JPH08162648A - Manufacture of semiconductor device - Google Patents

Manufacture of semiconductor device

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JPH08162648A
JPH08162648A JP6300677A JP30067794A JPH08162648A JP H08162648 A JPH08162648 A JP H08162648A JP 6300677 A JP6300677 A JP 6300677A JP 30067794 A JP30067794 A JP 30067794A JP H08162648 A JPH08162648 A JP H08162648A
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JP
Japan
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junction
semiconductor device
region
acceptor
manufacturing
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JP6300677A
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Japanese (ja)
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Eiji Ikeda
英治 池田
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Original Assignee
Japan Energy Corp
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    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Abstract

PURPOSE: To provide a manufacturing method of a semiconductor device, which enables satisfactory increase in carrier density near a PN-junction plane of a III-V compound semiconductor, and which particularly provides satisfactory tunnel junction property. CONSTITUTION: In a manufacturing method of a semiconductor device for forming PN-junction of a III-V compound semiconductor layer by vapor phase growth, a first region of a predetermined thickness is doped with either one of first or second impurities as an acceptor or donor. A second region of a predetermined thickness is doped with the other one of the first or second impurities from near the center part in the thickness of the first region, so that the density of the donor is higher than that of the acceptor. Thus, PN- junction is formed.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、ＧａＡｓなどのＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体において高濃度のＰ型領域及びＮ型
領域から成るＰＮ接合を形成する半導体装置の製造方法
に関し、特に太陽電池セルが積層されたダンデム型太陽
電池のセル間の接続に用いられるトンネル接合を形成す
る半導体装置の製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to III, such as GaAs.
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device that forms a PN junction composed of a high concentration P-type region and an N-type region in a group V compound semiconductor, and is particularly used for connection between cells of a tandem solar cell in which solar cells are stacked. The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device that forms a tunnel junction.

【０００２】[0002]

【従来の技術】高効率の太陽電池として、ＧａＡｓなど
のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた太陽電池セルを積
層したタンデム型太陽電池が注目されている。特に単純
な接続構造として、２端子タンデム型太陽電池が知られ
ている。これは、光入射面側のトップセルと、このトッ
プセルよりもバンドギャップの狭い半導体からなるボト
ムセルとが積層されており、トップセルの入射面側の表
面電極とボトムセルの入射面側と逆側の裏面電極との２
端子から、直列に接続されたセルの光起電力が出力され
る。2. Description of the Related Art As a highly efficient solar cell, a tandem type solar cell in which a solar cell using a III-V group compound semiconductor such as GaAs is stacked has attracted attention. A 2-terminal tandem solar cell is known as a particularly simple connection structure. This is a stack of a top cell on the light incident surface side and a bottom cell made of a semiconductor having a bandgap narrower than that of the top cell, and the surface electrode on the incident surface side of the top cell and the opposite side to the incident surface side of the bottom cell. 2 with the back electrode of
The terminals output the photovoltaic power of cells connected in series.

【０００３】このトップセルとボトムセルの間の接続
は、同一半導体基板上にエピタキシャル成長された半導
体層により２つセルが構成されている場合、高濃度のＰ
型半導体層及びＮ型半導体層からなるＰＮ接合によるト
ンネル接合により電気的に接続される。例えば、従来、
ＭＯＣＶＤなどの気相成長法によるＧａＡｓの高濃度の
ＰＮ接合は、Ｐ型層の上にＮ型層を積層する場合、ある
いはＮ型層の上にＰ型層を積層する場合があるが、例え
ば前者の場合では、高濃度にＺｎをドープしたＰ型層を
形成し、その上に高濃度にＳｉをドープしたＮ型層を順
次積層して形成していた。さらに、このトンネル接合部
分においてもトップセルを通過した入射光が吸収される
ため、この部分の厚さをできるだけ薄くすることが望ま
れている。The connection between the top cell and the bottom cell is such that when two cells are formed by semiconductor layers epitaxially grown on the same semiconductor substrate, a high concentration of P
Type semiconductor layers and N-type semiconductor layers are electrically connected by a PN junction tunnel junction. For example, conventionally
A high-concentration PN junction of GaAs by a vapor phase growth method such as MOCVD may have an N-type layer stacked on a P-type layer or a P-type layer stacked on an N-type layer. In the former case, a high-concentration Zn-doped P-type layer was formed, and then a high-concentration Si-doped N-type layer was sequentially laminated. Further, since the incident light that has passed through the top cell is also absorbed in this tunnel junction portion, it is desired to make this portion as thin as possible.

【０００４】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ＰＮ接合の形成方法では、トンネル接合の順方向ピーク
電流が比較的低いため、２端子積層型太陽電池などの半
導体装置の出力特性を十分に発揮することができないと
いう問題があった。However, in the conventional method for forming a PN junction, the forward peak current of the tunnel junction is relatively low, so that the output characteristics of a semiconductor device such as a two-terminal stacked solar cell can be sufficiently exhibited. There was a problem that I could not do it.

【０００５】これは、ＧａＡｓなどのＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体へのドープ量には限界があり、例えばＭＯＣ
ＶＤ法によりＧａＡｓへのＺｎを１×１０19／ｃｍ以上
ドープすることは困難である、Ｚｎなどのアクセプタ
ーとなる不純物は拡散しやすく、Ｐ型層・Ｎ型層の接合
面でのアクセプター濃度が下がるためＰ型層のキャリア
濃度が低下する、といった理由により、Ｐ型層・Ｎ型層
の接合面近傍でのそれぞれのキャリア濃度を十分に高く
することができないためと考えられる。This is because there is a limit to the amount of doping in a III-V group compound semiconductor such as GaAs.
It is difficult to dope GaAs with 1 × 10 19 / cm 2 or more by the VD method. Impurities that serve as acceptors, such as Zn, easily diffuse, and the acceptor concentration at the junction surface of the P-type layer and the N-type layer is It is considered that the carrier concentration in the P-type layer and the N-type layer cannot be sufficiently increased in the vicinity of the bonding surface because the carrier concentration in the P-type layer decreases due to the decrease.

【０００６】本発明は、上述の如き従来の問題点を解決
するためになされたもので、その目的は、ＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体のＰＮ接合面近傍でのキャリア濃度を十分
に高めることができ、特に、これによって優れたトンネ
ル接合の特性が得られる半導体装置の製造方法を提供す
ることである。The present invention has been made to solve the above-mentioned conventional problems, and an object thereof is to sufficiently increase the carrier concentration in the vicinity of the PN junction surface of a III-V compound semiconductor. In particular, it is to provide a method for manufacturing a semiconductor device by which excellent tunnel junction characteristics can be obtained.

【０００７】[0007]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の特徴は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層から
成るＰＮ接合を気相成長法により形成する半導体装置の
製造方法において、アクセプターまたはドナーとなる第
１及び第２の不純物のいずれか一方を所定の厚さの第１
の領域にドープし、前記第１の領域の厚さ方向の中央部
付近から所定の厚さの第２の領域に対し、ドナーがアク
セプターよりも高濃度になるように前記第１及び第２の
不純物のいずれか他方をドープして前記ＰＮ接合を形成
することにある。In order to achieve the above object, the present invention is characterized in that in a method of manufacturing a semiconductor device, a PN junction composed of a III-V group compound semiconductor layer is formed by a vapor phase growth method. Alternatively, one of the first and second impurities serving as a donor may be added to a first
Of the first region and the second region having a predetermined thickness from the vicinity of the center in the thickness direction of the first region so that the concentration of the donor is higher than that of the acceptor. It is to form the PN junction by doping either of the other impurities.

【０００８】また、前記ＰＮ接合がトンネル接合を形成
することが望ましい。Further, it is desirable that the PN junction forms a tunnel junction.

【０００９】また、光入射面側に配置されたトップセル
と該トップセルを透過した光が入射するボトムセルとを
含む太陽電池に対して、前記トップセルと前記ボトムセ
ルとの間に前記トンネル接合を配置することか望まし
い。Further, for a solar cell including a top cell arranged on the light incident surface side and a bottom cell into which light transmitted through the top cell is incident, the tunnel junction is formed between the top cell and the bottom cell. Placement is desirable.

【００１０】なお、気相成長法としては、有機金属化合
物を原料とするＭＯＣＶＤ法を用いることで、不純物混
入の少ない薄い半導体層の作成が容易となる。ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体層としては、ＧａＡｓ，ＩｎＧａＰ，
ＩｎＰなどが用いられ、アクセプターとしてはＺｎ，Ｂ
ｅ，Ｍｇなどが、また、ドナーとしてはＳｉ，Ｓｎなど
の元素が用いられ、また、トンネル接合を形成するため
には１０18／ｃｍ3 以上の高濃度が通常用いられる。As the vapor phase growth method, the MOCVD method using an organic metal compound as a raw material is used, so that a thin semiconductor layer containing less impurities can be easily formed. III-
The group V compound semiconductor layer includes GaAs, InGaP,
InP or the like is used, and Zn and B are used as acceptors.
e, Mg, etc., an element such as Si, Sn, etc. is used as a donor, and a high concentration of 10 18 / cm 3 or more is usually used for forming a tunnel junction.

【００１１】また、第１の領域の中央部付近は厚さ方向
のほぼ中心であり、厚さの約５０％の位置とするが、厚
さの３５％〜６５％程度の位置でもよい。さらに、第１
の領域の厚さは、アクセプターの拡散する長さ（通常、
１０〜３０ｎｍ）と同程度（通常、０．５〜２倍）とさ
れ、第１の領域と第２の領域の厚さは、同程度であるこ
とが望ましい。Further, the vicinity of the central portion of the first region is substantially the center in the thickness direction, which is about 50% of the thickness, but may be about 35% to 65% of the thickness. Furthermore, the first
The thickness of the region is the diffusion length of the acceptor (usually
10 to 30 nm) (usually 0.5 to 2 times), and it is desirable that the first region and the second region have the same thickness.

【００１２】[0012]

【作用】上述の如き構成の本発明によれば、例えばＰＮ
接合としてＰ型層の上にＮ型層を積層する場合には、比
較的薄い第１の領域においてアクセプターが拡散して
も、最も不純物濃度の高い中央部付近にＰＮ接合を形成
するように高濃度のドナーをドープして第２の領域を形
成する。そのため、ＰＮ接合部分に近接して、高い濃度
のキャリアを発生させることができ、且つ、その厚さも
アクセプターが拡散する程度の長さとすることができ
る。According to the present invention having the above-described structure, for example, a PN
When the N-type layer is stacked on the P-type layer as a junction, even if the acceptor diffuses in the relatively thin first region, a high PN junction is formed so as to form the PN junction near the center where the impurity concentration is highest. A second region is formed by doping a concentration of donors. Therefore, a high concentration of carriers can be generated in the vicinity of the PN junction portion, and the thickness thereof can be set to such a length that the acceptor diffuses.

【００１３】また、前記ＰＮ接合がトンネル接合を形成
することが望ましく、順方向ピーク電流などのトンネル
接合の特性を高めることができる。Further, it is desirable that the PN junction forms a tunnel junction, and the characteristics of the tunnel junction such as forward peak current can be improved.

【００１４】さらに、半導体装置を太陽電池とした場
合、そのトップセルとボトムセルとの間にトンネル接合
を配置することか望ましく、トップセルとボトムセルと
の接続が良好となり、２端子積層型（タンデム型）太陽
電池の出力特性の向上が可能となる。Further, when the semiconductor device is a solar cell, it is desirable to dispose a tunnel junction between the top cell and the bottom cell of the solar cell, and the connection between the top cell and the bottom cell is good, and the two-terminal laminated type (tandem type) ) It is possible to improve the output characteristics of the solar cell.

【００１５】[0015]

【実施例】以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説
明する。図１は、本発明を実施した半導体装置の製造方
法における原料ガス供給量の設定過程を示す図である。An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a diagram showing a process of setting a raw material gas supply amount in a semiconductor device manufacturing method embodying the present invention.

【００１６】まず、同図を用いてＧａＡｓ半導体層中に
トンネル接合となるＰＮ接合を形成する工程を具体的に
説明する。なお、本実施例では、ＰＮ接合としてＰ型層
の上にＮ型層を積層する場合について述べる。First, the step of forming a PN junction to be a tunnel junction in the GaAs semiconductor layer will be specifically described with reference to FIG. In this embodiment, a case where an N-type layer is laminated on a P-type layer as a PN junction will be described.

【００１７】本実施例のＧａＡｓ半導体層は、ＧａＡｓ
半導体単結晶上にＴＥＧａ（テトラエチルガリウム）、
及びＡｓＨ3 （アルシン）を原料ガスとするＭＯＣＶＤ
法により成長する。アクセプターとしては、ＤＥＺｎ
（ジエチル亜鉛）を原料ガスとしてＺｎ（亜鉛）を、ま
たドナーとしてはＳｉＨ4 （シラン）を原料ガスとして
Ｓｉ（シリコン）をドープする。さらに、基板温度は、
６５０℃としたが、６００℃〜７５０℃でもよい。な
お、半導体層を形成する原料ガス、及びドープするため
の不純物ガスは、適宜変更し得る。The GaAs semiconductor layer of this embodiment is GaAs.
TEGa (tetraethylgallium) on a semiconductor single crystal,
And MOCVD using AsH3 (arsine) as source gas
Grow by law. DEZn as the acceptor
Zn (zinc) is doped with (diethyl zinc) as a source gas, and Si (silicon) is doped with SiH4 (silane) as a source gas as a donor. Furthermore, the substrate temperature is
Although the temperature is 650 ° C., it may be 600 ° C. to 750 ° C. Note that the source gas for forming the semiconductor layer and the impurity gas for doping can be changed as appropriate.

【００１８】本実施例におけるトンネル接合となるＰＮ
接合の形成工程において、ＴＥＧａ、ＡｓＨ3 及びキャ
リアガス（Ｈ2 ）は、ＧａＡｓが安定するように一定量
が供給され、成長速度は約５０ｎｍ／分である。そし
て、ドーピング原料ガスの供給は次の（１）〜（４）の
ステップに従って行う。A PN that forms a tunnel junction in this embodiment.
In the step of forming the junction, TEGa, AsH3 and carrier gas (H2) are supplied in constant amounts so that GaAs is stable, and the growth rate is about 50 nm / min. Then, the doping source gas is supplied according to the following steps (1) to (4).

【００１９】（１）半導体デバイスに必要な厚さ及びア
クセプター濃度となるようにＤＥＺｎの供給量を調整し
て成長する（図１の時刻Ｔ１以前）。太陽電池のＰ型層
の場合では、このアクセプター濃度は、０．１〜２．０
×１０18／ｃｍ3 程度が選ばれる。(1) The growth is performed by adjusting the supply amount of DEZn so that the thickness and the acceptor concentration are required for the semiconductor device (before time T1 in FIG. 1). In the case of a P-type layer of a solar cell, this acceptor concentration is 0.1-2.0.
About 10 18 / cm 3 is selected.

【００２０】（２）時刻Ｔ１に至ると、第１の領域を成
長するために、ＤＥＺｎの供給量をＺｎ濃度が１×１０
19／ｃｍ3 となるように調整し、厚さが約２０ｎｍとな
るまで成長を継続し、その後、ＤＥＺｎの供給を停止す
る（図１の時刻Ｔ２）。なお、ＧａＡｓ中にＺｎ濃度が
１×１０19／ｃｍ3 を越えてドープすることは一般に困
難である。(2) At time T1, in order to grow the first region, the supply amount of DEZn is set to a Zn concentration of 1 × 10.
It is adjusted to 19 / cm 3 and growth is continued until the thickness becomes about 20 nm, after which the supply of DEZn is stopped (time T2 in FIG. 1). It is generally difficult to dope GaAs with a Zn concentration exceeding 1 × 10 19 / cm 3 .

【００２１】（３）第１の領域を成長中にその厚さが約
１０ｎｍとなった時点（時刻Ｔ３）で、ＳｉＨ4 の供給
を開始して第２の領域を成長する。ＳｉＨ4 の供給量は
Ｓｉ濃度が２×１０19／ｃｍ3 となるように調整し、そ
の厚さが約１５ｎｍとなるまで継続し、その後の時刻Ｔ
４からは、半導体デバイスに必要なドナー濃度となるよ
うにＳｉＨ4 の供給量を変更する。太陽電池のＮ型層の
場合では、このドナー濃度は、０．１〜２．０×１０18
／ｃｍ3 程度が選ばれる。(3) When the thickness reaches about 10 nm during the growth of the first region (time T3), the supply of SiH4 is started to grow the second region. The amount of SiH4 supplied was adjusted so that the Si concentration was 2 × 10 19 / cm 3, and continued until the thickness became about 15 nm.
Starting from 4, the supply amount of SiH4 is changed so that the donor concentration is required for the semiconductor device. In the case of the N-type layer of the solar cell, this donor concentration is 0.1-2.0 × 10 18.
/ Cm 3 is selected.

【００２２】なお、第１の領域及び第２の領域は、半導
体装置の動作部分を兼ねてもよく、それに隣接するＰ型
層及びＮ型層は目的とする半導体装置により、適宜変更
することができる。The first region and the second region may also serve as the operating portion of the semiconductor device, and the P-type layer and the N-type layer adjacent to the first region and the second region can be appropriately changed depending on the intended semiconductor device. it can.

【００２３】上述の工程で作成されたＰＮ接合部分のア
クセプター及びドナーの不純物濃度の分布を図２に示
す。FIG. 2 shows the distribution of the impurity concentration of the acceptor and the donor in the PN junction portion formed in the above process.

【００２４】同図に示すように、ドナーとなるＳｉはほ
とんど拡散しないため、そのプロファイルは急峻である
が、アクセプターとなるＺｎは拡散しやすく、５〜１０
ｎｍ程度は拡散するので、ブロードなプロファイルとな
る。Ｚｎのプロファイルのピーク位置（Ｋ１）でＳｉの
プロファイルが立上がっており、ＰＮ接合界面（Ｋ１）
に隣接したキャリア濃度を十分に高くすることができ
る。本実施例のトンネル接合のピーク電流密度として約
８０ｍＡ／ｃｍ2 が得られた。As shown in the figure, since Si serving as a donor hardly diffuses, its profile is steep, but Zn serving as an acceptor easily diffuses.
Since about nm is diffused, the profile becomes broad. The Si profile rises at the peak position (K1) of the Zn profile, and the PN junction interface (K1)
The carrier concentration adjacent to can be sufficiently increased. The peak current density of the tunnel junction of this example was about 80 mA / cm 2 .

【００２５】これに対して、本実施例に対する比較例と
して、Ｚｎ濃度１×１０19／ｃｍ3に相当するＤＥＺｎ
を供給して１０ｎｍの厚さに成長した後にＤＥＺｎの供
給を停止し、続いてＳｉ濃度２×１０19／ｃｍ3 に相当
するＳｉＨ4 の供給して１０ｎｍの厚さに成長した場合
では、トンネル接合のピーク電流密度として約１０ｍＡ
／ｃｍ2 程度となる。On the other hand, as a comparative example to this example, DEZn corresponding to a Zn concentration of 1 × 10 19 / cm 3 was used.
Is supplied to grow to a thickness of 10 nm, the supply of DEZn is stopped, and subsequently SiH4 corresponding to a Si concentration of 2 × 10 19 / cm 3 is supplied to grow to a thickness of 10 nm. Peak current density of about 10mA
/ Cm 2 or so.

【００２６】このように本実施例によれば、トンネル接
合のピーク電流密度を向上することができ、太陽電池な
どの半導体装置に利用した場合に、接合部に流れる電流
が限定されることなく、十分な特性を発揮することがで
きる。As described above, according to this embodiment, the peak current density of the tunnel junction can be improved, and when used in a semiconductor device such as a solar cell, the current flowing through the junction is not limited, It is possible to exert sufficient characteristics.

【００２７】[0027]

【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明によれ
ば、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層から成るＰＮ接合を気
相成長法により形成する半導体装置の製造方法におい
て、アクセプターまたはドナーとなる第１及び第２の不
純物のいずれか一方を所定の厚さの第１の領域にドープ
し、前記第１の領域の厚さ方向の中央部付近から所定の
厚さの第２の領域に対し、ドナーがアクセプターよりも
高濃度になるように前記第１及び第２の不純物のいずれ
か他方をドープして前記ＰＮ接合を形成するようにした
ので、ＰＮ接合部分に近接して高い濃度のキャリアを発
生させることができ、かつ、その厚さもアクセプターが
拡散する程度の長さとすることができる。従って、薄い
厚さで高キャリアの近接したＰＮ接合を作成することが
でき、特に、トンネル接合として利用した場合に高いピ
ーク電流を得ることができるため、２端子積層型太陽電
池などの半導体装置の出力特性を十分に発揮することが
可能となる。As described in detail above, according to the present invention, in the method of manufacturing a semiconductor device in which a PN junction composed of a III-V group compound semiconductor layer is formed by vapor phase epitaxy, a first or second acceptor or donor is formed. One of the first and second impurities is doped into the first region having a predetermined thickness, and from the vicinity of the central portion in the thickness direction of the first region to the second region having a predetermined thickness, Since the donor is doped with the other of the first and second impurities so that the donor has a higher concentration than the acceptor, the PN junction is formed, so that a high concentration of carriers is provided near the PN junction. It can be generated, and the thickness thereof can also be set to such a length that the acceptor diffuses. Therefore, it is possible to form a PN junction having a small thickness and close to high carriers, and in particular, it is possible to obtain a high peak current when it is used as a tunnel junction, so that a semiconductor device such as a two-terminal stacked solar cell can be manufactured. It is possible to fully exert the output characteristics.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】本発明を実施した半導体装置の製造方法におけ
る原料ガス供給量の設定過程を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a process of setting a source gas supply amount in a semiconductor device manufacturing method embodying the present invention.

【図２】実施例におけるＰＮ接合部分のアクセプター及
びドナーの不純物濃度の分布を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing a distribution of impurity concentrations of acceptors and donors at a PN junction portion in an example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

Ｔ２ ＤＥＺｎの供給停止時刻 Ｔ３ ＳｉＨ4 の供給開始時刻 Ｋ１ ＰＮ接合界面 T2 DEZn supply stop time T3 SiH4 supply start time K1 PN junction interface

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 31/04 Ｙ Ｅ ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Office reference number FI technical display location H01L 31/04 Y E

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層から成るＰ
Ｎ接合を気相成長法により形成する半導体装置の製造方
法において、 アクセプターまたはドナーとなる第１及び第２の不純物
のいずれか一方を所定の厚さの第１の領域にドープし、 前記第１の領域の厚さ方向の中央部付近から所定の厚さ
の第２の領域に対し、ドナーがアクセプターよりも高濃
度になるように前記第１及び第２の不純物のいずれか他
方をドープして前記ＰＮ接合を形成することを特徴とす
る半導体装置の製造方法。1. A P comprising a III-V group compound semiconductor layer.
In a method for manufacturing a semiconductor device in which an N-junction is formed by a vapor phase epitaxy method, a first region having a predetermined thickness is doped with either one of a first impurity and a second impurity which serves as an acceptor or a donor. The second region having a predetermined thickness is doped with the other of the first and second impurities so that the donor has a higher concentration than the acceptor from the vicinity of the central portion in the thickness direction of the region. A method of manufacturing a semiconductor device, comprising forming the PN junction. 【請求項２】 前記ＰＮ接合がトンネル接合を形成する
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方
法。2. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the PN junction forms a tunnel junction. 【請求項３】 光入射面側に配置されたトップセルと該
トップセルを透過した光が入射するボトムセルとを含む
太陽電池に対して、前記トップセルと前記ボトムセルと
の間に前記トンネル接合を配置することを特徴とする請
求項２記載の半導体装置の製造方法。3. A solar cell including a top cell arranged on the light incident surface side and a bottom cell into which light transmitted through the top cell is incident, wherein the tunnel junction is provided between the top cell and the bottom cell. The semiconductor device manufacturing method according to claim 2, wherein the semiconductor device is arranged.
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