JPH0814506B2 - Photometric device - Google Patents
Photometric deviceInfo
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- JPH0814506B2 JPH0814506B2 JP24222287A JP24222287A JPH0814506B2 JP H0814506 B2 JPH0814506 B2 JP H0814506B2 JP 24222287 A JP24222287 A JP 24222287A JP 24222287 A JP24222287 A JP 24222287A JP H0814506 B2 JPH0814506 B2 JP H0814506B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、被測定光の強度の時間的変化を空間的画像
に変換して測定する測光装置に関する。Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a photometric device that measures a temporal change in the intensity of light to be measured by converting it into a spatial image.
従来、被測定光の強度を高速に測定するのにストリー
ク管が用いられている。ストリーク管を用いた測光装置
では、被測定光をストリーク管の光電面に入射させ光電
面によって光電子に光電変換させた後、光電子を掃引
し、螢光面上で空間的画像のストリーク像に変換し、光
強度を測定するようになっていた。Conventionally, a streak tube has been used to measure the intensity of light under measurement at high speed. In a photometric device using a streak tube, the light to be measured is incident on the photoelectric surface of the streak tube and photoelectrically converted into photoelectrons by the photoelectric surface, then the photoelectrons are swept and converted into a streak image of a spatial image on the fluorescent surface. However, the light intensity was to be measured.
しかしながら上述の従来の測光装置ではストリーク管
を用いていたために、被測定光を光電子に一旦光電変換
した上で掃引しなければならず、光子を光電子に変換す
る光電変換効率が100％ということはないので、被測定
光の情報はストリーク管により多少の損失を受け検出精
度に限界があるという問題があった。However, since the streak tube is used in the above-described conventional photometric device, it is necessary to perform photoelectric conversion of the measured light into photoelectrons and then sweep, and the photoelectric conversion efficiency of converting photons into photoelectrons is 100%. Since there is no information on the light to be measured, there is a problem that the detection accuracy is limited due to some loss due to the streak tube.
本発明は、被測定光を光電変換せずに直接掃引するこ
とができて被測定光をより精度良く検出することの可能
な測光装置を提供することを目的としている。It is an object of the present invention to provide a photometric device that can directly sweep a measured light without photoelectric conversion and can detect the measured light more accurately.
本発明は、電圧により屈折率が変化する電気光学材料
を用いて被測定光を掃引する掃引手段と、該掃引手段か
らの被測定光を検出する光検出手段とを備えていること
を特徴とする測光装置によって、上記従来技術の問題点
を改善するものである。The present invention is characterized by comprising sweeping means for sweeping the light under measurement using an electro-optic material whose refractive index changes with voltage, and light detection means for detecting the light under measurement from the sweeping means. The above-mentioned problems of the prior art are solved by the photometric device.
本発明では、被測定光を掃引手段によって掃引して光
検出手段に順次に入射させ被測定光の強度の時間的変化
を空間的画像としてとらえる。この際、掃引手段は電圧
により屈折率が変化する電気光学材料を用い、電気光学
材料に例えば鋸歯状の電圧を加え電気光学材料内を進む
被測定光の光路を徐々に変化させるようになっているの
で、被測定光を直接掃引することができて光の利用率を
低下させずに高精度に測光することができる。In the present invention, the light to be measured is swept by the sweeping means and sequentially made incident on the light detecting means to capture the temporal change in the intensity of the light to be measured as a spatial image. At this time, the sweeping means uses an electro-optical material whose refractive index changes according to a voltage, and a sawtooth voltage is applied to the electro-optical material to gradually change the optical path of the measured light that travels in the electro-optical material. Therefore, the light to be measured can be swept directly, and high-precision photometry can be performed without lowering the light utilization rate.
以下、本発明の実施例を図面に基づいて接続する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be connected based on the drawings.
第１図は本発明に係る測光装置の第１の実施例の構成
図である。FIG. 1 is a block diagram of the first embodiment of the photometric device according to the present invention.
第１図の測光装置では、電気光学材料１の上面、下面
に透明電極2,金属電極３がそれぞれ設けられている。電
気光学材料１は、光学的一軸性結晶のみならず等方性結
晶でも良い。金属電極３は接地電位に保持され、透明電
極２には掃引回路４からの電圧VSが加わるようになって
いる。掃引回路４にはトリガ回路５が接続され、トリガ
回路５は被測定光に同期した電気トリガ信号TRを発生し
掃引回路４ではこの電気トリガ信号TRに同期した電圧VS
を発生する。In the photometric device of FIG. 1, a transparent electrode 2 and a metal electrode 3 are provided on the upper surface and the lower surface of the electro-optical material 1, respectively. The electro-optical material 1 may be an isotropic crystal as well as an optically uniaxial crystal. The metal electrode 3 is held at the ground potential, and the voltage V S from the sweep circuit 4 is applied to the transparent electrode 2. A trigger circuit 5 is connected to the sweep circuit 4, the trigger circuit 5 generates an electric trigger signal TR synchronized with the measured light, and the sweep circuit 4 generates a voltage V S synchronized with the electric trigger signal TR.
Occurs.
また測光装置は、電気光学材料１にスポット状の被測
定光を案内するスリット６と、金属電極３で反射され電
気光学材料１から出射した被測定光の強度を検出する一
次元の光検出器７と、処理装置８とを備えている。一次
元の光検出器７は、一次元CCD,フォトダイオードアレ
イ、PCDリニアイメージセンサなどである。Further, the photometric device is a one-dimensional photodetector for detecting the intensity of the measured light emitted from the electro-optical material 1 reflected by the metal electrode 3 and the slit 6 for guiding the spot-shaped measured light to the electro-optical material 1. 7 and a processing device 8. The one-dimensional photodetector 7 is a one-dimensional CCD, a photodiode array, a PCD linear image sensor, or the like.
このような構成の測光装置では、スポット状の被測定
光は、電気光学材料１に電圧が加わっていない場合光路
S1で電気光学材料１内を進む一方、正（または負）の電
圧が加わるときはには電気光学材料１の屈折率が変化す
るので光路が変わり光路S3（またはS2）で電気光学材料
１内を進む。In the photometric device having such a configuration, the spot-shaped light to be measured is not reflected on the optical path when voltage is not applied to the electro-optical material 1.
While traveling in the electro-optical material 1 at S1, when a positive (or negative) voltage is applied, the optical path changes because the refractive index of the electro-optical material 1 changes, and the optical path S3 (or S2) causes the inside of the electro-optical material 1 to change. Proceed to.
従って、第３図（ａ）に示すような鋸歯状の電圧VSが
透明電極２に加わると、被測定光は、その時間的経過に
伴なって光路がS1からS3に徐々に移動し、光検出器７の
位置P1からP3に順次に入射することになる。これによ
り、被測定光を光電変換せずとも直接掃引することがで
きて、第４図（ａ）に示すように被測定光の強度の時間
的変化を光検出器７上で一次元の空間的画像FG1として
とらえることができる。光検出器７で光電変換された結
果は、処理装置８で処理され光強度の時間的変化が測定
される。Therefore, when the sawtooth voltage V S as shown in FIG. 3 (a) is applied to the transparent electrode 2, the light path of the measured light gradually moves from S1 to S3 with the lapse of time, The light is sequentially incident on positions P1 to P3 of the photodetector 7. As a result, the light to be measured can be directly swept without photoelectric conversion, and as shown in FIG. 4 (a), a temporal change in the intensity of the light to be measured is detected on the photodetector 7 in a one-dimensional space. It can be seen as a static image FG1. The result of photoelectric conversion by the photodetector 7 is processed by the processing device 8 and the temporal change of the light intensity is measured.
なお、電圧VSを第３図（ａ）のようにする場合には、
“0"Vのときに掃引が行なわれず待機期間となるので、
このときの被測定光が光検出器７に入射しないよう、光
検出器７の取付位置を第１図に符号Q1で示すようなとこ
ろにする。When the voltage V S is set as shown in FIG. 3 (a),
When it is “0” V, the sweep is not performed and the standby period is entered.
In order to prevent the measured light at this time from entering the photodetector 7, the mounting position of the photodetector 7 is set as shown by the symbol Q1 in FIG.
また電圧VSを第３図（ｂ），（ｃ）のようなものにす
ることもできて、これらの場合には、光路はそれぞれS2
とS3との間、S2とS1との間となり、光検出器７の取付位
置を符号Q2,Q3でそれぞれ示すようなところにする。The voltage V S can also be set as shown in FIGS. 3 (b) and 3 (c), and in these cases, the optical paths are S2 and S2, respectively.
Between S3 and S3 and between S2 and S1, and the mounting positions of the photodetector 7 are set as indicated by reference signs Q2 and Q3, respectively.
第２図は本発明に係る測光装置の第２の実施例の構成
図である。FIG. 2 is a block diagram of the second embodiment of the photometric device according to the present invention.
第２図の測光装置では、空間軸Ｘ方向の広がりをもつ
平行光の被測定光をスリット16を介して電気光学材料11
に入射させ、金属電極13で反射され電気光学材料11から
出射される被測定光を二次元の光検出器17に入射させる
ようになっている。二次元の光検出器17は、CCDカメ
ラ、ヒジコンカメラ、SITカメラなどである。In the photometric device shown in FIG. 2, the measured light of parallel light having a spread in the direction of the spatial axis X is passed through the slit 16 and the electro-optical material 11 is irradiated.
The light to be measured which is made incident on the two-dimensional photodetector 17 is made incident on the two-dimensional photodetector 17 after being reflected by the metal electrode 13 and emitted from the electro-optic material 11. The two-dimensional photodetector 17 is a CCD camera, an Hijikon camera, a SIT camera, or the like.
このような構成では、電気光学材料11の上面の透明電
極12に第３図（ａ），（ｂ）または（ｃ）に示すような
鋸歯状の電圧VSを加えると、電気光学材料11の屈折率変
化に伴ない被測定光が掃引され、二次元の光検出器17に
入射する。これにより、光検出器17では第４図（ｂ）に
示すような二次元の空間的画像FG2が得られる。なおこ
の空間的画像FG2は、空間軸Ｘ方向の広がりをもつ平行
な被測定光の強度の時間的変化を反映している。このよ
うにして被測定光がスリット状の平行光である場合にも
これを直接掃引してその時間的変化を空間的画像FG2と
してとらえることができる。二次元の光検出器17で光電
変換された結果は、処理装置18で処理される。In such a configuration, when a sawtooth voltage V S as shown in FIG. 3A, FIG. 3B or FIG. 3C is applied to the transparent electrode 12 on the upper surface of the electro-optical material 11, The light to be measured is swept along with the change in the refractive index and enters the two-dimensional photodetector 17. As a result, the photodetector 17 obtains a two-dimensional spatial image FG2 as shown in FIG. 4 (b). It should be noted that this spatial image FG2 reflects the temporal change in the intensities of the parallel measured light beams that have a spread in the direction of the spatial axis X. Thus, even when the light to be measured is slit-like parallel light, this can be directly swept and its temporal change can be captured as a spatial image FG2. The result of photoelectric conversion by the two-dimensional photodetector 17 is processed by the processing device 18.
上述の第１および第２の実施例では、透明電極2,12に
第３図（ａ），（ｂ）または（ｃ）のような鋸歯状の電
圧を印加したが、被測定光が高い繰返し周波数をもつ場
合は、電圧VSを第３図（ｄ）のような正弦波のものにし
シンクロスキャン動作をさせて感度を向上させることが
できる。また、この場合、正弦波の位相を少しづつずら
して被測定光をサンプリングするようにしても良い。こ
の場合には実際の掃引は、電圧VSが直線性をもつところ
に限られ、被測定光の繰返し周波数をfOとすれば、電圧
VSの周波数ｆは、 ｆ＝ｎfO ……（１） でなければならない。ｎは任意の整数である。またサン
プリングするために第１図、第２図の装置を第５図に示
すような構成にする必要がある。In the above-mentioned first and second embodiments, the sawtooth voltage as shown in FIG. 3 (a), (b) or (c) is applied to the transparent electrodes 2 and 12, but the measured light is high in repetition. When it has a frequency, the sensitivity can be improved by setting the voltage V S to a sine wave as shown in FIG. 3 (d) and performing a synchro scan operation. Further, in this case, the phase of the sine wave may be slightly shifted to sample the light under measurement. In this case, the actual sweep is limited to where the voltage V S has linearity, and if the repetition frequency of the measured light is f O , the voltage is
The frequency f of V S must be f = nf O (1). n is an arbitrary integer. Further, in order to perform sampling, it is necessary to configure the apparatus shown in FIGS. 1 and 2 as shown in FIG.
すなわち、正弦波の電圧VSの位相を徐々に変化させる
ために、トリガ回路５からのトリガ信号TRの位相を徐々
にずらして掃引回路４に加えるシフト回路20が必要とな
り、さらに電気光学材料1,11と光検出器7,17との間にサ
ンプリング用のスリットあるいはアパーチャ21が必要と
なる。さらにサンプリングを行なう場合、光チョッパと
ロックインアンプとによりS/N比を向上させることがで
きる。That is, in order to gradually change the phase of the sine wave voltage V S , the shift circuit 20 that gradually shifts the phase of the trigger signal TR from the trigger circuit 5 and adds it to the sweep circuit 4 is required. Slits or apertures 21 for sampling are required between, 11 and the photodetectors 7,17. When further sampling is performed, the S / N ratio can be improved by the optical chopper and the lock-in amplifier.
上述した第１図、第２図、第５図の測光装置では、金
属電極3,13を接地電位に保持しているが、透明電極2,12
に例えば第３図（ａ）に示すような鋸歯状の電圧VSを加
えるときに、この電圧VSと反対の極性をもつ第３図
（ｅ）に示すような電圧を金属電極3,13に加えても良
い。この場合には、電気光学材料1,11に加わる電圧の変
化は約２倍となるので、掃引速度を上げることができ
る。In the photometric devices shown in FIGS. 1, 2, and 5 described above, the metal electrodes 3 and 13 are held at the ground potential, but the transparent electrodes 2 and 12 are used.
When a sawtooth-shaped voltage V S as shown in FIG. 3 (a) is applied to the metal electrodes 3,13, a voltage having a polarity opposite to the voltage V S as shown in FIG. 3 (e) is applied. May be added to. In this case, the change in the voltage applied to the electro-optical materials 1 and 11 is approximately doubled, so that the sweep speed can be increased.
また、第６図（ａ）では、プリズム状の電気光学材料
23の頂部と底部とにそれぞれ電極24,25を配置し、電極2
5を反射鏡としても用いるようになっている。第６図
（ｂ）ではプリズム状の電気光学材料23の頂部を含む領
域に透明電極26を配置し、底面に反射鏡をも兼ねた電極
25を配置している。In addition, in FIG. 6A, a prism-shaped electro-optical material is used.
Electrodes 24 and 25 are placed on the top and bottom of 23, respectively.
5 is also used as a reflecting mirror. In FIG. 6 (b), the transparent electrode 26 is arranged in a region including the top of the prism-shaped electro-optical material 23, and the bottom electrode also serves as a reflecting mirror.
25 are arranged.
また上述の実施例では、一次元の光検出器７として一
次元CCD,フォトダイオードアレイ,PCDリニアイメージセ
ンサなどを用い、二次元の光検出器17としてCCDカメ
ラ、ビジコンカメラ、SITカメラなどを用いるとして説
明したが、光検出器7,17への被測定光の入射位置は高速
に変化するので、これを正しく検出するためには、第７
図（ａ），（ｂ）に示すように減衰時間の長い光検出素
子を個々に動作させるか、あるいは第８図に示すように
光検出器の前段に光蓄積手段を設けるのが良い。Further, in the above-described embodiment, a one-dimensional CCD, a photodiode array, a PCD linear image sensor or the like is used as the one-dimensional photodetector 7, and a CCD camera, a vidicon camera, a SIT camera or the like is used as the two-dimensional photodetector 17. However, since the incident position of the measured light on the photodetectors 7 and 17 changes at high speed, in order to detect this correctly, the 7th
It is preferable to individually operate the photodetecting elements having a long decay time as shown in FIGS. 8A and 8B, or to provide a light accumulating means in front of the photodetector as shown in FIG.
第７図（ａ）では、減衰時間の遅いフォトダイオード
41を一次元的あるいは二次元的に配置した光検出器40に
電気光学材料からの被測定光を直接入射させ各フォトダ
イオード41の出力を信号線42により処理装置８または18
に案内するようにしている。第７図（ｂ）では、電気光
学材料からの被測定光を一次元的あるいは二次元的に配
列された光ファイバの束43を介して光検出器40に入射さ
せ、光ファイバのそれぞれに対応したフォトダイオード
41からの出力を信号線42により処理装置８または18に案
内するようにしている。In FIG. 7 (a), a photodiode with a slow decay time is shown.
The light to be measured from the electro-optic material is directly incident on the photodetector 40 in which 41 is arranged one-dimensionally or two-dimensionally, and the output of each photodiode 41 is processed by the signal line 42 to the processing device 8 or 18.
I will guide you to. In FIG. 7 (b), the measured light from the electro-optical material is made incident on the photodetector 40 through the bundle 43 of optical fibers arranged one-dimensionally or two-dimensionally, and the light is measured corresponding to each optical fiber. Photo diode
The output from 41 is guided to the processing device 8 or 18 by the signal line 42.
また第８図では電気光学材料からの被測定光を光蓄積
手段50で蓄積させた後、光検出器51で検出するようにし
ている。In FIG. 8, the light to be measured from the electro-optical material is stored by the light storage means 50 and then detected by the photodetector 51.
第９図（ａ），（ｂ）は光蓄積手段50の具体例を示す
図である。9A and 9B are views showing a concrete example of the light storage means 50.
第９図（ａ）では、光蓄積手段50は、光電面61と螢光
面62とからなっており電源63によって光電面61と螢光面
62との間に所定の電位差をもたせている。螢光面62は減
衰時間の遅い螢光体で形成されている。このような光蓄
積手段では、被測定光を光電面61に入射させて一度光電
変換し、光電子を螢光面62上に入射させて螢光面62上で
光を蓄積した後、光検出器51に加えるようにしている。
また第９図（ｂ）では、光蓄積手段50はイメージインテ
ンシファイアからなり、被測定光を光電面71に入射させ
光電面71から放出される光電子をマイクロチャンネルプ
レート72で増倍して螢光面73に入射させるようにしてい
るので、より感度良く光検出を行なうことができる。In FIG. 9A, the light accumulating means 50 is composed of a photocathode 61 and a fluorescent surface 62.
It has a predetermined potential difference with respect to 62. The fluorescent surface 62 is formed of a fluorescent body having a slow decay time. In such a light accumulating means, the light to be measured is incident on the photoelectric surface 61 to be photoelectrically converted once, and photoelectrons are incident on the fluorescent surface 62 to accumulate the light on the fluorescent surface 62, and then a photodetector. I'm trying to add to 51.
Further, in FIG. 9 (b), the light accumulating means 50 is composed of an image intensifier, and the light to be measured is incident on the photocathode 71 and the photoelectrons emitted from the photocathode 71 are multiplied by the microchannel plate 72 so that the photoelectrons are multiplied. Since the light is incident on the light surface 73, it is possible to detect light with higher sensitivity.
第10図は本発明に係る測光装置の第３の実施例の構成
図である。第10図の測光装置では、電気光学材料80に光
学的一軸性結晶を用い、電気光学材料80と光検出器81と
の間に検光子82を配置している。FIG. 10 is a block diagram of the third embodiment of the photometric device according to the present invention. In the photometric device of FIG. 10, an optical uniaxial crystal is used as the electro-optical material 80, and an analyzer 82 is arranged between the electro-optical material 80 and the photodetector 81.
このような構成の測光装置では、被測定光の偏光状態
の高速な変化を光検出器81において検出することができ
る。すなわち、光強度が一定で偏光状態が時間的に変化
する被測定光は、電気光学材料80内で光路が掃引され、
検光子82に入射する。検光子82では被測定光のうち所定
の偏光成分をもつものが抽出されるので、被測定光の偏
光状態の変化を光強度に変換して光検出器81で検出する
ことができる。これにより、光検出器81では、被測定光
の偏光状態の時間的変化を空間的画像に変換して測定す
ることができる。光強度と偏光状態がともに高速に変化
する被測定光は、同一条件で検光子82を取除いたときの
観測と比較することにより、分離して観測することがで
きる。このように第３の実施例では、被測定光を直接掃
引できるので、被測定光の偏光状態の時間的変化が高速
である場合でも観測することが可能となる。In the photometric device having such a configuration, the photodetector 81 can detect a rapid change in the polarization state of the measured light. That is, the measured light whose light intensity is constant and the polarization state changes with time, the optical path is swept in the electro-optical material 80,
It is incident on the analyzer 82. Since the analyzer 82 extracts the measured light having a predetermined polarization component, the change in the polarization state of the measured light can be converted into light intensity and detected by the photodetector 81. As a result, the photodetector 81 can convert the temporal change in the polarization state of the light under measurement into a spatial image for measurement. The light to be measured, in which both the light intensity and the polarization state change at high speed, can be separately observed by comparing with the observation when the analyzer 82 is removed under the same conditions. As described above, in the third embodiment, the light to be measured can be swept directly, so that it is possible to observe even when the temporal change in the polarization state of the light to be measured is fast.
以上に説明したように、本発明によれば、印加電圧に
より屈折率が変化する電気光学材料を用いて被測定光を
掃引するので、被測定光を光電変換せずに直接掃引する
ことができて、より高精度に測光を行なうことができ
る。また光蓄積手段を用いない場合には、被測定光が直
接光検出器に入射するので、測光のダイナミックレンジ
は光検出器により決定され、他の要因で制限されること
がなくなる。さらにストリーク管などを用いないので装
置が簡単かつ安価となる。As described above, according to the present invention, the light to be measured is swept using the electro-optic material whose refractive index changes according to the applied voltage, so that the light to be measured can be directly swept without photoelectric conversion. Therefore, photometry can be performed with higher accuracy. When the light storage means is not used, the light to be measured is directly incident on the photodetector, so that the dynamic range of photometry is determined by the photodetector and is not limited by other factors. Furthermore, since a streak tube is not used, the device is simple and inexpensive.
第１図は本発明に係る測光装置の第１の実施例の構成
図、第２図は本発明に係る測光装置の第２の実施例の構
成図、第３図（ａ）乃至（ｃ）はそれぞれ鋸歯状の電圧
波形を示す図、第３図（ｄ）は正弦波の電圧波形を示す
図、第３図（ｅ）は第３図（ａ）の電圧波形と極性が反
対の電圧波形を示す図、第４図（ａ）は一次元の光検出
器で検出される空間的画像を示す図、第４図（ｂ）は二
次元の光検出器で検出される空間的画像を示す図、第５
図は繰返し周期の被測定光をサンプリングにより検出す
る測光装置の構成図、第６図（ａ），（ｂ）はそれぞれ
プリズム状の電気光学材料を示す図、第７図（ａ），
（ｂ）はそれぞれ光検出器の構成を示す図、第８図は光
蓄積手段を用いた測光装置の概略図、第９図（ａ），
（ｂ）はそれぞれ光蓄積手段の具体例を示す図、第10図
は検光子により被測定光の偏光状態の変化を検出する測
光装置の概略図である。 1,11……電気光学材料、2,12……透明電極、3,13……金
属電極、４……掃引回路、５……トリガ回路、6,16……
スリット、7,17……光検出器、20……シフト回路、21…
…スリットまたはアパーチャ、50……光蓄積手段、82…
…検光子FIG. 1 is a configuration diagram of a first embodiment of a photometric device according to the present invention, FIG. 2 is a configuration diagram of a second embodiment of a photometric device according to the present invention, and FIGS. 3 (a) to 3 (c). Shows a sawtooth voltage waveform, FIG. 3 (d) shows a sinusoidal voltage waveform, and FIG. 3 (e) shows a voltage waveform whose polarity is opposite to that of FIG. 3 (a). FIG. 4 (a) shows a spatial image detected by a one-dimensional photodetector, and FIG. 4 (b) shows a spatial image detected by a two-dimensional photodetector. Figure, fifth
FIG. 6 is a block diagram of a photometric device for detecting light under measurement having a repeating period by sampling, FIGS. 6 (a) and 6 (b) are diagrams showing a prism-shaped electro-optical material, FIG. 7 (a),
(B) is a diagram showing the configuration of the photodetector, FIG. 8 is a schematic diagram of a photometric device using a light accumulating means, and FIG. 9 (a),
(B) is a diagram showing a specific example of the light accumulating means, and FIG. 10 is a schematic diagram of a photometric device for detecting a change in the polarization state of the measured light by an analyzer. 1,11 …… Electro-optical material, 2,12 …… Transparent electrode, 3,13 …… Metal electrode, 4 …… Sweep circuit, 5 …… Trigger circuit, 6,16 ……
Slit, 7,17 ... Photodetector, 20 ... Shift circuit, 21 ...
… Slits or apertures, 50… Light storage means, 82…
… Analyzer
フロントページの続き (72)発明者 土屋 裕 静岡県浜松市市野町1126番地の１ 浜松ホ トニクス株式会社内 (56)参考文献 特開 昭58−147616（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−219725（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−153211（ＪＰ，Ａ)Front Page Continuation (72) Inventor Yu Tsuchiya 1 126-1, Nomachi, Hamamatsu, Shizuoka Prefecture Hamamatsu Photonics Co., Ltd. (56) Reference JP-A-58-147616 (JP, A) JP-A-59-219725 ( JP, A) JP 57-153211 (JP, A)
Claims (9)
装置において、電圧により屈折率が変化する電気光学材
料と、電気光学材料の一方の面に設けられ、電気光学材
料に電圧を印加するための電極機能、および／または、
被測定光を電気光学材料に入出射させるための機能を有
する透明電極と、電気光学材料の他方に設けられ、電気
光学材料に電圧を印加するための電極機能とともに被測
定光を反射させるための機能を有する金属電極と、前記
透明電極と金属電極との間に被測定光のタイミングに合
わせて所定の電圧変化を与える電圧印加手段と、電気光
学材料から出射した被測定光を検出する光検出手段とを
備え、前記電圧印加手段により、被測定光のタイミング
に合わせて前記電気光学材料に所定の電圧変化を与え、
電気光学材料の屈折率を該電圧変化に応じて変化させ
て、電気光学材料内を通過する被測定光を掃引し、電気
光学材料内で該被測定光を前記金属電極により反射させ
た上で、該被測定光を前記光検出手段に向かわせること
を特徴とする測光装置。1. A photometric device for measuring a temporal intensity change of light to be measured, the electro-optical material having a refractive index changing with a voltage, and a voltage applied to the electro-optical material provided on one surface of the electro-optical material. Electrode function for
A transparent electrode having a function of inputting and outputting the measured light to and from the electro-optical material, and an electrode function for providing a voltage to the electro-optical material, which is provided on the other side of the electro-optical material, and for reflecting the measured light. A metal electrode having a function, voltage applying means for applying a predetermined voltage change between the transparent electrode and the metal electrode in accordance with the timing of the light to be measured, and light detection for detecting the light to be measured emitted from the electro-optical material. Means for applying a predetermined voltage change to the electro-optical material according to the timing of the light to be measured by the voltage applying means,
The refractive index of the electro-optical material is changed according to the voltage change, the light to be measured passing through the electro-optical material is swept, and the light to be measured is reflected in the electro-optical material by the metal electrode. A photometric device characterized in that the measured light is directed to the light detection means.
検出手段は一次元の光検出器であることを特徴とする特
許請求の範囲第１項に記載の測光装置。2. The photometric device according to claim 1, wherein the light to be measured is spot light, and the light detecting means is a one-dimensional photodetector.
り、前記光検出手段は二次元の光検出器であることを特
徴とする特許請求の範囲第１項に記載の測光装置。3. The photometric device according to claim 1, wherein the light to be measured is slit-like parallel light, and the light detecting means is a two-dimensional photodetector.
器の前段に設けられた光蓄積手段とからなることを特徴
とする特許請求の範囲第１項に記載の測光装置。4. The photometric device according to claim 1, wherein the photodetecting means comprises a photodetector and a light accumulating means provided upstream of the photodetector.
器の前段に設けられた検光子とからなることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項に記載の測光装置。5. The photometric device according to claim 1, wherein the photo-detecting means comprises a photo-detector and an analyzer provided upstream of the photo-detector.
た掃引電圧が前記電圧印加手段により印加されるように
なっていることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記
載の測光装置。6. The photometering device according to claim 1, wherein a sweep voltage synchronized with the light to be measured is applied to the electro-optical material by the voltage applying means. apparatus.
た正弦波状の掃引電圧が前記電圧印加手段により加わり
シンクロスキャン動作をさせるようになっていることを
特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の測光装置。7. The electro-optical material is adapted to perform a synchroscan operation by applying a sinusoidal sweep voltage synchronized with the light to be measured by the voltage applying means. The photometric device according to item 1.
電圧が前記電圧印加手段により印加され、該掃引電圧に
よって掃引された被測定光はサンプリングされて前記光
検出手段に入射するようになっていることを特徴とする
特許請求の範囲第１項に記載の測光装置。8. A sweeping voltage having a repeating period is applied to the electro-optical material by the voltage applying means, and the light to be measured swept by the sweeping voltage is sampled and enters the photodetecting means. The photometric device according to claim 1, wherein:
チョッパとロックインアンプとが用いられることを特徴
とする特許請求の範囲第８項に記載の測光装置。9. The photometric device according to claim 8, wherein an optical chopper and a lock-in amplifier are used in sampling of the measured light.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24222287A JPH0814506B2 (en) | 1987-09-27 | 1987-09-27 | Photometric device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24222287A JPH0814506B2 (en) | 1987-09-27 | 1987-09-27 | Photometric device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6484122A JPS6484122A (en) | 1989-03-29 |
| JPH0814506B2 true JPH0814506B2 (en) | 1996-02-14 |
Family
ID=17086051
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24222287A Expired - Fee Related JPH0814506B2 (en) | 1987-09-27 | 1987-09-27 | Photometric device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0814506B2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2665995B2 (en) * | 1990-12-26 | 1997-10-22 | 浜松ホトニクス株式会社 | Solid streak camera |
-
1987
- 1987-09-27 JP JP24222287A patent/JPH0814506B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6484122A (en) | 1989-03-29 |
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