであ
る。
That is, the switching device according to the second aspect is premised on the configuration as illustrated in FIGS. 5A and 5B, and detects that the voltage of the power supply itself has risen to detect the transistor. It is configured to detect that a voltage from the power supply is applied between the output terminals via the load.
5A and 5B, the resistor 107 and the photocoupler 109 and the resistor 127 and the photocoupler 129 correspond to the drive control means, respectively.

【0034】そして、このように構成しても、電源が投
入されてトランジスタの出力端子間に急峻に立ち上がる
電圧が印加された場合には、電圧制御手段によってトラ
ンジスタの駆動端子がオフする電圧レベルに所定時間だ
け保持されるため、フラッシュオン現象の発生を防止す
ることができる。
Even with such a configuration, when the power is turned on and a voltage that sharply rises is applied between the output terminals of the transistor, the voltage control means sets the voltage level at which the drive terminal of the transistor is turned off. Since it is held for a predetermined time, it is possible to prevent the occurrence of the flash-on phenomenon.

【0035】また、請求項2に記載のスイッチング装置
によれば、電源に高周波ノイズが乗った場合にも、電圧
印加検出手段によって電源の立ち上がりが検出され、こ
の結果、電圧制御手段によってトランジスタが強制的に
オフされることとなる。よって、電源に乗った高周波ノ
イズによってトランジスタの出力端子間に急峻な電圧の
立ち上がりが印加され、これによりフラッシュオン現象
が発生してしまう、といった不具合をも防止することが
できる。
According to the switching device of the second aspect, the rising of the power supply is detected by the voltage application detecting means even when high frequency noise is applied to the power supply, and as a result, the voltage control means forces the transistor to operate. Will be turned off. Therefore, it is possible to prevent a problem in which a sharp voltage rise is applied between the output terminals of the transistor due to high-frequency noise on the power supply, which causes a flash-on phenomenon.

【0036】一方、請求項3に記載のスイッチング装置
では、請求項1に記載のスイッチング装置において、電
圧印加検出手段が、トランジスタにおける2つの出力端
子間での電圧の立ち上がりから、トランジスタの出力端
子間に負荷を介して電源からの電圧が印加されたことを
検出するようにしている。
On the other hand, in the switching device according to a third aspect, in the switching device according to the first aspect, the voltage application detecting means detects the rising of the voltage between the two output terminals of the transistor from the output terminal of the transistor to the output terminal of the transistor. The voltage applied from the power supply is detected via the load.

【0037】そして、このような請求項3に記載のスイ
ッチング装置によれば、トランジスタの出力端子間だけ
に急峻に立ち上がる電圧が印加された場合でも、フラッ
シュオン現象を防止することができる。つまり、上述し
た請求項2に記載のスイッチング装置では、電源電圧の
立ち上がりを検出するようにしているため、電源の電圧
が安定した状態でトランジスタの出力端子間だけに電圧
の立ち上がりが発生した場合には、フラッシュオン現象
が発生してしまう可能性がある。これに対して、請求項
3に記載のスイッチング装置では、トランジスタの出力
端子間での電圧の立ち上がりを直接検出するようにして
いるため、電源の投入時や高周波ノイズの発生等、トラ
ンジスタの出力端子間に印加されるあらゆる電圧の立ち
上がりに対して、電圧制御手段を作動させることがで
き、延いては、あらゆるケースのフラッシュオン現象を
確実に防止することができる。
According to the switching device of the third aspect, the flash-on phenomenon can be prevented even when a voltage that sharply rises is applied only between the output terminals of the transistor. That is, in the switching device according to the above-mentioned claim 2, since the rising of the power supply voltage is detected, when the rising of the voltage occurs only between the output terminals of the transistor in the state where the voltage of the power supply is stable. May cause the flash-on phenomenon. On the other hand, in the switching device according to the third aspect, the rise of the voltage between the output terminals of the transistor is directly detected. Therefore, when the power is turned on or high-frequency noise is generated, the output terminal of the transistor is output. The voltage control means can be operated with respect to the rise of any voltage applied in the meantime, and as a result, the flash-on phenomenon in all cases can be surely prevented.

【0038】そして更に、請求項3に記載のスイッチン
グ装置によれば、トランジスタのオフ遅延時間をも短縮
することができる。つまり、上述したようにオフ遅延時
間は、トランジスタがオン状態からオフ状態へ変化を開
始した時に、出力端子間の電位差が大きくなって両端子
間に電圧の立ち上がり変化が発生し、これによりフラッ
シュオンと同様の現象が発生することに起因している。
Further, according to the switching device of the third aspect, the off delay time of the transistor can be shortened. That is, as described above, when the transistor starts to change from the ON state to the OFF state, the potential difference between the output terminals becomes large and the rising edge of the voltage occurs between the two terminals, which causes the flash ON time. This is due to the occurrence of the same phenomenon as.

【0039】ここで、請求項3に記載のスイッチング装
置によれば、上述のように、トランジスタの出力端子間
に印加されるあらゆる電圧の立ち上がりに対して、電圧
制御手段を作動させることができるため、トランジスタ
がオン状態からオフ状態へ変化を開始して出力端子間に
電圧の立ち上がり変化が発生すると、これが電圧印加検
出手段によって検出され、電圧制御手段の作動によって
トランジスタが強制的にオフされる。つまり、オフ遅延
時間のうち、「発明が解決しようとする課題」の項で述
べた時間T2が短縮され、これによりトランジスタを素
早くオフさせることができるのである。
Here, according to the switching device of the third aspect, as described above, the voltage control means can be operated for every rise of the voltage applied between the output terminals of the transistor. When the transistor starts changing from the on state to the off state and a rising change of the voltage occurs between the output terminals, this is detected by the voltage application detecting means, and the transistor is forcibly turned off by the operation of the voltage control means. That is, of the off delay times, the time T2 described in the section "Problems to be solved by the invention" is shortened, whereby the transistor can be turned off quickly.

【0040】そして、請求項3に記載のスイッチング装
置によれば、このようにオフ遅延時間を短縮することが
できるため、スイッチング動作の高速化が可能となり、
しかも、トランジスタがリニアにオン状態となっている
時間(上述したT2)を短縮することができるので、ト
ランジスタのスイッチング損失を低減することができ
る。
According to the switching device of the third aspect, since the OFF delay time can be shortened in this way, the switching operation can be speeded up.
Moreover, since the time during which the transistor is linearly turned on (T2 described above) can be shortened, the switching loss of the transistor can be reduced.

【0041】次に、請求項4に記載のスイッチング装置
では、請求項2又は請求項3に記載のスイッチング装置
において、電圧印加検出手段が、コンデンサと抵抗器と
を直列に接続してなる微分回路によって構成され、電圧
制御手段が、そのコンデンサの充電電流が所定値以上で
あるときに前記トランジスタの駆動端子を2つの出力端
子のうちエミッタ又はソースに短絡させる第2のトラン
ジスタによって構成されている。
Next, in the switching device according to the fourth aspect, in the switching device according to the second or third aspect, the voltage application detection means is a differentiation circuit formed by connecting a capacitor and a resistor in series. The voltage control means is constituted by a second transistor that short-circuits the drive terminal of the transistor to the emitter or the source of the two output terminals when the charging current of the capacitor is equal to or higher than a predetermined value.

【0042】つまり、請求項4に記載のスイッチング装
置では、請求項2に記載のスイッチング装置の場合では
電源の両端に、また、請求項3に記載のスイッチング装
置の場合ではトランジスタの出力端子間に、コンデンサ
と抵抗器からなる微分回路を接続するようにしている。
That is, in the switching device according to claim 4, in the case of the switching device according to claim 2, between both ends of the power source, and in the case of the switching device according to claim 3, between the output terminals of the transistors. , A differentiating circuit consisting of a capacitor and a resistor is connected.

【0043】そして、電源の両端又はトランジスタの出
力端子間に電圧の立ち上がりが発生すると、微分回路の
コンデンサは抵抗器との間で決まる所定の時定数で充電
されるため、請求項4に記載のスイッチング装置では、
コンデンサの充電電流が所定値以上であるときに、第2
のトランジスタによって出力用トランジスタの駆動端子
をエミッタ又はコレクタに短絡させ、これによって出力
用トランジスタを強制的にオフさせるようにしている。
When a voltage rise occurs between both ends of the power source or between the output terminals of the transistor, the capacitor of the differentiating circuit is charged with a predetermined time constant determined between the resistor and the capacitor. In switching devices,
When the charging current of the capacitor is more than a predetermined value, the second
With this transistor, the drive terminal of the output transistor is short-circuited to the emitter or collector, whereby the output transistor is forcibly turned off.

【0044】このように、請求項4に記載のスイッチン
グ装置によれば、簡単な構成によって、電圧の立ち上が
りを検出することができ、そして出力用トランジスタを
強制的にオフさせることができる。
As described above, according to the switching device of the fourth aspect, the rise of the voltage can be detected and the output transistor can be forcibly turned off with a simple structure.

【0045】[0045]

【実施例】以下に本発明の実施例について、図面を参照
して説明する。まず、図1は、第1実施例のプログラマ
ブルコントローラの出力回路1を表す回路図である。
尚、この出力回路1は、図5(C)に示した独立出力型
の従来の出力回路141に本発明を適用したものであ
り、図1において、図5(C)と同一の部材については
同一の符号を付している。そして、出力回路1の基本的
構成及びその動作については、図5(C)に示した出力
回路141と同一であるため詳細な説明は省略し、以
下、構成及び作用の相違点を中心に説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. First, FIG. 1 is a circuit diagram showing an output circuit 1 of the programmable controller according to the first embodiment.
The output circuit 1 is obtained by applying the present invention to the conventional output circuit 141 of the independent output type shown in FIG. 5C. In FIG. 1, the same members as those in FIG. The same reference numerals are attached. Since the basic configuration and operation of the output circuit 1 are the same as those of the output circuit 141 shown in FIG. 5C, detailed description thereof will be omitted, and the following description will focus on the differences in configuration and operation. To do.

【0046】図1に示すように、第1実施例の出力回路
1は、図5(C)に示した出力回路141に対して、更
に、FET145のゲートにコレクタが接続されると共
にFET145のソースにエミッタが接続された、第2
のトランジスタとしてのNPN形トランジスタ(以下、
単にトランジスタという)3と、トランジスタ3のベー
スに一端が接続された抵抗器5と、抵抗器5のトランジ
スタ3とは反対側に一端が接続されると共に他端がFE
T145のドレインに接続されたコンデンサ7と、トラ
ンジスタ3のベースとエミッタ間に接続された抵抗器9
と、を追加して備えている。
As shown in FIG. 1, the output circuit 1 of the first embodiment is different from the output circuit 141 shown in FIG. 5C in that the collector of the FET 145 is connected to the gate of the FET 145 and the source of the FET 145 is connected. The emitter is connected to the second
NPN-type transistor (hereinafter,
3), a resistor 5 having one end connected to the base of the transistor 3, one end connected to the opposite side of the resistor 5 from the transistor 3 and the other end FE
A capacitor 7 connected to the drain of T145 and a resistor 9 connected between the base and emitter of the transistor 3.
And, are added and equipped.

【0047】尚、本第1実施例の出力回路1において
は、フォトボルカプラ149及び抵抗器147が駆動制
御手段に対応しており、コンデンサ7と抵抗器5,9か
らなる微分回路が電圧印加検出手段に対応しており、ト
ランジスタ3が電圧制御手段に対応している。
In the output circuit 1 of the first embodiment, the photovol coupler 149 and the resistor 147 correspond to the drive control means, and the differentiation circuit including the capacitor 7 and the resistors 5 and 9 applies the voltage. It corresponds to the detection means, and the transistor 3 corresponds to the voltage control means.

【0048】そして、このように構成された出力回路1
では、電源VDを投入した状態で被制御装置143を接
続するか、或いは被制御装置143を接続した状態で電
源VDを投入すると、FET145のドレイン−ソース
間に、急峻に立ち上がる電圧が印加される。
Then, the output circuit 1 thus constructed
Then, when the controlled device 143 is connected with the power supply VD turned on, or when the power supply VD is turned on with the controlled device 143 connected, a steeply rising voltage is applied between the drain and source of the FET 145. .

【0049】すると、図5(C)に示したようにゲート
−ドレイン間の接合容量Cgdにはドレインからゲート方
向の充電電流が流れることとなるが、本実施例の出力回
路1では、これと同時に、コンデンサ7及び抵抗器5,
9からなる微分回路にも電流I1が流れ、この電流I1
(即ちコンデンサ7の充電電流)がベース電流の一部と
なってトランジスタ3がオンする。
Then, as shown in FIG. 5C, a charging current in the gate direction flows from the drain to the junction capacitance Cgd between the gate and the drain. In the output circuit 1 of the present embodiment, however, At the same time, the capacitor 7 and the resistor 5,
The current I1 also flows through the differentiation circuit composed of 9 and this current I1
(That is, the charging current of the capacitor 7) becomes a part of the base current, and the transistor 3 is turned on.

【0050】よって、このときゲート−ドレイン間の接
合容量Cgdに流れる電流は、抵抗器147へ流れること
なく、トランジスタ3のコレクタ−エミッタ間電流I2
としてFET145のソース側へ直接流れることとな
り、FET145のゲート−ソース間に電位差が生じる
ことが防止される。
Therefore, at this time, the current flowing through the gate-drain junction capacitance Cgd does not flow into the resistor 147, and the collector-emitter current I2 of the transistor 3 is reached.
As a result, it directly flows to the source side of the FET 145, which prevents a potential difference between the gate and the source of the FET 145.

【0051】そして、コンデンサ7の充電が進んで電流
I1が所定値以下に減少すると、トランジスタ3はオフ
することとなるが、この時既に、FET145の接合容
量Cgdは十分に充電されており、もはや電流が流れるこ
とのない状態になっている。このように、本実施例の出
力回路1によれば、上記のような電源投入時にFET1
45が瞬間的にオンしてしまう現象、即ちフラッシュオ
ン現象を、トランジスタ3とコンデンサ7及び抵抗器
5,9を設けるだけで防止することができ、しかも、追
加して設けるトランジスタ3は、出力検出部Lに流すべ
き通電電流の大きさに関わらず小さな通電能力のもので
よい。
Then, when the charging of the capacitor 7 progresses and the current I1 decreases below a predetermined value, the transistor 3 is turned off. At this time, the junction capacitance Cgd of the FET 145 has already been sufficiently charged and is no longer present. The current is not flowing. Thus, according to the output circuit 1 of this embodiment, the FET 1 is turned on when the power is turned on as described above.
The phenomenon in which 45 is momentarily turned on, that is, the flash-on phenomenon, can be prevented only by providing the transistor 3, the capacitor 7 and the resistors 5 and 9, and the additionally provided transistor 3 detects the output. It may have a small energizing ability regardless of the magnitude of the energizing current to be passed through the portion L.

【0052】また、本実施例の出力回路1によれば、高
周波ノイズによってFET145のドレイン−ソース間
に急峻な電圧の立ち上がりが印加された場合も、同様の
動作で誤動作を防止することができる。次に、当該出力
回路1が通常作動されており、FET145がオン状態
からオフされる場合の動作について説明する。
Further, according to the output circuit 1 of the present embodiment, even when a steep rise of the voltage is applied between the drain and the source of the FET 145 due to high frequency noise, a similar operation can prevent a malfunction. Next, the operation when the output circuit 1 is normally operated and the FET 145 is turned off from the on state will be described.

【0053】まず、内部回路151がLED149bの
発光を停止し、フォトダイオードアレイ149aでの電
圧発生を停止させると、FET145のゲート−ソース
間の接合容量Cgsとゲート−ドレイン間の接合容量Cgd
とが抵抗器147を介して放電される(図7参照)。そ
して、FET145のゲート−ソース間電圧が所定のオ
フ電圧にまで低下すると、FET145がオン状態から
オフ状態へ変化を開始し、ドレイン−ソース間に電圧の
立ち上がり変化が発生する。
First, when the internal circuit 151 stops the light emission of the LED 149b and stops the voltage generation in the photodiode array 149a, the gate-source junction capacitance Cgs and the gate-drain junction capacitance Cgd of the FET 145 are stopped.
And are discharged through the resistor 147 (see FIG. 7). Then, when the gate-source voltage of the FET 145 drops to a predetermined off voltage, the FET 145 starts changing from the on state to the off state, and a rising change of the voltage occurs between the drain and the source.

【0054】すると、この場合にも、既述したようにゲ
ート−ドレイン間の接合容量Cgdにはドレインからゲー
ト方向の充電電流が流れることとなるが、本実施例の出
力回路1では、これと同時に、コンデンサ7及び抵抗器
5,9からなる微分回路にも電流I1が流れ、その電流
I1によってトランジスタ3がオンする。
Then, also in this case, as described above, the charging current in the gate direction flows from the drain to the junction capacitance Cgd between the gate and the drain. However, in the output circuit 1 of the present embodiment, this occurs. At the same time, the current I1 also flows through the differentiation circuit including the capacitor 7 and the resistors 5 and 9, and the transistor 3 is turned on by the current I1.

【0055】よって、この場合も、ゲート−ドレイン間
の接合容量Cgdに流れる電流は、抵抗器147へ流れる
ことなく、トランジスタ3のコレクタ−エミッタ間電流
I2としてFET145のソース側へ流れ、また、FE
T145のゲート−ソース間の接合容量Cgsに充電され
ていた電荷もトランジスタ3を介して急速に放電される
こととなり、FET145が瞬時にオフ状態となる。そ
して、コンデンサ7の充電が進んで電流I1が所定値以
下に減少すると、トランジスタ3はオフすることとなる
が、この時既に、FET145の接合容量Cgdは十分に
充電され、且つ、FET145の接合容量Cgsは十分に
放電された状態になっている。
Therefore, also in this case, the current flowing through the junction capacitance Cgd between the gate and drain does not flow through the resistor 147, but flows as the collector-emitter current I2 of the transistor 3 toward the source side of the FET 145, and FE
The charge stored in the gate-source junction capacitance Cgs of T145 is also rapidly discharged through the transistor 3, and the FET 145 is instantly turned off. Then, when the charging of the capacitor 7 progresses and the current I1 decreases below a predetermined value, the transistor 3 is turned off. At this time, the junction capacitance Cgd of the FET 145 is already sufficiently charged, and the junction capacitance of the FET 145 is already present. Cgs is fully discharged.

【0056】即ち、本第1実施例の出力回路1によれ
ば、FET145がオフする際にゲート−ドレイン間の
接合容量Cgdが充電されて接合容量Cgsの放電が妨げら
れている時間T2が短縮されることとなり、これによっ
てFET145のオフ遅延時間が短縮される。
That is, according to the output circuit 1 of the first embodiment, the time T2 during which the junction capacitance Cgd between the gate and the drain is charged and the discharge of the junction capacitance Cgs is prevented when the FET 145 is turned off is shortened. As a result, the off delay time of the FET 145 is shortened.

【0057】このように、本実施例の出力回路1によれ
ば、FET145のフラッシュオン現象を簡単な構成で
防止することができる上に、オフ遅延時間をも短縮する
ことができる。そして、これによりFET145のスイ
ッチング動作を高速化することができ、しかも、FET
145がリニアにオン状態となっている時間(上記T
2)を短縮することができるため、FET145のスイ
ッチング損失を低減することができる。
As described above, according to the output circuit 1 of this embodiment, the flash-on phenomenon of the FET 145 can be prevented with a simple structure, and the off-delay time can be shortened. As a result, the switching operation of the FET 145 can be speeded up and
The time during which the 145 is linearly turned on (the above T
Since 2) can be shortened, the switching loss of the FET 145 can be reduced.

【0058】次に、図2は、第2実施例のプログラマブ
ルコントローラの出力回路11を表す回路図である。
尚、この出力回路11は、図5(A)に示したソース出
力型の従来の出力回路101に本発明を適用したもので
あり、図2において、図5(A)と同一の部材について
は同一の符号を付している。そして、出力回路11の基
本的構成及びその動作については、図5(A)に示した
出力回路101と同一であるため詳細な説明は省略し、
以下、構成及び作用の相違点を中心に説明する。
Next, FIG. 2 is a circuit diagram showing the output circuit 11 of the programmable controller of the second embodiment.
The output circuit 11 is obtained by applying the present invention to the conventional output circuit 101 of the source output type shown in FIG. 5A. In FIG. 2, the same members as those in FIG. The same reference numerals are attached. Since the basic configuration and operation of the output circuit 11 are the same as those of the output circuit 101 shown in FIG. 5A, detailed description thereof will be omitted.
The difference between the configuration and the operation will be mainly described below.

【0059】図2に示すように、第2実施例の出力回路
11は、図5(A)に示した出力回路101に対して、
更に、FET105のゲートにコレクタが接続されると
共にFET105のソースにエミッタが接続された、第
2のトランジスタとしてのPNP形トランジスタ(以
下、単にトランジスタという)13と、トランジスタ1
3のベースに一端が接続された抵抗器15と、抵抗器1
5のトランジスタ13とは反対側に一端が接続されると
共に他端がFET105のドレインに接続されたコンデ
ンサ17と、トランジスタ13のベースとエミッタ間に
接続された抵抗器19と、を追加して備えている。
As shown in FIG. 2, the output circuit 11 of the second embodiment is different from the output circuit 101 shown in FIG.
Further, a PNP-type transistor (hereinafter simply referred to as transistor) 13 as a second transistor having a collector connected to the gate of the FET 105 and an emitter connected to the source of the FET 105, and the transistor 1
Resistor 15 having one end connected to the base of resistor 3 and resistor 1
5, a capacitor 17 having one end connected to the side opposite to the transistor 13 and the other end connected to the drain of the FET 105, and a resistor 19 connected between the base and the emitter of the transistor 13 are additionally provided. ing.

【0060】尚、本第2実施例の出力回路11において
は、フォトカプラ109及び抵抗器107が駆動制御手
段に対応しており、コンデンサ17と抵抗器15,19
からなる微分回路が電圧印加検出手段に対応しており、
トランジスタ13が電圧制御手段に対応している。
In the output circuit 11 of the second embodiment, the photo coupler 109 and the resistor 107 correspond to the drive control means, and the capacitor 17 and the resistors 15 and 19 are provided.
The differential circuit consisting of corresponds to the voltage application detection means,
The transistor 13 corresponds to the voltage control means.

【0061】そして、このように構成された出力回路1
1でも、電源VDを投入した状態で被制御装置103を
接続するか、或いは被制御装置103を接続した状態で
電源VDを投入すると、FET105のソース−ドレイ
ン間に、急峻に立ち上がる電圧が印加される。
Then, the output circuit 1 thus constructed
Even in No. 1, when the controlled device 103 is connected with the power supply VD turned on, or when the power supply VD is turned on with the controlled device 103 connected, a voltage that sharply rises is applied between the source and drain of the FET 105. It

【0062】すると、図5(A)に示したようにゲート
−ドレイン間の接合容量Cgdにはゲートからドレイン方
向の充電電流が流れることとなるが、本実施例の出力回
路11では、これと同時に、コンデンサ17及び抵抗器
15,19からなる微分回路にも電流I3が流れ、この
電流I3(即ちコンデンサ17の充電電流)がベース電
流の一部となってトランジスタ13がオンする。
Then, as shown in FIG. 5A, a charging current in the direction from the gate to the drain flows in the junction capacitance Cgd between the gate and the drain, which is the same in the output circuit 11 of the present embodiment. At the same time, the current I3 also flows through the differentiation circuit composed of the capacitor 17 and the resistors 15 and 19, and this current I3 (that is, the charging current of the capacitor 17) becomes a part of the base current to turn on the transistor 13.

【0063】よって、このときゲート−ドレイン間の接
合容量Cgdへは、抵抗器107からではなく、トランジ
スタ13のエミッタ−コレクタ間電流I4が流れること
となり、FET105のゲート−ソース間に電位差が生
じることが防止される。そして、コンデンサ17の充電
が進んで電流I3が所定値以下に減少すると、トランジ
スタ13はオフすることとなるが、この時既に、FET
105の接合容量Cgdは十分に充電されており、もはや
電流が流れることのない状態になっている。
Therefore, at this time, the current I4 between the emitter and collector of the transistor 13 flows to the junction capacitance Cgd between the gate and drain, not from the resistor 107, and a potential difference occurs between the gate and source of the FET 105. Is prevented. Then, when the charging of the capacitor 17 progresses and the current I3 decreases to a predetermined value or less, the transistor 13 is turned off.
The junction capacitance Cgd of 105 is sufficiently charged and no current flows anymore.

【0064】このように、本第2実施例の出力回路11
によっても、電源投入時のフラッシュオン現象を、トラ
ンジスタ13とコンデンサ17及び抵抗器15,19を
設けるだけで防止することができ、しかも、トランジス
タ13は、出力検出部Lに流すべき通電電流の大きさに
関わらず小さな通電能力のものでよい。
As described above, the output circuit 11 of the second embodiment.
Also, the flash-on phenomenon at the time of power-on can be prevented only by providing the transistor 13, the capacitor 17, and the resistors 15 and 19, and the transistor 13 has a large energizing current to be passed to the output detection unit L. Regardless of size, it may have a small energizing capacity.

【0065】次に、当該出力回路11が通常作動されて
おり、FET105がオン状態からオフされる場合の動
作について説明する。まず、内部回路111がLED1
09bの発光を停止し、フォトトランジスタ109aの
駆動を停止させると、FET105のゲート−ソース間
の接合容量Cgsとゲート−ドレイン間の接合容量Cgdと
が抵抗器107を介して放電される。そして、FET1
05のゲート電圧が上昇してゲート−ソース間電圧が所
定のオフ電圧に達すると、FET105がオン状態から
オフ状態へ変化を開始し、ドレイン−ソース間に電圧の
立ち上がり変化が発生する。
Next, the operation when the output circuit 11 is normally operated and the FET 105 is turned off from the on state will be described. First, the internal circuit 111 is the LED 1
When the light emission of 09b is stopped and the driving of the phototransistor 109a is stopped, the gate-source junction capacitance Cgs and the gate-drain junction capacitance Cgd of the FET 105 are discharged via the resistor 107. And FET1
When the gate voltage of 05 rises and the gate-source voltage reaches a predetermined off-voltage, the FET 105 starts changing from the on-state to the off-state, and a rising change of the voltage occurs between the drain-source.

【0066】すると、この場合にも、ゲート−ドレイン
間の接合容量Cgdにはゲートからドレイン方向の充電電
流が流れることとなるが、本実施例の出力回路11で
は、これと同時に、コンデンサ17及び抵抗器15,1
9からなる微分回路にも電流I3が流れ、その電流I3
によってトランジスタ13がオンする。
Then, also in this case, the charging current in the direction from the gate to the drain flows through the junction capacitance Cgd between the gate and the drain. In the output circuit 11 of this embodiment, at the same time, the capacitor 17 and Resistors 15,1
The current I3 also flows through the differentiation circuit composed of 9 and the current I3
This turns on the transistor 13.

【0067】よって、この場合も、ゲート−ドレイン間
の接合容量Cgdへは、抵抗器107からではなく、トラ
ンジスタ13のエミッタ−コレクタ間電流I4が流れる
こととなり、また、FET105のゲート−ソース間の
接合容量Cgsに充電されていた電荷もトランジスタ13
を介して急速に放電されることとなり、FET145が
瞬時にオフ状態となる。そして、コンデンサ17の充電
が進んで電流I3が所定値以下に減少すると、トランジ
スタ13はオフすることとなるが、この時既に、FET
105の接合容量Cgdは十分に充電され、且つ接合容量
Cgsは十分に放電された状態になっている。即ち、本第
2実施例の出力回路11によっても、FET105のオ
フ遅延時間が短縮される。
Therefore, in this case as well, the current I4 between the emitter and collector of the transistor 13 flows to the junction capacitance Cgd between the gate and the drain, not from the resistor 107, and between the gate and the source of the FET 105. The charge stored in the junction capacitance Cgs is also transferred to the transistor 13
Therefore, the FET 145 is instantly turned off. Then, when the charging of the capacitor 17 progresses and the current I3 decreases to a predetermined value or less, the transistor 13 is turned off.
The junction capacitance Cgd of 105 is fully charged and the junction capacitance Cgs is sufficiently discharged. That is, the off delay time of the FET 105 is shortened also by the output circuit 11 of the second embodiment.

【0068】このように、本第2実施例の出力回路11
によっても、FET105のフラッシュオン現象を簡単
な構成で防止することができる上に、オフ遅延時間をも
短縮することができ、スイッチング動作の高速化と、ス
イッチング損失の低減を実現することができる。
As described above, the output circuit 11 of the second embodiment.
Also, the flash-on phenomenon of the FET 105 can be prevented with a simple configuration, the off delay time can be shortened, and the switching operation can be speeded up and the switching loss can be reduced.

【0069】次に、図3は、第3実施例のプログラマブ
ルコントローラの出力回路21を表す回路図である。
尚、この出力回路21は、図5(B)に示したシンク出
力型の従来の出力回路121に本発明を適用したもので
あり、図3において、図5(B)と同一の部材について
は同一の符号を付している。そして、出力回路21の基
本的構成及びその動作については、図5(B)に示した
出力回路121と同一であるため詳細な説明は省略し、
以下、構成及び作用の相違点を中心に説明する。
Next, FIG. 3 is a circuit diagram showing the output circuit 21 of the programmable controller of the third embodiment.
The output circuit 21 is obtained by applying the present invention to the conventional output circuit 121 of the sink output type shown in FIG. 5B. In FIG. 3, the same members as those in FIG. The same reference numerals are attached. Since the basic configuration and operation of the output circuit 21 are the same as those of the output circuit 121 shown in FIG. 5B, detailed description thereof will be omitted.
The difference between the configuration and the operation will be mainly described below.

【0070】図3に示すように、第3実施例の出力回路
21は、図5(B)に示した出力回路121に対して、
更に、FET125のゲートにコレクタが接続されると
共にFET125のソースにエミッタが接続された、第
2のトランジスタとしてのNPN形トランジスタ(以
下、単にトランジスタという)23と、トランジスタ2
3のベースに一端が接続された抵抗器25と、抵抗器2
5のトランジスタ23とは反対側に一端が接続されると
共に他端がFET125のドレインに接続されたコンデ
ンサ27と、トランジスタ23のベースとエミッタ間に
接続された抵抗器29と、を追加して備えている。
As shown in FIG. 3, the output circuit 21 of the third embodiment is different from the output circuit 121 shown in FIG.
Further, an NPN-type transistor (hereinafter simply referred to as transistor) 23 as a second transistor having a collector connected to the gate of the FET 125 and an emitter connected to the source of the FET 125, and the transistor 2
Resistor 25, one end of which is connected to the base of resistor 3, and resistor 2
5, a capacitor 27 having one end connected to the side opposite to the transistor 23 and the other end connected to the drain of the FET 125, and a resistor 29 connected between the base and the emitter of the transistor 23 are additionally provided. ing.

【0071】尚、本第3実施例の出力回路31において
は、フォトカプラ129及び抵抗器127が駆動制御手
段に対応しており、コンデンサ27と抵抗器25,29
からなる微分回路が電圧印加検出手段に対応しており、
トランジスタ23が電圧制御手段に対応している。
In the output circuit 31 of the third embodiment, the photo coupler 129 and the resistor 127 correspond to the drive control means, and the capacitor 27 and the resistors 25 and 29 are used.
The differential circuit consisting of corresponds to the voltage application detection means,
The transistor 23 corresponds to the voltage control means.

【0072】そして、このように構成された出力回路2
1の動作は、内部回路131がフォトカプラ129(及
び抵抗器127)によってFET125を駆動する点以
外は、第1実施例の出力回路1の動作と全く同一であ
る。そして、このような第3実施例の出力回路21によ
っても、トランジスタ23とコンデンサ27及び抵抗器
25,29を設けるといった簡単な構成で、FET14
5のフラッシュオン現象を防止することができる上に、
オフ遅延時間をも短縮することができる。
Then, the output circuit 2 configured as described above
The operation of No. 1 is exactly the same as that of the output circuit 1 of the first embodiment except that the internal circuit 131 drives the FET 125 by the photocoupler 129 (and the resistor 127). The output circuit 21 of the third embodiment also has a simple structure in which the transistor 23, the capacitor 27, and the resistors 25 and 29 are provided.
In addition to preventing the flash-on phenomenon of 5,
The off delay time can also be shortened.

【0073】ここで、上記各実施例の出力回路1,1
1,21は、FET145,105,125のドレイン
−ソース間に、コンデンサと抵抗器とを直列に接続して
なる微分回路を設け、その微分回路のコンデンサに流れ
る充電電流でトランジスタ3,13,23をオンさせる
ことにより、フラッシュオン現象の防止とオフ遅延時間
の短縮とを行うものであった。
Here, the output circuits 1 and 1 of the above embodiments
1, 21 are provided with a differentiating circuit formed by connecting a capacitor and a resistor in series between the drains and sources of the FETs 145, 105, 125, and the transistors 3, 13, 23 are charged with a charging current flowing through the capacitors of the differentiating circuit. By turning on, the flash on phenomenon is prevented and the off delay time is shortened.

【0074】これに対して、第2実施例の出力回路11
や第3実施例の出力回路21のように、被制御装置10
3,123に設けられた電源VDからの電圧を受けて、
FET105,125をスイッチング動作させるもので
あれば、図4(A),(B)に示すように、電源VDの
電圧が立ち上がったことを検出して、トランジスタ1
3,23をオンさせるようにしてもよい。
On the other hand, the output circuit 11 of the second embodiment.
Or the output circuit 21 of the third embodiment, the controlled device 10
When receiving the voltage from the power source VD provided at 3,123,
If the FETs 105 and 125 are to be switched, as shown in FIGS. 4A and 4B, it is detected that the voltage of the power supply VD has risen, and the transistor 1
You may make it turn on 3,23.

【0075】即ち、図4(A)に示す出力回路31は、
第2実施例の出力回路11に対して、コンデンサ17の
抵抗器15とは反対側を、FET105のドレインでは
なく、端子M側(電源VDのマイナス側)に接続するよ
うにしており、図4(B)に示す出力回路41は、第3
実施例の出力回路21に対して、コンデンサ27の抵抗
器25とは反対側を、FET125のドレインではな
く、端子P側(電源VDのプラス側)に接続するように
している。
That is, the output circuit 31 shown in FIG.
With respect to the output circuit 11 of the second embodiment, the side of the capacitor 17 opposite to the resistor 15 is connected not to the drain of the FET 105 but to the terminal M side (negative side of the power supply VD). The output circuit 41 shown in FIG.
With respect to the output circuit 21 of the embodiment, the side of the capacitor 27 opposite to the resistor 25 is connected not to the drain of the FET 125 but to the terminal P side (plus side of the power supply VD).

【0076】そして、図4(A),(B)のように構成
された出力回路31,41においても、電源VDの投入
時には、コンデンサ17と抵抗器15,19からなる微
分回路、及びコンデンサ27と抵抗器25,29からな
る微分回路に、所定時間だけ電流が流れてトランジスタ
13,23がオンするため、FET105,125のフ
ラッシュオン現象を防止することができる。
Also in the output circuits 31 and 41 configured as shown in FIGS. 4A and 4B, when the power source VD is turned on, the differentiation circuit including the capacitor 17 and the resistors 15 and 19, and the capacitor 27. Since a current flows through the differentiating circuit including the resistors 25 and 29 for a predetermined time to turn on the transistors 13 and 23, the flash-on phenomenon of the FETs 105 and 125 can be prevented.

【0077】尚、上記各実施例の出力回路1,11,2
1,31,41は、FETによって出力検出部Lの通電
及び非通電を切り換えるようにしたものであったが、F
ETに代えてバイポーラトランジスタやIGBTを用い
てもよい。また、上記各実施例の出力回路においては、
コンデンサと抵抗器からなる微分回路によって電圧の立
ち上がり変化を検出するようにし、これによって装置構
成を簡単にしたものであったが、例えば、電圧の立ち上
がり変化があった際に所定幅のパルス信号を出力するワ
ンショット回路を論理回路によって形成し、そのパルス
信号によってトランジスタ3,13,23をオンさせる
ようにしてもよい。
The output circuits 1, 11 and 2 of the above embodiments are
1, 31 and 41 are FETs for switching between energization and de-energization of the output detection unit L.
A bipolar transistor or an IGBT may be used instead of ET. In the output circuit of each of the above embodiments,
A differentiating circuit consisting of a capacitor and a resistor was used to detect changes in the rising edge of the voltage, which simplified the device configuration.For example, when there was a rising edge in the voltage, a pulse signal of a predetermined width was generated. The output one-shot circuit may be formed by a logic circuit, and the transistors 3, 13, 23 may be turned on by the pulse signal thereof.

【0078】また更に、上記各実施例では、FET10
5,125,145を強制的にオフさせるために、バイ
ポーラトランジスタ3,13,23を用いたが、それら
に代えてFETやIGBTを用いてもよい。一方、上記
各実施例は、本発明のスイッチング装置をプログラマブ
ルコントローラの出力回路に適用したものであったが、
本発明は、例えばランプやソレノイド等といった様々な
負荷をスイッチング駆動するための駆動回路に適用する
ことができる。
Furthermore, in each of the above embodiments, the FET 10
Although the bipolar transistors 3, 13 and 23 are used to forcibly turn off the transistors 5, 125 and 145, FETs or IGBTs may be used instead of them. On the other hand, in each of the above embodiments, the switching device of the present invention is applied to the output circuit of the programmable controller.
The present invention can be applied to a drive circuit for switching and driving various loads such as a lamp and a solenoid.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 第1実施例の出力回路を表す回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram showing an output circuit of a first embodiment.

【図2】 第2実施例の出力回路を表す回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram showing an output circuit of a second embodiment.

【図3】 第3実施例の出力回路を表す回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram showing an output circuit of a third embodiment.

【図4】 他の実施例の出力回路を表す回路図である。FIG. 4 is a circuit diagram showing an output circuit of another embodiment.

【図5】 本発明の前提となる技術及びフラッシュオン
現象を説明する説明図である。
FIG. 5 is an explanatory diagram illustrating a technique and a flash-on phenomenon which are the premise of the present invention.

【図6】 従来装置を説明する説明図である。FIG. 6 is an explanatory diagram illustrating a conventional device.

【図7】 トランジスタのオフ遅延時間を説明する説明
図である。
FIG. 7 is an explanatory diagram illustrating an off delay time of a transistor.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,11,21,31,41…出力回路 3,13,
23…トランジスタ 5,9,15,19,25,29,107,127,1
47…抵抗器 7,17,27…コンデンサ 103,123,14
3…被制御装置 105,125,145…FET 109,129…
フォトカプラ 111,131,151…内部回路 149…フォト
ボルカプラ L…出力検出部 VD…電源
1, 11, 21, 31, 41 ... Output circuit 3, 13,
23 ... Transistors 5, 9, 15, 19, 25, 29, 107, 127, 1
47 ... Resistors 7, 17, 27 ... Capacitors 103, 123, 14
3 ... Controlled device 105, 125, 145 ... FET 109, 129 ...
Photocoupler 111, 131, 151 ... Internal circuit 149 ... Photobol coupler L ... Output detection unit VD ... Power supply

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 デニス エム ライト アメリカ合衆国 オハイオ州 44143− 2195 ハイランドハイツ アルファドライ ブ747 アレン−ブラッドリィカンパニー 内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Dennis M Wright, Ohio, USA 44143-2195 Highland Heights Alpha Drive 747 Allen-Bradley Company

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 電源から所定の負荷へ電流を供給するた
めの電流経路に、コレクタとエミッタ又はドレインとソ
ースからなる2つの出力端子が直列に接続されたトラン
ジスタと、 該トランジスタのベース又はゲートからなる駆動端子に
電流又は電圧を供給して、該トランジスタをスイッチン
グ動作させることにより、前記負荷への通電及び非通電
を制御する駆動制御手段と、 を備えたスイッチング装置において、 前記トランジスタの前記2つの出力端子間に前記負荷を
介して前記電源からの電圧が印加されたか否かを検出す
る電圧印加検出手段と、 該電圧印加検出手段により前記電圧の印加が検出される
と、前記駆動端子の電圧を前記トランジスタがオフする
電圧レベルに所定時間だけ強制的に保持する電圧制御手
段と、 を備えたことを特徴とするスイッチング装置。
1. A transistor in which two output terminals consisting of a collector and an emitter or a drain and a source are connected in series to a current path for supplying a current from a power source to a predetermined load, and a base or a gate of the transistor. Drive control means for controlling the energization and de-energization of the load by supplying a current or a voltage to the drive terminal to cause the transistor to perform a switching operation, and a switching device comprising: A voltage application detecting means for detecting whether or not a voltage from the power source is applied between the output terminals via the load; and a voltage at the drive terminal when the voltage application detecting means detects the application of the voltage. Voltage control means for forcibly holding the voltage at a voltage level at which the transistor is turned off for a predetermined time. The switching device according to.
【請求項2】 請求項1に記載のスイッチング装置にお
いて、 前記駆動制御手段は、前記電源からの電圧を受けて前記
トランジスタをスイッチング動作させるものであり、 前記電圧印加検出手段が、前記駆動制御手段に供給され
る電圧の立ち上がりから前記電圧の印加を検出するこ
と、 を特徴とするスイッチング装置。
2. The switching device according to claim 1, wherein the drive control means receives the voltage from the power supply and causes the transistor to perform a switching operation, and the voltage application detection means includes the drive control means. The application of the voltage is detected from the rise of the voltage supplied to the switching device.
【請求項3】 請求項1に記載のスイッチング装置にお
いて、 前記電圧印加検出手段が、前記トランジスタにおける前
記2つの出力端子間での電圧の立ち上がりから前記電圧
の印加を検出すること、 を特徴とするスイッチング装置。
3. The switching device according to claim 1, wherein the voltage application detection unit detects application of the voltage from a rise of a voltage between the two output terminals of the transistor. Switching device.
【請求項4】 請求項2又は請求項3に記載のスイッチ
ング装置において、 前記電圧印加検出手段が、コンデンサと抵抗器とを直列
に接続してなる微分回路であり、 前記電圧制御手段が、前記コンデンサの充電電流が所定
値以上であるときに前記トランジスタの駆動端子を前記
2つの出力端子のうちエミッタ又はソースに短絡させる
第2のトランジスタであること、 を特徴とするスイッチング装置。
4. The switching device according to claim 2 or 3, wherein the voltage application detection means is a differentiation circuit formed by connecting a capacitor and a resistor in series, and the voltage control means is the differential circuit. The switching device is a second transistor that short-circuits the drive terminal of the transistor to the emitter or the source of the two output terminals when the charging current of the capacitor is equal to or more than a predetermined value.
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