JPH08138869A - El element - Google Patents
El elementInfo
- Publication number
- JPH08138869A JPH08138869A JP6272469A JP27246994A JPH08138869A JP H08138869 A JPH08138869 A JP H08138869A JP 6272469 A JP6272469 A JP 6272469A JP 27246994 A JP27246994 A JP 27246994A JP H08138869 A JPH08138869 A JP H08138869A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- binder
- layer
- electrode layer
- light emitting
- moisture
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、ＥＬ素子に関するもの
である。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an EL device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来から用いられている一般的なＥＬ素
子は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム
上にインジウム・ティン・オキサイト（以下「ＩＴＯ」
という。）からなる透明電極層を蒸着してなる透明電極
フィルム上に、発光層，絶縁層及び背面電極層を積層形
成し、これらを防湿フィルムで封止することによって構
成されている。この従来技術では、発光層，絶縁層の樹
脂バインダとしてはシアノエチル化物樹脂が使用されて
いる。2. Description of the Related Art A general EL element which has been used in the past is formed of indium tin oxide (hereinafter referred to as "ITO") on a polyethylene terephthalate (PET) film.
Say. A transparent electrode layer formed by vapor-depositing a transparent electrode layer, a light emitting layer, an insulating layer, and a back electrode layer are laminated on the transparent electrode film, and these are sealed with a moisture-proof film. In this conventional technique, a cyanoethylated resin is used as a resin binder for the light emitting layer and the insulating layer.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかし、このシアノエ
チル化物樹脂バインダは、吸湿性が高いという問題点を
有しており、一方、発光層を構成する蛍光体は、水分の
浸入により著しく劣化する。このため、水分による蛍光
体の劣化を防止する目的で防湿フィルムによってＥＬ素
子を封止している。したがって、上記従来の構成では、
防湿フィルムによる封止が必要不可欠となる。そのた
め、ＥＬ素子が厚くなり、ＥＬ素子のフレキシビリティ
が少なくなり、防湿フィルムの封止代のためにＥＬ素子
の大きさに対して発光面積は小さくなるという問題があ
った。また、防湿フィルムは高価であり、製造面でも封
止工程を必要とするために安価なＥＬ素子を提供するこ
とが困難であった。However, this cyanoethylated resin binder has a problem of high hygroscopicity, while the phosphor constituting the light emitting layer is significantly deteriorated by the infiltration of water. Therefore, the EL element is sealed with a moisture-proof film for the purpose of preventing deterioration of the phosphor due to moisture. Therefore, in the above conventional configuration,
Sealing with a moisture-proof film becomes indispensable. Therefore, there is a problem that the EL element becomes thick, the flexibility of the EL element decreases, and the light emitting area becomes smaller than the size of the EL element due to the sealing margin of the moisture-proof film. Further, the moisture-proof film is expensive, and it is difficult to provide an inexpensive EL element because a sealing step is required in terms of manufacturing.
【０００４】そこで、本出願人は先に特願平５−２３１
７０９で、高誘電体のバインダとしてフッ素樹脂を用い
て防湿フィルムを省略できるＥＬ素子を提案した。しか
しながら、この従来技術でも耐湿性が完全であるとは言
えなかった。Therefore, the present applicant has previously filed Japanese Patent Application No. 5-231.
In 709, an EL element was proposed in which a moisture-proof film could be omitted using a fluororesin as a binder for a high dielectric substance. However, even this conventional technique cannot be said to have perfect moisture resistance.
【０００５】そこで本発明の目的は、耐湿性を更に向上
させて防湿フィルムでの封止を不要にし、厚みを薄くし
かつＥＬ素子の大きさに見合う大きい発光面積とし、製
造工程が簡単で安価なＥＬ素子を提供することにある。Therefore, an object of the present invention is to further improve the moisture resistance, eliminate the need for sealing with a moisture-proof film, reduce the thickness, and provide a large light emitting area commensurate with the size of the EL element. The manufacturing process is simple and inexpensive. To provide a simple EL element.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明では、背面に透明電極層が形成してある透明
基材と、上記透明電極層の背面に形成された発光層と、
上記発光層の背面に形成された絶縁層と、上記絶縁層の
背面に形成された背面電極層とを有するＥＬ素子におい
て、発光層と絶縁層との中の少なくとも１つにおいて
は、バインダとしてホスファゼンポリマーが使用してあ
る。In order to achieve the above object, in the present invention, a transparent base material having a transparent electrode layer formed on the back surface, and a light emitting layer formed on the back surface of the transparent electrode layer,
In an EL device having an insulating layer formed on the back surface of the light emitting layer and a back electrode layer formed on the back surface of the insulating layer, at least one of the light emitting layer and the insulating layer is a phosphazene as a binder. A polymer is used.
【０００７】また、上記の背面電極層は、導体粉とバイ
ンダとしてホスファゼンポリマーとを含有しているのが
好ましい。The back electrode layer preferably contains a conductor powder and a phosphazene polymer as a binder.
【０００８】[0008]
【実施例】以下、本発明の詳細を添付図面に示す好適な
実施例にそって説明する。The details of the present invention will be described below with reference to the preferred embodiments shown in the accompanying drawings.
【０００９】図１に本発明のＥＬ素子の全体構成を示し
ているように、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）
のフィルムを透明基材１とし、その背面に透明電極層１
ａとしてＩＴＯを蒸着してある。透明電極層１ａの背面
には発光層２が形成されており、発光層２の背面には絶
縁層３が形成されており、絶縁層３の背面には背面電極
層４が形成されている。また背面電極層４の背面には防
湿層５が形成されている。As shown in FIG. 1 as a whole structure of the EL device of the present invention, polyethylene terephthalate (PET) is used.
The film is used as the transparent base material 1, and the transparent electrode layer 1 is provided on the back surface thereof.
ITO is vapor-deposited as a. A light emitting layer 2 is formed on the back surface of the transparent electrode layer 1a, an insulating layer 3 is formed on the back surface of the light emitting layer 2, and a back electrode layer 4 is formed on the back surface of the insulating layer 3. A moisture-proof layer 5 is formed on the back surface of the back electrode layer 4.
【００１０】発光層２は発光体とバインダとを含有して
おり、発光体として用いられる蛍光体としては、銅（Ｃ
ｕ）をドープした硫化亜鉛（ＺｎＳ）を用いる。そして
耐湿性を考慮して、バインダとして、ポリオルガノホス
ファゼンの一種であるホスフォ・ニトライド・フロライ
ド（ＰＮＦ）とＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミドとを１：
３の比率で混合したＰＮＦバインダを用いている。蛍光
体とＰＮＦバインダとを６：４の比率で混ぜ、良く攪拌
して発光インクを作成する。この発光インクをスクリー
ン印刷法等の方法によってＩＴＯ蒸着面上に印刷し、そ
の後加熱・乾燥して発光層２を形成している。The light emitting layer 2 contains a light emitting body and a binder. As a phosphor used as the light emitting body, copper (C
u) Doped zinc sulfide (ZnS) is used. In consideration of moisture resistance, as a binder, phosphonitride fluoride (PNF), which is a kind of polyorganophosphazene, and N, N-dimethylacetamide are mixed in a ratio of 1:
A PNF binder mixed in a ratio of 3 is used. A phosphor and a PNF binder are mixed at a ratio of 6: 4 and well stirred to prepare a luminescent ink. This luminescent ink is printed on the ITO vapor deposition surface by a method such as screen printing, and then heated and dried to form the luminescent layer 2.
【００１１】ＰＮＦモノマーの構造は、The structure of the PNF monomer is
【００１２】[0012]
【化１】 Embedded image
【００１３】のようになっており、水に対して安定であ
るばかりでなく、後で詳細に説明するように優れた誘電
体である。As described above, it is not only stable to water, but also an excellent dielectric as will be described in detail later.
【００１４】絶縁層３は高誘電体とバインダとを含有し
ており、絶縁層を構成する高誘電体としては、チタン酸
バリウム（ＢａＴｉＯ3）を用いる。そして耐湿性を考
慮して、バインダとして先に説明したＰＮＦバインダを
用いる。高誘電体とＰＮＦバインダとを６：４の比率で
混ぜ、良く撹拌して絶縁インクを作成する。この絶縁イ
ンクを発光層２上に印刷し、その後加熱・乾燥して絶縁
層３を形成する。チタン酸バリウムの誘電率が非常に高
く（１８００（Ｆ／ｍ））、またＰＮＦバインダも後で
詳細に説明するように優れた誘電体であるので、絶縁層
３全体としては高い誘電率が確保でき、ＥＬ素子の発光
輝度の低下を招くことはない。The insulating layer 3 contains a high dielectric material and a binder, and barium titanate (BaTiO 3 ) is used as the high dielectric material forming the insulating layer. In consideration of moisture resistance, the PNF binder described above is used as the binder. A high dielectric material and a PNF binder are mixed in a ratio of 6: 4 and well stirred to form an insulating ink. This insulating ink is printed on the light emitting layer 2 and then heated and dried to form the insulating layer 3. Barium titanate has a very high dielectric constant (1800 (F / m)), and the PNF binder is also an excellent dielectric, as will be described later in detail, so a high dielectric constant is secured for the insulating layer 3 as a whole. Therefore, the emission brightness of the EL element is not reduced.
【００１５】背面電極層４は導電体とバインダとを含有
しており、導電体としてはカーボン粉を用いる。そして
耐湿性を考慮して、バインダとして先に説明したＰＮＦ
バインダを用いている。このＰＮＦバインダとカーボン
粉とを１：１の比率で混ぜて導体インクを作成する。こ
の導体インクを絶縁層３上に印刷し、その後加熱・乾燥
して背面電極層４を形成する。The back electrode layer 4 contains a conductor and a binder, and carbon powder is used as the conductor. In consideration of moisture resistance, the PNF described above as a binder is used.
It uses a binder. This PNF binder and carbon powder are mixed at a ratio of 1: 1 to prepare a conductor ink. This conductive ink is printed on the insulating layer 3 and then heated and dried to form the back electrode layer 4.
【００１６】防湿層５はシリコン樹脂よりなり、背面電
極層４上に印刷によって設ける。The moisture-proof layer 5 is made of silicone resin and is provided on the back electrode layer 4 by printing.
【００１７】図２に、本発明で使用されたＰＮＦポリマ
ーの誘電率と温度との関係を示している。即ち、温度２
０℃から７０℃の範囲で、周波数１２０Hz（線ａ），３
００Hz（線ｂ），１kHz （線ｃ），３kHz （線ｄ）及び
１０kHz （線ｅ）でそれぞれＰＮＦポリマーの誘電率を
測定している。周波数が低いほど誘電率は増加し、特に
周波数１２０Hzでは温度５０℃をすぎてから誘電率２０
０近くの極大値を示すが、ＥＬ素子として通常使用する
２０〜３０℃では、誘電率は１５〜６５（Ｆ／ｍ）の値
を示しており、優れた誘電体であることがわかる。FIG. 2 shows the relationship between the dielectric constant and the temperature of the PNF polymer used in the present invention. That is, temperature 2
Frequency of 120Hz (line a), 3 in the range of 0 ℃ to 70 ℃
The dielectric constant of the PNF polymer is measured at 00 Hz (line b), 1 kHz (line c), 3 kHz (line d) and 10 kHz (line e), respectively. The lower the frequency, the higher the permittivity, especially at a frequency of 120 Hz, after the temperature exceeds 50 ° C, the permittivity becomes 20.
Although it has a maximum value near 0, the dielectric constant shows a value of 15 to 65 (F / m) at 20 to 30 ° C. which is usually used as an EL element, which shows that it is an excellent dielectric.
【００１８】また図３に、ＰＮＦポリマーの吸湿特性を
示している。比較するためにシアノレジン（ＣＥＰ）の
吸湿特性を同時に示している。即ち、両者を温度２０℃
で湿度７５％の雰囲気中に放置し、放置時間（hr）と吸
湿量（％）との関係を調べた結果、ＰＮＦポリマーの吸
湿特性を示す線ｆでは、２４時間を経過してもなお吸湿
量は０．３％であるのに対して、ＣＥＰの吸湿特性を示
す線ｇでは、６時間後には２．２％に達し、２４時間経
過後には３．０％に達している。このことから、ＰＮＦ
ポリマーの吸湿性は極めて低く、優れた耐湿性を有する
ことがわかる。Further, FIG. 3 shows the hygroscopic property of the PNF polymer. For comparison, the moisture absorption characteristics of cyanoresin (CEP) are also shown. That is, the temperature of both
As a result of investigating the relationship between the leaving time (hr) and the moisture absorption amount (%) after leaving it in an atmosphere with a humidity of 75%, the line f showing the moisture absorption characteristics of the PNF polymer shows that the moisture absorption still remains even after 24 hours. While the amount is 0.3%, the line g showing the hygroscopic property of CEP reaches 2.2% after 6 hours and reaches 3.0% after 24 hours. From this, PNF
It can be seen that the hygroscopicity of the polymer is extremely low and that it has excellent moisture resistance.
【００１９】そこで、バインダとしてホスファゼンポリ
マーを用いた本発明のＥＬ素子ｈと、バインダとしてフ
ッ素樹脂を用いて防湿フィルムで封止しないＥＬ素子ｉ
と、バインダとしてシアノエチル化物樹脂を用いて防湿
フィルムで封止しないＥＬ素子ｊとを、４０℃×９０％
ＲＨ（相対湿度）の環境の下で、１００Ｖ×４００Ｈｚ
の駆動条件で、８００時間発光駆動させた。その結果、
図４のような発光輝度維持特性が得られた。図４から明
らかなように、ＥＬ素子ｈでは６００時間経過後も輝度
維持率はなお４０％を保っており、ＥＬ素子ｉでもなお
３０％を保っているのに対して、ＥＬ素子ｊでは２００
時間を経ずして急激に輝度維持率が低下していることが
判る。これは、シアノエチル化物樹脂バインダを用いた
ために発光層の耐湿性が劣っており、発光層が湿度によ
り劣化したことを意味する。なお、これらのＥＬ素子の
初期輝度は、ＥＬ素子ｈでは５０cd／m 2 、ＥＬ素子ｉ
では５５cd／m 2 、ＥＬ素子ｊでは６０cd／m 2 であ
る。本発明のＥＬ素子ｈは、初期輝度においては若干劣
るといってもほぼ同等といえる程度であるが、その耐湿
性の高さから環境性に優れたＥＬ素子ということができ
る。Therefore, the EL element h of the present invention using a phosphazene polymer as a binder and the EL element i using a fluororesin as a binder and not sealed with a moisture-proof film.
And EL element j using cyanoethylated resin as a binder and not sealed with a moisture-proof film at 40 ° C. × 90%
100V x 400Hz under RH (relative humidity) environment
Under the driving conditions described above, the light emission was driven for 800 hours. as a result,
The emission luminance maintaining characteristic as shown in FIG. 4 was obtained. As is clear from FIG. 4, the EL element h still maintains the luminance maintenance ratio of 40% after 600 hours, and the EL element i still maintains the luminance maintenance rate of 30%, while the EL element j has
It can be seen that the luminance maintenance rate is drastically reduced over time. This means that the light emitting layer was inferior in moisture resistance because the cyanoethylated resin binder was used, and the light emitting layer was deteriorated by humidity. The initial luminance of these EL elements is 50 cd / m 2 for EL element h, and EL element i
Is 55 cd / m 2 , and EL element j is 60 cd / m 2 . Although the EL element h of the present invention is almost inferior in initial luminance, it is almost the same, but it can be said that it is an EL element excellent in environmental properties because of its high moisture resistance.
【００２０】なお、発光層と絶縁層の中の少なくとも１
つに、バインダとしてホスファゼンポリマーを使用すれ
ば良く、実施例で示したように両方共に使用すればその
耐湿性は一層向上する。また、背面電極層のバインダに
もホスファゼンポリマーを使用すればその耐湿性は更に
向上する。At least one of the light emitting layer and the insulating layer
Finally, a phosphazene polymer may be used as a binder, and if both are used as shown in the examples, its moisture resistance is further improved. Further, if a phosphazene polymer is used for the binder of the back electrode layer, its moisture resistance is further improved.
【００２１】[0021]
【発明の効果】以上に説明したように、本発明のＥＬ素
子は、発光層と絶縁層との中の少なくとも１つに、バイ
ンダとしてホスファゼンポリマーを使用しているので、
耐湿性が著しく向上し、このために防湿フィルムでの封
止が不要となり、厚みを薄くでき、ＥＬ素子の大きさに
見合う大きい発光面積を得られる。しかも製造工程が簡
単であり、高価な防湿フィルムを省略できるので、安価
なＥＬ素子を提供することができる。As described above, the EL device of the present invention uses the phosphazene polymer as a binder in at least one of the light emitting layer and the insulating layer.
The moisture resistance is remarkably improved, which eliminates the need for sealing with a moisture-proof film, can reduce the thickness, and can provide a large light emitting area commensurate with the size of the EL element. Moreover, since the manufacturing process is simple and the expensive moisture-proof film can be omitted, an inexpensive EL element can be provided.
【図１】本発明の一実施例を示す断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of the present invention.
【図２】ＰＮＦポリマーの誘電率と温度との関係図であ
る。FIG. 2 is a graph showing the relationship between the dielectric constant of PNF polymer and temperature.
【図３】ＰＮＦポリマーの吸湿特性図である。FIG. 3 is a moisture absorption characteristic diagram of PNF polymer.
【図４】輝度維持特性図である。FIG. 4 is a luminance maintaining characteristic diagram.
１ 透明基材 １ａ 透明電極層 ２ 発光層 ３ 絶縁層 ４ 背面電極層 1 Transparent Substrate 1a Transparent Electrode Layer 2 Light Emitting Layer 3 Insulating Layer 4 Back Electrode Layer
フロントページの続き (72)発明者 米田 幸司 東京都墨田区太平四丁目１番１号 株式会 社精工舎内Front Page Continuation (72) Inventor Koji Yoneda 4-1-1 Taihei, Sumida-ku, Tokyo Inside the Seikosha Co., Ltd.
Claims (2)
材と、上記透明電極層の背面に形成された発光層と、上
記発光層の背面に形成された絶縁層と、上記絶縁層の背
面に形成された背面電極層とを有するＥＬ素子におい
て、 上記発光層と上記絶縁層との中の少なくとも１つにおい
ては、バインダとしてホスファゼンポリマーが使用して
あることを特徴とするＥＬ素子。1. A transparent base material having a transparent electrode layer formed on the back surface, a light emitting layer formed on the back surface of the transparent electrode layer, an insulating layer formed on the back surface of the light emitting layer, and the insulating layer. An EL device having a back electrode layer formed on the back surface of the above, wherein a phosphazene polymer is used as a binder in at least one of the light emitting layer and the insulating layer.
導体粉のバインダとしてホスファゼンポリマーが使用し
てあることを特徴とするＥＬ素子。2. The back electrode layer according to claim 1,
An EL device characterized in that a phosphazene polymer is used as a binder of conductor powder.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6272469A JP2852335B2 (en) | 1994-11-07 | 1994-11-07 | EL element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6272469A JP2852335B2 (en) | 1994-11-07 | 1994-11-07 | EL element |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08138869A true JPH08138869A (en) | 1996-05-31 |
| JP2852335B2 JP2852335B2 (en) | 1999-02-03 |
Family
ID=17514360
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6272469A Expired - Fee Related JP2852335B2 (en) | 1994-11-07 | 1994-11-07 | EL element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2852335B2 (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002091803A1 (en) * | 2001-05-09 | 2002-11-14 | Gakoreatech | Manufacturing process of self-luminous and flexible fabric |
| KR20030089618A (en) * | 2002-05-16 | 2003-11-22 | 주식회사 지에이코리아테크 | Self light-emitting flexible sheet used for making signboards and method for manufacturing the same |
| WO2003098975A1 (en) * | 2002-05-17 | 2003-11-27 | Print Labo Co., Ltd. | El light emitting device |
-
1994
- 1994-11-07 JP JP6272469A patent/JP2852335B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002091803A1 (en) * | 2001-05-09 | 2002-11-14 | Gakoreatech | Manufacturing process of self-luminous and flexible fabric |
| KR20030089618A (en) * | 2002-05-16 | 2003-11-22 | 주식회사 지에이코리아테크 | Self light-emitting flexible sheet used for making signboards and method for manufacturing the same |
| WO2003098975A1 (en) * | 2002-05-17 | 2003-11-27 | Print Labo Co., Ltd. | El light emitting device |
| US7105998B2 (en) | 2002-05-17 | 2006-09-12 | Print Labo Co., Ltd. | EL light emitting device with waterproof function |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2852335B2 (en) | 1999-02-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0830807B1 (en) | Electroluminescent lamp having a terpolymer binder | |
| JP4500594B2 (en) | LIGHT EMITTING ELEMENT, DISPLAY DEVICE AND DISPLAY DEVICE CONTROL METHOD | |
| KR100819233B1 (en) | El device | |
| JP2852335B2 (en) | EL element | |
| JPWO2005122651A1 (en) | Light emitting element and display device | |
| JPH0758636B2 (en) | Electroluminescent lamp | |
| JP2005347192A (en) | Electroluminescent element | |
| KR100872167B1 (en) | Flat olef with double stack structure | |
| JP2719559B2 (en) | EL element | |
| EP0163351B1 (en) | Thin film electroluminescent device | |
| JP2000208250A (en) | Electroluminescence | |
| JP2657167B2 (en) | EL element | |
| JPS6359519B2 (en) | ||
| JPH08306486A (en) | El display device | |
| JPS6124192A (en) | Thin film electroluminescent element | |
| JP2004342366A (en) | El element | |
| JPH0224995A (en) | Electroluminescence element | |
| JPH04363895A (en) | Electroluminescence element | |
| JPH01272095A (en) | Electroluminescent element and manufacture thereof | |
| JPH04220996A (en) | El element | |
| JPH0778683A (en) | Electroluminescence element and manufacture of phosphor | |
| JP2007188725A (en) | Inorganic distributed electroluminescent display device | |
| JPH02210791A (en) | Electroluminescent lamp | |
| JP2001319786A (en) | Electric field luminescent light | |
| JPH11312590A (en) | Electroluminescent element |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19980827 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |